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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024046592
(43)【公開日】2024-04-03
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240327BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240327BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 J
H01L21/304 642A
H01L21/304 642F
H01L21/304 648G
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023103476
(22)【出願日】2023-06-23
(31)【優先権主張番号】P 2022150779
(32)【優先日】2022-09-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 光敏
(72)【発明者】
【氏名】伊豆田 崇
(72)【発明者】
【氏名】山本 学
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043BB02
5F043EE06
5F043EE30
5F157AB03
5F157AB13
5F157AB34
5F157AC01
5F157AC55
5F157BB04
5F157BB08
5F157BB09
5F157BB79
5F157CE07
5F157CE10
5F157CE82
5F157CE84
5F157DB37
(57)【要約】
【課題】基板の表面及びその近傍において、気泡が不足している領域を低減できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、処理槽１１０と基板保持部１２０と気泡供給部１３５と複数の処理液供給部Ａｎとを備える。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。気泡供給部１３５は、基板Ｗの下方から処理液ＬＱに対して、複数の気泡ＢＢを供給する。処理槽１１０は、第１側壁１１６及び第２側壁１１７を含む。複数の処理液供給部Ａｎは、少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎと、少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎとを含む。少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側に配置され、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎは、第２側壁１１７の側に配置され、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。
【選択図】図１
【解決手段】基板処理装置１００は、処理槽１１０と基板保持部１２０と気泡供給部１３５と複数の処理液供給部Ａｎとを備える。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。気泡供給部１３５は、基板Ｗの下方から処理液ＬＱに対して、複数の気泡ＢＢを供給する。処理槽１１０は、第１側壁１１６及び第２側壁１１７を含む。複数の処理液供給部Ａｎは、少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎと、少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎとを含む。少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側に配置され、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎは、第２側壁１１７の側に配置され、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
前記処理槽に配置され、前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する気泡供給部と、
前記処理槽に配置され、前記処理液を前記処理槽の内部に供給する複数の処理液供給部と
を備え、
前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数の処理液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第１処理液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第２処理液供給部と
を含む、基板処理装置。
基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
前記処理槽に配置され、前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する気泡供給部と、
前記処理槽に配置され、前記処理液を前記処理槽の内部に供給する複数の処理液供給部と
を備え、
前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数の処理液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第１処理液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第２処理液供給部と
を含む、基板処理装置。
【請求項2】
前記複数の処理液供給部のうちの２以上の処理液供給部の各々は、互いに異なる複数のグループのうちの少なくとも１つのグループに属し、
前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属し、
前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属し、
前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記複数のグループは、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループを含み、
前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まず、
前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まず、
前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含む、請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まず、
前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まず、
前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含む、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶する記憶部と、
前記記憶部を制御する制御部と
を更に備え、
前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含み、
前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含み、
前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含み、
前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含み、
前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含み、
前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御する、請求項２又は請求項３に記載の基板処理装置。
前記記憶部を制御する制御部と
を更に備え、
前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含み、
前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含み、
前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含み、
前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含み、
前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含み、
前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御する、請求項２又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記処理液供給部ごとに前記処理液の供給流量を調整する処理液流量調整部を更に備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記気泡供給部は、各々が気体の供給を受けて前記処理液に前記気泡を供給する複数の気泡供給管を含み、
前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量を調整する気泡調整部を更に備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量を調整する気泡調整部を更に備える、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液は、リンス液であり、
前記基板保持部は、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記基板保持部は、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
リンス液を貯留するリンス槽と、
前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を保持し、前記リンス槽に貯留された前記リンス液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
前記リンス槽に配置され、前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する流体供給部と、
前記リンス槽に配置され、前記リンス液を前記リンス槽の内部に供給する複数のリンス液供給部と
を備え、
前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数のリンス液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第１リンス液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第２リンス液供給部と
を含む、基板処理装置。
前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を保持し、前記リンス槽に貯留された前記リンス液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
前記リンス槽に配置され、前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する流体供給部と、
前記リンス槽に配置され、前記リンス液を前記リンス槽の内部に供給する複数のリンス液供給部と
を備え、
前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数のリンス液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第１リンス液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第２リンス液供給部と
を含む、基板処理装置。
【請求項9】
処理槽と複数の処理液供給部とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する浸漬工程と、
前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する気泡供給工程と、
１以上の前記処理液供給部から、前記気泡に向けて前記処理液を供給することで、前記気泡の挙動を制御する気泡制御工程と
を含み、
前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数の処理液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第１処理液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第２処理液供給部と
を含む、基板処理方法。
前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する浸漬工程と、
前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する気泡供給工程と、
１以上の前記処理液供給部から、前記気泡に向けて前記処理液を供給することで、前記気泡の挙動を制御する気泡制御工程と
を含み、
前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数の処理液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第１処理液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する少なくとも１つの第２処理液供給部と
を含む、基板処理方法。
【請求項10】
前記複数の処理液供給部のうちの２以上の処理液供給部の各々は、互いに異なる複数のグループのうちの少なくとも１つのグループに属し、
前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属し、
前記気泡制御工程では、前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給する、請求項９に記載の基板処理方法。
前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属し、
前記気泡制御工程では、前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給する、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項11】
前記複数のグループは、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループを含み、
前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まず、
前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まず、
前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まず、
前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まず、
前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項12】
学習データを学習することで構築された学習済みモデルに入力情報を入力し、前記学習済みモデルから出力情報を取得する学習済みモデル利用工程を更に含み、
前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含み、
前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含み、
前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含み、
前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含み、
前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含み、
前記気泡制御工程では、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御する、請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理方法。
前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含み、
前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含み、
前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含み、
前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含み、
前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含み、
前記気泡制御工程では、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御する、請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記気泡制御工程では、前記処理液供給部ごとに前記処理液の供給流量が調整される、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記基板処理装置は、各々が気体の供給を受けて前記処理液に前記気泡を供給する複数の気泡供給管を更に備え、
前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量が調整される、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量が調整される、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記処理液は、リンス液であり、
前記浸漬工程では、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬する、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記浸漬工程では、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬する、請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項16】
リンス槽と複数のリンス液供給部とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を、前記リンス槽に貯留されたリンス液に浸漬する浸漬工程と、
前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する流体供給工程と、
１以上の前記リンス液供給部から、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と
を含み、
前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数のリンス液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第１リンス液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第２リンス液供給部と
を含む、基板処理方法。
前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を、前記リンス槽に貯留されたリンス液に浸漬する浸漬工程と、
前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する流体供給工程と、
１以上の前記リンス液供給部から、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と
を含み、
前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含み、
前記複数のリンス液供給部は、
前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第１リンス液供給部と、
前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する少なくとも１つの第２リンス液供給部と
を含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板保持部と、処理槽と、複数の気泡発生管とを備える。基板保持部は、列方向に沿って一列に並んだ基板列に配列された複数の基板を保持する。処理槽は、基板保持部に保持された基板を浸漬するための処理液を貯留する。複数の気泡供給管は、処理液に気体を供給することによって処理液中に気泡を発生させる。複数の気泡発生管のうち処理液に浸漬された基板列の端部の下方に位置する端部気泡発生管に供給される気体の流量は、基板列の中央の下方に位置する中央気泡発生管に供給される気体の流量よりも多い。このため、中央気泡発生管及び端部気泡発生管から発生する気泡の量をほぼ等しくでき、基板ごとの処理ムラを抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２２－７３３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、気泡の量を制御しているに過ぎない。従って、処理条件によっては、処理液中において、気泡の分布に偏りが生じる可能性がある。その結果、処理液に浸漬された基板の表面及びその近傍において、気泡が不足している領域が存在する可能性がある。
【0005】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板の表面及びその近傍において、気泡が不足している領域を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部と、複数の処理液供給部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部は、前記処理槽に配置され、前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する。複数の処理液供給部は、前記処理槽に配置され、前記処理液を前記処理槽の内部に供給する。前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含む。前記複数の処理液供給部は、少なくとも１つの第１処理液供給部と、少なくとも１つの第２処理液供給部とを含む。少なくとも１つの第１処理液供給部は、前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する。少なくとも１つの第２処理液供給部は、前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する。
【0007】
本発明の一態様においては、前記複数の処理液供給部のうちの２以上の処理液供給部の各々は、互いに異なる複数のグループのうちの少なくとも１つのグループに属することが好ましい。前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属することが好ましい。前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給することが好ましい。
【0008】
本発明の一態様においては、前記複数のグループは、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループを含むことが好ましい。前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まないことが好ましい。前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まないことが好ましい。前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含むことが好ましい。
【0009】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、記憶部と、制御部とを更に備えることが好ましい。記憶部は、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶することが好ましい。制御部は、前記記憶部を制御することが好ましい。前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含むことが好ましい。前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含むことが好ましい。前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含むことが好ましい。前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得することが好ましい。前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含むことが好ましい。前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含むことが好ましい。前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御することが好ましい。
【0010】
本発明の一態様においては、基板処理装置は、処理液流量調整部を更に備えることが好ましい。処理液流量調整部は、前記処理液供給部ごとに前記処理液の供給流量を調整することが好ましい。
【0011】
本発明の一態様においては、前記気泡供給部は、複数の気泡供給管を含むことが好ましい。複数の気泡供給管の各々は、気体の供給を受けて前記処理液に前記気泡を供給することが好ましい。基板処理装置は、気泡調整部を更に備えることが好ましい。気泡調整部は、前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量を調整することが好ましい。
【0012】
本発明の一態様においては、前記処理液は、リンス液であることが好ましい。前記基板保持部は、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬することが好ましい。
【0013】
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、リンス槽と、基板保持部と、流体供給部と、複数のリンス液供給部とを備える。リンス槽は、リンス液を貯留する。基板保持部は、前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を保持し、前記リンス槽に貯留された前記リンス液に前記基板を浸漬する。流体供給部は、前記リンス槽に配置され、前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する。複数のリンス液供給部は、前記リンス槽に配置され、前記リンス液を前記リンス槽の内部に供給する。前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含む。前記複数のリンス液供給部は、少なくとも１つの第１リンス液供給部と、少なくとも１つの第２リンス液供給部とを含む。第１リンス液供給部は、前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する。第２リンス液供給部は、前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する。
【0014】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、処理槽と複数の処理液供給部とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する浸漬工程と、前記基板の下方から前記処理液に対して、複数の気泡を供給する気泡供給工程と、１以上の前記処理液供給部から、前記気泡に向けて前記処理液を供給することで、前記気泡の挙動を制御する気泡制御工程とを含む。前記処理槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含む。前記複数の処理液供給部は、少なくとも１つの第１処理液供給部と、少なくとも１つの第２処理液供給部とを含む。少なくとも１つの第１処理液供給部は、前記第１側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する。少なくとも１つの第２処理液供給部は、前記第２側壁の側に配置され、前記気泡に向けて前記処理液を供給する。
【0015】
本発明の一態様においては、前記複数の処理液供給部のうちの２以上の処理液供給部の各々は、互いに異なる複数のグループのうちの少なくとも１つのグループに属することが好ましい。前記複数のグループの各々には、少なくとも１つの前記処理液供給部が属することが好ましい。前記気泡制御工程では、前記グループに属する前記処理液供給部は、前記グループごとに異なる期間に前記処理液を前記気泡に向けて供給することが好ましい。
【0016】
本発明の一態様においては、前記複数のグループは、第１グループ、第２グループ、及び、第３グループを含むことが好ましい。前記第１グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部を含み、前記第２処理液供給部を含まないことが好ましい。前記第２グループは、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部を含み、前記第１処理液供給部を含まないことが好ましい。前記第３グループは、前記複数の第１処理液供給部のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部と、前記複数の第２処理液供給部のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部とを含むことが好ましい。
【0017】
本発明の一態様においては、基板処理方法は、学習データを学習することで構築された学習済みモデルに入力情報を入力し、前記学習済みモデルから出力情報を取得する学習済みモデル利用工程を更に含むことが好ましい。前記学習データは、処理量情報と、処理条件情報とを含むことが好ましい。前記処理量情報は、学習用処理液による学習用基板の処理量を示す情報を含むことが好ましい。前記処理条件情報は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、前記各学習用グループが前記学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含むことが好ましい。前記入力情報は、前記処理液による前記基板の処理量の目標値を示す情報を含むことが好ましい。前記出力情報は、少なくとも、前記各グループに属する１以上の前記処理液供給部を示す情報と、前記各グループが前記処理液を供給すべきタイミングを示す情報とを含むことが好ましい。前記気泡制御工程では、前記出力情報に基づいて前記複数の処理液供給部を制御することが好ましい。
【0018】
本発明の一態様においては、前記気泡制御工程では、前記処理液供給部ごとに前記処理液の供給流量が調整されることが好ましい。
【0019】
本発明の一態様においては、前記基板処理装置は、各々が気体の供給を受けて前記処理液に前記気泡を供給する複数の気泡供給管を更に備えることが好ましい。前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気体の供給流量が調整されることが好ましい。
【0020】
本発明の一態様においては、前記処理液は、リンス液であることが好ましい。前記浸漬工程では、前記処理槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の前記基板を、前記処理槽に貯留された前記リンス液に浸漬することが好ましい。
【0021】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、リンス槽と複数のリンス液供給部とを備える基板処理装置によって実行される。基板処理方法は、前記リンス槽とは別の薬液槽に貯留された薬液による処理後の基板を、前記リンス槽に貯留されたリンス液に浸漬する浸漬工程と、前記基板の下方から前記リンス液に対して、流体を供給する流体供給工程と、１以上の前記リンス液供給部から、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給するリンス液供給工程とを含む。前記リンス槽は、互いに対向する第１側壁及び第２側壁を含む。前記複数のリンス液供給部は、少なくとも１つの第１リンス液供給部と、少なくとも１つの第２リンス液供給部とを含む。第１リンス液供給部は、前記第１側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する。第２リンス液供給部は、前記第２側壁の側に配置され、前記リンス槽の内部に前記リンス液を供給する。
【発明の効果】
【0022】
本発明によれば、基板の表面及びその近傍において、気泡が不足している領域を低減できる基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図2】実施形態１に係る処理液供給部及び気泡供給部を示す模式的平面図である。
【図3】実施形態１に係る処理液中の溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。
【図4】実施形態１に係る気泡の供給時間と処理液中の溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図5】実施形態１に係る処理液供給部のグループを定義するテーブルの一例を示す図である。
【図6】実施形態１に係る処理液供給部の第１グループ～第３グループを使用して気泡の挙動を制御する際の制御シーケンスを示す図である。
【図7】（ａ）は、比較例に係る気泡の分布のシミュレーション結果を示すマップ画像を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施例に係る気泡の分布のシミュレーション結果を示すマップ画像を示す図である。
【図8】本実施例に係る各工程における気泡の分布のシミュレーション結果を示すマップ画像を示す図である。
【図9】（ａ）は、本実施例に係るシミュレーションを詳細に説明するための基板を示す平面図である。（ｂ）は、本実施例に係るシミュレーションを詳細に説明するための基板及び気泡供給管を示す側面図である。
【図10】実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図11】実施形態１の第１変形例に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図12】実施形態１の第２変形例に係る処理液供給部の第１グループ～第５グループを定義するテーブルを示す図である。
【図13】実施形態１の第３変形例に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図14】実施形態１の第４変形例に係る制御装置を示すブロック図である。
【図15】第４変形例に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図16】第４変形例に係る学習装置を示すブロック図である。
【図17】第４変形例に係る学習方法を示すフローチャートである。
【図18】第１参考例に係る基板処理方法を示す図である。
【図19】第２参考例に係る基板処理方法を示す図である。
【図20】実施形態１の第５変形例に係る基板処理方法を示す図である。
【図21】本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。
【図22】実施形態２に係る第２リンス槽を示す模式的断面図である。
【図23】実施形態２に係る第２薬液槽を示す模式的断面図である。
【図24】実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図25】実施形態２に係る第２リンス槽による基板のリンス処理を示すフローチャートである。
【図26】実施形態２の変形例に係る第２リンス槽による基板のリンス処理を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。
【0025】
（実施形態１）
図１～図１０を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１及び図２を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。図１に示す基板処理装置１００は、バッチ式であり、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。具体的には、基板処理装置１００は、ロットを構成する複数の基板Ｗを一括して処理する。１ロットは、例えば、２５枚又は５０枚である。なお、基板処理装置１００は、１枚の基板Ｗを処理することもできる。
図１～図１０を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１及び図２を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。図１に示す基板処理装置１００は、バッチ式であり、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。具体的には、基板処理装置１００は、ロットを構成する複数の基板Ｗを一括して処理する。１ロットは、例えば、２５枚又は５０枚である。なお、基板処理装置１００は、１枚の基板Ｗを処理することもできる。
【0026】
実施形態１では、基板Ｗは半導体ウェハである。なお、基板Ｗは、例えば、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板であってもよい。実施形態１では、基板Ｗの表面は基板Ｗの主面を示す。
【0027】
基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、複数の処理液供給部Ａｎと、処理液流量調整部１３０と、気泡供給部１３５と、気泡調整部１４０と、排液部１５０とを備える。なお、「ｎ」は１以上の整数を示す。また、基板処理装置１００は、共通配管Ｐ１と、複数の供給配管Ｐ２と、共通配管Ｐ３と、複数の供給配管Ｐ４と、排液配管Ｐ５とを更に備える。
【0028】
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。そして、処理槽１１０は、処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。
【0029】
処理液ＬＱは、薬液又は洗浄液（リンス液）である。薬液は、例えば、エッチング液である。また、薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、腐食防止剤、または、疎水化剤である。
【0030】
洗浄液（リンス液）は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。洗浄液（リンス液）は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流すための液体である。洗浄処理（リンス処理）は、薬液、薬液による処理後副産物、及び／又は、異物を、基板Ｗから洗い流す処理である。
【0031】
処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。内槽１１２の上縁を越えて溢れた処理液ＬＱは、外槽１１４によって回収される。
【0032】
処理槽１１０は、互いに第１方向Ｄ１０に対向する第１側壁１１６及び第２側壁１１７を含む。具体的には、内槽１１２が、第１側壁１１６及び第２側壁１１７を含む。第１方向Ｄ１０は、水平方向及び基板Ｗの表面に対して略平行である。第１側壁１１６及び第２側壁１１７は、鉛直方向Ｄに沿って延びる。
【0033】
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は１枚の基板Ｗを保持することもできる。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
【0034】
具体的には、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直方向Ｄに沿って上方又は下方に移動する。基板保持部１２０が下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
【0035】
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向Ｄ（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
【0036】
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。
【0037】
複数の処理液供給部Ａｎの各々は、処理槽１１０に配置される。処理液供給部Ａｎは、処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。例えば、処理液供給部Ａｎは、処理槽１１０に処理液ＬＱが貯留された状態において、処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。
【0038】
図２は、処理液供給部Ａｎ及び気泡供給部１３５を示す模式的平面図である。図２に示すように、処理液供給部Ａｎは、第２方向Ｄ２０に沿って延びる。第２方向Ｄ２０は、水平方向に略平行であり、基板Ｗの表面に略直交する。また、第１方向Ｄ１０と第２方向Ｄ２０と鉛直方向Ｄとは、互いに略直交する。処理液供給部Ａｎは、例えば、処理液供給管である。処理液供給管の素材は、例えば、石英、又は、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）である。
【0039】
図１及び図２に示すように、複数の処理液供給部Ａｎの各々は、複数の処理液孔３を有する。各処理液供給部Ａｎにおいて、複数の処理液孔３の各々から、処理液ＬＱが供給される。複数の処理液孔３は、第２方向Ｄ２０に沿って間隔をあけて設けられる。図１の例では、処理液孔３は、斜め下方を向いている。
【0040】
図１に戻って、複数の処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側に配置される少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎと、第２側壁１１７の側に配置される少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎとを含む。
【0041】
図１の例では、複数の処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側に配置される複数の第１処理液供給部Ａ１～Ａ３と、第２側壁１１７の側に配置される複数の第２処理液供給部Ａ４～Ａ６とを含む。
【0042】
具体的には、３つの第１処理液供給部Ａ１～Ａ３は、第１側壁１１６に配置される。第１処理液供給部Ａ１～Ａ３は、第１側壁１１６において、鉛直方向Ｄに間隔をあけて並んでいる。第１処理液供給部Ａ１が最上段に配置される。第１処理液供給部Ａ３が、最下段に配置される。第１処理液供給部Ａ２は、中段に配置される。つまり、第１処理液供給部Ａ２は、鉛直方向Ｄにおいて、第１処理液供給部Ａ１と第１処理液供給部Ａ３との間に配置される。
【0043】
３つの第２処理液供給部Ａ４～Ａ６は、第２側壁１１７に配置される。第２処理液供給部Ａ４～Ａ６は、第２側壁１１７において、鉛直方向Ｄに間隔をあけて並んでいる。第２処理液供給部Ａ６が最上段に配置される。第２処理液供給部Ａ４が、最下段に配置される。第２処理液供給部Ａ５は、中段に配置される。つまり、第２処理液供給部Ａ５は、鉛直方向Ｄにおいて、第２処理液供給部Ａ６と第２処理液供給部Ａ４との間に配置される。
【0044】
処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに、処理液供給部Ａｎに供給する処理液ＬＱの流量を調整する。換言すれば、処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに、処理液供給部Ａｎによって処理槽１１０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。
【0045】
処理液ＬＱの流量の調整は、処理液ＬＱの流量を一定にすること、処理液ＬＱの流量を増加させること、処理液ＬＱの流量を減少させること、及び、処理液ＬＱの流量をゼロにすることを含む。実施形態１では、処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに、処理液供給部Ａｎへの処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。換言すれば、処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに、処理液供給部Ａｎから処理槽１１０への処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。
【0046】
具体的には、処理液流量調整部１３０は、複数の処理液供給部Ａｎにそれぞれ対応して複数の処理液流量調整機構１３２を含む。また、複数の供給配管Ｐ２は、それぞれ、複数の処理液供給部Ａｎに対応して設けられる。供給配管Ｐ２の一端が、対応する処理液供給部Ａｎに接続される。供給配管Ｐ２の他端が、共通配管Ｐ１に接続される。共通配管Ｐ１は処理液供給源ＴＫＡに接続される。
【0047】
複数の処理液流量調整機構１３２は、それぞれ、複数の供給配管Ｐ２に配置される。処理液流量調整機構１３２は、処理液供給源ＴＫＡ及び共通配管Ｐ１から供給される処理液ＬＱを、対応する供給配管Ｐ２を通して、対応する処理液供給部Ａｎに供給する。また、処理液流量調整機構１３２は、対応する処理液供給部Ａｎに供給する処理液ＬＱの流量を調整する。換言すれば、処理液流量調整機構１３２は、対応する処理液供給部Ａｎによって処理槽１１０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。実施形態１では、処理液流量調整機構１３２は、対応する処理液供給部Ａｎへの処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。換言すれば、実施形態１では、処理液流量調整機構１３２は、対応する処理液供給部Ａｎから処理槽１１０への処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。
【0048】
具体的には、図２に示すように、処理液流量調整機構１３２は、流量計ａ１と、調整バルブａ２と、バルブａ３とを含む。流量計ａ１、調整バルブａ２、及び、バルブａ３は、この順番に供給配管Ｐ２の上流から下流に向かって、供給配管Ｐ２に配置される。
【0049】
流量計ａ１は、供給配管Ｐ２を流れる処理液ＬＱの流量を計測する。調整バルブａ２は、供給配管Ｐ２の開度を調整することで、供給配管Ｐ２を流れる処理液ＬＱの流量を調整して、処理液供給部Ａｎに供給される処理液ＬＱの流量を調整する。また、調整バルブａ２は、流量計ａ１の計測結果に基づいて処理液ＬＱの流量を調整する。なお、例えば、流量計ａ１及び調整バルブａ２に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。バルブａ３は、供給配管Ｐ２を開閉する。つまり、バルブａ３は、供給配管Ｐ２からの処理液供給部Ａｎに対する処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。なお、処理液流量調整機構１３２は、処理液ＬＱ中の異物を除去するフィルターを含んでいてもよい。
【0050】
図１に戻って、排液部１５０は、外槽１１４に回収された処理液ＬＱを、排液配管Ｐ５を介して排出する。具体的には、外槽１１４には、排液配管Ｐ５が接続される。そして、排液配管Ｐ５に排液部１５０が配置される。排液部１５０は、例えば、バルブを含み、排液配管Ｐ５の流路を閉塞又は開放する。
【0051】
気泡供給部１３５は、処理槽１１０の内部に配置される。気泡供給部１３５は、処理槽１１０の処理液ＬＱ中に、気泡調整部１４０から供給される気体ＧＡを供給する。具体的には、気泡供給部１３５は、処理槽１１０の処理液ＬＱ中に気体ＧＡの気泡ＢＢを供給する。気体ＧＡは、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。
【0052】
気泡供給部１３５は、少なくとも１つの気泡供給管１を含む。実施形態１では、気泡供給部１３５は、複数の気泡供給管１を含む。図１の例では、気泡供給部１３５は、６本の気泡供給管１を含む。なお、気泡供給管１の数は、特に限定されない。気泡供給管１は、例えば、バブラー管である。
【0053】
気泡供給管１の素材は、石英又は合成樹脂である。この場合、合成樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、又は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）である。
【0054】
図１及び図２に示すように、複数の気泡供給管１の各々は、複数の気泡孔２を有する。図１の例では、気泡孔２は鉛直方向Ｄに沿って上方を向いている。気泡供給管１は、気泡調整部１４０から供給される気体ＧＡを気泡孔２から吐出することで、処理液ＬＱ中に気泡ＢＢを供給する。つまり、気泡供給管１は、気体ＧＡの供給を受けて処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給する。
【0055】
複数の気泡供給管１は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。図２の例では、複数の気泡供給管１は、仮想中心線ＣＬに対して対称に配置される。仮想中心線ＣＬは、各基板Ｗの中心を通り、第２方向Ｄ２０に沿って延びる。
【0056】
具体的には、複数の気泡供給管１は、処理槽１１０において、互いに略平行に、かつ、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。気泡供給管１は、第２方向Ｄ２０に沿って延びている。複数の気泡供給管１の各々において、複数の気泡孔２は、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気泡供給管１の各々において、各気泡孔２は、気泡供給管１の上面部に設けられる。
【0057】
詳細には、複数の気泡供給管１の各々は、基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態において、基板Ｗの下方から処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔２の各々から気泡ＢＢを供給する。従って、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、処理液ＬＱに浸漬された基板Ｗを、処理液ＬＱによって効果的に処理できる。この点の詳細は後述する。また、気泡ＢＢを供給することで、基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。
【0058】
気泡調整部１４０は、気泡供給管１ごとに、気泡供給管１に供給する気体ＧＡの流量を調整することで、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢの量を調整する。気体ＧＡの流量の調整は、気体ＧＡの流量を一定にすること、気体ＧＡの流量を増加させること、気体ＧＡの流量を減少させること、及び、気体ＧＡの流量をゼロにすることを含む。実施形態１では、気泡調整部１４０は、気泡供給管１ごとに、気泡供給管１への気体ＧＡの供給と供給停止とを切り替える。換言すれば、気泡調整部１４０は、気泡供給管１ごとに、気泡供給管１から処理槽１１０の処理液ＬＱへの気泡ＢＢの供給と供給停止とを切り替える。
【0059】
具体的には、気泡調整部１４０は、複数の気泡供給管１にそれぞれ対応して複数の気泡調整機構１４２を含む。また、複数の供給配管Ｐ４は、それぞれ、複数の気泡調整機構１４２に対応して設けられる。供給配管Ｐ４の一端が、対応する気泡供給管１に接続される。供給配管Ｐ４の他端が、共通配管Ｐ３に接続される。共通配管Ｐ３は気体供給源ＴＫＢに接続される。
【0060】
複数の気泡調整機構１４２は、それぞれ、複数の供給配管Ｐ４に配置される。気泡調整機構１４２は、気体供給源ＴＫＢ及び共通配管Ｐ３から供給される気体ＧＡを、対応する供給配管Ｐ４を通して、対応する気泡供給管１に供給する。また、気泡調整機構１４２は、対応する気泡供給管１に供給する気体ＧＡの流量を調整する。その結果、気泡供給管１ごとに、処理液ＬＱに供給される気泡ＢＢの量が調整される。実施形態１では、気泡調整機構１４２は、対応する気泡供給管１への気体ＧＡの供給と供給停止とを切り替える。換言すれば、実施形態１では、気泡調整機構１４２は、対応する気泡供給管１から処理槽１１０の処理液ＬＱへの気泡ＢＢの供給と供給停止とを切り替える。
【0061】
具体的には、図２に示すように、気泡調整機構１４２は、調整バルブｂ１と、流量計ｂ２と、フィルターｂ３と、バルブｂ４とを含む。調整バルブｂ１、流量計ｂ２、フィルターｂ３、及び、バルブｂ４は、この順番に供給配管Ｐ４の上流から下流に向かって、供給配管Ｐ４に配置される。
【0062】
調整バルブｂ１は、供給配管Ｐ４の開度を調整することで、供給配管Ｐ４を流れる気体ＧＡの流量を調整して、気泡供給管１に供給される気体ＧＡの流量を調整する。流量計ｂ２は、供給配管Ｐ４を流れる気体ＧＡの流量を計測する。調整バルブｂ１は、流量計ｂ２の計測結果に基づいて気体ＧＡの流量を調整する。なお、例えば、調整バルブｂ１及び流量計ｂ２に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
【0063】
フィルターｂ３は、供給配管Ｐ４を流れる気体ＧＡから異物を除去する。バルブｂ４は、供給配管Ｐ４を開閉する。つまり、バルブｂ４は、供給配管Ｐ４からの気泡供給管１に対する気体ＧＡの供給と供給停止とを切り替える。
【0064】
次に、図３を参照して、溶存酸素濃度とエッチング量との関係を説明する。図３は、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。横軸は、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示し、縦軸は、基板Ｗのエッチング量を示す。
【0065】
図３は、処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。気体ＧＡは窒素であった。従って、気泡ＢＢは、窒素の気泡だった。基板Ｗには、ポリシリコン膜（ポリシリコン層）が形成されていた。図３は、ＴＭＡＨに基板Ｗを浸漬した場合のポリシリコン膜のエッチング量を示している。エッチング量は、ＴＭＡＨへの浸漬前のポリシリコン膜の厚みから浸漬後のポリシリコン膜の厚みを差し引いた値である。エッチング量を「基板Ｗのエッチング量」と記載する場合がある。本明細書において、「基板Ｗの浸漬後」は、「基板Ｗが浸漬されて処理が完了し、処理液ＬＱから引き上げられた後」を示す。
【0066】
図３に示すように、溶存酸素濃度が低い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。エッチング量（処理量）は、溶存酸素濃度に略正比例した。比例定数は「負」であった。
【0067】
次に、図４を参照して、気泡ＢＢの供給時間と溶存酸素濃度との関係を説明する。図４は、気泡ＢＢの供給時間と処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。横軸は、気泡ＢＢの供給時間（ｈｏｕｒ）を示し、縦軸は、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示す。
【0068】
図４は、処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡは窒素であった。従って、気泡ＢＢは、窒素の気泡だった。プロットｇ１は、気体ＧＡの流量が１０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ２は、気体ＧＡの流量が２０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ３は、気体ＧＡの流量が３０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。この場合、気体ＧＡの流量は、１本の気泡供給管１に供給される気体ＧＡの流量を示す。
【0069】
プロットｇ１～ｇ３から理解できるように、約１時間で、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が略一定になった。また、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、気体ＧＡの流量が多い程、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下した。換言すれば、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下した。なぜなら、気体ＧＡの流量が多い程、処理液ＬＱ中に供給される気泡ＢＢが多くなるからである。
【0070】
プロットｇ１～ｇ３から次のことが推測できた。すなわち、処理槽１１０において処理液ＬＱ中に気泡ＢＢの分布が存在する場合は、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが多い領域ほど、溶存酸素濃度が低く、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが少ない領域ほど、溶存酸素濃度が高くなることが推測できた。このような推測が正しいことを、本願の発明者は、実験によって確認済みである。
【0071】
以上、図３及び図４を参照して説明したように、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下する。そして、処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。
【0072】
すなわち、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。換言すれば、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの流量が多い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。一方、処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが少ない程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなった。換言すれば、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの流量が少ない程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなった。
【0073】
また、図３及び図４のグラフから、処理槽１１０において処理液ＬＱ中に気泡ＢＢの分布が存在する場合は、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが多い領域ほど、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多く、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが少ない領域ほど、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなることが推測できた。同様に、処理槽１１０において処理液ＬＱ中に気泡ＢＢの分布が存在する場合は、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが多い領域ほど、基板Ｗのエッチングレート（処理量）が高く、処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが少ない領域ほど、基板Ｗのエッチングレート（処理量）が少なくなることが推測できた。このような推測が正しいことを、本願の発明者は、実験によって確認済みである。
【0074】
図１に戻って、制御装置１６０は、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、制御装置１６０は、基板保持部１２０、処理液流量調整部１３０、気泡調整部１４０、及び、排液部１５０を制御する。
【0075】
制御装置１６０は、制御部１６１と、記憶部１６２とを含む。制御部１６１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを備える。記憶部１６２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。制御部１６１のプロセッサーは、記憶部１６２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、記憶部１６２は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを備える。記憶部１６２は、光ディスク等のリムーバブルメディアを備えていてもよい。記憶部１６２は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体であってもよい。制御装置１６０は、入力装置及び表示装置を備えていてもよい。
【0076】
引き続き図１を参照して、処理液供給部Ａｎの詳細を説明する。第１処理液供給部Ａ１～Ａ３のうち、少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎは、上昇中の気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。第２処理液供給部Ａ４～Ａ６のうち、少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎは、上昇中の気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。従って、実施形態１によれば、制御部１６１が、処理液流量調整部１３０を介して、第１処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給・停止と、第２処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給・停止とを個別に制御することで、処理液ＬＱ中を上昇する多数の気泡ＢＢの挙動を制御できる。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域を低減できる。よって、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下できるため、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラを抑制できる。
【0077】
具体的には、少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側から、鉛直方向Ｄに交差する方向に向かって処理液ＬＱを吐出することで、上昇中の気泡ＢＢに向かって処理液ＬＱの流動を発生させる。その結果、気泡Ｂの挙動を制御できる。図１の例では、第１処理液供給部Ａｎは、第１側壁１１６の側から、斜め下方に向かって処理液ＬＱを吐出する。また、少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎは、第２側壁１１７の側から、鉛直方向Ｄに交差する方向に向かって処理液ＬＱを吐出することで、上昇中の気泡ＢＢに向かって処理液ＬＱの流動を発生させる。その結果、気泡Ｂの挙動を制御できる。図１の例では、第２処理液供給部Ａｎは、第２側壁１１７の側から、斜め下方に向かって処理液ＬＱを吐出する。
【0078】
引き続き図１を参照して、１又は複数の処理液供給部Ａｎによって構成されるグループを説明する。複数の処理液供給部Ａｎのうちの２以上の処理液供給部Ａｎの各々は、互いに異なるグループのうちの少なくとも１つのグループに属する。グループは、処理液供給部Ａｎの制御単位である。従って、制御部１６１は、処理液流量調整部１３０を介して、グループ単位で処理液供給部Ａｎを制御する。
【0079】
１つの処理液供給部Ａｎが１つのグループに属することもあるし、１つの処理液供給部Ａｎが複数のグループに属することもある。また、複数のグループの各々には、少なくとも１つの処理液供給部Ａｎが属する。従って、１つのグループに１つの処理液供給部Ａｎが属することもあるし、１つのグループに複数の処理液供給部Ａｎが属することもある。また、複数の処理液供給部Ａｎのうちの一部の処理液供給部Ａｎが、いずれのグループにも属しない場合もある。この場合、いずれのグループにも属しない処理液供給部Ａｎは、気泡の挙動を制御する際に使用されない。換言すれば、各グループに属する処理液供給部Ａｎだけが、気泡の挙動を制御する際に使用される。
【0080】
制御部１６１は、処理液流量調整部１３０を介して、各グループを順次切り替えながら、各グループの処理液供給部Ａｎに対して、処理槽１１０の処理液ＬＱ中の気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給させる。
【0081】
グループに属する処理液供給部Ａｎは、グループごとに異なる期間に処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。従って、実施形態１によれば、処理槽１１０においてグループごとに処理液ＬＱの流動が異なるため、異なる期間に異なる流動を、処理液ＬＱ中を上昇する多数の気泡ＢＢに作用させることができる。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域をより効果的に低減できる。よって、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度をより効果的に低下できるため、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラをより効果的に抑制できる。
【0082】
以下、一例として、実施形態１では、複数のグループは、第１グループＧ１、第２グループＧ２、及び、第３グループＧ３を含む。
【0083】
【0084】
図５は、処理液供給部Ａｎの第１グループＧ１～第３グループＧ３を定義するテーブルＴＢ１を示す図である。図５のテーブルＴＢ１に示すように、基板処理装置１００に対して、第１グループＧ１、第２グループＧ２、及び、第３グループＧ３が設定される。
【0085】
第１グループＧ１は、図１に示す複数の第１処理液供給部Ａ１～Ａ３のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部Ａ３を含み、第２処理液供給部Ａ４～Ａ６を含まない。つまり、第１グループＧ１は第１処理液供給部Ａ３だけを含む。
【0086】
第２グループＧ２は、複数の第２処理液供給部Ａ４～Ａ６のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部Ａ４を含み、第１処理液供給部Ａ１～Ａ３を含まない。つまり、第２グループＧ２は第２処理液供給部Ａ４だけを含む。
【0087】
第３グループＧ３は、複数の第１処理液供給部Ａ１～Ａ３のうちの少なくとも１つ第１処理液供給部Ａ２と、複数の第２処理液供給部Ａ４～Ａ６のうちの少なくとも１つ第２処理液供給部Ａ５とを含む。つまり、第３グループＧ３は第１処理液供給部Ａ２及び第２処理液供給部Ａ５を含む。
【0088】
図６は、処理液供給部Ａｎの第１グループＧ１～第３グループＧ３を使用して気泡ＢＢの挙動を制御する際の制御シーケンスを示す図である。
【0089】
図６に示すように、まず、工程ＳＴ１では、第１所定期間Ｔ１において、第１グループＧ１に属する第１処理液供給部Ａ３が処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。
【0090】
次に、工程ＳＴ２では、第１所定期間Ｔ１の経過後の第２所定期間Ｔ２において、第２グループＧ２に属する第２処理液供給部Ａ４が処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。
【0091】
次に、工程ＳＴ３では、第２所定期間Ｔ２の経過後の第３所定期間Ｔ３において、第３グループＧ３に属する第１処理液供給部Ａ２及び第２処理液供給部Ａ５が処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。
【0092】
以上、図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、第１グループＧ１～第３グループＧ３を異なるタイミングで使用して気泡ＢＢの挙動を制御する。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域をより効果的に低減できる。この点は、図７～図９を参照して説明する実施例によって実証されている。なお、実施形態１では、第１所定期間Ｔ１と第２所定期間Ｔ２と第３所定期間Ｔ３とは、タイミングの異なる連続した期間であって、同じ長さの期間である。
【0093】
図７（ａ）は、比較例に係る気泡ＢＢの分布のシミュレーション結果を示すマップ画像ＭＰ１を示す図である。図７（ｂ）は、本発明の実施例に係る気泡ＢＢの分布のシミュレーション結果を示すマップ画像ＭＰ２を示す図である。マップ画像ＭＰ１、ＭＰ２は、基板Ｗの表面を上方向に通過する気泡ＢＢの量を示す。この点の詳細は後述する。マップ画像ＭＰ１、ＭＰ２において、ドットが密であるほど、気泡ＢＢが多く通過したことを示している。ドットのない白色領域は、通過した気泡ＢＢが最も少ない領域を示している。なお、実際には、マップ画像ＭＰ１、ＭＰ２には、気泡ＢＢの量を示すグラデーションが存在するが、簡略化して４段階で気泡ＢＢの量を示している。
【0094】
図７（ｂ）に示す実施例では、図１に示す基板処理装置１００を使用することを想定してシミュレーションを行った。以下、シミュレーションを「気泡挙動シミュレーション」と記載する場合がある。シミュレーションは、シミュレーション装置（不図示）によって実行された。シミュレーション装置は、プロセッサー及び記憶装置を有するコンピューターである。
【0095】
また、実施例では、図６に示す工程ＳＴ１～ＳＴ３をシミュレーションによって再現した。実施例におけるシミュレーション条件は次の通りであった。すなわち、工程ＳＴ１での第１処理液供給部Ａ３からの処理液ＬＱの供給量は、３０Ｌ／分に設定した。工程ＳＴ２での第２処理液供給部Ａ４からの処理液ＬＱの供給量は、３０Ｌ／分に設定した。工程ＳＴ３での第１処理液供給部Ａ２からの処理液ＬＱの供給量は、２０Ｌ／分に設定し、工程ＳＴ３での第２処理液供給部Ａ５からの処理液ＬＱの供給量は、２０Ｌ／分に設定した。工程ＳＴ１～ＳＴ３の各々は、８秒間実施した。つまり、工程ＳＴ１～ＳＴ３のトータル実施時間は２４秒であった。また、気泡供給管１に供給する気体ＧＡの流量は、１本当たり、５Ｌ／分に設定した。更に、１本の気泡供給管１に設ける気泡孔２の直径は０．２ｍｍ、１本の気泡供給管１に設ける気泡孔２の数は６０個、１本の気泡供給管１に設ける気泡孔２の間隔は５ｍｍに設定した。更に、１本の処理液供給部Ａｎに設ける処理液孔３の直径は１ｍｍ、１本の処理液供給部Ａｎに設ける処理液孔３の数は７０個、１本の処理液供給部Ａｎに設ける処理液孔３の間隔は５ｍｍに設定した。
【0096】
一方、図７（ａ）に示す比較例では、図１に示す基板処理装置１００から処理液供給部Ａｎを除いた構成を有する基板処理装置を使用することを想定してシミュレーションを行った。比較例におけるシミュレーション条件は次の通りであった。すなわち、比較例では、気泡供給管の下方に配置されたパンチングプレートの複数の孔から、処理液ＬＱを上方に向かって供給することを再現した。処理液ＬＱの供給流量は、トータルで、２０Ｌ／分であった。気泡供給管の条件は、実施例と同じであった。また、処理時間は、２４秒であった。
【0097】
図７（ａ）に示すように、比較例では、基板Ｗの中央部分において鉛直方向Ｄに延びる領域１０（白色領域）では、通過する気泡ＢＢの量が少なかった。また、基板Ｗの下部の領域１１（白色領域）においても、通過する気泡ＢＢの量が少なかった。従って、領域１０、１１では、エッチングレートが他の領域と比べて小さくなることが推測できた。つまり、比較例では、基板Ｗの面内において、処理液ＬＱによる処理ムラが発生することを推測できた。
【0098】
一方、図７（ｂ）に示すように、実施例では、マップ画像ＭＰ２において、白色領域が存在しなかった。つまり、実施例では、比較例と比べて、基板Ｗの表面全体にわたって、通過する気泡ＢＢの量が多かった。従って、実施例では、比較例と比べて、基板Ｗの表面における各位置でのエッチングレートの差が小さいことを推測できた。つまり、実施例では、基板Ｗの面内において、比較例と比べて、処理液ＬＱによる処理ムラを低減できることを推測できた。
【0099】
次に、図６～図９を参照して、上記実施例におけるシミュレーションについて詳細に説明する。図８は、本発明の実施例に係る各工程ＳＴ１～ＳＴ３（図６）における気泡ＢＢの分布のシミュレーション結果を示すマップ画像ＭＰ２１～ＭＰ２３を示す図である。マップ画像ＭＰ２１～ＭＰ２３における気泡ＢＢの量の表記方法は、図７のマップ画像ＭＰ１、ＭＰ２における気泡ＢＢの量の表記方法と同じである。
【0100】
図６及び図８に示すように、マップ画像ＭＰ２１は、工程ＳＴ１において、基板Ｗの表面を上方向に通過する気泡ＢＢの量を示す。マップ画像ＭＰ２２は、工程ＳＴ２において、基板Ｗの表面を上方向に通過する気泡ＢＢの量を示す。マップ画像ＭＰ２３は、工程ＳＴ３において、基板Ｗの表面を上方向に通過する気泡ＢＢの量を示す。マップ画像ＭＰ２１とマップ画像ＭＰ２２とマップ画像ＭＰ２３とを重ね合わせた画像が、図７（ｂ）に示す実施例に係るマップ画像ＭＰ２である。
【0101】
【0102】
図９（ａ）は、上記実施例に係るシミュレーションを詳細に説明するための基板Ｗを示す平面図である。
【0103】
図９（ａ）に示すように、シミュレーションでは、基板Ｗの表面において、気泡ＢＢを監視するための多数の監視ポイント１２が設定された。そして、シミュレーションにおいて、監視ポイント１２ごとに、監視ポイント１２を上方向に通過する気泡ＢＢの数を計数した。例えば、図８のマップ画像ＭＰ２１は、工程ＳＴ１（図６）を実施した８秒間において各監視ポイント１２を通過した気泡ＢＢの数の累積値を、監視ポイント１２ごとにプロットすることで作成された。マップ画像ＭＰ２２、ＭＰ２３についても同様であった。従って、図７（ｂ）のマップ画像ＭＰ２は、工程ＳＴ１～ＳＴ３のトータルでの各監視ポイント１２での気泡ＢＢの通過数の累積値を示した。なお、図７（ａ）に示す比較例のマップ画像ＭＰ１についても、実施例と同様に、各監視ポイント１２での気泡ＢＢの通過数の累積値を示した。
【0104】
なお、基板Ｗには、４個の監視ポイント１２を頂点とする領域１５が設定される。その結果、基板Ｗには複数の領域１５が設定される。図９（ａ）の例では、領域１５は正方形である。
【0105】
図９（ｂ）は、上記実施例に係るシミュレーションを詳細に説明するための基板Ｗ及び気泡供給管１を示す側面図である。図９（ｂ）に示すように、シミュレーションでは、気泡供給管１には、複数の気泡孔２が等間隔ｄで配置されることを想定した。間隔ｄは、５ｍｍであった。また、各監視ポイント１２において、領域１３を通過する気泡ＢＢの数が計数された。領域１３の幅Ｌは、１０ｍｍであった。つまり、基板Ｗの表面から幅Ｌの範囲を通過する気泡ＢＢが、各監視ポイント１２において計数された。この点は、比較例でも同じであった。
【0106】
次に、図１及び図１０を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１０は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ６を含む。工程Ｓ１～工程Ｓ６は、制御部１６１の制御の下で実行される。基板処理方法の説明においては、基板処理装置１００に対して、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭが設定される。「Ｍ」は、２以上の整数である。
【0107】
図１及び図１０に示すように、まず、工程Ｓ１において、気泡供給部１３５の各気泡供給管１は、基板Ｗの下方から、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに対して、複数の気泡ＢＢの供給を開始する。工程Ｓ１は、本発明の「気泡供給工程」の一例に相当する。
【0108】
次に、工程Ｓ２において、全ての処理液供給部Ａｎから、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに向けて、処理液ＬＱの供給を開始する。
【0109】
次に、工程Ｓ３において、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。工程Ｓ３は、本発明の「浸漬工程」の一例に相当する。
【0110】
次に、工程Ｓ４において、処理液供給部Ａｎを切り替えながら、１以上の処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給することで、気泡ＢＢの挙動を制御する。従って、実施形態１に係る基板処理方法によれば、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢの量に偏りが生じることを抑制できる。つまり、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域を低減できる。その結果、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下できるため、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラを抑制できる。工程Ｓ４は、本発明の「気泡制御工程」の一例に相当する。
【0111】
具体的には、工程Ｓ４は、工程Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４、…、Ｓ４Ｍを含む。まず、工程Ｓ４１において、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。次に、工程Ｓ４２において、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。以下、順次、工程Ｓ４３、Ｓ４４、…、Ｓ４Ｍが実行される。工程Ｓ４Ｍにおいて、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。このように、工程Ｓ４では、グループに属する処理液供給部Ａｎは、グループごとに異なる期間に処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。
【0112】
次に、工程Ｓ５において、全ての処理液供給部Ａｎから、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに向けて、処理液ＬＱの供給を開始する。
【0113】
次に、工程Ｓ６において、基板保持部１２０は、処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法は終了する。
【0114】
以上、図１０を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前においては、全ての処理液供給部Ａｎから処理液ＬＱを供給する（工程Ｓ２）。加えて、基板Ｗを処理液ＬＱから引き上げる前においては、全ての処理液供給部Ａｎから処理液ＬＱを供給する（工程Ｓ５）。その結果、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱが滞留することを抑制できる。また、基板Ｗの位置ずれを防止できる。なお、同様の理由により、待機中においても、全ての処理液供給部Ａｎから処理液ＬＱを供給することが好ましい。
【0115】
（第１変形例）
図１及び図１１を参照して、実施形態１の第１変形例を説明する。第１変形例では、処理液ＬＱの供給流量の調整と、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの供給流量の調整とを細かく実行する点で、処理液ＬＱの供給の開始・停止と、気体ＧＡの供給の開始・停止とを実行する上記実施形態１と主に異なる。以下、第１変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１及び図１１を参照して、実施形態１の第１変形例を説明する。第１変形例では、処理液ＬＱの供給流量の調整と、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの供給流量の調整とを細かく実行する点で、処理液ＬＱの供給の開始・停止と、気体ＧＡの供給の開始・停止とを実行する上記実施形態１と主に異なる。以下、第１変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0116】
第１変形例では、図１に示す基板処理装置１００の処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに処理液ＬＱの供給流量を調整する。従って、第１変形例によれば、処理槽１１０における処理液ＬＱの流動をより精度良く制御できる。その結果、処理液ＬＱ中を上昇する多数の気泡ＢＢの挙動をより精度良く制御できる。よって、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域をより低減できるため、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度をより低下できる。溶存酸素濃度の低下により、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラをより抑制できる。
【0117】
第１変形例では、処理液ＬＱの供給流量の調整は、処理液ＬＱの供給の開始・停止に加えて、１グループ内の処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給流量を変更すること、又は、複数のグループ間で処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給流量を変更することを含む。処理液ＬＱの供給流量の変更は、供給流量を段階的に変更すること、又は、供給流量を連続的に変更することを含む。
【0118】
また、第１変形例では、気泡調整部１４０は、気泡供給管１ごとに、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの供給流量を調整する。従って、第１変形例によれば、処理液ＬＱ中を上昇する多数の気泡ＢＢの挙動をより精度良く制御できる。その結果、基板Ｗの表面全体にわたって気泡ＢＢを分布させることができるため、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度をより低下できる。よって、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラをより抑制できる。
【0119】
第１変形例では、気体ＧＡの供給流量の調整は、気体ＧＡの供給の開始・停止に加えて、気体ＧＡの供給流量を変更することを含む。気体ＧＡの供給流量の変更は、供給流量を段階的に変更すること、又は、供給流量を連続的に変更することを含む。
【0120】
次に、図１１を参照して、第１変形例に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１１は、実施形態１の第１変形例に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１１に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１１～工程Ｓ１７を含む。工程Ｓ１１～工程Ｓ１７は、制御部１６１の制御の下で実行される。
【0121】
【0122】
【0123】
工程Ｓ１４では、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭにおいて、処理液流量調整部１３０によって、処理液供給部Ａｎごとに処理液ＬＱの供給流量が調整される。
【0124】
具体的には、工程Ｓ１４は、工程Ｓ１４１、Ｓ１４２、Ｓ１４３、Ｓ１４４、…、Ｓ１４Ｍを含む。まず、工程Ｓ１４１において、処理液流量調整部１３０は、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給流量を調整することで、気泡ＢＢの挙動を制御する。次に、工程Ｓ１４２において、処理液流量調整部１３０は、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給流量を調整することで、気泡ＢＢの挙動を制御する。以下、順次、工程Ｓ１４３、Ｓ１４４、…、Ｓ１４Ｍが実行される。工程Ｓ１４Ｍにおいて、処理液流量調整部１３０は、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給流量を調整することで、気泡ＢＢの挙動を制御する。このように、工程Ｓ１４では、グループに属する処理液供給部Ａｎの供給流量が、グループごとに異なる期間においてグループごとに調整される。
【0125】
一方、工程Ｓ１５では、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭによる処理液ＬＱの供給に対応して、気泡調整部１４０によって、気泡供給管１ごとに、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの供給流量が調整される。
【0126】
具体的には、工程Ｓ１５は、工程Ｓ１５１、Ｓ１５２、Ｓ１５３、Ｓ１５４、…、Ｓ１５Ｍを含む。まず、工程Ｓ１５１において、気泡調整部１４０は、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給に対応して、気体ＧＡの供給流量を調整する。次に、工程Ｓ１５２において、気泡調整部１４０は、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給に対応して、気体ＧＡの供給流量を調整する。以下、順次、工程Ｓ１５３、Ｓ１５４、…、Ｓ１５Ｍが実行される。工程Ｓ１５Ｍにおいて、気泡調整部１４０は、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの供給に対応して、気体ＧＡの供給流量を調整する。このように、工程Ｓ１５では、気体ＧＡの供給流量が、各グループによる処理液ＬＱの供給に対応して調整される。
【0127】
次に、工程Ｓ１６において、全ての処理液供給部Ａｎから、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに向けて、処理液ＬＱの供給を開始する。
【0128】
次に、工程Ｓ１７において、基板保持部１２０は、処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法は終了する。
【0129】
（第２変形例）
図１及び図１２を参照して、実施形態１の第２変形例を説明する。第２変形例では、複数のグループに共通する処理液供給部Ａｎが存在する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第２変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１及び図１２を参照して、実施形態１の第２変形例を説明する。第２変形例では、複数のグループに共通する処理液供給部Ａｎが存在する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第２変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0130】
第２変形例では、一例として、基板処理装置１００に対して、第１グループＧ１０、第２グループＧ２０、第３グループＧ３０、第４グループＧ４０、及び、第５グループＧ５０が設定される。
【0131】
図１２は、処理液供給部Ａｎの第１グループＧ１０～第５グループＧ５０を定義するテーブルＴＢ２を示す図である。図１２のテーブルＴＢ２に示すように、第１グループＧ１０は、第１処理液供給部Ａ３だけを含む。第２グループＧ２０は、第１処理液供給部Ａ３と、第２処理液供給部Ａ４とを含む。第３グループＧ３０は、第２処理液供給部Ａ４だけを含む。
【0132】
第２グループＧ２０には、第１グループＧ１０にも属している第１処理液供給部Ａ３と、第３グループＧ３０にも属している第２処理液供給部Ａ４とが属している。従って、第２変形例によれば、第１グループＧ１０から第３グループＧ３０に移行する際に、処理液ＬＱの供給が停止することを防止できる。その結果、第１グループＧ１０から第３グループＧ３０に円滑に移行できる。
【0133】
第４グループＧ４０は、第１処理液供給部Ａ２と、第２処理液供給部Ａ４と、第２処理液供給部Ａ５とを含む。
【0134】
第５グループＧ５０は、第１処理液供給部Ａ２及び第２処理液供給部Ａ５を含む。
【0135】
第４グループＧ４０には、第３グループＧ３０にも属している第２処理液供給部Ａ４と、第５グループＧ５０にも属している第１処理液供給部Ａ２及び第２処理液供給部Ａ５とが属している。従って、第２変形例によれば、第３グループＧ３０から第５グループＧ５０に移行する際に、処理液ＬＱの供給が停止することを防止できる。その結果、第３グループＧ３０から第５グループＧ５０に円滑に移行できる。
【0136】
（第３変形例）
図１及び図１３を参照して、実施形態１の第３変形例を説明する。第３変形例では、８本の気泡供給管１を備える点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第３変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１及び図１３を参照して、実施形態１の第３変形例を説明する。第３変形例では、８本の気泡供給管１を備える点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第３変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0137】
図１３は、第３変形例に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。図１３に示すように、基板処理装置１００Ａにおいて、気泡供給部１３５は、８本の気泡供給管１を含む。従って、第３変形例によれば、気泡供給部１３５が８本未満の気泡供給管１を含む場合と比較して、より多くの気泡ＢＢを処理液ＬＱに供給できる。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域をより低減できる。よって、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度をより低下できるため、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラをより抑制できる。
【0138】
（第４変形例）
図１４～図１７を参照して、実施形態１の第４変形例を説明する。第４変形例では、機械学習によって生成される学習済みモデルＬＭを利用して基板処理を実行する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第４変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１４～図１７を参照して、実施形態１の第４変形例を説明する。第４変形例では、機械学習によって生成される学習済みモデルＬＭを利用して基板処理を実行する点で、上記実施形態１と主に異なる。以下、第４変形例が上記実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0139】
図１４は、実施形態１の第４変形例に係る基板処理装置１００Ｂの制御装置１６０を示すブロック図である。図１４に示すように、制御装置１６０は、制御部１６１及び記憶部１６２に加えて、通信部１６３と、入力部１６４と、表示部１６５とを備える。通信部１６３は、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。ネットワークは、例えば、インターネット、ＬＡＮ、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。通信部１６３は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部１６３は、有線通信モジュール又は無線通信モジュールを有していてもよい。入力部１６４は、制御部１６１に対して各種情報を入力するための入力機器である。例えば、入力部１６４は、キーボード及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルである。表示部１６５は画像を表示する。表示部１６５は、例えば、液晶ディスプレイ、又は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである。
【0140】
記憶部１６２は、制御プログラムＰＧ１と、レシピ情報ＲＣと、学習済みモデルＬＭとを記憶している。制御部１６１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、レシピ情報ＲＣに従って、基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。レシピ情報ＲＣは、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。具体的には、制御部１６１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、記憶部１６２、通信部１６３、入力部１６４、表示部１６５、図１に示す基板保持部１２０、処理液流量調整部１３０、気泡調整部１４０、及び、排液部１５０を制御する。また、制御部１６１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、学習済みモデルＬＭを起動する。
【0141】
学習済みモデルＬＭは、学習データ（以下、「学習データＤＴ」）を学習することで構築される。
【0142】
学習データＤＴは、処理量情報ＩＦ１と、処理条件情報ＩＦ２とを含む。処理量情報ＩＦ１は説明変数である。つまり、処理量情報ＩＦ１は特徴量である。処理条件情報ＩＦ２は、目的変数である。
【0143】
処理量情報ＩＦ１は、学習用処理液による学習用基板（以下、「学習用基板Ｗａ」と記載）の処理量を示す情報を含む。第４変形例では、学習用処理液は、気泡挙動シミュレーションにおける仮想の処理液であり、学習用として利用される。また、学習用基板Ｗａは、気泡挙動シミュレーションにおける仮想の基板であり、学習用として利用される。学習用基板Ｗａの処理量は、例えば、学習用基板Ｗａのエッチングレート、学習用基板Ｗａのエッチング量、又は、学習用基板Ｗａの厚みである。
【0144】
処理条件情報ＩＦ２は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、各学習用グループが学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含む。学習用グループは、気泡挙動シミュレーションにおいて、上記実施形態１で定めたグループに対応する仮想のグループであり、学習用として利用される。学習用処理液供給部は、気泡挙動シミュレーションにおいて、上記実施形態１の処理液供給部Ａｎに対応する仮想の処理液供給部であり、学習用として利用される。また、学習用処理液供給部は、気泡挙動シミュレーションにおいて、学習用処理液を供給する。
【0145】
複数の学習用処理液供給部のうちの２以上の学習用処理液供給部の各々は、互いに異なる学習用グループのうちの少なくとも１つの学習用グループに属する。学習用グループは、学習用処理液供給部の制御単位である。従って、気泡挙動シミュレーションにおいて、学習用グループ単位で学習用処理液供給部が制御される。
【0146】
１つの学習用処理液供給部が１つの学習用グループに属することもあるし、１つの学習用処理液供給部が複数の学習用グループに属することもある。また、複数の学習用グループの各々には、少なくとも１つの学習用処理液供給部が属する。従って、１つの学習用グループに１つの学習用処理液供給部が属することもあるし、１つの学習用グループに複数の学習用処理液供給部が属することもある。また、複数の学習用処理液供給部のうちの一部の学習用処理液供給部が、いずれの学習用グループにも属しない場合もある。この場合、いずれの学習用グループにも属しない学習用処理液供給部は、気泡挙動シミュレーションにおいて使用されない。換言すれば、各学習用グループに属する学習用処理液供給部だけが、気泡挙動シミュレーションで使用される。
【0147】
気泡挙動シミュレーションでは、学習用グループに属する学習用処理液供給部は、学習用グループごとに異なる期間に学習用処理液を気泡に向けて供給する。
【0148】
制御部１６１は、入力情報ＩＦ３を学習済みモデルＬＭに入力して、出力情報ＩＦ４を学習済みモデルＬＭから取得する。入力情報ＩＦ３は、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量の目標値を示す情報を含む。基板Ｗの処理量は、例えば、基板Ｗのエッチングレート、基板Ｗのエッチング量、又は、基板Ｗの厚みを示す。
【0149】
出力情報ＩＦ４は、少なくとも、各グループに属する１以上の処理液供給部Ａｎを示す情報と、各グループが処理液ＬＱを供給すべきタイミングを示す情報とを含む。この場合、「タイミング」は、グループの順番、及び、各グループの実施期間を含む。
【0150】
第４変形例では、制御部１６１は、出力情報ＩＦ４に基づいて複数の処理液供給部Ａｎを制御する。具体的には、制御部１６１は、出力情報ＩＦ４によって示される設定になるように、各処理液供給部Ａｎを制御することで、処理液ＬＱによって気泡ＢＢの挙動を制御する。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域を低減できる。よって、基板Ｗの表面全体にわたって処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下できるため、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理ムラを抑制できる。
【0151】
次に、図１４及び図１５を参照して、第４変形例に係る基板処理方法を説明する。図１５は、第４変形例に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理方法は、基板処理装置１００Ｂによって実行される。図１５に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ２７を含む。工程Ｓ２１～工程Ｓ２７は、制御部１６１の制御の下で実行される。
【0152】
図１４及び図１５に示すように、まず、工程Ｓ２１において、制御部１６１は、学習済みモデルＬＭに入力情報ＩＦ３を入力し、学習済みモデルＬＭから出力情報ＩＦ４を取得する。工程Ｓ２１は、本発明の「学習済みモデル利用工程」の一例に相当する。
【0153】
工程Ｓ２２～工程Ｓ２４は、それぞれ、図１０に示す工程Ｓ１～工程Ｓ３と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ２４の後、処理は工程Ｓ２５に進む。
【0154】
次に、工程Ｓ２５において、制御部１６１は、工程Ｓ２１で取得した出力情報ＩＦ４によって示される処理条件（各グループに属する１以上の処理液供給部Ａｎを示す情報、各グループが処理液ＬＱを供給すべきタイミングを示す情報）に基づいて複数の処理液供給部Ａｎを制御する。
【0155】
具体的には、工程Ｓ２５は、工程Ｓ２５１、Ｓ２５２、Ｓ２５３、Ｓ２５４、…、Ｓ２５Ｍを含む。まず、工程Ｓ２５１において、出力情報ＩＦ４によって示される処理条件に基づいて第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。次に、工程Ｓ２５２において、出力情報ＩＦ４によって示される処理条件に基づいて第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。以下、順次、工程Ｓ２５３、Ｓ２５４、…、Ｓ２５Ｍが実行される。工程Ｓ２５Ｍにおいて、出力情報ＩＦ４によって示される処理条件に基づいて第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けて処理液ＬＱを供給する。このように、工程Ｓ２５では、グループに属する処理液供給部Ａｎは、出力情報ＩＦ４によって示される処理条件に基づいて、グループごとに異なる期間に処理液ＬＱを気泡ＢＢに向けて供給する。
【0156】
次に、工程Ｓ２６において、全ての処理液供給部Ａｎから、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに向けて、処理液ＬＱの供給を開始する。
【0157】
次に、工程Ｓ２７において、基板保持部１２０は、処理液ＬＱから基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法は終了する。
【0158】
次に、図１６を参照して、第４変形例に係る学習装置１７０を説明する。学習装置１７０は、例えば、コンピューターである。図１６は、学習装置１７０を示すブロック図である。図１６に示すように、学習装置１７０は、処理部１７１と、記憶部１７２と、通信部１７３と、入力部１７４と、表示部１７５とを備える。
【0159】
処理部１７１は、ＣＰＵ及びＧＰＵ等のプロセッサーを備える。記憶部１７２は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。処理部１７１のプロセッサーは、記憶部１７２の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、各種処理を実行する。記憶部１７２のハードウェア構成は、図１４の記憶部１６２のハードウェア構成と同様である。
【0160】
通信部１７３は、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。通信部１７３のハードウェア構成は、図１４の通信部１６３のハードウェア構成と同様である。入力部１７４は、処理部１７１に対して各種情報を入力するための入力機器である。入力部１７４のハードウェア構成は、図１４の入力部１６４のハードウェア構成と同様である。表示部１７５は画像を表示する。表示部１７５のハードウェア構成は、図１４の表示部１６５のハードウェア構成と同様である。
【0161】
引き続き図１６を参照して、処理部１７１を説明する。処理部１７１は、外部から複数の学習データＤＴを取得する。例えば、処理部１７１は、ネットワーク及び通信部１７３を介して、シミュレーション装置又は学習データ作成装置から複数の学習データＤＴを取得する。学習データ作成装置は、シミュレーション装置から取得したデータに基づいて学習データＤＴを作成する。
【0162】
処理部１７１は、各学習データＤＴを記憶するように、記憶部１７２を制御する。その結果、記憶部１７２は、各学習データＤＴを記憶する。
【0163】
記憶部１７２は学習プログラムＰＧ２を記憶している。学習プログラムＰＧ２は、複数の学習データＤＴの中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する学習済みモデルＬＭを生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。
【0164】
機械学習アルゴリズムは、特に限定されず、例えば、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークである。従って、学習済みモデルＬＭは、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークを含む。学習済みモデルＬＭを生成する機械学習において、誤差逆伝搬法を利用してもよい。
【0165】
例えば、ニューラルネットワークは、入力層、単数又は複数の中間層、及び、出力層を含む。具体的には、ニューラルネットワークは、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ：Ｄｅｅｐ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ：Ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ：Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であり、ディープラーニングを行う。例えば、ディープニューラルネットワークは、入力層、複数の中間層、及び、出力層を含む。
【0166】
処理部１７１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習する。その結果、複数の学習データＤＴの中から一定の規則が見出されて、学習済みモデルＬＭが生成される。つまり、学習済みモデルＬＭは、学習データＤＴを機械学習することで構築される。記憶部１７２は、学習済みモデルＬＭを記憶する。
【0167】
具体的には、処理部１７１は、学習プログラムＰＧ２を実行することで、学習データＤＴに含まれる説明変数と目的変数との間における一定の規則を見出して、学習済みモデルＬＭを生成する。
【0168】
更に具体的には、処理部１７１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む学習済みモデルＬＭを生成する。学習済みパラメータは、複数の学習データＤＴを用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。
【0169】
学習済みモデルＬＭは、入力情報ＩＦ３を入力して、出力情報ＩＦ４を出力するように、コンピューターを機能させる。換言すれば、学習済みモデルＬＭは、入力情報ＩＦ３を入力して、出力情報ＩＦ４を出力する。具体的には、学習済みモデルＬＭは、基板Ｗの面内において処理液ＬＱによる処理量が均一になるような処理条件を推定する。処理条件は、少なくとも、各グループに属する１以上の処理液供給部Ａｎを示す情報、及び、各グループが処理液ＬＱを供給すべきタイミングを示す情報を含む。
【0170】
次に、図１６及び図１７を参照して、第４変形例に係る学習方法を説明する。図１７は、第４変形例に係る学習方法を示すフローチャートである。図１７に示すように、学習方法は、工程Ｓ３１～工程Ｓ３４を含む。学習方法は、学習装置１７０によって実行される。
【0171】
【0172】
次に、工程Ｓ３２において、処理部１７１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習する。
【0173】
次に、工程Ｓ３３において、処理部１７１は、学習終了条件を満たすか否かを判定する。学習終了条件は、機械学習を終了するために予め定められた条件である。学習終了条件は、例えば、反復回数が規定回数に到達したことである。
【0174】
工程Ｓ３３で否定判定された場合は、処理は工程Ｓ３１に進む。その結果、機械学習が繰り返される。
【0175】
一方、工程Ｓ３３で肯定判定された場合は、処理は工程Ｓ３４に進む。
【0176】
工程Ｓ３４において、処理部１７１は、最新の複数のパラメータ（係数）つまり、複数の学習済みパラメータ（係数）を適用したモデル（１以上の関数）を、学習済みモデルＬＭとして出力する。そして、記憶部１７２は学習済みモデルＬＭを記憶する。
【0177】
以上、学習装置１７０が工程Ｓ３１～工程Ｓ３４を実行することで、学習済みモデルＬＭが生成される。
【0178】
すなわち、第４変形例によれば、学習装置１７０は、機械学習を行う。従って、非常に複雑かつ解析対象が膨大な学習データＤＴから規則性を見出して、精度の高い学習済みモデルＬＭを作成できる。そして、図１４に示す制御装置１６０の制御部１６１は、学習済みモデルＬＭに対して、処理量の目標値を含む入力情報ＩＦ３を入力して、学習済みモデルＬＭから、処理条件の情報を含む出力情報ＩＦ４を出力させる。従って、各処理液供給部Ａｎの設定を高速に実行できて、基板Ｗを処理する際のスループットを向上できる。
【0179】
【0180】
次に、図９（ａ）を参照して、学習データＤＴの生成方法について詳細に説明する。以下、気泡挙動シミュレーションを実行するシミュレーション装置が学習データＤＴを生成する例を説明する。また、以下の説明では、図９（ａ）に示す基板Ｗを「学習用基板Ｗａ」とみなす。
【0181】
まず、シミュレーション装置に、処理条件情報Ｑ２が入力される。処理条件情報Ｑ２は、少なくとも、各学習用グループに属する１以上の学習用処理液供給部を示す情報と、各学習用グループが学習用処理液を供給するタイミングを示す情報とを含む。
【0182】
次に、シミュレーション装置は、処理条件情報Ｑ２に基づいて、気泡の挙動をシミュレーションする。その結果、シミュレーション装置は、気泡の分布を示すシミュレーション結果を出力する。
【0183】
具体的には、次のようなシミュレーション結果が出力される。すなわち、図９（ａ）に示す学習用基板Ｗａには、４個の監視ポイント１２を頂点とする領域１６が設定される。その結果、学習用基板Ｗａには複数の領域１６が設定される。図９（ａ）の例では、領域１６は正方形である。また、１つの領域１６に対して、１つの監視ポイント１２が関連付けられる。例えば、領域１６を示す正方形の右下角に位置する監視ポイント１２が、領域１６に関連付けられる。そして、監視ポイント１２での気泡の通過数の累積値を、監視ポイント１２に関連付けられた領域１６における気泡の通過数の累積値として扱う。つまり、各領域１６に対して、気泡の通過数の累積値が割り当てられる。よって、シミュレーション装置は、領域１６ごとの気泡の通過数の累積値を、シミュレーション結果として出力する。
【0184】
次に、シミュレーション装置は、変換関数又は変換テーブルを利用して、領域１６ごとに、気泡の通過数の累積値を、学習用処理液による学習用基板Ｗａの処理量に変換する。その結果、学習用基板Ｗａの領域１６ごとに、処理量が得られる。つまり、学習用基板Ｗａの面内における処理量の分布を示す処理量情報Ｑ１が得られる。つまり、処理量情報Ｑ１は、学習用処理液による学習用基板Ｗａの領域１６ごとの処理量を示す情報である。処理量は、例えば、学習用基板Ｗａの領域１６ごとのエッチングレート、学習用基板Ｗａの領域１６ごとのエッチング量、又は、学習用基板Ｗａの領域１６ごとの厚みを示す。
【0185】
【0186】
ここで、様々な処理条件情報Ｑ２をシミュレーション装置に入力することで、多数のシミュレーション結果が得られる。そして、多数のシミュレーション結果から、多数の処理量情報Ｑ１が得られる。
【0187】
そして、シミュレーション装置は、多数の処理量情報Ｑ１のうち、領域１６ごとの処理量のバラツキが所定範囲内である処理量情報Ｑ１と、当該処理量情報Ｑ１に対応する処理条件情報Ｑ２とを、学習データＤＴの処理量情報ＩＦ１及び処理条件情報ＩＦ２として取得する。例えば、シミュレーション装置は、多数の処理量情報Ｑ１のうち、領域１６ごとの処理量の標準偏差又は分散が閾値以下である処理量情報Ｑ１と、当該処理量情報Ｑ１に対応する処理条件情報Ｑ２とを、学習データＤＴの処理量情報ＩＦ１及び処理条件情報ＩＦ２として取得する。
【0188】
そして、図１６に示す学習装置１７０は、シミュレーション装置から、多数の学習データＤＴを取得し、多数の学習データＤＴを学習する。なお、学習データ作成装置が、シミュレーション装置からシミュレーション結果を取得して、シミュレーション結果に基づいて学習データＤＴを作成してもよい。
【0189】
以上、図９（ａ）及び図１６を参照して説明したように、第４変形例では、学習用基板Ｗａの面内における処理量のバラツキが小さい処理量情報ＩＦ１を含む学習データＤＴを学習することで、学習済みモデルＬＭが生成される。従って、学習済みモデルＬＭに入力情報ＩＦ３を入力して得られる出力情報ＩＦ４に基づいて、各処理液供給部Ａｎを制御することで、基板Ｗの面内における処理量のバラツキを効果的に抑制できる。
【0190】
ここで、詳細には、入力情報ＩＦ３は、処理液ＬＱによる基板Ｗの領域１５ごとの処理量の目標値を示す情報を含む。基板Ｗの複数の領域１５は、それぞれ、学習用基板Ｗａの複数の領域１６に対応する。処理量は、例えば、基板Ｗの領域１５ごとのエッチングレート、基板Ｗの領域１５ごとのエッチング量、又は、基板Ｗの領域１５ごとの厚みを示す。
【0191】
入力情報ＩＦ３において、基板Ｗの複数の領域１５における処理量の目標値は、同じ値に設定される。基板Ｗの面内における処理量のバラツキを抑制するためである。また、入力情報ＩＦ３における処理量の目標値は、上限値及び下限値によって規定される幅を有していてもよい。
【0192】
また、出力情報ＩＦ４は、少なくとも、各グループに属する１以上の処理液供給部Ａｎを示す情報と、各グループが処理液ＬＱを供給すべきタイミングを示す情報とを含む。この場合、「タイミング」は、グループの順番、及び、各グループの実施期間を含む。
【0193】
なお、処理量情報ＩＦ１及び処理量情報Ｑ１は、学習用基板Ｗａの領域１６ごとの気泡の通過数の累積値であってもよい。この場合、入力情報ＩＦ３は、基板Ｗの領域１５ごとの気泡ＢＢの通過数の累積値の目標値である。
【0194】
また、処理条件情報ＩＦ２及び処理条件情報Ｑ２は、学習用処理液供給部からの学習用処理液の流量の情報を含んでいてもよい。この場合、出力情報ＩＦ４は、処理液供給部Ａｎからの処理液ＬＱの流量の情報を含む。
【0195】
更に、処理条件情報ＩＦ２及び処理条件情報Ｑ２は、学習用処理液の種類、濃度、及び、温度のうちの１以上の情報を含んでいてもよい。この場合、出力情報ＩＦ４は、処理液ＬＱの種類、濃度、及び、温度のうちの１以上の情報を含む。
【0196】
更に、処理条件情報ＩＦ２及び処理条件情報Ｑ２は、学習用基板Ｗａの直径、厚み、及び、接触角のうちの１以上の情報を含んでいてもよい。この場合、出力情報ＩＦ４は、基板Ｗの直径、厚み、及び、接触角のうちの１以上の情報を含む。
【0197】
更に、処理条件情報ＩＦ２及び処理条件情報Ｑ２は、学習用気泡供給管に供給する学習用気体の流量、学習用気泡供給管における学習用気泡孔の間隔、及び、学習用気泡供給管の使用態様のうちの１以上の情報を含んでいてもよい。この場合、出力情報ＩＦ４は、気泡供給管１に供給する気体ＧＡの流量、気泡供給管１における気泡孔２の間隔、及び、気泡供給管１の使用態様のうちの１以上の情報を含む。
【0198】
なお、学習用気泡供給管は、気泡挙動シミュレーションにおいて、上記実施形態１の気泡供給管１に対応する仮想の気泡供給管であり、学習用として利用される。学習用気体及び学習用気泡孔は、気泡挙動シミュレーションにおいて、上記実施形態１の気体ＧＡ及び気泡孔２に対応する仮想の気体及び気泡孔であり、学習用として利用される。
【0199】
【0200】
まず、図１８の第１参考例及び図１９の第２参考例を参照して、基板Ｗ上の薬液をリンス液に置換する際の傾向を説明する。第５変形例、第１参考例及び第２参考例では、基板Ｗは、シリコン基板とパターンとを有する。シリコン基板は略円板形状を有する。パターンはシリコン基板上に形成される。パターンは積層膜を含む。積層膜は、複数のポリシリコン膜と、複数の酸化シリコン膜とを含む。複数のポリシリコン膜及び複数の酸化シリコン膜は、ポリシリコン膜と酸化シリコン膜とが交互に入れ替わるように、基板Ｗの厚み方向に沿って積層されている。厚み方向は、シリコン基板の表面に略直交する方向を示す。また、第１薬液２０１としてＢＨＦを使用し、第２薬液２１１としてＴＭＡＨを使用する。なお、第２薬液２１１は、ＴＭＡＨ及びＩＰＡを含んでいてもよい。第２薬液２１１がＩＰＡを含むことにより、基板Ｗのパターンの凹部が微細であっても、凹部内に、第２薬液２１１が浸透し易くなる。
【0201】
まず、図１８を参照して第１参考例を説明する。図１８は、第２薬液２１１をリンス液２２１に置換する際の第１参考例に係る基板処理方法を示す図である。第１参考例では、同一槽（第２薬液槽２１０）で第２薬液２１１による薬液処理とリンス液２２１によるリンス処理とを実行する。
【0202】
図１８に示すように、第１参考例に係る基板処理方法は、工程Ｓ２０１～工程Ｓ２０３を含む。
【0203】
まず、工程Ｓ２０１において、第１薬液槽２００の第１薬液２０１に基板Ｗを浸漬して、第１薬液２０１によって基板Ｗをエッチングする。具体的には、第１薬液２０１によって基板Ｗの積層膜に単数又は複数の凹部を形成する。凹部は、例えば、トレンチ又はホールである。凹部において、ポリシリコン膜及び酸化シリコン膜が露出する。第１薬液槽２００によるエッチング後に、基板Ｗは、第１薬液槽２００から引き上げられ、第２薬液槽２１０に搬送される。
【0204】
次に、工程Ｓ２０２において、第２薬液槽２１０の第２薬液２１１に基板Ｗを浸漬して、第２薬液２１１によって基板Ｗをエッチングする。具体的には、第２薬液２１１によって、基板Ｗの積層膜に形成された凹部においてポリシリコン膜をエッチングする。更に具体的には、基板Ｗの凹部において、第２薬液２１１によって、基板Ｗの厚み方向に略垂直な方向にポリシリコン膜をエッチングする。
【0205】
詳細には、第２薬液槽２１０による工程Ｓ２０２は、工程Ｓ２０２１～工程Ｓ２０２３を含む。
【0206】
まず、工程Ｓ２０２１では、第２薬液槽２１０にリンス液２２１が貯留される。そして、基板Ｗが、第２薬液槽２１０のリンス液２２１に浸漬され、リンス液２２１によってリンスされる。
【0207】
次に、工程Ｓ２０２２では、リンス液２２１が貯留された第２薬液槽２１０に第２薬液２１１が供給される。図１８の例では、時刻ｔ１において、リンス液２２１が貯留された第２薬液槽２１０に対して第２薬液２１１の供給を開始する。その結果、第２薬液槽２１０のリンス液２２１が第２薬液２１１に徐々に入れ替わる。よって、基板Ｗが第２薬液２１１によってエッチングされる。
【0208】
この場合、基板Ｗ上において、リンス液２２１から第２薬液２１１への置換は、基板Ｗの外周縁から基板Ｗの中心に向かって進行する。従って、基板Ｗの面内において、基板Ｗの内側領域ＡＲ２よりも外側領域ＡＲ１のほうが、第２薬液２１１への置換の進行が速い。その結果、外側領域ＡＲ１のエッチング量が内側領域ＡＲ２のエッチング量よりも多い場合がある。つまり、内側領域ＡＲ２のエッチング量が外側領域ＡＲ１のエッチング量よりも少ない場合がある。
【0209】
その後、内側領域ＡＲ２においても、リンス液２２１が第２薬液２１１に置換される。その結果、基板Ｗの面内全域が、第２薬液２１１によってエッチングされる。
【0210】
次に、工程Ｓ２０２３では、第２薬液２１１が貯留された第２薬液槽２１０にリンス液２２１が供給される。図１８の例では、時刻ｔ２において、第２薬液２１１が貯留された第２薬液槽２１０に対してリンス液２２１の供給を開始する。その結果、第２薬液槽２１０の第２薬液２１１がリンス液２２１に徐々に入れ替わる。よって、基板Ｗがリンス液２２１によってリンスされる。
【0211】
この場合、基板Ｗ上において、第２薬液２１１からリンス液２２１への置換は、基板Ｗの外周縁から基板Ｗの中心に向かって進行する。従って、基板Ｗの面内において、内側領域ＡＲ２よりも外側領域ＡＲ１のほうが、第２薬液２１１からリンス液２２１への置換の進行が速い。その結果、内側領域ＡＲ２に残留した第２薬液２１１によって、内側領域ＡＲ２がエッチングされる場合がある。
【0212】
その後、内側領域ＡＲ２においても、第２薬液２１１がリンス液２２１に置換される。その結果、基板Ｗの面内全域が、リンス液２２１によってリンスされる。
【0213】
以上、工程Ｓ２０２２の薬液処理では、基板Ｗの内側領域ＡＲ２のエッチング量が外側領域ＡＲ１のエッチング量よりも少ない場合がある。一方、工程Ｓ２０２３のリンス処理では、内側領域ＡＲ２がエッチングされる場合がある。その結果、工程Ｓ２０２２におけるエッチングと、工程Ｓ２０２３におけるエッチングとが、相補の関係になる。つまり、工程Ｓ２０２２でエッチング量の少ない内側領域ＡＲ２が、工程Ｓ２０２３において残留した第２薬液２１１によってエッチングされる。よって、工程Ｓ２０２においては、基板Ｗの面内全域にわたってエッチング量が均一になる。
【0214】
第２薬液２１１によってエッチングされた基板Ｗは、第２薬液槽２１０によるリンス後に、第２薬液槽２１０から引き上げられ、乾燥槽２２０に搬送される。
【0215】
次に、工程Ｓ２０３において、基板Ｗは乾燥槽２２０において乾燥される。そして、第１参考例に係る基板処理方法は終了する。
【0216】
以上、図１８を参照して説明したように、第１参考例では、同一槽（第２薬液槽２１０）において、リンス処理と薬液処理とを実行する。従って、１ロット（例えば、２５枚又は５０枚）の基板Ｗに対する処理が終了するたびに、リンス液２２１及び第２薬液２１１を廃棄する必要がある。そこで、リンス液２２１及び第２薬液２１１を複数のロットで再利用するために、リンス処理と薬液処理とを異なる槽で実行する。
【0217】
次に、図１９を参照して第２参考例を説明する。図１９は、第２薬液２１１をリンス液２４１に置換する際の第２参考例に係る基板処理方法を示す図である。第２参考例では、異なる槽（第２薬液槽２１０及び第２リンス槽２４０）で第２薬液２１１による薬液処理とリンス液２４１によるリンス処理とを実行する。
【0218】
図１９に示すように、第２参考例に係る基板処理方法は、工程Ｓ２１１～工程Ｓ２１５を含む。
【0219】
まず、工程Ｓ２１１において、第１薬液槽２００の第１薬液２０１に基板Ｗを浸漬して、第１薬液２０１によって基板Ｗをエッチングする。この点は、図１８の工程Ｓ２０１と同様である。第１薬液槽２００によるエッチング後に、基板Ｗは、第１薬液槽２００から引き上げられ、第１リンス槽２３０に搬送される。
【0220】
次に、工程Ｓ２１２において、第１リンス槽２３０のリンス液２３１に基板Ｗを浸漬して、リンス液２３１によって基板Ｗをリンスする。第１リンス槽２３０によるリンス後に、基板Ｗは、第１リンス槽２３０から引き上げられ、第２薬液槽２１０に搬送される。
【0221】
次に、工程Ｓ２１３において、第２薬液槽２１０の第２薬液２１１に基板Ｗを浸漬して、第２薬液２１１によって基板Ｗをエッチングする。この点は、図１８の工程Ｓ２０２と同様である。ただし、工程Ｓ２１３では、第２薬液槽２１０においてリンス処理は実行されない。つまり、第２薬液槽２１０には、リンス液が貯留されることはなく、第２薬液２１１だけが貯留される。従って、工程Ｓ２１３においては、基板Ｗの面内全域にわたってエッチング量が均一になる。第２薬液槽２１０の第２薬液２１１によるエッチング後に、基板Ｗは、第２薬液槽２１０から引き上げられ、第２リンス槽２４０に搬送される。
【0222】
次に、工程Ｓ２１４において、第２リンス槽２４０のリンス液２４１に基板Ｗを浸漬して、リンス液２４１によって基板Ｗをリンスする。
【0223】
具体的には、リンス液２４１に浸漬された基板Ｗ上において、第２薬液２１１からリンス液２４１への置換は、基板Ｗの外周縁から基板Ｗの中心に向かって進行する。従って、基板Ｗの面内において、内側領域ＡＲ２よりも外側領域ＡＲ１のほうが、第２薬液２１１からリンス液２４１への置換の進行が速い。その結果、内側領域ＡＲ２に残留した第２薬液２１１によって、内側領域ＡＲ２がエッチングされる場合がある。
【0224】
その後、内側領域ＡＲ２においても、第２薬液２１１がリンス液２４１に置換される。その結果、基板Ｗの面内全域が、リンス液２４１によってリンスされる。
【0225】
第２リンス槽２４０のリンス液２４１によるリンス後に、基板Ｗは、第２リンス槽２４０から引き上げられ、乾燥槽２２０に搬送される。
【0226】
次に、工程Ｓ２１５において、基板Ｗは乾燥槽２２０において乾燥される。そして、第２参考例に係る基板処理方法は終了する。
【0227】
以上、図１９を参照して説明したように、工程Ｓ２１４では、基板Ｗの内側領域ＡＲ２は、残留した第２薬液２１１によってエッチングされる場合があるため、基板Ｗの面内においてエッチング量が均一にならない場合がある。つまり、基板Ｗの面内においてエッチング量にムラが発生する可能性がある。
【0228】
特に、第２薬液２１１によるエッチング時間が短いほど、第２リンス槽２４０における第２薬液２１１の残留の影響が大きくなる。なぜなら、エッチング時間が短いことは、エッチングレートが高いことを示しているため、第２リンス槽２４０における基板Ｗ上の第２薬液２１１の残留によって、エッチングが進行してしまうからである。
【0229】
そこで、基板Ｗの面内全域にわたってエッチング量を均一にするために、実施形態１の第５変形例に係る基板処理装置３００（図２０）は、図１９の第２リンス槽２４０に代えて、図１の処理槽１１０及び周辺部材を備える。
【0230】
図２０は、実施形態１の第５変形例に係る基板処理装置３００による基板処理方法を示す図である。図２０に示すように、基板処理装置３００は、第１薬液槽２００と、第１リンス槽２３０と、第２薬液槽２１０と、図１の処理槽１１０及び周辺部材と、乾燥槽２２０とを備える。処理槽１１０の周辺部材は、処理液供給部Ａｎ及び気泡供給部１３５を含む。気泡供給部１３５は複数の気泡供給管１を含む。
【0231】
第５変形例では、処理槽１１０には、処理液ＬＱとしてリンス液が貯留されている。つまり、処理液ＬＱはリンス液である。以下、第５変形例において、リンス液を「リンス液１１１」と記載する。第１薬液槽２００、第１リンス槽２３０、第２薬液槽２１０、及び、乾燥槽２２０は、それぞれ、図１９の第２参考例に係る第１薬液槽２００、第１リンス槽２３０、第２薬液槽２１０、及び、乾燥槽２２０と同様であり、説明を省略する。
【0232】
基板処理装置３００による基板処理方法は、工程Ｓ３０１～工程Ｓ３０５を含む。工程Ｓ３０１、Ｓ３０２、Ｓ３０３、及び、工程Ｓ３０５は、それぞれ、図１９の第２参考例に係る工程Ｓ２１１、Ｓ２１２、Ｓ２１３、及び、工程Ｓ２１５と同様であり、説明を省略する。
【0233】
工程Ｓ３０３において第２薬液槽２１０の第２薬液２１１によるエッチング後に（つまり、第２薬液２１１による処理後に）、基板Ｗは、第２薬液槽２１０から引き上げられ、処理槽１１０に搬送される。
【0234】
次に、工程Ｓ３０４において、処理槽１１０のリンス液１１１に基板Ｗを浸漬して、リンス液１１１によって基板Ｗをリンスする。
【0235】
具体的には、図１及び図２０に示すように、基板保持部１２０は、処理槽１１０とは別の第２薬液槽２１０に貯留された第２薬液２１１による処理後の基板Ｗを、処理槽１１０に貯留されたリンス液１１１に浸漬する。第５変形例では、第２薬液２１１による処理は、第２薬液２１１によるエッチングを示す。第２薬液槽２１０は、本発明の「薬液槽」の一例に相当する。第２薬液２１１は、本発明の「薬液」の一例に相当する。
【0236】
気泡供給部１３５（気泡供給管１）は、基板Ｗの下方からリンス液１１１に対して、複数の気泡ＢＢを供給する。１以上の処理液供給部Ａｎから、気泡ＢＢに向けてリンス液１１１を供給することで、気泡ＢＢの挙動を制御する。その結果、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢの量に偏りが生じることを抑制できる。つまり、基板Ｗの表面及びその近傍において、気泡ＢＢが不足している領域を低減できる。
【0237】
複数の気泡ＢＢ（多数の気泡ＢＢ）は、基板Ｗ上において、第２薬液２１１からリンス液１１１への置換を促進する。従って、第５変形例によれば、基板Ｗの外側領域ＡＲ１よりも第２薬液２１１が残留し易い内側領域ＡＲ２においても、第２薬液２１１がリンス液１１１に速やかに置換される。その結果、気泡ＢＢを供給しない場合（例えば、図１９に示す第２参考例）と比較して、基板Ｗの面内全域にわたって処理量（例えば、エッチング量）を略均一にすることができる。つまり、基板Ｗの面内において処理量（例えば、エッチング量）にムラが発生することを抑制できる。特に、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、複数の気泡ＢＢ（多数の気泡ＢＢ）によって、基板Ｗの面内全域において、第２薬液２１１からリンス液１１１への置換速度を速くすることができる。つまり、リンス処理のスループットを向上できる。
【0238】
気泡ＢＢが基板Ｗ上（基板Ｗ表面）において第２薬液２１１からリンス液１１１への置換を促進する理由として、例えば、気泡ＢＢの上昇流によって、基板Ｗの表面に乱流が発生し、基板Ｗの表面の第２薬液２１１がリンス液１１１に置換され易くなることが考えられる。換言すれば、気泡ＢＢの上昇流によって、基板Ｗの表面に乱流が発生し、基板Ｗの表面において、第２薬液２１１及びリンス液１１１が滞留することを抑制できる。更に換言すれば、気泡ＢＢの上昇流によって、基板Ｗの表面に新鮮なリンス液１１１を効果的に送り込むことができる。
【0239】
また、第５変形例において、基板Ｗの面内において処理量（例えば、エッチング量）にムラが発生することを抑制できる理由として、次のことが考えられる。すなわち、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１による処理槽１１０内の不均一な流れが複数の気泡ＢＢの上昇流によって整流される。その結果、基板Ｗの外側領域ＡＲ１と内側領域ＡＲ２とで、第２薬液２１１からリンス液１１１への置換効率が同等になると考えられる。よって、基板Ｗの面内において処理量にムラが発生することを抑制できる。
【0240】
なお、例えば、気泡ＢＢを供給しない場合、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１に起因する処理槽１１０内の流れによって、リンス液１１１は、基板Ｗの内側領域ＡＲ２よりも外側領域ＡＲ１に流れ易い場合がある。従って、気泡ＢＢを供給しない場合、基板Ｗの内側領域ＡＲ２に第２薬液２１１及びリンス液１１１が滞留し易い場合がある。そこで、第５変形例では、気泡ＢＢを供給することで、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１による処理槽１１０内の不均一な流れが複数の気泡ＢＢの上昇流によって整流される。その結果、基板Ｗの外側領域ＡＲ１と内側領域ＡＲ２とで、第２薬液２１１からリンス液１１１への置換効率が同等になると考えられる。
【0241】
更に、第５変形例によれば、第１リンス槽２３０でリンス液２３１によるリンス処理を行い、第２薬液槽２１０で第２薬液２１１による薬液処理を行い、処理槽１１０でリンス液１１１によるリンス処理を行っている。つまり、リンス処理と薬液処理とが異なる槽で実行される。従って、ロットごとにリンス液２３１、１１１及び第２薬液２１１を交換することが要求されない。その結果、第１参考例（図１８）と比較して、リンス液２３１、１１１及び第２薬液２１１の使用量を低減できる。つまり、リンス液２３１、１１１及び第２薬液２１１を再利用できる。従って、リンス液２３１、１１１及び第２薬液２１１の廃棄量を低減できる。
【0242】
（実施形態２）
図２１～図２５を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置３００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置３００は、図１の気泡供給部１３５及び気泡調整部１４０に代えて、流体供給部１５５及び流体調整部１４５を備える。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図２１～図２５を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置３００を説明する。実施形態２に係る基板処理装置３００は、図１の気泡供給部１３５及び気泡調整部１４０に代えて、流体供給部１５５及び流体調整部１４５を備える。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0243】
図２１は、実施形態２に係る基板処理装置３００を示す模式的平面図である。基板処理装置３００は、複数のロットを処理する。複数のロットの各々は複数の基板Ｗからなる。図２１に示すように、基板処理装置３００は、複数の収納部２１と、投入部２３と、払出部２７と、受け渡し機構３１と、バッファユニットＢＵと、搬送機構ＣＶと、処理部ＳＰ１と、制御装置１６０とを備える。制御装置１６０（制御部１６１）は、収納部２１、投入部２３、払出部２７、受け渡し機構３１、バッファユニットＢＵ、搬送機構ＣＶ、及び、処理部ＳＰ１を制御する。処理部ＳＰ１は複数の槽ＴＡを含む。搬送機構ＣＶは、第１搬送機構ＣＴＣと、第２搬送機構ＷＴＲと、副搬送機構ＬＦ１と、副搬送機構ＬＦ２と、副搬送機構ＬＦ３とを含む。
【0244】
処理部ＳＰ１は、乾燥処理部３７と、第１処理部３９と、第２処理部４０と、第３処理部４１とを含む。乾燥処理部３７は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２を含む。第１処理部３９は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ１及び槽ＣＨＢ１を含む。第２処理部４０は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ２及び槽ＣＨＢ２を含む。第３処理部４１は、複数の槽ＴＡのうちの槽ＯＮＢ３及び槽ＣＨＢ３を含む。
【0245】
複数の収納部２１の各々は、複数の基板Ｗを収容する。各基板Ｗは水平姿勢で収納部２１に収容される。収納部２１は、例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）である。
【0246】
未処理の基板Ｗを収納する収納部２１は、投入部２３に載置される。具体的には、投入部２３は複数の載置台２５を含む。そして、２つの収納部２１が、それぞれ、２つの載置台２５に載置される。投入部２３は、基板処理装置３００の長手方向の一方端に配置される。
【0247】
処理済みの基板Ｗを収納する収納部２１は、払出部２７に載置される。具体的には、払出部２７は複数の載置台２９を含む。そして、２つの収納部２１が、それぞれ、２つの載置台２９に載置される。払出部２７は、処理済みの基板Ｗを収納部２１に収納して収納部２１ごと払い出す。払出部２７は、基板処理装置３００の長手方向の一方端に配置される。払出部２７は、投入部２３に対して、基板処理装置３００の長手方向に直交する方向に対向している。
【0248】
バッファユニットＢＵは、投入部２３及び払出部２７に隣接して配置される。バッファユニットＢＵは、投入部２３に載置された収納部２１を基板Ｗごと内部に取り込むとともに、棚（不図示）に収納部２１を載置する。また、バッファユニットＢＵは、処理済みの基板Ｗを受け取って収納部２１に収納するとともに、棚に収納部２１を載置する。バッファユニットＢＵ内には、受け渡し機構３１が配置されている。
【0249】
受け渡し機構３１は、投入部２３及び払出部２７と棚との間で収納部２１を受け渡す。また、受け渡し機構３１は、受け渡し機構３１と搬送機構ＣＶとの間で基板Ｗのみの受け渡しを行う。具体的には、受け渡し機構３１は、受け渡し機構３１と搬送機構ＣＶとの間でロットの受け渡しを行う。搬送機構ＣＶは、処理部ＳＰ１に対してロットを搬入及び搬出する。具体的には、搬送機構ＣＶは、処理部ＳＰ１の槽ＴＡの各々に対してロットを搬入及び搬出する。処理部ＳＰ１は、ロットの各基板Ｗを処理する。
【0250】
具体的には、受け渡し機構３１は、受け渡し機構３１と搬送機構ＣＶの第１搬送機構ＣＴＣとの間でロットの受け渡しを行う。第１搬送機構ＣＴＣは、受け渡し機構３１から受け取ったロットの複数の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換した後、第２搬送機構ＷＴＲにロットを受け渡す。また、第１搬送機構ＣＴＣは、第２搬送機構ＷＴＲから処理済みのロットを受け取った後、ロットの複数の基板Ｗの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、ロットを受け渡し機構３１に受け渡す。
【0251】
第２搬送機構ＷＴＲは、基板処理装置３００の長手方向に沿って、処理部ＳＰ１の乾燥処理部３７から第３処理部４１まで移動可能である。従って、第２搬送機構ＷＴＲは、乾燥処理部３７、第１処理部３９、第２処理部４０、及び第３処理部４１に対して、ロットを搬入及び搬出する。
【0252】
乾燥処理部３７はロットに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理部３７の槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２の各々が、ロットを収納してロットの複数の基板Ｗに対して乾燥処理を行う。第２搬送機構ＷＴＲは、槽ＬＰＤ１及び槽ＬＰＤ２の各々に対してロットを搬入及び搬出する。
【0253】
乾燥処理部３７に隣接して第１処理部３９が配置されている。第１処理部３９の槽ＯＮＢ１は、例えば、ロットの複数の基板Ｗに対してリンス液によるリンス処理を行う。槽ＣＨＢ１は、例えば、ロットの複数の基板Ｗに対して薬液による処理（例えば、エッチング処理）を行う。
【0254】
搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ１は、第１処理部３９内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ１は、ロットを槽ＯＮＢ１又は槽ＣＨＢ１に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ１又は槽ＣＨＢ１から引き上げたりする。
【0255】
第１処理部３９に隣接して第２処理部４０が配置されている。第２処理部４０の槽ＯＮＢ２は、槽ＯＮＢ１と同様の構成を有しており、槽ＯＮＢ１と同様の処理を行う。槽ＣＨＢ２は、槽ＣＨＢ１と同様の構成を有しており、槽ＣＨＢ１と同様の処理を行う。搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ２は、第２処理部４０内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ２は、ロットを槽ＯＮＢ２又は槽ＣＨＢ２に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ２又は槽ＣＨＢ２から引き上げたりする。
【0256】
第２処理部４０に隣接して第３処理部４１が配置されている。第３処理部４１の槽ＯＮＢ３は、槽ＯＮＢ１と同様の構成を有しており、槽ＯＮＢ１と同様の処理を行う。槽ＣＨＢ３は、槽ＣＨＢ１と同様の構成を有しており、槽ＣＨＢ１と同様の処理を行う。搬送機構ＣＶの副搬送機構ＬＦ３は、第３処理部４１内でのロットの搬送の他に、第２搬送機構ＷＴＲとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構ＬＦ３は、ロットを槽ＯＮＢ３又は槽ＣＨＢ３に浸漬したり、ロットを槽ＯＮＢ３又は槽ＣＨＢ３から引き上げたりする。
【0257】
以下、実施形態２では、槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２を乾燥槽ＬＰＤ１、ＬＰＤ２と記載する。槽ＯＮＢ１を第１リンス槽ＯＮＢ１と記載し、槽ＯＮＢ２を第２リンス槽ＯＮＢ２と記載し、槽ＯＮＢ３を第３リンス槽ＯＮＢ３と記載する。槽ＣＨＢ１を第１薬液槽ＣＨＢ１と記載し、槽ＣＨＢ２を第２薬液槽ＣＨＢ２と記載し、槽ＣＨＢ３を第３薬液槽ＣＨＢ３と記載する。
【0258】
第１薬液槽ＣＨＢ１には、第１薬液が貯留される。第１薬液は、例えば、ＢＨＦである。第２薬液槽ＣＨＢ２には、第２薬液が貯留される。第２薬液は、例えば、ＴＭＡＨである。なお、第２薬液は、ＴＭＡＨ及びＩＰＡを含んでいてもよい。第２薬液槽ＣＨＢ２は、本発明の「薬液槽」の一例に相当する。第２薬液は、本発明の「薬液」の一例に相当する。第２リンス槽ＯＮＢ２は、本発明の「リンス槽」の一例に相当する。
【0259】
次に、図２２を参照して、第２リンス槽ＯＮＢ２を説明する。図２２は、第２リンス槽ＯＮＢ２を示す模式的断面図である。図２２に示すように、基板処理装置３００の第２処理部４０の構成は、図１の基板処理装置１００の構成と同様である。ただし、第２処理部４０は、図１の気泡供給部１３５に代えて、流体供給部１５５を備える。また、第２処理部４０は、図１の気泡調整部１４０に代えて、流体調整部１４５を備える。また、第２処理部４０は、図１の処理槽１１０に代えて、第２リンス槽ＯＮＢ２を備える。第２リンス槽ＯＮＢ２の構成は、図１の処理槽１１０の構成と同様である。
【0260】
実施形態２では、処理液ＬＱはリンス液である。以下、処理液ＬＱとしてのリンス液を「リンス液１１１」と記載する。第２リンス槽ＯＮＢ２はリンス液１１１を貯留する。第２リンス槽ＯＮＢ２は、互いに対向する第１側壁１１６及び第２側壁１１７を含む。
【0261】
処理液供給部Ａｎは、リンス液１１１を第２リンス槽ＯＮＢ２（具体的には内槽１１２）の内部に供給する。従って、実施形態２では、処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとに、処理液供給部Ａｎに供給するリンス液１１１の流量を調整する。処理液供給部Ａｎは第２リンス槽ＯＮＢ２に配置される。その他、実施形態２に係る処理液供給部Ａｎ及び処理液流量調整部１３０の動作は、実施形態１に係る処理液供給部Ａｎ及び処理液流量調整部１３０の動作と同様である。
【0262】
処理液供給部Ａｎは、本発明の「リンス液供給部」の一例に相当する。また、実施形態２では、処理液流量調整部１３０は、「リンス液流量調整部」と捉えることができる。
【0263】
具体的には、複数の処理液供給部Ａｎは、少なくとも１つの第１処理液供給部Ａｎを含む。実施形態２では、複数の処理液供給部Ａｎは、２以上の第１処理液供給部Ａｎ（Ａ１～Ａ３）を含む。第１処理液供給部Ａｎ（Ａ１～Ａ３）は、第１側壁１１６の側に配置され、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部にリンス液１１１を供給する。複数の処理液供給部Ａｎは、少なくとも１つの第２処理液供給部Ａｎを含む。実施形態２では、複数の処理液供給部Ａｎは、２以上の第２処理液供給部Ａｎ（Ａ４～Ａ６）を含む。第２処理液供給部Ａｎ（Ａ４～Ａ６）は、第２側壁１１７の側に配置され、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部にリンス液１１１を供給する。第１処理液供給部Ａｎ（Ａ１～Ａ３）は、本発明の「第１リンス液供給部」の一例に相当する。第２処理液供給部Ａｎ（Ａ４～Ａ６）は、本発明の「第２リンス液供給部」の一例に相当する。
【0264】
基板保持部１２０は、基板Ｗを保持し、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に基板Ｗを浸漬する。なお、副搬送機構ＬＦ２は、基板保持部１２０及び昇降ユニット１２６を含む。また、副搬送機構ＬＦ１、ＬＦ３の構成は、副搬送機構ＬＦ２の構成と同様である。
【0265】
流体供給部１５５は、第２薬液槽ＣＨＢ２の内部に配置される。流体供給部１５５は、第２薬液槽ＣＨＢ２のリンス液１１１中に、流体調整部１４５から供給される流体ＦＬを供給する。流体ＦＬは、液体又は気体である。流体ＦＬが液体である場合、流体ＦＬは、例えば、リンス液である。流体ＦＬが気体である場合、気体は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。なお、流体ＦＬが気体である場合は、流体供給部１５５は図１の気泡供給部１３５と同様である。
【0266】
流体供給部１５５は、少なくとも１つの流体供給管１Ａを含む。実施形態２では、流体供給部１５５は、複数の流体供給管１Ａを含む。図２２の例では、流体供給部１５５は、６本の流体供給管１Ａを含む。なお、流体供給管１Ａの数は、特に限定されない。流体供給管１Ａの素材は、図１の気泡供給管１の素材と同様である。
【0267】
流体供給管１Ａの構成は、図１の気泡供給管１の構成と同様である。具体的には、複数の流体供給管１Ａの各々は、複数の流体孔２Ａを有する。図２２の例では、流体孔２Ａは鉛直方向Ｄに沿って上方を向いている。流体供給管１Ａは、流体調整部１４５から供給される流体ＦＬを流体孔２Ａから吐出することで、リンス液１１１中に流体ＦＬを供給する。
【0268】
複数の流体供給管１Ａは、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。その他、複数の流体供給管１Ａの配置は、図１及び図２の複数の気泡供給管１の配置と同様である。また、複数の流体供給管１Ａの各々において、複数の流体孔２Ａが、流体供給管１Ａの延びる方向に間隔をあけて略一直線上に配置される。その他、流体孔２Ａの構成及び配置は、図１及び図２の気泡孔２の構成及び配置と同様である。
【0269】
詳細には、複数の流体供給管１Ａの各々は、基板Ｗがリンス液１１１に浸漬された状態において、基板Ｗの下方からリンス液１１１に対して、複数の流体孔２Ａの各々から流体ＦＬを供給する。
【0270】
流体調整部１４５は、流体供給管１Ａごとに、流体供給管１Ａに供給する流体ＦＬの流量を調整することで、リンス液１１１に供給する流体ＦＬの量を調整する。流体ＦＬの流量の調整は、流体ＦＬの流量を一定にすること、流体ＦＬの流量を増加させること、流体ＦＬの流量を減少させること、及び、流体ＦＬの流量をゼロにすることを含む。実施形態２では、流体調整部１４５は、流体供給管１Ａごとに、流体供給管１Ａへの流体ＦＬの供給と供給停止とを切り替える。なお、流体ＦＬが気体である場合は、流体調整部１４５は図１の気泡調整部１４０と同様である。
【0271】
流体調整部１４５は、複数の流体供給管１Ａにそれぞれ対応して複数の流体調整機構１４７を含む。また、複数の供給配管Ｐ４は、それぞれ、複数の流体調整機構１４７に対応して設けられる。供給配管Ｐ４の一端が、対応する流体供給管１Ａに接続される。供給配管Ｐ４の他端が、共通配管Ｐ３に接続される。共通配管Ｐ３は流体供給源ＴＫＣに接続される。
【0272】
複数の流体調整機構１４７は、それぞれ、複数の供給配管Ｐ４に配置される。流体調整機構１４７は、流体供給源ＴＫＣ及び共通配管Ｐ３から供給される流体ＦＬを、対応する供給配管Ｐ４を通して、対応する流体供給管１Ａに供給する。また、流体調整機構１４７は、対応する流体供給管１Ａに供給する流体ＦＬの流量を調整する。その結果、流体供給管１Ａごとに、リンス液１１１に供給される流体ＦＬの量が調整される。実施形態２では、流体調整機構１４７は、対応する流体供給管１Ａへの流体ＦＬの供給と供給停止とを切り替える。
【0273】
流体調整機構１４７は、図２の気泡調整機構１４２と同様の構成を有する。例えば、流体調整機構１４７は、流量調整バルブと、流量計と、フィルターと、バルブとを含む。なお、例えば、流体調整機構１４７は、流量調整バルブ及び流量計に代えて、マスフローコントローラーを備えてもよい。
【0274】
制御装置１６０（制御部１６１）は、第２処理部４０の各構成及び副搬送機構ＬＦ２の各構成を制御する。
【0275】
次に、図２３を参照して、第２薬液槽ＣＨＢ２を説明する。図２３は、第２薬液槽ＣＨＢ２を示す模式的断面図である。図２３に示すように、第２処理部４０は、第２薬液槽ＣＨＢ２と、薬液導入部４２５と、排液部４７０と、気泡調整部４８０と、気泡供給部４００とを備える。第２薬液槽ＣＨＢ２は、内槽４０５と、外槽４１０とを含む。
【0276】
第２薬液槽ＣＨＢ２は第２薬液ＬＱＢを貯留する。具体的には、内槽４０５が、複数の基板Ｗが浸漬される第２薬液ＬＱＢを貯留する。外槽４１０は、内槽４０５の外側に配置され、内槽４０５を囲む。外槽４１０には、内槽４０５に貯留された第２薬液ＬＱＢのうち内槽４０５から溢れた第２薬液ＬＱＢが流入する。
【0277】
副搬送機構ＬＦ２は、基板保持部１２０及び昇降ユニット１２６を含む。基板保持部１２０は、内槽４０５に貯留された第２薬液ＬＱＢに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。その結果、基板Ｗは第２薬液ＬＱＢによって処理される。
【0278】
気泡供給部４００は、内槽４０５に貯留された第２薬液ＬＱＢに気体ＧＡ１を供給する。気体ＧＡ１は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。具体的には、気泡供給部４００は、内槽４０５に貯留された第２薬液ＬＱＢに気体ＧＡ１の気泡ＢＢ１を供給する。
【0279】
詳細には、気泡供給部４００は、内槽４０５の内部に配置される。気泡供給部４００は少なくとも１つの気泡供給管５１を含む。実施形態２では、気泡供給部４００は、複数の気泡供給管５１を含む。複数の気泡供給管５１は内槽４０５の底部側に配置される。複数の気泡供給管５１の各々は複数の気泡孔Ｈ１を有する。
【0280】
複数の気泡供給管５１の各々は、複数の気泡孔Ｈ１の各々から気体ＧＡ１を吐出することで、各気泡孔Ｈ１から第２薬液ＬＱＢに気泡ＢＢ１を供給する。気泡供給管５１は、例えば、バブラー管である。
【0281】
気泡調整部４８０は、気泡供給部４００に供給する気体ＧＡ１の流量を調節することが可能である。具体的には、気泡調整部４８０は、気泡供給部４００に供給する気体ＧＡ１の流量を調節することで、気泡供給部４００が第２薬液ＬＱＢに供給する気泡ＢＢ１の量を調節することが可能である。
【0282】
具体的には、気泡調整部４８０は、気体供給源ＴＫＤから供給される気体ＧＡ１を、複数の供給配管４８１から、それぞれ、複数の気泡供給管５１に供給する。更に具体的には、気泡調整部４８０は、複数の気泡調整機構４８２を含む。気泡調整機構４８２は、気体ＧＡ１を、対応する供給配管４８１を介して、対応する気泡供給管５１に供給する。また、気泡調整機構４８２は、対応する気泡供給管５１に供給する気体ＧＡ１の流量を調節することが可能である。
【0283】
その他、気泡調整部４８０の構成及び動作は、図１の気泡調整部１４０の構成及び動作と同様である。気泡調整機構４８２の構成及び動作は、図１の気泡調整機構１４２の構成及び動作と同様である。また、気泡供給部４００の構成及び動作は、図１の気泡供給部１３５の構成及び動作と同様である。気泡供給管５１の構成及び動作は、図１の気泡供給管１の構成及び動作と同様である。
【0284】
薬液導入部４２５は、外槽４１０に貯留された第２薬液ＬＱＢを内槽４０５に導入する。その結果、内槽４０５と外槽４１０との間で第２薬液ＬＱＢが循環される。
【0285】
薬液導入部４２５は、導入部４３０と、循環部４４０とを含む。
【0286】
導入部４３０は、内槽４０５に第２薬液ＬＱＢを導入する。導入部４３０は、内槽４０５の内部において気泡供給部４００（具体的には気泡供給管５１）の下方に配置される。
【0287】
具体的には、導入部４３０はプレート４２を含む。プレート４２は、内槽４０５の内部を分割して、処理室４１３と導入室４１５とを形成する。処理室４１３は、内槽４０５の内部において、プレート４２よりも上方の室である。導入室４１５は、内槽４０５の内部において、プレート４２よりも下方の室である。
【0288】
プレート４２は複数の薬液孔Ｐを有する。薬液孔Ｐはプレート４２の全面に配置される。複数の気泡供給管５１は、内槽４０５の内部において、プレート４２の上方、かつ、基板Ｗの下方に配置される。
【0289】
導入部４３０は、第２薬液ＬＱＢが内槽４０５に貯留された状態において、複数の薬液孔Ｐから上方に向けて、内槽４０５に第２薬液ＬＱＢを導入する。従って、導入部４３０は、循環部４４０から供給される第２薬液ＬＱＢの層流を発生できる。第２薬液ＬＱＢの層流は、複数の薬液孔Ｐから略鉛直方向Ｄに沿って上方に流れる。
【0290】
具体的には、導入部４３０は、少なくとも１つの吐出部４３１と、少なくとも１つの分散板４３２とを含む。吐出部４３１は、例えば、ノズル又は管である。分散板４３２は、例えば、略平板状である。吐出部４３１及び分散板４３２は導入室４１５に配置される。
【0291】
吐出部４３１は、循環部４４０から供給された第２薬液ＬＱＢを分散板４３２に向けて吐出する。従って、第２薬液ＬＱＢは、分散板４３２に突き当たり、第２薬液ＬＱＢの圧力が分散板４３２によって分散される。そして、分散板４３２によって圧力の分散された第２薬液ＬＱＢは、導入室４１５において略水平方向に拡がる。更に、第２薬液ＬＱＢは、プレート４２の各薬液孔Ｐから上方に向かって層流として処理室４１３に供給される。
【0292】
循環部４４０は、内槽４０５から溢れて外槽４１０に流入した第２薬液ＬＱＢを導入部４３０に供給することで、内槽４０５内の第２薬液ＬＱＢを循環させる。
【0293】
具体的には、循環部４４０は、循環配管４４１、ポンプ４４２、ヒーター４４３、フィルター４４４、調整バルブ４４５、及び、バルブ４４６を含む。
【0294】
循環配管４４１は、外槽４１０と内槽４０５とを接続する。そして、循環配管４４１は、内槽４０５から溢れて外槽４１０に流入した第２薬液ＬＱＢを再び内槽４０５に導く。循環配管４４１の下流端に、導入部４３０（具体的には吐出部４３１）が接続される。
【0295】
ポンプ４４２は、循環配管４４１を介して外槽４１０から内槽４０５に向けて第２薬液ＬＱＢを送出する。吐出部４３１は、循環配管４４１から供給された第２薬液ＬＱＢを吐出する。フィルター４４４は、循環配管４４１を流れる第２薬液ＬＱＢをろ過する。
【0296】
ヒーター４４３は、循環配管４４１を流れる第２薬液ＬＱＢを加熱する。調整バルブ４４５は、調整バルブ４４５の開度が制御されることで、吐出部４３１に供給される第２薬液ＬＱＢの流量を調整する。バルブ４４６は循環配管４４１を開閉する。排液部４７０は、内槽４０５の第２薬液ＬＱＢを排出する。排液部４７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。制御装置１６０（制御部１６１）は、第２処理部４０の各構成及び副搬送機構ＬＦ２の各構成を制御する。
【0297】
次に、図２１～図２５を参照して、基板処理装置３００が実行する基板処理方法を説明する。図２４は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図２４に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１００～工程Ｓ５００を含む。工程Ｓ１００～工程Ｓ５００は、制御部１６１の制御の下で実行される。
【0298】
図２１及び図２４に示すように、まず、工程Ｓ１００において、副搬送機構ＬＦ１（基板保持部）は、複数の基板Ｗを、第１薬液槽ＣＨＢ１に貯留された第１薬液に浸漬する。その結果、第１薬液によって基板Ｗが処理される。つまり、第１処理部３９は、第１薬液槽ＣＨＢ１に貯留された第１薬液によって基板Ｗを処理する。そして、第１薬液槽ＣＨＢ１による処理が完了すると、副搬送機構ＬＦ１（基板保持部）は、複数の基板Ｗを第１薬液槽ＣＨＢ１の第１薬液から引き上げる。
【0299】
次に、工程Ｓ２００において、副搬送機構ＬＦ１（基板保持部）は、複数の基板Ｗを、第１リンス槽ＯＮＢ１に貯留されたリンス液に浸漬する。その結果、リンス液によって基板Ｗがリンスされる。つまり、第１処理部３９は、第１リンス槽ＯＮＢ１に貯留されたリンス液によって基板Ｗをリンスする。そして、第１リンス槽ＯＮＢ１によるリンス処理が完了すると、副搬送機構ＬＦ１（基板保持部）は、複数の基板Ｗを第１リンス槽ＯＮＢ１のリンス液から引き上げる。更に、第２搬送機構ＷＴＲは、基板Ｗを第１処理部３９から第２処理部４０に搬送し、基板Ｗを副搬送機構ＬＦ２に引き渡す。
【0300】
次に、工程Ｓ３００において、副搬送機構ＬＦ２（基板保持部１２０）は、複数の基板Ｗを、第２薬液槽ＣＨＢ２に貯留された第２薬液ＬＱＢに浸漬する。その結果、第２薬液ＬＱＢによって基板Ｗが処理される。つまり、第２処理部４０は、第２薬液槽ＣＨＢ２に貯留された第２薬液ＬＱＢによって基板Ｗを処理する。そして、第２薬液槽ＣＨＢ２による処理が完了すると、副搬送機構ＬＦ２（基板保持部１２０）は、複数の基板Ｗを第２薬液槽ＣＨＢ２の第２薬液ＬＱＢから引き上げる。
【0301】
次に、工程Ｓ４００において、副搬送機構ＬＦ２（基板保持部１２０）は、複数の基板Ｗを、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に浸漬する。その結果、リンス液１１１によって基板Ｗがリンスされる。つまり、第２処理部４０は、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１によって基板Ｗをリンスする。そして、第２リンス槽ＯＮＢ２によるリンス処理が完了すると、副搬送機構ＬＦ２（基板保持部１２０）は、複数の基板Ｗを第２リンス槽ＯＮＢ２のリンス液１１１から引き上げる。更に、第２搬送機構ＷＴＲは、基板Ｗを、第２処理部４０から乾燥槽ＬＰＤ２に搬送する。
【0302】
次に、工程Ｓ５００において、乾燥槽ＬＰＤ２は、複数の基板Ｗを乾燥する。乾燥槽ＬＰＤ２による乾燥が完了すると、第２搬送機構ＷＴＲは、複数の基板Ｗを乾燥槽ＬＰＤ２から取り出す。そして、基板処理方法が終了する。
【0303】
図２５は、図２４の工程Ｓ４００の詳細を示すフローチャートである。つまり、図２５は、第２リンス槽ＯＮＢ２による基板Ｗのリンス処理を示す。図２５に示すように、第２リンス槽ＯＮＢ２による基板Ｗのリンス処理（図２４の工程Ｓ４００）は、工程Ｓ１Ａ～工程Ｓ６Ａを含む。工程Ｓ１Ａ～工程Ｓ６Ａは、制御部１６１の制御の下で実行される。基板処理方法の説明においては、第２リンス槽ＯＮＢ２に対して、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭが設定される。「Ｍ」は、２以上の整数である。
【0304】
図２２及び図２５に示すように、まず、工程Ｓ１Ａにおいて、流体供給部１５５の各流体供給管１Ａは、基板Ｗの下方から、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に対して、流体ＦＬの供給を開始する。工程Ｓ１Ａは、本発明の「流体供給工程」の一例に相当する。
【0305】
次に、工程Ｓ２Ａにおいて、全ての処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に向けて、リンス液１１１の供給を開始する。
【0306】
次に、工程Ｓ３Ａにおいて、基板保持部１２０は、第２リンス槽ＯＮＢ２とは別の第２薬液槽ＣＨＢ２に貯留された第２薬液ＬＱＢによる処理後の基板Ｗを、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に浸漬する。工程Ｓ３Ａは、本発明の「浸漬工程」の一例に相当する。
【0307】
次に、工程Ｓ４Ａにおいて、処理液供給部Ａｎを切り替えながら、１以上の処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部にリンス液１１１を供給する。工程Ｓ４Ａは、本発明の「リンス液供給工程」の一例に相当する。
【0308】
具体的には、工程Ｓ４Ａは、工程Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３、Ｓ４４、…、Ｓ４Ｍを含む。まず、工程Ｓ４１において、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部に向けてリンス液１１１を供給する。次に、工程Ｓ４２において、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部に向けてリンス液１１１を供給する。以下、順次、工程Ｓ４３、Ｓ４４、…、Ｓ４Ｍが実行される。工程Ｓ４Ｍにおいて、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部に向けてリンス液１１１を供給する。このように、工程Ｓ４Ａでは、グループに属する処理液供給部Ａｎは、グループごとに異なる期間にリンス液１１１を供給する。
【0309】
次に、工程Ｓ５Ａにおいて、全ての処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に向けて、リンス液１１１の供給を開始する。
【0310】
次に、工程Ｓ６Ａにおいて、基板保持部１２０は、リンス液１１１から基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法は終了する。
【0311】
以上、図２５を参照して説明したように、実施形態２によれば、１以上の処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２の内部にリンス液１１１を供給する（工程Ｓ４Ａ）。また、流体供給部１５５は、基板Ｗの下方からリンス液１１１に対して、流体ＦＬを供給する（工程Ｓ１Ａ）。具体的には、複数の流体供給管１Ａの各々は、第２リンス槽ＯＮＢ２のリンス液１１１に対して流体ＦＬを供給する。また、複数の流体供給管１Ａの各々において、複数の流体孔２Ａの各々は、第２リンス槽ＯＮＢ２のリンス液１１１に対して流体ＦＬを供給する。このように、第２リンス槽ＯＮＢ２の底部側の異なる位置から、リンス液１１１に向けて流体ＦＬが供給される。
【0312】
流体ＦＬは、基板Ｗに残留した第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換を促進する。従って、実施形態２によれば、基板Ｗの外側領域ＡＲ１（図２０）よりも第２薬液ＬＱＢが残留し易い内側領域ＡＲ２においても、第２薬液ＬＱＢがリンス液１１１に速やかに置換される。その結果、流体ＦＬを供給しない場合（例えば、図１９に示す第２参考例）と比較して、基板Ｗの面内全域にわたって処理量（例えば、エッチング量）を略均一にすることができる。つまり、基板Ｗの面内において処理量（例えば、エッチング量）にムラが発生することを抑制できる。特に、流体ＦＬを供給しない場合と比較して、第２リンス槽ＯＮＢ２の底部側の異なる位置から供給される流体ＦＬによって、基板Ｗの面内全域において、第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換速度を速くすることができる。つまり、リンス処理のスループットを向上できる。
【0313】
流体ＦＬが基板Ｗ上（基板Ｗ表面）において第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換を促進する理由として、例えば、流体ＦＬの上昇流によって、基板Ｗの表面に乱流が発生し、基板Ｗの表面の第２薬液ＬＱＢがリンス液１１１に置換され易くなることが考えられる。換言すれば、流体ＦＬの上昇流によって、基板Ｗの表面に乱流が発生し、基板Ｗの表面において、第２薬液ＬＱＢ及びリンス液１１１が滞留することを抑制できる。
【0314】
特に、流体ＦＬがリンス液の場合は、リンス液への置換がより効果的に実行される。すなわち、リンス液である流体ＦＬの上昇流によって、基板Ｗの表面にリンス液の乱流が発生し、基板Ｗの表面の第２薬液ＬＱＢが、リンス液に、より置換され易くなると考えられる。換言すれば、リンス液である流体ＦＬの上昇流によって、基板Ｗの表面にリンス液の乱流が発生し、基板Ｗの表面において、第２薬液ＬＱＢ及びリンス液が滞留することを更に抑制できる。また、リンス液である流体ＦＬの上昇流によって、基板Ｗの表面に新鮮なリンス液を効果的に送り込むことができる。
【0315】
なお、流体ＦＬが気体である場合が、流体ＦＬが液体である場合よりも、より効果的に、第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換を促進できる。なぜなら、流体ＦＬが気体である場合が、流体ＦＬが液体である場合よりも、流体ＦＬの上昇速度が速く、効果的に乱流を発生できるからである。
【0316】
また、実施形態２において、基板Ｗの面内において処理量（例えば、エッチング量）にムラが発生することを抑制できる理由として、次のことが考えられる。すなわち、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１による処理槽１１０内の不均一な流れが、第２リンス槽ＯＮＢ２の底部側の異なる位置から供給される流体ＦＬの上昇流によって整流される。その結果、基板Ｗの外側領域ＡＲ１（図２０）と内側領域ＡＲ２（図２０）とで、第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換効率が同等になると考えられる。よって、基板Ｗの面内において処理量にムラが発生することを抑制できる。
【0317】
なお、例えば、流体ＦＬを供給しない場合、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１に起因する処理槽１１０内の流れによって、リンス液１１１は、基板Ｗの内側領域ＡＲ２（図２０）よりも外側領域ＡＲ１（図２０）に流れ易い場合がある。従って、流体ＦＬを供給しない場合、基板Ｗの内側領域ＡＲ２に第２薬液ＬＱＢ及びリンス液１１１が滞留し易い場合がある。そこで、実施形態２では、第２リンス槽ＯＮＢ２の底部側の異なる位置から流体ＦＬを供給することで、処理液供給部Ａｎから供給されるリンス液１１１による処理槽１１０内の不均一な流れが流体ＦＬの上昇流によって整流される。その結果、基板Ｗの外側領域ＡＲ１と内側領域ＡＲ２とで、第２薬液ＬＱＢからリンス液１１１への置換効率が同等になると考えられる。
【0318】
また、実施形態２によれば、第１リンス槽ＯＮＢ１でリンス液（以下、「リンス液ＲＮ」と記載）によるリンス処理を行い、第２薬液槽ＣＨＢ２で第２薬液ＬＱＢによる薬液処理を行い、第２リンス槽ＯＮＢ２でリンス液１１１によるリンス処理を行っている。つまり、リンス処理と薬液処理とが異なる槽で実行される。従って、ロットごとに、リンス液ＲＮ、リンス液１１１及び第２薬液ＬＱＢを交換することが要求されない。その結果、第１参考例（図１８）と比較して、リンス液ＲＮ、リンス液１１１及び第２薬液ＬＱＢの使用量を低減できる。つまり、リンス液ＲＮ、リンス液１１１及び第２薬液ＬＱＢを再利用できる。従って、リンス液ＲＮ、リンス液１１１及び第２薬液ＬＱＢの廃棄量を低減できる。
【0319】
（変形例）
図２２及び図２６を参照して、実施形態２の変形例を説明する。変形例では、リンス液１１１の供給流量の調整と、流体ＦＬの供給流量の調整とを細かく実行する点で、リンス液１１１の供給の開始・停止と、流体ＦＬの供給の開始・停止とを実行する実施形態２と主に異なる。以下、変形例が実施形態２と異なる点を主に説明する。
図２２及び図２６を参照して、実施形態２の変形例を説明する。変形例では、リンス液１１１の供給流量の調整と、流体ＦＬの供給流量の調整とを細かく実行する点で、リンス液１１１の供給の開始・停止と、流体ＦＬの供給の開始・停止とを実行する実施形態２と主に異なる。以下、変形例が実施形態２と異なる点を主に説明する。
【0320】
変形例では、図２２に示す処理液流量調整部１３０は、処理液供給部Ａｎごとにリンス液１１１の供給流量を調整する。
【0321】
変形例では、リンス液１１１の供給流量の調整は、リンス液１１１の供給の開始・停止に加えて、１グループ内の処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給流量を変更すること、又は、複数のグループ間で処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給流量を変更することを含む。リンス液１１１の供給流量の変更は、供給流量を段階的に変更すること、又は、供給流量を連続的に変更することを含む。
【0322】
また、変形例では、流体調整部１４５は、流体供給管１Ａごとに、流体ＦＬの供給流量を調整する。
【0323】
変形例では、流体ＦＬの供給流量の調整は、流体ＦＬの供給の開始・停止に加えて、流体ＦＬの供給流量を変更することを含む。流体ＦＬの供給流量の変更は、供給流量を段階的に変更すること、又は、供給流量を連続的に変更することを含む。
【0324】
次に、図２４及び図２６を参照して、変形例に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置３００によって実行される。図２４に示すように、変形例に係る基板処理方法は、工程Ｓ１００～工程Ｓ５００を含む。図２６は、実施形態２の変形例に係る図２４の工程Ｓ４００を示すフローチャートである。つまり、図２６は、変形例に係る第２リンス槽ＯＮＢ２による基板Ｗのリンス処理を示す。図２６に示すように、第２リンス槽ＯＮＢ２による基板Ｗのリンス処理（図２４の工程Ｓ４００）は、工程Ｓ１１Ａ～工程Ｓ１７Ａを含む。工程Ｓ１１Ａ～工程Ｓ１７Ａは、制御部１６１の制御の下で実行される。
【0325】
【0326】
図２６に示すように、工程Ｓ１３Ａの次において、工程Ｓ１４Ａと工程Ｓ１５Ａとが並行して実行される。
【0327】
工程Ｓ１４Ａでは、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭにおいて、処理液流量調整部１３０によって、処理液供給部Ａｎごとにリンス液１１１の供給流量が調整される。
【0328】
具体的には、工程Ｓ１４Ａは、工程Ｓ１４１、Ｓ１４２、Ｓ１４３、Ｓ１４４、…、Ｓ１４Ｍを含む。まず、工程Ｓ１４１において、処理液流量調整部１３０は、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給流量を調整する。次に、工程Ｓ１４２において、処理液流量調整部１３０は、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給流量を調整する。以下、順次、工程Ｓ１４３、Ｓ１４４、…、Ｓ１４Ｍが実行される。工程Ｓ１４Ｍにおいて、処理液流量調整部１３０は、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給流量を調整する。このように、工程Ｓ１４Ａでは、グループに属する処理液供給部Ａｎの供給流量が、グループごとに異なる期間においてグループごとに調整される。
【0329】
一方、工程Ｓ１５Ａでは、第１グループＧ１～第ＭグループＧＭによるリンス液１１１の供給に対応して、流体調整部１４５によって、流体供給管１Ａごとに、流体ＦＬの供給流量が調整される。
【0330】
具体的には、工程Ｓ１５Ａは、工程Ｓ１５１、Ｓ１５２、Ｓ１５３、Ｓ１５４、…、Ｓ１５Ｍを含む。まず、工程Ｓ１５１において、流体調整部１４５は、第１グループＧ１に属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給に対応して、流体ＦＬの供給流量を調整する。次に、工程Ｓ１５２において、流体調整部１４５は、第２グループＧ２に属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給に対応して、流体ＦＬの供給流量を調整する。以下、順次、工程Ｓ１５３、Ｓ１５４、…、Ｓ１５Ｍが実行される。工程Ｓ１５Ｍにおいて、流体調整部１４５は、第ＭグループＧＭに属する処理液供給部Ａｎからのリンス液１１１の供給に対応して、流体ＦＬの供給流量を調整する。このように、工程Ｓ１５Ａでは、流体ＦＬの供給流量が、各グループによるリンス液１１１の供給に対応して調整される。
【0331】
次に、工程Ｓ１６Ａにおいて、全ての処理液供給部Ａｎから、第２リンス槽ＯＮＢ２に貯留されたリンス液１１１に向けて、リンス液１１１の供給を開始する。
【0332】
次に、工程Ｓ１７Ａにおいて、基板保持部１２０は、リンス液１１１から基板Ｗを引き上げる。そして、基板処理方法は終了する。
【0333】
以上、図面を参照して本発明の実施形態（変形例を含む。）について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0334】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0335】
（１）図１において、処理液供給部Ａｎの処理液孔３の向きは特に限定されない。例えば、処理液孔３は、水平方向を向いていてもよいし、斜め上方を向いていてもよい。また、気泡供給管１の気泡孔２の向きは特に限定されない。例えば、気泡孔２は、斜め上方を向いていてもよい。
【0336】
（２）図１において、第１処理液供給部Ａｎの数は、特に限定されず、１つでもよいし、２つでもよいし、４以上でもよい。同様に、第２処理液供給部Ａｎの数は、特に限定されず、１つでもよいし、２つでもよいし、４以上でもよい。また、気泡供給管１の数も特に限定されない。
【0337】
（３）図２において、処理液流量調整機構１３２は、流量計ａ１及び調整バルブａ２を有していなくてもよい。また、気泡調整機構１４２は、調整バルブｂ１、流量計ｂ２、及び、フィルターｂ３を有していなくてもよい。
【0338】
（４）図１において、気泡ＢＢを供給する機構は、気泡供給管１に限定されない。例えば、処理槽１１０の底部に配置されたパンチングプレートに設けられた複数の孔から気泡ＢＢを供給してもよい。
【0339】
（５）図１において、各グループを構成する処理液供給部Ａｎは、任意に定めることができ、特に限定されない。また、各グループを構成する処理液供給部Ａｎの数も、任意に定めることができ、特に限定されない。更に、処理液供給部Ａｎのグループの数は、２以上であればよく、特に限定されない。更に、グループ間で、処理液供給部Ａｎの数が、異なっていてもよいし、同じであってもよい。更に、グループを構成する処理液供給部Ａｎは、鉛直方向Ｄに延びる中心線に対して、対称であってもよいし、非対称であってもよい。
【0340】
（６）図１１を参照して説明した第２変形例において、基板処理方法は、工程Ｓ１５において気体ＧＡの流量を調整しなくてもよい。また、基板処理方法は、工程Ｓ１４において、処理液ＬＱの供給流量を調整しなくてもよい。つまり、工程Ｓ１４に換えて、図１０の工程Ｓ４を実行してもよい。
【0341】
（７）あるグループにおいて処理液ＬＱの流量を減少させた後に、次のグループに切り替えてもよい。
【0342】
（８）第４変形例において、領域１５、１６の形状は、特に限定されず、例えば、三角形でもよいし、長方形でもよい。
【0343】
（９）第４変形例において、１ロット（例えば、２５枚又は５０枚）の学習用基板Ｗａを利用して機械学習を実行してもよい。この場合、ロット内において複数の基板Ｗ間で、処理液ＬＱによる処理ムラを抑制できる。また、例えば、１ロットを構成する複数枚の学習用基板Ｗａのうち、第２方向Ｄ２０における中央の学習用基板Ｗａと、第２方向Ｄ２０における一方端の学習用基板Ｗａと、第２方向Ｄ２０における他方端の学習用基板Ｗａとを利用して、機械学習を実行してもよい。この場合も、ロット内において複数の基板Ｗ間で、処理液ＬＱによる処理ムラを抑制できる。
【産業上の利用可能性】
【0344】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【0345】
１００、１００Ａ、１００Ｂ、３００ 基板処理装置
１１０ 処理槽（リンス槽）
１１６ 第１側壁
１１７ 第２側壁
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液流量調整部
１３５ 気泡供給部
１４０ 気泡調整部
１４５ 流体調整部
１５５ 流体供給部
１６１ 制御部
１６２ 記憶部
２１０ 第２薬液槽（薬液槽）
Ａｎ 処理液供給部（リンス液供給部）
Ａ１～Ａ３ 第１処理液供給部（第１リンス液供給部）
Ａ４～Ａ６ 第２処理液供給部（第２リンス液供給部）
ＯＮＢ２ 第２リンス槽（リンス槽）
Ｗ 基板
１１０ 処理槽（リンス槽）
１１６ 第１側壁
１１７ 第２側壁
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液流量調整部
１３５ 気泡供給部
１４０ 気泡調整部
１４５ 流体調整部
１５５ 流体供給部
１６１ 制御部
１６２ 記憶部
２１０ 第２薬液槽（薬液槽）
Ａｎ 処理液供給部（リンス液供給部）
Ａ１～Ａ３ 第１処理液供給部（第１リンス液供給部）
Ａ４～Ａ６ 第２処理液供給部（第２リンス液供給部）
ＯＮＢ２ 第２リンス槽（リンス槽）
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】