特開 2024-49307 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024049307

(43)【公開日】2024-04-09

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240402BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023082142

(22)【出願日】2023-05-18

(31)【優先権主張番号】P 2022154723

(32)【優先日】2022-09-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA02

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD17

5E316DD24

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316HH40

(57)【要約】

【課題】高い品質を有するプリント配線板の提供。
【解決手段】プリント配線板は、第１導体層と、第１導体層上に形成されていて、第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、樹脂絶縁層の第１面上に形成されている第２導体層と、開口内に形成されていて、第１導体層と第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。第２導体層とビア導体は、シード層とシード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。シード層は、第１面上の第１部分と開口の内壁面上の第２部分と開口から露出する第１導体層上の第３部分とを有しており、第１部分は第２部分および第３部分より厚い。樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されている。無機粒子は内壁面を形成する第１無機粒子と樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、第１無機粒子の形状は第２無機粒子の形状と異なる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されており、
前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分および前記第３部分より厚く、
前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、
前記無機粒子は前記内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第３部分は前記第２部分より厚い。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、
前記第１層の前記第１部分は前記第１層の前記第２部分および前記第１層の前記第３部分より厚く、
前記第２層の前記第１部分は前記第２層の前記第２部分および前記第２層の前記第３部分より厚い。

【請求項4】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１層の前記第３部分は前記第１層の前記第２部分より厚く、前記第２層の前記第３部分は前記第２層の前記第２部分より厚い。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第２部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．２以上、０．６以下であり、前記第３部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第３部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．５以上０．９以下である。

【請求項6】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層はスパッタリングで形成される。

【請求項7】

請求項３のプリント配線板であって、前記第１層と前記第２層は銅合金と銅の組み合わせからなる。

【請求項8】

請求項７のプリント配線板であって、前記銅合金中の銅の含有量（ｗｔ％）が９０％以上である。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記内壁面は前記第１無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部が前記内壁面を形成する。

【請求項10】

請求項１のプリント配線板であって、前記内壁面の算術平均粗さは１．０μｍ以下である。

【請求項11】

請求項９のプリント配線板であって、前記内壁面は前記樹脂と前記平坦部で形成されている。

【請求項12】

請求項９のプリント配線板であって、前記第２無機粒子の形は球である。

【請求項13】

請求項９のプリント配線板であって、前記第１無機粒子の形状は球を平面で切断することで得られる。

【請求項14】

請求項１３のプリント配線板であって、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子を平面で切断することで得られる。

【請求項15】

請求項１のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記開口の前記内壁面は前記突出部分を除去することで形成される前記第１無機粒子の露出面を含む。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、樹脂基板と樹脂基板上に形成されている樹脂絶縁層と導体回路を有するプリント配線板を開示する。導体回路は、特定の金属を含む合金層を介して樹脂絶縁層上に形成されている。例えば、特許文献１の８段落に特定の金属は示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の合金層を備えるプリント配線板では、導体回路と樹脂絶縁層の密着力が十分ではないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層とによって形成されている。前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分は前記第２部分および前記第３部分より厚い。前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されている。前記無機粒子は前記内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板によると、樹脂絶縁層の第１面上にシード層の厚い部位（第１部分）が配置される。そのため、第２導体層と樹脂絶縁層間の密着強度を高くすることができる。安定した性能を有するプリント配線板が得られる。第２部分の厚みが第１部分の厚みより薄い。シード層形成後のビア導体用の開口の体積を大きくすることができる。ビア導体用の開口の径が小さくても、ビア導体用の開口を電解めっき層で充填することができる。第１導体層とビア導体は第３部分を介して接続される。第３部分の厚みが第１部分の厚みより小さい。第３部分の影響を小さくすることができる。第３部分を介する接続抵抗が高くなりがたい。

【0007】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第１無機粒子が開口の内壁面を形成する。そして、第１無機粒子の形状と樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子の形状は異なる。例えば、第１無機粒子の形状を変えることで、内壁面の形状を制御することができる。内壁面はビア導体と接する面である。そのため、内壁面の形状を制御することにより、ビア導体と樹脂絶縁層間の密着力を高くすることができる。ビア導体がシード層を含むと、シード層は内壁面上に形成される。そのため、内壁面の形状を制御することにより、シード層の厚みを薄くすることができる。シード層の厚みのバラツキを小さくすることができる。第２導体層内の各導体回路の幅を目標値に近くすることができる。高い品質を有するプリント配線板を提供することができる。

【0008】

開口の内壁面が第１無機粒子を含む。そのため、第２部分の厚みが第１部分の厚みより薄くても、シード層が内壁から剥がれ難い。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図4A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図4E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図4H】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図5】実施形態の別例２のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は、絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0011】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４は、ガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は、第３面６と第３面６と反対側の第４面８を有する。

【0012】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は、絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは銅合金で形成されている。銅合金中の銅の含有量（ｗｔ％）は９０％以上である。第２層１１ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。

【0013】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２と第１面２２と反対側の第２面２４を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は、例えば、シリカやアルミナである。絶縁層４の材質と樹脂絶縁層２０の材質は同じであることが好ましい。

【0014】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第１無機粒子９１と、樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0015】

図１に示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２はほぼ樹脂８０のみで形成されている。第１面２２から無機粒子（第２無機粒子９２）９０はほぼ露出しない。第１面２２は第２無機粒子９２の表面をほぼ含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸がほぼ形成されていない。第１面２２は荒らされていない。第１面２２はほぼ平滑に形成されている。

【0016】

図２に示されるように、開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部９１ａを有する。平坦部９１ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９１ａで形成されている。平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面は、ほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面は平滑である。平坦部９１ａの露出面（内壁面２７を形成する面）９１ｂ上に凹凸が形成されない。平坦部９１ａの露出面９１ｂは平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。内壁面２７の算術平均粗さ（Ｒａ）は１．０μｍ以下である。

【0017】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａは第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図１と図２中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図１と図２に示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0018】

図２に示されるように、開口２６の内壁面２７は傾斜している。パッド１４の上面と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ１は７０°以上８５°以下である。パッド１４の上面は第１導体層１０の上面に含まれる。樹脂絶縁層２０の第１面２２と内壁面２７との間の角度（傾斜角度）θ２は９５°以上１１０°以下である。

【0019】

図１と図２に示される断面では、開口２６の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の開口２６の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の開口２６の内壁面（側壁）２７は略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７を含む。

【0020】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は、第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは銅合金で形成されている。第２層３１ｂは銅で形成されている。電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。

【0021】

第１層３１ａは銅合金で形成され、第２層３１ｂは銅で形成され、電解めっき層３０ｂは銅で形成されている。その場合、第１層３１ａ中の銅の量は第２層３１ｂ中の銅の量と電解めっき層３０ｂ中の銅の量より小さい。第２層３１ｂ中の銅の量と電解めっき層３０ｂ中の銅の量は９９．９ａｔ％以上である。第２層３１ｂ中の銅の量と電解めっき層３０ｂ中の銅の量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0022】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、開口２６の内壁面２７と開口２６から露出するパッド１４の上面を覆う第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａはパッド１４の上面と内壁面２７に接している。

【0023】

シード層３０ａは、第１面２２上の第１部分Ｐ１と開口２６の内壁面２７上の第２部分Ｐ２と開口２６から露出するパッド１４上の第３部分Ｐ３とを有している。図３はシード層３０ａの一部を示す拡大断面図である。図３（ａ）は図２中の符号ＩＩＩ－１で示される部分（第１部分Ｐ１）を示す。図３（ｂ）は図２中の符号ＩＩＩ－２で示される部分（第２部分Ｐ２）を示す。図３（ｃ）は図２中の符号ＩＩＩ－３で示される部分（第３部分Ｐ３）を示す。図３に示されるように、第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。また、第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0024】

シード層３０ａが複数の層で形成される場合、厚さＴ１と厚さＴ２と厚さＴ３は各層の厚さの合計である。

【0025】

第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。

【0026】

他の層の厚さも第１層３１ａの厚さと同様な関係を有する。従って、シード層３０ａが２層で形成される場合、第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。

【0027】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第２部分Ｐ２の厚さＴ２／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．２以上、０．６以下である。第３部分Ｐ３の厚さＴ３と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第３部分Ｐ３の厚さＴ３／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．５以上０．９以下である。

【0028】

第２層３１ｂの厚さは第１層３１ａの厚さより厚い。厚さＴ１ｂは厚さＴ１ａより厚い。厚さＴ２ｂは厚さＴ２ａより厚い。厚さＴ３ｂは厚さＴ３ａより厚い。

【0029】

シード層３０ａが第１層３１ａのみで形成される場合、第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。

【0030】

シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１が０．０２μｍ未満であると、例えば、樹脂絶縁層２０とシード層３０ａ間の密着強度が低い。第１部分Ｐ１の厚さＴ１が１．０μｍを超えると、シード層３０ａのエッチング量が多くなるため、配線幅の制御が難しい。

【0031】

開口２６の内壁面２７上のシード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２は、０．００４μｍ以上０．６μｍ以下である。第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは、０．００２μｍ以上０．３μｍ以下である。第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは、０．００２μｍ以上０．５４μｍ以下である。

【0032】

開口２６から露出するパッド１４上のシード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは、０．００５μｍ以上０．４５μｍ以下である。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは、０．００５μｍ以上０．８１μｍ以下である。第３部分Ｐ３はビア導体４０とパッド１４との接続部である。

【0033】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図４Ａ～図４Ｈは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図４Ａ～図４Ｃ、図４Ｅ～図４Ｈは断面図である。図４Ｄは拡大断面図である。図４Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。

【0034】

図４Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0035】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0036】

図４Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0037】

図４Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９１ａ（図２参照）を有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７ｂの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0038】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７（図１、図２）が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２７は平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜（スパッタリング製膜）の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。

【0039】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７を形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0040】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0041】

内壁面２７は、第１無機粒子９１の露出面９１ｂとその露出面９１ｂを有する第１無機粒子９１を囲んでいる樹脂８０の面８０ａとの間に段差を有することができる。露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから凹んでいる。あるいは、露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａから出っ張っている。段差（露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離）は５μｍ以下である。段差は３μｍ以下であることが好ましい。段差は１．５μｍ以下であることがより好ましい。段差が形成されていても、段差が小さいので、露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。

【0042】

内壁面２７上に凹凸が形成されない。内壁面２７は平滑に形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさが制御される。

【0043】

開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われているためプラズマの影響を受けない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されない。第１面２２は荒らされない。

【0044】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0045】

図４Ｅに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。保護膜５０除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２を荒らすことは行われない。

【0046】

図４Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。第１層３１ａが第１面２２上にスパッタリングで形成される。同時に、開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａがスパッタリングで形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂがスパッタリングで形成される。シード層３０ａは開口２６から露出するパッド１４の上面と開口２６の内壁面２７にも形成される。第１層３１ａは銅合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0047】

例えば、スパッタリングはマスクを介して行われる。まず、各ビア導体用の開口２６を覆う第１マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第１マスクは樹脂絶縁層２０の第１面２２のみを露出する。第１マスクを介して樹脂絶縁層２０の第１面２２上に厚さＴ１ａを有する第１部分Ｐ１が形成される。第１マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６の内壁面２７のみを露出する第２マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第２マスクを介して内壁面２７上に厚さＴ２ａを有する第２部分Ｐ２が形成される。第２マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６から露出されるパッド１４のみを露出する第３マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第３マスクを介してパッド１４上に厚さＴ３ａを有する第３部分Ｐ３が形成される。第３マスクが除去される。これにより、第１層３１ａが第１面２２上に形成される。開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａが形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂが形成される。第１層３１ａの形成方法と第２層３１ｂの形成方法は同様である。

【0048】

スパッタリングで第１層３１ａと第２層３１ｂを形成するための条件の例が次に示される。ターゲットと基板表面との距離は５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧は１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度は０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。例えば、処理時間を変えることで、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１と第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３を調整することができる。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。この結果、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0049】

第２層３１ｂの厚さと第１層３１ａの厚さとの比（第２層３１ｂの厚さ／第１層３１ａの厚さ）は１．２以上２以下である。比（厚さＴ１ｂ／厚さＴ１ａ）と比（厚さＴ２ｂ／厚さＴ２ａ）、比（厚さＴ３ｂ／厚さＴ３ａ）は１．２以上２以下である。

【0050】

第１部分Ｐ１は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成され、第２部分Ｐ２は樹脂絶縁層２０の内壁面２７上に形成されている。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は共に樹脂絶縁層２０上に形成されている。第１部分Ｐ１はランド３６と第１信号配線３２、第２信号配線３４のシード層３０ａを形成する。第２部分Ｐ２はビア導体４０のシード層３０ａを形成する。樹脂絶縁層２０の熱膨張係数とシード層３０ａの熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、シード層３０ａにストレスが働くと考えられる。普通、第１信号配線３２と第２信号配線３４はビア導体４０よりかなり長く曲がっている部分を含む。そのため、大きなストレスが第１信号配線３２と第２信号配線３４内の曲がっている部分に集中するはずである。それに対し、ビア導体４０は短く、ほぼ真っすぐに形成されている。そのため、ビア導体４０に関しては、ストレスの集中は起こりがたい。従って、樹脂絶縁層２０の第１面２２上のシード層３０ａの破断を避けるために、第１信号配線３２と第２信号配線３４を形成するシード層３０ａの厚さは大きいことが好ましい。それに対し、ビア導体４０を形成する内壁面２７上のシード層３０ａの厚みは小さくてもよい。そのため、実施形態は、厚さＴ１を厚さＴ２より大きくしている。

【0051】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２を薄くすることで、シード層３０ａを形成するために必要な時間を短縮することができる。

【0052】

図４Ｇに示されるように、シード層３０ａ上にめっきレジスト６０が形成される。めっきレジスト６０は、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0053】

図４Ｈに示されるように、めっきレジスト６０から露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0054】

シード層３０ａ形成後のビア導体４０用の開口２６０が図４Ｆと図４Ｇに示される。厚さＴ２が薄いと、シード層３０ａ形成後のビア導体４０用の開口２６０の体積を大きくすることができる。そのため、電解めっき液が開口２６０内に入りやすい。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ内にボイドが形成され難い。低い抵抗を有するビア導体４０を形成することができる。開口２６の開口径（パッド１４上の径）Ｄ（図４Ｅ参照）が３０μｍ以下でも、ボイドを含まないビア導体４０を形成することができる。開口径Ｄが１０μｍ以上、２５μｍ以下であっても、ビア導体４０を介する接続信頼性が長期間安定である。このように、第２部分Ｐ２の厚さＴ２を小さくすることで、コストや生産性、信頼性を改善することができる。従って、厚さＴ２は厚さＴ１より小さいことが好ましい。

【0055】

めっきレジスト６０が除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0056】

ビア導体４０は主に電解めっき層３０ｂで形成され、パッド１４は主に電解めっき層１０ｂで形成されている。そして、ビア導体４０を形成する電解めっき層（第２電解めっき層）３０ｂとパッド１４を形成する電解めっき層（第１電解めっき層）１０ｂはスパッタリングで形成されるシード層３０ａを介して接続される。このように、第２電解めっき層３０ｂと第１電解めっき層１０ｂはスパッタリングで形成されるシード層３０ａを挟む。両者（第２電解めっき層３０ｂと第１電解めっき層１０ｂ）は両者と異なる製法で形成される膜を挟んでいる。仮に、異なる製法で形成される膜は異種膜と称される。異種膜の例はスパッタリング製膜である。例えば、プリント配線板２がヒートサイクルを受けると、両者の収縮量と異種膜の収縮量は異なると考えられる。そのため、ビア導体４０を介する接続信頼性はシード層３０ａと第１電解めっき層１０ｂ間で低下しやすい。あるいは、シード層３０ａと第２電解めっき層３０ｂ間で接続信頼性が低下しやすい。しかしながら、実施形態では、両者はシード層３０ａの内、第３部分Ｐ３を介して接続される。第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第１部分Ｐ１の厚さＴ１より小さい。接続信頼性に対する異種膜の影響度を小さくすることができる。ビア導体４０を介する接続信頼性を高くすることができる。

【0057】

第１部分Ｐ１は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成される。そのため、信号配線３２、３４を形成するシード層３０ａは第１部分Ｐ１で形成される。信号配線３２、３４を形成する第１部分Ｐ１の長さＬ１は信号配線３２、３４の長さとほぼ一致する。従って、信号配線３２、３４を形成する第１部分Ｐ１の長さは長い。第２部分Ｐ２は開口２６の内壁面２７上に形成されているので、第２部分Ｐ２の長さは樹脂絶縁層２０の厚みとほぼ一致する。従って、ビア導体４０を形成する第２部分Ｐ２の長さＬ２は短い。長さＬ１と長さＬ２との比（Ｌ１／Ｌ２）は大まかに１００倍以上である。普通、信号配線３２、３４は真っすぐ延びていない。普通の信号配線は曲がっている。プリント配線板２がヒートサイクルを受けると、曲がっている部分にストレスは集中すると考えられる。長さＬ１は大きいので、曲がっている部分に働くストレスは大きいと考えられる。第１部分Ｐ１内の曲がっている部分に大きなストレスが働くと推測される。それに対し、長さＬ２は長さＬ１よりずっと短い。そして、第２部分Ｐ２は第１無機粒子９１の露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａで形成されるほぼ平滑な面上に形成されている。そのため、プリント配線板２がヒートサイクルを受けたとしても、第２部分Ｐ２内の所定箇所にストレスは集中しないと考えられる。このような観点から、第２部分Ｐ２の厚さＴ２が第１部分Ｐ１の厚さＴ１より薄くても、第２部分Ｐ２のシード層３０ａが損傷しがたい。また、第２部分Ｐ２のシード層３０ａが薄くても、内壁面２７がほぼ平滑なので、内壁面２７上に連続するシード層３０ａをスパッタリングで形成することができる。

【0058】

実施形態のプリント配線板２（図１、図２）によると、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａの厚い部位（第１部分Ｐ１）が配置される。そのため、第２導体層３０と樹脂絶縁層２０間の密着強度を高くすることができる。安定した性能を有するプリント配線板２が提供される。

【0059】

実施形態のプリント配線板２（図１、図２）では、開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の平坦部９１ａと樹脂８０によって形成される。平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。内壁面２７は平滑に形成される。そのため、開口２６の内壁面２７上に均一な厚みのシード層３０ａが形成される。シード層３０ａは薄く形成される。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため、電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。第１信号配線３２と第２信号配線３４を有する第２導体層３０が設計値通りの幅を有する。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0060】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２はほぼ樹脂８０で形成されている。第１面２２には無機粒子９０がほぼ露出しない。第１面２２にはほぼ凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２で伝達されるデータと第２信号配線で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0061】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａは、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、カルシウム、マグネシウム、鉄、モリブデン、銀のうちのいずれか１つの金属で形成されている。

【0062】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２ではレーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件が制御される。そのため、図５に示されるように、平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは実質的に共通な面を形成する。図５は処理後の内壁面２７を示す拡大断面図である。平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離は５μｍ以下である。そのため、第１無機粒子９１と第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０間に隙間１００があっても、隙間１００内にシード層３０ａを形成することができる。この場合、シード層３０ａは内壁面２７上と隙間１００内に形成される。平坦部９１ａの露出面９１ｂと隙間１００の底との間の距離は５μｍ以下であると、スパッタリングで形成されるシード層３０ａが内壁面２７から剥がれ難い。平坦部９１ａと隙間１００の底との間の距離は３μｍ以下であることが好ましい。平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離は３μｍ以下であることが好ましい。平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離と隙間１００の幅は等しい。内壁面２７上のシード層３０ａの厚みのバラツキを小さくすることができる。

【符号の説明】

【0063】

２ ：プリント配線板
４ ：絶縁層
１０ ：第１導体層
２０ ：樹脂絶縁層
２２ ：第１面
２４ ：第２面
２６ ：開口
２７ ：内壁面
３０ ：第２導体層
３０ａ ：シード層
３０ｂ ：電解めっき層
３１ａ ：第１層
３１ｂ ：第２層
３２ ：第１信号配線
３４ ：第２信号配線
３６ ：ランド
４０ ：ビア導体
８０ ：樹脂
９０ ：無機粒子
９１ ：第１無機粒子
９１ａ ：平坦部
９２ ：第２無機粒子
Ｐ１ ：第１部分
Ｐ２ ：第２部分
Ｐ３ ：第３部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図4D】

【図4E】

【図4F】

【図4G】

【図4H】

【図5】