特開 2024-48246 イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024048246

(43)【公開日】2024-04-08

(54)【発明の名称】イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/425 20060101AFI20240401BHJP

   H01L 21/265 20060101ALI20240401BHJP

【ＦＩ】

H01L21/425

H01L21/265 603C

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022154177

(22)【出願日】2022-09-27

(71)【出願人】

【識別番号】302054866

【氏名又は名称】日新イオン機器株式会社

(72)【発明者】

【氏名】小野田 正敏

(72)【発明者】

【氏名】後藤 亮介

(72)【発明者】

【氏名】永尾 友一

(72)【発明者】

【氏名】宇井 利昌

(57)【要約】

【課題】ディスプレイのＴＦＴを形成する酸化物半導体膜の抵抗値を低減できるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。
【解決手段】ディスプレイパネルの製造工程で使用され、酸化物半導体膜を有する照射対象物Ｔに所定のイオンを含むイオンビームを照射するイオンビーム照射装置１０Ａにおいて、照射対象物Ｔを加熱する加熱装置３０を備え、加熱装置３０が照射対象物Ｔを加熱した後、少なくとも一部のイオンが酸化物半導体膜を貫通し得るようイオンビームＩＢを照射する構成とする。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ディスプレイパネルの製造工程で使用され、酸化物半導体膜を有する照射対象物に所定のイオンを含むイオンビームを照射するイオンビーム照射装置であって、
前記照射対象物を加熱する加熱装置を備え、
前記加熱装置が前記照射対象物を加熱した後、少なくとも一部の前記イオンが前記酸化物半導体膜を貫通し得るよう前記イオンビームを照射するイオンビーム照射装置。

【請求項2】

前記イオンが、ホウ素イオン、ネオンイオン、アルゴンイオンのいずれかである請求項１に記載のイオンビーム照射装置。

【請求項3】

前記照射対象物が、所定の基材により形成され、前記ディスプレイパネルに柔軟性を与える基材層を有しており、
前記加熱装置が、前記基材の耐熱温度以下の温度で前記照射対象物を加熱する請求項１または２に記載のイオンビーム照射装置。

【請求項4】

前記加熱装置が、前記照射対象物に光を照射して前記照射対象物を加熱するランプを備える請求項１に記載のイオンビーム照射装置。

【請求項5】

前記加熱装置が、複数の前記ランプが所定の位置に配置されたランプユニットを複数有する請求項４に記載のイオンビーム照射装置。

【請求項6】

前記加熱装置が、抵抗加熱により前記照射対象物を加熱する抵抗加熱部を備える請求項１または２に記載のイオンビーム照射装置。

【請求項7】

ディスプレイパネルの製造工程で使用され、酸化物半導体膜を有する照射対象物に所定のイオンを含むイオンビームを照射するイオンビーム照射方法であって、
前記照射対象物を加熱する第一の工程と、
前記第一の工程より後に、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが前記酸化物半導体膜を貫通し得るよう前記イオンビームを照射する第二の工程と、
を含むイオンビーム照射方法。

【請求項8】

前記イオンが、ホウ素イオン、ネオンイオン、アルゴンイオンのいずれかである請求項７に記載のイオンビーム照射方法。

【請求項9】

前記照射対象物が、所定の基材により形成され、前記ディスプレイパネルに柔軟性を与える基材層を有しており、
前記第一の工程では、前記基材の耐熱温度以下の温度で前記照射対象物を加熱する請求項７または８に記載のイオンビーム照射方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ディスプレイ製造工程で使用され、ディスプレイを形成する照射対象物にイオンビームを照射するイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、フラットパネルディスプレイを構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する半導体材料に酸化物半導体を用いる研究開発が進められている。特に、ＩＧＺＯと呼ばれるＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体を使用したディスプレイは既に量産されており、市販のスマートフォンやタブレット端末等に採用されている。

【0003】

特許文献１には、基板上に酸化物半導体材料により形成された半導体膜に低抵抗化処理を行うことが記載されており、低抵抗化処理の一例として、アルゴンまたは水素を用いたプラズマ処理を行うことがあげられている。また、発明者らは、プラズマ処理に変わる低抵抗化処理としてイオン注入を提案しており、アルゴンやボロン等のイオンを酸化物半導体膜にイオン注入することで、酸化物半導体膜の抵抗値が低減されることを確認している。そして、これらの処理と比較して酸化物半導体膜の抵抗値をさらに低減できる装置および方法があれば有益である。

【0004】

また、近年、薄型で折り曲げ可能なフレキシブルディスプレイが提案されている。フレキシブルディスプレイの一例としては、フォルダブルディスプレイと称される折り畳み可能なディスプレイがあげられる。その他にもディスプレイを屈曲させることができ、ディスプレイを端末の筐体内に巻き込むように収容させることが可能なローラブルディスプレイ等が提案されている。このようなフレキシブルディスプレイを採用することにより、携帯性や収納性を損なうことなく端末の表示画面を大きくすることが可能となる。

【0005】

フレキシブルディスプレイを構成し、表面上にＴＦＴが形成される基板としては、薄型ガラスやポリイミド等のプラスチックフィルム等があげられる。基板にプラスチックフィルムを用いると、薄型ガラスを使用する場合と比較して、基板の耐熱温度が低くなることになる。したがって、基板にプラスチックフィルムを用いる場合には、ガラス基板を使用する場合と比較して、ディスプレイを製造する各工程を低温で行う必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１８－１７０３１９

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明は、ディスプレイのＴＦＴを形成する酸化物半導体膜の抵抗値を低減できるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明のイオンビーム照射装置は、
ディスプレイパネルの製造工程で使用され、酸化物半導体膜を有する照射対象物に所定のイオンを含むイオンビームを照射するイオンビーム照射装置であって、
前記照射対象物を加熱する加熱装置を備え、
前記加熱装置が前記照射対象物を加熱した後、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが前記酸化物半導体膜を貫通し得るよう構成とされている。

【0009】

この構成によれば、加熱装置によって昇温された酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることになる。発明者らは、室温下で照射対象物にイオンビームを照射した場合と比較して、照射対処物を加熱した後にイオンビームを照射すると酸化物半導体膜の抵抗値が低減されることを確認した。抵抗値が低減された理由は、明確には解明されてはいないが、発明者らは以下の（ａ）～（ｃ）のうちのいずれかひとつ、または複数の要因によるものと考えている。
（ａ）酸化物半導体膜が昇温された状態でイオンビームが照射されることで、酸化物半導体膜中の金属元素同士が結合することによりキャリアが生成される。あるいは、イオンビームが照射されることによって切断された酸化物半導体膜中の金属元素同士の結合が昇温によって結合し直すことで、キャリア散乱の増加（キャリア減少、秩序性低下）が抑制された。
（ｂ）昇温された酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることで、酸化物半導体膜中分子の秩序性が向上し、キャリア移動度が増大する。あるいは、酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることで酸化物半導体膜中分子の秩序性低下が抑制され。キャリア移動度の低下が抑制される。
（ｃ）酸化物半導体膜の昇温によって、イオンビーム照射によって酸化物半導体膜の金属元素と酸素の結合が切断されることが抑制され、キャリア散乱の増大が抑制され、キャリア移動度の低下が抑制された。
なお、本発明のイオンビーム照射装置における「前記加熱装置が前記照射対象物を加熱した後、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが到達し得るよう前記イオンビームを照射する」というのは、加熱装置が照射対象物を加熱しながら、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが到達し得るよう前記イオンビームを照射対象物にイオンビームを照射することを含む概念である。本発明のイオンビーム照射装置は、加熱装置により室温または所定の温度から昇温された状態の酸化物半導体膜にイオンビームが照射されるものであればよい。
また、本発明のイオン注入装置においては、照射対象物に少なくとも一部の前記イオンが前記酸化物半導体膜を貫通し得るようにイオンビームが照射される。したがって、照射されるイオンがすべて酸化物半導体膜内に留められる場合と比較して、酸化物半導体膜を構成する原子間の結合がより多く切断されることで、より多くのキャリアが生成される。

【0010】

また、本発明のイオンビーム照射装置は、前記イオンが、ホウ素イオン、ネオンイオン、アルゴンイオンのいずれかである構成とされていてもよい。

【0011】

また、本発明のイオンビーム照射装置は、前記照射対象物が、所定の基材により形成され、前記ディスプレイパネルに柔軟性を与える基材層を有しており、前記加熱装置が、前記基材の耐熱温度以下の温度で前記照射対象物を加熱する構成とされていてもよい。

【0012】

また、本発明のイオンビーム照射装置は、前記加熱装置が、前記照射対象物に光を照射して前記照射対象物を加熱するランプを備える構成とされていてもよい。

【0013】

また、本発明のイオンビーム照射装置は、前記加熱装置が、複数の前記ランプが所定の位置に配置されたランプユニットを複数有する構成とされていてもよい。

【0014】

この構成によれば、照射対象物の大きさが変わった場合であってもランプユニットの配置または使用するランプユニットの個数を変えることで加熱装置を構成することができる。

【0015】

また、本発明のイオンビーム照射装置は、前記加熱装置が、抵抗加熱により前記照射対象物を加熱する抵抗加熱部を備える構成とされていてもよい。

【0016】

この構成によれば、照射対象物を抵抗加熱により加熱できることから、例えば加熱装置がランプヒータによって構成される場合と比較して、照射対象物をより均一に加熱することができる。

【0017】

本実施形態におけるイオンビーム照射方法は、
ディスプレイパネルの製造工程で使用され、酸化物半導体膜を有する照射対象物に所定のイオンを含むイオンビームを照射するイオンビーム照射方法であって、
前記照射対象物を加熱する第一の工程と、
前記第一の工程より後に、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが到達し得るよう前記イオンビームを照射する第二の工程と、を含む。

【0018】

この方法によれば、室温または所定の温度から昇温された酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることになる。発明者らは、室温下で照射対象物にイオンビームを照射した場合と比較して、照射対処物を加熱してイオンビームを照射したところ酸化物半導体膜の抵抗値が低減されることを確認した。
なお、本発明のイオンビーム照射方法における、「前記第一の工程より後に、前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが到達し得るよう前記イオンビームを照射する第二の工程」とは、前記照射対象物を加熱しながら前記酸化物半導体膜の内部に少なくとも一部の前記イオンが到達し得るよう前記イオンビームを照射することを含む。本発明のイオンビーム照射方法は、加熱装置により室温または所定の温度から昇温された状態の酸化物半導体膜にイオンビームが照射されるものであればよい。
また、本発明のイオン注入方法においては、照射対象物に少なくとも一部の前記イオンが前記酸化物半導体膜を貫通し得るようにイオンビームが照射される。したがって、照射されるイオンがすべて酸化物半導体膜内に留められる場合と比較して、酸化物半導体膜を構成する原子間の結合がより切断されることで、より多くのキャリアが生成される。

【0019】

また、本発明のイオンビーム照射方法は、前記イオンが、ホウ素イオン、ネオンイオン、アルゴンイオンのいずれかであってよい。

【0020】

また、前記対象物が、所定の基材により形成され、前記ディスプレイパネルに柔軟性を与える基材層を有しており、前記第一の工程では、前記基材の耐熱温度以下の温度で前記照射対象物を加熱するようにしてもよい。

【発明の効果】

【0021】

本発明によれば、ディスプレイのＴＦＴを形成する酸化物半導体膜の抵抗値を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の第一実施形態における第一のイオンビーム照射装置を示す模式図。

【図2】第一実施形態における処理室の内部を部分的に示す模式図。

【図3】第一実施形態における保持装置を示す側面図。

【図4】第一実施形態における加熱装置の変形例を示す正面図。

【図5】本発明の第二実施形態における第二のイオンビーム照射装置を示す模式図

【図6】第一実施形態および第二実施形態における照射対象物を示す断面図。

【図7】第一実施形態および第二実施形態における照射対象物の変形例を示す断面図。

【図8】本発明のイオンビーム照射方法を説明するフローチャート。

【図9】、ＩＧＺＯ膜に各種のイオン種を用いて、室温注入、室温注入後３００℃アニール処理、および３００℃高温注入のそれぞれを行った後、シート抵抗値を測定した結果を示すグラフ。

【図10】厚さ５０ｎｍのＩＧＺＯ膜に、ホウ素イオン（Ｂ^＋）を使用して、室温注入、室温注入後３００℃アニール処理、および３００℃高温注入のそれぞれを行った場合における、イオンエネルギーに対するシート抵抗値を測定した結果を示すグラフ。

【図11】厚さ２５ｎｍのＩＧＺＯ膜に、ホウ素イオン（Ｂ^＋）を使用して、室温注入、および３００℃高温注入のそれぞれを行った場合における、イオンエネルギーに対するシート抵抗値を測定した結果を示すグラフ。

【図12】ＩＧＺＯ膜の膜密度、および、ＩＧＺＯ膜に熱処理、ホウ素イオン注入、ホウ素イオン注入後熱処理、およびホウ素イオン高温注入をそれぞれ行った後のＩＧＺＯ膜の膜密度を測定した結果を示す表。

【発明を実施するための形態】

【0023】

本発明の第一実施形態である第一のイオンビーム照射装置１０Ａについて説明する。
図１に示された第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のディスプレイパネルを製造する工程で使用され、本発明の照射対象物に相当する対象物ＴにイオンビームＩＢを照射する装置である。また、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、特に、図６に示された酸化物半導体膜１０２を有する対象物Ｔに対してイオンビームＩＢを照射する装置である。なお、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、酸化物半導体膜を有する対象物ＴにのみイオンビームＩＢを照射可能とされているものに限らない。例えば、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、低温ポリシリコン膜が形成された照射対象物にイオンビームＩＢを照射する場合にも使用可能であってもよい。つまり、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、酸化物半導体膜を有する対象物ＴにイオンビームＩＢを照射し得る機能を備えるものであればよい。

【0024】

図６に示されるように、本実施形態における対象物Ｔは、矩形状のガラス基板である基板１０１上にＴＦＴが形成されるものである。基板１０１上には酸化物半導体膜１０２が形成され、酸化物半導体膜１０２は絶縁膜１０３により覆われている。また、絶縁膜１０３上には金属により形成されたゲート１０４が形成されている。なお、図６においては、本発明の理解を容易にするため、本発明の要旨に関わる構成のみが簡略化されて示されている。酸化物半導体膜１０２は基板１０１の表面上に直接形成されている必要はなく、例えば、基板１０１上に形成された不図示の絶縁膜上に形成されていてよい。なお、本実施形態における酸化物半導体膜１０２は、ＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛：ＩｎＧａＺｎＯ）であるが、これに限定されるものではない。例えば、酸化物半導体膜１０２は、酸化インジウム亜鉛（ＩＴＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム（ＩｎＯ）であってもよい。

【0025】

図１に示すように、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、イオン源ユニット１１と、イオンビーム輸送ユニット１２と、処理ユニット１３を備えている。イオン源ユニット１１は、外部から供給される原料からプラズマを生成するプラズマ生成室１１ａと、プラズマ生成室１１ａ内で生成したプラズマに含まれるイオンをイオンビームＩＢとして引き出すための引出電極１１ｂを備えている。また、イオン源ユニット１１は、プラズマ生成室１１ａから引き出されたイオンを加速させるための加速電極１１ｃをさらに備えている。

【0026】

イオンビーム輸送ユニット１２は、真空排気された内部をイオンビームＩＢが通過する真空容器１２ａと質量分析器１２ｂを備えており、イオンビームＩＢをイオン源ユニット１１から処理ユニット１３の有する処理室１４内に輸送する。イオンビームＩＢは、真空容器１２ａの内部を通過する間、質量分析器１２ｂによって質量分離され、所望のイオンから成るイオンビームＩＢが処理室１４内に導入される。処理室１４内に導かれたイオンビームＩＢが対象物Ｔに照射されることで、対象物Ｔにイオンビーム照射処理が施される。本実施形態におけるイオン源ユニット１１およびイオンビーム輸送ユニット１２は、ディスプレイ製造工程で使用されるイオンビーム照射装置において広く知られた構成が採用されている。

【0027】

処理ユニット１３は、内部で対象物Ｔに対するイオンビーム照射処理が施される処理室１４と、処理室１４に通じる搬送室１５と、搬送室１５に隣接するロードロック室１６を有する。また、処理ユニット１３は、ロードロック室１６との間で対象物Ｔの受け渡しを行う受渡部１７を備えている。受渡部１７は、本実施形態においては特定の仕切られた内部空間を有する部屋として構成されているが、ロードロック室１６の外側で大気圧下に置かれた領域であってもよい。

【0028】

搬送室１５およびロードロック室１６は、受渡部１７から処理室１４の内部に対象物Ｔを搬入し、処理後の対象物Ｔを処理室１４から受渡部１７に搬出する経路である搬送経路Ｌ１を構成する。第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、搬送経路Ｌ１を二つ備えており、一方を第一搬送経路Ｌ１ａ、他方を第二搬送経路Ｌ１ｂと称するものとする。なお、搬送経路Ｌ１に沿った対象物Ｔの搬送は、不図示の複数の搬送ロボットによって行われる。

【0029】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、二つの搬送経路Ｌ１、すなわち第一搬送経路Ｌ１ａおよび第二搬送経路Ｌ１ｂを有することに伴い、二つの搬送室１５および二つのロードロック室１６を備えている。本実施形態においては、二つの搬送室１５のうち、一方を第一搬送室１５ａ、他方を第二搬送室１５ｂと称するものとする。また、二つのロードロック室１６のうち、一方を第一ロードロック室１６ａ、他方を第二ロードロック室１６ｂと称するものとする。また、第一ロードロック室１６ａに対応する受渡部１７を特に第一受渡部１７ａ、第二ロードロック室１６ｂに対応する受渡部１７を特に第二受渡部１７ｂと称するものとする。なお、第一受渡部１７ａと第二受渡部１７ｂは別個に独立した部屋または領域である必要はない。例えば、対象物Ｔが同一箇所から第一ロードロック室１６ａおよび第二ロードロック室１６ｂのそれぞれに搬入される構成であってもよい。

【0030】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａにおいては、第一搬送室１５ａおよび第一ロードロック室１６ａが第一搬送経路Ｌ１ａを構成し、第二搬送室１５ｂおよび第二ロードロック室１６ｂが第二搬送経路Ｌ１ｂを構成する。

【0031】

また、第一ロードロック室１６ａと第一受渡部１７ａとの間には第一ロードロック室１６ａ内部を第一受渡部１７ａから隔離する第一ゲートバルブ１９ａが配置されている。また、第一ロードロック室１６ａと第一搬送室１５ａとの間には互いの内部空間を隔離する第二ゲートバルブ１９ｂが配置されている。同様に、第二ロードロック室１６ｂと第二受渡部１７ｂとの間に第三ゲートバルブ１９ｃが配置され、第二ロードロック室１６ｂと第二搬送室１５ｂとの間には第四ゲートバルブ１９ｄが配置されている。

【0032】

第一搬送経路Ｌ１ａ沿って搬送される対象物Ｔは、まず、第一ゲートバルブ１９ａが開いており第二ゲートバルブ１９ｂが閉じられている状態で、第一受渡部１７ａから第一ロードロック室１６ａ内に搬入される。そして、第一ゲートバルブ１９ａが閉じられた後、第一ロードロック室１６ａが不図示の排気ポンプにより真空排気された後、第二ゲートバルブ１９ｂが開けられる。その後、対象物Ｔは第一ロードロック室１６ａから第一搬送室１５ａ内を通過して処理室１４内に搬送され、処理室１４内において所定のイオンビーム照射処理が施される。当該処理が施された対象物Ｔは、処理室１４内から再び第一搬送室１５ａ内を通過して第一ロードロック室１６ａ内に搬送される。そして、第二ゲートバルブ１９ｂが閉じられ、第一ロードロック室１６ａ内に所定のガスまたは空気が導入されることで第一ロードロック室１６ａ内が大気圧下に復帰される。その後、第一ゲートバルブ１９ａが開けられ、対象物Ｔが第一受渡部１７ａに搬出される。

【0033】

同様に、第二搬送経路Ｌ１ｂ沿って搬送される対象物Ｔは、まず、第三ゲートバルブ１９ｃが開いており第四ゲートバルブ１９ｄが閉じられた状態で、第二受渡部１７ｂから第一ロードロック室１６ａ内に搬入される。そして、第三ゲートバルブ１９ｃが閉じられた後、第二ロードロック室１６ｂが不図示の排気ポンプにより真空排気された後、第四ゲートバルブ１９ｄが開けられる。その後、対象物Ｔは第二ロードロック室１６ｂから第二搬送室１５ｂ内を通過して処理室１４内に搬送され、処理室１４内において所定のイオンビーム照射処理が施される。当該処理が施された対象物Ｔは、処理室１４内から再び第二搬送室１５ｂ内を通過して第二ロードロック室１６ｂ内に搬送される。そして、第四ゲートバルブ１９ｄが閉じられ、第二ロードロック室１６ｂ内に所定のガスまたは空気が導入されることで第二ロードロック室１６ｂ内が大気圧下に復帰される。その後、第三ゲートバルブ１９ｃが開けられ、対象物Ｔが第二受渡部１７ｂに搬出される。

【0034】

処理室１４の内部には、対象物Ｔを保持する保持装置２０と、対象物Ｔを加熱する加熱装置３０が配置されている。第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、保持装置２０を二つ備えている。本実施形態においては、第一搬送経路Ｌ１ａに沿って処理室１４内に搬入された対象物Ｔを保持する一方の保持装置２０を第一保持装置２０ａと称し、第一保持装置２０ａに保持される対象物Ｔを第一対象物Ｔ１と称するものとする。同様に、第二搬送経路Ｌ１ｂに沿って処理室１４内に搬入された対象物Ｔを保持する他方の保持装置２０を第二保持装置２０ｂと称し、第二保持装置２０ｂに保持される対象物Ｔを第二対象物Ｔ２と称するものとする。

【0035】

また、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、加熱装置３０を二つ備えており、第一対象物Ｔ１を加熱する加熱装置３０を第一加熱装置３０ａ、第二対象物Ｔ２を加熱する加熱装置３０を第二加熱装置３０ｂと称するものとする。図１および図２に示すように、第一加熱装置３０ａおよび第二加熱装置３０ｂはともに処理室１４の内壁に設置されている。

【0036】

図１に破線で示すように、保持装置２０は、対象物Ｔを保持した状態で処理室１４内の所定の移送経路２２に沿って直線移動するように構成されている。より詳細には、保持装置２０は図２に示す保持体２１に対象物Ｔを保持させた状態で保持体２１を移送経路２２に沿って移送させる装置である。つまり、対象物Ｔは保持装置２０の有する保持体２１に保持された状態で移送経路２２に沿って直線移動する。

【0037】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、対象物Ｔが移送経路２２に沿って直線移動する間にイオンビームＩＢを横切るように構成されている。つまり、対象物ＴがイオンビームＩＢを横切ることによって、対象物Ｔにイオンビーム照射処理が施される。なお、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、対象物Ｔを移送経路２２に沿って一又は複数回往復移動させ、対象物ＴがイオンビームＩＢを複数回横切るように構成されるものであってもよい。

【0038】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、保持装置２０を二つ備えることにより、移送経路２２を二つ有する。二つの移送経路２２のうち、第一保持装置２０ａに対応する移送経路２２を第一移送経路２２ａ、第一保持装置２０ａに対応する移送経路２２を第二移送経路２２ｂと称するものとする。第一保持装置２０ａは、第一対象物Ｔ１を図１に示す第一始点Ｐａと第一終点Ｑａとの間を往復移動させる。また、第二保持装置２０ｂは、第二対象物Ｔ２を図１に示す第二始点Ｐｂと第二終点Ｑｂとの間を往復移動させる。

【0039】

図２に示すように、保持装置２０は、載置された対象物Ｔを保持する櫛状の保持体２１を備えており、保持体２１は所定の回転軸Ａまわりに回転動作し得る構成とされている。図３に示すように、処理室１４内に搬入された対象物Ｔは、寝かせされた状態の保持体２１に載置され、不図示のクランプによって保持体２１に保持される。その後、保持体２１が起き上がるように回転軸Ａまわりに回転動作する。この回転動作によって対象物Ｔが起き上がり、図３に破線で示すように対象物Ｔが加熱装置３０と対向した状態となる。すると、加熱装置３０が作動して対象物Ｔを所定時間加熱し、その直後に保持体２１が移送経路２２に沿って移動し始める。保持体２１が移送経路２２に沿って移動するのに伴い、対象物Ｔが第一始点Ｐａから第一終点Ｑａ、または第二始点Ｐｂから第二終点Ｑｂに移動し、この間に対象物ＴがイオンビームＩＢを横切り、対象物ＴにイオンビームＩＢが照射される。

【0040】

処理室１４内で対象物Ｔに対するイオンビーム照射処理が施された後、保持体２１が再び回転軸Ａまわりに回転動作することで対象物Ｔは再び寝かされた状態となり、不図示の搬送ロボットにより搬送経路Ｌ１に沿って外部に搬出される。

【0041】

より詳細には、処理室１４内に搬入され、第一保持装置２０ａに保持された第一対象物Ｔ１は、第一始点Ｐａにおいて第一加熱装置３０ａと対向しており、第一始点Ｐａにおいて第一加熱装置３０ａに加熱される。第一加熱装置３０ａによって加熱された第一対象物Ｔ１は第一保持装置２０ａにより、第一始点Ｐａから第一終点Ｑａに搬送され、この間に第一対象物Ｔ１にイオンビームＩＢが照射される。その後、第一対象物Ｔ１は再び第一始点Ｐａに戻った後、処理室１４から搬出される。同様に、処理室１４内に搬入され、第二保持装置２０ｂに保持された第二対象物Ｔ２は、第二始点Ｐｂにおいて第二加熱装置３０ｂと対向しており、第二始点Ｐｂにおいて第二加熱装置３０ｂに加熱される。第二加熱装置３０ｂによって加熱された第二対象物Ｔ２は第二保持装置２０ｂにより、第二始点Ｐｂから第二終点Ｑｂに搬送され、この間に第二対象物Ｔ２にイオンビームＩＢが照射される。その後、第二対象物Ｔ２は再び第二始点Ｐｂに戻った後、処理室１４から搬出される。

【0042】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａにおいては、加熱装置３０が対象物Ｔを加熱した直後にイオンビームＩＢが照射するように構成されているが、室温または所定の温度から昇温された状態の対象物ＴにイオンビームＩＢを照射し得るものであればよい。例えば、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、加熱装置３０が搬送室１５またはロードロック室１６に配置されていてもよい。また、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、搬送室１５またはロードロック室１６等に配置された加熱装置３０とは異なる装置によって、予備的に対象物Ｔを加熱する構成を備えていてもよい。

【0043】

本実施形態の加熱装置３０は、対象物ＴにイオンビームＩＢが照射されるより前に対象物Ｔを加熱するものであり、加熱装置３０は赤外線を放出するハロゲンランプにより構成されるランプヒータである。より詳細には、図２に示すように、加熱装置３０は、複数のランプ３１が所定の位置に配置された複数のランプユニット３２と、各ランプユニット３２を制御する制御部３３を備えている。本実施形態においては、各ランプユニット３２には、縦方向に３個、横方向に４個、合計１２個のランプ３１が配置されている。また、本実施形態における加熱装置３０は、このランプユニット３２が、ランプユニット３２の筐体の長手方向を水平方向に向けた状態で、縦方向に２個、横方向に２個並べられた構成である。

【0044】

制御部３３は、各ランプユニット３２を制御するものであるが、ランプ３１のオン・オフを制御するだけでなく、ランプ３１の出力を変化させるものであってもよい。また、制御部３３は、対象物Ｔの表面温度を測定した測定結果等によってランプユニット３２を制御するものであってもよい。

【0045】

ランプユニット３２を使用する数または配置は、対象物Ｔの大きさによって変更すればよい。図４は、加熱装置３０の変形例を示しており、この変形例においては、加熱装置３０は、ランプユニット３２が筐体の長手方向を鉛直方向に向けた状態で、縦方向に２個、横方向に４個並べられた構成とされている。このように、ランプユニット３２の配置または個数を変更することで、対象物Ｔの大きさに応じた加熱装置３０を容易に製作することができる。

【0046】

加熱装置３０は本実施形態に示す形態に限定されるものではない。第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、加熱装置３０が対象物Ｔを加熱しながら、酸化物半導体膜１０２の内部に少なくとも一部のイオンが到達し得るようイオンビームＩＢを対象物ＴにイオンビームＩＢを照射するものであってもよい。つまり、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、加熱装置３０により室温または所定の温度から昇温された状態の酸化物半導体膜１０２にイオンビームを照射し得るものであればよい。例えば、保持装置２０に対象物Ｔを加熱する機能を備えるようにして加熱装置３０を構成してもよい。

【0047】

次に、第一実施形態の第一のイオンビーム照射装置１０Ａを使用したイオンビーム照射方法について説明する。
本実施形態におけるイオンビーム照射方法は、図６に示す対象物Ｔの酸化物半導体膜１０２にイオンビームＩＢに含まれる少なくとも一部のイオンを到達させるようにイオンビームＩＢを照射するものである。発明者らは、加熱された酸化物半導体膜１０２にイオンビームＩＢを照射することにより、酸化物半導体膜１０２の抵抗値が低減されることを発見した。シート抵抗が低減する理由は明確に解明されたわけではないが、発明者らは以下の（ａ）～（ｃ）のうちのいずれかひとつ、または複数の要因によるものと考えている。
（ａ）酸化物半導体膜が昇温された状態でイオンビームが照射されることで、酸化物半導体膜中の金属元素同士が結合することによりキャリアが生成される。あるいは、イオンビームが照射されることによって切断された酸化物半導体膜中の金属元素同士の結合が昇温によって結合し直すことで、キャリア散乱の増加（キャリア減少、秩序性低下）が抑制された。
（ｂ）昇温された酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることで、酸化物半導体膜中分子の秩序性が向上し、キャリア移動度が増大する。あるいは、酸化物半導体膜にイオンビームが照射されることで酸化物半導体膜中分子の秩序性低下が抑制され。キャリア移動度の低下が抑制される。
（ｃ）酸化物半導体膜の昇温によって、イオンビーム照射によって酸化物半導体膜の金属元素と酸素の結合が切断されることが抑制され、キャリア散乱の増大が抑制され、キャリア移動度の低下が抑制された。

【0048】

発明者らは、対象物Ｔの表面に同一条件で形成されたＩＧＺＯ膜にＨ^＋、Ｈｅ^＋、Ｂ^＋、Ｃ^＋、Ｎ^＋、Ｏ^＋、Ｆ^＋、Ｎｅ^＋、ＰＨｘ^＋、Ａｒ^＋の各種正イオンについて、室温で各イオン種をイオン注入する処理（以下、室温注入）、室温注入した後に対象物Ｔを３００℃に加熱するアニールを行う処理（以下、室温注入後３００℃加熱）、対象物Ｔを３００℃に加熱した状態で各イオン種をイオン注入する処理（以下、３００℃高温注入）を行い、各処理後のＩＧＺＯ膜のシート抵抗を測定した。また、比較のため、室温でのＩＧＺＯ膜のシート抵抗値、および、３００℃のアニール処理を行った後のＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を測定した。図９は、その結果を示すグラフである。

【0049】

この測定に使用した対象物Ｔは、いずれもガラス基板上に厚さ５０ｎｍで形成されたＩＧＺＯ膜が形成されたものであり、各処理ではいずれも当該ＩＧＺＯ膜に１×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の同一条件で各種イオンを注入した。

【0050】

図９に示されるように、測定を行ったいずれのイオン種においても、室温注入、および室温注入後３００℃加熱処理を行った場合と比較し、３００℃高温注入を行うことによってシート抵抗値が低下することが確認された。特に、ホウ素イオン（Ｂ^＋）、ネオンイオン、アルゴンイオン（Ａｒ^＋）を注入した場合には、３００℃高温注入を行った後の抵抗値が１×１０^４Ω/sq. 以下であるとともに、室温注入後３００℃加熱処理を行った場合と比較してシート抵抗値が著しく低下した。

【0051】

すなわち、ホウ素イオン（Ｂ^＋）、ネオンイオン、アルゴンイオン（Ａｒ^＋）のいずれかを含むイオンビームＩＢを用いることによって、対象物Ｔを３００℃の比較的低温に加熱する場合であっても、ＩＧＺＯ膜の抵抗値を実用に十分に低下させることができることが確認された。

【0052】

また、発明者らは、ホウ素イオン（Ｂ^＋）を使用し、厚さ５０ｎｍのＩＧＺＯ膜に、イオンエネルギーを変化させて、室温注入、室温注入後３００℃加熱処理、および３００℃高温注入のそれぞれを行った後、各ＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を測定した。図１０は、その結果を示すグラフである

【0053】

図１０において、室温注入後３００℃加熱処理の場合では、イオンエネルギーが１０～２０ｋｅＶの領域では室温注入と比較してシート抵抗値が減少しているが、３０～８０ｋｅＶの領域では室温注入と比較してシート抵抗値が増加している。これは、１０～２０ｋｅＶの領域では、まず室温注入によってＩＧＺＯ膜中に酸素欠損が生じることで電子が生成され、その後の熱処理中に酸素欠損が修復されると同時に、ＩＧＺＯ膜中ホウ素と酸素が結合し、新たな酸素欠損が追加で生成されることによるものと考えられる。

【0054】

これに対し、３０～８０ｋｅＶの領域では、ホウ素イオンのイオン注入時に多くのホウ素イオンがＩＧＺＯ膜を貫通してしまい、その後の熱処理においては、新たな酸素欠損が追加で生成されることなく、酸素欠損が修復されることによるものと考えられる。

【0055】

一方、３００℃高温注入を行った場合には、２０～８０ｋｅＶのすべての領域において、室温注入および室温注入後３００℃加熱処理と比較して、シート抵抗値が低減されている。これは、予め３００℃に加熱された対象物Ｔにホウ素イオンが注入されることにより、酸素欠損が生成され、キャリアが生成される。同時にホウ素イオンの注入によって切断されたＩＧＺＯ膜中の未結合手がすぐに結合手へと回復することで、室温注入の場合と比較してシート抵抗値が下がったものと推察される。

【0056】

このように、注入されるホウ素イオンのエネルギーに依らず、３００℃高温注入を行うことによって、室温注入および室温注入後３００℃加熱処理を行う場合よりもさらにＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を低下させることができることが確認された。

【0057】

発明者らはさらに、ＩＧＺＯ膜の厚さを変えて同様の測定を行った。詳細には、ホウ素イオン（Ｂ^＋）を使用し、厚さ２５ｎｍのＩＧＺＯ膜に、イオンエネルギーを変化させて、室温注入および３００℃高温注入のそれぞれを行った後、各ＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を測定した。図１１は、その結果を示すグラフである

【0058】

図１１から理解されるように、厚さ２５ｎｍのＩＧＺＯ膜を使用する場合であっても、注入されるイオンのエネルギーに依らず、３００℃高温注入を行うことによって、室温注入と比較して、ＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を低減させることができることが確認された。つまり、ＩＧＺＯ膜を薄くする場合であっても、３００℃高温注入を行うことによってＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を低下させることができる。

【0059】

さらに、ＩＧＺＯ膜の厚さが５０ｎｍと２５ｎｍのいずれの場合であっても、イオンエネルギーによらず、ＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を１×１０^４Ω/ｓｑ. 未満に低下させられることが確認された。

【0060】

図９～図１１から理解されるように、ＩＧＺＯ膜が形成された対象物Ｔを３００℃以下で処理したい場合、対象物Ｔに室温注入を行った後に３００℃でのアニール処理を行う場合よりも、対象物Ｔを３００℃に加熱した状態でイオン注入する場合のほうが、ＩＧＺＯ膜の抵抗値をより低減できる。

【0061】

さらに、３００℃に加熱した対象物Ｔに、ホウ素イオン（Ｂ^＋）、ネオンイオン、アルゴンイオン（Ａｒ^＋）をイオン注入することによって、ＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を１×１０^４Ω/ｓｑ. 未満に低減することができる。特に、厚さ２５ｎｍのＩＧＺＯ膜においてもシート抵抗値をＩＧＺＯ膜のシート抵抗値を１×１０^４ Ω/sq.未満に低減することができることから、半導体膜をより薄くすることが求められるデバイスへの適用も可能となる。

【0062】

発明者らはさらに、ＸＲＲ（Ｘ－Ｒａｙ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）分析によって、イオン注入されない未注入のアモルファスＩＧＺＯ（ａ―ＩＧＺＯ）膜、熱処理したａ―ＩＧＺＯ膜、室温でホウ素イオン（Ｂ^＋）注入したａ―ＩＧＺＯ膜、ホウ素イオン（Ｂ^＋）注入した後に熱処理したａ―ＩＧＺＯ膜、および、高温注入したａ―ＩＧＺＯ膜のそれぞれの膜密度を測定した。図１２はその結果を示す表である。

【0063】

図１２から、ホウ素イオン（Ｂ^＋）注入した後に熱処理したａ―ＩＧＺＯ膜では、室温でホウ素イオン（Ｂ^＋）注入とａ―ＩＧＺＯ膜と膜密度がほぼ変わらない。これに対し、高温注入したａ―ＩＧＺＯ膜では、ホウ素イオン（Ｂ^＋）注入した後に熱処理したａ―ＩＧＺＯ膜と比較して、膜密度が０．０８ｇ／ｃｍ^３増加している。

【0064】

ホウ素イオン（Ｂ^＋）注入した後に熱処理したａ―ＩＧＺＯ膜において、未注入の場合と比較して膜密度が小さくなっているのは、イオン注入によってＩＧＺＯ膜の結晶から酸素が欠損して金属原子の未結合手が増大することに起因する。この場合、結晶中の自由電子の電子移動度が低下することなる。

【0065】

これに対し、高温注入したａ―ＩＧＺＯ膜では、室温注入の場合と比較しても膜密度はほぼ変化していない。高温注入する場合、イオン注入した後に熱処理する場合と比較して、結合手および膜密度が増大し、電子移動度が増大する。したがって、ＩＧＺＯ膜への高温注入は高い応答性が求められるデバイスにも適用可能となる。

【0066】

本実施形態にかかるイオンビーム照射方法においては、酸化物半導体膜１０２にイオンビームＩＢが照射されることで、酸化物半導体膜１０２内部に酸素または金属の欠損が生じることが酸化物半導体膜１０２の抵抗値を低減させる要因の一つと考えられる。つまり、本実施形態のイオンビーム照射方法においては、イオンビームＩＢに含まれるイオンを酸化物半導体膜１０２内に留めるようにイオンビームＩＢを照射する必要はない。イオンビームＩＢに含まれる少なくとも一部のイオンが酸化物半導体膜１０２を貫通し得るようにビームエネルギーを設定して照射し、これにより酸化物半導体膜１０２内により多くの欠損を生じさせるようにしてもよい。

【0067】

まず、プラズマ生成室１１ａ内で例えば、アルゴンイオンを含むプラズマを生成する。その後、プラズマ生成室１１ａで生成したプラズマに含まれるイオンをイオンビームとして引き出し、イオンビームＩＢを、イオンビーム輸送ユニット１２を通過させることで質量分離し、アルゴンイオンから成るイオンビームＩＢを処理室１４内に導く。

【0068】

一方、図８に示すように、照射対象物である対象物Ｔを加熱する第一の工程Ｓ１を行う。より具体的には、第一の工程Ｓ１では、搬送経路Ｌ１に沿って処理室１４内に搬送された対象物Ｔを、保持装置２０に保持させた状態で加熱装置３０により加熱する。対象物Ｔが加熱されることにより、酸化物半導体膜１０２が昇温する。その後、対象物Ｔを移送経路２２に沿って移送させ、対象物ＴにイオンビームＩＢを対象物Ｔに照射する第二の工程Ｓ２を行う。

【0069】

第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、第一対象物Ｔ１にイオンビームＩＢが照射される間に、第二対象物Ｔ２を第二保持装置２０ｂに保持させて待機させるように構成されている。これにより、第一対象物Ｔ１にイオンビーム照射処理が施された後、すぐに第二対象物Ｔ２を加熱し第二対象物Ｔ２にイオンビーム照射処理を施すことができる。また、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、第二対象物Ｔ２にイオンビームＩＢが照射される間に、第一対象物Ｔ１を第一保持装置２０ａに保持させて待機させるように構成されている。これにより、第二対象物Ｔ２にイオンビーム照射処理が施された後、すぐに第一対象物Ｔ１を加熱し第一対象物Ｔ１にイオンビーム照射処理を施すことができる。つまり、第一のイオンビーム照射装置１０Ａは、搬送経路Ｌ１を複数備えることによって、対象物Ｔにイオンビーム照射処理を施す工程のスループットを向上させることができる。

【0070】

第二の工程Ｓ２においては、イオンビームＩＢに含まれるアルゴンイオンを酸化物半導体膜１０２の内部に到達させる必要がある。したがって、イオンビームＩＢのビームエネルギーを適切に設定する必要があるが、このイオンビームＩＢの最適なビームエネルギーは、酸化物半導体膜１０２を構成する酸化物半導体の材料や膜厚、または、酸化物半導体膜１０２を覆う絶縁膜１０３の有無または当該絶縁膜１０３の厚さ寸法等によって変化する。

【0071】

また、図７に示すように、対象物Ｔは、基板１０１と酸化物半導体膜１０２の間に剥離層１０５および基材層１０６を有する構成であってもよい。この変形例では、基材層１０６は、例えばポリイミドを基材としており、基材層１０６は、対象物Ｔから形成されるディスプレイパネルに柔軟性を与えるものであり。

【0072】

基材層１０６は、剥離層１０５を介してガラス基板である基板１０１から剥離された場合に、ディスプレイに柔軟性を与えるフレキシブル基板層として機能する。つまり、対象物Ｔからフレキシブルディスプレイが作成される場合には、当該フレキシブルディスプレイが基材層１０６を有することにより、折り曲げることや屈曲させることができるようになる。

【0073】

この場合、第一のイオンビーム照射装置１０Ａの加熱装置３０の有する制御部３３は、対象物Ｔを加熱する温度が、基材層１０６を形成するポリイミド等の基材の耐熱温度を越えることがないよう加熱装置３０を制御する。

【0074】

本実施形態のイオンビーム照射方法によれば、酸化物半導体膜１０２の抵抗値を低下させることができる。したがって、対象物Ｔから形成されるディスプレイパネルの厚さ寸法を低減させることができ、ディスプレイパネルの薄型化に寄与する。また、いわゆるフォルダブルディスプレイやローラブルディスプレイと称される、折り曲げや折り畳み、巻き取り式の収容方法が採用されるディスプレイ装置において本発明のイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法は特に有用である。

【0075】

次に、本発明の第二実施形態における、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂについて説明する。ただし、第一実施形態の第一のイオンビーム照射装置１０Ａと同一の機能を有する構成は第一実施形態と同一の符号を付与し、その説明を省略する。また、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂは、第一のイオンビーム照射装置１０Ａと同一のイオン源ユニット１１およびイオンビーム輸送ユニット１２が使用されており、図５においてはこれらの構成が省略されて示されている。

【0076】

第二のイオンビーム照射装置１０Ｂは、加熱室４０および加熱室４０内に配置された抵抗加熱装置４１を備える。抵抗加熱装置４１は、抵抗加熱により対象物Ｔを加熱するものである。抵抗加熱装置４１は、通電することにより発熱する不図示の発熱体を内部に有しており、当該発熱体を発熱させることによって抵抗加熱部４１ａに載置された対象物Ｔを加熱するものである。つまり、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂにおいては、対象物Ｔは、抵抗加熱によって発熱する抵抗加熱部４１ａを介して加熱される。第二のイオンビーム照射装置１０Ｂにおいては、抵抗加熱部４１ａと接触した状態で対象物Ｔを加熱でき、ランプヒータである加熱装置３０と比較して、対象物Ｔをより均一に加熱することができ、対象物Ｔの温度の面内均一性を高めることができる。

【0077】

図５に示すように、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂは、処理室１４につながる搬送室１５を一つ備えている。また、搬送室１５には、二つのロードロック室１６、１６および加熱室４０が接続されている。

【0078】

第二のイオンビーム照射装置１０Ｂにおいては、対象物Ｔは、図５に示す第三搬送経路Ｌ２ａおよび第四搬送経路Ｌ２ｂに沿って搬送される。第三搬送経路Ｌ２ａおよび第四搬送経路Ｌ２ｂのいずれにおいても、ロードロック室１６に搬入された対象物Ｔは、搬送室１５を経由してまず加熱室４０に搬入される。加熱室４０に搬入された対象物Ｔは、抵抗加熱部４１ａに載置されて抵抗加熱装置４１によって加熱される。その後、処理室１４に搬入されてイオンビームＩＢが照射される。そして、再び、搬送室１５およびロードロック室１６を経由して受渡部１７に搬出される。

【0079】

第二のイオンビーム照射装置１０Ｂにおいては、一つの対象物Ｔが加熱されている間に、別の対象物Ｔが加熱室４０内で加熱されるよう構成されている。例えば、図５に示すように、第三搬送経路Ｌ２ａを経由して処理室１４に搬入された第三対象物Ｔ３にイオンビームＩＢが照射される間、第四搬送経路Ｌ２ｂを経由して加熱室４０に搬入された第四対象物Ｔ４が加熱されている。第三対象物Ｔ３にイオンビームＩＢが照射されて処理室１４から搬出されると、第四対象物Ｔ４が処理室１４に搬入され、第四対象物Ｔ４にイオンビームＩＢが照射される。また、この間に、加熱室４０には再び第三搬送経路Ｌ２ａを経由した対象物Ｔが搬入されて加熱される。

【0080】

つまり、第二実施形態の第二のイオンビーム照射装置１０Ｂは、一方の対象物ＴにイオンビームＩＢが照射される間に別の対象物Ｔを加熱することにより、対象物Ｔに対するイオンビーム照射処理のスループットを向上させることができる。さらに、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂ、および、第二のイオンビーム照射装置１０Ｂを使用したイオンビーム照射方法においては、加熱された対象物ＴにイオンビームＩＢが照射されることで、酸化物半導体膜１０２の抵抗値が低減させる。

【0081】

本発明は前記実施形態および前記変形例に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であることは言うまでもない。

【符号の説明】

【0082】

ＩＢ イオンビーム
Ｔ 対象物
１０Ａ、１０Ｂ イオンビーム照射装置
１１ イオン源ユニット
１２ イオンビーム輸送ユニット
１３ 処理ユニット
１４ 処理室
２０ 保持装置
３０ 加熱装置
３１ ランプ
３２ ランプユニット
４０ 加熱室
４１ 抵抗加熱装置
１０１ 基板
１０２ 酸化物半導体膜
１０６ 基材層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】