特開 2024-44802 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024044802

(43)【公開日】2024-04-02

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240326BHJP

   G03F 1/82 20120101ALI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 647Z

H01L21/304 646

G03F1/82

H01L21/304 643A

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022150551

(22)【出願日】2022-09-21

(71)【出願人】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100107582

【弁理士】

【氏名又は名称】関根 毅

(74)【代理人】

【識別番号】100118843

【弁理士】

【氏名又は名称】赤岡 明

(74)【代理人】

【識別番号】100120385

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 健之

(72)【発明者】

【氏名】田邊 万奈

(72)【発明者】

【氏名】梅澤 華織

(72)【発明者】

【氏名】高居 康介

【テーマコード（参考）】

2H195

5F157

【Ｆターム（参考）】

2H195BB19

5F157AA09

5F157AA73

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC01

5F157AC23

5F157BB66

5F157BH14

5F157CF40

(57)【要約】

【課題】基板の欠陥を低減することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】一の実施形態によれば、基板処理方法は、最表面に第一の膜が設けられた第一の領域と、最表面に前記第一の膜と材料が異なる第二の膜が設けられた第二の領域と、を有する基板上に液膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記液膜を凝固させることで凝固膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記第二の領域上の前記凝固膜よりも先に前記第一の領域上の凝固膜を融解させることを含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

最表面に第一の膜が設けられた第一の領域と、最表面に前記第一の膜と材料が異なる第二の膜が設けられた第二の領域とを有する基板上に液膜を形成し、
前記液膜を凝固させることで凝固膜を形成し、
前記第二の領域上の前記凝固膜よりも先に前記第一の領域上の凝固膜を融解させることを含む、基板処理方法。

【請求項2】

前記第一の領域は、前記第二の領域の外周に位置する、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項3】

前記第一の領域上の凝固膜の融解は、前記第一の領域上の凝固膜に、前記第一の領域上の凝固膜の融点以上の温度を有する気体および液体の少なくとも一方を供給することを含む、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項4】

前記第一の領域上の凝固膜への前記気体および液体の少なくとも一方の供給は、予め取得された前記第一の領域の位置に基づいて行う、請求項３に記載の基板処理方法。

【請求項5】

前記第一の領域上の凝固膜の融解は、前記第一の領域に、前記第一の膜に吸収される波長の光を照射することを含む、請求項１に記載の基板処理方法。

【請求項6】

前記第一の膜に吸収される波長の光は、赤外光である、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項7】

前記第一の膜は、前記第二の膜よりも前記第一の膜に吸収される波長の光の吸収率が高い、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項8】

前記第一の膜は、前記凝固膜よりも前記第一の膜に吸収される波長の光の吸収率が高い、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項9】

前記第一の膜に吸収される波長の光の照射は、前記第一の膜に吸収される波長の光の光源と、前記基板との間に、前記第二の膜および前記凝固膜の少なくとも一方と同じ材料を含むフィルタを配置した状態で行う、請求項５に記載の基板処理方法。

【請求項10】

イオナイザを用いて、前記第一の領域上の凝固膜の融解よって露出された前記第一の膜を除電することを更に含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項11】

接地線を用いて、前記第一の領域上の凝固膜の融解によって露出された前記第一の膜を除電することを更に含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項12】

前記第一の膜の除電は、予め取得された前記第一の領域の位置に基づいて、前記第一の膜に前記接地線を接触させることを含む、請求項１１に記載の基板処置方法。

【請求項13】

最表面に第一の膜が設けられた第一の領域と、最表面に前記第一の膜と材料が異なる第二の膜が設けられた第二の領域と、を有する基板を保持する保持部と、
前記基板上に液膜を形成する液膜形成部と、
前記液膜を凝固させることで凝固膜を形成する凝固膜形成部と、
前記第二の領域上の前記凝固膜よりも先に前記第一の領域上の凝固膜を融解させる融解部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項14】

前記融解部は、前記第一の領域上の凝固膜に、前記第一の領域上の凝固膜の融点以上の温度を有する気体および液体の少なくとも一方を供給するノズルを有し、
前記基板処理装置は、
前記基板のレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部と、
前記取得されたレイアウト情報に基づいて前記ノズルによる前記気体および液体の少なくとも一方の供給を制御する制御部と、
を更に備える、請求項１３に記載の基板処理装置。

【請求項15】

前記第一の領域上の凝固膜の融解よって露出された前記第一の膜に接触することで前記第一の膜を除電する除電部を更に備える、請求項１４に記載の基板処理装置。

【請求項16】

前記融解部は、前記第一の領域上に、前記第一の膜に吸収される波長の光を照射する照射部を有する、請求項１３に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

フォトマスク用の基板上に供給された洗浄液を凍結させて基板上から異物を除去する凍結洗浄では、基板が部分的に酸化される欠陥が発生することがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－８０４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

基板の欠陥を低減することが可能な基板処理方法および基板処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一の実施形態によれば、基板処理方法は、最表面に第一の膜が設けられた第一の領域と、最表面に前記第一の膜と材料が異なる第二の膜が設けられた第二の領域と、を有する基板上に液膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記液膜を凝固させることで凝固膜を形成することを含む。前記方法はさらに、前記第二の領域上の前記凝固膜よりも先に前記第一の領域上の凝固膜を融解させることを含む。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】第１実施形態による基板処理装置の一例を示す図である。

【図2】第１実施形態による基板処理装置で処理される基板の一例を示す平面図である。

【図3】第１実施形態による基板処理装置で処理される基板の一例を示す断面図である。

【図4】第１実施形態による基板処理装置の動作例を示すフローチャートである。

【図5】第１実施形態による基板処理装置の動作例を示すタイミングチャートである。

【図6】第１実施形態による基板処理装置の動作例を示す断面図である。

【図7】第１実施形態による基板処理装置の動作例を示す平面図である。

【図8】図６に続く、第１実施形態による基板処理装置の動作例を示す断面図である。

【図9】第１実施形態の第１変形例による基板処理装置の動作例を示す断面図である。

【図10】第１実施形態の第２変形例による基板処理装置を示す図である。

【図11】第１実施形態の第２変形例による基板処理装置１の一部を示す平面図である。

【図12】第１実施形態の第２変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図13】第１実施形態の第２変形例による基板処理装置の動作例を示す断面図である。

【図14】第２実施形態による基板処理装置の一例を示す図である。

【図15】第２実施形態による基板処理装置の動作例を示すタイミングチャートである。

【図16】第２実施形態による基板処理装置の動作例を示す図である。

【図17】第２実施形態の第１変形例による基板処理装置を示す図である。

【図18】第２実施形態の第１変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図19】第２実施形態の第２変形例による基板処理装置を示す図である。

【図20】第２実施形態の第２変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図21】第２実施形態の第３変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図22】第２実施形態の第４変形例による基板処理装置を示す図である。

【図23】第２実施形態の第４変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図24】第２実施形態の第５変形例による基板処理装置の動作を示すタイミングチャートである。

【図25】第３実施形態による基板処理装置の一例を示す図である。

【図26】第３実施形態による基板処理装置の一部を示す平面図である。

【図27】第３実施形態の第１変形例による基板処理装置を示す図である。

【図28】第３実施形態の第１変形例による基板処理装置の動作を説明するための説明図である。

【図29】第３実施形態の第２変形例による基板処理装置の一部を平面図である。

【図30】第３実施形態の第３変形例による基板処理装置を示すブロック図である。

【図31】第３実施形態の第４変形例による基板処理装置を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による基板処理装置１の一例を示す図である。なお、本明細書においては、鉛直方向をＺ軸方向、水平方向に沿った方向をＸ軸方向、水平方向に沿ってＸ軸方向に直交する方向をＹ軸方向と定義する。また、本明細書において、上方とは、Ｚ軸正方向のことをいい、下方とは、Ｚ軸負方向のことをいう。基板処理装置１は、フォトマスク用の基板２上に供給された洗浄液を凍結させて基板２上から異物を除去する凍結洗浄が可能に構成されている。具体的には、図１に示すように、基板処理装置１は、ステージ１０１と、処理液ノズル１０３と、処理液供給部１０５と、冷却ガス供給部１０７と、処理液ノズル移動装置１０８と、回転駆動部１０９と、レイアウト情報取得部１１１と、制御部１１３と、温度センサ１１７と、カップ１１９と、筐体１２１とを備える。

【0009】

ここで、基板処理装置１について詳述する前に、基板２について説明する。図２は、第１実施形態による基板処理装置１で処理される基板２の一例を示す平面図である。図３は、第１実施形態による基板処理装置１で処理される基板２の一例を示す断面図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。なお、図２および図３に示される例において、基板２は、透過光の強度を減衰させつつ位相を１８０°反転させる位相シフトを利用してパターン解像力を向上させるハーフトーン型位相シフトマスク用の基板である。基板２は、ハーフトーン型位相シフトマスク以外のフォトマスク用の基板であってもよい。

【0010】

図２および図３に示すように、基板２は、最表面に遮光膜２０３が設けられた第１基板領域２１と、最表面に遮光膜２０３と材料が異なるハーフトーン膜２０２が設けられた第２基板領域２２とを有する。図２に示される例において、第１基板領域２１は、基板２のうち、外周側（すなわち、周辺側）の領域である。第２基板領域２２は、基板２のうち、中央側の領域である。より詳しくは、図２に示される例において、第２基板領域２２は、平面視において矩形状を有する領域である。第１基板領域２１は、第２基板領域２２を包囲し、平面視において矩形枠状を有する領域である。

【0011】

より具体的には、基板２は、石英基板２０１と、ハーフトーン膜２０２と、遮光膜２０３とを有する。石英基板２０１は、平面視において矩形状を有する。石英基板２０１は、石英（Ｑｚ）を含有する。ハーフトーン膜２０２は、石英基板２０１の表面（すなわち、上面）に形成されている。ハーフトーン膜２０２は、例えば、少なくともシリコン（Si）を含有し、さらにモリブデン（Mo）または窒素（N）を含有してもよい。ハーフトーン膜２０２は、例えば、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）を含有する。ハーフトーン膜２０２は、ハーフトーン膜２０２が無く石英基板２０１が露出した箇所に対して、透過する光の位相を１８０°反転させる。第２基板領域２２内のハーフトーン膜２０２は、ダイシングライン２０２１を介して複数の領域に区画されており、例えば、区画毎に異なるパターン（図示せず）が形成されていてもよいし、区画毎に同様なパターンが形成されていてもよい。遮光膜２０３は、例えば、第１基板領域２１内のハーフトーン膜２０２の表面に形成されている。遮光膜２０３は、例えば、第２基板領域２２内のハーフトーン膜２０２の表面には形成されていない。その場合、第１基板領域２１は、最表面に遮光膜２０３を有し、第２基板領域２２は、最表面にハーフトーン膜２０２を有する。遮光膜２０３は、平面視において矩形枠形状を有する。遮光膜２０３は、クロム（Ｃｒ）を含有する。遮光膜２０３は、光を遮光する。なお、第１基板領域２１は、最表面において遮光膜２０３の一部に遮光膜２０３よりも大幅に少ない面積比で遮光膜２０３以外の膜（例えば、アライメントマークなど）が含まれた領域であってもよい。

【0012】

次に、基板処理装置１について詳述する。図１に示すように、ステージ１０１は、筐体１２１内に配置されており、基板２を載置可能である。なお、図１において、基板２は簡略化されて図示されている。ステージ１０１は、載置された基板２を保持する。

【0013】

より具体的には、図１に示すように、ステージ１０１は、円板状に形成され、水平な表面を有する。ステージ１０１の表面の外周縁には、矩形状の基板２の四隅に対応するように４つの基板支持ピン１０２が配置されている。基板支持ピン１０２は、基板２の四隅を支持することで、基板２をステージ１０１上において水平に支持する。遮光膜２０３を効率的に除電できるように、基板支持ピン１０２は、導電性を有する。基板支持ピン１０２は、例えば、導電性ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）によって形成されていてもよい。

【0014】

さらに具体的には、ステージ１０１は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に延びる回転軸１０４の上端に、回転軸１０４と同心状に固定されている。ステージ１０１は、回転軸１０４を中心に、例えば、図１の矢印Ａに示す回転方向に回転することができる。回転軸１０４には、回転駆動部１０９が接続されている。回転駆動部１０９は、例えば、モータ等のアクチュエータを有する。回転駆動部１０９は、制御部１１３による制御の下で、回転軸１０４および回転軸１０４上のステージ１０１を回転駆動する。ステージ１０１を回転駆動することで、後述する基板２の最表面上への洗浄液の液膜の形成を促進することができる。

【0015】

図１に示すように、ステージ１０１の周囲には、ステージ１０１と同心の略筒状のカップ１１９が設けられている。カップ１１９の上端部は、基板２の表面よりも高い位置にある。カップ１１９は、凍結洗浄の際に、基板２の表面上の洗浄液がステージ１０１の回転によって周囲に飛散することを防止する。

【0016】

処理液ノズル１０３は、基板２上（すなわち、基板２の最表面上）に処理液の液膜を形成するように構成されている。処理液は、例えば、純水である。具体的には、処理液ノズル１０３は、供給管１０６を介して処理液供給部１０５に接続されている。処理液供給部１０５は、供給管１０６を通して処理液ノズル１０３に処理液を供給する。処理液供給部１０５は、例えば、処理液を貯留する貯留タンクと、貯留タンクから処理液ノズル１０３に処理液を供給するポンプと、供給される処理液の流量を調整するバルブとを有する。制御部１１３は、処理液供給部１０５によって供給される処理液の流量を制御する。処理液ノズル１０３は、処理液供給部１０５によって供給された処理液を基板２上に吐出することで、基板２上に処理液の液膜を形成する。

【0017】

処理液ノズル１０３には、処理液ノズル移動装置１０８が接続されている。処理液ノズル移動装置１０８は、例えば、制御部１１３による制御の下で、処理液ノズル１０３を待機位置から液膜形成のための処理液の吐出位置（以下、第２吐出位置と呼ぶ）まで移動させる。第２吐出位置は、例えば、第２基板領域２２内の基板２の回転中心に面する位置である。基板２の回転中心に面する位置で処理液を吐出させることで、基板２の回転にともなう液膜の形成をさらに促進することができる。処理液ノズル移動装置１０８は、例えば、処理液ノズル１０３に接続されたアームと、アームに接続されたモータ等の駆動源とを有していてもよい。

【0018】

冷却ガス供給部１０７は、基板２上に形成された処理液の液膜を凝固させることで凝固膜を形成するように構成されている。凝固膜は、例えば、純水を凍結させた氷である。具体的には、冷却ガス供給部１０７は、回転軸１０４の中央部を鉛直方向に貫通して設けられた冷却ガスノズル１０４１を通して、基板２の裏面に冷却ガスを供給する。冷却ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。冷却ガス供給部１０７は、例えば、液化された冷却ガスを貯留する貯留タンクと、貯留タンクから冷却ガスノズル１０４１に供給される冷却ガスの流量を調整するバルブとを有する。制御部１１３は、冷却ガス供給部１０７によって供給される冷却ガスの流量を制御する。例えば、制御部１１３は、処理液ノズル１０３に設けられた温度センサ１１７による基板２の温度の測定結果に基づいて、凝固膜が形成されるまで冷却ガスの供給を継続させる。冷却ガスノズル１０４１は、冷却ガス供給部１０７から供給された冷却ガスを基板２の裏面に吐出することで、基板２上に形成された処理液の液膜を凝固させて凝固膜を形成する。凝固膜を形成することで、基板２の表面に付着された異物を処理液の液相から固相への変化による体積膨張によって表面から浮き上がらせる（離間させる）ことができる。異物を浮き上がらせることで、凝固膜２０４の融解後に異物を基板２から効果的に除去することができる。また、このような凍結洗浄を行うことで、ハーフトーン膜２０２に形成されたパターンの臨界寸法（ＣＤ）が小さい場合においても、パターンの倒壊および光学特性の変動を妨げながら適切に異物を除去することができる。

【0019】

処理液ノズル１０３は、第２基板領域２２上の凝固膜よりも先に第１基板領域２１上の凝固膜を融解（または、供給された処理液への溶解）させるように構成されている。具体的には、基板２上に凝固膜が形成された後に、処理液ノズル移動装置１０８は、制御部１１３の制御の下で、処理液ノズル１０３を第１基板領域２１に面する吐出位置（以下、第１吐出位置と呼ぶ）まで移動させる。処理液ノズル１０３は、処理液供給部１０５から供給された処理液を第１吐出位置から第１基板領域２１上に吐出することで、第１基板領域２１上の凝固膜を融解させる。ステージ１０１を回転させながら第１基板領域２１上の凝固膜を融解させることで、融解した凝固膜および処理液は、異物および遮光膜２０３の表面に帯電した電荷とともに、基板２の外側に掃き出される。これにより、第１基板領域２１の異物を除去することができるとともに遮光膜２０３を除電することができる。基板支持ピン１０２が導電性を有することで、より効果的に遮光膜２０３を除電することができる。より詳細には後述するが、遮光膜２０３を除電することで、凝固膜の形成時に生じた第１基板領域２１の遮光膜２０３と第２基板領域２２のハーフトーン膜２０２との間の電位差を低減することができる。電位差を低減することで、ハーフトーン膜２０２の最表面が部分的に酸化することによる白もや状の欠陥の発生を低減することができる。白もや状の欠陥は、ハーフトーン膜２０２の最表面における他の部分と比較して反射光量が異なり、例えば、反射光量が低下している。

【0020】

第１基板領域２１上の凝固膜が融解した後に、処理液ノズル移動装置１０８は、制御部１１３の制御の下で、処理液ノズル１０３を第２吐出位置まで再び移動させる。処理液ノズル１０３は、処理液供給部１０５から供給された処理液を第２吐出位置から第２基板領域２２上に吐出することで、第２基板領域２２上の凝固膜を融解させる。ステージ１０１を回転させながら第２基板領域２２上の凝固膜を融解させることで、凝固膜により基板から浮き上がった異物は、凝固膜が融解した融解液及び供給された処理液とともに、基板２の外側に掃き出される。これにより、第２基板領域２２の異物を除去することができる。

【0021】

レイアウト情報取得部１１１は、基板２のレイアウト情報を取得する。例えば、レイアウト情報取得部１１１は、入力インタフェースを介したユーザの入力操作によって入力されたレイアウト情報を取得する。制御部１１３は、レイアウト情報取得部１１１によって取得されたレイアウト情報に基づいて、処理液ノズル１０３による洗浄の供給を制御する。具体的には、制御部１１３は、レイアウト情報に基づいて、第１基板領域２１の位置（すなわち、座標）を取得する。制御部１１３は、第１基板領域２１上の凝固膜を融解させるときに、取得された第１基板領域２１の位置に基づいて、第１基板領域２１に面する第１吐出位置まで処理液ノズル１０３を移動するように処理液ノズル移動装置１０８を制御する。レイアウト情報に基づくことで、第１基板領域２１上の凝固膜を簡便かつ適切に融解させることができる。レイアウト情報取得部１１１および制御部１１３は、例えば、メモリに記憶されたプログラムを実行するプロセッサで構成することができる。

【0022】

次に、図４～図８を用いて、第１実施形態の基板処理方法の一例としての基板処理装置１の動作例を説明する。ここで、図４は、第１実施形態による基板処理装置１の動作例を示すフローチャートである。図５は、第１実施形態による基板処理装置１の動作例を示すタイミングチャートである。図６は、第１実施形態による基板処理装置１の動作例を示す断面図である。図７は、第１実施形態による基板処理装置１の動作例を示す平面図である。図８は、図６に続く、第１実施形態による基板処理装置１の動作例を示す断面図である。

【0023】

先ず、基板処理装置１は、図４に示すように、基板２上に処理液の液膜を形成する予備冷却工程を実施する（ステップＳ１）。図５に示すように、予備冷却工程において、制御部１１３は、処理液供給部１０５に処理液の供給を実行（ＯＮ）させ、処理液供給部１０５により供給された処理液を、第２吐出位置に配置された処理液ノズル１０３から基板２上に吐出させる。このとき、制御部１１３は、回転駆動部１０９にステージ１０１を回転させる。また、図５に示すように、予備冷却工程において、制御部１１３は、冷却ガス供給部１０７に冷却ガスの供給を実行（ＯＮ）させ、冷却ガス供給部１０７により供給された冷却ガスを、冷却ガスノズル１０４１から基板２の裏面に吐出させる。これにより、基板２上に処理液の液膜が形成され、かつ、形成された液膜が冷却される。

【0024】

予備冷却工程を実施した後、図４に示すように、基板処理装置１は、処理液の液膜を凝固させる凍結工程を実施する（ステップＳ２）。図５に示すように、凍結工程において、制御部１１３は、処理液供給部１０５に処理液の供給を停止（ＯＦＦ）させる。また、図５に示すように、凍結工程において、制御部１１３は、冷却ガス供給部１０７に冷却ガスの供給を継続（ＯＮ）させる。凍結工程を実施することで、図６に示すように、基板２上に、処理液の液膜を凝固させた凝固膜２０４（すなわち、氷膜）が形成される。

【0025】

凍結工程を実施した後、図４に示すように、基板処理装置１は、基板２の遮光膜２０３を除電する基板除電工程を実施する（ステップＳ３）。図７に示すように、基板除電工程において、制御部１１３は、処理液ノズル移動装置１０８に、図７の矢印Ｂに示される第１基板領域２１の回転軌道上の第１吐出位置まで処理液ノズル１０３を移動させる。そして、図５に示すように、制御部１１３は、処理液供給部１０５に処理液の供給を実行（ＯＮ）させ、処理液供給部１０５により供給された処理液を、第１吐出位置に配置された処理液ノズル１０３から第１基板領域２１上の凝固膜２０４に吐出させる。このとき、制御部１１３は、図８の矢印Ａに示すように、回転駆動部１０９にステージ１０１を回転させる。また、制御部１１３は、図５に示すように、冷却ガス供給部１０７に、冷却ガスの供給を停止（ＯＦＦ）させる。基板除電工程を実施することで、図８に示すように、第２基板領域２２上の凝固膜２０４を凝固させたまま第１基板領域２１上の凝固膜２０４が融解して融解液２０５となる。融解液２０５および供給された処理液を含む混合液は、第１基板領域２１内の異物とともに遮光膜２０３に帯電した電荷を含む。異物および電荷を含む混合液は、ステージ１０１の回転によって発生した回転力によって基板２の外部に掃き出される。これにより、第１基板領域２１内の異物を除去するとともに遮光膜２０３を除電することができる。

【0026】

基板除電工程を実施した後、図４に示すように、基板処理装置１は、第２基板領域２２上の凝固膜２０４を解凍する解凍工程を実施する（ステップＳ５）。解凍工程において、制御部１１３は、処理液ノズル移動装置１０８に、基板２の回転中心に面する第２吐出位置まで処理液ノズル１０３を移動させる。そして、図５に示すように、制御部１１３は、処理液供給部１０５に処理液の供給を実行（ＯＮ）させ、処理液供給部１０５により供給された処理液を、第２吐出位置に配置された処理液ノズル１０３から第２基板領域２２上の凝固膜２０４に吐出させる。このとき、制御部１１３は、回転駆動部１０９にステージ１０１を回転させる。また、制御部１１３は、図５に示すように、冷却ガス供給部１０７に、冷却ガスの供給停止（ＯＦＦ）を継続させる。解凍工程における処理液の供給時間は、例えば、基板除電工程における処理液の供給時間よりも長い。解凍工程を実施することで、第２基板領域２２上の凝固膜２０４が融解して融解液となる。融解液および供給された処理液を含む混合液は、第２基板領域２２内の異物を含む。異物を含む混合液は、ステージ１０１の回転によって発生した回転力によって基板２の外部に掃き出される。これにより、第２基板領域２２内の異物を除去することができる。

【0027】

解凍工程を実施した後、図４に示すように、基板処理装置１は、基板２を乾燥する乾燥工程を実施する（ステップＳ５）。図５に示すように、乾燥工程において、制御部１１３は、処理液供給部１０５に処理液の供給を停止（ＯＦＦ）させ、冷却ガス供給部１０７に、冷却ガスの供給停止（ＯＦＦ）を継続させる。また、乾燥工程において、制御部１１３は、回転駆動部１０９にステージ１０１を他の工程よりも高速に回転させる。ステージ１０１を高速に回転させることで、基板２を迅速に乾燥させることができる。

【0028】

ここで、凍結工程の際に、基板２上に形成された処理液の液膜は、基板２の中央部の下方に配置された冷却ガスノズル１０４１からの冷却ガスの吐出によって、基板２の中央部から外周へ向かって凝固膜２０４（氷膜）へと変化する。一般的に、液体が凍結する際、正負イオンの移動度の差によって帯電現象が生じる。水の場合、分極によって水分子の外側が＋に、内側が－に帯電した状態で凍結が完了する。凝固膜２０４の形成が基板２の中央側から外周側に向かって進行することで、部分的に電子の移動が生じ、中央側のハーフトーン膜２０２と外周側の遮光膜２０３との間に電位差が生じる。そして、電位差が生じた状態で、凝固膜２０４の形成が完了する。もし、第１基板領域２１上（すなわち、遮光膜２０３上）の凝固膜２０４と、第２基板領域２２上（すなわち、ハーフトーン膜２０２上）の凝固膜２０４とを同時に融解させた場合、遮光膜２０３とハーフトーン膜２０２との電位差によって、ハーフトーン膜２０２が部分的に酸化される虞がある。ハーフトーン膜２０２が異常酸化されることで、白もや状の欠陥が発生してしまう。

【0029】

これに対して、第１実施形態によれば、上述のように、第２基板領域２２上の凝固膜２０４よりも先に第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させる。これにより、第１基板領域２１に位置する遮光膜２０３を除電して電位差を低減した後に、第２基板領域２２上の凝固膜２０４を融解させることができるので、第２基板領域２２に位置するハーフトーン膜２０２の部分的な酸化による欠陥を低減することができる。

【0030】

また、第１実施形態によれば、レイアウト情報に基づいて予め取得された第１基板領域２１の位置に基づいて、第１基板領域２１上の凝固膜２０４に、第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融点以上の温度を有する処理液を供給することができる。これにより、ハーフトーン膜２０２の部分的な酸化による欠陥を簡便かつ確実に低減させることができる。

【0031】

なお、これまでは、基板２の外周に配置された遮光膜２０３を効果的に除電できる例について説明したが、基板２の中央側に配置された遮光膜を除電するために第１実施形態を適用してもよい。また、処理液ノズル１０３を移動させる処理液ノズル移動装置１０８を設ける代わりに、第１吐出位置で処理液を吐出するノズルと、第２吐出位置で処理液を吐出するノズルとを個別に設けてもよい。

【0032】

（第１実施形態の第１変形例）
次に、基板除電工程において基板２の冷却を継続する第１実施形態の第１変形例について、上述した例との差異を中心に説明する。図９は、第１実施形態の第１変形例による基板処理装置１の動作例を示す断面図である。

【0033】

図５および図８では、基板除電工程において基板２への冷却ガスの供給を停止する例について説明した。これに対して、図９に示すように、基板処理装置１は、基板除電工程において、冷却ガスノズル１０４１による基板２への冷却ガスの供給を継続させてもよい。

【0034】

第１実施形態の第１変形例によれば、基板除電工程中に、第２基板領域２２上の凝固膜２０４の融解を妨げることができるので、ハーフトーン膜２０２の部分的な酸化による欠陥をより効果的に低減させることができる。

【0035】

（第１実施形態の第２変形例）
次に、第１基板領域２１上の凝固膜２０４を加熱ガスで融解させる第１実施形態の第２変形例について、上述した例との差異を中心に説明する。

【0036】

図１０は、第１実施形態の第２変形例による基板処理装置１を示す図である。第１実施形態の第２変形例による基板処理装置１は、図１の構成に加えて、更に、加熱ガスノズル１２３と、加熱ガス供給部１２５とを有する。

【0037】

加熱ガスノズル１２３は、第１基板領域２１上の凝固膜２０４に、凝固膜２０４の融点以上の温度を有する加熱ガスを供給するように構成されている。加熱ガスは、例えば、窒素ガスである。図１１は、第１実施形態の第２変形例による基板処理装置１の一部を示す平面図である。図１１に示すように、加熱ガスノズル１２３は、基板２の第１基板領域２１の回転軌道Ｂ上に配置されている。なお、加熱ガスノズル１２３は、図示しない移動装置によって回転軌道Ｂ上まで移動されてもよい。加熱ガスノズル１２３は、加熱ガス供給部１２５に接続されている。加熱ガス供給部１２５は、加熱ガスノズル１２３に加熱ガスを供給する。加熱ガス供給部１２５は、例えば、液化された加熱ガスを貯留する貯留タンクと、貯留タンクから加熱ガスノズル１２３に供給される加熱ガスの流量を調整するバルブとを有する。制御部１１３は、加熱ガス供給部１２５によって供給される加熱ガスの流量を制御する。加熱ガスノズル１２３は、加熱ガス供給部１２５から供給された加熱ガスを第１基板領域２１上の凝固膜２０４に吐出することで、第１基板領域２１の凝固膜２０４を融解させる。

【0038】

図１２は、第１実施形態の第２変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図１３は、第１実施形態の第２変形例による基板処理装置の動作例を示す断面図である。図１２に示すように、第１実施形態の第２変形例において、制御部１１３は、基板除電工程において、処理液供給部１０５に処理液の供給を実行（ＯＮ）させ、加熱ガス供給部１２５に加熱ガスの供給を実行（ＯＮ）させる。これにより、図１３に示すように、処理液供給部１０５により供給された処理液が処理液ノズル１０３から第１基板領域２１上の凝固膜２０４に吐出され、また、加熱ガス供給部１２５により供給された加熱ガスが加熱ガスノズル１２３から第１基板領域２１上の凝固膜２０４に吐出される。なお、図１２においては、基板除電工程において冷却ガスの供給を停止（ＯＦＦ）させている。基板除電工程において冷却ガスの供給を停止することに限定されず、図１３に示すように、基板除電工程において冷却ガスの供給を継続させてもよい。

【0039】

第１実施形態の第２変形例によれば、加熱ガスによって第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融解を促進することができるので、処理液の供給により第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させる場合と比較して基板２の処理時間を短縮させることができる。なお、第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融解は、加熱ガスの供給のみで実施してもよい。また、加熱ガスノズル１２３を第２基板領域２２上の凝固膜２０４に面する位置まで移動可能に構成すれば、加熱ガスを第２基板領域２２上の凝固膜２０４の融解にも利用することができる。

【0040】

（第２実施形態）
次に、接地線を用いて基板２を除電する第２実施形態について、第１実施形態の第２変形例との差異を中心に説明する。図１４は、第２実施形態による基板処理装置１の一例を示す図である。

【0041】

図１４に示すように、第２実施形態による基板処理装置１は、図１０の構成に加えて、更に、接地線１２７と、加熱ガスノズル移動装置１２９とを備える。接地線１２７は、加熱ガスノズル１２３に設けられている。接地線１２７は、接地電位に接続されている。加熱ガスノズル移動装置１２９は、制御部１１３による制御の下で、加熱ガスノズル１２３とともに接地線１２７を移動する。加熱ガスノズル移動装置１２９の具体的な構成は、処理液ノズル移動装置１０８と同様であってもよい。

【0042】

図１５は、第２実施形態による基板処理装置１の動作例を示すタイミングチャートである。図１６は、第２実施形態による基板処理装置１の動作例を示す図である。図１５に示すように、第２実施形態において、基板処理装置１は、基板除電工程において、接地線１２７を遮光膜２０３に接触させて遮光膜２０３を除電する接触除電を行う。より具体的には、基板除電工程において、制御部１１３は、加熱ガスノズル移動装置１２９に、第１基板領域２１上の凝固膜２０４に面する位置まで加熱ガスノズル１２３を移動させる。そして、制御部１１３は、加熱ガス供給部１２５に加熱ガスの供給を実行（ＯＮ）させる。これにより、加熱ガス供給部１２５により供給された加熱ガスが加熱ガスノズル１２３から第１基板領域２１上の凝固膜２０４に吐出される。加熱ガスによる第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融解が進行するのにともなって、加熱ガスノズル移動装置１２９は、加熱ガスノズル１２３を徐々に降下させる。加熱ガスノズル１２３を降下させる速度は、凝固膜２０４の融解速度に応じて予め設定された速度であってもよい。そして、図１６に示すように、加熱ガスノズル１２３に設けられた接地線１２７が第１基板領域２１内の基板２の表面（すなわち、遮光膜２０３）に接触する移動量で移動したときに、加熱ガスノズル移動装置１２９は、加熱ガスノズル１２３の降下を停止させる。遮光膜２０３に接地線１２７が接触することで、遮光膜２０３に帯電した電荷は、接地線１２７を介して接地電位に流れる。これにより、遮光膜２０３が除電される。

【0043】

なお、ステージ１０１を回転させながら接地線１２７を遮光膜２０３に接触させると、接地線１２７で遮光膜２０３に傷が付く虞がある。遮光膜２０３に傷が付かないように、制御部１１３は、接地線１２７が遮光膜２０３に接触しているときは、ステージ１０１の回転を停止させる。

【0044】

第２実施形態によれば、接地線１２７を用いることで遮光膜２０３を迅速に除電することができる。これにより、基板２の処理時間を短縮させることができる。

【0045】

（第２実施形態の第１変形例）
次に、イオナイザで基板２を除電する第２実施形態の第１変形例について、図１４の構成との差異を中心に説明する。図１７は、第２実施形態の第１変形例による基板処理装置１を示す図である。

【0046】

図１７に示すように、第２実施形態の第１変形例による基板処理装置１は、図１４の異なり、接地線１２７の代わりにイオナイザ１３１を備える。イオナイザ１３１は、例えば、電離作用を有する軟Ｘ線を照射することで照射範囲内にイオンを発生させ、発生したイオンによって基板２から静電気を除去する装置である。制御部１１３は、イオナイザ１３１の駆動を制御する。

【0047】

図１８は、第２実施形態の第１変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図１８に示すように、第２実施形態の第１変形例において、制御部１１３は、予備冷却工程、凍結工程、基板除電工程、解凍工程、および乾燥工程の全工程において、イオナイザ１３１を駆動（ＯＮ）させる。これにより、基板除電工程において、加熱ガスによる第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融解によって露出した遮光膜２０３を、イオナイザ１３１で発生させたイオンによって除電することができる。また、基板除電工程以外においても、基板２上に帯電した電荷を除電することができる。

【0048】

第２実施形態の第１変形例によれば、イオナイザ１３１を用いることで遮光膜２０３を非接触で除電することができる。

【0049】

（第２実施形態の第２変形例）
次に、接地線１２７およびイオナイザ１３１の双方で基板２を除電する第２実施形態の第１変形例について説明する。図１９は、第２実施形態の第２変形例による基板処理装置１を示す図である。図１９に示すように、第２実施形態の第２変形例による基板処理装置１は、図１７の構成に加えて、更に、接地線１２７を備え、接地線１２７とイオナイザ１３１との双方を用いて遮光膜２０３を除電する。なお、接地線１２７を用いた遮光膜２０３の除電動作は、図１６に示される例と同様である。

【0050】

図２０は、第２実施形態の第２変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図１８では、イオナイザ１３１を全工程において駆動する例について説明した。これに対して、図２０に示すように、第２実施形態の第２変形例では、イオナイザ１３１の駆動に加えて、接地線１２７を用いて遮光膜２０３を除電する。なお、図２０においては、イオナイザ１３１のタイミングチャートの図示を省略している。また、図２０に示される例では、凍結工程においてステージ１０１を回転させる。また、図２０に示される基板除電工程の期間は、図１５および図１８に示される基板除電工程の期間よりも短縮させることが可能である。第２実施形態の第２変形例では、イオナイザ１３１に加えて接地線１２７を用いて遮光膜２０３を除電することができるので、遮光膜２０３を迅速かつ適切に除電することができる。

【0051】

（第２実施形態の第３変形例）
図２１は、第２実施形態の第３変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図２１に示すように、図２０に対して、凍結工程においてステージ１０１を停止させてもよい。凍結工程においてステージ１０１を停止させることで、凝固膜２０４の形成時における電荷の移動を低減することができる。これにより、欠陥の原因となる遮光膜２０３の帯電を低減することができる。

【0052】

（第２実施形態の第４変形例）
次に、接地線１２７がステージ１０１とともに回転する第２実施形態の第４変形例について、図１９の構成との差異を中心に説明する。

【0053】

図２２は、第２実施形態の第４変形例による基板処理装置１を示す図である。図２２に示すように、第２実施形態の第４変形例による基板処理装置１は、図１９の構成に対して、接地線１２７がステージ１０１上に設けられている点が異なる。図２２に示される例において、接地線１２７は、基板支持ピン１０２の外側に設けられている。接地線１２７は、ステージ１０１とともに回転可能である。処理液による接地線１２７の劣化を低減するため、接地線１２７は、部分的に防水カバー１３３で保護されていてもよい。接地線１２７は、基板２の最表面に常時接触する構成であってもよい。あるいは、接地線１２７は、図示しない移動装置によって、遮光膜２０３が露出されるまでは基板２の最表面から退避される構成であってもよい。

【0054】

図２３は、第２実施形態の第４変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図２３に示すように、第２実施形態の第４変形例において、制御部１１３は、基板除電工程においてステージ１０１を回転させる。接地線１２７は、ステージ１０１およびステージ１０１上の基板２とともに回転するので、接地線１２７によって基板２の遮光膜２０３に傷が付くことを妨げることができる。なお、図２３に示される例において、制御部１１３は、凍結工程においてもステージ１０１を回転させる。

【0055】

第２実施形態の第４変形例によれば、図１９の構成と同様に、接地線１２７とイオナイザ１３１との双方によって遮光膜２０３を効率的に除電することができる。

【0056】

（第２実施形態の第５変形例）
図２４は、第２実施形態の第５変形例による基板処理装置１の動作を示すタイミングチャートである。図２４に示すように、図２３に対して、凍結工程においてステージ１０１の回転を停止させてもよい。凍結工程においてステージ１０１を停止させることで、欠陥の原因となる遮光膜２０３の帯電を低減することができる。

【0057】

（第３実施形態）
次に、光の照射によって凝固膜２０４を融解させる第３実施形態について、第１実施形態および第２実施形態との差異を中心に説明する。図２５は、第３実施形態による基板処理装置１の一例を示す図である。図２６は、第３実施形態による基板処理装置１の一部を示す平面図である。

【0058】

図２５および図２６に示すように、第３実施形態による基板処理装置１は、ランプ１３５を備える。ランプ１３５は、例えば、ハロゲンランプである。ランプ１３５は、第１基板領域２１上に、遮光膜２０３に吸収される波長の光を照射することで、第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させる。ランプ１３５は、例えば、約７００～２０００ｎｍの範囲内の波長を有する光を照射する。ランプ１３５から照射される光は、赤外光であってもよい。図２５および図２６に示される例において、ランプ１３５は、Ｘ軸方向に沿って基板２を跨ぐ（すなわち、横断する）長さにわたって棒状に形成されている。

【0059】

制御部１１３は、ランプ１３５による光の照射を制御する。例えば、制御部１１３は、ランプ１３５に約７００～２０００ｎｍの範囲内の波長を有するパルス状の光を所定の時間間隔で複数回照射させてもよい。

【0060】

ランプ１３５によって照射された光は、第１基板領域２１に配置された遮光膜２０３に吸収されて遮光膜２０３を加熱する。遮光膜２０３が加熱されることで、遮光膜２０３に接する第１基板領域２１上の凝固膜２０４は融解する。一方、ランプ１３５によって照射された光は、第２基板領域２２に配置されたハーフトーン膜２０２に殆ど吸収されず、ハーフトーン膜２０２を殆ど加熱しない。ハーフトーン膜２０２が殆ど加熱されないことで、ハーフトーン膜２０２に接する第２基板領域２２上の凝固膜２０４は殆ど融解しない。なお、第２基板領域２２上の凝固膜２０４は、イオナイザ１３１を用いた基板除電工程の完了後に、処理液ノズル１０３から吐出される処理液により融解する。なお、ランプ１３５を用いて第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させるときに、処理液供給ノズル１０３は、上述した処理液ノズル移動装置１０８によって退避位置まで退避されていてもよい。

【0061】

第１実施形態および第２実施形態と同様に、第３実施形態においても、第２基板領域２２上の凝固膜２０４よりも先に第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させることができる。これにより、第２基板領域２２に位置するハーフトーン膜２０２の部分的な酸化による欠陥の発生を低減することができる。

【0062】

（第３実施形態の第１変形例）
次に、遮光膜２０３以外の基板２における光の吸収を妨げる第３実施形態の第１変形例について、図２５の構成との差異を中心に説明する。図２７は、第３実施形態の第１変形例による基板処理装置１を示す図である。

【0063】

図２７に示すように、第３実施形態の第１変形例による基板処理装置１は、図２５の構成に加えて、更に、フィルタ１３７を備える。図２７に示される例において、フィルタ１３７は、板状を有する。フィルタ１３７は、ランプ１３５と基板２との間に配置されている。また、ランプ１３５は、波長の幅を持った光を基板２に照射する。

【0064】

フィルタ１３７は、吸収する光の波長が、石英基板２０１、ハーフトーン膜２０２、および凝固膜２０４の少なくとも１つと同じである材質で構成されている。例えば、フィルタ１３７は、石英基板２０１と同じ材料で構成された層と、ハーフトーン膜２０２と同じ材料で構成された層と、凝固膜２０４と同じ若しくは吸収波長が近い材料で構成された層とを積層した積層構造であってもよい。

【0065】

図２８は、第３実施形態の第１変形例による基板処理装置１の動作を説明するための説明図である。図２８に示すように、第３実施形態の第１変形例においては、ランプ１３５から照射された光のうち、石英基板２０１による吸収率が高い光Ｌ２、ハーフトーン膜２０２による吸収率が高い光Ｌ３、および、凝固膜２０４による吸収率が高い光Ｌ４は、フィルタ１３７に吸収される。すなわち、これらの光Ｌ２～Ｌ４はフィルタ１３７の透過光量が低減されて、基板２への照射光量が低減される。一方、遮光膜２０３による吸収率が高い光Ｌ１は、フィルタ１３７で殆ど吸収されず、フィルタ１３７を透過して基板２に照射される。したがって、第１基板領域２１に配置された遮光膜２０３においては、光Ｌ１が吸収され、第２基板領域２２の配置されたハーフトーン膜２０２、石英基板２０１および凝固膜２０４においては、光の吸収量が低減される。

【0066】

したがって、第３実施形態の第１変形例によれば、遮光膜２０３以外の部分での光の吸収を阻害することで、より確実に、第２基板領域２２上の凝固膜２０４よりも先に第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させることができる。これにより、第２基板領域２２に位置するハーフトーン膜２０２の部分的な酸化による欠陥の発生をより効果的に低減することができる。

【0067】

（第３実施形態の第２変形例）
図２９は、第３実施形態の第２変形例による基板処理装置１の一部を平面図である。図２６では、ランプ１３５が基板２を跨ぐ長さに形成された例について説明した。これに対して、図２９に示すように、ランプ１３５は、基板２の第１基板領域２１の一部を覆うように形成されていてもよい。すなわち、ランプ１３５は、第１基板領域２１の回転軌道上に配置されていてもよい。第３実施形態の第２変形例によれば、ランプ１３５を小型化してコストを低減させることができる。

【0068】

（第３実施形態の第３変形例）
図３０は、第３実施形態の第３変形例による基板処理装置１を示すブロック図である。これまでは、１つのチャンバ内で凍結洗浄の各工程を実施する例について説明した。これに対して、図３０に示すように、複数のチャンバ内で凍結洗浄の各工程を分割して実施してもよい。図３０に示される例において、基板処理装置１は、親水化ユニット１００１と、凍結リンス乾燥ユニット１００２と、赤外線ユニット１００３とを備える。なお、親水化ユニット１００１と、凍結リンス乾燥ユニット１００２と、赤外線ユニット１００３との間には、各ユニット間で基板２を受け渡すための図示しない基板搬送機構が設けられている。

【0069】

親水化ユニット１００１は、上述した予備冷却工程の前に、基板２の表面に紫外光を照射することで、処理液による基板２の濡れ性を向上させる。

【0070】

凍結リンス乾燥ユニット１００２は、予備冷却工程、凍結工程、解凍工程（リンス工程）および乾燥工程を実施する。

【0071】

赤外線ユニット１００３は、上述した基板除電工程を実施する。すなわち、凍結工程で液膜が凍結された基板２は、凍結されたまま赤外線ユニット１００３に搬送される。そして、赤外線ユニット１００３において第１基板領域２１上の凝固膜２０４が解凍（一部解凍）されて除電された基板２は、解凍工程のために凍結リンス乾燥ユニット１００２に搬送される。なお、基板除電工程における第１基板領域２１上の凝固膜２０４の融解は、赤外線照射によって行われる。

【0072】

第３実施形態の第３変形例によれば、複数のチャンバで凍結洗浄の各工程を実施することで、各工程の設計の自由度を向上させることができる。

【0073】

（第３実施形態の第４変形例）
図３１は、第３実施形態の第４変形例による基板処理装置１を示す図である。これまでは、基板２の上方に配置されたランプ１３５から基板２に赤外線を照射することで、第１基板領域２１上の凝固膜２０４を融解させる例について説明した。これに対して、図３１に示すように、赤外線ユニット１００３では、ランプ１３５が基板２の下方に配置されていてもよい。

【0074】

なお、本実施形態は、上述した基板２の除電に限定されず、石英ガラスのような絶縁物上に、導電性の枠状の金属膜と、当該金属膜の内側に島状に配置された金属膜と異なる材質の膜とを備えた基板において、金属膜を除電するために用いられてもよい。

【0075】

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

【符号の説明】

【0076】

２：基板、２１：第１基板領域、２２：第２基板領域、２０２：ハーフトーン膜、２０３：遮光膜、２０４：凝固膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】