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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024044762
(43)【公開日】2024-04-02
(54)【発明の名称】表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05B 33/10 20060101AFI20240326BHJP
H10K 50/10 20230101ALI20240326BHJP
H05B 33/26 20060101ALI20240326BHJP
H05B 33/28 20060101ALI20240326BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240326BHJP
H05B 33/22 20060101ALI20240326BHJP
H05B 33/02 20060101ALI20240326BHJP
H05B 33/04 20060101ALI20240326BHJP
H10K 50/16 20230101ALI20240326BHJP
H10K 50/15 20230101ALI20240326BHJP
H10K 59/10 20230101ALI20240326BHJP
C23C 14/12 20060101ALI20240326BHJP
C23C 14/24 20060101ALI20240326BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240326BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240326BHJP
【ＦＩ】
H05B33/10
H05B33/14 A
H05B33/26 Z
H05B33/28
H05B33/12 B
H05B33/22 Z
H05B33/02
H05B33/04
H05B33/22 B
H05B33/22 D
H01L27/32
C23C14/12
C23C14/24 U
G09F9/00 338
G09F9/30 365
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022150502
(22)【出願日】2022-09-21
(71)【出願人】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110001737
【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】水越 寛文
(72)【発明者】
【氏名】竹中 貴史
(72)【発明者】
【氏名】高山 健
(72)【発明者】
【氏名】福田 加一
【テーマコード（参考）】
3K107
4K029
5C094
5G435
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB08
3K107CC05
3K107CC23
3K107CC45
3K107DD22
3K107DD28
3K107DD72
3K107DD75
3K107DD89
3K107EE21
3K107EE48
3K107EE49
3K107EE50
3K107FF15
3K107GG04
3K107GG12
3K107GG28
3K107GG32
3K107GG42
4K029BA62
4K029CA01
4K029DA03
4K029DB06
4K029EA01
5C094AA42
5C094BA03
5C094BA27
5C094CA19
5C094FB01
5C094GB01
5C094HA05
5C094HA08
5G435AA17
5G435BB05
5G435CC09
5G435HH01
5G435HH20
5G435KK05
5G435KK10
5G435LL04
5G435LL07
5G435LL08
5G435LL17
(57)【要約】
【課題】生産効率の低下を抑制する。
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する。
【選択図】図１５
【解決手段】一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する。
【選択図】図１５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、
前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、
前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する、表示装置の製造方法。
前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に上電極を形成し、
前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、
前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、
前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する、表示装置の製造方法。
【請求項2】
前記第２有機材料は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、及び、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの少なくとも１つである、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項3】
前記複数の水晶振動子のすべてに前記第２有機材料を蒸着した後に、前記蒸着源を挟んで前記膜厚測定器とは反対側の搬送経路に沿って、前記第１透明層を形成した前記処理基板を搬送する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項4】
少なくとも１つの水晶振動子が前記第２ノズルに対向した状態で、前記第１ノズルと対向するように前記処理基板を搬送し、前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子の周波数に基づいて前記処理基板に蒸着した前記第２有機材料の厚さを測定する、請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項5】
前記複数の水晶振動子は、円板状に形成されたホルダの上において円周方向に並び、
前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子に所定の厚さの前記第２有機材料を蒸着した後に、前記ホルダが回転し、他の前記水晶振動子が前記第２ノズルに対向する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子に所定の厚さの前記第２有機材料を蒸着した後に、前記ホルダが回転し、他の前記水晶振動子が前記第２ノズルに対向する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記隔壁の前記上部の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層は、前記開口において前記下電極の直上に形成された前記有機層、前記上電極、前記第１透明層、及び、前記第２透明層から離間している、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
さらに、前記第２透明層を形成した後に、前記第２透明層の屈折率よりも高い屈折率を有する無機材料で封止層を形成し、
前記封止層は、前記隔壁の上の前記第２透明層を覆うとともに前記下電極の直上の前記第２透明層を覆い、且つ、前記隔壁に接している、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
前記封止層は、前記隔壁の上の前記第２透明層を覆うとともに前記下電極の直上の前記第２透明層を覆い、且つ、前記隔壁に接している、請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項8】
さらに、前記封止層を形成した後に、前記封止層の上にパターニングしたレジストを形成し、
前記レジストから露出した前記封止層、前記第２透明層、前記第１透明層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記レジストから露出した前記封止層、前記第２透明層、前記第１透明層、前記上電極、及び、前記有機層を順次エッチングにより除去する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記有機層を形成する工程は、
前記下電極の上に正孔注入層を形成し、
前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成し、
前記正孔輸送層の上に電子ブロック層を形成し、
前記電子ブロック層の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に正孔ブロック層を形成し、
前記正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成し、
前記上電極は、前記電子注入層の上に形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
前記下電極の上に正孔注入層を形成し、
前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成し、
前記正孔輸送層の上に電子ブロック層を形成し、
前記電子ブロック層の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に正孔ブロック層を形成し、
前記正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成し、
前記上電極は、前記電子注入層の上に形成する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項10】
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、
前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、
前記上電極の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層を形成する第３蒸着部と、
前記第１透明層の上に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、
前記第４蒸着部は、
前記第２有機材料を放射する第１ノズル及び第２ノズルを有する蒸着源と、
複数の水晶振動子を含む膜厚測定器と、を備え、
前記第１ノズルは、前記第１透明層が形成された前記処理基板の搬送経路に対向し、
前記第２ノズルは、前記膜厚測定器に対向し、
前記第４蒸着部は、前記第２透明層を形成する前に前記第１ノズル及び前記第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着し、前記複数の水晶振動子のすべてに前記第２有機材料を蒸着した後に前記搬送経路に沿って前記処理基板を搬送するように構成されている、表示装置の製造装置。
前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、
前記上電極の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層を形成する第３蒸着部と、
前記第１透明層の上に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、
前記第４蒸着部は、
前記第２有機材料を放射する第１ノズル及び第２ノズルを有する蒸着源と、
複数の水晶振動子を含む膜厚測定器と、を備え、
前記第１ノズルは、前記第１透明層が形成された前記処理基板の搬送経路に対向し、
前記第２ノズルは、前記膜厚測定器に対向し、
前記第４蒸着部は、前記第２透明層を形成する前に前記第１ノズル及び前記第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着し、前記複数の水晶振動子のすべてに前記第２有機材料を蒸着した後に前記搬送経路に沿って前記処理基板を搬送するように構成されている、表示装置の製造装置。
【請求項11】
前記第２有機材料は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、及び、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの少なくとも１つである、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
【請求項12】
前記処理基板の前記搬送経路は、前記蒸着源を挟んで前記膜厚測定器とは反対側に設けられている、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
【請求項13】
前記膜厚測定器は、前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子の周波数に基づいて前記処理基板に蒸着した前記第２有機材料の厚さを測定するように構成されている、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
【請求項14】
前記複数の水晶振動子は、円板状に形成されたホルダの上において円周方向に並び、
前記ホルダは、前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子に所定の厚さの前記第２有機材料を蒸着した後に回転するように構成され、他の前記水晶振動子が前記第２ノズルに対向する、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
前記ホルダは、前記第２ノズルに対向した前記水晶振動子に所定の厚さの前記第２有機材料を蒸着した後に回転するように構成され、他の前記水晶振動子が前記第２ノズルに対向する、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
【請求項15】
前記第１蒸着部は、
前記下電極の上に正孔注入層を形成する蒸着部と、
前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成する蒸着部と、
前記正孔輸送層の上に電子ブロック層を形成する蒸着部と、
前記電子ブロック層の上に発光層を形成する蒸着部と、
前記発光層の上に正孔ブロック層を形成する蒸着部と、
前記正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成する蒸着部と、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成する蒸着部と、を備え、
前記第２蒸着部は、前記電子注入層の上に前記上電極を形成するように構成されている、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
前記下電極の上に正孔注入層を形成する蒸着部と、
前記正孔注入層の上に正孔輸送層を形成する蒸着部と、
前記正孔輸送層の上に電子ブロック層を形成する蒸着部と、
前記電子ブロック層の上に発光層を形成する蒸着部と、
前記発光層の上に正孔ブロック層を形成する蒸着部と、
前記正孔ブロック層の上に電子輸送層を形成する蒸着部と、
前記電子輸送層の上に電子注入層を形成する蒸着部と、を備え、
前記第２蒸着部は、前記電子注入層の上に前記上電極を形成するように構成されている、請求項１０に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、薄膜トランジスタを含む画素回路と、画素回路に接続された下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極と、を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。
このような表示素子を形成するための製造装置において、生産効率の低下を抑制することが要求されている。
このような表示素子を形成するための製造装置において、生産効率の低下を抑制することが要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報
【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報
【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報
【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報
【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報
【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号
【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書
【特許文献8】特開２０１６－１８１４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明の目的は、生産効率の低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一実施形態によれば、表示装置の製造方法は、
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する。
基板の上方に下電極を形成し、前記下電極と重なる開口を有するリブを形成し、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁を形成した処理基板を用意し、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成し、前記有機層の上に上電極を形成し、前記上電極を形成した前記処理基板に第１有機材料を蒸着して、前記上電極の上に第１透明層を形成し、前記第１透明層を形成した前記処理基板に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、前記第１透明層の上に第２透明層を形成し、前記第２透明層を形成する前に蒸着源の第１ノズル及び第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記第２ノズルに対向する膜厚測定器に含まれる複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着する。
【0006】
一実施形態によれば、表示装置の製造装置は、
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、前記上電極の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層を形成する第３蒸着部と、前記第１透明層の上に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、前記第４蒸着部は、前記第２有機材料を放射する第１ノズル及び第２ノズルを有する蒸着源と、複数の水晶振動子を含む膜厚測定器と、を備え、前記第１ノズルは、前記第１透明層が形成された前記処理基板の搬送経路に対向し、前記第２ノズルは、前記膜厚測定器に対向し、前記第４蒸着部は、前記第２透明層を形成する前に前記第１ノズル及び前記第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着し、前記複数の水晶振動子のすべてに前記第２有機材料を蒸着した後に前記搬送経路に沿って前記処理基板を搬送するように構成されている。
基板の上方に位置する下電極と、前記下電極と重なる開口を有するリブと、前記リブの上に位置する下部及び前記下部の上に位置し前記下部の側面から突出した上部を含む隔壁と、を備えた処理基板を搬送しながら、前記開口において前記下電極の上に有機層を形成する第１蒸着部と、前記有機層の上に上電極を形成する第２蒸着部と、前記上電極の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層を形成する第３蒸着部と、前記第１透明層の上に、前記第１有機材料の屈折率よりも低い屈折率を有する第２有機材料を蒸着して、第２透明層を形成する第４蒸着部と、を備え、前記第４蒸着部は、前記第２有機材料を放射する第１ノズル及び第２ノズルを有する蒸着源と、複数の水晶振動子を含む膜厚測定器と、を備え、前記第１ノズルは、前記第１透明層が形成された前記処理基板の搬送経路に対向し、前記第２ノズルは、前記膜厚測定器に対向し、前記第４蒸着部は、前記第２透明層を形成する前に前記第１ノズル及び前記第２ノズルから前記第２有機材料を放射し、前記複数の水晶振動子にそれぞれ前記第２有機材料を蒸着し、前記複数の水晶振動子のすべてに前記第２有機材料を蒸着した後に前記搬送経路に沿って前記処理基板を搬送するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【0009】
なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向と称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。
【0010】
本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。
【0011】
図１は、表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡと、を有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
【0012】
本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。
【0013】
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰ１、第２色の副画素ＳＰ２、及び、第３色の副画素ＳＰ３を含む。第１色、第２色、及び、第３色は、互いに異なる色である。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。
【0014】
副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
【0015】
画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０のアノードに接続されている。
【0016】
なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えてもよい。
【0017】
表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であり、有機ＥＬ素子と称する場合がある。
【0018】
周辺領域ＳＡには、詳述しないが、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板を接続するための端子が設けられている。
【0019】
図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
図２の例においては、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１と第１方向Ｘに並んでいる。
【0020】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。
【0021】
なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。
【0022】
表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。
【0023】
隔壁６は、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙと、を有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ２，ＡＰ３の間、及び、第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ１の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。
【0024】
図２の例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、互いに接続されている。これにより、隔壁６は、全体として開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状に形成されている。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。
【0025】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、表示素子２０として、それぞれ表示素子２０１，２０２，２０３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。
【0026】
図２の例においては、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の外形は点線で示し、有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３、及び、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の外形は一点鎖線で示している。下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３のそれぞれの周縁部は、リブ５に重なっている。なお、図示した下電極、有機層、上電極のそれぞれの外形は、正確な形状を反映したものとは限らない。
【0027】
下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１、及び、有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２、及び、有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３、及び、有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を構成する。
【0028】
下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３は、例えば、表示素子のアノードに相当する。上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３は、表示素子のカソード、あるいは、共通電極に相当する。
【0029】
下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。
【0030】
図２の例においては、開口ＡＰ１の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ３の面積よりも大きい。換言すると、開口ＡＰ１から露出した下電極ＬＥ１の面積は開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積よりも大きく、開口ＡＰ２から露出した下電極ＬＥ２の面積は開口ＡＰ３から露出した下電極ＬＥ３の面積よりも大きい。
【0031】
例えば、副画素ＳＰ１の表示素子２０１は、青波長域の光を放つように構成される。また、副画素ＳＰ２の表示素子２０２は、緑波長域の光を放つように構成され、また、副画素ＳＰ３の表示素子２０３は、赤波長域の光を放つように構成される。
【0032】
図３は、図２中のＡ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路や、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１などの各種回路や、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、電源線ＰＬなどの各種配線を含む。回路層１１は、絶縁層１２により覆われている。絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。
【0033】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１２及び下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。つまり、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、絶縁層１２とリブ５との間に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち、互いに隣接する下電極の間では、絶縁層１２がリブ５により覆われている。
【0034】
隔壁６は、リブ５の上に配置された下部（茎）６１と、下部６１の上に配置された上部（笠）６２と、を含む。図の左側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ１と開口ＡＰ２との間に位置している。図の右側に示した隔壁６の下部６１は、開口ＡＰ２と開口ＡＰ３との間に位置している。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。上部６２のうち、下部６１よりも開口ＡＰ１に向かって突出した部分は突出部６２１と称し、下部６１よりも開口ＡＰ２に向かって突出した部分は突出部６２２と称し、下部６１よりも開口ＡＰ３に向かって突出した部分は突出部６２３と称する。
【0035】
有機層ＯＲ１は、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触し、下電極ＬＥ１を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１と対向するとともに、有機層ＯＲ１の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ１は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ１及び上電極ＵＥ１は、上部６２よりも下方に位置している。
【0036】
有機層ＯＲ２は、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触し、下電極ＬＥ２を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ２は、下電極ＬＥ２と対向するとともに、有機層ＯＲ２の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ２は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ２及び上電極ＵＥ２は、上部６２よりも下方に位置している。
【0037】
有機層ＯＲ３は、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触し、下電極ＬＥ３を覆うとともに、リブ５の一部に重なっている。上電極ＵＥ３は、下電極ＬＥ３と対向するとともに、有機層ＯＲ３の上に配置されている。さらに、上電極ＵＥ３は、下部６１の側面に接触している。有機層ＯＲ３及び上電極ＵＥ３は、上部６２よりも下方に位置している。
【0038】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３は、さらに、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層（光学調整層）ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３を含む。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
キャップ層ＣＰ１は、開口ＡＰ１に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ１の上に配置されている。キャップ層ＣＰ２は、開口ＡＰ２に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ２の上に配置されている。キャップ層ＣＰ３は、開口ＡＰ３に位置し、上部６２よりも下方に位置し、上電極ＵＥ３の上に配置されている。
【0039】
副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がそれぞれ配置されている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３、及び、隔壁６の下部６１及び上部６２に接し、副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、保護層１３により覆われている。
【0040】
図示した例では、有機層ＯＲ１の一部、上電極ＵＥ１の一部、及び、キャップ層ＣＰ１の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ１との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ２の一部、上電極ＵＥ２の一部、及び、キャップ層ＣＰ２の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ２との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
また、有機層ＯＲ３の一部、上電極ＵＥ３の一部、及び、キャップ層ＣＰ３の一部は、隔壁６と封止層ＳＥ３との間に位置し、上部６２の上に配置され、上部６２よりも下方に位置する部分とは離間している。
【0041】
絶縁層１２は、有機絶縁層である。リブ５、及び、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁層である。
【0042】
リブ５は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、リブ５は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、リブ５は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、例えば、同一の無機絶縁材料で形成されている。
封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、無機絶縁材料の一例であるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されている。なお、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、他の無機絶縁材料として、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、または、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のいずれかの単層体として形成されてもよい。また、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物層、シリコン酸化物層、シリコン酸窒化物層、及び、酸化アルミニウム層のうちの少なくとも２つの組合せによる積層体として形成されてもよい。このため、封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、リブ５と同一材料で形成される場合があり得る。
【0043】
隔壁６の下部６１は、導電材料によって形成され、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３と電気的に接続されている。隔壁６の下部６１及び上部６２がいずれも導電材料によって形成されてもよい。
【0044】
リブ５の厚さは、隔壁６や絶縁層１２の厚さに比べて十分に小さい。一例では、リブ５の厚さは、２００ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
隔壁６の下部６１の厚さ（リブ５の上面から上部６２の下面までの厚さ）は、リブ５の厚さより大きい。
封止層ＳＥ１の厚さ、封止層ＳＥ２の厚さ、及び、封止層ＳＥ３の厚さは、ほぼ同等であり、例えば、１μｍ程度である。
【0045】
下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）などの金属材料と透明導電材料との積層構造を有してもよい。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウム及び銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、ＩＴＯなどの透明導電材料で形成されてもよい。
【0046】
有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の各々は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層を含む。また、有機層ＯＲ１は、発光層ＥＭ１を含む。有機層ＯＲ２は、発光層ＥＭ２を含む。発光層ＥＭ２は、発光層ＥＭ１とは異なる材料で形成されている。有機層ＯＲ３は、発光層ＥＭ３を含む。発光層ＥＭ３は、発光層ＥＭ１及びＥＭ２とは異なる材料で形成されている。
【0047】
発光層ＥＭ１を形成する材料、発光層ＥＭ２を形成する材料、及び、発光層ＥＭ３を形成する材料は、互いに異なる波長域の光を放つ材料である。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
一例では、発光層ＥＭ１は、青波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ２は、緑波長域の光を放つ材料によって形成され、発光層ＥＭ３は、赤波長域の光を放つ材料によって形成されている。
【0048】
キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、例えば、透明な薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、薄膜として、有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３の材料とは異なり、また、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の材料とも異なる。
【0049】
保護層１３は、透明な薄膜の多層体によって形成され、例えば、薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでいる。
【0050】
隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。
【0051】
下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１のうちの発光層ＥＭ１が青波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２のうちの発光層ＥＭ２が緑波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３のうちの発光層ＥＭ３が赤波長域の光を放つ。
【0052】
図４は、表示素子２０１乃至２０３の構成の一例を示す図である。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
なお、ここでは、下電極がアノードに相当し、上電極がカソードに相当する場合を例について説明する。
【0053】
表示素子２０１は、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に有機層ＯＲ１を含む。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
有機層ＯＲ１において、正孔注入層ＨＩＬ１、正孔輸送層ＨＴＬ１、電子ブロック層ＥＢＬ１、発光層ＥＭ１、正孔ブロック層ＨＢＬ１、電子輸送層ＥＴＬ１、及び、電子注入層ＥＩＬ１は、この順に積層されている。
キャップ層ＣＰ１は、第１透明層ＴＬ１１及び第２透明層ＴＬ１２を含む。第１透明層ＴＬ１１は、上電極ＵＥ１の上に配置されている。第２透明層ＴＬ１２は、第１透明層ＴＬ１１の上に配置されている。封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２の上に配置されている。
【0054】
表示素子２０２は、下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に有機層ＯＲ２を含む。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
有機層ＯＲ２において、正孔注入層ＨＩＬ２、正孔輸送層ＨＴＬ２、電子ブロック層ＥＢＬ２、発光層ＥＭ２、正孔ブロック層ＨＢＬ２、電子輸送層ＥＴＬ２、及び、電子注入層ＥＩＬ２は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２は、正孔輸送層ＨＴＬ１の厚さＴ１より大きい。
キャップ層ＣＰ２は、第１透明層ＴＬ２１及び第２透明層ＴＬ２２を含む。第１透明層ＴＬ２１は、上電極ＵＥ２の上に配置されている。第２透明層ＴＬ２２は、第１透明層ＴＬ２１の上に配置されている。封止層ＳＥ２は、第２透明層ＴＬ２２の上に配置されている。
【0055】
表示素子２０３は、下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に有機層ＯＲ３を含む。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
有機層ＯＲ３において、正孔注入層ＨＩＬ３、正孔輸送層ＨＴＬ３、電子ブロック層ＥＢＬ３、発光層ＥＭ３、正孔ブロック層ＨＢＬ３、電子輸送層ＥＴＬ３、及び、電子注入層ＥＩＬ３は、この順に積層されている。一例では、正孔輸送層ＨＴＬ３の厚さＴ３は、正孔輸送層ＨＴＬ２の厚さＴ２より大きい。
キャップ層ＣＰ３は、第１透明層ＴＬ３１及び第２透明層ＴＬ３２を含む。第１透明層ＴＬ３１は、上電極ＵＥ３の上に配置されている。第２透明層ＴＬ３２は、第１透明層ＴＬ３１の上に配置されている。封止層ＳＥ３は、第２透明層ＴＬ３２の上に配置されている。
【0056】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、第１有機材料によって形成された透明な有機層であり、また、上電極ＵＥ１、ＵＥ２、ＵＥ３よりも大きい屈折率を有する高屈折率層である。一例では、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１の屈折率は、１．７以上であり、２．０以下である。
【0057】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、第２有機材料によって形成された透明な有機層であり、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１よりも小さい屈折率を有する低屈折率層である。一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の屈折率は、１．３以上であり、１．６以下である。
【0058】
なお、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２に接する封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の屈折率よりも大きい。一例では、封止層ＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３の屈折率は、１．７以上であり、２．０以下である。
【0059】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２を形成するため第２有機材料としては、主鎖が炭素によって構成され、置換基にフッ素を含むフッ素系樹脂が好適である。一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、及び、２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの少なくとも１つの第２有機材料で形成することができる。ポリテトラフルオロエチレンの屈折率は、１．３５である。ポリフッ化ビニリデンの屈折率は、１．４２である。２－（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレートの屈折率は、１．３５である。
【0060】
これらの第２有機材料を適用した第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、蒸着法により形成することができる。このような第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の厚さは、例えば、２０ｎｍ～５００ｎｍである。
【0061】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１は、互いに離間しており、それぞれ個別に形成される。このため、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１のすべてが同一材料で形成される場合があり得るし、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１のうちの１つの透明層が他の２つの透明層とは異なる材料で形成される場合があり得るし、第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１のすべてが互いに異なる材料で形成される場合があり得る。
【0062】
第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２は、互いに離間しており、それぞれ個別に形成される。このため、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２のすべてが同一材料で形成される場合があり得るし、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２のうちの１つの透明層が他の２つの透明層とは異なる材料で形成される場合があり得るし、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２のすべてが互いに異なる材料で形成される場合があり得る。
【0063】
第１透明層ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
また、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
また、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さは、すべてが同一である場合があり得るし、互いに異なる場合があり得る。
【0064】
一例では、第２透明層ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２の各々の厚さはすべて同一であり、青用の表示素子２０１における第１透明層ＴＬ１１の厚さは、赤用の表示素子２０３における第１透明層ＴＬ３１の厚さより小さい。
そして、表示素子２０１においては、第２透明層ＴＬ１２の厚さは第１透明層ＴＬ１１の厚さより大きい。また、表示素子２０３においては、第１透明層ＴＬ３１の厚さは第２透明層ＴＬ３２の厚さより小さい。
そして、表示素子２０１においては、第２透明層ＴＬ１２の厚さは第１透明層ＴＬ１１の厚さより大きい。また、表示素子２０３においては、第１透明層ＴＬ３１の厚さは第２透明層ＴＬ３２の厚さより小さい。
【0065】
キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての層構成が同一である場合があり得るし、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のうちの１つキャップ層の層構成が他の２つのキャップ層の層構成とは異なる場合があり得るし、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３のすべての層構成が互いに異なる場合もあり得る。
また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
また、キャップ層ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３は、３層以上の積層体であってもよい。
【0066】
有機層ＯＲ１、ＯＲ２、ＯＲ３は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。
【0067】
正孔輸送層ＨＴＬ１、ＨＴＬ２、ＨＴＬ３の各々は、一例では、図中に点線で示すように、互いに異なる材料で形成した２つの薄膜の多層体であるが、単一材料で形成した単層体であってもよい。
【0068】
表示素子２０１乃至２０３は、図示したようなシングル構成に限らず、タンデム構成であってもよい。
【0069】
次に、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について説明する。
【0070】
図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を説明するためのフロー図である。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
ここに示す製造方法は、大別して、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３を有する処理基板ＳＵＢを用意する工程（ステップＳＴ１）と、副画素ＳＰ１の表示素子２０１を形成する工程（ステップＳＴ２）と、副画素ＳＰ２の表示素子２０２を形成する工程（ステップＳＴ３）と、副画素ＳＰ３の表示素子２０３を形成する工程（ステップＳＴ４）と、を含む。
【0071】
ステップＳＴ１においては、まず、基板１０の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３、リブ５、及び、隔壁６を形成した処理基板ＳＵＢを用意する。図３に示したように、基板１０と下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３との間には、回路層１１及び絶縁層１２も形成される。
【0072】
ステップＳＴ２においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ１を含む第１薄膜３１を形成する（ステップＳＴ２１）。第１薄膜３１は、図３に示した有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１の積層体である。その後、第１薄膜３１の上に所定の形状にパターニングされた第１レジスト４１を形成する（ステップＳＴ２２）。その後、第１レジスト４１をマスクとしたエッチングにより第１薄膜３１の一部を除去する（ステップＳＴ２３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３に配置された第１薄膜３１が除去される。その後、第１レジスト４１を除去する（ステップＳＴ２４）。これにより、副画素ＳＰ１が形成される。副画素ＳＰ１は、所定の形状の第１薄膜３１を有する表示素子２０１を備える。
【0073】
ステップＳＴ３においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ２を含む第２薄膜３２を形成する（ステップＳＴ３１）。第２薄膜３２は、図３に示した有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２、及び、封止層ＳＥ２の積層体である。その後、第２薄膜３２の上に所定の形状にパターニングされた第２レジスト４２を形成する（ステップＳＴ３２）。その後、第２レジスト４２をマスクとしたエッチングにより第２薄膜３２の一部を除去する（ステップＳＴ３３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ３に配置された第２薄膜３２が除去される。その後、第２レジスト４２を除去する（ステップＳＴ３４）。これにより、副画素ＳＰ２が形成される。副画素ＳＰ２は、所定の形状の第２薄膜３２を有する表示素子２０２を備える。
【0074】
ステップＳＴ４においては、まず、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、発光層ＥＭ３を含む第３薄膜３３を形成する（ステップＳＴ４１）。第３薄膜３３は、図３に示した有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３、及び、封止層ＳＥ３の積層体である。その後、第３薄膜３３の上に所定の形状にパターニングされた第３レジスト４３を形成する（ステップＳＴ４２）。その後、第３レジスト４３をマスクとしたエッチングにより第３薄膜３３の一部を除去する（ステップＳＴ４３）。このとき、例えば、副画素ＳＰ１及び副画素ＳＰ２に配置された第３薄膜３３が除去される。その後、第３レジスト４３を除去する（ステップＳＴ４４）。これにより、副画素ＳＰ３が形成される。副画素ＳＰ３は、所定の形状の第３薄膜３３を有する表示素子２０３を備える。
【0075】
なお、第２薄膜３２、第２レジスト４２、第３薄膜３３、及び、第３レジスト４３の詳細な図示は省略する。
【0076】
【0077】
まず、ステップＳＴ１においては、図６に示すように、処理基板ＳＵＢを用意する。処理基板ＳＵＢを用意する工程は、基板１０の上に回路層１１を形成する工程と、回路層１１の上に絶縁層１２を形成する工程と、絶縁層１２の上に、副画素ＳＰ１の下電極ＬＥ１、副画素ＳＰ２の下電極ＬＥ２、副画素ＳＰ３の下電極ＬＥ３を形成する工程と、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の各々と重なる開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３を有するリブ５を形成する工程と、リブ５の上に配置された下部６１及び下部６１の上に配置され下部６１の側面から突出した上部６２を含む隔壁６を形成する工程と、を含む。リブ５は、例えばシリコン窒化物で形成する。隔壁６のうち、少なくとも下部６１は、導電材料で形成する。なお、図７乃至図１２の各図においては、絶縁層１２よりも下層の基板１０及び回路層１１の図示を省略する。
【0078】
続いて、ステップＳＴ２１においては、図７に示すように、副画素ＳＰ１、副画素ＳＰ２、及び、副画素ＳＰ３に亘って、第１薄膜３１を形成する。第１薄膜３１を形成する工程は、処理基板ＳＵＢの上に、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１を形成する工程と、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１を形成する工程と、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１の第１透明層ＴＬ１１を形成する工程と、第１透明層ＴＬ１１の上にキャップ層ＣＰ１の第２透明層ＴＬ１２を形成する工程と、第２透明層ＴＬ１２の上に封止層ＳＥ１を形成する工程と、を含む。つまり、図示した例では、第１薄膜３１は、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１、及び、封止層ＳＥ１を含む。
【0079】
有機層ＯＲ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の上にそれぞれ形成されるとともに、隔壁６の上にも形成されている。有機層ＯＲ１のうち、上部６２の上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の上に形成された部分から離間している。有機層ＯＲ１の発光層ＥＭ１及び各種機能層は、蒸着法により形成される。
【0080】
上電極ＵＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、有機層ＯＲ１の上にそれぞれ形成され、リブ５を覆い、隔壁６の下部６１に接している。また、上電極ＵＥ１は、上部６２の直上において、有機層ＯＲ１の上にも形成されている。上電極ＵＥ１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。上電極ＵＥ１は、蒸着法により、マグネシウム及び銀の合金で形成される。
【0081】
キャップ層ＣＰ１の第１透明層ＴＬ１１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、上電極ＵＥ１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、上電極ＵＥ１の上にも形成されている。第１透明層ＴＬ１１のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。第１透明層ＴＬ１１は、蒸着法により、第１有機材料で形成される。
【0082】
キャップ層ＣＰ１の第２透明層ＴＬ１２は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、第１透明層ＴＬ１１の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第１透明層ＴＬ１１の上にも形成されている。第２透明層ＴＬ１２のうち、上部６２の直上に形成された部分は、下電極ＬＥ１、ＬＥ２、ＬＥ３の直上に形成された部分から離間している。第２透明層ＴＬ１２は、蒸着法により、上記の第２有機材料で形成される。第２有機材料は、第１有機材料とは異なる材料である。また、第２有機材料の屈折率は、第１有機材料の屈折率より低い。
【0083】
封止層ＳＥ１は、第２透明層ＴＬ１２、及び、隔壁６を覆うように形成されている。つまり、封止層ＳＥ１は、下電極ＬＥ１、下電極ＬＥ２、及び、下電極ＬＥ３の直上において、第２透明層ＴＬ１２の上にそれぞれ形成されるとともに、上部６２の直上において、第２透明層ＴＬ１２の上にも形成されている。しかも、封止層ＳＥ１は、隔壁６の下部６１も接している。封止層ＳＥ１において、上部６２の直上に形成された部分は、各下電極の直上に形成された部分と繋がっている。封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ法により、シリコン窒化物で形成される。
【0084】
続いて、ステップＳＴ２２においては、図８に示すように、封止層ＳＥ１の上のパターニングした第１レジスト４１を形成する。第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１の第１薄膜３１を覆い、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を露出する。つまり、第１レジスト４１は、下電極ＬＥ１の直上に位置する封止層ＳＥ１に重なっている。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１から隔壁６の上方に延出している。副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６の直上において、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ１側（図の左側）に配置され、副画素ＳＰ２側（図の右側）では封止層ＳＥ１を露出している。また、第１レジスト４１は、副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３において、封止層ＳＥ１を露出している。
【0085】
その後、ステップＳＴ２３においては、図９乃至図１１に示すように、第１レジスト４１をマスクとしてエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した副画素ＳＰ２及び副画素ＳＰ３の第１薄膜３１を除去し、副画素ＳＰ１に第１薄膜３１が残留する。
【0086】
第１薄膜３１を除去する工程は、例えば、以下の通りである。
まず、図９に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。これにより、キャップ層ＣＰ１のうち、一部の第２透明層ＴＬ１２が封止層ＳＥ１から露出する。
まず、図９に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ドライエッチングを行い、第１レジスト４１から露出した封止層ＳＥ１を除去する。これにより、キャップ層ＣＰ１のうち、一部の第２透明層ＴＬ１２が封止層ＳＥ１から露出する。
【0087】
その後、図１０に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシング（酸素プラズマを照射するドライエッチング）を行い、封止層ＳＥ１から露出した第２透明層ＴＬ１２を除去する。
これに続いて、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシングを行い、第２透明層ＴＬ１２から露出した第１透明層ＴＬ１１を除去する。これにより、一部の上電極ＵＥ１がキャップ層ＣＰ１から露出する。
これに続いて、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシングを行い、第２透明層ＴＬ１２から露出した第１透明層ＴＬ１１を除去する。これにより、一部の上電極ＵＥ１がキャップ層ＣＰ１から露出する。
【0088】
その後、図１１に示すように、第１レジスト４１をマスクとして利用し、ウエットエッチングを行い、第１透明層ＴＬ１１から露出した上電極ＵＥ１を除去する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
その後、第１レジスト４１をマスクとして利用し、アッシングを行い、上電極ＵＥ１から露出した有機層ＯＲ１を除去する。
これにより、副画素ＳＰ２において下電極ＬＥ２が露出し、また、下電極ＬＥ２を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ３において下電極ＬＥ３が露出し、また、下電極ＬＥ３を囲むリブ５が露出する。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６において、副画素ＳＰ２側が露出する。また、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３との間の隔壁６が露出する。
【0089】
その後、ステップＳＴ２４においては、図１２に示すように、第１レジスト４１を除去する。これにより、副画素ＳＰ１の封止層ＳＥ１が露出する。これらのステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４を経て、副画素ＳＰ１において、表示素子２０１が形成される。表示素子２０１は、下電極ＬＥ１、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、第１透明層ＴＬ１１、及び、第２透明層ＴＬ１２によって構成される。また、表示素子２０１は、封止層ＳＥ１によって覆われている。
【0090】
副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２との間の隔壁６の上には、発光層ＥＭ１を含む有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、第１透明層ＴＬ１１、第２透明層ＴＬ１２、及び、封止層ＳＥ１の積層体が形成される。隔壁６の上の積層体は、表示素子２０１を構成する有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、第１透明層ＴＬ１１、第２透明層ＴＬ１２、及び、封止層ＳＥ１からそれぞれ離間している。また、隔壁６のうち、副画素ＳＰ１の側の部分は、封止層ＳＥ１で覆われる。なお、図１２に示した隔壁６上の積層体は、完全に除去される場合があり得る。
【0091】
図５に示したステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４は、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ３１乃至ＳＴ３４を経て、図３に示した副画素ＳＰ２において、表示素子２０２が形成される。表示素子２０２は、下電極ＬＥ２、発光層ＥＭ２を含む有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、第１透明層ＴＬ２１、及び、第２透明層ＴＬ２２によって構成される。また、表示素子２０２は、封止層ＳＥ２によって覆われている。
【0092】
図５に示したステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４も、上記のステップＳＴ２１乃至ＳＴ２４と同様である。これらのステップＳＴ４１乃至ＳＴ４４を経て、図３に示した副画素ＳＰ３において、表示素子２０３が形成される。表示素子２０３は、下電極ＬＥ３、発光層ＥＭ３を含む有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、第１透明層ＴＬ３１、及び、第２透明層ＴＬ３２によって構成される。また、表示素子２０３は、封止層ＳＥ３によって覆われている。
【0093】
本実施形態によれば、表示素子２０１乃至２０３の各々は、光学調整層として機能するキャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３をそれぞれ備えている。このため、発光層ＥＭ１乃至ＥＭ３でそれぞれ放射された光は、キャップ層ＣＰ１乃至ＣＰ３を構成する第１透明層と第２透明層との界面で反射され、上電極で再び反射される。このような反射光の干渉を利用したマイクロキャビティ効果により、１つの表示素子当たりの光取出効率を向上することができる。
【0094】
次に、表示装置ＤＳＰの製造装置について説明する。ここでは、一例として、表示素子２０１の有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成するための製造装置１００について説明する。なお、表示素子２０２の有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、及び、キャップ層ＣＰ２を形成するための製造装置、及び、表示素子２０３の有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、及び、キャップ層ＣＰ３を形成するための製造装置は、ここに説明する製造装置１００と同様に構成することができる。
【0095】
図１３は、製造装置１００の一構成例を説明するための図である。
製造装置１００は、図５及び図７を参照して説明した第１薄膜３１を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程に適用される。なお、表示素子２０１の構成は、図４に示したシングル構成であることを想定している。
製造装置１００は、図５及び図７を参照して説明した第１薄膜３１を形成する工程のうち、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、及び、キャップ層ＣＰ１を形成する工程に適用される。なお、表示素子２０１の構成は、図４に示したシングル構成であることを想定している。
【0096】
製造装置１００は、前処理部１０１と、方向転換部１０２と、後処理部１０３と、第１蒸着部１１０と、第２蒸着部１２０と、第３蒸着部１３０と、第４蒸着部１４０と、搬送経路Ｔに沿って処理基板ＳＵＢを搬送する搬送機構と、を備えている。このような製造装置１００において、少なくとも第１蒸着部１１０から第４蒸着部１４０までは、所定の減圧状態に維持されている。
【0097】
前処理部１０１は、例えば、ステップＳＴ１で説明した下電極、リブ、隔壁などを備えた処理基板ＳＵＢを形成する処理基板形成部や、処理基板ＳＵＢに対して、洗浄処理、乾燥処理、プラズマ処理などの各種処理を行う処理部などを備えている。また、前処理部１０１は、処理基板ＳＵＢを所定の搬送姿勢に設定する機構や、静電チャックにより処理基板ＳＵＢを専用のキャリアに固定する機構などを備えている。キャリアは、搬送機構により搬送経路Ｔに沿って搬送される。
【0098】
後処理部１０３は、静電チャックによる固定を解除してキャリアから処理基板ＳＵＢを取り外す機構や、処理基板ＳＵＢを所定の姿勢に設定する機構などを備えている。
【0099】
第１蒸着部１１０は、図４に示した有機層ＯＲ１を形成するように構成され、複数の蒸着部を備えている。図示した例では、第１蒸着部１１０は、８個の蒸着部１１１乃至１１８を備えているが、より多くの蒸着部を備えていてもよい。
【0100】
蒸着部１１１乃至１１５は、搬送経路Ｔに沿って一列に並び、互いに連結されている。蒸着部１１６乃至１１８は、搬送経路Ｔに沿って一列に並び、互いに連結されている。蒸着部１１５及び蒸着部１１６は、方向転換部１０２に連結されている。図示した例では、方向転換部１０２は、処理基板ＳＵＢの搬送方向を１８０°転換するように構成されている。
【0101】
前処理部１０１に連結された蒸着部１１１は、下電極ＬＥ１の上に、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１１に連結された蒸着部１１２は、正孔注入層ＨＩＬ１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１を構成する第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するように構成されている。
蒸着部１１２に連結された蒸着部１１３は、第１薄膜ＨＴＬ１－１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１を構成する第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するように構成されている。
蒸着部１１３に連結された蒸着部１１４は、第２薄膜ＨＴＬ１－２の上に、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１４に連結された蒸着部１１５は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。さらに、蒸着部１１５は、方向転換部１０２に連結されている。
蒸着部１１１に連結された蒸着部１１２は、正孔注入層ＨＩＬ１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１を構成する第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するように構成されている。
蒸着部１１２に連結された蒸着部１１３は、第１薄膜ＨＴＬ１－１の上に、正孔輸送層ＨＴＬ１を構成する第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するように構成されている。
蒸着部１１３に連結された蒸着部１１４は、第２薄膜ＨＴＬ１－２の上に、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１４に連結された蒸着部１１５は、電子ブロック層ＥＢＬ１の上に、発光層ＥＭ１を形成するように構成されている。さらに、蒸着部１１５は、方向転換部１０２に連結されている。
【0102】
方向転換部１０２に連結された蒸着部１１６は、発光層ＥＭ１の上に、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１６に連結された蒸着部１１７は、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１７に連結された蒸着部１１８は、電子輸送層ＥＴＬ１の上に、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１６に連結された蒸着部１１７は、正孔ブロック層ＨＢＬ１の上に、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するように構成されている。
蒸着部１１７に連結された蒸着部１１８は、電子輸送層ＥＴＬ１の上に、電子注入層ＥＩＬ１を形成するように構成されている。
【0103】
蒸着部１１８に連結された第２蒸着部１２０は、電子注入層ＥＩＬ１の上に、上電極ＵＥ１を形成するように構成されている。
第２蒸着部１２０に連結された第３蒸着部１３０は、上電極ＵＥ１の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層ＴＬ１１を形成するように構成されている。
第３蒸着部１３０に連結された第４蒸着部１４０は、第１透明層ＴＬ１１の上に第２有機材料を蒸着して、第２透明層ＴＬ１２を形成するように構成されている。さらに、第４蒸着部１４０は、後処理部１０３に連結されている。
第２蒸着部１２０に連結された第３蒸着部１３０は、上電極ＵＥ１の上に第１有機材料を蒸着して、第１透明層ＴＬ１１を形成するように構成されている。
第３蒸着部１３０に連結された第４蒸着部１４０は、第１透明層ＴＬ１１の上に第２有機材料を蒸着して、第２透明層ＴＬ１２を形成するように構成されている。さらに、第４蒸着部１４０は、後処理部１０３に連結されている。
【0104】
以下に、製造装置１００における製造工程について説明する。
【0105】
製造装置１００に搬入された処理基板ＳＵＢは、搬送経路Ｔに沿って搬送され、まず、前処理部１０１に搬入される。前処理部１０１においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の前処理が行われる。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１１に搬入される。蒸着部１１１においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１２に搬入される。蒸着部１１２においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１１に搬入される。蒸着部１１１においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔注入層ＨＩＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１２に搬入される。蒸着部１１２においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第１薄膜ＨＴＬ１－１を形成するための有機材料が蒸着される。
【0106】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１３に搬入される。蒸着部１１３においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔輸送層の第２薄膜ＨＴＬ１－２を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１４に搬入される。蒸着部１１４においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１５に搬入される。蒸着部１１５においては、処理基板ＳＵＢに対して、発光層ＥＭ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１４に搬入される。蒸着部１１４においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子ブロック層ＥＢＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１５に搬入される。蒸着部１１５においては、処理基板ＳＵＢに対して、発光層ＥＭ１を形成するための有機材料が蒸着される。
【0107】
その後、処理基板ＳＵＢは、方向転換部１０２を経由して蒸着部１１６に搬入される。蒸着部１１６においては、処理基板ＳＵＢに対して、正孔ブロック層ＨＢＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１７に搬入される。蒸着部１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
蒸着部１１１乃至１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１７に搬入される。蒸着部１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子輸送層ＥＴＬ１を形成するための有機材料が蒸着される。
蒸着部１１１乃至１１７においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
【0108】
その後、処理基板ＳＵＢは、蒸着部１１８に搬入される。蒸着部１１８においては、処理基板ＳＵＢに対して、電子注入層ＥＩＬ１を形成するための無機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第２蒸着部１２０に搬入される。第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、上電極ＵＥ１を形成するための無機材料が蒸着される。
蒸着部１１８及び第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互いに異なる無機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第２蒸着部１２０に搬入される。第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、上電極ＵＥ１を形成するための無機材料が蒸着される。
蒸着部１１８及び第２蒸着部１２０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互いに異なる無機材料が蒸着される。
【0109】
その後、処理基板ＳＵＢは、第３蒸着部１３０に搬入される。第３蒸着部１３０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第１透明層ＴＬ１１を形成するための第１有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第４蒸着部１４０に搬入される。第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第２透明層ＴＬ１２を形成するための第２有機材料が蒸着される。
第３蒸着部１３０及び第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
その後、処理基板ＳＵＢは、第４蒸着部１４０に搬入される。第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、第２透明層ＴＬ１２を形成するための第２有機材料が蒸着される。
第３蒸着部１３０及び第４蒸着部１４０においては、処理基板ＳＵＢに対して、互い異なる有機材料が蒸着される。
【0110】
その後、処理基板ＳＵＢは、後処理部１０３に搬入される。後処理部１０３においては、処理基板ＳＵＢに対して、所定の後処理が行われる。その後、処理基板ＳＵＢは、製造装置１００から搬出される。
【0111】
次に、蒸着部の代表的な構成について説明する。
【0112】
図１４は、蒸着部３００の主要部を模式的に示す斜視図である。
蒸着部３００は、蒸着源３１０と、膜厚測定器３２０と、を備えている。
蒸着部３００は、蒸着源３１０と、膜厚測定器３２０と、を備えている。
【0113】
蒸着源３１０は、材料を加熱する坩堝３１１と、坩堝３１１に接続された複数の蒸着ヘッド３１２と、蒸着ヘッド３１２の各々から気化した材料を放射する第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４（図１４では図示していない）と、を備えている。複数の第１ノズル３１３は、処理基板ＳＵＢの搬送経路Ｔに対して直交する方向に並んでいる。
【0114】
膜厚測定器３２０は、蒸着源３１０に対向している。搬送経路Ｔは、蒸着源３１０を挟んで膜厚測定器３２０とは反対側に設けられている。
【0115】
【0116】
図１５は、蒸着部３００の主要部を模式的に示す上面図である。ここでは、複数の蒸着ヘッドのうち１つの蒸着ヘッド３１２を図示している。
【0117】
蒸着源３１０及び膜厚測定器３２０は、チャンバー３０１の内部に収容されている。第１ノズル３１３は、一点鎖線で示す処理基板ＳＵＢ、あるいは、二点鎖線で示す搬送経路Ｔに対向している。第２ノズル３１４は、膜厚測定器３２０に対向している。つまり、処理基板ＳＵＢに向けて材料を放射するノズルと、膜厚測定器３２０に向けて材料を放射するノズルとは、別個のものである。
【0118】
膜厚測定器３２０は、開孔３２１Ａを有するシャッター３２１と、開孔３２２Ａを有するカバー３２２と、回転軸３２３Ａを中心として回転可能に構成されたホルダ３２３と、ホルダ３２３の同一面上に配置された複数の水晶振動子Ｃと、を備えている。カバー３２２は、シャッター３２１と水晶振動子Ｃとの間に位置している。第２ノズル３１４から放射された材料を水晶振動子Ｃに蒸着する場合、シャッター３２１は、開孔３２１Ａが開孔３２２Ａと同軸上に位置するように駆動される。
【0119】
水晶振動子Ｃは、例えば、一対の金属電極の間に水晶板を挟持した構造を有している。第２ノズル３１４から放射された材料が金属電極に蒸着されると、水晶振動子Ｃの周波数が変化する。水晶振動子Ｃの周波数は、材料の付着に伴って減衰する。このため、膜厚測定器３２３０では、水晶振動子Ｃの周波数に基づいて材料の蒸着レートが測定され、さらに、水晶振動子Ｃの上に形成された薄膜の厚さ、及び、処理基板ＳＵＢの上に形成された薄膜の厚さが測定される。
【0120】
例えば、図示した蒸着部３００が図１３に示した第４蒸着部１４０に相当する場合、蒸着源３１０は、坩堝３１１に収容した第２有機材料を加熱し、気化した第２有機材料を第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から放射する。第２ノズル３１４から放射された第２有機材料は、開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａを介して少なくとも１つの水晶振動子Ｃに蒸着される。膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数に基づいて、第２有機材料の蒸着レート、水晶振動子Ｃに蒸着した第２有機材料の厚さ、及び、処理基板ＳＵＢに蒸着した第２有機材料の厚さを測定することができる。
【0121】
図１６は、カバー３２２及びホルダ３２３の正面図である。
【0122】
ホルダ３２３は、円板状に形成されている。複数の水晶振動子Ｃは、ホルダ３２３の円周方向に間隔をおいて並んでいる。図示した例では、１０個の水晶振動子Ｃがホルダ３２３に設けられている。なお、ホルダ３２３に設けられる水晶振動子Ｃの個数は、図示した例に限らない。
【0123】
カバー３２２は、ホルダ３２３及び水晶振動子Ｃを覆うように形成されている。カバー３２２の開孔３２２Ａは、１つの水晶振動子Ｃに対向するように形成されている。なお、開孔３２２Ａは、複数の水晶振動子Ｃに対向するように形成されてもよい。
【0124】
開孔３２２Ａに対向する水晶振動子Ｃには、蒸着源から放射された材料が蒸着される。所定の厚さの材料が蒸着された後、あるいは、所定の蒸着レートに達した後、ホルダ３２３は、回転軸３２３Ａを中心として回転し、他の水晶振動子Ｃが開孔３２２Ａを介して第２ノズル３１４に対向する。
【0125】
ところで、処理基板ＳＵＢに形成された薄膜の厚さを上述の方法で正確に算出するためには、処理基板ＳＵＢへの蒸着と水晶振動子Ｃへの蒸着とが同時に開始され、同等に進行することが要求される。ところが、処理基板ＳＵＢに形成される薄膜の材料の中には、未使用の水晶振動子Ｃに蒸着されにくいものがある。例えば、上記の第２透明層ＴＬ１２を形成する第２有機材料は、水晶振動子Ｃの上に薄膜を形成しにくい。このため、第２有機材料の厚さを正確に測定できないおそれがある。
【0126】
そこで、本実施形態では、第４蒸着部１４０において、処理基板ＳＵＢへの第２有機材料の蒸着を開始する前に、蒸着源３１０の第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から第２有機材料を放射し、ホルダ３２３の上のすべての水晶振動子Ｃに予め第２有機材料を蒸着するものである。このような工程を前蒸着（Ｐｒｅ－ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程と称する。
【0127】
図１７は、前蒸着工程を説明するためのフローチャートである。ここで説明する前蒸着工程は、第１透明層ＴＬ１１を形成した処理基板ＳＵＢに第２透明層ＴＬ１２を形成する前、つまり、第４蒸着部１４０に処理基板ＳＵＢを搬入する前に行われる。また、この前蒸着工程は、処理基板ＳＵＢに有機層ＯＲ１を形成する前、つまり、第１蒸着部１１０に処理基板ＳＵＢを搬入する前に行うことが望ましい。
【0128】
まず、坩堝３１１に収容した第２有機材料を加熱する。これにより、第１ノズル３１３及び第２ノズル３１４から第２有機材料の放射が開始される（ステップＳＴ５１）。
【0129】
そして、シャッター３２１を駆動し、開孔３２１Ａが第２ノズル３１４及びカバー３２２の開孔３２２Ａと同軸上に配置される。これにより、少なくとも１つの水晶振動子Ｃが第２ノズル３１４に対向し、第２有機材料の水晶振動子Ｃへの蒸着が開始される（ステップＳＴ５２）。水晶振動子Ｃへの第２有機材料の蒸着が進行することにより、水晶振動子Ｃに下地膜が形成される。
【0130】
その後、第２ノズル３１４と対向した水晶振動子Ｃの周波数に基づいて、水晶振動子Ｃへの第２有機材料の蒸着が完了したか否か（つまり、水晶振動子Ｃに所定の厚さの下地膜が形成されたか否か）を判断する（ステップＳＴ５３）。例えば、水晶振動子Ｃの周波数に基づいて測定される蒸着レートと設定蒸着レートとの差分が±２％以内であり、その蒸着レートが１０分以上継続する場合に、第２有機材料の蒸着が完了したと判断することができる。あるいは、水晶振動子Ｃへの蒸着が開始されてから所定時間が経過した場合に、第２有機材料の蒸着が完了したと判断してもよい。さらには、水晶振動子Ｃの周波数が所定周波数に達した場合に、第２有機材料の蒸着が完了したと判断してもよい。
【0131】
第２有機材料の蒸着が完了したと判断された場合（ステップＳＴ５３、ＹＥＳ）、ホルダ３２３が回転し、他の水晶振動子Ｃが第２ノズル３１４に対向し、この水晶振動子Ｃへの第２有機材料の蒸着が開始される（ステップＳＴ５４）。
【0132】
これらのステップＳＴ５２乃至ＳＴ５４は、ホルダ３２３の上に位置するすべての水晶振動子Ｃに対して第２有機材料の蒸着が完了するまで繰り返し行われる。
【0133】
すべての水晶振動子Ｃに対して第２有機材料の蒸着が完了した場合（ステップＳＴ５５、ＹＥＳ）、前蒸着工程を終了する。その後、搬送経路Ｔに沿った処理基板ＳＵＢの搬送が開始される（ステップＳＴ６０）。
【0134】
図１８は、処理基板ＳＵＢへの材料の蒸着工程を説明するためのフローチャートである。ここで説明する蒸着工程は、図１７に示したステップＳＴ６０の処理基板ＳＵＢの搬送が開始された後に行われる。なお、ここで説明する蒸着工程が開始される前には、使用限度に達していない水晶振動子Ｃが開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａに重畳するようにセットされている。
【0135】
まず、第１透明層ＴＬ１１が形成された処理基板ＳＵＢが第４蒸着部１４０に搬入され、搬送経路Ｔに沿って一定の速度で搬送される（ステップＳＴ６１）。
【0136】
そして、処理基板ＳＵＢは、第２有機材料を放射している複数の第１ノズル３１３と対向するように搬送される。これにより、第１ノズル３１３から放射された第２有機材料は、処理基板ＳＵＢに蒸着される。
【0137】
一方で、第２ノズル３１４から放射された第２有機材料は、膜厚測定器３２０において、開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａを介して水晶振動子Ｃに蒸着される。膜厚測定器３２０は、水晶振動子Ｃの周波数に基づいて、蒸着レートや、処理基板ＳＵＢに蒸着した第２有機材料の厚さを測定する（ステップＳＴ６２）。膜厚測定器３２０で測定された蒸着レートに基づいて、坩堝３１１の加熱温度や、処理基板ＳＵＢの搬送速度が制御される。
【0138】
その後、第２有機材料の厚さが目標厚さに到達したことを確認した上で（ステップＳＴ６３、ＹＥＳ）、処理基板ＳＵＢが第４蒸着部１４０から搬出される。
【0139】
その後、水晶振動子Ｃの周波数に基づいて、水晶振動子Ｃの使用限度に到達したか否かを判断する（ステップＳＴ６４）。上記の通り、水晶振動子Ｃへの材料の付着に伴い、水晶振動子Ｃの周波数は減衰する。水晶振動子Ｃに多量の材料が付着すると、周波数の減衰率を正確に検出することができず、また、蒸着した材料の厚さを正確に検出することができない。このため、厚さを正確に検出可能な範囲で、水晶振動子Ｃに付着する材料の厚さに上限値を設定している。つまり、水晶振動子Ｃに付着した材料の厚さが上限値に到達した場合、水晶振動子Ｃの使用限度に到達したと判断することができる。なお、第４蒸着部１４０に搬入された処理基板ＳＵＢの個数（水晶振動子Ｃの使用回数）、蒸着工程の経過時間（水晶振動子Ｃの使用時間）などに上限値を設定し、これらの上限値に到達した場合に、水晶振動子Ｃの使用限度に到達したと判断してもよい。
【0140】
水晶振動子Ｃが使用限度に到達したと判断した場合（ステップＳＴ６４、ＹＥＳ）、ホルダ３２３が回転し、他の水晶振動子Ｃが開孔３２１Ａ及び開孔３２２Ａに重畳するようにセットされる（ステップＳＴ６５）。
【0141】
このように、本実施形態によれば、材料を蒸着する蒸着部では、水晶振動子Ｃを備えた膜厚測定器３２０により蒸着レートをモニタリングし、一定の蒸着レートに維持するように材料の加熱温度などを制御している。
【0142】
未使用の水晶振動子Ｃに蒸着されにくい第２有機材料を蒸着する第４蒸着部１４０では、処理基板ＳＵＢへの蒸着が開始される前に、予め全ての水晶振動子Ｃに対して第２有機材料を蒸着する前蒸着工程が行われる。このため、全ての水晶振動子Ｃは、第２有機材料の下地膜を有している。このため、処理基板ＳＵＢに蒸着された第２有機材料の厚さを正確に測定することができる。
【0143】
そして、測定に用いていた水晶振動子Ｃが使用限度に到達した場合、下地膜を有する他の水晶振動子Ｃに変更された後に、直ちに蒸着工程を行うことができる。したがって、生産効率の低下が抑制される。
【0144】
なお、ここでは、第４蒸着部１４０において前蒸着工程を行う例について説明したが、上電極ＵＥ１を形成するためのマグネシウムも第２有機材料と同様に、未使用の水晶振動子Ｃに蒸着されにくい。このため、第２蒸着部１２０においても、上記の前蒸着工程を行うことが望ましい。
【0145】
以上説明したように、本実施形態によれば、生産効率の低下を抑制することが可能な表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【0146】
以上、本発明の実施形態として説明した製造装置及び製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての製造装置及び製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。
【0147】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【0148】
また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【0149】
ＤＳＰ…表示装置
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１…第１透明層
ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２…第２透明層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…製造装置 １１０…第１蒸着部 １２０…第２蒸着部 １３０…第３蒸着部 １４０…第４蒸着部
３００…蒸着部 ３１０…蒸着源 ３１３…第１ノズル ３１４…第２ノズル
３２０…膜厚測定器 ３２２…カバー ３２３…ホルダ Ｃ…水晶振動子
１０…基板 ＳＵＢ…処理基板
５…リブ ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口
６…隔壁 ６１…下部 ６２…上部
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素
２０，２０１，２０２，２０３…表示素子（有機ＥＬ素子）
ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極
ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極
ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３…キャップ層
ＴＬ１１、ＴＬ２１、ＴＬ３１…第１透明層
ＴＬ１２、ＴＬ２２、ＴＬ３２…第２透明層
ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層
１００…製造装置 １１０…第１蒸着部 １２０…第２蒸着部 １３０…第３蒸着部 １４０…第４蒸着部
３００…蒸着部 ３１０…蒸着源 ３１３…第１ノズル ３１４…第２ノズル
３２０…膜厚測定器 ３２２…カバー ３２３…ホルダ Ｃ…水晶振動子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】