特開 2024-44676 積層セラミック電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024044676

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】積層セラミック電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 201L

H01G4/30 201N

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022150353

(22)【出願日】2022-09-21

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】堀内 佑太

【テーマコード（参考）】

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE01

5E082FF05

5E082FG26

5E082FG32

5E082GG10

(57)【要約】

【課題】 信頼性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 積層セラミック電子部品１は、複数の誘電体層２２と、誘電体層２２を挟んで互いに対向し、一端がそれぞれ引き出された複数の内部電極層２３と、複数の誘電体層２２及び複数の内部電極層２３を挟むように設けられ、少なくとも一方がシリコンゴムを含むカバー層２０及びカバー層２１と、複数の内部電極層２３が互いに対向する第１方向に沿って設けられ、複数の内部電極層２３の前記一端と交互に接続された外部電極３ａ及び外部電極３ｂとを有する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の誘電体層と、
前記誘電体層を挟んで互いに対向し、一端がそれぞれ引き出された複数の内部電極層と、
前記複数の誘電体層及び前記複数の内部電極層を挟むように設けられ、少なくとも一方がシリコンゴムを含む一対のカバー層と、
前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向に沿って設けられ、前記複数の内部電極層の前記一端と交互に接続された一対の外部電極とを有する積層セラミック電子部品。

【請求項2】

前記一対のカバー層の少なくとも一方は、シリコンゴムを主成分とする請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項3】

前記一対のカバー層の少なくとも一方は、前記複数の誘電体層と共通の主成分と、シリコンゴムの粒子と、を含む請求項１に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項4】

前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向において前記複数の内部電極層の各々の両端にそれぞれ隣接し、少なくとも一方がシリコンゴムを含む一対のサイドマージン部を有する請求項１乃至３の何れかに記載の積層セラミック電子部品。

【請求項5】

前記一対のサイドマージン部の少なくとも一方は、シリコンゴムを主成分とする請求項４に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項6】

前記一対のサイドマージン部の少なくとも一方は、前記複数の誘電体層と共通の主成分と、シリコンゴムの粒子と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の積層セラミック電子部品。

【請求項7】

前記第１方向における寸法が、前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向における寸法より大きい請求項１乃至３の何れかに記載の積層セラミック電子部品。

【請求項8】

前記第１方向における寸法が、前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向における寸法の１．１～１．５倍である請求項１乃至３の何れかに記載の積層セラミック電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミック電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば積層セラミックコンデンサは、内部電極層及び誘電体層が交互に積層され、その積層方向の上下から内部電極層及び誘電体層をカバー層で覆った構造を備える。例えば特許文献１には、内部電極層及び誘電体層を積層方向から覆うカバー層にポアを設ける点が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１４１０９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

例えば積層セラミックコンデンサの製造工程では、内部電極層、誘電体層、及びカバー層を積層して圧着することにより積層体が形成される。このとき、層数が多いほど、大きな圧力が各層に加わるため、カバー層に過剰に大きな応力が生じて、積層体にクラックなどが生ずるおそれがある。また、積層セラミックコンデンサに対して過剰に大きな振動や衝撃が加わったときも積層体にクラックなどが生ずるおそれがある。さらに、特許文献１に記載された積層セラミックコンデンサのようにカバー層にポアを設けると、ポアがクラックの起点となるおそれもある。このような場合、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下する。

【0005】

そこで本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の積層セラミック電子部品は、複数の誘電体層と、前記誘電体層を挟んで互いに対向し、一端がそれぞれ引き出された複数の内部電極層と、前記複数の誘電体層及び前記複数の内部電極層を挟むように設けられ、少なくとも一方がシリコンゴムを含む一対のカバー層と、前記複数の内部電極層が互いに対向する第１方向に沿って設けられ、前記複数の内部電極層の前記一端と交互に接続された一対の外部電極とを有する。

【0007】

上記の積層セラミック電子部品において、前記一対のカバー層の少なくとも一方は、シリコンゴムを主成分としてもよい。

【0008】

上記の積層セラミック電子部品において、前記一対のカバー層の少なくとも一方は、前記複数の誘電体層と共通の主成分と、シリコンゴムの粒子と、を含んでもよい。

【0009】

上記の積層セラミック電子部品において、前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向において前記複数の内部電極層の各々の両端にそれぞれ隣接し、少なくとも一方がシリコンゴムを含む一対のサイドマージン部を有してもよい。

【0010】

上記の積層セラミック電子部品において、前記一対のサイドマージン部の少なくとも一方は、シリコンゴムを主成分としてもよい。

【0011】

上記の積層セラミック電子部品において、前記一対のサイドマージン部の少なくとも一方は、前記複数の誘電体層と共通の主成分と、シリコンゴムの粒子と、を含んでもよい。

【0012】

上記の積層セラミック電子部品において、前記第１方向における寸法が、前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向における寸法より大きくてもよい。

【0013】

上記の積層セラミック電子部品において、前記第１方向における寸法が、前記第１方向及び前記一対の外部電極が向いた第２方向に対し略直交する直交方向における寸法の１．１～１．５倍であってもよい。

【発明の効果】

【0014】

本発明によると、積層セラミック電子部品の信頼性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】第１実施形態の積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。

【図2】図１のＡ－Ａ線に沿った積層セラミックコンデンサの断面図である。

【図3】図１のＢ－Ｂ線に沿った積層セラミックコンデンサの断面図である。

【図4】第２実施形態の積層セラミックコンデンサの一例を示す断面図である。

【図5】第３実施形態の積層セラミックコンデンサの長さ方向における断面図である。

【図6】第３実施形態の積層セラミックコンデンサの幅方向における断面図である

【図7】積層セラミックコンデンサの製造工程の一例を示すフローチャートである。

【図8】グリーンシート成形工程、内部電極印刷工程、及び積層・圧着工程の一例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１の一例を示す斜視図である。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿った積層セラミックコンデンサ１の断面図である。図３は、図１のＢ－Ｂ線に沿った積層セラミックコンデンサ１の断面図である。

【0017】

積層セラミックコンデンサ１は積層セラミック電子部品の一例である。積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状を有する積層チップ２と、積層チップ２において互いに対向する一対の端面２Ａ，２Ｂに設けられた外部電極３ａ，３ｂとを有する。

【0018】

図１～図３には、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向が示されている。Ｘ方向は、積層セラミックコンデンサ１の長さ（Ｌ）方向であり、積層チップ２の一対の端面が対向する方向に一致する。Ｙ方向は、積層セラミックコンデンサ１の幅（Ｗ）方向であり、積層チップ２の一対の側面が対向する方向に一致する。Ｚ方向は、積層セラミックコンデンサ１の高さ（Ｈ）方向であり、積層セラミックコンデンサ１の積層方向に一致する。なお、積層方向は、複数の内部電極層２３が互いに対向する第１方向の一例であり、長さ方向は、外部電極３ａ，３ｂが向いた第２方向の一例であり、幅方向は、長さ方向及び積層方向に略直交する直交方向の一例である。

【0019】

積層チップ２は、積層体の一例であり、積層構造を有する略直方体形状の積層部２ｓ、及び、積層セラミックコンデンサ１の幅方向において互いに対向する積層部２ｓの一対の側面２Ｅ，２Ｆを覆う一対のサイドマージン部４０，４１を有する。積層部２ｓは、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層２２と、内部電極層２３とが、交互に積層され、さらに誘電体層２２及び内部電極層２３を積層方向の両側から挟むように積層された一対のカバー層２０，２１と含む。内部電極層２３は、積層方向において誘電体層２２を挟んで互いに対向し、一端が端面２Ａ，２Ｂに交互に引き出されている。

【0020】

カバー層２０，２１は、積層方向における積層部２ｓの上面２Ｃ及び下面２Ｄを構成する。カバー層２０，２１は、積層された内部電極層２３及び誘電体層２２を積層方向から挟むように設けられている。積層部２ｓにおいて、長さ方向における各内部電極層２３の一方の端部は、積層方向に沿って交互に端面２Ａ，２Ｂに露出する。

【0021】

サイドマージン部４０，４１は、幅方向において積層部２ｓの一対の側面２Ｅ，２Ｆに露出した各内部電極層２３の両端２３ｅ，２３ｆにそれぞれ隣接する。これによりカバー層２０，２１及びサイドマージン部４０，４１は、内部電極層２３同士が対向する積層部２ｓを積層方向及び幅方向からそれぞれ覆う。

【0022】

内部電極層２３は、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分とする。内部電極層２３として、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。内部電極層２３の厚みは、例えば０．３～１．３（μｍ）である。

【0023】

誘電体層２２は、例えば、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主相とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ_３－αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ_３（チタン酸バリウム），ＣａＺｒＯ_３（ジルコン酸カルシウム），ＣａＴｉＯ_３（チタン酸カルシウム），ＳｒＴｉＯ_３（チタン酸ストロンチウム），ＭｇＴｉＯ_３（チタン酸マグネシウム），ペロブスカイト構造を形成するＢａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等のうち少なくとも１つから選択して用いることができる。Ｂａ_{１-ｘ－ｙ}Ｃａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１－ｚＺｒ_ｚＯ_３は、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウムおよびチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムなどである。誘電体層２２の厚みは、例えば０．３～４．０（μｍ）である。

【0024】

外部電極３ａ，３ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向において互いに対向する積層部２ｓの端面２Ａ，２Ｂをそれぞれ覆う。また、外部電極３ａ，３ｂは、上面２Ｃ、下面２Ｄおよび２つのサイドマージン部４０，４１の表面に延在している。ただし、外部電極３ａ，３ｂは、上面２Ｃ、下面２Ｄおよび２つのサイドマージン部４０，４１の表面において互いに離間している。

【0025】

外部電極３ａ，３ｂは、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ（アルミニウム），Ｚｎ（亜鉛）などの金属、またはこれらの２以上の合金（例えば、ＣｕとＮｉとの合金）を主成分とし、外部電極３ａ，３ｂの緻密化のためのガラス成分、外部電極３ａ，３ｂの焼結性を制御するための共材、などのセラミックを含んでいる。ガラス成分は、Ｂａ（バリウム），Ｓｒ（ストロンチウム），Ｃａ（カルシウム），Ｚｎ（亜鉛），Ａｌ，Ｓｉ（ケイ素），Ｂ（ホウ素）等の酸化物である。共材は、例えば、誘電体層２２の主成分と同じ材料を主成分とするセラミック成分である。なお、外部電極３ａ，３ｂの表面には、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ等の卑金属を主成分とするメッキ膜が形成されてもよい。さらにエポキシ樹脂及びウレタン樹脂などの導電性樹脂の膜をメッキ膜の表面に形成してもよい。

【0026】

カバー層２０，２１はシリコンゴムを主成分として形成されている。カバー層２０，２１は、例えば樹脂系の接着剤を含む接合層（不図示）を介して最上部及び最下部の内部電極層２３に隣接するように接合されている。

【0027】

このため、カバー層２０，２１は、仮に誘電体層２２と同じセラミック材料を主成分として形成された場合よりも大きな弾性力を発揮する。例えば積層セラミックコンデンサ１の製造工程において、誘電体層２２、内部電極層２３、及びカバー層２０，２１の圧着時、カバー層２０，２１の弾性力により応力を緩和して積層部２ｓにクラックが生ずることが抑制される。また、積層セラミックコンデンサ１に対して過剰に大きな振動や衝撃が加わったときも、カバー層２０，２１の弾性力により応力を緩和して積層部２ｓにクラックが生ずることが抑制される。

【0028】

これにより、積層セラミックコンデンサ１の信頼性が向上する。なお、本例では、カバー層２０，２１の両方がシリコンゴムにより形成されているが、カバー層２０，２１の一方のみがシリコンゴムにより形成されてもよい。

【0029】

また、カバー層２０，２１の厚みが薄すぎると、十分な耐電界強度が得られないおそれがある。このため、カバー層２０，２１の厚みは５（μｍ）以上とするのが好ましい。また、十分に大きな弾性力を発揮させるためには、カバー層２０，２１の厚みを１０（μｍ）以上とすると、より好ましく、カバー層２０，２１の厚みを１５（μｍ）以上とすると、さらに好ましい。

【0030】

一方、カバー層２０，２１の厚みが厚すぎると、高温の環境下において、セラミックとシリコンゴム成分の線膨張係数の差分に起因する応力によりカバー層２０，２１が剥離するおそれがある。このため、カバー層２０，２１の厚みは７０（μｍ）以下とするのが好ましい。また、カバー層２０，２１が厚すぎると、積層セラミックコンデンサ１の高さ方向の積層数を十分に増やすことができないため、所望の静電容量を実現するために誘電体層２２を薄層化する必要がある。これにより、積層セラミックコンデンサ１の信頼性が低下するおそれがある。したがって、カバー層２０，２１の厚みを６０（μｍ）以下とすると、より好ましく、カバー層２０，２１の厚みを５０（μｍ）以下とすると、さらに好ましい。

【0031】

また、サイドマージン部４０，４１はシリコンゴムを主成分として形成されている。サイドマージン部４０，４１は、例えば樹脂系の接着剤を含む接合膜（不図示）を介して積層部２ｓの側面２Ｅ，２Ｆにそれぞれ接合されている。

【0032】

このため、サイドマージン部４０，４１は、仮に誘電体層２２と同じセラミック材料を主成分として形成された場合よりも大きな弾性力を発揮する。例えば、落下時に積層セラミックコンデンサ１にサイドマージン部４０，４１の方向から衝撃が加わった場合において、サイドマージン部４０，４１が弾性力により誘電体層２２への衝撃を緩和して誘電体層２２の破損を抑制することができる。

【0033】

これにより、積層セラミックコンデンサ１の信頼性が向上する。なお、本例では、サイドマージン部４０，４１の両方がシリコンゴムにより形成されているが、サイドマージン部４０，４１の一方のみがシリコンゴムにより形成されてもよい。

【0034】

また、サイドマージン部４０，４１の厚みが薄すぎると、十分な耐電界強度が得られないおそれがある。このため、サイドマージン部４０，４１の厚みは５（μｍ）以上とするのが好ましい。また、十分な弾性力を発揮させるためには、サイドマージン部４０，４１の厚みを１０（μｍ）以上とすると、より好ましく、サイドマージン部４０，４１の厚みを１５（μｍ）以上とすると、さらに好ましい。

【0035】

また、サイドマージン部４０，４１の厚みが厚すぎると、高温の環境下において、セラミックとシリコンゴム成分の線膨張係数の差分に起因する応力によりサイドマージン部４０，４１が剥離するおそれがある。このため、サイドマージン部４０，４１の厚みは７０（μｍ）以下とするのが好ましい。また、積層チップ２の大きさを変えずに内部電極層２３が対向する面積を増加させる観点から、サイドマージン部４０，４１の厚みを６０（μｍ）以下とすると、より好ましく、サイドマージン部４０，４１の厚みを５０（μｍ）以下とすると、さらに好ましい。

【0036】

（第２実施形態）
第１実施形態では、カバー層２０，２１はシリコンゴムを主成分として形成されているが、これに限定されない。

【0037】

図４は、第２実施形態の積層セラミックコンデンサ１ａの一例を示す断面図である。図４は、図１のＡ－Ａ線に沿った断面を示す。なお、図４において、図２と共通する構成には同一の符号を付し、その説明は省略する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１ａには、上記のカバー層２０，２１に代えてカバー層２０ａ，２１ａがそれぞれ設けられている。

【0038】

カバー層２０ａ，２１ａの主成分は、誘電体層２２の主成分と共通であり、カバー層２０ａ，２１ａはシリコンゴムの粒子２００を含む。シリコンゴムの粒子２００は、カバー層２０ａ，２１ａの内部にランダムに分散している。なお、図４において、シリコンゴムの粒子２００は、カバー層２０ａ，２１ａの寸法に対して実際よりも大きく示されている。カバー層２０ａ，２１ａは、シリコンゴムを含むため、第１実施形態と同様に弾性力を発揮する。ここで、カバー層２０ａ，２１ａの主成分は、誘電体層２２の主成分と共通とは、カバー層２０ａ、２１ａと誘電体層２２とが同一の元素を含むことを指す。

【0039】

このとき、カバー層２０ａ，２１ａが薄すぎると、十分な弾性力を発揮することができないおそれがある。このため、カバー層２０ａ，２１ａの厚みは２０（μｍ）以上とするのが好ましい。また、耐電界強度を向上させる観点から、カバー層２０ａ，２１ａの厚みを２５（μｍ）以上とすると、より好ましく、カバー層２０ａ，２１ａの厚みを３０（μｍ）以上とすると、さらに好ましい。

【0040】

一方、カバー層２０ａ，２１ａの厚みが厚すぎると、内部電極層２３との線膨張係数の差分に起因する応力によりカバー層２０ａ，２１ａが剥離するおそれがある。このため、カバー層２０ａ，２１ａの厚みは８０（μｍ）以下とするのが好ましい。また、積層チップ２の大きさを変えずに内部電極層２３が対向する面積を増加させる観点から、カバー層２０ａ，２１ａの厚みを７０（μｍ）以下とすると、より好ましく、カバー層２０ａ，２１ａの厚みを６０（μｍ）以下とすると、さらに好ましい。

【0041】

また、カバー層２０ａ，２１ａにおけるシリコンゴムの粒子２００の密度が低すぎると、十分な弾性力を発揮することができないおそれがある。このため、カバー層２０ａ，２１ａにおけるシリコンゴムの粒子２００の密度は、カバー層２０ａ，２１ａの断面積の０．２（％）以上とするのが好ましい。また、シリコンゴムの粒子２００の密度をカバー層２０ａ，２１ａの断面積の０．５（％）以上とすると、さらに好ましい。

【0042】

また、カバー層２０ａ，２１ａにおけるシリコンゴムの粒子２００の密度が高すぎると、高温の環境下において、セラミックとシリコンゴム成分の線膨張係数の差分に起因する応力によりカバー層２０ａ，２１ａ自体にクラックが発生するおそれがあるため、密度は、カバー層２０ａ，２１ａの断面積の５．０（％）以下とするのが好ましい。また、シリコンゴムの粒子２００同士の間隔を十分に広く確保するためには、シリコンゴムの粒子２００の密度をカバー層２０ａ，２１ａの断面積の２．０（％）以下とすると、より好ましい。

【0043】

また、カバー層２０ａ，２１ａにおけるシリコンゴムの粒子２００の径が小さすぎると、十分な弾性力を発揮することができないおそれがある。このため、シリコンゴムの粒子２００の径は０．５（μｍ）以上とするのが好ましい。また、高温時のシリコンゴムの変質を抑制するため、シリコンゴムの粒子２００の径を１．０（μｍ）以上とすると、より好ましい。

【0044】

また、カバー層２０ａ，２１ａにおけるシリコンゴムの粒子２００の径が大きすぎると、カバー層２０ａ,２１ａの厚み方向や幅方向に対して存在できるシリコンゴムの粒子２００の数が限られてしまう。その結果、弾性力のある部分とセラミックの塑性部分とが偏在してしまい、十分な弾性効果が得られないため、径は６．０（μｍ）以下とするのが好ましい。また、高温時のセラミック成分とゴム成分との線膨張係数差に起因する応力によるクラック抑制の観点から、シリコンゴムの粒子２００の径を３．０（μｍ）以下とすると、より好ましい。

【0045】

また、カバー層２０ａ，２１ａの主成分は、誘電体層２２の主成分と共通であるため、カバー層２０ａ、２１ａと誘電体層２２及び内部電極層２３との線膨張係数差が小さくなり、高温時の剥離を抑制する効果が得られる。ここで、カバー層２０ａ，２１ａの主成分の添加材料と、誘電体層２２の主成分の添加材料とは同一であってもよいし、相違してもよい。なお、誘電体層２２の主成分は、上述した通りである。

【0046】

また、サイドマージン部４０，４１も、カバー層２０ａ，２１ａと同様に、誘電体層２２の主成分と共通の主成分と、シリコンゴムの粒子と、を含んでもよい。この場合、積層セラミックコンデンサ１にサイドマージン部４０，４１の方向から衝撃が加わったとき、サイドマージン部４０、４１が衝撃を緩和し、誘電体層２２の破損を抑制する効果が得られる。ここで、サイドマージン部４０，４１の主成分の添加材料と、誘電体層２２の主成分の添加材料とは同一であってもよいし、相違してもよい。

【0047】

（第３実施形態）
図５は、第３実施形態の積層セラミックコンデンサ１ｂの長さ方向における断面図である。図６は、第３実施形態の積層セラミックコンデンサ１ｂの幅方向における断面図である。図５は図１のＡ－Ａ線に沿った断面を示し、図６は図１のＢ－Ｂ線に沿った断面を示す。なお、図５及び図６において、図２及び図３と共通する構成には同一の符号を付し、その説明は省略する。

【0048】

積層セラミックコンデンサ１ｂにおいて、カバー層２０，２１は第１実施形態と同様であるが、誘電体層２２及び内部電極層２３の積層数は上記の積層セラミックコンデンサ１，１ａよりも多い。これに伴い、積層セラミックコンデンサ１ｂの高さＨは、例えば、積層セラミックコンデンサ１ｂの幅Ｗの１．１～１．５倍である。積層セラミックコンデンサ１ｂの高さＨは、好ましくは、積層セラミックコンデンサ１ｂの幅Ｗの１．２倍、さらに好ましくは１．３倍である。

【0049】

積層セラミックコンデンサ１ｂの製造工程において、誘電体層２２、内部電極層２３、及びカバー層２０，２１の圧着時、積層部２ｓの層数が多いほど、大きな圧力が各層に加わるため、カバー層２０，２１に大きな応力が生ずる。しかし、カバー層２０，２１はシリコンゴムを含むため、上述したように、弾性力により応力を効果的に緩和することができる。

【0050】

また、圧着時、カバー層２０，２１の一方に応力が集中するため、積層セラミックコンデンサ１ｂの完成後、カバー層２０，２１の密度が相違する。このため、積層セラミックコンデンサ１ｂのリフロー時、カバー層２０，２１に作用するモーメントの大きさが相違することにより積層セラミックコンデンサ１ｂが倒れるおそれがある。しかし、カバー層２０，２１のシリコンゴムの弾性力により転倒を効果的に抑制することができる。

【0051】

このように、積層セラミックコンデンサ１ｂは、積層方向における寸法が幅方向における寸法より大きいため、カバー層２０，２１の弾性力が、積層方向における寸法が幅方向における寸法以下である低背型の積層セラミックコンデンサよりも効果的に発揮される。

【0052】

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
図７は、積層セラミックコンデンサ１の製造工程の一例を示すフローチャートである。本製造工程は積層セラミック電子部品の製造方法の一例である。

【0053】

また、図８は、グリーンシート成形工程Ｓｔ１、内部電極印刷工程Ｓｔ２、及び積層・圧着工程Ｓｔ４の一例を示す断面図である。図８は、積層方向及び幅方向に沿った断面を示す。

【0054】

（グリーンシート成形工程）
まずグリーンシート成形工程Ｓｔ１が行われる。本工程では、例えばセラミック粉末に各種の添加化合物（焼結補助剤など）を添加することで得た誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に誘電体グリーンシート７を塗工して乾燥させる。基材は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムである。

【0055】

なお、セラミック粉末の添加化合物としては、Ｍｇ（マグネシウム），Ｍｎ（マンガン），Ｖ（バナジウム），Ｃｒ（クロム），希土類元素(Ｙ（イットリウム）,Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユーロピウム），Ｇｄ（ガドリニウム），Ｔｂ（テルビウム），Ｄｙ（ジスプロシウム）,Ｈｏ（ホルミウム）,Ｅｒ(エルビウム)，Ｔｍ（ツリウム）およびＹｂ（イッテルビウム）)の酸化物、並びに、Ｃｏ（コバルト），Ｎｉ，Ｌｉ（リチウム），Ｂ（ホウ素），Ｎａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）およびＳｉ（シリコン）の酸化物もしくはガラスが用いられる。

【0056】

（内部電極印刷工程）
次に内部電極印刷工程Ｓｔ２が行われる。本工程は、セラミック粒子が添加された導電ペーストを複数の誘電体グリーンシート７にそれぞれ塗布することにより内部電極パターン６を印刷する。

【0057】

本工程では、基材上の誘電体グリーンシート７に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属の導電ペーストをグラビア印刷などにより印刷することで、内部電極層２３に対応する複数の内部電極パターン６を互いに離間させて成膜する。導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層２２の主成分セラミックと同じであることが好ましい。

【0058】

（カバー層形成工程）
次にカバー層形成工程Ｓｔ３が行われる。本工程では、カバー層２０，２１となる弾性体シートを形成する。第１実施形態の場合、例えばシリコンゴムからなる弾性体シートを所望の形状に切断してカバー層２０，２１を得ることができる。

【0059】

第２実施形態のカバー層２０ａ，２１ａを形成する場合、例えばセラミック粉末に各種の添加化合物（焼結補助剤など）を添加することで得た誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合してスラリーを得る。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に弾性体シートを塗工して乾燥させる。基材は、例えば、ＰＥＴフィルムである。

【0060】

次に、得られたスラリーを切断して個片化する。個片化したスラリーを２５０～５００℃のＮ_２雰囲気中で脱バインダ処理した後に、酸素分圧０．００３（Ｐａ）の還元雰囲気中で１２００℃以上の焼成温度で１時間程度焼成する。その後、液状ゴム中に浸漬させ、内部にゴムを含侵させた後、ゴムを硬化する。これにより、主成分が誘電体層２２と共通であり、シリコンゴムの粒子を含むカバー層２０，２１が得られる。

【0061】

（積層工程）
次に積層・圧着工程Ｓｔ４が行われる。本工程では、内部電極層２３となる内部電極パターン６が印刷された誘電体グリーンシート７を積層して圧着することにより積層シート７Ｓを形成する。積層シート７Ｓを加圧することにより複数の誘電体グリーンシート７間を圧着する。圧着手段としては、例えば静水圧プレスが挙げられるが、これに限定されない。

【0062】

（切断工程）
次に切断工程Ｓｔ５が行われる。本工程は、圧着で得られた積層シート７Ｓを略直方体形状の複数個の積層体に分断する工程の一例である。本工程では、ブレードにより積層シート７Ｓを所定のカット線ＬＷに沿って積層方向に切断することにより焼成前の複数の積層体が得られる。

【0063】

（焼成工程）
次に焼成工程Ｓｔ６が行われる。本工程は、積層体を焼成する工程の一例である。本工程では、積層体を、２５０～５００℃のＮ２雰囲気中で脱バインダ処理した後に、酸素分圧０．００３（Ｐａ）の還元雰囲気中で１２００℃以上の焼成温度で１時間程度焼成することで、積層体内の各粒子が焼結する。

【0064】

（カバー層接合工程）
次にカバー層接合工程Ｓｔ７が行われる。積層体の積層方向の両端面にカバー層２０，２１が接合される。カバー層２０，２１は例えば接着剤を用いて接合されてもよい。これにより積層部２ｓが得られる。

【0065】

（サイドマージン接合工程）
次にサイドマージン接合工程Ｓｔ８が行われる。本工程では、図３に示される一対のサイドマージン部４０，４１を積層部２ｓの互いに対向する一対の側面２Ｅ，２Ｆに形成する。一対のサイドマージン部４０，４１は、カバー層２０，２１と同様に、シリコンゴムで形成されたシート、または主成分が誘電体層２２と共通であり、シリコンゴムの粒子を含むシートから形成され、このシートを、例えば接着剤などにより側面２Ｅ，２Ｆに接合する。

【0066】

（外部電極形成工程）
次に外部電極形成工程Ｓｔ９が行われる。本工程では、例えばスパッタリング法を用いて積層チップ２の各端面２Ａ，２Ｂ、上面２Ｃ、下面２Ｄ、及び各側面２Ｅ，２Ｆに外部電極３ａ，３ｂを形成する。

【0067】

このようにして積層セラミックコンデンサ１は製造される。なお、外部電極３ａ，３ｂにＣｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等のメッキ膜が形成されてもよい。

【0068】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0069】

１，１ａ，１ｂ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層チップ
２ｓ 積層部
３ａ，３ｂ 外部電極
２０，２０ａ，２１，２１ａ カバー層
２２ 誘電体層
２３ 内部電極層
４０，４１ サイドマージン部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】