特開 2024-43963 パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024043963

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022149227

(22)【出願日】2022-09-20

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】光安 将騎

(72)【発明者】

【氏名】小川 諒

(72)【発明者】

【氏名】ミトラ オヌポン

【テーマコード（参考）】

5F146

【Ｆターム（参考）】

5F146AA31

(57)【要約】

【課題】基板に対するパターンの重ね合わせ精度を向上させること。
【解決手段】実施形態のパターン形成方法は、複数のショット領域を有する基板を、基板の外縁部を吸引する第１の吸引領域と、外縁部の内側領域を吸引する第２の吸引領域とを有する吸引チャック上に保持し、複数のショット領域は、外縁部と内側領域とに跨って配置され、内側領域に第１のアライメントマークを有し、外縁部に第２のアライメントマークを有し、外縁部側で一部が欠けた第１のショット領域を含み、テンプレートを樹脂膜に押し当てた状態で、第１及び第３のアライメントマークの位置合わせを行うとともに、テンプレートを介して第２及び第４のアライメントマークを観測しつつ第１の吸引領域における吸引力を調整して外縁部の反り量を変化させ、第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のショット領域を有する基板を、前記基板の外縁部を吸引する第１の吸引領域と、前記外縁部の内側領域を吸引する第２の吸引領域とを有する吸引チャック上に保持し、
前記複数のショット領域のうち少なくとも１つのショット領域上に樹脂膜を形成し、
前記１つのショット領域上の前記樹脂膜にテンプレートのパターンを押し当てて、前記パターンを前記樹脂膜に転写するパターン形成方法であって、
前記複数のショット領域は、
前記外縁部と前記内側領域とに跨って配置され、前記内側領域に第１のアライメントマークを有し、前記外縁部に第２のアライメントマークを有し、前記外縁部側で一部が欠けた第１のショット領域を含み、
前記テンプレートは、
前記第１のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第３のアライメントマークと、前記第２のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第４のアライメントマークとを有しており、
前記パターンを前記第１のショット領域上の前記樹脂膜に転写するときは、
前記テンプレートを前記樹脂膜に押し当てた状態で、前記第１及び第３のアライメントマークの位置合わせを行うとともに、前記テンプレートを介して前記第２及び第４のアライメントマークを観測しつつ前記第１の吸引領域における吸引力を調整して前記外縁部の反り量を変化させ、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う、
パターン形成方法。

【請求項2】

前記パターンを前記第１のショット領域上の前記樹脂膜に転写するときは、
前記第１の吸引領域における吸引力を段階的に高めていきながら、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う、
請求項１に記載のパターン形成方法。

【請求項3】

前記パターンを前記第１のショット領域上の前記樹脂膜に転写するときは、
前記テンプレートの傾き、前記パターンを押し当てる力、及び前記パターンの撓みの少なくともいずれかを調整して、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う、
請求項１に記載のパターン形成方法。

【請求項4】

被加工膜が形成され複数のショット領域を有する基板を、前記基板の外縁部を吸引する第１の吸引領域と、前記外縁部の内側領域を吸引する第２の吸引領域とを有する吸引チャック上に保持し、
前記複数のショット領域のうち少なくとも１つのショット領域上に樹脂膜を形成し、
前記１つのショット領域上の前記樹脂膜にテンプレートのパターンを押し当てて、前記パターンを前記樹脂膜に転写し、
前記樹脂膜に転写された前記パターンを介して前記被加工膜を加工する半導体装置の製造方法であって、
前記複数のショット領域は、
前記外縁部と前記内側領域とに跨って配置され、前記内側領域に第１のアライメントマークを有し、前記外縁部に第２のアライメントマークを有し、前記外縁部側で一部が欠けた第１のショット領域を含み、
前記テンプレートは、
前記第１のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第３のアライメントマークと、前記第２のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第４のアライメントマークとを有しており、
前記パターンを前記第１のショット領域上の前記樹脂膜に転写するときは、
前記テンプレートを前記樹脂膜に押し当てた状態で、前記第１及び第３のアライメントマークの位置合わせを行うとともに、前記テンプレートを介して前記第２及び第４のアライメントマークを観測しつつ前記第１の吸引領域における吸引力を調整して前記外縁部の反り量を変化させ、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う、
半導体装置の製造方法。

【請求項5】

複数のショット領域を有する基板を保持することが可能に構成され、前記基板の外縁部を吸引する第１の吸引領域と、前記外縁部の内側領域を吸引する第２の吸引領域とを有する吸引チャックと、
パターンを有する面を前記基板に対向させた状態でテンプレートを保持し、前記基板と前記テンプレートとの面方向の相対位置を調整し、前記テンプレートを前記基板に対して上下動させるテンプレートステージと、
前記テンプレートを介して前記基板を撮像する第１及び第２の撮像素子と、
前記吸引チャック、前記テンプレートステージ、並びに前記第１及び第２の撮像素子を制御する制御部と、を備え、
前記複数のショット領域は、
前記外縁部と前記内側領域とに跨って配置され、前記内側領域に第１のアライメントマークを有し、前記外縁部に第２のアライメントマークを有し、前記外縁部側で一部が欠けた第１のショット領域を含み、
前記テンプレートは、
前記第１のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第３のアライメントマークと、前記第２のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第４のアライメントマークとを有しており、
前記制御部は、
前記吸引チャックによって、保持した前記基板の前記外縁部および前記内側領域を吸引させ、
前記テンプレートを前記第１のショット領域上に形成された樹脂膜に押し当てた状態で、前記第１の撮像素子により前記テンプレートを介して前記第１及び第３のアライメントマークを撮像した画像に基づいて、前記第１及び第３のアライメントマークの位置合わせを行うとともに、前記第２の撮像素子により前記第２及び第４のアライメントマークを撮像した画像に基づいて、前記吸引チャックによって前記第１の吸引領域における吸引力を調整して前記外縁部の反り量を変化させ、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う、
インプリント装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、パターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程に、インプリント処理が含まれる場合がある。インプリント処理では、例えば基板を吸引チャック上に吸着し、基板上に形成した樹脂膜にテンプレートを押し当てて、テンプレートのパターンを転写する。

【0003】

上記のようにパターンを転写する際には、基板とテンプレートとの双方に形成されたアライメントマークを用いて、基板に対するパターンの転写位置の合わせ込みを行う。しかしながら、吸引チャック上への吸着によって基板に反りが生じると、パターンの転写位置にずれが生じてしまうことがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第６７３２４１９号公報

【特許文献2】特開２０２２－００２２７５号公報

【特許文献3】特開２０１９－１８６３４３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

１つの実施形態は、基板に対するパターンの重ね合わせ精度を向上させることができるパターン形成方法、半導体装置の製造方法、及びインプリント装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態のパターン形成方法は、複数のショット領域を有する基板を、前記基板の外縁部を吸引する第１の吸引領域と、前記外縁部の内側領域を吸引する第２の吸引領域とを有する吸引チャック上に保持し、前記複数のショット領域のうち少なくとも１つのショット領域上に樹脂膜を形成し、前記１つのショット領域上の前記樹脂膜にテンプレートのパターンを押し当てて、前記パターンを前記樹脂膜に転写するパターン形成方法であって、前記複数のショット領域は、前記外縁部と前記内側領域とに跨って配置され、前記内側領域に第１のアライメントマークを有し、前記外縁部に第２のアライメントマークを有し、前記外縁部側で一部が欠けた第１のショット領域を含み、前記テンプレートは、前記第１のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第３のアライメントマークと、前記第２のアライメントマークとの位置合わせに用いられる第４のアライメントマークとを有しており、前記パターンを前記第１のショット領域上の前記樹脂膜に転写するときは、前記テンプレートを前記樹脂膜に押し当てた状態で、前記第１及び第３のアライメントマークの位置合わせを行うとともに、前記テンプレートを介して前記第２及び第４のアライメントマークを観測しつつ前記第１の吸引領域における吸引力を調整して前記外縁部の反り量を変化させ、前記第２及び第４のアライメントマークの位置合わせを行う。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態にかかるインプリント装置の構成の一例を示す模式図。

【図2】実施形態にかかるインプリント装置が備えるウェハチャックの構成の一例を示す模式図。

【図3】実施形態にかかるインプリント装置が備えるテンプレートステージの構成の一例を示す模式図。

【図4】実施形態にかかるウェハの構成の一例を示す上面図。

【図5】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図6】実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図。

【図7】実施形態にかかるインプリント装置が行うアライメント動作の一例を示す図。

【図8】比較例にかかるテンプレート及びウェハのアライメントマークの相対位置とウェハの反り量との関係を示す模式図。

【図9】実施形態の変形例にかかるインプリント装置が行うアライメント動作の一例を示す図。

【図10】実施形態のその他の変形例にかかるテンプレート及びウェハに設けられるモアレ型のアライメントマークの構成の一例を示す上面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本発明の実施形態につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。

【0009】

（インプリント装置の構成例）
図１は、実施形態にかかるインプリント装置１の構成の一例を示す模式図である。図１（ａ）はインプリント装置１の全体図であり、図１（ｂ）はインプリント装置１が備える撮像素子８４（８４ａ～８４ｄ）の詳細構成を示す検出系８６ａの拡大図である。

【0010】

図１に示すように、インプリント装置１は、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、撮像素子８３，８４ａ～８４ｄ、基準マーク８５、アライメント部８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、光源８９、制御部９０、及び記憶部９１を備えている。インプリント装置１には、ウェハ２０上のレジストにパターンを転写するテンプレート１０がインストールされている。

【0011】

ウェハステージ８２は、ウェハチャック８２ｂ、及び本体８２ａを備える。ウェハチャック８２ｂは、ウェハ２０の裏面を吸引する複数の吸引路８２０を備え、ウェハ２０を本体８２ａ上の所定位置に固定する。複数の吸引路８２０は、図示しないポンプにそれぞれ接続される。

【0012】

ウェハステージ８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、ウェハ２０をウェハステージ８２上にロードする際の位置合わせに用いられる。

【0013】

ウェハステージ８２は、ウェハ２０を載置するとともに、載置したウェハ２０と平行な平面内（水平面内）を移動する。ウェハステージ８２は、ウェハ２０にレジストを滴下する際にはウェハ２０を液滴下装置８７の下方側に移動させ、ウェハ２０への転写処理を行う際には、ウェハ２０をテンプレート１０の下方側に移動させる。

【0014】

ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレート１０のパターンをウェハ２０上のレジストに押し当てる。

【0015】

ステージベース８８上には、複数の撮像素子８３を備えるアライメント部８６が設けられている。アライメント部８６は、ウェハ２０及びテンプレート１０にそれぞれ設けられたアライメントマークに基づき、ウェハ２０の位置検出、及びテンプレート１０の位置検出を行う。

【0016】

アライメント部８６は、検出系８６ａ及び照明系８６ｂを備える。照明系８６ｂは、ウェハ２０及びテンプレート１０に光を当てて、これらに形成されたアライメントマークを視認可能にする。検出系８６ａは、アライメントマークの画像を検出し、これらの位置を合わせることで、ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせを行う。

【0017】

検出系８６ａ及び照明系８６ｂは、それぞれ結像部としてのダイクロイックミラー等のミラー８６ｘ，８６ｙを備える。ミラー８６ｘ，８６ｙは、照明系８６ｂからの光によってアライメントマーク等のウェハ２０及びテンプレート１０からの画像を結像させる。

【0018】

具体的には、照明系８６ｂからの光Ｌｂは、ミラー８６ｙによりウェハ２０等の配置される下方へと反射される。また、ウェハ２０等からの光Ｌａは、ミラー８６ｘにより検出系８６ａ側へと反射される。また、ウェハ２０等からの一部の光Ｌｃは、ミラー８６ｘ，８６ｙを透過して、上方の撮像素子８３の側へと進行する。

【0019】

撮像素子８３は、この一部の光Ｌｃを、アライメントマーク等を含む画像として撮像する。撮像素子８３により撮像された画像は、アライメントマークの状態を制御部９０により判定するために用いられる。

【0020】

一方、ミラー８６ｘにより検出系８６ａ側へと反射された光Ｌａは、検出系８６ａが備える複数の撮像素子８４ａ～８４ｄ側へと進行する。

【0021】

図１（ｂ）に示すように、複数の撮像素子８４ａ～８４ｄは、例えばテンプレート１０の押印領域であるウェハ２０上の１つのショット領域ＳＨの異なるポイントをそれぞれ撮像可能なように配置されている。

【0022】

撮像素子８４ａ～８４ｄは、ミラー８６ｘにより反射された光Ｌａを、アライメントマーク等を含む画像として撮像する。撮像素子８４ａ～８４ｄにより撮像された画像は、ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせを行うために、制御部９０により用いられる。

【0023】

液滴下装置８７は、インクジェット方式によってウェハ２０上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８７が備えるインクジェットヘッドは、レジストの液滴を噴出する複数の微細孔を有しており、レジストの液滴をウェハ２０上の１つのショット領域ＳＨに滴下する。

【0024】

なお、実施形態のインプリント装置１では、ウェハ２０上にレジストを滴下するように構成されているが、スピンコート塗布法によって、ウェハ２０の全面にレジストを塗布してもよい。

【0025】

光源８９は、例えばレジストを硬化させる紫外線等の光を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。

【0026】

制御部９０は、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のハードウェアプロセッサ、メモリ、及びＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等を備えるコンピュータとして構成されている。制御部９０は、テンプレートステージ８１、ウェハステージ８２、基準マーク８５、撮像素子８３，８４ａ～８４ｄを含むアライメント部８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、および光源８９を制御する。

【0027】

次に、図２を用いて、インプリント装置１が備えるウェハチャック８２ｂの詳細の構成例について説明する。

【0028】

図２は、実施形態にかかるインプリント装置１が備えるウェハチャック８２ｂの構成の一例を示す模式図である。図２（ａ）はウェハチャック８２ｂの上面図であり、図２（ｂ）はウェハチャック８２ｂの一部拡大断面図である。

【0029】

図２（ａ）に示すように、吸引チャックとしてのウェハチャック８２ｂは、複数のリング状突起８２１～８２５によって、複数のゾーンＺ１～Ｚ５に分割されている。

【0030】

複数のリング状突起８２１～８２５は、この順に、ウェハチャック８２ｂの内側から外側へと同心円状に配置されている。これらのリング状突起８２１～８２５の間隔は、ウェハチャック８２ｂの外側へと向かうほど狭まっていく。

【0031】

ゾーンＺ１は、ウェハチャック８２ｂの最も中央寄りに配置されたリング状突起８２１の更に内側の円形領域である。なお、ゾーンＺ１には、複数のピン孔８２ｐが設けられている。複数のピン孔８２ｐには、図示しないウェハピンが収納されている。ウェハピンは、ウェハ２０を搬入出する際に、ウェハチャック８２ｂの表面から突出してウェハチャック８２ｂ上方にウェハ２０を保持する。

【0032】

ゾーンＺ２は、リング状突起８２１，８２２間に位置する円環状の領域である。ゾーンＺ３は、リング状突起８２２，８２３間に位置する円環状の領域である。ゾーンＺ４は、リング状突起８２３，８２４間に位置する円環状の領域である。ゾーンＺ５は、リング状突起８２４，８２５間に位置する円環状の領域である。

【0033】

図２（ｂ）に示すように、複数のリング状突起８２１～８２５は、ウェハチャック８２ｂの表面から突出している。複数のリング状突起８２１～８２５のうち、リング状突起８２１～８２４の突出高さは互いに等しい。ウェハチャック８２ｂの最外周に配置されるリング状突起８２５は、他のリング状突起８２１～８２４よりも低い突出高さを有する。

【0034】

ウェハチャック８２ｂの内部には、下流側がポンプＰに接続された複数の吸引路８２０が設けられている。これらの吸引路８２０は、複数のリング状突起８２１～８２５で分割されたゾーンＺ１～Ｚ５にそれぞれ開口している。

【0035】

ウェハチャック８２ｂの最も外周寄りに配置されたリング状突起８２５の更に外側、つまり、ゾーン５の外側のウェハチャック８２ｂの外縁部までの円環状の領域には、吸引路８２０は開口していない。

【0036】

ウェハ２０は、複数のリング状突起８２１～８２５のうち、少なくともリング状突起８２１～８２４の上端部に裏面を支持された状態で、ウェハステージ８２上に載置される。これにより、ウェハ２０の内側領域は、ウェハチャック８２ｂのゾーンＺ１～Ｚ４と重なる位置に配置され、ウェハ２０の外縁部は、ウェハチャック８２ｂのゾーンＺ５と重なる位置に配置されることとなる。

【0037】

リング状突起８２１～８２４の上端部にウェハ２０を支持した状態で、複数の吸引路８２０に接続されたポンプＰを稼働させ、それぞれのゾーンＺ１～Ｚ５に設けられた吸引路８２０の複数の開口からウェハ２０の裏面を吸引することで、ウェハチャック８２ｂの上面にウェハ２０が吸着される。

【0038】

このとき、ポンプＰの稼働状態を制御すること等により、ゾーンＺ１～Ｚ５ごとに吸引力を調整することが可能である。また、ウェハ２０裏面を吸引して負圧とするだけでなく、ウェハ２０裏面を陽圧とすることも可能である。なお、複数の吸引路８２０のそれぞれにバルブ等を設け、これらを開閉させることにより、ゾーンＺ１～Ｚ５ごとの吸引力を調整可能であってもよい。これにより、例えば吸引路８２０に接続されるポンプＰの数を削減することができる。

【0039】

次に、図３を用いて、インプリント装置１が備えるテンプレートステージ８１、及びテンプレートステージ８１に保持されるテンプレート１０の詳細の構成例について説明する。

【0040】

図３は、実施形態にかかるインプリント装置１が備えるテンプレートステージ８１の構成の一例を示す模式図である。図３（ａ）はテンプレートステージ８１の断面図であり、図３（ｂ）はテンプレートステージ８１に保持されるテンプレート１０が有するパターンＰＴの上面図である。

【0041】

図３（ａ）に示すように、テンプレートステージ８１は、本体８１１、テンプレートチャック８１２、加圧部８１３、及び駆動部８１４を備える。

【0042】

テンプレートステージ８１の本体８１１は、平板状の部材であって、テンプレートチャック８１２によって下面にテンプレート１０を保持する。テンプレートチャック８１２は、本体８１１の下面に設けられており、図示しない吸引機構により真空吸着することによって、パターン１０ｐを下方に向けてテンプレート１０をウェハ２０上方に保持する。

【0043】

加圧部８１３は、テンプレートステージ８１の本体８１１と、テンプレート１０との間の空間である加圧室８１３ｒ、本体８１１に設けられ、加圧室８１３ｒに連通する貫通孔８１３ｈ、及び貫通孔３１８ｈに接続されるチューブ８１３ｔを備える。

【0044】

加圧部８１３は、チューブ８１３ｔから貫通孔８１３ｈを介して加圧室８１３ｒに空気等を流入させることで、テンプレート１０の背面を空気圧等により加圧することができる。テンプレート１０をウェハ２０上のレジストに押し当てる際には、加圧部８１３により、テンプレート１０の背面を加圧して、テンプレート１０が有するパターン１０ｐの中央部分をウェハ２０側に撓ませた状態とする。

【0045】

駆動部８１４は、テンプレート１０を保持した状態で、図示しないモータ等により、テンプレートステージ８１を昇降させる。このとき、駆動部８１４のモータ等の駆動力を調整することで、テンプレートステージ８１の昇降速度、テンプレート１０のウェハ２０に対する傾き、及びテンプレート１０のパターン１０ｐをウェハ２０上のレジストに押し当てる力等を制御することができる。

【0046】

より具体的には、駆動部８１４は、例えば矩形状のテンプレート１０の四隅に個別に力を加えることが可能である。したがって、駆動部８１４は、テンプレート１０の四隅に加える力を異ならせることで、テンプレート１０の傾きを調整可能である。また、駆動部８１４は、テンプレート１０の四隅に加える力の強度を変化させることで、テンプレート１０をレジストに押し当てる力を調整可能である。なお、これ以降、テンプレート１０をレジストに押し当てる力をテンプレート１０の押印力とも呼ぶ。

【0047】

また、駆動部８１４は、テンプレート１０を保持した状態で、図示しないモータ等により、テンプレートステージ８１をテンプレート１０及びウェハ２０の面に沿う方向、つまり、水平方向に移動させる。これにより、テンプレート１０とウェハ２０との水平方向における相対位置が調整される。

【0048】

テンプレート１０は、略平板状の石英部材等であり、テンプレートステージ８１に保持した状態で、下面から突出するメサ部１０ｍと、メサ部１０ｍの面上に形成されたパターン１０ｐとを備える。パターン１０ｐは、例えばラインアンドスペースパターン、ドットパターン、ホールパターン等の任意の形状を有するパターンであって、ウェハ２０上のレジストに転写される。ウェハ２０上のパターン１０ｐが転写された領域は、半導体装置の素子領域となる。

【0049】

テンプレート１０のパターン１０ｐの周囲には、複数のアライメントマーク１０ａが設けられている。個々のアライメントマーク１０ａは、例えばテンプレート１０がウェハ２０上のレジストに押し当てられた際のレジストとの接触面から窪んだ凹状の形状を有する。

【0050】

（半導体装置の製造方法）
次に、図４～図６を用いて、実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。実施形態の半導体装置の製造工程は、上述のインプリント装置１によるインプリント処理を含む。

【0051】

まずは、図４に、インプリント装置１の処理対象となるウェハ２０の例を示す。図４は、実施形態にかかるウェハ２０の構成の一例を示す模式図である。図４（ａ）はウェハ２０の上面図であり、図４（ｂ）は１つのショット領域ＳＨの拡大上面図である。

【0052】

図４（ａ）に示すように、基板としてのウェハ２０の上面は複数のショット領域ＳＨに区画されている。複数のショット領域ＳＨは、それぞれが例えば矩形状の形状を有し、ウェハ２０の全面にマトリクス状に配置されている。これらのショット領域ＳＨは、半導体装置の複数の製造工程のうちインプリント処理を含む幾つかの工程において、１回あたりの処理単位となる領域である。

【0053】

つまり、例えば後述するインプリント処理においては、１つのショット領域ＳＨが、１回のインプリント処理でテンプレート１０のパターン１０ｐが転写される領域に相当する。したがって、１つのショット領域ＳＨは、例えば上述のテンプレート１０のメサ部１０ｍの上面の面積および形状と略等しい面積および形状を有していてよい。

【0054】

ただし、複数のショット領域ＳＨには、ウェハ２０外周の端部に配置される欠けショット領域ＳＨｃが含まれる。欠けショット領域ＳＨｃは、ウェハ２０外周の端部に配置されることにより、一部が欠けた状態となっており、設計上、ショット領域ＳＨが備えるべき所定の構成の一部を有していない。

【0055】

つまり、欠けショット領域ＳＨｃは、通常のショット領域ＳＨが有するべき面積に満たない所定の割合の面積しか有していない。欠けショット領域ＳＨｃが有する面積および形状は、その欠けショット領域ＳＨｃが配置されるウェハ２０の外周位置によって種々に異なり得る。

【0056】

図４（ｂ）には、欠けのないショット領域ＳＨが示されている。図４（ｂ）に示すように、個々のショット領域ＳＨは、テンプレート１０のパターン１０ｐが転写される転写領域２０ｔを中央部に有する。転写領域２０ｔは、所定の工程を経た後、半導体装置の素子領域となる。素子領域からは、１つまたは複数の半導体装置が得られる。

【0057】

なお、欠けショット領域ＳＨｃには、その欠けショット領域ＳＨｃの形状および面積等に応じて、１つ以上の半導体装置が得られる欠けショット領域ＳＨｃと、半導体装置が１つも得られない欠けショット領域ＳＨｃとが存在しうる。半導体装置が１つも得られない欠けショット領域ＳＨｃに対しては、通常、インプリント処理は行われない。

【0058】

転写領域２０ｔの周囲には、複数のアライメントマーク２０ａが設けられている。これらのアライメントマーク２０ａは、例えばウェハ２０の上面に形成された被加工膜２１、被加工膜２１の下層膜、またはウェハ２０に形成されている。個々のアライメントマーク２０ａは、上述のテンプレート１０の対応するアライメントマーク１０ａと対で用いられ、ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせに用いられる。

【0059】

図５及び図６は、実施形態にかかる半導体装置の製造方法の手順の一部を順に例示する断面図である。図５及び図６に示す処理は、ウェハ２０上に形成された被加工膜２１に、テンプレート１０のパターン１０ｐに基づくパターンを形成するパターン形成方法でもある。

【0060】

これらの図５及び図６中、図５（ａ）～図６（ａ）に示す処理は、インプリント装置１によるインプリント方法の手順の一例を示している。また、図５（ａ）～図６（ａ）に示す処理は、ウェハ２０上に形成されたレジスト膜３０に、テンプレート１０のパターン１０ｐを形成するパターン形成方法でもある。このように、インプリント装置１によるインプリント処理、及びパターン形成処理は、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。

【0061】

図５（ａ）に示すように、ウェハ２０には、例えば被加工膜２１が形成されている。被加工膜２１は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、または金属膜等であり、テンプレート１０のパターン１０ｐに応じた形に加工される膜である。

【0062】

これまでにウェハ２０が経てきた製造工程の段階によって、被加工膜２１の下に、１つまたは複数の下層膜が形成されていてもよい。あるいは、インプリント処理が、ウェハ２０の表面を加工することを目的に行われる場合、被加工膜２１は、シリコンウェハ等であるウェハ２０の表層部分であってもよい。

【0063】

被加工膜２１、下層膜、またはウェハ２０には、上述したように、テンプレート１０との位置合わせに用いられる複数のアライメントマーク２０ａが形成されている。

【0064】

このようなウェハ２０をインプリント装置１のウェハチャック８２ｂに吸着させ、ウェハステージ８２を液滴下装置８７の下方に移動させる。また、液滴下装置８７によって、複数のショット領域ＳＨのうち、これからインプリント処理を行うショット領域ＳＨの被加工膜２１上に、インクジェット方式を用いてレジストを被加工膜２１上に滴下する。

【0065】

液滴下装置８７から滴下するレジストは、例えば紫外線等を照射することで硬化する光硬化型レジスト等の有機系材料である。液滴下装置８７から滴下される際、レジストは未硬化の液状である。

【0066】

これにより、１つのショット領域ＳＨの被加工膜２１上に樹脂膜としてのレジスト膜３０が形成される。

【0067】

このように、インクジェット方式で形成された未硬化のレジスト膜３０は、図５（ａ）の例によらず、ショット領域ＳＨに液滴状に配列されていてよい。また、上述のように、スピンコート塗布法等を用いてレジストを塗布することでレジスト膜３０を形成してもよい。この場合、レジスト膜３０はウェハ２０の全面に略均一に形成される。

【0068】

ウェハ２０が保持されたウェハステージ８２を移動させ、これからインプリント処理を行うショット領域ＳＨを、インプリント装置１のテンプレートステージ８１に保持されたテンプレート１０の下方に配置する。

【0069】

図５（ｂ）に示すように、テンプレートステージ８１を下降させて、テンプレート１０のパターン１０ｐをウェハ２０のレジスト膜３０に押し当てる。

【0070】

このとき、テンプレートステージ８１に設けられた駆動部８１４により、テンプレートステージ８１の下降速度、下降距離、ウェハ２０に対するテンプレート１０の水平度、及びテンプレート１０の押印力等を調整する。

【0071】

また、駆動部８１４は、テンプレート１０と、ウェハ２０の被加工膜２１との間に所定の間隙が生じるよう、テンプレートステージ８１の下降位置を調整する。これにより、テンプレート１０と被加工膜２１とが接触してしまうことが抑制される。

【0072】

また、パターン１０ｐをレジスト膜３０に接触させる際には、テンプレートステージ８１に設けられた加圧部８１３によってテンプレート１０の背面を加圧して、テンプレート１０のパターン１０ｐの中央部分をウェハ２０側に撓ませておく。これにより、パターン１０ｐの凹凸部分に気泡がトラップされることが抑制される。

【0073】

このように、パターン１０ｐをレジスト膜３０に接触させた状態で、インプリント装置１の撮像素子８３によって、テンプレート１０に設けられた複数のアライメントマーク１０ａを観測し、これらのアライメントマーク１０ａ内がレジスト膜３０で充填されるまで、パターン１０ｐとレジスト膜３０との接触状態を維持する。なお、この間に、テンプレート１０のパターン１０ｐが有する凹部内にもレジスト膜３０が充填されていく。

【0074】

アライメントマーク１０ａ内がレジスト膜３０で充填されることにより、アライメントマーク１０ａ、及びテンプレート１０を透かして見たウェハ２０のアライメントマーク２０ａの視認性が向上する。つまり、インプリント装置１の撮像素子８４ａ～８４ｄによるアライメントマーク１０ａ，２０ａの観測が容易となる。

【0075】

このため、レジスト膜３０の充填後、テンプレート１０の個々のアライメントマーク１０ａと、これらにそれぞれ対応するウェハ２０の個々のアライメントマーク２０ａとを、撮像素子８４ａ～８４ｄによって観測し、ウェハ２０とテンプレート１０とのウェハ２０の面に沿う方向の位置合わせを行う。このとき、例えば使用する撮像素子８４ａ～８４ｄを適宜切り替えながら、これらにそれぞれ対応する位置にあるアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測してこれらの位置合わせを適宜行う。

【0076】

図５（ｃ）～図５（ｄ）は、いずれかの撮像素子８４ａ～８４ｄによって撮像されたアライメントマーク１０ａ，２０ａの画像であって、アライメントマーク１０ａ，２０ａを用いてウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせを行う様子を示している。

【0077】

図５（ｃ）に示すように、ウェハ２０のアライメントマーク２０ａは、例えば４つのバーで構成される矩形状を有している。また、テンプレート１０のアライメントマーク１０ａは、ウェハ２０のアライメントマーク２０ａと同様、例えば４つのバーで構成され、アライメントマーク２０ａよりも小さな矩形状を有している。

【0078】

理想的には、撮像素子８４ａ～８４ｄ側から観測して、ウェハ２０のアライメントマーク２０ａ内に、アライメントマーク１０ａ，２０ａ同士の中心位置が一致した状態で、テンプレート１０のアライメントマーク１０ａが配置されるよう、ウェハ２０とテンプレート１０との相対位置を調整する。これにより、ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせを行うことができ、その状態でテンプレート１０のパターン１０ｐをウェハ２０のレジスト膜３０に転写することで、ウェハ２０上の所望の位置にパターンを形成することができる。

【0079】

なお、上記のように構成されるアライメントマーク１０ａ，２０ａは、バーインバー型マークなどと呼ばれ、ウェハ２０上のレジスト膜３０にテンプレート１０を接触させた後に行う精密な位置合わせに用いられる。ただし、アライメントマーク１０ａ，２０ａは、ボックスインボックス型マーク等の他の型のマークであってもよい。

【0080】

ここで、図５（ｃ）に示す例では、アライメントマーク１０ａ，２０ａには、ウェハ２０の面に沿うＸ方向、及びウェハ２０の面に沿いＸ方向に直交するＹ方向の両方向に位置ずれが生じている。

【0081】

図５（ｄ）に示すように、例えばテンプレートステージ８１に設けられた駆動部８１４により、テンプレート１０をＸ方向に移動させ、アライメントマーク１０ａ，２０ａのＸ方向における位置合わせを行う。

【0082】

図５（ｅ）に示すように、例えば駆動部８１４により、テンプレート１０をＹ方向に移動させ、アライメントマーク１０ａ，２０ａのＹ方向における位置合わせを行う。

【0083】

これにより、ウェハ２０とテンプレート１０とが位置合わせされる。ただし、ウェハ２０とテンプレート１０との位置を合わせるためのアライメント動作は、図５（ｃ）～図５（ｅ）に例示的に示す動作よりも複雑であり得る。

【0084】

例えば、アライメントマーク１０ａ，２０ａのＸ方向およびＹ方向における位置を、同時並行で繰り返し微調整しつつ、徐々に合わせ込んでいってよい。このため、インプリント装置１のアライメント動作は、ウェハ２０上のレジスト膜３０に、例えば円を描くようにテンプレート１０を摺動させながら位置合わせを行うような動作となり得る。

【0085】

また、上述の例では、ウェハ２０に対してテンプレート１０を動かして、これらの位置合わせを行うものとしたが、例えばウェハステージ８２によりウェハ２０をテンプレート１０に対して動かして位置合わせを行ってもよい。

【0086】

また、図５（ｅ）に示す例は、ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせが理想的に行われた場合、つまり、ウェハ２０とテンプレート１０との位置ずれがゼロの場合であって、実際には、所定量以下の位置ずれ量を許容する形でアライメント動作を終了させてよい。

【0087】

この場合、例えばアライメント動作を行う期間を予め設定しておき、所定時間に達したらアライメント動作を終了することとしてよい。あるいは、アライメントマーク１０ａ，２０ａのＸ方向およびＹ方向の位置ずれ量の上限値を予め設定しておき、位置ずれ量が上限値以下になったらアライメント動作を終了することとしてもよい。

【0088】

またあるいは、アライメントの動作期間、及びアライメント誤差の閾値の両方を定めておき、アライメント誤差が閾値以下となるか、あるいは、アライメントの動作期間が経過してタイムアウトとなったところで、アライメント動作を終了することとすることもできる。

【0089】

ウェハ２０とテンプレート１０との位置合わせが終了した後、ウェハ２０とテンプレート１０との位置を維持しつつ、テンプレート１０を介してレジスト膜３０に紫外線を照射する。これにより、パターン」０ｐの凹部内に充填された状態で、レジスト膜３０が硬化する。

【0090】

図６（ａ）に示すように、テンプレートステージ８１に設けられた駆動部８１４により、テンプレート１０を上昇させる。このとき、ウェハ２０はウェハチャック８２ｂに吸着されているので、ウェハステージ８２からウェハ２０が剥がれてしまうことなく、テンプレート１０をウェハ２０から離型することができる。

【0091】

これにより、テンプレート１０のパターン１０ｐが転写されたレジストパターン３０ｐが形成される。レジストパターン３０ｐが有するパターンの底部には、レジスト残膜３０ｒと呼ばれる薄膜が形成されている。上述のように、テンプレート１０とウェハ２０との接触を抑制するため、ウェハ２０との間に間隙がある状態でテンプレート１０を押し当てたからである。

【0092】

以上により、実施形態のインプリント装置１によるインプリント処理が終了する。

【0093】

図６（ｂ）に示すように、例えば酸素プラズマ等を用いた処理により、レジストパターン３０ｐの全面を処理して、パターン底部のレジスト残膜３０ｒを除去する。これにより、パターン底部には被加工膜２１の表面が露出する。

【0094】

図６（ｃ）に示すように、レジストパターン３０ｐを介して被加工膜２１をエッチング加工することにより、レジストパターン３０ｐが被加工膜２１に転写された被加工膜パターン２１ｐが形成される。

【0095】

この後、例えばタングステンまたは銅などの金属膜を被加工膜パターン２１ｐに埋め込むことで、半導体装置の一部となる所望の構造が得られる。

【0096】

例えばテンプレート１０のパターン１０ｐがラインアンドスペースパターンである場合、被加工膜パターン２１ｐもまたラインアンドスペースパターンを有することとなる。ここに金属膜を埋め込むことで、半導体装置の配線等が得られる。

【0097】

また、テンプレート１０のパターン１０ｐがドットパターンである場合、被加工膜パターン２１ｐは、ドットパターンが反転されたホールパターンを有することとなる。ここに金属膜を埋め込むことで、半導体装置のコンタクトまたはビア等が得られる。

【0098】

これ以降、ウェハ２０上に更に各種の膜を形成し、それらの膜に所望の加工を施すことを繰り返すことで、実施形態にかかる半導体装置が製造される。

【0099】

上述のように、実施形態のインプリント装置１では、テンプレート１０とウェハ２０とのアライメントマーク１０ａ，２０ａを用い、テンプレート１０とウェハ２０とのＸ方向およびＹ方向の位置合わせを行う。これにより、テンプレート１０のパターン１０ｐをレジスト膜３０に転写する際、これまでの工程でウェハ２０に形成済みの種々の構成に対するパターン１０ｐの重ね合わせ精度を向上させることができる。

【0100】

パターン１０ｐの重ね合わせ精度が向上することで、例えば上記のインプリント処理が被加工膜２１に配線を形成するための処理であった場合、被加工膜２１の下層に形成済みのコンタクト等と被加工膜２１の配線とがより確実に接続される。

【0101】

また例えば、上記のインプリント処理が被加工膜２１にコンタクト等を形成するための処理であった場合、被加工膜２１の下層に形成済みの配線等と被加工膜２１のコンタクトとがより確実に接続される。

【0102】

（インプリント装置の動作例）
次に、図７を用いて、実施形態のインプリント装置１によるアライメント動作の詳細例について説明する。

【0103】

図７は、実施形態にかかるインプリント装置１が行うアライメント動作の一例を示す図である。図７（ａ）（ｄ）は、テンプレート１０がレジスト膜３０に押し当てられた状態を、テンプレート１０の上方から見た上面図である。図７（ｂ）（ｅ）は、テンプレート１０をレジスト膜３０に押し当てたときの状態を横方向から見た模式図である。図７（ｃ）（ｆ）は、アライメント時にインプリント装置１が行うアライメント動作を示すグラフである。図７（ｇ）は、アライメント時にインプリント装置１が行う他のアライメント動作を示すグラフである。

【0104】

インプリント装置１の制御部９０は、アライメント動作を行うにあたり、ウェハ２０上のレジスト膜３０にテンプレート１０を押し当て、テンプレート１０の複数のアライメントマーク１０ａを撮像素子８３によって継続的に撮像させる。また、制御部９０は、撮像素子８３が撮像した画像に基づき、これらのアライメントマーク１０ａの凹部内にレジスト膜３０が充填されたことの判定を行う。

【0105】

アライメントマーク１０ａにレジスト膜３０が充填され、上下方向に重なり合うアライメントマーク１０ａとウェハ２０側のアライメントマーク２０ａとの視認性が向上したところで、制御部９０は、撮像素子８４ａ～８４ｄによってこれらのアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像させ、それらの撮像画像に基づいて、アライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。

【0106】

図７（ａ）～（ｃ）は、欠けのないショット領域ＳＨに対するインプリント処理の際に、インプリント装置１が行うアライメント動作の例を示している。

【0107】

図７（ａ）に示すように、アライメント動作を行う際、制御部９０は、ショット領域ＳＨ内に存在する複数のアライメントマーク１０ａ，２０ａののうち、撮像素子８４ａ～８４ｄによって、特定のアライメントマーク１０ａ，２０ａをそれぞれ撮像させる。

【0108】

図７（ａ）の例では、制御部９０は、矩形のショット領域ＳＨの紙面左上隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ａにより撮像させ、紙面右上隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｂにより撮像させ、紙面右下隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｃにより撮像させ、紙面左下隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｄにより撮像させている。

【0109】

このように、アライメント動作に際しては、ショット領域ＳＨ内に存在するアライメントマーク１０ａ，２０ａのうち、例えばインプリント装置１が備える撮像素子８４ａ～８４ｄ全てを活用して、ショット領域ＳＨの四隅等、互いに極力離れたアライメントマーク１０ａ，２０ａ同士を撮像し、これらの画像に基づきアライメントを行うことが好ましい。これにより、ショット領域ＳＨ全体に亘って位置ずれ量を検出することができ、テンプレート１０のパターン１０ｐの重ね合わせ精度を向上させることができる。

【0110】

図７（ｂ）に示すように、制御部９０はまた、テンプレート１０をレジスト膜３０（図５（ｂ）参照）に接触させる際、テンプレートステージ８１の加圧部８１３（図３参照）によりテンプレート１０の背面を加圧して、テンプレート１０のパターン１０ｐ（図３参照）が形成された面をウェハ２０側に撓ませる。

【0111】

また、制御部９０は、例えばショット領域ＳＨの四隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ａ～８４ｄによって順次、観測しつつ、例えばテンプレートステージ８１の駆動部８１４（図３参照）によりテンプレート１０のウェハ２０に対するＸ方向およびＹ方向の位置を微調整していく。

【0112】

図７（ｃ）に示すように、テンプレート１０のアライメントマーク１０ａへのレジスト膜３０の充填待ちの間、大きく振れていたアライメント誤差が、アライメントが開始されると徐々にその振幅を小さくしていく。アライメント誤差が予め定められた閾値以下となった後、または、予め定められた所定時間の経過後、制御部９０は、光源８９を制御して紫外光等を照射させ、レジスト膜３０の露光を行う。

【0113】

なお、図７（ａ）などに示す欠けのないショット領域ＳＨは、ウェハ２０の端部よりも中央寄りに配置されており、例えばウェハチャック８２ｂのゾーンＺ１～Ｚ４のいずれかと重なる位置に、あるいは、これらゾーンＺ１～Ｚ４の複数領域に跨って載置されている。

【0114】

制御部９０は、アライメント動作を行う間、少なくともこれらのゾーンＺ１～Ｚ４、あるいは、これらに加えてゾーンＺ５の吸引力を一定に保つ。これにより、インプリント処理の対象となるショット領域ＳＨと重なるウェハ２０裏面には、一定の負圧が加わっている。

【0115】

図７（ｄ）～（ｇ）は、欠けショット領域ＳＨｃに対するインプリント処理の際に、インプリント装置１が行うアライメント動作の例を示している。

【0116】

図７（ｄ）の例では、欠けショット領域ＳＨｃは、ウェハ２０面上の紙面右下方位置のウェハエッジ２０ｅ近傍に配置されており、欠けショット領域ＳＨｃ右下方の欠けのある部分は、ウェハチャック８２ｂのゾーンＺ５と重なる位置に載置されている。

【0117】

図７（ｄ）に示すように、欠けショット領域ＳＨｃにおいてアライメント動作を行う際にも、制御部９０は、欠けショット領域ＳＨｃ内に存在する複数のアライメントマーク１０ａ，２０ａのうち、撮像素子８４ａ～８４ｄによって、特定のアライメントマーク１０ａ，２０ａをそれぞれ撮像させる。

【0118】

図７（ｄ）の例では、制御部９０は、欠けショット領域ＳＨｃの紙面左上隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ａにより撮像させ、紙面右上隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｂにより撮像させ、紙面左下隅のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｄにより撮像させている。

【0119】

しかし、上記のとおり、図７（ｄ）に示す欠けショット領域ＳＨｃは紙面右下方に欠けがあり、本来、この位置に存在するアライメントマーク１０ａ，２０ａの撮像が行えない。制御部９０は、欠けのないショット領域ＳＨにおいて紙面右下方の撮像を行うはずの撮像素子８４ｃによって、ゾーンＺ５と重なる位置に配置されたアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像させる。

【0120】

図７（ｅ）に示すように、制御部９０はまた、欠けショット領域ＳＨｃに対するインプリント処理においても、テンプレート１０をレジスト膜３０に接触させる際には、テンプレートステージ８１の加圧部８１３によりテンプレート１０の背面を加圧して、テンプレート１０のパターン１０ｐが形成された面をウェハ２０側に撓ませる。

【0121】

また、制御部９０は、ゾーン５における圧力が基準圧力に対して負圧となるようウェハチャック８２ｂを制御する。基準圧力は、インプリント装置１内のインプリント処理を行う環境下の圧力であって、例えば大気圧である。また、制御部９０は、ゾーン５より内側のゾーンであって、少なくともゾーン５に隣接するゾーン４を基準圧力に対して陽圧とする。また、制御部９０は、更に内側のゾーンを負圧とする。

【0122】

これにより、ウェハエッジ２０ｅ近傍の陽圧とされたゾーンと重なる部分のウェハ２０がテンプレート１０側へと撓むとともに、負圧のゾーン５に重なる部分からウェハエッジ２０ｅまでの部分が下方側へと反り返った状態となる。

【0123】

このように、テンプレート１０とウェハ２０との双方を撓ませることにより、テンプレート１０のパターン１０ｅと、ウェハ２０のパターン転写面とを略平行になるよう維持しつつ、テンプレート１０をレジスト膜３０に押し当てることができる。また、レジスト膜３０が、テンプレート１０のパターン１０ｐに充填されやすくなる。

【0124】

制御部９０は、例えばショット領域ＳＨのゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａ、及びその他のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ａ～８４ｄによって順次、観測しつつ、それぞれのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置ずれ量が最小となるよう調整していく。

【0125】

図７（ｆ）に示すように、制御部９０は、ゾーン５と重なる位置以外に配置されるアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ａ，８４ｂ，８４ｄにより観測しつつ、アライメント誤差の振幅が小さくなるよう、例えばテンプレートステージ８１の駆動部８１４によりテンプレート１０のウェハ２０に対するＸ方向およびＹ方向の位置を微調整する。

【0126】

アライメント誤差が予め定められた閾値以下となった後、または、予め定められた所定時間の経過後、制御部９０は、光源８９を制御して紫外光等を照射させ、レジスト膜３０の露光を行う。

【0127】

図７（ｇ）に示すように、制御部９０は、例えばテンプレート１０の位置調整による上記のアライメント動作と並行して、ゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像素子８４ｃにより観測しつつ、ウェハチャック８２ｂを制御して、ゾーン５における吸着力、つまり、負圧の調整を行う。

【0128】

ゾーン５の圧力は、当初より、例えば基準圧力である大気圧未満の圧力であって、予め定められた圧力である０ｋｐａ等に調整されている。制御部９０は、テンプレート１０の上記位置調整と並行して、ゾーン５の圧力を、例えば０ｋｐａから－１０ｋｐａ、－１５ｋｐａ等へと段階的に低下させていく。このとき、制御部９０は、ゾーン５の圧力を、例えばー２．５ｋｐａ刻みで落としていくことができる。

【0129】

このように、圧力を低下させていくことでゾーン５における吸引力が高まって、欠けショット領域ＳＨｃのゾーン５に重なる部分からウェハエッジ２０ｅまでの部分の下方側への反りが増大していく。また、これに伴って、ゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａの相対的な位置関係も変化していく。ウェハエッジ２０ｅの反り量と比較して、ウェハ２０上に重ね合わされるテンプレート１０の加圧による撓み量は略変化しないからである。

【0130】

制御部９０は、このようなアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置変化に基づいて、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差が最小となるよう、ゾーン５の圧力を調整する。このようなアライメント動作のときにも、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差は、上述の図７（ｆ）と同様、徐々に振幅が小さくなるよう変動すると考えられる。

【0131】

上述のように、欠けショット領域ＳＨｃにおいては、四隅のうち一隅、または複数の隅に欠けがあり、これらの位置にあるはずのアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像し、テンプレート１０のウェハ２０に対するＸ方向およびＹ方向の位置調整に使用されるはずであった１つ以上の撮像素子８４が未使用となる。このような１つ以上の撮像素子８４を、ゾーン５と重なる位置にあるアライメントマーク１０ａ，２０ａの観測に用い、アライメント誤差が最小となるよう圧力を変化させることで、ウェハ２０の反り量を適正化することが可能である。

【0132】

その後、上述したように、ゾーン５と重なる位置以外のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差が所定の閾値以下となった後、あるいは、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａに基づくアライメント動作を開始してから所定時間が経過した後に、レジスト膜３０の露光が行われる。

【0133】

ただし、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差に所定の閾値を設ける場合、ゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差についても所定の閾値を設けてもよい。

【0134】

この場合、ゾーン５以外のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差、及びゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差の少なくともいずれかが、対応する閾値以下となった場合に、アライメント動作を終了してレジスト膜３０の露光を行うこととすることができる。

【0135】

あるいは、これらのアライメント誤差の両方がともに、対応する閾値以下となった場合に、アライメント動作を終了してレジスト膜３０の露光を行うこととしてもよい。

【0136】

図７（ｇ）に示すアライメント動作により、テンプレート１０のパターン１０ｐへのレジスト膜３０の充填性、及び欠けショット領域ＳＨｃのゾーン５と重なる領域近傍へのパターン１０ｐの重ね合わせ精度を共に満足するよう、ウェハ２０の反り量が適正化される。

【0137】

なお、ゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａを、ゾーンＺ５の圧力調整によるウェハ２０の反り量調整の用途のほか、ゾーン５と重なる位置以外のアライメントマーク１０ａ，２０ａと同様の用途に兼用してもよい。すなわち、ゾーンＺ５の圧力調整によるウェハ２０の反り量を調整するとともに、ゾーン５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつ、テンプレート１０とウェハ２０とのＸ方向おびＹ方向の位置調整を行ってもよい。

【0138】

（比較例）
インプリント装置によるインプリント処理の際、ウェハステージからのウェハ剥がれを抑制しつつテンプレートを離型することができるよう、インプリント処理中には、ウェハチャックによりウェハを吸引しておく。ウェハには複数のショット領域が設けられ、インプリント処理は、個々のショット領域ごとに行われる。

【0139】

ここで、ウェハに加わる離型力は、ショット領域の位置等に依存する。このため、個々のショット領域ごとにウェハチャックの吸引力を制御できるよう、例えばゾーン分割型のウェハチャックを用いることができる。これにより、インプリント処理の進行に応じて、処理対象となっているショット領域に対し、リアルタイムでウェハチャックの吸引力を調整することができる。

【0140】

しかしながら、欠けショット領域はそれぞれ、様々な形状および異なる面積を有している。ウェハに加わる離型力は、ショット領域の面積によっても異なるため、ウェハエッジに位置する欠けショット領域に対して所定の吸引力を一律に適用すると、欠けショット領域ごとにウェハの反り量が変動してしまう。これにより、パターンの重ね合わせ精度もまた変動してしまう。図８に、ウェハの反り量とパターンの重ね合わせ精度の関係を示す。

【0141】

図８は、比較例にかかるテンプレート１０ｘ及びウェハ２０ｘのアライメントマーク１０ｘａ，２０ｘａの相対位置とウェハ２０ｘの反り量との関係を示す模式図である。

【0142】

図８に示すように、比較例のウェハ２０ｘは、比較例のウェハチャック８２ｘ上に載置されている。また、ウェハ２０ｘ上には比較例のテンプレート１０ｘが重ね合わされている。

【0143】

図８（ａ）に示すように、例えばウェハチャック８２ｘによる吸引を行っておらず、ウェハ２０ｘに反りがない状態で、ウェハ２０ｘと略平行になるようテンプレート１０ｘを重ね合わせたものとする。この状態では、ウェハ２０ｘのアライメントマーク２０ｘａと、テンプレート１０ｘのアライメントマーク１０ｘａとの位置が、上下方向で一致している。

【0144】

図８（ｂ）に示すように、例えばウェハチャック８２ｘによる吸引が行われ、ウェハ２０ｘに反りが生じた状態で、がウェハ２０ｘと略平行になるようテンプレート１０ｘを重ね合わせたものとする。この場合、互いに重なり合っていたアライメントマーク１０ｘａ，２０ｘａにずれが生じる。

【0145】

ウェハチャック８２ｘに吸着されることで、ウェハ２０ｘに反りが生じる一方で、ウェハ２０上に重ね合わされたテンプレート１０はウェハチャック８２ｘの影響を殆ど受けないためである。

【0146】

以上のことから、ウェハの反りが増すほどパターンの重ね合わせ精度は低下する。一方で、ウェハの反り量が小さすぎると、テンプレートのパターンへのレジスト膜の充填性が低下してしまう。したがって、ウェハエッジの欠けショット領域に対するインプリント処理において、ウェハの反り量には適正値が存在する。また、ウェハの反り量を適正に保つためのウェハチャックの吸引力は、上記のように、個々に面積の異なる欠けショット領域ごとに異なり得る。

【0147】

実施形態のパターン形成方法によれば、ゾーン５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつテンプレート１０とウェハ２０との面方向の相対位置を調整して、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行うとともに、ゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつウェハチャック８２ｂのゾーン５における吸引力を調整してウェハエッジ２０ｅの反り量を変化させ、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。

【0148】

これにより、ウェハエッジ２０ｅに配置される欠けショット領域ＳＨｃに対して、ウェハチャック８２ｂの負圧を一律にしてインプリント処理を行うのではなく、個々の欠けショット領域ＳＨｃごとにリアルタイムでウェハ２０の反り量を適正化することができる。よって、ウェハ２０に対するテンプレート１０のパターン１０ｐの重ね合わせ精度を向上させることができる。

【0149】

実施形態のパターン形成方法によれば、ゾーン５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせと、ゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせとを並行して行う。これにより、テンプレート１０とウェハ２０との面方向の位置合わせと、ウェハ２０の反り量の適正化とを効率的に行うことができる。

【0150】

実施形態のパターン形成方法によれば、ウェハチャック８２ｂのゾーン５における吸引力を段階的に高めていきながら、ゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。このように、応答性が高い吸引力を高める方向にウェハ２０の反り量を調整するので、ゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを素早く行うことができる。

【0151】

実施形態のパターン形成方法によれば、ゾーン５のアライメントマーク２０ａとの位置合わせに用いられるアライメントマーク１０ａの凹部内にレジスト膜３０が充填された後に、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを開始する。これにより、アライメントマーク１０ａ，２０ａの視認性を高めた状態で、これらの位置合わせを行うことができる。

【0152】

実施形態のインプリント装置１によれば、撮像素子８４ａ～８４ｄのうちの幾つかによりゾーン５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像した画像に基づいて、テンプレート１０とウェハ２０との面方向の相対位置を調整して、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行うとともに、撮像素子８４ａ～８４ｄのうち未使用の撮像素子８４によりゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを撮像した画像に基づいて、ウェハチャック８２ｂのゾーン５における吸引力を調整してウェハエッジ２０ｅの反り量を変化させ、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。

【0153】

これにより、欠けショット領域に対するインプリント処理の際、例えば比較例のインプリント処理では未使用となっていた撮像素子８４を用いてウェハエッジ２０ｅの反り量を適正化することができる。よって、インプリント装置１に更なる構成を追加することなく、個々の欠けショット領域ＳＨｃごとにリアルタイムでウェハ２０の反り量を適正化し、ウェハ２０に対するテンプレート１０のパターン１０ｐの重ね合わせ精度を向上させることができる。

【0154】

（変形例）
次に、図９を用いて、実施形態の変形例の構成について説明する。変形例のインプリント装置は、ゾーン５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつ、テンプレート１０の傾き調整等も行う点が、上述の実施形態とは異なる。

【0155】

以下においては、上述の実施形態のインプリント装置１の全体構成および各部の図面を引用し、同様の符号を用いて説明を行う。

【0156】

図９は、実施形態の変形例にかかるインプリント装置が行うアライメント動作の一例を示す図である。図９（ａ）は、テンプレート１０がレジスト膜３０に押し当てられた状態を、テンプレート１０の上方から見た上面図である。図９（ｂ）～（ｄ）は、テンプレート１０をレジスト膜３０に押し当てたときの状態を横方向から見た模式図である。図９（ｅ）は、アライメント時にインプリント装置１が行うアライメント動作を示すグラフである。図９（ｆ）は、アライメント時にインプリント装置１が行う他のアライメント動作を示すグラフである。

【0157】

図９（ａ）に示すように、紙面右下方が欠けた欠けショット領域ＳＨｃにおいて、上述の実施形態の図７（ｄ）の例と同様、例えば撮像素子８４ａ，８４ｂ，８４ｄを、ゾーンＺ５と重なる位置から外れた位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａの観測に用いる。また、未使用の撮像素子８４ｃをゾーンＺ５と重なる位置のアライメントマーク１０ａ，２０ａの観測に用いる。

【0158】

図９（ｂ）に示すように、ゾーンＺ５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつ、テンプレートステージ８１の駆動部８１４によって、テンプレート１０とウェハ２０とのＸ方向およびＹ方向の位置を調整する。また、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつ、ウェハチャック８２ｂによってウェハ２０裏面の吸引力を変化させ、ウェハ２０の反り量を調整する。

【0159】

図９（ｅ）に「圧力調整」と付した、アライメント動作の前半部分、及び「圧力調整」期間と重なる図９（ｆ）のゾーンＺ５の圧力変化の前半部分は、上記の図９（ｂ）の処理の実施期間に相当する。

【0160】

ここで、変形例のアライメント動作においては、例えばゾーンＺ５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント動作の期間よりも、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント動作の期間を短く設定し、ゾーンＺ５外におけるアライメント動作よりも、ゾーンＺ５におけるアライメント動作が先にタイムアウトするよう設定しておくことができる。

【0161】

そのうえで、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差が所定の閾値以下となることなくタイムアウトした場合、制御部９０は、引き続き、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを観測しつつ、テンプレートステージ８１を用いて、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量の少なくともいずれかを調整し、これらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。

【0162】

ウェハエッジ２０ｅに配置される欠けショット領域ＳＨｃに対するインプリント処理の際、上記に挙げた、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量はいずれも、テンプレート１０のパターン１０ｐに対するレジスト膜３０の充填性、及びウェハエッジ２０ｅの反り量に影響を与える。テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量によって、テンプレート１０が押し当てられたときに欠けショット領域ＳＨｃの各部に加わる力のバランスが変化するためである。

【0163】

より具体的には、例えばテンプレート１０がウェハ２０に対して傾いている場合、テンプレート１０のウェハ２０に近づく方向に傾いた側でウェハ２０に加わる力が強くなり、ウェハ２０の反り量が異なり得る。

【0164】

また、テンプレート１０の押印力は、上述したとおり、テンプレート１０の四隅をウェハ２０へと押し当てる力である。したがって、テンプレート１０の押印力を強めることで、例えば欠けショット領域ＳＨｃ内の中央部に比べて外周側に加わる力が強くなり、その部分がウェハエッジ２０ｅに近ければ、ウェハ２０の反り量が大きくなり得る。反対に、テンプレート１０の押印力を弱めることで、例えば欠けショット領域ＳＨｃ内の中央部に比べて外周側に加わる力が弱くなり、ウェハ２０の反り量が小さくなり得る。

【0165】

また、テンプレート１０の背面に加わる圧力が低ければ、テンプレート１０のウェハ２０側への撓み量が小さくなり、例えば欠けショット領域ＳＨｃ全面に亘って、より均等に力が加わって、ウェハ２０の反り量が小さくなり得る。反対に、テンプレート１０の背面に加わる圧力が高ければ、テンプレート１０のウェハ２０側への撓み量が大きくなり、その部分がウェハエッジ２０ｅに近ければ、ウェハ２０の反り量が大きくなり得る。

【0166】

したがって、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量を制御することによっても、ウェハエッジ２０ｅの反り量を調整して、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行うことができる。具体例を図９（ｃ）（ｄ）に示す。

【0167】

図９（ｃ）に示すように、ウェハチャック８２ｂの吸引力制御によるウェハ２０の反り量の調整がタイムアウトした後、制御部９０は、例えばゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを引き続き観測しつつ、テンプレートステージ８１の駆動部８１４を制御して、テンプレート１０のウェハ２０に対する傾きを調整する。

【0168】

図９（ｄ）に示すように、ウェハチャック８２ｂの吸引力制御によるウェハ２０の反り量の調整がタイムアウトした後、制御部９０はまた、例えばゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを引き続き観測しつつ、テンプレートステージ８１の駆動部８１４を制御してテンプレート１０の押印力を調整することもできる。

【0169】

また、制御部９０は、例えばゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを引き続き観測しつつ、テンプレートステージ８１の加圧部８１３を制御して、テンプレート１０背面の圧力を変更し、テンプレート１０のウェハ２０側への撓み量を調整することもできる。

【0170】

図９（ｅ）に示すように、ゾーンＺ５の圧力調整期間の後も、ゾーンＺ５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａを用いたテンプレート１０とウェハ２０との面方向の位置合わせと並行して、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを用いたテンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量の少なくともいずれかの調整を継続することで、アライメント誤差の振幅を更に抑え、良好な重ね合わせ精度でテンプレート１０のパターン１０ｐをレジスト膜３０に転写することができる。

【0171】

図９（ｆ）に示すように、ゾーンＺ５の圧力調整期間の後、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量等の調整中、ゾーン５における吸引力は、ゾーンＺ５の圧力調整期間がタイムアウトした時点において得られていた適正値に維持される。

【0172】

なお、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量のうち、ウェハ２０の反り量は、ゾーンＺ５における吸引力調整に次いで、テンプレート１０の傾きによってより顕著に影響を受ける。また、テンプレート１０の押印力および撓み量は、欠けショット領域ＳＨｃの中央部と外周部とに加わる力のバランスを変更するという点において、同様の（逆向きの）効果を有する。

【0173】

したがって、ゾーンＺ５の圧力調整期間がタイムアウトした後には、テンプレート１０の傾き、押印力、及びウェハ２０側への撓み量のうち、例えばテンプレート１０の傾き調整を優先して行うことができる。

【0174】

この場合、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差が所定の閾値以下となることなく再びタイムアウトした場合には、テンプレート１０の押印力の調整、及びウェハ２０側への撓み量の調整のいずれかを行うこととしてよい。その後、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント誤差が所定の閾値以下となり、あるいは、ゾーンＺ５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａのアライメント動作がタイムアウトした場合には、テンプレート１０の押印力または撓み量の調整を終了することとしてよい。

【0175】

また、ゾーンＺ５の圧力調整、テンプレート１０の傾き、押印力、及び撓み量の少なくともいずれかの調整を行っているときに、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａを、ゾーンＺ５外の他のアライメントマーク１０ａ，２０ａと同様、テンプレート１０とウェハ２０との面方向の位置合わせに用いてもよい。

【0176】

変形例のパターン形成方法によれば、テンプレート１０とウェハ２０との相対位置を調整し、ウェハチャック８２ｂのゾーン５における吸引力を調整するとともに、テンプレート１０の傾き、パターン１０ｐを押し当てる力、及びテンプレート１０の背圧調整によるパターン１０ｐの撓みの少なくともいずれかを調整して、ゾーン５のアライメントマークの位置合わせを行う。これにより、ウェハ２０に対するテンプレート１０のパターン１０ｐの重ね合わせ精度をよりいっそう向上させることができる。

【0177】

変形例のパターン形成方法によれば、ゾーン５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせと並行してこれらのアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行った後、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせ状態が所定条件を満たしていない場合には、ゾーンＺ５外のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせと並行して、テンプレート１０の傾き、パターン１０ｐを押し当てる力、及びパターン１０ｐの撓みの少なくともいずれかを調整して、ゾーンＺ５のアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行う。

【0178】

このように、ウェハ２０の反り量調整に対してより実効性のあるウェハチャック８２ｂの圧力調整を行った後、所定のアライメント条件を満たしていない場合には、さらに、テンプレート１０の傾き、パターン１０ｐを押し当てる力、及びパターン１０ｐの撓みの少なくともいずれかを調整することで、効率的に、かつ、より精密にアライメントマーク１０ａ，２０ａの位置合わせを行うことができる。

【0179】

変形例のパターン形成方法によれば、上述の実施形態のパターン形成方法と同様の効果を奏する。

【0180】

なお、上述の実施形態および変形例では、アライメントマーク１０ａ，２０ａとして、バーインバー型マークを用いる例について説明した。しかし、上述のように、テンプレート１０及びウェハ２０に設けられるアライメントマークは、バーインバー型マークとは異なるタイプのマークであってもよい。他のマークの一例として、モアレ型マークを図１０に示す。

【0181】

図１０は、実施形態のその他の変形例にかかるテンプレート及びウェハに設けられるモアレ型のアライメントマーク１１０ａ，１２０ａの構成の一例を示す上面図である。

【0182】

図１０（ａ）に示すように、その他の変形例のテンプレート側には、例えばＹ方向に沿う方向に延びる複数のラインアンドスペースが、互いに一定の間隔を空けてＸ方向に配置された１次元周期構造を有するアライメントマーク１１０ａが設けられている。

【0183】

また、その他の変形例のウェハ側には、例えばＸ方向およびＹ方向に等間隔で配列された市松格子（チェック模様）状の２次元周期構造を有するアライメントマーク１２０ａが設けられている。アライメントマーク１２０ａが有する構造のＸ方向の周期は、アライメントマーク１１０ａのＸ方向の周期と僅かに異なる。

【0184】

このような構成を有することにより、アライメントマーク１１０ａ，１２０ａが上下に重ね合わさると、モアレと呼ばれる干渉縞が発生する。また、アライメントマーク１１０ａ，１２０ａが重なり合った状態で、その他の変形例のテンプレートとウェハとの相対位置をＸ方向に移動させていくと、Ｘ方向に干渉縞が移動していく。

【0185】

このような干渉縞の移動を、例えば上述の撮像素子８４で撮像した画像において信号波形として検出することで、テンプレートとウェハとのＸ方向における位置ずれ量を算出することができる。

【0186】

一方、テンプレートとウェハとのＹ方向における位置ずれ量を検出するには、図１０のアライメントマーク１１０ａ，１２０ａを共に９０°回転させて、テンプレートとウェハとに配置させておけばよい。これにより、アライメントマーク１１０ａ，１２０ａは、互いにＹ方向に僅かに異なる周期を有することとなる。

【0187】

これらのアライメントマーク１１０ａ，１２０ａを上下に重ね合わせてテンプレートとウェハとの相対位置をＹ方向に移動させていくと、Ｙ方向に干渉縞が移動していく。

【0188】

このような干渉縞の移動を、例えば上述の撮像素子８４で撮像した画像において信号波形として検出することで、テンプレートとウェハとのＹ方向における位置ずれ量を算出することができる。

【0189】

以上のように、例えばモアレ型のアライメントマーク１１０ａ，１２０ａにおける干渉縞を電気信号として検出して解析することで、テンプレートとウェハとの位置ずれ量をより高精度に定量化することができ、より精密にテンプレートとウェハとの位置合わせを行うことができる。

【0190】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0191】

１…インプリント装置、１０…テンプレート、１０ａ，２０ａ，１１０ａ，１２０ａ…アライメントマーク、１０ｐ…パターン、２０…ウェハ、２１…被加工膜、３０…レジスト膜、８１…テンプレートステージ、８１２…テンプレートチャック、８１３…加圧部、８１４…駆動部、８２…ウェハステージ、８２ｂ…ウェハチャック、８３，８４ａ～８４ｄ…撮像素子、９０…制御部、ＳＨ…ショット領域、ＳＨｃ…欠けショット領域、Ｚ１～Ｚ５…ゾーン。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】