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▶ エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024046645
(43)【公開日】2024-04-03
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/844 20230101AFI20240327BHJP
H10K 59/40 20230101ALI20240327BHJP
H10K 50/81 20230101ALI20240327BHJP
H10K 50/82 20230101ALI20240327BHJP
H10K 59/12 20230101ALI20240327BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240327BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240327BHJP
【ＦＩ】
H10K50/844
H10K59/40
H10K50/81
H10K50/82
H10K59/12
H10K59/122
H10K59/124
【審査請求】有
【請求項の数】29
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023157469
(22)【出願日】2023-09-22
(31)【優先権主張番号】10-2022-0119793
(32)【優先日】2022-09-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】501426046
【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】キム， ヨンクン
【テーマコード（参考）】
3K107
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107CC23
3K107CC41
3K107DD21
3K107DD26
3K107DD89
3K107DD90
3K107EE03
3K107EE50
3K107EE65
3K107EE66
3K107FF15
3K107HH05
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ホールインディスプレイ（Ｈｏｌｅ Ｉｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のカメラを配置するために形成する第１領域の第１パターン部上に、絶縁層および保護層の積層構造を改善して外部水分の浸透を防止できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域および非表示領域を含む基板、表示領域に配置される第１領域と第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部を含み、第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層および第２絶縁層および第１パターン部に配置される複数の第１パターンを含み、複数の第１パターンの間で第１絶縁層と第２絶縁層は互いに離隔し、複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で第１絶縁層および第２絶縁層は互いに接する。
【選択図】図６
【解決手段】表示領域および非表示領域を含む基板、表示領域に配置される第１領域と第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部を含み、第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層および第２絶縁層および第１パターン部に配置される複数の第１パターンを含み、複数の第１パターンの間で第１絶縁層と第２絶縁層は互いに離隔し、複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で第１絶縁層および第２絶縁層は互いに接する。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示領域および非表示領域を含む基板；
前記表示領域に配置される第１領域；
前記第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部；
前記第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層、および第２絶縁層；および
前記第１パターン部に配置される複数の第１パターン
を含み、
前記複数の第１パターンの間で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層は互いに離隔し、
前記複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は互いに接する、表示装置。
前記表示領域に配置される第１領域；
前記第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部；
前記第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層、および第２絶縁層；および
前記第１パターン部に配置される複数の第１パターン
を含み、
前記複数の第１パターンの間で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層は互いに離隔し、
前記複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は互いに接する、表示装置。
【請求項2】
前記第２パターン部に配置される複数の第２パターンをさらに含み、
前記封止層は前記複数の第２パターン上にあり、
前記第２パターン部で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層は互いに接している、請求項１に記載の表示装置。
前記封止層は前記複数の第２パターン上にあり、
前記第２パターン部で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層は互いに接している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記複数の第１パターンの間の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に保護層が配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記複数の第１パターンの下部面から上部面までの第１高さと前記複数の第１パターンの下部面から前記保護層の上部面までの第２高さは互いに異なる、請求項３に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第２高さが前記第１高さより高い、請求項４に記載の表示装置。
【請求項6】
前記保護層の終端は前記複数の第１パターンと一部重なる、請求項３に記載の表示装置。
【請求項7】
前記表示領域に配置される複数のピクセル；および
前記複数のピクセルに配置される複数のトランジスタ
をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
前記複数のピクセルに配置される複数のトランジスタ
をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項8】
前記複数のトランジスタと電気的に連結されたアノード電極、発光層およびカソード電極をさらに含む、請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記封止層は前記カソード電極上に配置される、請求項８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１絶縁層上に配置される第１タッチ電極および第２タッチ電極をさらに含む、請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記封止層は第１封止層、第２封止層、および第３封止層を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項12】
前記第１領域で前記第１封止層、前記第３封止層、前記第１絶縁層、および前記第２絶縁層の側面が露出される、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項13】
前記第１領域に配置されるカメラ、センサ、および光源をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項14】
前記非表示領域に配置される駆動回路部および第２ダム部をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項15】
表示領域および非表示領域を含む基板；
前記表示領域に配置される第１領域および複数のピクセル；
前記複数のピクセルに配置される複数のトランジスタ；
前記複数のトランジスタ上に配置される平坦化層；
前記平坦化層上に配置されるアノード電極、発光層、およびカソード電極；
前記カソード電極上に配置される封止層；
前記封止層上に配置される第１絶縁層、第１タッチ電極、第２絶縁層、および第２タッチ電極；および
前記第１領域にある第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部
を含み、
前記第１絶縁層および第２絶縁層は前記第１パターン部、前記第１ダム部、および前記第２パターン部に延びて配置される、表示装置。
前記表示領域に配置される第１領域および複数のピクセル；
前記複数のピクセルに配置される複数のトランジスタ；
前記複数のトランジスタ上に配置される平坦化層；
前記平坦化層上に配置されるアノード電極、発光層、およびカソード電極；
前記カソード電極上に配置される封止層；
前記封止層上に配置される第１絶縁層、第１タッチ電極、第２絶縁層、および第２タッチ電極；および
前記第１領域にある第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部
を含み、
前記第１絶縁層および第２絶縁層は前記第１パターン部、前記第１ダム部、および前記第２パターン部に延びて配置される、表示装置。
【請求項16】
前記第１パターン部に配置される複数の第１パターンをさらに含む、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項17】
前記複数の第１パターンのそれぞれの上面の少なくとも一部で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層が互いに接する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項18】
前記複数の第１パターンの間で前記第１絶縁層と前記第２絶縁層が互いに離隔する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項19】
前記複数の第１パターンの間の前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の間に保護層が配置される、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項20】
前記複数の第１パターンの下部面から上部面までの第１高さと前記複数の第１パターンの下部面から前記保護層の上部面までの第２高さは互いに異なる、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項21】
前記第２高さが前記第１高さより高い、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項22】
前記保護層の終端は前記複数の第１パターンと一部重なる、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項23】
前記第２パターン部に配置される複数の第２パターンをさらに含む、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項24】
前記複数の第２パターン上に前記封止層、前記第１絶縁層、および前記第２絶縁層が延びて配置される、請求項２３に記載の表示装置。
【請求項25】
前記第２パターン部上で前記第１絶縁層および前記第２絶縁層が互いに接する、請求項２４に記載の表示装置。
【請求項26】
前記封止層は第１封止層、第２封止層、および第３封止層を含む、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項27】
前記第１領域で前記第１封止層、前記第３封止層、前記第１絶縁層、および前記第２絶縁層の側面が露出される、請求項２６に記載の表示装置。
【請求項28】
前記第１領域にあるホール領域をさらに含み、前記ホール領域にはカメラ、センサ、および光源をさらに含む、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項29】
前記非表示領域に配置される駆動回路部および第２ダム部をさらに含む、請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書は表示装置に関し、外部水分の浸透を防止できる表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
多様な情報を表示するとともに該当情報を視聴する使用者と相互に作用できる最近の表示装置は、多様な大きさ、多様な形態および多様な機能が要求されている。
【0003】
このような表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＬＣＤ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＦＰＤ）および有機発光ダイオード表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ）などがある。
【0004】
有機発光表示装置は自体発光型表示装置であって、液晶表示装置（ＬＣＤ）とは異なり、別途の光源を必要としないため軽量かつ薄型で製造が可能である。また、有機発光ダイオード表示装置は低電圧駆動によって消費電力の側面で有利であるだけでなく、色相の具現、応答速度、視野角、コントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ ｒａｔｉｏ；ＣＲ）にも優れているため、次世代ディスプレイとして研究されている。
【0005】
有機発光ダイオード表示装置は多数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；あるいは「ＴＦＴ」）を利用して、有機発光ダイオードに流れる電流を制御して画像を表示する。
【0006】
表示装置はカメラ、スピーカー、およびセンサなどを追加して開発している。
【0007】
特に、表示装置にカメラのようなセンサを配置するために、装置内にホールを形成するホールインディスプレイ（Ｈｏｌｅ Ｉｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）構造が適用されている。
【0008】
表示装置内にホールを形成することによって、外部の水分が表示パネルの内部の表示領域に浸透する問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本明細書は表示装置の表示領域内にカメラを配置するための領域に貫通ホールを構成することができる。
【0010】
貫通ホールは基板および基板上の層を除去することによって形成され得る。
【0011】
表示領域内に貫通ホールを形成するために、ホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部を含む第１領域を配置することができる。
【0012】
第１領域のホール領域に隣接した第１パターン部は発光層の連結を切るために、柱状の下部パターンと下部パターン上に台形状の上部パターンを含む複数の第１パターンが配置され得る。
【0013】
複数の第１パターン上に配置される絶縁層は、複数の第１パターンの間に形成される逆テーパー（Ｔａｐｅｒ）領域に埋まらずに空隙（ＥＳ：Ｅｍｐｔｙ ｓｐａｃｅ）が形成され得る。
【0014】
空隙（ＥＳ：Ｅｍｐｔｙ ｓｐａｃｅ）と台形状の上部パターンの終端により隙間（Ｓｅａｍ）が形成され得る。
【0015】
基板および基板上の層を除去して形成したホール領域は、基板上の層の側面が外部に露出され得る。
【0016】
外部に露出された基板上の層のうち有機物質で形成される有機絶縁層に流入した外部水分は、ホール領域と隣接した第１パターン部に形成される隙間（Ｓｅａｍ）を通じてパネル表示領域に浸透して表示装置の品質が低下する問題点があった。
【0017】
そこで、本明細書はホールインディスプレイ（Ｈｏｌｅ Ｉｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）のカメラを配置するために形成する第１領域の第１パターン部上に、絶縁層および保護層の積層構造を改善して外部水分の浸透を防止できる表示装置を発明した。
【0018】
本明細書の実施例に係る解決課題は、カメラを配置するために形成する第１領域の第１パターン部上に絶縁層の間に保護層を配置して外部水分の浸透を防止できる表示装置およびこの製造方法を提供することである。
【0019】
本明細書の実施例に係る解決課題は以上で言及した課題に制限されず、言及されていないさらに他の課題は下記の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。
【課題を解決するための手段】
【0020】
本明細書の実施例に係る表示装置は、表示領域および非表示領域を含む基板と表示領域に配置される第１領域を含み、第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部と、第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層および第２絶縁層および第１パターン部に配置される複数の第１パターンを含み、複数の第１パターンの間で第１絶縁層と第２絶縁層は互いに離隔し、複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で第１絶縁層および第２絶縁層は互いに接していてもよい。
【0021】
その他の実施例の具体的な事項は詳細な説明および図面に含まれている。
【0022】
本明細書の実施例に係る表示装置は、表示領域内にカメラを配置するために形成される第１領域の第１パターン部上に絶縁層および保護層構造を具備することによって、パネルの外部水分の浸透を効果的に防止することができ、透湿によるパネルの品質低下を改善できる表示装置およびこの製造方法を提供することができる。
【0023】
本明細書の効果は以上で言及した効果に制限されず、言及されていないさらに他の効果は下記の記載から当業者に明確に理解され得るであろう。
【0024】
以上において、解決しようとする課題、課題解決手段、効果に記載した発明の内容は請求項の必須の特徴を特定するものではないので、請求項の権利範囲は発明の内容に記載された事項によって制限されない。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【発明を実施するための形態】
【0026】
本明細書の利点および特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確となるであろう。しかし、本明細書は以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態で具現され得るであろうし、ただし本実施例は本明細書の開示を完全なものとし、本明細書が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は請求項の範疇によって定義されるのみである。
【0027】
本明細書の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるので、本明細書は図示された事項に限定されるものではない。明細書全体に亘って同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。また、本明細書の説明において、関連した公知技術に対する具体的な説明が本明細書の要旨を不要に曖昧にさせ得る恐れがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「からなる」等が使われる場合、「のみ」が使われない以上他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む場合を含む。
【0028】
構成要素の解釈において、誤差範囲に対する別途の明示的記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈する。
【0029】
位置関係に対する説明の場合、例えば、「上に」、「上部に」、「下部に」、「横に」等で両部分の位置関係が説明される場合、例えば、「すぐに」または「直接」が使われない以上両部分の間に一つ以上の他の部分が位置してもよい。
【0030】
時間関係に対する説明である場合、「後に」、「に引き続き」、「次に」、「前に」等で時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」が使われない以上連続的でない場合も含むことができる。
【0031】
第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使われるが、これら構成要素はこれら用語によって制限されない。これら用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本明細書の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。
【0032】
本明細書の構成要素の説明において、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）等の用語を使うことができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものに過ぎず、その用語によって該当構成要素の本質、順番、順序または個数などが限定されない。或る構成要素が他の構成要素に「連結」「結合」または「接続」されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結されたりまたは接続され得るが、特に明示的な記載事項がない限り、間接的に連結されたりまたは接続され得る各構成要素の間に他の構成要素が「介在」されてもよいと理解されるべきである。
【0033】
「少なくとも一つ」は、関連した構成要素の一つ以上のすべての組み合わせを含むものと理解されるべきである。例えば、「第１、第２、および第３構成要素の少なくとも一つ」の意味は第１、第２、または第３構成要素だけでなく、第１、第２、および第３構成要素の二個以上のすべての構成要素の組み合わせを含んでいると言える。
【0034】
本明細書で「装置」は、表示パネルと表示パネルを駆動するための駆動部を含む液晶モジュール（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｍｏｄｕｌｅ；ＬＣＭ）、有機発光表示モジュール（ＯＬＥＤ Ｍｏｄｕｌｅ）のような表示装置を含むことができる。そして、ＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどを含む完成品（ｃｏｍｐｌｅｔｅ ｐｒｏｄｕｃｔまたはｆｉｎａｌ ｐｒｏｄｕｃｔ）のノートパソコン、テレビ、コンピュータモニター、車両用または自動車用装置（ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、スマートフォンまたは電子パッドなどのモバイル電子装置（ｍｏｂｉｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｐｐａｒａｔｕｓ）などのようなセット電子装置（ｓｅｔ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ａｐｐａｒａｔｕｓ）またはセット装置（ｓｅｔ ｄｅｖｉｃｅまたはｓｅｔ ａｐｐａｒａｔｕｓ）も含むことができる。
【0035】
したがって、本明細書での装置はＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどのような表示装置自体、およびＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールなどを含む応用製品または最終消費者用装置であるセット装置まで含むことができる。
【0036】
そして、いくつかの実施例では、表示パネルと駆動部などで構成されるＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールを「表示装置」で表現し、ＬＣＭ、ＯＬＥＤモジュールを含む完成品としての電子装置を「セット装置」で区別して表現してもよい。例えば、表示装置は液晶（ＬＣＤ）または有機発光（ＯＬＥＤ）の表示パネルと、表示パネルを駆動するための制御部であるソースＰＣＢを含むことができる。セット装置はソースＰＣＢに電気的に連結されてセット装置全体を駆動するセット制御部であるセットＰＣＢをさらに含むことができる。
【0037】
本明細書の実施例に使われる表示パネルは液晶表示パネル、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示パネル、および電界発光表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）等のすべての形態の表示パネルが使われ得、実施例はこれに限定されるものではない。例えば、表示パネルは本明細書の実施例に係る振動装置によって振動することによって音響を発生させることができる表示パネルであり得る。本明細書の実施例に係る表示装置に適用される表示パネルは表示パネルの形態や大きさに限定されない。
【0038】
本明細書の多様な実施例のそれぞれの特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能であってもよく、関連関係で共に実施してもよい。
【0039】
以下、添付された図面および実施例を通じて本明細書の実施例を詳察すると、次の通りである。図面に図示された構成要素のスケールは説明の便宜のために実際とは異なるスケールを有するため、図面に図示されたスケールに限定されない。
【0040】
以下では、図面を参照して本明細書の多様な実施例を詳細に説明する。
【0041】
図１は、本明細書の一実施例に係る表示装置の一例を概略的に図示した平面図である。
【0042】
表示装置１０は複数の領域を含むことができる。例えば、表示装置１０は画像イメージが表示される領域である一つ以上の表示領域ＡＡを含み、表示領域ＡＡは内部にピクセルＰＸＬアレイが形成される。画像イメージが表示されない一つ以上の非表示領域ＮＡは駆動回路部およびダム部を含み、表示領域ＡＡの一側面に提供されてもよい。例えば、非表示領域ＮＡは表示領域ＡＡの一つ以上の側面に隣接してもよい。
【0043】
図１を参照すると、非表示領域ＮＡは実質的に長方形の表示領域ＡＡを取り囲んで外側に位置することができる。しかし、表示領域ＡＡの形状および表示領域ＡＡに隣接した非表示領域ＮＡの配列は、図１に図示された例示的な表示装置１０に具体的に制限されないものと理解されるべきである。表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡは表示装置１０の任意の形状であってもよい。このような形状の例は五角形、六角形、円形、楕円形などを含むことができ、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0044】
表示領域ＡＡのピクセルＰＸＬそれぞれはサブピクセルを含み、サブピクセルは赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）、白色（Ｗ）等の色を表示することができる。また、ピクセルＰＸＬおよびサブピクセルそれぞれは、表示装置１０の基板上に製造された一つ以上のトランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｔｏｒ）を含むピクセル回路と関連されてもよい。ピクセル回路それぞれは一つ以上の駆動回路、例えば、表示装置１０の非表示領域ＮＡに位置したゲートドライバＧＩＰおよびデータドライバＤ－ＩＣと通信するためにゲートラインおよびデータラインに電気的に連結されてもよい。
【0045】
一つ以上の駆動回路は、図１に図示されたような非表示領域ＮＡ内に構成されたＴＦＴで具現されてもよい。例えば、ゲートドライバＧＩＰは表示装置１０の基板上の複数のＴＦＴを使って具現されてもよい。基板のＴＦＴで具現され得る回路の非制限的な例はインバータ回路、マルチプレクサ、およびＥＳＤ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｓｔａｔｉｃ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）回路などを含むことができ、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0046】
一部の駆動回路はＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）チップとして提供され得、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ－ｏｎ－ｇｌａｓｓ）または他の類似する方法を使って表示装置１０の非表示領域ＮＡ内に装着され得る。また、一部の駆動回路はさらに他の基板上に装着され得、フレキシブルＰＣＢ（ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）のような印刷回路、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ－ｏｎ－ｆｉｌｍ）、ＴＣＰ（ｔａｐｅ－ｃａｒｒｉｅｒ－ｐａｃｋａｇｅ）または他の適合な技術を使って非表示領域ＮＡに配置された連結インターフェース（パッド／バンプ、ピン）にカップリングされ得る。
【0047】
本明細書の実施例で、少なくとも２個の異なるタイプのＴＦＴがディスプレイのためのＴＦＴ基板に使われる。ピクセル回路の一部および駆動回路の一部に採用されたＴＦＴのタイプは、ディスプレイの要件により変わり得る。
【0048】
例えば、ピクセル回路は酸化物アクティブ層を有するＴＦＴ（酸化物ＴＦＴ）で具現され得、駆動回路は低温多結晶シリコンアクティブ層を有するＴＦＴ（ＬＴＰＳ ＴＦＴ）と酸化物アクティブ層を有するＴＦＴで具現され得る。ＬＴＰＳ ＴＦＴとは異なり、酸化物ＴＦＴはピクセル間（ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｐｉｘｅｌ－ｔｏ－ｐｉｘｅｌ）しきい電圧Ｖｔｈの変動問題がない。均一なしきい電圧Ｖｔｈはディスプレイのためのピクセル回路のアレイにおいても獲得され得る。駆動回路を具現するＴＦＴ間のしきい電圧Ｖｔｈの均一度の問題はピクセルの輝度均一度に直接的な影響をより少なく有するであろう。
【0049】
駆動回路（例えば、ＧＩＰ）はゲートドライブＩＣを表示パネルの内部に内蔵して、ドライブＩＣの個数の低減による費用の低減と高速スキャン信号を表示パネルの表示領域に提供することができる。
【0050】
ＬＴＰＳ ＴＦＴで具現される基板上の駆動回路を使って、ＴＦＴパネル内の全体のＴＦＴが酸化物ＴＦＴで形成される場合より高いクロックで信号およびデータがピクセルに提供され得る。したがって、高速動作可能なディスプレイがムラなく提供され得る。例えば、酸化物ＴＦＴおよびＬＴＰＳ ＴＦＴの長所はＴＦＴパネルの設計と組み合わせられて、各長所に応じて酸化物ＴＦＴおよびＬＴＰＳ ＴＦＴを選択して使われ得る。
【0051】
表示領域ＡＡは第１領域ＰＨを含むことができる。第１領域ＰＨは表示領域ＡＡ内にカメラを配置するためにホール領域Ｈおよびホール領域Ｈを囲む第１パターン部ＰＴ１、第１ダム部ＤＭ、第２パターン部ＰＴ２およびルーティング配線領域ＲＫを含み、これらの構成は詳細に後述する。
【0052】
【0053】
本明細書の一実施例に係る表示装置はフォルダブル（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示装置に適用され得る。
【0054】
フォルダブル（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示装置は少なくとも一つの表示領域ＡＡを含むことができる。
【0055】
フォルダブル（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示装置は、折りたたみ線（ｆｏｌｄｉｎｇ ｌｉｎｅ）を基準として表示装置の一つの表示領域が折りたたまれて第１表示領域ＡＡ１および第２表示領域ＡＡ２に区分されるように配置されたり、表示装置の内側および外側に多数の表示領域を有することができる。表示領域にはピクセルＰＸＬが形成される。
【0056】
図３を参照すると、フォルダブル（Ｆｏｌｄａｂｌｅ）表示装置は表示装置の内側に配置される第１表示領域ＡＡ１および第２表示領域ＡＡ２と表示装置の外側に配置される第３表示領域ＡＡ３をさらに含むことができる。
【0057】
図２および図３を参照すると、表示領域ＡＡ内にカメラを配置するための第１領域ＰＨは、表示装置の内側に配置される第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２または表示装置の外側に配置される第３表示領域ＡＡ３に一つ以上配置され得る。
【0058】
図４は、本明細書の表示装置１０の第１領域ＰＨを概略的に図示した拡大図である。
【0059】
第１領域ＰＨは表示領域ＡＡ内にカメラを配置するためにホール領域Ｈおよびホール領域Ｈを囲む第１パターン部ＰＴ１、第１ダム部ＤＭ、第２パターン部ＰＴ２およびルーティング配線領域ＲＫを含む。
【0060】
【0061】
図５を参照すると、本明細書の実施例に係る表示装置の基板１００は、第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間の中間層からなり得る。
【0062】
第１基板および第２基板はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）およびポリカーボネート（Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。基板がプラスチック物質からなる場合、基板の下部にガラスからなる支持基板が配置された状態で表示装置の製造工程が進行され、表示装置の製造工程が完了した後に支持基板がリリース（ｒｅｌｅａｓｅ）され得る。また、支持基板がリリースされた後、基板を支持するためのバックプレート（ｂａｃｋ ｐｌａｔｅ）（またはプレート）が基板の下部に配置され得る。基板がプラスチック物質からなる場合、水分が基板を浸透して薄膜トランジスタまたは発光素子層まで透湿が進行されて表示装置の性能を低下させ得る。本明細書の実施例に係る表示装置は、透湿による表示装置の性能が低下することを防止するために、プラスチック物質で構成された第１基板および第２基板の２つの基板で構成することができる。そして、第１基板および第２基板の間に無機膜である中間層を形成することによって、水分が基板を浸透することを遮断して製品の性能信頼性を向上させることができる。中間層は無機膜からなり得る。例えば、中間層は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層またはこれらの多重層からなり得、これに限定されるものではない。
【0063】
基板１００上に形成される表示装置は複数の領域を含むことができる。本明細書には表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡで構成したが、これに限定されるものではない。
【0064】
基板１００上に表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡの一面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）の単一層またはこれらの多重層からなるバッファ層が配置され得る。バッファ層はバッファ層上に形成される層と基板１００間の接着力を向上させ、基板１０から流出するアルカリ成分などの多様な種類の欠陥要因を遮断する役割などを遂行できる。また、バッファ層は基板１００に浸透した水分または酸素が拡散することを遅延させることができる。
【0065】
バッファ層は基板の種類および物質、薄膜トランジスタの構造およびタイプなどに基づいて省略されてもよい。
【0066】
基板１００およびバッファ層上に表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡのトランジスタが形成され得る。表示領域ＡＡのトランジスタはサブピクセルの駆動のためのスイッチングトランジスタＳＷ Ｔｒおよび駆動トランジスタＤＲ Ｔｒを含み、非表示領域ＮＡのトランジスタはゲートドライバＧＩＰの駆動のための第１ゲート駆動トランジスタＧＴ１および第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２を含むことができる。
【0067】
駆動トランジスタＤＲ Ｔｒは基板１００またはバッファ層上に遮光層２００が配置され得る。
【0068】
遮光層２００は駆動トランジスタＤＲ Ｔｒの第１半導体層２１０に向かう光を遮断し、第１ドレイン電極２３０Ｄと連結されて第１半導体層２１０に寄生キャリアが蓄積されてドレイン電流が急激に増加する現象やこのような現象によるしきい電圧の変化を防止することができる。
【0069】
遮光層２００はチタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ネオジム（Ｎｄ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つを有する単層または多重層で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0070】
遮光層２００の上に第１絶縁層１１０が配置され得る。
【0071】
第１絶縁層１１０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性物質で形成され得、その他にも絶縁性無機物または有機物などで形成されてもよく、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0072】
第１絶縁層１１０上に表示領域ＡＡの駆動トランジスタＤＲ Ｔｒの第１半導体層２１０および非表示領域ＮＡの第１ゲート駆動トランジスタＧＴ１の第２半導体層４００が配置され得、第１半導体層２１０は遮光層２００と重なり得る。
【0073】
第１半導体層２１０および第２半導体層４００は金属酸化物半導体、例えば、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｚｉｎｃ－ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ）、およびＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｇａｌｌｉｕｍ－ｏｘｉｄｅ）のうちいずれか一つからなり得、これに限定されるものではない。
【0074】
金属酸化物半導体は不純物を注入するドープ工程によって導電特性が向上し得、電子や正孔が移動するチャネルが形成されるチャネル領域およびチャネル領域の両側に導体化された領域であるソース領域およびドレイン領域を含むことができる。ソース領域およびドレイン領域にはソース電極およびドレイン電極が連結され得る。
【0075】
第１半導体層２１０および第２半導体層４００上に第１ゲート絶縁層１２０が配置され得る。第１ゲート絶縁層１２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性物質で形成され得、その他にも絶縁性無機物または有機物などで形成されてもよく、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0076】
第１ゲート絶縁層１２０上に第１半導体層２１０および第２半導体層４００と重なって第１ゲート電極２２０および第２ゲート電極４１０が配置され得、第１ゲート電極２２０および第２ゲート電極４１０は銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、および金（Ａｕ）のうちいずれか一つ以上の物質で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0077】
第１ゲート電極２２０および第２ゲート電極４１０と同一の工程でサブピクセルに含まれるキャパシタンスＰＸＬ Ｃｓｔの第１キャパシタ電極Ｃｓｔ１、サブピクセルのスイッチングトランジスタＳＷ Ｔｒと重なる第１金属層３００および第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２と重なる第２金属層５００を形成して配置することができる。
【0078】
第１金属層３００および第２金属層５００はそれぞれスイッチングトランジスタＳＷ Ｔｒおよび第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２の下部ゲート電極で駆動され得、またはスイッチングトランジスタＳＷ Ｔｒおよび第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２の第３半導体層３１０および第４半導体層５１０に反射する光を遮断する光遮断層として利用され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0079】
第１ゲート電極２２０、第２ゲート電極４１０、第１金属層３００、第２金属層５００および第１キャパシタ電極Ｃｓｔ１上に第２絶縁層１３０が配置され得る。
【0080】
第２絶縁層１３０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性物質で形成され得、その他にも絶縁性無機物または有機物などで形成されてもよく、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0081】
第２絶縁層１３０上にサブピクセルキャパシタンスＰＸＬ Ｃｓｔの第２キャパシタ電極Ｃｓｔ２が配置され得る。第２キャパシタ電極Ｃｓｔ２は第１キャパシタ電極Ｃｓｔ１と重なって配置され得、第１キャパシタ電極Ｃｓｔ１と同一の物質で形成され得る。
【0082】
第２キャパシタ電極Ｃｓｔ２上に第３絶縁層１４０が配置され得る。
【0083】
第３絶縁層は１４０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性物質で形成され得、その他にも絶縁性有機物などで形成されてもよく、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0084】
第３絶縁層は１４０上に表示領域ＡＡのスイッチングトランジスタＳＷ Ｔｒの第３半導体層３１０および非表示領域ＮＡの第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２の第４半導体層５１０が配置され得る。
【0085】
第３半導体層３１０および第４半導体層５１０は低温多結晶シリコン（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＴＰＳ）で形成され得る。
【0086】
第３半導体層３１０および第４半導体層５１０上に第２ゲート絶縁層１５０が配置され得る。第２ゲート絶縁層１５０は第３半導体層３１０および第４半導体層５１０と第３ゲート電極３２０および第４ゲート電極５２０の間に配置されて第３半導体層３１０および第４半導体層５１０と第３ゲート電極３２０および第４ゲート電極５２０を絶縁させることができる。
【0087】
ＬＰＴＳ半導体層にはドーピングを通じてチャネル領域およびソース／ドレイン電極と連結されるソース／ドレイン領域が形成され得る。
【0088】
第２ゲート絶縁層１５０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性無機物質で形成され得、その他にも絶縁性有機物などで形成されてもよく、これに限定されない。
【0089】
第３ゲート電極３２０および第４ゲート電極５２０は第３半導体層３１０および第４半導体層５１０と重なるように配置され得る。
【0090】
第３ゲート電極３２０および第４ゲート電極５２０は銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、および金（Ａｕ）のうちいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得、これに限定されるものではない。
【0091】
第３ゲート電極３２０および第４ゲート電極５２０上に第４絶縁層１６０が配置され得る。
【0092】
第４絶縁層１６０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などのような絶縁性無機物質で形成され得、またはＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち一つ以上の物質で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0093】
第４絶縁層１６０上に第１半導体層２１０に連結される第１ソース電極２３０Ｓおよび第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２半導体層４００に連結される第２ソース電極４２０Ｓおよび第２ドレイン電極４２０Ｄ、第３半導体層３１０に連結される第３ソース電極３３０Ｓおよび第３ドレイン電極３３０Ｄと第４半導体層５１０に連結される第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄが配置され得る。
【0094】
第１ソース電極２３０Ｓ、第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２ソース電極４２０Ｓおよび第２ドレイン電極４２０Ｄは第１ゲート絶縁層１２０、第２絶縁層１３０、第３絶縁層１４０、第２ゲート絶縁層１５０および第４絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールを通じて第１半導体層２１０および第２半導体層４００に連結される。
【0095】
第３ソース電極３３０Ｓ、第３ドレイン電極３３０Ｄ、第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄは第２ゲート絶縁層１５０および第４絶縁層１６０に形成されたコンタクトホールを通じて第３半導体層３１０および第４半導体層５１０に連結される。
【0096】
第１ソース電極２３０Ｓ、第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２ソース電極４２０Ｓ、第２ドレイン電極４２０Ｄ、第３ソース電極３３０Ｓ、第３ドレイン電極３３０Ｄ、第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄは同一工程を通じて形成され得、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タングステン（Ｗ）、および金（Ａｕ）のうちいずれか一つ以上の物質で形成され得る。
【0097】
第１ソース電極２３０Ｓ、第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２ソース電極４２０Ｓ、第２ドレイン電極４２０Ｄ、第３ソース電極３３０Ｓ、第３ドレイン電極３３０Ｄ、第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄと同一の工程で非表示領域ＮＡに第１配線６３０を形成して配置することができる。
【0098】
第１配線６３０はカソード電極６２０に印加される電圧を伝達するための配線であり得る。
【0099】
第１ソース電極２３０Ｓ、第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２ソース電極４２０Ｓ、第２ドレイン電極４２０Ｄ、第３ソース電極３３０Ｓ、第３ドレイン電極３３０Ｄ、第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄ上に第１平坦化層１７０が配置され得る。
【0100】
第１平坦化層１７０はポリアクリル（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの有機絶縁層で形成され、下部に形成された配線およびコンタクトホールによった段差を低減することができる。
【0101】
第１平坦化層１７０上に第１ドレイン電極２３０Ｄとアノード電極６００を連結するための連結電極２４０が配置され得る。
【0102】
連結電極２４０は第１平坦化層１７０に形成されるホールを通じて第１ドレイン電極２３０Ｄと電気的に連結され得る。
【0103】
連結電極２４０はチタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一つ以上を含むかこれらの合金からなり得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0104】
連結電極２４０上に第２平坦化層１８０が配置され得る。第２平坦化層１８０はポリアクリル（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）およびポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの有機絶縁層で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0105】
第２平坦化層１８０の上にアノード電極６００が配置され得る。アノード電極６００は第２平坦化層１８０に形成されるホールを通じて連結電極２４０と電気的に連結され得る。
【0106】
アノード電極６００を形成する同一の工程で非表示領域ＮＡに第２配線６４０を形成することができる。第２配線６４０は第１ゲート駆動トランジスタＧＴ１および第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２の一部と重なって配置され得、非表示領域ＮＡに配置された第１配線６３０と連結されてカソード電極６２０に電圧を印加することができる。
【0107】
アノード電極６００および第２配線６４０は銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、鉛（Ｐｄ）、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0108】
アノード電極６００、第２配線６４０および第２平坦化層１８０上にバンク１９０が配置され得る。
【0109】
バンク１９０は複数のサブピクセルＳＰを区分することができ、光にじみ現象を最小化して多様な視野角で発生する混色を防止することができる。
【0110】
バンク１９０は発光領域と対応するアノード電極６００を露出させ、アノード電極６００の終端部と重なり得る。
【0111】
バンク１９０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物質またはＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち少なくとも一つ以上の物質からなり得、これに限定されるものではない。
【0112】
バンク１９０上にスペーサー１９１がさらに配置され得る。スペーサー１９１は発光素子層６１０が形成された基板１００と上部基板の間のギャップ（Ｇａｐ）を支持することによって、外部で物理的な衝撃が発生した場合、表示パネルの内部の素子が損傷することを最小化することができる。スペーサー１９１はバンク１９０と同一の物質で形成され得、バンク１９０と同時に形成され得、これに限定されるものではない。
【0113】
アノード電極６００を露出させるバンク１９０の開口部上に発光素子層６１０が配置され得る。発光素子層６１０は特定色の光を発光するために赤色発光層、緑色発光層、青色発光層、および白色発光層のうち一つ以上の有機発光層を含むことができる。また、発光素子層６１０は有機発光層の他に正孔注入層（Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）等をさらに含んでもよく、これに限定されるものではない。
【0114】
正孔注入層（Ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、および電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）は厚さおよび物質を異にしてサブピクセルことにそれぞれ配置され得、または前面に共通で配置することができる。
【0115】
発光素子層６１０が白色有機発光層を含む場合、バンク１９０の開口部および基板全体に発光素子層６１０を配置することができる。
【0116】
発光素子層６１０の上部に白色有機発光層から発光する光を異なる色の光に変換するためのカラーフィルタが配置され得る。
【0117】
発光素子層６１０上にカソード電極６２０が配置され得る。カソード電極６２０は発光素子層６１０に電子を供給し、仕事関数が低い導電性物質からなり得る。
【0118】
表示装置１０が上部発光方式（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）の場合、カソード電極６２０は光が透過する透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）、およびインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｕｉｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ；ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
【0119】
また、光が透過する半透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ／Ａｌ、Ｍｇ：Ａｇ、Ｃａ／Ａｇ、Ｃａ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｍｇ：Ａｇ、ＬｉＦ／Ｃａ／Ａｇ、およびＬｉＦ／Ｃａ：Ａｇのような合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得、これに限定されるものではない。
【0120】
表示装置１０が下部発光方式（Ｂｏｔｔｏｍ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）である場合、カソード電極６２０は光を反射する反射電極で不透明な導電性物質を利用して配置され得る。例えば、カソード電極６２０は銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらの合金のうち少なくとも一つ以上で形成され得る。
【0121】
表示装置１０の非表示領域ＮＡには駆動回路部と複数のダムが配置される第２ダム部を含む終端部が配置される
【0122】
非表示領域ＮＡの終端部はカソード電極６２０とカソード電極６２０に電圧を印加する配線と電気的に連結される連結部と、複数のダムを利用した表示装置１０の密封がなされる領域であり得る。
【0123】
終端部には基板１００上に配置される第１絶縁層１１０、第１ゲート絶縁層１２０、第２絶縁層１３０および第３絶縁層１４０が延びて配置され得る。
【0124】
表示装置１０のＦＰＣＢで印加される電源電圧およびタッチ信号が配線を通じて表示パネルに連結されるように配線が終端部に配置され得る。
【0125】
第１配線６３０は第４絶縁層１６０の上部に配置されて第４絶縁層１６０および第２ゲート絶縁層１５０の側面と接し、非表示領域ＮＡの第１ダムＤＭ１および第３絶縁層１４０の間に延びて配置され得る。
【0126】
第１ダムＤＭ１は第１平坦化層１７０およびバンク１９０と同一材料および同一の工程で形成されて積層され得る。
【0127】
第２ダムＤＭ２は第１平坦化層１７０、第２平坦化層１８０、バンク１９０およびスペーサー１９１と同一材料および同一の工程で形成されて積層され得る。
【0128】
第１ダムＤＡＭ１および第２ダムＤＡＭ２はそれぞれ第１高さと第２高さを有することができ、表示領域ＡＡを囲むことができる。
【0129】
第２高さは第１高さより高く形成され得る。第２封止層７２０が第２ダム部の第１ダムＤＭ１を越えていても第２ダムＤＭ２により第２ダム部の外郭に形成されないことができる。
【0130】
第１封止層７１０および第３封止層７３０は第２ダムＤＭ２を越えて外郭部まで延びて配置され得る。
【0131】
第２配線６４０は第１ダムＤＭ１の第１平坦化層１７０とバンク１９０の間および第２ダムＤＭ２の第２平坦化層１８０とバンク１９０の間に延びて配置され得る。
【0132】
カソード電極６２０は第１ダムＤＭ１および第２ダムＤＭ２の間領域まで延びて第１配線６３０および第２配線６４０と電気的に連結され得る。
【0133】
表示領域ＡＡのカソード電極６２０および非表示領域ＮＡのカソード電極６２０と第２ダムＤＭ２上に封止層７００が配置され得る。
【0134】
封止層７００は外部の水分、酸素、または異物から表示装置１０を保護することができる。例えば、封止層７００は発光物質と電極物質の酸化を防止するために外部からの酸素および水分の浸透を防止することができる。
【0135】
封止層７００は発光素子層６１０で発光される光が透過するように透明な物質からなり得る。
【0136】
封止層７００は水分や酸素の浸透を遮断する第１封止層７１０、第２封止層７２０および第３封止層７３０を含むことができ、本明細書の実施例はこれに限定されない。第１封止層７１０、第２封止層７２０および第３封止層７３０は順次積層された構造を有することができ、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0137】
第１封止層７１０および第３封止層７３０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）のうち少なくとも一つ以上の無機物からなり得、これに限定されるものではない。
【0138】
第２封止層７２０は製造工程上発生し得る異物またはパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）をカバーすることができる。また、第２封止層７２０は第１封止層７１０の表面を平坦化することができる。
【0139】
第２封止層７２０は有機物、例えば、シリコンオキシカーボン（ＳｉＯＣｚ）エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、およびポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列等の高分子（ｐｏｌｙｍｅｒ）であり得、これに限定されるものではない。
【0140】
第３封止層７３０上にタッチバッファ層８００が配置され得る。タッチバッファ層８００は表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡの前面に配置され得、パッド部に延びて配置され得る。タッチバッファ層８００は第１絶縁層であり得、用語に限定されるものではない。
【0141】
タッチバッファ層８００は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）のうち少なくとも一つ以上の無機物からなり得、これに限定されるものではない。
【0142】
タッチバッファ層８００上に第１タッチ電極８１０が配置され得る。
【0143】
タッチ駆動は表示領域ＡＡに配置される複数の感知電極および複数の駆動電極で駆動され得る。感知電極は第１方向に沿って延び、第２方向に沿って互いに一定の間隔を有するように配置された複数のサブ感知電極Ｒｘを含む。複数の感知電極は第１方向で切れることなく連続的に形成され得る。
【0144】
複数の駆動電極は第２方向に沿って延び、第１方向に沿って互いに一定の間隔を有するように配置される複数のサブ駆動電極Ｔｘを含む。複数のサブ駆動電極Ｔｘは第２方向で互いに電気的に連結され得る。
【0145】
複数のサブ感知電極Ｒｘおよび複数のサブ駆動電極Ｔｘが同一層に形成される場合、複数のサブ駆動電極Ｔｘはブリッジパターンによって電気的に連結され得る。
【0146】
複数のサブ感知電極Ｒｘおよび複数のサブ駆動電極Ｔｘはメタルメッシュ構造を有することができる。
【0147】
また、複数のサブ感知電極Ｒｘがブリッジパターンによって電気的に連結され、複数のサブ駆動電極Ｔｘは切れることなく連続的に形成されて電気的に連結され得る。
【0148】
第１タッチ電極８１０は複数のサブ感知電極Ｒｘまたは複数のサブ駆動電極Ｔｘを互いに電気的に連結することができる。
【0149】
第１タッチ電極８１０はモリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／チタン（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）等の金属物質からなる単層または多層構造を有することができるが、これに限定されない。
【0150】
第１タッチ電極８１０上にタッチ絶縁層８２０が配置され得る。タッチ絶縁層８２０は表示領域ＡＡおよび非表示領域ＮＡの前面に配置され得、パッド部に延びて配置され得る。タッチ絶縁層８２０は第２絶縁層であり得、用語に限定されるものではない。
【0151】
タッチ絶縁層８２０は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｙＯｚ）のうち少なくとも一つ以上の無機物からなり得、これに限定されるものではない。
【0152】
タッチ絶縁層８２０の上に第２タッチ電極８３０が配置され得る。第２タッチ電極８３０はタッチ駆動のための複数のサブ感知電極Ｒｘまたは複数のサブ駆動電極Ｔｘであり得る。
【0153】
第２タッチ電極８３０が形成される同一の工程で非表示領域ＮＡにタッチ駆動信号を伝達するためのタッチライン８４０が配置され得る。
【0154】
タッチライン８４０は第１ゲート駆動トランジスタＧＴ１または第２ゲート駆動トランジスタＧＴ２と重なり得、パッド部まで延びて配置され得る。
【0155】
第２タッチ電極８３０およびタッチライン８４０はモリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ｔｉ）、チタン／アルミニウム／チタン（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、モリブデン／アルミニウム／モリブデン（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ）等の金属物質からなる単層または多層構造を有することができるが、これに限定されない。
【0156】
第２タッチ電極８３０およびタッチライン８４０の上に第３平坦化層８５０が配置され得る。
【0157】
第３平坦化層８５０は第２タッチ電極８３０、タッチライン８４０およびタッチ絶縁層８２０をカバーして平坦化することができる。また、第３平坦化層８５０はＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）、アクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち一つ以上の物質からなり得、これに限定されるものではない。
【0158】
第３平坦化層８５０上に接着層９００およびカバーウインドウ９１０が配置され得る。
【0159】
【0160】
第１領域ＰＨは表示領域ＡＡ領域内にカメラを配置するために、ホール領域Ｈおよびホール領域Ｈを囲む第１パターン部ＰＴ１、第１ダム部ＤＭ、および第２パターン部ＰＴ２およびルーティング配線領域ＲＫを含む。
【0161】
ホール領域Ｈは第１領域ＰＨの中心部に位置することができ、基板１００から第３平坦化層８５０まで物理的に貫通するように形成され得る。ホール領域Ｈにはカメラ、センサおよび光源を含むことができ、ホール領域Ｈによってカメラまたはセンサの上部で光が容易に透過され得る。
【0162】
ルーティング配線領域ＲＫは表示領域ＡＡのサブピクセルが第１領域ＰＨの間で互いに電気的に連結されるためのルーティング配線が配置される。
【0163】
第１ルーティング配線２０は第１領域ＰＨに延びて配置される第１ゲート絶縁層１２０上で第１ゲート電極２２０、第２ゲート電極４１０、第１金属層３００、第２金属層５００および第１キャパシタ電極Ｃｓｔ１を形成する工程と同一の工程で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0164】
第２ルーティング配線３０は第１領域ＰＨで延びて配置される第２絶縁層１３０上で第２キャパシタ電極Ｃｓｔ２を形成する工程と同一の工程で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0165】
第３ルーティング配線４０は第１領域ＰＨに延びて配置される第４絶縁層１６０上で第１ソース電極２３０Ｓ、第１ドレイン電極２３０Ｄ、第２ソース電極４２０Ｓ、第２ドレイン電極４２０Ｄ、第３ソース電極３３０Ｓ、第３ドレイン電極３３０Ｄ、第４ソース電極５３０Ｓおよび第４ドレイン電極５３０Ｄと同一の工程で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0166】
第４ルーティング配線５０は第１領域ＰＨに延びて配置される第１平坦化層１７０上で連結電極２４０と同一の工程で形成され得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0167】
ルーティング配線領域ＲＫで第１タッチ電極８１０および第２タッチ電極８３０がルーティング配線のための配線で形成されて、表示領域ＡＡのタッチ駆動信号を電気的に連結することができる。
【0168】
表示領域ＡＡのサブピクセルのゲートラインは第１ルーティング配線２０および第２ルーティング配線３０と連結されて第１領域ＰＨでも電気的に連結され得、サブピクセルのデータラインは第３ルーティング配線４０および第４ルーティング配線５０と連結されて第１領域ＰＨでも電気的に連結され得る。
【0169】
第１パターン部ＰＴ１および第２パターン部ＰＴ２はホール領域Ｈを囲むように配置される。第１パターン部ＰＴ１および第２パターン部ＰＴ２は複数のパターンＰＴを含んでおり、複数のパターンＰＴそれぞれは下部パターンＰＴａおよび上部パターンＰＴｂからなり得る。下部パターンＰＴａは第４絶縁層１６０と同一の物質で同時に形成され得る。上部パターンＰＴｂは第２平坦化層１８０と同一の物質で同時に形成され得る。しかし、複数のパターンＰＴの絶縁層の物質および層の個数はこれに制限されるものではない。
【0170】
また、複数のパターンＰＴは互いに一定の距離離隔するように配置され得る。
【0171】
複数のパターンＰＴは水分の浸透に脆弱な発光素子層６１０を通じて水分が表示領域ＡＡに浸透することを防止することができる。
【0172】
下部パターンＰＴａ上に配置される上部パターンＰＴｂの下面の幅は下部パターンＰＴａの上面より広い幅を有する。
【0173】
上部パターンＰＴｂの上面および側面に配置される発光素子層６１０は上部パターンＰＴｂの下面と下部パターンＰＴａの側面との離隔空間によって、発光素子層６１０は下部パターンＰＴａの側面部に形成されないため複数のパターンＰＴによって断線され得る。
【0174】
また、第１領域ＰＨのルーティング配線領域ＲＫ、第１パターン部ＰＴ１、第１ダム部ＤＭ、および第２パターン部ＰＴ２に配置される第１封止層７１０は、上部パターンＰＴｂの上面および側面と上部パターンＰＴｂの下面の一部に形成され得、下部パターンＰＴｂの側面の一部には形成されないため空隙（ＥＳ：Ｅｍｐｔｙ ｓｐａｃｅ）が形成され得る。
【0175】
第１パターン部ＰＴ１および第２パターン部ＰＴ２の間の第１ダム部ＤＭにはホールダムＨＤＭが配置され得る。
【0176】
ホールダムＨＤＭは第２封止層７２０がホール領域Ｈに溢れることを防止することができる。ホールダムＨＤＭは一つ以上の複数個が連続に配置され得、第１パターン部ＰＴ１および第２パターン部ＰＴ２内に配置されてもよい。
【0177】
ホールダムＨＤＭは第４絶縁層１６０、第２平坦化層１８０、およびバンク１９０を形成する時に同一の物質および同一の工程で形成されたパターンが積層されてなり得、本明細書の実施例はこれに限定されない。
【0178】
ホールダムＨＤＭによって第２封止層７２０は第２パターン部ＰＴ２およびホールダムＨＤＭの一部にのみ配置され得る。
【0179】
第３封止層７３０は第１領域ＰＨのルーティング配線領域ＲＫ、第１パターン部ＰＴ１、ダム部ＤＭ、および第２パターン部ＰＴ２に配置され得、第１パターン部ＰＴ１の複数のパターンＰＴの上面および側面で第１封止層７１０と接するか接触することができる。
【0180】
タッチバッファ層８００は第１領域ＰＨのルーティング配線領域ＲＫ、第１パターン部ＰＴ１、ダム部ＤＭおよび第２パターン部ＰＴ２で第３封止層７３０上に延びて配置され得る。
【0181】
タッチ絶縁層８２０は第１領域ＰＨのルーティング配線領域ＲＫ、第１パターン部ＰＴ１、ダム部ＤＭおよび第２パターン部ＰＴ２に延びて配置され、第２パターン部ＰＴ２およびホールダムＨＤＭ上ではタッチバッファ層８００上でタッチバッファ層８００の上面と接触して配置することができる。
【0182】
第１パターン部ＰＴ１の複数のパターンＰＴの間領域にはタッチバッファ層８００とタッチ絶縁層８２０の間に保護層６０が配置されてタッチバッファ層８００とタッチ絶縁層８２０が離隔され得る。
【0183】
保護層６０は第１パターン部ＰＴ１の複数のパターンＰＴの間で保護層６０の終端が複数のパターンＰＴと一部重なり得る。
【0184】
保護層６０はアクリル系樹脂（Ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、またはポリイミド系樹脂（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁物質のうち少なくとも一つ以上の物質からなり得、これに限定されるものではない。
【0185】
ホール領域Ｈを通じて投入される水分は、有機物質で形成される第３平坦化層８５０を通じて第１パターン部ＰＴ１のパターンＰＴに形成される空隙（ＥＳ）に浸透して、表示領域ＡＡに移動して表示パネルの品質が低下され得る。
【0186】
保護層６０は複数のパターンＰＴの間に配置されて、複数のパターンＰＴの上面のタッチバッファ層８００とタッチ絶縁膜８２０が接していてもよい。
【0187】
保護層６０が有機物質で形成されても複数のパターンＰＴの上面のタッチバッファ層８００とタッチ絶縁膜８２０により連結されないので、保護層６０により水分が移動されることを防止することができる。
【0188】
また、保護層６０が形成されることによって空隙（ＥＳ）及び隙間（Ｓｅａｍ）と第３平坦化層８５０との距離が遠くなって、第３平坦化層８５０の水分が伝達されないことができる。
【0189】
第１パターン部ＰＴ１の複数のパターンＰＴの下部パターンＰＴａの下部面から上部パターンＰＴｂの上部面までの第１高さＨ１と下部パターンＰＴａの下部面から保護層６０の上部面までの第２高さＨ２は互いに異なり得、第２高さＨ２が第１高さＨ１より高くてもよい。
【0190】
第１パターン部ＰＴ１はホール領域Ｈと隣接して第１パターン部ＰＴ１の終端部Ｅｄに配置されるパターンＰＴ、第１封止層７１０、第３封止層７３０、タッチバッファ層８００およびタッチ絶縁層８２０などの絶縁層の側面がホール領域Ｈに露出され得る。
【0191】
基板１００の下部には表示装置１０の支持プレート７０が配置され得、ホール領域Ｈには支持プレート７０がホール領域Ｈと対応するようにホールが形成され、当該ホールにカメラ、センサ、および光源などを含む光学部１０１が配置され得る。
【0192】
本明細書の実施例に係る表示装置は、下記のように説明され得る。
【0193】
本明細書の実施例に係る表示装置は、表示領域および非表示領域を含む基板、表示領域に配置される第１領域と第１領域にあるホール領域、第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部を含み、第１領域の少なくとも一部分上にある封止層、第１絶縁層および第２絶縁層および第１パターン部に配置される複数の第１パターンを含み、複数の第１パターンの間で第１絶縁層と第２絶縁層は互いに離隔し、複数の第１パターンの上部面の少なくとも一部分で第１絶縁層および第２絶縁層は互いに接する。
【0194】
本明細書のいくつかの実施例によると、第２パターン部に配置される複数の第２パターンを含み、封止層は複数の第２パターン上にあり、第２パターン部で第１絶縁層と第２絶縁層は互いに接していてもよい。
【0195】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの間の第１絶縁層と第２絶縁層の間に保護層が配置され得る。
【0196】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの下部面から上部面までの第１高さと第１パターンの下部面から保護層の上部面の第２高さは互いに異なり得る。
【0197】
本明細書のいくつかの実施例によると、第２高さが第１高さより高くてもよい。
【0198】
本明細書のいくつかの実施例によると、保護層の終端は複数の第１パターンと一部重なり得る。
【0199】
本明細書のいくつかの実施例によると、表示領域に配置される複数のピクセルおよび複数のピクセルに配置される複数のトランジスタを含むことができる。
【0200】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数のトランジスタと電気的に連結されたアノード電極、発光層およびカソード電極を含むことができる。
【0201】
本明細書のいくつかの実施例によると、封止層はカソード電極上に配置され得る。
【0202】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１絶縁層上に配置される第１タッチ電極、第２絶縁層および第２タッチ電極を含むことができる。
【0203】
本明細書のいくつかの実施例によると、封止層は第１封止層、第２封止層および第３封止層を含むことができる。
【0204】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１領域で第１封止層、第３封止層、第１絶縁層、および第２絶縁層の側面が露出され得る。
【0205】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１領域に配置されるカメラ、センサおよび光源をさらに含むことができる。
【0206】
本明細書のいくつかの実施例によると、非表示領域に配置される駆動回路部および第２ダム部をさらに含むことができる。
【0207】
本明細書の実施例に係る表示装置は、表示領域および非表示領域を含む基板と表示領域に配置される第１領域および複数のピクセルおよび複数のピクセルに配置される複数のトランジスタを含み、複数のトランジスタ上に配置される平坦化層と平坦化層上に配置されるアノード電極、発光層、およびカソード電極を含み、カソード電極上に配置される封止層、封止層上に配置される第１絶縁層．第１タッチ電極、第２絶縁層、および第２タッチ電極および第１領域にある第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部を含み、第１絶縁層および第２絶縁層は第１パターン部、第１ダム部、および第２パターン部に延びて配置される。
【0208】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１パターン部に配置される複数の第１パターンを含むことができる。
【0209】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの上面の一部で第１絶縁層と第２絶縁層が接することができる。
【0210】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの間で第１絶縁層と第２絶縁層が離隔され得る。
【0211】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの間の第１絶縁層と第２絶縁層の間に保護層が配置され得る。
【0212】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第１パターンの下部面から上部面までの第１高さと第１パターンの下部面から保護層の上部面の第２高さは互いに異なり得る。
【0213】
本明細書のいくつかの実施例によると、第２高さが第１高さより高くてもよい。
【0214】
本明細書のいくつかの実施例によると、保護層の終端は複数の第１パターンと一部重なり得る。
【0215】
本明細書のいくつかの実施例によると、第２パターン部に配置される複数の第２パターンを含むことができる。
【0216】
本明細書のいくつかの実施例によると、複数の第２パターン上に封止層、第１絶縁層および第２絶縁層が延びて配置され得る。
【0217】
本明細書のいくつかの実施例によると、第２パターン部上で第１絶縁層および第２絶縁層が接することができる。
【0218】
本明細書のいくつかの実施例によると、封止層は第１封止層、第２封止層および第３封止層を含むことができる。
【0219】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１領域で第１封止層、第３封止層、第１絶縁層、および第２絶縁層の側面が露出され得る。
【0220】
本明細書のいくつかの実施例によると、第１領域に配置されるホール領域にカメラ、センサおよび光源をさらに含むことができる。
【0221】
本明細書のいくつかの実施例によると、非表示領域に配置される駆動回路部および第２ダム部をさらに含むことができる。
【0222】
以上、添付された図面を参照して本明細書の実施例をさらに詳細に説明したが、本明細書は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本明細書の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施され得る。したがって、本明細書に開示された実施例は本明細書の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例はすべての面で例示的なものであり限定的ではないものと理解すべきである。本明細書の保護範囲は請求の範囲によって解釈されるべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【0223】
ＰＨ：第１領域
ＲＫ：ルーティング配線領域
ＰＴ１：第１パターン部
ＰＴ２：第２パターン部
Ｈ：ホール領域
１０１：光学部
７０：支持プレート
ＨＤＭ：ホールダム
６０：保護層
７１０：第１封止層
７２０：第２封止層
７３０：第３封止層
８００：タッチバッファ層
８２０：タッチ絶縁層
ＲＫ：ルーティング配線領域
ＰＴ１：第１パターン部
ＰＴ２：第２パターン部
Ｈ：ホール領域
１０１：光学部
７０：支持プレート
ＨＤＭ：ホールダム
６０：保護層
７１０：第１封止層
７２０：第２封止層
７３０：第３封止層
８００：タッチバッファ層
８２０：タッチ絶縁層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】