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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024046899
(43)【公開日】2024-04-05
(54)【発明の名称】液晶パネル及び液晶表示装置
(51)【国際特許分類】
G02F 1/1335 20060101AFI20240329BHJP
G02F 1/1339 20060101ALI20240329BHJP
G02F 1/1368 20060101ALN20240329BHJP
【ＦＩ】
G02F1/1335 500
G02F1/1339 500
G02F1/1368
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022152256
(22)【出願日】2022-09-26
(71)【出願人】
【識別番号】520487808
【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】内田 誠一
(72)【発明者】
【氏名】岡田 訓明
(72)【発明者】
【氏名】吉田 圭介
【テーマコード（参考）】
2H189
2H192
2H291
【Ｆターム（参考）】
2H189DA07
2H189DA32
2H189EA02X
2H189FA16
2H189JA10
2H189JA14
2H189LA15
2H192AA24
2H192BC12
2H192EA02
2H192EA17
2H192EA22
2H192EA42
2H192EA67
2H192GD23
2H192JA13
2H192JA33
2H291FA14Y
2H291FD25
2H291FD26
2H291GA11
2H291LA24
2H291MA02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】視認性が良好で、表示品位の低下が充分に抑制された液晶パネル、並びに、これを用いたヘッドマウントディスプレイ及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数の行及び複数の列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板との間に、液晶層と、スペーサと、遮光部とを備え、上記遮光部は、列方向に沿って配置され、かつ行方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の列方向遮光部と、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の行方向遮光部とを有し、上記行方向遮光部は、上記スペーサの配置領域を含む第一遮光部と、上記第一遮光部と列方向に隣り合う第二遮光部とを含み、上記第二遮光部の列方向の位置が、上記第二遮光部と行方向に隣り合う行方向遮光部の列方向の位置に対して、上記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている、液晶パネル。
【選択図】図５
【解決手段】複数の行及び複数の列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有し、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板との間に、液晶層と、スペーサと、遮光部とを備え、上記遮光部は、列方向に沿って配置され、かつ行方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の列方向遮光部と、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の行方向遮光部とを有し、上記行方向遮光部は、上記スペーサの配置領域を含む第一遮光部と、上記第一遮光部と列方向に隣り合う第二遮光部とを含み、上記第二遮光部の列方向の位置が、上記第二遮光部と行方向に隣り合う行方向遮光部の列方向の位置に対して、上記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている、液晶パネル。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の行及び複数の列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶パネルであって、
第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板とを備え、
前記第一基板と前記第二基板との間に、液晶層と、スペーサと、遮光部とを備え、
前記遮光部は、列方向に沿って配置され、かつ行方向に並ぶ前記複数の画素間を遮光する複数の列方向遮光部と、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ前記複数の画素間を遮光する複数の行方向遮光部とを有し、
前記行方向遮光部は、前記スペーサの配置領域を含む第一遮光部と、前記第一遮光部と列方向に隣り合う第二遮光部とを含み、
前記第二遮光部の列方向の位置が、前記第二遮光部と行方向に隣り合う行方向遮光部の列方向の位置に対して、前記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている
ことを特徴とする液晶パネル。
第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板とを備え、
前記第一基板と前記第二基板との間に、液晶層と、スペーサと、遮光部とを備え、
前記遮光部は、列方向に沿って配置され、かつ行方向に並ぶ前記複数の画素間を遮光する複数の列方向遮光部と、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ前記複数の画素間を遮光する複数の行方向遮光部とを有し、
前記行方向遮光部は、前記スペーサの配置領域を含む第一遮光部と、前記第一遮光部と列方向に隣り合う第二遮光部とを含み、
前記第二遮光部の列方向の位置が、前記第二遮光部と行方向に隣り合う行方向遮光部の列方向の位置に対して、前記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている
ことを特徴とする液晶パネル。
【請求項2】
前記第二遮光部に重畳する構造物の列方向の位置が、前記第二遮光部に行方向に隣り合う行方向遮光部に重畳する構造物の列方向の位置に対して、前記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項3】
前記行方向遮光部は、前記第一基板側に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項4】
前記行方向遮光部は、前記第二基板側に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項5】
前記第一遮光部は、列方向に並ぶ複数の青色画素間を遮光する行方向遮光部である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項6】
前記第一遮光部が遮光する列方向に並ぶ青色画素のうち一つ（ａ）の開口率をＡ（％）とし、前記青色画素（ａ）と前記第一遮光部とは逆の列方向に隣り合う青色画素（ｂ）の開口率をＢ（％）としたときに、下記式（１）を満たす
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶パネル。
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
ことを特徴とする請求項５に記載の液晶パネル。
【請求項7】
請求項１～６のいずれかに記載の液晶パネルを備えることを特徴とするヘッドマウントディスプレイデバイス。
【請求項8】
請求項１～６のいずれかに記載の液晶パネルを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
以下の開示は、液晶パネル及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置の主要部品である液晶パネルは一般に、一対の基板間に液晶層を封入した構成からなり、液晶層に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御している。このような液晶パネルは、薄型、軽量及び低消費電力といった特長を活かし、各種用途に広く用いられている。
【0003】
液晶パネルでは通常、液晶層の厚み（セルギャップとも称す）を制御するために、柱状のスペーサ（フォトスペーサ又はスペーサとも称す）が設けられる。スペーサ周辺では、液晶分子が所望の配向方向とは異なる方向に配向して光漏れの原因となるため、これを防止するために、スペーサと重なるように遮光部が配置される。特許文献１には、スペーサと重なる位置に遮光部を配置し、更に一部の遮光部の幅を狭くして開口部の面積を調整する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１６－１２２１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
図１７は、従来の液晶パネルの画素の平面模式図（概念図）である。この液晶パネルは、一対の基板間に、液晶層とともに、スペーサ４０Ｒと、複数の画素間を行方向に遮光する遮光部５１０Ｒ、及び、複数の画素間を列方向に遮光する遮光部５２０Ｒとを備える（図１７では基板と液晶層は図示せず）。通常、スペーサ４０Ｒの配置領域に設けられる遮光部は、スペーサを配置することに伴う光漏れを抑制するために、比較的大きなサイズで設けられる（遮光部５２１０Ｒ）。これに起因して、スペーサ周囲の画素（６１０Ｒ等）の開口率が、他の画素の開口率と比べて大きく低下することから、液晶パネルに画像を表示させて視認したときにスペーサ４０Ｒが配置された部分だけ暗く視認されてしまい、視認性が良好とはならない。
【0006】
図１８は、特許文献１に記載された液晶表示装置が有する画素の平面模式図である。図１８では、図１７と対比しやすくするために、画素を簡略化かつ概念化して示している。この装置でも、スペーサ４０Ｒの配置領域に設けられる遮光部は、比較的大きなサイズで設けられる（遮光部５２１０Ｒ）。特許文献１では、スペーサ４０Ｒの上下（図面中の上下を意味する）方向に位置する画素６１０Ｒと、当該画素６１０Ｒからスペーサ４０Ｒと離れる上下方向にある６２０Ｒと、を遮光する遮光部５２２０Ｒの上下方向の幅を狭くしており、これにより、スペーサ４０Ｒの上下に位置する画素６１０Ｒの開口率を調整している。しかし、開口率の調整が難しく、また光漏れが視認されてコントラストが低下するおそれもある。
【0007】
ところで、ＴＶやスマートフォン、タブレット等の用途では、画素密度が１０００ｐｐｉ以下である低精細液晶パネルが通常使用される。一方、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤとも称す）のような、観察者の眼から液晶パネルまでの距離が非常に小さい機器では、画素密度が１０００ｐｐｉを超えるような高精細液晶パネルが使用される。これらの液晶パネルの画素の一例を、図１９及び図２０にそれぞれ示す。
【0008】
図１９は、低精細液晶パネル１Ｌの画素の平面模式図である。図２０は、高精細液晶パネル１Ｈの画素の平面模式図である。簡略化のために、図１９及び図２０では、カラーフィルタ層６０（赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂ）、スペーサ４０、ゲートライン７１及びソースライン７４のみ表示している。低精細液晶パネル１Ｌでは、図１９に示すように、一つの画素の面積（サイズ）がスペーサ４０に比べて大きいため、スペーサ４０の配置領域に重なる画素６１０の開口率への影響は小さく、よって視認性への影響は小さいと考えられる。これに対し、高精細液晶パネル１Ｈでは、図２０に示すように、低精細液晶パネル１Ｌに比べて、一つの画素の面積が小さくなる。そのため、スペーサ４０の配置領域に重なる画素６１０の開口率への影響が相対的に大きくなる。即ち高精細液晶パネル１Ｈでは、画素サイズに対してスペーサ４０のサイズを無視できなくなり、スペーサ４０を配置する領域に重なる画素６１０の開口率が大きく低下してしまう。それゆえ、高精細液晶パネル１Ｈに画像を表示させて視認したときに、スペーサ４０が配置された部分だけ暗く視認される（この現象を「高精細画素のスクリーンドア効果」とも称す）。このようにスペーサ４０による画素開口率への影響は、高精細液晶パネルにおいて特に顕著な課題となる。従って、高精細液晶パネルであっても視認性を良好にすることができる技術が要求される。
【0009】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、視認性が良好で、表示品位の低下が充分に抑制された液晶パネル、並びに、これを用いたヘッドマウントディスプレイ及び液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
（１）本発明の一実施形態は、複数の行及び複数の列を有するマトリクス状に配列された複数の画素を有する液晶パネルであって、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板とを備え、上記第一基板と上記第二基板との間に、液晶層と、スペーサと、遮光部とを備え、上記遮光部は、列方向に沿って配置され、かつ行方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の列方向遮光部と、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ上記複数の画素間を遮光する複数の行方向遮光部とを有し、上記行方向遮光部は、上記スペーサの配置領域を含む第一遮光部と、上記第一遮光部と列方向に隣り合う第二遮光部とを含み、上記第二遮光部の列方向の位置が、上記第二遮光部と行方向に隣り合う行方向遮光部の列方向の位置に対して、上記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている、液晶パネル。
【0011】
（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記第二遮光部に重畳する構造物の列方向の位置が、上記第二遮光部に行方向に隣り合う行方向遮光部に重畳する構造物の列方向の位置に対して、上記スペーサの配置領域とは逆方向にずれている、液晶パネル。
【0012】
（３）また、本発明のある実施形態は、上記（１）又は上記（２）の構成に加え、上記行方向遮光部は、上記第一基板側に配置されている、液晶パネル。
【0013】
（４）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記行方向遮光部は、上記第二基板側に配置されている、液晶パネル。
【0014】
（５）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、上記第一遮光部は、列方向に並ぶ複数の青色画素間を遮光する行方向遮光部である、液晶パネル。
【0015】
（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）又は上記（５）の構成に加え、上記第一遮光部が遮光する列方向に並ぶ青色画素のうち一つ（ａ）の開口率をＡ（％）とし、上記青色画素（ａ）と上記第一遮光部とは逆の列方向に隣り合う青色画素（ｂ）の開口率をＢ（％）としたときに、下記式（１）を満たす、液晶パネル。
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
【0016】
（７）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）又は上記（６）に記載の液晶パネルを備える、ヘッドマウントディスプレイデバイス。
【0017】
（８）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）又は上記（６）に記載の液晶パネルを備える、液晶表示装置。
【発明の効果】
【0018】
本発明によれば、視認性が良好で表示品位の低下が充分に抑制された液晶パネル、並びに、これを用いたヘッドマウントディスプレイ及び液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】実施形態１～４の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図である。
【図2】実施形態１～４の液晶パネルの断面模式図である。
【図3】実施形態１～４の液晶パネルが有する画素の平面模式図である。
【図9】実施形態１の液晶表示装置の断面模式図である。
【図10】実施形態１の液晶パネルを備えるＨＭＤの外観の一例を示す斜視模式図である。
【図17】従来の液晶パネルの画素の平面模式図である。
【図18】特許文献１に記載された液晶表示装置が有する画素の平面模式図である。
【図19】低精細液晶パネル１Ｌの画素の平面模式図である。
【図20】高精細液晶パネル１Ｈの画素の平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
（用語の定義）
本明細書中、観察面側とは、液晶表示装置又は液晶パネルの画面（表示面）に対してより近い側を意味し、背面側とは、液晶表示装置又は液晶パネルの画面（表示面）に対してより遠い側を意味する。
本明細書中、観察面側とは、液晶表示装置又は液晶パネルの画面（表示面）に対してより近い側を意味し、背面側とは、液晶表示装置又は液晶パネルの画面（表示面）に対してより遠い側を意味する。
【0021】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で適宜設計変更を行うことが可能である。
【0022】
（実施形態１）
図１は、本実施形態の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図である。図２は、本実施形態の液晶パネルの断面模式図である。図３は、本実施形態の液晶パネルが有する画素の平面模式図である。簡略化のために、図３では、カラーフィルタ層６０（赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ、青色カラーフィルタ６０Ｂ）、スペーサ４０、ゲートライン７１及びソースライン７４のみ表示している。図４は、図３中のＸ部分を拡大した図（概念図）である（カラーフィルタ層６０は図示せず）。図５は、スペーサ４０と遮光部５０との関係を分かりやすく示すために、図４を簡略化した図である。図６は、画素の開口率を検討するために、図４を簡略化した図である。図７は、図４中のＡ－Ａ’線を切断面とする断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。図８は、図４中のＢ－Ｂ’線を切断面とする断面図（Ｂ－Ｂ’線断面図）である。
図１は、本実施形態の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図である。図２は、本実施形態の液晶パネルの断面模式図である。図３は、本実施形態の液晶パネルが有する画素の平面模式図である。簡略化のために、図３では、カラーフィルタ層６０（赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ、青色カラーフィルタ６０Ｂ）、スペーサ４０、ゲートライン７１及びソースライン７４のみ表示している。図４は、図３中のＸ部分を拡大した図（概念図）である（カラーフィルタ層６０は図示せず）。図５は、スペーサ４０と遮光部５０との関係を分かりやすく示すために、図４を簡略化した図である。図６は、画素の開口率を検討するために、図４を簡略化した図である。図７は、図４中のＡ－Ａ’線を切断面とする断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。図８は、図４中のＢ－Ｂ’線を切断面とする断面図（Ｂ－Ｂ’線断面図）である。
【0023】
本実施形態の液晶パネル１は、図２に示すように、背面側から順に、第一基板１０と、液晶層２０と、第二基板３０とを備える。即ち液晶層２０が、対向配置された第一基板１０と第二基板３０との間に挟持された構造を有する。第一基板１０と第二基板３０との間には更に、スペーサ４０と遮光部５０とが配置されている（図２には図示せず）。本実施形態では、第一基板１０として、支持基板１１０上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴと称す）素子を備えるＴＦＴ基板を用い、第二基板３０として、支持基板３１０上にカラーフィルタ（ＣＦと称す）６０を備えるＣＦ基板を用いる形態について説明する。第二基板を、対向基板とも称す。
【0024】
図１に示すように、液晶パネル１中央の表示部Ａの両側（図面では左右両側）に、ゲートドライバ７０が配置されている。ここでは、ゲートドライバ７０は表示部Ａの両側に配置されているが、左右どちらか一方の配置でもよい。表示部Ａは、列方向（図面では上下方向）に沿って互いに平行に配置された複数のソースライン（信号線）７４と、各ソースライン７４と垂直に交わるように行方向（図面では左右方向）に沿って互いに平行に配置された複数のゲートライン（走査線）７１と、を有する。これら複数のソースライン７４と複数のゲートライン７１は、各画素を区画するように、全体としてマトリクス状（格子状）に形成されている。即ち本実施形態の液晶パネル１は、複数の行及び複数の列を有するマトリクス状に配列された複数の画素（サブ画素）６００を有する。各画素６００では、ソースライン７４とゲートライン７１との交点に、スイッチング素子としてのＴＦＴが配置されている。ＴＦＴとは、ゲート電極７２、ソース電極７５及び半導体膜８５を有する素子である。
【0025】
ＴＦＴ基板１０は、支持基板１１０上に、種々の構成物を備える（例えば図１、図４及び図７を参照）。ＴＦＴの半導体部（半導体膜とも称す）８５には、第一のコンタクト部７６を介してソースライン７４が重なっており、その重なり部分が、ＴＦＴのソース電極７５となっている。またゲートライン７１が、ＴＦＴのゲート電極７２となっている。半導体膜８５の先には第二のコンタクト部７７が設けられており、第二のコンタクト部７７を介して第一の透明電極９１が接続されている。この第一の透明電極９１が、画素電極となる。第一の透明電極９１の上に、絶縁膜（第四の絶縁膜８４）が形成され、その上に第二の透明電極９２が形成されている。この第二の透明電極９２が、共通電極（コモン電極とも称す）となる。ＴＦＴ基板１０は、必要に応じて平坦化膜８０を有する。各層間には、必要に応じて絶縁膜が設けられる（第一、第二、第三の絶縁膜８１、８２、８３、ゲート絶縁膜７３等）。
【0026】
ＣＦ基板３０は、支持基板３１０上にカラーフィルタ層６０を備える（例えば図７参照）。ＣＦ基板３０は更に、ブラックマトリクス（ＢＭとも称す）を備える。より具体的には、支持基板３１０上に、ＢＭと、ＢＭの格子間に周期的に配列するように設けられたカラーフィルタ層６０（赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂ）と、を備える構成が挙げられる（図３も参照）。なお、ＢＭは、遮光部５０として機能する。例えば本実施形態では、ＣＦ基板３０に形成したＢＭにより、列方向遮光部５１０を構成している。
【0027】
図４及び図５に示すように、列方向及び行方向に、複数の画素間を遮光する遮光部５０が配置されている（列方向遮光部５１０及び行方向遮光部５２０）。列方向遮光部５１０は、第二基板（ＣＦ基板）３０側に配置されており、この列方向遮光部５１０に重なるように、第一基板（ＴＦＴ基板）１０側にソースライン７４が配置されている。列方向遮光部５１０は、列方向（図面の上下方向）に沿って配置され、かつ行方向（図面の左右方向）に並ぶ複数の画素間を遮光する。行方向遮光部５２０は、行方向に沿って配置され、かつ列方向に並ぶ複数の画素間を遮光する。なお、行方向遮光部５２０は、一つの行方向において、点線状に分離していてもよいし、一つの繋がりとして配置されていてもよい。列方向遮光部５１０もまた、一つの列方向において、点線状に分離していてもよいし、一つの繋がりとして配置されていてもよい。
【0028】
行方向遮光部５２０の少なくとも一つ（第一遮光部５２１０）に重なるように、第一基板１０と第二基板３０との間にスペーサ４０が配置されている（図５、図６及び図７参照）。即ちスペーサ４０の配置領域に、第一遮光部５２１０が設けられている。本実施形態では、第一遮光部５２１０等の行方向遮光部５２０は、第一基板１０側に配置されている（図７参照）。第一遮光部５２１０は、列方向に並ぶ画素６１０間を遮光している（図５参照）。
第二遮光部５２２０は、画素６１０を挟んで、第一遮光部５２１０と列方向（図面では上下方向）に隣り合う行方向遮光部を意味する（図５参照）。
第二遮光部５２２０は、画素６１０を挟んで、第一遮光部５２１０と列方向（図面では上下方向）に隣り合う行方向遮光部を意味する（図５参照）。
【0029】
第二遮光部５２２０は、その列方向の位置が、第二遮光部５２２０と行方向（図面では左右方向）に隣り合う行方向遮光部５２３０の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向にずれている（特に図５中、ｙ部分を参照）。行方向遮光部５２３０の列方向の位置もまた、行方向遮光部５２３０と行方向に隣り合う行方向遮光部（第二遮光部５２２０とは逆の行方向に隣り合う行方向遮光部）の列方向の位置に対して、スペーサの配置領域とは逆方向にずれていてもよい。このように第二遮光部５２２０の列方向の位置をずらすことで、第二遮光部５２２０の列方向の幅を変更させることなく、第一遮光部５２１０が遮光する画素６１０の開口率を調整することができる。即ち画素６１０の開口率の低下を充分に抑制することができる。
【0030】
スペーサ４０の配置領域が重なる画素は、青色画素であることが好ましい。これは、人間工学上、青色が最も視認性が悪いため、開口率低下による視認性への影響が最も小さくなると考えられるためである。それでも一般的には、上述した通り、画素が高精細になると、視認性への影響を無視できなくなると考えられる。だが、本実施形態の液晶パネルは、上述した通り、第二遮光部５２２０の列方向の位置がずれていることで、第一遮光部５２１０が遮光する列方向に並ぶ画素６１０の開口率低下が充分に抑制されるため、画素が高精細になっても良好な視認性を発揮することができる。
【0031】
例えば図６に示すように、スペーサ４０の配置領域に重なる画素６１０と、第一遮光部５２１０とは逆の列方向に隣り合う画素を画素６２０とし、画素６１０の開口率をＡ（％）、画素６２０の開口率をＢ（％）とした場合、理想的にはＡ＝Ｂとなることが好適である。視認性が最も良くなるためである。一方で、Ａが小さすぎると、スペーサ４０が視認されるおそれがある。実用上は、ＡとＢとが下記式（１）を満たすことが好適である。
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
{（Ａ／Ｂ）×１００｝は、より好ましくは９０％以上であり、更に好ましくは９５％以上である。好ましい上限は１００％である。
（Ａ／Ｂ）×１００≧８５（％） （１）
{（Ａ／Ｂ）×１００｝は、より好ましくは９０％以上であり、更に好ましくは９５％以上である。好ましい上限は１００％である。
【0032】
中でも特に、画素６１０が青画素の場合に、上記式（１）を満たすことが好適である。即ち、第一遮光部５２１０が遮光する列方向に並ぶ青色画素６１０のうち一つの画素（画素ａと称す）の開口率をＡ（％）とし、この青色画素ａと第一遮光部５２１０とは逆の列方向に隣り合う青色画素（画素ｂと称す）の開口率をＢ（％）としたときに、上記式（１）を満たすことが特に好ましい。人間の視覚では、青色が最も感度が低く、開口率低下による視認性低下の許容が大きい。それゆえ、上記画素ａが青色画素であるときに上記式（１）を満たせば、多くの人間はスペーサ４０が配置された部分を視認することができない。本発明では、特に青色画素において上記式（１）を満たすように、第二遮光部５２２０の列方向の位置を、行方向遮光部５２３０の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向に移動させることが好適である。
【0033】
画素ａ、ｂの開口率Ａ、Ｂと、スペーサ４０の配置領域に重ならない画素（例えば、図６中の画素ｃ）の開口率との関係は、特に限定されない。例えば、画素ｃの開口率をＣ（％）とした場合、スペーサ４０があるために、通常はＣ＞Ａ、Ｃ＞Ｂとなる。だが、カラーフィルタの材料や膜厚による色味の調整によって所望の色が調整できるならば、Ａ／Ｃ、Ｂ／Ｃの比率は特に限定されない。例えば、画素ａ、ｂが青色カラーフィルタ画素であり、画素ｃが赤色カラーフィルタ画素である場合、青色カラーフィルタの色を濃く調整する（例えば、濃い色の材料を用いたり、膜厚を増やしたりする等）ことで、色味の調整ができるため、Ａ／Ｃ、Ｂ／Ｃの比率を調整することができる。
【0034】
本実施形態では、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置が、第二遮光部５２２０に行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０に重畳する構造物の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向にずれている（図４及び図５参照）。第二遮光部５２２０の列方向の位置をずらすと、第二遮光部５２２０が本来遮光するはずの画素内構造物（例えば、ゲート電極、ＴＦＴ、コンタクト部等）が開口部に現れることがある。この場合、開口率の制御がより容易にならないことや、光漏れをより抑制してコントラストを更に高めることが難しくなることがある。だが、本実施形態では、第二遮光部５２２０とともに、第二遮光部５２２０に重畳する構造物も同様に移動させている。即ち、第二遮光部５２２０の列方向の位置がずれた後も第二遮光部５２２０に重畳する構造物を遮光できるように、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させている。これにより、開口率の制御がより容易になるうえ、光漏れがより充分に抑制されてコントラストをより一層高めることが可能になる。
【0035】
本実施形態において、液晶パネルの液晶モードは特に限定されず、液晶層中の液晶分子を基板面に垂直に配向させることで黒表示を行うものであってもよいし、液晶層中の液晶分子を基板面に平行に又は垂直でも平行でもない方向に配向させることで黒表示を行うものであってもよい。また、液晶パネルの駆動形式としては、ＴＦＴ方式（アクティブマトリクス方式）の他、単純マトリクス方式（パッシブマトリクス方式）、プラズマアドレス方式等であってもよい。
【0036】
本実施形態の液晶パネルは、画素電極及び共通電極の間に電圧を印加し、液晶層に横電界（フリンジ電界を含む）又は縦電界を印加することにより、表示を行うことができる。横電界方式としては、電圧無印加時に液晶層中の液晶分子が基板面に対して平行に配向する、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードやＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが挙げられる。縦電界方式としては、電圧無印加時に液晶層中の液晶分子が基板面に対して垂直に配向する、垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）が挙げられる。
【0037】
本実施形態の液晶パネルは、低精細液晶パネルであってもよいし、高精細液晶パネルであってもよい。上述したように、スペーサ４０による画素開口率への影響は、高精細液晶パネルにおいて特に顕著な課題となるが、本発明の液晶パネルであれば、高精細液晶パネルである場合も、視認性が良好で、表示品位の低下が充分に抑制されるという効果を充分に発揮することができる。それゆえ、本実施形態の液晶パネルは、高精細液晶パネルであることが好適である。
【0038】
本実施形態の液晶パネルは、例えば、下記方法により作製されるＣＦ基板（対向基板）３０とＴＦＴ基板１０とを互いに貼り合わせ、両者の間隙に液晶組成物を注入することによって液晶層２０を形成した後、得られた構造体を分断することにより、製造することができる（図７を適宜参照）。
【0039】
（１）ＣＦ基板３０の作製方法
まず支持基板３１０上に遮光膜を成膜し、この遮光膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の列方向遮光部５１０を形成する。遮光膜の材料は、例えば、ＢＭ（ブラックマトリクス）の材料として使用される材料を用いればよい。具体的には、黒色の感光性樹脂材料であってもよいし、金属材料であってもよい。例えば樹脂材料を用いる場合、得られる遮光部の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は１００ｎｍ以上、上限は３μｍ以下である。
まず支持基板３１０上に遮光膜を成膜し、この遮光膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の列方向遮光部５１０を形成する。遮光膜の材料は、例えば、ＢＭ（ブラックマトリクス）の材料として使用される材料を用いればよい。具体的には、黒色の感光性樹脂材料であってもよいし、金属材料であってもよい。例えば樹脂材料を用いる場合、得られる遮光部の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は１００ｎｍ以上、上限は３μｍ以下である。
【0040】
次に、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂに対応する領域に、赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂを順次形成することにより、カラーフィルタ層６０を形成する。各カラーフィルタの材料は、例えば、着色された感光性樹脂材料を用いることができる。通常、全ての画素に、赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂの組み合わせが配置され、赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂを透過する色光の量を制御しつつ混色させることで、各画素において所望の色が得られる。なお、カラーフィルタ層６０の液晶層２０側の表面は、平坦であってもよし、平坦でなくてもよい。平坦にする場合は、カラーフィルタ層６０を覆うような平坦化膜を設けてもよい。
【0041】
その後、複数のスペーサ４０を形成する。スペーサ４０は、例えば、透光性を有する樹脂材料から形成される。スペーサ４０は、後述のＴＦＴ基板１０側に形成する行方向遮光部５２０（特に第一遮光部５２１０）に重なるように配置される。また上述したように、スペーサ４０の配置領域は青色画素に重なることが好ましいため、青色カラーフィルタ６０Ｂを列方向に遮光する位置に、スペーサ４０を配置する。
【0042】
最後に、カラーフィルタ層６０（又は平坦化膜）に、必要に応じて配向膜（図示せず）を形成することで、ＣＦ基板３０が得られる。配向膜には、配向処理（例えば光配向処理）が行われる。
【0043】
（２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
まず支持基板１１０上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の行方向遮光部５２０（例えば、第一遮光部５２１０、第二遮光部５２２０、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０等）を形成する。導電性膜の材料は特に限定されないが、例えば、ＢＭ（ブラックマトリクス）の材料として使用される金属材料を用いればよい。具体的には、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。例えば金属材料を用いる場合、得られる遮光部の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は５００ｎｍ以下である。
まず支持基板１１０上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の行方向遮光部５２０（例えば、第一遮光部５２１０、第二遮光部５２２０、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０等）を形成する。導電性膜の材料は特に限定されないが、例えば、ＢＭ（ブラックマトリクス）の材料として使用される金属材料を用いればよい。具体的には、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。例えば金属材料を用いる場合、得られる遮光部の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は５００ｎｍ以下である。
【0044】
次に、絶縁膜（第一の絶縁膜８１）を形成した後、第一の絶縁膜８１上にＴＦＴの半導体部（半導体膜）８５を成膜し、この半導体膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングする。半導体膜８５は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体膜が好適である。また、アモルファスシリコン、ポリシリコン等からなる高抵抗半導体層と、アモルファスシリコンにリン等の不純物をドープしたｎ＋アモルファスシリコン等からなる低抵抗半導体層とによって構成してもよい。半導体膜８５の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は５００ｎｍ以下である。
【0045】
次に、ゲート絶縁膜７３を形成した後、ゲート絶縁膜７３上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、ゲートライン７１及びゲート電極７２を形成する。ゲートライン７１及びゲート電極７２の材料は、例えば、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属又はこれらの合金が挙げられ、単層であってもよいし、複数層の積層構造であってもよい。
【0046】
次に、絶縁膜（第二の絶縁膜８２）を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第一のコンタクト部７６）となる領域に開口部を形成する（つまり、この領域に成膜された当該絶縁膜を取り除く）。
【0047】
次に、第二の絶縁膜８２上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、ソースライン７４及びソース電極７５を形成する。ソースライン７４及びソース電極７５の材料は、例えば、銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン等の金属又はこれらの合金が挙げられ、単層であってもよいし、複数層の積層構造であってもよい。
【0048】
次に、絶縁膜（第三の絶縁膜８３）を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第二のコンタクト部７７）となる領域に開口部を形成する（つまり、この領域に成膜された当該絶縁膜を取り除く）。
【0049】
次に、第三の絶縁膜８３上に平坦化膜８０を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第二のコンタクト部７７）となる領域に開口部を形成する（つまり、この領域に成膜された当該平坦化膜を取り除く）。
【0050】
次に、平坦化膜８０上に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、透明電極（第一の透明電極９１）を形成する。本実施形態では、第一の透明電極９１が画素電極として機能する。
【0051】
次に、絶縁膜（第四の絶縁膜８４）を形成した後、第四の絶縁膜８４上に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、透明電極（第二の透明電極９２）を形成する。本実施形態では、第二の透明電極９２が、共通電極として機能する。
【0052】
最後に、必要に応じて配向膜（図示せず）を形成することで、ＴＦＴ基板１０が得られる。配向膜には、配向処理（例えば光配向処理）が行われる。
【0053】
支持基板１１０、３１０は、絶縁性の基板（絶縁基板とも称す）である。また、透明基板であることが好ましい。例えば、ガラス基板、プラスチック基板等が挙げられる。
【0054】
透明電極９１、９２（及び後述する９３）は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、これらの合金で形成することができる。透明電極の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は５００ｎｍ以下である。
【0055】
絶縁膜８１、８２、８３、８４及びゲート絶縁膜７３は、例えば、無機絶縁膜が好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機膜（比誘電率ε＝５～７）や、これらの積層膜を用いることができる。各絶縁膜の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は１０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は５００ｎｍ以下である。
【0056】
平坦化膜（平坦化膜８０等）は、例えば、有機絶縁膜が好ましい。有機絶縁膜としては、例えば、感光性樹脂等の比誘電率の小さい有機膜（比誘電率ε＝２～５）や、その積層膜を用いることができる。具体的には例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜や、これらの積層体が挙げられる。平坦化膜の厚みは特に限定されないが、例えば下限は１０ｎｍ以上、上限は５０００ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、下限は３０ｎｍ以上、上限は３０００ｎｍ以下である。
【0057】
なお上記では、ＴＦＴ基板１０が平坦化膜８０を有する構成を例示したが、平坦化膜８０を有さなくてもよい。また、共通電極として機能する第二の透明電極９２が、画素電極として機能する第一の透明電極９１の上に位置する構成を例示したが、画素電極として機能する第一の透明電極９１が、共通電極として機能する第二の透明電極９２の上に位置する構成を採用してもよい。更に、ＦＦＳモードで表示を行う（つまり横電界を利用して表示を行う）形態を例示したが、ＶＡモードのような縦電界を利用して表示を行う形態を採用してもよく、この場合は、対向基板３０側に、画素電極に対向する共通電極が設けられる。
【0058】
本実施形態では、第二遮光部５２２０の列方向の位置を、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向にずらしている。本実施形態では更に、第二遮光部５２２０の列方向の位置がずれた後も第二遮光部５２２０に重畳する構造物を遮光できるように、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させている。
【0059】
以下では、本実施形態の液晶パネルを備える液晶表示装置を例に挙げて説明する。
図９は、本実施形態の液晶表示装置の断面模式図である。図９に示す通り、本実施形態の液晶表示装置１０００は、本実施形態の液晶パネル１と、バックライト２と、を備える。
図９は、本実施形態の液晶表示装置の断面模式図である。図９に示す通り、本実施形態の液晶表示装置１０００は、本実施形態の液晶パネル１と、バックライト２と、を備える。
【0060】
バックライト２は、光を照射するものであれば特に限定されず、直下型やエッジ型やその他のどの方式でもよい。具体的には例えば、バックライト２は、導光板及び光源を含む光源ユニットと、反射シートと、拡散シートとを備えるものが好ましい。光源としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。
【0061】
本実施形態の液晶表示装置は、上述した部材の他、偏光板；ＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージ）、ＰＣＢ（プリント配線基板）等の外部回路；視野角拡大フィルム、輝度向上フィルム等の光学フィルム；ベゼル（フレーム）；等の複数の部材により構成されるものであり、部材によっては、他の部材に組み込まれていてもよい。既に説明した部材以外の部材については特に限定されず、液晶表示装置の分野において通常使用されるものを用いることができるので、説明を省略する。
【0062】
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置をヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）として使用したときの外観の一例、即ち本実施形態の液晶パネルを備えるＨＭＤの外観の一例を示す斜視模式図である。図１０に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００Ｘは、画像を表示するための本実施形態の液晶パネル１と、光学素子３と、バックライト（図示せず）とを備え、ユーザの頭部に装着可能な表示装置である。光学素子３は、例えば、レンズである。この図では両眼型ＨＭＤを例示したが、片眼型ＨＭＤであってもよい。
【0063】
ＨＭＤの表示方式は特に限定されず、水平配向モード、垂直配向モード等の各種表示モードが好ましく採用される。例えば、水平配向モードを利用したＨＭＤとしては、特開２０１９－１１３５８４号公報に記載のように、フリンジ電界の形成に用いる電極の開口形状に特徴を持たせた技術を採用することが好適である。
【0064】
（実施形態２）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、行方向遮光部５２０が、第二基板３０側に配置される形態について説明する。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、行方向遮光部５２０が、第二基板３０側に配置される形態について説明する。
【0065】
図１は、本実施形態の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図でもある。図２は、本実施形態の液晶パネルの断面模式図でもある。図３は、本実施形態の液晶パネルが有する画素の平面模式図でもある。図４は、図３中、Ｘ部分を拡大した図（概念図）である（カラーフィルタ層６０は図示せず）。図５は、スペーサ４０と遮光部５０との関係を分かりやすく示すために、図４を簡略化した図である。図６は、画素の開口率を検討するために、図４を簡略化した図である。図１１は、図４中のＡ－Ａ’線を切断面とする断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。
【0066】
実施形態１では、行方向遮光部５２０が、第一基板１０側に配置されているが（図７参照）、本実施形態では、行方向遮光部５２０が、第二基板３０側に配置されている（図１１参照）。それ以外の構成は、実施形態１の液晶パネルと同様である。本実施形態の液晶パネルもまた、視認性が良好で、表示品位の低下が充分に抑制されている。
【0067】
本実施形態の液晶パネルは、例えば、下記方法により作製されるＣＦ基板（対向基板）３０とＴＦＴ基板１０とを互いに貼り合わせ、両者の間隙に液晶組成物を注入することによって液晶層２０を形成した後、得られた構造体を分断することにより、製造することができる（図１１を適宜参照）。
【0068】
（１）ＣＦ基板３０の作製方法
実施形態１における上記（１）の方法ではまず、支持基板３１０上に複数の列方向遮光部５１０を形成したが、本実施形態では、支持基板３１０上に遮光膜を成膜し、この遮光膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の列方向遮光部５１０及び複数の行方向遮光部５２０を形成する。この他は、実施形態１における上記（１）の方法と同じである。
実施形態１における上記（１）の方法ではまず、支持基板３１０上に複数の列方向遮光部５１０を形成したが、本実施形態では、支持基板３１０上に遮光膜を成膜し、この遮光膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の列方向遮光部５１０及び複数の行方向遮光部５２０を形成する。この他は、実施形態１における上記（１）の方法と同じである。
【0069】
（２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
実施形態１における上記（２）の方法ではまず、支持基板１１０上に複数の行方向遮光部５２０を形成する工程を行うが、本実施形態ではこの工程を省略する。即ち支持基板１１０上に、絶縁膜（第一の絶縁膜８１）を形成する。この他は、実施形態１における上記（２）の方法と同じである。
実施形態１における上記（２）の方法ではまず、支持基板１１０上に複数の行方向遮光部５２０を形成する工程を行うが、本実施形態ではこの工程を省略する。即ち支持基板１１０上に、絶縁膜（第一の絶縁膜８１）を形成する。この他は、実施形態１における上記（２）の方法と同じである。
【0070】
（実施形態３）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを設ける形態、即ちＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ Ｏｎ Ａｒｒａｅｙ）構造の液晶パネルである形態について説明する。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、ＴＦＴ基板側にカラーフィルタを設ける形態、即ちＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ Ｏｎ Ａｒｒａｅｙ）構造の液晶パネルである形態について説明する。
【0071】
図１は、本実施形態の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図でもある。図２は、本実施形態の液晶パネルの断面模式図でもある。図３は、本実施形態の液晶パネルが有する画素の平面模式図でもある。図１２は、図３中、Ｘ部分を拡大した図（概念図）である（カラーフィルタ層６０は図示せず。）。図１３は、図１２中のＡ－Ａ’線を切断面とする断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。
【0072】
実施形態１では、第一基板１０としてＴＦＴ基板を用い、第二基板３０としてＣＦ基板を用いたが（図７参照）、本実施形態では、第一基板１０としてＣＯＡ構造のＴＦＴ基板を用い、第二基板（対向基板）３０として支持基板３１０を用いる（図１３参照）。本実施形態の液晶パネルもまた、視認性が良好で、表示品位の低下が充分に抑制されている。
【0073】
ＴＦＴ基板１０は、支持基板１１０上に、種々の構成物を備える（例えば図１、図１２及び図１３を参照）。ＴＦＴの半導体部（半導体膜）８５には、第一のコンタクト部７６を介してソースライン７４が重なっており、その重なり部分が、ＴＦＴのソース電極７５となっている。またゲートライン７１が、ＴＦＴのゲート電極７２となっている。半導体膜８５の先には第二のコンタクト部７７が設けられており、第二のコンタクト部７７を介して第一の透明電極９１が接続されている。第一の透明電極９１の上に、カラーフィルタ層６０及び平坦化膜８０が形成され、その上に、第二の透明電極９２が形成されている。この第二の透明電極９２が、画素電極となる。第二の透明電極９２の上に、絶縁膜（第四の絶縁膜８４）が形成され、その上に第三の透明電極９３が形成されている。この第三の透明電極９３が、共通電極となる。各層間には、必要に応じて絶縁膜が設けられる（第一、第二、第三の絶縁膜８１、８２、８３、ゲート絶縁膜７３等）。
【0074】
本実施形態の液晶パネルは、例えば、下記方法により作製される第二基板（対向基板）３０とＴＦＴ基板１０とを互いに貼り合わせ、両者の間隙に液晶組成物を注入することによって液晶層２０を形成した後、得られた構造体を分断することにより、製造することができる（図１３を適宜参照）。
【0075】
（１）対向基板３０の作製方法
支持基板３１０上に複数のスペーサ４０を形成する。スペーサ４０は、後述のＴＦＴ基板１０側に形成する行方向遮光部５２０（特に第一遮光部５２１０）に重なるように配置される。また、後述のＴＦＴ基板１０側に形成する青色カラーフィルタ５０Ｂを列方向に遮光する位置に、スペーサ４０を配置する。
支持基板３１０上に複数のスペーサ４０を形成する。スペーサ４０は、後述のＴＦＴ基板１０側に形成する行方向遮光部５２０（特に第一遮光部５２１０）に重なるように配置される。また、後述のＴＦＴ基板１０側に形成する青色カラーフィルタ５０Ｂを列方向に遮光する位置に、スペーサ４０を配置する。
【0076】
（２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
まず支持基板１１０上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の行方向遮光部５２０及び列方向遮光部５１０を形成する。その後、第三の絶縁膜８３を成膜して後のコンタクトホール（第二のコンタクト部７７）となる領域に存在する当該絶縁膜を取り除く工程まで、実施形態１における上記（２）の方法と同様に行う。
まず支持基板１１０上に導電性膜を成膜し、この導電性膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、複数の行方向遮光部５２０及び列方向遮光部５１０を形成する。その後、第三の絶縁膜８３を成膜して後のコンタクトホール（第二のコンタクト部７７）となる領域に存在する当該絶縁膜を取り除く工程まで、実施形態１における上記（２）の方法と同様に行う。
【0077】
次に、第三の絶縁膜８３上に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、透明電極（第一の透明電極９１）を形成する。
【0078】
次に、カラーフィルタの材料（例えば、着色された感光性樹脂材料）を成膜し、後のコンタクトホール（第三のコンタクト部７８）となる領域に開口部を形成する（つまり、この領域に成膜された当該カラーフィルタ層６０を取り除く）。この工程を、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ材料でそれぞれ行い、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ及び青色画素Ｂに対応する領域に、赤色カラーフィルタ６０Ｒ、緑色カラーフィルタ６０Ｇ及び青色カラーフィルタ６０Ｂをそれぞれ形成する。
【0079】
次に、カラーフィルタ層６０上に平坦化膜８０を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第三のコンタクト部７８）となる領域に開口部を形成する（つまり、この領域に成膜された当該平坦化膜を取り除く）。
【0080】
次に、平坦化膜８０上に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、透明電極（第二の透明電極９２）を形成する。本実施形態では、第二の透明電極９２が画素電極として機能する。
【0081】
次に、平坦化膜８０（第二の平坦化膜）を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第三のコンタクト部７８）となる領域に存在する該平坦化膜のみ残す。即ち、第三のコンタクト部７８内に平坦化膜が存在する。第三のコンタクト部７８を平坦化膜で埋めることで、画素部が平坦化される。
【0082】
次に、絶縁膜（第四の絶縁膜８４）を形成した後、第四の絶縁膜８４上に透明導電膜を成膜し、この透明導電膜をフォトリソ工程で所望の形状にパターニングすることによって、透明電極（第三の透明電極９３）を形成する。本実施形態では、第三の透明電極９３が、共通電極として機能する。
【0083】
最後に、必要に応じて配向膜（図示せず）を形成することで、ＴＦＴ基板１０が得られる。配向膜には、配向処理（例えば光配向処理）が行われる。
【0084】
（実施形態４）
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。実施形態４では、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させない形態について説明する。
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。実施形態４では、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させない形態について説明する。
【0085】
図１は、本実施形態の液晶パネルの全体を、観察面側から見たときの平面模式図でもある。図２は、本実施形態の液晶パネルの断面模式図でもある。図３は、本実施形態の液晶パネルが有する画素の平面模式図でもある。図１４は、図３中、Ｘ部分を拡大した図（概念図）である（カラーフィルタ層６０は図示せず。）。図１５は、図１４中のＡ－Ａ’線を切断面とする断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。図１６は、図１４中のＢ－Ｂ’線を切断面とする断面図（Ｂ－Ｂ’線断面図）である。
【0086】
実施形態１では、第二遮光部５２２０とともに、第二遮光部５２２０に重畳する構造物も同様に移動させている。即ち、第二遮光部５２２０が、その列方向の位置がずれた後も、第二遮光部５２２０に重畳する構造物を遮光できるように、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させている（図４及び図５参照）。これに対し、本実施形態では、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の位置は移動させず、第二遮光部５２２０のみ列方向の位置を移動させる。本実施形態では、ゲートライン７１の形状を直線のままにすることで、ゲートライン７１の加工形状安定性を向上させることができる。
【0087】
以上、本発明の実施形態について説明したが、説明された個々の事項は、すべて本発明全般に対して適用され得るものである。
【0088】
以下に実施例及び比較例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0089】
（実施例１）
実施形態１の液晶パネルを作製した（図１～７参照）。より具体的には、下記方法に従って作製したＣＦ基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
実施形態１の液晶パネルを作製した（図１～７参照）。より具体的には、下記方法に従って作製したＣＦ基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
【0090】
（１－１）ＣＦ基板３０の作製方法
ガラス基板３１０上に遮光性樹脂膜（厚み１０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により所望の形状に加工する。この遮光性樹脂膜が、列方向遮光部５１０となる。その後、カラーフィルタをＲ、Ｇ、Ｂごとに所望の位置に形成し（カラーフィルタ層６０）、スペーサ４０を所望の位置に形成する。
ガラス基板３１０上に遮光性樹脂膜（厚み１０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により所望の形状に加工する。この遮光性樹脂膜が、列方向遮光部５１０となる。その後、カラーフィルタをＲ、Ｇ、Ｂごとに所望の位置に形成し（カラーフィルタ層６０）、スペーサ４０を所望の位置に形成する。
【0091】
（１－２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
ガラス基板１１０上に導電性膜（タングステン膜；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、行方向遮光部５２０（例えば、第一遮光部５２１０、第二遮光部５２２０、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０等）となる。
次に第一の絶縁膜８１（ＳｉＯ２（厚み１００ｎｍ）／ＳｉＮ（厚み７０ｎｍ）の積層構造）を成膜する。
次に半導体膜８５（酸化物半導体（ＩＧＺＯ）；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により半導体膜を所望の形状に加工する。
次にゲート絶縁膜７３（ＳｉＯ２；厚み８５ｎｍ）を成膜する。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み１００ｎｍ）／Ａｌ（厚み１５０ｎｍ）／Ｔｉ（厚み３０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ゲート電極７２となる。
次に第二の絶縁膜８２（ｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第一のコンタクト部７６となる領域に存在する該絶縁膜８２を取り除く。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み６０ｎｍ）／Ａｌ（厚み３００ｎｍ）／Ｔｉ（厚み２０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により該導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ソースライン７４及びソース電極７５となる。
次に第三の絶縁膜８３（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該絶縁膜８３を取り除く。
次に平坦化膜８０（感光性樹脂膜；厚み２０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該平坦化膜８０を取り除く。
次に第一の透明電極９１（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９１をパターニングする。この透明電極９１が、画素電極となる。
次に第四の絶縁膜８４（ＳｉＮ；厚み１００ｎｍ）を成膜する。
次に第二の透明電極９２（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９２をパターニングする。この透明電極９２が、共通電極となる。
ガラス基板１１０上に導電性膜（タングステン膜；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、行方向遮光部５２０（例えば、第一遮光部５２１０、第二遮光部５２２０、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０等）となる。
次に第一の絶縁膜８１（ＳｉＯ２（厚み１００ｎｍ）／ＳｉＮ（厚み７０ｎｍ）の積層構造）を成膜する。
次に半導体膜８５（酸化物半導体（ＩＧＺＯ）；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により半導体膜を所望の形状に加工する。
次にゲート絶縁膜７３（ＳｉＯ２；厚み８５ｎｍ）を成膜する。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み１００ｎｍ）／Ａｌ（厚み１５０ｎｍ）／Ｔｉ（厚み３０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ゲート電極７２となる。
次に第二の絶縁膜８２（ｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第一のコンタクト部７６となる領域に存在する該絶縁膜８２を取り除く。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み６０ｎｍ）／Ａｌ（厚み３００ｎｍ）／Ｔｉ（厚み２０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により該導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ソースライン７４及びソース電極７５となる。
次に第三の絶縁膜８３（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該絶縁膜８３を取り除く。
次に平坦化膜８０（感光性樹脂膜；厚み２０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該平坦化膜８０を取り除く。
次に第一の透明電極９１（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９１をパターニングする。この透明電極９１が、画素電極となる。
次に第四の絶縁膜８４（ＳｉＮ；厚み１００ｎｍ）を成膜する。
次に第二の透明電極９２（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９２をパターニングする。この透明電極９２が、共通電極となる。
【0092】
本実施例では、第二遮光部５２２０の列方向の位置を、第二遮光部５２２０と行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向にずらすことで、スペーサ４０の配置領域に重なる画素６１０の開口率を調整した。本実施例では更に、第二遮光部５２２０の移動に合わせて、第二遮光部５２２０に重畳する構造物（例えば、ゲート電極、ＴＦＴ、コンタクト部等）の列方向の位置も、第二遮光部５２２０に行方向に隣り合う行方向遮光部５２３０に重畳する構造物の列方向の位置に対して、スペーサ４０の配置領域とは逆方向にずらした。即ち第二遮光部５２２０の列方向の位置がずれた後も第二遮光部５２２０に重畳する構造物を遮光できるように、第二遮光部５２２０に重畳する構造物の列方向の位置を移動させた。このように本実施例では、第二遮光部５２２０の列方向の幅を変更させることなく、第二遮光部５２２０の位置を移動させることで、画素の開口率（特に第一遮光部５２１０が遮光する画素６１０の開口率）を調整した。これにより、第一遮光部５２１０が遮光する画素６１０の開口率と、他の画素の開口率との差が小さくなるため、視認性が改善され、画素の表示品位が向上した。更に、第二遮光部５２２０に重畳する構造物も同様に移動させたため、例えば、ゲート電極やコンタクト部等が開口部に現れてコントラストが低下するといったことも防止された。
【0093】
（実施例２）
実施形態２の液晶パネルを作製した（図１～図６及び図１１参照）。実施例１と異なる点は、実施例１ではＴＦＴ基板側に配置していた導電性膜（行方向遮光部５２０）を、対向基板側に配置した点である。それ以外は、実施例１と液晶パネルの構成は同様である。より具体的には、下記方法に従って作製したＣＦ基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
実施形態２の液晶パネルを作製した（図１～図６及び図１１参照）。実施例１と異なる点は、実施例１ではＴＦＴ基板側に配置していた導電性膜（行方向遮光部５２０）を、対向基板側に配置した点である。それ以外は、実施例１と液晶パネルの構成は同様である。より具体的には、下記方法に従って作製したＣＦ基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
【0094】
（２－１）ＣＦ基板３０の作製方法
ガラス基板３１０上に遮光性樹脂膜（厚み１０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により所望の形状に加工する。この遮光性樹脂膜が、列方向遮光部５１０及び行方向遮光部５２０となる。その後、カラーフィルタをＲ、Ｇ、Ｂごとに所望の位置に形成し（カラーフィルタ層６０）、スペーサ４０を所望の位置に形成する。
ガラス基板３１０上に遮光性樹脂膜（厚み１０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により所望の形状に加工する。この遮光性樹脂膜が、列方向遮光部５１０及び行方向遮光部５２０となる。その後、カラーフィルタをＲ、Ｇ、Ｂごとに所望の位置に形成し（カラーフィルタ層６０）、スペーサ４０を所望の位置に形成する。
【0095】
（２－２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
ガラス基板１１０上に、導電性膜を成膜せずに第一の絶縁膜８１を成膜すること以外は、上記（１－２）の方法と同様である。
ガラス基板１１０上に、導電性膜を成膜せずに第一の絶縁膜８１を成膜すること以外は、上記（１－２）の方法と同様である。
【0096】
本実施例のように行方向遮光部５２０を、対向基板側に配置した場合でも、実施例１と同様に、視認性が改善され、画素の表示品位が向上した。更に、第二遮光部５２２０に重畳する構造物も同様に移動させたため、例えば、ゲート電極やコンタクト部等が開口部に現れてコントラストが低下するといったことも防止された。それゆえ、本実施例で得た液晶パネルは、視認性が極めて良好で、表示品位の低下がより充分に抑制されたものであった。
【0097】
（実施例３）
実施形態３の液晶パネルを作製した（図１～図３、図１２及び図１３参照）。実施例１と異なる点は、本実施例の液晶パネルがＣＯＡ構造である点にある。より具体的に説明すると、下記方法に従って作製した対向基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
実施形態３の液晶パネルを作製した（図１～図３、図１２及び図１３参照）。実施例１と異なる点は、本実施例の液晶パネルがＣＯＡ構造である点にある。より具体的に説明すると、下記方法に従って作製した対向基板３０とＴＦＴ基板１０とを貼り合わせて液晶組成物（液晶層２０）を注入した後、基板を分断して、液晶パネル１を得た。
【0098】
（３－１）対向基板３０の作製方法
ガラス基板３１０上に、スペーサ４０を所望の位置に作製する。
ガラス基板３１０上に、スペーサ４０を所望の位置に作製する。
【0099】
（３－２）ＴＦＴ基板１０の作製方法
ガラス基板１１０上に導電性膜（タングステン膜；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、列方向遮光部５１０及び行方向遮光部５２０となる。
次に第一の絶縁膜８１（ＳｉＯ２（厚み１００ｎｍ）／ＳｉＮ（厚み７０ｎｍ）の積層構造）を成膜する。
次に半導体膜８５（酸化物半導体（ＩＧＺＯ）；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により半導体膜を所望の形状に加工する。
次にゲート絶縁膜７３（ＳｉＯ２；厚み８５ｎｍ）を成膜する。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み１００ｎｍ）／Ａｌ（厚み１５０ｎｍ）／Ｔｉ（厚み３０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ゲート電極７２となる。
次に第二の絶縁膜８２（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第一のコンタクト部７６となる領域に存在する該絶縁膜８２を取り除く。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み６０ｎｍ）／Ａｌ（厚み３００ｎｍ）／Ｔｉ（厚み２０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により該導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ソースライン７４及びソース電極７５となる。
次に第三の絶縁膜８３（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該絶縁膜８３を取り除く。
次に第一の透明電極９１（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９１をパターニングする。
次にカラーフィルタ材料（感光性樹脂膜；厚み１０００ｎｍを成膜し、フォトリソ工程により第三のコンタクト部７８となる領域に存在する該カラーフィルタを取り除く。この操作を、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ材料でそれぞれ実施し、赤色、緑色、青色の画素に対応する部分にそれぞれの色のカラーフィルタを形成する（カラーフィルタ層６０）。
次に平坦化膜８０（感光性樹脂膜；厚み２０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第三のコンタクト部７８となる領域に存在する該平坦化膜８０を取り除く。
次に第二の透明電極９２（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９２をパターニングする。この透明電極９２が、画素電極となる。
次に平坦化膜８０（第二の平坦化膜）を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第三のコンタクト部７８）となる領域に存在する該平坦化膜のみ残す。
次に第四の絶縁膜８４（ＳｉＮ；厚み１００ｎｍ）を成膜する。
次に第三の透明電極９３（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９３をパターニングする。この透明電極９３が、共通電極となる。
ガラス基板１１０上に導電性膜（タングステン膜；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、列方向遮光部５１０及び行方向遮光部５２０となる。
次に第一の絶縁膜８１（ＳｉＯ２（厚み１００ｎｍ）／ＳｉＮ（厚み７０ｎｍ）の積層構造）を成膜する。
次に半導体膜８５（酸化物半導体（ＩＧＺＯ）；厚み５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により半導体膜を所望の形状に加工する。
次にゲート絶縁膜７３（ＳｉＯ２；厚み８５ｎｍ）を成膜する。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み１００ｎｍ）／Ａｌ（厚み１５０ｎｍ）／Ｔｉ（厚み３０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ゲート電極７２となる。
次に第二の絶縁膜８２（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第一のコンタクト部７６となる領域に存在する該絶縁膜８２を取り除く。
次に導電性膜（Ｔｉ（厚み６０ｎｍ）／Ａｌ（厚み３００ｎｍ）／Ｔｉ（厚み２０ｎｍ）の積層構造）を成膜し、フォトリソ工程により該導電性膜を所望の形状に加工する。この導電性膜が、ソースライン７４及びソース電極７５となる。
次に第三の絶縁膜８３（ＳｉＯ２；厚み５００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第二のコンタクト部７７となる領域に存在する該絶縁膜８３を取り除く。
次に第一の透明電極９１（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９１をパターニングする。
次にカラーフィルタ材料（感光性樹脂膜；厚み１０００ｎｍを成膜し、フォトリソ工程により第三のコンタクト部７８となる領域に存在する該カラーフィルタを取り除く。この操作を、赤色、緑色及び青色のカラーフィルタ材料でそれぞれ実施し、赤色、緑色、青色の画素に対応する部分にそれぞれの色のカラーフィルタを形成する（カラーフィルタ層６０）。
次に平坦化膜８０（感光性樹脂膜；厚み２０００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により、第三のコンタクト部７８となる領域に存在する該平坦化膜８０を取り除く。
次に第二の透明電極９２（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９２をパターニングする。この透明電極９２が、画素電極となる。
次に平坦化膜８０（第二の平坦化膜）を成膜し、フォトリソ工程により、後のコンタクトホール（第三のコンタクト部７８）となる領域に存在する該平坦化膜のみ残す。
次に第四の絶縁膜８４（ＳｉＮ；厚み１００ｎｍ）を成膜する。
次に第三の透明電極９３（ＩＺＯ；厚み１００ｎｍ）を成膜し、フォトリソ工程により透明電極９３をパターニングする。この透明電極９３が、共通電極となる。
【0100】
本実施例のようにＣＯＡ構造の液晶パネルである場合でも、実施例１と同様に、視認性が改善され、画素の表示品位が向上した。更に、第二遮光部５２２０に重畳する構造物も同様に移動させたため、例えば、ゲート電極やコンタクト部等が開口部に現れてコントラストが低下するといったことも防止された。
【0101】
（実施例４）
実施形態４の液晶パネルを作製した（図１～図３及び図１４～図１６参照）。実施例１と異なる点は、本実施例では第二遮光部５２２０に重畳する構造物（例えば、ゲート電極、ＴＦＴ、コンタクト部等）の列方向の位置は移動させずに、第二遮光部５２２０の列方向の位置のみ移動させた点にある。
実施形態４の液晶パネルを作製した（図１～図３及び図１４～図１６参照）。実施例１と異なる点は、本実施例では第二遮光部５２２０に重畳する構造物（例えば、ゲート電極、ＴＦＴ、コンタクト部等）の列方向の位置は移動させずに、第二遮光部５２２０の列方向の位置のみ移動させた点にある。
【0102】
本実施例では、第二遮光部５２２０の列方向の幅を変更させることなく、第二遮光部５２２０の位置を移動させることで、画素の開口率（特に第一遮光部５２１０が遮光する画素６１０の開口率）を調整した。第二遮光部５２２０に重畳する構造物の位置は移動させないことにより、行方向に沿って配置されるゲートライン７１の形状が、行方向に直線になるため、ゲートライン７１の加工形状安定性が向上した。だが、光漏れをより充分に抑制できる点で、実施例１～３のように第二遮光部５２２０に重畳する構造物の位置を移動させる形態がより好適である。
【0103】
以上に示した本発明の各態様は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよい。
【符号の説明】
【0104】
１、１Ｈ、１Ｌ ：液晶パネル
２ ：バックライト
３ ：光学素子
Ａ ：液晶パネルの表示部
１０ ：第一基板
２０ ：液晶層
３０ ：第二基板
１１０、３１０ ：絶縁基板
４０、４０Ｒ ：スペーサ
５０ ：遮光部
５１０、５１０Ｒ：列方向遮光部
５２０、５２１０、５２２０、５２３０、５２０Ｒ、５２１０Ｒ、５２２０Ｒ：行方向遮光部
６０ ：カラーフィルタ層
６０Ｒ ；赤色カラーフィルタ
６０Ｇ ：緑色カラーフィルタ
６０Ｂ ：青色カラーフィルタ
７０ ：ゲートドライバ
７１ ：ゲートライン
７２ ：ゲート電極
７３ ：ゲート絶縁膜
７４ ：ソースライン
７５ ：ソース電極
７６、７７、７８：コンタクト部
８０ ：平坦化膜
８１、８２、８３、８４：絶縁膜
８５ ：半導体膜（半導体部）
９１、９２、９３：透明電極
１０００ ：液晶表示装置
１０００Ｘ ：ヘッドマウントディスプレイ
６００、６１０、６２０、ａ、ｂ、ｃ、６１０Ｒ、６２０Ｒ：画素（サブ画素）
Ｕ ：ユーザ（観察者）の眼
２ ：バックライト
３ ：光学素子
Ａ ：液晶パネルの表示部
１０ ：第一基板
２０ ：液晶層
３０ ：第二基板
１１０、３１０ ：絶縁基板
４０、４０Ｒ ：スペーサ
５０ ：遮光部
５１０、５１０Ｒ：列方向遮光部
５２０、５２１０、５２２０、５２３０、５２０Ｒ、５２１０Ｒ、５２２０Ｒ：行方向遮光部
６０ ：カラーフィルタ層
６０Ｒ ；赤色カラーフィルタ
６０Ｇ ：緑色カラーフィルタ
６０Ｂ ：青色カラーフィルタ
７０ ：ゲートドライバ
７１ ：ゲートライン
７２ ：ゲート電極
７３ ：ゲート絶縁膜
７４ ：ソースライン
７５ ：ソース電極
７６、７７、７８：コンタクト部
８０ ：平坦化膜
８１、８２、８３、８４：絶縁膜
８５ ：半導体膜（半導体部）
９１、９２、９３：透明電極
１０００ ：液晶表示装置
１０００Ｘ ：ヘッドマウントディスプレイ
６００、６１０、６２０、ａ、ｂ、ｃ、６１０Ｒ、６２０Ｒ：画素（サブ画素）
Ｕ ：ユーザ（観察者）の眼
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】