特開 2024-42807 レーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024042807

(43)【公開日】2024-03-29

(54)【発明の名称】レーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240322BHJP

   B23K 26/57 20140101ALI20240322BHJP

   B23K 26/18 20060101ALI20240322BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 611Z

B23K26/57

B23K26/18

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022147672

(22)【出願日】2022-09-16

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000408

【氏名又は名称】弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ

(72)【発明者】

【氏名】大久保 拓郎

(72)【発明者】

【氏名】林 秀和

【テーマコード（参考）】

4E168

5F057

【Ｆターム（参考）】

4E168AE05

4E168CB03

4E168CB07

4E168DA02

4E168DA23

4E168DA43

4E168FD01

4E168JA12

4E168JA14

5F057AA12

5F057AA43

5F057BA19

5F057BB37

5F057CA02

5F057CA14

5F057DA22

(57)【要約】

【課題】半導体記憶装置の製造効率を向上し、且つ基板の再利用効率を向上する。
【解決手段】 一実施形態にかかるレーザー加工装置は、基板を保持し、回転するステージと、回転の半径方向に移動可能であり、ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように赤外パルスレーザーの出力を制御する制御部を有するレーザー照射装置と、を有する。
【選択図】 図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持し、回転するステージと、
前記回転の半径方向に移動可能であり、前記ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、前記回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように赤外パルスレーザーの出力を制御する制御部を有するレーザー照射装置と、
を有する、レーザー加工装置。

【請求項2】

前記Ｌ１／Ｌ２は、前記基板の中心部と、前記中心部の外側に位置する外周部とにおいて、それぞれ１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜１０を満たす、請求項１に記載のレーザー加工装置。

【請求項3】

前記Ｌ１は、前記赤外パルスレーザーの線速度／振動数である、請求項１に記載のレーザー加工装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記レーザースポットの直径および振動数を制御する、請求項１に記載のレーザー加工装置。

【請求項5】

前記赤外パルスレーザーは炭酸ガスレーザーを含む、請求項１に記載のレーザー加工装置。

【請求項6】

第１の基板と第２の基板がレーザー吸収層を介して貼合された貼合基板をステージに配置し、
前記ステージを回転し、
前記ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、前記回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように出力を制御して赤外パルスレーザーを前記レーザー吸収層に照射するレーザー照射装置を前記回転の半径方向に移動させること、を含むレーザー剥離方法。

【請求項7】

前記レーザー照射装置は、前記Ｌ１／Ｌ２が、前記第２の基板の中心部と、前記中心部の外側に位置する外周部とにおいて、それぞれ１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜１０を満たすよう前記赤外パルスレーザーの出力を制御する、請求項６に記載のレーザー剥離方法。

【請求項8】

前記Ｌ１は、前記赤外パルスレーザーの線速度／振動数である、請求項６に記載のレーザー剥離方法。

【請求項9】

前記レーザー照射装置は、前記レーザースポットの直径および振動数を制御する、請求項６に記載のレーザー剥離方法。

【請求項10】

前記赤外パルスレーザーは炭酸ガスレーザーを含む、請求項６に記載のレーザー剥離方法。

【請求項11】

第１の基板と第２の基板がレーザー吸収層を介して貼合された貼合基板をステージに配置し、
前記ステージを回転し、
前記ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、前記回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように出力を制御して赤外パルスレーザーを前記レーザー吸収層に照射するレーザー照射装置を前記回転の半径方向に移動させ、
前記第２の基板を剥離する、ことを含む半導体装置の製造方法。

【請求項12】

前記レーザー吸収層はシリコン酸化膜を含む、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項13】

前記貼合基板は、前記第１の基板と前記第２の基板の間にＣＭＯＳ回路、メモリセルアレイ、前記レーザー吸収層を含み、前記第２の基板側から前記赤外パルスレーザーを照射する、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態はレーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体記憶装置としてＮＡＮＤ型フラッシュメモリが知られている。このＮＡＮＤ型フラッシュメモリはメモリセルアレイとその制御回路を備えている。半導体記憶装置の製造方法として、メモリセルアレイチップと、制御回路チップとを、それぞれ別体の基板上に形成し、後から貼り合わせる方法が知られている。この場合、メモリセルアレイチップを形成した基板は、レーザー剥離をすることで再利用することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－６６９３８号公報

【特許文献2】特開２０１８－９３０２１号

【特許文献3】国際公開第２０１１／０６８１１１号

【特許文献4】国際公開第２０２０／０１７５９９号

【特許文献5】国際公開第２０１９／２３９８９２号

【特許文献6】国際公開第２０２０／０６６４９２号

【特許文献7】国際公開第２０２０／０５４５０４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示に係る実施形態は、半導体記憶装置の製造効率を向上し、且つ基板の再利用効率を向上したレーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本実施形態にかかるレーザー加工装置は、基板を保持し、回転するステージと、回転の半径方向に移動可能であり、ステージの回転方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ１、回転の半径方向に隣接するレーザースポットの間隔がＬ２であるとき、Ｌ１／Ｌ２が１．２以上１０以下を満たすように赤外パルスレーザーの出力を制御する制御部を有するレーザー照射装置と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】本実施形態に係る半導体記憶装置（貼合基板）の全体構成を示す図である。

【図2】本実施形態に係る半導体記憶装置（貼合基板）の構成を示す断面図である。

【図3】本実施形態に係る半導体記憶装置の全体構成を示す図である。

【図4】本実施形態に係るレーザー加工装置の基本的な構成を示す上面図である。

【図5】本実施形態に係るレーザー加工装置の基本的な構成を示す側面図である。

【図6】本実施形態に係る半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザーの照射領域（レーザースポット）を示す上面図である。

【図7】本実施形態に係る半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザーの照射領域（レーザースポット）を示す拡大上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、本実施形態に係るレーザー加工装置、レーザー剥離方法および半導体装置の製造方法について図面を参照して具体的に説明する。以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する要素について、同一符号又は同一符号の後にアルファベットが追加された符号が付されており、必要な場合にのみ重複して説明する。以下に示す各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示する。一実施形態は、発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。これら実施形態やその変形例は、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0008】

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

【0009】

各実施形態において、それぞれの基板からメモリセルまたは制御回路に向かう方向を上方という。逆に、メモリセルまたは制御回路からそれぞれの基板に向かう方向を下方という。このように、説明の便宜上、上方又は下方という語句を用いて説明するが、例えば、基板とメモリセルとの上下関係が図示と逆になるように配置されてもよい。また、以下の説明で、例えば基板上のメモリセルという表現は、上記のように基板とメモリセルとの上下関係を説明しているに過ぎず、基板とメモリセルとの間に他の部材が配置されていてもよい。

【0010】

本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣ」を含む、といった表現は、特に明示が無い限り、αがＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

【0011】

以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。

【0012】

＜第１実施形態＞
［半導体記憶装置（貼合基板）］
本実施形態にかかる半導体記憶装置（貼合基板）１の構成について、図１から図３を用いて説明する。図１は、半導体記憶装置（貼合基板）１の全体構成を示す図である。図２は、半導体記憶装置（貼合基板）１の基本的な構成を示す断面図である。図３は、半導体記憶装置２の全体構成を示す図である。図１に示すように、半導体記憶装置（貼合基板）１は、第１の回路層としてのメモリセルアレイチップ１００と、第２の回路層としての制御回路（ＣＭＯＳ回路）チップ２００とを備える。メモリセルアレイチップ１００と、制御回路チップ２００とは、接続面Ｃ１にて接続される。なお、第1の回路層および第２の回路層は特に限定されない。故に、実施形態の半導体記憶装置を「半導体装置」と称することがある。

【0013】

［メモリセルアレイチップの構造］
図２に示すように、メモリセルアレイチップ１００は、基板１０と、レーザー吸収層１４と、複数の電極層１６と、複数の半導体ピラー１５と、メモリ側配線層１７と、を有する。複数の電極層１６は、レーザー吸収層１４を介して基板１０上に、複数の絶縁層と交互に積層される。それぞれの半導体ピラー１５は、基板１０と垂直方向に、積層された複数の電極層１６を貫通して配置される。それぞれの半導体ピラー１５は、絶縁層を介して複数の電極層１６と組み合わされることで、メモリセルを含む複数のトランジスタとして機能する。すなわち、メモリセルアレイ領域１１（図２の左上部分）においては、メモリセルを含む複数のトランジスタが３次元配置される。半導体ピラー１５は、一方の端（基板１０側）においてソース線に電気的に接続され、他方の端（基板１０とは反対側）においてメモリ側配線層１７に電気的に接続される。メモリ側配線層１７の基板１０とは反対側の接続面Ｃ１には、制御回路チップ２００と接続するための接続端子が配置される。

【0014】

基板１０上には、メモリセルアレイ領域１１と並んで引出領域１２（図２の右上部分）が配置される。引出領域１２において、複数の電極層１６は、それぞれ階段状に端子部分が引き出されている。そして、それぞれの端子部分は絶縁膜に開口されたコンタクトホールを介して垂直方向に配置される配線と接続されている。これら垂直方向の配線はメモリ側配線層１７と電気的に接続され、接続端子を介して制御回路チップ２００と接続される。

【0015】

基板１０は、シリコン基板などの半導体ウエハまたはガラス基板であってもよい。基板１０と複数の電極層１６との間には、レーザー吸収層１４が配置される。図３に示すように、本実施形態に係る半導体記憶装置（貼合基板）１の基板１０とレーザー吸収層１４とは、半導体記憶装置の製造工程で最終的に、レーザー吸収層１４にレーザーを照射することにより、半導体記憶装置２から除去される。レーザー吸収層１４は、例えば、シリコン酸化膜であることが好ましい。半導体記憶装置２は、基板１０とレーザー吸収層１４とを除去した後に個片化して半導体チップとしてもよい。レーザー処理により剥離した基板１０は再利用してもよい。

【0016】

［制御回路チップの構造］
図２に示すように、制御回路チップ２００は、基板２０と、制御回路を構成する複数のトランジスタ２６と、回路側配線層２７と、を有する。複数のトランジスタ２６は基板２０に形成され、基板２０とは反対側において回路側配線層２７に電気的に接続される。回路側配線層２７の基板２０とは反対側の接続面Ｃ１にはメモリセルアレイチップ１００と接続するための接続端子が配置される。基板２０はシリコン基板などの半導体ウエハであってもよい。

【0017】

［レーザー加工装置］
本実施形態にかかるレーザー加工装置３００について、図４および図５を用いて説明する。

【0018】

図４は、レーザー加工装置の基本的な構成を示す上面図である。図５は、レーザー加工装置の基本的な構成を示す側面図である。図４および５に示すように、レーザー加工装置３００は、ステージ３２と、レーザー照射装置３５と、を備える。

【0019】

ステージ３２は円形であり、ウェハ状（円盤状）の半導体記憶装置（貼合基板）１を保持する。半導体記憶装置（貼合基板）１の中心は、ステージ３２の中心Ｃに配置されることが好ましい。半導体記憶装置（貼合基板）１は、基板２０を下側（ステージ３２側）、基板１０を上側（ステージ３２とは反対側）の向きで配置される。

【0020】

ステージ３２は、回転機構３３と制御部３９とを含む。ステージ３２は、回転機構３３によって中心Ｃを含む鉛直軸を中心に回転する。図４において、ステージ３２が時計回りに回転する方向（矢印）を示したが、反時計回りに回転してもよい。ステージ３２が回転することで、ステージ３２が保持する半導体記憶装置（貼合基板）１は中心Ｃを軸に回転する。回転機構３３によって駆動されるステージ３２の回転動作や回転速度は、制御部３９によって制御される。

【0021】

ステージ３２は、保持機構３４を含んでもよい。保持機構３４は、レーザー処理により半導体記憶装置（貼合基板）１から剥離した基板１０をステージ３２上に保持することができる。図４において、保持機構３４は半導体記憶装置（貼合基板）１の端部に２つ配置した。しかしながら、保持機構３４の半導体記憶装置（貼合基板）１当たりの数および場所は特に限定しない。保持機構３４は、レーザー処理の邪魔にならず、剥離された基板１０を回収できればよい。保持機構３４によって、損傷なく回収された基板１０は再利用することができる。

【0022】

ステージ３２の上方には、レーザー照射装置３５が配置される。レーザー照射装置３５は、半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザー吸収層１４にレーザーを照射する。レーザー照射装置３５は、レーザー発振器（図示せず）から発振された高周波のパルス状のレーザーを照射する。レーザーは基板１０に対して透過性を有する。このため、半導体記憶装置（貼合基板）１の基板１０側からレーザーを照射することで、基板１０の下に位置するレーザー吸収層１４に集光して照射することができる。レーザーは、例えば、赤外パルスレーザーであることが好ましく、炭酸ガスレーザー（ＣＯ₂レーザー）であることが好ましい。レーザーの照射によってレーザー吸収層１４はアブレーションを起こす。

【0023】

レーザー照射装置３５は、移動機構３６と制御部３８とを含む。レーザー照射装置３５は、移動機構３６によってステージ３２の上方を半径方向に移動する。図４および図５において、レーザー照射装置３５は、ステージ３２の端部から中心Ｃに向かって移動する方向（矢印）を示したが、ステージ３２の中心Ｃから端部に向かって移動してもよい。レーザー照射装置３５は、少なくとも半導体記憶装置（貼合基板）１の端から中心まで（半径の範囲）移動することができる。ステージ３２が回転しながらレーザー照射装置３５が移動することで、レーザー照射装置３５はステージ３２に対して渦巻き状の軌道に沿ってレーザーを照射する。すなわち、レーザー照射装置３５は、ステージ３２に配置される半導体記憶装置（貼合基板）１に対して渦巻き状の軌道に沿ってレーザーを照射する。移動機構３６によって駆動されるレーザー照射装置３５の移動動作や移動速度、およびレーザー照射装置３５のレーザー出力は、制御部３８によって制御される。

【0024】

［レーザー剥離方法］
本実施形態にかかるレーザー加工装置３００を用いて、半導体記憶装置（貼合基板）１から基板１０とレーザー吸収層１４を除去するレーザー剥離方法について説明する。実施形態の半導体記憶装置（半導体装置）は以降に説明するレーザー剥離方法を用いて製造される。

【0025】

図４および図５に示すように、半導体記憶装置（貼合基板）１を、基板２０が下側（ステージ３２側）、基板１０が上側（ステージ３２とは反対側）の向きでステージ３２上に配置する。ステージ３２を回転させながら、レーザー照射装置３５を移動させることで、レーザー照射装置３５はステージ３２に対して渦巻き状の軌道に沿ってレーザーを照射する。レーザーは半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザー吸収層１４に集光して照射する。レーザー照射装置３５は、少なくとも、半導体記憶装置（貼合基板）１の端から中心まで（半径の範囲）移動させる。

【0026】

図６は、半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザーの照射領域を示す上面図である。図７は、半導体記憶装置（貼合基板）１のレーザーの照射領域を示す拡大上面図である。図７は、図２のレーザー吸収層１４上面（図４の領域ａ）における拡大上面図である。ステージ３２が回転することで、連続して照射されるレーザースポットＳはステージ３２の回転方向とは逆方向（矢印）に移動する。すなわち、連続して照射される２つのレーザースポットＳはステージ３２の回転方向に隣接する。連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、パルスレーザーの線速度／振動数である。ここで２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１とは、２つのレーザースポットＳの中心の間の距離を示す。パルスレーザーの線速度とは、レーザー照射装置３５の位置におけるステージ３２の移動速度（回転速度）であり、制御部３９によって制御される。レーザー照射装置３５の位置およびパルスレーザーの振動数は、制御部３８によって制御される。

【0027】

本実施形態において、例えば、連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、レーザースポットＳの直径ｘより大きくてもよい（Ｌ１＞ｘ）。すなわち、ステージ３２の回転方向に隣接する２つのレーザースポットＳは（Ｌ１－ｘ）離間してもよい。ここでレーザースポットＳの直径ｘとは、レーザー吸収層１４上面におけるレーザースポットＳの半値全幅を示す。例えば、レーザースポットＳの直径ｘは、レーザー跡を確認することで定義してもよい。レーザースポットの直径ｘは、制御部３８によって制御される。

【0028】

基板１０の略全面においてレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、略同一であることが好ましい。すなわち、基板１０の中心部と、中心部の外側に位置する外周部とにおいて、レーザースポットＳの間隔Ｌ１は、略同一であることが好ましい。このため、レーザー照射装置３５の位置が中心Ｃに近いほど、ステージ３２の回転速度を大きくすることが好ましい。レーザー照射装置３５の位置が中心Ｃに近いほど、パルスレーザーの振動数を小さくする（パルスの周期を大きくする）ことが好ましい。

【0029】

ステージ３２が略１周回転する間に、レーザー照射装置３５は中心Ｃに向けて移動する。すなわち、周回遅れのレーザースポットＳは前の周のレーザースポットＳとステージ３２の半径方向に隣接する。レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２は、ステージ３２が１周回転する間のレーザー照射装置３５の移動距離である。ここで２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２とは、２つのレーザースポットＳの中心の間の距離を示す。ステージ３２が１周回転する間のレーザー照射装置３５の移動距離とは、レーザー照射装置３５の移動速度により、制御部３８によって制御される。

【0030】

本実施形態において、例えば、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２は、レーザースポットＳの直径ｘより大きくてもよい（Ｌ２＞ｘ）。すなわち、ステージ３２の半径方向に隣接する２つのレーザースポットＳは（Ｌ２－ｘ）離間してもよい。

【0031】

基板１０の略全面においてレーザースポットＳの間隔Ｌ２は、略同一であることが好ましい。すなわち、基板１０の中心部と、中心部の外側に位置する外周部とにおいて、レーザースポットＳの間隔Ｌ２は、略同一であることが好ましい。このため、レーザー照射装置３５の移動速度は一定であることが好ましい。しかしながらこれに限定されず、レーザースポットＳの間隔Ｌ１を一定にするためにステージ３２の回転速度を大きくする場合、レーザー照射装置３５の移動速度は大きくしてもよい。

【0032】

本実施形態において、連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２より大きい（Ｌ１＞Ｌ２）。連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２より１．２倍以上１０倍以下の範囲であることが好ましい（１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜１０）。連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１が、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２の１．２倍未満であると、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳ間のレーザー吸収層１４の接合を十分に低下させることができず、半導体記憶装置（貼合基板）１から基板１０を分離するときにレーザー吸収層１４の剥離挙動が不均一になる。連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１が、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２の１０倍より大きいと、半導体記憶装置２の製造効率が低下する。さらに、連続して照射される２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ１は、レーザー照射装置３５の移動方向に隣接する２つのレーザースポットＳの間隔Ｌ２より１．２倍以上２．３倍以下の範囲であることがより好ましい（１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜２．３）。基板１０の略全面において基板１０の略全面においてレーザースポットＳの間隔Ｌ２に対するレーザースポットＳの間隔Ｌ１の比率（Ｌ１／Ｌ２）は一定であることが好ましい。すなわち、基板１０の中心部と、中心部の外側に位置する外周部とにおいて、それぞれ１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜１０を満たし、より好ましくは１．２＜Ｌ１／Ｌ２＜２．３を満たす。

【0033】

本実施形態に係るレーザー剥離方法において、レーザー加工装置３００のステージ３２の回転速度、レーザー照射装置３５の移動速度、およびレーザー照射装置３５のレーザー出力（パルスレーザーの振動数、レーザースポットの直径）を制御部３８、３９によって制御することによって、レーザースポットＳの間隔Ｌ１、Ｌ２およびレーザースポットの直径ｘは適宜調整することができる。レーザースポットＳの間隔Ｌ１、Ｌ２およびレーザースポットの直径ｘを上述の範囲に制御することによって、連続して照射される２つのレーザースポットＳの蓄熱の影響を抑制することができ、レーザー吸収層１４の接合力を均一に低下させて半導体記憶装置（貼合基板）１から基板１０を分離することができる。したがって、本実施形態に係るレーザー剥離方法は、半導体記憶装置２の製造効率を向上し、かつ基板１０の再利用効率を向上することができる。

【0034】

なお、本実施形態においては、レーザー加工装置３００のステージ３２の回転速度、レーザー照射装置３５の移動速度、およびレーザー照射装置３５のレーザー出力（パルスレーザーの振動数、レーザースポットの直径）を２つの制御部３８、３９がそれぞれ制御する構成を示した。しかしながらこれに限定されず、レーザー加工装置３００のステージ３２の回転速度、レーザー照射装置３５の移動速度、およびレーザー照射装置３５のレーザー出力（パルスレーザーの振動数、レーザースポットの直径）は、１つの制御部によって統合して制御されてもよい。

【0035】

また、レーザー照射装置３５は１つのレーザービームを発振する構成を示した。しかしながらこれに限定されず、レーザー照射装置３５は複数のレーザービームを発振する構成であってもよい。この場合、複数のレーザービームはステージ３２の半径方向にＬ２離間して配置されてもよく、複数のレーザービームはステージ３２の半径方向に半導体記憶装置（貼合基板）１の半径分離間して配置されてもよい。レーザースポットＳの間隔Ｌ１、Ｌ２を上述の範囲に制御することによって、より効率よくレーザーを照射することができる。

【0036】

１ 半導体記憶装置（貼合基板）、２ 半導体記憶装置、１０ 基板、１１ メモリセルアレイ領域、１２ 引出領域、１４ レーザー吸収層、１５ 半導体ピラー、１６ 電極層、１７ メモリ側配線層、２０ 基板、２６ トランジスタ、２７ 回路側配線層、３２ ステージ、３３ 回転機構、３４ 保持機構、３５ レーザー照射装置、３６ 移動機構、３８ 制御部、３９ 制御部、１００ メモリセルアレイチップ、２００ 制御回路（ＣＭＯＳ回路）チップ、３００ レーザー加工装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】