特開 2024-43199 露光装置及び汚染除去装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024043199

(43)【公開日】2024-03-29

(54)【発明の名称】露光装置及び汚染除去装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240322BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

G03F7/20 521

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022148245

(22)【出願日】2022-09-16

(71)【出願人】

【識別番号】390019839

【氏名又は名称】三星電子株式会社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１２９，Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ－ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】田中 のぞみ

(72)【発明者】

【氏名】藤岡 慎介

(72)【発明者】

【氏名】西原 功修

(72)【発明者】

【氏名】砂原 淳

(72)【発明者】

【氏名】城崎 知至

(72)【発明者】

【氏名】王 雨波

(72)【発明者】

【氏名】小澤 謙

(72)【発明者】

【氏名】上山 真司

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197GA05

2H197GA12

2H197GA20

2H197GA23

2H197GA24

(57)【要約】

【課題】露光装置のミラーを汚染するスズ化合物を除去できる露光装置及び汚染除去装置を提供すること。
【解決手段】露光装置１００は、真空チャンバー１０１内にターゲットドロップレットを供給するドロップレット供給部１０２と、ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射する駆動レーザ部１０３と、真空チャンバー１０１内に設けられ、ターゲットドロップレットにレーザが照射されることにより、ターゲットドロップレットから発せられる光を集光する集光ミラー１０４と、集光ミラー表面１０４に沿って水素ガスを流すための水素ガス供給部１０５と、ターゲットドロップレットの供給条件及び前記レーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、真空チャンバー１０１内での水素ラジカル生成量を増加させる制御部１０６と、真空チャンバー１０１内を排気する排気ポンプ１０７と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空チャンバー内にターゲットドロップレットを供給するドロップレット供給部と、
前記ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射する照射部と、
前記真空チャンバー内に設けられ、前記ターゲットドロップレットに前記レーザが照射されることにより、前記ターゲットドロップレットから発せられる光を集光する集光ミラーと、
前記集光ミラー表面に沿って水素ガスを流すための水素ガス供給部と、
前記ターゲットドロップレットの供給条件及び前記レーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、前記真空チャンバー内での水素ラジカル生成量を増加させる制御部と、
真空チャンバー内を排気する排気ポンプと、を備える露光装置。

【請求項2】

前記照射部はＥＵＶ発生用レーザを発するＥＵＶ発生用レーザ部と、ＶＵＶ発生用レーザを発するＶＵＶ発生用レーザ部とを備え、
前記制御部は、露光時に前記ＥＵＶ発生用レーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のＥＵＶ発生用レーザを照射し、
前記制御部は、クリーニング時に、前記ＶＵＶ発生用レーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のＶＵＶ発生用レーザを照射する、請求項１に記載の露光装置。

【請求項3】

前記制御部は、クリーニング時に発するレーザの強度を、露光時に発するレーザの強度より弱くする、請求項１に記載の露光装置。

【請求項4】

前記制御部は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くする、請求項１に記載の露光装置。

【請求項5】

前記照射部は、露光時に前記ターゲットドロップレットにプレ照射するプレパルスレーザ部を備え、
前記制御部は、露光時に予め前記プレパルスレーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射し、
前記制御部は、クリーニング時に、前記プレパルスレーザ部からレーザを発しない、請求項４に記載の露光装置。

【請求項6】

前記制御部は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットのサイズを、露光時に供給するターゲットドロップレットのサイズより大きくする、請求項１に記載の露光装置。

【請求項7】

真空チャンバーと、
駆動レーザを発する駆動レーザ部と、
キセノン、アルゴン及び窒素のいずれかを単体又は混合物を駆動レーザの集光位置に供給する光源ターゲットと、
前記光源ターゲットから発せられたレーザを集光するＶＵＶ集光レンズと、
洗浄対象物を収容するクリーニングセルと、
前記クリーニングセルに水素ガスを供給する水素ガス供給部と、
前記クリーニングセル内を排気する排気ポンプとを備え、
前記光源ターゲットに前記駆動レーザから駆動レーザが照射されることにより、前記光源ターゲットから発せられ、
前記クリーニングセル内で前記水素ガスに前記レーザが照射することにより、前記クリーニングセル内の水素ラジカルを増大させ、前記洗浄対象物の表面に付着したスズ化合物を除去する汚染除去装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は露光装置及び汚染除去装置に関し、例えば、真空紫外光を用いた露光装置及び真空紫外光を用いたEUV光学部品汚染除去装置に関する。

【背景技術】

【0002】

リソグラフィとは、半導体製造プロセスにおいて、配線パタンなどを形成する際に写真現像技術である光によるパタンの転写技術である。リソグラフィは、例えば、スマートフォンの中で使用されているアプリケーションプロセッサと呼ばれる半導体チップやDRAM（Dynamic Random Access Memory）やフラッシュメモリと呼ばれる記憶素子の製造に用いられている。

【0003】

近年、EUV（Extreme ultraviolet）光による露光装置が開発され、7nmノードと呼ばれるLSI（Large Scale Integration）チップの微細パタンの形成で利用可能である。ArFやArF液浸における波長は193nmである。一方、EUV光の波長は13.5nmであり、従来の露光機と比べて波長が短く回折限界が小さいことが特徴である（非特許文献１）。

【0004】

EUVリソグラフィ技術では、光学系の反射率を最大化するために13.5nm±2％bwの狭帯域光が用いられる。対象材料はスズ（Sn）である。

【0005】

ここで、駆動レーザがスズ液滴ターゲットをアブレーションすると、原子、イオン、中性粒子、クラスターなどのスズの破片もソースから放出され、最初のコレクターミラーの表面に蓄積する。そして、ミラーが損傷またはスズ汚染の層を受け取り、反射率が低下してしまう。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0006】

【非特許文献1】S.Borkar,"Design challenges for gigascale integration," presented at the 37th IEEE/ACM Int. Symp. Microarchitecture, Portland OR, 2004

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

現在、汚染されたミラーは光源の外側で化学的に洗浄されており、リソグラフィマシンのデューティサイクルに大きな影響を与えてしまう。

【0008】

このように、汚染されたミラーから効率よくスズ化合物を除去することができないという問題があった。

【課題を解決するための手段】

【0009】

一実施形態の露光装置は、真空チャンバー内にターゲットドロップレットを供給するドロップレット供給部と、前記ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射する照射部と、前記真空チャンバー内に設けられ、前記ターゲットドロップレットに前記レーザが照射されることにより、前記ターゲットドロップレットから発せられる光を集光する集光ミラーと、前記集光ミラー表面に沿って水素ガスを流すための水素ガス供給部と、前記ターゲットドロップレットの供給条件及び前記レーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、前記真空チャンバー内での水素ラジカル生成量を増加させる制御部と、真空チャンバー内を排気する排気ポンプと、を備えるようにした。

【0010】

一実施形態の露光装置によれば、ターゲットドロップレットの供給条件及びレーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、真空チャンバー内での水素ラジカル生成量を増加させることにより、ミラーに付着したスズがより多く水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから汚染を効率よく除去できる。

【0011】

一実施形態の露光装置は、前記駆動レーザ部は、極端紫外線を発するためのＥＵＶ発生用レーザ部と、真空紫外線を発するためのＶＵＶ発生用レーザ部とを備え、前記制御部は、露光時に前記ＥＵＶ用レーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のＥＵＶ発生用レーザを照射し、前記制御部は、クリーニング時に、前記ＶＵＶ発生用レーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のＶＵＶ発生用レーザを照射するようにした。

【0012】

一実施形態の露光装置によれば、クリーニング時にプラズマ放射光の波長を長くすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0013】

一実施形態の露光装置は、前記制御部は、クリーニング時に発するレーザの強度を、露光時に発するレーザの強度より弱くするようにした。

【0014】

一実施形態の露光装置によれば、クリーニング時にレーザの強度を弱くすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0015】

一実施形態の露光装置は、前記制御部は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くするようにした。

【0016】

一実施形態の露光装置によれば、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0017】

一実施形態の露光装置は、前記照射部は、露光時に前記ターゲットドロップレットにプレ照射するプレパルスレーザ部を備え、前記制御部は、露光時に予め前記プレパルスレーザ部から前記ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射し、前記制御部は、クリーニング時に、前記プレパルスレーザ部からレーザを発しないようにした。

【0018】

一実施形態の露光装置によれば、クリーニング時に、駆動レーザからプレパルスレーザを発しないことにより、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くすることができる。

【0019】

一実施形態の露光装置は、前記制御部は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットのサイズを、露光時に供給するターゲットドロップレットのサイズより大きくするようにした。

【0020】

一実施形態の露光装置によれば、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットのサイズを、露光時に供給するターゲットドロップレットのサイズより大きくすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジ
カルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0021】

一実施形態の汚染除去装置は、真空チャンバーと、駆動レーザを発する駆動レーザ部と、キセノン、アルゴン及び窒素等の不活性ガスのいずれか単体又は混合物を駆動レーザの集光点に連続的に供給する光源ターゲットと、前記光源ターゲットから発せられたプラズマ放射光を集光するＶＵＶ集光レンズと、洗浄対象物を収容するクリーニングセルと、前記クリーニングセルに水素ガスを供給する水素ガス供給部と、前記クリーニングセル内を排気する排気ポンプとを備え、前記光源ターゲットに前記駆動レーザから駆動レーザが照射されることにより、前記光源ターゲットから発せられ、前記クリーニングセル内で前記水素ガスに前記放射光が照射することにより、前記クリーニングセル内に水素ラジカルを発生させ、前記洗浄対象物の表面に付着したスズ化合物を除去するようにした。

【0022】

一実施形態の汚染除去装置によれば、クリーニングセル内で水素ガスにVUV光が照射することにより、クリーニングセル内の水素ラジカルを増大させ、スズ化合物と反応してSnH₄とすることにより、洗浄対象物の表面に付着したスズ化合物を除去する。

【発明の効果】

【0023】

本開示の露光装置及び汚染除去装置によれば、露光装置のミラーを汚染するスズ化合物を除去できる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】実施の形態１にかかる露光装置の概略構成を示す図である。

【図2】実施の形態１にかかる露光装置の動作を説明する略図である。

【図3】実施の形態２にかかる汚染除去装置の概略構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

（実施の形態１）
以下、図面を参照して本開示の実施の形態について説明する。図１は、実施の形態１にかかる露光装置の概略構成を示す図である。図１において、露光装置１００は、真空チャンバー１０１と、ドロップレット供給部１０２と、駆動レーザ部１０３と、集光ミラー１０４と、水素ガス供給部１０５と、制御部１０６と、排気ポンプ１０７と、を備える。

【0026】

真空チャンバー１０１は、内部を真空にするための容器である。真空チャンバー１０１は、内部に集光ミラー１０４を有する。また、真空チャンバー１０１は、ドロップレット供給部１０２、駆動レーザ部１０３、水素ガス供給部１０５、制御部１０６及び排気ポンプ１０７が真空チャンバー１０１の内部にアクセスできるポートを有する。

【0027】

ドロップレット供給部１０２は、真空チャンバー１０１内にターゲットドロップレットを供給する。具体的には、ターゲットドロップレットが駆動レーザ部１０３から発せられるレーザに当たるようにターゲットドロップレットが供給される。

【0028】

駆動レーザ部１０３は、ターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射する構成である。具体的には駆動レーザ部１０３は、ＥＵＶ発生用レーザ部１３１と、ＶＵＶ発生用レーザ部１３２と、プレパルスレーザ部１３３とを備える。ＥＵＶ発生用レーザ部１３１は、赤外、近赤外の波長のレーザを発する。例えば、ＥＵＶ発生用レーザ部１３１は、ＣＯ_２レーザである。ＶＵＶ発生用レーザ部１３２は、近赤外、可視、紫外の波長のレーザを発する。例えば、ＶＵＶ発生用レーザ部１３２は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザである。また、プレパルスレーザ１３３は、露光時にターゲットドロップレットにプレパルスレーザを照射する。例えば、プレパルスレーザ部１３３は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザである。

【0029】

集光ミラー１０４は、真空チャンバー１０１内に設けられている。そして、ターゲットドロップレットにレーザが照射されることにより、ターゲットドロップレットから発せられる光を集光する。

【0030】

水素ガス供給部１０５は、水素ガスを真空チャンバー１０１内に供給し、集光ミラー表面に沿って水素ガスを流す。

【0031】

制御部１０６は、ドロップレット供給部１０２及び駆動レーザ部１０３を制御する。そして、制御部１０６は、ターゲットドロップレットの供給条件及びレーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、真空チャンバー１０１内での水素ラジカル生成量を増加させる。

【0032】

例えば、制御部１０６は、露光時にＥＵＶ発生用レーザ部１３１からターゲットドロップレットにパルス状のＥＵＶ発生用レーザを照射するのが好適である。そして、制御部１０６は、クリーニング時に、ＶＵＶ発生用レーザ部１３２からターゲットドロップレットにパルス状の真空紫外線レーザを照射するのが好適である。

【0033】

また、例えば、制御部１０６は、クリーニング時に発するレーザの強度を、露光時に発するレーザの強度より弱くするのが好適である。

【0034】

また、制御部１０６は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くするのが好適である。

【0035】

制御部１０６は、露光時に予めプレパルスレーザ部１３３からターゲットドロップレットにパルス状のレーザを照射するのが好適である。そして、制御部１０６は、クリーニング時に、プレパルスレーザ部１３３からレーザを発しないのが好適である。

【0036】

制御部１０６は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットのサイズを、露光時に供給するターゲットドロップレットのサイズより大きくするのが好適である。

【0037】

排気ポンプ１０７は、真空チャンバー１０１内を排気するポンプである。

【0038】

次に、水素ラジカル生成量を増加させる条件について説明する。図２は、実施の形態１にかかる露光装置の動作を説明する略図である。図２の説明では、露光時とクリーニング時で、レーザの波長、レーザの強度、プレ照射の有無、ターゲットドロップの密度及びサイズの全てを変化させる例について説明する。

【0039】

図２Ａは、露光時の露光装置の状態を示している。露光時は、ターゲットドロップレット２０１にＥＵＶ発生用レーザ２０２が照射されている。また、露光時のＥＵＶ発生用レーザ２０２の強度は、１０^１０～１０^１１ｗ／ｃｍ^２である。また、露光時は、予めプレ照射により、ターゲットドロップレット２０１にレーザ２０３が照射される。このプレ照射により、ターゲットドロップレット２０４は、加熱され、密度が低くなる。また、供給されるターゲットドロップレット２０１のサイズは小さい。

【0040】

他方、図２Ｂ、クリーニング時の露光装置の状態を示している。クリーニング時は、ターゲットドロップレット２１１にＶＵＶ発生用レーザ２１２が照射されている。また、クリーニング時のＶＵＶレーザ２１２の強度は、１０^９ｗ／ｃｍ^２より低い。また、クリーニング時にプレ照射は行われない。したがってクリーニング時のターゲットドロップレット２１４の密度は、露光時のターゲットドロップレット２０４の密度より高い。また、クリーニング時に供給されるターゲットドロップレット２１４のサイズは、露光時に供給されるターゲットドロップレット２０４のサイズより大きい。

【0041】

このように実施の形態１の露光装置によれば、ターゲットドロップレットの供給条件及びレーザの条件を、露光条件と異なる条件に変更して、真空チャンバー内での水素ラジカル生成量を増加させることにより、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0042】

また、実施の形態１の露光装置によれば、露光時に前記ＥＵＶ発生用レーザ部からターゲットドロップレットにパルス状のＥＵＶ発生用レーザを照射し、クリーニング時にＶＵＶレーザ部かららターゲットドロップレットにパルス状のＶＵＶ発生用レーザを照射することにより、クリーニング時にレーザの波長を短くし、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0043】

また、実施の形態１の露光装置によれば、前記制御部は、クリーニング時に発するレーザの強度を、露光時に発するレーザの強度より弱くすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0044】

また、実施の形態１の露光装置によれば、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0045】

また、実施の形態１の露光装置によれば、クリーニング時に、プレパルスレーザ部からレーザを発しないことにより、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットの密度を、露光時に供給するターゲットドロップレットの密度より高くすることができる。

【0046】

また、実施の形態１の露光装置によれば、前記制御部は、クリーニング時に供給するターゲットドロップレットのサイズを、露光時に供給するターゲットドロップレットのサイズより大きくすることにより、水素ラジカル生成量が増加し、ミラーに付着したスズが水素ラジカルと反応してSnH₄になり、ミラーから除去できる。

【0047】

（実施の形態２）
図３は、実施の形態２にかかる汚染除去装置の概略構成を示す図である。図３において、汚染除去装置３００は、真空チャンバー３０１と、駆動レーザ部３０２と、光源ターゲット３０３と、ＶＵＶ集光ミラー３０４と、クリーニングセル３０５と、水素ガス供給部３０６と、排気ポンプ３０７とを備える。

【0048】

真空チャンバー３０１は、内部を真空にするための容器である。真空チャンバー３０１は、内部に集光ミラー３０４、真空チャンバー３０１は、光源ターゲット３０３、クリーニングセル３０５を有する。また真空チャンバー３０１は、水素ガス供給部３０６、排気ポンプ３０７、駆動レーザが真空チャンバー３０１の内部にアクセスできるポートを有する。

【0049】

駆動レーザ部３０２は、駆動レーザを発する。そして、駆動レーザ部３０２は、駆動レーザを光源ターゲット３０３に照射する。

【0050】

光源ターゲット３０３は、キセノン、アルゴン及び窒素等の不活性ガスのいずれか単体又は混合物を駆動レーザの集光点に連続的に供給する装置である。

【0051】

ＶＵＶ集光ミラー３０４は、光源ターゲットから発せられたプラズマ放射光を集光する。そして、集光したプラズマ放射光は、クリーニングセル３０５内に照射される。

【0052】

クリーニングセル３０５は、洗浄対象物を収容する。また、クリーニングセル３０５は、光源ターゲットから発せられたプラズマ放射光を内部に照射させる開口を有する。また、クリーニングセル３０５は、洗浄対象物を出し入れする洗浄対象物挿入ポート３５１を有する。

【0053】

水素ガス供給部３０６は、クリーニングセル３０５に水素ガスを供給する。

【0054】

排気ポンプ３０７は、クリーニングセル３０５内を排気する。

【0055】

汚染除去装置３００は、光源ターゲット３０３に駆動レーザ部３０２から駆動レーザが照射されることにより、光源ターゲット表面からＶＵＶ光が発せられる。そして、汚染除去装置３００は、クリーニングセル３０５内で水素ガスにＶＵＶ光が照射することにより、クリーニングセル３０５内に水素ラジカルを生成する。そして、汚染除去装置３００は、洗浄対象物の表面に付着したスズ化合物を除去する。

【0056】

このように、実施の形態２の汚染除去装置によれば、クリーニングセル内で水素ガスにＶＵＶ光が照射することにより、クリーニングセル内に水素ラジカルを生成させ、スズ化合物と反応してSnH₄とし排気ポンプ３０７で排気することにより、洗浄対象物の表面に付着したスズ化合物を除去する。

【0057】

なお、本開示は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態１の露光装置に半導体露光装置の一般的な構成を備えるようにしてもよい。

【0058】

また、制御部１０６のように、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、ＣＰＵ、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。

【0059】

また、上述したプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体（例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ）、光磁気記録媒体（例えば光磁気ディスク）、ＣＤ－ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－Ｒ／Ｗ、半導体メモリ（例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Programmable ROM）、ＥＰＲＯＭ（Erasable PROM）、フラッシュＲＯＭ、ＲＡＭ（Random Access Memory））を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。

【符号の説明】

【0060】

１００ 露光装置
１０１、３０１ 真空チャンバー
１０２ ドロップレット供給部
１０３ 駆動レーザ部
１０４、３０４ 集光ミラー
１０４ 集光ミラー表面
１０５、３０６ 水素ガス供給部
１０６ 制御部
１０７、３０７ 排気ポンプ
１３１ ＥＵＶ発生用レーザ部
１３２ ＶＵＶ発生用レーザ部
１３３ プレパルスレーザ部
２０１、２０４、２１１、２１４ ターゲットドロップレット
２０２ ＥＵＶ発生用レーザ
２０３ レーザ
２１２ ＶＵＶ発生用レーザ
３００ 汚染除去装置
３０２ 駆動レーザ部
３０３ 光源ターゲット
３０５ クリーニングセル
３５１ 洗浄対象物挿入ポート

【図1】

【図2】

【図3】