特開 2024-46955 配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024046955

(43)【公開日】2024-04-05

(54)【発明の名称】配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/05 20060101AFI20240329BHJP

【ＦＩ】

H05K1/05 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022152345

(22)【出願日】2022-09-26

(71)【出願人】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100103517

【弁理士】

【氏名又は名称】岡本 寛之

(74)【代理人】

【識別番号】100149607

【弁理士】

【氏名又は名称】宇田 新一

(72)【発明者】

【氏名】福島 健太

(72)【発明者】

【氏名】高倉 隼人

(72)【発明者】

【氏名】柴田 直樹

(72)【発明者】

【氏名】笹岡 良介

【テーマコード（参考）】

5E315

【Ｆターム（参考）】

5E315AA03

5E315BB04

5E315BB05

5E315BB15

5E315BB16

5E315CC01

5E315DD15

5E315DD16

5E315GG22

(57)【要約】

【課題】配線支持部のファインピッチ化を図ることができる配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板を提供する。
【解決手段】
配線回路基板１の製造方法は、基材Ｓを準備する準備工程と、厚み方向における基材Ｓの一方側に第１絶縁層１４を形成する第１パターニング工程と、厚み方向における第１絶縁層１４の一方側に導体パターン１５を形成する第２パターニング工程と、基材Ｓをエッチングして厚み方向における第１絶縁層１４の他方側に第１金属支持層１１を形成するエッチング工程と、厚み方向における第１金属支持層１１の他方側に金属を堆積させて第２金属支持層１２を形成する堆積工程とを含む。第２金属支持層１２は、導体パターン１５の端子１５１Ａ，１５１Ｂを支持する端子支持部１１１Ａと、導体パターン１５の配線１５３Ａを支持する配線支持部１２１Ａと、導体パターン１５の配線１５３Ｂを支持する配線支持部１２１Ｂとを有する。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材を準備する準備工程と、
厚み方向における前記基材の一方側に、絶縁層を形成する第１パターニング工程と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンを形成する第２パターニング工程と、
前記基材をエッチングして、前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に、第１金属支持層を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程の後、前記厚み方向における前記第１金属支持層の他方側に金属を堆積させて、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第２金属支持層を形成する堆積工程と
を含む、配線回路基板の製造方法。

【請求項2】

前記堆積工程の前に、前記厚み方向において前記第１金属支持層の他方面上に、金属からなる密着層を形成する密着層形成工程を、さらに含み、
前記堆積工程において、前記密着層の上に第２金属支持層を形成する、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。

【請求項3】

絶縁層と、
前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置され、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンと、
前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に配置される第１金属支持層と、
前記厚み方向における前記第１金属支持層の他方側に配置され、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第２金属支持層と、
を備え、
前記第１配線支持部の幅は、前記第１配線支持部と前記絶縁層との間に配置される前記第１金属支持層の幅よりも広い、配線回路基板。

【請求項4】

前記第１配線支持部は、前記第１配線支持部と前記絶縁層との間に配置される前記第１金属支持層の側面を被覆する、請求項３に記載の配線回路基板。

【請求項5】

前記第１金属支持層と前記第２金属支持層との間に配置される密着層を、さらに有する、請求項３に記載の配線回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ヒートシンクとして機能する金属系支持層を備える配線回路基板において、第１連結体と、第１連結体から離れて配置される第２連結体と、第１連結体と第２連結体との間に配置され、互いに間隔を隔てて並ぶ複数の配線体とを設けて、放熱性の向上を図ることが提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２１２６５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した特許文献１に記載されるような配線回路基板において、配線体のさらなるファインピッチ化が要望されている。

【0005】

本発明は、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明［１］は、基材を準備する準備工程と、厚み方向における前記基材の一方側に、絶縁層を形成する第１パターニング工程と、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンを形成する第２パターニング工程と、前記基材をエッチングして、前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に、第１金属支持層を形成するエッチング工程と、前記エッチング工程の後、前記厚み方向における前記第１金属支持層の他方側に金属を堆積させて、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第２金属支持層を形成する堆積工程とを含む、配線回路基板の製造方法を含む。

【0007】

このような方法によれば、金属を堆積させることにより、第２金属支持層を、所定の形状（端子支持部と、第１配線支持部と、第２配線支持部とを有する形状）にパターニングする。

【0008】

そのため、エッチングなどの方法によって金属を除去することにより第２金属支持層をパターニングする場合と比べて、金属を過度に除去してしまうことなく、所望の形状の第２金属支持層を、安定に得ることができる。

【0009】

その結果、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる。

【0010】

本発明［２］は、前記堆積工程の前に、前記厚み方向において前記第１金属支持層の他方面上に、金属からなる密着層を形成する密着層形成工程を、さらに含み、前記堆積工程において、前記密着層の上に第２金属支持層を形成する、上記［２］の配線回路基板の製造方法を含む。

【0011】

このような方法によれば、第１金属支持層と第２金属支持層との密着性を確保できる。

【0012】

本発明［３］は、絶縁層と、前記厚み方向における前記絶縁層の一方側に配置され、第１端子と、第２端子と、前記第１端子と接続される第１配線と、前記第２端子と接続され、前記第１配線と間隔を隔てて並ぶ第２配線とを有する導体パターンと、前記厚み方向における前記絶縁層の他方側に配置される第１金属支持層と、前記厚み方向における前記第１金属支持層の他方側に配置され、前記第１端子および前記第２端子を支持する端子支持部と、前記第１配線を支持する第１配線支持部と、前記第２配線を支持し、前記第１配線支持部と間隔を隔てて並ぶ第２配線支持部とを有する第２金属支持層とを備え、前記第１配線支持部の幅が、前記第１配線支持部と前記絶縁層との間に配置される前記第１金属支持層の幅よりも広い、配線回路基板を含む。

【0013】

このような構成によれば、厚み方向における絶縁層の他方側に、第１金属支持層と第２金属支持層とからなる厚い金属支持層を形成することができる。

【0014】

これにより、配線回路基板の放熱性を確保できる。

【0015】

さらに、このような構成の配線回路基板は、上記した製造方法を使って製造できるので、配線支持部のファインピッチ化を図ることもできる。

【0016】

本発明［４］は、前記第１配線支持部が、前記第１配線支持部と前記絶縁層との間に配置される前記第１金属支持層の側面を被覆する、上記［３］の配線回路基板を含む。

【0017】

このような構成によれば、第１金属支持層を、第１配線支持部のアンカーとして機能させることができる。

【0018】

これにより、第１金属支持層で配線支持部を安定に支えることができる。

【0019】

本発明［５］は、前記第１金属支持層と前記第２金属支持層との間に配置される密着層をさらに有する、上記［３］の配線回路基板を含む。

【0020】

このような構成によれば、第１金属支持層と第２金属支持層との密着性を確保できる。

【発明の効果】

【0021】

本発明の配線回路基板の製造方法、および、配線回路基板によれば、配線支持部のファインピッチ化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】図１は、本発明の一実施形態としての配線回路基板の平面図である。

【図2】図２Ａは、図１に示す配線回路基板のＡ－Ａ断面図である。図２Ｂは、図１に示す配線回路基板のＢ－Ｂ断面図である。

【図3】図３は、図１に示す配線回路基板の裏面図である。

【図4】図４Ａから図４Ｄは、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図４Ａは、準備工程を示し、図４Ｂは、第１パターン工程を示し、図４Ｃは、第２パターン工程を示し、図４Ｄは、第３パターン工程を示す。

【図5】図５Ａから図５Ｃは、配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、図４Ｄに続き、図５Ａは、エッチング工程を示し、図５Ｂは、密着層形成工程を示し、図５Ｃは、堆積工程を示す。

【図6】図６は、図５Ａに示すエッチング工程におけるエッチングレジストの配置を説明するための説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

１．配線回路基板
図１から図３を参照して、配線回路基板１について説明する。

【0024】

図１に示すように、配線回路基板１は、２つの端子配置部２Ａ，２Ｂと、複数の接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃとを有する。端子配置部２Ａ，２Ｂは、第１方向において、互いに間隔を隔てて配置される。第１方向は、配線回路基板１の厚み方向と直交する。端子配置部２Ａ，２Ｂのそれぞれは、第２方向に延びる。第２方向は、第１方向および厚み方向の両方と直交する。端子配置部２Ａには、後述する導体パターン１５の端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃが配置される。端子配置部２Ｂには、後述する導体パターン１５の端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃが配置される。

【0025】

接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとを繋ぐ。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第１方向において、端子配置部２Ａと端子配置部２Ｂとの間に配置される。本実施形態では、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、第１方向に延びる。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの一端部は、端子配置部２Ａと接続される。第１方向における接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの他端部は、端子配置部２Ｂと接続される。なお、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの形状は、限定されない。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれは、直線形状であってもよいし、湾曲していてもよい。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、第２方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。言い換えると、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃは、接続部３Ａが延びる方向と直交する方向において、互いに間隔を隔てて並ぶ。接続部３Ａには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ａが配置される。接続部３Ｂには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ｂが配置される。接続部３Ｃには、後述する導体パターン１５の配線１５３Ｃが配置される。

【0026】

接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。幅Ｗ０は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上である。

【0027】

なお、「幅」とは、接続部が延びる方向および厚み方向の両方と直交する方向における最大の長さである。例えば、接続部３Ａの「幅」とは、接続部３Ａが延びる方向および厚み方向の両方と直交する方向における最大の長さである。本実施形態では、「幅」とは、第２方向における最大の長さである。

【0028】

接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの間隔Ｄ１は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。

【0029】

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、配線回路基板１は、第１金属支持層１１と、第２金属支持層１２と、密着層１３と、絶縁層の一例としての第１絶縁層１４と、導体パターン１５と、第２絶縁層１６とを備える。

【0030】

（１）第１金属支持層
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１金属支持層１１は、厚み方向において、第１絶縁層１４の他方側に配置される。第１金属支持層１１は、厚み方向における第１絶縁層１４の他方面上に配置される。第１金属支持層１１は、厚み方向において、第２金属支持層１２と第１絶縁層１４との間に配置される。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおいて、厚み方向における第１金属支持部１１の一方面の幅は、厚み方向における第１金属支持部１１の他方面の幅よりも広い。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの第１金属支持部１１の幅は、厚み方向の他方側に向かうにつれて、狭くなる。言い換えると、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの第１金属支持部１１は、テーパ形状を有する。第１金属支持層１１は、金属からなる。第１金属支持層１１の材料として、例えば、銅、銅合金、ステンレス、ニッケル、チタン、および４２アロイが挙げられる。第１金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。

【0031】

第１金属支持層１１の厚みＴ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

【0032】

接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの第１金属支持層１１の幅Ｗ１は、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０（図１参照）以下である。接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第１金属支持層１１の幅Ｗ１は、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

【0033】

接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第１金属支持層１１の幅Ｗ１は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。

【0034】

（２）第２金属支持層
第２金属支持層１２は、第１金属支持層１１とともに、第１絶縁層１４、導体パターン１５とおよび第２絶縁層１６を支持する。第２金属支持層１２は、厚み方向において、第１絶縁層１４および第１金属支持層１１の他方側に配置される。第２金属支持層１２は、金属からなる。第２金属支持層１２の材料として、例えば、銅、ニッケル、コバルト、鉄、および、これらの合金が挙げられる。合金として、例えば、銅合金が挙げられる。第２金属支持層１２の材料は、第１金属支持層１１の材料と同じでもよく、異なっていてもよい。第１金属支持層１１の材料として、好ましくは、銅合金が挙げられる。

【0035】

第２金属支持層１２の厚みＴ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。第２金属支持層１２は、好ましくは、第１金属支持層１１よりも厚い。

【0036】

第１金属支持層１１の厚みＴ１の厚みに対する第２金属支持層１２の厚みＴ１の比率（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば、１．５以上、好ましくは、２以上、より好ましくは、４以上であり、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。

【0037】

図３に示すように、第２金属支持層１２は、２つの端子支持部１２１Ａ，１２１Ｂと、複数の配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃとを有する。

【0038】

端子支持部１２１Ａは、端子配置部２Ａ（図１参照）の第２金属支持層１２である。端子支持部１２１Ａは、導体パターン１５のうちの少なくとも端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃを支持する。端子支持部１２１Ａは、導体パターン１５のうちの配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。

【0039】

端子支持部１２１Ｂは、端子配置部２Ｂ（図１参照）の第２金属支持層１２である。端子支持部１２１Ｂは、第１方向において、端子支持部１２１Ａと間隔を隔てて配置される。端子支持部１２１Ｂは、導体パターン１５のうちの少なくとも端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを支持する。端子支持部１２１Ｂは、導体パターン１５のうちの配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃのそれぞれの一部を支持してもよい。

【0040】

配線支持部１２２Ａは、接続部３Ａ（図１参照）の第２金属支持層１２である。配線支持部１２２Ａは、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１２２Ａは、第１方向において、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとの間に配置される。配線支持部１２２Ａは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１２２Ａの一端部は、端子支持部１２１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１２２Ａの他端部は、端子支持部１２１Ｂと接続される。配線支持部１２２Ａは、配線１５３Ａ（図１参照）を支持する。

【0041】

配線支持部１２２Ｂは、接続部３Ｂ（図１参照）の第２金属支持層１２である。配線支持部１２２Ｂは、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１２２Ｂは、第１方向において、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとの間に配置される。配線支持部１２２Ｂは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１２２Ｂの一端部は、端子支持部１２１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１２２Ｂの他端部は、端子支持部１２１Ｂと接続される。配線支持部１２２Ｂは、配線１５３Ｂ（図１参照）を支持する。配線支持部１２２Ｂは、第２方向において、配線支持部１２２Ａと間隔を隔てて並ぶ。

【0042】

配線支持部１２２Ｃは、接続部３Ｃ（図１参照）の第２金属支持層１２である。配線支持部１２２Ｃは、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとを繋ぐ。配線支持部１２２Ｃは、第１方向において、端子支持部１２１Ａと端子支持部１２１Ｂとの間に配置される。配線支持部１２２Ｃは、第１方向に延びる。第１方向における配線支持部１２２Ｃの一端部は、端子支持部１２１Ａと接続される。第１方向における配線支持部１２２Ｃの他端部は、端子支持部１２１Ｂと接続される。配線支持部１２２Ｃは、配線１５３Ｃ（図１参照）を支持する。配線支持部１２２Ｃは、第２方向において、配線支持部１２２Ｂと間隔を隔てて並ぶ。

【0043】

図２Ｂに示すように、配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの幅Ｗ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの幅Ｗ２は、好ましくは、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれの幅Ｗ０（図１参照）よりも狭い。配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの幅Ｗ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの幅Ｗ２は、接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃのそれぞれにおける第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広い。つまり、配線支持部１２２Ａの幅Ｗ２は、配線支持部１２２Ａと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広く、配線支持部１２２Ｂの幅Ｗ２は、配線支持部１２２Ｂと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広く、配線支持部１２２Ｃの幅Ｗ２は、配線支持部１２２Ｃと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の幅Ｗ１よりも広い。

【0044】

配線支持部１２２Ａは、配線支持部１２２Ａと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の、厚み方向の他方面、および、幅方向の両側面を被覆する。言い換えると、接続部３Ａにおいて、第１金属支持層１１は、配線支持部１２２Ａ内に埋まっている。同様に、配線支持部１２２Ｂは、配線支持部１２２Ｂと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の、厚み方向の他方面、および、幅方向の両側面を被覆する。言い換えると、接続部３Ｂにおいて、第１金属支持層１１は、配線支持部１２２Ｂ内に埋まっている。配線支持部１２２Ｃは、配線支持部１２２Ｃと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の、厚み方向の他方面、および、幅方向の両側面を被覆する。言い換えると、接続部３Ｃにおいて、第１金属支持層１１は、配線支持部１２２Ｃ内に埋まっている。

【0045】

配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの幅Ｗ２に対する第２金属支持層１２の厚みＴ２の比率（Ｔ２／Ｗ２）は、例えば、１以上、好ましくは、５以上である。比率（Ｔ２／Ｗ２）が上記下限値以上であると、放熱性の向上を図ることができる。比率（Ｔ２／Ｗ２）は、例えば、３０以下、好ましくは、１０以下である。比率（Ｔ２／Ｗ２）が上記上限値以下であると、支持強度の低下を抑制できる。

【0046】

配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの間隔Ｄ２は、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。間隔Ｄ２は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上である。間隔Ｄ２は、好ましくは、間隔Ｄ１よりも長い。間隔Ｄ２が間隔Ｄ１よりも長いことにより、配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのそれぞれの間からの放熱性を確保できる。

【0047】

（３）密着層
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、密着層１３は、必要により、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との間に配置される。密着層１３は、厚み方向における第１金属支持層１１の他方面上、および、幅方向における第１金属支持層１１の両側面上に配置される。密着層１３は、第１金属支持層１２と接触する。密着層１３は、第１金属支持層１１に対する第２金属支持層１２の密着性を確保する。密着層１３は、金属からなる。密着層１３の材料として、例えば、銅、クロム、ニッケル、および、コバルトが挙げられる。

【0048】

密着層１３の厚みは、例えば、０．０５μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

【0049】

（４）絶縁層
第１絶縁層１４は、厚み方向において、第１金属支持層１１の一方側に配置される。第１絶縁層１４は、厚み方向において、第１金属支持層１１の一方面上に配置される。第１絶縁層１４は、第１金属支持層１１と導体パターン１５との間に配置される。第１絶縁層１４は、第１金属支持層１１と導体パターン１５とを絶縁する。第１絶縁層１４は、樹脂からなる。樹脂として、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。

【0050】

（５）導体パターン
導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４の一方側に配置される。導体パターン１５は、厚み方向における第１絶縁層１４の一方面上に配置される。導体パターン１５は、厚み方向において、第１絶縁層１４に対して、第１金属支持層１１および第２金属支持層１２の反対側に配置される。導体パターン１５は、金属からなる。金属として、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、および、それらの合金が挙げられる。良好な電気特性を得る観点から、好ましくは、銅が挙げられる。導体パターン１５の形状は、限定されない。

【0051】

図１に示すように、導体パターン１５は、複数の端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃと、複数の端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃと、複数の配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃとを有する。

【0052】

端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃは、端子配置部２Ａに配置される。端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。

【0053】

端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃは、端子配置部２Ｂに配置される。端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃのそれぞれは、角ランド形状を有する。端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃは、互いに間隔を隔てて第２方向に並ぶ。

【0054】

配線１５３Ａは、端子１５１Ａと端子１５２Ａとを電気的に接続する。配線１５３Ａの一端部は、端子１５１Ａと接続される。配線１５３Ａの他端部は、端子１５２Ａと接続される。配線１５３Ａの少なくとも一部は、接続部３Ａに配置される。

【0055】

配線１５３Ｂは、端子１５１Ｂと端子１５２Ｂとを電気的に接続する。配線１５３Ｂの一端部は、端子１５１Ｂと接続される。配線１５３Ｂの他端部は、端子１５２Ｂと接続される。配線１５３Ｂの少なくとも一部は、接続部３Ｂに配置される。配線１５３Ｂは、第２方向において、配線１５３Ａと間隔を隔てて並ぶ。

【0056】

配線１５３Ｃは、端子１５１Ｃと端子１５２Ｃとを電気的に接続する。配線１５３Ｃの一端部は、端子１５１Ｃと接続される。配線１５３Ｃの他端部は、端子１５２Ｃと接続される。配線１５３Ｃの少なくとも一部は、接続部３Ｃに配置される。配線１５３Ｃは、第２方向において、配線１５３Ｂと間隔を隔てて並ぶ。

【0057】

（６）第２絶縁層
図２Ｂに示すように、第２絶縁層１６は、全ての配線１５３Ａ，１５３Ｂ，１５３Ｃを覆う。第２絶縁層１６は、厚み方向において、第１絶縁層１４の上に配置される。なお、第２絶縁層１６は、図１および図２Ａに示すように、端子１５１Ａ，１５１Ｂ，１５１Ｃ、および、端子１５２Ａ，１５２Ｂ，１５２Ｃを覆わない。第２絶縁層１６は、樹脂からなる。樹脂としては、例えば、ポリイミド、マレイミド、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、および、ポリエステルが挙げられる。

【0058】

２．配線回路基板の製造方法
次に、図４Ａから図６を参照して、配線回路基板１の製造方法について説明する。

【0059】

配線回路基板１の製造方法は、準備工程（図４Ａ参照）と、第１パターニング工程（図４Ｂ参照）と、第２パターニング工程（図４Ｃ参照）と、第３パターニング工程（図４Ｄ参照）と、エッチング工程（図５Ａ参照）と、密着層形成工程（図５Ｂ参照）と、堆積工程（図５Ｃ参照）とを含む。なお、密着層形成工程は、必要により実施される。

【0060】

（１）準備工程
図４Ａに示すように、準備工程では、基材Ｓを準備する。本実施形態では、基材Ｓは、金属箔のロールから引き出された金属箔である。基材Ｓの材料は、第１金属支持層１１の材料と同じである。

【0061】

（２）第１パターニング工程
図４Ｂに示すように、第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方側に、第１絶縁層１４を形成する。第１パターニング工程では、厚み方向における基材Ｓの一方面上に、第１絶縁層１４を形成する。

【0062】

第１絶縁層１４を形成するには、まず、基材Ｓの上に感光性樹脂の溶液（ワニス）を塗布して乾燥し、感光性樹脂の塗膜を形成する。次に、感光性樹脂の塗膜を露光および現像する。これにより、第１絶縁層１４が、基材Ｓの上に、所定のパターンで形成される。

【0063】

（３）第２パターニング工程
図４Ｃに示すように、第２パターニング工程では、電解メッキにより、厚み方向における第１絶縁層１４の一方側に、導体パターン１５を形成する。

【0064】

詳しくは、まず、第１絶縁層１４および基材Ｓの表面にシード層を形成する。シード層は、例えば、スパッタリングにより形成される。シード層の材料としては、例えば、クロム、銅、ニッケル、チタン、および、これらの合金が挙げられる。

【0065】

次に、シード層が形成された第１絶縁層１４および基材Ｓの上に、メッキレジストを貼り合わせて、導体パターン１５が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストを露光する。

【0066】

次に、露光されたメッキレジストを現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、導体パターン１５が形成される部分にシード層が露出する。なお、露光された部分、すなわち、導体パターン１５が形成されない部分のメッキレジストは、残る。

【0067】

次に、露出したシード層の上に、電解メッキにより、導体パターン１５を形成する。

【0068】

電解メッキが終了した後、メッキレジストは、剥離される。その後、メッキレジストによって覆われていたシード層を、エッチングにより除去する。

【0069】

（４）第３パターニング工程
次に、図４Ｄに示すように、第３パターニング工程では、第１絶縁層１４および導体パターン１５の上に、第１絶縁層１４と同様にして、第２絶縁層１６を形成する。

【0070】

以上により、厚み方向における基材Ｓの一方面上に回路パターンが形成される。

【0071】

（５）エッチング工程
次に、図５Ａに示すように、エッチング工程では、基材Ｓをエッチングして、厚み方向における第１絶縁層１４の他方側に、第１金属支持層１１を形成する。

【0072】

詳しくは、エッチング工程では、まず、図６に示すように、基材Ｓの両面にエッチングレジストＲ１を形成する。エッチングレジストＲ１は、基材Ｓのうち、端子支持部１１１Ａ，１１１Ｂが形成される第１領域Ａ１を覆い、配線支持部１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが形成される第２領域Ａ２を覆わない。

【0073】

次に、図５Ａに示すように、厚み方向における基材Ｓの一方側から、基材Ｓをウェットエッチングする。

【0074】

すると、第１絶縁層１４、第２絶縁層１６、および、エッチングレジストＲ１（図６参照）がマスクとして機能し、第１絶縁層１４、第２絶縁層１６、および、エッチングレジストＲ１が形成されていない部分の基材Ｓが除去され、厚み方向における第１絶縁層１４の他方面上に、第１金属支持層１１が形成される。

【0075】

なお、エッチング工程では、基材Ｓをオーバーエッチングする。これにより、複数の接続部３Ａ，３Ｂ，３Ｃが形成される部分において、第１金属支持層１１の幅Ｗ１（図２Ｂ参照）は、第１絶縁層１４の幅よりも狭くなる。

【0076】

その後、エッチングレジストＲ１が剥離される。

【0077】

（６）密着層形成工程
次に、図５Ｂに示すように、密着層形成工程では、堆積工程の前に、厚み方向における第１金属支持層１１の他方面上に、密着層１３を形成する。

【0078】

密着層１３は、例えば、電解メッキまたはスパッタリングにより形成される。密着層１３を電解メッキにより形成する場合、まず、回路パターンの全部を覆うように、厚み方向における第１金属支持層１１の一方面にメッキレジストＲ２を形成する。次に、電解メッキにより、厚み方向における第１金属支持層１１の他方面全部に、密着層１３を形成する。密着層１３をスパッタリングにより形成する場合、上記した密着層１３の材料からなるターゲットを用いて、スパッタリングにより、厚み方向における第１金属支持層１１の他方面全部に、密着層１３を形成する。

【0079】

（６）堆積工程
次に、図５Ｃに示すように、堆積工程では、エッチング工程の後、厚み方向における第１金属支持層１１の他方側に金属を堆積させて、第２金属支持層１２を形成する。詳しくは、密着層１３の上に第２金属支持層１２を形成する。堆積工程では、例えば、電解メッキによって金属を堆積させて、第２金属支持層１２を形成する。

【0080】

詳しくは、メッキレジストＲ２を剥離しないで、まず、密着層１３の上に、メッキレジストＲ３を貼り合わせて、第２金属支持層１２が形成される部分を遮光した状態で、メッキレジストＲ３を露光する。

【0081】

次に、露光されたメッキレジストＲ３を現像する。すると、遮光された部分のメッキレジストが除去され、第２金属支持層１２が形成される部分に密着層１３が露出する。なお、露光された部分、すなわち、第２金属支持層１２が形成されない部分のメッキレジストＲ３は、残る。

【0082】

次に、露出した密着層１３の上に、電解メッキにより、金属を堆積させる。これにより、密着層１３の上に第２金属支持層１２が形成される。

【0083】

３．作用効果
（１）配線回路基板１の方法によれば、図５Ｃに示すように、電解メッキによって金属を堆積させることにより、第２金属支持層１２を、所定の形状（端子支持部１２１Ａと、複数の配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃとを有する形状、図３参照）にパターニングする。

【0084】

そのため、エッチングなどの方法によって金属を除去することにより第２金属支持層１２をパターニングする場合と比べて、金属を過度に除去してしまうことなく、所望の形状の第２金属支持層１２を、安定に得ることができる。

【0085】

その結果、配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのファインピッチ化を図ることができる。

【0086】

（２）配線回路基板１の方法によれば、図５Ｂに示すように、堆積工程の前に、厚み方向において第１金属支持層１１の他方面上に、金属からなる密着層１３を形成し、堆積工程において、密着層１３の上に第２金属支持層１２を形成する。

【0087】

そのため、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との密着性を確保できる。

【0088】

（３）配線回路基板１によれば、図２Ｂに示すように、厚み方向における第１絶縁層１４の他方側に、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２とからなる厚い金属支持層を有する。

【0089】

これにより、配線回路基板１の放熱性を確保できる。

【0090】

さらに、このような構成の配線回路基板１は、上記した製造方法を使って製造できるので、配線支持部１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃのファインピッチ化を図ることもできる。

【0091】

（４）配線回路基板１によれば、図２Ｂに示すように、配線支持部１２２Ａは、配線支持部１２２Ａと第１絶縁層１４との間に配置される第１金属支持層１１の側面を被覆する。

【0092】

そのため、第１金属支持層１１を、配線支持部１２２Ａのアンカーとして機能させることができる。

【0093】

これにより、第１金属支持層１１で配線支持部１２２Ａを安定に支えることができる。

【0094】

（５）配線回路基板１によれば、図２Ｂに示すように、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との間に配置される密着層１３を、さらに有する。

【0095】

このような構成によれば、第１金属支持層１１と第２金属支持層１２との密着性を確保できる。

【符号の説明】

【0096】

１ 配線回路基板
１１ 第１金属支持層
１２ 第２金属支持層
１３ 密着層
１４ 第１絶縁層（絶縁層の一例）
１５ 導体パターン
１２１Ａ 端子支持部
１２２Ａ 配線支持部（第１配線支持部の一例）
１２２Ｂ 配線支持部（第２配線支持部の一例）
１５１Ａ 端子（第１端子の一例）
１５１Ｂ 端子（第２端子の一例）
１５３Ａ 配線（第１配線の一例）
１５３Ｂ 配線（第２配線の一例）
Ｓ 基材

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】