知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024004752
(43)【公開日】2024-01-17
(54)【発明の名称】基板処理方法、及び基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240110BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240110BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 J
H01L21/304 648Z
H01L21/304 642A
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022104555
(22)【出願日】2022-06-29
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】西野 陽祐
【テーマコード（参考）】
5F043
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F043AA31
5F043AA35
5F043DD27
5F043EE29
5F157AB03
5F157AB13
5F157AB34
5F157CD32
5F157CE10
5F157CE32
5F157CE85
5F157CF42
5F157DB02
(57)【要約】
【課題】基板を精度よく処理できる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、流量調整部２１５の初期開度と処理液ＬＱの目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、流量調整部２１５の開度を初期開度に設定する設定工程と、流量計２１２の検知結果が目標流量となるように、初期開度から目標開度に変更する変更工程と、初期開度から目標開度への変更が、目標開度が初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、目標開度が初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定工程と、設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する第２判定工程とを含む。
【選択図】図２
【解決手段】基板処理方法は、流量調整部２１５の初期開度と処理液ＬＱの目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、流量調整部２１５の開度を初期開度に設定する設定工程と、流量計２１２の検知結果が目標流量となるように、初期開度から目標開度に変更する変更工程と、初期開度から目標開度への変更が、目標開度が初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、目標開度が初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定工程と、設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する第２判定工程とを含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する処理槽と、
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と
を備える基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定工程と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更工程と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定工程と、
前記設定工程と前記変更工程と前記第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定工程と
を含む、基板処理方法。
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と
を備える基板処理装置で実行される基板処理方法であって、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定工程と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更工程と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定工程と、
前記設定工程と前記変更工程と前記第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定工程と
を含む、基板処理方法。
【請求項2】
前記第２判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、
前記異常条件は、前記正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、前記負方向の変更が前記第１所定回数以上連続したことを示す、請求項１に記載の基板処理方法。
前記異常条件は、前記正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、前記負方向の変更が前記第１所定回数以上連続したことを示す、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記第２判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、
前記異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の前記正方向の変更があったこと、又は、前記所定期間において前記第２所定回数以上の前記負方向の変更があったことを示す、請求項１に記載の基板処理方法。
前記異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の前記正方向の変更があったこと、又は、前記所定期間において前記第２所定回数以上の前記負方向の変更があったことを示す、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項4】
複数のレシピの各々に基づいて、前記基板を処理し、
前記第２判定工程において、前記複数のレシピの内の同一のレシピで実行された前記複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記第２判定工程において、前記複数のレシピの内の同一のレシピで実行された前記複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項5】
処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する処理槽と、
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定部と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更部と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定部と、
前記第１判定部で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定部と
を備える、基板処理装置。
開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、
前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と、
前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定部と、
前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更部と、
前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定部と、
前記第１判定部で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定部と
を備える、基板処理装置。
【請求項6】
複数の前記配管と、
複数の前記流量調整部と、
複数の前記流量計と
を備え、
前記複数の配管には、同一の種類又は異なる種類の処理液が流れ、
前記第２判定部は、前記複数の流量計の各々の異常が発生しているか否かを判定する、請求項５に記載の基板処理装置。
複数の前記流量調整部と、
複数の前記流量計と
を備え、
前記複数の配管には、同一の種類又は異なる種類の処理液が流れ、
前記第２判定部は、前記複数の流量計の各々の異常が発生しているか否かを判定する、請求項５に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造過程では、基板処理装置を用いて半導体ウエハに対し様々な処理が行われる。例えば、基板処理装置として、半導体ウエハに含まれる処理対象膜の膜厚を目標膜厚にするエッチング装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、エッチング装置は、半導体ウエハに向けて供給管からエッチング液を供給して、半導体ウエハをエッチングする。
【0003】
また、様々な処理に応じて、エッチング液のような処理液の吐出量を変更する必要がある。そのため、供給管には、処理液の流量を調整する調整バルブが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１７－８５１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
基板処理装置には、流量計が供給管に配置される。流量計は、供給管内の処理液の流量を検知する。基板処理装置を長期間、使用していると、供給管内の処理液の流量と、流量計の検知結果とが異なることがあった。その結果、供給管内の処理液の流量と、流量計の検知結果とが異なった状態で、基板を処理することがあった。よって、基板を精度よく処理できないことがあった。
【0006】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を精度よく処理できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係る基板処理方法は、基板処理装置で実行される。前記基板処理装置は、処理槽と、流量調整部と、流量計とを備える。前記処理槽は、処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する。前記流量調整部は、開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する。前記流量計は、前記配管内の前記処理液の流量を検知する。前記基板処理方法は、前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定工程と、前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更工程と、前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定工程と、前記設定工程と前記変更工程と前記第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定工程とを含む。
【0008】
ある実施形態において、前記第２判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、前記異常条件は、前記正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、前記負方向の変更が前記第１所定回数以上連続したことを示す。
【0009】
ある実施形態において、前記第２判定工程において、前記複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定し、前記異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の前記正方向の変更があったこと、又は、前記所定期間において前記第２所定回数以上の前記負方向の変更があったことを示す。
【0010】
ある実施形態において、複数のレシピの各々に基づいて、前記基板を処理し、前記第２判定工程において、前記複数のレシピの内の同一のレシピで実行された前記複数の判定結果に基づいて、前記基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する。
【0011】
本発明に係る基板処理装置は、処理液を貯留して、前記処理液で基板を処理する処理槽と、開度を調整することにより、前記処理槽に接続された配管内の前記処理液の流量を調整する流量調整部と、前記配管内の前記処理液の流量を検知する流量計と、前記流量調整部の初期開度と前記処理液の目標流量との関係を示す開度情報に基づいて、前記流量調整部の前記開度を前記初期開度に設定する設定部と、前記流量計の検知結果が前記目標流量となるように、前記初期開度から目標開度に変更する変更部と、前記初期開度から前記目標開度への変更が、前記目標開度が前記初期開度より大きいことを示す正方向の変更、及び、前記目標開度が前記初期開度より小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定する第１判定部と、前記第１判定部で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置の異常が発生しているか否かを判定する第２判定部とを備える。
【0012】
ある実施形態において、複数の前記配管と、複数の前記流量調整部と、複数の前記流量計とを備え、前記複数の配管には、同一の種類又は異なる種類の処理液が流れ、前記第２判定部は、前記複数の流量計の各々の異常が発生しているか否かを判定する。
【発明の効果】
【0013】
本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、基板を精度よく処理できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的斜視図である。
【図2】実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図3】実施形態１に係る制御装置を示すブロック図である。
【図4】実施形態１に係る基板処理装置が実行する基板処理を説明するための図である。
【図5】実施形態１の基板処理装置が備える制御装置による処理を示すフローチャートである。
【図6】本発明の実施形態２に係る基板処理装置が実行する基板処理を説明するための図である。
【図7】本発明の実施形態３に係る基板処理装置が実行する基板処理を説明するための図である。
【図8】本発明の実施形態４に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【0016】
＜実施形態１＞
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００Ａ及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００Ａを説明する。図１は、基板処理装置１００Ａを示す模式的斜視図である。具体的には、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００Ａの模式的斜視図である。
図１を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００Ａ及び基板処理方法を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００Ａを説明する。図１は、基板処理装置１００Ａを示す模式的斜視図である。具体的には、図１（ａ）及び図１（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００Ａの模式的斜視図である。
【0017】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００Ａは、処理液ＬＱによって多数の基板Ｗを所定数ずつ処理してもよい。所定数は、１以上の整数である。
【0018】
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板等を含む。
【0019】
処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。例えば、基板処理装置１００Ａは、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面からシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のうちのいずれかを除去する。
【0020】
処理液ＬＱは、例えば、薬液である。処理液は、エッチング液と、リンス液と、ＳＣ１と、ＳＣ２とを含む。エッチング液は、基板Ｗをエッチングする。エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、又は、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）である。リンス液は、基板Ｗをリンスする。具体的には、リンス液は、基板Ｗ上に残存するエッチング液を洗い流すために使用される。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、又は、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。ＳＣ１とＳＣ２との各々は、基板Ｗを洗浄する。ＳＣ１は、例えば、ＮＨ4ＯＨとＨ2Ｏ2とを含む混合液である。処理液は、特に限定されないが、以下、実施形態１では、処理液ＬＱがエッチング液である場合について説明する。
【0021】
具体的には、基板処理装置１００Ａは、処理槽１１０と、基板保持部１２０とを備える。
【0022】
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外周面に設けられる。
【0023】
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０に略直交し、水平方向に略平行である。
【0024】
具体的には、基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
【0025】
図１（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に降下する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
【0026】
図１（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで降下すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。実施形態１では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、所定間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。
【0027】
詳細には、基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを更に含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１（ａ）及び図１（ｂ）の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
【0028】
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６を更に含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図１（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図１（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。従って、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。
【0029】
続けて図２を参照して、基板処理装置１００Ａを詳細に説明する。図２は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。なお、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。図２に示すように、基板処理装置１００Ａは、第１供給部２１０と、複数の循環処理液供給部材１３０と、希釈液供給部７００と、制御装置２００とを更に備える。
【0030】
複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。
【0031】
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐを有する。図２では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出孔Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。
【0032】
希釈液供給部７００は、複数の循環処理液供給部材１３０を介して処理槽１１０に希釈液を供給する。希釈液は、例えば、ＤＩＷ（：Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：脱イオン水）である。
【0033】
第１供給部２１０は、第１配管２１１と、第１流量計２１２と、第１調整バルブ２１５と、第１開閉バルブ２１６と、開閉バルブ２１７とを含む。第１流量計２１２と、第１調整バルブ２１５と、第１開閉バルブ２１６と、開閉バルブ２１７とは、この順番に第１配管２１１の上流か下流に向かって、第１配管２１１に配置される。第１調整バルブ２１５は、「流量調整部」の一例である。
【0034】
第１配管２１１は、複数の循環処理液供給部材１３０を介して処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。詳しくは、処理液ＬＱは、第１配管２１１を介してタンク２１８から処理槽１１０に供給される。処理液ＬＱは、例えばフッ酸（ＨＦ）である。第１配管２１１は、処理液ＬＱが流通する管状部材である。
【0035】
第１開閉バルブ２１６は、第１配管２１１を開閉する。つまり、第１開閉バルブ２１６は、第１配管２１１からの処理槽１１０に対する処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。
【0036】
開閉バルブ２１７は、第１配管２１１を開閉する。つまり、開閉バルブ２１７は、第１配管２１１からの処理槽１１０に対する処理液ＬＱの供給と供給停止とを切り替える。
【0037】
第１調整バルブ２１５は、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量を調整する。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する処理液ＬＱの流量を示す。第１調整バルブ２１５は、開度を調整することにより、第１配管２１１内の処理液ＬＱの流量を調整する。
【0038】
第１調整バルブ２１５は、例えば、モータニードルバルブである。具体的には、第１調整バルブ２１５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉するニードルと、開位置と閉位置との間でニードルを移動させるモータ（図示しない）とを含む。第１調整バルブ２１５の開度は、制御装置２００によって調整される。具体的には、第１調整バルブ２１５の開度は、モータに入力されるニードルの原点位置からの駆動パルス数により調整される。
【0039】
第１流量計２１２は、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量を検知する。第１流量計２１２は、例えば、容積式流量計、差圧式流量計、渦流量計、熱線式質量流量計、蒸気用流量計、質量流量計、超音波流量計又は電磁流量計である。第１流量計２１２は、流量を示す信号を制御装置２００に出力する。流量を示す信号は、「検知結果」の一例であり、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量を示す。以下、流量を示す信号を、「第１流量信号ＦＡ」と記載する。
【0040】
続けて図３及び図４を参照して、制御装置２００を説明する。図３は、実施形態１に係る制御装置２００を示すブロック図である。図４は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａが実行する基板処理を説明するための図である。「基板処理」とは、処理液ＬＱによって所定数の基板Ｗを順次、処理することである。
【0041】
図３に示すように、制御装置２００は、基板処理装置１００Ａの各部の動作を制御する。具体的には、制御装置２００は、制御部２０１と、記憶部２０２とを含む。
【0042】
記憶部２０２は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部２０２は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部２０２はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。
【0043】
記憶部２０２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、基板処理装置１００Ａが実行する基板処理を示すデータＤＡを含む。図４に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Ｗを処理する。基板処理を示すデータＤＡは、複数のレシピＲＡＡを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータＤＡは、第１レシピＲＡＡ１を示す情報と、第２レシピＲＡＡ２を示す情報と、第３レシピＲＡＡ３を示す情報とを含む。第１レシピＲＡＡ１と、第２レシピＲＡＡ２と、第３レシピＲＡＡ３とは、同一のレシピである。第１レシピＲＡＡ１と、第２レシピＲＡＡ２と、第３レシピＲＡＡ３とは、この順番に実行される。
【0044】
第１レシピＲＡＡ１を示す情報と、第２レシピＲＡＡ２を示す情報と、第３レシピＲＡＡ３を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。換言すれば、複数のレシピＲＡＡの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。
【0045】
具体的には、複数のレシピＲＡＡの各々は、レシピステップ１ｓｔと、レシピステップＮと、レシピステップＮ＋１とを含む。レシピステップ１ｓｔと、レシピステップＮと、レシピステップＮ＋１とは、この順番に実行される。レシピステップ１ｓｔとレシピステップＮとレシピステップＮ＋１との各々は、異なる処理内容を示す。レシピステップＮは、処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡを示す情報を含む。
【0046】
図４において、第１流量計２１２の検知結果と、第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７の開閉の状態と、レシピステップの処理内容と、第１調整バルブ２１５の開度の状態とが示されている。第１流量計２１２の検知結果において、横軸は時間を示し、縦軸は処理液ＬＱの流量を示す。第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７の開閉の状態において、横軸は時間を示し、縦軸は開状態及び閉状態の内のいずれかの状態を示す。レシピステップの処理内容において、横軸は時間を示し、縦軸はレシピステップの処理内容を示す。第１調整バルブ２１５の開度の状態において、横軸は時間を示し、縦軸は第１調整バルブ２１５の開度を示す。
【0047】
また、記憶部２０２は、第１テーブルＴＡを記憶する。第１テーブルＴＡは、「開度情報」の一例である。第１テーブルＴＡは、第１調整バルブ２１５の初期開度ＸＡＡと処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡとの関係を示す。初期開度ＸＡＡは、第１調整バルブ２１５の開度の大きさを示す。具体的には、初期開度ＸＡＡは、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量が目標流量ＳＡＡになるように、ニードルの原点位置からの駆動パルス数を示す情報を含む。詳細には、記憶部２０２に、ニードルの原点位置からの駆動パルス数が、ティーチングされている。
【0048】
制御部２０１は、プロセッサーを有する。制御部２０１は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有する。或いは、制御部２０１は、汎用演算機を有してもよい。
【0049】
制御部２０１は、記憶部２０２に記憶されているコンピュータプログラムとデータと第１テーブルＴＡとに基づいて、処理液ＬＱで基板Ｗを処理する。具体的には、制御部２０１は、設定部２０１１と、変更部２０１２と、第１判定部２０１３と、第２判定部２０１４とを備える。
【0050】
設定部２０１１は、第１テーブルＴＡに基づいて、第１調整バルブ２１５の開度を初期開度ＸＡＡに設定する。具体的には、設定部２０１１は、第１調整バルブ２１５に開度信号を出力する。開度信号は、ニードルの原点位置からの駆動パルス数を示す。詳細には、目標流量ＳＡＡの処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する場合には、設定部２０１１は、第１テーブルＴＡに基づく駆動パルス数を第１調整バルブ２１５に出力する。
【0051】
また、設定部２０１１は、第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に開閉信号を出力する。開閉信号は、第１配管１２１の開状態及び閉状態の内のいずれかの状態を示す。詳細には、設定部２０１１は、開状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力することで、第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７が第１配管２１１を開く。一方、設定部２０１１は、閉状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力することで、第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７が第１配管２１１を閉じる。具体的には、時間Ｔ１と時間Ｔ３と時間Ｔ５とに、設定部２０１１が開状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力する。また、時間Ｔ２と時間Ｔ４と時間Ｔ６とに、設定部２０１１が閉状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力する。
【0052】
変更部２０１２は、第１流量計２１２の検知結果が目標流量ＳＡＡとなるように、第１調整バルブ２１５の開度を初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡに変更する。具体的には、変更部２０１２は、第１流量計２１２から第１流量信号ＦＡを受信する。変更部２０１２は、第１流量信号ＦＡに示される流量が目標流量ＳＡＡより少ないときには、初期開度ＸＡＡより大きくなる開度を示す開度信号を第１調整バルブ２１５に出力する。その結果、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量が、目標流量ＳＡＡになる。一方、変更部２０１２は、第１流量信号ＦＡに示される流量が目標流量ＳＡＡより多いときには、初期開度ＸＡＡより小さくなる開度を示す開度信号を第１調整バルブ２１５に出力する。その結果、第１配管２１１を流通する処理液ＬＱの流量が、目標流量ＳＡＡになる。
【0053】
また、変更部２０１２は、第１調整バルブ２１５の開度をフィードバック制御することが可能である。より詳細には、フィードバック制御は、第１流量信号ＦＡに基づく比例制御と積分制御と微分制御とを含む。変更部２０１２は、第１流量信号ＦＡに示される流量に基づいて、比例制御と積分制御と微分制御とを実行し、比例制御と積分制御と微分制御とが実行された開度を示す開度信号を第１調整バルブ２１５に出力する。フィードバック制御は、例えばＰＩＤ制御である。
【0054】
第１判定部２０１３は、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更及び負方向の変更のいずれであるかを判定する。正方向の変更は、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより大きいことを示す。負方向の変更は、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより小さいことを示す。
【0055】
第２判定部２０１４は、第１判定部２０１３で判定された複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する。換言すれば、第２判定部２０１４は、後述する設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する。詳細には、第２判定部２０１４は、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定することで、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する。異常条件は、正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第１所定回数以上連続したことを示す。第１所定回数は、２回以上であり、例えば３回である。
【0056】
例えば、第１レシピＲＡＡ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＡＡ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第３レシピＲＡＡ３を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、基板処理装置１００Ａを長期間、使用したため、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第１流量計２１２の原点を調整したり、第１供給部２１０の状態を点検したりできる。
【0057】
一方、第１レシピＲＡＡ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＡＡ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第３レシピＲＡＡ３を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、負方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしていないと判定する。その結果、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていないことを認識できる。
【0058】
以上、本発明の実施形態１について説明した。実施形態１によれば、複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する。その結果、第１流量計２１２の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置１００Ａを長期間、使用したため、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第１配管２１１内の処理液ＬＱの流量と、第１流量計２１２の検知結果とが異なった状態で、基板Ｗを処理することを抑制できる。
【0059】
また、異常条件は、正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第１所定回数以上連続したことを示す。その結果、第１流量計２１２の検知結果の変位が偏っていることを、容易に認識できる。
【0060】
続いて図５を参照して、実施形態１の基板処理方法を説明する。実施形態１の基板処理方法は、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１００Ａによって実行される。図５は、実施形態１の基板処理装置１００Ａが備える制御装置２００による処理を示すフローチャートである。
【0061】
まず、ステップＳ１０１において、設定部２０１１は、閉状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力することで、第１配管２１１を閉じる。
【0062】
次に、ステップＳ１０２において、設定部２０１１は、第１調整バルブ２１５の開度を閉鎖角度に設定する。
【0063】
次に、ステップＳ１０３において、設定部２０１１は、第１テーブルＴＡに基づいて、第１調整バルブ２１５の開度を初期開度ＸＡＡに設定する。ステップＳ１０３は、本発明の「設定工程」の一例に相当する。
【0064】
次に、ステップＳ１０４において、設定部２０１１は、開状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力することで、第１配管２１１を開く。
【0065】
次に、ステップＳ１０５において、変更部２０１２は、第１流量計２１２から第１流量信号ＦＡを受信する。
【0066】
次に、ステップＳ１０６において、変更部２０１２は、第１流量計２１２の検知結果が目標流量ＳＡＡとなるように、第１調整バルブ２１５の開度を初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡに変更する。ステップＳ１０６は、本発明の「変更工程」の一例に相当する。
【0067】
次に、ステップＳ１０７において、第１判定部２０１３は、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更及び負方向の変更のいずれであるかを判定する。ステップＳ１０７は、本発明の「第１判定工程」の一例に相当する。
【0068】
次に、ステップＳ１０８において、第２判定部２０１４は、第１判定部２０１３で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。ステップＳ１０８は、本発明の「第２判定工程」の一例に相当する。ステップＳ１０８で第２判定部２０１４は、異常条件を満たさないと判定した場合には、処理は、ステップＳ１０１に戻る。
【0069】
一方、ステップＳ１０８で第２判定部２０１４は、異常条件を満たすと判定した場合には、処理は、ステップＳ１０９に進む。
【0070】
次に、ステップＳ１０９において、第２判定部２０１４は、基板処理装置１００Ａの異常が発生していることを示すアラートを発報し、処理が終了する。
【0071】
以上、本発明の実施形態１について説明した。実施形態１によれば、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第１流量計２１２の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置１００Ａを長期間、使用したため、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第１配管２１１内の処理液ＬＱの流量と、第１流量計２１２の検知結果とが異なった状態で、基板Ｗを処理することを抑制できる。
【0072】
続けて図２を参照して、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを、より詳細に説明する。基板処理装置１００Ａは、排液部１７０と、循環部１４０とを更に備える。
【0073】
排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。具体的には、排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
【0074】
循環部１４０は、配管１４１、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５、及び、バルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。
【0075】
配管１４１は、処理槽１１０から送出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。具体的には、配管１４１の上流端が外槽１１４に接続されている。従って、配管１４１は、外槽１１４から循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを導く。配管１４１の下流端に、循環処理液供給部材１３０が接続される。具体的には、配管１４１の下流端に吐出部１３１が接続される。
【0076】
ポンプ１４２は、配管１４１から吐出部１３１に処理液ＬＱを送る。従って、吐出部１３１は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを吐出する。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
【0077】
ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱの温度を加熱する。つまり、ヒーター１４３は、処理液ＬＱの温度を調節する。調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、吐出部１３１に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。
【0078】
［実施形態２］
図６を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第２所定回数以上の負方向の変更があったことを示す点で実施形態１と異なる。
図６を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第２所定回数以上の負方向の変更があったことを示す点で実施形態１と異なる。
【0079】
図６は、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａが実行する基板処理を説明するための図である。図６に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Ｗを処理する。基板処理を示すデータＤＢは、複数のレシピＲＢＢを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータＤＢは、第１レシピＲＢＢ１を示す情報と、第２レシピＲＢＢ２を示す情報と、第３レシピＲＢＢ３を示す情報と、第４レシピＲＢＢ４を示す情報とを含む。第１レシピＲＢＢ１と、第２レシピＲＢＢ２と、第３レシピＲＢＢ３と、第４レシピＲＢＢ４とは、同一のレシピである。第１レシピＲＢＢ１と、第２レシピＲＢＢ２と、第３レシピＲＢＢ３と、第４レシピＲＢＢ４とは、この順番に実行される。
【0080】
第１レシピＲＢＢ１を示す情報と、第２レシピＲＢＢ２を示す情報と、第３レシピＲＢＢ３を示す情報と、第４レシピＲＢＢ４を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。なお、時間Ｔ１と時間Ｔ３と時間Ｔ５と時間Ｔ７とに、設定部２０１１が開状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力する。また、時間Ｔ２と時間Ｔ４と時間Ｔ６と時間Ｔ８とに、設定部２０１１が閉状態を示す開閉信号を第１開閉バルブ２１６及び開閉バルブ２１７に出力する。
【0081】
第２判定部２０１４は、第１判定部２０１３で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを決定する。換言すれば、第２判定部２０１４は、設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、基板処理装置１００Ａの異常が発生しているか否かを判定する。
【0082】
具体的には、異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第２所定回数以上の負方向の変更があったことを示す。所定期間は、例えば４回のレシピを実行する期間である。第２所定回数は、例えば３回である。
【0083】
例えば、第１レシピＲＢＢ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＢＢ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第３レシピＲＢＢ３を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、負方向の変更であり、第４レシピＲＢＢ４を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、基板処理装置１００Ａを長期間、使用したため、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第１流量計２１２の原点を調整したり、第１供給部２１０の状態を点検したりできる。
【0084】
一方、第１レシピＲＢＢ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＢＢ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第３レシピＲＢＢ３を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、負方向の変更であり、第４レシピＲＢＢ４を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、負方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしていないと判定する。その結果、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていないことを認識できる。
【0085】
以上、本発明の実施形態２について説明した。実施形態２によれば、複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第１流量計２１２の検知結果の変位を認識できる。よって、基板処理装置１００Ａを長期間、使用したため、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。その結果、第１配管２１１内の処理液ＬＱの流量と、第１流量計２１２の検知結果とが異なった状態で、基板Ｗを処理することを抑制できる。
【0086】
また、異常条件は、所定期間において第２所定回数以上の正方向の変更があったこと、又は、所定期間において第２所定回数以上の負方向の変更があったことを示す。その結果、第１流量計２１２の検知結果の変位が偏っていることを、容易に認識できる。
【0087】
［実施形態３］
図７を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、第１レシピＲＣＣ１と、第３レシピＲＣＣ３とが、異なるレシピである点で実施形態１と異なる。
図７を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、第１レシピＲＣＣ１と、第３レシピＲＣＣ３とが、異なるレシピである点で実施形態１と異なる。
【0088】
図７は、実施形態３に係る基板処理装置１００Ａが実行する基板処理を説明するための図である。図７に示すように、複数のレシピの各々に基づいて、基板Ｗを処理する。基板処理を示すデータＤＣは、複数のレシピＲＣＣを示す情報を含む。具体的には、基板処理を示すデータＤＣは、第１レシピＲＣＣ１を示す情報と、第２レシピＲＣＣ２を示す情報と、第３レシピＲＣＣ３を示す情報と、第４レシピＲＣＣ４を示す情報とを含む。第１レシピＲＣＣ１と、第２レシピＲＣＣ２と、第３レシピＲＣＣ３と、第４レシピＲＣＣ４とは、この順番に実行される。
【0089】
第１レシピＲＣＣ１を示す情報と、第２レシピＲＣＣ２を示す情報と、第３レシピＲＣＣ３を示す情報と、第４レシピＲＣＣ４を示す情報との各々は、複数のレシピステップを示す情報とを含む。第１レシピＲＣＣ１を示す情報と、第２レシピＲＣＣ２を示す情報と、第４レシピＲＣＣ４を示す情報との各々のレシピステップＮは、処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡを示す情報を含む。第３レシピＲＣＣ３を示す情報のレシピステップＮは、処理液ＬＱの目標流量ＳＣＣを示す情報を含む。
【0090】
第２判定部２０１４は、第１判定部２０１３で判定された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。換言すれば、第２判定部２０１４は、設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。具体的には、異常条件は、正方向の変更が第１所定回数以上連続したこと、又は、負方向の変更が第１所定回数以上連続したことを示す。実施形態３では、第２判定部２０１４は、複数のレシピの内の同一のレシピで実行された複数の判定結果に基づいて、異常条件を満たすか否かを判定する。詳細には、第３レシピＲＣＣ３以外のレシピと、第３レシピＲＣＣ３とが、異なるレシピであるため、第３レシピＲＣＣ３での判定結果を除外する。
【0091】
例えば、第１レシピＲＣＣ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＣＣ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第４レシピＲＣＣ４を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしたと判定する。その結果、異なるレシピが実行されても、第１流量計２１２の原点がずれたり、第１供給部２１０の状態が偏ったりした状態になっていることを認識できる。よって、適切なタイミングで、第１流量計２１２の原点を調整したり、第１供給部２１０の状態を点検したりできる。
【0092】
［実施形態４］
続いて図８を参照して本発明の実施形態４について説明する。図８は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、複数の供給部を更に備える点で実施形態１と異なる。
続いて図８を参照して本発明の実施形態４について説明する。図８は、実施形態１に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、複数の供給部を更に備える点で実施形態１と異なる。
【0093】
図８に示すように、基板処理装置１００Ａは、第２供給部３１０と、第３供給部４１０と、第４供給部５１０と、第５供給部６１０とを更に備える。なお、第２供給部３１０と第３供給部４１０と第４供給部５１０と第５供給部６１０との各々の構成は、第１供給部２１０の構成と同様である。
【0094】
第２供給部３１０は、第２配管３１１と、第２流量計３１２と、第２調整バルブ３１５と、第２開閉バルブ３１６と、開閉バルブ３１７とを含む。第３供給部４１０は、第３配管４１１と、第３流量計４１２と、第３調整バルブ４１５と、第３開閉バルブ４１６と、開閉バルブ４１７とを含む。第４供給部５１０は、第４配管５１１と、第４流量計５１２と、第４調整バルブ５１５と、第４開閉バルブ５１６と、開閉バルブ５１７とを含む。第５供給部６１０は、第５配管６１１と、第５流量計６１２と、第５調整バルブ６１５と、第５開閉バルブ６１６と、開閉バルブ６１７とを含む。第２調整バルブ３１５と第３調整バルブ４１５と第４調整バルブ５１５と第５調整バルブ６１５との各々は、「流量調整部」の一例である。
【0095】
第１配管２１１と第２配管３１１と第３配管４１１と第４配管５１１と第５配管６１１とには、同一の種類又は異なる種類の処理液ＬＱが流れる。例えば、第１配管２１１には、処理液ＬＱとしてフッ酸（ＨＦ）が流れる。第２配管３１１には、処理液ＬＱとして塩酸（ＨＣＬ）が流れる。第３配管４１１には、処理液ＬＱとして過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）が流れる。第４配管５１１には、処理液ＬＱとしてＨ2Ｏ2が流れる。第５配管６１１には、処理液ＬＱとしてトリメチル－２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）が流れる。
【0096】
記憶部２０２は、第２テーブルと第３テーブルと第４テーブルと第５テーブルとを更に記憶する。第２テーブルと第３テーブルと第４テーブルと第５テーブルとの各々は、「開度情報」の一例である。第２テーブルは、第２調整バルブ３１５の初期開度ＸＡＡと処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡとの関係を示す。第３テーブルは、第３調整バルブ４１５の初期開度ＸＡＡと処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡとの関係を示す。第４テーブルは、第４調整バルブ５１５の初期開度ＸＡＡと処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡとの関係を示す。第５テーブルは、第５調整バルブ６１５の初期開度ＸＡＡと処理液ＬＱの目標流量ＳＡＡとの関係を示す。
【0097】
第２判定部２０１４は、第１流量計２１２と第２流量計３１２と第３流量計４１２と第４流量計５１２と第５流量計６１２との各々の異常条件を満たすか否かを判定する。具体的には、第２判定部２０１４は、第１供給部２１０において設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第１流量計２１２の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第２判定部２０１４は、第２供給部３１０において設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第２流量計３１２の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第２判定部２０１４は、第３供給部４１０において設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第３流量計４１２の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第２判定部２０１４は、第４供給部５１０において設定工程と変更工程と判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第４流量計５１２の異常条件を満たすか否かを判定する。また、第２判定部２０１４は、第５供給部６１０において設定工程と変更工程と第１判定工程とをそれぞれ複数回実行することで得られた複数の判定結果に基づいて、第５流量計６１２の異常条件を満たすか否かを判定する。
【0098】
以上、本発明の実施形態４について説明した。実施形態４によれば、実施形態４によれば、第１流量計２１２と第２流量計３１２と第３流量計４１２と第４流量計５１２と第５流量計６１２との各々の異常条件を満たすか否かを判定する。その結果、第１流量計２１２と第２流量計３１２と第３流量計４１２と第４流量計５１２と第５流量計６１２との各々の原点がずれたりした状態になっていることを認識できる。よって、適切に点検できる。
【0099】
以上、図面（図１～図８）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0100】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0101】
（１）実施形態３では、第１レシピＲＣＣ１と、第３レシピＲＣＣ３とが、異なるレシピであるため、第３レシピＲＣＣ３での判定結果を除外したが、特に限定されない。第３レシピＲＣＣ３での判定結果を加えてもよい。例えば、第１レシピＲＣＣ１を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第２レシピＲＣＣ２を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であり、第３レシピＲＣＣ３を実行した際に、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、正方向の変更であった場合には、第２判定部２０１４は、異常条件を満たしたと判定する。
【0102】
（２）第１判定工程では、初期開度ＸＡＡから目標開度ＹＡＡへの変更が、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより大きいことを示す正方向の変更、及び、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより小さいことを示す負方向の変更のいずれであるかを判定したが、特に限定されない。正方向の変更は、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより所定値以上、大きいことを示し、負方向の変更は、目標開度ＹＡＡが初期開度ＸＡＡより所定値以上、小さいことを示してもよい。
【産業上の利用可能性】
【0103】
本発明は、基板を処理する分野に有用である。
【符号の説明】
【0104】
１００Ａ ：基板処理装置
１１０ ：処理槽
２１１ ：第１配管
２１２ ：第１流量計
２１５ ：第１調整バルブ（流量調整部）
ＬＱ ：処理液
１１０ ：処理槽
２１１ ：第１配管
２１２ ：第１流量計
２１５ ：第１調整バルブ（流量調整部）
ＬＱ ：処理液
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】