特開 2024-44041 データ生成装置、データ生成方法及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024044041

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】データ生成装置、データ生成方法及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/70 20120101AFI20240326BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20240326BHJP

【ＦＩ】

G03F1/70

H01L21/30 541Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022149354

(22)【出願日】2022-09-20

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小寺 克昌

(72)【発明者】

【氏名】三本木 省次

(72)【発明者】

【氏名】馬越 俊幸

(72)【発明者】

【氏名】小川 竜二

(72)【発明者】

【氏名】木村 泰己

【テーマコード（参考）】

2H195

5F056

【Ｆターム（参考）】

2H195BB02

2H195BC09

5F056AA04

5F056CC12

5F056CC13

(57)【要約】

【課題】ＶＳＢ方式によるマスクパタンの形成においてショット数の削減が可能な描画データを生成する。
【解決手段】実施形態のデータ生成装置は、処理部と評価部と変換部とを備える。処理部は、フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含むマスクパタンを設計する。評価部は、マスクパタンに含まれる各矩形領域の第１方向の長さを示すジョグ長をパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタンを評価する。変換部は、評価が所定条件を満たすマスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

フォトマスクにマスクパタンを形成するための描画データを生成するための処理を実行するデータ生成装置であって、
前記フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、前記ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含む前記マスクパタンを設計する処理部と、
前記マスクパタンに含まれる各前記矩形領域の第１方向の長さを示すジョグ長をパラメータとして含むコスト関数を用いて前記マスクパタンを評価する評価部と、
評価が所定条件を満たす前記マスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する変換部と、
を備える、データ生成装置。

【請求項2】

前記評価部は、前記ジョグ長が、前記描画処理における最大ショット領域の前記第１方向の長さを示す最大ショット長より大きい場合において、前記ジョグ長と前記最大ショット長との差分が小さいほど、前記評価が高くなるように構成される、
請求項１に記載のデータ生成装置。

【請求項3】

前記評価部は、前記ジョグ長が０に近いほど、前記評価が高くなるように構成される、
請求項２に記載のデータ生成装置。

【請求項4】

前記コスト関数は、第１矩形領域の前記第１方向に沿った辺の端部と、前記第１矩形領域に対して前記第１方向に沿って隣接する第２矩形領域の前記第１方向に沿った辺の前記第１矩形領域側の端部と、の前記第１方向上の位置ずれを示す端部ずれ量をパラメータとして含む、
請求項１に記載のデータ生成装置。

【請求項5】

前記評価部は、前記端部ずれ量が０に近いほど、前記評価が高くなるように構成される、
請求項４に記載のデータ生成装置。

【請求項6】

前記矩形領域の前記第１方向に交差する第２方向の長さを示すパタン幅が、前記描画処理における最大ショット領域の前記第２方向の長さを示す最大ショット幅より大きい場合、前記端部ずれ量は、前記評価に影響を与えない、
請求項５に記載のデータ生成装置。

【請求項7】

前記コスト関数は、前記ターゲットパタンの所定部分と前記マスクパタンの所定部分とのずれを示し、各前記矩形領域の辺上に設定された評価点に基づいて算出されるＥＰＥ値をパラメータとして含み、
前前記ＥＰＥ値は、前記光近接効果補正において記ジョグ長を変化させて複数の前記マスクパタンを設計する際に、前記評価点の位置を変更せずに算出される、
請求項１に記載のデータ生成装置。

【請求項8】

フォトマスクにマスクパタンを形成するための描画データを生成するデータ生成方法であって、
情報処理装置が、
前記フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、前記ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含む前記マスクパタンを設計し、
前記マスクパタンに含まれる各前記矩形領域の第１方向の長さを示すジョグ長をパラメータとして含むコスト関数を用いて前記マスクパタンを評価し、
評価が所定条件を満たす前記マスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する、
データ生成方法。

【請求項9】

可変成形ビーム方式によりフォトマスクにマスクパタンを形成するための描画データを生成するための処理を実行する情報処理装置に、
前記フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、前記ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含む前記マスクパタンを設計する処理と、
前記マスクパタンに含まれる各前記矩形領域の第１方向の長さを示すジョグ長をパラメータとして含むコスト関数を用いて前記マスクパタンを評価する処理と、
評価が所定条件を満たす前記マスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する処理と、
を実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、データ生成装置、データ生成方法及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

フォトマスクにマスクパタンを形成する装置として、可変成形ビーム（ＶＳＢ：Variable Shaped Beam）方式の電子ビーム描画装置が利用されている。このような電子ビーム描画装置においては、１回の電子ビームの照射（１ショット）で描画可能な領域である最大ショット領域が定められている。マスクパタンの完成に要するショット数は、マスクパタンの形状（大きさを含む）と最大ショット領域の形状との関係に応じて変動する。ショット数の増加は、描画時間の増加等を招き、フォトマスクの生産性を低下させる要因となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－７３９７８号公報

【特許文献2】特開２０１５－２１６３２１号公報

【特許文献3】特開２０１７－１９９８５６号公報

【特許文献4】特開２０１２－２４３９６８号公報

【特許文献5】特開２０１６－２０７７８０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の一つの実施形態は、ＶＳＢ方式によるマスクパタンの形成においてショット数の削減が可能な描画データを生成可能なデータ生成装置、データ生成方法及びプログラムを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の１つの実施形態によれば、フォトマスクにマスクパタンを形成するための描画データを生成するための処理を実行するデータ生成装置が提供される。データ生成装置は、処理部と評価部と変換部とを備える。処理部は、フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含むマスクパタンを設計する。評価部は、マスクパタンに含まれる各矩形領域の第１方向の長さを示すジョグ長をパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタンを評価する。変換部は、評価が所定条件を満たすマスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態のデータ生成装置のハードウェア構成の一例を示す図。

【図2】第１実施形態のデータ生成装置の機能構成の一例を示す図。

【図3】第１実施形態のターゲットパタン、マスクパタン及びＶＳＢ描画パタンの一例を示す図。

【図4】第１実施形態のマスクパタンの第１例を示す図。

【図5】第１実施形態のマスクパタンの第２例を示す図。

【図6】第１実施形態の理想的なマスクパタンの形状の一例を示す図。

【図7】第１実施形態のデータ生成装置における処理の一例を示すフローチャート。

【図8】第２実施形態のマスクパタン３１における端部ずれ量δの一例を示す図。

【図9】第３実施形態のマスクパタンにおけるパタン幅及び最大ショット領域における最大ショット幅の一例を示す図。

【図10】変形例においてターゲットパタンからＩＬＴを用いてＶＳＢ描画パタンを設計する際の処理の流れの一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、添付図面を参照して、実施形態のデータ生成装置、データ生成方法及びプログラムについて説明する。なお、下記の実施形態により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの又は実質的に同一のものが含まれる。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態のデータ生成装置１のハードウェア構成の一例を示す図である。データ生成装置１は、電子ビーム描画装置２で使用される描画データを生成するための処理を実行する情報処理装置である。電子ビーム描画装置２は、可変成形ビーム方式の描画処理によりフォトマスク（レチクル）にマスクパタンを形成する装置であり、データ生成装置１により生成された描画データに基づいてフォトマスクに所定のマスクパタンを形成する。

【0009】

本実施形態のデータ生成装置１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２、ＲＯＭ（Read Only Memory）１３、ストレージ１４、通信Ｉ／Ｆ（Interface）１５、ユーザＩ／Ｆ１６等を含むコンピュータを利用して構成される。

【0010】

ＣＰＵ１１は、ＲＯＭ１３やストレージ１４に記憶されたプログラムに従いＲＡＭ１２を作業領域として使用して所定の演算処理を実行する。ストレージ１４は、ＳＳＤ（Solid State Drive）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）等の不揮発性メモリであり、プログラム、ＣＰＵ１１の処理に必要なデータ、ＣＰＵ１１の処理により生成されたデータ等の書き込み及び読み出しを可能にする。通信Ｉ／Ｆ１５は、ＬＡＮ（Local Area Network）、ＷＡＮ（Wide Area Network）等の所定のネットワークを介して接続された外部デバイス（電子ビーム描画装置２等）とのデータの送受信を可能にするデバイスである。ユーザＩ／Ｆ１６は、ユーザからの入力の受け付け、ユーザへの情報の出力等を可能にするデバイスであり、例えばキーボード、ポインティングデバイス、タッチパネル機構、ディスプレイ、スピーカ、マイク等であり得る。ＣＰＵ１１、ＲＡＭ１２、ＲＯＭ１３、ストレージ１４、通信Ｉ／Ｆ１５及びユーザＩ／Ｆ１６は、データバスを介して接続されている。

【0011】

なお、データ生成装置１のハードウェア構成は、上記に限定されるものではなく、例えばＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等を利用して構成されてもよいし、複数のコンピュータが連携して動作する構成であってもよい。

【0012】

図２は、第１実施形態のデータ生成装置１の機能構成の一例を示す図である。本実施形態のデータ生成装置１は、取得部１０１、ＯＰＣ処理部１０２、評価部１０３及びＶＳＢ変換部１０４を有する。これらの機能部１０１～１０４は、例えば図１に例示されるようなデータ生成装置１のハードウェア要素及びソフトウェア要素（プログラム等）の協働により実現され得る。また、これらの機能部１０１～１０４の一部又は全部が専用のハードウェア（回路等）により構成されてもよい。

【0013】

取得部１０１は、描画データの生成に必要な各種データを取得する。ここでいう「取得」には、入力、生成等の意味が含まれるものとする。取得部１０１は、ターゲットパタンデータ及びショット領域データを取得する。

【0014】

ターゲットパタンデータとは、マスクパタンが形成されたフォトマスクを用いて実行されるフォトリソグラフィにより所定の基板に形成されるターゲットパタン（例えばレジストパタン等）を示すデータである。ターゲットパタンデータには、ターゲットパタンの形状、大きさ等を示す情報が含まれる。

【0015】

ショット領域データとは、電子ビーム描画装置２の最大ショット領域に関するデータである。最大ショット領域とは、電子ビーム描画装置２がＶＳＢ方式の描画処理を行う際に１回の電子ビームの照射（１ショット）で描画可能な最大の領域である。ショット領域データには、最大ショット長、最大ショット幅等を示す情報が含まれる。最大ショット長とは、ショット領域の所定の第１方向の長さであり、最大ショット幅とは、ショット領域の第１方向に交差する第２方向の長さである。第１方向、第２方向、最大ショット長、最大ショット幅等については後述する。

【0016】

ＯＰＣ処理部１０２は、取得部１０１により取得されたターゲットパタンデータが示すターゲットパタンに基づく光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）によりマスクパタンを設計する。本実施形態のＯＰＣは、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより基板にターゲットパタンを形成する際に生じる光近接効果を考慮してターゲットパタンからマスクパタンを設計する処理であり、例えばＥｄｇｅ Ｂａｓｅｄ ＯＰＣ等の手法を利用して実行される。Ｅｄｇｅ Ｂａｓｅｄ ＯＰＣとは、まずマスクパタンを構成する各ポリゴンを１つ以上のＥｄｇｅ（辺）に分割しておくことを特徴とするＯＰＣ手法である。シミュレーションによりマスクパタンから予測した基板上に形成されるレジストパタンと、基板上に形成されるべき所望のレジストパタン（ターゲットパタン）との位置ずれ（ＥＰＥ：Edge Placement Error）を評価して、ＥＰＥを小さくする方向に先述のＥｄｇｅを補正することによりマスクパタンを補正していく技術である。

【0017】

評価部１０３は、ＯＰＣ処理部１０２により設計されたマスクパタンの形状に関する特徴量をパラメータとするコスト関数を用いてマスクパタンを評価する。コスト関数は、複数のパラメータのそれぞれに対応する特徴量を代入することによりマスクパタンの評価を示すコスト値を算出可能な関数である。コスト値と評価との関係は、適宜設定されるべきものであるが、例えば、コスト値が高いほど評価が低い（コスト値が低いほど評価が高い）ものと設定し得る。コスト関数の構成については後述する。

【0018】

評価部１０３による各マスクパタンに対する評価結果（コスト関数により算出されたコスト値）は、ＯＰＣ処理部１０２に受け渡される。ＯＰＣ処理部１０２は、受け取った評価結果に基づいて、評価が所定条件を満たすマスクパタンの形状等を示すマスクパタンデータを生成する。評価が所定条件を満たすか否かは、例えばコスト値が閾値未満であるか否か等に基づいて判定し得る。

【0019】

ＶＳＢ変換部１０４は、ＯＰＣ処理部１０２により生成されたマスクパタンデータ、すなわち評価が所定条件を満たすマスクパタンを示すマスクパタンデータを、可変成形ビーム（ＶＳＢ）方式による描画処理に対応する描画データに変換する。マスクパタンデータを描画データに変換する手法は特に限定されるべきものではなく、公知のＭＤＰ（Mask Data Preparation）技術が適宜利用され得る。ＶＳＢ変換部１０４により生成された描画データは、電子ビーム描画装置２に出力され、フォトレジストへのマスクパタンの描画処理に利用される。

【0020】

図３は、第１実施形態のターゲットパタン２１、マスクパタン３１及びＶＳＢ描画パタン４１の一例を示す図である。ターゲットパタン２１は、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより処理される基板の表面（被処理面）に形成される所望のパタンであり、例えばレジストに形成されるレジストパタン等であり得る。

【0021】

マスクパタン３１は、ターゲットパタン２１に基づくＯＰＣにより設計され、フォトマスクに形成されるパタンである。本実施形態のマスクパタン３１は、複数の矩形領域Ａを含み、ここで例示するマスクパタン３１は、３つの矩形領域Ａの組み合わせにより構成されている。

【0022】

ＶＳＢ描画パタン４１は、マスクパタン３１に基づくＭＤＰにより設計され、電子ビーム描画装置２がＶＳＢ方式の描画処理によりフォトマスク上にマスクパタン３１を形成する際に利用されるパタンである。ＶＳＢ描画パタン４１は、複数の描画ブロックＢを含み、ここで例示するＶＳＢ描画パタン４１は、３つの描画ブロックＢの組み合わせにより構成されている。なお、描画ブロックＢの形状は、電子ビーム描画装置２の仕様に応じて決定されるものであり、矩形に限定されず、例えば三角形等を含んでもよい。

【0023】

図４は、第１実施形態のマスクパタン３１の第１例を示す図である。図５は、第１実施形態のマスクパタン３１の第２例を示す図である。図中、Ｘ方向は、紙面の左から右へ向かう方向であり、Ｙ方向は、紙面の下から上へ向かう方向であり、Ｚ方向は、紙面の裏側から表側へ向かう方向である。ＸＹ平面は、フォトマスクの上面又は下面に対応している。

【0024】

図４において、ジョグ長Ｌ、最大ショット領域Ｓ及び最大ショット長Ｌｓが例示されている。ジョグ長Ｌは、矩形領域ＡのＸ方向（第１方向の一例）の長さである。複数の矩形領域Ａのそれぞれは、固有のジョグ長Ｌを有する。最大ショット領域Ｓは、電子ビーム描画装置２がＶＳＢ方式による描画処理を実行する際に１回の電子ビームの照射（１ショット）で描画可能な最大の領域である。最大ショット長Ｌｓは、最大ショット領域ＳのＸ方向の長さである。

【0025】

本実施形態のコスト関数は、ジョグ長Ｌをパラメータとして含む。下記式（１）は、本実施形態のコスト関数を例示している。

【0026】

【数1】

【0027】

式（１）中、右辺の第１項（ΣＥＰＥ_ｉ ^２）は、ターゲットパタン２１の所定部分とマスクパタン３１の所定部分とのずれの大きさを示す特徴量であるＥＰＥ（Edge Placement Error）値をパラメータとし、ＥＰＥ値が大きいほど大きい値となる関数を含んでいる。すなわち、ＥＰＥ値が大きいほど、左辺のコスト値（Ｃｏｓｔ）が大きくなり、対象となっているマスクパタン３１の評価が低くなる。ＥＰＥ値の算出方法は特に限定されるべきものではないが、例えば矩形領域Ａの辺上の所定位置に設定された点である評価点と、ターゲットパタン２１の所定位置に設定された点と、の比較結果等に基づいて算出し得る。なお、第１項の関数の具体的構成は特に限定されるべきものではなく、公知の演算手法を適宜用いて構成し得る。

【0028】

式（１）中、右辺の第２項（∈_１Σｆ（Ｌ_ｊ））は、ジョグ長Ｌが最大ショット長Ｌｓより大きい場合において、ジョグ長Ｌと最大ショット長Ｌｓとの差分（ジョグ長Ｌから最大ショット長Ｌｓを減算した値）が小さいほど小さい値となる関数ｆ（Ｌ_ｊ）を含んでいる。∈_１は、係数であり、ＯＰＣの補正結果や収束に必要なステップ数から最適な数値が設定される。すなわち、図４に例示されるように、ジョグ長Ｌが最大ショット長Ｌｓより大きい場合には、ジョグ長Ｌと最大ショット領域Ｓとの差分が小さいほどコスト値が小さくなるため、ジョグ長Ｌは最大ショット領域Ｓ以下に収束しやすくなる。もしジョグ長Ｌが最大ショット領域Ｓより大きい場合には当該差分に対応する狭小領域Ｃを描画するためにＶＳＢ描画パタン４１において描画ブロックＢ（図３）を別途形成することが必要となり、ショット数が増加するためである。なお、第２項の関数の具体的構成は特に限定されるべきものではないが、例えば、シグモイド関数、ｔａｎｈ（hyperbolic tangent）関数等を利用して構成し得る。

【0029】

式（１）中、右辺の第３項（∈_２Σｇ（Ｌ_ｊ））は、ジョグ長Ｌが０に近いほど小さい値となる関数ｇ（Ｌ_ｊ）を含んでいる。∈_２は、係数であり、ＯＰＣの補正結果や収束に必要なステップ数から最適な数値が設定される。すなわち、図５に例示されるように、ジョグ長Ｌが最大ショット長Ｌｓ（図４）より小さい場合には、ジョグ長Ｌが小さいほどコスト値が小さくなり、ジョグ長Ｌは０に収束しやすくなる。０に近いジョグ長Ｌに対応する狭小領域Ｃを描画するためにＶＳＢ描画パタン４１において描画ブロックＢ（図３）を別途形成することが必要となり、ショット数が増加するため、ジョグ長Ｌを０に収束させる。なお、第３項の関数の具体的構成は特に限定されるべきものではないが、例えば、シグモイド関数、ｔａｎｈ関数等を利用して構成し得る。

【0030】

上記のようなコスト関数を用いてマスクパタン３１を評価し、評価が基準に達していない（コスト値が閾値以上である）場合には、ジョグ長Ｌ等を変更してマスクパタン３１が再設計される。これにより、マスクパタン３１の形状をショット数の削減が可能な形状に収束させることができる。

【0031】

図６は、第１実施形態の理想的なマスクパタン３１の形状の一例を示す図である。上記のようにジョグ長Ｌをパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタン３１を設計することにより、各矩形領域Ａのジョグ長Ｌを所定範囲内（例えば、所定の最小値以上最大ショット長Ｌｓ以下）に収束しやすくなる。これにより、図４及び図５に例示されるような狭小領域Ｃの発生を抑制でき、電子ビーム描画装置２による描画処理におけるショット数を削減できる。

【0032】

図７は、第１実施形態のデータ生成装置１における処理の一例を示すフローチャートである。取得部１０１がターゲットパタンデータ及びショット領域データを取得すると（Ｓ１０１）、ＯＰＣ処理部１０２はターゲットパタン２１に基づくＯＰＣによりマスクパタン３１を設計する（Ｓ１０２）。評価部１０３は設計されたマスクパタン３１の特徴量（本実施形態ではジョグ長Ｌ等）を取得し（Ｓ１０３）、特徴量をパラメータとして含むコスト関数を用いてコスト値を算出する（Ｓ１０４）。

【0033】

ＯＰＣ処理部１０２は評価部１０３からコスト値を取得し、現在のマスクパタン３１のコスト値が閾値未満か否かを判定する（Ｓ１０５）。コスト値が閾値未満でない場合（Ｓ１０５：Ｎｏ）、すなわち現在のマスクパタン３１の評価が所定の基準に達していない場合、ＯＰＣ処理部１０２は現在のマスクパタン３１に含まれる矩形領域Ａのジョグ長Ｌ等を変更してマスクパタン３１を再設計する（Ｓ１０６）。なお、ジョグ長Ｌ以外の特徴量が変更されてもよい。

【0034】

このとき、マスクパタン３１の再設計によりＥＰＥ値が変化することとなるが、ＥＰＥ値を算出するための評価点の位置は変更されないことが好ましい。すなわち、再設計後のマスクパタン３１のＥＰＥ値は、再設計前のマスクパタン３１のＥＰＥ値と同一の評価点を基準として算出されることが好ましい。これにより、ＥＰＥ値を算出する際の演算負荷が軽減され、処理速度の向上を図ることができる。

【0035】

その後、ステップＳ１０３以降の処理が再度実行される。すなわち、再設計されたマスクパタン３１の特徴量に基づいて当該マスクパタン３１のコスト値が算出され、当該コスト値が閾値未満か否かが判定される。

【0036】

コスト値が閾値未満である場合（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、すなわち現在のマスクパタン３１の評価が所定の基準に達している場合、ＯＰＣ処理部１０２は現在のマスクパタン３１の形状等を示すマスクパタンデータを生成する（Ｓ１０７）。その後、ＶＳＢ変換部１０４は生成されたマスクパタンデータが示すマスクパタン３１に基づいてＶＳＢ描画パタン４１を設計し、当該ＶＳＢ描画パタン４１を示す描画データを生成する（Ｓ１０８）。描画データは電子ビーム描画装置２に出力され、ＶＳＢ方式の描画処理によりフォトマスクにマスクパタン３１が形成される。

【0037】

以上のように、本実施形態によれば、ジョグ長Ｌをパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタン３１が設計される。これにより、ジョグ長Ｌと最大ショット長Ｌｓとの関係、ジョグ長Ｌ自体の値等に基づいて各矩形領域Ａのジョグ長Ｌを高精度に最適化できる。これにより、ＶＳＢ方式の描画処理におけるショット数を削減でき、フォトマスクの生産性を向上させることができる。

【0038】

以下に他の実施形態について図面を参照して説明するが、第１実施形態と同一又は同様の箇所については同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。

【0039】

（第２実施形態）
第２実施形態のデータ生成装置１は、コスト関数のパラメータとして、上記ジョグ長Ｌに加え、後述する端部ずれ量が含まれる点で第１実施形態と相違する。

【0040】

図８は、第２実施形態のマスクパタン３１における端部ずれ量δの一例を示す図である。図８において、Ｘ方向に沿って隣接する第１矩形領域Ａ１及び第２矩形領域Ａ２が例示されている。端部ずれ量δは、第１矩形領域Ａ１のＸ方向に沿った辺５１Ａの端部５２Ａと、第２矩形領域Ａ２のＸ方向に沿った辺５１Ｂの第１矩形領域Ａ１側の端部５２Ｂと、のＸ方向上の位置ずれを示す特徴量である。

【0041】

下記式（２）は、本実施形態のコスト関数を例示している。

【0042】

【数2】

【0043】

本実施形態のコスト関数は、上述した第１項（ΣＥＰＥ_ｉ ^２）、第２項（∈_１Σｆ（Ｌ_ｊ））及び第３項（∈_２Σｇ（Ｌ_ｊ））に加え、第４項（∈_３Σｈ（δ_ｋ））を含んでいる。第４項は、端部ずれ量δが０に近いほど小さい値となる関数ｈ（δ_ｋ）を含んでいる。∈_３は、係数であり、ＯＰＣの補正結果や収束に必要なステップ数から最適な数値が設定される。すなわち、図８に例示されるように、第１矩形領域Ａ１と第２矩形領域Ａ２との間に存在する端部ずれ量δが小さいほどコスト値が小さくなる（マスクパタン３１の評価が高くなる）ことから、端部ずれ量δは０に収束しやすくできる。マスクパタン３１内に僅かな端部ずれ量δに対応する狭小領域Ｃが存在することにより、ショット数が増加する可能性があるため、端部ずれ量δを０に収束させることでショット数を削減できる。

【0044】

以上のように、本実施形態によれば、ジョグ長Ｌに加え、端部ずれ量δをパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタン３１が設計される。これにより、僅かな端部ずれ量δが生じないように各矩形領域Ａの形状を最適化できる。これにより、ＶＳＢ方式の描画処理におけるショット数を削減でき、フォトマスクの生産性を向上させることができる。

【0045】

（第３実施形態）
第３実施形態のデータ生成装置１は、コスト関数のパラメータとして、後述するパタン幅が更に含まれる点で第２実施形態と相違する。

【0046】

図９は、第３実施形態のマスクパタン３１におけるパタン幅Ｗ及び最大ショット領域Ｓにおける最大ショット幅Ｗｓの一例を示す図である。図９に示されるように、パタン幅Ｗは、各矩形領域Ａ（Ａ１，Ａ２）のＹ方向（第２方向の一例）の長さを示す特徴量である。最大ショット幅Ｗｓは、最大ショット領域ＳのＹ方向の長さを示す特徴量である。

【0047】

図９には、Ｘ方向に沿って並ぶ第１矩形領域Ａ１及び第２矩形領域Ａ２のそれぞれのパタン幅Ｗが最大ショット幅Ｗｓより大きい場合が例示されている。本実施形態のコスト関数は、このようにパタン幅Ｗが最大ショット幅Ｗｓより大きい場合には、コスト値が端部ずれ量δの影響を受けない、すなわち端部ずれ量δが小さくなってもコスト値が小さくならないように構成されている。

【0048】

下記式（３）は、本実施形態のコスト関数を例示している。

【0049】

【数3】

【0050】

本実施形態のコスト関数は、上述した第１項（ΣＥＰＥ_ｉ ^２）、第２項（∈_１Σｆ（Ｌ_ｊ））及び第３項（∈_２Σｇ（Ｌ_ｊ））に加え、第４項（∈_３Σｈ（δ_ｋ，Ｗ_ｋ））を含んでいる。∈_３は、係数であり、ＯＰＣの補正結果や収束に必要なステップ数から最適な数値が設定される。本実施形態の第４項は、パタン幅Ｗが最大ショット幅Ｗｓ以下である場合に限り、端部ずれ量δが０に近いほど小さい値になる関数ｈ（δ_ｋ，Ｗ_ｋ）を含んでいる。すなわち、図９に例示されるように、第１矩形領域Ａ１及び第２矩形領域Ａ２のそれぞれのパタン幅Ｗが最大ショット幅Ｗｓより大きい場合には、第１矩形領域Ａ１と第２矩形領域Ａ２との端部ずれ量δがコスト値に影響を及ぼすことはない。このような場合、第１矩形領域Ａ１及び第２矩形領域Ａ２は、ＶＳＢ描画パタン４１を設計する際にＹ方向に沿って分割されるため、端部ずれ量δに対応する狭小領域Ｃがショット数の増加の要因にならないためである。

【0051】

以上のように、本実施形態によれば、パタン幅Ｗをパラメータとして含み、パタン幅Ｗと最大ショット幅Ｗｓとの関係に応じて端部ずれ量δのコスト値への影響を変化させるコスト関数を用いてマスクパタン３１が設計される。これにより、端部ずれ量δを考慮する必要がない場合にまで端部ずれ量δが考慮されてコスト値の増加することを回避できる。これにより、不要なマスクパタン３１の再設計が回避され、マスクパタン３１の設計にかかる演算負荷や処理時間を軽減できる。

【0052】

（第４実施形態）
上述した第１～第３実施形態においては、ジョグ長Ｌをパラメータとして含むコスト関数を用いる構成を示したが、例えば下記式（４）のように、ジョグ長Ｌを含まず、端部ずれ量δをパラメータとして含むコスト関数が用いられてもよい。なお、∈は、係数であり、ＯＰＣの補正結果や収束に必要なステップ数から最適な数値が設定される。

【0053】

【数4】

【0054】

このようなコスト関数を用いる場合であっても、端部ずれ量δに基づいてマスクパタン３１を最適化でき、ショット数を削減できる。

【0055】

（変形例）
上述した実施形態においては、ターゲットパタン２１に基づくＯＰＣによりマスクパタン３１を設計し、当該マスクパタン３１に基づくＭＤＰによりＶＳＢ描画パタン４１を設計する場合について説明した（図３参照）。しかし、本実施形態のデータ生成装置１は、ターゲットパタン２１に基づくＩＬＴ（Inverse Lithography Technology）によりＩＬＴパタンを設計し、ＩＬＴパタンに基づくＭａｎｈａｔｔａｎｉｚｅ処理により上記マスクパタンを設計する場合にも使用可能なものである。ここでＭａｎｈａｔｔａｎｉｚｅ処理とは、マスクパタンを製造ルールに違反しないマンハッタン型（直線的な多角形など）に変換する処理である。

【0056】

図１０は、変形例においてターゲットパタン６１からＩＬＴを用いてＶＳＢ描画パタン９１を設計する際の処理の流れの一例を示す図である。図１０に示されるように、３Ｄ形状を示すターゲットパタン６１に基づいてレベルセット関数を用いてＩＬＴ処理を行うことにより、ターゲットパタン６１の一平面の形状を示すＩＬＴパタン７１が設計される。その後、ＩＬＴパタン７１に基づいてＭａｎｈａｔｔａｎｉｚｅ処理を行うことにより、上記マスクパタン３１と同様の構成を有するマスクパタン８１が設計される。そして、当該マスクパタン８１に基づくＭＤＰにより、上記ＶＳＢ描画パタン４１と同様の構成を有するＶＳＢ描画パタン９１が設計される。

【0057】

Ｍａｎｈａｔｔａｎｉｚｅ処理において、上述したようなコスト関数を利用することにより、上記実施形態と同様にマスクパタン８１を最適化でき、ショット数の削減が可能な描画データを生成できる。

【0058】

上述したようなデータ生成装置１の機能を実現するために、データ生成装置１を構成するコンピュータ（情報処理装置）に所定の処理を実行させるプログラムは、コンピュータにインストール可能な形式又は実行可能な形式のファイルでＣＤ－ＲＯＭ、フレキシブルディスク（ＦＤ）、ＣＤ－Ｒ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供されてもよい。また、当該プログラムを、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。また、当該プログラムを、インターネット等のネットワーク経由で提供又は配布するように構成してもよい。

【0059】

以上、本発明の実施形態を説明したが、実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【0060】

（付記）
以下では、上述した実施形態の内容を付記する。
（付記１）
フォトマスクにマスクパタンを形成するための描画データを生成するための処理を実行するデータ生成装置であって、
フォトマスクを用いて基板に形成されるターゲットパタンに基づく光近接効果補正により、ターゲットパタンに対応し複数の矩形領域を含むマスクパタンを設計し、
第１矩形領域の第１方向に沿った辺の端部と、第１矩形領域に対して第１方向に沿って隣接する第２矩形領域の第１方向に沿った辺の第１矩形領域側の端部と、の第１方向上の位置ずれを示す端部ずれ量をパラメータとして含むコスト関数を用いてマスクパタンを評価し、
評価が所定条件を満たすマスクパタンを示すマスクパタンデータを可変成形ビーム方式による描画処理に対応する描画データに変換する、
データ生成装置。

【符号の説明】

【0061】

１…データ生成装置、２…電子ビーム描画装置、１１…ＣＰＵ、１２…ＲＡＭ、１３…ＲＯＭ、１４…ストレージ、１５…通信Ｉ／Ｆ、１６…ユーザＩ／Ｆ、２１，６１…ターゲットパタン、３１，８１…マスクパタン、４１，９１…ＶＳＢ描画パタン、５１Ａ，５１Ｂ…辺、５２Ａ，５２Ｂ…端部、Ａ，Ａ１，Ａ２…矩形領域、Ｂ…描画ブロック、Ｃ…狭小領域、Ｌ…ジョグ長、Ｌｓ…最大ショット長、Ｓ…最大ショット領域、Ｗ…パタン幅、Ｗｓ…最大ショット幅、δ…端部ずれ量

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】