特開 2024-44799 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024044799

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240326BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20240326BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K3/46 B

H05K1/03 610T

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022150547

(22)【出願日】2022-09-21

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】辻井 貴典

(72)【発明者】

【氏名】河野 雅弘

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF01

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH16

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成され、上側の樹脂絶縁層と前記上側の樹脂絶縁層上の上側の導体層を有する上側のビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成され、下側の樹脂絶縁層と前記下側の樹脂絶縁層上の下側の導体層を有する下側のビルドアップ層、とを有する。前記コア基板は、樹脂と前記樹脂中の第１ガラスクロスと第２ガラスクロスで形成され、前記第１ガラスクロスは、前記コア基板の前記第１面側に位置し、前記第２ガラスクロスは前記コア基板の前記第２面側に位置し、前記第１ガラスクロスの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は前記第２ガラスクロスの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第１面上に形成され、上側の樹脂絶縁層と前記上側の樹脂絶縁層上の上側の導体層を有する上側のビルドアップ層と、
前記コア基板の前記第２面上に形成され、下側の樹脂絶縁層と前記下側の樹脂絶縁層上の下側の導体層を有する下側のビルドアップ層、とを有するプリント配線板であって、
前記コア基板は、樹脂と前記樹脂中の第１ガラスクロスと第２ガラスクロスで形成され、
前記第１ガラスクロスは、前記コア基板の前記第１面側に位置し、前記第２ガラスクロスは前記コア基板の前記第２面側に位置し、前記第１ガラスクロスの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は前記第２ガラスクロスの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第１ガラスクロスと前記第２ガラスクロスとの間に第３ガラスクロスを有し、前記第１ガラスクロスと前記コア基板の前記第１面との間にガラスクロスは存在せず、前記第２ガラスクロスと前記コア基板の前記第２面との間にガラスクロスは存在せず、前記第３ガラスクロスの熱膨張係数（第３熱膨張係数）は前記第１熱膨張係数以下であって、前記第２熱膨張係数より大きい。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、さらに、前記第１ガラスクロスと前記第２ガラスクロスとの間に複数のガラスクロスを有し、前記第１ガラスクロスと前記コア基板の前記第１面との間にガラスクロスは存在せず、前記第２ガラスクロスと前記コア基板の前記第２面との間にガラスクロスは存在せず、前記複数のガラスクロスは（Ｋ＋１）番目のガラスクロスと（Ｋ＋２）番目のガラスクロスと（Ｋ＋３）番目のガラスクロスを含み（Ｋは２以上の整数）、前記（Ｋ＋１）番目のガラスクロスと前記（Ｋ＋２）番目のガラスクロスと前記（Ｋ＋３）番目のガラスクロスは前記第２面から前記第１面に向かって順に配置され、前記（Ｋ＋１）番目のガラスクロスは（Ｋ＋１）番目の熱膨張係数を有し、前記（Ｋ＋２）番目のガラスクロスは（Ｋ＋２）番目の熱膨張係数を有し、前記（Ｋ＋３）番目のガラスクロスは（Ｋ＋３）番目の熱膨張係数を有し、前記（Ｋ＋２）番目の熱膨張係数は前記（Ｋ＋１）番目の熱膨張係数より大きく、前記（Ｋ＋３）番目の熱膨張係数以下であって、前記（Ｋ＋１）番目の熱膨張係数は前記第２熱膨張係数より大きく、前記（Ｋ＋３）番目の熱膨張係数は前記第１熱膨張係数以下である。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、さらに、前記（Ｋ＋３）番目のガラスクロスの隣に配置される（Ｋ＋４）番目のガラスクロスを有し、前記（Ｋ＋４）番目のガラスクロスは（Ｋ＋４）番目の熱膨張係数を有し、前記（Ｋ＋３）番目の熱膨張係数は前記（Ｋ＋２）番目の熱膨張係数より大きく前記（Ｋ＋４）番目の熱膨張係数以下である。

【請求項5】

請求項３のプリント配線板であって、前記複数のガラスクロスは前記第２ガラスクロスの隣に配置される３番目のガラスクロスを有し、前記（Ｋ＋３）番目のガラスクロスは前記第１ガラスクロスの隣に配置され、前記複数のガラスクロスの中の各ガラスクロスの前記熱膨張係数は前記３番目のガラスクロスから前記（Ｋ＋３）番目のガラスクロスに向かって徐々に大きい。

【請求項6】

請求項１のプリント配線板であって、前記上側の導体層は複数の上側の信号配線を含み、前記下側の導体層は複数の下側の信号配線を含み、前記上側の信号配線のそれぞれは上面を有し、前記下側の信号配線のそれぞれは上面を有し、全ての前記上側の信号配線の前記上面を合算することで得られる値は全ての前記下側の信号配線の前記上面を合算することで得られる値より大きい。

【請求項7】

請求項１のプリント配線板であって、前記上側の導体層は複数の上側の導体回路を含み、前記下側の導体層は複数の下側の導体回路を含み、前記上側の導体回路のそれぞれは上面を有し、前記下側の導体回路のそれぞれは上面を有し、全ての前記上側の導体回路の前記上面を合算することで得られる値は全ての前記下側の導体回路の前記上面を合算することで得られる値より小さい。

【請求項8】

請求項７のプリント配線板であって、さらに、前記上側の樹脂絶縁層と前記上側の導体層上に形成されている第２の上側の樹脂絶縁層と前記下側の樹脂絶縁層と前記下側の導体層上に形成されている第２の下側の樹脂絶縁層を有し、前記第２の上側の樹脂絶縁層は第１面を有し、前記上側の導体回路の前記上面と前記第１面との間の距離が前記第２の上側の樹脂絶縁層の厚みであって、前記第２の下側の樹脂絶縁層は第２面を有し、前記下側の導体回路の前記上面と前記第２面との間の距離が前記第２の下側の樹脂絶縁層の厚みであって、前記第２の上側の樹脂絶縁層の前記厚みは前記第２の下側の樹脂絶縁層の前記厚みより小さい。

【請求項9】

請求項３のプリント配線板であって、前記複数のガラスクロスの数は１３以下である。

【請求項10】

請求項９のプリント配線板であって、前記複数のガラスクロスの数は８以上である。

【請求項11】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２ガラスクロスの厚みは前記第１ガラスクロスの厚みより薄い。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、前記コア基板の厚みは０．５ｍｍ以上、１．６ｍｍ以下である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、コア基板とビルドアップ層を有するプリント配線板を開示する。コア基板は複数の繊維補強基材を有する。複数の繊維補強基材はコア基板の表層側に位置する第１基材および第２基材と内層側に位置する第３基材を含む。第１基材と第２基材の熱膨張係数は第３基材の熱膨張係数より小さい。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－１４０９０７号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１のコア基板では、大きな熱膨張係数を有する第３基材が小さな熱膨張係数を有する第１基材と第２基材で挟まれている。第１基材の厚みと第２基材の厚みに差が発生すると考えられる。各基材の配置位置が所望の位置からずれると考えられる。その場合、コア基板の表層が凹むように、コア基板が反ったり、コア基板の表層が凸むように、コア基板が反ると予想される。コア基板の反りの方向と量を制御することが難しいと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するコア基板と、前記コア基板の前記第１面上に形成され、上側の樹脂絶縁層と前記上側の樹脂絶縁層上の上側の導体層を有する上側のビルドアップ層と、前記コア基板の前記第２面上に形成され、下側の樹脂絶縁層と前記下側の樹脂絶縁層上の下側の導体層を有する下側のビルドアップ層、とを有する。前記コア基板は、樹脂と前記樹脂中の第１ガラスクロスと第２ガラスクロスで形成され、前記第１ガラスクロスは、前記コア基板の前記第１面側に位置し、前記第２ガラスクロスは前記コア基板の前記第２面側に位置し、前記第１ガラスクロスの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は前記第２ガラスクロスの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、コア基板の第１面側に位置する第１ガラスクロスの第１熱膨張係数は第２面側に位置する第２ガラスクロスの第２熱膨張係数より大きい。そのため、第１ガラスクロスの厚みと第２ガラスクロスの厚みに差が発生したとしても、コア基板の反りの方向と量を制御することができる。第１ガラスクロスと第２ガラスクロスが所望の位置からずれても、プリント配線板の反りを小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】改変例１のコア基板を模式的に示す断面図。

【図3】改変例２のコア基板を模式的に示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、コア基板１０と上側のビルドアップ層５００Ｆと下側のビルドアップ層５００Ｂを有する。コア基板１０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｂを有する。上側のビルドアップ層５００Ｆはコア基板１０の第１面Ｆ上に形成されている。上側のビルドアップ層５００Ｆは、上側の樹脂絶縁層３０Ｆ、５０Ｆ、７０Ｆ、９０Ｆと上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆを有する。上側の樹脂絶縁層３０Ｆ、５０Ｆ、７０Ｆ、９０Ｆと上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆは交互に形成されている。上側のビルドアップ層５００Ｆは、さらに各上側の樹脂絶縁層３０Ｆ、５０Ｆ、７０Ｆ、９０Ｆを貫通するビア導体４５Ｆ、６５Ｆ、８５Ｆ、１０５Ｆを有する。上側のビルドアップ層５００Ｆはビア導体とそのビア導体の直上に形成されているビア導体で形成されるスタックビアＳＶを有する。下側のビルドアップ層５００Ｂはコア基板１０の第２面Ｂ上に形成されている。下側のビルドアップ層５００Ｂは、下側の樹脂絶縁層３０Ｂ、５０Ｂ、７０Ｂ、９０Ｂと下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂを有する。下側の樹脂絶縁層３０Ｂ、５０Ｂ、７０Ｂ、９０Ｂと下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂは交互に形成されている。下側のビルドアップ層５００Ｂは、さらに各下側の樹脂絶縁層３０Ｂ、５０Ｂ、７０Ｂ、９０Ｂを貫通するビア導体４５Ｂ、６５Ｂ、８５Ｂ、１０５Ｂを有する。下側のビルドアップ層５００ＢはスタックビアＳＶを有する。

【0009】

コア基板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｂを有する絶縁性基材１０１と第１面Ｆ上の導体層２０Ｆと第２面Ｂ上の導体層２０Ｂと絶縁性基材１０１を貫通し、導体層２０Ｆと導体層２０Ｂを接続するスルーホール導体２５で形成されている。絶縁性基材１０１は樹脂２１０と樹脂２１０中の複数のガラスクロス（図１の２００Ｆ、２００Ｃ、２００Ｂ）で形成される。樹脂２１０は熱硬化性樹脂である。コア基板１０を形成する絶縁性基材１０１はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁性基材１０１の厚みは０．５ｍｍ以上１．６ｍｍ以下である。実施形態の絶縁性基材１０１に含まれるガラスクロスの数は３である。複数のガラスクロスは、第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂ、第３ガラスクロス２００Ｃを含む。

【0010】

コア基板１０は、第１面Ｆと第２面Ｂを有する。絶縁性基材１０１の第１面Ｆとコア基板１０の第１面Ｆは同じ面である。絶縁性基材１０１の第２面Ｂとコア基板１０の第２面Ｂは同じ面である。第１ガラスクロス２００Ｆはコア基板１０の第１面Ｆ側に位置する。第１ガラスクロス２００Ｆとコア基板１０の第１面Ｆの間にガラスクロスは存在しない。第２ガラスクロス２００Ｂはコア基板１０の第２面Ｂ側に位置する。第２ガラスクロス２００Ｂとコア基板１０の第２面Ｂの間にガラスクロスは存在しない。第３ガラスクロス２００Ｃは第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂの間に位置する。第１ガラスクロス２００Ｆの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は第２ガラスクロス２００Ｂの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。第３ガラスクロス２００Ｃの熱膨張係数（第３熱膨張係数）は第１熱膨張係数以下であって第２熱膨張係数より大きい。第２ガラスクロス２００Ｂの厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚みより薄いことが好ましい。第３ガラスクロス２００Ｃの厚みは第２ガラスクロス２００Ｂの厚みより薄いことが好ましい。第３ガラスクロス２００Ｃの厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚み以下であることが好ましい。

【0011】

上側の樹脂絶縁層３０Ｆ、５０Ｆ、７０Ｆ、９０Ｆは、樹脂と樹脂内に分散されている多数の無機粒子（図示省略）で形成されている。樹脂はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は例えばシリカやアルミナである。

【0012】

上側の樹脂絶縁層３０Ｆは絶縁性基材１０１の第１面Ｆと導体層２０Ｆ上に形成されている。上側の樹脂絶縁層５０Ｆは上側の樹脂絶縁層３０Ｆと上側の導体層４０Ｆ上に形成されている。上側の樹脂絶縁層７０Ｆは上側の樹脂絶縁層５０Ｆと上側の導体層６０Ｆ上に形成されている。上側の樹脂絶縁層９０Ｆは上側の樹脂絶縁層７０Ｆと上側の導体層８０Ｆ上に形成されている。上側の樹脂絶縁層９０Ｆは最上の上側の樹脂絶縁層９０Ｆである。

【0013】

上側の樹脂絶縁層３０Ｆは導体層２０Ｆを露出する開口３５Ｆを有している。上側の樹脂絶縁層５０Ｆは上側の導体層４０Ｆを露出する開口５５Ｆを有している。上側の樹脂絶縁層７０Ｆは上側の導体層６０Ｆを露出する開口７５Ｆを有している。上側の樹脂絶縁層９０Ｆは上側の導体層８０Ｆを露出する開口９５Ｆを有している。

【0014】

上側の導体層４０Ｆは上側の樹脂絶縁層３０Ｆ上に形成されている。上側の導体層６０Ｆは上側の樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている。上側の導体層８０Ｆは上側の樹脂絶縁層７０Ｆ上に形成されている。上側の導体層１００Ｆは上側の樹脂絶縁層９０Ｆ上に形成されている。上側の導体層１００Ｆは最上の上側の導体層１００Ｆである。上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆはそれぞれ複数の上側の信号配線ＳＦを含む。上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆはシード層４０Ｆａ、６０Ｆａ、８０Ｆａ、１００Ｆａと電解めっき層４０Ｆｂ、６０Ｆｂ、８０Ｆｂ、１００Ｆｂで形成されている。

【0015】

上側のビア導体４５Ｆは上側の樹脂絶縁層３０Ｆの開口３５Ｆ内に形成されている。上側のビア導体４５Ｆは導体層２０Ｆと上側の導体層４０Ｆを接続する。上側のビア導体６５Ｆは上側の樹脂絶縁層５０Ｆの開口５５Ｆ内に形成されている。上側のビア導体６５Ｆは上側の導体層４０Ｆと上側の導体層６０Ｆを接続する。上側のビア導体８５Ｆは上側の樹脂絶縁層７０Ｆの開口７５Ｆ内に形成されている。上側のビア導体８５Ｆは上側の導体層６０Ｆと上側の導体層８０Ｆを接続する。上側のビア導体１０５Ｆは上側の樹脂絶縁層９０Ｆの開口９５Ｆ内に形成されている。上側のビア導体１０５Ｆは上側の導体層８０Ｆと上側の導体層１００Ｆを接続する。上側のビア導体４５Ｆ、６５Ｆ、８５Ｆ、１０５Ｆはシード層４０Ｆａ、６０Ｆａ、８０Ｆａ、１００Ｆａと電解めっき層４０Ｆｂ、６０Ｆｂ、８０Ｆｂ、１００Ｆｂで形成されている。

【0016】

最上の上側の樹脂絶縁層９０Ｆと最上の上側の導体層１００Ｆ上に開口１２２Ｆを有する上側のソルダーレジスト層１２０Ｆが形成されている。開口１２２Ｆ内には、ＩＣチップを実装するための上側のはんだバンプ１３０Ｆが形成されている。

【0017】

下側の樹脂絶縁層３０Ｂ、５０Ｂ、７０Ｂ、９０Ｂは、樹脂と樹脂内に分散されている多数の無機粒子（図示省略）で形成されている。樹脂はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子は例えばシリカやアルミナである。

【0018】

下側の樹脂絶縁層３０Ｂは絶縁性基材１０１の第２面Ｂと導体層２０Ｂ上に形成されている。下側の樹脂絶縁層５０Ｂは下側の樹脂絶縁層３０Ｂと下側の導体層４０Ｂ上に形成されている。下側の樹脂絶縁層７０Ｂは下側の樹脂絶縁層５０Ｂと下側の導体層６０Ｂ上に形成されている。下側の樹脂絶縁層９０Ｂは下側の樹脂絶縁層７０Ｂと下側の導体層８０Ｂ上に形成されている。下側の樹脂絶縁層９０Ｂは最上の下側の樹脂絶縁層９０Ｂである。

【0019】

下側の樹脂絶縁層３０Ｂは導体層２０Ｂを露出する開口３５Ｂを有している。下側の樹脂絶縁層５０Ｂは下側の導体層４０Ｂを露出する開口５５Ｂを有している。下側の樹脂絶縁層７０Ｂは下側の導体層６０Ｂを露出する開口７５Ｂを有している。下側の樹脂絶縁層９０Ｂは下側の導体層８０Ｂを露出する開口９５Ｂを有している。

【0020】

下側の導体層４０Ｂは下側の樹脂絶縁層３０Ｂ上に形成されている。下側の導体層６０Ｂは下側の樹脂絶縁層５０Ｂ上に形成されている。下側の導体層８０Ｂは下側の樹脂絶縁層７０Ｂ上に形成されている。下側の導体層１００Ｂは下側の樹脂絶縁層９０Ｂ上に形成されている。下側の導体層１００Ｂは最上の下側の導体層１００Ｂである。下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂはそれぞれ複数の下側の信号配線ＳＢを含む。下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂはシード層４０Ｂａ、６０Ｂａ、８０Ｂａ、１００Ｂａと電解めっき層４０Ｂｂ、６０Ｂｂ、８０Ｂｂ、１００Ｂｂで形成されている。

【0021】

下側のビア導体４５Ｂは下側の樹脂絶縁層３０Ｂの開口３５Ｂ内に形成されている。下側のビア導体４５Ｂは導体層２０Ｂと下側の導体層４０Ｂを接続する。下側のビア導体６５Ｂは下側の樹脂絶縁層５０Ｂの開口５５Ｂ内に形成されている。下側のビア導体６５Ｂは下側の導体層４０Ｂと下側の導体層６０Ｂを接続する。下側のビア導体８５Ｂは下側の樹脂絶縁層７０Ｂの開口７５Ｂ内に形成されている。下側のビア導体８５Ｂは下側の導体層６０Ｂと下側の導体層８０Ｂを接続する。下側のビア導体１０５Ｂは下側の樹脂絶縁層９０Ｂの開口９５Ｂ内に形成されている。下側のビア導体１０５Ｂは下側の導体層８０Ｂと下側の導体層１００Ｂを接続する。下側のビア導体４５Ｂ、６５Ｂ、８５Ｂ、１０５Ｂはシード層４０Ｂａ、６０Ｂａ、８０Ｂａ、１００Ｂａと電解めっき層４０Ｂｂ、６０Ｂｂ、８０Ｂｂ、１００Ｂｂで形成されている。

【0022】

最上の下側の樹脂絶縁層９０Ｂと最上の下側の導体層１００Ｂ上に開口１２２Ｂを有する下側のソルダーレジスト層１２０Ｂが形成されている。開口１２２Ｂ内には、マザーボード等の外部基板に接続するための下側のはんだバンプ１３０Ｂが形成されている。

【0023】

各上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆに含まれる上側の信号配線ＳＦのそれぞれは上面を有する。各下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂに含まれる下側の信号配線ＳＢのそれぞれは上面を有する。上面の面積の関係（関係Ｘ）が次に示される。上側の導体層４０Ｆに含まれる全ての上側の信号配線ＳＦの上面を合算することで得られる値は、下側の導体層４０Ｂに含まれる全ての下側の信号配線ＳＢの上面を合算することで得られる値より大きい。上側の導体層６０Ｆに含まれる全ての上側の信号配線ＳＦの上面を合算することで得られる値は、下側の導体層６０Ｂに含まれる全ての下側の信号配線ＳＢの上面を合算することで得られる値より大きい。上側の導体層８０Ｆに含まれる全ての上側の信号配線ＳＦの上面を合算することで得られる値は、下側の導体層８０Ｂに含まれる全ての下側の信号配線ＳＢの上面を合算することで得られる値より大きい。上側の導体層１００Ｆに含まれる全ての上側の信号配線ＳＦの上面を合算することで得られる値は、下側の導体層１００Ｂに含まれる全ての下側の信号配線ＳＢの上面を合算することで得られる値より大きい。このように、コア基板１０を介してほぼ対称な位置に形成されている導体層（上側の導体層４０Ｆと下側の導体層４０Ｂ、上側の導体層６０Ｆと下側の導体層６０Ｂ、上側の導体層８０Ｆと下側の導体層８０Ｂ、上側の導体層１００Ｆと下側の導体層１００Ｂ）は、先に示されている関係Ｘを満足する。

【0024】

上側のビルドアップ層５００Ｆに含まれる全ての上側の信号配線ＳＦの上面を合算することで得られる値は、下側のビルドアップ層５００Ｂに含まれる全ての下側の信号配線ＳＢの上面を合算することで得られる値より大きい。このため、実施形態のプリント配線板２は、コア基板１０の反りの方向と量を制御することができる。実施形態のプリント配線板２は、プリント配線板２の反りの方向と量を制御することができる。

【0025】

上側の導体層４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆはそれぞれ複数の上側の導体回路を含む。上側の導体回路のそれぞれは上面を有する。上側の導体回路は、上側の信号配線ＳＦのほかに上側の電源回路と上側のグランド回路（図示省略）を含む。下側の導体層４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂはそれぞれ複数の下側の導体回路を含む。下側の導体回路のそれぞれは上面を有する。下側の導体回路は、下側の信号配線ＳＢのほかに下側の電源回路と上側のグランド回路（図示省略）を含む。上側のビルドアップ層５００Ｆに含まれる全ての上側の導体回路の上面を合算することで得られる値は、下側のビルドアップ層５００Ｂに含まれる全ての下側の導体回路の上面を合算することで得られる値より小さい。このため、実施形態のプリント配線板２は、コア基板１０の反りの方向と量を制御することができる。実施形態のプリント配線板２は、プリント配線板２の反りの方向と量を制御することができる。

【0026】

上側の樹脂絶縁層５０Ｆは第１面５２Ｆを有する。第１面５２Ｆ上に上側の導体層６０Ｆが形成されている。上側の導体層４０Ｆに含まれる上側の信号配線ＳＦの上面と第１面５２Ｆとの間の距離が上側の樹脂絶縁層５０Ｆの厚みＴＦである。上側の導体回路の上面は上側の信号配線ＳＦの上面で代表される。上側の樹脂絶縁層５０Ｆは第２の上側の樹脂絶縁層の例である。下側の樹脂絶縁層５０Ｂは第２面５２Ｂを有する。第２面５２Ｂ上に下側の導体層６０Ｂが形成されている。下側の導体層４０Ｂに含まれる下側の信号配線ＳＢの上面と第２面５２Ｂとの間の距離が下側の樹脂絶縁層５０Ｂの厚みＴＢである。下側の導体回路の上面は下側の信号配線ＳＢの上面で代表される。下側の樹脂絶縁層５０Ｂは第２の下側の樹脂絶縁層の例である。樹脂絶縁層の厚みの関係（関係Ｙ）が次に示される。上側の樹脂絶縁層５０Ｆの厚みＴＦは、下側の樹脂絶縁層５０Ｂの厚みＴＢより小さい。同様に上側の樹脂絶縁層７０Ｆ、９０Ｆの厚みＴＦは、下側の樹脂絶縁層７０Ｂ、９０Ｂの厚みより小さい。このように、コア基板１０を介してほぼ対称な位置に形成されている樹脂絶縁層（上側の樹脂絶縁層３０Ｆと下側の樹脂絶縁層３０Ｂ、上側の樹脂絶縁層５０Ｆと下側の樹脂絶縁層５０Ｂ、上側の樹脂絶縁層７０Ｆと下側の樹脂絶縁層７０Ｂ、上側の樹脂絶縁層９０Ｆと下側の樹脂絶縁層９０Ｂ）は、先に示されている関係Ｙを満足する。このため、実施形態のプリント配線板２は、コア基板１０の反りの方向と量を制御することができる。実施形態のプリント配線板２は、プリント配線板２の反りの方向と量を制御することができる。

【0027】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
第１ガラスクロス２００Ｆと第３ガラスクロス２００Ｃ、第２ガラスクロス２００Ｂ、エポキシ樹脂、銅箔が準備される。第１ガラスクロス２００Ｆの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は第２ガラスクロス２００Ｂの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。第３ガラスクロス２００Ｃの熱膨張係数（第３熱膨張係数）は第１熱膨張係数以下であって、第２熱膨張係数より大きい。エポキシ樹脂が第１ガラスクロス２００Ｆに含浸される。第１含浸部材が得られる。第１含浸部材を乾燥することで、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂中の第１ガラスクロス２００Ｆで形成される第１プリプレグが得られる。同様な方法を用いて、エポキシ樹脂とエポキシ樹脂中の第２ガラスクロス２００Ｂで形成される第２プリプレグが得られる。エポキシ樹脂とエポキシ樹脂中の第３ガラスクロス２００Ｃで形成される第３プリプレグが得られる。銅箔上に第２プリプレグと第３プリプレグと第１プリプレグと銅箔が順に積層される。積層部材が得られる。積層部材に熱と圧力が加えられる。エポキシ樹脂と第１ガラスクロス２００Ｆ、第２ガラスクロス２００Ｂ、第３ガラスクロス２００Ｃ、銅箔からなる銅張積層板が得られる。銅張積層板は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｂを有する絶縁性基材１０１と第１面Ｆ上の銅箔と第２面Ｂ上の銅箔で形成される。絶縁性基材１０１はエポキシ樹脂とエポキシ樹脂中の第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂ、第３ガラスクロス２００Ｃで形成されている。エポキシ樹脂は樹脂の１例である。第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂ、第３ガラスクロス２００Ｃの中で第２ガラスクロス２００Ｂは第２面Ｂに最も近く、第１ガラスクロス２００Ｆは第１面Ｆに最も近い。第３ガラスクロス２００Ｃは第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂの間に配置されている。公知な方法を用いて、第１面Ｆ上に導体層２０Ｆが形成される。第２面Ｂ上に導体層２０Ｂが形成される。絶縁性基材１０１を貫通し導体層２０Ｆと導体層２０Ｂを接続するスルーホール導体２５が形成される。実施形態のコア基板１０が形成される。セミアディティブ法によって上側のビルドアップ層５００Ｆと下側のビルドアップ層５００Ｂがコア基板１０上に形成される。上側のビルドアップ層５００Ｆ上に上側のソルダーレジスト層１２０Ｆが形成される。下側のビルドアップ層５００Ｂ上に下側のソルダーレジスト層１２０Ｂが形成される。上側のはんだバンプ１３０Ｆと下側のはんだバンプ１３０Ｂが形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0028】

実施形態のプリント配線板２では、第１ガラスクロスと第２ガラスクロスとの間に位置する第３のガラスクロスの熱膨張係数は第１熱膨張係数以下であって第２熱膨張係数より大きい。複数のガラスクロスの熱膨張係数は第２面から第１面に向かって大きくなる。そのため、実施形態のプリント配線板２は、コア基板１０の反りの方向と量を制御することができる。実施形態のプリント配線板２は、プリント配線板２の反りの方向と量を制御することができる。そのため、実施形態のプリント配線板２によれば、凹の反りと凸の反りが繰り返しがたい。高い品質を有するプリント配線板が提供される。

【0029】

［実施形態の改変例１］
図２は改変例１のプリント配線板２のコア基板１０を示す。図２に示されるように、改変例１のコア基板１０は５層のガラスクロスを有する。図２では上側のビルドアップ層５００Ｆと下側のビルドアップ層５００Ｂ（図１参照）は省略されている。コア基板１０は、第１面Ｆ側の第１ガラスクロス２００Ｆと、第２面Ｂ側の第２ガラスクロス２００Ｂと、第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂ間の３層のガラスクロス２００Ｃ１、２００Ｃ２、２００Ｃ３を有する。

【0030】

第１ガラスクロス２００Ｆとコア基板１０の第１面Ｆの間にガラスクロスは存在しない。第２ガラスクロス２００Ｂとコア基板１０の第２面Ｂの間にガラスクロスは存在しない。ガラスクロス２００Ｃ１、２００Ｃ２、２００Ｃ３は第２面Ｂ側から第１面Ｆ側に向かってこの順で配置されている。ガラスクロス２００Ｃ１、２００Ｃ２、２００Ｃ３は、第２面Ｂ側から順に３番目のガラスクロス２００Ｃ１、４番目のガラスクロス２００Ｃ２、５番目のガラスクロス２００Ｃ３と呼ばれる。

【0031】

第１ガラスクロス２００Ｆの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は第２ガラスクロス２００Ｂの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。３番目のガラスクロス２００Ｃ１は３番目の熱膨張係数を有する。４番目のガラスクロス２００Ｃ２は４番目の熱膨張係数を有する。５番目のガラスクロス２００Ｃ３は５番目の熱膨張係数を有する。３番目の熱膨張係数は第２熱膨張係数より大きい。３番目の熱膨張係数は４番目の熱膨張係数以下であることが好ましい。４番目の熱膨張係数は３番目の熱膨張係数より大きく、５番目の熱膨張係数以下である。５番目の熱膨張係数は第１熱膨張係数以下である。５番目の熱膨張係数は４番目の熱膨張係数より大きいことが好ましい。第２ガラスクロス２００Ｂの厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚みより薄いことが好ましい。ガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ３の厚みは第２ガラスクロス２００Ｂの厚みより薄いことが好ましい。ガラスクロス２００Ｃ１、２００Ｃ２、２００Ｃ３の厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚み以下であることが好ましい。

【0032】

改変例１の３番目のガラスクロス２００Ｃ１と４番目のガラスクロス２００Ｃ２、５番目のガラスクロス２００Ｃ３がそれぞれ「（Ｋ＋１）番目のガラスクロス」、「（Ｋ＋２）番目のガラスクロス」、「（Ｋ＋３）番目のガラスクロス」の一例である。Ｋは２以上の整数である。

【0033】

［実施形態の改変例２］
図３は改変例２のプリント配線板２のコア基板１０を示す。図３に示されるように、改変例２のコア基板１０は１０層のガラスクロスを有する。図３では上側のビルドアップ層５００Ｆと下側のビルドアップ層５００Ｂ（図１参照）は省略されている。コア基板１０は、第１面Ｆ側の第１ガラスクロス２００Ｆと、第２面Ｂ側の第２ガラスクロス２００Ｂと、第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂ間の８層のガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８を有する。

【0034】

第１ガラスクロス２００Ｆとコア基板１０の第１面Ｆの間にガラスクロスは存在しない。第２ガラスクロス２００Ｂとコア基板１０の第２面Ｂの間にガラスクロスは存在しない。ガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８は第２面Ｂ側から第１面Ｆ側に向かってこの順で配置されている。ガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８は、第２面Ｂ側から順に３番目のガラスクロス２００Ｃ１、４番目のガラスクロス２００Ｃ２、５番目のガラスクロス２００Ｃ３、６番目のガラスクロス２００Ｃ４、７番目のガラスクロス２００Ｃ５、８番目のガラスクロス２００Ｃ６、９番目のガラスクロス２００Ｃ７、１０番目のガラスクロス２００Ｃ８と呼ばれる。

【0035】

第１ガラスクロス２００Ｆの熱膨張係数（第１熱膨張係数）は第２ガラスクロス２００Ｂの熱膨張係数（第２熱膨張係数）より大きい。３番目のガラスクロス２００Ｃ１は３番目の熱膨張係数を有する。４番目のガラスクロス２００Ｃ２は４番目の熱膨張係数を有する。同様に５番目から１０番目のガラスクロス２００Ｃ３～２００Ｃ８はそれぞれ５番目から１０番目の熱膨張係数を有する。３番目の熱膨張係数は第２熱膨張係数より大きい。３番目の熱膨張係数は４番目の熱膨張係数以下であることが好ましい。４番目の熱膨張係数は３番目の熱膨張係数より大きく、５番目の熱膨張係数以下である。５番目の熱膨張係数は４番目の熱膨張係数より大きく、６番目の熱膨張係数以下である。このように、３番目から１０番目のガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８の熱膨張係数は、３番目のガラスクロス２００Ｃ１から１０番目のガラスクロス２００Ｃ８に向かって徐々に大きい。１０番目の熱膨張係数は第１熱膨張係数以下である。

【0036】

第２ガラスクロス２００Ｂの厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚みより薄いことが好ましい。ガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８の厚みは第２ガラスクロス２００Ｂの厚みより薄いことが好ましい。ガラスクロス２００Ｃ１～２００Ｃ８の厚みは第１ガラスクロス２００Ｆの厚み以下であることが好ましい。

【0037】

改変例２の３番目のガラスクロス２００Ｃ１、４番目のガラスクロス２００Ｃ２、５番目のガラスクロス２００Ｃ３、６番目のガラスクロス２００Ｃ４がそれぞれ「（Ｋ＋１）番目のガラスクロス」、「（Ｋ＋２）番目のガラスクロス」、「（Ｋ＋３）番目のガラスクロス」、「（Ｋ＋４）番目のガラスクロス」の一例である。Ｋは２以上の整数である。

【0038】

［改変例２の別例］
改変例２の別例では、第１ガラスクロス２００Ｆと第２ガラスクロス２００Ｂの間に８層以上１３層以下のガラスクロスが配置される。

【0039】

実施形態と各改変例のコア基板１０が複数のガラスクロスを有する。複数のガラスクロスの中で、第１ガラスクロスは最も大きな熱膨張係数を有し、第２ガラスクロスは最も小さな熱膨張係数を有する。各ガラスクロスは異なる熱膨張係数を有することが好ましい。各ガラスクロスの熱膨張係数は第２面Ｂから第１面Ｆに向かって大きいことが好ましい。

【符号の説明】

【0040】

２：プリント配線板
１０：コア基板
４０Ｆ、６０Ｆ、８０Ｆ、１００Ｆ：上側の導体層
３０Ｆ、５０Ｆ、７０Ｆ、９０Ｆ：上側の樹脂絶縁層
４０Ｂ、６０Ｂ、８０Ｂ、１００Ｂ：下側の導体層
３０Ｂ、５０Ｂ、７０Ｂ、９０Ｂ：下側の樹脂絶縁層
２００Ｆ：第１ガラスクロス
２００Ｂ：第２ガラスクロス
２００Ｃ：第３ガラスクロス
５００Ｆ：上側のビルドアップ層
５００Ｂ：下側のビルドアップ層
Ｆ：第１面
Ｂ：第２面
ＳＦ：上側の信号配線
ＳＢ：上側の信号配線

【図1】

【図2】

【図3】