(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024045817
(43)【公開日】2024-04-03
(54)【発明の名称】光学装置及び検査装置
(51)【国際特許分類】
G02B 5/26 20060101AFI20240327BHJP
G02B 5/08 20060101ALI20240327BHJP
G02B 5/28 20060101ALI20240327BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240327BHJP
【FI】
G02B5/26
G02B5/08 A
G02B5/08 D
G02B5/28
G03F7/20 521
G03F7/20 503
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022150819
(22)【出願日】2022-09-22
(71)【出願人】
【識別番号】000115902
【氏名又は名称】レーザーテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100103894
【弁理士】
【氏名又は名称】家入 健
(74)【代理人】
【識別番号】100129953
【弁理士】
【氏名又は名称】岩瀬 康弘
(72)【発明者】
【氏名】幸山 常仁
(72)【発明者】
【氏名】塩澤 崇覚
(72)【発明者】
【氏名】柳澤 晶
【テーマコード(参考)】
2H042
2H148
2H197
【Fターム(参考)】
2H042DA01
2H042DA22
2H042DB02
2H148FA01
2H148FA05
2H148FA09
2H148FA18
2H148FA22
2H148FA24
2H148GA01
2H148GA03
2H148GA12
2H148GA24
2H148GA25
2H148GA32
2H148GA61
2H197CA10
2H197DB05
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA10
(57)【要約】
【課題】EUV光のモニタリング機能を向上させることができる光学装置及び検査装置を提供する。
【解決手段】本開示に係る光学装置1は、第1面11及び第1面11の反対側の第2面12を有し、第1面11側に配置されたミラー13及び第2面12側に配置されたシンチレータ14を含む光学部材10と、EUV光の光路L1へ光学部材10を挿入するとともに、EUV光の光路L1から光学部材10を外す駆動部20と、を備え、光学部材10は、第1面11から入射したEUV光の一部をセンサ50に対してミラー13で反射するとともに、第1面11から入射したEUV光の他の一部をシンチレータ14まで透過させ、第2面12から可視光を含む光を放射させる。
【選択図】
図3
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1面及び前記第1面の反対側の第2面を有し、第1面側に配置されたミラー及び第2面側に配置されたシンチレータを含む光学部材と、
EUV光の光路へ前記光学部材を挿入するとともに、前記EUV光の前記光路から前記光学部材を外す駆動部と、
を備え、
前記光学部材は、前記第1面から入射した前記EUV光の一部をセンサに対して前記ミラーで反射するとともに、前記第1面から入射した前記EUV光の他の一部を前記シンチレータまで透過させ、前記第2面から可視光を含む光を放射させる、
光学装置。
【請求項2】
前記ミラーは、多層膜を含み、
前記多層膜は、シンチレータ上に積層された、
請求項1に記載の光学装置。
【請求項3】
前記ミラーは、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層膜を含み、
前記シンチレータは、酸化亜鉛を含む、
請求項1または2に記載の光学装置。
【請求項4】
前記多層膜は、前記モリブデンと前記シリコンとが5対以下に積層された、
請求項3に記載の光学装置。
【請求項5】
請求項1または2に記載の前記光学装置を備え、
前記EUV光を用いた露光用のマスクを検査する検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、光学装置及び検査装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献1~3には、スズ(Sn)等のターゲットに、IR(Infra Red)レーザ光を照射することにより、ターゲットを励起させ、発生したプラズマからEUV光を発光させる光源が記載されている。光源から取り出したEUV光は、半導体基板の検査装置及び露光装置等に利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2021-001924号公報
【特許文献2】特開2014-086523号公報
【特許文献3】特開2011-003887号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
EUV光を検査及び露光等に用いるためには、EUV光をモニタする必要がある。EUV光の安定化のために、例えば、EUV光のパワー、プラズマ分布、ミラーの反射率等をモニタする機能を向上させることが所望されている。
【0005】
本開示の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、EUV光のモニタリング機能を向上させることができる光学装置及び検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示に係る光学装置は、第1面及び前記第1面の反対側の第2面を有し、第1面側に配置されたミラー及び第2面側に配置されたシンチレータを含む光学部材と、EUV光の光路へ前記光学部材を挿入するとともに、前記EUV光の前記光路から前記光学部材を外す駆動部と、を備え、前記光学部材は、前記第1面から入射した前記EUV光の一部をセンサに対して前記ミラーで反射するとともに、前記第1面から入射した前記EUV光の他の一部を前記シンチレータまで透過させ、前記第2面から可視光を含む光を放射させる。
【0007】
上記光学装置では、前記ミラーは、多層膜を含み、前記多層膜は、シンチレータ上に積層されてもよい。
【0008】
上記光学装置では、前記ミラーは、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層膜を含み、前記シンチレータは、酸化亜鉛を含んでもよい。
【0009】
上記光学装置では、前記多層膜は、前記モリブデンと前記シリコンとが5対以下に積層されてもよい。
【0010】
本開示に係る検査装置は、上記記載の光学装置を備え、前記EUV光を用いた露光用のマスクを検査する。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、EUV光のモニタリング機能を向上させることができる光学装置及び検査装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【
図1】比較例1に係る光学装置を例示した断面図である。
【
図2】比較例2に係る光学装置を例示した断面図である。
【
図3】実施形態1に係る光学装置を例示した断面図である。
【
図4】実施形態1に係る光学装置において、ミラーの反射率を例示したグラフであり、横軸は、波長を示し、縦軸は、反射率を示す。
【
図5】実施形態2に係る光学装置を例示した断面図である。
【
図6】実施形態3に係る光学装置を例示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本開示の好適な実施の形態を示すものであって、本開示の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。
【0014】
実施形態を説明する前に、比較例1及び2の光学装置を説明し、それらの課題を説明する。その後、比較例1及び2と対比させて、実施形態の光学装置を説明する。これにより、実施形態の光学装置の特徴をより明確にする。なお、比較例1及び2の光学装置、並びに、それらの課題も、実施形態の技術思想の範囲である。
【0015】
(比較例1)
まず、比較例1の光学装置を説明する。比較例1の光学装置は、例えば、EUV光を用いてEUV用マスクを検査する検査装置またはEUV光を用いて露光する露光装置等に配置されている。
図1は、比較例1に係る光学装置を例示した断面図である。
図1に示すように、光学装置101は、光学部材110及び駆動部120を備えている。光学装置101は、これら以外の部材を含んでもよい。駆動部120は、光学部材110の位置を移動させる部材であり、モータ、アクチュエータ等である。なお、駆動部120は、光学部材110の位置を移動させることができれば、モータ、アクチュエータに限らず、機械的な機構でもよい。
【0016】
光学部材110は、駆動部120によってEUV光の光路L1上に挿入される。光学部材110をEUV光の光路L1上に挿入することを、光学部材110を振り込むとも呼ぶ。光学部材110は、例えば、板状である。光学部材110は、第1面111及び第2面112を有している。第2面112は、第1面111の反対側の面である。EUV光の光路L1に挿入された光学部材110は、EUV光を受光する。EUV光は、光学部材110の第1面111に入射する。
【0017】
本比較例において、光学部材110は、ミラー113を含んでいる。ミラー113は、光学部材110の第1面111側に配置されている。ミラー113は、例えば、多層膜を含む。例えば、ミラー113は、モリブデン(Mo)とシリコン(Si)とが交互に積層された多層膜を含む。多層膜は、ガラス基板等の基板114上に積層されている。モリブデンとシリコンとは、基板114上に、例えば、40対交互に積層されている。なお、ミラー113は、2材質の2層の多層膜に限らず、3材質以上の3層以上の多層膜を含んでもよいし、単層膜を含んでもよい。多層膜は、上述のMo/Siの組み合わせの他、EUV光を反射するミラーであれば、Co/C、CoCr/C、Cr/C、SiC/Mg等を含んでもよい。単層膜は、EUV光を反射するミラーであれば、Ru、SiC等を含んでもよい。基板114は、光学部材110の第2面112側に配置されている。
【0018】
光学部材110の第1面111に入射したEUV光は、ミラー113で反射する。ミラー113は、EUV光をセンサ50に対して反射する。センサ50は、EUV光をモニタする。EUV光は、例えば、IR光等のレーザ光をターゲット材に照射することにより励起させ、発生したプラズマから生成される。ターゲット材は、一例として、スズである。センサ50は、EUV光のパワー及びプラズマ分布を検出することにより、EUV光をモニタする。センサ50は、例えば、フォトダイオード(Photo Diode、PDと呼ぶ。)、位置検出素子(Position Sensitive Detector、PSDと呼ぶ。)及び二次元センサ等を含んでもよい。
【0019】
駆動部120は、光学部材110に取り付けられている。駆動部120は、EUV光をモニタする際に、光学部材110をEUV光の光路L1へ挿入する。これにより、光路L1を通ったEUV光を、センサ50へ続く光路L2に導く。また、駆動部120は、EUV光のモニタを終了し、EUV光を検査光または露光光として運用する際に、光学部材110をEUV光の光路L1から外す。これにより、光路L1を通ったEUV光を、検査装置または露光装置へ続く光路L3に導く。
【0020】
このように、比較例1の光学装置101は、EUV光の光路L1に光学部材110を挿入することにより、EUV光の光路L1をセンサ50に向かうように変える。そして、センサ50によって、EUV光をモニタする。光学装置101は、センサ50によりEUV光のパワー及びプラズマ分布を検出することができる。しかしながら、比較例1の光学装置101は、EUV光のビーム形状等を検出することが困難である。
【0021】
(比較例2)
次に、比較例2の光学装置を説明する。
図2は、比較例2に係る光学装置を例示した断面図である。
図2に示すように、本比較例の光学装置201は、光学部材210及び駆動部220を備えている。光学装置201は、これら以外の部材を含んでもよい。駆動部220は、光学部材210の位置を移動させる部材であり、前述の比較例1の駆動部120と同様である。
【0022】
光学部材210は、駆動部220によってEUV光の光路L1上に挿入される。光学部材210は、例えば、板状であり、第1面211及び第2面212を有する。EUV光の光路L1上に挿入された光学部材210は、EUV光を受光する。EUV光は、光学部材210の第1面211に入射する。
【0023】
本比較例において、光学部材210は、ミラー113の代わりに、シンチレータ214を含んでいる。シンチレータ214は、第1面211及び第2面212を有している。すなわち、光学部材210の第1面211は、シンチレータ214の第1面211でもあり、光学部材210の第2面212は、シンチレータ214の第2面212でもある。シンチレータ214は、発光物質を含んでいる。シンチレータ214は、例えば、酸化亜鉛(ZnO)を含む。なお、シンチレータ214は、ZnOを含むものに限らず、Ce:YAG等、EUV光の励起により発光するものであれば、他の材質を含むものでもよい。
【0024】
シンチレータ214は、第1面211から入射したEUV光を内部に透過させる。シンチレータ214の内部に透過したEUV光は、発光物質を励起させる。励起した発光物質は、低いエネルギー状態に戻るときに可視光及び近赤外光等を含む光を放射することにより発光する。よって、光学部材210は、第1面211から入射したEUV光の一部をシンチレータ214に透過させ、第2面212から可視光を含む光を放射させる。
【0025】
図2の右上に示すように、シンチレータ214から放射される可視光を含む光は、シンチレータ214に入射するEUV光のビーム形状を示している。例えば、ビーム形状215は、通常のEUV光のビーム形状を示している。ビーム形状216は、前段のミラーに汚れが付着していることを示している。ビーム形状217は、前段のミラーの光学調整にズレが生じていることを示している。
【0026】
駆動部220は、光学部材210に取り付けられている。駆動部220は、EUV光をモニタする際に、光学部材210をEUV光の光路L1へ挿入する。これにより、シンチレータ214にEUV光が入射し、EUV光のビーム形状をモニタすることができる。よって、光学装置201は、前段のミラーの反射率変化、反射率分布及び光学調整をモニタすることができる。また、駆動部220は、EUV光のモニタを終了し、EUV光を検査光または露光光として運用する際に、光学部材210をEUV光の光路L1から外す。これにより、光路L1を通ったEUV光を、検査装置または露光装置へ続く光路L3に導くことができる。
【0027】
このように、比較例2の光学装置201は、EUV光の光路L1に光学部材210を挿入することにより、EUV光のビーム形状215~217をモニタする。よって、光学装置201は、前段のミラーの反射率及び光学調整を検出することができる。しかしながら、比較例2の光学装置201は、EUV光のパワー及びプラズマ分布を検出することが困難である。
【0028】
比較例1及び比較例2の場合には、EUV光のパワー及びプラズマ分布のモニタと、前段のミラーの反射率及び光学調整のモニタと、を行うために、各比較例の構成を必要とする。また、同時刻に比較例1及び比較例2の2つのモニタリングをすることができない。よって、EUV光のモニタリング機能を向上させることができない。
【0029】
(実施形態1)
次に、実施形態1に係る光学装置を説明する。
図3は、実施形態1に係る光学装置を例示した断面図である。
図3に示すように、本実施形態の光学装置1は、光学部材10及び駆動部20を備えている。光学装置1は、これら以外の部材を含んでもよい。駆動部20は、光学部材10の位置を移動させる部材であり、前述の比較例1の駆動部120と同様である。
【0030】
光学部材10は、駆動部20によってEUV光の光路L1上に挿入される。光学部材10は、例えば、板状である。光学部材10は、第1面11及び第2面12を有している。第2面12は、第1面11の反対側の面である。EUV光の光路L1に挿入された光学部材10は、EUV光を受光する。EUV光は、光学部材10の第1面11に入射する。
【0031】
本実施形態において、光学部材10は、ミラー13及びシンチレータ14を含んでいる。ミラー13は、光学部材10の第1面11側に配置されている。ミラー13は、多層膜を含む。例えば、ミラー13は、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層膜を含む。多層膜は、シンチレータ14上に積層されている。具体的には、多層膜は、シンチレータ14の第1面11側の面上に成膜されている。例えば、スパッタリングにより、シンチレータ14上にモリブデン及びシリコンが交互に積層されている。これにより、ミラー13とシンチレータ14とは、一体化されている。
【0032】
モリブデンとシリコンとは、シンチレータ14上に例えば、5対、好ましくは、5対以下に積層されている。
図4は、実施形態1に係る光学装置1において、ミラー13の反射率を例示したグラフであり、横軸は、波長を示し、縦軸は、反射率を示す。
図4では、Si/Moの1周期の厚さが9.9nmであり、モリブデン及びシリコンの対が5対成膜された場合の入射角45°の反射率を示している。
【0033】
図4に示すように、第1面11に入射するEUV光の入射角が45°の場合には、光学部材10は、モリブデン及びシリコンの対が5対で反射率30%以上を得ることができる。この場合には、光学部材10は、ミラー13に対するEUV光の透過率として、40%を得ることができる。入射角の違いによる多層膜の吸収の分布がシンチレータ14の発光で見える場合には、さらに、モリブデン及びシリコンの対を減らしてもよい。また、多層膜におけるEUV光の吸収が多く、透過率が減少する場合には、モリブデン及びシリコンの対を減らしてもよい。
【0034】
光学部材10に入射したEUV光の一部は、ミラー13で反射する。具体的には、光学部材10は、第1面11から入射したEUV光の一部をセンサ50に対してミラー13で反射する。つまり、ミラー13は、EUV光がセンサ50に向かうように反射する。センサ50は、EUV光のパワー及びプラズマ分布を検出することにより、EUV光をモニタする。
【0035】
シンチレータ14は、光学部材10の第2面12側に配置されている。シンチレータ14は、例えば、酸化亜鉛を含んでいる。光学部材10は、第1面11から入射したEUV光の他の一部をシンチレータ14まで透過させ、第2面12から可視光を含む光を放射させる。シンチレータ14から放射される可視光を含む光は、シンチレータ14に入射するEUV光のビーム形状15~17を示している。例えば、ビーム形状15は、通常のEUV光のビーム形状を示し、ビーム形状16は、前段のミラーに汚れが付着していることを示している。ビーム形状17は、前段のミラーの光学調整にズレが生じていることを示している。
【0036】
駆動部20は、光学部材10に取り付けられている。駆動部20は、EUV光をモニタする際に、光学部材10をEUV光の光路L1へ挿入する。これにより、光路L1を通ったEUV光を、センサ50へ続く光路L2に導く。また、駆動部20は、EUV光のモニタを終了し、EUV光を検査光または露光光として運用する際に、光学部材10をEUV光の光路L1から外す。これにより、光路L1を通ったEUV光を、検査装置または露光装置へ続く光路L3に導く。
【0037】
次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の光学装置1は、シンチレータ14上にモリブデン及びシリコン等の多層膜を成膜することで、比較例1及び比較例2の構成を一体化することができる。よって、EUV光のパワー及びプラズマ分布と、前段のミラーの反射率及び光学調整と、を同時にモニタすることができる。これにより、EUV光のモニタリング機能を向上させることができる。
【0038】
ミラー13は、多層膜を含み、多層膜は、シンチレータ14上に積層されている。例えば、多層膜は、シンチレータ14上に直接成膜されている。よって、ミラー13におけるEUV光の反射率を向上させるとともに、透過率を向上させることができる。多層膜は、モリブデンとシリコンとが5対以下に積層させている。これにより、透過率を向上させ、モニタリング機能を向上させることができる。
【0039】
(実施形態2)
次に、実施形態2を説明する。本実施形態は、シンチレータ14による発光を真空中で観察する方法である。
図5は、実施形態2に係る光学装置を例示した断面図である。
図5に示すように、本実施形態の光学装置2は、前述の実施形態1の光学装置1の構成に加えて、さらに、真空内カメラ30を備えている。本実施形態において、光学装置2の内部は、真空となっている。なお、真空は、厳密に真空だけでなく、真空ポンプ等で排気された低圧力空間を意味する。
【0040】
真空内カメラ30は、真空状態にされた光学装置2の内部に配置されている。真空内カメラ30は、ビューポート31、配管32、ファイバースコープ33及びカメラ34を備えている。ビューポート31は、ガラス等の透明部材を含む。ビューポート31は、配管32の一端に取り付けられている。配管32は、金属等を含み、フレキシブルに折り曲げ可能である。ファイバースコープ33は、先端にカメラ34が取り付けられている。ファイバースコープ33は、配管32の他端から差し込まれている。ファイバースコープ33の先端のカメラ34は、ビューポート31の近傍に位置している。
【0041】
真空内カメラ30は、真空状態の光学装置2内に差し込まれ、光学部材10のシンチレータ14に対向する位置に配置されている。カメラ34は、ビューポート31を介してシンチレータ14の発光を観察する。
【0042】
本実施形態によれば、真空状態にされた光学装置2の内部において、シンチレータ14の発光を精度よく観察することができる。よって、真空状態の装置内におけるEUV光のモニタリング機能を向上させることができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1の記載に含まれている。
【0043】
(実施形態3)
次に、実施形態3を説明する。本実施形態は、シンチレータ14による発光をミラー13越しに真空中で観察する方法である。
図6は、実施形態3に係る光学装置を例示した断面図である。
図6に示すように、本実施形態の光学装置3において、真空内カメラ30は、ミラー13に対向する位置に配置されている。カメラ34は、シンチレータ14の発光を、ミラー13を通して観察する。シンチレータ14の発光を見やすくするために、ミラー13の多層膜の積層数を減らす等の調整をしてもよい。
【0044】
本実施形態によれば、EUV光のパワー及びプラズマ分布と、前段のミラーの反射率及び光学調整と、を同時にモニタする際に、センサ50及びカメラ34をミラー13に対向する位置に配置することができる。これにより、シンチレータ14に対向する空間を他の用途に使用することができる。または、シンチレータ14に対向する空間を省き、光学装置3を小型化することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態1及び2の記載に含まれている。
【0045】
以上、本開示の実施形態を説明したが、本開示はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。また、実施形態1~2及び比較例1~2の各構成は、適宜、組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【0046】
1、2 光学装置
10 光学部材
11 第1面
12 第2面
13 ミラー
14 シンチレータ
15、16、17 ビーム形状
20 駆動部
30 真空内カメラ
31 ビューポート
32 配管
33 ファイバースコープ
34 カメラ
50 センサ
101、201 光学装置
110、210 光学部材
111、211 第1面
112、212 第2面
113 ミラー
114 基板
214 シンチレータ
215、216、217 ビーム形状
120、220 駆動部
L1、L2、L3 光路