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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024044905
(43)【公開日】2024-04-02
(54)【発明の名称】基板洗浄装置および基板洗浄方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240326BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20240326BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 644C
H01L21/304 644E
H01L21/304 644F
H01L21/304 648A
H01L21/304 651B
H01L21/68 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022150729
(22)【出願日】2022-09-21
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】中村 一樹
(72)【発明者】
【氏名】岡田 吉文
(72)【発明者】
【氏名】沖田 展彬
【テーマコード（参考）】
5F131
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA21
5F131AA32
5F131AA33
5F131AA34
5F131BA37
5F131CA01
5F131CA12
5F131DA33
5F131DA42
5F131EA06
5F131EA15
5F131EA22
5F131EA23
5F131EA24
5F131EB01
5F131EB55
5F131EB72
5F131HA28
5F157AA14
5F157AA16
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC04
5F157AC26
5F157BA07
5F157BA13
5F157BA31
5F157BB22
5F157CB13
5F157CE08
5F157CE10
5F157CE27
5F157CF30
5F157CF32
5F157DB02
(57)【要約】
【課題】洗浄後の基板の下面の清浄度を向上させることが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗの外周端部を保持する上側保持装置１０Ａ，１０Ｂと、基板Ｗの下面に接触して当該基板Ｗの下面を洗浄する下面ブラシ５１とを備える。下面ブラシ５１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの下面に接触する接触位置と、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗから一定距離離間した離間位置との間を移動する。離間位置において、下面ブラシ５１は第１の回転速度で回転する。接触位置において下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する時点および下面ブラシ５１が基板Ｗの下面から離間する時点で、下面ブラシ５１は第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転する。
【選択図】図１
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗの外周端部を保持する上側保持装置１０Ａ，１０Ｂと、基板Ｗの下面に接触して当該基板Ｗの下面を洗浄する下面ブラシ５１とを備える。下面ブラシ５１は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗの下面に接触する接触位置と、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持される基板Ｗから一定距離離間した離間位置との間を移動する。離間位置において、下面ブラシ５１は第１の回転速度で回転する。接触位置において下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する時点および下面ブラシ５１が基板Ｗの下面から離間する時点で、下面ブラシ５１は第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、
前記基板の下面に接触して当該基板の下面を洗浄する洗浄具と、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させる洗浄具回転駆動部と、
前記洗浄具回転駆動部により回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させる洗浄具移動部とを備え、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させ、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させる、基板洗浄装置。
前記基板の下面に接触して当該基板の下面を洗浄する洗浄具と、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させる洗浄具回転駆動部と、
前記洗浄具回転駆動部により回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させる洗浄具移動部とを備え、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させ、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させる、基板洗浄装置。
【請求項2】
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度である、請求項１記載の基板洗浄装置。
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度である、請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項3】
前記洗浄具回転駆動部は、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させ、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度である、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度である、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項4】
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項5】
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項6】
前記洗浄具移動部は、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄し、
前記基板洗浄装置は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させる第２の基板保持部をさらに備え、
前記洗浄具移動部は、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
前記基板洗浄装置は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させる第２の基板保持部をさらに備え、
前記洗浄具移動部は、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させる、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項7】
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成された、請求項１または２記載の基板洗浄装置。
【請求項8】
第１の基板保持部により基板の外周端部を保持するステップと、
洗浄具を前記基板の下面に接触させて当該基板の下面を洗浄するステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップにより回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させるステップとを含み、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させることと、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させることとを含む、基板洗浄方法。
洗浄具を前記基板の下面に接触させて当該基板の下面を洗浄するステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップにより回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させるステップとを含み、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させることと、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させることとを含む、基板洗浄方法。
【請求項9】
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度である、請求項８記載の基板洗浄方法。
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度である、請求項８記載の基板洗浄方法。
【請求項10】
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させることを含み、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度である、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度である、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
【請求項11】
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させることを含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させることを含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
【請求項12】
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させることを含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させることを含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
【請求項13】
前記洗浄具を移動させるステップは、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄することを含み、
前記基板洗浄方法は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させるステップをさらに含み、
前記洗浄具を移動させるステップは、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させることをさらに含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
前記基板洗浄方法は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させるステップをさらに含み、
前記洗浄具を移動させるステップは、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させることをさらに含む、請求項８または９記載の基板洗浄方法。
【請求項14】
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成された、請求項１または２記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板の下面を洗浄する基板洗浄装置および基板洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。基板を洗浄するために、基板洗浄装置が用いられる。
【0003】
特許文献１に記載された基板洗浄装置は、上側保持装置、下側保持装置および下面洗浄装置を備える。
【0004】
上側保持装置は、一対の下チャックおよび一対の上チャックを含む。一対の下チャックの間でかつ一対の上チャックの間に配置された基板が、一対の下チャックおよび一対の上チャックにより挟み込まれる。それにより、基板の外周端部に一対の下チャックおよび一対の上チャックが接する状態で、洗浄対象となる基板が保持される。下面洗浄装置は、上側保持装置により保持される基板の下面中央領域を洗浄する。
【0005】
下側保持装置は、いわゆるスピンチャックであり、基板の下面中央領域を吸着保持しつつ、基板を水平姿勢で回転させる。下面洗浄装置は、下側保持装置により保持される基板の下面のうち下面中央領域を取り囲む領域（以下、下面外側領域と呼ぶ。）をさらに洗浄する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０２２－５１０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上記の下面洗浄装置は、下面ブラシ（洗浄具）を基板の下面に接触させることにより、基板の下面中央領域および下面外側領域を洗浄する。このように、基板を物理的に洗浄する場合には、洗浄具が基板に接触することに起因して洗浄後の基板の清浄度が低下する可能性がある。
【0008】
本発明の目的は、洗浄後の基板の下面の清浄度を向上させることが可能な基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一局面に従う基板洗浄装置は、基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、前記基板の下面に接触して当該基板の下面を洗浄する洗浄具と、前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させる洗浄具回転駆動部と、前記洗浄具回転駆動部により回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させる洗浄具移動部とを備え、前記洗浄具回転駆動部は、前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させ、前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させる。
【0010】
本発明の他の局面に従う基板洗浄方法は、第１の基板保持部により基板の外周端部を保持するステップと、洗浄具を前記基板の下面に接触させて当該基板の下面を洗浄するステップと、前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップと、前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップにより回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させるステップとを含み、前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させることと、前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させることとを含む。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、洗浄後の基板の下面中央領域の清浄度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。
【図4】本実施の形態に係る基板に定義される下面中央領域を説明するための基板の下面図である。
【図5】本実施の形態に係る基板に定義される下面外側領域を説明するための基板の下面図である。
【図6】本実施の形態に係る基板に定義される接触領域および離間領域を説明するための基板の下面図である。
【図7】本実施の形態に係る基板に定義される隙間領域を説明するための基板の下面図である。
【図8】基板の下面洗浄時の基板洗浄装置の各部の動作の詳細を説明するための図である。
【図9】基板の下面洗浄時の基板洗浄装置の各部の動作の詳細を説明するための図である。
【図10】基板の下面洗浄時の基板洗浄装置の各部の動作の詳細を説明するための図である。
【図13】実施例に係る洗浄後基板の下面の汚染分布図である。
【図14】比較例に係る洗浄後基板の下面の汚染分布図である。
【図15】他の実施の形態に係る下面ブラシの回転制御を説明するためのタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本発明の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板洗浄方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板（ウエハ）、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。また、以下の説明では、基板の上面が回路形成面（表面）であり、基板の下面が回路形成面と反対側の面（裏面）である。また、基板は、ノッチを除いて円形状を有する。
【0014】
１．基板洗浄装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
図１は、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の模式的平面図である。図２は、図１の基板洗浄装置１の内部構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。図１および図２以降の所定の図では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が適宜矢印で示される。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は上下方向（鉛直方向）に相当する。
【0015】
図１および図２に示すように、基板洗浄装置１は、ユニット筐体２内に、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂ、下側保持装置２０、台座装置３０、受渡装置４０、下面洗浄装置５０、カップ装置６０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および開閉装置９０が収容された構成を有する。図２では、ユニット筐体２が点線で示される。
【0016】
ユニット筐体２は、直方体形状を有し、矩形の底面部および底面部の４辺から上方に延びる４つの側壁部を含む。４つの側壁部のうち２つの側壁部はＹ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち他の２つの側壁部はＸ方向において互いに対向する。４つの側壁部のうち１つの側壁部中央には、基板Ｗの搬入搬出口２ｘが形成されている。搬入搬出口２ｘの近傍には、開閉装置９０が設けられている。開閉装置９０は、シャッタ９１を含み、シャッタ９１により搬入搬出口２ｘを開閉可能に構成されている。
【0017】
ユニット筐体２の底面部に、台座装置３０が設けられている。台座装置３０は、リニアガイド３１および可動台座３２を含む。リニアガイド３１は、Ｘ方向に並ぶ２本のレールを含み、Ｘ方向における底面部の中央部分を横切るようにＹ方向に延びている。台座装置３０は、リニアガイド３１の２本のレール上で、可動台座３２をＹ方向における複数の位置に移動させることが可能に構成されている。
【0018】
可動台座３２上に、下側保持装置２０および下面洗浄装置５０がＹ方向に並ぶように設けられている。下側保持装置２０は、可動台座３２の上面に固定され、吸着保持部２１を含む。吸着保持部２１は、いわゆるスピンチャックであり、基板Ｗの下面を吸着保持可能な円形状の吸着面を有する。また、吸着保持部２１は、上下方向に延びる軸（Ｚ方向の軸）の周りで回転可能に構成される。下側保持装置２０は、吸着保持部２１により、基板Ｗの下面を吸着保持するとともに、吸着保持された基板Ｗを上下方向に延びる軸の周りで回転させる。
【0019】
以下の説明では、吸着保持部２１により基板Ｗが吸着保持される際に、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着保持する領域を下面中央領域と呼ぶ。また、基板Ｗの下面のうち下面中央領域を取り囲む領域を下面外側領域と呼ぶ。
【0020】
可動台座３２上には、下側保持装置２０の近傍に受渡装置４０が設けられている。受渡装置４０は、平面視で吸着保持部２１を取り囲みかつ上下方向に延びるように設けられた複数（本例では３本）の支持ピン４１を有する。複数の支持ピン４１は、予め定められた複数の高さ位置の間で昇降可能に設けられている。
【0021】
後述するように、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下側保持装置２０よりも上方の位置で基板Ｗを保持可能に構成されている。受渡装置４０は、複数の支持ピン４１を昇降させることにより、下側保持装置２０に保持された基板Ｗを受け取って上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡すことが可能である。また、受渡装置４０は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに保持された基板Ｗを受け取って下側保持装置２０に渡すことが可能である。
【0022】
下面洗浄装置５０は、下面ブラシ５１、２つの液ノズル５２、気体噴出部５３、昇降回転支持部５４および図示しない各種駆動部を含む。昇降回転支持部５４は、Ｙ方向において下側保持装置２０に隣り合うように、可動台座３２の上面に固定されている。図１に示すように、下面ブラシ５１は、基板Ｗの下面に接触可能な円形状の洗浄面を有する。また、下面ブラシ５１は、洗浄面が上方を向くようにかつ洗浄面が当該洗浄面の中心を通って上下方向に延びる軸の周りで回転可能となるように、昇降回転支持部５４に取り付けられている。下面ブラシ５１の洗浄面の面積は、吸着保持部２１の吸着面の面積よりも大きい。なお、下面ブラシ５１は、例えばＰＶＡ（ポリビニールアルコール）スポンジまたは砥粒が分散されたＰＶＡスポンジにより形成される。
【0023】
昇降回転支持部５４は、下面ブラシ５１を昇降させる昇降機構と、下面ブラシ５１を回転させるブラシ駆動機構とを含む。昇降回転支持部５４は、その昇降機構により、基板Ｗが下側保持装置２０または上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された状態で昇降動作する。これにより、昇降回転支持部５４は、下面ブラシ５１を、基板Ｗの下面に接触する高さ位置（後述する第２の高さ位置および第３の高さ位置）と基板Ｗから一定距離下方に離間した高さ位置（後述する第１の高さ位置）との間で移動させる。
【0024】
また、昇降回転支持部５４は、そのブラシ駆動機構により、下面ブラシ５１を回転させる。これにより、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する高さ位置にある状態で回転することにより、基板Ｗの下面における下面ブラシ５１との接触部分が洗浄される。
【0025】
２つの液ノズル５２の各々は、下面ブラシ５１の近傍に位置しかつ液体噴射口が下面ブラシ５１の洗浄面を向くように、昇降回転支持部５４に取り付けられている。液ノズル５２には、図示しない洗浄液供給系が接続されている。下面ブラシ５１が待機位置にある状態で、各液ノズル５２から下面ブラシ５１に向けて洗浄液が供給され、下面ブラシ５１が回転する。この場合、下面ブラシ５１に供給された洗浄液は、下面ブラシ５１が回転することにより発生する遠心力で、下面ブラシ５１の表面またはその内部を円滑に流れる。それにより、待機位置において、下面ブラシ５１に付着する汚染物質が洗浄液により円滑に洗い流される。また、下面ブラシ５１に洗浄液が浸み込むことにより、下面ブラシ５１が乾燥することが抑制される。
【0026】
気体噴出部５３は、一方向に延びる気体噴出口を有するスリット状の気体噴射ノズルである。気体噴出部５３は、平面視で下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に位置しかつ気体噴射口が上方を向くように、昇降回転支持部５４に取り付けられている。気体噴出部５３には、図示しない噴出気体供給系が接続されている。本実施の形態では、気体噴出部５３に供給される気体として窒素ガスが用いられる。気体噴出部５３は、下面ブラシ５１による基板Ｗの洗浄時および後述する基板Ｗの下面の乾燥時に、噴出気体供給系から供給される気体を基板Ｗの下面に噴射する。それにより、下面ブラシ５１と吸着保持部２１との間に、Ｘ方向に延びる帯状の気体カーテンが形成される。
【0027】
カップ装置６０は、ユニット筐体２内の略中央部に設けられ、カップ６１を含む。カップ６１は、平面視で下側保持装置２０および台座装置３０を取り囲むようにかつ昇降可能に設けられている。図２においては、カップ６１が点線で示される。カップ６１は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面におけるどの部分を洗浄するのかに応じて、予め定められた下カップ位置と上カップ位置との間で移動する。下カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１により吸着保持される基板Ｗよりも下方にある高さ位置である。また、上カップ位置はカップ６１の上端部が吸着保持部２１よりも上方にある高さ位置である。
【0028】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、カップ６１よりも上方の高さ位置に設けられている。上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、平面視で台座装置３０を挟んで対向する。上側保持装置１０Ａは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａを含む。上側保持装置１０Ｂは、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂを含む。
【0029】
下チャック１１Ａ，１１Ｂは、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。下チャック１１Ａ，１１Ｂの各々は、基板Ｗの下面外側領域を基板Ｗの下方から支持可能な２本の支持片を有する。上チャック１２Ａ，１２Ｂは、下チャック１１Ａ，１１Ｂと同様に、平面視で吸着保持部２１の中心を通ってＹ方向に延びる鉛直面に関して対称に配置され、共通の水平面内でＸ方向に移動可能に設けられている。上チャック１２Ａ，１２Ｂの各々は、基板Ｗの外周端部の２つの部分に当接して基板Ｗの外周端部を保持可能に構成された２本の保持片を有する。
【0030】
上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいては、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと、下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間の距離が調整される。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂは、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとの間で基板Ｗを挟み込むことにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗを保持することが可能である。また、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにおいては、下チャック１１Ａおよび上チャック１２Ａと下チャック１１Ｂおよび上チャック１２Ｂとを互いに遠ざけることにより、保持された基板Ｗを解放することが可能である。
【0031】
図１に示すように、Ｘ方向におけるカップ６１の一側方に上面洗浄装置７０が設けられている。図２に示すように、上面洗浄装置７０は、回転支持軸７１、アーム７２およびスプレーノズル７３を含む。回転支持軸７１は、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム７２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸７１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム７２の先端部には、スプレーノズル７３が取り付けられている。スプレーノズル７３には、図示しない流体供給系が接続されている。図示しない流体供給系からスプレーノズル７３に洗浄液および気体が供給される。それにより、スプレーノズル７３において洗浄液と気体とが混合され、混合流体が生成される。生成された混合流体は、スプレーノズル７３から下方に向かって噴射される。
【0032】
上面洗浄装置７０においては、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、スプレーノズル７３が基板Ｗの上方を移動するように、回転支持軸７１の高さ位置が調整され、回転支持軸７１が回転する。この状態で、スプレーノズル７３から基板Ｗに混合流体が噴射される。それにより、基板Ｗの上面全体が洗浄される。
【0033】
図１に示すように、Ｘ方向におけるカップ６１の他側方に端部洗浄装置８０が設けられている。図２に示すように、端部洗浄装置８０は、回転支持軸８１、アーム８２およびベベルブラシ８３を含む。回転支持軸８１は、上下方向に延びるようにかつ昇降可能かつ回転可能に設けられている。アーム８２は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂよりも上方の位置で、回転支持軸８１の上端部から水平方向に延びるように設けられている。アーム８２の先端部には、下方に向かって突出するようにかつ上下方向の軸の周りで回転可能となるようにベベルブラシ８３が設けられている。
【0034】
端部洗浄装置８０においては、例えば基板Ｗが下側保持装置２０により保持されて回転する状態で、ベベルブラシ８３が基板Ｗの外周端部に接触するように、回転支持軸８１の高さ位置が調整され、回転支持軸８１が回転する。さらに、アーム８２の先端部に設けられるベベルブラシ８３が上下方向の軸の周りで回転する。それにより、基板Ｗの外周端部全体が洗浄される。
【0035】
図１に示すように、基板洗浄装置１は、制御部９をさらに含む。制御部９は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含む。メモリには、基板洗浄プログラムが記憶されている。制御部９のＣＰＵは、メモリに記憶された基板洗浄プログラムを実行することにより、上記の各構成要素（１０Ａ，１０Ｂ，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０）の動作を制御する。
【0036】
【0037】
本実施の形態に係る基板洗浄乾燥処理は、制御部９のＣＰＵが記憶装置に記憶された基板洗浄プログラムを実行することにより行われる。初期状態で、台座装置３０は、下側保持装置２０の吸着保持部２１が平面視でカップ６１の中央に位置するように可動台座３２が位置決めされているものとする。
【0038】
まず、制御部９が、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放し、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗをユニット筐体２内に受け入れる（ステップＳ１）。
【0039】
次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、基板Ｗを複数の支持ピン４１により受け取り、受け取られた基板Ｗを上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに渡す（ステップＳ２）。このとき、制御部９は、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂを制御することにより、下側保持装置２０の上方の位置で基板Ｗの外周端部を保持する（ステップＳ３）。なお、基板洗浄装置１の外部から搬入される基板Ｗが、下チャック１１Ａ，１１Ｂ上に載置可能である場合、ステップＳ２の処理は省略されてもよい。ステップＳ１で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが受渡装置４０により受け取られた後、シャッタ９１により閉塞される。
【0040】
その後、制御部９は、台座装置３０および下面洗浄装置５０を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域の洗浄を行う（ステップＳ４）。基板Ｗの下面中央領域の洗浄時における基板洗浄装置１の各部の動作の詳細は後述する。
【0041】
ステップＳ４の洗浄時には、洗浄液が浸み込んだ下面ブラシ５１により基板Ｗの下面中央領域が洗浄される。それにより、基板Ｗの下面中央領域に洗浄液が付着する。そこで、制御部９は、さらに台座装置３０および下面洗浄装置５０を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域を乾燥させる（ステップＳ５）。具体的には、制御部９は、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に向けて気体が噴射された状態（気体カーテンが発生した状態）で、台座装置３０を制御することにより、平面視で下面中央領域を通過するように基板Ｗの下面に対して気体噴出部５３を移動させる。それにより、下面中央領域に基板Ｗに付着した洗浄液が気体カーテンにより基板Ｗの下面中央領域から外れた位置まで押し出され、下面中央領域が乾燥する。
【0042】
次に、制御部９は、受渡装置４０を制御することにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂに保持された基板Ｗを複数の支持ピン４１により受け取り、受け取った基板Ｗを下側保持装置２０に渡す（ステップＳ６）。
【0043】
次に、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗの下面中央領域を吸着保持部２１で吸着保持する（ステップＳ７）。ステップＳ６，Ｓ７の処理中には、平面視で基板Ｗの中心が吸着保持部２１の中心に位置するように、台座装置３０が位置決めされ。それにより、基板Ｗは、その基板Ｗの中心が吸着保持部２１の回転中心（回転軸）上に位置する状態で、吸着保持部２１により吸着保持される。
【0044】
さらに、制御部９は、下側保持装置２０、台座装置３０、下面洗浄装置５０、上面洗浄装置７０、端部洗浄装置８０および乾燥装置１００を制御することにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄を行う（ステップＳ８）。基板Ｗの下面外側領域の洗浄時における基板洗浄装置１の各部の動作の詳細は後述する。
【0045】
基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄終了後、制御部９は、下側保持装置２０を制御することにより、基板Ｗを高速で回転させ、基板Ｗの全体を乾燥させる（ステップＳ９）。基板Ｗを高速で回転させて基板Ｗの全体を乾燥させる乾燥方法は、スピン乾燥と呼ばれる。
【0046】
最後に、制御部９は、開閉装置９０を制御することにより、搬入搬出口２ｘを開放する。それにより、基板Ｗが基板洗浄装置１の外部に搬送され（ステップＳ１０）、基板洗浄処理が終了する。ステップＳ１０で開放された搬入搬出口２ｘは、基板Ｗが搬出された後、シャッタ９１により閉塞される。
【0047】
なお、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ８，Ｓ９の処理中、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を上カップ位置に保持する。それにより、基板Ｗの上面全体、外周端部および下面外側領域の洗浄時、および基板Ｗのスピン乾燥時に基板Ｗから飛散する液滴は、カップ６１により受け止められ、基板洗浄装置１の外部に排出される。また、制御部９は、上記の一連の処理のうちステップＳ８，Ｓ９を除く処理（ステップＳ１～Ｓ７，Ｓ１０）の間、カップ装置６０を制御することにより、カップ６１を下カップ位置に保持する。
【0048】
３．基板Ｗの下面上に定義される複数の領域
基板Ｗの下面中央領域および下面外側領域の洗浄時における基板洗浄装置１の各部の動作の詳細を説明するために、まず、基板Ｗの下面上に定義される複数の領域について説明する。それらの複数の領域は、上記の下面中央領域および下面外側領域に加えて、接触領域、離間領域および隙間領域を含む。
基板Ｗの下面中央領域および下面外側領域の洗浄時における基板洗浄装置１の各部の動作の詳細を説明するために、まず、基板Ｗの下面上に定義される複数の領域について説明する。それらの複数の領域は、上記の下面中央領域および下面外側領域に加えて、接触領域、離間領域および隙間領域を含む。
【0049】
図４は、本実施の形態に係る基板Ｗに定義される下面中央領域を説明するための基板Ｗの下面図である。下面中央領域Ｒ１は、上記のように、基板Ｗの下面のうち吸着保持部２１の吸着面が吸着する領域である。そのため、下面中央領域Ｒ１は、図４にハッチングで示すように、吸着保持部２１の吸着面と同じ円形状を有する。下面中央領域Ｒ１の中心は、基板Ｗの中心ＷＣに一致するか、またはほぼ一致する。また、下面中央領域Ｒ１の面積は、下面ブラシ５１の洗浄面の面積よりも小さい。図４では、下面中央領域Ｒ１とともに、基板Ｗの中心ＷＣに下面ブラシ５１の中心が位置合わせされたときの下面ブラシ５１の外周円が一点鎖線で示される。なお、本実施の形態に係る基板Ｗは、例えば３００ｍｍの直径を有する。また、下面ブラシ５１は、１０８ｍｍ程度の直径を有する。吸着保持部２１の直径は、１０８ｍｍよりも小さい。
【0050】
図５は、本実施の形態に係る基板Ｗに定義される下面外側領域を説明するための基板Ｗの下面図である。図５にハッチングで示すように、下面外側領域Ｒ２は、基板Ｗの外周端部を含みかつ下面中央領域Ｒ１を取り囲む円環形状を有する。図５では、下面外側領域Ｒ２とともに、図４の下面中央領域Ｒ１の外形が点線で示される。さらに、基板Ｗの中心ＷＣに下面ブラシ５１の中心が位置合わせされたときの下面ブラシ５１の洗浄面の外周円が一点鎖線で示される。本例では、下面外側領域Ｒ２の内径は、下面ブラシ５１の洗浄面の外径よりも小さい。これに限らず、下面外側領域Ｒ２の内径と下面ブラシ５１の洗浄面の外径とは、一致していてもよい。
【0051】
図６は、本実施の形態に係る基板Ｗに定義される接触領域および離間領域を説明するための基板Ｗの下面図である。本実施の形態に係る接触領域は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄する場合に、基板Ｗから離間状態にある下面ブラシ５１を基板Ｗの下面に接触させるときの基板Ｗの下面上の位置を意味する。また、本実施の形態に係る離間領域は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄する場合に、基板Ｗに対して接触状態にある下面ブラシ５１を基板Ｗの下面から離間させるときの基板Ｗの下面上の位置を意味する。
【0052】
図６にハッチングで示すように、本実施の形態に係る接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４は、基板Ｗの下面のうち共通の位置に定義され、ともに下面ブラシ５１の洗浄面と同じ円形状を有する。また、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４は、基板Ｗの外周端部と上記の下面中央領域Ｒ１との間に位置する。換言すれば、本実施の形態に係る接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４は、基板Ｗの下面のうち下面中央領域Ｒ１に重ならない。図６では、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４とともに、図４の下面中央領域Ｒ１の外周円が点線で示される。また、図６では、図５の下面外側領域Ｒ２の内周円が二点鎖線で示される。
【0053】
図７は、本実施の形態に係る基板Ｗに定義される隙間領域を説明するための基板Ｗの下面図である。図７にドットパターンで示すように、本実施の形態に係る隙間領域Ｒ５は、基板Ｗの外周端部の一部と図６の接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４との間に位置する領域である。図７では、隙間領域Ｒ５とともに、図６の接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４の外周円が点線で示される。
【0054】
４．基板Ｗの下面洗浄時の基板洗浄装置１の各部の動作の詳細
図８～図１０は、基板Ｗの下面洗浄時の基板洗浄装置１の各部の動作の詳細を説明するための図である。ここでいう基板Ｗの下面洗浄時とは、図３のステップＳ４の開始時点からステップＳ９の終了までの間の期間を意味する。図８～図１０の各々には、基板Ｗの下面洗浄時の複数の時点における基板洗浄装置１の一部（主として下側保持装置２０、台座装置３０および下面洗浄装置５０）の動作状態が左から右に時系列順で並ぶように示される。また、図８～図１０では、各時点における基板洗浄装置１の動作状態が、模式的平面図および模式的側面図で示される。図８～図１０に示される模式的側面図は、図１のＡ－Ａ線における模式的側面図に相当する。さらに、図８～図１０では、各時点における基板Ｗの下面の洗浄状態が基板Ｗの下面図で示される。
図８～図１０は、基板Ｗの下面洗浄時の基板洗浄装置１の各部の動作の詳細を説明するための図である。ここでいう基板Ｗの下面洗浄時とは、図３のステップＳ４の開始時点からステップＳ９の終了までの間の期間を意味する。図８～図１０の各々には、基板Ｗの下面洗浄時の複数の時点における基板洗浄装置１の一部（主として下側保持装置２０、台座装置３０および下面洗浄装置５０）の動作状態が左から右に時系列順で並ぶように示される。また、図８～図１０では、各時点における基板洗浄装置１の動作状態が、模式的平面図および模式的側面図で示される。図８～図１０に示される模式的側面図は、図１のＡ－Ａ線における模式的側面図に相当する。さらに、図８～図１０では、各時点における基板Ｗの下面の洗浄状態が基板Ｗの下面図で示される。
【0055】
図１１は、図８～図１０に示される基板Ｗの下面洗浄時における図１の下面ブラシ５１の回転速度の変化を示すタイムチャートである。図１１のタイムチャートは、グラフにより示される。図１１のグラフにおいては、縦軸が下面ブラシ５１の回転速度を表し、横軸が時間を表す。図１２は、図８～図１０に示される基板Ｗの下面洗浄時における基板Ｗの回転速度の変化を示すタイムチャートである。図１２のタイムチャートは、グラフにより示される。図１２のグラフにおいては、縦軸が基板Ｗの回転速度を表し、横軸が時間を表す。
【0056】
ここで、基板洗浄装置１における基板Ｗの下面洗浄時には、台座装置３０の可動台座３２は、Ｙ方向において、リニアガイド３１上で予め定められた第１の水平位置Ｐ１、第２の水平位置Ｐ２および第３の水平位置Ｐ３の間を移動する。図８～図１２の模式的側面図において符号Ｐ１が付された点は、可動台座３２が第１の水平位置Ｐ１にある時の可動台座３２の中心部の位置を示す。また、符号Ｐ２が付された点は、可動台座３２が第２の水平位置Ｐ２にある時の可動台座３２の中心部の位置を示す。さらに、符号Ｐ３が付された点は、可動台座３２が第３の水平位置Ｐ３にある時の可動台座３２の中心部の位置を示す。
【0057】
また、基板洗浄装置１における基板Ｗの下面洗浄時には、下面ブラシ５１は、Ｚ方向（上下方向）において、可動台座３２上で予め定められた第１の高さ位置、第２の高さ位置および第３の高さ位置の間を移動する。第１の高さ位置は、昇降回転支持部５４により昇降可能な範囲のうち下面ブラシ５１が最も低い位置にあるときの下面ブラシ５１の高さ位置である。第２の高さ位置は、第１の高さ位置よりも高く、下面ブラシ５１の洗浄面が上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面に接触するときの下面ブラシ５１の高さ位置である。第３の高さ位置は、第１の高さ位置よりも高く、第２の高さ位置よりも低く、下面ブラシ５１の洗浄面が下側保持装置２０により吸着保持された基板Ｗの下面に接触するときの下面ブラシ５１の高さ位置である。
【0058】
以下、図８～図１２を用いて、基板Ｗの下面洗浄時の台座装置３０および下面洗浄装置５０の動作の詳細を説明する。図８の左部分に示すように、基板Ｗの下面洗浄が開始される時点ｔ１においては、基板Ｗが、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより水平姿勢で保持され、基板洗浄装置１内に固定される。この状態で、台座装置３０の可動台座３２は、第１の水平位置Ｐ１にある。このとき、吸着保持部２１の回転中心（回転軸）は、基板Ｗの中心ＷＣを通る鉛直軸上に位置する。また、平面視で、下面ブラシ５１の洗浄面の大部分（一部分）が基板Ｗに重なり、下面ブラシ５１の洗浄面の微小部分（残りの他の部分）が基板Ｗの外周端部の外側に位置する。基板Ｗの半径方向において、基板Ｗの下面に対する下面ブラシ５１の洗浄面のはみだし量の最大値は、例えば７ｍｍである（図８の左部分上段の符号ｄ１参照）。
【0059】
さらに、時点ｔ１においては、基板Ｗの下方で第１の高さ位置に下面ブラシ５１が保持される。それにより、下面ブラシ５１は、基板Ｗから所定距離離間している。また、下面ブラシ５１は予め定められた第１の回転速度ｂｖ１で回転し（図１１参照）、液ノズル５２から下面ブラシ５１に洗浄液が供給されている。第１の回転速度ｂｖ１は、下面ブラシ５１に供給される洗浄液が下面ブラシ５１の周囲に飛散しない程度（例えば６０ｒｐｍ以上１３０ｒｐｍ以下）に設定され、本実施の形態では６０ｒｐｍである。なお、時点ｔ１から後述する時点ｔ８にかけては、吸着保持部２１の回転は停止されている（図１２参照）。
【0060】
基板Ｗの下面洗浄が開始されると、基板Ｗの下面中央領域を洗浄するために、時点ｔ１から時点ｔ２にかけて可動台座３２が第１の水平位置Ｐ１から第２の水平位置Ｐ２に向かって移動する。図８の中央部分に示すように、時点ｔ２で可動台座３２が第２の水平位置Ｐ２にある状態で、吸着保持部２１の回転中心（回転軸）は、基板Ｗの中心ＷＣを通る鉛直軸からずれる。また、平面視で、下面ブラシ５１の洗浄面の全体が基板Ｗに重なる。このとき、基板Ｗの半径方向において、下面ブラシ５１の外周端部と基板Ｗの外周端部との間には、隙間が形成されている。下面ブラシ５１の外周端部と基板Ｗの外周端部との間の隙間の大きさの最小値は、例えば３ｍｍである（図８の中央部分上段の符号ｄ２参照）。可動台座３２が第２の水平位置Ｐ２にある状態で、上下方向において下面ブラシ５１の洗浄面に対向する基板Ｗの下面上の領域が、図６の接触領域Ｒ３となる。
【0061】
次に、時点ｔ２で、液ノズル５２から下面ブラシ５１への洗浄液の供給が停止される。また、時点ｔ２から、昇降回転支持部５４により下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に向かって上昇する。それにより、図８の右部分に示すように、時点ｔ３で下面ブラシ５１が第２の高さ位置に到達することにより、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の接触領域Ｒ３に接触する。ここで、下面ブラシ５１の回転速度は、図１１に示すように、時点ｔ２から時点ｔ３にかけて、下面ブラシ５１の上昇とともに第１の回転速度ｂｖ１から予め定められた第２の回転速度ｂｖ２まで上昇する。第２の回転速度ｂｖ２は、第１の回転速度ｂｖ１よりも高い所定の速度範囲（例えば１００ｒｐｍ以上２００ｒｐｍ以下）内に設定され、本実施の形態では１５０ｒｐｍである。
【0062】
上記のように、基板Ｗの下面に洗浄液が浸み込んだ下面ブラシ５１が接触し、当該下面ブラシ５１が回転することにより、基板Ｗの下面における下面ブラシ５１の接触部分（接触領域Ｒ３）が洗浄される。図８の右部分下段の基板Ｗの下面図では、下面ブラシ５１による洗浄箇所がハッチングで示される。このとき、平面視で基板Ｗの外周端部と接触領域Ｒ３との間の隙間領域Ｒ５には、下面ブラシ５１が接触しない。それにより、接触領域Ｒ３で下面ブラシ５１により除去された汚染物質が、隙間領域Ｒ５を超えて基板Ｗの外周端部から基板Ｗの上面側に回り込むことが抑制される。したがって、基板Ｗの外周端部および基板Ｗの上面の清浄度の低下が抑制される。
【0063】
次に、基板Ｗの下面に下面ブラシ５１が接触した状態で、時点ｔ３から時点ｔ４にかけて可動台座３２が第２の水平位置Ｐ２から第３の水平位置Ｐ３に向かってＹ方向に移動する。このとき、下面ブラシ５１の回転速度は、第２の回転速度ｂｖ２で維持される。それにより、図９の左部分下段の基板Ｗの下面図にハッチングで示すように、基板Ｗの下面のうち下面中央領域Ｒ１を含む一部の領域が下面ブラシ５１により洗浄される。
【0064】
さらに、その後、基板Ｗの下面に下面ブラシ５１が接触した状態で、時点ｔ４から時点ｔ５にかけて可動台座３２が第３の水平位置Ｐ３から第２の水平位置Ｐ２に向かってＹ方向に移動する。これにより、図９の中央部分に示すように、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面における離間領域Ｒ４に到達する。ここで、時点ｔ３から時点ｔ５までの間、気体噴出部５３から基板Ｗの下面に向けて気体が噴射され、気体カーテンが形成される。それにより、下面ブラシ５１に含まれる洗浄液が基板Ｗの下面に付着する場合でも、それらの洗浄液が下面中央領域Ｒ１に残留することが抑制される。
【0065】
時点ｔ５においては、平面視で基板Ｗの外周端部と隙間領域Ｒ５との間の隙間領域Ｒ５に、下面ブラシ５１が接触しない。それにより、隙間領域Ｒ５で下面ブラシ５１により除去された汚染物質が、隙間領域Ｒ５を超えて基板Ｗの外周端部から基板Ｗの上面側に回り込むことが抑制される。したがって、基板Ｗの外周端部および基板Ｗの上面の清浄度の低下が抑制される。
【0066】
次に、時点ｔ５から時点ｔ６にかけて、下面ブラシ５１が基板Ｗから遠ざかるように下降する。それにより、下面ブラシ５１が基板Ｗの離間領域Ｒ４から離間し、図９の右部分に示すように、時点ｔ６で下面ブラシ５１が第１の高さ位置に到達する。ここで、下面ブラシ５１の回転速度は、図１１に示すように、時点ｔ５から時点ｔ６にかけて、下面ブラシ５１の下降とともに第２の回転速度ｂｖ２から第１の回転速度ｂｖ１まで下降する。また、時点ｔ６では、液ノズル５２から下面ブラシ５１への洗浄液の供給が再開される。これにより、下面ブラシ５１に付着した汚染物質が、供給された洗浄液により洗い流される。
【0067】
次に、時点ｔ６から時点ｔ７にかけて可動台座３２が第２の水平位置Ｐ２から第１の水平位置Ｐ１に向かって移動する。これにより、図１０の左部分に示すように、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面洗浄開始時である時点ｔ１の状態に戻る（図８の左部分参照）。
【0068】
続いて、時点ｔ６から時点ｔ７にかけて、基板Ｗが図１の受渡装置４０により上側保持装置１０Ａ，１０Ｂから下側保持装置２０に渡される。それにより、図１０の中央部分に示すように、時点ｔ８で、台座装置３０の可動台座３２が第１の水平位置Ｐ１にある状態で、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が下側保持装置２０の吸着保持部２１により吸着保持される。
【0069】
その後、液ノズル５２から下面ブラシ５１への洗浄液の供給が停止され、図１２に示すように、下側保持装置２０による基板Ｗの回転が開始される。下側保持装置２０により回転する基板Ｗの回転速度ｗｖ１は、例えば２００ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下に設定され、本実施の形態では５００ｒｐｍである。また、下側保持装置２０により回転する基板Ｗの下面に向けて、図示しないバックリンスノズルから洗浄液が供給される。
【0070】
次に、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に向かって上昇する。それにより、図１０の右部分に示すように、時点ｔ９で下面ブラシ５１が第３の高さ位置に到達することにより、下面ブラシ５１が回転する基板Ｗの下面外側領域Ｒ２に接触する。
【0071】
時点ｔ９から一定期間経過後の時点ｔ１０まで、基板Ｗの回転が維持されつつ基板Ｗの下面外側領域Ｒ２に下面ブラシ５１が接触する状態が維持される。それにより、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２が洗浄される。図１０の右部分下段の基板Ｗの下面図では、下面ブラシ５１による洗浄箇所がハッチングで示される。
【0072】
時点ｔ９から時点ｔ１０の期間においては、回転する基板Ｗに対して図１の上面洗浄装置７０による当該基板Ｗの上面の洗浄がさらに行われる。また、回転する基板Ｗに対して図１の端部洗浄装置８０による当該基板Ｗの外周端部の洗浄がさらに行われる。これにより、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２の洗浄時には、基板Ｗの外周端部から基板Ｗの上面への汚染物質の回り込みが生じない。基板Ｗの上面および外周端部の洗浄についての詳細な説明は省略する。
【0073】
その後、時点ｔ１０から時点ｔ１１にかけて、昇降回転支持部５４により下面ブラシ５１が基板Ｗから遠ざかるように下降する。また、所定期間、基板Ｗの回転速度ｗｖ１が維持される。これにより、基板Ｗがスピン乾燥される。最後に、図１２に示すように、時点ｔ１２で、基板Ｗの回転が停止され、基板Ｗの下面洗浄が完了する。
【0074】
５．実施の形態の効果
（ａ）基板Ｗの下面から離間した状態にある下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域に接触する場合、基板Ｗの下面の当該一部の領域には、下面ブラシ５１の接触に起因する汚染物質が残留しやすい。この場合の汚染物質の残留の程度は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域に接触するときの下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が大きい場合に低くなる。
（ａ）基板Ｗの下面から離間した状態にある下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域に接触する場合、基板Ｗの下面の当該一部の領域には、下面ブラシ５１の接触に起因する汚染物質が残留しやすい。この場合の汚染物質の残留の程度は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域に接触するときの下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が大きい場合に低くなる。
【0075】
また、基板Ｗの下面の一部の領域に接触した状態にある下面ブラシ５１が基板Ｗの下面から離間する場合、基板Ｗの下面の当該一部の領域には、下面ブラシ５１の離間に起因する汚染物質が残留しやすい。この場合の汚染物質の残留の程度は、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域から離間するときの下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が大きい場合に低くなる。
【0076】
上記の基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄時に下面ブラシ５１が第２の高さ位置に配置される。基板Ｗの下面に接触する下面ブラシ５１が回転することにより、基板Ｗ上に付着する汚染物質が除去される。一方、基板Ｗの下面の洗浄が行われない場合には、下面ブラシ５１が第１の高さ位置に配置される。第１の高さ位置においては、下面ブラシ５１は第１の回転速度ｂｖ１で回転する。このとき、下面ブラシ５１の回転速度が過剰に高いと、下面ブラシ５１に付着する汚染物質または液滴等が下面ブラシ５１の周辺に飛散し、基板洗浄装置１内部の清浄度を低下させる。そのため、第１の回転速度ｂｖ１は、少なくとも基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄時の第２の回転速度ｂｖ２よりも低く設定される。
【0077】
上記の構成によれば、下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）で、下面ブラシ５１が第１の回転速度ｂｖ１よりも高い第２の回転速度ｂｖ２で回転する。また、下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）で、下面ブラシ５１が第１の回転速度ｂｖ１よりも高い第２の回転速度ｂｖ２で回転する。それにより、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点および基板Ｗから離間する時点で下面ブラシ５１が第１の回転速度ｂｖ１で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板Ｗの下面の清浄度が向上する。
【0078】
なお、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２の洗浄時には、基板Ｗが吸着保持部２１により吸着保持された状態で比較的高い回転速度（例えば５００ｒｐｍ）で回転する。そのため、下面ブラシ５１の回転速度が第１の回転速度ｂｖ１に維持される場合であっても、下面ブラシ５１と基板Ｗとの間には、比較的高い回転速度差が発生する。したがって、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する際および基板Ｗから離間する際に、基板Ｗの下面に当該接触および離間に起因する汚染物質が残留することが抑制される。
【0079】
（ｂ）下面ブラシ５１の接触に起因する汚染物質の残留の程度は、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触するときの下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が特定の相対速度差よりも大きい場合に著しく低下する。また、下面ブラシ５１の離間に起因する汚染物質の残留の程度も、下面ブラシ５１の接触に起因する汚染物質の残留の程度と同様に、下面ブラシ５１が基板Ｗから離間するときの下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が特定の相対速度差よりも大きい場合に著しく低下する。さらに、それらの特定の相対速度差は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が洗浄されるときの第２の回転速度ｂｖ２よりも低い。
【0080】
上記の基板洗浄装置１によれば、下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点および基板Ｗから離間する時点で、下面ブラシ５１が第２の回転速度ｂｖ２で回転する。それにより、下面ブラシ５１が第１の回転速度ｂｖ１で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板Ｗの下面の清浄度がより向上する。
【0081】
なお、上記の特定の相対速度差は、基板Ｗと下面ブラシ５１との組み合わせ等に応じて、実験またはシミュレーションにより求められてもよい。この場合、基板Ｗに対する下面ブラシ５１の接触時点および離間時点の下面ブラシ５１の回転速度を求められた特定の相対速度差よりも大きく設定することにより、洗浄後の基板Ｗの下面の清浄度を向上させることができる。
【0082】
（ｃ）上記実施の形態においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するために、第１の高さ位置にある下面ブラシ５１が第２の高さ位置に上昇する。このとき、下面ブラシ５１の回転速度は、下面ブラシ５１の上昇とともに第１の回転速度ｂｖ１から第２の回転速度ｂｖ２に上昇する（図１１の時点ｔ２～時点ｔ３）。
【0083】
この場合、下面ブラシ５１の上昇と下面ブラシ５１の回転速度の調整とが並行して行われるので、下面ブラシ５１の回転速度を調整することによる基板Ｗの洗浄効率の低下が抑制される。
【0084】
なお、下面ブラシ５１の回転速度は、下面ブラシ５１が第２の高さ位置に到達するときに第２の回転速度ｂｖ２であればよい。したがって、下面ブラシ５１の回転速度は、図１１の例に限らず、時点ｔ２から時点ｔ３にかけて段階的に上昇してもよいし、加速度を変化させつつ連続的に上昇してもよい。
【0085】
（ｄ）上記実施の形態においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄後に、第２の高さ位置にある下面ブラシ５１が第１の高さ位置に下降する。このとき、下面ブラシ５１の回転速度は、下面ブラシ５１の下降とともに第２の回転速度ｂｖ２から第１の回転速度ｂｖ１に下降する（図１１の時点ｔ５～時点ｔ６）。
【0086】
この場合、下面ブラシ５１の下降と下面ブラシ５１の回転速度の調整とが並行して行われるので、下面ブラシ５１の回転速度を調整することによる基板Ｗの洗浄効率の低下が抑制される。
【0087】
なお、下面ブラシ５１の回転速度は、下面ブラシ５１が第２の高さ位置から下降を開始するときに第２の回転速度ｂｖ２であればよい。したがって、下面ブラシ５１の回転速度は、図１１の例に限らず、時点ｔ５から時点ｔ６にかけて段階的に下降してもよいし、加速度を変化させつつ連続的に下降してもよい。
【0088】
（ｅ）基板Ｗの下面から離間した状態にある下面ブラシ５１が基板Ｗの下面の一部の領域に接触する場合、当該一部の領域には下面ブラシ５１の接触に起因する汚染物質が残留しやすい。また、基板に接触した状態にある洗浄具が基板の下面の一部の領域から離間する場合、当該一部の領域には下面ブラシ５１の離間に起因する汚染物質が残留しやすい。
【0089】
【0090】
上記の基板洗浄装置１においては、下面ブラシ５１が基板Ｗの下面に接触する接触期間のうち少なくとも一部の期間で下面ブラシ５１が基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に接触する。それにより、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１が洗浄される。また、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４が、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に重ならない。それにより、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４が下面中央領域Ｒ１に重なる場合に比べて、洗浄後の基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に汚染物質が残留しにくい。したがって、洗浄後の基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の清浄度が向上する。
【0091】
（ｆ）上記の基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄後、下側保持装置２０により下面中央領域Ｒ１が吸着保持されつつ基板Ｗの下面外側領域Ｒ２が洗浄される。ここで、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４は、大部分が下面外側領域Ｒ２に重なる。それにより、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄後に、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４に汚染物質が残留する場合でも、その汚染物質が基板Ｗの下面外側領域Ｒ２の洗浄時に除去される。したがって、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１および下面外側領域Ｒ２の洗浄後の基板Ｗの下面全体の清浄度が向上する。
【0092】
また、上記の構成によれば、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２の洗浄時に下面中央領域Ｒ１が高い清浄度を有するので、複数の基板Ｗが順次洗浄される場合でも、吸着保持部２１を介した複数の基板Ｗ間のクロスコンタミネーションの発生が抑制される。
【0093】
６．下面ブラシ５１の接触および離間に起因する汚染についての試験
本発明者らは、上記の基板洗浄装置１において、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４が基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に重ならないことにより、洗浄後の基板Ｗの清浄度がどれだけ向上するのかを確認するために以下の試験を行った。
本発明者らは、上記の基板洗浄装置１において、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４が基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に重ならないことにより、洗浄後の基板Ｗの清浄度がどれだけ向上するのかを確認するために以下の試験を行った。
【0094】
まず、本発明者らは、上記の図８～図１２の例に従う下面洗浄後の基板Ｗを実施例に係る洗浄後基板として用意した。また、本発明者らは、下面中央領域Ｒ１に重なるように接触領域Ｒ３および隙間領域Ｒ５が設定される点を除いて図８～図１２の例と同様の手順で下面洗浄が行われた洗浄後の基板Ｗを、比較例に係る洗浄後基板として用意した。
【0095】
具体的には、比較例に係る基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄時には、可動台座３２が第３の水平位置Ｐ３に保持された状態で、下面ブラシ５１を第１の高さ位置から第２の高さ位置に上昇させることにより下面ブラシ５１の洗浄面を基板Ｗの接触領域Ｒ３（下面中央領域Ｒ１）に接触させた。また、可動台座３２が第３の水平位置Ｐ３に保持された状態で、下面ブラシ５１を第２の高さ位置から第１の高さ位置に下降させることにより下面ブラシ５１の洗浄面を基板Ｗの離間領域Ｒ４（下面中央領域Ｒ１）から離間させた。
【0096】
さらに、本発明者らは、上記のようにして用意した実施例および比較例に係る洗浄後基板の各々の下面について、パーティクルカウンタにより汚染状態を確認した。図１３は実施例に係る洗浄後基板の下面の汚染分布図であり、図１４は比較例に係る洗浄後基板の下面の汚染分布図である。図１３および図１４では、実施例および比較例に係る洗浄後基板の下面に付着した汚染物質の分布が複数の黒点で示される。
【0097】
図１３および図１４に示すように、実施例に係る洗浄後基板の下面に付着した汚染物質の量は、比較例に係る洗浄後基板の下面に付着した汚染物質の量よりも少ない。また、実施例に係る洗浄後基板の下面においては、下面中央領域Ｒ１の外周部およびその近傍周辺に吸着保持部２１によるチャック痕が認められるが、その他の領域に付着する汚染物質の量は比較的少ない。
【0098】
一方、比較例に係る洗浄後基板の下面においては、下面中央領域Ｒ１の外周部およびその近傍周辺に吸着保持部２１によるチャック痕とともに多数の汚染物質が付着している。また、その他の領域に付着する汚染物質の量も比較的多い。
【0099】
これらの結果、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４が基板Ｗの下面中央領域Ｒ１に重ならないように設定されることにより、下面ブラシ５１の接触または離間に起因する汚染物質が、下面中央領域Ｒ１に残留しにくいことが明らかとなった。
【0100】
７．他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４がともに下面中央領域Ｒ１に重ならないように定められるが、本発明はこれに限定されない。接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４のうちいずれか一方が下面中央領域Ｒ１に重なってもよい。あるいは、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４の両方が下面中央領域Ｒ１に重なってもよい。
（ａ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４がともに下面中央領域Ｒ１に重ならないように定められるが、本発明はこれに限定されない。接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４のうちいずれか一方が下面中央領域Ｒ１に重なってもよい。あるいは、接触領域Ｒ３および離間領域Ｒ４の両方が下面中央領域Ｒ１に重なってもよい。
【0101】
（ｂ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）で、下面ブラシ５１は第２の回転速度ｂｖ２で回転する。上記実施の形態に係る第２の回転速度ｂｖ２は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するときの下面ブラシ５１の回転速度である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【0102】
下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）に対応する第２の回転速度ｂｖ２は、下面ブラシ５１が下面中央領域Ｒ１に接触して下面中央領域Ｒ１を洗浄するときの回転速度（以下、第３の回転速度と呼ぶ。）よりも高く設定されてもよい。ここで、第３の回転速度は、例えば下面ブラシ５１が下面中央領域Ｒ１に接触する状態で当該下面中央領域Ｒ１を好適に洗浄可能な速度である。
【0103】
また、上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）で、下面ブラシ５１は第２の回転速度ｂｖ２で回転する。上記実施の形態に係る第２の回転速度ｂｖ２は、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するときの下面ブラシ５１の回転速度である。しかしながら、本発明はこれに限定されない。
【0104】
下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）に対応する第２の回転速度ｂｖ２は、下面ブラシ５１が下面中央領域Ｒ１に接触して下面中央領域Ｒ１を洗浄するときの回転速度（第３の回転速度と呼ぶ。）よりも高く設定されてもよい。
【0105】
また、下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）の回転速度は、下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）の回転速度とは異なっていてもよい。
【0106】
上記のように、基板Ｗに対する下面ブラシ５１の接触時点および離間時点に対応する下面ブラシ５１の第２の回転速度ｂｖ２が第３の回転速度よりも高く設定される例を説明する。図１５は、他の実施の形態に係る下面ブラシ５１の回転制御を説明するためのタイムチャートである。図１５のタイムチャートは、図１１のタイムチャートに対応し、基板Ｗの下面洗浄時における図１の下面ブラシ５１の回転速度の変化を示す。図１５のタイムチャートにおいて、図１１のタイムチャートとは異なる点を説明する。
【0107】
図１５に示すように、本例では、下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）および下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）の下面ブラシ５１の第２の回転速度ｂｖ２が、第１の回転速度ｂｖ１および第３の回転速度ｂｖ３よりも高く設定されている。例えば、第３の回転速度ｂｖ３が１５０ｒｐｍである場合に、第２の回転速度ｂｖ２は例えば２００ｒｐｍ以上２５０ｒｐｍ以下に設定される。
【0108】
上記のように、下面ブラシ５１の接触および離間に起因する汚染物質の残留の程度は、下面ブラシ５１と基板Ｗとの間の相対速度差が大きい場合に低くなる。したがって、図１５の例によれば、下面ブラシ５１の接触および離間に起因する汚染物質の残留の程度がより低くなる。
【0109】
（ｃ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、下面中央領域Ｒ１を洗浄するために下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）と、下面中央領域Ｒ１の洗浄後に下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）との両方の時点で、下面ブラシ５１が第２の回転速度ｂｖ２で回転する。本発明はこれに限定されない。下面ブラシ５１が基板Ｗに接触する時点（図１１の時点ｔ３）および下面ブラシ５１が基板Ｗから離間する時点（図１１の時点ｔ５）のうち一方の時点で、下面ブラシ５１は、第２の回転速度ｂｖ２よりも低い回転速度で回転してもよい。
【0110】
（ｄ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗに隙間領域Ｒ５が定められている。それにより、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂにより保持された基板Ｗの下面中央領域Ｒ１の洗浄時に、下面ブラシ５１は基板Ｗの外周端部に接触しない。しかしながら、本発明はこれに限定されない。基板Ｗには、隙間領域Ｒ５が設定されなくてもよい。
【0111】
（ｅ）上記実施の形態に係る基板洗浄装置１においては、基板Ｗの下面中央領域Ｒ１および下面外側領域Ｒ２がともに下面洗浄装置５０により洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの下面中央領域Ｒ１を洗浄するための構成と、基板Ｗの下面外側領域Ｒ２を洗浄するための構成とが個別に設けられてもよい。
【0112】
８．請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【0113】
上記実施の形態においては、上側保持装置１０Ａ，１０Ｂが第１の基板保持部の例であり、下面ブラシ５１が洗浄具の例であり、昇降回転支持部５４が洗浄部回転駆動部の例であり、第２の高さ位置が接触位置の例であり、第１の高さ位置が離間位置の例であり、台座装置３０および昇降回転支持部５４が洗浄具移動部の例であり、第１の回転速度ｂｖ１が第１の回転速度の例であり、第２の回転速度ｂｖ２が第２の回転速度の例であり、第３の回転速度ｂｖ３が第３の回転速度の例である。
【0114】
また、図８～図１２に示される基板Ｗの下面洗浄時における時点ｔ３が第１の時点の例であり、図８～図１２に示される基板Ｗの下面洗浄時における時点ｔ５が第２の時点の例であり、基板洗浄装置１が基板洗浄装置の例であり、下面中央領域Ｒ１が下面中央領域の例であり、下側保持装置２０が第２の基板保持部の例であり、下面外側領域Ｒ２が下面外側領域の例である。
【0115】
９．実施の形態の総括
（第１項）第１項に係る基板洗浄装置は、
基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、
前記基板の下面に接触して当該基板の下面を洗浄する洗浄具と、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させる洗浄具回転駆動部と、
前記洗浄具回転駆動部により回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させる洗浄具移動部とを備え、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させ、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させる。
（第１項）第１項に係る基板洗浄装置は、
基板の外周端部を保持する第１の基板保持部と、
前記基板の下面に接触して当該基板の下面を洗浄する洗浄具と、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させる洗浄具回転駆動部と、
前記洗浄具回転駆動部により回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させる洗浄具移動部とを備え、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させ、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させる。
【0116】
基板の下面から離間した状態にある洗浄具が基板の下面の一部の領域に接触する場合、基板の下面の当該一部の領域には、洗浄具の接触に起因する汚染物質が残留しやすい。この場合の汚染物質の残留の程度は、洗浄具が基板の下面の一部の領域に接触するときの洗浄具と基板との間の相対速度差が大きい場合に低くなる。
【0117】
また、基板の下面の一部の領域に接触した状態にある洗浄具が基板の下面から離間する場合、基板の下面の当該一部の領域には、洗浄具の離間に起因する汚染物質が残留しやすい。この場合の汚染物質の残留の程度は、洗浄具が基板の下面の一部の領域から離間するときの洗浄具と基板との間の相対速度差が大きい場合に低くなる。
【0118】
その基板洗浄装置においては、基板の下面の洗浄時に洗浄具が接触位置に配置される。基板の下面に接触する洗浄具が回転することにより、基板上に付着する汚染物質が除去される。一方、基板の下面の洗浄が行われない場合には、洗浄具が離間位置に配置される。離間位置においては、洗浄具は第１の回転速度で回転する。このとき、洗浄具の回転速度が過剰に高いと、洗浄具に付着する汚染物質または液滴等が洗浄具の周辺に飛散し、基板洗浄装置内部の清浄度を低下させる。そのため、第１の回転速度は、少なくとも基板の洗浄時の回転速度よりも低く設定される。
【0119】
上記の構成によれば、第１の時点および第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、洗浄具が第１の回転速度よりも高い回転速度で回転する。それにより、第１の時点および第２の時点の両方の時点で、洗浄具が第１の回転速度で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板の下面の清浄度が向上する。
【0120】
（第２項）第１項に記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度であってもよい。
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度であってもよい。
【0121】
この場合、離間位置で洗浄具に供給される洗浄液は、洗浄具が第１の回転速度で回転することにより発生する遠心力で、洗浄具の表面またはその内部を円滑に流れる。したがって、離間位置において洗浄具に付着する汚染物質が洗浄液により円滑に洗い流される。また、第１の回転速度が洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度に設定されているので、離間位置における洗浄具の回転に起因して、基板洗浄装置内部の清浄度が低下することが抑制される。
【0122】
（第３項）第１項または第２項に記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄具回転駆動部は、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させ、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度であってもよい。
前記洗浄具回転駆動部は、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させ、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度であってもよい。
【0123】
洗浄具の接触に起因する汚染物質の残留の程度は、洗浄具が基板に接触するときの洗浄具と基板との間の相対速度差が特定の相対速度差よりも大きい場合に著しく低下する。また、洗浄具の離間に起因する汚染物質の残留の程度も、洗浄具の接触に起因する汚染物質の残留の程度と同様に、洗浄具が基板から離間するときの洗浄具と基板との間の相対速度差が特定の相対速度差よりも大きい場合に著しく低下する。さらに、それらの特定の相対速度差は、基板の下面が洗浄されるときの第３の回転速度よりも低い。
【0124】
上記の基板洗浄装置によれば、第１の時点および第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、洗浄具が第３の回転速度以上の回転速度で回転する。それにより、第１の時点および第２の時点の両方の時点で、洗浄具が第１の回転速度で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板の下面の清浄度がより向上する。
【0125】
（第４項）第１項～第３項のいずれか一項に記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させてもよい。
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させてもよい。
【0126】
この場合、第１の時点で洗浄具の回転速度を第２の回転速度にすることができる。また、洗浄具の移動と洗浄具の回転速度の調整とが並行して行われるので、洗浄具の回転速度を調整することによる基板の洗浄効率の低下が抑制される。
【0127】
（第５項）第１項～第４項のいずれか一項に記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させてもよい。
前記洗浄具回転駆動部は、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させてもよい。
【0128】
この場合、第２の時点で洗浄具の回転速度を第２の回転速度にすることができる。また、洗浄具の移動と洗浄具の回転速度の調整とが並行して行われるので、洗浄具の回転速度を調整することによる基板の洗浄効率の低下が抑制される。
【0129】
（第６項）第１項～第５項のいずれか一項に記載の基板洗浄装置において、
前記洗浄具移動部は、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄し、
前記基板洗浄装置は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させる第２の基板保持部をさらに備え、
前記洗浄具移動部は、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させてもよい。
前記洗浄具移動部は、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄し、
前記基板洗浄装置は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させる第２の基板保持部をさらに備え、
前記洗浄具移動部は、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させてもよい。
【0130】
この場合、基板の下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により下面中央領域が吸着保持されつつ基板の下面外側領域が洗浄される。したがって、基板の下面中央領域および下面外側領域の洗浄後の基板の下面全体の清浄度が向上する。
【0131】
また、上記の構成によれば、基板の下面外側領域の洗浄時に下面中央領域が高い清浄度を有するので、複数の基板が順次洗浄される場合でも、第２の基板保持部を介した複数の基板間のクロスコンタミネーションの発生が抑制される。
【0132】
（第７項）第１項～第６項のいずれか一項に記載の基板洗浄装置において、
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成されてもよい。
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成されてもよい。
【0133】
この場合、一定姿勢で固定された基板の下面を効率よく洗浄することができる。
【0134】
（第８項）第８項に係る基板洗浄方法は、
第１の基板保持部により基板の外周端部を保持するステップと、
洗浄具を前記基板の下面に接触させて当該基板の下面を洗浄するステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップにより回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させるステップとを含み、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させることと、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させることとを含む。
第１の基板保持部により基板の外周端部を保持するステップと、
洗浄具を前記基板の下面に接触させて当該基板の下面を洗浄するステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップと、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップにより回転する前記洗浄具を、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面に接触する接触位置と、当該洗浄具が前記第１の基板保持部により保持される前記基板の下面から一定距離離間した離間位置との間で移動させるステップとを含み、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具を第１の回転速度で回転させることと、
前記洗浄具が前記離間位置から前記接触位置へ移動する場合に前記基板の下面から離間した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面に接触する時点を第１の時点とし、前記洗浄具が前記接触位置から前記離間位置へ移動する場合に前記基板の下面に接触した状態にある前記洗浄具が前記基板の下面から離間する時点を第２の時点とした場合に、前記第１の時点および前記第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第２の回転速度で回転させることとを含む。
【0135】
その基板洗浄方法においては、基板の下面の洗浄時に洗浄具が接触位置に配置される。基板の下面に接触する洗浄具が回転することにより、基板上に付着する汚染物質が除去される。一方、基板の下面の洗浄が行われない場合には、洗浄具が離間位置に配置される。離間位置においては、洗浄具は、少なくとも基板の洗浄時の回転速度よりも低い第１の回転速度で回転する。
【0136】
上記の基板洗浄方法によれば、第１の時点および第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、洗浄具が第１の回転速度よりも高い回転速度で回転する。それにより、第１の時点および第２の時点の両方の時点で、洗浄具が第１の回転速度で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板の下面の清浄度が向上する。
【0137】
（第９項）第８項に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度であってもよい。
前記洗浄具が前記離間位置にあるときに、前記洗浄具には洗浄液が供給され、
前記第１の回転速度は、前記洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度の回転速度であってもよい。
【0138】
この場合、離間位置で洗浄具に供給される洗浄液は、洗浄具が第１の回転速度で回転することにより発生する遠心力で、洗浄具の表面またはその内部を円滑に流れる。したがって、離間位置において洗浄具に付着する汚染物質が洗浄液により円滑に洗い流される。また、第１の回転速度が洗浄具に供給される洗浄液が飛散しない程度に設定されているので、離間位置における洗浄具の回転に起因して、離間位置を含む洗浄環境の清浄度が低下することが抑制される。
【0139】
（第１０項）第８項または第９項に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させることを含み、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度であってもよい。
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、前記洗浄具が前記接触位置にありかつ前記洗浄具が前記基板の下面に接触する状態で、前記洗浄具を前記第１の回転速度よりも高い第３の回転速度で回転させることを含み、
前記第２の回転速度は、前記第３の回転速度以上の回転速度であってもよい。
【0140】
この場合、第１の時点および第２の時点のうち少なくとも一方の時点で、洗浄具が第３の回転速度以上の回転速度で回転する。それにより、第１の時点および第２の時点の両方の時点で、洗浄具が第１の回転速度で回転するかまたは無回転である場合に比べて、洗浄後の基板の下面の清浄度がより向上する。
【0141】
（第１１項）第８項～第１０項のいずれか一項に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させることを含んでもよい。
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第１の時点よりも前でかつ前記洗浄具が前記離間位置から移動して前記接触位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第１の回転速度から前記第２の回転速度まで上昇させることを含んでもよい。
【0142】
この場合、第１の時点で洗浄具の回転速度を第２の回転速度にすることができる。また、洗浄具の移動と洗浄具の回転速度の調整とが並行して行われるので、洗浄具の回転速度を調整することによる基板の洗浄効率の低下が抑制される。
【0143】
（第１２項）第８項～第１１項のいずれか一項に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させることを含んでもよい。
前記洗浄具を上下方向の軸の周りで回転させるステップは、
前記第２の時点よりも後でかつ前記洗浄具が前記接触位置から移動して前記離間位置に到達するまでの間に、前記洗浄具の回転速度を前記第２の回転速度から前記第１の回転速度まで下降させることを含んでもよい。
【0144】
この場合、第２の時点で洗浄具の回転速度を第２の回転速度にすることができる。また、洗浄具の移動と洗浄具の回転速度の調整とが並行して行われるので、洗浄具の回転速度を調整することによる基板の洗浄効率の低下が抑制される。
【0145】
（第１３項）第８項～第１２項のいずれか一項に記載の基板洗浄方法において、
前記洗浄具を移動させるステップは、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄することを含み、
前記基板洗浄方法は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させるステップをさらに含み、
前記洗浄具を移動させるステップは、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させることをさらに含んでもよい。
前記洗浄具を移動させるステップは、前記基板が前記第１の基板保持部により保持された状態で、前記基板の下面中央領域に接触するように前記洗浄具を移動させることにより前記基板の下面中央領域を洗浄することを含み、
前記基板洗浄方法は、
前記基板の前記下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により前記下面中央領域を吸着保持しつつ上下方向の軸の周りで前記基板を回転させるステップをさらに含み、
前記洗浄具を移動させるステップは、前記洗浄具が前記基板の前記下面中央領域を取り囲む下面外側領域に接触するように、前記第２の基板保持部により保持されて回転する前記基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させることをさらに含んでもよい。
【0146】
この場合、基板の下面中央領域の洗浄後、第２の基板保持部により下面中央領域が吸着保持されつつ基板の下面外側領域が洗浄される。したがって、基板の下面中央領域および下面外側領域の洗浄後の基板の下面全体の清浄度が向上する。
【0147】
また、上記の構成によれば、基板の下面外側領域の洗浄時に下面中央領域が高い清浄度を有するので、複数の基板が順次洗浄される場合でも、第２の基板保持部を介した複数の基板間のクロスコンタミネーションの発生が抑制される。
【0148】
（第１４項）第８項～第１３項のいずれか一項に記載の基板洗浄方法において、
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成されてもよい。
前記第１の基板保持部は、前記基板を回転させることなく前記基板の外周端部を保持するように構成されてもよい。
【0149】
この場合、一定姿勢で固定された基板の下面を効率よく洗浄することができる。
【0150】
上記の実施形態に係る基板洗浄装置によれば、洗浄後の基板の下面中央領域の清浄度が向上するので、基板処理により得られる製品の歩留まりが向上する。したがって、無駄な基板処理が低減されるので、基板処理の省エネルギー化が実現できる。また、基板の下面の清浄度を向上させるために、基板の下面の洗浄期間を長く設定する必要がない。それにより、無駄な薬液等の利用を低減することができるので、地球環境の汚染の低減に寄与することができる。
【符号の説明】
【0151】
１…基板洗浄装置，２…ユニット筐体，２ｘ…搬入搬出口，９…制御部，１０Ａ，１０Ｂ…上側保持装置，１１Ａ，１１Ｂ…下チャック，１２Ａ，１２Ｂ…上チャック，２０…下側保持装置，２１…吸着保持部，３０…台座装置，３１…リニアガイド，３２…可動台座，４０…受渡装置，４１…支持ピン，５０…下面洗浄装置，５１…下面ブラシ，５２…液ノズル，５３…気体噴出部，５４…昇降回転支持部，６０…カップ装置，６１…カップ，７０…上面洗浄装置，７１…回転支持軸，７２，８２…アーム，７３…スプレーノズル，８０…端部洗浄装置，８１…回転支持軸，８３…ベベルブラシ，９０…開閉装置，９１…シャッタ，１００…乾燥装置，Ｐ１…第１の水平位置，Ｐ２…第２の水平位置，Ｐ３…第３の水平位置，Ｒ１…下面中央領域，Ｒ２…下面外側領域，Ｒ３…接触領域，Ｒ４…離間領域，Ｒ５…隙間領域，Ｗ…基板，ＷＣ…中心
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】