特開 2024-4311 弾性波デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024004311

(43)【公開日】2024-01-16

(54)【発明の名称】弾性波デバイス

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240109BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022103911

(22)【出願日】2022-06-28

(71)【出願人】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098202

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 信彦

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 浩一

(72)【発明者】

【氏名】中村 博文

【テーマコード（参考）】

5J097

【Ｆターム（参考）】

5J097AA24

5J097AA29

5J097BB02

5J097BB11

5J097HA04

5J097JJ04

5J097JJ06

5J097JJ09

5J097KK10

5J097LL01

(57)【要約】

【課題】弾性波デバイスにおいて、デバイスチップのパッケージ基板に対するシェア強度を低下させることなく、バンプを合理的に小型化できるようにする。
【解決手段】パッケージ基板２の一面２ａにＩＤＴ電極７を含む機能素子を有する主面３ａを向き合わせて前記パッケージ基板２に実装されるデバイスチップ３と前記パッケージ基板２とを、前記機能素子を含む前記デバイスチップ３側の回路と前記パッケージ基板２側の回路とを電気的に接続させるバンプ４と、このバンプ４の近傍にあって前記パッケージ基板２の前記一面２ａと前記デバイスチップ３の前記主面３ａとの間に介在される接着層１０とからなる主固着部１１によって固着させてなる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

パッケージ基板の一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を有する主面を向き合わせて前記パッケージ基板に実装されるデバイスチップと前記パッケージ基板とを、
前記機能素子を含む前記デバイスチップ側の回路と前記パッケージ基板側の回路とを電気的に接続させるバンプと、このバンプの近傍にあって前記パッケージ基板の前記一面と前記デバイスチップの前記主面との間に介在される接着層とからなる主固着部によって固着させてなる、弾性波デバイス。

【請求項2】

前記接着層を、前記デバイスチップの前記主面における前記回路を構成する配線パターンの形成領域を含む領域に形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項3】

前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る全周を覆い、かつ、前記バンプとの間に隙間を作らないように、前記接着層を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項4】

前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る全周を覆い、かつ、前記バンプとの間に隙間を作るようにして、前記接着層を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項5】

前記接着層における前記突き出し中心軸に直交する向きの断面輪郭形状を円形又は楕円形状としてなる、請求項３又は請求項４に記載の弾性波デバイス。

【請求項6】

前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る４分の一の範囲を覆うようにして前記接着層を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項7】

前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る２分の一の範囲を覆うようにして前記接着層を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【請求項8】

前記デバイスチップは四角形の板状をなすと共に、少なくともその四隅に前記主固着部を形成しており、かつ、隣り合う前記主固着部間に前記接着層のみよりなる副固着部を形成させてなる、請求項１に記載の弾性波デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適した弾性波デバイスの改良に関する。

【背景技術】

【0002】

モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用される弾性波デバイスとして、パッケージ基板にバンプを介してデバイスチップを実装させてなるものがある（図１３参照）。

【0003】

図１３中、符号１００はパッケージ基板、符号１０１はデバイスチップ、符号１０２はバンプ、符号１０３はデバイスチップ側に形成されたバンプパッド（電極パッド）、符号１０４はパッケージ基板１００側に形成されたバンプパッド（電極パッド）、符号１０５は弾性波デバイスをマザーボードに接続するための外部電極パッドである。デバイスチップ１０１とパッケージ基板１００との間には前記バンプ１０２及びバンプパッド１０３、１０４の厚さ分の隙間が形成される。パッケージ基板１００の一面側には封止樹脂層１０６が前記隙間を気密封止するように形成されており、これにより弾性波デバイスは中空構造部１０７（内部空間ないしエアキャビティ）を備えている。デバイスチップ１０１は前記中空構造部１０７に臨んだ領域にＩＤＴ電極を含む機能素子１０８を有している。

【0004】

ここで、デバイスチップ１０１のパッケージ基板１００に対するシェア強度（接続強度）は、前記封止樹脂層１０６の形成前にパッケージ基板１００に実装されたデバイスチップ１０１に対しパッケージ基板１００の一面に沿う向きの負荷を与えることで測定される。図１３に示される構造では、デバイスチップ１０１とパッケージ基板１００との固着はバンプ１０２によりなされており、シェア強度はバンプ１０２の断面積（デバイスチップ１０１からのバンプ１０２の突き出し中心軸１０２ａに直交する向きのバンプ１０２の断面積）に依存するためバンプ１０２を小型化することに限界があった。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

この発明が解決しようとする主たる問題点は、この種の弾性波デバイスにおいて、デバイスチップのパッケージ基板に対するシェア強度を低下させることなく、バンプを合理的に小型化できるようにする点にある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

前記課題を達成するために、この発明にあっては、弾性波デバイスを、パッケージ基板の一面にＩＤＴ電極を含む機能素子を有する主面を向き合わせて前記パッケージ基板に実装されるデバイスチップと前記パッケージ基板とを、
前記機能素子を含む前記デバイスチップ側の回路と前記パッケージ基板側の回路とを電気的に接続させるバンプと、このバンプの近傍にあって前記パッケージ基板の前記一面と前記デバイスチップの前記主面との間に介在される接着層とからなる主固着部によって固着させてなる、ものとした。

【0007】

前記接着層を、前記デバイスチップの前記主面における前記回路を構成する配線パターンの形成領域を含む領域に形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0008】

また、前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る全周を覆い、かつ、前記バンプとの間に隙間を作らないように、前記接着層を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0009】

また、前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る全周を覆い、かつ、前記バンプとの間に隙間を作るようにして、前記接着層を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0010】

また、前記接着層における前記突き出し中心軸に直交する向きの断面輪郭形状を円形又は楕円形状とすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0011】

また、前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る４分の一の範囲を覆うようにして前記接着層を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0012】

また、前記バンプにおける前記デバイスチップの前記主面からの突き出し中心軸を巡る２分の一の範囲を覆うようにして前記接着層を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【0013】

また、前記デバイスチップは四角形の板状をなすと共に、少なくともその四隅に前記主固着部を形成しており、かつ、隣り合う前記主固着部間に前記接着層のみよりなる副固着部を形成させるようにすることが、この発明の態様の一つとされる。

【発明の効果】

【0014】

この発明によれば、前記主固着部を前記バンプと前記接着層とから構成することから、バンプを小型化しても前記シェア強度の低下を招かないようにすることができる。この結果、デバイスチップの主面に形成されるバンプパッドがこの主面に占める面積を小さくすることができ、これにより第一に、前記バンプパッドが前記主面に占める面積の前記減少分をデバイスチップの小型化に振り向けることができる。また、第二に、前記バンプパッドが前記主面に占める面積の前記減少分をデバイスチップにおける機能素子となるパターンの形成面積の増大に振り向けることができる。これにより、デバイスチップにおけるパターンレイアウトの自由度を高めることができ、素子追加による機能追加や特性安定化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第一例）の断面構成図であり、図２におけるＡ－Ａ線位置で断面にしている。

【図2】図２は、前記第一例の平面構成図である。

【図3】図３は、前記第一例の主固着部の構成を理解しやすいように同部分とデバイスチップ及びパッケージ基板とを分離して示した斜視構成図である。

【図4】図４は、前記第一例のデバイスチップに形成される共振器の一例を示した構成図である。

【図5】図５は、前記第一例のデバイスチップに形成される回路の一例を示した構成図である。

【図6】図６は、前記第一例の製造工程中のステップの一つを示した平面構成図であり、デバイスチップとなるウエハの一部の様子を示している。

【図7】図７は、前記第一例の製造工程の各ステップを示した要部断面構成図であり、ａ図、ｂ図、ｃ図、ｄ図、ｅ図の順で進行する。

【図8】図８は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第二例）の主固着部を表した要部斜視構成図である。

【図9】図９は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第三例）の主固着部を表した要部斜視構成図である。

【図10】図１０は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第四例）の主固着部を表した要部斜視構成図である。

【図11】図１１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第五例）の平面構成図である。

【図12】図１２は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイス（第六例）の平面構成図である。

【図13】図１３は、弾性波デバイスの既存構成例を示した断面構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、図１～図１２に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１は、モバイル通信機器などにおいて周波数フィルタなどとして使用するのに適したものである。

【0017】

かかる弾性波デバイス１は、パッケージ基板２の一面２ａに機能素子（ＳＡＷフィルタとなる回路、ＳＡＷ共振子となる回路、抵抗となる素子、インダクタンスとなる素子、キャパシタンスとなる素子など）を有する主面３ａを向き合わせて前記パッケージ基板２に実装されたデバイスチップ３を備えている。

【0018】

それと共に、かかる弾性波デバイス１は、前記機能素子の少なくとも一部をＩＤＴ電極７ｃとしている。

【0019】

典型的には、前記デバイスチップ３は、一辺を０．５ないし１ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。また、前記パッケージ基板２は、一辺を０．７ないし３ｍｍとし、厚さを０．１５ないし０．２ｍｍとする四角形の板状をなすように構成される。弾性波デバイス１は厚さを０．４ないし０．６ｍｍ程度とする。

【0020】

その断面構造を図１に示す。図中符号３はデバイスチップ、符号３ｂはデバイスチップ３側のバンプパッド（電極パッド）、符号２はパッケージ基板、符号４は金などの導電性金属からなるバンプ、符号２ｂはパッケージ基板２側のバンプパッド（電極パッド）、符号２ｃは弾性波デバイス１をマザーボードに接続するための外部電極パッドである。

【0021】

前記機能素子を含む前記デバイスチップ３側の回路９（図５に一例を示す。）と前記パッケージ基板２側の回路（図示は省略する。）とは、デバイスチップ３側のバンプパッド３ｂとパッケージ基板２側のバンプパッド２ｂとの間に介在されて、両バンプパッド２ｂ、３ｂにそれぞれ固着されたバンプ４によって電気的に接続されている。バンプパッド２ｂ、３ｂおよびバンプ４はなじみの良い金属同士、典型的には金から構成され、金－金接合される。

【0022】

パッケージ基板２の一面２ａ（デバイスチップ３の実装側の面）とこの一面２ａに向き合うデバイスチップ３の主面３ａとの間には、前記バンプ４及びバンプパッド２ｂ、３ｂの厚さ分の隙間が形成される。

【0023】

このようにパッケージ基板２の一面２ａ上にデバイスチップ３を実装させた状態から、パッケージ基板２の一面２ａ側に、封止樹脂層５が形成される。封止樹脂層５は、デバイスチップ３の主面３ａに対向する背面３ｃと、デバイスチップ３の厚さ方向に沿った側面３ｄとを覆うと共に、デバイスチップ３の縁側においてデバイスチップ３とパッケージ基板２との間の前記隙間に入り込んでデバイスチップ３の全周に亘って前記隙間を気密封止している。これにより、デバイスチップ３の主面３ａとパッケージ基板２の一面２ａとの間には中空構造部６（内部空間ないしエアキャビティ）が形成されている。

【0024】

デバイスチップ３は、前記主面３ａにおける中空構造部６に臨んだ部分に、ＩＤＴ電極７ｃを含む機能素子、すなわち、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振子などを備えたものとなっている。

【0025】

デバイスチップ３は、弾性波を伝搬させる機能を持つ。デバイスチップ３には、典型的には、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電材料が用いられる。また、デバイスチップ３は、これら圧電材料を、サファイア、シリコン、アルミナ、スピネル、水晶またはガラスなどの支持材に積層させて、構成される場合もある。

【0026】

図４にＳＡＷフィルタとなる共振器７の一例を示す。共振器７はＩＤＴ電極７ｃと、ＩＤＴ電極７ｃを挟むようにして形成される反射器７ｄとを有する。ＩＤＴ電極７ｃは、電極対からなり、各電極対は弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指７ｅ同士をこれらの一端側においてバスバー７ｆで接続させてなる。反射器７ｄは、弾性波の伝搬方向ｘに長さ方向を交叉させるように平行配列された複数の電極指７ｅの端部間をバスバー７ｆで接続させてなる。
かかる共振器７は、典型的には、フォトリソグラフィ技術により形成された導電性金属膜によって構成される。
また、かかる共振器７は、一つのデバイスチップ３上に、複数形成される場合もある。

【0027】

図５に一つのデバイスチップ３上に備えられる回路９の一例の概念を示す。符号７ａは入出力ポート間に直列に接続された共振器、符号７ｂは入出力ポート間に並列に接続された共振器、符号８はグランド、符号９ａは配線パターンを示す。すなわち、図５の回路によってラダー型フィルタが構成されるようになっている。

【0028】

この実施の形態にあっては、前記デバイスチップ３と前記パッケージ基板２とは、前記バンプ４と、このバンプ４の近傍にあって前記パッケージ基板２の前記一面２ａと前記デバイスチップ３の前記主面３ａとの間に介在される接着層１０とからなる主固着部１１によって固着されるようになっている。

【0029】

具体的には、第一に、デバイスチップ３側のバンプパッド３ｂ上に形成させたバンプ４を、パッケージ基板２側のバンプパッド２ｂに典型的には超音波接合法により接合させる。そして、第二に、前記接着層１０の加熱溶融後の固化により前記接着層１０をデバイスチップ３の主面３ａとパッケージ基板２の一面２ａとにそれぞれ固着させる。これにより、主固着部１１によってデバイスチップ３とパッケージ基板２とを強固に一体化させている。

【0030】

デバイスチップ３のパッケージ基板２に対する接続強度（シェア強度）は、パッケージ基板２に実装されたデバイスチップ３に対し前記封止樹脂層５の形成前（図７（ｅ）の段階）にパッケージ基板２の一面２ａに沿う向きの負荷を与えることで測定される（この負荷の向きを図１に符号ｙで示す。）。デバイスチップ３とパッケージ基板２との固着をバンプ４のみによらしめていた従来の手法ではシェア強度はバンプ４の断面積（デバイスチップ３の主面２ａからのバンプ４の突き出し中心軸４ａに直交する向きのバンプ４の断面積）に依存するためバンプ４を小型化することに限界があった。対し、この実施の形態にかかる弾性波デバイスでは、前記主固着部１１をバンプ４と前記のように形成される接着層１０とから構成することから、バンプ４を小型化しても前記シェア強度の低下を招かないようにすることができる。この結果、デバイスチップ３の主面３ａに形成されるバンプパッド３ｂがこの主面３ａに占める面積を小さくすることができ、これにより第一に、バンプパッド３ｂが前記主面３ａに占める面積の前記減少分をデバイスチップ３の小型化に振り向けることができる。また、第二に、バンプパッド３ｂが前記主面３ａに占める面積の前記減少分をデバイスチップ３における機能素子となるパターンの形成面積の増大に振り向けることができ、デバイスチップ３におけるパターンレイアウトの自由度を高めることができる。

【0031】

具体的には、主固着部１１をバンプ４と接着層１０とから構成することで、前記突き出し中心軸４ａに直交する向きでのバンプ４の直径を３０μｍないし１００μｍの範囲に設定可能となる。

【0032】

前記接着層１０はデバイスチップ３とパッケージ基板２とを強固に一体化する接着力を備え、また、絶縁性を備える。また、前記接着層１０には、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）系樹脂、アクリル系樹脂などの感光性を有する熱硬化型接着剤を用いることが好ましい。

【0033】

前記接着層１０を、前記デバイスチップ３の前記主面３ａにおける前記回路９（図５に一例を示す。）を構成する配線パターン９ａの形成領域３ｇ（図３参照）を含む領域に形成させるようにすれば、デバイスチップ３側のバンプパッド３ｂの形成箇所以外の箇所で前記シェア強度を向上させる構造を弾性波デバイス１に持たせることができる。

【0034】

図示の例では、前記デバイスチップ３は四角形の板状をなすと共に、少なくともその四隅にそれぞれ前記主固着部１１を形成している。

【0035】

図１ないし図７に示される第一例では、接着層１０を、前記バンプ４における前記デバイスチップ３の前記主面３ａからの突き出し中心軸４ａを巡る全周を覆い、かつ、前記バンプ４との間に隙間を作らないように形成させている。この第一例では、接着層１０は前記中心軸４ａに筒軸を沿わせるように形成された筒状をなし、接着層１０の内面１０ａとバンプ４の外面４ｂとは、前記中心軸４ａを巡るいずれの位置でも密着しており、かつ、この密着状態は前記中心軸４ａに沿ったいずれの位置でも同様となっている。

【0036】

より具体的には、第一例では、前記接着層１０における前記中心軸４ａに直交する向きの内外の断面輪郭形状を円形としている。図示は省略するが、前記接着層１０における前記中心軸４ａに直交する向きの断面輪郭形状は楕円形状となっていても良い。

【0037】

また、前記接着層１０は、前記デバイスチップ３の前記主面３ａにあって前記回路９の一部となるバンプパッド３ｂ上に形成されていると共に、図１に示されるように、前記接着層１０における前記中心軸４ａに直交する向きでの太さ１０ｂを、同じ向きでの前記バンプパッド３ｂの寸法３ｈよりも大きくするように形成している。

【0038】

図８に示される第二例では、接着層１０を、前記バンプ４における前記デバイスチップ３の前記主面３ａからの突き出し中心軸４ａを巡る全周を覆い、かつ、前記バンプ４との間に隙間ｓを作るように形成させている。かかる隙間ｓは、好ましくは５μｍ以下、典型的には２ないし３μｍに設定される。この第二例では、接着層１０は前記中心軸４ａに筒軸を沿わせるように形成された筒状をなし、接着層１０の内面１０ａとバンプ４の外面４ｂとの間には、前記中心軸４ａを巡るいずれの位置でも前記のような隙間ｓが形成され、かつ、この隙間ｓの形成状態は前記中心軸４ａに沿ったいずれの位置でも同様となっている。

【0039】

図９に示される第三例では、接着層１０を、前記バンプ４における前記デバイスチップ３の前記主面３ａからの突き出し中心軸４ａを巡る４分の一の範囲を覆うように形成させている。この第三例では、バンプ４の外面４ｂと接着層１０の内面１０ａとは密着しているが、図示は省略するが両者の間には前記のような隙間ｓが形成されていても良い。

【0040】

図１０に示される第四例では、接着層１０を、前記バンプ４における前記デバイスチップ３の前記主面３ａからの突き出し中心軸４ａを巡る２分の一の範囲を覆うように形成させている。この第四例では、バンプ４の外面４ｂと接着層１０の内面１０ａとは密着しているが、図示は省略するが両者の間には前記のような隙間ｓが形成されていても良い。

【0041】

図１１に示される第五例では、デバイスチップ３の四隅にそれぞれ前記主固着部１１を形成させると共に、隣り合う主固着部１１間にそれぞれデバイスチップ３の縁部に沿って続くように接着層１０を形成して、これにより、隣り合う前記主固着部１１間に前記接着層１０のみよりなる副固着部１２を形成させている。この第五例では、主固着部１１と副固着部１２とによりデバイスチップ３の主面３ａの中央側を囲繞する四角形の枠状部を形成させており、この枠状部内に機能素子が位置されるようになっている。

【0042】

図１２に示される第六例では、デバイスチップ３の四隅にそれぞれ形成された前記主固着部１１の間、つまり、隣り合う前記主固着部１１間に前記接着層１０のみよりなる副固着部１２を形成させている。この第六例では、デバイスチップ３の主面３ａ中、前記主固着部１１を構成するバンプ４の形成領域３ｅと、機能素子の所定の形成領域３ｆとを除いた、残りの領域の全体を接着層１０で覆っており、これにより、隣り合う主固着部１１間にそれぞれ副固着部１２を形成させている。

【0043】

以上に説明した弾性波デバイス１は、以下のようにすることで、適切且つ合理的に製造し得る。この実施の形態にかかる弾性波デバイス１の製造ステップの要部を図６及び図７に示す。

【0044】

先ず、ウエハ１３上の一つのデバイスチップ３を構成する領域１３ｂに対してそれぞれ、共振器７などの機能素子、バンプパッド３ｂ、配線パターン（図示は省略する。）を形成させる。（ステップ１／図６）。ウエハ１３としては典型的にはタンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの単結晶ウエハや、これらの薄ウエハとスピネルなどの支持体ウエハとを接合してなる、工業規格化された直径４インチウエハが用いられ、直径４インチウエハの場合一つのウエハ１３より２万個程度のデバイスチップ３が生成される。図６はウエハ１３の一部を示しており、同図中符号１３ａはダイシングラインである。

【0045】

次いで、前記ウエハ１３に接着層１０となるフィルム１４を重ね、貼り付ける。このフィルム１４としては常温でその粘着力によりウエハ１３側に張り付く機能を備え、かつ、フォトリソグラフィ技術における露光と現像とを通じて不要部分をウエハ１３上から除去可能な機能を備えたものを用いる（ステップ２／図７（ａ））。

【0046】

次いで、前記各領域１３ｂにおいて、前記露光と現像とを通じて、バンプパッド３ｂの近傍に接着層１０を形成する（ステップ３／図７（ｂ））。

【0047】

次いで、前記各領域１６ａにおいてそれぞれ、バンプパッド３ｂ上にバンプ４を形成させる（ステップ４／図７（ｃ））。

【0048】

次いで、ウエハ１３に対するダイシングにより、ウエハ１３から独立したデバイスチップ３を複数生成する（ステップ５／図７（ｄ））。

【0049】

次いで、ステップ５で得られたデバイスチップ３をパッケージ基板２となる集合基板１５にフリップチップ実装する。デバイスチップ３のバンプパッド３ｂ上に一体的に形成されたバンプ４は典型的には超音波接合法によりパッケージ基板２となる集合基板１５側のバンプパッド２ｂに固着される。それと共に、デバイスチップ３が実装された集合基板１５に対し前記接着層１０が溶融硬化する温度への加熱が施され、これにより、前記接着層１０をデバイスチップ３及びパッケージ基板２となる集合基板１５の双方に固着させる（ステップ６／図７（ｅ））。この段階で前記シェア強度が測定され、バンプ４を小型化しながらも前記シェア強度の低下を招かない弾性波デバイス１の工程管理がなされる。

【0050】

最後に、パッケージ基板２となる集合基板１５のデバイスチップ３の実装側に前記封止樹脂層５を形成させると共に、かかる集合基板１５にダイシングを施すことで、本発明に係る構造を備えた弾性波デバイス１が生成される。

【0051】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【符号の説明】

【0052】

１ 弾性波デバイス
２ パッケージ基板
２ａ 一面
２ｂ バンプパッド
２ｃ 外部電極パッド
３ デバイスチップ
３ａ 主面
３ｂ バンプパッド
３ｃ 背面
３ｄ 側面
３ｅ バンプの形成領域
３ｆ 機能素子の形成領域
３ｇ 配線パターンの形成領域
４ バンプ
４ａ 突き出し中心軸
４ｂ 外面
５ 封止樹脂層
６ 中空構造部
７、７ａ、７ｂ 共振器
７ｃ ＩＤＴ電極
７ｄ 反射器
７ｅ 電極指
７ｆ バスバー
８ グランド
９ 回路
９ａ 配線パターン
１０ 接着層
１０ａ 内面
１１ 主固着部
１２ 副固着部
１３ ウエハ
１３ａ ダイシングライン
１３ｂ 一つのデバイスチップを構成する領域
１４ フィルム
１５ 集合基板
ｘ 伝搬方向
ｓ 隙間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】