特開 2024-50156 マスクの製造方法、マスク、蒸着層の形成方法及び有機半導体素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024050156

(43)【公開日】2024-04-10

(54)【発明の名称】マスクの製造方法、マスク、蒸着層の形成方法及び有機半導体素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/04 20060101AFI20240403BHJP

   C23C 14/12 20060101ALI20240403BHJP

   C23C 14/14 20060101ALI20240403BHJP

   C23C 14/24 20060101ALI20240403BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20240403BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240403BHJP

【ＦＩ】

C23C14/04 A

C23C14/12

C23C14/14 G

C23C14/24 G

H05B33/10

H05B33/14 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】22

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022156828

(22)【出願日】2022-09-29

(71)【出願人】

【識別番号】000002897

【氏名又は名称】大日本印刷株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋 学

(74)【代理人】

【識別番号】100127465

【弁理士】

【氏名又は名称】堀田 幸裕

(74)【代理人】

【識別番号】100208188

【弁理士】

【氏名又は名称】榎並 薫

(72)【発明者】

【氏名】川崎 博司

(72)【発明者】

【氏名】小幡 勝也

(72)【発明者】

【氏名】相田 和彦

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC35

3K107CC45

3K107FF15

3K107GG04

3K107GG33

3K107GG54

4K029BA01

4K029BA62

4K029BB03

4K029CA01

4K029DB02

4K029DB06

4K029HA01

4K029HA02

4K029HA03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】貫通孔の位置精度を向上させたマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】マスクの製造方法は、複数の透光穴４４を含むレーザ遮光層４０と、レーザ遮光層４０を覆う樹脂層３０と、を含む積層体２５を準備する積層体準備工程と、レーザ遮光層４０に向けて積層体２５にレーザ光Ｌを入射させることによって、樹脂層３０に、レーザ遮光層４０の複数の透光穴４４に対応する複数の第１開口３４を形成するレーザ加工工程と、を備える。
【選択図】図１６Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属材料又はセラミック材料で形成されたレーザ遮光層であって、第１面、前記第１面の反対側の面である第２面、及び、前記第１面から前記第２面に至る複数の透光穴を含むレーザ遮光層と、前記レーザ遮光層の前記第２面を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
前記レーザ遮光層の前記第１面に向けて前記積層体にレーザ光を入射させることによって、前記樹脂層に、前記レーザ遮光層の前記複数の透光穴に対応する複数の第１開口を形成するレーザ加工工程と、
を備える、マスクの製造方法。

【請求項2】

前記レーザ遮光層は、前記複数の透光穴を含む少なくとも１つの遮蔽部と、平面視において前記遮蔽部を囲む周囲部と、を含み、
前記マスクの製造方法は、前記レーザ遮光層の前記遮蔽部を除去する遮蔽部除去工程を備える、請求項１に記載のマスクの製造方法。

【請求項3】

前記樹脂層は、前記レーザ遮光層の前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側の面である第４面と、を含み、
前記マスクの製造方法は、前記樹脂層の前記第４面を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層を除去する保護層除去工程と、
を備える、請求項１に記載のマスクの製造方法。

【請求項4】

前記レーザ遮光層の前記第１面に対向する第５面、及び前記第５面の反対側の面である第６面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記レーザ遮光層の前記複数の透光穴に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、
を備える、請求項１に記載のマスクの製造方法。

【請求項5】

積層体準備工程は、
前記支持層上に前記レーザ遮光層を形成する工程と、
前記レーザ遮光層の前記第２面上に部分的に第１レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層の側から前記レーザ遮光層をエッチングすることによって前記レーザ遮光層に前記複数の透光穴を形成する工程と、
前記第１レジスト層を除去する工程と、
を含む、請求項４に記載のマスクの製造方法。

【請求項6】

前記支持層は、前記第６面を形成する第１層と、前記第１層と前記レーザ遮光層との間に位置する第２層と、を含み、
前記支持フレーム形成工程は、
前記支持層の前記第６面上に部分的に第２レジスト層を形成する工程と、
前記第２レジスト層の側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層を部分的に除去する工程と、
を含む、請求項４に記載のマスクの製造方法。

【請求項7】

前記支持フレーム形成工程は、前記第１層を部分的に除去する工程の後に、前記第２層を部分的に除去する工程を含む、請求項６に記載のマスクの製造方法。

【請求項8】

前記支持層は、無機物を含む、請求項４に記載のマスクの製造方法。

【請求項9】

前記支持層は、金属材料を含む、請求項４に記載のマスクの製造方法。

【請求項10】

前記第１層は、非金属の無機物を含む、請求項６に記載のマスクの製造方法。

【請求項11】

前記第１層は、非金属の無機物を含み、
前記第２層は、金属材料を含む、請求項６に記載のマスクの製造方法。

【請求項12】

前記レーザ遮光層は、窒化チタン、ニッケル又は銅を含む、請求項１に記載のマスクの製造方法。

【請求項13】

前記レーザ遮光層は、真空成膜法またはめっき法により形成される、請求項１に記載のマスクの製造方法。

【請求項14】

第３面、及び前記第３面の反対側の面である第４面を含む樹脂層であって、前記第３面から前記第４面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む樹脂周囲部と、を含む樹脂層と、
金属材料又はセラミック材料で形成されたレーザ遮光層であって、前記樹脂層の前記第３面に対向する第２面、及び前記第２面の反対側の面である第１面を含み、平面視において前記樹脂層の前記樹脂周囲部に重なる少なくとも１つの周囲部を含むレーザ遮光層と、
前記レーザ遮光層の前記第１面に対向する第５面、前記第５面の反対側の面である第６面、及び、前記第６面から前記第５面に至り、平面視において前記樹脂層の前記樹脂マスク部に重なる少なくとも１つの第２開口を含む支持フレームと、
を備え、
前記支持フレームは無機物を含む、マスク。

【請求項15】

前記支持フレームは、金属材料を含む、請求項１４に記載のマスク。

【請求項16】

前記支持フレームは、前記第６面を形成する第１層と、前記第１層と前記レーザ遮光層との間に位置する第２層と、を含み、
前記第１層は非金属の無機物を含む、請求項１４に記載のマスク。

【請求項17】

前記第２層は、金属材料を含む、請求項１６に記載のマスク。

【請求項18】

前記レーザ遮光層は、窒化チタン、ニッケル又は銅を含む、請求項１４に記載のマスク。

【請求項19】

前記樹脂層の各第１開口は、前記樹脂層の前記第３面から前記第４面に向かってテーパ状であり、
前記支持フレームの各第２開口は、前記支持フレームの前記第５面及び前記第６面の間で膨大する、請求項１４に記載のマスク。

【請求項20】

前記レーザ遮光層は、平面視において前記支持フレームの前記第２開口に重なる遮蔽部を含み、
前記遮蔽部は、平面視において各々が前記樹脂層の前記複数の第１開口に重なる複数の透光穴を含む、請求項１４に記載のマスク。

【請求項21】

請求項１４に記載のマスクを用いて基板に複数の蒸着層を形成する工程を備えた、蒸着層の形成方法。

【請求項22】

請求項１４に記載のマスクを用いて基板に複数の蒸着層を形成する工程を備えた、有機半導体素子の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、マスクの製造方法、マスク、蒸着層の形成方法及び有機半導体素子の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に開示されているように、ポリイミド等の樹脂で作製された樹脂フィルムに貫通孔を形成した蒸着マスクが知られている。蒸着マスクは、例えば有機ＥＬ表示装置を製造する際に、有機ＥＬ素子を構成する有機層や電極を基板上に形成するために用いられる。蒸着マスクの貫通孔の形成は、樹脂フィルムにレーザ加工用マスクを重ね、樹脂フィルムにレーザ加工用マスクを通じてレーザ光を照射することにより行う。蒸着マスクの広い範囲に亘って貫通孔を形成する場合、一回のレーザ光の照射で樹脂フィルムの全面にレーザ光を照射するためには、レーザ光の照射範囲を広げる必要があり、レーザ光のエネルギー密度が下がってしまう。このため、蒸着マスクの広い範囲に亘って貫通孔を形成する場合は、レーザ光の照射範囲を小さく維持したまま、樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置を移動させながら、樹脂フィルムへのレーザ光の照射を複数回行う。樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置の移動は、樹脂フィルムをステージに載せ、ステージ又はレーザ装置の照射ヘッドを移動させることにより行う。このとき、照射位置の移動に応じて、樹脂フィルムに対するレーザ加工用マスクの位置も移動させる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－４２７６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

高精細な、例えば画素数が３０００ｐｐｉ以上の表示装置を作製するための蒸着マスクを作製する場合、樹脂フィルムに対するレーザ加工用マスクの位置を、ナノメートルのオーダーで精度良く調整する必要がある。上述したように樹脂フィルムに対するレーザ加工用マスクの位置を移動させたり、樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置を移動させると、レーザ加工用マスクを樹脂フィルムに対して精度良くアライメントした状態でレーザ光を照射することが困難になる。この結果、蒸着マスクの貫通孔の位置精度が低下する虞がある。このことは、蒸着マスクを用いて基板上に形成された有機層や電極の位置精度の低下に繋がる。

【0005】

このため、マスクの貫通孔の位置精度を向上させることが求められている。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一実施形態によるマスクの製造方法は、金属材料又はセラミック材料で形成されたレーザ遮光層であって、第１面、前記第１面の反対側の面である第２面、及び、前記第１面から前記第２面に至る複数の透光穴を含むレーザ遮光層と、前記レーザ遮光層の前記第２面を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、前記レーザ遮光層の前記第１面に向けて前記積層体にレーザ光を入射させることによって、前記樹脂層に、前記レーザ遮光層の前記複数の透光穴に対応する複数の第１開口を形成するレーザ加工工程と、を備えてもよい。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一実施形態によれば、マスクの貫通孔の位置精度を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す断面図である。

【図2】マスクを備えた蒸着装置の一例を示す図である。

【図3】マスクの一例を示す平面図であって、マスクの一方の面を示す図である。

【図4】図３に示すマスクの他方の面を示す平面図である。

【図5】図３に示すマスクのＶ－Ｖ線に沿った断面を示す図である。

【図6】図５に示すマスクの一部を拡大して示す部分拡大断面図である。

【図7】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図8】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図9】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図10】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図11】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図12】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図13】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図14】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図15】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図16A】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図16B】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図16C】マスクの製造方法を説明するための図である。

【図17】図３に対応する図であって、マスクの変形例を示す図である。

【図18】図１７に示すマスクのＸＶＩＩＩ―ＸＶＩＩＩ線に沿った断面を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

【0010】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

【0011】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

【0012】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

【0013】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

【0014】

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して２つ以上のステップ又はプロセスを開示する場合に、開示されているステップ又はプロセスの間に、開示されていないその他のステップ又はプロセスが実施されてもよい。また、開示されているステップ又はプロセスの順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

【0015】

本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機層又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。

【0016】

本開示の第１の態様は、マスクの製造方法であって、
金属材料又はセラミック材料で形成されたレーザ遮光層であって、第１面、前記第１面の反対側の面である第２面、及び、前記第１面から前記第２面に至る複数の透光穴を含むレーザ遮光層と、前記レーザ遮光層の前記第２面を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
前記レーザ遮光層の前記第１面に向けて前記積層体にレーザ光を入射させることによって、前記樹脂層に、前記レーザ遮光層の前記複数の透光穴に対応する複数の第１開口を形成するレーザ加工工程と、
を備える、マスクの製造方法である。

【0017】

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスクの製造方法において、前記レーザ遮光層は、前記複数の透光穴を含む少なくとも１つの遮蔽部と、平面視において前記遮蔽部を囲む周囲部と、を含んでいてもよく、前記マスクの製造方法は、前記レーザ遮光層の前記遮蔽部を除去する遮蔽部除去工程を備えていてもよい。

【0018】

本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は第２の態様によるマスクの製造方法において、前記樹脂層は、前記レーザ遮光層の前記第２面に対向する第３面と、前記第３面の反対側の面である第４面と、を含んでいてもよく、前記マスクの製造方法は、前記樹脂層の前記第４面を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、前記保護層を除去する保護層除去工程と、を備えていてもよい。

【0019】

本開示の第４の態様は、上述した第１の態様～第３の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法は、前記レーザ遮光層の前記第１面に対向する第５面、及び前記第５面の反対側の面である第６面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、平面視において前記レーザ遮光層の前記複数の透光穴に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備えていてもよい。

【0020】

本開示の第５の態様は、上述した第４の態様によるマスクの製造方法において、積層体準備工程は、前記支持層上に前記レーザ遮光層を形成する工程と、前記レーザ遮光層の前記第２面上に部分的に第１レジスト層を形成する工程と、前記第１レジスト層の側から前記レーザ遮光層をエッチングすることによって前記レーザ遮光層に前記複数の透光穴を形成する工程と、前記第１レジスト層を除去する工程と、を含んでいてもよい。

【0021】

本開示の第６の態様は、上述した第４の態様又は第５の態様によるマスクの製造方法において、前記支持層は、前記第６面を形成する第１層と、前記第１層と前記レーザ遮光層との間に位置する第２層と、を含んでいてもよく、前記支持フレーム形成工程は、前記支持層の前記第６面上に部分的に第２レジスト層を形成する工程と、前記第２レジスト層の側から前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層を部分的に除去する工程と、を含んでいてもよい。

【0022】

本開示の第７の態様は、上述した第６の態様によるマスクの製造方法において、前記支持フレーム形成工程は、前記第１層を部分的に除去する工程の後に、前記第２層を部分的に除去する工程を含んでいてもよい。

【0023】

本開示の第８の態様は、上述した第４の態様～第７の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記支持層は、無機物を含んでいてもよい。

【0024】

本開示の第９の態様は、上述した第４の態様～第８の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記支持層は、金属材料を含んでいてもよい。

【0025】

本開示の第１０の態様は、上述した第６の態様～第９の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記第１層は、非金属の無機物を含んでいてもよい。

【0026】

本開示の第１１の態様は、上述した第６の態様～第９の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記第１層は、非金属の無機物を含んでいてもよく、前記第２層は、金属材料を含んでいてもよい。

【0027】

本開示の第１２の態様は、上述した第１の態様～第１１の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記レーザ遮光層は、窒化チタン、ニッケル又は銅を含んでいてもよい。

【0028】

本開示の第１３の態様は、上述した第１の態様～第１２の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記レーザ遮光層は、真空成膜法またはめっき法により形成されてもよい。

【0029】

本開示の第１４の態様は、マスクであって、
第３面、及び前記第３面の反対側の面である第４面を含む樹脂層であって、前記第３面から前記第４面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む樹脂周囲部と、を含む樹脂層と、
金属材料又はセラミック材料で形成されたレーザ遮光層であって、前記樹脂層の前記第３面に対向する第２面、及び前記第２面の反対側の面である第１面を含み、平面視において前記樹脂層の前記樹脂周囲部に重なる少なくとも１つの周囲部を含むレーザ遮光層と、
前記レーザ遮光層の前記第１面に対向する第５面、前記第５面の反対側の面である第６面、及び、前記第６面から前記第５面に至り、平面視において前記樹脂層の前記樹脂マスク部に重なる少なくとも１つの第２開口を含む支持フレームと、
を備え、
前記支持フレームは無機物を含む、マスクである。

【0030】

本開示の第１５の態様は、上述した第１４の態様によるマスクにおいて、前記支持フレームは、金属材料を含んでいてもよい。

【0031】

本開示の第１６の態様は、上述した第１４の態様又は第１５の態様によるマスクにおいて、前記支持フレームは、前記第６面を形成する第１層と、前記第１層と前記レーザ遮光層との間に位置する第２層と、を含んでいてもよく、前記第１層は非金属の無機物を含んでいてもよい。

【0032】

本開示の第１７の態様は、上述した第１６の態様によるマスクにおいて、前記第２層は、金属材料を含んでいてもよい。

【0033】

本開示の第１８の態様は、上述した第１４の態様～第１７の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記レーザ遮光層は、窒化チタン、ニッケル又は銅を含んでいてもよい。

【0034】

本開示の第１９の態様は、上述した第１４の態様～第１８の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記樹脂層の各第１開口は、前記樹脂層の前記第３面から前記第４面に向かってテーパ状であってもよく、前記支持フレームの各第２開口は、前記支持フレームの前記第５面及び前記第６面の間で膨大してもよい。

【0035】

本開示の第２０の態様は、上述した第１４の態様～第１９の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記レーザ遮光層は、平面視において前記支持フレームの前記第２開口に重なる遮蔽部を含んでいてもよく、前記遮蔽部は、平面視において各々が前記樹脂層の前記複数の第１開口に重なる複数の透光穴を含んでいてもよい。

【0036】

本開示の第２１の態様は、蒸着層の形成方法であって、
上述した第１４の態様～第２０の態様のいずれか１つによるマスクを用いて基板に複数の蒸着層を形成する工程を備えた、蒸着層の形成方法である。

【0037】

本開示の第２２の態様は、有機半導体素子の製造方法であって、
上述した第１４の態様～第２０の態様のいずれか１つによるマスクを用いて基板に複数の蒸着層を形成する工程を備えた、有機半導体素子の製造方法である。

【0038】

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

【0039】

まず、マスクを用いることにより形成される有機層を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。

【0040】

有機デバイス１００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば有機半導体素子である。素子１１５は、例えば画素に対応する。以下の説明において、基板などの基礎となる要素の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。

【0041】

有機デバイス１００は、基板１１０、複数の第１電極１２０、複数の有機層１３０、及び第２電極１４０を備えてもよい。基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。第２面１１２は、第１面１１１の反対側に位置する。

【0042】

複数の第１電極１２０は、第１面１１１上に位置してもよい。複数の有機層１３０は、第１電極１２０上に位置してもよい。第２電極１４０は、有機層１３０上に位置してもよい。第２電極１４０は、平面視において複数の第１電極１２０に重なるように広がっていてもよい。素子１１５は、第１電極１２０、有機層１３０及び第２電極１４０を含む積層構造体によって構成されている。素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。

【0043】

図１に示すように、複数の有機層１３０は、複数の第１有機層１３０Ａと、複数の第２有機層１３０Ｂと、を含んでもよい。図示はしないが、複数の有機層１３０は、複数の第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層に共通する構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。

【0044】

図１に示すように、複数の第１電極１２０は、複数の第１Ａ電極１２０Ａと、複数の第１Ｂ電極１２０Ｂと、を含んでいてもよい。図示はしないが、複数の第１電極１２０は、複数の第１Ｃ電極を含んでいてもよい。第１Ａ電極１２０Ａは、平面視において第１有機層１３０Ａに重なる。第１Ｂ電極１２０Ｂは、平面視において第２有機層１３０Ｂに重なる。第１Ｃ電極は、平面視において第３有機層に重なる。第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ及び第１Ｃ電極に共通する構成を説明する場合には、「第１電極１２０」という用語及び符号を用いる。

【0045】

１つの素子１１５は、少なくとも１つの第１サブ素子１１５Ａと、少なくとも１つの第２サブ素子１１５Ｂと、を含んでもよい。図示はしないが、１つの素子１１５は、少なくとも１つの第３サブ素子を含んでいてもよい。第１サブ素子１１５Ａは、第１Ａ電極１２０Ａ、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む。第２サブ素子１１５Ｂは、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む。第３サブ素子は、第１Ｃ電極、第３有機層及び第２電極１４０を含む。

【0046】

マスクを用いることにより形成される要素は、有機層１３０であってもよく、第２電極１４０であってもよい。マスクを用いることにより形成される要素のことを、蒸着層とも称する。

【0047】

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、平面視において第１電極１２０の端に重なっていてもよい。

【0048】

次に、有機層１３０などの蒸着層を蒸着法によって形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、基板１１０に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。

【0049】

図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク２０を備えてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク２０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

【0050】

マスク２０は、図２に示すように、基板１１０の第１面１１１に対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク２０は、基板１１０の第１面１１１に接していてもよい。マスク２０には、その平面視において規則的に並ぶ複数の貫通孔２１が形成されている。貫通孔２１は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。したがって、貫通孔２１の形状及びパターンが、基板１１０の第１面１１１上に形成される蒸着材料７の層の形状及びパターンに反映される。例えば、マスク２０を有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、貫通孔２１の形状及びパターンが、当該有機層の形状及びパターンに反映される。

【0051】

図２に示すように、蒸着装置１０は、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。マスク２０が金属材料を含む場合、磁石５は、磁力によってマスク２０を基板１１０に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。本願において、シャドウとは、貫通孔２１の壁面の近傍に形成される有機層１３０の厚みが、貫通孔２１の中心に形成される有機層１３０の厚みよりも小さくなる現象である。シャドウは、蒸着材料７がマスク２０の壁面に付着すること、蒸着材料７がマスク２０と基板１１０との間の隙間に入り込むこと、などに起因して生じる。

【0052】

次に、マスク２０について詳細に説明する。図３及び図４は、マスク２０の一例を示す平面図である。図３は、マスク２０の、蒸着源６に対向する面を示している。また、図４は、マスク２０の、基板１１０に対向する面を示している。また、図５は、図３及び図４に示すマスク２０のＶ－Ｖ線に沿った断面を示す断面図である。

【0053】

マスク２０は、複数の貫通孔２１を含む少なくとも１つの貫通孔群２３を含む。１つの貫通孔群２３は、１つの有機デバイス１００に対応する。例えば、１つの有機デバイス１００に含まれる複数の第１有機層１３０Ａは、１つの貫通孔群２３の複数の貫通孔２１を通った蒸着材料によって構成される。図３乃至図５に示すマスク２０は、複数の有機デバイス１００の蒸着層を同時に形成するためのマスクであり、複数の貫通孔群２３を含む。

【0054】

図５に示すように、マスク２０は、複数の第１開口３４が形成された樹脂層３０と、樹脂層３０を支持する支持フレーム５０と、樹脂層３０と支持フレーム５０との間に位置するレーザ遮光層４０と、を備える。以下の説明において、レーザ遮光層４０の支持フレーム５０に対向する面を第１面４１と称し、レーザ遮光層４０の樹脂層３０に対向する面を第２面４２と称する。また、樹脂層３０のレーザ遮光層４０に対向する面を第３面３１と称し、樹脂層３０の第３面３１とは反対側の面を第４面３２と称する。また、支持フレーム５０のレーザ遮光層４０に対向する面を第５面５１と称し、支持フレーム５０の第５面５１とは反対側の面を第６面５２と称する。

【0055】

樹脂層３０は、複数の第１開口３４が形成された樹脂マスク部３６と、樹脂層３０の平面視において樹脂マスク部３６を囲む樹脂周囲部３７と、を含む。図示された例では、樹脂層３０は、複数の樹脂マスク部３６を含む。各樹脂マスク部３６は、樹脂周囲部３７によって囲まれている。各樹脂マスク部３６は、１つの有機デバイス１００に対応する。また、各樹脂マスク部３６の第３面３１は、マスク２０の蒸着源６に対向する面の一部を形成する。また、樹脂層３０の第４面３２は、マスク２０の基板１１０の第１面１１１に対向する面を形成する。

【0056】

樹脂マスク部３６の各第１開口３４は、樹脂層３０を貫通している。言い換えると、第１開口３４は、第３面３１から第４面３２に至る。図示された例では、第１開口３４によって、マスク２０の貫通孔２１が形成されている。1つの樹脂マスク部３６の複数の第１開口３４は、１つの第１開口群３５を形成する。図示された例では、樹脂層３０の１つの第１開口群３５によって、マスク２０の１つの貫通孔群２３が形成されている。

【0057】

上述したように、貫通孔２１の形状及びパターンが、基板１１０上に形成される蒸着材料７の層の形状及びパターンに反映される。したがって、第１開口３４の形状及びパターンは、基板１１０上に形成される蒸着層の形状及びパターンに対応している。

【0058】

樹脂層３０の材料は、特に限定されない。樹脂層３０の材料は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いてもよい。好ましくは、樹脂層３０の材料として、レーザ加工によって高精細な第１開口３４の形成が可能である材料が用いられる。好ましくは、樹脂層３０の材料として、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さい材料が用いられる。好ましくは、樹脂層３０の材料として、軽量な材料が用いられる。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン－メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料のうち、熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましい。上記に例示した材料のうち、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましい。上記に例示した材料のうち、熱膨張係数及び吸湿率の両方の条件を満たす樹脂材料が特に好ましい。これらの樹脂材料を用いて樹脂層を構成することによって、第１開口の寸法精度を向上でき、かつ熱や経時での寸法変化率や吸湿率を小さくできる。

【0059】

樹脂層３０の厚みＴ３０についても特に限定はないが、０．２μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。樹脂層３０の厚みＴ３０をこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等が樹脂層３０に生じるというリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に抑制できる。特に、樹脂層の厚みＴ３０を、０．５μｍ以上４．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上３．５μｍ以下、更に好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下とすることで、例えば画素数が３０００ｐｐｉ以上である有機ＥＬディスプレイのための蒸着層を高精細なパターンで形成する際のシャドウの影響を、より効果的に低減できる。したがって、樹脂層３０の厚みＴ３０は、例えば、０．２μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよく、０．８μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよい。厚みＴ３０は、例えば、３．０μｍ以下でもよく、３．５μｍ以下でもよく、４．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以下でもよい。厚みＴ３０の範囲は、０．２μｍ、０．５μｍ、０．８μｍ及び１．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０は、例えば、０．２μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．８μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上０．８μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、３．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、３．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよい。

【0060】

図５から理解されるように、樹脂マスク部３６の各第１開口３４は、第３面３１から第４面３２に向かってテーパ状である。言い換えると、各第１開口３４の第３面３１及び第４面３２に沿った寸法は、第３面３１から第４面３２に向かって次第に小さくなる。これにより、第１開口３４の壁面の近傍においてシャドウが生じることを抑制できる。テーパ状の第１開口３４は、後述するように、樹脂層３０にレーザ光を入射させることによって形成され得る。なお、各第１開口３２の第４面３２における寸法は、当該第１開口３２に対応する蒸着層の寸法に対応している。図示された例では、各第１開口３２の第３面３１における寸法は、当該第１開口３２に対応する蒸着層の寸法よりも大きい。

【0061】

図６は、図５に示す樹脂マスク部３６の一部を拡大して示す図である。図６において、符号θは、第４面３２と第１開口３４の壁面とが成す角度を表す。角度θは、例えば、５０°以上でもよく、５５°以上でもよく、６０°以上でもよく、６５°以上でもよい。角度θは、９０°未満であり、例えば、７５°以下でもよく、８０°以下でもよく、８５°以下でもよい。角度θの範囲は、５０°、５５°、６０°及び６５°からなる第１グループ、及び／又は、７５°、８０°、８５°及び９０°からなる第２グループによって定められてもよい。角度θの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。角度θの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。角度θは、例えば、５０°以上９０°未満でもよく、５０°以上８５°以下でもよく、５０°以上８０°以下でもよく、５０°以上７５°以下でもよく、５０°以上６５°以下でもよく、５０°以上６０°以下でもよく、５０°以上５５°以下でもよく、５５°以上９０°未満でもよく、５５°以上８５°以下でもよく、５５°以上８０°以下でもよく、５５°以上７５°以下でもよく、５５°以上６５°以下でもよく、５５°以上６０°以下でもよく、６０°以上９０°未満でもよく、６０°以上８５°以下でもよく、６０°以上８０°以下でもよく、６０°以上７５°以下でもよく、６０°以上６５°以下でもよく、６５°以上９０°未満でもよく、６５°以上８５°以下でもよく、６５°以上８０°以下でもよく、６５°以上７５°以下でもよく、７５°以上９０°未満でもよく、７５°以上８５°以下でもよく、７５°以上８０°以下でもよく、８０°以上９０°未満でもよく、８０°以上８５°以下でもよく、８５°以上９０°未満でもよい。

【0062】

図５に示すように、レーザ遮光層４０は、樹脂層３０の第３面３１に設けられている。レーザ遮光層４０の第２面４２は、樹脂層３０の第３面３１に対向している。レーザ遮光層４０は、樹脂層３０の樹脂周囲部３７の第３面３１の少なくとも一部を覆っている。図示された例では、レーザ遮光層４０は、樹脂層３０の樹脂周囲部３７の第３面３１の全てを覆っている。また、図示された例では、レーザ遮光層４０は、その平面視において、樹脂層３０の樹脂マスク部３６に重なる少なくとも１つの第３開口４８を有する。第３開口４８は、レーザ遮光層４０を貫通している。言い換えると、レーザ遮光層４０は第１面４１から第２面４２に至る。図示された例では、レーザ遮光層４０は、その平面視において、樹脂層３０の複数の樹脂マスク部３６に重なる複数の第３開口４８を有する。レーザ遮光層４０から樹脂層３０に向かう方向に見て、レーザ遮光層４０は、複数の樹脂マスク部３６をそれぞれ囲んでいる。

【0063】

以下では、レーザ遮光層４０のうち、レーザ遮光層４０の平面視において樹脂層３０の樹脂周囲部３７に重なる部分を、周囲部４７とも称する。レーザ遮光層４０は、少なくとも１つの周囲部４７を含む。図３乃至図５に示す例では、レーザ遮光層４０は、周囲部４７から成る。

【0064】

レーザ遮光層４０は、レーザ光を遮蔽可能な材料で形成される。レーザ遮光層４０は、例えば、金属材料、セラミックス又はその他の無機化合物からなる。レーザ遮光層４０は、例えば、窒化チタンを含むセラミック材料や、ニッケル又は銅を含む金属材料で形成される。ニッケルを含む金属材料の具体例は、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などである。
レーザ遮光層４０に含まれる無機元素は、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、金（Au）、コバルト（Co）、クロム（Cr）、鉄（Fe）、ゲルマニウム（Ge）、イリジウム（Ir）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）、パラジウム（Pd）、ルテニウム（Ru）、アンチモン（Sb）、ケイ素（Si）、スズ（Sn）、タンタル（Ta）、チタン（Ti）、タングステン（W）などである。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素を２種以上含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を２種以上含んでもよい。２種以上の無機元素、２種以上の化合物又は合金は、混合された状態で無機層４０に含まれてもよく、積層された状態で無機層４０に含まれてもよい。
無機元素の化合物又は合金は、アルミ・ネオジム合金（Al-Nd）、酸化アルミニウム（Al₂O₃）、アルミニウム銅合金（Al-Cu）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム・シリコン化合物（AlSi）、アルミニウム・シリコン合金（Al-Si）、アルミニウム・シリコン・銅合金（Al-Si-Cu）、窒化ホウ素（BN）、酸化セリウム（CeO₂）、酸化クロム（Cr₂O₃）、酸化インジウムスズ（ITO）、酸化インジウム亜鉛（IZO）、マグネシウム（Mg）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化モリブデン（MoO₃）、硫化モリブデン（MoS）、ニッケル・クロム合金（Ni-Cr）、ニッケル・鉄化合物（NiFe）、多結晶シリコン（Poly-Si）、白金（Pt）、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、窒化ケイ素（Si₃N₄）、炭化ケイ素（SiC）、シリコン・ゲルマニウム合金（Si-Ge）、窒化ケイ素（SiN）、二酸化ケイ素（SiO₂）、酸窒化ケイ素（SiON）、五酸化タンタル（Ta₂O₅）、窒化タンタル（TaN）、炭化チタン（TiC）、チタン・ニッケル合金又はチタン・ニッケル化合物(Ti-Ni)、二酸化チタン（TiO₂）、チタン・タングステン合金又はチタン・タングステン化合物（Ti-W）、タングステン・ケイ素合金又はタングステン・ケイ素化合物（W-Si）、酸化イットリウム（Y₂O₃）、YBCO（YBa₂Cu₃O₇）、亜鉛（Zn）、酸化亜鉛（ZnO）、窒化ジルコニウム（ZrN）、二酸化ジルコニウム（ZrO₂）などである。

【0065】

レーザ遮光層４０の厚みＴ４０については、特に限定はない。レーザ遮光層４０の厚みＴ４０は、例えば０．５μｍ以上である。セラミック材料や金属材料で形成されたレーザ遮光層４０をレーザアブレーション加工するためには、レーザ遮光層４０に入射するレーザ光のフルエンスは、例えば４Ｊ/ｍ^２以上である必要がある。これに対し、樹脂層３０を加工するためには、樹脂層３０に入射するレーザ光のフルエンスは、上述したフルエンスの１／１０以下である０．４Ｊ/ｍ^２程度でよい。そのため、レーザ遮光層４０の厚みが０．５μｍ以上であれば、後述するレーザ加工工程でレーザ遮光層４０がレーザ光Ｌによって破断したり変形する虞が効果的に低減される。後述するレーザ加工工程でレーザ遮光層４０が破断したり変形する虞が更に効果的に低減されるよう、厚みＴ４０は、１．０μｍ以上であることがより好ましく、１．２μｍ以上であることが更に好ましく、１．５μｍ以上であることが特に好ましい。その一方で、後述するレーザ加工工程で樹脂層３０の第１開口３４を高精細に形成する観点から、レーザ遮光層４０の厚みＴ４０は、１０．０μｍ以下であることが好ましく、８．０μｍ以下であることがより好ましく、７．０μｍ以下であることがより好ましく、６．０μｍ以下であることが特に好ましい。したがって、厚みＴ４０は、例えば、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよく、１．２μｍ以上でもよく、１．５μｍ以上でもよい。厚みＴ４０は、例えば、６．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以下でもよく、１０．０μｍ以下でもよい。厚みＴ４０の範囲は、０．５μｍ、１．０μｍ、１．２μｍ及び１．５μｍからなる第１グループ、及び／又は、６．０μｍ、７．０μｍ、８．０μｍ及び１０．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ４０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０は、例えば、０．５μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．２μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１．２μｍ以下でもよく、１．２μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、１．２μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、１．２μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、１．２μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、１．２μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよい。

【0066】

レーザ遮光層４０の第３開口４８は、第１面４１及び第２面４２の間で膨大してもよい。言い換えると、第３開口４８の壁面は、レーザ遮光層４０の面方向に窪む凹部を有してもよい。このような第３開口４８は、後述するように、レーザ遮光層４０をエッチングする際のサイドエッチングに起因して形成され得る。

【0067】

支持フレーム５０は、レーザ遮光層４０の第１面４１に設けられている。支持フレーム５０の第５面５１は、レーザ遮光層４０の第１面４１に対向している。支持フレーム５０の第６面５２は、マスク２０の蒸着源６に対向する面の一部を形成する。この支持フレーム５０は、樹脂層３０及びレーザ遮光層４０を支持する。

【0068】

図示された例では、支持フレーム５０は、樹脂層３０が撓まないように、樹脂層３０を、その面方向に引っ張った状態で支持する。支持フレーム５０は、樹脂層３０の樹脂周囲部３７の第３面３１の少なくとも一部を覆っている。図示された例では、支持フレーム５０は、樹脂層３０の樹脂周囲部３７の第３面３１の全てを覆っている。また、支持フレーム５０は、その平面視において、樹脂層３０の樹脂マスク部３６に重なる少なくとも１つの第２開口５４を有する。第２開口５４は、支持フレーム５０を貫通している。言い換えると、第２開口５４は、第６面５２から第５面５１に至る。図示された例では、支持フレーム５０は、平面視において、樹脂層３０の複数の樹脂マスク部３６に重なる複数の第２開口５４を有する。支持フレーム５０から樹脂層３０に向かう方向に見て、支持フレーム５０は、複数の樹脂マスク部３６をそれぞれ囲んでいる。また、第２開口５４は、平面視においてレーザ遮光層４０の第３開口４８と重なっている。平面視において支持フレーム５０の第２開口５４及びレーザ遮光層４０の第３開口４８が樹脂マスク部３６に重なっていることにより、マスク２０を支持フレーム５０から樹脂層３０に向かう方向に見て、樹脂マスク部３６の第３面３１が第２開口５４及び第３開口４８内に露出している。

【0069】

支持フレーム５０は、複数の層を含んでいてもよい。図５に示す例では、支持フレーム５０は、第６面５２を形成する第１層５５と、第１層５５とレーザ遮光層４０との間に位置する第２層５６とを含んでいる。図示された例では、第２層５６は、支持フレーム５０の第５面５１を形成する。言い換えると、第２層５６とレーザ遮光層４０とは隣接している。また、図示された例では、第２層５６は、第１層５５上に形成されている。言い換えると、第１層５５と第２層５６とは隣接している。支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５及び第２層５６は、それぞれ、第２開口５４に対応する第１層開口５４ａ及び第２層開口５４ｂを含む。この場合、第１層開口５４ａと第２層開口５４ｂとは、互いに接続している。このような第１層開口５４ａと第２層開口５４ｂによって、支持フレーム５０を貫通する第２開口５４が形成される。

【0070】

支持フレーム５０の材料について特に限定はない。支持フレーム５０は、例えば、無機物を含む材料で形成される。支持フレーム５０の材料として、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳ、インバー材、セラミック材料などを用いてもよい。金属製の支持フレーム５０は、変形等の影響が小さいという点で好ましい。

【0071】

支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５は、非金属の無機物を含んでいてもよい。また、第２層５６は、金属材料を含んでいてもよい。後述するように、第１層開口５４ａがエッチャントで第１層５５をエッチングすることにより形成される場合、第２層５６は、当該エッチャントに対する耐性を有する材料で形成されてよい。この場合、第２層５６は、第１層５５のエッチングをストップさせるストッパ層として機能してもよい。第２層５６は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン又はチタン合金を含んでいてもよい。

【0072】

支持フレーム５０の厚みＴ５０についても特に限定はない。好ましくは、支持フレーム５０の厚みＴ５０は、剛性等の点から０．３ｍｍ以上７０．０ｍｍ以下程度である。

【0073】

図５に示すように、支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５の厚みＴ５５は、例えば、２０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、５００μｍ以上でもよく、１０００μｍ以上でもよい。厚みＴ５５は、例えば、２０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以下でもよく、４０００μｍ以下でもよく、５０００μｍ以下でもよい。厚みＴ５５の範囲は、２０μｍ、１００μｍ、５００μｍ及び１０００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０００μｍ、３０００μｍ、４０００μｍ及び５０００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５は、例えば、２０μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、４０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよい。

【0074】

また、この場合、第２層５６の厚みＴ５６は、第１層５５をエッチングする工程においてレーザ遮光層４０及び樹脂層３０がエッチングされることを抑制できる限り、特には限定されない。例えば、厚みＴ５６は、レーザ遮光層４０及び樹脂層３０の厚みよりも小さくてもよく、レーザ遮光層４０及び樹脂層３０の厚み以上でもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．０５μｍ以上でもよく、０．１０μｍ以上でもよく、０．１５μｍ以上でもよく、０．２０μｍ以上でもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以下でもよい。厚みＴ５６の範囲は、０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．１５μｍ及び０．２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、０．５μｍ、１．０μｍ、２．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．１０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．１５μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよい。第１層５５用のエッチャントに対する第２層５６の耐性が高いほど、厚みＴ５６を小さくできる。

【0075】

支持フレーム５０の各第２開口５４は、第５面５１及び第６面５２の間で膨大してもよい。言い換えると、第２開口５４の壁面は、マスク２０の面方向に窪む凹部を有してもよい。このような第２開口５４は、後述するように、支持フレーム５０を形成する材料で形成された支持層５７をエッチングする際のサイドエッチングに起因して形成され得る。支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層開口５４ａは、第６面５２と第２層５６に対向する面との間で膨大してもよい。また、第２層開口５４ｂは、第１層５５に対向する面とレーザ遮光層４０に対向する面との間で膨大してもよい。

【0076】

なお、マスク２０は、支持フレーム５０を含んでいなくてもよい。

【0077】

各層の厚み、各構成要素の寸法、間隔などは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク２０の断面の画像を観察することによって測定できる。

【0078】

次に、マスク２０を製造する方法について説明する。まず、支持層準備工程を実施する。具体的には、図７に示すように、レーザ遮光層４０及び樹脂層３０を支持する支持層５７を準備する。支持層５７は、支持フレーム５０を形成する材料で形成される。図示された例では、まず、第１層５５を構成する基材を準備する。続いて、第１層５５の一方の面上に第２層５６を形成する。第２層５６は、第１層５５の当該一方の面の全面に形成されてよい。第２層５６は、第１層５５用のエッチャントに対する耐性を有する材料により形成される。第２層５６は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法によって形成されてもよい。以上により、支持層５７が形成される。

【0079】

続いて、積層体準備工程を実施する。具体的には、レーザ遮光層４０及び樹脂層３０を含む積層体２５を準備する。図示された例では、まず、図８に示すように、支持層５７の第５面５１上にレーザ遮光層４０を形成する。レーザ遮光層４０は、第５面５１の全面に形成されてよい。レーザ遮光層４０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法や、めっき法により形成されてよい。レーザ遮光層４０は、支持層５７に対向する第１面４１と、第１面４１の反対側の面である第２面４２と、を有する。

【0080】

続いて、図９に示すように、レーザ遮光層４０の第２面４２上に、第１レジスト層６０を部分的に形成する。第１レジスト層６０は、複数の第１レジスト開口６１を有する。第１レジスト開口６１は、樹脂層３０の複数の第１開口３４に対応して形成される。言い換えると、第１レジスト開口６１の形状及びパターンは、第１開口３４の形状及びパターンに対応している。さらに、各第１レジスト開口６１の寸法は、対応する第１開口３４の第３面における寸法に対応している。第１レジスト層６０は、公知の方法により形成されてよい。具体的には、第１レジスト層６０を形成するための材料である第１レジスト層材料を準備し、これをレーザ遮光層４０の第２面４２上に部分的に塗工する。続いて、第２面４２上の第１レジスト層材料を露光し、この第１レジスト層材料を現像する。これにより、複数の第１レジスト開口６１を有する第１レジスト層６０が形成される。

【0081】

続いて、図１０に示すように、第１レジスト層６０の側からレーザ遮光層４０をエッチングして、レーザ遮光層４０を部分的に除去する。レーザ遮光層４０のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。エッチングガスおよびエッチング液は、上述のエッチャントの一例である。レーザ遮光層４０を部分的に除去することにより、レーザ遮光層４０に複数の透光穴４４が形成される。各透光穴４４は、第１面４１から第２面４２に至る。上述したように第１レジスト開口６１が樹脂層３０の複数の第１開口３４に対応して形成されているため、複数の透光穴４４は、複数の第１開口３４に対応して形成される。言い換えると、透光穴４４の形状及びパターンは、第１開口３４の形状及びパターンに対応している。上述したように、第１開口３４の形状及びパターンは、基板１１０上に形成される蒸着層の形状及びパターンに対応している。このため、透光穴４４の形状及びパターンは、基板１１０上に形成される蒸着層の形状及びパターンに対応している。また、レーザ遮光層４０の平面視における各透光穴４４の寸法は、対応する第１開口３４の第３面３１における寸法に対応している。後で参照する図１６Ａから理解されるように、レーザ遮光層４０の平面視における各透光穴４４の寸法は、対応する第１開口３４の第４面３２における寸法よりも大きい。このため、レーザ遮光層４０の平面視における各透光穴４４の寸法は、対応する第１開口３４に対応する蒸着層の寸法よりも大きい。

【0082】

図１０に示すように、レーザ遮光層４０は、樹脂マスク部３６の第３面３１を覆う遮蔽部４６と、レーザ遮光層４０の平面視において遮蔽部４６を囲む周囲部４７と、を含む。図示された例では、レーザ遮光層４０は、複数の樹脂マスク部３６に対応する複数の遮蔽部４６を含む。各遮蔽部４６は、複数の透光穴４４を含む。各遮蔽部４６の複数の透光穴４４は、第３開口群４５を形成する。第３開口群４５は、上述した樹脂層３０の第１開口群３５に対応する。レーザ遮光層４０に透光穴４４を形成した後、レーザ遮光層４０から第１レジスト層６０を除去する。第１レジスト層６０は、例えば、レジスト処理液を用いて除去できる。

【0083】

続いて、図１１に示すように、レーザ遮光層４０の第２面４２上に樹脂層３０を形成する。樹脂層３０は、例えば、スピンコート法などのコーティング法によって形成されてもよい。樹脂層３０は、レーザ遮光層４０の第２面４２を覆うように形成される。樹脂層３０は、レーザ遮光層４０の第２面４２において、透光穴４４を覆うように形成される。樹脂層３０は、第２面４２の全面に形成されてよい。樹脂層３０の一部によって透光穴４４が埋められてもよい。樹脂層３０は、レーザ遮光層４０の第２面に対向する第３面３１と、第３面３１の反対側の面である第４面３２と、を含む。

【0084】

樹脂層３０の材料をレーザ遮光層４０上にコーティングした後、樹脂層３０を加熱する加熱工程を実施してもよい。これにより、樹脂層３０を固化させることができる。例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸をレーザ遮光層４０上にコーティングした後、加熱工程を実施することにより、イミド化反応を生じさせることができる。これにより、ポリイミドを含む樹脂層３０を形成できる。

【0085】

以上により、複数の透光穴４４を含むレーザ遮光層４０とレーザ遮光層４０の第２面４２を覆う樹脂層３０とを含む積層体２５が、形成される。

【0086】

続いて、保護層形成工程を実施する。具体的には、図１２に示すように、積層体２５に樹脂層３０を保護するための保護層６３を形成する。保護層６３は、樹脂層３０の第４面３２に形成される。保護層６３を形成する材料は、樹脂層３０を保護することができる限りにおいて、特に限定されない。保護層６３は、レーザ遮光層４０を形成する材料と同じ材料で形成されてよい。保護層６３は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法により形成されてよい。保護層６３の厚みは、樹脂層３０を保護することができる限りにおいて、特に限定されない。保護層６３の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であってよく、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。

【0087】

続いて、支持フレーム形成工程を実施する。具体的には、支持層５７から支持フレーム５０を形成する。図示された例では、図１３に示すように、支持層５７の第６面５２に、第２レジスト層６５を部分的に形成する。第２レジスト層６５は、第２レジスト開口６６を有する。第２レジスト開口６６は、支持フレーム５０の第２開口５４に対応して形成される。図示された例では、支持フレーム５０に複数の第２開口５４が形成されるよう、第２レジスト層６５は、複数の第２レジスト開口６６を有する。第２レジスト層６５は、公知の方法により形成されてよい。具体的には、第２レジスト層６５を形成するための材料である第２レジスト層材料を準備し、これを支持層５７の第６面５２上に部分的に塗工する。続いて、第６面５２上の第２レジスト層材料を露光し、この第２レジスト層材料を現像する。これにより、支持層５７の第６面５２上に、第２レジスト開口６６を有する第２レジスト層６５が形成される。

【0088】

続いて、図１４に示すように、第２レジスト層６５の側から支持層５７の第１層５５をエッチングし、第１層５５を部分的に除去する。これにより、図１４に示すように、第１層５５に、第１層開口５４ａが形成される。第１層５５のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。エッチングガスは、上述のエッチャントの一例である。第２層５６がエッチャントに対する耐性を有するので、図１４に示すように、エッチングがレーザ遮光層４０及び樹脂層３０まで進行することを抑制できる。

【0089】

続いて、図１５に示すように、第２層５６をエッチングして、第２層５６を部分的に除去する。これにより、第２層５６に第２層開口５４ｂが形成される。第２層５６のエッチングは、第１層開口５４ａに第２層５６用のエッチャントを供給することにより行ってよい。これにより、第１層開口５４ａに接続した第２層開口５４ｂが形成される。第２層５６のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。

【0090】

第１層開口５４ａが第２層開口５４ｂに接続されることにより、支持層５７を貫通する第２開口５４が形成される。この結果、レーザ遮光層４０の遮蔽部４６の第１面４１が、第２開口５４内に露出する。第２開口５４は、支持フレーム５０の平面視において、遮蔽部４６の複数の透光穴４４に重なる。一方で、周囲部４７は、支持層５７に覆われたままである。第１層開口５４ａを形成した後、或いは第２層開口５４ｂを形成した後、第２レジスト層６５を除去する。第２レジスト層６５は、例えば、レジスト処理液を用いて除去できる。以上により、支持フレーム５０が形成される。

【0091】

続いて、レーザ加工工程を実施する。具体的には、図１６Ａに示すように、レーザ遮光層４０の遮蔽部４６の第１面４１に向けて、積層体２５にレーザ光Ｌを入射させる。レーザ光Ｌは、支持フレーム５０の第２開口５４及び遮蔽部４６の透光穴４４を通じて、樹脂層３０に入射する。これにより、樹脂層３０に、複数の透光穴４４に対応する複数の第１開口３４が形成され、レーザ遮光層４０の第３開口群４５と重なる第１開口群３５が形成される。レーザ光Ｌが樹脂層３０の第３面３１に入射することで、各第１開口３４は、第３面３１から第４面３２に向かってテーパ状に形成される。

【0092】

レーザ光Ｌを発光するレーザ装置としては、波長２４８ｎｍのレーザ光を発光するＫｒＦのエキシマレーザや、波長３５５ｎｍのレーザ光を発光するＹＡＧレーザなどを使用できる。

【0093】

レーザ加工工程は、例えば、次のように実施される。まず、支持フレーム５０が形成された積層体２５をステージに載せる。このとき、支持フレーム５０がステージとは反対の側を向くように、積層体２５をステージに載せる。次に、レーザ遮光層４０の遮蔽部４６の第１面４１に向けて、レーザ装置から積層体２５にレーザ光Ｌを照射する。これにより、樹脂層３０に、遮蔽部４６に形成された複数の透光穴４４に重なる複数の第１開口３４が、形成される。

【0094】

レーザ光Ｌのビーム形状は、任意の形状であってよい。図１６Ｂに示す例では、レーザ光Ｌのビーム形状は矩形である。これに対応して、図１６Ｂに示す例では、レーザ光Ｌのレーザ遮光層４０上での照射領域ＬＡの形状も、矩形である。図１６Ｃに示す例では、レーザ光Ｌのビーム形状はライン状である。これに対応して、図１６Ｃに示す例では、レーザ光Ｌのレーザ遮光層４０上での照射領域ＬＡの形状も、ライン状である。図１６Ｂ及び図１６Ｃに示す例では、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡの大きさは、遮蔽部４６に入射するレーザ光Ｌのエネルギー密度が、樹脂層３０に第１開口３４を効率よく形成するのに十分な大きさになるように、決定されている。遮蔽部４６に入射するレーザ光Ｌのエネルギー密度が低すぎると、樹脂層３０に第１開口３４を効率よく形成することができない。ここで、遮蔽部４６に入射するレーザ光Ｌのエネルギー密度は、レーザ光Ｌのレーザ遮光層４０上での照射領域ＬＡが広がるほど、低下する。このため、図示された例では、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡの大きさは、当該照射領域ＬＡがレーザ遮光層４０の一部の領域のみを含むことができる大きさである。このようにレーザ光Ｌの照射領域ＬＡの大きさを決定しても、レーザ遮光層４０におけるレーザ光Ｌの入射位置を変更することで、遮蔽部４６の全ての領域にレーザ光を照射することができる。ただし、レーザ遮光層４０におけるレーザ光Ｌの照射領域ＬＡの大きさは、当該照射領域ＬＡが少なくとも１つの透光穴４４を含むことができる大きさであることが好ましい。また、レーザ遮光層４０におけるレーザ光Ｌの照射領域ＬＡの大きさは、当該照射領域ＬＡが隣り合う複数の透光穴４４を含むことができる大きさであることがさらに好ましい。この場合、樹脂層３０に第１開口３４を効率良く形成することができる。

【0095】

なお、レーザ光Ｌの入射位置は、レーザ装置の照射ヘッド又はステージを移動させることにより、変更することができる。

【0096】

レーザ光Ｌの照射は、間欠的に行われてもよいし、連続的に行われてもよい。また、レーザ光Ｌの入射位置の変更も、間欠的に行われてもよいし、連続的に行われてもよい。

【0097】

図１６Ｂに示す例では、レーザ光Ｌの照射及び入射位置の変更を、間欠的に行う。より具体的には、図１６Ｂに示す例では、レーザ光Ｌのレーザ遮光層４０上での照射領域ＬＡの大きさは、隣り合う２つの透光穴４４を含むことができる大きさである。そして、次のようにしてレーザ光Ｌの照射及び入射位置の変更を行う。まず、レーザ遮光層４０上におけるレーザ光Ｌの入射位置を、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡが２つの透光穴４４を含むように決定する。次に、この２つの透光穴４４にレーザ光Ｌを所定時間だけ照射する。次に、レーザ光Ｌの照射を止める。次に、レーザ遮光層４０上におけるレーザ光Ｌの入射位置を変更する。このとき、レーザ光Ｌの入射位置を、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡが他の２つの透光穴４４を含むように決定する。レーザ光Ｌの入射位置は、例えば、図１６Ｂに示す矢印に沿って変更される。次に、この他の２つの透光穴４４にレーザ光Ｌを所定時間だけ照射する。次に、レーザ光Ｌの照射を止める。このように、レーザ光Ｌの入射位置の決定又は変更と、レーザ光Ｌの照射を繰り返すことで、遮蔽部４６の全ての領域にレーザ光を照射することができる。

【0098】

図１６Ｃに示す例では、レーザ光Ｌの照射及び入射位置の変更を、連続的に行う。より具体的には、図１６Ｃに示す例では、レーザ光Ｌのレーザ遮光層４０上での照射領域ＬＡはライン状であり、その長さは、当該照射領域ＬＡが複数の遮蔽部４６に亘って延びることができる長さである。そして、次のようにしてレーザ光Ｌの照射及び入射位置の変更を行う。まず、レーザ遮光層４０上におけるレーザ光Ｌの入射位置を、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡがレーザ遮光層４０の縁部の近傍において複数の遮蔽部４６が並ぶ方向に沿って延びるように、且つ、複数の遮蔽部４６に亘って延びるように決定する。次に、レーザ光Ｌの照射を開始し、レーザ遮光層４０にレーザ光Ｌを照射し続けたまま、レーザ光Ｌの入射位置を一定の速度で移動させる。入射位置の移動は、図１６Ｃに矢印で示すように、レーザ光Ｌの照射領域ＬＡが延びる方向と垂直な方向に沿って行う。このように、レーザ光Ｌの入射位置を徐々に移動させながらレーザ光Ｌをレーザ遮光層４０に照射し続けることで、遮蔽部４６の全ての領域にレーザ光を照射することができる。

【0099】

本実施の形態では、樹脂層３０に第１開口３４を形成するためのレーザ加工用マスクとして機能するレーザ遮光層４０が樹脂層３０と共に積層体２５を構成した状態で、樹脂層３０のレーザ加工が実施される。このため、レーザ光Ｌの入射位置を変更する過程で樹脂層３０に対するレーザ加工用マスクの位置ずれが生じることが防止される。また、積層体３０にレーザ加工用マスクとしてのレーザ遮光層４０が含まれているため、樹脂層３０に対してレーザ加工用マスクを位置合わせする必要も無い。この結果、レーザ加工工程中にレーザ加工用マスクの樹脂層３０に対する位置がずれてマスク２０の貫通孔２１の位置精度が低下する、ということが防止される。

【0100】

続いて、遮蔽部除去工程を実施する。具体的には、レーザ遮光層４０のうち、第２開口５４内に露出した部分、すなわち遮蔽部４６をエッチングする。これにより、レーザ遮光層４０に第３開口４８が形成される。遮蔽部４６のエッチングは、第２開口５４にレーザ遮光層４０用のエッチャントを供給することにより行ってよい。これにより、第２開口５４に接続した第３開口４８が形成される。遮蔽部４６のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。第２開口５４が第３開口４８に接続されることにより、樹脂層３０の樹脂マスク部３６が、第２開口５４及び第３開口３８内に露出する（図３参照）。遮蔽部４６のエッチングによって、支持層５７をエッチングする際に遮蔽部４６に付着した残留物を、遮蔽部４６と共に除去することができる。なお、周囲部４７は、支持フレーム５０と樹脂層３０とによって覆われているため遮蔽部除去工程で除去されず、支持フレーム５０と樹脂層３０との間に残る。

【0101】

また、保護層除去工程を実施する。保護層除去工程では、保護層６３を除去する。保護層６３は、例えば、エッチングにより除去できる。保護層６３のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。保護層６３は、レーザ遮光層４０をエッチングするエッチャントによって、レーザ遮光層４０と共に除去されてもよい。言い換えると、遮蔽部除去工程と保護層除去工程が同時に実施されてもよい。さらに言い換えると、遮蔽部除去工程において保護層６３が除去されてもよい。この場合、保護層６３は、レーザ遮光層４０と同じ材料で形成されることが好ましい。

【0102】

以上により、貫通孔２１が形成されたマスク２０が製造される。

【0103】

上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。

【0104】

上述の実施の形態においては、遮蔽部除去工程でレーザ遮光層４０の遮蔽部４６が除去され、この結果、マスク２０が遮蔽部４６を含まない例を示した。しかしながら、図１７及び図１８に示すように、マスク２０は遮蔽部４６を有していてもよい。言い換えると、マスク２０の製造工程において、遮蔽部除去工程は実施されなくてもよい。この場合、マスク２０の貫通孔２１は、互いに連続する第１開口３４と透光穴４４とによって形成される。マスク２０が遮蔽部４６を含むことにより、図２に示すように、蒸着装置１０内において、遮蔽部４６を磁力によって磁石５に向けて引き寄せることができ、したがって、樹脂マスク部３６を磁石５に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０の貫通孔２１が設けられた領域と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。

【0105】

マスク２０が遮蔽部４６を含む場合、レーザ遮光層４０の厚みＴ４０と樹脂層３０の厚みＴ３０との和は、例えば、２．０μｍ以上でもよく、２．５μｍ以上でもよく、３．０μｍ以上でもよく、４．０μｍ以上でもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和は、例えば、６．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以下でもよく、１０．０μｍ以下でもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ及び４．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、６．０μｍ、７．０μｍ、８．０μｍ及び１０．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和は、例えば、２．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよい。これにより、例えば画素数が３０００ｐｐｉ以上である有機ＥＬディスプレイのための蒸着層を高精細なパターンで形成する際のシャドウの影響を、より効果的に低減できる。

【0106】

また、マスク２０が遮蔽部４６を含む場合、保護層６３の材料として、レーザ遮光層４０の材料とは異なる材料が選択されることが好ましい。より具体的には、保護層６３をエッチングする際のエッチャントによってレーザ遮光層４０が除去されることのないよう、保護層６３の材料を選択することが好ましい。

【符号の説明】

【0107】

５ 磁石
６ 蒸着源
７ 蒸着材料
８ ヒータ
１０ 蒸着装置
２０ マスク
２１ 貫通孔
２５ 積層体
３０ 樹脂層
３１ 第３面
３２ 第４面
３４ 第１開口
３６ 樹脂マスク部
３７ 樹脂周囲部
４０ レーザ遮光層
４１ 第１面
４２ 第２面
４４ 透光穴
４６ 遮蔽部
４７ 周囲部
５０ 支持フレーム
５１ 第５面
５２ 第６面
５４ 第２開口
５５ 第１層
５６ 第２層
６０ 第１レジスト層
６３ 保護層
６５ 第２レジスト層
１００ 有機デバイス
１１０ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16A】

【図16B】

【図16C】

【図17】

【図18】