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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024043312
(43)【公開日】2024-03-29
(54)【発明の名称】積層電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20240322BHJP
H01G 4/12 20060101ALI20240322BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201L
H01G4/30 512
H01G4/30 515
H01G4/12 450
H01G4/30 201K
H01G4/30 201M
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022148430
(22)【出願日】2022-09-16
(71)【出願人】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001494
【氏名又は名称】前田・鈴木国際特許弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】櫻井 弾
(72)【発明者】
【氏名】村上 拓
(72)【発明者】
【氏名】森ケ▲崎▼ 信人
(72)【発明者】
【氏名】兼子 俊彦
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AD04
5E001AE01
5E001AE04
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC38
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082FG46
5E082GG10
5E082GG28
5E082PP03
(57)【要約】
【課題】クラックの発生を抑制することができる積層電子部品を提供すること。
【解決手段】積層電子部品は、内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、外側誘電体層を有し、内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する。内側誘電体層は、Ａm ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２の関係を満足する。
【選択図】図１
【解決手段】積層電子部品は、内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、外側誘電体層を有し、内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する。内側誘電体層は、Ａm ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２の関係を満足する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
交互に積層してある内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａm' ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する積層電子部品。
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａm' ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する積層電子部品。
【請求項2】
前記内側誘電体層中の前記元素Ｍの濃度をＭｃ原子％とし、
前記外側誘電体層中の前記元素Ｍ’の濃度をＭ’c原子％とした場合に、
０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３の関係を満足する請求項１に記載の積層電子部品。
前記外側誘電体層中の前記元素Ｍ’の濃度をＭ’c原子％とした場合に、
０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３の関係を満足する請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項3】
０．７＜ｍ／ｍ’＜０．９の関係を満足する請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項4】
０．７＜ｍ／ｍ’＜０．８の関係を満足する請求項３に記載の積層電子部品。
【請求項5】
０．３＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８の関係を満足する請求項２に記載の積層電子部品。
【請求項6】
０．４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．６の関係を満足する請求項５に記載の積層電子部品。
【請求項7】
０．８９≦ｍ＜１．４１の関係を満足し、０．８９＜ｍ’≦１．４１の関係を満足する請求項１に記載の積層電子部品。
【請求項8】
０．９０≦ｍ≦１．２７の関係を満足し、１．２９≦ｍ’≦１．４０の関係を満足する請求項７に記載の積層電子部品。
【請求項9】
０．８≦Ｍｃ≦５．０の関係を満足する請求項２に記載の積層電子部品。
【請求項10】
１．０≦Ｍｃ≦３．０の関係を満足する請求項９に記載の積層電子部品。
【請求項11】
前記内側誘電体層のＡm ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）m （Ｔｉ1-Z ＺｒZ ）Ｏ3 で表され、
前記外側誘電体層のＡm`ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x'-y' Ｓｒx'Ｃａy'）m'（Ｔｉ1-Z'ＺｒZ'）Ｏ3で表される請求項１～１０のいずれかに記載の積層電子部品。
前記外側誘電体層のＡm`ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x'-y' Ｓｒx'Ｃａy'）m'（Ｔｉ1-Z'ＺｒZ'）Ｏ3で表される請求項１～１０のいずれかに記載の積層電子部品。
【請求項12】
０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である請求項１１に記載の積層電子部品。
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である請求項１１に記載の積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサなどの積層電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
誘電体層の薄層化および小型化と共に、たとえば積層セラミックコンデンサなどの積層電子部品にクラックが発生する割合が高くなってきている。そこで、たとえば下記の特許文献１では、電子部品に含まれる誘電体層の焼結助剤成分として特定の成分を用いることにより、クラックの発生を防止することができる技術が開発されている。
【0003】
しかしながら、積層電子部品のさらなる高性能化に伴う積層数の増大などにより、従来とは異なるアプローチによりクラックを防止する手法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第４５６１９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、クラックの発生を抑制することができる積層電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
従来とは異なるアプローチによりクラックを防止することができる積層電子部品について鋭意検討した結果、本発明者等は、積層電子部品の素子本体における積層方向の外装領域と内装領域とを各々構成する組成のＡ／Ｂに着目し、これらの関係を特定することで、クラックの発生を抑制することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0007】
すなわち、本発明の一態様に係る積層電子部品は、
交互に積層してある内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａm ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する。
交互に積層してある内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａm ＢＯ3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する。
【0008】
上記の構成を満足する積層電子部品では、内側誘電体層の積層数の多少にかかわらずに、クラックの発生率を低減することができ、特に内側誘電体層の積層数が多くなったとしても、クラックの発生率を低減することができる。その理由としては、必ずしも明らかではないが、上記の構成を満足する積層電子部品では、内装領域での熱収縮挙動（熱収縮率）と、外装領域での熱収縮挙動（熱収縮率）とを合わせることができるためではないかと考えられる。
【0009】
前記内側誘電体層中の前記元素Ｍの濃度をＭｃ原子％とし、
前記外側誘電体層中の前記元素Ｍ’の濃度をＭ’c原子％とした場合に、
好ましくは０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３、さらに好ましくは０．３＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８、特に好ましくは０．４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．６の関係を満足する。
前記外側誘電体層中の前記元素Ｍ’の濃度をＭ’c原子％とした場合に、
好ましくは０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３、さらに好ましくは０．３＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８、特に好ましくは０．４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．６の関係を満足する。
【0010】
Ｍｃ／Ｍ’ｃを特定の範囲に設定することで、クラックの発生率を低減することができると共に、高温負荷寿命の性能が向上する。内側誘電体層中の元素Ｍの濃度Ｍｃを、外側誘電体層中の元素Ｍ’の濃度Ｍ’cに比較して小さくすることで、高温負荷寿命の性能が向上すると考えられる。
【0011】
好ましくは、０．７＜ｍ／ｍ’＜０．９、さらに好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．８の関係を満足する。このような範囲に設定することで、さらにクラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上する。
【0012】
好ましくは、０．８９≦ｍ＜１．４１の関係を満足し、０．８９＜ｍ’≦１．４１の関係を満足する。さらに好ましくは、０．９０≦ｍ≦１．２７の関係を満足し、１．２９≦ｍ’≦１．４０の関係を満足する。
【0013】
好ましくは、０．８≦Ｍｃ≦５．０、さらに好ましくは１．０≦Ｍｃ≦３．０の関係を満足する。このような関係にあるときに、さらにクラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上する。
【0014】
内側誘電体層のＡm ＢＯ3 の種類と、外側誘電体層のＡm'ＢＯ3 の種類とは、相互に同じでも異なっていてもよいが、相互拡散による組成ずれなどを防止する観点からは、同じような種類であることが好ましい。また、ＡＢＯ3 におけるＡ元素の種類と、Ｂ元素の種類とは、特に限定されないが、たとえば以下のような態様が考えられる。
【0015】
たとえば、前記内側誘電体層のＡm ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）m （Ｔｉ1-Z ＺｒZ ）Ｏ3 で表され、
たとえば、前記外側誘電体層のＡm'ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x'-y' Ｓｒx'Ｃａy'）m'（Ｔｉ1-Z'ＺｒZ'）Ｏ3で表される。
たとえば、前記外側誘電体層のＡm'ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x'-y' Ｓｒx'Ｃａy'）m'（Ｔｉ1-Z'ＺｒZ'）Ｏ3で表される。
【0016】
また、以下のような関係にあることも好ましい。たとえば、
０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
【0017】
このような関係にある場合に、積層電子部品の温度特性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。
【0020】
図１に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、略直方体形状（略六面体）からなる素子本体４と、素子本体４のＸ軸に略垂直な両端面４ａ，４ａに各々形成してある外部電極６，６と、を有する。
【0021】
素子本体４の寸法は、特に限定されず、用途に応じて適切な寸法を採用すればよい。たとえば、Ｘ軸方向の長さを０．６ｍｍ～５．７ｍｍ、Ｙ軸方向の幅を０．３ｍｍ～５．０ｍｍ、Ｚ軸方向の高さを０．３ｍｍ～３．０ｍｍとすることができる。なお、図面において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。
【0022】
図２に示すように、素子本体４は、内装領域４１を有する。内装領域４１は、Ｚ軸に沿って交互に積層してある内側誘電体層１２と内側電極層１４とを有する。複数の内側電極層１４は、各層の一方の端部が、素子本体４の２つの端面４ａに対して交互に露出するように、積層してある。
【0023】
本実施形態では、端面４ａに引き出されている内側電極層１４の端部を、引出部１４ａと称する。この引出部１４ａの露出端は、端面４ａを覆っている外部電極６に対して電気的に接続してあり、複数の内側電極層１４は、積層方向に沿って交互に異なる極性を有するように積層してある。このような構成により、内側電極層１４と外部電極６とで、コンデンサ回路が形成される。
【0024】
内側誘電体層１２は、コンデンサ回路の容量に寄与する中央側部分１２ａと、コンデンサ回路の容量には寄与しない端側部分１２ｂとを有する。中央側部分１２ａは、極性が異なる内側電極層１４により挟み込まれており、端側部分１２ｂは、極性が同じ内側電極層１４の引出部１４ａにより挟まれている。
【0025】
内側誘電体層１２のＺ軸に沿う積層数は、特に限定されず、たとえば、２０以上、５０以上、１００以上、あるいは２００以上としてもよい。積層数が増えるほど、コンデンサ回路の容量が増大する。なお、内側電極層１４の積層数は、内側誘電体層１２の積層数に応じて決定される。
【0026】
内側誘電体層１２の平均厚みは、特に限定されないが、たとえば１００μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下とすることができる。内側誘電体層１２の平均厚みを薄くするほど、コンデンサ回路の容量を増大させることができると共に、コンデンサ２の小型化に寄与する。内側電極層１４の平均厚みについても、特に限定されず、内側誘電体層１２の平均厚みに応じて決定される。
【0027】
外部電極６は、それぞれ、一方の端面４ａを覆い、当該端面４ａから側面の一部に跨って形成してあり、一対の外部電極６は、互いに電気的に絶縁してある。この外部電極６は、電気伝導性を有していればよく、その材質や厚みは特に限定されない。また、外部電極６は、単一層で構成してあってもよく、複数層で構成してあってもよい。たとえば、外部電極６は、焼付電極（焼結電極）と樹脂電極とメッキ層とからなる３層構造の電極でもよい。
【0028】
図２に示すように、素子本体４は、内装領域４１の積層方向（Ｚ軸）に沿って少なくとも一方の外側に、内装領域４１と一体化するように積層してある外装領域４３を、さらに有する。本実施形態では、内装領域４１のＺ軸に沿って両側に外装領域４３がそれぞれ一体化して積層してある。本実施形態では、外装領域４３は、内側電極層１４を有さず、外側誘電体層４３ａのみで構成してあるが、外側誘電体層以外の層、たとえばガラス成分層、ダミー電極層などを有していてもよい。
【0029】
外側誘電体層４３ａの厚みは、内側誘電体層１２の厚みと同等以上、好ましくは内側誘電体層１２の厚みよりも大きく、たとえば５倍以上、あるいは１０倍以上であり、一般的には、１５～１００倍程度である。
【0030】
本実施形態では、内側誘電体層１２は、Ａm ＢＯ3 から成る内側主成分と、少なくとも元素Ｍを含む内側副成分とを有する。また、外側誘電体層４３ａは、Ａm'ＢＯ3 から成る外側主成分と、少なくとも元素Ｍ’を含む外側副成分とを有する。
【0031】
内側主成分のＡm ＢＯ3 と外側主成分のＡm'ＢＯ3 とは、いずれもペロブスカイト型の誘電体組成物の組成式を意味し、組成式中のｍおよびｍ’は、それぞれ、Ｂサイト元素に対するＡサイト元素の比率（Ａ／Ｂ）を意味する。本実施形態では、組成式中のｍおよびｍ’は、以下の関係にある。
【0032】
すなわち、０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２、好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．９、さらに好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．８の関係を満足する。また、好ましくは、０．８９≦ｍ＜１．４１、さらに好ましくは０．９０≦ｍ≦１．２７の関係を満足する。また、好ましくは、０．８９＜ｍ’≦１．４１、さらに好ましくは１．２９≦ｍ’≦１．４０の関係を満足する。
【0033】
本実施形態では、内側誘電体層の積層数の多少にかかわらずに、クラックの発生率を低減することができ、特に内側誘電体層の積層数が多く（たとえば２００以上）なったとしても、クラックの発生率を低減することができる。その理由としては、必ずしも明らかではないが、上記の関係式を満足する場合には、内装領域４１での熱収縮挙動（熱収縮率）と、外装領域４３での熱収縮挙動（熱収縮率）とを合わせることができるためではないかと考えられる。
【0034】
なお、ｍまたはｍ’の測定は、たとえば次に示すようにして行うことができる。たとえば図２に示す内側誘電体層１２または外側誘電体層４３ａの断面を電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）、または、レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（LA-ICP-MS）等により成分分析することで、ｍまたはｍ’を同定することができる。また、ＥＰＭＡで成分分析等を行う場合、Ｘ線分光器として、ＥＤＳ（エネルギー分散型分光器）、もしくはＷＤＳ（波長分散型分光器）を使用することができる。
【0035】
本実施形態では、内側主成分と外側主成分とは、同じでも異なっていてもよいが、相互拡散による組成ズレを防止できる程度に同様な主成分組成であることが好ましい。また、内側副成分に含まれる元素Ｍと、外側副成分に含まれる元素Ｍ’とは、同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
【0036】
元素Ｍは、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、同様に、元素Ｍ’も、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上である。
【0037】
内側誘電体層１２中の元素Ｍの濃度をＭｃ原子％とし、外側誘電体層中の元素Ｍ’の濃度をＭ’c原子％とした場合に、下記の関係にあることが好ましい。すなわち、好ましくは、０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３、さらに好ましくは、０．３＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８、特に好ましくは０．４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．６の関係を満足する。また、好ましくは、０．８≦Ｍｃ≦５．０、さらに好ましくは１．０≦Ｍｃ≦３．０の関係を満足する。
【0038】
Ｍｃ／Ｍ’ｃ、を特定の範囲に設定することで、クラックの発生率を低減することができると共に、高温負荷寿命の性能が向上する。内側誘電体層１２中の元素Ｍの濃度Ｍｃを外側誘電体層４３ａ中の元素Ｍ’の濃度Ｍ’cに比較して小さくすることで、高温負荷寿命の性能が向上すると考えられる。
【0039】
なお、元素Ｍまたは元素Ｍ’の濃度の測定は、たとえば次に示すようにして行う。たとえば図２に示す内側誘電体層１２または外側誘電体層４３ａの断面を走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などで観察すると、誘電体粒子２１と粒界２３と偏析２５などが観察される。そこで、偏析２５を除く２０個の誘電体粒子２１の断面の中心を、ＳＴＥＭに付属のＥＤＳを用いて各元素の定量分析を実施し、たとえばＺｒの１００原子％に対する元素ＭまたはＭ’の濃度をそれぞれ求めて平均を算出して、ＭｃまたはＭｃ’を求めることができる。
【0040】
本実施形態では、好ましくは、内側誘電体層１２のＡm ＢＯ3 が、（Ｂａ1-x-y Ｓｒx Ｃａy ）m （Ｔｉ1-Z ＺｒZ ）Ｏ3 で表され、外側誘電体層４３ａのＡm'ＢＯ3 が、好ましくは、（Ｂａ1-x'-y' Ｓｒx'Ｃａy'）m'（Ｔｉ1-Z'ＺｒZ'）Ｏ3で表される。
【0041】
上記の組成式において、酸素（Ｏ）の量は、上記の化学量論組成から若干偏倚してもよい。また、組成式の記号ｍ，ｘ，ｙ，ｍ’，ｘ’，ｙ’，ｚおよびｚ’は、いずれも、組成モル比を表しており、好ましくは、以下の条件を満たす。
【0042】
すなわち、好ましくは、０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
【0043】
このような関係にある場合に、積層セラミックコンデンサ２の温度特性（たとえばＣ０Ｇ特性）も向上する。
【0044】
なお、図３に示す誘電体粒子２１は、焼結粒子であって、その平均粒径は、円相当径換算で、０．０５μｍ～２．０μｍであることが好ましく、０．１μｍ～１．０μｍであることが好ましい。誘電体粒子２１の粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）もしくは走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などで、内側誘電体層１２または外側誘電体層４３ａの断面を少なくとも３視野以上観察し、その際に得られる断面写真の画像解析することで測定できる。
【0045】
誘電体粒子２１は、内側誘電体層１２または外側誘電体層４３ａの主成分で主として構成され、元素ＭまたはＭ’を含む副成分の一部が一部固溶してあってもよく、コアシェル構造の粒子あるいは全固溶粒子であってもよい。内側誘電体層１２または外側誘電体層４３ａの副成分は、粒界２３に存在してもよく、偏析２５として粒界２３の一部に部分的に濃縮して存在している場合もある。本実施形態において、副成分の存在形態は、特に限定されない。また、偏析２５については、上記の複数の副成分が複合化したり、主成分を構成する一部の元素と副成分とが複合化したりすることで、複合酸化物の相として存在する場合がある。
【0046】
元素ＭまたはＭ’を含む副成分には、ＭまたはＭ’以外のその他の副成分元素が含まれていてもよい。その他の副成分元素としては、たとえばＶ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素、Ｓｉ、Ｚｎなどが例示される。
【0047】
内側誘電体層１２および外側誘電体層４３の組成は、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）、蛍光Ｘ線分析（ＸＲＦ）、または、誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ）などの分析手法により成分分析することで、同定することができる。また、本実施形態において、ＥＰＭＡで成分分析等を行う場合、Ｘ線分光器として、ＥＤＳ（エネルギー分散型分光器）、もしくはＷＤＳ（波長分散型分光器）を使用することができる。
【0048】
次に、図１および図２に示す積層セラミックコンデンサ２の製造方法の一例を説明する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、ペーストを用いた印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、得られた素子本体４に一対の外部電極６を形成することで製造できる。
【0049】
まず、内側誘電体層１２および外側誘電体層４３を構成する主成分の出発原料を準備し、焼成後に所望の組成比となるように、出発原料を秤量する。この際に使用する出発原料は、主成分を構成する元素を含む酸化物の粉末、もしくは、焼成後に酸化物となる化合物粉末（たとえば炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、有機金属化合物など）を用いることができる。
【0050】
たとえば、主成分を構成する各元素の出発原料として、ＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉末、ＣａＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末、ＺｒＯ2粉末を用いることができる。また、主成分の出発原料は、いずれも、微粒子であることが好ましく、その平均粒径は、０．０１～１．０μｍであることが好ましい。
【0051】
次に、上記で秤量した出発原料を、ボールミルなどの混合器を用いて湿式混合し、得られた混合粉末を、乾燥後、所定の条件で仮焼きする。なお、仮焼きの熱処理条件は、保持温度を１１００℃～１３００℃とすることが好ましく、保持時間を１～４時間とすることが好ましい。
【0052】
また、仮焼き処理中の雰囲気は、特に限定されず、大気雰囲気であってもよく、窒素などの不活性ガス雰囲気や、減圧もしくは真空状態の雰囲気としてもよい。上記の条件で加熱処理することで、主成分の仮焼き粉末が得られる。なお、仮焼き粉末については、適宜、解砕、粉砕、分級などの処理を行い、仮焼き粉末の平均粒径を、０．１μｍ～１．０μｍ程度に調製しておくことが好ましい。
【0053】
次に、上記で得られた仮焼き粉末に、副成分の出発原料を加え、混合することで、誘電体原料粉末を得る。なお、副成分の出発原料としては、主成分の出発原料と同様に、酸化物粉末や、焼成後に酸化物となる化合物粉末を用いればよい。
【0054】
そして、上記の誘電体原料粉末を、有機ビヒクル、もしくは、水性ビヒクルに加えて混錬することで塗料化し、焼成後に内側誘電体層１２の組成となるように調整された内側誘電体ペーストと、焼成後に外側誘電体層４３ａの組成となるように調整された外側誘電体ペーストを得る。ここで、有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解した塗料である。
【0055】
有機ビヒクルに用いられるバインダは、特に限定されず、たとえば、エチルセルロース、ポリビニルブチラールなどの各種バインダを用いることができる。また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も、特に限定されず、たとえば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエンなどの各種有機溶媒を用いることができる。
【0056】
一方、水性ビヒクルとは、水溶性のバインダを水に溶解させた塗料である。この場合、水溶性バインダとしては、特に限定されず、たとえば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いることができる。なお、誘電体ペーストには、上記のバインダや溶媒の他に、可塑剤や分散剤などのその他の添加物が含まれていてもよい。
【0057】
また、上記の誘電体ペーストの他に、焼成後に内側電極層１４を構成する内側電極用ペーストも準備する。内側電極用ペーストは、上記したＮｉやＮｉ合金からなる導電材、あるいは、焼成後に上記したＮｉやＮｉ合金となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネートなどを、上述したような有機ビヒクルと共に混錬して調製すればよい。この際、内側電極用ペーストには、誘電体用ペーストに含まれるセラミック成分（好ましくは主成分と同じ組成）を共材として添加してもよい。
【0058】
なお、上記の各ペースト（誘電体ペーストおよび内側電極用ペースト）において、添加するビヒクルの配合比は、特に限定されず、公知の配合比を採用すればよい。たとえば、誘電体原料粉末１００重量部に対して、バインダ成分の含有量は１～１０重量部程度、溶媒の含有量は１０～１００重量部程度とすることができる。
【0059】
次に、上記の各ペーストを用いて、焼成後に素子本体４となるグリーンチップを製造する。グリーンチップは、各種印刷法や各種シート法により製造できる。
【0060】
たとえば、シート法でグリーンチップを製造する場合、まず、ＰＥＴフィルムなどのキャリアフィルム上に、外側誘電体ペーストをドクターブレード法などで塗布してシート化し、適宜乾燥することで外側グリーンシートを得る。また、別のＰＥＴフィルムなどのキャリアフィルム上に、内側誘電体ペーストをドクターブレード法などで塗布してシート化し、適宜乾燥することで内側グリーンシートを得る。
【0061】
内側グリーンシートの上には、スクリーン印刷などの各種印刷法により、内側電極用ペーストを所定のパターンで塗布する。この内側電極用ペーストのパターンが形成してある内側グリーンシートを複数に積層した後、積層方向にプレスすることでマザー積層体を得る。なお、マザー積層体の積層方向の上面および下面には、図２に示す外側誘電体層４３ａがそれぞれ形成されるように、内側電極用ペーストが印刷されていない外側グリーンシートを、単層または複層で積層してある。そして、上記工程により得られたマザー積層体を、ダイシングや押切りによりカッティングし、複数のグリーンチップを得る。
【0062】
次に、グリーンチップに対して、脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理の条件は、昇温速度を好ましくは５～３００℃／時間とし、保持温度を好ましくは１８０℃～９００℃とし、温度保持時間を好ましくは０．５～４８時間とする。また、脱バインダ処理の雰囲気は、大気雰囲気、もしくは、還元性雰囲気とする。
【0063】
脱バインダ処理後、グリーンチップの焼成（本焼成）を行う。具体的に、焼成時の雰囲気は、還元雰囲気とし、雰囲気ガスとしては、たとえば、窒素（Ｎ2）と水素（Ｈ2）の混合ガスを加湿して用いることが好ましい。そして、焼成時の酸素分圧は、好ましくは、１．０×１０-13 ＭＰａ以上とし、１．０×１０-12 ＭＰａ以上、１．０×１０-11 ＭＰａ以上とすることがさらに好ましい。
【0064】
また、焼成時の昇温速度は、１００℃／時間以下と遅く設定することが好ましく、５℃／時間～５０℃／時間の範囲内とすることがより好ましい。なお、焼成時の保持温度は、１１００℃～１３００℃とすることが好ましい。また、焼成時の保持時間は、０．２時間～３時間とすることが好ましく、０．５時間～２時間とすることがより好ましい。さらに、温度保持後の冷却過程では、冷却速度を５０℃／時間～３００℃／時間とすることが好ましい。
【0065】
上記のような条件で焼成することで素子本体４が得られる。なお、本実施形態では、焼成後の素子本体４に対してアニール処理（誘電体層の再酸化処理）を施すことが好ましい。再酸化処理では、保持温度を１１５０℃以下とすることが好ましく５００℃～１１００℃とすることがより好ましい。再酸化処理における温度保持時間は、０～２０時間とすることができ、６～１０時間とすることが好ましい。また、再酸化処理時の雰囲気は、窒素雰囲気、もしくは、加湿した窒素雰囲気として、酸素分圧は、１．０×１０-9～１．０×１０-5ＭＰａとすることが好ましい。
【0066】
なお、脱バインダ処理、焼成、および再酸化処理は、連続して行ってもよく、独立に行ってもよい。また、これらの熱処理工程（脱バインダ処理、焼成、および再酸化処理）は、切断前のマザー積層体に対して実施し、熱処理工程後にマザー積層体を切断して、複数の素子本体４を得てもよい。また、得られた素子本体４に対しては、適宜、研磨やブラスト処理などの端面処理を施してもよい。
【0067】
最後に、上記の製法で得られた素子本体４の端部に、一対の外部電極６を形成する。外部電極６の形成方法は、特に限定されない。たとえば、ガラスフリットなどを含む導電性ペーストを焼き付けることで形成してもよい。もしくは、熱硬化性樹脂をふくむ導電性ペーストを塗布して、加熱により樹脂を硬化させることで、樹脂電極として外部電極６を形成してもよい。その他、メッキやスパッタリングなどの成膜法によっても外部電極６を形成することができる。
【0068】
なお、外部電極６は、焼結電極もしくは樹脂電極の表面に、単数または複数のメッキ層を形成し、積層電極としてもよい。たとえば、外部電極６は、Ｃｕの焼結電極／Ａｇ-Ｐｄの樹脂電極／Ｎｉメッキ／Ｓｎメッキの積層構造とすることができ、この場合、素子本体４と接している下地電極はＣｕの焼結電極である。
【0069】
上記の方法で製造された本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、ハンダや導電性接着剤により回路基板などの基板上に実装され、各種電子機器等に使用される。
【0070】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、本発明に係る積層電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、ＬＣ複合電子部品などであってもよい。
【実施例0071】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【0072】
実施例および比較例
【0073】
まず、図２に示す内側誘電体層１２の原料となる仮焼き粉末を作製するために、出発原料として、ＢａＣＯ3 粉末、ＳｒＣＯ3 粉末、ＣａＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末、ＺｒＯ2 粉末を準備し、所望の組成比（焼成後に表１Ａに示す組成）となるように秤量した。この際、用意した出発原料の平均粒径は、０．０３～１．０μｍとした。
【0074】
次に、秤量した出発原料を、ボールミルで２０時間、湿式混合し、適宜乾燥させることで、出発原料の混合物を得た。
【0075】
次に、上記で得られた出発原料の混合物を、１２５０℃で２時間、仮焼きして、出発原料の仮焼き粉末を得た。なお、仮焼き粉末は、上記の熱処理後に、ボールミルを用いて湿式粉砕し、その後乾燥させた。
【0076】
次いで、上記の仮焼き粉末に対して、副成分の出発原料を所望の組成比（焼成後に表１Ａに示す組成）となるように加えて混合し、内側誘電体層１２の誘電体原料粉末を得た。そして、乾燥した誘電体原料粉末を、所定の有機ビヒクルとともに混練し、塗料化することで内側誘電体ペーストを得た。
【0077】
また、図２に示す外側誘電体層４３ａの形成に用いる外側誘電体ペーストも、内側誘電体ペーストと同様の手順で作製した。
【0078】
一方、内側電極用ペーストについては、Ｎｉ粉末１００重量部と、所定の有機ビヒクル４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混錬して塗料化することで得た。
【0079】
次に、上記で調製した二種類の誘電体ペーストと電極用ペーストを用いて、シート法により、グリーン積層体を製造した。具体的には、ＰＥＴフィルム上に、外側誘電体層４３となる外側誘電体ペーストをドクターブレード法で塗布してシート化し、適宜乾燥することで外側グリーンシートを得る。また、別のＰＥＴフィルム上に、内側誘電体層１２となる内側誘電体ペーストをドクターブレード法で塗布してシート化し、適宜乾燥することで内側グリーンシートを得る。
内側グリーンシートの上には、スクリーン印刷により、内側電極用ペーストを所定のパターンで塗布する。この内側電極用ペーストのパターンが形成してある内側グリーンシートを複数に積層した後、積層方向にプレスすることでマザー積層体を得る。なお、マザー積層体の積層方向の上面および下面には、図２に示す外側誘電体層４３ａがそれぞれ形成されるように、内側電極用誘電体ペーストが印刷されていない外側グリーンシートを複層で積層する。
内側グリーンシートの上には、スクリーン印刷により、内側電極用ペーストを所定のパターンで塗布する。この内側電極用ペーストのパターンが形成してある内側グリーンシートを複数に積層した後、積層方向にプレスすることでマザー積層体を得る。なお、マザー積層体の積層方向の上面および下面には、図２に示す外側誘電体層４３ａがそれぞれ形成されるように、内側電極用誘電体ペーストが印刷されていない外側グリーンシートを複層で積層する。
【0080】
次に、グリーン積層体を所定のサイズに切断し、グリーンチップを得て、このグリーンチップに対して、脱バインダ処理、焼成、および再酸化処理を施した。なお、これらの各熱処理工程での詳細な条件は、以下のとおりとした。
【0081】
脱バインダ処理の条件は、昇降温速度：３０℃／時間、保持温度：２６０℃、温度保持時間：８時間、雰囲気：大気中とした。
【0082】
焼成の条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１２５０℃、温度保持時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間以上、雰囲気ガス：加湿したＮ2＋Ｈ2混合ガス、酸素分圧：１．０×１０-12ＭＰａ以上とした。
【0083】
アニール処理の条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１０００℃、保持時間：２時間、冷却速度：３００℃／時間以上、雰囲気ガス：加湿したＮ2ガス、酸素分圧：１．０×１０-8ＭＰａ以上とした。なお、焼成およびアニール処理において、雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを用いた。
【0084】
上記の条件で熱処理を行うことで、素子本体４を得た。次に、得られた素子本体４の端面をサンドブラストにて研磨した後、外部電極としてＩｎ－Ｇａ共晶合金を塗布し、図１に示す積層セラミックコンデンサ１と同様の形状のコンデンサ試料を得た。なお、得られたコンデンサ試料のサイズ（素子本体４のサイズ）は、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍであり、内側誘電体層１２の平均厚みが３．０μｍ、内側電極層１４の平均厚みが１．０μｍ、内側電極層１４に挟まれた内側誘電体層１２の数が２００であった。
【0085】
上記で得られた各コンデンサ試料１～３０に対して、以下の特性評価を実施した。
【0086】
クラック発生率
作製した試料１～３０の各々に関して、それぞれ１００００個の外観について顕微鏡などを用いて観察し、クラックが検出された割合を求めた。クラック発生率は、５００ｐｐｍ以下を良好とし、１００ｐｐｍ以下を特に良好とした。結果を表１Ｂに示す。
作製した試料１～３０の各々に関して、それぞれ１００００個の外観について顕微鏡などを用いて観察し、クラックが検出された割合を求めた。クラック発生率は、５００ｐｐｍ以下を良好とし、１００ｐｐｍ以下を特に良好とした。結果を表１Ｂに示す。
【0087】
高温負荷寿命
コンデンサ試料１～３０の各々に関し、２００℃にて７０Ｖ／μｍの電界下で直流電圧の印加状態を保持し、コンデンサ試料の絶縁劣化時間を測定することにより、高温負荷寿命を評価した。本実施例においては、電圧印加開始から絶縁抵抗が１桁落ちるまでの時間を寿命と定義した。
コンデンサ試料１～３０の各々に関し、２００℃にて７０Ｖ／μｍの電界下で直流電圧の印加状態を保持し、コンデンサ試料の絶縁劣化時間を測定することにより、高温負荷寿命を評価した。本実施例においては、電圧印加開始から絶縁抵抗が１桁落ちるまでの時間を寿命と定義した。
【0088】
また、本実施例では、上記の評価を２０個のコンデンサ試料について行い、これをワイブル解析することにより算出した平均故障時間（ＭＴＴＦ）を、それぞれのコンデンサ試料１～３０の平均寿命と定義した。高温負荷寿命は、平均寿命５０時間以上を良好とし、１００時間以上を特に良好とした。結果を表１Ｂに示す。
【0089】
容量温度係数τＣ
さらに、コンデンサ試料１～３０の容量温度係数τＣ（単位：ｐｐｍ／℃）を測定した。具体的には、２５℃および１２５℃において、各コンデンサ試料に対して、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、各温度帯における静電容量を測定した。そして、２５℃における静電容量Ｃ２５と、１２５℃における静電容量Ｃ１２５とから、以下の式により容量温度係数を算出した。結果を表１Ｂに示す。
τＣ＝｛（Ｃ１２５－Ｃ２５）／Ｃ２５｝×（１／（１２５－２５））
さらに、コンデンサ試料１～３０の容量温度係数τＣ（単位：ｐｐｍ／℃）を測定した。具体的には、２５℃および１２５℃において、各コンデンサ試料に対して、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの信号を入力し、各温度帯における静電容量を測定した。そして、２５℃における静電容量Ｃ２５と、１２５℃における静電容量Ｃ１２５とから、以下の式により容量温度係数を算出した。結果を表１Ｂに示す。
τＣ＝｛（Ｃ１２５－Ｃ２５）／Ｃ２５｝×（１／（１２５－２５））
【0090】
なお、上記の測定を、各コンデンサ試料につき１０個のサンプルに対して実施し、その平均値として各試料の容量温度係数を算出した。容量温度係数は、±４０ｐｐｍ／℃の範囲内を合格とし、±３０ｐｐｍ／℃の範囲内である場合を良好とし、±２０ｐｐｍ／℃の範囲内である場合を特に良好と判断した。結果を表１Ｂに示す。
【0091】
主成分（ｘ、ｙ、ｚ、ｍ、ｘ’、ｙ’、ｚ’、ｍ’）の測定
作製した各試料１～３０に対して、レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（LA-ICP-MS）を用いて、内側誘電体層および外側誘電体層を分析し、各層を構成する主成分のモル濃度割合を求めた。表１Ａに示すように、原料段階での組成比と同様な結果が得られた。
作製した各試料１～３０に対して、レーザーアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（LA-ICP-MS）を用いて、内側誘電体層および外側誘電体層を分析し、各層を構成する主成分のモル濃度割合を求めた。表１Ａに示すように、原料段階での組成比と同様な結果が得られた。
【0092】
ＭｃおよびＭ’ｃの測定
作製した試料１～３０に対して、ＳＴＥＭに付属のＥＤＳを用いて、内側誘電体層および外側誘電体層に含まれるＭおよびＭ’の濃度を分析した。具体的には、偏析していない粒子２０個の断面について、それぞれの粒子断面の幾何中心にてＺｒの濃度を１００ａｔ％としたときのＭやＭ’の濃度を求め、２０点の算術平均からＭｃおよびＭ’ｃを算出した。表１Ａに示すように、原料段階での組成比と同様な結果が得られた。
作製した試料１～３０に対して、ＳＴＥＭに付属のＥＤＳを用いて、内側誘電体層および外側誘電体層に含まれるＭおよびＭ’の濃度を分析した。具体的には、偏析していない粒子２０個の断面について、それぞれの粒子断面の幾何中心にてＺｒの濃度を１００ａｔ％としたときのＭやＭ’の濃度を求め、２０点の算術平均からＭｃおよびＭ’ｃを算出した。表１Ａに示すように、原料段階での組成比と同様な結果が得られた。
【0093】
評価
表１Ａおよび表１Ｂの試料１３～２２に示すように、内側誘電体層および外側誘電体層における主成分の組成において、０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２、好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．９、さらに好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．８の関係を満足することで、クラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上することが確認できた。また、この範囲では、容量温度係数も良好であることが確認できた。
表１Ａおよび表１Ｂの試料１３～２２に示すように、内側誘電体層および外側誘電体層における主成分の組成において、０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２、好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．９、さらに好ましくは０．７＜ｍ／ｍ’＜０．８の関係を満足することで、クラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上することが確認できた。また、この範囲では、容量温度係数も良好であることが確認できた。
【0094】
表１Ａおよび表１Ｂの試料１～４および９～１２に示すように、好ましくは、０．８９≦ｍ＜１．４１および０．８９＜ｍ’≦１．４１の関係を満足し、さらに好ましくは、０．９０≦ｍ≦１．２７および１．２９≦ｍ’≦１．４０の関係を満足する場合に、クラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上することが確認できた。また、この範囲では、容量温度係数も良好であることが確認できた。
【0095】
表１Ａおよび表１Ｂの試料１３～２２に示すように、好ましくは０．２４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８３、さらに好ましくは０．３＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．８、特に好ましくは０．４＜Ｍｃ／Ｍ’ｃ＜０．６の関係を満足することで、クラックの発生率を低減することができると共に、高温負荷寿命の性能が向上することが確認できた。また、この範囲では、容量温度係数も良好であることが確認できた。
【0096】
内側誘電体層の誘電体粒子に比較して、外側誘電体層の誘電体粒子の元素Ｍ（Ｍｎなど）の固溶濃度を大きくすることで、外側誘電体層の焼結性を向上させ、しかも、内側誘電体層と外側誘電体層の焼結挙動を合わせることが容易になり、クラックをさらに抑制することができるのではないかと考えられる。また、内側誘電体層中の元素Ｍの濃度Ｍｃを、外側誘電体層中の元素Ｍ’の濃度Ｍ’cに比較して小さくすることで、高温負荷寿命の性能が向上すると考えられる。すなわち、内側誘電体層中に元素Ｍ（Ｍｎなど）が多く固溶すると高温負荷寿命が低下するためではないかと考えられる。
【0097】
表１Ａおよび表１Ｂの試料２３～３０に示すように、好ましくは、０．８≦Ｍｃ≦５．０、さらに好ましくは１．０≦Ｍｃ≦３．０の関係を満足するときに、さらにクラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能がさらに向上することが確認できた。また、この範囲では、容量温度係数も良好であることが確認できた。
【0098】
表１Ａおよび表１Ｂの試料１～１２に示すように、以下のような関係にあることで、容量温度係数も良好であり、クラック発生率を抑制することができると共に、高温負荷寿命の性能が向上することが確認できた。
０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
０≦ｘ≦１．００、
０≦ｙ≦１．００、
０．９０≦ｘ＋ｙ≦１．００、
０．９０≦ｚ≦１．００、
０≦ｘ'≦１．００、
０≦ｙ'≦１．００、
０．９０≦ｘ'＋ｙ'≦１．００、および
０．９０≦ｚ'≦１．００である。
【0099】
【表1A】
【0100】
【表1B】
【符号の説明】
【0101】
２… 積層セラミックコンデンサ
４… 素子本体
４ａ… 端面
６… 外部電極
１２… 内側誘電体層
１２ａ… 中央側部分
１２ｂ… 端側部分
１４… 内側電極層
１４ａ… 引出部
２１… 誘電体粒子
２３… 粒界
２５… 偏析
４１… 内装領域
４３… 外装領域
４３ａ… 外側誘電体層
４… 素子本体
４ａ… 端面
６… 外部電極
１２… 内側誘電体層
１２ａ… 中央側部分
１２ｂ… 端側部分
１４… 内側電極層
１４ａ… 引出部
２１… 誘電体粒子
２３… 粒界
２５… 偏析
４１… 内装領域
４３… 外装領域
４３ａ… 外側誘電体層
【図1】
【図2】
【図3】
【手続補正書】
【提出日】2023-06-09
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項1】
交互に積層してある内側誘電体層と内側電極層とを有する内装領域と、
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａ m ＢＯ 3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する積層電子部品。
外側誘電体層を有し、前記内装領域の積層方向に沿って外側に位置する外装領域とを有する積層電子部品であって、
前記内側誘電体層は、Ａ m ＢＯ 3 と元素Ｍとを有し、
前記外側誘電体層は、Ａm'ＢＯ3 と元素Ｍ’とを有し、
前記元素Ｍが、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
前記元素Ｍ’が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒのうちの少なくとも１つ以上であり、
０．６９＜ｍ／ｍ’＜０．９２
の関係を満足する積層電子部品。