特開 2024-46516 電子装置の製造方法および素子転写用基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024046516

(43)【公開日】2024-04-03

(54)【発明の名称】電子装置の製造方法および素子転写用基板

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20240327BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240327BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20240327BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240327BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 338

G09F9/00 346Z

H01L33/62

H05K3/34 507E

G09F9/33

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022151950

(22)【出願日】2022-09-22

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】武政 健一

(72)【発明者】

【氏名】山田 一幸

(72)【発明者】

【氏名】浅田 圭介

(72)【発明者】

【氏名】磯野 大樹

【テーマコード（参考）】

5C094

5E319

5F142

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA43

5C094BA25

5C094CA19

5C094DB01

5C094EA04

5C094FA02

5C094FB12

5C094GB01

5E319AA03

5E319AB05

5E319AC02

5E319AC04

5E319BB20

5E319CC46

5E319GG03

5F142BA32

5F142CA11

5F142CA13

5F142CB03

5F142CB07

5F142CB14

5F142CB23

5F142CD02

5F142CD16

5F142CD17

5F142CD25

5F142CD44

5F142CD49

5F142DB24

5F142DB54

5F142FA32

5F142FA34

5F142GA02

5G435AA17

5G435BB04

5G435CC09

5G435EE41

5G435EE44

5G435KK05

(57)【要約】

【課題】電子装置の性能を向上させる。
【解決手段】転写用基板７０は、７１ｆ面を備え、可視光透過性の材料から成る基板７１と、基板７１の面７１ｆ上に固定され、可視光透過性で、かつ、弾性変形が可能な材料から成る弾性変形部７２と、を有している。弾性変形部７２は、複数の素子保持部７３と、複数の素子保持部７３とは重ならない位置に配置され、基板７１の面７１ｆを基準面として複数の素子保持部７３よりも高く突出する複数の突出部７４と、を備えている。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

（ａ）第１面を備えた第１基板と、前記第１基板の第１面上に固定され、弾性変形が可能な材料から成る弾性変形部と、を有する素子転写用基板を準備する工程、
（ｂ）前記素子転写用基板の前記弾性変形部が備えた複数の素子保持部と、複数の素子とをそれぞれ貼り付けて前記素子転写用基板により前記複数の素子を保持する工程、
（ｃ）複数のバンプ電極が配列された第２面を備えた第２基板を準備して、前記複数のバンプ電極と、前記素子転写用基板に保持された前記複数の素子の電極とをそれぞれ接触させる工程、
（ｄ）前記複数のバンプ電極と、前記複数の素子の電極とがそれぞれ接触した複数の接触部分にレーザを照射し、前記レーザが照射された素子の電極とバンプ電極とを接合する工程、
を有し、
前記弾性変形部は、
前記複数の素子保持部と、
平面視において前記複数の素子保持部とは重ならない位置に配置され、前記第１基板の前記第１面を基準面として前記複数の素子保持部よりも高く突出する複数の突出部と、
を備え、
前記（ｃ）工程では、前記弾性変形部の前記複数の突出部のそれぞれが、前記第２基板の前記第２面と接触するまで前記第１基板と前記第２基板との距離を近づける、電子装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１において、
前記第１基板および前記弾性変形部は可視光透過性の材料から成り、
前記（ｃ）工程では、前記複数の突出部のそれぞれの先端部が弾性変形し、前記先端部の弾性変形の程度に基づいて前記第１基板と前記第２基板との離間距離を調整する、電子装置の製造方法。

【請求項3】

請求項２において、
前記複数の突出部のそれぞれは、円錐または角錐形状を成す、電子装置の製造方法。

【請求項4】

請求項２において、
平面視において、前記複数の素子保持部のそれぞれの周囲には、２個以上の突出部が配置されている、電子装置の製造方法。

【請求項5】

請求項２において、
前記複数の素子保持部のそれぞれは、
前記第１基板の前記第１面を基準面として、前記複数の突出部のそれぞれよりも低く突出した素子支持部と、
前記素子支持部の先端に配置され、素子を保持することが可能な素子保持面と、
を備えている、電子装置の製造方法。

【請求項6】

請求項５において、
前記複数の素子保持部および前記複数の突出部のそれぞれは、互いに離間した状態で前記第１基板に接着されている、電子装置の製造方法。

【請求項7】

請求項５において、
前記複数の素子保持部のそれぞれは、互いに離間した状態で前記第１基板に接着され、
前記複数の素子保持部と１個以上の突出部とが一体に形成されている、電子装置の製造方法。

【請求項8】

第１面を備え、可視光透過性の材料から成る第１基板と、
前記第１基板の第１面上に固定され、可視光透過性で、かつ、弾性変形が可能な材料から成る弾性変形部と、
を有し、
前記弾性変形部は、
複数の素子保持部と、
平面視において前記複数の素子保持部とは重ならない位置に配置され、前記第１基板の前記第１面を基準面として前記複数の素子保持部よりも高く突出する複数の突出部と、
を備えている、素子転写用基板。

【請求項9】

請求項８において、
前記複数の突出部のそれぞれは、円錐または角錐形状を成す、素子転写用基板。

【請求項10】

請求項８において、
平面視において、前記複数の素子保持部のそれぞれの周囲には、２個以上の突出部が配置されている、素子転写用基板。

【請求項11】

請求項８において、
前記複数の素子保持部のそれぞれは、
前記第１基板の前記第１面を基準面として、前記複数の突出部のそれぞれよりも低く突出した素子支持部と、
前記素子支持部の先端に配置され、素子を保持することが可能な素子保持面と、
を備えている、素子転写用基板。

【請求項12】

請求項１１において、
前記複数の素子保持部および前記複数の突出部のそれぞれは、互いに離間した状態で前記第１基板に接着されている、素子転写用基板。

【請求項13】

請求項１１において、
前記複数の素子保持部のそれぞれは、互いに離間した状態で前記第１基板に接着され、
前記複数の素子保持部と１個以上の突出部とが一体に形成されている、素子転写用基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子装置の製造方法および素子転写用基板に関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に配列された複数の電極に電子部品（素子）を転写する電子装置の製造方法がある。例えば、特開２０２１－５６３２号公報（特許文献１）には、基板上にマイクロＬＥＤ素子を転写するための転写用基板として、弾性体の第１面から突出した複数の突起部を備えた転写用基板が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－５６３２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

基板上に素子を転写する工程では、複数の素子保持部の先端に素子を保持した状態でレーザを照射することにより、基板上のバンプ電極と素子の電極との接触部分を加熱して基板上に素子が実装される。素子をバンプ電極と接合させる工程においては、複数の素子の電極と、複数のバンプ電極とが、それぞれ適切な接触状態で接触していることにより、電気的な接続信頼性を獲得できる。したがって、複数の素子の電極と、複数のバンプ電極との接触状態を高精度で制御可能な技術が必要である。

【0005】

本発明の目的は、電子装置の性能を向上させる技術を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施の形態に係る電子装置の製造方法は、（ａ）第１面を備えた第１基板と、前記第１基板の第１面上に固定され、弾性変形が可能な材料から成る弾性変形部と、を有する素子転写用基板を準備する工程と、（ｂ）前記素子転写用基板の前記弾性変形部が備えた複数の素子保持部と、複数の素子とをそれぞれ貼り付けて前記素子転写用基板により前記複数の素子を保持する工程と、（ｃ）複数のバンプ電極が配列された第２面を備えた第２基板を準備して、前記複数のバンプ電極と、前記素子転写用基板に保持された前記複数の素子の電極と、をそれぞれ接触させる工程と、（ｄ）前記複数のバンプ電極と、前記複数の素子の電極とがそれぞれ接触した複数の接触部分にレーザを照射し、前記レーザが照射された素子の電極とバンプ電極とを接合する工程と、を有している。前記弾性変形部は、前記複数の素子保持部と、平面視において前記複数の素子保持部とは重ならない位置に配置され、前記第１基板の前記第１面を基準面として前記複数の素子保持部よりも高く突出する複数の突出部と、を備えている。前記（ｃ）工程では、前記弾性変形部の前記複数の突出部のそれぞれが、前記第２基板の前記第２面と接触するまで前記第１基板と前記第２基板との距離を近づける。

【0007】

他の実施の形態に係る素子転写用基板は、第１面を備え、可視光透過性の材料から成る第１基板と、前記第１基板の第１面上に固定され、可視光透過性で、かつ、弾性変形が可能な材料から成る弾性変形部と、を有している。前記弾性変形部は、複数の素子保持部と、平面視において前記複数の素子保持部とは重ならない位置に配置され、前記第１基板の前記第１面を基準面として前記複数の素子保持部よりも高く突出する複数の突出部と、を備えている。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】電子装置の一実施形態であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例を示す平面図である。

【図2】図１に示す画素周辺の回路の構成例を示す回路図である。

【図3】図１に示す表示装置の複数の画素のそれぞれに配置されるＬＥＤ素子の周辺構造の一例を示す透過拡大平面図である。

【図4】図３のＡ－Ａ線に沿った拡大断面図である。

【図5】図３に示すＬＥＤ素子を取り除いた状態の基板構造体を示す拡大平面図である。

【図6】電子装置の一実施態様である表示装置の製造方法の工程フローの一例を示す説明図である。

【図7】図５のＢ－Ｂ線に沿った拡大断面図である。

【図8】図６に示す転写用基板準備工程で準備する転写用基板の平面図である。

【図9】図８のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。

【図10】図９に示す転写用基板の素子保持部材のそれぞれが、素子を保持した状態を示す拡大断面図である。

【図11】図１０に示す転写用基板を図７に示す基板構造体に押し付けた状態を示す拡大断面図である。

【図12】図１１に示す突出部と基板構造体とが接触し、突出部の先端部分が弾性変形した状態を示す拡大断面図である。

【図13】図１２に示す突出部の先端部分が変形した状態を転写用基板の裏面側から視認した状態を示す拡大平面図である。

【図14】図１１に示す複数の接触部分の一部にレーザを照射した状態を模式的に示す拡大断面図である。

【図15】図１４に示す複数の素子と素子保持部材とを剥離させた状態を示す拡大断面図である。

【図16】図９に対する変形例を示す拡大断面図である。

【図17】図９に対する他の変形例を示す拡大断面図である。

【図18】図１１に示す基板構造体のバンプ配列面側に表示される模様の一例を示す拡大平面図である。

【図19】図１８に対する変形例を示す拡大平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

以下の実施の形態では、複数の電子部品を搭載するためのバンプ電極アレイが配列された電子装置の例として、複数のマイクロＬＥＤ素子が搭載されたマイクロＬＥＤ表示装置、およびマイクロＬＥＤ素子が搭載される前のバンプ電極アレイ装置を取り上げて説明する。

【0011】

＜電子装置＞
まず、本実施の形態の電子装置であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例について説明する。図１は、電子装置の一実施形態であるマイクロＬＥＤ表示装置の構成例を示す平面図である。図１では、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡとの境界、制御回路５、駆動回路６、および複数の画素ＰＩＸのそれぞれを二点鎖線で示している。図２は、図１に示す画素周辺の回路の構成例を示す回路図である。

【0012】

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲を枠状に囲む周辺領域ＰＦＡと、表示領域ＤＡ内に行列上に配列された複数の画素ＰＩＸと、を有している。また、表示装置ＤＳＰ１は、基板１０と、基板１０上に形成された制御回路５と、基板１０上に形成された駆動回路６と、を有している。基板１０はガラスまたは樹脂から成る。基板１０は、面１０ｔおよび面１０ｔの反対側の面１０ｂを備えている。

【0013】

制御回路５は、表示装置ＤＳＰ１の表示機能の駆動を制御する制御回路である。例えば、制御回路５は、基板１０上に実装されたドライバＩＣ（Integrated Circuit）である。図１に示す例では、制御回路５は、基板１０が備える４辺のうち、一つの短辺に沿って配置されている。また、本実施の形態の例では、制御回路５は、複数の画素ＰＩＸに接続される配線（映像信号配線）ＶＬ（図２参照）を駆動する信号線駆動回路を含んでいる。ただし、制御回路５の位置および構成例は、図１に示す例には限定されず、種々の変形例がある。例えば、図１において、制御回路５として示す位置に、フレキシブル基板などの回路基板が接続され、上記したドライバＩＣは、回路基板上に搭載されている場合がある。また例えば、配線ＶＬを駆動する信号線駆動回路は、制御回路５とは別に形成されている場合がある。

【0014】

駆動回路６は、複数の画素ＰＩＸのうち、走査信号線ＧＬ（後述する図２参照）を駆動する回路を含む。また、駆動回路６は、複数の画素ＰＩＸのそれぞれに搭載されたＬＥＤ素子に基準電位を供給する回路を含む。駆動回路６は、制御回路５からの制御信号に基づいて、複数の走査信号線ＧＬを駆動する。図１に示す例では、駆動回路６は、基板１０が備える４辺のうち、二つの長辺のそれぞれに沿って配置されている。ただし、駆動回路６の位置および構成例は、図１に示す例には限定されず、種々の変形例がある。例えば、図１において、制御回路５として示す位置に、フレキシブル基板などの回路基板が接続され、上記した駆動回路６が回路基板上に搭載されている場合がある。

【0015】

次に、図２を用いて画素ＰＩＸの回路構成例について説明する。なお、図２では、４個の画素ＰＩＸを代表的に取り上げて図示しているが、図１に示す複数の画素ＰＩＸのそれぞれが、図２に示す画素ＰＩＸと同様の回路を備えている。以下では、画素ＰＩＸが備えるスイッチ、およびＬＥＤ素子２０を含む回路について、画素回路と呼称する場合がある。画素回路は、制御回路５（図１参照）から供給される映像信号Ｖｓｇに応じてＬＥＤ素子２０の発光状態を制御する電圧信号方式の回路である。

【0016】

図２に示すように、画素ＰＩＸは、ＬＥＤ素子２０を備えている。ＬＥＤ素子２０は、上記したマイクロ発光ダイオードである。ＬＥＤ素子２０はアノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫを有している。ＬＥＤ素子２０のカソード電極２０ＥＫは、基準電位（固定電位）ＰＶＳが供給される配線ＶＳＬに接続されている。ＬＥＤ素子２０のアノード電極２０ＥＡは、配線３１を介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＥＤと電気的に接続されている。

【0017】

画素ＰＩＸは、スイッチング素子ＳＷを備えている。スイッチング素子ＳＷは、制御信号Ｇｓに応答して画素回路と配線ＶＬとの接続状態（オンまたはオフの状態）を制御するトランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷがオン状態の時、画素回路には、配線ＶＬから映像信号Ｖｓｇが入力される。

【0018】

駆動回路６は、図示しないシフトレジスタ回路、出力バッファ回路等を含んでいる。駆動回路６は、制御回路５（図１参照）から伝送される水平走査スタートパルスに基づいてパルスを出力し、制御信号Ｇｓを出力する。

【0019】

複数の走査信号線ＧＬのそれぞれは、Ｘ方向に延びている。走査信号線ＧＬは、スイッチング素子ＳＷのゲート電極に接続されている。走査信号線ＧＬに制御信号Ｇｓが供給されると、スイッチング素子ＳＷがオン状態となり、ＬＥＤ素子２０に映像信号Ｖｓｇが供給される。

【0020】

＜ＬＥＤ素子の周辺構造＞
次に、図１に示す複数の画素ＰＩＸのそれぞれに配置されるＬＥＤ素子の周辺構造について説明する。図３は、図１に示す表示装置の複数の画素のそれぞれに配置されるＬＥＤ素子の周辺構造の一例を示す透過拡大平面図である。図３では、図４に示す無機絶縁層１４の図示を省略している。図３では、半導体層、電極、および走査信号線の輪郭を点線で示している。図４は、図３のＡ－Ａ線に沿った拡大断面図である。図５は、図３に示すＬＥＤ素子を取り除いた状態の基板構造体を示す拡大平面図である。

【0021】

図３に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、画素ＰＩＸ１を含む複数の画素ＰＩＸ（図４に示す例では画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，およびＰＩＸ３）を有している。複数の画素ＰＩＸのそれぞれは、スイッチング素子ＳＷと、ＬＥＤ素子（発光素子）２０と、配線３１と、配線３２と、を有している。なお、画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，およびＰＩＸ３のそれぞれには、例えば赤、緑、および青のうち、いずれか一色の可視光を出射するＬＥＤ素子２０が搭載され、ＬＥＤ素子２０を駆動するスイッチング素子ＳＷが形成されている。画素ＰＩＸ１，ＰＩＸ２，およびＰＩＸ３のＬＥＤ素子から出射される可視光の出力およびタイミングを制御することにより、カラー表示が可能となる。このように互いに異なる色の可視光を出射する複数の画素ＰＩＸを組み合わせる場合、各色用の画素ＰＩＸを副画素と呼び、複数の画素ＰＩＸのセットを画素と呼ぶ場合がある。本実施の形態では、上記副画素に相当する部分が画素ＰＩＸと呼ばれる。

【0022】

配線３１は、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＥＤおよびＬＥＤ素子２０のアノード電極２０ＥＡのそれぞれに電気的に接続されている。配線３２は、スイッチング素子ＳＷのソース電極ＥＳに接続されている。図３に示す例では、配線３２は屈曲した構造を備え、一方の端部がスイッチング素子ＳＷのソース電極ＥＳに接続され、他方の端部は、配線ＶＬに接続されている。走査信号線ＧＬは、スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＥＧとして利用される。

【0023】

表示装置ＤＳＰ１は、Ｙ方向に沿って複数の画素ＰＩＸ（図２参照）に亘って延び、かつ、配線３２と電気的に接続される配線ＶＬと、Ｙ方向に交差（図３では直交）するＸ方向に沿って複数の画素ＰＩＸに亘って延び、かつ、ＬＥＤ素子２０のカソード電極２０ＥＫに電気的に接続された配線ＶＳＬと、を更に有している。配線ＶＬと配線ＶＳＬとは、図３に示す配線交差部ＬＸＰにおいて、絶縁層４１を介して交差している。配線ＶＬと配線ＶＳＬとの間に絶縁層４１が介在しているので、配線ＶＬと配線ＶＳＬとは電気的に離間されている。なお、図３に示すレイアウトは、一例であって、種々の変形例がある。例えば、図３に対する変形例の一つとして、スイッチング素子ＳＷが図示しないゲート電極を有し、ゲート電極が走査信号線ＧＬと接続された構造であってもよい。この変形例では、走査信号線ＧＬが、半導体層５０と重ならない位置に配置される場合がある。

【0024】

図４に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、ガラスまたは樹脂から成る基板１０と、基板１０上に積層された複数の絶縁層とを含む電子装置である。表示装置ＤＳＰ１が有する複数の絶縁層は、基板１０上に積層される無機絶縁層１１、無機絶縁層１２、無機絶縁層１３、および無機絶縁層１４を含む。基板１０は面１０ｆおよび面１０ｆの反対側の面１０ｂを有している。無機絶縁層１１，１２，１３、および１４のそれぞれは、基板１０の面１０ｆ上に積層されている。

【0025】

スイッチング素子ＳＷは、基板１０上に形成された無機絶縁層１２と、無機絶縁層１２上に形成された半導体層５０と、半導体層５０のドレイン領域に接続されたドレイン電極ＥＤと、半導体層５０のソース領域に接続されたソース電極ＥＳと、半導体層５０を覆う無機絶縁層１３と、を含んでいる。配線３１および配線３２のそれぞれは、例えば、チタンまたはチタン合金から成る導体層と、アルミニウムまたはアルミニウム合金から成る導体層と、の積層膜である。チタン層の間にアルミニウム層が挟まれた積層膜は、ＴＡＴ積層膜と呼ばれる。

【0026】

図４に示す例は、ゲート電極ＥＧが半導体層５０と基板１０との間にある、ボトムゲート方式の例である。ボトムゲート方式の場合、無機絶縁層１２のうち、ゲート電極ＥＧと半導体層５０との間にある部分がゲート絶縁層として機能する。また、無機絶縁層１２は、半導体層５０を形成するための下地層としても機能する。なお、ゲート電極ＥＧの位置は図４に示す例には限定されず、例えば変形例として後述するトップゲート方式であってもよい。

【0027】

無機絶縁層１１，１２，１３，および１４のそれぞれを構成する材料は特に限定されない。例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や窒化ケイ素（ＳｉＮ）などを例示することができる。また、半導体層５０は、例えばケイ素から成るシリコン膜にＰ型またはＮ型の導電型の不純物がドープされた半導体膜である。

【0028】

ソース電極ＥＳおよびドレイン電極ＥＤのそれぞれは、半導体層５０のソース領域およびドレイン領域のいずれか一方との電気的なコンタクトをとるためのコンタクトプラグである。コンタクトプラグの材料は、例えばタングステンなどを例示できる。なお、図４に対する変形例として、無機絶縁層１３に半導体層５０のソース領域およびドレイン領域を露出させるコンタクトホールが形成され、コンタクトホール内に配線３１の一部分および配線３２の一部分がそれぞれ埋め込まれている場合がある。この場合、配線３１および配線３２のうち、コンタクトホール内に埋め込まれた部分が半導体層５０に接触し、配線３１および配線３２と半導体層５０との接触界面をドレイン電極ＥＤおよびソース電極ＥＳと見做すことができる。

【0029】

また、図５に示すように、表示装置ＤＳＰ１（図３参照）は、平面視において規則的に配列された複数のバンプ電極３３を備えている。バンプ電極３３は、基板１０（図４参照）上に電子部品を実装するための端子である。本実施の形態の場合、バンプ電極３３は、図４に示すＬＥＤ素子２０を搭載するための端子である。このため、２個のバンプ電極の一方は、ＬＥＤ素子２０のアノード電極２０ＥＡに接続され、他方はＬＥＤ素子２０のカソード電極２０ＥＫに接続されている。このため、本実施の形態の場合、複数のバンプ電極３３は、ＬＥＤ素子２０（図３参照）の実装予定領域に２個隣り合って配列されている。

【0030】

図４に示すように、バンプ電極３３は、無機絶縁層１４に形成された開口部１４Ｈと重なる位置で配線３１に接続され、かつ、無機絶縁層１４から突出している。また、バンプ電極３３は、例えば、錫を含む半田から成る。あるいは、バンプ電極３３は、銅など、半田よりも電気伝導度が高い金属材料からなる金属層と、半田層との積層体である場合がある。

【0031】

＜電子装置の製造方法＞
次に、図３に示す表示装置ＤＳＰ１の製造方法を代表例として、本実施の形態の電子装置の製造方法について説明する。なお、以下では、図４に示す開口部１４Ｈにバンプ電極３３を形成する工程を中心に説明する。図６は、電子装置の一実施態様である表示装置の製造方法の工程フローの一例を示す説明図である。

【0032】

図６に示すように、本実施の形態の電子装置の製造方法は、基板構造体準備工程と、転写用基板準備工程と、素子保持工程と、素子押付工程と、レーザ照射工程と、素子剥離工程と、を有している。

【0033】

図６に示す基板構造体準備工程では、図５に示す基板構造体ＳＵＢ１を準備する。図７は、図５のＢ－Ｂ線に沿った拡大断面図である。図７に示すように、基板構造体準備工程では、ガラスまたは樹脂から成る基板１０と、基板１０上に形成された配線３１と、配線３１を覆う無機絶縁層１４と、を備えた基板構造体ＳＵＢ１を準備する。図７に示す例では、基板１０上には、無機絶縁層１１、無機絶縁層１２、無機絶縁層１３、および無機絶縁層１４が積層され、配線３１は、無機絶縁層１３と無機絶縁層１４との間に配置されている。基板構造体ＳＵＢ１の大部分は無機絶縁層１４に覆われている。無機絶縁層１４には、配線３１と重なる位置および配線ＶＳＬと重なる位置に開口部１４Ｈが形成されている。開口部１４Ｈの底部において、配線３１および配線ＶＳＬのそれぞれは、無機絶縁層１４から露出している。

【0034】

複数のバンプ電極３３は、基板構造体ＳＵＢ１が備えた面ＳＵＢｆに配列されている。複数のバンプ電極３３のそれぞれは、開口部１４Ｈ内に埋め込まれ、開口部１４Ｈの底部において、配線３１または配線ＶＳＬに接続されている。図５に示すように、平面視において、複数のバンプ電極３３のそれぞれは、電子部品（図３に示すＬＥＤ素子２０）を搭載する予定領域に、規則的に配置されている。

【0035】

バンプ電極３３は、図７に示すように、無機絶縁層１４の上方に突出するように形成されている。上記したように、配線３１の一部分および配線ＶＳＬの一部分が開口部１４Ｈにおいて無機絶縁層１４から部分的に露出しているので、バンプ電極３３は例えば、電気メッキ法により選択的に形成することができる。なお、バンプ電極３３の突出高さを高くするために、レジスト膜を用いてバンプ電極３３を形成する場合もある。

【0036】

次に、図６に示す転写用基板準備工程では、図８に示す転写用基板を準備する。図８は、図６に示す転写用基板準備工程で準備する転写用基板の平面図である。図９は、図８のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。

【0037】

図８および図９に示す転写用基板（素子転写用基板）７０は、面７１ｆおよび面７１ｆの反対側の面７１ｂ（図９参照）を備えた基板７１と、基板７１の面７１ｆ上に固定された弾性変形部７２と、を有している。弾性変形部７２は、基板７１の面７１ｆに貼り付けられている。

【0038】

基板７１は、転写用基板７０の剛性を確保するための支持基板である。基板７１は、例えば、石英、ガラスなど、酸化ケイ素を主成分とする合成基板である。また、弾性変形部７２は、弾性変形可能な弾性体から成る。弾性変形部７２を構成する材料の例としては、例えば、天然ゴム（ＮＲ）、シリコーンゴム（ＳＩ）、ポリウレタン樹脂（ＰＵＲ）、フッ素ゴム（ＦＰＭ）などを例示することができる。またこれらのゴムを単独で用いる場合の他、混合して用いる場合もある。

【0039】

図９に示すように、弾性変形部７２は、複数の素子保持部７３と、複数の素子保持部７３とは重ならない位置に配置され、基板７１の面７１ｆを基準面として複数の素子保持部７３よりも高く突出する複数の突出部７４と、を備えている。図９に示す例では、弾性変形部７２は、基板７１の面７１ｆの全体を覆うように形成されたベース部７５を有し、ベース部７５の一部分が素子保持部７３として機能する。また、突出部７４はベース部７５から突出するように形成されている。弾性変形部７２を構成するベース部７５（複数の素子保持部７３を含む）および複数の突出部７４のそれぞれは、同じ弾性材料から成り、一体に形成されている。

【0040】

基板７１と弾性変形部７２の基板接着面７２ｂとは接着剤を介して接着されている。接着剤には、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン・アクリル酸エステル共重合体樹脂、エチレン・メタクリル酸エステル共重合体樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、塩素化ポリオレフィン系樹脂、エポキシ系樹脂、又はウレタン系樹脂などを用いることができる。同様に、弾性変形部７２の素子保持部７３の素子保持面７２ｆには、素子を保持するための粘着層が配置されている。粘着層は、例えば上記した接着剤と同様のものを用いることができる。ただし、弾性変形部７２の素子保持部７３に保持された素子を基板１０上に実装した後、素子と弾性変形部７２の素子保持部７３とを剥離させる必要があるので、素子に粘着させる粘着層の接着強度は、弾性変形部７２の素子保持部７３と基板７１とを接着させる接着剤よりも接着強度が低いことが好ましい。なお、本実施の形態に対する変形例として、弾性変形部７２自体を上記したような粘着性の樹脂で構成する場合がある。

【0041】

次に、図６に示す素子保持工程では、図１０に示すように弾性変形部７２の複数の素子保持部７３のそれぞれにＬＥＤ素子２０を保持させる。図１０は、図９に示す転写用基板の素子保持部のそれぞれが、素子を保持した状態を示す拡大断面図である。本工程では、転写用基板７０の複数の素子保持部７３と、複数のＬＥＤ素子２０とをそれぞれ貼り付けて転写用基板７０により複数のＬＥＤ素子２０を保持する。詳しくは、ＬＥＤ素子２０のうち、アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫが形成された面の反対側の面が素子保持部７３の素子保持面７２ｆに粘着保持される。これにより、次に説明する図１１に示すように、複数のアノード電極２０ＥＡおよび複数のカソード電極２０ＥＫのそれぞれを、基板構造体ＳＵＢ１と対向させることができる。

【0042】

図１０に示す複数のＬＥＤ素子２０のそれぞれは、例えばサファイア基板上に形成される。完成した複数のＬＥＤ素子２０のそれぞれは、サファイア基板上から図示しない第１転写基板に転写され、その第１転写基板から図１０に示す転写用基板７０に転写される。このように、複数のＬＥＤ素子２０のそれぞれを形成するためのサファイア基板から図示しない第１転写基板を介して転写用基板７０に転写することで、図１０に示すようにＬＥＤ素子２０のアノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫが素子保持部７３の先端に位置した状態で保持される。

【0043】

次に、図６に示す素子押付工程では、図１１に示すように、複数のバンプ電極３３が配列された面ＳＵＢｆを備えた基板構造体ＳＵＢ１を準備して、転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１に向かって押し付ける。図１１は、図１０に示す転写用基板を図７に示す基板構造体に押し付けた状態を示す拡大断面図である。図１２は、図１１に示す突出部と基板構造体とが接触し、突出部の先端部分が弾性変形した状態を示す拡大断面図である。図１３は、図１２に示す突出部の先端部分が変形した状態を転写用基板の裏面側から視認した状態を示す拡大平面図である。

【0044】

本工程では、複数のバンプ電極３３と、転写用基板７０に保持された複数のＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とが対向した状態で転写用基板７０を基板構造体ＳＵＢ１に向かって押し付ける。これにより、複数のバンプ電極３３と、転写用基板７０に保持された複数のＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とをそれぞれ接触させる。

【0045】

本工程において、ＬＥＤ素子２０が基板構造体ＳＵＢ１に対して過剰な力で押し付けられると、ＬＥＤ素子２０が損傷する原因になる。一方、ＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３との接触が不十分である場合、ＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３との電気的な接続信頼性が低下する原因となる。このため、本工程では、基板構造体ＳＵＢ１と転写用基板７０との距離（詳しくは基板１０と基板７１との離間距離）が適切な値となるように制御する必要がある。本実施の形態の場合、弾性変形部７２が備えている複数の突出部７４のそれぞれを用いて基板構造体ＳＵＢ１と転写用基板７０との距離（詳しくは基板１０と基板７１との離間距離）を制御する。本工程では、弾性変形部７２の複数の突出部７４のそれぞれが、基板構造体ＳＵＢ１のうち、複数のバンプ電極３３と重ならない位置に接触するまで転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離を近づける。

【0046】

本実施の形態の場合、素子押付工程では、複数の突出部７４のそれぞれの先端部が弾性変形し、先端部の弾性変形の程度に基づいて転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との離間距離を調整する。例えば、本実施の形態の場合、複数の突出部７４のそれぞれは、円錐または角錐形状を成す。図１３では一例として円錐形を成す場合を例示している。以下、円錐または角錐形状のことを「錐形状」と記載する。「錐形状」は、三角錐、四角錐、あるいは五角錐異様の多角錐を含んでいる。本実施の形態のように錐形状を成す突出部の先端部分を弾性変形させた場合、図１２に示すように突出部７４の先端部分が接触面に沿って広がるように変形する。先端部分の変形方向は、平面視において当方的に広がる。このため、図１３に例示するように、突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭は、円形を成す。

【0047】

図１２に示す基板７１および弾性変形部７２のそれぞれは、可視光透過性の材料から成る。このため、図１２に例示するように基板７１の面（裏面）７１ｂに配置された撮像装置ＣＡＭにより突出部７４を撮影すると、図１３に例示するような像が得られる。なお、図１２では撮像装置ＣＡＭを用いた例を示しているが、目視にて確認することも可能である。図１３に示す先端部７４Ｔの輪郭の大きさは、素子押付工程において、図１２に示す基板７１と基板１０との距離が近づく程大きくなる。このため、先端部７４Ｔの輪郭の大きさについて、下限値、および上限値を予め設定しておけば、この設定された値に基づいて押付の程度を制御することができる。すなわち、先端部７４Ｔ（図１３参照）の弾性変形の程度に基づいて転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との離間距離を調整することができる。

【0048】

例えば、図１１に示す複数の突出部７４のそれぞれの先端部７４Ｔ（図１３参照）の輪郭のサイズが設定された上限値よりも大きい場合、転写用基板７０を押し付ける力を全体に弱めることで、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との離間距離を調整する。反対に、先端部７４Ｔの輪郭のサイズが設定された下限値よりも小さい場合、転写用基板７０を押し付ける力を全体に強くすることで、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離を調整する。また例えば、複数の突出部７４のうち、一部の突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭のサイズが設定された上限値より大きく、他の一部の突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭のサイズが設定された下限値よりも小さい場合、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１とが平行に配置されていないことを意味する。このため、図１３に例示する先端部７４Ｔの輪郭のサイズを視ながら転写用基板７０を押し付ける力を調整し、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１とが平行になるようにする。

【0049】

このように、本実施の形態によれば、弾性変形部７２に複数の突出部７４が設けられているので、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離、言い換えれば、ＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とバンプ電極３３との接触状態を容易に調整することが可能である。

【0050】

また、本実施の形態によれば、複数の突出部７４のそれぞれの先端部７４Ｔ（図１３参照）が弾性変形する。このため、先端部７４Ｔの弾性変形の程度に基づいて転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との離間距離言い換えれば、ＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とバンプ電極３３との接触状態を高精度に調整することが可能である。

【0051】

突出部７４の形状には、種々の変形例が適用可能である。例えば錐形状の先端の一部が除去された円錐台形または角錐台形の形状とすることができる。あるいは、錐形状ではなく、単純な円柱形状、あるいは角柱形状とすることができる。ただし、図１３に示すように先端部７４Ｔの輪郭のサイズを容易に視認する観点からは、複数の突出部７４のそれぞれは、円錐または角錐形状を成すことが特に好ましい。

【0052】

また、図８に示す例では、平面視において、複数の素子保持部７３のそれぞれの周囲には、４個の突出部７４が配置されている。素子保持部７３の周囲に配置される突出部７４の数には種々の変形例がある。弾性変形部７２が少なくとも２個以上の突出部７４を備えていれば、素子押付工程において複数の突出部７４と基板構造体ＳＵＢ１とを接触させることが可能である。ただし、ＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とバンプ電極３３との接触状態を高精度で調整可能にする観点からは、平面視において、複数の素子保持部７３のそれぞれの周囲には、２個以上の突出部７４が配置されていることが好ましい。この場合、突出部７４の数は、素子保持部７３の数よりも多い。

【0053】

また、複数の素子保持部７３のそれぞれの周囲には、４個よりも多い数の突出部７４が配置されている場合もある。ただし、図８に示すように、素子保持部７３の周囲に４個の突出部７４が配置されていれば十分に高精度で調整可能である。また、複数の突出部７４のそれぞれの弾性変形の程度を評価する場合、評価対象である突出部７４の数が多くなると、評価に要する時間が長くなる。したがって、複数の素子保持部７３のそれぞれの周囲に配置される突出部７４の数は、２個以上４個以下程度が特に好ましい。

【0054】

図１０に示す突出部７４の高さＨ７４は、以下の範囲内であることが好ましい。図７に示すバンプ電極３３の頂点から基板構造体ＳＵＢ１の面ＳＵＢｆまでの高さをバンプ電極３３の高さＨ３３と定義する。なお、面ＳＵＢｆは、基板構造体ＳＵＢ１の前面、あるいはバンプ配列面と読み替えることができる。また、図１２に示すように、電極を含むＬＥＤ素子２０の厚さを厚さＴ２０と定義する。この時、図１０に示す突出部７４の高さＨ７４は、図１２に示すＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０とバンプ電極３３の高さＨ３３の合計値以上であることが好ましい。これにより、図６に示す素子押付工程において突出部７４の先端を基板構造体ＳＵＢ１の面ＳＵＢｆに接触させることができる。また、突出部７４の高さＨ７４は、ＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０とバンプ電極３３の高さＨ３３の合計値＋５μｍ以下であることが特に好ましい。突出部７４の高さＨ７４がＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０とバンプ電極３３の高さＨ３３の合計値＋５μｍ以下の範囲内であれば、突出部７４によりＬＥＤ素子２０の電極とバンプ電極３３との接触が阻害されることを防止できる。

【0055】

厚さＴ２０は、数μｍ～１０μｍ程度である。また、高さＨ３３は、数μｍ～１０μｍｍ程度である。ベース部７５の厚さは、例えば数十μｍ（例えば２０μｍ）程度である。例えば、厚さＴ２０が１０μｍ、バンプ電極３３の高さＨ３３が３μｍである場合、突出部７４の高さＨ７４は、１３μｍ以上で、かつ、１８μｍ以下であることが特に好ましい。

【0056】

次に、図６に示すレーザ照射工程では、図１４に示すように、複数のバンプ電極３３と、複数のＬＥＤ素子２０の電極とがそれぞれ接触した複数の接触部分のうちの一部に選択的にレーザＬＺを照射し、レーザＬＺが照射されたＬＥＤ素子２０の電極とバンプ電極３３とを接合する。図１４は、図１１に示す複数の接触部分の一部にレーザを照射した状態を模式的に示す拡大断面図である。

【0057】

本工程では、アノード電極２０ＥＡまたはカソード電極２０ＥＫと、バンプ電極３３との接触部分にレーザＬＺを照射することで、接触部分を加熱する。これにより、バンプ電極３３に含まれる半田がアノード電極２０ＥＡまたはカソード電極２０ＥＫに接合される。

【0058】

なお、本工程の前に、ＬＥＤ素子２０のアノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫのそれぞれに、予め半田膜が形成されている場合もある。この場合、半田を含むバンプ電極３３と電極に形成された半田膜とを容易に一体化させることができるので、バンプ電極３３とカソード電極２０ＥＫ（またはアノード電極２０ＥＡ）とを確実に接続することができる。

【0059】

図１４に示すように、複数のバンプ電極３３と、複数のＬＥＤ素子２０の電極とがそれぞれ接触した複数の接触部分のうちの一部に選択的にレーザＬＺを照射する場合、レーザＬＺの照射範囲を小さくすることができる。例えば、図１４に示すように、隣り合うバンプ電極３３の間に回路部品３５（例えば図３に示す配線ＶＬやスイッチング素子ＳＷ等が回路部品３５に相当する）が配置されている場合、レーザＬＺの照射範囲を小さくすることで、回路部品３５がレーザＬＺにより受ける熱影響を低減させることができる。

【0060】

なお、図１４では、小型のレーザ光源ＬＺＳから照射範囲の狭いレーザＬＺが照射されている例を示しているが、レーザＬＺの照射範囲を小さくする方法には種々の変形例がある。例えば、図示しない遮光膜の一部にレーザＬＺの透過可能な開口部を設けることにより、レーザＬＺの照射範囲を狭くすることができる。

【0061】

本工程は、ＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とバンプ電極３３とが接触した状態で実施される。ＬＥＤ素子２０の電極とバンプ電極３３との接触状態は、上記したように複数の突出部７４により高精度に制御されている。このため、本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子２０の電極とバンプ電極３３との電気的な接続信頼性を向上させることができる。

【0062】

なお、図１４に示す例の場合、複数のＬＥＤ素子２０の１個ずつに順次レーザＬＺを照射する例を示している。ただし、変形例として、例えば２個ずつ、あるいは３個ずつなど、３個以下程度の少数のＬＥＤ素子２０に対して一括してレーザＬＺを照射する場合がある。

【0063】

次に、図６に示す素子剥離工程では、図１５に示すように、複数のＬＥＤ素子２０と、複数の弾性変形部７２の素子保持部７３の素子保持面７２ｆとを剥離させる。図１５は、図１４に示す複数の素子と素子保持部材とを剥離させた状態を示す拡大断面図である。

【0064】

本工程では、転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離を遠ざける。この時、複数のＬＥＤ素子２０の電極は、バンプ電極３３に接合されている。言い換えれば、複数のＬＥＤ素子２０は、基板構造体ＳＵＢ１に実装されており、ＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３の固定強度は、ＬＥＤ素子２０と弾性変形部７２の素子保持部７３との接着強度よりも高い。このため、転写用基板７０を引き上げれば、弾性変形部７２の素子保持部７３の素子保持面７２ｆとＬＥＤ素子２０との界面が剥離する。

【0065】

複数の突出部７４のそれぞれは、上記したように弾性変形可能な材料から成る。したがって、図１５に示すように、複数の突出部７４のそれぞれが基板構造体ＳＵＢ１から離れると、突出部７４の形状は、元の形状（例えば円錐形状や角錐形状）に復元する。

【0066】

以上の各工程により、複数のバンプ電極３３のそれぞれにＬＥＤ素子２０の電極が接合された基板構造体ＳＵＢ１が得られる（電子装置取得工程）。

【0067】

＜変形例＞
次に、図９に示す弾性変形部に対する変形例およびこれを用いた電子装置の製造方法の変形例について説明する。図１６は、図９に対する変形例を示す拡大断面図である。図１７は、図９に対する他の変形例を示す拡大断面図である。なお、以下では、図８～図１４を用いて説明した転写用基板７０およびこれを用いた電子装置の製造方法との相違点を中心に説明し、共通する部分に関しては重複する説明を原則として省略する。

【0068】

図１６に示す転写用基板７０Ａおよび図１７に示す転写用基板７０Ｂのそれぞれは、図９に示すベース部７５を有していない点で図９に示す転写用基板７０と相違する。転写用基板７０Ａおよび転写用基板７０Ｂのそれぞれの場合、複数の素子保持部７３のそれぞれが、互いに離間した状態で基板７１に接着されている。図１４を用いて説明したように、レーザ照射工程において、複数のＬＥＤ素子２０の一部に選択的にレーザＬＺを照射する方式の場合、レーザ照射時の熱影響により、弾性変形部７２が収縮する場合がある。この時、図９に示すように、複数の素子保持部７３のそれぞれがベース部７５を介して連結されている場合、レーザＬＺ（図１４参照）が照射されたＬＥＤ素子２０の近傍に配置されるＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３との位置関係が、ベース部７５の熱収縮によりずれてしまう場合が考えられる。

【0069】

一方、図１６に示す転写用基板７０Ａおよび図１７に示す転写用基板７０Ｂのそれぞれの場合、複数の素子保持部７３のそれぞれが、互いに離間した状態で基板７１に接着されている。このため、仮にレーザ照射工程において、複数のＬＥＤ素子２０の一部に選択的にレーザを照射した場合であっても、熱収縮により他のＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３との位置関係がずれることを防止できる。

【0070】

図１７に示す転写用基板７０Ｂは、素子保持部７３と１個以上の突出部７４とが一体に形成されている点で図１６に示す転写用基板７０Ａと相違する。図１７に示す例の場合でも、複数の素子保持部７３のそれぞれは互いに離間している。このため、仮にレーザ照射工程において、複数のＬＥＤ素子２０の一部に選択的にレーザを照射した場合であっても、熱収縮により他のＬＥＤ素子２０とバンプ電極３３との位置関係がずれることを防止できる。

【0071】

また、図１７に示す転写用基板７０Ｂの場合、素子保持部７３と１個以上の突出部７４とが一体化されているので、図１６に示す転写用基板７０Ａと比較して素子保持部７３と基板７１との接着面積を大きくすることができる。図９に示す転写用基板７０、図１６に示す転写用基板７０Ａおよび図１７に示す転写用基板７０Ｂのそれぞれは、図１１に示す基板構造体ＳＵＢ１に複数のＬＥＤ素子２０を転写するためのツールである。このため、図１５を用いて説明したように、ＬＥＤ素子２０の電極とバンプ電極３３とを接合した後は、素子剥離工程において素子保持部７３とＬＥＤ素子２０とを剥離させる。

【0072】

この時、基板７１と素子保持部７３との接着強度が弱い場合、基板７１と素子保持部７３との接着部分が剥離してしまい、素子保持部７３がＬＥＤ素子２０に接着された状態で残ってしまう懸念がある。図１７に示す転写用基板７０Ｂの場合、素子保持部７３と突出部７４とを一体化することにより基板７１と素子保持部７３との接着強度を向上させることができる。このため、基板７１と素子保持部７３との接着部分が剥離してしまう現象の発生を抑制することができる。

【0073】

図１６に示す例の場合、突出部７４の高さＨ７４は、基板７１の面７１ｆから突出部７４の頂部までの高さとして規定される。この場合、図１６に示す突出部７４の高さＨ７４は、以下の範囲内であることが好ましい。すなわち、突出部７４の高さＨ７４は、図１２に示すＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０とバンプ電極３３の高さＨ３３と、図１６に示す素子保持部７３の厚さの合計値以上であることが好ましい。また、突出部７４の高さＨ７４は、ＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０とバンプ電極３３の高さＨ３３と素子保持部７３の厚さの合計値＋５μｍ以下であることが特に好ましい。なお、図７に示すバンプ電極３３の高さＨ３３の高さの定義、図１２に示すＬＥＤ素子２０の厚さＴ２０の定義は上記した通りである。また、素子保持部７３の厚さは、基板７１の面７１ｆから素子保持部７３の素子保持面７２ｆまでの距離として定義される。

【0074】

図１６および図１７に示す変形例の場合、複数の素子保持部７３は以下のように表現することができる。複数の素子保持部７３のそれぞれは、基板７１の面７１ｆを基準面として、複数の突出部７４のそれぞれよりも低く突出した素子支持部（素子保持部７３の本体部分）と、素子支持部の先端に配置され、素子を保持することが可能な素子保持面７２ｆと、を備えている。

【0075】

図１８は、図１１に示す基板構造体のバンプ配列面側に表示される模様の一例を示す拡大平面図である。図１９は図１８に対する変形例を示す拡大平面図である。また、別の変形例として、図１８に示すように基板構造体ＳＵＢ１の面ＳＵＢｆに、突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭のサイズを簡単に計測可能にするための計測用マークが形成されている場合がある。例えば図１８に示す例では、基板構造体ＳＵＢ１の面ＳＵＢｆには、突出部７４の先端部７４Ｔが接触する部分を中心として同心円状に２個の円形のマークが付されている。相対的に大きい円は、先端部７４Ｔの輪郭の上限値を示す上限マークＭ１であり、相対的に小さい円は、先端部７４Ｔの輪郭の下限値を示す下限マークＭ２である。図１８に示す例の場合、突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭が、上限マークＭ１と下限マークＭ２との間に位置するように転写用基板７０（図１１参照）の押付力を調整する。

【0076】

例えば図１９に示す例では、基板構造体ＳＵＢ１の面ＳＵＢｆには、突出部７４の先端部７４Ｔが接触する部分の中心で交差する２本の直線が形成されている。２本の直線の一方はＸ方向に沿って延び、他方はＸ方向に直交するＹ方向に延びている。また、Ｘ方向に延びる直線には、２個の上限マークＭ３と、２個の下限マークＭ４とが形成されている。同様に、Ｙ方向に延びる直線には、２個の上限マークＭ３と、２個の下限マークＭ４とが形成されている。４個の上限マークＭ３から２本の直線の交点までの距離は、互いに等しい。また、４個の下限マークＭ４から２本の直線の交点までの距離は、互いに等しい。図１９に示す例の場合、突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭が、上限マークＭ３と下限マークＭ４との間に位置するように転写用基板７０（図１１参照）の押付力を調整する。

【0077】

図１８や図１９に示す例によれば、突出部７４の先端部７４Ｔの輪郭の上限値と下限値とが容易に識別可能である。このため、図１１に示す転写用基板７０と基板構造体ＳＵＢ１との距離、言い換えれば、ＬＥＤ素子２０の電極（アノード電極２０ＥＡおよびカソード電極２０ＥＫ）とバンプ電極３３との接触状態を簡単かつ高精度で調整することが可能である。

【0078】

以上、実施の形態および代表的な変形例について説明したが、上記した技術は、例示した変形例以外の種々の変形例に適用可能である。例えば、上記した変形例同士を組み合わせてもよい。

【0079】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【産業上の利用可能性】

【0080】

本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。

【符号の説明】

【0081】

５ 制御回路
６ 駆動回路
１０ 基板
１０ｂ，１０ｆ 面
１１，１２，１３，１４ 無機絶縁層
１４Ｈ 開口部
２０ ＬＥＤ素子（発光素子，素子）
２０ＥＡ アノード電極
２０ＥＫ カソード電極
３０Ｂｔ１，３０Ｂｔ２ 面
３１，３２，３４，ＶＬ，ＶＳＬ 配線
３３ バンプ電極
３５ 回路部品
４１ 絶縁層
５０ 半導体層
７０，７０Ａ，７０Ｂ 転写用基板（素子転写用基板）
７１ 基板
７１ｂ，７１ｆ 面
７２ 弾性変形部
７２ｂ 基板接着面
７２ｆ 素子保持面
７３ 素子保持部
７４ 突出部
７４Ｔ 先端部
７５ ベース部
ＤＡ 表示領域
ＤＳＰ１ 表示装置（電子装置）
ＥＤ ドレイン電極
ＥＧ ゲート電極
ＥＳ ソース電極
ＧＬ 走査信号線
Ｇｓ 制御信号
Ｈ３３，Ｈ７４ 高さ
ＬＸＰ 配線交差部
ＬＺ レーザ（レーザ光）
ＬＺＳ レーザ光源
ＰＦＡ 周辺領域
ＰＩＸ，ＰＩＸ１，ＰＩＸ２ 画素
ＰＶＳ 基準電位（固定電位）
ＳＵＢ１ 基板構造体
ＳＷ スイッチング素子
Ｔ２０ 厚さ
Ｖｓｇ 映像信号

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】