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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024048857
(43)【公開日】2024-04-09
(54)【発明の名称】制御回路、半導体装置
(51)【国際特許分類】
   H02M 3/28 20060101AFI20240402BHJP
【FI】
H02M3/28 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2022154989
(22)【出願日】2022-09-28
【新規性喪失の例外の表示】特許法第30条第2項適用申請有り 令和3年11月20日 サンケン技報vol.53(2021)
(71)【出願人】
【識別番号】000106276
【氏名又は名称】サンケン電気株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100097113
【弁理士】
【氏名又は名称】堀 城之
(74)【代理人】
【識別番号】100162363
【弁理士】
【氏名又は名称】前島 幸彦
(72)【発明者】
【氏名】渡辺 篤頼
(72)【発明者】
【氏名】大竹 修
【テーマコード(参考)】
5H730
【Fターム(参考)】
5H730AA13
5H730AS01
5H730BB66
5H730CC01
5H730DD04
5H730DD16
5H730EE03
5H730EE07
5H730EE59
5H730EE73
5H730FD21
5H730FF19
5H730XC04
5H730XX03
5H730XX15
5H730XX22
5H730XX42
(57)【要約】
【課題】X-CAP放電機能のオンオフを制御することなく、DC入力でもAC入力でも使用できる制御回路を提供する。
【解決手段】電源入力に接続され、起動時にVCC端子電圧を充電すると共に、駆動停止時に電源入力の相間キャパシタを放電する起動回路21と、VCC端子電圧を検出する起動制御回路23と、VSEN端子電圧を検出する入力検出回路22と、CD端子電圧を充電すると共に、VSEN端子電圧のアップエッジの検出によってCD端子電圧を放電し、CD端子電圧への充電が開始された後に、アップエッジが検出されるとAC入力と判定してAC入力モードに設定し、VSEN端子電圧のアップエッジが検出されることなく、CD端子電圧がDC判定電圧VCDdcに到達すると電源入力がDC入力と判定してDC入力モードに設定する入力判定回路24と、を具備する。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
スイッチング電源の制御回路であって、
電源入力に接続され、起動時に制御電圧を充電すると共に、前記スイッチング電源の駆動停止時に前記電源入力の相間キャパシタを放電する起動回路と、
前記制御電圧を検出する起動制御回路と、
前記電源入力の入力電圧を検出する入力検出回路と、
キャパシタが接続されたCD端子電圧を充電すると共に、前記入力電圧のAC検出電圧を挟んだ変動の検出によって前記CD端子電圧を放電し、前記CD端子電圧への充電が開始された後に、検出電圧を挟んだ変動が検出されると前記電源入力がAC入力と判定してAC入力モードに設定し、前記入力電圧のAC検出電圧を挟んだ変動が検出されることなく、前記CD端子電圧が予め設定されたDC判定電圧に到達すると前記電源入力がDC入力と判定してDC入力モードに設定する入力判定回路と、を具備することを特徴とする制御回路。
【請求項2】
前記DC入力モードでは、クランプ機能によって前記CD端子電圧を所定のクランプ電圧にクランプし、前記入力電圧がDC検出電圧まで低下することで前記スイッチング電源の駆動を停止させ、
前記AC入力モードでは、前記クランプ機能を解除し、前記CD端子電圧が前記クランプ電圧以上に予め設定された駆動停止電圧に到達することで前記スイッチング電源の駆動を停止させることを特徴とする請求項1に記載の制御回路。
【請求項3】
請求項1又は2に記載の制御回路が基板上に集積化されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、スイッチング電源の制御回路に関するものである。
【背景技術】
【0002】
ACライン接続とDCライン接続とを選別し、HV端子が整流平滑側に接続されたときは、HV端子を介したX-CAP放電機能をオフする電源ICが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】中国特許公開第109901474A号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来技術の電源ICは、X-CAP放電機能を使用してHV端子電圧の電圧変動の有無を検出してX-CAP放電機能のオンオフを設定している。従って、電源投入時に毎回X-CAP放電機能を使用して、商用周波数の半周期の期間、HV端子電圧の変動有無を確認する必要がある。
【0005】
本発明は斯かる問題点を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、X-CAP放電機能のオンオフを制御することなく、DC入力でもAC入力でも使用できる制御回路を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る制御回路は、上記の目的を達成するため、次のように構成される。
本発明に係る制御回路は、スイッチング電源の制御回路であって、電源入力に接続され、起動時に制御電源を充電すると共に、前記スイッチング電源の駆動停止時に前記電源入力の相間キャパシタを放電する起動回路と、前記制御電源の制御電圧を検出する起動制御回路と、前記電源入力の入力電圧を検出する入力検出回路と、キャパシタが接続されたCD端子電圧を充電すると共に、前記入力電圧のAC検出電圧を挟んだ変動の検出によって前記CD端子電圧を放電し、前記CD端子電圧への充電が開始された後に、検出電圧を挟んだ変動が検出されると前記電源入力がAC入力と判定してAC入力モードに設定し、前記入力電圧のAC検出電圧を挟んだ変動が検出されることなく、前記CD端子電圧が予め設定されたDC判定電圧に到達すると前記電源入力がDC入力と判定してDC入力モードに設定する入力判定回路と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0007】
本発明の制御回路は、X-CAP放電機能を用いることなく、AC入力かDC入力かを判定できるため、X-CAP放電機能のオンオフを制御することなく、DC入力でもAC入力でも使用できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1】本発明に係る制御回路を用いた電流共振型電源の構成を示す図である。
図2図1に示す制御回路の構成を示す図である。
図3図2に示す起動回路の構成を示す図である。
図4図2に示す入力検出回路の構成を示す図である。
図5図2に示す起動制御回路の構成を示す図である。
図6図2に示す入力判定回路の構成を示す図である。
図7図2に示す入力判定回路の構成を示す図である。
図8図1に示す制御回路による出力判定動作を示すフローチャートである。
図9図1(a)に示すAC入力時の波形図である。
図10図1(b)に示すDC入力時の波形図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下に、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【0010】
本実施の形態の制御回路10は、樹脂にて構成されたパッケージ内に封入することで形成されたIC等の半導体装置であり、図1(a)、(b)に示すLLCタイプの電流共振型電源1a、1bを駆動する制御回路である。制御回路10は、発振動作の開始前にAC入力かDC入力かを検出して、AC入力動作モードかDC入力動作モードかを自動的に切り替える機能を備える。
【0011】
図1(a)に示す電流共振型電源1aは、制御回路10のAC入力動作モードでの使用例を示す。電流共振型電源1aは、AC入力の電源ラインの相間に接続されるXキャパシタCxと、AC入力を全波整流する全波整流回路2と、全波整流回路2の出力両端に接続された平滑キャパシタC1と、全波整流回路2で整流されて平滑キャパシタC1で平滑された直流電圧の力率を改善するPFC回路3と、を備える。制御回路10は、PFC回路3の出力を入力電圧Vinとして、入力電圧Vinとグランドとの間に直列に接続されたハイサイドのスイッチング素子QHと、ローサイドのスイッチング素子QLとを駆動する。
【0012】
図1(b)に示す電流共振型電源1bは、制御回路10のDC入力動作モードでの使用例を示す。電流共振型電源1bは、DC入力の電源ラインの相間に接続される入力平滑キャパシタCinを備える。制御回路10は、DC入力の入力電圧Vinとグランドとの間に直列に接続されたハイサイドのスイッチング素子QHと、ローサイドのスイッチング素子QLとを駆動する。
【0013】
制御回路10は、VS(ハイサイドグランド)端子と、VGH(ハイサイド出力端子)と、GND(グランド)端子と、VGL(ローサイド出力)端子と、を備える。スイッチング素子QHは、入力電圧Vinと、VS端子との間に接続され、VGH端子から出力される駆動信号によって駆動される。スイッチング素子QLは、VS端子と、GND端子との間に接続され、VGL端子から出力される駆動信号によって駆動される。制御回路10において、VB端子は、ハイサイド駆動電源入力用の端子であり、REG端子は、駆動回路用電源出力用の端子である。
【0014】
制御回路10は、図2を参照すると、スイッチング素子QHを駆動するフローティングのハイサイド駆動回路11と、スイッチング素子QLを駆動するローサイド駆動回路12と、を備える。制御回路10は、ハイサイド駆動回路11及びローサイド駆動回路12を制御するメイン制御回路13と、フィードバック信号入力端子FBから入力されるフィードバック信号を用いて発振周波数を生成する発振周波数制御回路14と、を備える。メイン制御回路13は、発振周波数制御回路14で生成された発振周波数でハイサイド駆動回路11及びローサイド駆動回路12を制御し、出力電圧を負帰還制御する。
【0015】
制御回路10は、過電流を検出する過電流検出回路15を備える。RC(電流検出信号入力)端子には、検出抵抗ROCPによって検出された電流検出信号が入力され、過電流検出回路15は、電流検出信号を過電流電圧と比較することで過電流を検出する。過電流検出回路15によって過電流が検出されると、メイン制御回路13は、出力電力を制限する。
【0016】
制御回路10は、過負荷を検出する過負荷検出回路16を備える。過負荷検出回路16は、過電流検出回路15によって過電流が検出されると、CL(過負荷保護検出用キャパシタ接続)端子に接続されたキャパシタCclを所定の電流で充電し、CL端子電圧を過負荷電圧と比較することで、過負荷を検出する。過負荷検出回路16によって過電流が検出されると、メイン制御回路13は、動作を停止させる。
【0017】
制御回路10は、動作開始時に所定の時間を掛けて出力電圧を緩やかに立ち上げるソフトスタート回路17を備える。ソフトスタート回路17は、CSS(ソフトスタート用キャパシタ接続)端子に接続されたキャパシタCcssを、動作開始時に所定の電流で充電し、発振周波数制御回路14は、CSS端子電圧に応じて発振周波数を徐々に低く制御する。
【0018】
制御回路10は、内部温度の過熱を検出したときに動作を停止させるサーマルシャットダウン(TSD)回路25を備える。サーマルシャットダウン(TSD)回路25は、例えばサーミスタの抵抗値、又はダイオードの順方向電圧の変化を基準電圧と比較して内部温度を検出する。サーマルシャットダウン(TSD)回路25は、前述の素子の変化が予め設定された加熱保護動作温度に達すると、加熱保護信号TSDを出力して電源動作を停止させ、過熱による破損を防止する。
【0019】
制御回路10は、軽負荷時のバースト発振動作を制御するスタンバイ制御回路18を備える。制御回路10は、キャパシタCsbが接続されるSB(スタンバイ制御用コンデンサ)端子と、キャパシタCmodeが接続されるMODE(スタンバイ切り替え信号入力)端子とを備える。スタンバイ制御回路18は、SB端子電圧と、MODE端子電圧と、に応じた発振期間及び発振停止期間でバースト発振動作を実行する。
【0020】
制御回路10は、起動時に電源入力からの起動電流が抵抗R1を介して入力されるST(起動電流入力)端子と、電源入力を分圧回路4によって分圧した分圧値が入力電圧検出信号として入力されるVSEN(電源信号入力)端子と、を備える。電源入力がAC入力の場合、AC入力は、ダイオードD1、D2によって整流された後に、抵抗R1を介してST端子に入力される。分圧回路4を制御回路10に内蔵した場合、ST端子と、VSEN端子との共通の一つの端子としても良い。
【0021】
制御回路10は、トランスT1の補助巻線で制御回路10用に生成される電源が入力されるVCC(制御電源入力)端子と、キャパシタCcdが接続されるCD(入力判定)端子とを備える。
【0022】
制御回路10は、起動回路21を備える。起動回路21は、図3を参照すると、MOSFETQ11と、NPN型のバイポーラトランジスタQ12と抵抗R11、R12とで構成された定電流回路を備える。MOSFETQ11と、抵抗R11と、ダイオードD11とからなる直列回路は、ST端子とVCC端子との間に接続される。MOSFETQ11のドレイン・ゲート間には、抵抗R12が接続され、MOSFETQ11のゲートとグランドとの間には、ツェナーダイオードZD11が接続されている。バイポーラトランジスタQ12は、抵抗R11と並列に接続され、バイポーラトランジスタQ12のベースは、MOSFETQ11のソースと抵抗R11との接続点に接続されている。これにより、ST端子に抵抗R1を介して入力電圧Vinが接続されると、ダイオードD11、VCC端子を介して、トランスT1の補助巻線の両端間に接続されたキャパシタCvccが定電流で充電される。
【0023】
起動回路21は、起動停止信号ST_offによってオンオフが制御されるMOSFETQ13を備える。MOSFETQ13は、MOSFETQ11のゲートと、グランドとの間に接続されている。
【0024】
起動回路21は、X放電信号x_disによってオンオフが制御されるMOSFETQ14を備える。MOSFETQ14は、抵抗R11(バイポーラトランジスタQ12のエミッタ)とダイオードD11との接続点と、グランドとの間に接続されている。
【0025】
制御回路10は、入力検出回路22を備える。入力検出回路22は、図4を参照すると、VSEN端子電圧をDC検出電圧VSENon、Vsenoff1と比較するヒステリシス機能を備えたコンパレータCMP21を備える。コンパレータCMP21は、VSEN端子電圧とDC検出電圧VSENonとの比較結果をDC検出信号dc_vsen_on_offとして出力する。DC検出信号dc_vsen_on_offがローレベルとなると、メイン制御回路13はX放電信号x_disをハイレベルに遷移させる。X放電信号x_disは、後述する低入力時動作禁止信号uvloがローレベルになるとローレベルになる。
【0026】
入力検出回路22は、VSEN端子電圧をAC検出電圧VSENac1、2と比較するヒステリスコンパレータCMP22を備える。AC検出電圧VSENac1、2は、DC検出電圧VSENonよりも高い電圧であり、VSENon<VSENac2<VSENac1の関係に設定されている。ヒステリスコンパレータCMP22は、VSEN端子電圧がAC検出電圧VSENac1を超えると、出力をハイレベルに遷移する。ヒステリスコンパレータCMP22の出力は、1ショットパルス生成回路221に入力される。1ショットパルス生成回路221は、ヒステリスコンパレータCMP22の出力がハイレベルに遷移すると、1ショットパルスを生成し、生成された1ショットパルスはオア回路OR21を介してアップエッジ検出信号vsen_upとして出力される。
【0027】
入力検出回路22は、VSEN端子電圧をAC検出電圧VSENoff1、2と比較するヒステリスコンパレータCMP23を備える。AC検出電圧VSENoff1、2は、DC検出電圧VSENonよりも低い電圧であり、VSENoff2<VSENoff1<VSENonの関係に設定されている。ヒステリスコンパレータCMP23は、VSEN端子電圧がAC検出電圧VSENoff1を超えると、出力をハイレベルに遷移する。ヒステリスコンパレータCMP23の出力は、1ショットパルス生成回路222に入力される。1ショットパルス生成回路222は、ヒステリスコンパレータCMP23の出力がハイレベルに遷移すると、1ショットパルスを生成し、生成された1ショットパルスは、オア回路OR21を介してアップエッジ検出信号vsen_upとして出力される。アップエッジ検出信号vsen_upは、出力がAC検出信号ac_vsen_on_offとなるフリップフロップFF21をセット(AC検出信号ac_vsen_on_offがハイレベル)する。
【0028】
フリップフロップFF21のリセット端子Rには、ナンド回路NAND21の出力が接続されている。ナンド回路NAND21には、後述する低入力時動作禁止信号uvlo及びAC停止信号vsen_ac_offが入力され、フリップフロップFF21は、低入力時動作禁止信号uvloとAC停止信号vsen_ac_offのいずれかがローレベルになると、リセット(AC検出信号ac_vsen_on_offがローレベル)される。
【0029】
制御回路10は、起動制御回路23を備える。起動制御回路23は、図5を参照すると、VCC端子電圧を発振開始電圧VCCon(例えば、17V)、発振停止電圧VCCoff(例えば、8.9V)と比較するヒステリスコンパレータCMP31を備える。ヒステリスコンパレータCMP31の比較結果は、低入力時動作禁止信号uvloとして出力される。VCC端子電圧が発振開始電圧VCConを超えると、低入力時動作禁止信号uvloはハイレベルに遷移し、VCC端子電圧が発振停止電圧VCCoff以下になると、低入力時動作禁止信号uvloはローレベルに遷移する。低入力時動作禁止信号uvloがローレベルに遷移すると、メイン制御回路13は、発振動作を停止させる。
【0030】
低入力時動作禁止信号uvloは、インバータINV31を介してフリップフロップFF31のセット端子Sに入力されると共に、ナンド回路NAND31と、各種の保護信号によってセットされるフリップフロップFF32のリセット端子Rと、アンド回路AND31と、に入力され、ノア回路NOR31に反転入力される。
【0031】
起動制御回路23は、VCC端子電圧を検出開始電圧VCCbias(例えば、9.8V)と比較するコンパレータCMP32を備える。検出開始電圧VCCbiasは、発振開始電圧VCConよりも低く、発振停止電圧VCCoffよりも高い電圧に設定されている。コンパレータCMP32の出力は、フリップフロップFF31のリセット端子Rと、オア回路OR31と、ノア回路NOR32と、に入力される。
【0032】
フリップフロップFF31の出力Qは、リセット信号mode_resetであり、低入力時動作禁止信号uvloがローレベルに遷移するとハイレベルに遷移し、コンパレータCMP32の出力がハイレベルに遷移すると、ローレベルに遷移する。
【0033】
ナンド回路NAND31は、低入力時動作禁止信号uvloと共に、信号vsen_on_offと、フリップフロップFF32の反転出力Qbとが入力され、入力のいずれもハイレベルである場合にローレベルとなる信号ENを出力する。
【0034】
信号ENは、インバータINV32、インバータINV33を介して信号PoRとして出力される。インバータINV32、インバータINV33の接続点と、グランドとの間には、信号dc_startによってオンオフが制御されるMOSFETQ31が接続されている。従って、信号PoRは、信号ENと信号dc_startとがいずれもローレベルでローレベルとなり、それ以外の組み合わせでハイレベルとなる。
【0035】
オア回路OR31は、コンパレータCMP32の出力と共に、フリップフロップFF32の出力Qが入力される。アンド回路AND31は、信号vsen_on_off及び低入力時動作禁止信号uvloと共に、オア回路OR31の出力が入力される。アンド回路AND31の出力と、加熱保護動作温度に達するとハイレベルとなる加熱保護信号TSDとは、オア回路OR32に入力され、オア回路OR32は、アンド回路AND31の出力と加熱保護信号TSDとのいずれかがハイレベルのときにハイレベルとなる起動停止信号ST_offを出力する。
【0036】
ノア回路NOR32は、コンパレータCMP32の出力と共に、信号sw_onが入力され、出力がノア回路NOR31に、信号vsen_on_off及び反転された低入力時動作禁止信号uvloと共に入力される。ノア回路NOR31の出力は、ノア回路NOR33に信号cd_3V_bの反転入力と共に入力される。ノア回路NOR33の出力と、加熱保護信号TSDとは、ノア回路NOR34に入力され、ノア回路NOR34は、ノア回路NOR33の出力と加熱保護信号TSDとがいずれもローレベルのときにハイレベルとなるX放電信号x_disを出力する。
【0037】
制御回路10は、入力判定回路24を備える。入力判定回路24は、図6を参照すると、CD端子に接続されたキャパシタCcdを、ダイオードD41を介して定電流で充電する定電流源CC41を備える。
【0038】
入力判定回路24は、CD端子電圧を発振停止電圧VCD1(例えば、3.0V)と比較するコンパレータCMP41を備える。コンパレータCMP41の出力は、CD端子電圧が発振停止電圧VCD1を超えるとローレベルになる発振停止信号cd_3V_bとして出力される。
【0039】
オア回路OR42は、発振停止信号cd_3V_bとフリップフロップFF41の出力QとがいずれもローレベルのときにローレベルとなるAC停止信号vsen_ac_offを出力する。
【0040】
入力判定回路24は、CD端子電圧を発振停止電圧VCD1よりも低いCD放電停止電圧VCD2(例えば、0.3V)と比較するコンパレータCMP42を備える。コンパレータCMP42の出力は、CD端子電圧がCD放電停止電圧VCD2以下になるとハイレベルになり、ACアップエッジ検出信号ac_vsen_upによってセットされるフリップフロップFF41をリセットする。
【0041】
フリップフロップFF41の出力Qは、CD端子とグランドとの間に接続されたMOSFETQ41のオンオフを制御する。ACアップエッジ検出信号ac_vsen_upによってフリップフロップFF41がセットされると、MOSFETQ41は、オン制御されてCD端子電圧が放電される。CD端子電圧がCD放電停止電圧VCD2まで低下すると、フリップフロップFF41がリセットされ、MOSFETQ41は、オフ制御されてCD端子電圧の放電が停止される。
【0042】
入力判定回路24は、CD端子電圧を発振停止電圧VCD1よりも低くCD放電停止電圧VCD2よりも高いDC判定電圧VCDdc(例えば、2.0V)と比較するコンパレータCMP43を備える。コンパレータCMP43の出力は、CD端子電圧がDC判定電圧VCDdcを超えるとハイレベルになるDC判定信号cd_2Vとして出力される。DC判定信号cd_2Vは、DC入力モードにおいて、クランプ信号cd_2V_clampとなり、定電流源CC41とダイオードD41のアノードとの接続点と、グランドとの間に接続されたMOSFETQ42のオンオフを制御する。MOSFETQ42は、DC入力モードでDC判定信号cd_2V(クランプ信号cd_2V_clamp)がハイレベルでオン制御され、CD端子電圧をDC判定電圧VCDdcでクランプする。
【0043】
MOSFETQ43は、CD端子とグランドとの間に接続されている。MOSFETQ43は、オア回路OR41の出力によってオンオフが制御される。オア回路OR41には、信号vsen_off及びリセット信号mode_resetが入力され、MOSFETQ43は、信号vsen_offとリセット信号mode_resetとのいずれかがハイレベルでオン制御される。
【0044】
入力判定回路24は、図7を参照すると、AC入力モードに設定するフリップフロップFF51と、DC入力モードに設定するフリップフロップFF52と、を備える。フリップフロップFF51、FF52は、いずれもリセット信号mode_resetによってリセットされる。フリップフロップFF51は、アップエッジ検出信号vsen_up及びフリップフロップFF52の反転出力Qbを入力とするアンド回路AND51の出力によってセットされる。フリップフロップFF52は、DC判定信号cd_2V及びフリップフロップFF51の反転出力Qbを入力とするアンド回路AND52の出力によってセットされる。
【0045】
従って、VCC端子電圧が検出開始電圧VCCbiasに到達後、アップエッジ検出信号vsen_upの検出が先(DC判定信号cd_2Vより先にハイレベル)である場合、フリップフロップFF51は、セットされ、フリップフロップFF52は、リセット状態で維持される。DC判定信号cd_2Vの検出が先(アップエッジ検出信号vsen_upより先にハイレベル)である場合、フリップフロップFF52は、セットされ、フリップフロップFF51は、リセット状態で維持される。
【0046】
フリップフロップFF51の出力は、AC入力判定信号ac_modeとして出力される。AC入力判定信号ac_modeは、セレクト回路SEL51のセレクト端子selと、ノア回路NOR51と、に入力される。セレクト回路SEL51は、AC入力判定信号ac_modeがローレベルでD1端子に入力されるDC検出信号dc_vsen_on_offを出力OUTとする。セレクト回路SEL51は、AC入力判定信号ac_modeがハイレベルでD2端子に入力されるAC検出信号ac_vsen_on_offを出力OUTとする。セレクト回路SEL51の出力は、アンド回路AND54に入力されると共に、アンド回路AND53に反転入力される。
【0047】
フリップフロップFF52の出力Qは、DC入力判定信号dc_modeとして出力される。DC入力判定信号dc_modeは、ノア回路NOR51にAC入力判定信号ac_modeと共に
入力される。ノア回路NOR51の出力は、信号dc_startとなる。
【0048】
入力判定回路24は、インバータINV51によって反転された低入力時動作禁止信号uvloによってセットされ、インバータINV52によって反転された信号PoRによってリセットされるフリップフロップFF53を備える。フリップフロップFF53の反転出力Qbは、信号sw_onとして出力される。フリップフロップFF53の反転出力Qbは、反転されたセレクト回路SEL51の出力OUTと共に、アンド回路AND53に入力される。
【0049】
入力判定回路24は、アンド回路AND53の出力によってセットされ、リセット信号mode_resetによってリセットされるフリップフロップFF54を備える。フリップフロップFF54の出力Qは、信号vsen_offとして出力される。反転されたフリップフロップFF54の出力Qは、セレクト回路SEL51の出力OUTと共に、アンド回路AND54に入力される。アンド回路AND54の出力は、信号vsen_on_offとなる。
【0050】
次に、制御回路10の入力判定動作について図8乃至図10を参照して詳細に説明する。
【0051】
図8を参照すると、起動回路21は、起動時(電源投入時)にオン状態となり、VCC端子(キャパシタCvcc)の充電を開始する(ステップS101)。起動回路21のオン状態は、図3に示すように、MOSFETQ11及びバイポーラトランジスタQ12がオン状態となる。すなわち、MOSFETQ11とバイポーラトランジスタQ12と抵抗R11とによる定電流回路を構成し、抵抗R11に流れる電流が一定になるように制御する。
【0052】
入力判定回路24は、起動制御回路23によってVCC端子電圧が検出開始電圧VCCbiasに到達したことが検出されると(ステップS102)、CD端子(キャパシタCcd)の充電を開始する(ステップS103)。また、VCC端子電圧が検出開始電圧VCCbiasに到達すると、起動制御回路23のフリップフロップFF31がリセットされてリセット信号mode_resetがローレベルに遷移する。
【0053】
入力検出回路22は、VSEN端子電圧のアップエッジを検出すると共に(ステップS104)、入力判定回路24は、CD端子電圧のDC判定電圧VCDdcへの到達を検出する(ステップS105)。入力検出回路22は、ヒステリスコンパレータCMP22、CMP23によってVSEN端子電圧のアップエッジを検出すると、アップエッジ検出信号vsen_up(1ショットパルス)を出力する。また、アップエッジ検出信号vsen_upによってフリップフロップFF21がセットされ、AC検出信号ac_vsen_on_offがハイレベルとなる。あるいは、入力判定回路24は、コンパレータCMP43によってCD端子電圧のDC判定電圧VCDdcへの到達を検出すると、DC判定信号cd_2Vをハイレベルに遷移させる。(ステップS121)
【0054】
ステップS105でCD端子電圧のDC判定電圧VCDdcへの到達が検出されることなく、ステップS104でVSEN端子電圧のアップエッジが検出されると、入力判定回路24は、AC入力と判定し、AC入力モードに設定する(ステップS106)。AC入力の場合、図9を参照すると、時刻t11でVCC端子電圧が検出開始電圧VCCbiasに到達した後、時刻t12でVSEN端子電圧のアップエッジが検出される。入力判定回路24は、図7に示すフリップフロップFF51のセットによってAC入力モードに設定し、AC入力判定信号ac_modeをハイレベルとする。
【0055】
入力判定回路24は、VSEN端子電圧のアップエッジが検出される毎に、図6に示すフリップフロップFF41のセットによってMOSFETQ41がオン状態となり、CD端子電圧をCD放電停止電圧VCD2まで放電させる。アップエッジの検出後、次のアップエッジが検出されるまでの間、CD端子電圧は、定電流源CC41の充電電流によって充電されるが、CD端子電圧のピーク値がDC判定電圧VCDdcに到達しないレベルに、キャパシタCcdの容量及び充電電流が設定されている。
【0056】
起動制御回路23によってVCC端子電圧が発振開始電圧VCConを超えたことが検出されると(ステップS107)、メイン制御回路13は、次のVSEN端子電圧のアップエッジ検出で発振動作を開始させる(ステップS108)。メイン制御回路13は、発振動作の開始と共に、起動停止信号ST_offをハイレベルに遷移させることで、MOSFETQ13をオン状態とし、起動回路21をオフ状態とする。図9を参照すると、時刻t13でVCC端子電圧が発振開始電圧VCConを超えた後、時刻t14でVSEN端子電圧のアップエッジが検出されると、発振動作が開始される。
【0057】
ステップS108で発振動作が開始されると、入力判定回路24は、CD端子電圧の発振停止電圧VCD1への到達を検出するモードに移行する(ステップS109)。なお、AC入力モードでは、図7に示す入力判定回路24のフリップフロップFF51のセットされた状態であるため、アンド回路AND52がオフ状態となり、CD端子電圧をDC判定電圧VCDdcにクランプする機能が解除される。
【0058】
図9を参照すると、時刻t15でAC入力が切断されると、VSEN端子電圧のアップエッジが検出されなくなるため、CD端子電圧は、アップエッジの検出による放電が行われなくなり、DC判定電圧VCDdcを超えて上昇する。時刻t16でCD端子電圧の発振停止電圧VCD1に到達すると、発振停止信号cd_3V_bがローレベルとなり、AC停止信号vsen_ac_offはオア回路OR42を介してローレベルとなる。AC停止信号vsen_ac_offがローレベルになると、図4に示すナンド回路NAND21の出力はハイレベルとなり、フリップフロップFF21はリセットされ、AC検出信号ac_vsen_on_offがローレベルとなり、メイン制御回路13は、発振動作を停止させる(ステップS110)。また、メイン制御回路13は、起動停止信号ST_offをローレベルに遷移させると共に、X放電信号x_disをハイレベルに遷移させる。入力判定回路24のフリップフロップFF41は、セットされ、X放電信号x_disがハイレベルとなる。これにより、起動回路21は、MOSFETQ11、バイポーラトランジスタQ14がオン状態となり、起動回路21を介してXキャパシタCxが放電される(ステップS111)。
【0059】
時刻t17で起動制御回路23によってVCC端子電圧が発振停止電圧VCCoff以下に下降したことが検出されると(ステップS112)、入力判定回路24は、AC入力モードの設定を解除する(ステップS113)。VCC端子電圧が発振停止電圧VCCoff以下になることで、図5に示す起動制御回路23のフリップフロップFF31がセットされ、リセット信号mode_resetがハイレベルとなる。このリセット信号mode_resetによって、入力判定回路24の図7に示すフリップフロップFF51がリセットされてAC入力モードの設定が解除される。また、メイン制御回路13は、X放電信号x_disをローレベルに遷移させ、XキャパシタCxの放電が停止される(ステップS114)。以下、電源復帰がない場合、制御回路10は、このまま動作を終了し、電源復帰があった場合、制御回路10は、ステップS101に戻って処理を実行する。
【0060】
ステップS104でVSEN端子電圧のアップエッジが検出されることなく、ステップS105でCD端子電圧のDC判定電圧VCDdcへの到達が検出されると、入力判定回路24は、DC入力と判定し、DC入力モードに設定する(ステップS121)。DC入力の場合、図10を参照すると、時刻t21でVCC端子電圧が検出開始電圧VCCbiasに到達した後、VSEN端子電圧のアップエッジが検出されることなく、時刻t22でCD端子電圧のDC判定電圧VCDdcへの到達が検出される。入力判定回路24は、フリップフロップFF52のセットによってDC入力モードに設定し、AC入力判定信号ac_modeはローレベルに維持される。
【0061】
入力判定回路24の図6に示すコンパレータCMP43は、ハイレベルのDC判定信号cd_2Vを出力し、DC判定信号cd_2Vは、DC入力モードにおいて、クランプ信号cd_2V_clampとなってMOSFETQ42のオンオフを制御する。このため、DC入力モードにおいて、CD端子電圧は、DC判定電圧VCDdcでクランプされる。
【0062】
起動制御回路23によってVCC端子電圧が発振開始電圧VCConを超えたことが検出されると(ステップS122)、メイン制御回路13は、発振動作を開始させる(ステップS123)。メイン制御回路13は、発振動作の開始と共に、起動停止信号ST_offをハイレベルに遷移させることで、図3に示すMOSFETQ13をオン状態とし、起動回路21をオフ状態とする。図10を参照すると、時刻t23でVCC端子電圧が発振開始電圧VCConを超えると、発振動作が開始される。
【0063】
ステップS124で発振動作が開始されると、入力検出回路22は、VSEN端子電圧のDC検出電圧VSENoff1以下への下降を検出する(ステップS124)。
【0064】
図10を参照すると、時刻t24でDC入力が切断されると、VSEN端子電圧が下降し、時刻t25でVSEN端子電圧のDC検出電圧VSENoff1に到達すると、DC検出信号dc_vsen_on_offがローレベルになって、メイン制御回路13は、発振動作を停止させる(ステップS125)。
【0065】
また、メイン制御回路13は、起動停止信号ST_offをローレベルに遷移させると共に、X放電信号x_disをハイレベルに遷移させる。これにより、起動回路21は、MOSFETQ11、バイポーラトランジスタQ12、MOSFETQ14がオン状態となり、起動回路21を介して入力平滑キャパシタCinが放電される(ステップS126)。
【0066】
時刻t26で起動制御回路23によってVCC端子電圧が発振停止電圧VCCoff以下に下降したことが検出されると(ステップS127)、入力判定回路24は、DC入力モードの設定を解除する(ステップS128)。VCC端子電圧が発振停止電圧VCCoff以下になることで、起動制御回路23の図5に示すフリップフロップFF31がセットされ、リセット信号mode_resetがハイレベルとなる。このリセット信号mode_resetによって、入力判定回路24の図7に示すフリップフロップFF52がリセットされてDC入力モードの設定が解除される。また、メイン制御回路13は、X放電信号x_disをローレベルに遷移させ、入力平滑キャパシタCinの放電が停止される(ステップS129)。以下、電源復帰がない場合、制御回路10は、このまま動作を終了し、電源復帰があった場合、制御回路10は、ステップS101に戻って処理を実行する。
【0067】
以上説明したように、本実施の形態は、スイッチング電源(電流共振型電源1a、1b)の制御回路10であって、電源入力(AC入力、DC入力)に接続され、起動時にVCC端子電圧(制御電圧)を充電すると共に、スイッチング電源の駆動停止時に電源入力の相間キャパシタ(XキャパシタCx、入力平滑キャパシタCin)を放電する起動回路21と、VCC端子電圧を検出する起動制御回路23と、電源入力の入力電圧VinをVSEN端子電圧として検出する入力検出回路22と、キャパシタCcdが接続されたCD端子電圧を充電すると共に、VSEN端子電圧のAC検出電圧VSENac、VSENoffを挟んだ変動(アップエッジ)の検出によってCD端子電圧を放電し、CD端子電圧への充電が開始された後に、VSEN端子電圧の検出電圧VSENac、VSENoffを挟んだ変動が検出されると電源入力がAC入力と判定してAC入力モードに設定し、VSEN端子電圧のアップエッジが検出されることなく、CD端子電圧がDC判定電圧VCDdcに到達すると電源入力がDC入力と判定してDC入力モードに設定する入力判定回路24と、を具備する。
この構成により、X-CAP放電機能を用いることなく、AC入力かDC入力かを判定できるため、X-CAP放電機能のオンオフを制御することなく、DC入力でもAC入力でも使用でき、集積回路である制御回路10の共有化が図れる。DC入力モードでも駆動停止時に入力平滑キャパシタCinを放電することができ、サービスマンによる保守などを想定して安全性を高めることができる。
【0068】
さらに、本実施形態において、DC入力モードでは、クランプ機能によってCD端子電圧をDC判定電圧VCDdc(クランプ電圧)にクランプし、VSEN端子電圧がDC検出電圧VSENoff1まで低下することでスイッチング電源(電流共振型電源1b)の駆動を停止させ、AC入力モードでは、クランプ機能を解除し、CD端子電圧がDC判定電圧VCDdc以上に予め設定された駆動停止電圧(発振停止電圧VCD1)に到達することでスイッチング電源(電流共振型電源1a)の駆動を停止させる。
この構成により、DC入力モードでは、VSEN端子電圧に基づいて電源入力の切断を判断できると共に、AC入力モードでは、CD端子電圧に基づいて電源入力の切断を判断できる。
【0069】
なお、本発明が上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。なお、同一構成要素には、各図において、同一符号を付している。
【符号の説明】
【0070】
1a、1b 電流共振型電源
2 全波整流回路
3 PFC回路
4 分圧回路
10 制御回路
11 ハイサイド駆動回路
12 ローサイド駆動回路
13 メイン制御回路
14 発振周波数制御回路
15 過電流検出回路
16 過負荷検出回路
17 ソフトスタート回路
18 スタンバイ制御回路
21 起動回路
22 入力検出回路
23 起動制御回路
24 入力判定回路
25 サーマルシャットダウン(TSD)回路
Cin 入力平滑キャパシタ
Cx Xキャパシタ
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10