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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024048721
(43)【公開日】2024-04-09
(54)【発明の名称】静電チャック
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20240402BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240402BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240402BHJP
H05B 3/10 20060101ALI20240402BHJP
H05B 3/74 20060101ALI20240402BHJP
C23C 16/458 20060101ALI20240402BHJP
C23C 14/50 20060101ALI20240402BHJP
C23C 16/46 20060101ALI20240402BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
H01L21/302 101G
H01L21/31 C
H05B3/10 A
H05B3/74
C23C16/458
C23C14/50 A
C23C16/46
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022154793
(22)【出願日】2022-09-28
(71)【出願人】
【識別番号】000010087
【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100108062
【弁理士】
【氏名又は名称】日向寺 雅彦
(74)【代理人】
【識別番号】100168332
【弁理士】
【氏名又は名称】小崎 純一
(74)【代理人】
【識別番号】100146592
【弁理士】
【氏名又は名称】市川 浩
(74)【代理人】
【氏名又は名称】白井 達哲
(74)【代理人】
【識別番号】100172188
【弁理士】
【氏名又は名称】内田 敬人
(74)【代理人】
【識別番号】100197538
【弁理士】
【氏名又は名称】竹内 功
(74)【代理人】
【識別番号】100176751
【弁理士】
【氏名又は名称】星野 耕平
(72)【発明者】
【氏名】小野 瑛人
(72)【発明者】
【氏名】上藤 淳平
【テーマコード（参考）】
3K092
4K029
4K030
5F004
5F045
5F131
【Ｆターム（参考）】
3K092PP20
3K092QA03
3K092QA05
3K092QB02
3K092QB26
3K092QB32
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3K092QC43
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3K092RF11
3K092RF19
3K092RF27
3K092VV22
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4K030CA06
4K030CA12
4K030FA01
4K030FA10
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4K030LA15
5F004AA01
5F004BA04
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB28
5F004BB29
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5F045AA08
5F045BB02
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5F131EA04
5F131EA05
5F131EB11
5F131EB81
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【解決手段】処理対象物を載置するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、を備え、ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、ヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、第１ゾーンの１つは、第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、第１バイパス部は、Ｚ方向において第１ゾーン間領域と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャックが提供される。
【選択図】図４
【解決手段】処理対象物を載置するセラミック誘電体基板と、セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、を備え、ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、ヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、第１ゾーンの１つは、第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、第１バイパス部は、Ｚ方向において第１ゾーン間領域と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャックが提供される。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。
【請求項2】
前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、請求項１に記載の静電チャック。
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項3】
平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項4】
平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項5】
平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項6】
前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である、請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項7】
前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、請求項６に記載の静電チャック。
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、請求項６に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ウェーハやガラス基板などの処理対象物が載置される静電チャックが知られている。静電チャックは、例えばエッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオン注入、またはアッシングなどを行う半導体製造装置のプラズマ処理チャンバ内において、処理対象物を吸着保持する手段として用いられる。静電チャックは、例えば内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。
【0003】
静電チャックにおいては、ウェーハ等の処理対象物の面内の温度分布を制御することが求められる。そこで、例えば、複数のゾーンに分割されたヒータを設けることが検討されている。各ゾーンの出力を独立に調整することにより、処理対象物の面内の温度分布を制御することができる。例えば、ゾーンの数を増やすことにより、面内の温度分布をより細かく制御することができる。このようなゾーンの数は、近年増加傾向にあり、例えば１００を超える場合もある。
【0004】
例えば、各ゾーンに対応して発熱抵抗体が設けられ、発熱抵抗体には電源からの電流を発熱抵抗体に流す経路となる導通部が接続される。しかし、導通部の発熱によって試料保持面の均熱性が低下する恐れがあった（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０２０－００４８２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
第１の発明は、処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、を備え、前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャックである。
【0008】
隣接する第１ゾーン同士の間の第１ゾーン間領域は、第１ヒータラインが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。一方、ヒータ層に比べて発熱量は小さいが、第１バイパス部においても、電流が流れることで熱が生じる。特に、線状部分において電流が集中すると発熱量が増大する。この静電チャックによれば、第１バイパス部の線状部分が第１ゾーン間領域と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びることにより、線状部分の発熱によって、第１ゾーン間領域によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0009】
第２の発明は、第１の発明において、前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、静電チャックである。
【0010】
ヒータ部において、外周領域の温度分布ばらつきは、中央領域の温度分布ばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。これに対して、外周領域の第１ゾーン間領域に沿ってバイパス部の線状部分を設けることにより、外周領域における温度分布のばらつきを抑制することができる。
【0011】
第３の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、静電チャックである。
【0012】
この静電チャックによれば、線状部分の幅が第１ゾーン間領域の幅以下であることにより、線状部分と第１ゾーンとの重なりが抑制される。これにより、線状部分の発熱が第１ゾーンの温度に与える影響を抑制し、処理対象物を載置する面全体の温度ばらつきを抑制することができる。
【0013】
第４の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、静電チャックである。
【0014】
この静電チャックによれば、線状部分の幅が狭くなり線状部分において過度な熱が生じることを抑制できる。
【0015】
第５の発明は、第１または第２の発明において、平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、静電チャックである。
【0016】
この静電チャックによれば、線状部分の幅が狭くなり線状部分において過度な熱が生じることを抑制できる。
【0017】
第６の発明は、第１または第２の発明において、前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である静電チャックである。
【0018】
この静電チャックによれば、第１ヒータ層を細かく分割して第１ゾーンの数を５０以上とすることにより、処理対象物の載置面の温度（ひいては処理対象物の面内の温度）の微調整を行うことができる。一方、第１ゾーンの数が増えると、第１ゾーン間領域も増えることとなる。これに対して、この静電チャックによれば、第１ゾーン間領域と重なるように第１バイパス部の線状部分が配置されている。そのため、第１ゾーンを細分化した場合であっても、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0019】
第７の発明は、第６の発明において、前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、静電チャックである。
【0020】
隣接する第２ゾーン同士の間の第２ゾーン間領域は、第２ヒータラインが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。例えば、第１ゾーン間領域と第２ゾーン間領域とが重なる重複領域は、クールスポットとなりやすい。これに対して、この静電チャックによれば、第１バイパス部の線状部分が重複領域と重なることにより、線状部分の発熱によって、重複領域によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【発明の効果】
【0021】
本発明の態様によれば、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる静電チャックが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す斜視図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。
図２（ａ）は、図１に示したＡ１－Ａ１線による断面図である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した領域Ｂ１の拡大図である。なお、図２（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に表したように、実施形態に係る静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータ部２００と、べースプレート３００と、を備える。
図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す斜視図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。
図２（ａ）は、図１に示したＡ１－Ａ１線による断面図である。
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した領域Ｂ１の拡大図である。なお、図２（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）に表したように、実施形態に係る静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータ部２００と、べースプレート３００と、を備える。
【0024】
セラミック誘電体基板１００は、例えば多結晶セラミック焼結体による平板状の基材であり、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗを載置する第１主面１０１と、第１主面１０１とは反対側の第２主面１０２と、を有する。
【0025】
本願明細書では、第１主面１０１に対して垂直な方向をＺ方向とする。Ｚ方向は、換言すれば、第１主面１０１と第２主面１０２とを結ぶ方向である。Ｚ方向は、換言すれば、ベースプレート３００からセラミック誘電体基板１００に向かう方向である。また、Ｚ方向と直交する方向の１つをＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向とする。本願明細書において、「面内」とは、例えばＸ－Ｙ平面内である。また、本願明細書において、「平面視」とは、Ｚ方向に沿って見た状態を示す。
【0026】
セラミック誘電体基板１００に含まれる結晶の材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＹＡＧなどが挙げられる。このような材料を用いることで、セラミック誘電体基板１００における赤外線透過性、絶縁耐性及びプラズマ耐久性を高めることができる。あるいは当該材料は、ＳｉＣ、ＡｌＮであってもよい。
【0027】
セラミック誘電体基板１００の内部には、電極層１１１が設けられている。電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されている。すなわち、電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されている。電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００に一体焼結されている。
【0028】
なお、電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されていることに限定されず、第２主面１０２に付設されていてもよい。
【0029】
静電チャック１０は、電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する。
【0030】
電極層１１１は、第１主面１０１及び第２主面１０２に沿って設けられている。電極層１１１は、処理対象物Ｗを吸着保持するための吸着電極である。電極層１１１は、単極型でも双極型でもよい。また、電極層１１１は、三極型やその他の多極型であってもよい。電極層１１１の数や電極層１１１の配置は、適宜選択される。
【0031】
ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の第２主面１０２側に設けられ、セラミック誘電体基板１００を支持する。ベースプレート３００には、連通路３０１が設けられている。つまり、連通路３０１は、ベースプレート３００の内部に設けられている。ベースプレート３００の材料としては、例えばアルミニウムが挙げられる。
【0032】
ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の温度調整を行う役目を果たす。例えば、セラミック誘電体基板１００を冷却する場合には、連通路３０１へ冷却媒体を流入し、連通路３０１を通過させ、連通路３０１から冷却媒体を流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート３００の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１００を冷却することができる。
【0033】
また、セラミック誘電体基板１００の第１主面１０１側には、必要に応じて凸部１１３が設けられている。互いに隣り合う凸部１１３の間には、溝１１５が設けられている。溝１１５は、互いに連通している。静電チャック１０に搭載された処理対象物Ｗの裏面と、溝１１５と、の間には、空間が形成される。
【0034】
溝１１５には、ベースプレート３００及びセラミック誘電体基板１００を貫通する導入路３２１が接続されている。処理対象物Ｗを吸着保持した状態で導入路３２１からヘリウム（Ｈｅ）等の伝達ガスを導入すると、処理対象物Ｗと溝１１５との間に設けられた空間に伝達ガスが流れ、処理対象物Ｗを伝達ガスによって直接加熱もしくは冷却することができるようになる。
【0035】
ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００を加熱する。ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００を加熱することで、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱する。この例では、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００と別体であり、セラミック誘電体基板１００の外に設けられている。より具体的には、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられている。
【0036】
ベースプレート３００とヒータ部２００との間には、接着層４０３が設けられている。ヒータ部２００とセラミック誘電体基板１００との間には、接着層４０３が設けられている。接着層４０３の材料としては、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂が挙げられる。接着層４０３の厚さは、例えば約０．１ミリメートル（ｍｍ）以上、１．０ｍｍ以下程度である。
【0037】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施形態の変形例に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した領域Ｂ２の拡大図である。なお、図３（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に表したように、この例では、ヒータ部２００は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に設けられている。すなわち、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されてもよい。言い換えれば、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００に内蔵されていてもよい。この場合、接着層４０３は、省略される。
図３（ｂ）は、図３（ａ）に示した領域Ｂ２の拡大図である。なお、図３（ｂ）では、処理対象物Ｗを省略している。
図３（ａ）及び図３（ｂ）に表したように、この例では、ヒータ部２００は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に設けられている。すなわち、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されてもよい。言い換えれば、ヒータ部２００は、セラミック誘電体基板１００に内蔵されていてもよい。この場合、接着層４０３は、省略される。
【0038】
図４は、実施形態に係る静電チャックの一部を模式的に表す断面図である。
図４においては、ヒータ部２００が、セラミック誘電体基板１００に設けられているが、実施形態においては、ヒータ部２００の少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられていてもよい。
図４においては、ヒータ部２００が、セラミック誘電体基板１００に設けられているが、実施形態においては、ヒータ部２００の少なくとも一部は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられていてもよい。
【0039】
ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１（例えば第１ヒータ層）を含む少なくとも１つのヒータエレメント（ヒータ層）を有する。各ヒータエレメントは、セラミック誘電体基板１００を加熱する。例えば、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１と、第２ヒータエレメント２３２（例えば第２ヒータ層）と、を有する。さらに、ヒータ部２００には、バイパス層２５０が設けられる。バイパス層２５０は、複数のヒータエレメントへの給電経路の一部となる。ヒータ部２００には、適宜、ヒータエレメントを支持するための支持板が設けられてもよい。支持板とヒータエレメントとの間、ヒータエレメント同士の間、バイパス層２５０とヒータエレメントとの間などを絶縁する絶縁層が設けられてもよい。バイパス層２５０は、ヒータ部２００とは別に設けられたものでもよい。例えば、バイパス層２５０はセラミック誘電体基板１００に内蔵される。この場合、バイパス層２５０と、第１ヒータエレメント２３１および第２ヒータエレメント２３２との距離を近づけることができるため、面内温度均一化の効果をより高めることができる。また、ヒータ部２００において、第１ヒータエレメント２３１および第２ヒータエレメント２３２をセラミック誘電体基板１００に内蔵し、バイパス層２５０をセラミック誘電体基板１００の外に設けることもできる。具体的にはバイパス層２５０をセラミック誘電体基板１００の第２主面１０２よりも下方に配置してもよい。それによって、ヒータ部２００の給電機構の取り回しが容易となる。
【0040】
第１ヒータエレメント２３１と第２ヒータエレメント２３２とは、Ｚ方向に離れている。つまり、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１が設けられた層とは、異なる層に設けられている。例えば第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２と絶縁されており、電気的に独立している。この例では、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置する。第２ヒータエレメント２３２の少なくとも一部は、Ｚ方向において、第１ヒータエレメント２３１と重なってもよい。
【0041】
第２ヒータエレメント２３２は、複数のメインゾーン６００を有する。各メインゾーン６００は、メインヒータライン２３２ｃ（後述の図７参照）を有する。第１ヒータエレメント２３１は、複数のサブゾーン７００を有する。各サブゾーン７００は、サブヒータライン２３１ｃ（後述の図８参照）を有する。
【0042】
第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００に内蔵される場合、第１ヒータエレメント２３１（サブヒータライン２３１ｃ）の材料としては、例えばチタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。なお第１ヒータエレメント２３１の材料は上記金属とセラミックス材料とを含むことが好ましい。セラミックス材料としては、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ_Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等が挙げられる。第１ヒータエレメント２３１に含まれるセラミックス材料はセラミック誘電体基板１００の成分と同じであることが好ましい。第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外に設けられる場合、第１ヒータエレメント２３１の材料としては、例えば、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。第１ヒータエレメント２３１の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０１ｍｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度である。第２ヒータエレメント２３２（メインヒータライン２３２ｃ）の材料及び厚さは、第１ヒータエレメント２３１の材料及び厚さとそれぞれ同様である。例えば、第２ヒータエレメント２３２がセラミック誘電体基板１００に内部に設けられる場合の第２ヒータエレメント２３２の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の内部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。例えば、第２ヒータエレメント２３２がセラミック誘電体基板１００に外部に設けられる場合の第２ヒータエレメント２３２の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。第２ヒータエレメント２３２の材料及び厚さは、第１ヒータエレメント２３１の材料及び厚さと異なっていてもよい。
【0043】
第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の少なくとも一方は、バイパス層２５０と電気的に接続されている。例えば、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、それぞれ、バイパス層２５０と電気的に接続されている。
【0044】
第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、それぞれ、電流が流れると発熱する。第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、発熱することで、セラミック誘電体基板１００を加熱する。第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、例えば、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度分布を均一にする。あるいは、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２は、例えば、セラミック誘電体基板１００を介して処理対象物Ｗを加熱することで、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつけることもできる。
【0045】
具体的には、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２のそれぞれと電気的に接続される複数の給電端子（図示せず）を有する。給電端子は、静電チャック１０の外部から供給された電力を、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に供給する。すなわち、給電端子を介して、メインヒータライン２３２ｃ（例えば第２ヒータライン）に、外部からの電流が流される。これにより、メインヒータライン２３２ｃが発熱する。同様に、給電端子を介してサブヒータライン２３１ｃ（例えば第１ヒータライン）に、外部からの電流が流される。これにより、サブヒータライン２３１ｃが発熱する。
【0046】
バイパス層２５０は、導電性を有し、例えば板状を呈する。バイパス層２５０は、例えば、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続されており、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の給電経路である。例えば、バイパス層２５０は、メインヒータライン２３２ｃと給電端子とを電気的に接続する導電部である。例えば、バイパス層は、サブヒータライン２３１ｃと給電端子とを電気的に接続する導電部である。なお、給電端子は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に直接的に接続されてもよい。この場合、バイパス層２５０の一部は省略可能である。
【0047】
バイパス層２５０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下程度である。
【0048】
例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００の外に設けられる場合、バイパス層２５０の材料としては、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。例えば、ヒータ部２００（バイパス層２５０、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２）がセラミック誘電体基板１００に内蔵される場合、バイパス層２５０の材料は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と同じである。一方で、バイパス層２５０の厚さは、第１ヒータエレメント２３１の厚さよりも厚く、第２ヒータエレメント２３２の厚さよりも厚い。そのため、バイパス層２５０の電気抵抗は、第１ヒータエレメント２３１の電気抵抗よりも低く、第２ヒータエレメント２３２の電気抵抗よりも低い。これにより、バイパス層２５０の材料が第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と同じ場合でも、バイパス層２５０が第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２のように発熱することを抑えることができる。つまり、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑えることができる。
【0049】
なお、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑える手段は、バイパス層２５０の厚さではなく、体積抵抗率が比較的低い材料を用いることで実現されてもよい。すなわち、バイパス層２５０の材料は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２の材料と異なってもよい。バイパス層２５０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、アルミニウム、インコネル（登録商標）、モリブデン、タングステン、パラジウム、白金、銀、タンタル、モリブデンカーバイド、及びタングステンカーバイドの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。
【0050】
例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００に内部に設けられる場合のバイパス層２５０の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の内部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。例えば、バイパス層２５０がセラミック誘電体基板１００に外部に設けられる場合のバイパス層２５０の材料としては、第１ヒータエレメント２３１がセラミック誘電体基板１００の外部に設けられる場合の第１ヒータエレメント２３１の材料と同じものが挙げられる。
【0051】
バイパス層２５０は、複数のバイパス部２５１を含む。各バイパス部２５１は、いずれかのヒータエレメントへの給電経路の一部となる。例えば、いずれかのヒータエレメントは、あるバイパス部２５１と電気的に接続される。そして、そのバイパス部２５１に外部からの電力を供給するための給電端子が接続される。つまり、バイパス部２５１は、電流の経路においてヒータエレメントと給電端子との間に位置し、給電端子とヒータエレメントとを電気的に接続する。言い換えれば、ヒータエレメントは、バイパス部２５１を介して給電端子と電気的に接続される。
【0052】
例えば、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１への給電経路の一部となる第１サブバイパス部２５１ａ（例えば第１バイパス部）を有する。第１ヒータエレメント２３１は、第１サブバイパス部２５１ａを介して、給電端子と電気的に接続される。
【0053】
図示を省略するが、例えば、複数のバイパス部２５１は、第２サブバイパス部、第１メインバイパス部、及び第２メインバイパス部などをさらに含んでいてもよい。第２サブバイパス部（例えば第２バイパス部）は、第１ヒータエレメント２３１と電気的に接続され、第１ヒータエレメント２３１への給電経路の別一部となる。第１メインバイパス部（例えば第３バイパス部）は、第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続され、第２ヒータエレメント２３２への給電経路の一部となる。第２メインバイパス部（例えば第４バイパス部）は、第２ヒータエレメント２３２と電気的に接続され、第２ヒータエレメント２３２への給電経路の別の一部となる。バイパス部の数は、特に限定されず、１以上でよい。実施形態においては、少なくとも第１バイパス部が設けられればよい。
【0054】
第１ヒータエレメント２３１及び／または第２ヒータエレメント２３２が、例えば２０以上、または５０以上、あるいは１００以上の多数のゾーンを有する場合、各ゾーンに対応する給電端子を配置することが困難となる場合がある。バイパス層２５０を設けることで、ゾーン毎に配置した場合と比較して給電端子の配置自由度が向上する。
【0055】
例えば、第１ヒータエレメント２３１に流れる電流及び第２ヒータエレメント２３２に流れる電流は、別々に制御される。例えば、第１ヒータエレメント２３１（後述の第１サブ給電部２３１ａ及び第２サブ給電部２３１ｂ）に接続されるバイパス部２５１は、第２ヒータエレメント２３２（後述の第１メイン給電部２３２ａ及び第２メイン給電部２３２ｂ）に接続されるバイパス部２５１と異なる。ただし、第１ヒータエレメント２３１に接続されるバイパス部２５１は、第２ヒータエレメント２３２に接続されるバイパス部２５１と、同じであってもよい。
【0056】
第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２よりも少ない熱量を生成する。すなわち、第１ヒータエレメント２３１は低出力のサブヒータであり、第２ヒータエレメント２３２は高出力のメインヒータである。
【0057】
このように、第１ヒータエレメント２３１が第２ヒータエレメント２３２よりも少ない熱量を生成することで、第２ヒータエレメント２３２のパターンに起因する処理対象物Ｗの面内の温度ムラを、第１ヒータエレメント２３１によって抑制することができる。したがって、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0058】
第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、例えば、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率よりも高い。なお、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、サブヒータライン２３１ｃの体積抵抗率である。つまり、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、サブヒータライン２３１ｃの一端（後述の第１サブ給電部２３１ａ）と、他端（後述の第２サブ給電部２３１ｂ）と、の間の体積抵抗率である。言い換えれば、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率は、第１サブ給電部２３１ａからサブヒータライン２３１ｃを通って第２サブ給電部２３１ｂへ至る電流経路における体積抵抗率である。同様に、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、メインヒータライン２３２ｃの体積抵抗率である。つまり、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、メインヒータライン２３２ｃの一端（後述の第１メイン給電部２３２ａ）と、他端（後述の第２メイン給電部２３２ｂ）と、の間の体積抵抗率である。言い換えれば、第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率は、第１メイン給電部２３２ａからメインヒータライン２３２ｃを通って第２メイン給電部２３２ｂへ至る電流経路における体積抵抗率である。
【0059】
このように、第１ヒータエレメント２３１の体積抵抗率を第２ヒータエレメント２３２の体積抵抗率よりも高くすることで、第１ヒータエレメント２３１の出力（発熱量、消費電力）を、第２ヒータエレメント２３２の出力（発熱量、消費電力）よりも低くすることができる。これにより、第２ヒータエレメントのパターンに起因する処理対象物の面内の温度ムラを、第１ヒータエレメントによって抑制することができる。したがって、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0060】
あるいは、サブヒータライン２３１ｃの体積抵抗率は、例えば、メインヒータライン２３２ｃの体積抵抗率よりも低くてもよい。例えば、サブヒータライン２３１ｃの一端から他端までの電気抵抗は、メインヒータライン２３２ｃの一端から他端までの電気抵抗よりも低くてもよい。この場合であっても、第２ヒータエレメント２３２（例えば第２ヒータ層）の出力（発熱量）は、第１ヒータエレメント２３１（例えば第１ヒータ層）のそれよりも大きくなるよう構成される。
【0061】
給電端子の周辺は、温度の特異点（温度が周囲の領域と比較的大きく異なる点）となりやすい。これに対して、バイパス層２５０が設けられることで、給電端子の配置の自由度を高くすることができる。例えば、温度の特異点となりやすい給電端子を分散して配置することができ、特異点の周辺で熱が拡散しやすくなる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0062】
バイパス層２５０が設けられることで、熱容量が大きい給電端子を第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に直接接続させない構成とすることができる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。また、バイパス層２５０が設けられることで、比較的薄い第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２に給電端子を直接接続させなくともよい。これにより、ヒータ部２００の信頼性を向上させることができる。
【0063】
給電端子は、ヒータ部２００からベースプレート３００へ向かって設けられている。そのため、ベースプレート３００の下面３０３（図２（ａ）及び図２（ｂ）参照）の側からソケットなどと呼ばれる部材を介して給電端子に電力を供給することができる。これにより、静電チャック１０が設置されるチャンバ内に給電端子が露出することを抑えつつ、ヒータの配線が実現される。
【0064】
この例では、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置している。ただし、第２ヒータエレメント２３２は、第１ヒータエレメント２３１よりも下方に位置していてもよい。
【0065】
第１ヒータエレメント２３１が第２ヒータエレメント２３２よりも上方に位置する場合、第１ヒータエレメント２３１が処理対象物Ｗに比較的近いことにより、第１ヒータエレメント２３１によって処理対象物Ｗの温度を制御しやすくなる。すなわち、第２ヒータエレメント２３２のパターンに起因して生じる処理対象物Ｗの面内の温度ムラを、第１ヒータエレメント２３１によって抑制しやすくなる。したがって、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0066】
一方、第２ヒータエレメント２３２が第１ヒータエレメント２３１よりも上方に位置する場合、高出力の第２ヒータエレメント２３２が処理対象物Ｗに比較的近い。これにより、処理対象物Ｗの温度の応答性（昇温速度・降温速度）を向上させることができる。
【0067】
また、この例では、第１ヒータエレメント２３１は、Ｚ方向において、バイパス層２５０と第２ヒータエレメント２３２との間に設けられている。つまり、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２よりも下方に位置している。これにより、バイパス層２５０に給電端子を接続する際に、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２とは反対側からバイパス層２５０に給電端子を接続することができる。したがって、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２に給電端子を通すための孔部を設ける必要がなく、ヒータパターン上の温度特異点を減らすことができ、第１ヒータエレメント２３１や第２ヒータエレメント２３２の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0068】
なお、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２よりも上方に位置していてもよい。また、バイパス層２５０は、第１ヒータエレメント２３１と第２ヒータエレメント２３２との間に位置していてもよい。
【0069】
また、ヒータ部２００が有するヒータエレメントの数は、「２」には限定されない。つまり、ヒータ部２００は、第１ヒータエレメント２３１及び第２ヒータエレメント２３２とは異なる層に設けられた、別のヒータエレメントをさらに有していてもよい。
【0070】
図５は、実施形態に係る第２ヒータエレメントのメインゾーンを模式的に表す平面図である。
図５は、第２ヒータエレメント２３２をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図５に表したように、第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒに分割された複数のメインゾーン６００（例えば第２ゾーン）を有する。第２ヒータエレメント２３２では、各メインゾーン６００において、独立した温度制御が行われる。
図５は、第２ヒータエレメント２３２をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図５に表したように、第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒに分割された複数のメインゾーン６００（例えば第２ゾーン）を有する。第２ヒータエレメント２３２では、各メインゾーン６００において、独立した温度制御が行われる。
【0071】
本願明細書において、「径方向Ｄｒ」とは、ヒータエレメント（ヒータ部）の中心から半径に沿って外周に向かう方向である。「周方向Ｄｃ」とは、ヒータエレメントの外周に沿う方向である。周方向Ｄｃは、例えば、平面視におけるセラミック誘電体基板１００の外周に沿う方向、または、平面視におけるベースプレート３００の外周に沿う方向と実質的に同じでよい。
【0072】
この例では、複数のメインゾーン６００は、径方向Ｄｒに並ぶ３つのメインゾーン６０１～６０３を有する。つまり、例えば第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒにおいて３つに分割されている。各メインゾーン６００は、第２ヒータエレメント２３２の中心ＣＴ２から径方向Ｄｒの外側に向かってメインゾーン６０１、メインゾーン６０２、メインゾーン６０３の順に配置されている。
【0073】
メインゾーン６０１は、平面視において、中心ＣＴ２を中心とする円状である。メインゾーン６０２は、平面視において、メインゾーン６０１の外側に位置し中心ＣＴ２を中心とする環状である。メインゾーン６０３は、平面視において、メインゾーン６０２の外側に位置し中心ＣＴ２を中心とする環状である。
【0074】
なお、メインゾーン６００の数やメインゾーン６００の平面視における形状は、任意でよい。例えば、図４の例においては、４つのメインゾーン６００が図示されている。また、メインゾーン６００は、周方向Ｄｃに分割されていてもよいし、周方向Ｄｃ及び径方向Ｄｒに分割されていてもよい。各メインゾーン６００内の構成については、後述する。
【0075】
各メインゾーン６００を構成するメインヒータライン２３２ｃは、互いに独立している。これにより、各メインゾーン６００（メインヒータライン２３２ｃ）ごとに異なる電圧を印加することができる。したがって、各メインゾーン６００ごとに出力（生成する熱量）を独立して制御することができる。言い換えれば、各メインゾーン６００は、互いに独立した温度制御を行うことができるヒータユニットであり、第２ヒータエレメント２３２は、このヒータユニットを複数有するヒータユニットの集合体である。
【0076】
各メインゾーン６００は、隣接するメインゾーン６００と所定間隔で配置されている。つまり、第２ヒータエレメント２３２は、メインゾーン間領域６５０（例えば第２ゾーン間領域）を有する。メインゾーン間領域６５０は、互いに隣接するメインゾーン６００同士の間に設けられる。メインゾーン間領域６５０は、互いに隣接する２つのゾーンを分離する領域である。つまり、メインゾーン６００の１つは、メインゾーン６００の別の１つとメインゾーン間領域６５０を介して隣接する。メインゾーン間領域６５０は、１つのメインゾーン６００内のメインヒータライン２３２ｃから、そのメインゾーン６００に隣接する別のメインゾーン６００内のメインヒータライン２３２ｃまでの領域（メインヒータライン２３２ｃ間の領域）を含む。例えば、メインゾーン間領域６５０には、適宜、絶縁性の材料が配置されている。
【0077】
具体的には、メインゾーン間領域６５０は、メインゾーン間領域６５１と、メインゾーン間領域６５２と、を有する。メインゾーン間領域６５１は、メインゾーン６０１とメインゾーン６０２との間に設けられた所定間隔である。つまり、メインゾーン間領域６５１は、メインゾーン６０１のメインヒータライン２３２ｃから、メインゾーン６０２のメインヒータライン２３２ｃまでの間隔を含む。メインゾーン間領域６５２は、メインゾーン６０２とメインゾーン６０３との間に設けられた所定間隔である。つまり、メインゾーン間領域６５２は、メインゾーン６０２のメインヒータライン２３２ｃから、メインゾーン６０３のメインヒータライン２３２ｃまでの間隔を含む。メインゾーン間領域６５１及びメインゾーン間領域６５２は、それぞれ、平面視において、中心ＣＴ２を中心とする環状である。例えば、メインゾーン間領域６５０は、周方向Ｄｃに沿ってカーブしている。ただし、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、メインゾーン間領域６５０の少なくとも一部は、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしていてもよいし、直線状であってもよい。
【0078】
メインゾーン間領域６５１の径方向Ｄｒの幅ＬＭａは、メインゾーン６０１の径方向Ｄｒの幅ＬＭ１（半径）、及び、メインゾーン６０２の径方向Ｄｒの幅ＬＭ２のそれぞれよりも狭くてもよい。メインゾーン間領域６５２の径方向Ｄｒの幅ＬＭｂは、幅ＬＭ２、及び、メインゾーン６０２の径方向Ｄｒの幅ＬＭ３のそれぞれよりも狭くてもよい。なお、線状または帯状に延在する要素の平面視における幅とは、言い換えれば、平面視における太さであり、その延在方向に垂直な方向に沿う長さである。環状において、幅は、内縁から外縁までの距離（内径と外径との差の半分）である。
【0079】
メインゾーン間領域６５０の平面視における幅（例えば幅ＬＭａまたは幅ＬＭｂ）は、任意であるが、一例として、０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。メインゾーン間領域６５０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。
【0080】
図６は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンを模式的に表す平面図である。
図６は、第１ヒータエレメント２３１をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図６に表したように、この例では、第１ヒータエレメント２３１は、径方向Ｄｒ及び周方向Ｄｃに分割された複数のサブゾーン７００（例えば第１ゾーン）を有する。第１ヒータエレメント２３１では、各サブゾーン７００において、独立した温度制御が行われる。
図６は、第１ヒータエレメント２３１をＺ方向に垂直な平面に投影した図である。図６に表したように、この例では、第１ヒータエレメント２３１は、径方向Ｄｒ及び周方向Ｄｃに分割された複数のサブゾーン７００（例えば第１ゾーン）を有する。第１ヒータエレメント２３１では、各サブゾーン７００において、独立した温度制御が行われる。
【0081】
この例では、複数のサブゾーン７００は、第１領域７０１～第３領域７０３を含む。第１領域７０１は、第１ヒータエレメント２３１の中心ＣＴ１を中心とする円形状である。第２領域７０２及び第３領域７０３は、それぞれ、中心ＣＴ１を中心とする環状である。平面視において、第１領域７０１～第３領域７０３は、中心ＣＴ１から径方向Ｄｒの外側に向かって第１領域７０１、第２領域７０２、第３領域７０３の順に配置されている。
【0082】
第１領域７０１～第３領域７０３は、それぞれ、周方向Ｄｃに並ぶ複数のサブゾーン７００を有する。第１領域７０１における各サブゾーン７００の平面形状は、扇状である。第２領域７０２、第３領域７０３における各サブゾーン７００の平面形状は、環状の一部である。
【0083】
このように、例えば、第２ヒータエレメント２３２は、径方向Ｄｒにおいて３つに分割されている。さらに、第１領域７０１～第３領域７０３は、それぞれ、周方向Ｄｃにおいて複数に分割されている。
【0084】
具体的には、図６の例では、第１領域７０１は、周方向Ｄｃに並ぶ８個のサブゾーン７００を有する。第２領域７０２は、周方向Ｄｃに並ぶ１０個のサブゾーン７００を有する。第３領域７０３は、周方向Ｄｃに並ぶ１２個のサブゾーン７００を有する。
【0085】
この例では、第１領域７０１の径方向Ｄｒの幅ＬＳ１（半径）は、第２領域７０２の径方向Ｄｒの幅ＬＳ２よりも広い。また、この例では、第３領域７０３の径方向Ｄｒの幅ＬＳ３は、幅ＬＳ２と同じである。ただし、各領域の幅は、互いに異なっていてもよい。
【0086】
複数のサブゾーン７００の数は、複数のメインゾーン６００の数よりも多い。つまり、第１ヒータエレメント２３１は、第２ヒータエレメント２３２よりも多くのゾーンに分割されている。
【0087】
第１ヒータエレメント２３１に含まれる複数のサブゾーン７００の数を、第２ヒータエレメント２３２に含まれる複数のメインゾーン６００の数よりも多くすることで、第１ヒータエレメント２３１によって、第２ヒータエレメント２３２よりも狭い領域の温度調整を行うことができる。これにより、第１ヒータエレメント２３１によってより細かい温度の微調整が可能となり、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0088】
サブゾーン７００の数やサブゾーン７００の平面視における形状は、任意でよい。また、サブゾーン７００は、周方向Ｄｃに分割されていなくてもよい。つまり、第１領域７０１や第２領域７０２は、周方向Ｄｃに分割された複数のサブゾーン７００を含まなくてもよい。各サブゾーン７００内の構成については、後述する。
【0089】
各サブゾーン７００を構成するサブヒータライン２３１ｃは、互いに独立している。これにより、各サブゾーン７００（サブヒータライン２３１ｃ）ごとに異なる電圧を印加することができる。したがって、各サブゾーン７００ごとに出力（生成する熱量）を独立して制御することができる。言い換えれば、各サブゾーン７００は、互いに独立した温度制御を行うことができるヒータユニットであり、第１ヒータエレメント２３１は、このヒータユニットを複数有するヒータユニットの集合体である。
【0090】
各サブゾーン７００は、隣接するサブゾーン７００と所定間隔で配置されている。第２ヒータエレメント２３２は、サブゾーン間領域７５０（例えば第１ゾーン間領域）を有する。サブゾーン間領域７５０は、互いに隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられる。サブゾーン間領域７５０は、互いに隣接する２つのゾーンを分離する領域である。つまり、サブゾーン７００の１つは、サブゾーン７００の別の１つとサブゾーン間領域７５０を介して隣接する。サブゾーン間領域７５０は、１つのサブゾーン７００内のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００に隣接する別のサブゾーン７００内のサブヒータライン２３１ｃまでの領域（サブヒータライン２３１ｃ間の領域）を含む。例えば、サブゾーン間領域７５０には、適宜、絶縁性の材料が配置されている。
【0091】
サブゾーン間領域７５０は、平面視において湾曲した複数のカーブ領域７５０ｃ（カーブ領域７５１ｃ及びカーブ領域７５２ｃ）を有する。カーブ領域７５０ｃは、例えば径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられた所定間隔である。つまり、カーブ領域７５０ｃは、１つのサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００と径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃまでの間隔を含む。カーブ領域７５０ｃは、例えば周方向Ｄｃに沿ってカーブし、周方向Ｄｃに延びる。カーブ領域７５０ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする環状である。
【0092】
具体的には、カーブ領域７５１ｃは、第１領域７０１と第２領域７０２との間に設けられ、カーブ領域７５２ｃは、第２領域７０２と第３領域７０３との間に設けられる。なお、径方向Ｄｒにおいて隣接するサブゾーン７００間に位置するサブゾーン間領域７５０の少なくとも一部は、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしてもよいし、直線状であってもよい。
【0093】
サブゾーン間領域７５０は、さらに、複数の直線領域７５０ｒ（直線領域７５１ｒ～直線領域７５３ｒ）を有する。直線領域７５０ｒは、周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００同士の間に設けられた所定間隔である。つまり、直線領域７５０ｒは、１つのサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃから、そのサブゾーン７００と周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００のサブヒータライン２３１ｃまでの間隔を含む。直線領域７５０ｒは、平面視において、径方向Ｄｒに延在する直線状である。
【0094】
具体的には、直線領域７５１ｒは、第１領域７０１のサブゾーン７００の間に設けられ、直線領域７５２ｒは、第２領域７０２のサブゾーン７００の間に設けられ、直線領域７５３ｒは、第３領域７０３のサブゾーン７００の間に設けられる。なお、周方向Ｄｃにおいて隣接するサブゾーン７００間に位置するサブゾーン間領域７５０の少なくとも一部は、径方向Ｄｒに延在する直線状に限らず、径方向Ｄｒとは異なる方向に沿って延在してもよいし、湾曲してもよい。
【0095】
サブゾーン間領域７５０の平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。カーブ領域７５０ｃの幅Ｌ７５０ｃ（カーブ領域７５０ｃの径方向Ｄｒに沿った長さ）は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。直線領域７５０ｒの幅Ｌ７５０ｒ（直線領域７５０ｒの周方向Ｄｃに沿った長さ）は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下である。サブゾーン間領域７５０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。
【0096】
図７は、実施形態に係る第２ヒータエレメントを模式的に表す平面図である。
図７に表したように、１つのメインゾーン６００は、２つのメイン給電部（１つの第１メイン給電部２３２ａ及び１つの第２メイン給電部２３２ｂ）と、１つのメインヒータライン２３２ｃと、を有する。メインヒータライン２３２ｃは、２つのメイン給電部（例えば第２給電部）を電気的に接続する。メインゾーン６００は、第１メイン給電部２３２ａと第２メイン給電部２３２ｂとを繋ぐ連続するメインヒータライン２３２ｃで構成される領域である。
図７に表したように、１つのメインゾーン６００は、２つのメイン給電部（１つの第１メイン給電部２３２ａ及び１つの第２メイン給電部２３２ｂ）と、１つのメインヒータライン２３２ｃと、を有する。メインヒータライン２３２ｃは、２つのメイン給電部（例えば第２給電部）を電気的に接続する。メインゾーン６００は、第１メイン給電部２３２ａと第２メイン給電部２３２ｂとを繋ぐ連続するメインヒータライン２３２ｃで構成される領域である。
【0097】
１つの第１メイン給電部２３２ａは、１つのメインヒータライン２３２ｃの一端に設けられており、給電端子と電気的に接続される。第１メイン給電部２３２ａは、バイパス部２５１（第１メインバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。１つの第２メイン給電部２３２ｂは、当該メインヒータライン２３２ｃの他端に設けられており、別の給電端子と電気的に接続される。第２メイン給電部２３２ｂは、バイパス部２５１（第２メインバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。外部からの電流は、第２メイン給電部２３２ｂに接続された給電端子から、第２メイン給電部２３２ｂを介してメインヒータライン２３２ｃに流れる。メインヒータライン２３２ｃに流れた電流は、第１メイン給電部２３２ａから、第１メイン給電部２３２ａに接続された別の給電端子を介して、外部へ流れる。メインヒータライン２３２ｃは、電流が流れることにより発熱する。
【0098】
メインヒータライン２３２ｃの平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下、好ましくは０．８ｍｍ以上３ｍｍ以下である。メインヒータライン２３２ｃの平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。
【0099】
なお、図７の例では、２つのメイン給電部の間には、メインヒータライン２３２ｃが配置されておらず、２つのメイン給電部が互いに近接している。ただし、メイン給電部の配置は、これに限らず、適宜変更することができる。例えば、図５の例のように、２つのメイン給電部は、互いに離れていてもよい。
【0100】
図８は、実施形態に係る第１ヒータエレメントのサブゾーンの一部を模式的に表す平面図である。
図８に表したように、１つのサブゾーン７００は、２つのサブ給電部（１つの第１サブ給電部２３１ａ及び１つの第２サブ給電部２３１ｂ）と、１つのサブヒータライン２３１ｃと、を有する。サブヒータライン２３１ｃは、２つのサブ給電部（例えば第１給電部）を電気的に接続する。サブゾーン７００は、第１サブ給電部２３１ａと第２サブ給電部２３１ｂとを繋ぐ連続するサブヒータライン２３１ｃで構成される領域である。なお、図８においては、各サブゾーン７００の範囲を二点鎖線で表している。
図８に表したように、１つのサブゾーン７００は、２つのサブ給電部（１つの第１サブ給電部２３１ａ及び１つの第２サブ給電部２３１ｂ）と、１つのサブヒータライン２３１ｃと、を有する。サブヒータライン２３１ｃは、２つのサブ給電部（例えば第１給電部）を電気的に接続する。サブゾーン７００は、第１サブ給電部２３１ａと第２サブ給電部２３１ｂとを繋ぐ連続するサブヒータライン２３１ｃで構成される領域である。なお、図８においては、各サブゾーン７００の範囲を二点鎖線で表している。
【0101】
１つの第１サブ給電部２３１ａは、１つのサブヒータライン２３１ｃの一端に設けられており、給電端子と電気的に接続される。第１サブ給電部２３１ａは、バイパス部２５１（例えば第１サブバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。１つの第２サブ給電部２３１ｂは、当該サブヒータライン２３１ｃの他端に設けられており、別の給電端子と電気的に接続される。第２サブ給電部２３１ｂは、バイパス部２５１（例えば第２サブバイパス部）を介して給電端子と接続されてもよいし、バイパス部２５１を介さずに給電端子と接続されてもよい。外部からの電流は、第２サブ給電部２３１ｂに接続された給電端子から、第２サブ給電部２３１ｂを介してサブヒータライン２３１ｃに流れる。サブヒータライン２３１ｃに流れた電流は、第１サブ給電部２３１ａから、第１サブ給電部２３１ａに接続された別の給電端子を介して、外部へ流れる。サブヒータライン２３１ｃは、電流が流れることにより発熱する。
【0102】
サブヒータライン２３１ｃの平面視における幅ｔ４は、例えば０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。サブヒータライン２３１ｃの平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。
【0103】
なお、図８の例では、２つのサブ給電部がサブゾーン７００の中央部に配置されている。ただし、サブ給電部の配置は、これに限らず、適宜変更することができる。例えば、図６のように２つのサブ給電部は、サブゾーン７００の外周部に配置され、互いに離れていてもよい。
【0104】
図９は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部を例示する平面図である。
図１０（ａ）は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部と第１ヒータエレメントとの接続を模式的に表す斜視図であり、図１０（ｂ）は、バイパス部の変形例を模式的に表す平面図である。
図９及び図１０（ａ）の例では、バイパス部２５１は、第１ヒータエレメント２３１のサブゾーン７００と電気的に接続される第１サブバイパス部２５１ａである。
図１０（ａ）は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部と第１ヒータエレメントとの接続を模式的に表す斜視図であり、図１０（ｂ）は、バイパス部の変形例を模式的に表す平面図である。
図９及び図１０（ａ）の例では、バイパス部２５１は、第１ヒータエレメント２３１のサブゾーン７００と電気的に接続される第１サブバイパス部２５１ａである。
【0105】
図１０（ａ）に破線で表したように、この例では、第１サブバイパス部２５１ａは、複数のサブゾーン７００の第１サブ給電部２３１ａと電気的に接続されている。すなわち、１つのバイパス部２５１が、複数の第１サブ給電部２３１ａと接続されている。ただし、これに限らず、複数の第１サブバイパス部２５１ａを設け、各第１サブバイパス部２５１ａと、各第１サブ給電部２３１ａとを接続してもよい。１つの第１サブバイパス部２５１ａが接続される第１サブ給電部２３１ａの数（サブゾーンの数）は、任意である。例えば図１０（ｂ）に表したように、第１サブバイパス部２５１ａを８つのバイパス部２５１に分割してもよい。このように、複数のバイパス部２５１を設け、各バイパス部２５１に、複数の第１サブ給電部２３１ａを電気的に接続してもよい。バイパス部２５１を分割することにより、例えば１つのバイパス部２５１を流れる電流が大きくなり過ぎバイパス部２５１の発熱が大きくなり過ぎることを抑制することができる。また、図示を省略するが、この例では、複数のサブゾーン７００の第２サブ給電部２３１ｂのそれぞれには、複数の給電端子のそれぞれが接続されている。
【0106】
例えば、第１サブバイパス部２５１ａは、サブゾーン間領域７５０の配置に応じて設けられた網状である。第１サブバイパス部２５１ａは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０と重なる線状部分２８０を有する。線状部分２８０は、サブゾーン間領域７５０に沿って延びる。
【0107】
この例では、線状部分２８０は、平面視において湾曲した複数のカーブ部分２８０ｃ（カーブ部分２８１ｃ及びカーブ部分２８２ｃ）を有する。カーブ部分２８０ｃは、例えば周方向Ｄｃに沿ってカーブし、周方向Ｄｃに延びる。カーブ部分２８０ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする環状である。なお、カーブ部分２８０ｃは、周方向Ｄｃに沿ったカーブに限らず、周方向Ｄｃと異なる方向に沿ってカーブしてもよい。
【0108】
線状部分２８０は、さらに、複数の直線部分２８０ｒ（直線部分２８１ｒ～直線部分２８３ｒ）を有する。直線部分２８０ｒは、平面視において、径方向Ｄｒに延在する直線状であり、カーブ部分２８０ｃと接続されている。なお、直線部分２８０ｒは、径方向Ｄｒとは異なる方向に沿って延在していてもよい。
【0109】
線状部分２８０の平面視における幅は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。図９に示したカーブ部分２８０ｃの幅Ｌ２８０ｃ（カーブ部分２８０ｃの径方向Ｄｒに沿った長さ）及び、直線部分２８０ｒの幅Ｌ２８０ｒ（直線部分２８０ｒの周方向Ｄｃに沿った長さ）は、それぞれ、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。線状部分２８０の平面視における幅は、一定でもよいし、その延在方向に沿って変化してもよい。
【0110】
例えば、図１０（ａ）に表したように、バイパス部のカーブ部分２８０ｃは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５０ｃと重なる。カーブ部分２８０ｃは、平面視においてカーブ領域７５０ｃに沿って延びている。より具体的には、平面視において、カーブ部分２８１ｃは、カーブ領域７５１ｃと重なり、カーブ領域７５１ｃに沿って延びている。カーブ部分２８２ｃは、カーブ領域７５２ｃと重なり、カーブ領域７５２ｃに沿って延びている。
【0111】
例えば、平面視において、カーブ部分２８０ｃの曲率は、カーブ領域７５０ｃの曲率と同じである。なお、曲率は、例えば、平面視における外縁（内周縁または外周縁）の曲率である。曲率は、幅方向（径方向Ｄｒ）の中央線の曲率でもよい。例えば、カーブ部分２８０ｃの外縁または中央線と、カーブ領域７５０ｃの外縁または中央線と、は、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。
【0112】
また、例えば、バイパス部の直線部分２８０ｒは、Ｚ方向においてサブゾーン間領域７５０の直線領域７５０ｒと重なる。直線部分２８０ｒは、平面視において直線領域７５０ｒに沿って延びている。より具体的には、平面視において、直線部分２８１ｒは、直線領域７５１ｒと重なり、直線領域７５１ｒに沿って延びている。直線部分２８２ｒは、直線領域７５２ｒと重なり、直線領域７５２ｒに沿って延びている。直線部分２８３ｒは、直線領域７５３ｒと重なり、直線領域７５３ｒに沿って延びている。
【0113】
例えば、直線部分２８０ｒの外縁または幅方向（周方向Ｄｃ）の中央線と、直線領域７５０ｒの外縁または幅方向（周方向Ｄｃ）の中央線と、は、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って延在する平行線である。
【0114】
例えば、隣接するサブゾーン７００間の短絡を防ぐために、サブゾーン７００同士の間には所定間隔のサブゾーン間領域７５０が設けられる。隣接するサブゾーン７００同士の間のサブゾーン間領域７５０は、サブヒータライン２３１ｃが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。一方、ヒータ層に比べて発熱量は小さいが、バイパス部２５１においても、電流が流れることで熱が生じる。特に、線状部分２８０において電流が集中すると発熱量が増大する。これに対して、バイパス部２５１の線状部分２８０がサブゾーン間領域７５０と重なり、サブゾーン間領域７５０に沿って延びることにより、線状部分２８０の発熱によって、サブゾーン間領域７５０によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。例えば、サブゾーン間領域７５０によって形成されるクールスポットの一部が、バイパス部２５１の線状部分の発熱（ホットスポット）の一部によって相殺され均熱化される。
【0115】
また、図６または図９に表したように、ヒータ部２００は、中央領域２００Ｃと、中央領域よりも外側に位置する外周領域２００Ｄと、を有する。中央領域２００Ｃは、平面視において、中心ＣＴ１を中心とする半径ＲＣの円形領域である。半径ＲＣは、ヒータ部２００の平面視における半径の半分の長さである。外周領域２００Ｄは、中央領域２００Ｃの外周端２００Ｃｐに接し、中央領域２００Ｃを囲む環状領域である。外周領域２００Ｄは、ヒータ部２００の外周端２００ｐを含む。
【0116】
バイパス部２５１の線状部分２８０は、少なくとも外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０とＺ方向において重なり、少なくとも外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０に沿って延びることが好ましい。例えば、線状部分２８０の直線部分２８３ｒは、外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０の直線領域７５３ｒと重なり、直線領域７５３ｒに沿って延びる。例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８２ｃは、外周領域２００Ｄに配置されたサブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５２ｃと重なり、カーブ領域７５２ｃに沿って延びる。
【0117】
ヒータ部２００において、外周領域２００Ｄの温度分布ばらつきは、中央領域２００Ｃの温度分布ばらつきよりも大きくなりやすい場合がある。静電チャックには外部からの熱と、静電チャック自体の熱の主に２種類の熱が加わる。外部からの熱として、例えば、静電チャックがエッチング装置に配置された場合には、プラズマ等からの入熱が挙げられる。こうした外部からの熱は、静電チャックにおいて特に外周領域２００Ｄを発熱させる（所謂エッジホット）。一方で、静電チャックにヒータ部２００が設けられる場合、外周領域よりも外側にはヒータ(発熱体)が存在しないため、外周領域が他の領域よりも低温となる。この外部からの入熱と静電チャック自体の熱のバランスによっては、外周領域２００Ｄの温度がばらつくこととなる。特にヒータを配置した静電チャックでは、外部からの入熱による影響（エッジホット）をヒータで打ち消すことができるが、その場合には外周領域２００Ｄにおける温度がより低くなる恐れがある。これに対して、外周領域２００Ｄのサブゾーン間領域７５０に沿ってバイパス部２５１の線状部分２８０を設けることにより、外周領域２００Ｄにおける温度分布のばらつきを抑制することができる。
【0118】
例えば、図８では、バイパス部２５１の線状部分２８０の平面視における位置を、第１ヒータエレメント２３１に重ねて、模式的に破線で表している。図８に表したように、線状部分２８０の幅ｔ１は、サブゾーン間領域７５０の幅ｔ２と同じ、または幅ｔ２よりも狭い。
【0119】
線状部分２８０の幅ｔ１がサブゾーン間領域７５０の幅ｔ２よりも広い場合、線状部分２８０の発熱がサブゾーン７００の温度に与える影響が大きくなり、温度設計が複雑になる場合がある。例えば、線状部分２８０の幅が広いと、発熱する線状部分２８０とサブヒータライン２３１ｃとが重なることとなり、ホットスポットが生じやすくなる恐れがある。これに対して、線状部分２８０の幅ｔ１がサブゾーン間領域７５０の幅ｔ２以下であることにより、線状部分２８０とサブゾーン７００と重なりが抑制される。これにより、線状部分２８０の発熱がサブゾーン７００の温度に与える影響を抑制し、処理対象物を載置する面全体の温度ばらつきを抑制することができる。
【0120】
例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８０ｃの幅Ｌ２８０ｃ（図９参照）は、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５０ｃの幅Ｌ７５０ｃ（図６参照）と同じ、又は、幅Ｌ７５０ｃより狭い。例えば、線状部分２８０の直線部分２８０ｒの幅Ｌ２８０ｒ（図９参照）は、サブゾーン間領域７５０の直線領域７５０ｒの幅Ｌ７５０ｒ（図６参照）と同じ、又は、幅Ｌ７５０ｒより狭い。
【0121】
また、図８に表したように、平面視において、線状部分２８０の幅ｔ１は、幅ｔ３よりも広い。幅ｔ３は、平面視において、サブゾーン７００の１つにおけるサブヒータライン２３１ｃの一部と、当該サブヒータライン２３１ｃの別の一部と、の間の最小間隔である。これにより、線状部分２８０の幅ｔ１が狭くなり線状部分２８０において過度な熱が生じることを抑制できる。
【0122】
また、例えば、図８に表したように、平面視において、サブゾーン７００の１つにおけるサブヒータライン２３１ｃの幅ｔ４は、線状部分２８０の幅ｔ１よりも狭い。これにより、線状部分２８０の幅ｔ１が狭くなり線状部分２８０において過度な熱が生じることを抑制できる。
【0123】
なお、ある部分の幅（例えば幅ｔ１、幅ｔ２または幅ｔ４）は、平面視において、その部分の対向する２辺（その部分の延在方向に沿って延び、互いに離れた２辺）を結ぶ最短距離である。線状部分２８０の幅が、線状部分２８０の延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ１は、線状部分２８０の最小幅である。同様に、サブゾーン間領域７５０の幅が、サブゾーン間領域７５０の延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ２は、サブゾーン間領域７５０の最小幅である。サブヒータライン２３１ｃの幅が、サブヒータライン２３１ｃの延在方向に沿って変化する場合、幅ｔ４は、サブヒータライン２３１ｃの最小幅である。
【0124】
サブゾーン７００（第１ゾーン）の数は、例えば５０以上である。第１ヒータエレメント２３１を細かく分割してサブゾーン７００の数を５０以上とすることにより、処理対象物の載置面の温度（ひいては処理対象物の面内の温度）の微調整を行うことができる。一方、サブゾーン７００の数が増えると、サブゾーン間領域７５０も増えることとなる。これに対して、実施形態においては、サブゾーン間領域７５０と重なるようにバイパス部２５１の線状部分２８０が配置されている。そのため、サブゾーン７００を細分化した場合であっても、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。なお、第１ゾーンの数は、例えば２００ゾーン程度であるが、上限は特に限定されない。
【0125】
また、例えば図４に表したように、サブゾーン間領域７５０は、Ｚ方向においてメインゾーン間領域６５０と重なる重複領域７６０を有する。例えば、サブゾーン間領域７５０の一部（重複領域７６０）は、Ｚ方向においてメインゾーン間領域６５０と重なり、メインゾーン間領域６５０に沿って延びる。より具体的には、例えば、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５２ｃ（図６参照）は、メインゾーン間領域６５２（図５参照）とＺ方向において重なる。例えば、平面視において、カーブ領域７５２ｃの曲率は、メインゾーン間領域６５２の曲率と同じである。例えば、カーブ領域７５２ｃの外縁または中央線と、メインゾーン間領域６５２の外縁または中央線とは、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。同様に、例えば、サブゾーン間領域７５０のカーブ領域７５１ｃ（図６参照）は、メインゾーン間領域６５１（図５参照）とＺ方向において重なる。
【0126】
バイパス部２５１の線状部分２８０は、Ｚ方向において重複領域７６０と重なる。例えば、線状部分２８０は、重複領域７６０に沿って延びる。より具体的には、例えば線状部分２８０のカーブ部分２８２ｃ（図１０（ａ）参照）は、重複領域７６０の一部（カーブ領域７５２ｃの一部）とＺ方向において重なる。例えば、平面視において、カーブ部分２８２ｃの曲率は、重複領域７６０の当該一部の曲率と同じである。例えば、カーブ部分２８２ｃの外縁または中央線と、重複領域７６０の当該一部の外縁または中央線とは、互いに一定間隔を維持しながらＸ－Ｙ平面に沿って並行する曲線であり、同じ形状でもよい。同様に、例えば、線状部分２８０のカーブ部分２８１ｃ（図１０（ａ）参照）は、重複領域７６０の一部（カーブ領域７５１ｃの一部）とＺ方向において重なる。
【0127】
隣接するメインゾーン６００同士の間のメインゾーン間領域６５０は、メインヒータライン２３２ｃが配置されないため、温度が低いクールスポットとなり、面内の温度分布にムラが生じやすい。例えば、サブゾーン間領域７５０とメインゾーン間領域６５０とが重なる重複領域は、クールスポットとなりやすい。これに対して、バイパス部２５１の線状部分２８０が重複領域７６０と重なることにより、線状部分２８０の発熱によって、重複領域７６０によって生じる面内の温度分布のムラを抑制することができる。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0128】
図１１は、実施形態に係るバイパス層のバイパス部の変形例を例示する平面図である
。
図１１の例においては、バイパス部２５１の線状部分２８０は、外周領域２００Ｄに配置されている。バイパス部２５１のうち中央領域２００Ｃに配置された部分２８５は、平面視において円形の板状（膜状）となっている。このように、バイパス部２５１の一部が線状部分２８０であればよく、バイパス部２５１は、幅の広い板状の部分を有していてもよい。
。
図１１の例においては、バイパス部２５１の線状部分２８０は、外周領域２００Ｄに配置されている。バイパス部２５１のうち中央領域２００Ｃに配置された部分２８５は、平面視において円形の板状（膜状）となっている。このように、バイパス部２５１の一部が線状部分２８０であればよく、バイパス部２５１は、幅の広い板状の部分を有していてもよい。
【0129】
以上説明したように、実施形態においては、第１バイパス部（例えば第１サブバイパス部２５１ａ）は、Ｚ方向において第１ヒータエレメントの第１ゾーン間領域（例えばサブゾーン間領域７５０）と重なり、第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する。
上記では、第１バイパス部が、サブゾーン７００に接続されるバイパス部２５１、すなわち第１サブバイパス部２５１ａである場合を例に挙げて説明した。ただし、第１バイパス部は、必ずしも第１サブバイパス部２５１ａに限らない。例えば、図示を省略するが、第１サブバイパス部２５１ａと同様に、任意の数の第２サブバイパス部、任意の数の第１メインバイパス部、及び、任意の数の第２メインバイパス部が設けられてもよい。各第２サブバイパス部は、任意の数の第２サブ給電部２３１ｂと接続さる。各第１メインバイパス部は、任意の数の第１メイン給電部２３２ａと接続される。各第２メインバイパス部は、任意の数の第２メイン給電部２３２ｂと接続される。複数のバイパス部２５１は、同一のＸ－Ｙ平面内に並べて配置されてもよいし、複数の層に適宜、分割して配置されてもよい。第１バイパス部は、第２サブバイパス部、第１メインバイパス部、または第２メインバイパス部であってもよい。つまり、第１ゾーン間領域と重なる線状部分は、例えばメインゾーン６００と接続されたバイパス部２５１に設けられたものでもよい。
上記では、第１バイパス部が、サブゾーン７００に接続されるバイパス部２５１、すなわち第１サブバイパス部２５１ａである場合を例に挙げて説明した。ただし、第１バイパス部は、必ずしも第１サブバイパス部２５１ａに限らない。例えば、図示を省略するが、第１サブバイパス部２５１ａと同様に、任意の数の第２サブバイパス部、任意の数の第１メインバイパス部、及び、任意の数の第２メインバイパス部が設けられてもよい。各第２サブバイパス部は、任意の数の第２サブ給電部２３１ｂと接続さる。各第１メインバイパス部は、任意の数の第１メイン給電部２３２ａと接続される。各第２メインバイパス部は、任意の数の第２メイン給電部２３２ｂと接続される。複数のバイパス部２５１は、同一のＸ－Ｙ平面内に並べて配置されてもよいし、複数の層に適宜、分割して配置されてもよい。第１バイパス部は、第２サブバイパス部、第１メインバイパス部、または第２メインバイパス部であってもよい。つまり、第１ゾーン間領域と重なる線状部分は、例えばメインゾーン６００と接続されたバイパス部２５１に設けられたものでもよい。
【0130】
また、上記では、第１ヒータ層が第１ヒータエレメント２３１であり第１ゾーンがサブゾーン７００であり第１ゾーン間領域がサブゾーン間領域７５０である場合を例に挙げて説明したが、第１ヒータ層が第２ヒータエレメント２３２であり第１ゾーンがメインゾーン６００であり第１ゾーン間領域がメインゾーン間領域６５０であってもよい。つまり、第１バイパス部の線状部分は、例えばメインゾーン間領域６５０と重なり、メインゾーン間領域６５０に沿って延びるものであってもよい。
【0131】
図１２は、実施形態に係るウェーハ処理装置を模式的に表す断面図である。
図１２に表したように、実施形態に係るウェーハ処理装置５００は、処理容器５０１と、上部電極５１０と、静電チャック１０と、を備えている。処理容器５０１の天井には、処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口５０２が設けられている。処理容器５０１の底板には、内部を減圧排気するための排気口５０３が設けられている。また、上部電極５１０及び静電チャック１０には高周波電源５０４が接続され、上部電極５１０と静電チャック１０とを有する一対の電極が、互いに所定の間隔を隔てて平行に対峙するようになっている。
図１２に表したように、実施形態に係るウェーハ処理装置５００は、処理容器５０１と、上部電極５１０と、静電チャック１０と、を備えている。処理容器５０１の天井には、処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口５０２が設けられている。処理容器５０１の底板には、内部を減圧排気するための排気口５０３が設けられている。また、上部電極５１０及び静電チャック１０には高周波電源５０４が接続され、上部電極５１０と静電チャック１０とを有する一対の電極が、互いに所定の間隔を隔てて平行に対峙するようになっている。
【0132】
ウェーハ処理装置５００において、上部電極５１０と静電チャック１０との間に高周波電圧が印加されると、高周波放電が起こり処理容器５０１内に導入された処理ガスがプラズマにより励起、活性化されて、処理対象物Ｗが処理されることになる。なお、処理対象物Ｗとしては、半導体基板（ウェーハ）を例示することができる。ただし、処理対象物Ｗは、半導体基板（ウェーハ）には限定されず、例えば、液晶表示装置に用いられるガラス基板等であってもよい。
【0133】
高周波電源５０４は、静電チャック１０のベースプレート３００と電気的に接続される。ベースプレート３００には、前述のように、アルミニウムなどの金属材料が用いられる。すなわち、ベースプレート３００は、導電性を有する。これにより、高周波電圧は、上部電極４１０とベースプレート３００との間に印加される。
【0134】
また、この例では、ヒータ部２００において、第１支持板２１０、第１絶縁層２２０、第１ヒータエレメント２３１、第２絶縁層２４０、第２ヒータエレメント２３２、第３絶縁層２４５、バイパス層２５０、第４絶縁層２６０、第２支持板２７０、が、この順に積層されている。ベースプレート３００は、第１支持板２１０及び第２支持板２７０と電気的に接続されている。これにより、ウェーハ処理装置５００では、第１支持板２１０と上部電極５１０との間、及び、第２支持板２７０と上部電極５１０との間にも高周波電圧が印加される。
【0135】
このように、各支持板２１０、２７０と上部電極５１０との間に高周波電圧を印加する。これにより、ベースプレート３００と上部電極５１０との間のみに高周波電圧を印加する場合に比べて、高周波電圧を印加する場所を処理対象物Ｗにより近付けることができる。これにより、例えば、より効率的かつ低電位でプラズマを発生させることができる。
【0136】
ウェーハ処理装置５００のような構成の装置は、一般に平行平板型ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置と呼ばれるが、実施形態にかかる静電チャック１０は、この装置への適用に限定されるわけではない。例えば、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）エッチング装置、誘電結合プラズマ処理装置、ヘリコン波プラズマ処理装置、プラズマ分離型プラズマ処理装置、表面波プラズマ処理装置、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）装置などのいわゆる減圧処理装置に広く適応することができる。このようなウェーハ処理装置５００は、例えば、半導体装置の製造に用いられる。ウェーハ処理装置５００は、例えば、半導体製造装置として使用される。
【0137】
また、実施形態にかかる静電チャック１０は、露光装置や検査装置のように大気圧下で処理や検査が行われる基板処理装置に広く適用することもできる。ただし、実施形態にかかる静電チャック１０の有する高い耐プラズマ性を考慮すると、静電チャック１０をプラズマ処理装置に適用させることが好ましい。なお、これらの装置の構成の内、実施形態にかかる静電チャック１０以外の部分には公知の構成を適用することができるので、その説明は省略する。
【0138】
実施形態に係るウェーハ処理装置５００（半導体製造装置）によれば、上述の静電チャック１０を備えることで、ヒータ部２００の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。
【0139】
本願明細書において、「電気的に接続」には、直接接触して接続される場合の他に、他の導電性部材などを介して接続される場合も含む。
本願明細書において、「同じ」及び「一定」とは、厳密に同じ及び一定であることのみならず、略同じ及び略一定であればよい。例えば、「同じ」及び「一定」は、製造工程におけるばらつきなどの範囲を含んでもよい。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
本願明細書において、「同じ」及び「一定」とは、厳密に同じ及び一定であることのみならず、略同じ及び略一定であればよい。例えば、「同じ」及び「一定」は、製造工程におけるばらつきなどの範囲を含んでもよい。
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【0140】
実施形態は、以下の構成を含んでもよい。
（構成１）
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。
（構成２）
前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、構成１に記載の静電チャック。
（構成３）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１または２に記載の静電チャック。
（構成４）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、構成１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成５）
平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成６）
前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である、構成１～５のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成７）
前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、構成１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成１）
処理対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板を加熱するヒータ部と、
を備え、
前記ヒータ部は、第１ヒータ層を含む少なくとも１つのヒータ層と、前記少なくとも１つのヒータ層への給電経路である第１バイパス部と、を有し、
前記第１ヒータ層は、複数の第１ゾーンを有し、
前記複数の第１ゾーンのそれぞれは、２つの第１給電部と、前記２つの第１給電部を電気的に接続する第１ヒータラインと、を有し、
前記複数の第１ゾーンの１つは、前記複数の第１ゾーンの別の１つと、第１ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１バイパス部は、前記第１主面に対して垂直なＺ方向において前記第１ゾーン間領域と重なり、前記第１ゾーン間領域に沿って延びる線状部分を有する、静電チャック。
（構成２）
前記ヒータ部は、前記Ｚ方向に沿って見たときに、前記ヒータ部の中央に位置する中央領域と、前記中央領域よりも外側に位置し前記ヒータ部の外周端を含む外周領域と、を有し、
前記線状部分は、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域と重なり、少なくとも前記外周領域に配置された前記第１ゾーン間領域に沿って延びる、構成１に記載の静電チャック。
（構成３）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記第１ゾーン間領域の幅と同じ、または、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１または２に記載の静電チャック。
（構成４）
平面視において、前記線状部分の幅は、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの一部と前記第１ヒータラインの別の一部との間の最小間隔よりも広い、構成１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成５）
平面視において、前記複数の第１ゾーンの１つにおける前記第１ヒータラインの幅は、前記第１ゾーン間領域の幅よりも狭い、構成１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成６）
前記第１ヒータ層に含まれる前記複数の第１ゾーンの数は、５０以上である、構成１～５のいずれか１つに記載の静電チャック。
（構成７）
前記ヒータ部は、複数の第２ゾーンを有する第２ヒータ層をさらに有し、
前記複数の第２ゾーンのそれぞれは、２つの第２給電部と、前記２つの第２給電部を電気的に接続する第２ヒータラインと、を有し、
前記複数の第２ゾーンの数は、前記複数の第１ゾーンの数よりも少なく、
前記複数の第２ゾーンの１つは、前記複数の第２ゾーンの別の１つと第２ゾーン間領域を介して隣接し、
前記第１ゾーン間領域は、前記Ｚ方向において前記第２ゾーン間領域と重なる重複領域を有し、
前記線状部分は、前記Ｚ方向において前記重複領域と重なる、構成１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。
【0141】
以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各要素の形状、寸法、材質、配置、設置形態などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【0142】
１０ 静電チャック
１００ セラミック誘電体基板
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１１１ 電極層
１１３ 凸部
１１５ 溝
２００ ヒータ部
２００Ｃ 中央領域
２００Ｃｐ 外周端
２００Ｄ 外周領域
２００ｐ 外周端
２１０ 支持板
２２０ 絶縁層
２３１ 第１ヒータエレメント
２３１ａ 第１サブ給電部
２３１ｂ 第２サブ給電部
２３１ｃ サブヒータライン
２３２ 第２ヒータエレメント
２３２ａ 第１メイン給電部
２３２ｂ 第２メイン給電部
２３２ｃ メインヒータライン
２４０ 第２絶縁層
２４５ 第３絶縁層
２５０ バイパス層
２５１ バイパス部
２５１ａ 第１サブバイパス部
２６０ 絶縁層
２７０ 支持板
２８０ 線状部分
２８０ｃ カーブ部分
２８０ｒ 直線部分
２８１ｃ カーブ部分
２８１ｒ 直線部分
２８２ｃ カーブ部分
２８２ｒ 直線部分
２８３ｒ 直線部分
３００ ベースプレート
３０１ 連通路
３０３ 下面
３２１ 導入路
４０３ 接着層
４１０ 上部電極
５００ ウェーハ処理装置
５０１ 処理容器
５０２ 処理ガス導入口
５０３ 排気口
５０４ 高周波電源
５１０ 上部電極
６００、６０１～６０３ メインゾーン
６５０６５１６５２ メインゾーン間領域
７００ サブゾーン
７０１～７０３ 第１領域～第３領域
７５０ サブゾーン間領域
７５０ｃ カーブ領域
７５０ｒ 直線領域
７５１ｃ カーブ領域
７５１ｒ 直線領域
７５２ｃ カーブ領域
７５２ｒ 直線領域
７５３ｒ 直線領域
７６０ 重複領域
Ｂ１、Ｂ２ 領域
ＣＴ１、ＣＴ２ 中心
Ｄｃ 周方向
Ｄｒ 径方向
Ｌ２８０ｃ 幅
Ｌ２８０ｒ 幅
Ｌ７５０ｃ 幅
Ｌ７５０ｒ 幅
ＬＭ１ 幅
ＬＭ２ 幅
ＬＭ３ 幅
ＬＭａ 幅
ＬＭｂ 幅
ＬＳ１ 幅
ＬＳ２ 幅
ＬＳ３ 幅
ＲＣ 半径
Ｗ 処理対象物
ｔ１ 幅
ｔ２ 幅
ｔ３ 幅
ｔ４ 幅
１００ セラミック誘電体基板
１０１ 第１主面
１０２ 第２主面
１１１ 電極層
１１３ 凸部
１１５ 溝
２００ ヒータ部
２００Ｃ 中央領域
２００Ｃｐ 外周端
２００Ｄ 外周領域
２００ｐ 外周端
２１０ 支持板
２２０ 絶縁層
２３１ 第１ヒータエレメント
２３１ａ 第１サブ給電部
２３１ｂ 第２サブ給電部
２３１ｃ サブヒータライン
２３２ 第２ヒータエレメント
２３２ａ 第１メイン給電部
２３２ｂ 第２メイン給電部
２３２ｃ メインヒータライン
２４０ 第２絶縁層
２４５ 第３絶縁層
２５０ バイパス層
２５１ バイパス部
２５１ａ 第１サブバイパス部
２６０ 絶縁層
２７０ 支持板
２８０ 線状部分
２８０ｃ カーブ部分
２８０ｒ 直線部分
２８１ｃ カーブ部分
２８１ｒ 直線部分
２８２ｃ カーブ部分
２８２ｒ 直線部分
２８３ｒ 直線部分
３００ ベースプレート
３０１ 連通路
３０３ 下面
３２１ 導入路
４０３ 接着層
４１０ 上部電極
５００ ウェーハ処理装置
５０１ 処理容器
５０２ 処理ガス導入口
５０３ 排気口
５０４ 高周波電源
５１０ 上部電極
６００、６０１～６０３ メインゾーン
６５０６５１６５２ メインゾーン間領域
７００ サブゾーン
７０１～７０３ 第１領域～第３領域
７５０ サブゾーン間領域
７５０ｃ カーブ領域
７５０ｒ 直線領域
７５１ｃ カーブ領域
７５１ｒ 直線領域
７５２ｃ カーブ領域
７５２ｒ 直線領域
７５３ｒ 直線領域
７６０ 重複領域
Ｂ１、Ｂ２ 領域
ＣＴ１、ＣＴ２ 中心
Ｄｃ 周方向
Ｄｒ 径方向
Ｌ２８０ｃ 幅
Ｌ２８０ｒ 幅
Ｌ７５０ｃ 幅
Ｌ７５０ｒ 幅
ＬＭ１ 幅
ＬＭ２ 幅
ＬＭ３ 幅
ＬＭａ 幅
ＬＭｂ 幅
ＬＳ１ 幅
ＬＳ２ 幅
ＬＳ３ 幅
ＲＣ 半径
Ｗ 処理対象物
ｔ１ 幅
ｔ２ 幅
ｔ３ 幅
ｔ４ 幅
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】