特開 2024-49330 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024049330

(43)【公開日】2024-04-09

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/40 20060101AFI20240402BHJP

   H05K 3/16 20060101ALI20240402BHJP

   H05K 1/09 20060101ALI20240402BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240402BHJP

   H05K 1/11 20060101ALI20240402BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240402BHJP

【ＦＩ】

H05K3/40 E

H05K3/16

H05K1/09 C

H05K3/46 E

H05K3/46 N

H05K1/11 H

H05K3/46 T

H05K1/02 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023122929

(22)【出願日】2023-07-28

(31)【優先権主張番号】P 2022154724

(32)【優先日】2022-09-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2023085287

(32)【優先日】2023-05-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】籠橋 進

(72)【発明者】

【氏名】酒井 純

(72)【発明者】

【氏名】吉川 恭平

(72)【発明者】

【氏名】伊西 拓弥

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

5E317

5E338

5E343

【Ｆターム（参考）】

4E351AA01

4E351BB33

4E351BB49

4E351CC03

4E351DD04

4E351DD10

4E351DD19

4E351GG02

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC32

5E316CC34

5E316CC37

5E316DD17

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316FF03

5E316FF07

5E316FF10

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG16

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG23

5E316HH11

5E316HH40

5E317AA24

5E317BB12

5E317BB15

5E317BB18

5E317CC33

5E317CD15

5E317CD18

5E317CD25

5E317CD27

5E317CD32

5E317GG03

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB14

5E338BB17

5E338BB25

5E338EE27

5E343AA07

5E343AA12

5E343BB24

5E343BB28

5E343BB44

5E343BB52

5E343DD25

5E343DD43

5E343EE01

5E343EE46

5E343ER11

5E343ER18

5E343GG02

(57)【要約】      （修正有）

【課題】高い品質を有するプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板２は、第１導体層１０、ビア導体用の開口２６と第１面２２と第２面２４とを有する樹脂絶縁層２０及び第２導体層３０と開口２６内に形成されていて、第１導体層１０と第２導体層３０とを接続するビア導体４０を有する。第２導体層３０とビア導体４０は、シード層３０ａとシード層３０ａ上に形成される電解めっき層３０ｂによって形成されている。シード層３０ａは、第１面２２上の第１部分Ｐ１と開口２６の内壁面２７上の第２部分Ｐ２と開口２６から露出する第１導体層１０上の第３部分Ｐ３とを有している。第１部分Ｐ１の厚さは第２部分Ｐ２の厚さと第３部分Ｐ３の厚さより厚い。第２部分Ｐ２は、ほぼ平滑な第１膜１１０とほぼ平滑な第２膜１２２を有している。第１膜１１０と第２膜１２２は電気的に繋がっており、第１膜１１０の一部が第２膜１２２上に形成されている。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１導体層と、
前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、
前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、
前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有するプリント配線板であって、
前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されており、
前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有しており、前記第１部分の厚さは前記第２部分の厚さと前記第３部分の厚さより厚く、
前記第２部分は、ほぼ平滑な第１膜とほぼ平滑な第２膜を有しており、前記第１膜と前記第２膜は電気的に繋がっており、前記第１膜の一部が前記第２膜上に形成されている。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１膜の先端が前記第２膜の後端上に形成されている。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、前記第１膜と前記第２膜は同時に形成されている。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、前記第２部分の断面は略階段状の形状を有する。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は第１層と前記第１層上に形成される第２層を有しており、前記第１層が前記第１膜と前記第２膜を有する。

【請求項6】

請求項５のプリント配線板であって、前記第１膜の先端が前記第２膜の後端上に形成されている。

【請求項7】

請求項５のプリント配線板であって、前記第１層の断面は略階段状の形状を有する。

【請求項8】

請求項１のプリント配線板であって、前記第３部分の厚さは前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項9】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は、第１層と前記第１層上に形成される第２層とを有しており、
前記第１層の前記第１部分の厚さは前記第１層の前記第２部分の厚さおよび前記第１層の前記第３部分の厚さより厚く、前記第１層の前記第３部分の厚さは前記第１層の前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項10】

請求項９のプリント配線板であって、前記第２層の前記第１部分の厚さは前記第２層の前記第２部分の厚さおよび前記第２層の前記第３部分の厚さより厚く、前記第２層の前記第３部分の厚さは前記第２層の前記第２部分の厚さより厚い。

【請求項11】

請求項８のプリント配線板であって、前記第２部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第２部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．２以上、０．６以下であり、前記第３部分の厚さと前記第１部分の厚さとの比（第３部分の厚さ／第１部分の厚さ）は０．５以上０．９以下である。

【請求項12】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層はスパッタリングによって形成されている。

【請求項13】

請求項１のプリント配線板であって、前記シード層は銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなり、前記特定金属はニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【請求項14】

請求項１３のプリント配線板であって、前記特定金属はケイ素である。

【請求項15】

請求項１のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は無機粒子と樹脂によって形成されており、前記無機粒子は前記開口の前記内壁面を形成する第１無機粒子と前記樹脂絶縁層内に埋まっている第２無機粒子を含み、前記第１無機粒子の形状は前記第２無機粒子の形状と異なる。

【請求項16】

請求項１５のプリント配線板であって、前記内壁面は前記第１無機粒子と前記樹脂によって形成されており、前記第１無機粒子は平坦部を有し、前記平坦部は露出面を有し、前記露出面は前記内壁面を形成する。

【請求項17】

請求項１６のプリント配線板であって、前記露出面と前記内壁面を形成する前記樹脂の面は、ほぼ共通な面を形成する。

【請求項18】

請求項１７のプリント配線板であって、前記露出面と前記内壁面を形成する前記樹脂の面との間に段差が形成されている。

【請求項19】

請求項１６のプリント配線板であって、前記開口を形成することは、前記第２無機粒子から突出部分を有する前記無機粒子を形成することを含み、前記第１無機粒子の前記露出面は前記突出部分を除去することで形成される。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、樹脂基板と樹脂基板上に形成されている樹脂絶縁層と導体回路を有するプリント配線板を開示する。導体回路は、特定の金属を含む合金層を介して樹脂絶縁層上に形成されている。例えば、特許文献１の８段落に特定の金属は示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０００－１２４６０２号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
特許文献１の合金層を備えるプリント配線板では、導体回路と樹脂絶縁層の密着力が十分ではないと考えられる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明のプリント配線板は、第１導体層と、前記第１導体層上に形成されていて、前記第１導体層を露出するビア導体用の開口と第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層と、前記樹脂絶縁層の前記第１面上に形成されている第２導体層と、前記開口内に形成されていて、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続するビア導体、とを有する。前記第２導体層と前記ビア導体は、シード層と前記シード層上に形成される電解めっき層によって形成されている。前記シード層は、前記第１面上の第１部分と前記開口の内壁面上の第２部分と前記開口から露出する前記第１導体層上の第３部分とを有している。前記第１部分の厚さは前記第２部分の厚さと前記第３部分の厚さより厚い。前記第２部分は、ほぼ平滑な第１膜とほぼ平滑な第２膜を有している。前記第１膜と前記第２膜は電気的に繋がっており、前記第１膜の一部が前記第２膜上に形成されている。

【0006】

本発明の実施形態のプリント配線板では、第２部分は第１膜と第２膜を有しており、第１膜の一部が第２膜上に形成されている。第１膜と第２膜が部分的に重なっている。そのため、開口の内壁面上のシード層（第２部分）の強度が高い。第２部分が断線しがたい。第２部分は、ほぼ平滑な第１膜とほぼ平滑な第２膜で形成される。そのため、高周波信号が伝送される時、伝送損失が小さい。さらに、第１部分の厚みが第２部分の厚さと第３部分の厚さより厚い。そのため、第１面上のシード層（第１部分）が破断しがたい。第２部分の厚さが第１部分の厚さより小さい。シード層形成後のビア導体用の開口の体積を大きくすることができる。ビア導体用の開口の径が小さくても、ビア導体用の開口を電解めっき層で充填することができる。第１導体層とビア導体は第３部分を介して接続される。第３部分の厚さが第１部分の厚さより小さい。第３部分の影響を小さくすることができる。第３部分を介する接続抵抗が高くなりがたい。高品質のプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態のプリント配線板を模式的に示す断面図。

【図2】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図3】実施形態のプリント配線板の一部を模式的に示す断面写真。

【図4】内壁面の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図5】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図6】シード層の一部を模式的に示す拡大断面図。

【図7A】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図7B】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図7C】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図7D】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【図7E】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図7F】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す断面図。

【図7G】実施形態のプリント配線板の製造方法を模式的に示す拡大断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［実施形態］
図１は実施形態のプリント配線板２を示す断面図である。図２は実施形態のプリント配線板２の一部を示す拡大断面図である。図１に示されるように、プリント配線板２は絶縁層４と第１導体層１０と樹脂絶縁層２０と第２導体層３０とビア導体４０とを有する。

【0009】

絶縁層４は樹脂を用いて形成される。絶縁層４はシリカ等の無機粒子を含んでもよい。絶縁層４はガラスクロス等の補強材を含んでもよい。絶縁層４は第３面６と第３面６と反対側の第４面８を有する。

【0010】

第１導体層１０は絶縁層４の第３面６上に形成されている。第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４を含む。図に示されていないが、第１導体層１０は信号配線１２とパッド１４以外の導体回路も含んでいる。第１導体層１０は主に銅によって形成される。第１導体層１０は絶縁層４上のシード層１０ａとシード層１０ａ上の電解めっき層１０ｂで形成されている。シード層１０ａはスパッタリングによって形成されている。シード層１０ａは第３面６上の第１層１１ａと第１層１１ａ上の第２層１１ｂで形成されている。第１層１１ａは絶縁層４に接している。第２層１１ｂは必須ではない。

【0011】

第１層１１ａは銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金からなる。第１層１１ａは銅合金である。合金は１種類の特定金属、または、２種類の特定金属、または、３種類の特定金属を含むことが好ましい。合金中のアルミニウムの含有量は１．０ａｔ％以上１５．０ａｔ％以下である。特定金属の例はケイ素である。合金中の特定金属の含有量は０．５ａｔ％以上１０．０ａｔ％以下である。第１層１１ａは不純物を含んでも良い。不純物の例は酸素と炭素である。第１層１１ａは酸素、または、炭素を含むことができる。第１層１１ａは酸素と炭素を含むことができる。実施形態では、合金はさらに炭素を含有している。合金中の炭素の含有量は５０ｐｐｍ以下である。合金はさらに酸素を含有している。合金中の酸素の含有量は１００ｐｐｍ以下である。上記各元素の含有量の値は一例である。第１層１１ａを形成する元素の中で銅の量が最も大きい。次いで、アルミニウムの量が大きい。特定金属の量はアルミニウムの量より小さい。従って、銅は主の金属であり、アルミニウムは第１の副の金属であり、特定金属は第２の副の金属である。不純物の量は特定金属の量より小さい。

【0012】

第２層１１ｂは銅で形成されている。第２層１１ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。第２層１１ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。電解めっき層１０ｂは銅で形成されている。電解めっき層１０ｂを形成している銅の含有量は９９．９ａｔ％以上である。電解めっき層１０ｂ中の銅の含有量は９９．９５ａｔ％以上であることが好ましい。

【0013】

樹脂絶縁層２０は絶縁層４の第３面６と第１導体層１０上に形成されている。樹脂絶縁層２０は第１面２２と第１面２２と反対側の第２面２４を有する。樹脂絶縁層２０の第２面２４は第１導体層１０と対向する。樹脂絶縁層２０はパッド１４を露出する開口２６を有している。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と樹脂８０内に分散されている多数の無機粒子９０で形成されている。樹脂８０はエポキシ系樹脂である。樹脂の例は熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂である。無機粒子９０は例えばガラス粒子である。無機粒子９０はアルミナであってもよい。

【0014】

図１と図２に示されるように、無機粒子９０は、開口２６の内壁面２７を形成する第１無機粒子９１と樹脂８０内に埋まっている第２無機粒子９２を含む。第２無機粒子９２の形は球である。第１無機粒子９１の形状は球を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状は第２無機粒子９２を平面で切断することで得られる。第１無機粒子９１の形状と第２無機粒子９２の形状は異なる。

【0015】

樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂８０のみで形成されている。第１面２２から無機粒子９０（第２無機粒子９２）は露出しない。第１面２２は第２無機粒子９２の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２２には凹凸が形成されていない。第１面２２は荒らされていない。第１面２２は平滑に形成されている。第１面２２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０２μｍ以上０．０６μｍ以下である。

【0016】

図３は、開口２６の内壁面２７とシード層３０ａの一例を示す断面写真である。図２と図３に示されるように、開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１で形成されている。第１無機粒子９１は平坦部９１ａを有する。平坦部９１ａは内壁面２７を形成する。内壁面２７は樹脂８０と平坦部９１ａで形成されている。平坦部９１ａと内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。内壁面２７を形成する樹脂８０上に凹凸が形成されない。内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａは平滑である。平坦部９１ａの露出面（内壁面２７を形成する面）９１ｂ上に凹凸が形成されない。平坦部９１ａの露出面９１ｂは平滑である。内壁面２７は平滑に形成される。樹脂８０の面８０ａと第１無機粒子９１の平坦部９１ａの境界部には段差２８が形成されている。段差２８の量は３．０μｍ以下であることが好ましい。１．５μｍ以下であることがより好ましい。０．５μｍ以下であることがさらに好ましい。段差２８は露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間に形成されている。段差２８の量は露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａとの間の距離とほぼ一致する。露出面９１ｂは樹脂８０の面８０ａに対し凹んでいる。あるいは、樹脂８０の面８０ａは露出面９１ｂに対し凹んでいる。後者が好ましい。

【0017】

第１無機粒子９１の平坦部９１ａは第１無機粒子９１の周りに形成されている樹脂８０の面（内壁面２７を形成する面）８０ａを延長することで得られる面とほぼ一致する。図２中に実質的な直線で描かれている平坦部９１ａは平面を意味している。図２に示される断面において平坦部９１ａは平面である。平坦部９１ａは完全な平面でなくてもよい。平坦部９１ａは実質的な平面であってほぼ平滑な面である。

【0018】

図４は図２中の内壁面２７の一部を示す拡大断面図である。図４に示されるように、内壁面２７を形成する２つの第１無機粒子９１の平坦部９１ａを結ぶ基準面２００に対し、その間に位置する樹脂８０の面８０ａは凹んでいても出っ張っていてもよい（破線部参照）。基準面２００を形成するための２つの第１無機粒子９１間に他の第１無機粒子９１がないことが好ましい。基準面２００と樹脂８０の面８０ａとの間の距離が段差２８の量の代表値として用いられても良い。

【0019】

図２に示されるように、開口２６の内壁面２７は傾斜している。内壁面２７とパッド１４の上面との間の角度（傾斜角度）θは７０°以上９０°以下である。

【0020】

図１と図２に示される断面では、開口２６の形状は略逆台形に示されている。しかしながら、実際の開口２６の形状は略逆円錐台形状である。そのため実際の開口２６の内壁面（側壁）２７は略曲面である。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で形成される共通な面は略曲面で形成される内壁面（側壁）２７を含む。

【0021】

図１に示されるように、第２導体層３０は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成されている。第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６を含む。図に示されていないが、第２導体層３０は第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６以外の導体回路も含んでいる。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成している。第２導体層３０は主に銅によって形成される。第２導体層３０は第１面２２上のシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。シード層３０ａはスパッタリングによって形成されている。シード層３０ａは第１面２２上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａは第１面２２に接している。第２層３１ｂは必須ではない。

【0022】

第２導体層３０を形成する第１層３１ａと第１導体層１０を形成する第１層１１ａは同様である。第２導体層３０を形成する第２層３１ｂと第１導体層１０を形成する第２層１１ｂは同様である。第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂと第１導体層１０を形成する電解めっき層１０ｂは同様である。

【0023】

ビア導体４０は開口２６内に形成されている。ビア導体４０は第１導体層１０と第２導体層３０を電気的に接続する。図１ではビア導体４０はパッド１４とランド３６を電気的に接続する。ビア導体４０はシード層３０ａとシード層３０ａ上の電解めっき層３０ｂで形成されている。ビア導体４０を形成するシード層３０ａと第２導体層３０を形成するシード層３０ａは共通である。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂと第２導体層３０を形成する電解めっき層３０ｂは共通である。ビア導体４０を形成するシード層３０ａは、開口２６の内壁面２７上と開口２６から露出するパッド１４上に形成されている第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂで形成されている。第１層３１ａはパッド１４の上面と内壁面２７に接している。

【0024】

図１と図２に示されるように、シード層３０ａは、第１面２２上の第１部分Ｐ１と、開口２６の内壁面２７上の第２部分Ｐ２と、開口２６から露出するパッド１４上の第３部分Ｐ３とを有している。第３部分Ｐ３を形成するシード層３０ａは開口２６のボトム開口を塞いでいる。第３部分Ｐ３を形成する第１層３１ａは開口２６のボトム開口を塞いでいる。ボトム開口はパッド１４の上面上に位置する。

【0025】

図５は図２の内壁面２７上のシード層３０ａ（第２部分Ｐ２）の一部を模式的に示す拡大断面図である。シード層３０ａの第２部分Ｐ２は内壁面２７に接している。図２と図３と図５に示されるように、第２部分Ｐ２は、ほぼ平滑な第１膜１１０とほぼ平滑な第２膜１２０を有している。第１膜１１０と第２膜１２０は電気的に繋がっている。第１膜１１０と第２膜１２０は連続している。図３に示されるように、第１膜１１０の一部が第２膜１２０上に形成されている。第１膜１１０の先端１１２が第２膜１２０の後端１２２上に形成されている。第１膜１１０と第２膜１２０は同時に形成されている。第２部分Ｐ２の断面は略階段状の形状を有する。

【0026】

図５に示されるように、第２部分Ｐ２の第１層３１ａは第１膜１１０ａと第２膜１２０ａを有している。第１膜１１０ａと第２膜１２０ａは電気的に繋がっている。第１膜１１０ａと第２膜１２０ａは連続している。第１膜１１０ａと第２膜１２０ａは同時に形成されている。第１膜１１０ａの先端１１２ａが第２膜１２０ａの後端１２２ａ上に形成されている。内壁面２７を覆う第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有する。内壁面２７上の第１層３１ａは内壁面２７に接している。

【0027】

第２部分Ｐ２の第２層３１ｂは第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂを有している。第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂは電気的に繋がっている。第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂは同時に形成されている。第１膜１１０ｂの先端１１２ｂが第２膜１２０ｂの後端１２２ｂ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有する。

【0028】

実施形態では、第１膜１１０の一部が第２膜１２０上に積層される。第１膜１１０の一部が第２膜１２０上に重なっている。第１膜１１０の先端１１２が第２膜１２０の後端１２２上に積層される。第１膜１１０の先端１１２が第２膜１２０の後端１２２上に重なっている。

【0029】

実施形態の内壁面２７はほぼ平滑な面で形成されている。もし、第１層３１ａが内壁面２７の形状に追従すると、内壁面２７上の第１層３１ａはほぼ平滑な面を有する。第１層３１ａの断面は線状の形状を有する。内壁面２７上のシード層３０ａはほぼ平滑な面を有する。第２部分Ｐ２の断面は線状の形状を有する。この場合、ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂが平滑な面上に形成される。例えば、プリント配線板２が大きな衝撃を受けると、内壁面２７上の第１層３１ａと第１層３１ａ上の第２層３１ｂ間で剥がれが発生する。あるいは、内壁面２７上のシード層３０ａとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ間で剥がれが発生する。それに対し、実施形態のシード層３０ａと第１層３１ａの断面は階段状の形状を有する。そのため、剥がれが発生しがたい。

【0030】

図６はシード層３０ａの一部を示す拡大断面図である。図６（ａ）は図２中の符号ＶＩ－１で示される部分（第１部分Ｐ１）を示す。図６（ｂ）は図２中の符号ＶＩ－２で示される部分（第２部分Ｐ２）を示す。図６（ｃ）は図２中の符号ＶＩ－３で示される部分（第３部分Ｐ３）を示す。図６に示されるように、第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。また、第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0031】

シード層３０ａが複数の層で形成される場合、厚さＴ１と厚さＴ２と厚さＴ３は各層の厚さの合計である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。他の層の厚さも第１層３１ａの厚さと同様な関係を有する。従って、シード層３０ａが２層で形成される場合、第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂと第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。

【0032】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第２部分Ｐ２の厚さＴ２／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．２以上、０．６以下である。第３部分Ｐ３の厚さＴ３と第１部分Ｐ１の厚さＴ１との比（第３部分Ｐ３の厚さＴ３／第１部分Ｐ１の厚さＴ１）は０．５以上０．９以下である。

【0033】

第２層３１ｂの厚さは第１層３１ａの厚さより厚い。厚さＴ１ｂは厚さＴ１ａより厚い。厚さＴ２ｂは厚さＴ２ａより厚い。厚さＴ３ｂは厚さＴ３ａより厚い。

【0034】

シード層３０ａが第１層３１ａのみで形成される場合、第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。

【0035】

シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は、０．０２μｍ以上１．０μｍ以下である。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、０．０１μｍ以上０．５μｍ以下である。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１が０．０２μｍ未満であると、樹脂絶縁層２０とシード層３０ａ間の密着強度が低い。第１部分Ｐ１の厚さＴ１が１．０μｍを越えると、シード層３０ａを除去するためのエッチング量が多い。配線幅の制御が難しい。

【0036】

シード層３０ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２は、０．００４μｍ以上０．６μｍ以下である。第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａは、０．００２μｍ以上０．３μｍ以下である。第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂは、０．００２μｍ以上０．５４μｍ以下である。

【0037】

シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は、０．０１μｍ以上０．９μｍ以下である。第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは、０．００５μｍ以上０．４５μｍ以下である。第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは、０．００５μｍ以上０．８１μｍ以下である。

【0038】

図に示されないが、プリント配線板２の各辺の長さは５０ｍｍ以上である。各辺の長さは１００ｍｍ以上であることが好ましい。各辺の長さは２５０ｍｍ以下である。実施形態によって形成される信号配線の長さは５ｍｍ以上である。信号配線の長さは１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であってもよい。

【0039】

［実施形態のプリント配線板２の製造方法］
図７Ａ～図７Ｇは実施形態のプリント配線板２の製造方法を示す。図７Ａ～図７Ｃ、図７Ｅ～図７Ｆは断面図である。図７Ｄ、図７Ｇは拡大断面図である。図７Ａは絶縁層４と絶縁層４の第３面６上に形成されている第１導体層１０を示す。第１導体層１０はセミアディティブ法によって形成される。第１層１１ａと第２層１１ｂはスパッタリングで形成される。第１層１１ａは銅とアルミニウムと特定金属を含有する合金で形成される。特定金属の例は、ケイ素、または、ニッケルである。第２層１１ｂは銅で形成される。電解めっき層１０ｂは電解めっきで形成される。電解めっき層１０ｂは銅で形成される。

【0040】

図７Ｂに示されるように、絶縁層４と第１導体層１０上に樹脂絶縁層２０と保護膜５０が形成される。樹脂絶縁層２０の第２面２４が絶縁層４の第３面６と対向している。樹脂絶縁層２０の第１面２２上に保護膜５０が形成されている。樹脂絶縁層２０は樹脂８０と無機粒子９０（第２無機粒子９２）を有する。無機粒子９０は樹脂８０内に埋まっている。

【0041】

保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を完全に覆っている。保護膜５０の例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムである。保護膜５０と樹脂絶縁層２０との間に離型剤が形成されている。

【0042】

図７Ｃに示されるように、保護膜５０の上からレーザ光Ｌが照射される。レーザ光Ｌは保護膜５０と樹脂絶縁層２０を同時に貫通する。第１導体層１０のパッド１４に至るビア導体用の開口２６が形成される。レーザ光Ｌは例えばＵＶレーザ光、ＣＯ２レーザ光である。開口２６によりパッド１４が露出される。開口２６が形成される時、第１面２２は保護膜５０で覆われている。そのため、開口２６が形成される時、樹脂が飛散しても、第１面２２に樹脂が付着することが抑制される。

【0043】

図７Ｄは、レーザ光照射後の開口２６の内壁面２７ｂを示す。内壁面２７ｂは樹脂８０と樹脂８０から突出している無機粒子９０で形成されている。内壁面の形状を制御するため、レーザ光照射後の内壁面２７ｂは処理される。樹脂８０から突出している無機粒子９０を選択的に除去することが好ましい。これにより、無機粒子９０から第１無機粒子９１が形成される。例えば、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを薬品で処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。あるいは、レーザ光照射後の内壁面２７ｂをプラズマで処理することで、樹脂８０から突出している無機粒子９０が選択的に除去される。選択的に除去することは、無機粒子９０のエッチング速度が樹脂８０のエッチング速度より大きいことを含む。例えば、両者のエッチング速度差は１０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は５０倍以上である。あるいは、両者のエッチング速度差は１００倍以上である。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することで、平坦部９１ａ（図２参照）を有する第１無機粒子９１が得られる。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、内壁面２７ｂの形状を制御することができる。条件の例は、温度、濃度、時間、ガスの種類や圧力である。無機粒子９０のエッチング速度と樹脂のエッチング速度が制御される。

【0044】

樹脂絶縁層２０にレーザ光Ｌを照射することで、樹脂８０に埋まっている第２無機粒子９２の一部がレーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを形成する第２無機粒子９２は、樹脂８０から突出している突出部分Ｐと樹脂８０に埋まっている部分Ｅで形成される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される。例えば、四フッ化メタンを含むガスのプラズマで内壁面２７ｂが処理される。突出部分Ｐが選択的に除去され、実施形態の内壁面２７（図１、図２）が形成される。第２無機粒子９２から第１無機粒子９１が形成される。突出部分Ｐを選択的に除去することで、平坦部９１ａを有する第１無機粒子９１が形成される。平坦部９１ａは平面である。球の形を持つ第２無機粒子９２が平面で切断されると、第１無機粒子９１の形状が得られる。内壁面２７は平坦部９１ａと樹脂８０の面８０ａで形成され、平坦部９１ａの露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ同一平面上に位置する。例えば、スパッタリングで内壁面２７ｂ上にシード層３０ａが形成されると、突出部分Ｐはスパッタ膜（スパッタリング製膜）の成長を阻害する。例えば、内壁面２７ｂ上に連続しているシード層３０ａが形成されない。あるいは、シード層３０ａの厚みを大きくしなければならない。微細な導体回路を形成することができない。実施形態では、突出部分Ｐが除去される。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みを薄くできる。スパッタリングで形成されるシード層３０ａの厚みが薄くても、連続しているシード層３０ａが得られる。

【0045】

開口２６を形成することは、突出部分Ｐを有する無機粒子（第２無機粒子９２）９０を形成することを含む。突出部分Ｐは開口２６の内壁面２７ｂを形成する樹脂８０から突出している。第１無機粒子９１は無機粒子（第２無機粒子９２）９０の突出部分Ｐを除去することで形成される。開口２６の内壁面２７は第１無機粒子９１の露出面９１ｂを含む。第１無機粒子９１の露出面９１ｂは突出部分Ｐを除去することで形成される。

【0046】

球の形を持つ第２無機粒子９２を平面で切断することで第１無機粒子９１の形状を得ることは、無機粒子９０の突出部分Ｐを除去することを含む。実際の開口２６の内壁面２７は略曲面である。突出部分Ｐを除去することで平坦部９１ａが形成されるので、平坦部９１ａの露出面９１ｂは曲面を含む。すなわち、平坦部９１ａと樹脂８０で共通な面を形成することは実質的な曲面で形成される内壁面２７を形成することを含む。

【0047】

内壁面２７上に凹凸が形成されない。内壁面２７は平滑に形成される。図３に示されるように、内壁面２７を形成する樹脂８０の面８０ａと第１無機粒子９１の平坦部９１ａの境界部には段差２８が形成されている。段差２８が形成されていても、段差２８が小さいので、露出面９１ｂと樹脂８０の面８０ａはほぼ共通な面を形成する。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理するための条件を制御することで、凹凸の大きさや段差２８の大きさが制御される。

【0048】

開口２６内が洗浄される。開口２６内を洗浄することにより開口２６形成時に発生する樹脂残渣が除去される。開口２６内の洗浄はプラズマによって行われる。即ち洗浄はドライプロセスで行われる。洗浄はデスミア処理を含む。

【0049】

開口２６内が洗浄される時、樹脂絶縁層２０の第１面２２は保護膜５０で覆われている。第１面２２はプラズマの影響を受けない。第１面２２は樹脂８０のみで形成されている。第１面２２から無機粒子９０は露出しない。第１面２２は無機粒子９０の表面を含まない。樹脂絶縁層２０の第１面２２は凹凸を有さない。第１面２２は平滑に形成されている。

【0050】

レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、開口２６内を洗浄することを削除することができる。

【0051】

図７Ｅに示されるように、開口２６内を洗浄することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することが開口２６内を洗浄することを含む場合、レーザ光照射後の内壁面２７ｂを処理することの後に、樹脂絶縁層２０から保護膜５０が除去される。レーザ光照射後の内壁面２７ｂが処理される時、保護膜５０は樹脂絶縁層２０の第１面２２を覆っている。保護膜５０除去後、樹脂絶縁層２０の第１面２２を荒らすことは行われない。

【0052】

図７Ｆに示されるように、樹脂絶縁層２０の第１面２２上にシード層３０ａが形成される。シード層３０ａはスパッタリングによって形成される。シード層３０ａの形成はドライプロセスで行われる。例えば、スパッタリングはマスクを介して行われる。まず、各ビア導体用の開口２６を覆う第１マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第１マスクは樹脂絶縁層２０の第１面２２のみを露出する。第１マスクを介して樹脂絶縁層２０の第１面２２上に厚さＴ１ａを有する第１部分Ｐ１が形成される。第１マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６の内壁面２７のみを露出する第２マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第２マスクを介して内壁面２７上に厚さＴ２ａを有する第２部分Ｐ２が形成される。第２マスクが除去される。各ビア導体用の開口２６から露出されるパッド１４のみを露出する第３マスクが樹脂絶縁層２０上に配置される。第３マスクを介してパッド１４上に厚さＴ３ａを有する第３部分Ｐ３が形成される。第３マスクが除去される。これにより、第１層３１ａが第１面２２上に形成される。開口２６から露出する内壁面２７とパッド１４上に第１層３１ａが形成される。その後、第１層３１ａ上に第２層３１ｂが形成される。第１層３１ａの形成方法と第２層３１ｂの形成方法は同様である。第１層３１ａは銅とアルミニウムと特定金属（例えば、ケイ素）を含有する合金で形成される。第２層３１ｂは銅で形成される。

【0053】

スパッタリングで第１層３１ａと第２層３１ｂが形成される。スパッタリングの条件の例が次に示される。ターゲットと樹脂絶縁層２０の第１面２２間の距離が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下である。電圧が１５ｅＶ以上５０ｅＶ以下である。ガス濃度が０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下である。例えば、処理時間を変えることで、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１と第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３を調整することができる。第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａは、第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａおよび第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。また、第１層３１ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａは第１層３１ａの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａより厚い。第２層３１ｂの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ｂは、第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂおよび第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂより厚い。また、第２層３１ｂの第３部分Ｐ３の厚さＴ３ｂは第２層３１ｂの第２部分Ｐ２の厚さＴ２ｂより厚い。この結果、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。シード層３０ａの第３部分Ｐ３の厚さＴ３は第２部分Ｐ２の厚さＴ２より厚い。

【0054】

第２層３１ｂの厚さと第１層３１ａの厚さとの比（第２層３１ｂの厚さ／第１層３１ａの厚さ）は１．２以上２以下である。比（厚さＴ１ｂ／厚さＴ１ａ）と比（厚さＴ２ｂ／厚さＴ２ａ）、比（厚さＴ３ｂ／厚さＴ３ａ）は１．２以上２以下である。

【0055】

第１部分Ｐ１は樹脂絶縁層２０の第１面２２上に形成され、第２部分Ｐ２は樹脂絶縁層２０の内壁面２７上に形成されている。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は共に樹脂絶縁層２０上に形成されている。第１部分Ｐ１はランド３６と第１信号配線３２、第２信号配線３４のシード層３０ａを形成する。第２部分Ｐ２はビア導体４０のシード層３０ａを形成する。樹脂絶縁層２０の熱膨張係数とシード層３０ａの熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、シード層３０ａにストレスが働くと考えられる。普通、第１信号配線３２と第２信号配線３４はビア導体４０よりかなり長く曲がっている部分を含む。そのため、大きなストレスが第１信号配線３２と第２信号配線３４内の曲がっている部分に集中するはずである。それに対し、ビア導体４０は短く、ほぼ真っすぐに形成されている。そのため、ビア導体４０に関しては、ストレスの集中は起こりがたい。従って、樹脂絶縁層２０の第１面２２上のシード層３０ａの破断を避けるために、第１信号配線３２と第２信号配線３４を形成するシード層３０ａの厚さは大きいことが好ましい。それに対し、ビア導体４０を形成する内壁面２７上のシード層３０ａの厚みは小さくてもよい。そのため、実施形態は、厚さＴ１を厚さＴ２より大きくしている。

【0056】

第２部分Ｐ２の厚さＴ２を薄くすることで、シード層３０ａを形成するために必要な時間を短縮することができる。

【0057】

シード層３０ａの第１層３１ａは銅とアルミニウムとケイ素を含有する合金によって形成されている。アルミニウムは高い延性と高い展性を有する。そのため、樹脂絶縁層２０と第１層３１ａ間の密着力が高い。ヒートサイクルにより樹脂絶縁層２０が伸縮したとしても、アルミニウムを含むシード層３０ａがその伸縮に追従することができると考えられる。第１面２２が平滑であっても、シード層３０ａは樹脂絶縁層２０から剥がれ難い。アルミニウムは酸化しやすいと考えられる。第１無機粒子９１が酸素を含む無機粒子９０であると、開口２６の内壁面２７上に形成される第１層３１ａは内壁面２７を形成する無機粒子９０内の酸素を介して第１無機粒子９１に密着すると考えられる。第１層３１ａと内壁面２７が強く接合される。開口２６の内壁面２７と第１層３１ａ間の密着力を高くすることができる。シード層３０ａは内壁面２７から剥がれ難い。内壁面２７を形成する無機粒子９０は酸素を含むことが好ましい。

【0058】

第１面２２は平坦性に優れる。スパッタリングを用いて第１面２２上にシード層３０ａが形成されるとき、ターゲットと第１面２２間の距離がほぼ一定である。ほぼ均一な厚みを有するシード層３０ａ（第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第３部分Ｐ３）を形成することができる。

【0059】

図７Ｇに示されるように、内壁面２７上に形成される第１層３１ａは、第１膜１１０ａと第２膜１２０ａを有する。第１膜１１０ａと第２膜１２０ａは同時に形成されている。第１膜１１０ａと第２膜１２０ａは電気的に繋がっている。第１膜１１０ａの先端１１２ａが第２膜１２０ａの後端１２２ａ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有する。

【0060】

内壁面２７を覆う第１層３１ａ上に形成される第２層３１ｂは、第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂを有する。第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂは同時に形成されている。第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂは電気的に繋がっている。第１膜１１０ｂの先端１１２ｂが第２膜１２０ｂの後端１２２ｂ上に形成されている。内壁面２７上に形成されている第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有する。

【0061】

実施形態の内壁面２７は樹脂８０の面８０ａと第１無機粒子９１の露出面９１ｂで形成されている。両者はほぼ共通な面を形成する。樹脂の面８０ａと露出面９１ｂは異なる材料で形成される。そして、第１層３１ａはスパッタリングで形成される。樹脂８０の面８０ａ上に形成される第１層３１ａの成長と露出面９１ｂ上に形成される第１層３１ａの成長が異なると考えられる。樹脂８０の面８０ａ上に形成されるシード層３０ａの成長と露出面９１ｂ上に形成されるシード層３０ａの成長が異なると考えられる。そのため、実施形態では、内壁面２７上に第１膜１１０ａと第２膜１２０ａが形成されると考えられる。第１膜１１０ａの先端１１２ａが第２膜１２０ａの後端１２２ａ上に形成されると考えられる。内壁面２７上の第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。内壁面２７上の第２層３１ｂは第１層３１ａに追従すると考えられる。従って、内壁面２７上の第２層３１ｂは第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂを有すると考えられる。第２層３１ｂの第１膜１１０ｂの先端１１２ｂが第２層３１ｂの第２膜１２０ｂの後端１２２ｂ上に形成されると考えられる。内壁面２７上の第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。同様にシード層３０ａの第２部分Ｐ２は第１膜１１０と第２膜１２０を有すると考えられる。シード層３０ａの第１膜１１０の先端１１２がシード層３０ａの第２膜１２０の後端１２２上に形成されると考えられる。内壁面２７上のシード層３０ａの断面は略階段状の形状を有すると考えられる。

【0062】

第２部分Ｐ２を形成する第１層３１ａは第１膜１１０ａと第２膜１２０ａで形成される。第２部分Ｐ２を形成する第１層３１ａの断面は略階段状の形状を有する。第２部分Ｐ２を形成する第２層３１ｂは第１膜１１０ｂと第２膜１２０ｂで形成される。第２部分Ｐ２を形成する第２層３１ｂの断面は略階段状の形状を有する。第２部分Ｐ２を形成するシード層３０ａは第１膜１１０と第２膜１２０で形成される。第２部分Ｐ２を形成するシード層３０ａの断面は略階段状の形状を有する。

【0063】

内壁面２７上の第１層３１ａはほぼ平滑な内壁面２７上に形成される。そのため、実施形態は第１層３１ａの第１膜１１０ａの表面と第１層３１ａの第２膜１２０ａの表面をほぼ平滑に形成することができる。同様に、第２層３１ｂの第１膜１１０ｂの表面と第２層３１ｂの第２膜１２０ｂの表面をほぼ平滑に形成することができる。第２部分Ｐ２の第１膜１１０の表面と第２部分Ｐ２の第２膜１２０の表面をほぼ平滑に形成することができる。表面が平滑であると伝送損失を小さくすることができる。

【0064】

内壁面２７が図３に示される段差２８を有すると、スパッタリングを用いて第１膜１１０ａと第２膜１２０ａを有する第１層３１ａを容易に形成することができる。第１膜１１０と第２膜１２０を有するシード層３０ａを容易に形成することができる。第１膜１１０ａの先端１１２ａを第２膜１２０ａの後端１２２ａ上に形成することができる。第１膜１１０の先端１１２を第２膜１２０の後端１２２上に形成することができる。実質的に階段状の形状を有する第１層３１ａを容易に形成することができる。実質的に階段状の形状を有するシード層３０ａを容易に形成することができる。

【0065】

シード層３０ａ上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）を形成するための開口を有する。

【0066】

めっきレジストから露出するシード層３０ａ上に電解めっき層３０ｂが形成される。電解めっき層３０ｂは銅で形成される。電解めっき層３０ｂは開口２６を充填する。第１面２２上のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、第１信号配線３２と第２信号配線３４とランド３６（図１）が形成される。第２導体層３０が形成される。開口２６内のシード層３０ａと電解めっき層３０ｂによって、ビア導体４０（図１）が形成される。ビア導体４０は、パッド１４とランド３６を接続する。第１信号配線３２と第２信号配線３４はペア配線を形成する。

【0067】

シード層３０ａ形成後のビア導体４０用の開口２６０が図７Ｆに示されている。厚さＴ２が薄いと、開口２６０の体積を大きくすることができる。そのため、電解めっき液が開口２６０内に入りやすい。ビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ内にボイドが形成され難い。低い抵抗を有するビア導体４０を形成することができる。開口２６の開口径（パッド１４上の径）Ｄ（図７Ｅ参照）が３０μｍ以下でも、ボイドを含まないビア導体４０を形成することができる。開口径Ｄが１０μｍ以上、２５μｍ以下であっても、ビア導体４０を介する接続信頼性が長期間安定である。このように、第２部分Ｐ２の厚さＴ２を小さくすることで、コストや生産性、信頼性を改善することができる。従って、厚さＴ２は厚さＴ１より小さいことが好ましい。

【0068】

めっきレジストが除去される。電解めっき層３０ｂから露出するシード層３０ａが除去される。第２導体層３０とビア導体４０は同時に形成される。実施形態のプリント配線板２（図１）が得られる。

【0069】

パッド１４を形成する電解めっき層１０ｂとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂは第３部分Ｐ３を形成するシード層３０ａを挟んでいる。シード層３０ａはスパッタリングを用いて形成される。電解めっきとスパッタリングは異なる手法なので、プリント配線板２が熱衝撃を受けると、両者の収縮量や膨張量は異なると考えられる。そのため、ビア導体４０を介する接続信頼性はシード層３０ａとパッド１４を形成する電解めっき層１０ｂ間で低下しやすい。あるいは、接続信頼性は、シード層３０ａとビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂ間で低下しやすい。接続信頼性に対するスパッタリング製シード層３０ａの影響度を小さくするため、パッド１４上のスパッタリング製シード層３０ａの厚さは薄いことが好ましい。そのため、実施形態は、第３部分Ｐ３の厚さＴ３を薄くする。具体的には、実施形態は厚さＴ３を厚さＴ１より小さくする。これにより、ビア導体４０がスパッタリング製シード層３０ａと電解めっき層３０ｂを有しても、高い接続信頼性を有するプリント配線板２を提供することができる。

【0070】

実施形態のプリント配線板２では、第２部分Ｐ２を形成する第１膜１１０の一部が第２膜１２０上に形成されている。第１膜１１０と第２膜１２０が部分的に重なっている。そのため、第２部分Ｐ２の強度を高くすることができる。第２部分Ｐ２が破断しがたい。第２部分Ｐ２は、ほぼ平滑な第１膜１１０とほぼ平滑な第２膜１２０で形成される。そのため、高周波信号が伝送される時、伝送損失が小さい。また、シード層３０ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１は第２部分Ｐ２の厚さＴ２と第３部分Ｐ３の厚さＴ３より厚い。そのため、第１面２２上のシード層３０ａ（第１部分Ｐ１）が破断しがたい。高品質のプリント配線板２が提供される。

【0071】

信号や電源がパッド１４からビア導体４０に移動する時、信号や電源はシード層３０ａの第１層３１ａを通る。第１層３１ａを形成する合金に含まれるアルミニウムの比抵抗は銅の比抵抗より大きい。そのため、信号や電源が第１層３１ａ内を流れる時、第１層３１ａを移動する距離は短いことが好ましい。実施形態では第１層３１ａの第１部分Ｐ１の厚さＴ１ａが第２部分Ｐ２の厚さＴ２ａと第３部分Ｐ３の厚さＴ３ａより厚い。そのため信号や電源がパッド１４からビア導体４０に移動する時、第１層３１ａの第３部分Ｐ３を通過する距離が短い。また、信号や電源はシード層３０ａの第３部分Ｐ３から電解めっき層３０ｂに直接移動しやすい。信号や電源が第３部分Ｐ３から第２部分Ｐ２に移動することなく、第３部分Ｐ３からビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂに移動することが好ましい。実施形態では、第２部分Ｐ２の厚さＴ２は第１部分Ｐ１の厚さＴ１および第３部分Ｐ３の厚さＴ３より小さい。そのため、第２部分Ｐ２の抵抗を大きくすることができる。電流は低い抵抗を有する部分を流れるので、信号や電源は第３部分Ｐ３からビア導体４０を形成する電解めっき層３０ｂに直接移動しやすい。シード層３０ａがビア導体４０を介する信号の伝送速度や電源供給に悪影響を与え難い。プリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、ロジックＩＣが誤動作しがたい。

【0072】

ビア導体４０用の開口２６の内壁面２７は樹脂８０と第１無機粒子９１の平坦部９１ａの露出面９１ｂで形成されている。第１層３１ａが形成されるとき、スパッタ膜（スパッタリング製膜）を形成する粒子が内壁面２７の第１無機粒子９１に付着すると考えられる。スパッタ膜を形成する粒子は第１無機粒子９１の中に埋まらないと考えられる。内壁面２７上に薄くて連続するシード層３０ａを形成することができる。シード層３０ａが除去される時、エッチング量が少ない。そのため電解めっき層３０ｂのエッチング量が少ない。信号配線が設計値通りの幅を有する。微細な信号配線を形成することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0073】

実施形態のプリント配線板２では樹脂絶縁層２０の第１面２２は樹脂のみで形成されている。第１面２２から無機粒子は露出しない。第１面２２には凹凸が形成されない。樹脂絶縁層２０の第１面２２近傍部分の比誘電率の標準偏差が大きくなることが抑制される。第１面２２の比誘電率は場所によって大きく変わらない。第１信号配線３２と第２信号配線３４が第１面２２に接していても、第１信号配線３２と第２信号配線３４間の電気信号の伝搬速度の差を小さくすることができる。そのため、実施形態のプリント配線板２ではノイズが抑制される。実施形態のプリント配線板２にロジックＩＣが実装されても、第１信号配線３２で伝達されるデータと第２信号配線３４で伝達されるデータがロジックＩＣにほぼ遅延なく到達する。ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが５ｍｍ以上であっても、両者の伝搬速度の差を小さくすることができる。第１信号配線３２の長さと第２信号配線３４の長さが１０ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であっても、ロジックＩＣの誤動作を抑制することができる。高い品質を有するプリント配線板２が提供される。

【0074】

［実施形態の別例１］
実施形態の別例１では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金に含まれる特定金属は、ニッケル、亜鉛、ガリウム、ケイ素、マグネシウムのうちの少なくとも１つである。

【0075】

［実施形態の別例２］
実施形態の別例２では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金は炭素を含有していない。

【0076】

［実施形態の別例３］
実施形態の別例３では、シード層１０ａ、３０ａの第１層１１ａ、３１ａを形成する合金は酸素を含有していない。

【0077】

本明細書内では、平面は内壁面の形状と平坦部９１ａの形状、第１無機粒子９１の形状に対し用いられている。これらに対し用いられている平面の意味は図１と図２に示されている。すなわち、図１と図２では、内壁面はほぼまっすぐに描かれている。図１と図２中の内壁面の形状はほぼ直線である。本明細書内の平面は、断面中に示されている実質的な直線を含む。図１と図２の第１無機粒子９１の断面に示されるように、断面では、平面で切断することは直線で切断することを含む。本明細書内の平面は完全な平面を意味せず実質的な平面を含む。実質的な平面は小さな凹凸を含んでもよい。

【符号の説明】

【0078】

２：プリント配線板
４：絶縁層
１０：第１導体層
１０ａ：シード層
１０ｂ：電解めっき層
１１ａ：第１層
１１ｂ：第２層
２０：樹脂絶縁層
２２：第１面
２４：第２面
２６：開口
２７：内壁面
２８：段差
３０：第２導体層
３０ａ：シード層
３０ｂ：電解めっき層
３１ａ：第１層
３１ｂ：第２層
４０：ビア導体
８０：樹脂
９０：無機粒子
９１：第１無機粒子
９１ａ：平坦部
９１ｂ：露出面
９２：第２無機粒子
１１０、１１０ａ、１１０ｂ：第１膜
１１２、１１２ａ、１１２ｂ：先端
１２０、１２０ａ、１２０ｂ：第２膜
１２２、１２２ａ、１２２ｂ：後端
Ｐ１：第１部分
Ｐ２：第２部分
Ｐ３：第３部分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】