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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024049379
(43)【公開日】2024-04-09
(54)【発明の名称】組成物、成形体、積層体、及び、組成物の製造方法
(51)【国際特許分類】
C08L 27/12 20060101AFI20240402BHJP
C08L 27/18 20060101ALI20240402BHJP
C08L 101/12 20060101ALI20240402BHJP
H05K 1/03 20060101ALI20240402BHJP
【ＦＩ】
C08L27/12
C08L27/18
C08L101/12
H05K1/03 610H
【審査請求】有
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023164733
(22)【出願日】2023-09-27
(31)【優先権主張番号】P 2022155496
(32)【優先日】2022-09-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000002853
【氏名又は名称】ダイキン工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】山口 修平
(72)【発明者】
【氏名】福嶋 俊行
(72)【発明者】
【氏名】関 豊光
(72)【発明者】
【氏名】小森 政二
(72)【発明者】
【氏名】岡西 謙
(72)【発明者】
【氏名】山内 昭佳
【テーマコード（参考）】
4J002
【Ｆターム（参考）】
4J002BD15W
4J002CF08X
4J002CF09X
4J002CH09X
4J002CM04X
4J002CN01X
4J002CN03X
4J002FD02W
4J002GQ01
4J002HA09
(57)【要約】
【課題】フッ素樹脂の割合を増加させた場合であっても、ストランドの外観不良の原因となるフッ素樹脂の凝集を抑制できる組成物、成形体、積層体、及び、組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物。
【選択図】なし
【解決手段】フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物。
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物。
【請求項2】
前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲが３０ｇ／１０分以上である請求項１記載の組成物。
【請求項3】
前記フッ素樹脂Ａが、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体及びテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項4】
前記樹脂Ｂが、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリールエーテルケトン、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項5】
前記フッ素樹脂Ａの含有量が１０体積％以上である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項6】
前記フッ素樹脂Ａの分散粒子径が５．０μｍ以下である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項7】
添加剤を含む請求項１又は２記載の組成物。
【請求項8】
請求項１又は２記載の組成物を含む成形体。
【請求項9】
低誘電基板材料に用いられる請求項８記載の成形体。
【請求項10】
金属箔と、請求項９記載の成形体とを含む積層体。
【請求項11】
前記金属箔が銅である請求項１０記載の積層体。
【請求項12】
（フッ素樹脂ＡのＭＦＲ）／（融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）のＭＦＲ）を０．２～１０に調整するＭＦＲ調整工程を経て、前記フッ素樹脂Ａ及び前記樹脂Ｂを含む組成物を得る組成物の製造方法。
【請求項13】
前記ＭＦＲ調整工程では、重合、混練、又は、電離放射線の照射により、前記フッ素樹脂Ａを得る請求項１２記載の組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、組成物、成形体、積層体、及び、組成物の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
フッ素樹脂及び液晶ポリマーを含む組成物について、種々の検討が進められている（例えば、特許文献１～３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００１－１８７８３３号公報
【特許文献2】特開２０１８－１７７９３１号公報
【特許文献3】特開２０１９－０６５０６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明者らが検討したところ、特許文献２、３の実施例で行われているように、フッ素樹脂の割合を増加させていくと、液晶ポリマーとフッ素樹脂との親和性が低下し、フッ素樹脂の凝集（分散不良）が発生しやすくなることが分かった。フッ素樹脂の凝集は、ストランドの外観不良の原因となるため、できるだけ発生しないことが好ましい。
【0005】
本開示は、フッ素樹脂の割合を増加させた場合であっても、ストランドの外観不良の原因となるフッ素樹脂の凝集を抑制できる組成物、成形体、積層体、及び、組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示（１）は、フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物（以下、「本開示の組成物」とも記載する）である。
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／前記樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂である組成物（以下、「本開示の組成物」とも記載する）である。
【0007】
本開示（２）は、前記フッ素樹脂ＡのＭＦＲが３０ｇ／１０分以上である本開示（１）記載の組成物である。
【0008】
本開示（３）は、前記フッ素樹脂Ａが、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体及びテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である本開示（１）又は（２）記載の組成物である。
【0009】
本開示（４）は、前記樹脂Ｂが、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリールエーテルケトン、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンからなる群より選択される少なくとも１種である本開示（１）～（３）のいずれかに記載の組成物である。
【0010】
本開示（５）は、前記フッ素樹脂Ａの含有量が１０体積％以上である本開示（１）～（４）のいずれかに記載の組成物である。
【0011】
本開示（６）は、前記フッ素樹脂Ａの分散粒子径が５．０μｍ以下である本開示（１）～（５）のいずれかに記載の組成物である。
【0012】
本開示（７）は、添加剤を含む本開示（１）～（６）のいずれかに記載の組成物である。
【0013】
本開示（８）は、本開示（１）～（７）のいずれかに記載の組成物を含む成形体（以下、「本開示の成形体」とも記載する）である。
【0014】
本開示（９）は、低誘電基板材料に用いられる本開示（８）記載の成形体である。
【0015】
本開示（１０）は、金属箔と、本開示（８）又は（９）記載の成形体とを含む積層体（以下、「本開示の積層体」とも記載する）である。
【0016】
本開示（１１）は、前記金属箔が銅である本開示（１０）記載の積層体である。
【0017】
本開示（１２）は、（フッ素樹脂ＡのＭＦＲ）／（融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）のＭＦＲ）を０．２～１０に調整するＭＦＲ調整工程を経て、前記フッ素樹脂Ａ及び前記樹脂Ｂを含む組成物を得る組成物の製造方法（以下、「本開示の製造方法」とも記載する）である。
【0018】
本開示（１３）は、前記ＭＦＲ調整工程では、重合、混練、又は、電離放射線の照射により、前記フッ素樹脂Ａを得る本開示（１２）記載の組成物の製造方法である。
【発明の効果】
【0019】
本開示によれば、フッ素樹脂の割合を増加させた場合であっても、ストランドの外観不良の原因となるフッ素樹脂の凝集を抑制できる組成物、成形体、積層体、及び、組成物の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本明細書において、「有機基」は、１個以上の炭素原子を含有する基、又は有機化合物から１個の水素原子を除去して形成される基を意味する。
当該「有機基」の例は、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
シアノ基、
ホルミル基、
ＲａＯ－、
ＲａＣＯ－、
ＲａＳＯ２－、
ＲａＣＯＯ－、
ＲａＮＲａＣＯ－、
ＲａＣＯＮＲａ－、
ＲａＯＣＯ－、
ＲａＯＳＯ２－、及び、
ＲａＮＲｂＳＯ２－
（これらの式中、Ｒａは、独立して、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、又は、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
Ｒｂは、独立して、Ｈ又は１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基である）
を包含する。
上記有機基としては、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基が好ましい。
当該「有機基」の例は、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
シアノ基、
ホルミル基、
ＲａＯ－、
ＲａＣＯ－、
ＲａＳＯ２－、
ＲａＣＯＯ－、
ＲａＮＲａＣＯ－、
ＲａＣＯＮＲａ－、
ＲａＯＣＯ－、
ＲａＯＳＯ２－、及び、
ＲａＮＲｂＳＯ２－
（これらの式中、Ｒａは、独立して、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアルキニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいシクロアルカジエニル基、
１個以上の置換基を有していてもよいアリール基、
１個以上の置換基を有していてもよいアラルキル基、
１個以上の置換基を有していてもよい非芳香族複素環基、又は、
１個以上の置換基を有していてもよいヘテロアリール基、
Ｒｂは、独立して、Ｈ又は１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基である）
を包含する。
上記有機基としては、１個以上の置換基を有していてもよいアルキル基が好ましい。
【0021】
以下、本開示を具体的に説明する。
【0022】
＜本開示の組成物＞
本開示の組成物は、フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、フッ素樹脂Ａは、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲが０．２～１０を満たす樹脂である。
本開示の組成物は、フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、フッ素樹脂Ａは、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲが０．２～１０を満たす樹脂である。
【0023】
本開示の組成物によれば、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを上記の範囲に調整することで、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂの親和性を向上させることができる。その結果、フッ素樹脂の割合を増加させた場合であっても、ストランドの外観不良の原因となるフッ素樹脂の凝集を抑制できる。
【0024】
フッ素樹脂Ａとしては、テトラフルオロエチレン［ＴＦＥ］／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ＰＡＶＥ］共重合体［ＰＦＡ］、ＴＦＥ／ヘキサフルオロプロピレン［ＨＦＰ］共重合体［ＦＥＰ］、エチレン［Ｅｔ］／ＴＦＥ共重合体［ＥＴＦＥ］、Ｅｔ／ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体［ＥＦＥＰ］、ポリクロロトリフルオロエチレン［ＰＣＴＦＥ］、クロロトリフルオロエチレン［ＣＴＦＥ］／ＴＦＥ共重合体、ＣＴＦＥ／ＴＦＥ／ＰＡＶＥ共重合体、Ｅｔ／ＣＴＦＥ共重合体、ポリフッ化ビニル［ＰＶＦ］、ポリフッ化ビニリデン［ＰＶｄＦ］、フッ化ビニリデン［ＶｄＦ］／ＴＦＥ共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ共重合体、ＶｄＦ／ＴＦＥ／ＨＦＰ共重合体、ＶｄＦ／ＨＦＰ／（メタ）アクリル酸共重合体、ＶｄＦ／ＣＴＦＥ共重合体、ＶｄＦ／ペンタフルオロプロピレン共重合体、ＶｄＦ／ＰＡＶＥ／ＴＦＥ共重合体、ＴＦＥ／パーフルオロアルキルアリルエーテル共重合体等が挙げられる。パーフルオロアルキルアリルエーテルは、ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４（Ｒｆ４は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基）で表される単量体である。
【0025】
フッ素樹脂Ａとしては、樹脂Ｂとの親和性の点から、テトラフルオロエチレン［ＴＦＥ］／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ＰＡＶＥ］共重合体［ＰＦＡ］及びテトラフルオロエチレン［ＴＦＥ］／ヘキサフルオロプロピレン［ＨＦＰ］共重合体［ＦＥＰ］からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＦＥＰがより好ましい。
【0026】
パーフルオロビニルエーテルとしては特に限定されず、例えば、下記一般式（１）
ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＲｆ （１）
（式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＲｆ （１）
（式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
【0027】
パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、一般式（１）において、Ｒｆが炭素数１～１０のパーフルオロアルキル基を表すものであるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）［ＰＡＶＥ］が挙げられる。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１～５である。
【0028】
ＰＡＶＥにおけるパーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられるが、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であるパープルオロ（プロピルビニルエーテル）［ＰＰＶＥ］が好ましい。
【0029】
パーフルオロビニルエーテルとしては、更に、一般式（１）において、Ｒｆが炭素数４～９のパーフルオロ（アルコキシアルキル）基であるもの、Ｒｆが下記式：
【0030】
【化1】
【0031】
（式中、ｍは、０又は１～４の整数を表す。）で表される基であるもの、Ｒｆが下記式：
【0032】
【化2】
【0033】
（式中、ｎは、１～４の整数を表す。）で表される基であるもの等が挙げられる。
【0034】
（パーフルオロアルキル）エチレンとしては特に限定されず、例えば、（パーフルオロブチル）エチレン［ＰＦＢＥ］、（パーフルオロヘキシル）エチレン［ＰＦＨＥ］、（パーフルオロオクチル）エチレン等が挙げられる。
【0035】
ＰＦＡとしては、特に限定されないが、ＴＦＥ単位とＰＡＶＥ単位とのモル比（ＴＦＥ単位／ＰＡＶＥ単位）が７０／３０以上９９／１未満である共重合体が好ましい。より好ましいモル比は、７０／３０以上９８．９／１．１以下であり、更に好ましいモル比は、８０／２０以上９８．９／１．１以下である。上記ＰＦＡは、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１～１０モル％（ＴＦＥ単位及びＰＡＶＥ単位が合計で９０～９９．９モル％である共重合体）であることが好ましく、０．１～５モル％であることがより好ましく、０．２～４モル％であることが特に好ましい。
【0036】
ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、ＨＦＰ、式（Ｉ）：ＣＺ１Ｚ２＝ＣＺ３（ＣＦ２）ｎＺ４（式中、Ｚ１、Ｚ２及びＺ３は、同一若しくは異なって、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ４は、水素原子、フッ素原子又は塩素原子を表し、ｎは２～１０の整数を表す。）で表されるビニル単量体、及び、式（ＩＩ）：ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＣＨ２－Ｒｆ１（式中、Ｒｆ１は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体、式（Ｘ）：ＣＺ５Ｚ６＝ＣＺ７－ＣＺ８Ｚ９－Ｏ－Ｒｆ４（式中、式中、Ｚ５、Ｚ６及びＺ７は、同一又は異なって、水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ８及びＺ９は、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｒｆ４は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるアリルエーテル単量体等が挙げられる。上記アリルエーテル単量体としては、ＣＨ２＝ＣＦＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４、ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４（パーフルオロアルキルアリルエーテル）、ＣＦ２＝ＣＦＣＨ２－Ｏ－Ｒｆ４、ＣＨ２＝ＣＨＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４（式中、Ｒｆ４は上記式（Ｘ）と同じ）等が好ましく挙げられる。
また、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、更にイタコン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等の不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の酸無水物等も挙げられる。
また、ＴＦＥ及びＰＡＶＥと共重合可能な単量体としては、更にイタコン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等の不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の酸無水物等も挙げられる。
【0037】
ＰＦＡは、融点が１８０～３２４℃未満であることが好ましく、２３０～３２０℃であることがより好ましく、２８０～３２０℃であることが更に好ましい。
【0038】
ＦＥＰとしては、特に限定されないが、ＴＦＥ単位とＨＦＰ単位とのモル比（ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位）が７０／３０以上９９／１未満である共重合体が好ましい。より好ましいモル比は、７０／３０以上９８．９／１．１以下であり、更に好ましいモル比は、８０／２０以上９８．９／１．１以下である。上記ＦＥＰは、ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１～１０モル％（ＴＦＥ単位及びＨＦＰ単位が合計で９０～９９．９モル％である共重合体）であることが好ましく、０．１～５モル％であることがより好ましく、０．２～４モル％であることが特に好ましい。
【0039】
ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体としては、ＰＡＶＥ、式（Ｘ）で表される単量体、式（ＩＩ）で表されるアルキルパーフルオロビニルエーテル誘導体等が挙げられる。また、ＴＦＥ及びＨＦＰと共重合可能な単量体としては、更にイタコン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等の不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の酸無水物等も挙げられる。
【0040】
ＦＥＰは、融点が１５０～３２４℃未満であることが好ましく、２００～３２０℃であることがより好ましく、２４０～３２０℃であることが更に好ましい。
【0041】
ＥＴＦＥとしては、ＴＦＥ単位とエチレン単位とのモル比（ＴＦＥ単位／エチレン単位）が２０／８０以上９０／１０以下である共重合体が好ましい。より好ましいモル比は３７／６３以上８５／１５以下であり、更に好ましいモル比は３８／６２以上８０／２０以下である。ＥＴＦＥは、ＴＦＥ、エチレン、並びに、ＴＦＥ及びエチレンと共重合可能な単量体からなる共重合体であってもよい。上記ＥＴＦＥは、ＴＦＥ及びエチレンと共重合可能な単量体に由来する単量体単位が０．１～１０モル％（ＴＦＥ単位及びエチレン単位が合計で９０～９９．９モル％である共重合体）であることが好ましく、０．１～５モル％であることがより好ましく、０．２～４モル％であることが特に好ましい。
【0042】
ＴＦＥ及びエチレンと共重合可能な単量体としては、下記式
ＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＲｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＯＲｆ２、ＣＨ２＝Ｃ（Ｒｆ２）２（式中、Ｘ１は水素原子又はフッ素原子、Ｒｆ２はエーテル結合を含んでいてもよいフルオロアルキル基を表す。）で表される単量体や式（Ｘ）で表される単量体が挙げられ、なかでも、ＣＦ２＝ＣＦＲｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＯＲｆ２及びＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２で表される含フッ素ビニルモノマー、式（Ｘ）で表される単量体が好ましく、ＨＦＰ、ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＲｆ３（式中、Ｒｆ３は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ＣＦ２＝ＣＦ－ＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４（式中、Ｒｆ４は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロアルキルアリルエーテル及びＲｆ２が炭素数１～８のフルオロアルキル基であるＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２で表される含フッ素ビニルモノマーがより好ましい。また、ＴＦＥ及びエチレンと共重合可能な単量体としては、更にイタコン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等の不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の酸無水物等も挙げられる。
ＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＲｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＯＲｆ２、ＣＨ２＝Ｃ（Ｒｆ２）２（式中、Ｘ１は水素原子又はフッ素原子、Ｒｆ２はエーテル結合を含んでいてもよいフルオロアルキル基を表す。）で表される単量体や式（Ｘ）で表される単量体が挙げられ、なかでも、ＣＦ２＝ＣＦＲｆ２、ＣＦ２＝ＣＦＯＲｆ２及びＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２で表される含フッ素ビニルモノマー、式（Ｘ）で表される単量体が好ましく、ＨＦＰ、ＣＦ２＝ＣＦ－ＯＲｆ３（式中、Ｒｆ３は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ＣＦ２＝ＣＦ－ＣＦ２－Ｏ－Ｒｆ４（式中、Ｒｆ４は炭素数１～５のパーフルオロアルキル基を表す。）で表されるパーフルオロアルキルアリルエーテル及びＲｆ２が炭素数１～８のフルオロアルキル基であるＣＨ２＝ＣＸ１Ｒｆ２で表される含フッ素ビニルモノマーがより好ましい。また、ＴＦＥ及びエチレンと共重合可能な単量体としては、更にイタコン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、及び５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物等の不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の酸無水物等も挙げられる。
【0043】
ＥＴＦＥは、融点が１４０～３２４℃未満であることが好ましく、１６０～３２０℃であることがより好ましく、１９５～３２０℃であることが更に好ましい。
【0044】
上述した重合体の各単量体単位の含有量は、ＮＭＲ、ＦＴ－ＩＲ、元素分析、蛍光Ｘ線分析を単量体の種類によって適宜組み合わせることで算出できる。
【0045】
フッ素樹脂Ａの熱分解温度は、好ましくは３３０℃以上、より好ましくは３５０℃以上、更に好ましくは３７０℃以上であり、また、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４８０℃以下、更に好ましくは４７０℃以下である。
【0046】
なお、フッ素樹脂Ａの熱分解温度は、株式会社日立ハイテクサイエンス社製熱分析装置 ＳＴＡ７２００を用いて測定した。測定は２００ｍＬ／ｍｉｎの窒素パージ雰囲気下で行った。アルミ製パンに試料１０ｍｇを入れ、２５℃で１０分間保持した後、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で６００℃まで昇温した。その際の初期質量から５％質量減少温度（Ｔｄ５）を熱分解温度とした。
また、フッ素樹脂Ａが、電離放射線を照射して低分子量化されたものである場合、熱分解温度は、電離放射線を照射後、脱気操作を経て、測定したものである。
また、フッ素樹脂Ａが、電離放射線を照射して低分子量化されたものである場合、熱分解温度は、電離放射線を照射後、脱気操作を経て、測定したものである。
【0047】
フッ素樹脂Ａは、主鎖炭素数１０６個あたり１００～２０００個の不安定末端基を有していてもよい。不安定末端基は、－ＣＯＦ、－ＣＯＯＨであり、上記個数はこれらの総数である。
【0048】
なお、不安定末端基の数は、赤外分光分析法によって測定できる。具体的には、まず、フッ素樹脂Ａを溶融押出成形して、厚さ０．２５～０．３ｍｍのフィルムを作製する。このフィルムをフーリエ変換赤外分光分析により分析して、フッ素樹脂Ａの赤外吸収スペクトルを得、完全にフッ素化処理されて不安定末端基が存在しないベーススペクトルとの差スペクトルを得る。この差スペクトルに現れる特定の不安定末端基の吸収ピークから、下記式（Ａ）に従って、フッ素樹脂Ａにおける炭素原１０６個あたりの不安定末端基数Ｎを算出する。
Ｎ＝Ｉ×Ｋ／ｔ （Ａ）
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚さ（ｍｍ）
Ｎ＝Ｉ×Ｋ／ｔ （Ａ）
Ｉ：吸光度
Ｋ：補正係数
ｔ：フィルムの厚さ（ｍｍ）
【0049】
本開示の組成物は、樹脂Ｂが海、フッ素樹脂Ａが島の海島構造を形成していることが好ましい。
【0050】
本開示の組成物において、フッ素樹脂Ａの分散粒子径は、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．０μｍ以下、更に好ましくは２．０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、０．１μｍ以上が好ましい。
【0051】
なお、フッ素樹脂Ａの分散粒子径は、以下の手順に従って決定する。
まず、組成物を長手方向に垂直に切削することによって、試験片を得て、その断面を共焦点レーザー顕微鏡で観察する。得られた顕微鏡画像を、画像解析ソフト（Ｉｍａｇｅ Ｊ）を用いて解析し、分散相の円相当径を求める。そして、分散相２０個分の円相当径を算出し、これを平均したものを分散粒子径とする。
まず、組成物を長手方向に垂直に切削することによって、試験片を得て、その断面を共焦点レーザー顕微鏡で観察する。得られた顕微鏡画像を、画像解析ソフト（Ｉｍａｇｅ Ｊ）を用いて解析し、分散相の円相当径を求める。そして、分散相２０個分の円相当径を算出し、これを平均したものを分散粒子径とする。
【0052】
樹脂Ｂとしては、融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上のものであれば特に限定されないが、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリールエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン等を使用できる。なかでも、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリールエーテルケトン、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、液晶ポリマーが特に好ましい。
【0053】
液晶ポリマーとしては特に限定されないが、液晶化温度（すなわち融点）が１８０℃～３８０℃であるポリマーであってよく、加熱してネマチック等の液晶状態となるサーモトロピック液晶ポリマーが好ましく、たとえば、
Ｉ型液晶ポリマー（ビフェノール／安息香酸／パラオキシ安息香酸（ＰＯＢ）共重合体など）
ＩＩ型液晶ポリマー（ヒドロキシナフトエ酸（ＨＮＡ）／ＰＯＢ共重合体など）
ＩＩＩ型液晶ポリマー（ＰＯＢ／エチレンテレフタレート共重合体など）
などがあげられる。なかでも、混練温度と液晶転移温度の観点から、Ｉ型液晶ポリマー及びＩＩ型液晶ポリマーからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＩＩ型液晶ポリマーがより好ましい。
Ｉ型液晶ポリマー（ビフェノール／安息香酸／パラオキシ安息香酸（ＰＯＢ）共重合体など）
ＩＩ型液晶ポリマー（ヒドロキシナフトエ酸（ＨＮＡ）／ＰＯＢ共重合体など）
ＩＩＩ型液晶ポリマー（ＰＯＢ／エチレンテレフタレート共重合体など）
などがあげられる。なかでも、混練温度と液晶転移温度の観点から、Ｉ型液晶ポリマー及びＩＩ型液晶ポリマーからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＩＩ型液晶ポリマーがより好ましい。
【0054】
液晶ポリマーの融点は、好ましくは２８０℃以上、より好ましくは３１０℃以上であり、また、好ましくは３８０℃以下、より好ましくは３５０℃以下である。
【0055】
ポリエーテルイミドとしては、例えば、分子内にイミド結合及びエーテル結合を有するものを使用できる。
【0056】
ポリエーテルイミドのガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、また、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下である。
【0057】
ポリフェニレンサルファイドとしては、例えば、下記式で表される構造単位を有する樹脂を使用できる。この構造単位の割合は、７０モル％以上が好ましい。
－（Ｐｈ－Ｓ）－
式中のＰｈはフェニレン基であり、当該フェニレン基としては、ｐ－フェニレン、ｍ－フェニレン、ｏ－フェニレン、アルキル置換フェニレン、フェニル置換フェニレン、ハロゲン置換フェニレン、アミノ置換フェニレン、アミド置換フェニレン、ｐ，ｐ’－ジフェニレンスルホン、ｐ，ｐ’－ビフェニレン、ｐ，ｐ’－ビフェニレンエーテル等が挙げられる。なかでも、ｐ－フェニレンが好ましい。
－（Ｐｈ－Ｓ）－
式中のＰｈはフェニレン基であり、当該フェニレン基としては、ｐ－フェニレン、ｍ－フェニレン、ｏ－フェニレン、アルキル置換フェニレン、フェニル置換フェニレン、ハロゲン置換フェニレン、アミノ置換フェニレン、アミド置換フェニレン、ｐ，ｐ’－ジフェニレンスルホン、ｐ，ｐ’－ビフェニレン、ｐ，ｐ’－ビフェニレンエーテル等が挙げられる。なかでも、ｐ－フェニレンが好ましい。
【0058】
ポリフェニレンサルファイドの融点は、好ましくは２４０℃以上、より好ましくは２７０℃以上であり、また、好ましくは３８０℃以下、より好ましくは３５０℃以下である。
【0059】
ポリアリールエーテルケトンとしては、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）等が挙げられる。なかでも、ＰＥＥＫが好ましい。
【0060】
ポリアリールエーテルケトンの融点は、好ましくは３２０℃以上、より好ましくは３４０℃以上であり、また、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３８０℃以下である。
【0061】
ポリサルフォン（ポリスルホン）としては特に限定されず、一般的なものを使用可能である。
【0062】
ポリサルフォンのガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは２００℃以上、更に好ましくは２２０℃以上であり、また、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、更に好ましくは２６０℃以下である。
【0063】
ポリエーテルサルフォン（ポリエーテルスルホン）としては特に限定されず、一般的なものを使用可能である。
【0064】
ポリエーテルサルフォンのガラス転移温度は、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは２００℃以上、更に好ましくは２２０℃以上であり、また、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、更に好ましくは２６０℃以下である。
【0065】
なお、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド及びポリアリールエーテルケトンの融点は、示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
ポリエーテルイミド、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンのガラス転移温度は、示差走査熱量計（メトラー・トレド社製、ＤＳＣ８２２ｅ）を用い、試料１０ｍｇを１０℃／ｍｉｎで昇温することによりＤＳＣ曲線を得て、ＤＳＣ曲線の二次転移前後のベースラインの延長線と、ＤＳＣ曲線の変曲点における接線との２つの交点の中点を示す温度として求めることができる。
ポリエーテルイミド、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンのガラス転移温度は、示差走査熱量計（メトラー・トレド社製、ＤＳＣ８２２ｅ）を用い、試料１０ｍｇを１０℃／ｍｉｎで昇温することによりＤＳＣ曲線を得て、ＤＳＣ曲線の二次転移前後のベースラインの延長線と、ＤＳＣ曲線の変曲点における接線との２つの交点の中点を示す温度として求めることができる。
【0066】
樹脂Ｂの熱分解温度は、好ましくは３３０℃以上、より好ましくは３５０℃以上であり、また、好ましくは６００℃以下、より好ましくは５５０℃以下である。
【0067】
なお、樹脂Ｂの熱分解温度は、株式会社日立ハイテクサイエンス社製熱分析装置 ＳＴＡ７２００を用いて測定した。測定は２００ｍＬ／ｍｉｎの窒素パージ雰囲気下で行った。アルミ製パンに試料１０ｍｇを入れ、２５℃で１０分間保持した後、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で６００℃まで昇温した。その際の初期質量から５％質量減少温度（Ｔｄ５）を熱分解温度とした。
【0068】
本開示の組成物において、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲは、０．２～１０であればよいが、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂの親和性の点から、好ましくは０．３以上、より好ましくは０．５以上であり、また、好ましくは５以下、より好ましくは３以下である。
【0069】
なお、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを算出する際、各樹脂のＭＦＲは同じ温度で測定する。測定温度は、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂを混練する際の混練温度（樹脂Ｂの成形加工温度）に近い温度であり、具体的には３２５℃である。
そして、各樹脂のＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に従って、メルトインデクサー（（株）安田精機製作所製）を用いて、３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下で内径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間あたりに流出するポリマーの質量（ｇ／１０分）として得られる値である。
そして、各樹脂のＭＦＲは、ＡＳＴＭ Ｄ１２３８に従って、メルトインデクサー（（株）安田精機製作所製）を用いて、３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下で内径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間あたりに流出するポリマーの質量（ｇ／１０分）として得られる値である。
【0070】
フッ素樹脂Ａの３２５℃でのＭＦＲは、上記関係を満たす範囲であれば特に限定されないが、好ましくは３０ｇ／１０分以上、より好ましくは５０ｇ／１０分以上、更に好ましくは１００ｇ／１０分以上であり、また、好ましくは１０００ｇ／１０分以下、より好ましくは８００ｇ／１０分以下、更に好ましくは５００ｇ／１０分以下である。
樹脂Ｂの３２５℃でのＭＦＲについても同様に、上記関係を満たす範囲であれば特に限定されないが、好ましくは３０ｇ／１０分以上、より好ましくは５０ｇ／１０分以上、更に好ましくは１００ｇ／１０分以上であり、また、好ましくは１０００ｇ／１０分以下、より好ましくは８００ｇ／１０分以下、更に好ましくは５００ｇ／１０分以下である。
樹脂Ｂの３２５℃でのＭＦＲについても同様に、上記関係を満たす範囲であれば特に限定されないが、好ましくは３０ｇ／１０分以上、より好ましくは５０ｇ／１０分以上、更に好ましくは１００ｇ／１０分以上であり、また、好ましくは１０００ｇ／１０分以下、より好ましくは８００ｇ／１０分以下、更に好ましくは５００ｇ／１０分以下である。
【0071】
樹脂Ｂの融点＋８℃でのＭＦＲは、３０ｇ／１０分以上であればよいが、好ましくは４０ｇ／１０分以上、より好ましくは６０ｇ／１０分以上であり、また、好ましくは１０００ｇ／１０分以下、より好ましくは８００ｇ／１０分以下、更に好ましくは７００ｇ／１０分以下である。
【0072】
なお、樹脂Ｂの８℃でのＭＦＲは、測定温度が相違する点を除き、３２５℃でのＭＦＲと同様の方法で測定したものである。
【0073】
本開示の組成物において、フッ素樹脂Ａの含有量は、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、更に好ましくは２５体積％以上であり、また、好ましくは４５体積％以下、より好ましくは４０体積％以下、更に好ましくは３５体積％以下である。
【0074】
本開示の組成物において、樹脂Ｂの含有量は、好ましくは５５体積％以上、より好ましくは６０体積％以上、更に好ましくは６５体積％以上であり、また、好ましくは９０体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、更に好ましくは７５体積％以下である。
【0075】
本開示の組成物において、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂの合計含有量は、好ましくは７０体積％以上、より好ましくは８０体積％以上、更に好ましくは９０体積％以上である。上限は特に限定されず、１００体積％であってもよい。
【0076】
本開示の組成物において、フッ素樹脂Ａと樹脂Ｂとの体積比（フッ素樹脂Ａ／樹脂Ｂ）は、好ましくは１０／９０以上、より好ましくは２０／８０以上、更に好ましくは２５／７５以上であり、また、好ましくは４５／５５以下、より好ましくは４０／６０以下、更に好ましくは３５／６５以下である。
【0077】
本開示の組成物は、フッ素樹脂Ａに該当しないフッ素樹脂Ｃを含んでもよい。フッ素樹脂Ｃは、フッ素樹脂ＣのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たさないものであれば特に限定されない。
フッ素樹脂ＣのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを算出する際、各樹脂のＭＦＲは、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを算出する際と同様の方法で測定する。
フッ素樹脂ＣのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを算出する際、各樹脂のＭＦＲは、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲを算出する際と同様の方法で測定する。
【0078】
なお、上述のフッ素樹脂Ａ、樹脂Ｂ、フッ素樹脂Ｃは、１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0079】
本開示の組成物は、さらに、添加剤を含んでもよい。
【0080】
添加剤としては、エポキシ化合物、アミン化合物、オキサゾリン化合物、酸無水物等を使用できる。なかでも、オキサゾリン化合物が好ましい。
【0081】
オキサゾリン化合物としては、オキサゾリン基を１個以上有するものであれば特に限定されないが、オキサゾリン基を２個以上有するものが好ましく、オキサゾリン基を２個有するものがより好ましい。オキサゾリン基を２個有するオキサゾリン化合物の具体例として、１，３－ビス（４，５－ジヒドロ－２－オキサゾリル）ベンゼン［１，３－ＰＢＯ］や、その異性体である１，４－ＰＢＯ等が挙げられる。
また、オキサゾリン化合物は、オキサゾリン基を有するオリゴマー、ポリマーであってもよい。オキサゾリン基を有するポリマーの具体例として、ポリ－２－ビニル－２－オキサゾリン［Ｐｖｏｚｏ］等が挙げられる。
また、オキサゾリン化合物は、オキサゾリン基を有するオリゴマー、ポリマーであってもよい。オキサゾリン基を有するポリマーの具体例として、ポリ－２－ビニル－２－オキサゾリン［Ｐｖｏｚｏ］等が挙げられる。
【0082】
添加剤としては、フィラーも使用可能である。フィラーの具体例としては、シリカ（より具体的には結晶性シリカ、溶融シリカ、球状溶融シリカ等）、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化スズ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、酸化インジウム、アルミナ、酸化アンチモン、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の無機化合物；モンモリロナイト、タルク、マイカ、ベーマイト、カオリン、スメクタイト、ゾノライト、バーキュライト、セリサイト等の鉱物；カーボンブラック、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンナノチューブ等の炭素化合物；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物；ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラスバルーン等の各種ガラス等；が挙げられる。
【0083】
添加剤としては、上記で説明したもの以外に、架橋剤、帯電防止剤、耐熱安定剤、発泡剤、発泡核剤、酸化防止剤、界面活性剤、光重合開始剤、摩耗防止剤、表面改質剤等、樹脂に使用される一般的な添加剤も使用可能である。
また、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂ以外の樹脂を添加剤として使用してもよい。
また、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂ以外の樹脂を添加剤として使用してもよい。
【0084】
本開示の組成物において、添加剤の含有量は、好ましくは０．１体積％以上、より好ましくは１体積％以上、更に好ましくは３体積％以上であり、また、好ましくは１５体積％以下、より好ましくは１２体積％以下、更に好ましくは１０体積％以下である。
【0085】
＜本開示の成形体＞
本開示の成形体は、本開示の組成物を含む。
本開示の成形体は、本開示の組成物を含む。
【0086】
本開示の成形体は、本開示の組成物を成形することで得られる。成形方法としては特に限定されず、射出成形、ブロー成形、インフレーション成形、真空・圧空成形等、通常の方法を使用できる。
【0087】
本開示の成形体は、誘電材料、特に、低誘電基板材料（例えば、絶縁材料）として好適に用いられる。
なお、本明細書において、「低誘電基板材料」は、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００３以下である材料を意味し、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が４．０以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００２以下である材料がより好ましく、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が３．５以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００１２以下である材料が更に好ましい。
なお、本明細書において、「低誘電基板材料」は、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が５．０以下、かつ、２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００３以下である材料を意味し、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が４．０以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００２以下である材料がより好ましく、２５℃、１０ＧＨｚの比誘電率が３．５以下、かつ２５℃、１０ＧＨｚの誘電正接が０．００１２以下である材料が更に好ましい。
【0088】
本開示の成形体を誘電材料とする場合、その用途としては特に限定はない。例えば、コネクター、ソケット、リレー部品、コイルボビン、光ピックアップ、発振子、プリント配線板、コンピュータ関連部品等の電気・電子部品；ＩＣトレー、ウエハーキャリヤー等の半導体製造プロセス関連部品、ＶＴＲ、テレビ、アイロン、エアコン、ステレオ、掃除機、冷蔵庫、炊飯器、照明器具等の家庭電気製品部品、ランプリフレクター、ランプホルダー等の照明器具部品、コンパクトディスク、スピーカー等の音響製品部品、光ケーブル用フェルール、電話機部品、ファクシミリ部品、モデム等の通信機器部品、分離爪、ヒータホルダー等の複写機関連部品、インペラー、ファン、歯車、ギヤ、軸受け、モーター部品及びケース等の機械部品、自動車用機構部品、エンジン部品、エンジンルーム内部品、電装部品、内装部品等の自動車部品、マイクロ波調理用鍋、耐熱食器等の調理用器具、床材、壁材等の断熱、防音用材料や、梁、柱等の支持材料や、屋根材等の建築資材又は土木建築用材料、航空機、宇宙機、宇宙機器用部品、原子炉等の放射線施設部材、海洋施設部材、洗浄用治具、光学機器部品、バルブ類、パイプ類、ノズル類、フィルター類、膜、医療用機器部品及び医療用材料、センサー類部品、サニタリー備品等の広範な用途に使用可能である。
【0089】
＜本開示の積層体＞
本開示の積層体は、金属箔と、本開示の成形体とを含む。
本開示の積層体は、金属箔と、本開示の成形体とを含む。
【0090】
金属箔の金属としては、アルミニウム、鉄、銀、金、ルテニウム等が挙げられる。また、これらの合金も使用可能である。なかでも、銅が好ましい。銅としては、圧延銅、電解銅等を使用できる。
【0091】
本開示の積層体の厚みは、１０μｍ～１０００μｍが好ましい。また、本開示の積層体において、本開示の成形体の厚みは、１μｍ～１００μｍが好ましい。
なお、本開示の積層体及び成形体は、厚みが略一定のシート状であることが好ましいが、厚みが異なる部分が存在する場合、長手方向に等間隔に１０分割した地点の厚みを測定し、それらを平均したものとする。
なお、本開示の積層体及び成形体は、厚みが略一定のシート状であることが好ましいが、厚みが異なる部分が存在する場合、長手方向に等間隔に１０分割した地点の厚みを測定し、それらを平均したものとする。
【0092】
本開示の積層体は、上述の金属箔及び本開示の成形体以外に、他の層が積層されていてもよい。
【0093】
本開示の積層体は、回路基板、特に、プリント基板、積層回路基板（多層基板）、高周波回路基板として好適に用いられる。
【0094】
高周波回路基板は、高周波帯域でも動作させることが可能な回路基板である。高周波帯域とは、１ＧＨｚ以上の帯域であってよく、３ＧＨｚ以上の帯域であることが好ましく、５ＧＨｚ以上の帯域であることがより好ましい。上限は特に限定されないが、１００ＧＨｚ以下の帯域であってもよい。
【0095】
＜本開示の製造方法＞
本開示の製造方法は、（フッ素樹脂ＡのＭＦＲ）／（融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（フッ素樹脂Ａを除く）のＭＦＲ）を０．２～１０に調整するＭＦＲ調整工程を経て、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂを含む組成物を得る。
本開示の製造方法は、（フッ素樹脂ＡのＭＦＲ）／（融点＋８℃でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（フッ素樹脂Ａを除く）のＭＦＲ）を０．２～１０に調整するＭＦＲ調整工程を経て、フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂを含む組成物を得る。
【0096】
フッ素樹脂Ａ及び樹脂Ｂは、上述の本開示の組成物と同様のものを使用可能である。
【0097】
ＭＦＲ調整工程では、いずれの樹脂のＭＦＲを調整してもよいが、少なくとも、フッ素樹脂のＭＦＲを調整し、フッ素樹脂ＡのＭＦＲ／樹脂ＢのＭＦＲ＝０．２～１０を満たすフッ素樹脂Ａを得ることが好ましい。
また、ＭＦＲの調整方法は特に限定されないが、樹脂の分子量を調整することが好ましい。樹脂の分子量の調整方法としては、樹脂の分子量が低くなる重合法を採用する方法、混練時のせん断によって樹脂の分子量を低下させる方法、電離放射線を照射して樹脂の分子量を低下させる方法等が挙げられる。すなわち、ＭＦＲ調整工程では、重合、混練、又は、電離放射線の照射により、フッ素樹脂Ａを得ることが好ましい。
また、ＭＦＲの調整方法は特に限定されないが、樹脂の分子量を調整することが好ましい。樹脂の分子量の調整方法としては、樹脂の分子量が低くなる重合法を採用する方法、混練時のせん断によって樹脂の分子量を低下させる方法、電離放射線を照射して樹脂の分子量を低下させる方法等が挙げられる。すなわち、ＭＦＲ調整工程では、重合、混練、又は、電離放射線の照射により、フッ素樹脂Ａを得ることが好ましい。
【0098】
樹脂の分子量が低くなる重合法としては特に限定されず、想定している分子量にあわせて材料や反応条件を適宜設定すればよい。
【0099】
混練時のせん断によって樹脂の分子量を低下させる場合、せん断速度は、１００秒－１（／ｓｅｃ）以上とすることが好ましい。上限は特に限定されないが、例えば、５０００秒－１（／ｓｅｃ）以下である。
なお、せん断速度（γ）は、例えば、下記式を用いて求める値である。
γ＝πＤｒ／Ｃ
Ｄ：スクリュー外径（ｍｍ）
ｒ：スクリュー回転数（ｒｐｍ）
Ｃ：チップクリアランス（ｍｍ）
なお、せん断速度（γ）は、例えば、下記式を用いて求める値である。
γ＝πＤｒ／Ｃ
Ｄ：スクリュー外径（ｍｍ）
ｒ：スクリュー回転数（ｒｐｍ）
Ｃ：チップクリアランス（ｍｍ）
【0100】
電離放射線（電離性放射線）は、物質に電離作用を及ぼす放射線であり、粒子線と、電磁波とに分類される。粒子線は、アルファ線、ベータ線等の荷電粒子線と、中性子線等の非荷電粒子線とに更に分類される。電磁波としては、エックス線、ガンマ線等が挙げられる。
また、電離放射線は、直接電離放射線と、間接電離放射線とに分類することもできる。この場合、荷電粒子線が直接電離放射線に該当し、非荷電粒子線及び電磁波が間接電離放射線に該当する。
樹脂全体にエネルギーが浸透するという点から、電離放射線としては、間接電離放射線が好ましく、電磁波がより好ましく、ガンマ線が更に好ましい。
また、電離放射線は、直接電離放射線と、間接電離放射線とに分類することもできる。この場合、荷電粒子線が直接電離放射線に該当し、非荷電粒子線及び電磁波が間接電離放射線に該当する。
樹脂全体にエネルギーが浸透するという点から、電離放射線としては、間接電離放射線が好ましく、電磁波がより好ましく、ガンマ線が更に好ましい。
【0101】
電離放射線を照射するフッ素樹脂は、溶融加工可能なフッ素樹脂であることが好ましい。本明細書において、溶融加工可能であるとは、押出機及び射出成形機等の従来の加工機器を用いて、ポリマーを溶融して加工することが可能であることを意味する。
【0102】
溶融加工可能なフッ素樹脂としては、上述したＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥ、ＥＦＥＰ、ＰＣＴＦＥ、ＰＶｄＦ等が挙げられ、樹脂Ｂとの親和性の点から、ＰＦＡ及びＦＥＰからなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、ＦＥＰがより好ましい。
【0103】
以上、実施形態を説明したが、特許請求の範囲の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。
【実施例0104】
次に実施例を挙げて本開示を更に詳しく説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0105】
実施例で使用する材料は、以下のとおりである。
（フッ素樹脂）（なお、以下の実施例では、ＦＥＰ（２）、（３）がフッ素樹脂Ａに該当する。）
ＦＥＰ（１）（ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位（モル比）＝８８．０／１２．０、ＭＦＲ（３２５℃）：５．６ｇ／１０分、熱分解温度：４２７℃）
ＦＥＰ（２）（下記方法で合成、ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位／ＰＰＶＥ単位（モル比）＝９０．９：８．８０：０．３５、ＭＦＲ（３２５℃）：２２８．０ｇ／１０、熱分解温度：４７０℃）
ＦＥＰ（３）（下記方法で合成、ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位（モル比）＝８８．０／１２．０、ＭＦＲ（３２５℃）：２７０．２ｇ／１０、熱分解温度：４６３℃）
（樹脂Ｂ）
ＬＣＰ（１）（ＩＩ型液晶ポリマー、融点：３１３℃、ＭＦＲ（３２５℃）：２０６．５ｇ／１０分、ＭＦＲ（３２１℃（融点＋８℃））：６２．４ｇ／１０分、熱分解温度：５０１℃）
ＬＣＰ（２）（ＩＩ型液晶ポリマー、融点：３２２℃、ＭＦＲ（３２５℃）：２０６．７ｇ／１０分、ＭＦＲ（３３０℃（融点＋８℃））：６４８．４ｇ／１０分、熱分解温度：５０１℃）
（フッ素樹脂）（なお、以下の実施例では、ＦＥＰ（２）、（３）がフッ素樹脂Ａに該当する。）
ＦＥＰ（１）（ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位（モル比）＝８８．０／１２．０、ＭＦＲ（３２５℃）：５．６ｇ／１０分、熱分解温度：４２７℃）
ＦＥＰ（２）（下記方法で合成、ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位／ＰＰＶＥ単位（モル比）＝９０．９：８．８０：０．３５、ＭＦＲ（３２５℃）：２２８．０ｇ／１０、熱分解温度：４７０℃）
ＦＥＰ（３）（下記方法で合成、ＴＦＥ単位／ＨＦＰ単位（モル比）＝８８．０／１２．０、ＭＦＲ（３２５℃）：２７０．２ｇ／１０、熱分解温度：４６３℃）
（樹脂Ｂ）
ＬＣＰ（１）（ＩＩ型液晶ポリマー、融点：３１３℃、ＭＦＲ（３２５℃）：２０６．５ｇ／１０分、ＭＦＲ（３２１℃（融点＋８℃））：６２．４ｇ／１０分、熱分解温度：５０１℃）
ＬＣＰ（２）（ＩＩ型液晶ポリマー、融点：３２２℃、ＭＦＲ（３２５℃）：２０６．７ｇ／１０分、ＭＦＲ（３３０℃（融点＋８℃））：６４８．４ｇ／１０分、熱分解温度：５０１℃）
【0106】
ＦＥＰ（２）の合成方法
内容積４Ｌのガラスライニングオートクレーブに、脱酸素したイオン交換水１１００ｇを入れ、オートクレーブ内部を真空にし、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１００ｇを入れて、槽内温度を２８℃に保った。次いで、オートクレーブに、パーフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）８．０ｇおよびメタノール５．０ｇを仕込み、撹拌下、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）を０．８９ＭＰａＧまで圧入した。次いで、ジ－ｉｓｏ－プロピルパーオキシジカーボネート８．０ｇを仕込んで重合を開始した。重合の進行とともに圧力が低下するため、テトラフルオロエチレンを追加圧入して重合圧力を０．８９ＭＰａＧに保ちながら、重合を１０．６時間行った。重合終了後、残モノマーと溶媒を回収し、生成物の洗浄乾燥を行い、重合粉末７４ｇを得た。
内容積４Ｌのガラスライニングオートクレーブに、脱酸素したイオン交換水１１００ｇを入れ、オートクレーブ内部を真空にし、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）１１００ｇを入れて、槽内温度を２８℃に保った。次いで、オートクレーブに、パーフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＰＶＥ）８．０ｇおよびメタノール５．０ｇを仕込み、撹拌下、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）を０．８９ＭＰａＧまで圧入した。次いで、ジ－ｉｓｏ－プロピルパーオキシジカーボネート８．０ｇを仕込んで重合を開始した。重合の進行とともに圧力が低下するため、テトラフルオロエチレンを追加圧入して重合圧力を０．８９ＭＰａＧに保ちながら、重合を１０．６時間行った。重合終了後、残モノマーと溶媒を回収し、生成物の洗浄乾燥を行い、重合粉末７４ｇを得た。
【0107】
ＦＥＰ（３）の合成方法
ＦＥＰペレット１０００ｇを入れたアルミチャック袋をベルトコンベアに載せて、線源の周りを動かしながらガンマ線５００ｋＧｙを照射した。その後、２００℃×４時間の条件で脱気を行い、サンプルを得た。
ＦＥＰペレット１０００ｇを入れたアルミチャック袋をベルトコンベアに載せて、線源の周りを動かしながらガンマ線５００ｋＧｙを照射した。その後、２００℃×４時間の条件で脱気を行い、サンプルを得た。
【0108】
実施例、比較例
循環式二軸押出機（Ｘｐｌｏｒｅ ＭＣ１５ＨＴ：Ｘｐｌｏｒｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、表１の条件で、１３．７２ｇの樹脂Ｂと９．０３ｇのフッ素樹脂との混練を検討した。材料は事前にドライブレンドしてからホッパーから投入し、５ｍｉｎ、５００ｒｐｍの条件で混練した。混練温度は表１の条件とした。混練後、サンプルをストランドとして採取した。
得られたストランドの断面をレーザー顕微鏡で観察し、混練後のモルフォロジー（樹脂の分散状態）を評価した。いずれも樹脂Ｂが海、フッ素樹脂が島の海島構造を形成したが、比較例よりも実施例の方が島（フッ素樹脂）の分散粒子径が小さく、分散状態が良好であることが確認できた。また、ストランドの外観の状態も良好であった。
なお、ストランドの外観の評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ストランド表面にザラつきや凝集がみられない
Ｂ：ストランド表面にザラつきや凝集がみられる
循環式二軸押出機（Ｘｐｌｏｒｅ ＭＣ１５ＨＴ：Ｘｐｌｏｒｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、表１の条件で、１３．７２ｇの樹脂Ｂと９．０３ｇのフッ素樹脂との混練を検討した。材料は事前にドライブレンドしてからホッパーから投入し、５ｍｉｎ、５００ｒｐｍの条件で混練した。混練温度は表１の条件とした。混練後、サンプルをストランドとして採取した。
得られたストランドの断面をレーザー顕微鏡で観察し、混練後のモルフォロジー（樹脂の分散状態）を評価した。いずれも樹脂Ｂが海、フッ素樹脂が島の海島構造を形成したが、比較例よりも実施例の方が島（フッ素樹脂）の分散粒子径が小さく、分散状態が良好であることが確認できた。また、ストランドの外観の状態も良好であった。
なお、ストランドの外観の評価基準は以下のとおりである。
Ａ：ストランド表面にザラつきや凝集がみられない
Ｂ：ストランド表面にザラつきや凝集がみられる
【0109】
【表1】
【手続補正書】
【提出日】2024-01-15
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
フッ素樹脂Ａと、融点＋８℃×２．１６ｋｇ荷重下でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）とを含み、
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂Ａの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ／前記樹脂Ｂの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂であり、
前記フッ素樹脂Ａと前記樹脂Ｂとの体積比（フッ素樹脂Ａ／樹脂Ｂ）が４５／５５以下である組成物。
前記フッ素樹脂Ａは、前記フッ素樹脂Ａの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ／前記樹脂Ｂの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ＝０．２～１０を満たす樹脂であり、
前記フッ素樹脂Ａと前記樹脂Ｂとの体積比（フッ素樹脂Ａ／樹脂Ｂ）が４５／５５以下である組成物。
【請求項2】
前記フッ素樹脂Ａの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲが３０ｇ／１０分以上である請求項１記載の組成物。
【請求項3】
前記フッ素樹脂Ａが、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体及びテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項4】
前記樹脂Ｂが、液晶ポリマー、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリールエーテルケトン、ポリサルフォン及びポリエーテルサルフォンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項5】
前記フッ素樹脂Ａの含有量が１０体積％以上である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項6】
前記フッ素樹脂Ａの分散粒子径が５．０μｍ以下である請求項１又は２記載の組成物。
【請求項7】
添加剤を含む請求項１又は２記載の組成物。
【請求項8】
請求項１又は２記載の組成物を含む成形体。
【請求項9】
低誘電基板材料に用いられる請求項８記載の成形体。
【請求項10】
金属箔と、請求項９記載の成形体とを含む積層体。
【請求項11】
前記金属箔が銅である請求項１０記載の積層体。
【請求項12】
（フッ素樹脂Ａの３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ）／（融点＋８℃×２．１６ｋｇ荷重下でのメルトフローレートが３０ｇ／１０分以上である樹脂Ｂ（前記フッ素樹脂Ａを除く）の３２５℃×２．１６ｋｇ荷重下でのＭＦＲ）を０．２～１０に調整するＭＦＲ調整工程を経て、前記フッ素樹脂Ａ及び前記樹脂Ｂを含む組成物を得る組成物の製造方法であって、
前記フッ素樹脂Ａと前記樹脂Ｂとの体積比（フッ素樹脂Ａ／樹脂Ｂ）が４５／５５以下である組成物の製造方法。
前記フッ素樹脂Ａと前記樹脂Ｂとの体積比（フッ素樹脂Ａ／樹脂Ｂ）が４５／５５以下である組成物の製造方法。
【請求項13】
前記ＭＦＲ調整工程では、重合、混練、又は、電離放射線の照射により、前記フッ素樹脂Ａを得る請求項１２記載の組成物の製造方法。