特開 2024-46616 接着層を有するパッケージ構造及びそのパッケージ方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024046616

(43)【公開日】2024-04-03

(54)【発明の名称】接着層を有するパッケージ構造及びそのパッケージ方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20240327BHJP

   H01L 25/04 20230101ALI20240327BHJP

   H01L 25/07 20060101ALI20240327BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 501P

H01L25/04 Z

H01L25/08 H

【審査請求】有

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023149194

(22)【出願日】2023-09-14

(31)【優先権主張番号】111135998

(32)【優先日】2022-09-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】311005208

【氏名又は名称】▲き▼邦科技股▲分▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】110003214

【氏名又は名称】弁理士法人服部国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】▲黄▼宇中

(72)【発明者】

【氏名】蔡欣諺

(72)【発明者】

【氏名】陳法仲

(72)【発明者】

【氏名】林政帆

(72)【発明者】

【氏名】王晨聿

(57)【要約】

【課題】接着層を有するパッケージ構造を提供する。
【解決手段】第１再配線層１１０と、接着層１２０と、第１電子素子１３０と、を含んで構成されている。第１再配線層１１０は第１上面１１１及び第１下面１１２を含む。第１上面１１１は複数の上部バンプ１１１aを有する。第１下面１１２は複数の導電性パッド１１２aを有する。接着層１２０は第１再配線層１１０の第１上面１１１に位置し、上部バンプ１１１aを囲繞する。第１電子素子１３０は接着層１２０に設置されている。第１電子素子１３０は第１能動面及び複数の導体を有する。導体は第１能動面に露出される。第１能動面は第１上面１１１に向けられる。各導体は各上部バンプ１１１aに接続されている。接着層１２０の２面の接着面は第１上面１１１及び第１能動面にそれぞれ接着されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の上部バンプ（１１１ａ）を有している第１上面（１１１）、及び複数の導電性パッド（１１２ａ）を有している第１下面（１１２）を含む第１再配線層（１１０）と、
前記第１再配線層の前記第１上面に位置している接着層（１２０）であって、前記接着層は前記上部バンプを囲繞している前記接着層と、
前記接着層に設置されている第１電子素子（１３０）であって、前記第１電子素子は第１能動面及び複数の導体を有し、前記導体は前記第１能動面に露出され、前記第１能動面は前記第１上面に向けられ、各前記導体は各前記上部バンプに接続され、前記接着層の２面の接着面は前記第１上面及び前記第１能動面にそれぞれ接着されている第１電子素子と、を備えていることを特徴とする接着層を有するパッケージ構造。

【請求項2】

前記接着層は有機接着材料が硬化することで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項3】

前記第１再配線層の前記第１下面に位置していると共に、前記導電性パッドのそれぞれに接続されている複数の導電性素子を備えていることを特徴とする請求項１に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項4】

前記第１電子素子は、第１封止体（１３１）と、第１ダイ（１３２）と、複数の第１はんだバンプ（１３３）と、を有し、前記第１はんだバンプは前記第１ダイに位置し、前記第１封止体は前記第１ダイ及び前記第１はんだバンプを囲繞し、前記第１封止体の第１露出面（１３１ａ）は前記第１はんだバンプのそれぞれの第１接続面（１３３ａ）を露出させ、前記第１露出面は前記第１電子素子の前記第１能動面であり、前記第１はんだバンプは前記第１電子素子の前記導体であることを特徴とする請求項１に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項5】

前記第１電子素子は第２再配線層（１３４）を有し、前記第２再配線層は第２下面（１３４ａ）及び第２上面（１３４ｂ）を有し、前記第２下面の複数の下部再配線パッド（１３４ｃ）は前記上部バンプに接続され、前記第２上面の複数の上部再配線パッド（１３４ｄ）は前記第１はんだバンプに接続され、前記第２下面は前記第１電子素子の前記第１能動面であり、前記下部再配線パッドは前記第１電子素子の前記導体であることを特徴とする請求項４に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項6】

第２電子素子（１５０）及び第３再配線層（１６０）を含み、前記第２電子素子は、第２封止体（１５１）と、第２ダイ（１５２）と、複数の第２はんだバンプ（１５３）と、を有し、前記第２ダイは下部導電面（１５２ａ）及び上部導電面（１５２ｂ）を有し、前記第２はんだバンプの両端は前記下部導電面及び前記第３再配線層の複数の上部導電性パッド（１６１）にそれぞれ接続され、前記第２封止体は前記第２ダイ及び前記第２はんだバンプを囲繞し、前記第２ダイの前記上部導電面及び前記第２はんだバンプの第２接続面（１５３ａ）は前記第２封止体の外に露出され、前記第２ダイの前記上部導電面は前記第１再配線層の前記導電性パッドに接続されていることを特徴とする請求項５に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項7】

第３再配線層の複数の下部導電性パッド（１６２）に接続されている複数の導電性素子（１４０）を備えていることを特徴とする請求項６に記載の接着層を有するパッケージ構造。

【請求項8】

複数の上部バンプを有している第１上面、及び複数の導電性パッドを有している第１下面を含む第１再配線層を提供するステップと、
前記第１再配線層の前記第１上面に位置していると共に、前記上部バンプを囲繞する接着層を前記第１再配線層に形成するステップと、
前記接着層を平坦化し、前記上部バンプを前記接着層に露出するステップと、
前記接着層に第１電子素子を設置し、前記第１電子素子は第１能動面及び複数の導体を有し、前記導体は前記第１能動面に露出され、前記第１能動面は前記第１上面に向けられているステップと、
前記第１電子素子及び前記第１再配線層を熱圧着し、各前記導体を各前記上部バンプに接続させ、前記接着層の２面の接着面は熱圧着中に前記第１上面及び前記第１能動面にそれぞれ接着するステップと、を含むことを特徴とする接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項9】

前記第１再配線層に前記接着層を形成するステップは、有機接着材料を前記第１再配線層に塗布するステップと、前記有機接着材料を加熱すると共に冷却することで前記接着層として硬化させるステップと、を含むことを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項10】

前記接着層を平坦化するステップでは、フライカットプロセス（Ｆｌｙ－ｃｕｔ）により前記接着層を切削することを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項11】

前記第１電子素子及び前記第１再配線層を熱圧着した後、前記接着層を再度昇温及び冷却し、最終硬化を完了するステップを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項12】

複数の導電性素子を前記第１再配線層の前記第１下面に設置し、且つ各前記導電性素子を各前記導電性パッドに接続するステップを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項13】

前記第１電子素子の製造方法は、第１ダイに複数の第１はんだバンプを形成し、前記第１ダイ及び前記第１はんだバンプを被覆する第１封止体を形成し、前記第１封止体を平坦化して第１露出面を形成し、前記第１露出面からは前記第１はんだバンプのそれぞれの第１接続面を露出し、前記第１露出面は前記第１電子素子の前記第１能動面であり、前記第１はんだバンプは前記第１電子素子の前記導体であることを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項14】

前記第１電子素子の製造方法は、第１ダイに複数の第１はんだバンプを形成し、前記第１ダイ及び前記第１はんだバンプを被覆する第１封止体を形成し、前記第１封止体を平坦化して第１露出面を形成し、前記第１露出面からは前記第１はんだバンプのそれぞれの第１接続面を露出し、第２下面及び第２上面を有している第２再配線層を前記第１露出面に形成し、前記第２上面の複数の上部再配線パッドを前記第１はんだバンプに接続し、前記第２下面は前記第１電子素子の前記第１能動面であり、前記第２下面の複数の下部再配線パッドは前記第１電子素子の前記導体であり、前記第１電子素子及び前記第１再配線層が熱圧着されると、前記第２下面の複数の下部再配線パッドが前記上部バンプに接続されることを特徴とする請求項８に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項15】

前記第１再配線層は第２電子素子及び第３再配線層に設置され、前記第２電子素子は、第２封止体と、第２ダイと、複数の第２はんだバンプと、を有し、前記第２ダイは下部導電面及び上部導電面で構成され、前記第２はんだバンプの両端は前記下部導電面及び前記第３再配線層の複数の上部導電性パッドにそれぞれ接続され、前記第２封止体は前記第２ダイ及び前記第２はんだバンプを囲繞し、前記第２ダイの前記上部導電面及び前記第２はんだバンプの第２接続面は前記第２封止体の外に露出され、前記第２ダイの前記上部導電面は前記第１再配線層の前記導電性パッドに接続されていることを特徴とする請求項１４に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【請求項16】

複数の導電性素子を前記第３再配線層の複数の下部導電性パッドに設置し、各前記導電性素子を各前記下部導電性パッドに接続するステップを含むことを特徴とする請求項１５に記載の接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、パッケージ構造及びそのパッケージ方法に関し、更に詳しくは、接着層を有するパッケージ構造及びそのパッケージ方法（Ａ ｐａｃｋａｇｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｗｉｔｈ ａｄｈｅｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ ａｎｄ ａ ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｓａｍｅ）に関するものである。

【背景技術】

【0002】

現在、半導体のパッケージは、半導体チップの信号伝送速度及びパワー密度を高めるために、構造の高密度化に向けて発展している。よくあるパッケージ構造は、Ｓｉ貫通電極（ＴＳＶ）により異なるダイを垂直に堆積し、Ｓｉ貫通電極の金属により信号を伝送している。また、再配線層（ＲＤＬ）により異なるダイを同じパッケージ構造に設置可能にしている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

しかしながら、前述した従来のパッケージ技術では、ダイと再配線層とを熱圧着する場合、ダイ自体の応力により反り返りやすく、接合強度が影響を受けた。また、ダイのはんだバンプと再配線層の接合バンプとの間に位置偏差が生じやすく、バンプとバンプとの間の接触面積が小さくなり、その接合強度に影響が及ぶ。

【0004】

そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に至った。

【0005】

本発明は、上述に鑑みてなされたものであり、その目的は、接着層により再配線層及び電子素子を接着することで、２つの素子間の接合強度を大幅に高め、より複雑なパッケージ構造を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明の一態様に係る接着層（１２０）を有するパッケージ構造は、第１再配線層（１１０）と、接着層（１２０）と、第１電子素子（１３０）と、を含んで構成されている。前記第１再配線層は第１上面（１１１）及び第１下面（１１２）を含み、前記第１上面は複数の上部バンプ（１１１ａ）を有し、前記第１下面は複数の導電性パッドを有し、前記接着層は前記第１再配線層の前記第１上面に位置し、前記接着層は前記上部バンプを囲繞し、前記第１電子素子は前記接着層に設置されている。前記第１電子素子は第１能動面及び複数の導体を有し、前記導体は前記第１能動面に露出され、前記第１能動面は前記第１上面に向けられ、前記導体のそれぞれは前記上部バンプのそれぞれに接続されている。前記接着層の２面の接着面は前記第１上面及び前記第１能動面にそれぞれ接着されている。

【0007】

上記目的を達成するため、本発明はさらに接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法を提供する。
本発明に係る接着層を有するパッケージ構造のパッケージ方法は、複数の上部バンプを有している第１上面、及び複数の導電性パッドを有している第１下面を含む第１再配線層を提供するステップと、第１再配線層の第１上面に位置していると共に、上部バンプを囲繞する接着層を第１再配線層に形成するステップと、接着層を平坦化し、上部バンプを接着層に露出するステップと、接着層に第１電子素子を設置し、第１電子素子は第１能動面及び複数の導体を有し、導体は第１能動面に露出され、第１能動面は第１上面に向けられているステップと、第１電子素子及び第１再配線層を熱圧着し、導体のそれぞれを上部バンプのそれぞれに接続させ、接着層の２面の接着面は熱圧着中に第１上面及び第１能動面にそれぞれ接着するステップと、を含む。

【発明の効果】

【0008】

本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
本発明は接着層により第１再配線層及び第１電子素子を接着することで、第１再配線層と第１電子素子との間の接合強度を大幅に高め、パッケージ構造を更に複雑で簡潔な設計にし、信号伝送速度及びパワー密度を高めている。

【0009】

本発明の他の目的、構成及び効果については、以下の発明の実施の形態の項から明らかになるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の第１実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。

【図2】本発明の第２実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。

【図3】本発明の第３実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。

【図4】本発明の第４実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。

【図5a】本発明の第１実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図5b】本発明の第１実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図5c】本発明の第１実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図6a】本発明の第３実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図6b】本発明の第３実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図6c】本発明の第３実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図7a】本発明の第４実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図7b】本発明の第４実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【図7c】本発明の第４実施例に係るパッケージ構造のパッケージ方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能である。
＜第１実施例＞

【0012】

図１は本発明の第１実施例に係る接着層を有するパッケージ構造１００を示す断面図である。第１再配線層１１０と、接着層１２０と、第１電子素子１３０と、を含んで構成されている。第１再配線層１１０は第１上面１１１及び第１下面１１２を含み、第１上面１１１は複数の上部バンプ１１１ａを有し、第１下面１１２は複数の導電性パッド１１２ａを有している。第１再配線層１１０は少なくとも１つの回路層及び絶縁層を更に有し、回路層は上部バンプ１１１ａのそれぞれと導電性パッド１１２ａのそれぞれとの間を電気的に接続するために用いられ、絶縁層は金属層を積載及び絶縁するために用いられている。第１再配線層１１０内部の回路層の実施方式は多様であり、本発明の主要な技術的特徴ではないため、図中では数個のブロックで図示するのみとする。

【0013】

接着層１２０は第１再配線層１１０の第１上面１１１に位置すると共に上部バンプ１１１ａを囲繞している。本実施例では、接着層１２０は有機接着材料が硬化することで形成され、好ましくは、接着層１２０の熱膨張係数は第１再配線層１１０の絶縁層に相似し、後続の高温プロセスで熱膨張が不均一になって反り返る問題の発生を防いでいる。第１電子素子１３０は接着層１２０に設置され、第１電子素子１３０は第１能動面及び複数の導体を有し、導体は第１能動面に露出されている。第１能動面は第１上面１１１に向けられ、導体のそれぞれは上部バンプ１１１ａのそれぞれに接続されている。接着層１２０の２面の接着面は第１上面１１１及び第１能動面にそれぞれ接着されている。

【0014】

図１に示すように、本実施例では、第１電子素子１３０は、第１封止体１３１と、第１ダイ１３２と、複数の第１はんだバンプ１３３と、を有し、第１はんだバンプ１３３は第１ダイ１３２に位置し、第１封止体１３１は第１ダイ１３２及び第１はんだバンプ１３３を囲繞し、第１封止体１３１の第１露出面１３１ａには第１はんだバンプ１３３のそれぞれの第１接続面１３３ａが露出されている。第１封止体１３１の第１露出面１３１ａは第１電子素子１３０の第１能動面であり、第１はんだバンプ１３３は第１電子素子１３０の導体である。本実施例では、第１封止体１３１はパッケージエポキシ樹脂封止材（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）であり、第１はんだバンプ１３３は金属合金または単一の金属である。

【0015】

本実施例は熱圧着により第１電子素子１３０の第１はんだバンプ１３３のそれぞれと第１再配線層１１０の上部バンプ１１１ａのそれぞれとを共晶接合し、熱圧着の加熱温度により接着層１２０を再度溶融すると共に第１電子素子１３０の第１露出面１３１ａ及び第１再配線層１１０の第１上面１１１を接着し、接着層１２０を熱圧着完了後に冷却して硬化し、熱圧着の加温により接着層１２０の溶剤を揮発させることで硬度を高めている。本実施例は接着層１２０により第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０を接着し、金属バンプの共晶接合により２つの素子間の接合強度を大幅に高めているのみならず、第１電子素子１３０が熱圧着プロセス中に反り返るのを防止し、接着層を有するパッケージ構造１００を更に複雑な設計としている。

【0016】

図１を参照すると、接着層を有するパッケージ構造１００は複数の導電性素子１４０を更に備え、導電性素子１４０は第１再配線層１１０の第１下面１１２に位置していると共に導電性パッド１１２ａのそれぞれに接続されている。導電性素子１４０により接着層を有するパッケージ構造１００と回路基板やフレキシブル回路基板のような他の電子素子とを相互に接続すると共に信号を伝送させている。本実施例では、導電性素子１４０ははんだボールであり、他の実施例では、導電性素子１４０は、はんだバンプ、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、またはワイヤ・ボンディング（Ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）でもよい。

【0017】

図１に示すように、本実施例では、第１封止体１３１は２つの第１ダイ１３２を有し、他の実施例では、第１封止体１３１は１つまたは複数の第１ダイ１３２のみを有しているが、本発明は第１ダイ１３２の数量に制限はない。
＜第２実施例＞

【0018】

或いは、図２は本発明の第２実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。本実施例の第１実施例との相違点について、第１再配線層１１０は２つの第１電子素子１３０を有し、２つの第１電子素子１３０はそれぞれＣＰＵチップ及びメモリチップであり、且つ２つの電子素子１３０は第１再配線層１１０により相互に電気的に接続されているか、第１再配線層１１０の第１下面１１２に位置している導電性素子１４０に導電するように接続され、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ ｉｎ Ｐａｃｋａｇｅ）の構造を達成している。
＜第３実施例＞

【0019】

図３は本発明の第３実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。本実施例の第１実施例との相違点について、第１電子素子１３０は第２再配線層１３４を更に有し、第２再配線層１３４は第２下面１３４ａ及び第２上面１３４ｂを含み、第２下面１３４ａの複数の下部再配線パッド１３４ｃは上部バンプ１１１ａに接続され、第２上面１３４ｂの複数の上部再配線パッド１３４ｄは第１はんだバンプ１３３に接続されている。本実施例では、第２下面１３４ａは第１電子素子１３０の第１能動面であり、下部再配線パッド１３４ｃは第１電子素子１３０の導体である。第２再配線層１３４を設置することで、下部再配線パッド１３４ｃのそれぞれと上部バンプ１１１ａのそれぞれとの間の接触面積を増やし、第１電子素子１３０と第１再配線層１１０との間に更に柔軟な回路レイアウトを有している。また、好ましくは、第２再配線層１３４は支持及び絶縁するための絶縁体を有し、絶縁体は有機接着材料または接着層１２０の熱膨張係数と相似する有機ポリマーで製造され、同様に第２再配線層１３４及び接着層１２０が熱圧着される際に、熱膨張係数の違いにより剥離するのを防止している。
＜第４実施例＞

【0020】

図４は本発明の第４実施例に係るパッケージ構造を示す断面図である。本実施例の第３実施例との相違点について、第２電子素子１５０及び第３再配線層１６０を更に含み、第２電子素子１５０は、第２封止体１５１と、第２ダイ１５２と、複数の第２はんだバンプ１５３と、を有している。第２ダイ１５２は下部導電面１５２ａ及び上部導電面１５２ｂを含み、第２はんだバンプ１５３の両端は下部導電面１５２ａ及び第３再配線層１６０の複数の上部導電性パッド１６１にそれぞれ接続され、第２封止体１５１は第２ダイ１５２及び第２はんだバンプ１５３を囲繞している。第２ダイ１５２の上部導電面１５２ｂ及び第２はんだバンプ１５３の第２接続面１５３ａは第２封止体１５１の外に露出され、第２ダイ１５２の上部導電面１５２ｂは第１再配線層１１０の導電性パッド１１２ａに接続されている。本実施例では、導電性素子１４０は第３再配線層１６０の複数の下部導電性パッド１６２に接続され、導電性素子１４０を介して第１電子素子１３０及び第２電子素子１５０が外部に信号を伝送する。

【0021】

本発明は接着層１２０により第１再配線層１１０及び第１電子素子１３０を接着することで、第１再配線層１１０と第１電子素子１３０との間の接合強度を大幅に高め、接着層を有するパッケージ構造１００を更に複雑で簡潔な設計にし、信号伝送速度及びパワー密度を高めている。

【0022】

図５ａ、図５ｂ及び図５ｃは本発明の第１実施例に係る接着層を有するパッケージ構造１００のパッケージ方法を示すフローチャートである。まず、図５ａの例では、第１再配線層１１０を提供する。第１再配線層１１０は第１接着剤ｔ１により第１キャリアｓ１に設置し、第１再配線層１１０は第１上面１１１及び第１下面１１２を含み、第１上面１１１は複数の上部バンプ１１１ａを有し、第１下面１１２は複数の導電性パッド１１２ａを有している。次は、第１再配線層１１０に接着層１２０を形成し、接着層１２０を第１再配線層１１０の第１上面１１１に位置させると共に上部バンプ１１１ａを囲繞させる。本実施例では、接着層１２０を形成するステップは、有機接着材料を第１再配線層１１０に塗布するステップと、有機接着材料を加熱すると共に冷却することで接着層１２０として硬化させるステップと、を含む。最後に、接着層１２０を平坦化し、上部バンプ１１１ａを接着層１２０に露出させる。好ましくは、本実施例では、フライカットプロセス（Ｆｌｙ－ｃｕｔ）により硬化した接着層１２０を切削する。

【0023】

次は、図５ｂの例では、第１実施例に係る第１電子素子１３０の製造方法は、まず第２接着剤ｔ２により複数の第１ダイ１３２を第２キャリアｓ２に設置し、第１ダイ１３２に複数の第１はんだバンプ１３３を形成する。次は、第１ダイ１３２及び第１はんだバンプ１３３を被覆する第１封止体１３１を形成する。最後に、第１封止体１３１を平坦化して第１露出面１３１ａを形成し、第１露出面１３１ａには第１はんだバンプ１３３のそれぞれの第１接続面１３３ａを露出する。第１露出面１３１ａは第１電子素子１３０の第１能動面であり、第１はんだバンプ１３３は第１電子素子１３０の導体である。

【0024】

図５ａ及び図５ｂのフローチャートが完了した後、図５ｃを参照すると、第１電子素子１３０を接着層１２０に裏返して設置し、第１封止体１３１の第１露出面１３１ａ及び第１はんだバンプ１３３のそれぞれの第１接続面１３３ａを第１上面１１１に向けた後、第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０を熱圧着し、第１はんだバンプ１３３のそれぞれと上部バンプ１１１ａのそれぞれとを共晶接合する。接着層１２０を熱圧着の高温により再度溶融し、接着層１２０の２面の接着面を熱圧着中に第１上面１１１及び第１露出面１３１ａにそれぞれ接着し、熱圧着の完了後に接着層１２０を再度冷却して硬化することで成形する。

【0025】

また、接着層１２０を形成する有機接着材料の特性により、有機接着材料内の溶剤を完全に揮発させるための熱圧着の温度が不足している場合、第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０を熱圧着した後に、接着層１２０を再度昇温して余剰の溶剤を揮発させてから再度冷却し、最終硬化を完了するステップを更に含む。最後に、第１接着剤ｔ１及び第１キャリアｓ１を除去すると共に複数の導電性素子１４０を第１再配線層１１０の第１下面１１２に設置し、導電性素子１４０のそれぞれを導電性パッド１１２ａのそれぞれに接続した後、第２接着剤ｔ２及び第２キャリアｓ２を除去して接着層を有するパッケージ構造１００の製作を完了する。

【0026】

図６ａ、図６ｂ及び図６ｃは本発明の第３実施例に係る接着層を有するパッケージ構造１００のパッケージ方法を示すフローチャートである。図６ａの製作フローチャートは第１実施例の図５ａと同じであるため、ここで、その説明を繰り返さない。図６ｂは第３実施例に係る第１電子素子１３０の製造方法であり、まず、第２接着剤ｔ２により複数の第１ダイ１３２を第２キャリアｓ２に設置し、第１ダイ１３２のそれぞれに第１はんだバンプ１３３を形成する。次は、第１ダイ１３２及び第１はんだバンプ１３３を被覆する第１封止体１３１を形成する。次は、第１封止体１３１を平坦化して第１露出面１３１ａを形成し、第１露出面１３１ａに第１はんだバンプ１３３のそれぞれの第１接続面１３３ａを露出する。最後に、第２下面１３４ａ及び第２上面１３４ｂを有している第２再配線層１３４を第１露出面１３１ａに形成し、第２上面１３４ｂの複数の上部再配線パッド１３４ｄを第１はんだバンプ１３３に接続する。第２下面１３４ａは第１電子素子１３０の第１能動面であり、第２下面１３４ａの複数の下部再配線パッド１３４ｃは第１電子素子１３０の導体である。

【0027】

図６ａ及び図６ｂのフローチャートが完了した後、図６ｃを参照すると、第１電子素子１３０を接着層１２０に裏返して設置し、第２再配線層１３４の第２下面１３４ａを第１上面１１１に向けて、第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０を熱圧着することで、第２下面１３４ａの下部再配線パッド１３４ｃのそれぞれを上部バンプ１１１ａのそれぞれに共晶接合する。接着層１２０を熱圧着の高温により再度溶融し、接着層１２０の２面の接着面を熱圧着中に第１上面１１１及び第２下面１３４ａにそれぞれ接着し、熱圧着の終了後に接着層１２０を再度硬化して成形する。

【0028】

最後に、第１接着剤ｔ１及び第１キャリアｓ１を除去すると共に複数の導電性素子１４０を第１再配線層１１０の第１下面１１２に設置し、導電性素子１４０のそれぞれを導電性パッド１１２ａのそれぞれに接続した後、第２接着剤ｔ２及び第２キャリアｓ２を除去して接着層を有するパッケージ構造１００の製作を完了する。

【0029】

図７ａ、図７ｂ及び図７ｃは本発明の第４実施例に係る接着層を有するパッケージ構造１００のパッケージ方法を示すフローチャートである。図７ｂの製作フローチャートは第３実施例の図６ｂと同じであるため、ここで、その説明を繰り返さない。図７ａの例では、第１再配線層１１０を提供する。本実施例では、第１再配線層１１０は第２電子素子１５０及び第３再配線層１６０に設置され、第２電子素子１５０は、第２封止体１５１と、第２ダイ１５２と、複数の第２はんだバンプ１５３と、を有している。第２ダイ１５２は下部導電面１５２ａ及び上部導電面１５２ｂを含み、第２はんだバンプ１５３の両端は下部導電面１５２ａ及び第３再配線層１６０の複数の上部導電性パッド１６１にそれぞれ接続されている。第２封止体１５１は第２ダイ１５２及び第２はんだバンプ１５３を囲繞し、第２ダイ１５２の上部導電面１５２ｂ及び第２はんだバンプ１５３の第２接続面１５３ａは第２封止体１５１の外に露出されている。第２ダイ１５２の上部導電面１５２ｂは第１再配線層１１０の導電性パッド１１２ａに接続されている。第１再配線層１１０、第２電子素子１５０、及び第３再配線層１６０は第１接着剤ｔ１により第１キャリアｓ１に設置されている。次は、第１再配線層１１０には接着層１２０が形成され、接着層１２０は第１再配線層１１０の第１上面１１１に位置していると共に上部バンプ１１１ａを囲繞している。本実施例では、接着層１２０を形成するステップは、第１再配線層１１０に有機接着材料を塗布するステップと、有機接着材料を加熱すると共に冷却し、接着層１２０として硬化させるステップと、を含む。最後に、接着層１２０を平坦化し、上部バンプ１１１ａを接着層１２０に露出させる。好ましくは、本実施例では、フライカットプロセス（Ｆｌｙ－ｃｕｔ）により接着層１２０を切削する。

【0030】

図７ａ及び図７ｂのフローチャートが完了した後、図７ｃを参照すると、第１電子素子１３０を接着層１２０に裏返して設置し、第２再配線層１３４の第２下面１３４ａを第１上面１１１に向けて、第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０を熱圧着し、第２下面１３４ａの下部再配線パッド１３４ｃのそれぞれを上部バンプ１１１ａのそれぞれに共晶接合する。接着層１２０は熱圧着の高温により再度溶融され、接着層１２０の２面の接着面が熱圧着中に第１上面１１１及び第２下面１３４ａにそれぞれ接着され、熱圧着終了後に接着層１２０が再度硬化して成形される。

【0031】

最後に、第１接着剤ｔ１及び図第１キャリアｓ１を除去すると共に複数の導電性素子１４０を第３再配線層１６０の複数の下部導電性パッド１６２に設置し、導電性素子１４０のそれぞれを下部導電性パッド１６２のそれぞれに接続した後、第２接着剤ｔ２及び第２キャリアｓ２を除去して接着層を有するパッケージ構造１００の製作を完了する。

【0032】

本発明は第１再配線層１１０に接着層１２０が形成され、第１電子素子１３０が第１再配線層１１０に熱圧着される際に接着層１２が高温により溶融されることで第１電子素子１３０及び第１再配線層１１０が接着されている。接合強度を大幅に高めることで、接着層を有するパッケージ構造１００が密度がより高く、更に複雑な構造に設計されている。

【0033】

以上、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。

【符号の説明】

【0034】

１００ 接着層を有するパッケージ構造
１１０ 第１再配線層
１１１ 第１上面
１１１ａ 上部バンプ
１１２ 第１下面
１１２ａ 導電性パッド
１２０ 接着層
１３０ 第１電子素子
１３１ 第１封止体
１３１ａ 第１露出面
１３２ 第１ダイ
１３３ 第１はんだバンプ
１３３ａ 第１接続面
１３４ 第２再配線層
１３４ａ 第２下面
１３４ｂ 第２上面
１３４ｃ 下部再配線パッド
１３４ｄ 上部再配線パッド
１４０ 導電性素子
１５０ 第２電子素子
１５１ 第２封止体
１５２ 第２ダイ
１５２ａ 下部導電面
１５２ｂ 上部導電面
１５３ 第２はんだバンプ
１５３ａ 第２接続面
１６０ 第３再配線層
１６１ 上部導電性パッド
１６２ 下部導電性パッド
ｔ１ 第１接着剤
ｓ１ 第１キャリア
ｔ２ 第２接着剤
ｓ２ 第２キャリア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7a】

【図7b】

【図7c】