ホーム > 特許ランキング > 芯動能設備股▲分▼有限公司
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024044648
(43)【公開日】2024-04-02
(54)【発明の名称】電子級ガスの精製方法
(51)【国際特許分類】
B01D 53/04 20060101AFI20240326BHJP
【ＦＩ】
B01D53/04 230
【審査請求】有
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022150306
(22)【出願日】2022-09-21
(71)【出願人】
【識別番号】522374021
【氏名又は名称】芯動能設備股▲分▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】100082418
【弁理士】
【氏名又は名称】山口 朔生
(74)【代理人】
【識別番号】100167601
【弁理士】
【氏名又は名称】大島 信之
(74)【代理人】
【識別番号】100201329
【弁理士】
【氏名又は名称】山口 真二郎
(74)【代理人】
【識別番号】100220917
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 忠大
(72)【発明者】
【氏名】黄柏▲イ▼
【テーマコード（参考）】
4D012
【Ｆターム（参考）】
4D012CA20
4D012CB16
4D012CD01
4D012CE03
4D012CF10
4D012CJ07
(57)【要約】
【課題】精製装置により電子級ガスに対して精製処理を行うとともに、精製装置に対して再生処理を行う電子級ガスの精製方法及びその精製装置を提供する。
【解決手段】未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップ２０１と、排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップ２０２と、降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部から排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップ２０３と、再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップ２０４とを含む。
【選択図】図２
【解決手段】未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップ２０１と、排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップ２０２と、降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部から排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップ２０３と、再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップ２０４とを含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子級ガスの精製方法であって、
少なくとも２つの精製装置は、気体入力ユニットにそれぞれ接続され、前記精製装置の内部には、複数の中空繊維管体が設けられ、前記気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップと、
排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップと、
降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部から排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップと、
再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力し、前記精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻すステップと、を含むことを特徴とする、電子級ガスの精製方法。
少なくとも２つの精製装置は、気体入力ユニットにそれぞれ接続され、前記精製装置の内部には、複数の中空繊維管体が設けられ、前記気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップと、
排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップと、
降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部から排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップと、
再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力し、前記精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻すステップと、を含むことを特徴とする、電子級ガスの精製方法。
【請求項2】
前記精製装置は、複数の前記中空繊維管体により不純物を除去し、
前記不純物とは、水（Ｈ２Ｏ）、空気（Ａｉｒ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素酸化物（ＮＯＸ）、全有機炭素（ＴＯＣ）、酸（Ａｃｉｄ）、アルカリ（Ｂａｓｅｓ）、耐火化合物（Ｒｅｆａｃｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、プロピレングリコールメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ：ＰＧＭＥ）、モノエタノールアミン（Ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ：ＭＥＡ）、又はこれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
前記不純物とは、水（Ｈ２Ｏ）、空気（Ａｉｒ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素酸化物（ＮＯＸ）、全有機炭素（ＴＯＣ）、酸（Ａｃｉｄ）、アルカリ（Ｂａｓｅｓ）、耐火化合物（Ｒｅｆａｃｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、プロピレングリコールメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ：ＰＧＭＥ）、モノエタノールアミン（Ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ：ＭＥＡ）、又はこれらの組み合わせからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項3】
前記精製装置が除去する不純物に酸素（Ｏ２）が含まれている場合、再生処理を行い、気体精製が未稼働の前記精製装置内に水素（Ｈ２）を注入し、複数の前記中空繊維管体内に残留した酸素（Ｏ２）の不純物を除去することを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項4】
未だ精製されていない電子級ガス又は除去する不純物が水素（Ｈ２）である場合、水素が漏れ出たときに、気体精製が未稼働の前記精製装置内にアルゴン（Ａｒ）を注入し、複数の前記中空繊維管体の内部に残存する水素（Ｈ２）を掃気することを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項5】
前記精製装置、前記気体入力ユニット、前記調圧弁及びフィルタは、異なる管路を介して連通し、
前記精製装置が行う気体精製に連通した管路管径は、前記精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、
再生処理を行う気体流量は、気体を精製するのに使用する気体流量の１～５％であることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
前記精製装置が行う気体精製に連通した管路管径は、前記精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、
再生処理を行う気体流量は、気体を精製するのに使用する気体流量の１～５％であることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項6】
ガスボンベ、精製アセンブリ、前端蓋体及び後端蓋体を備えた、精製装置であって、
前記ガスボンベは、前端開口及び後端開口を有し、
前記精製アセンブリは、前記ガスボンベ内部に配設されるとともに、精製材料本体を含み、前記精製材料本体は、束状の複数の中空繊維管体を含み、
前記前端蓋体は、前記ガスボンベの前記前端開口上に蓋設され、前記前端蓋体の表面には、前端気体接続端が設けられ、前記前端蓋体の内側には、前端金属焼結フィルタが設けられ、前記前端金属焼結フィルタ上には、複数の前端気流貫通孔が形成され、前記前端気体接続端は、前記前端金属焼結フィルタとの間に前端気体流動空間が形成され、前記前端金属焼結フィルタと前記精製材料本体の一端との間に前端間隔空間が形成され、
前記後端蓋体は、前記ガスボンベの前記後端開口上に蓋設され、前記後端蓋体の表面には、後端気体接続端が設けられ、前記後端蓋体の内側には、後端金属焼結フィルタが設けられ、前記後端金属焼結フィルタ上には、複数の後端気流貫通孔が形成され、
前記後端気体接続端は、前記後端金属焼結フィルタとの間に後端気体流動空間が形成され、前記後端金属焼結フィルタは、前記精製材料本体の他端との間に後端間隔空間が形成され、前記後端気流貫通孔の孔径が前記前端気流貫通孔の孔径より小さいことを特徴とする、精製装置。
前記ガスボンベは、前端開口及び後端開口を有し、
前記精製アセンブリは、前記ガスボンベ内部に配設されるとともに、精製材料本体を含み、前記精製材料本体は、束状の複数の中空繊維管体を含み、
前記前端蓋体は、前記ガスボンベの前記前端開口上に蓋設され、前記前端蓋体の表面には、前端気体接続端が設けられ、前記前端蓋体の内側には、前端金属焼結フィルタが設けられ、前記前端金属焼結フィルタ上には、複数の前端気流貫通孔が形成され、前記前端気体接続端は、前記前端金属焼結フィルタとの間に前端気体流動空間が形成され、前記前端金属焼結フィルタと前記精製材料本体の一端との間に前端間隔空間が形成され、
前記後端蓋体は、前記ガスボンベの前記後端開口上に蓋設され、前記後端蓋体の表面には、後端気体接続端が設けられ、前記後端蓋体の内側には、後端金属焼結フィルタが設けられ、前記後端金属焼結フィルタ上には、複数の後端気流貫通孔が形成され、
前記後端気体接続端は、前記後端金属焼結フィルタとの間に後端気体流動空間が形成され、前記後端金属焼結フィルタは、前記精製材料本体の他端との間に後端間隔空間が形成され、前記後端気流貫通孔の孔径が前記前端気流貫通孔の孔径より小さいことを特徴とする、精製装置。
【請求項7】
前記前端気流貫通孔の孔径は１００～２００ｍｍであり、
前記後端気流貫通孔の孔径は２０～１００ｍｍであることを特徴とする請求項６に記載の精製装置。
前記後端気流貫通孔の孔径は２０～１００ｍｍであることを特徴とする請求項６に記載の精製装置。
【請求項8】
前記精製アセンブリは、前端金属スリーブリング、後端金属スリーブリング及び少なくとも１つの金属クランプを含み、
前記精製材料本体は、一端に前記前端金属スリーブリングが嵌設され、他端に前記後端金属スリーブリングが嵌設されるとともに、
前記前端金属スリーブリング及び前記後端金属スリーブリングは、溶接方式により前記ガスボンベの内壁に溶接固定されることを特徴とする請求項６に記載の精製装置。
前記精製材料本体は、一端に前記前端金属スリーブリングが嵌設され、他端に前記後端金属スリーブリングが嵌設されるとともに、
前記前端金属スリーブリング及び前記後端金属スリーブリングは、溶接方式により前記ガスボンベの内壁に溶接固定されることを特徴とする請求項６に記載の精製装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子級ガスの精製方法及びその精製装置に関し、特に、精製装置により電子級ガスに対して精製処理を行うとともに、精製装置に対して再生処理を行う電子級ガスの精製方法及びその精製装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電子級ガス（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｇａｓｅｓ）は、超大規模集積回路、平面表示裝置、化合物半導体デバイス、ソーラバッテリー、光ファイバなどの電子工業製品の生産にとって必要不可欠な原料であり、それらは薄膜、エッチング、ドーピング、気相成長、拡散などの工業技術に広く応用される。例えば、従来の工業技術では、先進的な超大規模集積回路工場のウエハ製造工程の工程は全部で４５０ステップ以上あり、約５０種類の電子級ガスを使用していた。
【0003】
電子級ガスの純度は、往々にしてチップ製造の収率及び信頼性に直接影響を与えるため、電子級ガスの精製は非常に重要であり、電子級ガスの精製には、例えば以下（１）～（４）の方式があった。
（１）アルゴン／ヘリウムの精製方式：図１Ａに示すように、一般に単管精製ボトルを介して精製処理し、精製ボトル１Ｂ中にはゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）があり、アルゴン／ヘリウムの精製に使用する単管精製ボトル１Ａ内のゲッターは再生して繰り返し使用することができないため、消耗材に属し、大部分が単管を使用し、多管を切換えて使用することができなかった。
（２）水素の精製方式：図１Ｂに示すように、精製ボトル１Ｂ中が吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）を有するが、吸着材がＨ２Ｏ、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２のみを吸着するが、ＣＨ４及びＮ２を吸着することができないため、精製ボトル１Ｃ中のゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）によりキャプチャするが、精製ボトル１Ｂ中の吸着材を再生して繰り返し使用することができたが、精製ボトル１Ｃ中のゲッターが再生して繰り返し使用することができない消耗材に属するため、繰り返して使用することはできなかった。
（３）窒素の精製方式：図１Ｃに示すように、触媒（Ｃａｔａｌｙｓｔ）を有する精製ボトル１Ｄと、吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）を有する精製ボトル１Ｅとを介して精製する。吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）がＣＨ４及びＮ２を吸着することができないため、触媒を２５０℃まで加熱させるとともに、微量の酸素を別途注入し、窒素中のＣＨ４及びＯ２を反応させてＣＯ２及びＨ２Ｏを生成した後に、精製ボトル１Ｅによりその他不純物を吸着・精製するが、触媒の使用を増やすことは極めて面倒であるため、改善が求められていた。
（４）酸素の精製方式：図１Ｃと類似しているが、酸素を精製するため、微量の酸素を別途注入しなくてもよく、同様に触媒を２５０℃まで加熱するとともに、微量の酸素を別途注入し、窒素中のＣＨ４及びＯ２を反応させてＣＯ２及びＨ２Ｏを生成した後に、精製ボトル１Ｅによりその他不純物を吸着・精製するが、触媒の使用を増やすことが極めて面倒であるため、改善が求められていた。吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）によりＮ２を吸着することができないため、Ｎ２を除去する場合、別の装置を別途増設しなければならず、必然的にコストが増えた。
（１）アルゴン／ヘリウムの精製方式：図１Ａに示すように、一般に単管精製ボトルを介して精製処理し、精製ボトル１Ｂ中にはゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）があり、アルゴン／ヘリウムの精製に使用する単管精製ボトル１Ａ内のゲッターは再生して繰り返し使用することができないため、消耗材に属し、大部分が単管を使用し、多管を切換えて使用することができなかった。
（２）水素の精製方式：図１Ｂに示すように、精製ボトル１Ｂ中が吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）を有するが、吸着材がＨ２Ｏ、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２のみを吸着するが、ＣＨ４及びＮ２を吸着することができないため、精製ボトル１Ｃ中のゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）によりキャプチャするが、精製ボトル１Ｂ中の吸着材を再生して繰り返し使用することができたが、精製ボトル１Ｃ中のゲッターが再生して繰り返し使用することができない消耗材に属するため、繰り返して使用することはできなかった。
（３）窒素の精製方式：図１Ｃに示すように、触媒（Ｃａｔａｌｙｓｔ）を有する精製ボトル１Ｄと、吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）を有する精製ボトル１Ｅとを介して精製する。吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）がＣＨ４及びＮ２を吸着することができないため、触媒を２５０℃まで加熱させるとともに、微量の酸素を別途注入し、窒素中のＣＨ４及びＯ２を反応させてＣＯ２及びＨ２Ｏを生成した後に、精製ボトル１Ｅによりその他不純物を吸着・精製するが、触媒の使用を増やすことは極めて面倒であるため、改善が求められていた。
（４）酸素の精製方式：図１Ｃと類似しているが、酸素を精製するため、微量の酸素を別途注入しなくてもよく、同様に触媒を２５０℃まで加熱するとともに、微量の酸素を別途注入し、窒素中のＣＨ４及びＯ２を反応させてＣＯ２及びＨ２Ｏを生成した後に、精製ボトル１Ｅによりその他不純物を吸着・精製するが、触媒の使用を増やすことが極めて面倒であるため、改善が求められていた。吸着材（Ａｄｓｏｒｂｅｒ）によりＮ２を吸着することができないため、Ｎ２を除去する場合、別の装置を別途増設しなければならず、必然的にコストが増えた。
【0004】
そのため、本発明では中空繊維管体に電子級ガス精製方式を組み合わせることにより、異なる気体不純物を吸着させ、中空繊維管体の内部に、異なる気体不純物を除去する材料を添加し、異なる気体不純物を精製するのに用いるため、異なる装置を別途増設して異なる不純物を除去する必要がない。また、本発明の電子級ガス精製方法に再生処理のステップを組み合わせることにより、精製した後の電子級ガスを精製後に再生処理するため、繰り返して使用することができる。そのため、本発明は、前述した従来技術の消耗材と比べ、消耗材の交換に必要なコストを減らすことができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の課題は、精製装置により電子級ガスに対して精製処理を行うとともに、精製装置に対して再生処理を行う電子級ガスの精製方法及びその精製装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、電子級ガスの精製方法であって、少なくとも２つの精製装置は、気体入力ユニットにそれぞれ接続され、前記精製装置の内部には、複数の中空繊維管体が設けられ、前記気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップと、排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップと、降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部から排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップと、再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力し、前記精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻すステップと、を含むことを特徴とする、電子級ガスの精製方法が提供される。
【0007】
前記精製装置は、複数の前記中空繊維管体により不純物を除去し、前記不純物とは、水（Ｈ２Ｏ）、空気（Ａｉｒ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素酸化物（ＮＯＸ）、全有機炭素（ＴＯＣ）、酸（Ａｃｉｄ）、アルカリ（Ｂａｓｅｓ）、耐火化合物（Ｒｅｆａｃｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、プロピレングリコールメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ：ＰＧＭＥ）、モノエタノールアミン（Ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ：ＭＥＡ）、又はこれらの組み合わせからなる群から選択されることが好ましい。
【0008】
前記精製装置が除去する不純物に酸素（Ｏ２）が含まれている場合、再生処理を行い、気体精製が未稼働の前記精製装置内に水素（Ｈ２）を注入し、複数の前記中空繊維管体内に残留した酸素（Ｏ２）の不純物を除去することが好ましい。
【0009】
未だ精製されていない電子級ガス又は除去する不純物が水素（Ｈ２）である場合、水素が漏れ出たときに、気体精製が未稼働の前記精製装置内にアルゴン（Ａｒ）を注入し、複数の前記中空繊維管体の内部に残存する水素（Ｈ２）を掃気することが好ましい。
【0010】
前記精製装置、前記気体入力ユニット、前記調圧弁及びフィルタは、異なる管路を介して連通し、前記精製装置が行う気体精製に連通した管路管径は、前記精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、再生処理を行う気体流量は、気体を精製するのに使用する気体流量の１～５％であることが好ましい。
【0011】
上記課題を解決するために、本発明の第２の形態によれば、ガスボンベ、精製アセンブリ、前端蓋体及び後端蓋体を備えた、精製装置であって、前記ガスボンベは、前端開口及び後端開口を有し、前記精製アセンブリは、前記ガスボンベ内部に配設されるとともに、精製材料本体を含み、前記精製材料本体は、束状の複数の中空繊維管体を含み、前記前端蓋体は、前記ガスボンベの前記前端開口上に蓋設され、前記前端蓋体の表面には、前端気体接続端が設けられ、前記前端蓋体の内側には、前端金属焼結フィルタが設けられ、前記前端金属焼結フィルタ上には、複数の前端気流貫通孔が形成され、前記前端気体接続端は、前記前端金属焼結フィルタとの間に前端気体流動空間が形成され、前記前端金属焼結フィルタと前記精製材料本体の一端との間に前端間隔空間が形成され、前記後端蓋体は、前記ガスボンベの前記後端開口上に蓋設され、前記後端蓋体の表面には、後端気体接続端が設けられ、前記後端蓋体の内側には、後端金属焼結フィルタが設けられ、前記後端金属焼結フィルタ上には、複数の後端気流貫通孔が形成され、前記後端気体接続端は、前記後端金属焼結フィルタとの間に後端気体流動空間が形成され、前記後端金属焼結フィルタは、前記精製材料本体の他端との間に後端間隔空間が形成され、前記後端気流貫通孔の孔径が前記前端気流貫通孔の孔径より小さいことを特徴とする、精製装置が提供される。
【0012】
前記前端気流貫通孔の孔径は１００～２００ｍｍであり、前記後端気流貫通孔の孔径は２０～１００ｍｍであることが好ましい。
【0013】
前記精製アセンブリは、前端金属スリーブリング、後端金属スリーブリング及び少なくとも１つの金属クランプを含み、前記精製材料本体は、一端に前記前端金属スリーブリングが嵌設され、他端に前記後端金属スリーブリングが嵌設されるとともに、前記前端金属スリーブリング及び前記後端金属スリーブリングは、溶接方式により前記ガスボンベの内壁に溶接固定されることが好ましい。
【発明の効果】
【0014】
本発明の電子級ガスの精製方法及びその精製装置は、精製装置により電子級ガスに対して精製処理を行うとともに、精製装置に対して再生処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】従来のアルゴン／ヘリウム精製を示す模式図である。
【図1B】従来の水素精製を示す模式図である。
【図1C】従来の窒素／酸素精製を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法を示す流れ図である。
【図3A】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置の精製アセンブリ構造を示す斜視図である。
【図3B】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製装置を示す断面図である。
【図3C】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置の気体流動浄化を示す断面図である。
【図4A-1】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【図4A-2】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【図4A-3】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【図4B-1】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【図4B-2】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【図4B-3】本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
本発明の他の技術内容、特徴及び効果については、以下、図面を参照しながら好適な実施形態の詳細な説明で明らかにする。
【0017】
図２を参照する。
図２は、本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置の方法を示す流れ図である。図２に示すように、本発明の一実施形態に係る電子級ガス精製方法は、以下のステップ（２０１）～（２０４）を含む。
ステップ（２０１）：少なくとも２つの精製装置は、気体入力ユニットにそれぞれ接続される。精製装置の内部には、複数の中空繊維管体が設けられる。気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを精製装置により外部に排出する。
ステップ（２０２）：排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の精製装置内に入力する。
ステップ（２０３）：降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の精製装置内部から排出し、複数の中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理する。
ステップ（２０４）：再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の精製装置内に入力し、精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻す。
図２は、本発明の一実施形態に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置の方法を示す流れ図である。図２に示すように、本発明の一実施形態に係る電子級ガス精製方法は、以下のステップ（２０１）～（２０４）を含む。
ステップ（２０１）：少なくとも２つの精製装置は、気体入力ユニットにそれぞれ接続される。精製装置の内部には、複数の中空繊維管体が設けられる。気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを精製装置により外部に排出する。
ステップ（２０２）：排出の精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の精製装置内に入力する。
ステップ（２０３）：降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の精製装置内部から排出し、複数の中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理する。
ステップ（２０４）：再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の精製装置内に入力し、精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻す。
【0018】
ステップ（２０１）において、異なる精製装置は、精製吸気管路を介してガス入力ユニと接続される。気体入力ユニットは、未精製電子級ガスを、精製吸気管路を介して精製装置に入力して気体を精製するとともに、精製された電子級ガスを、精製排気管路を介して精製装置から外部へ排出する。
【0019】
精製吸気管路には、精製吸気制御弁が直列接続される。精製吸気制御弁は、依然として非精製の電子級ガスが精製装置に進入するか否かを制御することができる。精製排気管路は、精製排気制御弁に直列接続される。精製排気制御弁は、精製された電子級ガスが精製排気管路を介して外部に排出される。
【0020】
ステップ２０２：精製排気管路は、分流して調圧弁に接続され、各精製装置は、再生吸気管路を介して調圧弁にそれぞれ接続される。調圧弁は、精製排気管路が外部に排出した精製された電子級ガスの供給を受けるとともに、精製された電子級ガスを降圧及び加熱処理した後、再生吸気管路を介して、降圧・加熱処理後の精製された電子級ガスを何れか１つの気体精製が未稼働の精製装置に入力する。
【0021】
調圧弁は、分流吸気管路上に直列接続され、分流吸気管路上には、吸気制御弁が直列接続される。吸気制御弁は、精製排気制御弁と調圧弁との間に位置する。吸気制御弁は、精製排気管路から外部へ排出させる精製された電子級ガスを調圧弁に向かって流すか否かを制御する。
【0022】
ステップ２０３：各精製装置は、再生排気管路を介して排出口にそれぞれ接続されるとともに、降圧・加熱処理後の精製された電子級ガスを、再生排気管路から排出させ、複数の中空繊維管体内部のパーティクルを排出させて再生処理する。
【0023】
再生吸気管路には、再生吸気制御弁が直列接続される。再生吸気制御弁は、降圧・加熱処理後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の精製装置に入力するか否かを制御し、再生排気管路が再生排気制御弁と直列接続され、降圧・加熱処理後の精製された電子級ガスが、再生排気管路から排出されるか否かを制御する。
【0024】
ステップ２０４：再生処理が完了した後、現在稼働中の気体精製の精製装置と接続されたもう一つの再生吸気管路を介し、もう一つの再生吸気管路の再生吸気制御弁を開き、精製された電子級ガス（降圧及び加熱処理がされていない）を気体精製が未稼働の精製装置内に入力し、精製装置内部の圧力を補充して気体入力ユニットが入力する気体と同じ圧力まで戻す。
【0025】
精製処理と比べ、再生処理に必要な気体流量が少ないため、精製装置が行う精製処理に連通した管路管径は、精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、消費電力を減らすために、調圧弁により降圧した後に精製装置内に入力し、再生処理に必要な気体流量について、以下（１）～（２）で説明する。
【0026】
（１）本願の再生処理の再生気体流量は、精製処理の精製気体流量の１～５％（１％、１．５％、２％、２．５％、３％、３．５％、４％、４．５％、５％）のみ必要であり、好適には、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定する上、再生気体流量の上限を設定することができ、再生気体流量の上限を超える場合、再生気体流量の上限値を用いるが、それについては以下（ａ）～（ｃ）で詳細に説明する。
（ａ）精製処理の精製気体流量が１００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため、再生気体流量は２．５Ｎｍ３／ｈｒである。
（ｂ）精製処理の精製気体流量が５００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため、再生気体流量は１２．５Ｎｍ３／ｈｒである。
（ｃ）精製処理の精製気体流量が１００００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため（再生気体流量の上限は１２５Ｎｍ３／ｈｒである）、再生気体流量は１２５Ｎｍ３／ｈｒである。
（ａ）精製処理の精製気体流量が１００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため、再生気体流量は２．５Ｎｍ３／ｈｒである。
（ｂ）精製処理の精製気体流量が５００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため、再生気体流量は１２．５Ｎｍ３／ｈｒである。
（ｃ）精製処理の精製気体流量が１００００Ｎｍ３／ｈｒである場合、再生気体流量を精製気体流量の２．５％に設定するため（再生気体流量の上限は１２５Ｎｍ３／ｈｒである）、再生気体流量は１２５Ｎｍ３／ｈｒである。
【0027】
（２）本発明の再生処理に連通した管路管径は、再生気体流量に応じて決定し、その複数の実施形態については以下（ａ）～（ｃ）で詳細に説明する。
（ａ）再生気体流量が１０Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．２５～０．５インチ（即ち０．６３５～１．２７ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
（ｂ）再生気体流量が２５Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．５～０．７５インチ（即ち１．２７～１．９０５ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
（ｃ）再生気体流量が１２５Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．７５～１インチ（１．９０５～２．５４ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
（ａ）再生気体流量が１０Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．２５～０．５インチ（即ち０．６３５～１．２７ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
（ｂ）再生気体流量が２５Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．５～０．７５インチ（即ち１．２７～１．９０５ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
（ｃ）再生気体流量が１２５Ｎｍ３／ｈｒよりも小さいか等しい場合、０．７５～１インチ（１．９０５～２．５４ｃｍ）の管径範囲を用いることができる。
【0028】
図３Ａ～図３Ｃを参照する。
図３Ａ～図３Ｃに示すように、精製装置２は、ガスボンベ２１、精製アセンブリ２２、前端蓋体２３及び後端蓋体２４を含む。ガスボンベ２１は、前端開口２１１及び後端開口２１２を有する。精製アセンブリ２２は、ガスボンベ２１内部に配設される。
図３Ａ～図３Ｃに示すように、精製装置２は、ガスボンベ２１、精製アセンブリ２２、前端蓋体２３及び後端蓋体２４を含む。ガスボンベ２１は、前端開口２１１及び後端開口２１２を有する。精製アセンブリ２２は、ガスボンベ２１内部に配設される。
【0029】
精製アセンブリ２２は、前端金属スリーブリング２２１、後端金属スリーブリング２２２、少なくとも１つの金属クランプ２２３及び精製材料本体２２４を含む。精製材料本体２２４は、複数の中空繊維管体を含む。精製材料本体２２４は、一端に前端金属スリーブリング２２１が嵌設され、他端に後端金属スリーブリング２２２が嵌設されるとともに、前端金属スリーブリング２２１及び後端金属スリーブリング２２２を溶接方式によりガスボンベ２１の内壁に溶接固定させる。このように溶接固定されることにより、精製アセンブリ２２がガスボンベ内で揺れることを防ぐことができる。
【0030】
精製材料本体２２４の先端及び末端には、保護シート２２４１，２２４２がそれぞれ貼着される。
【0031】
上述した精製アセンブリ２２をガスボンベ２１内に固定する方式は接着方式を使用することができない。その理由としては、再生に熱気体を使用しなければならず、このような熱気体は、接着させる接着物を損壊させ、接着個所に大きな穴を開けるとともに、精製アセンブリ２２が凹み、再生後の精製装置２の精製性能が大幅に低下してしまう虞がある。
【0032】
前端蓋体２３は、前端開口２１１上に蓋設される。前端蓋体２３の表面には、前端気体接続端２３１が設けられる。前端蓋体２３の内側には、前端金属焼結フィルタ２３２が設けられる。前端金属焼結フィルタ２３２上には、複数の前端気流貫通孔２３２１が形成される。
【0033】
後端蓋体２４は、後端開口２１２上に蓋設される。後端蓋体２４の表面には、後端気体接続端２４１が設けられる。後端蓋体２４の内側には、後端金属焼結フィルタ２４２が設けられる。後端金属焼結フィルタ２４２上には、複数の後端気流貫通孔２４２１が形成される。
【0034】
前端金属焼結フィルタ２３２及び後端金属焼結フィルタ２４２の厚さは、２．５～４．５ｍｍであり、好ましくは３ｍｍである。
【0035】
前端気流貫通孔２３２１の孔径は、１００～２００ｍｍ（１００ｍｍ、１０１ｍｍ、１０５ｍｍ、１１０ｍｍ、１１５ｍｍ、１２０ｍｍ、１２５ｍｍ、１３０ｍｍ、１３５ｍｍ、１４０ｍｍ、１４５ｍｍ、１５０ｍｍ、１５５ｍｍ、１６０ｍｍ、１６５ｍｍ、１７０ｍｍ、１７５ｍｍ、１８０ｍｍ、１８５ｍｍ、１９０ｍｍ、１９５ｍｍ、２００ｍｍ）である。前端気流貫通孔２３２１は、前端気体接続端２３１から流入する気体をゆっくりと分散させて精製アセンブリ２２に流入させるため、気体が精製装置２内に留まる時間が長くなる。
【0036】
後端気流貫通孔２４２１の孔径は、２０～１００ｍｍ（２０ｍｍ、２５ｍｍ、３０ｍｍ、３５ｍｍ、４０ｍｍ、４５ｍｍ、５０ｍｍ、５５ｍｍ、６０ｍｍ、６５ｍｍ、７０ｍｍ、７５ｍｍ、８０ｍｍ、８５ｍｍ、９０ｍｍ、９５ｍｍ、９９ｍｍ、１００ｍｍ）である。精製アセンブリ２２の気流が流出するとき、気流が先ず後端金属焼結フィルタ２４２に衝突し、後端気流貫通孔２４２１の孔径が、前端気流貫通孔２３２１の孔径より小さく設計されているため、後端金属焼結フィルタ２４２に衝突した気流が跳ね返り（背圧作用）、精製装置２内に気体が留まる時間が長くなる。
【0037】
前端気流貫通孔２３２１及び後端気流貫通孔２４２１が形成されていない場合、気流が直接流入して精製アセンブリ２２を迅速に通過し、気体が精製アセンブリ２２内に留まる時間が、気体精製に影響を与えるため、前端金属焼結フィルタ２３２及び後端金属焼結フィルタ２４２の設置により、背圧が増加して被精製気体の流通が速くなり過ぎることを防ぐとともに、電子級ガスの精製純度を高めることができる。
【0038】
前端気体接続端２３１は、前端金属焼結フィルタ２３２との間に前端気体流動空間２３３が形成されている。前端気体流動空間２３３は、未精製の気体を先ず拡散させて全ての前端気流貫通孔２３２１に接触させてから、複数の前端気流貫通孔２３２１に通して精製アセンブリ２２に進入させる。前端気体流動空間２３３が小さすぎる場合、拡散が次第に流入する効果が悪くなり、気体が精製装置２内に留まる時間も短縮されるため、前端金属焼結フィルタ２３２が前端気流貫通孔２３２１に近づきすぎることを防ぐことができる。
【0039】
後端気体接続端２４１は、後端金属焼結フィルタ２４２との間に後端気体流動空間２４３が形成される。後端気体流動空間２４３は、後端金属焼結フィルタ２４２が後端気体接続端２４１上に近づきすぎることを防ぎ、精製後の気体が全ての後端気流貫通孔２４２１に先ず接触されてから拡散し、複数の後端気流貫通孔２４２１を通って後端気体接続端２４１に進入される。
【0040】
前端蓋体２３は、前端開口２１１に溶接固定され、後端蓋体２４は、後端開口２１２に溶接固定されなければならず、溶接温度が非常に高いため、前端蓋体２３が前端開口２１１に溶接される位置と、後端蓋体２４が後端開口２１２に溶接される位置とは、前端金属スリーブリング２２１、後端金属スリーブリング２２２の位置と一定の高低差を設けなければ（前端間隔空間２１３及び後端間隔空間２１４）、溶接の際に生じる高温により精製アセンブリ２２の精製材料本体２２４が溶けて損壊してしまうことを防ぐことができる。
【0041】
図３Ｃを参照する。
図３Ｃに示すように、未だ精製されていない電子級ガス３が精製装置２に流入した後、精製材料本体２２４の中空繊維管体の内部に毛細孔が形成されているため、複数の中空繊維管体により不純物を吸着して除去することができる。ここで不純物とは、水（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素酸化物（ＮＯＸ）、全有機炭素（ＴＯＣ）、酸（Ａｃｉｄ、例えばＳＯ２）、アルカリ（Ｂａｓｅｓ：例えばＮＨ３）、耐火化合物（Ｒｅｆａｃｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ：例えばＨＭＤＳＯ）、プロピレングリコールメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ：ＰＧＭＥ）、モノエタノールアミン（Ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ：ＭＥＡ）、又はこれらの組み合わせからなる群から選択される。最終的に、不純物を含まない精製された電子級ガス６を後端気体接続端２４１から排出させることができる。
図３Ｃに示すように、未だ精製されていない電子級ガス３が精製装置２に流入した後、精製材料本体２２４の中空繊維管体の内部に毛細孔が形成されているため、複数の中空繊維管体により不純物を吸着して除去することができる。ここで不純物とは、水（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素酸化物（ＮＯＸ）、全有機炭素（ＴＯＣ）、酸（Ａｃｉｄ、例えばＳＯ２）、アルカリ（Ｂａｓｅｓ：例えばＮＨ３）、耐火化合物（Ｒｅｆａｃｔｏｒｙ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ：例えばＨＭＤＳＯ）、プロピレングリコールメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｃｏｌ Ｍｅｔｈｙｌ Ｅｔｈｅｒ：ＰＧＭＥ）、モノエタノールアミン（Ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎｅ：ＭＥＡ）、又はこれらの組み合わせからなる群から選択される。最終的に、不純物を含まない精製された電子級ガス６を後端気体接続端２４１から排出させることができる。
【0042】
窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、空気（Ａｉｒ）、二酸化炭素（ＣＯ２）などの気体から水（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）などの不純物を除去することについて、図４Ａ－１、図４Ａ－２及び図４Ａ－３を参照しながら、以下（１）～（３）で詳細に説明する。
【0043】
（１）精製処理（精製経路Ａ）：
（ａ）精製／再生ユニット５は、精製装置５１，５２を有する。精製装置５１，５２は、精製吸気管路５３を介して気体入力ユニット４にそれぞれ接続される。気体入力ユニット４は、精製吸気管路５３を介して未精製電子級ガス３を入力する。精製吸気制御弁５３Ａを開き（精製吸気制御弁５３Ｂを閉じ）、未精製電子級ガス３を精製装置５１に流入し、精製された電子級ガス６を精製・排出する。
（ｂ）精製排気管路５４は、精製排気制御弁５４Ａに直列接続される。精製排気制御弁５４Ａを用いると、精製された電子級ガス６が精製排気管路を介して気体出力ユニット７に至るように外部へ排出させるか否か制御する。
（２）再生処理（再生経路Ｂ）：
（ａ）精製排気管路は、第１の分流管路５５、第２の分流管路５６及び再生吸気管路５７を介して精製された電子級ガス６を分流させ、精製排気制御弁５４Ａ、分流吸気制御弁５６１、調圧弁５６２、再生吸気制御弁５７Ｂを開く（精製排気制御弁５４Ｂ、再生吸気制御弁５７Ａを閉じる）。
（ｂ）調圧弁５６２は、精製された電子級ガス６の供給を受けるとともに、精製された電子級ガス６を調圧弁５６２により降圧して気体予熱器５９Ｂにより加熱処理（精製装置５１が再生処理する場合、気体予熱器５９Ａにより加熱処理する）した後、降圧して加熱処理した後の精製された電子級ガス６を精製装置５２内に入力する。
（ｃ）再生排気制御弁５８Ｂを開いた（再生排気制御弁５８Ａを閉じた）後、降圧及び加熱処理後の精製された電子級ガスは、再生排気管路５８を介して先ずフィルタ９に接触されて一部の顆粒性不純物を濾過してから、排出口１０から排出させることにより、複数の中空繊維管体内部のパーティクルを排出させて再生処理を行う。
（ｄ）再生処理が完了した後、再生吸気制御弁５７Ａを開く。精製された電子級ガス６は、分流させて再生吸気制御弁５７Ａ及び再生排気制御弁５８Ｂを介して精製装置５２内に進入し、精製装置５２内部の圧力を補充し、精製装置５２内部の圧力を、気体入力ユニット４が入力する未精製電子級ガス３と同じ圧力に戻すため、精製装置５２を切換えて精製処理するときに、圧力差により瞬間的に圧力が低下したり瞬間的に圧力が戻る状況が発生したりすることを防ぐことができる。
（３）再生気体注入（再生注入経路Ｃ）：
（ａ）除去する不純物に酸素（Ｏ２）が含まれている場合、再生処理を行い、気体精製が未稼働の精製装置内に水素（Ｈ２）を注入し、複数の中空繊維管体内に残留した酸素（Ｏ２）の不純物を除去する。
（ｂ）そのため、再生気体注入ユニット８を調圧弁５６２と、再生吸気制御弁５７Ａ及び再生吸気制御弁５７Ｂとの間に直列接続するとともに、再生気体注入ユニット８を介して再生気体１１（水素（Ｈ２））を注入し、水素（Ｈ２）を酸素（Ｏ２）の不純物と合成して水を生成し、再生するときに容易に排出できるようにする。
（ａ）精製／再生ユニット５は、精製装置５１，５２を有する。精製装置５１，５２は、精製吸気管路５３を介して気体入力ユニット４にそれぞれ接続される。気体入力ユニット４は、精製吸気管路５３を介して未精製電子級ガス３を入力する。精製吸気制御弁５３Ａを開き（精製吸気制御弁５３Ｂを閉じ）、未精製電子級ガス３を精製装置５１に流入し、精製された電子級ガス６を精製・排出する。
（ｂ）精製排気管路５４は、精製排気制御弁５４Ａに直列接続される。精製排気制御弁５４Ａを用いると、精製された電子級ガス６が精製排気管路を介して気体出力ユニット７に至るように外部へ排出させるか否か制御する。
（２）再生処理（再生経路Ｂ）：
（ａ）精製排気管路は、第１の分流管路５５、第２の分流管路５６及び再生吸気管路５７を介して精製された電子級ガス６を分流させ、精製排気制御弁５４Ａ、分流吸気制御弁５６１、調圧弁５６２、再生吸気制御弁５７Ｂを開く（精製排気制御弁５４Ｂ、再生吸気制御弁５７Ａを閉じる）。
（ｂ）調圧弁５６２は、精製された電子級ガス６の供給を受けるとともに、精製された電子級ガス６を調圧弁５６２により降圧して気体予熱器５９Ｂにより加熱処理（精製装置５１が再生処理する場合、気体予熱器５９Ａにより加熱処理する）した後、降圧して加熱処理した後の精製された電子級ガス６を精製装置５２内に入力する。
（ｃ）再生排気制御弁５８Ｂを開いた（再生排気制御弁５８Ａを閉じた）後、降圧及び加熱処理後の精製された電子級ガスは、再生排気管路５８を介して先ずフィルタ９に接触されて一部の顆粒性不純物を濾過してから、排出口１０から排出させることにより、複数の中空繊維管体内部のパーティクルを排出させて再生処理を行う。
（ｄ）再生処理が完了した後、再生吸気制御弁５７Ａを開く。精製された電子級ガス６は、分流させて再生吸気制御弁５７Ａ及び再生排気制御弁５８Ｂを介して精製装置５２内に進入し、精製装置５２内部の圧力を補充し、精製装置５２内部の圧力を、気体入力ユニット４が入力する未精製電子級ガス３と同じ圧力に戻すため、精製装置５２を切換えて精製処理するときに、圧力差により瞬間的に圧力が低下したり瞬間的に圧力が戻る状況が発生したりすることを防ぐことができる。
（３）再生気体注入（再生注入経路Ｃ）：
（ａ）除去する不純物に酸素（Ｏ２）が含まれている場合、再生処理を行い、気体精製が未稼働の精製装置内に水素（Ｈ２）を注入し、複数の中空繊維管体内に残留した酸素（Ｏ２）の不純物を除去する。
（ｂ）そのため、再生気体注入ユニット８を調圧弁５６２と、再生吸気制御弁５７Ａ及び再生吸気制御弁５７Ｂとの間に直列接続するとともに、再生気体注入ユニット８を介して再生気体１１（水素（Ｈ２））を注入し、水素（Ｈ２）を酸素（Ｏ２）の不純物と合成して水を生成し、再生するときに容易に排出できるようにする。
【0044】
水素（Ｈ２）から水（Ｈ２Ｏ）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）などの不純物を除去するのに応用する際、水素（Ｈ２）の不純物を除去するため、再生処理する際、再生気体注入ユニット８により水素（Ｈ２）を注入しなくともよく、精製処理方式は前述したのと同じであるため、繰り返して述べない。
【0045】
図４Ａ－３を参照する。
図４Ａ－３に示すように、再生気体に水素（Ｈ２）を注入するか、水素（Ｈ２）の不純物を除去した後、装置を別の場所へ移設しなければならないか、水素（Ｈ２）が漏れ出たとき、掃気（Ｓｃａｖｅｎｇｉｎｇ ｇａｓ）工程を行い、再生気体注入ユニット８を介して再生気体１１（アルゴン（Ａｒ）を注入し、再生吸気制御弁５７Ｂ、精製装置５２、再生排気制御弁５８Ｂ、フィルタ９を通してから、最終的に排出口１０から水素（Ｈ２）が排出される。そのため、この工程では、精製装置内部の管路に残留した水素（Ｈ２）を取り除くことができる。
図４Ａ－３に示すように、再生気体に水素（Ｈ２）を注入するか、水素（Ｈ２）の不純物を除去した後、装置を別の場所へ移設しなければならないか、水素（Ｈ２）が漏れ出たとき、掃気（Ｓｃａｖｅｎｇｉｎｇ ｇａｓ）工程を行い、再生気体注入ユニット８を介して再生気体１１（アルゴン（Ａｒ）を注入し、再生吸気制御弁５７Ｂ、精製装置５２、再生排気制御弁５８Ｂ、フィルタ９を通してから、最終的に排出口１０から水素（Ｈ２）が排出される。そのため、この工程では、精製装置内部の管路に残留した水素（Ｈ２）を取り除くことができる。
【0046】
図４Ｂ－１、図４Ｂ－２及び図４Ｂ－３を参照する。
図４Ｂ－１、図４Ｂ－２及び図４Ｂ－３に示すように、酸素（Ｏ２）中から水（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）などの不純物を除去するが、その方式は前述したのと全く同じであり、唯一の違いは酸素（Ｏ２）を除去する必要がないため、再生気体注入ユニット８を使用して水素（Ｈ２）を注入しなくてもよい点である。
図４Ｂ－１、図４Ｂ－２及び図４Ｂ－３に示すように、酸素（Ｏ２）中から水（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）、メタン（ＣＨ４）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）などの不純物を除去するが、その方式は前述したのと全く同じであり、唯一の違いは酸素（Ｏ２）を除去する必要がないため、再生気体注入ユニット８を使用して水素（Ｈ２）を注入しなくてもよい点である。
【0047】
図４Ａ－１及び図４Ｂ－１を参照する。
図４Ａ－１及び図４Ｂ－１に示すように、気体入力ユニット４は、部材４１、部材４２、部材４３及び部材４４を含む。部材４１は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材４２は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材４３は手動バルブ又は電動バルブである。部材４４は気体流量計である。
図４Ａ－１及び図４Ｂ－１に示すように、気体入力ユニット４は、部材４１、部材４２、部材４３及び部材４４を含む。部材４１は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材４２は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材４３は手動バルブ又は電動バルブである。部材４４は気体流量計である。
【0048】
図４Ａ－３及び図４Ｂ－３を参照する。
図４Ａ－３及び図４Ｂ－３に示すように、気体出力ユニット７は、部材７１、部材７２、部材７３及び部材７４を含む。部材７１はパーティクルフィルタ（Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｆｉｌｔｅｒ）である。部材７２は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材７３は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材７４は手動バルブ又は電動バルブである。
図４Ａ－３及び図４Ｂ－３に示すように、気体出力ユニット７は、部材７１、部材７２、部材７３及び部材７４を含む。部材７１はパーティクルフィルタ（Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｆｉｌｔｅｒ）である。部材７２は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材７３は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材７４は手動バルブ又は電動バルブである。
【0049】
図４Ａ－３を参照する。
図４Ａ－３に示すように、再生気体注入ユニット８は、部材８１、部材８２、部材８３、部材８４及び部材８５を含む。部材８１は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材８２は調圧弁（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）である。部材８３は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材８４は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材８５は逆止弁（Ｃｈｅｃｋ Ｖａｌｖｅ）である。
図４Ａ－３に示すように、再生気体注入ユニット８は、部材８１、部材８２、部材８３、部材８４及び部材８５を含む。部材８１は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材８２は調圧弁（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）である。部材８３は気体圧力トランスデューサ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）である。部材８４は制御弁（Ｖａｌｖｅ）である。部材８５は逆止弁（Ｃｈｅｃｋ Ｖａｌｖｅ）である。
【0050】
本発明に係る電子級ガスの精製方法及びその精製装置は、従来技術と比べ、以下（１）～（６）の長所を有する。
（１）本発明では、中空繊維管体に電子級ガス精製方式を組み合わせることにより、異なる気体不純物を吸着し、中空繊維管体の内部に、異なる気体不純物を除去する材料を添加し、異なる気体不純物を精製するのに用いるため、異なる装置を別途増設して異なる不純物を除去する必要がない。
（２）本発明の電子級ガス精製方法に再生処理のステップを組み合わせ、精製後の電子級ガスを利用して再生処理するため、繰り返して使用することができる。
（３）本発明の電子級ガス精製方法は、一般のアルゴン／ヘリウム精製と比べ、２本以上の管を切換えて使用するとともに、再生して繰り返して使用することができるため、消耗材のコストを減らすことができる。
（４）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の水素精製と比べ、ゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）を使用しなくとも、本発明の精製装置は再生して繰り返して使用することができるため、消耗材のコストを減らすことができる。
（５）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の窒素精製と比べ、触媒を用いたり様々な吸着装置を使用したりせずに、一種類の精製装置のみを使用して同じ効果が得られる。
（６）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の酸素精製と比べ、触媒を用いたり様々な吸着装置を使用したりせずに、一種類の精製装置のみを使用して同じ効果が得られる。
（１）本発明では、中空繊維管体に電子級ガス精製方式を組み合わせることにより、異なる気体不純物を吸着し、中空繊維管体の内部に、異なる気体不純物を除去する材料を添加し、異なる気体不純物を精製するのに用いるため、異なる装置を別途増設して異なる不純物を除去する必要がない。
（２）本発明の電子級ガス精製方法に再生処理のステップを組み合わせ、精製後の電子級ガスを利用して再生処理するため、繰り返して使用することができる。
（３）本発明の電子級ガス精製方法は、一般のアルゴン／ヘリウム精製と比べ、２本以上の管を切換えて使用するとともに、再生して繰り返して使用することができるため、消耗材のコストを減らすことができる。
（４）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の水素精製と比べ、ゲッター（Ｇｅｔｔｅｒ）を使用しなくとも、本発明の精製装置は再生して繰り返して使用することができるため、消耗材のコストを減らすことができる。
（５）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の窒素精製と比べ、触媒を用いたり様々な吸着装置を使用したりせずに、一種類の精製装置のみを使用して同じ効果が得られる。
（６）本発明の電子級ガス精製方法は、従来の酸素精製と比べ、触媒を用いたり様々な吸着装置を使用したりせずに、一種類の精製装置のみを使用して同じ効果が得られる。
【0051】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【0052】
１Ａ 精製ボトル
１Ｂ 精製ボトル
１Ｃ 精製ボトル
１Ｄ 精製ボトル
１Ｅ 精製ボトル
２ 精製装置
３ 未精製電子級ガス
４ 気体入力ユニット
５ 精製／再生ユニット
６ 精製された電子級ガス
７ 気体出力ユニット
８ 再生気体注入ユニット
９ フィルタ
１０ 排出口
１１ 再生気体
２１ ガスボンベ
２２ 精製アセンブリ
２３ 前端蓋体
２４ 後端蓋体
４１ 部材
４２ 部材
４３ 部材
４４ 部材
５１ 精製装置
５２ 精製装置
５３ 精製吸気管路
５３Ａ 精製吸気制御弁
５３Ｂ 精製吸気制御弁
５４ 精製排気管路
５４Ａ 精製排気制御弁
５４Ｂ 精製排気制御弁
５５ 第１の分流管路
５６ 第２の分流管路
５７ 再生吸気管路
５７Ａ 再生吸気制御弁
５７Ｂ 再生吸気制御弁
５８ 再生排気管路
５８Ａ 再生排気制御弁
５８Ｂ 再生排気制御弁
５９Ａ 気体予熱器
５９Ｂ 気体予熱器
７１ 部材
７２ 部材
７３ 部材
７４ 部材
８１ 部材
８２ 部材
８３ 部材
８４ 部材
８５ 部材
２１１ 前端開口
２１２ 後端開口
２１３ 前端間隔空間
２１４ 後端間隔空間
２２１ 前端金属スリーブリング
２２２ 後端金属スリーブリング
２２３ 金属クランプ
２２４ 精製材料本体
２３１ 前端気体接続端
２３２ 前端金属焼結フィルタ
２３３ 前端気体流動空間
２４１ 後端気体接続端
２４２ 後端金属焼結フィルタ
２４３ 後端気体流動空間
５６１ 分流吸気制御弁
５６２ 調圧弁
２２４１ 保護シート
２２４２ 保護シート
２３２１ 前端気流貫通孔
２４２１ 後端気流貫通孔
１Ｂ 精製ボトル
１Ｃ 精製ボトル
１Ｄ 精製ボトル
１Ｅ 精製ボトル
２ 精製装置
３ 未精製電子級ガス
４ 気体入力ユニット
５ 精製／再生ユニット
６ 精製された電子級ガス
７ 気体出力ユニット
８ 再生気体注入ユニット
９ フィルタ
１０ 排出口
１１ 再生気体
２１ ガスボンベ
２２ 精製アセンブリ
２３ 前端蓋体
２４ 後端蓋体
４１ 部材
４２ 部材
４３ 部材
４４ 部材
５１ 精製装置
５２ 精製装置
５３ 精製吸気管路
５３Ａ 精製吸気制御弁
５３Ｂ 精製吸気制御弁
５４ 精製排気管路
５４Ａ 精製排気制御弁
５４Ｂ 精製排気制御弁
５５ 第１の分流管路
５６ 第２の分流管路
５７ 再生吸気管路
５７Ａ 再生吸気制御弁
５７Ｂ 再生吸気制御弁
５８ 再生排気管路
５８Ａ 再生排気制御弁
５８Ｂ 再生排気制御弁
５９Ａ 気体予熱器
５９Ｂ 気体予熱器
７１ 部材
７２ 部材
７３ 部材
７４ 部材
８１ 部材
８２ 部材
８３ 部材
８４ 部材
８５ 部材
２１１ 前端開口
２１２ 後端開口
２１３ 前端間隔空間
２１４ 後端間隔空間
２２１ 前端金属スリーブリング
２２２ 後端金属スリーブリング
２２３ 金属クランプ
２２４ 精製材料本体
２３１ 前端気体接続端
２３２ 前端金属焼結フィルタ
２３３ 前端気体流動空間
２４１ 後端気体接続端
２４２ 後端金属焼結フィルタ
２４３ 後端気体流動空間
５６１ 分流吸気制御弁
５６２ 調圧弁
２２４１ 保護シート
２２４２ 保護シート
２３２１ 前端気流貫通孔
２４２１ 後端気流貫通孔
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A-1】
【図4A-2】
【図4A-3】
【図4B-1】
【図4B-2】
【図4B-3】
【手続補正書】
【提出日】2023-11-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子級ガスの精製方法であって、
ガスボンベ、精製アセンブリ、前端蓋体及び後端蓋体を備えた、精製装置を用い、
前記ガスボンベは、前端開口及び後端開口を有し、
前記精製アセンブリは、前記ガスボンベ内部に配設されるとともに、精製材料本体を含み、前記精製材料本体は、束状の複数の中空繊維管体を含み、前記中空繊維管体の内部には、不純物を吸着して除去するための毛細孔が形成され、
前記前端蓋体は、前記ガスボンベの前記前端開口上に蓋設され、前記前端蓋体の表面には、前端気体接続端が設けられ、前記前端蓋体の内側には、前端金属焼結フィルタが設けられ、前記前端金属焼結フィルタ上には、複数の前端気流貫通孔が形成され、前記前端気体接続端は、前記前端金属焼結フィルタとの間に前端気体流動空間が形成され、前記前端金属焼結フィルタと前記精製材料本体の一端との間に前端間隔空間が形成され、
前記後端蓋体は、前記ガスボンベの前記後端開口上に蓋設され、前記後端蓋体の表面には、後端気体接続端が設けられ、前記後端蓋体の内側には、後端金属焼結フィルタが設けられ、前記後端金属焼結フィルタ上には、複数の後端気流貫通孔が形成され、
前記後端気体接続端は、前記後端金属焼結フィルタとの間に後端気体流動空間が形成され、前記後端金属焼結フィルタは、前記精製材料本体の他端との間に後端間隔空間が形成され、前記後端気流貫通孔の孔径が前記前端気流貫通孔の孔径より小さく、
少なくとも２つの前記精製装置が、気体入力ユニットにそれぞれ接続され、前記気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップと、
排出した精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップと、
降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部で顆粒性不純物を濾過してから排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップと、
再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力し、前記精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻すステップと、を含み、
前記電子級ガスは、窒素（Ｎ ２ ）、アルゴン（Ａｒ）、空気（Ａｉｒ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、水素（Ｈ ２ ）、又は酸素（Ｏ ２ ）のいずれかであり、
前記不純物は、前記電子級ガスが水素（Ｈ ２ ）である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、酸素（Ｏ ２ ）、窒素（Ｎ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択され、前記電子級ガスが酸素（Ｏ ２ ）である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、水素（Ｈ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択され、前記電子級ガスが水素（Ｈ ２ ）及び酸素（Ｏ ２ ）以外である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、酸素（Ｏ ２ ）、窒素（Ｎ ２ ）、水素（Ｈ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択されることを特徴とする、電子級ガスの精製方法。
ガスボンベ、精製アセンブリ、前端蓋体及び後端蓋体を備えた、精製装置を用い、
前記ガスボンベは、前端開口及び後端開口を有し、
前記精製アセンブリは、前記ガスボンベ内部に配設されるとともに、精製材料本体を含み、前記精製材料本体は、束状の複数の中空繊維管体を含み、前記中空繊維管体の内部には、不純物を吸着して除去するための毛細孔が形成され、
前記前端蓋体は、前記ガスボンベの前記前端開口上に蓋設され、前記前端蓋体の表面には、前端気体接続端が設けられ、前記前端蓋体の内側には、前端金属焼結フィルタが設けられ、前記前端金属焼結フィルタ上には、複数の前端気流貫通孔が形成され、前記前端気体接続端は、前記前端金属焼結フィルタとの間に前端気体流動空間が形成され、前記前端金属焼結フィルタと前記精製材料本体の一端との間に前端間隔空間が形成され、
前記後端蓋体は、前記ガスボンベの前記後端開口上に蓋設され、前記後端蓋体の表面には、後端気体接続端が設けられ、前記後端蓋体の内側には、後端金属焼結フィルタが設けられ、前記後端金属焼結フィルタ上には、複数の後端気流貫通孔が形成され、
前記後端気体接続端は、前記後端金属焼結フィルタとの間に後端気体流動空間が形成され、前記後端金属焼結フィルタは、前記精製材料本体の他端との間に後端間隔空間が形成され、前記後端気流貫通孔の孔径が前記前端気流貫通孔の孔径より小さく、
少なくとも２つの前記精製装置が、気体入力ユニットにそれぞれ接続され、前記気体入力ユニットは、未だ精製されていない電子級ガスを前記精製装置に入力して気体を精製して不純物を除去するとともに、精製された電子級ガスを前記精製装置により外部に排出するステップと、
排出した精製された電子級ガスを調圧弁に分流し、前記調圧弁により降圧し、降圧した気体を加熱処理してから、気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力するステップと、
降圧及び加熱処理した後の精製された電子級ガスを、気体精製が未稼働の前記精製装置内部で顆粒性不純物を濾過してから排出し、複数の前記中空繊維管体が吸着した不純物を導き出して再生処理するステップと、
再生処理した後、降圧及び加熱処理が未だ行われていない精製された電子級ガスを気体精製が未稼働の前記精製装置内に入力し、前記精製装置内部の圧力を補填して圧力を戻すステップと、を含み、
前記電子級ガスは、窒素（Ｎ ２ ）、アルゴン（Ａｒ）、空気（Ａｉｒ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、水素（Ｈ ２ ）、又は酸素（Ｏ ２ ）のいずれかであり、
前記不純物は、前記電子級ガスが水素（Ｈ ２ ）である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、酸素（Ｏ ２ ）、窒素（Ｎ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択され、前記電子級ガスが酸素（Ｏ ２ ）である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、水素（Ｈ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択され、前記電子級ガスが水素（Ｈ ２ ）及び酸素（Ｏ ２ ）以外である場合には、水（Ｈ ２ Ｏ）、酸素（Ｏ ２ ）、窒素（Ｎ ２ ）、水素（Ｈ ２ ）、メタン（ＣＨ ４ ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ ２ ）、非メタン炭化水素（ＮＭＨＣ）からなる群から選択されることを特徴とする、電子級ガスの精製方法。
【請求項2】
前記精製装置が除去する不純物に酸素（Ｏ２）が含まれている場合、再生処理を行い、気体精製が未稼働の前記精製装置内に水素（Ｈ２）を注入し、複数の前記中空繊維管体内に残留した酸素（Ｏ２）の不純物を除去することを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項3】
未だ精製されていない電子級ガス又は除去する不純物が水素（Ｈ２）である場合、水素が漏れ出たときに、気体精製が未稼働の前記精製装置内にアルゴン（Ａｒ）を注入し、複数の前記中空繊維管体の内部に残存する水素（Ｈ２）を掃気することを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
【請求項4】
前記精製装置、前記気体入力ユニット、前記調圧弁及びフィルタは、異なる管路を介して連通し、
前記精製装置が行う気体精製に連通した管路管径は、前記精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、
再生処理を行う気体流量は、気体を精製するのに使用する気体流量の１～５％であることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。
前記精製装置が行う気体精製に連通した管路管径は、前記精製装置が行う再生処理に連通した管路管径より大きく、
再生処理を行う気体流量は、気体を精製するのに使用する気体流量の１～５％であることを特徴とする請求項１に記載の電子級ガスの精製方法。