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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024050251
(43)【公開日】2024-04-10
(54)【発明の名称】マスクの製造方法及びマスク
(51)【国際特許分類】
C23C 14/04 20060101AFI20240403BHJP
【ＦＩ】
C23C14/04 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】24
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022156999
(22)【出願日】2022-09-29
(71)【出願人】
【識別番号】000002897
【氏名又は名称】大日本印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100127465
【弁理士】
【氏名又は名称】堀田 幸裕
(74)【代理人】
【識別番号】100158964
【弁理士】
【氏名又は名称】岡村 和郎
(72)【発明者】
【氏名】川崎 博司
(72)【発明者】
【氏名】小幡 勝也
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029BA62
4K029BC07
4K029BD01
4K029HA01
4K029HA02
4K029HA03
4K029HA04
(57)【要約】 （修正有）
【課題】蒸着マスクの貫通孔の位置精度を向上させる、マスクの製造方法及びマスクを提供する。
【解決手段】マスクの製造方法は、無機第１面４１、無機第１面の反対側の面である無機第２面４２、及び、無機第１面から無機第２面に至る複数の無機開口４４を含む無機層４０と、無機第２面を覆う樹脂層３０と、を含む積層体２５を準備する積層体準備工程と、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに無機第１面をさらすことによって、樹脂層に、複数の無機開口に対応する複数の第１開口３４を形成する第１ドライエッチング工程と、を備える。第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む。
【選択図】図１６
【解決手段】マスクの製造方法は、無機第１面４１、無機第１面の反対側の面である無機第２面４２、及び、無機第１面から無機第２面に至る複数の無機開口４４を含む無機層４０と、無機第２面を覆う樹脂層３０と、を含む積層体２５を準備する積層体準備工程と、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに無機第１面をさらすことによって、樹脂層に、複数の無機開口に対応する複数の第１開口３４を形成する第１ドライエッチング工程と、を備える。第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む。
【選択図】図１６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含み、金属又はセラミックスからなる無機層と、前記無機第２面及び前記複数の無機開口を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第１面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法。
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第１面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法。
【請求項2】
前記樹脂層は、前記無機第２面に対向する樹脂第１面と、前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面と、前記第１開口に面する樹脂壁面と、を含み、
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下である、請求項１に記載のマスクの製造方法。
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下である、請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項3】
前記マスクの製造方法は、
前記無機第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を含み、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記複数の無機開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、前記支持フレーム形成工程の後に実施される、請求項１に記載のマスクの製造方法。
前記無機第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を含み、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記複数の無機開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、前記支持フレーム形成工程の後に実施される、請求項１に記載のマスクの製造方法。
【請求項4】
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、異方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法。
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、異方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法。
【請求項5】
前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有し、
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９以上１．１以下である、請求項４に記載のマスクの製造方法。
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９以上１．１以下である、請求項４に記載のマスクの製造方法。
【請求項6】
前記マスクの製造方法は、
前記樹脂第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備える、請求項４に記載のマスクの製造方法。
前記樹脂第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備える、請求項４に記載のマスクの製造方法。
【請求項7】
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記樹脂第１面をさらすことによって、前記樹脂層の厚みを減少させる第２ドライエッチング工程と、を備える、マスクの製造方法。
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記樹脂第１面をさらすことによって、前記樹脂層の厚みを減少させる第２ドライエッチング工程と、を備える、マスクの製造方法。
【請求項8】
前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む、請求項７に記載のマスクの製造方法。
【請求項9】
前記樹脂第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、
平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備える、請求項７に記載のマスクの製造方法。
平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備える、請求項７に記載のマスクの製造方法。
【請求項10】
平面視において前記支持層に重なる前記樹脂層の部分の厚みは、平面視において前記第２開口に重なる前記樹脂層の部分の厚みよりも大きい、請求項９に記載のマスクの製造方法。
【請求項11】
前記支持層は、前記支持第１面を形成する第１層と、前記第１層と前記積層体との間に位置する第２層と、を含み、
前記支持フレーム形成工程は、
前記支持層の前記支持第１面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層を部分的に除去する工程と、を含む、請求項３、６又は９に記載のマスクの製造方法。
前記支持フレーム形成工程は、
前記支持層の前記支持第１面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、
前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層を部分的に除去する工程と、を含む、請求項３、６又は９に記載のマスクの製造方法。
【請求項12】
前記第１層は、非金属の無機物を含み、
前記第２層は、金属材料を含む、請求項１１に記載のマスクの製造方法。
前記第２層は、金属材料を含む、請求項１１に記載のマスクの製造方法。
【請求項13】
前記支持層は、金属材料を含む、請求項３、６又は９に記載のマスクの製造方法。
【請求項14】
前記積層体準備工程は、スパッタリング又はめっきによって前記無機層を形成する工程を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載のマスクの製造方法。
【請求項15】
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層と、
前記樹脂第１面に対向する無機第２面、及び前記無機第２面の反対側の面である無機第１面を含み、金属又はセラミックスからなる無機層であって、平面視において前記樹脂層の前記周囲部に重なる少なくとも１つの金属周囲部を含む無機層と、を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
９０度から前記第２角度を引いた値の絶対値である第２絶対値が、９０度から前記第１角度を引いた値の絶対値である第１絶対値よりも大きい、マスク。
前記樹脂第１面に対向する無機第２面、及び前記無機第２面の反対側の面である無機第１面を含み、金属又はセラミックスからなる無機層であって、平面視において前記樹脂層の前記周囲部に重なる少なくとも１つの金属周囲部を含む無機層と、を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
９０度から前記第２角度を引いた値の絶対値である第２絶対値が、９０度から前記第１角度を引いた値の絶対値である第１絶対値よりも大きい、マスク。
【請求項16】
前記第１絶対値と前記第２絶対値の差が５度以上である、請求項１５に記載のマスク。
【請求項17】
前記無機層は、金属材料又はセラミックスを含む、請求項１５に記載のマスク。
【請求項18】
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
前記第１角度及び前記第２角度が、７５度以上１０５度以下であり、
前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有し、
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９０以上１．１０以下である、マスク。
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
前記第１角度及び前記第２角度が、７５度以上１０５度以下であり、
前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有し、
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９０以上１．１０以下である、マスク。
【請求項19】
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下であり、
前記周囲部の厚みに対する前記樹脂マスク部の厚みの比率が、０．７０以下である、マスク。
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下であり、
前記周囲部の厚みに対する前記樹脂マスク部の厚みの比率が、０．７０以下である、マスク。
【請求項20】
前記マスクは、前記樹脂第１面に対向する支持第２面、前記支持第２面の反対側の面である支持第１面、及び、前記支持第１面から前記支持第２面に至り、平面視において前記樹脂マスク部に重なる少なくとも１つの第２開口を含む支持フレームを備え、
前記支持フレームは、無機物を含む、請求項１５～１９のいずれか一項に記載のマスク。
前記支持フレームは、無機物を含む、請求項１５～１９のいずれか一項に記載のマスク。
【請求項21】
前記支持フレームは、前記支持第１面を形成する第１層と、前記第１層と前記支持第２面との間に位置する第２層と、を含み、
前記第１層は、非金属の無機物を含む、請求項２０に記載のマスク。
前記第１層は、非金属の無機物を含む、請求項２０に記載のマスク。
【請求項22】
前記第２層は、金属材料を含む、請求項２１に記載のマスク。
【請求項23】
請求項１５～１９のいずれか一項に記載のマスクの前記第１開口を通過した蒸着材料が基板に付着する蒸着工程を備える、蒸着層の形成方法。
【請求項24】
請求項１５～１９のいずれか一項に記載のマスクの前記第１開口を通過した蒸着材料が基板に付着する蒸着工程を備える、有機デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は、マスクの製造方法及びマスクに関する。
【背景技術】
【0002】
ポリイミド等の樹脂で作製された樹脂フィルムに貫通孔を形成した蒸着マスクが知られている。蒸着マスクは、例えば有機ＥＬ表示装置を製造する際に、有機ＥＬ素子を構成する有機層や電極を基板上に形成するために用いられる。蒸着マスクの貫通孔の形成は、樹脂フィルムにレーザ加工用マスクを重ね、樹脂フィルムにレーザ加工用マスクを通じてレーザ光を照射することにより行う。蒸着マスクの広い範囲に亘って貫通孔を形成する場合、一回のレーザ光の照射で樹脂フィルムの全面にレーザ光を照射するためには、レーザ光の照射範囲を広げる必要があり、レーザ光のエネルギー密度が下がってしまう。このため、蒸着マスクの広い範囲に亘って貫通孔を形成する場合は、レーザ光の照射範囲を小さく維持したまま、樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置を移動させながら、樹脂フィルムへのレーザ光の照射を複数回行う。樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置の移動は、樹脂フィルムをステージに載せ、ステージ又はレーザ装置の照射ヘッドを移動させることにより行う。このとき、照射位置の移動に応じて、樹脂フィルムに対するレーザ加工用マスクの位置も移動させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１９－４２７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
樹脂フィルムに対するレーザ加工用マスクの位置を移動させたり、樹脂フィルムにおけるレーザ光の照射位置を移動させたりすると、蒸着マスクの貫通孔の位置精度が低下する虞がある。このことは、蒸着マスクを用いて基板上に形成された有機層や電極の位置精度の低下に繋がる。
【0005】
このため、マスクの貫通孔の位置精度を向上させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一実施形態による、マスクの製造方法は、無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、前記無機第２面及び前記複数の無機開口を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第１面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備えてもよい。前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含んでもよい。
【発明の効果】
【0007】
本開示の一実施形態によれば、マスクの貫通孔の位置精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す断面図である。
【図2】マスクを備えた蒸着装置の一例を示す図である。
【図3】マスクの一例を示す平面図である。
【図4】マスクの一例を示す下面図である。
【図6A】樹脂マスク部の一例を示す断面図である。
【図6B】樹脂マスク部の一例を示す断面図である。
【図7】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図8】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図9】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図10】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図11】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図12】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図13】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図14】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図15】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図16】マスクの製造方法を説明するための図である。
【図17】ドライエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図18】マスクの一例を示す断面図である。
【図19】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図20】マスクの一例を示す断面図である。
【図21】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図22】マスクの一例を示す断面図である。
【図23】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図24】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図25】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図26】マスクの一例を示す断面図である。
【図27】樹脂マスク部の一例を示す断面図である。
【図28】ドライエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図29】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図30】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図31】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図32】マスクの製造方法の一例を示す図である。
【図33】マスクの一例を示す断面図である。
【図34】樹脂マスク部の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」、「シート」、「フィルム」などの、ある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
【0010】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。
【0011】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
【0012】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、要素Ａの面が要素Ｂの面に「対向する」という状態は、要素Ａの面が要素Ｂの面に接している場合だけでなく、要素Ａの面と要素Ｂの面の間に要素Ｃが位置している場合も含む。すなわち、「対向する」という用語は、２つの面の向きを表す用語である。
【0013】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【0014】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の例と組み合わせられ得る。また、その他の例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
【0015】
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して２つ以上のステップ又はプロセスを開示する場合に、開示されているステップ又はプロセスの間に、開示されていないその他のステップ又はプロセスが実施されてもよい。また、開示されているステップ又はプロセスの順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
【0016】
本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機層又は電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。
【0017】
本開示の第１の態様は、マスクの製造方法であって、
無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、前記無機第２面及び前記複数の無機開口を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第１面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法である。
無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、前記無機第２面及び前記複数の無機開口を覆う樹脂層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第１面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法である。
【0018】
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様によるマスクの製造方法において、前記樹脂層は、前記無機第２面に対向する樹脂第１面と、前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面と、前記第１開口に面する樹脂壁面と、を含んでもよく、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下であってもよい。
【0019】
本開示の第３の態様は、上述した第１の態様又は第２の態様によるマスクの製造方法において、前記マスクの製造方法は、前記無機第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を含み、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、平面視において前記複数の無機開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備えてもよく、前記第１ドライエッチング工程は、前記支持フレーム形成工程の後に実施されてもよい。
【0020】
本開示の第４の態様は、マスクの製造方法であって、
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、異方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法である。
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、を備え、
前記第１ドライエッチング工程は、異方性エッチング工程を含む、マスクの製造方法である。
【0021】
本開示の第５の態様は、上述した第４の態様によるマスクの製造方法において、前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有してもよく、前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９以上１．１以下であってもよい。
【0022】
本開示の第６の態様は、上述した第４の態様又は第５の態様によるマスクの製造方法において、前記マスクの製造方法は、前記樹脂第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備えてもよい。
【0023】
本開示の第７の態様は、マスクの製造方法であって、
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記樹脂第１面をさらすことによって、前記樹脂層の厚みを減少させる第２ドライエッチング工程と、を備える、マスクの製造方法である。
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層と、前記樹脂第２面に対向する無機第１面、前記無機第１面の反対側の面である無機第２面、及び、前記無機第１面から前記無機第２面に至る複数の無機開口を含む無機層と、を含む積層体を準備する積層体準備工程と、
プラズマ化した処理ガス又は励起されたオゾンを含むエッチングガスに前記無機第２面をさらすことによって、前記樹脂層に、前記複数の無機開口に対応する複数の第１開口を形成する第１ドライエッチング工程と、
プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスに前記樹脂第１面をさらすことによって、前記樹脂層の厚みを減少させる第２ドライエッチング工程と、を備える、マスクの製造方法である。
【0024】
本開示の第８の態様は、上述した第７の態様によるマスクの製造方法において、前記第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含んでもよい。
【0025】
本開示の第９の態様は、上述した第７の態様又は第８の態様によるマスクの製造方法において、前記マスクの製造方法は、前記樹脂第１面に対向する支持第２面、及び前記支持第２面の反対側の面である支持第１面を有し、前記積層体を支持する支持層を準備する支持層準備工程と、平面視において前記複数の第１開口に重なる少なくとも１つの第２開口を前記支持層に形成する支持フレーム形成工程と、を備えてもよい。
【0026】
本開示の第１０の態様は、上述した第９の態様によるマスクの製造方法において、平面視において前記支持層に重なる前記樹脂層の部分の厚みは、平面視において前記第２開口に重なる前記樹脂層の部分の厚みよりも大きくてもよい。
【0027】
本開示の第１１の態様は、上述した第３の態様、第６の態様、第９の態様又は第１０の態様によるマスクの製造方法において、前記支持層は、前記支持第１面を形成する第１層と、前記第１層と前記積層体との間に位置する第２層と、を含んでもよく、前記支持フレーム形成工程は、前記支持層の前記支持第１面上に部分的にレジスト層を形成する工程と、前記第１層をエッチングすることによって、前記第１層を部分的に除去する工程と、を含んでもよい。
【0028】
本開示の第１２の態様は、上述した第１１の態様によるマスクの製造方法において、前記第１層は、非金属の無機物を含んでもよく、前記第２層は、金属材料を含んでもよい。
【0029】
本開示の第１３の態様は、上述した第３の態様、第６の態様、第９の態様又は第１０の態様によるマスクの製造方法において、前記支持層は、金属材料を含んでもよい。
【0030】
本開示の第１４の態様は、上述した第１の態様～第１０の態様のいずれか１つによるマスクの製造方法において、前記積層体準備工程は、スパッタリング又はめっきによって前記無機層を形成する工程を含んでもよい。
【0031】
本開示の第１５の態様は、マスクであって、
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層と、
前記樹脂第１面に対向する無機第２面、及び前記無機第２面の反対側の面である無機第１面を含む無機層であって、平面視において前記樹脂層の前記周囲部に重なる少なくとも１つの金属周囲部を含む無機層と、を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
９０度から前記第２角度を引いた値の絶対値である第２絶対値が、９０度から前記第１角度を引いた値の絶対値である第１絶対値よりも大きい、マスクである。
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層と、
前記樹脂第１面に対向する無機第２面、及び前記無機第２面の反対側の面である無機第１面を含む無機層であって、平面視において前記樹脂層の前記周囲部に重なる少なくとも１つの金属周囲部を含む無機層と、を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
９０度から前記第２角度を引いた値の絶対値である第２絶対値が、９０度から前記第１角度を引いた値の絶対値である第１絶対値よりも大きい、マスクである。
【0032】
本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様によるマスクにおいて、前記第１絶対値と前記第２絶対値の差が５度以上であってもよい。
【0033】
本開示の第１７の態様は、上述した第１５の態様又は第１６の態様によるマスクにおいて、前記無機層は、金属材料又はセラミックスを含んでもよい。
【0034】
本開示の第１８の態様は、マスクであって、
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
前記第１角度及び前記第２角度が、７５度以上１０５度以下であり、
前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有し、
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９０以上１．１０以下である、マスクである。
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記樹脂第１面と前記樹脂壁面とが成す角度である第１角度と、前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度と、を有し、
前記第１角度及び前記第２角度が、７５度以上１０５度以下であり、
前記第１開口は、前記樹脂第１面において第１寸法を有し、前記樹脂第２面において第２寸法を有し、前記樹脂第１面と前記樹脂第２面との間の中間位置において第３寸法を有し、
前記第１寸法に対する前記第２寸法の比率、及び前記第１寸法に対する前記第３寸法の比率が、０．９０以上１．１０以下である、マスクである。
【0035】
本開示の第１９の態様は、マスクであって、
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下であり、
前記周囲部の厚みに対する前記樹脂マスク部の厚みの比率が、０．７０以下である、マスクである。
樹脂第１面、及び前記樹脂第１面の反対側の面である樹脂第２面を含む樹脂層であって、前記樹脂第１面から前記樹脂第２面に至る複数の第１開口を含む少なくとも１つの樹脂マスク部と、平面視において前記樹脂マスク部を囲む周囲部と、を含む樹脂層を備え、
前記樹脂マスク部の前記樹脂層は、前記第１開口に面する樹脂壁面を含み、
前記樹脂第２面と前記樹脂壁面とが成す角度である第２角度が、８５度以下であり、
前記周囲部の厚みに対する前記樹脂マスク部の厚みの比率が、０．７０以下である、マスクである。
【0036】
本開示の第２０の態様は、上述した第１５の態様～第１９の態様のいずれか１つによるマスクにおいて、前記マスクは、前記樹脂第１面に対向する支持第２面、前記支持第２面の反対側の面である支持第１面、及び、前記支持第１面から前記支持第２面に至り、平面視において前記樹脂マスク部に重なる少なくとも１つの第２開口を含む支持フレームを備えてもよく、前記支持フレームは、無機物を含んでもよい。
【0037】
本開示の第２１の態様は、上述した第２０の態様によるマスクにおいて、前記支持フレームは、前記支持第１面を形成する第１層と、前記第１層と前記支持第２面との間に位置する第２層と、を含んでもよく、前記第１層は、非金属の無機物を含んでもよい。
【0038】
本開示の第２２の態様は、上述した第２１の態様によるマスクにおいて、前記第２層は、金属材料を含んでもよい。
【0039】
本開示の第２３の態様は、蒸着層の形成方法であって、上述した第１５の態様～第２２の態様のいずれか１つによるマスクの前記第１開口を通過した蒸着材料が基板に付着する蒸着工程を備える、蒸着層の形成方法である。
【0040】
本開示の第２４の態様は、有機デバイスの製造方法であって、上述した第１５の態様～第２２の態様のいずれか１つによるマスクの前記第１開口を通過した蒸着材料が基板に付着する蒸着工程を備える、有機デバイスの製造方法である。
【0041】
本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
【0042】
まず、マスクを用いることにより形成される有機層を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。
【0043】
有機デバイス１００は、基板と、基板の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素に対応する。以下の説明において、基板などの基礎となる要素の面の法線方向に沿って見ることを、平面視とも称する。
【0044】
有機デバイス１００は、基板１１０、複数の第１電極１２０、複数の有機層１３０、及び第２電極１４０を備えてもよい。基板１１０は、第１面１１１及び第２面１１２を含む。第２面１１２は、第１面１１１の反対側に位置する。
【0045】
複数の第１電極１２０は、第１面１１１上に位置してもよい。複数の有機層１３０は、第１電極１２０上に位置してもよい。第２電極１４０は、有機層１３０上に位置してもよい。第２電極１４０は、平面視において複数の第１電極１２０に重なるように広がっていてもよい。素子１１５は、第１電極１２０、有機層１３０及び第２電極１４０を含む積層構造体によって構成されている。素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。
【0046】
図１に示すように、複数の有機層１３０は、複数の第１有機層１３０Ａと、複数の第２有機層１３０Ｂと、を含んでもよい。図示はしないが、複数の有機層１３０は、複数の第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層に共通する構成を説明する場合には、「有機層１３０」という用語及び符号を用いる。
【0047】
図１に示すように、複数の第１電極１２０は、複数の第１Ａ電極１２０Ａと、複数の第１Ｂ電極１２０Ｂと、を含んでいてもよい。図示はしないが、複数の第１電極１２０は、複数の第１Ｃ電極を含んでいてもよい。第１Ａ電極１２０Ａは、平面視において第１有機層１３０Ａに重なる。第１Ｂ電極１２０Ｂは、平面視において第２有機層１３０Ｂに重なる。第１Ｃ電極は、平面視において第３有機層に重なる。第１Ａ電極１２０Ａ、第１Ｂ電極１２０Ｂ及び第１Ｃ電極に共通する構成を説明する場合には、「第１電極１２０」という用語及び符号を用いる。
【0048】
１つの素子１１５は、少なくとも１つの第１サブ素子１１５Ａと、少なくとも１つの第２サブ素子１１５Ｂと、を含んでもよい。図示はしないが、１つの素子１１５は、少なくとも１つの第３サブ素子を含んでいてもよい。第１サブ素子１１５Ａは、第１Ａ電極１２０Ａ、第１有機層１３０Ａ及び第２電極１４０を含む。第２サブ素子１１５Ｂは、第１Ｂ電極１２０Ｂ、第２有機層１３０Ｂ及び第２電極１４０を含む。第３サブ素子は、第１Ｃ電極、第３有機層及び第２電極１４０を含む。
【0049】
マスクを用いることにより形成される要素は、有機層１３０であってもよく、第２電極１４０であってもよい。マスクを用いることにより形成される要素のことを、蒸着層とも称する。
【0050】
有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、平面視において第１電極１２０の端に重なっていてもよい。
【0051】
次に、有機層１３０などの蒸着層を蒸着法によって形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、基板１１０に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。
【0052】
図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク２０を備えてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、有機材料、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク２０は、蒸着源６と対向するよう配置されている。
【0053】
マスク２０は、図２に示すように、基板１１０の第１面１１１に対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク２０は、基板１１０の第１面１１１に接していてもよい。マスク２０は、入射面２０１及び出射面２０２を含む。入射面２０１は、蒸着源６と対向している。出射面２０２は、入射面２０１の反対側に位置する。出射面２０２は、基板１１０の第１面１１１と対向している。
【0054】
マスク２０には、その平面視において規則的に並ぶ複数の貫通孔２１が形成されている。貫通孔２１は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる。したがって、貫通孔２１の形状及びパターンが、基板１１０の第１面１１１上に形成される蒸着材料７の層の形状及びパターンに反映される。例えば、マスク２０を有機ＥＬディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、貫通孔２１の形状及びパターンが、当該有機層の形状及びパターンに反映される。
【0055】
図２に示すように、蒸着装置１０は、基板１１０の第２面１１２側に対向する磁石５を備えていてもよい。マスク２０が金属材料を含む場合、磁石５は、磁力によってマスク２０を基板１１０に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。本願において、シャドウとは、貫通孔２１の壁面の近傍に形成される有機層１３０の厚みが、貫通孔２１の中心に形成される有機層１３０の厚みよりも小さくなる現象である。シャドウは、蒸着材料７がマスク２０の壁面に付着すること、蒸着材料７がマスク２０と基板１１０との間の隙間に入り込むこと、などに起因して生じる。
【0056】
次に、マスク２０について詳細に説明する。図３は、マスク２０の一例を示す平面図である。図３においては、マスク２０が入射面２０１側から観察されている。図４は、マスク２０の一例を示す下面図である。図３においては、マスク２０が出射面２０２側から観察されている。図５は、図３及び図４に示すマスク２０のＶ－Ｖ線に沿った断面を示す断面図である。
【0057】
マスク２０は、複数の貫通孔２１を含む少なくとも１つの貫通孔群２３を含む。１つの貫通孔群２３は、１つの有機デバイス１００に対応する。例えば、１つの有機デバイス１００に含まれる複数の第１有機層１３０Ａは、１つの貫通孔群２３の複数の貫通孔２１を通った蒸着材料によって構成される。図３乃至図５に示すマスク２０は、複数の有機デバイス１００の蒸着層を同時に形成するためのマスクであり、複数の貫通孔群２３を含む。
【0058】
図５に示すように、マスク２０は、樹脂層３０、無機層４０及び支持フレーム５０を備える。
【0059】
樹脂層３０には複数の第１開口３４が形成されている。樹脂層３０は、樹脂第１面３１、樹脂第２面３２及び樹脂壁面３３を含む。樹脂第２面３２は、樹脂第１面３１の反対側に位置する面である。樹脂第１面３１は入射面２０１側に位置し、樹脂第２面３２は出射面２０２側に位置している。樹脂壁面３３は、第１開口３４に面している。
【0060】
無機層４０は、樹脂第１面３１に対向する無機第２面４２、及び無機第２面４２の反対側の面である無機第１面４１を含む。無機第１面４１は、支持フレーム５０に対向している。無機層４０は、樹脂層３０と支持フレーム５０との間に位置している。
【0061】
支持フレーム５０は、樹脂層３０及び無機層４０を支持する。支持フレーム５０は、無機第１面４１に対向する支持第２面５２、及び支持第２面５２の反対側の面である支持第１面５１を含む。支持フレーム５０は、樹脂層３０及び無機層４０を支持する。
【0062】
樹脂層３０、無機層４０及び支持フレーム５０について詳細に説明する。まず、樹脂層３０について説明する。
【0063】
樹脂層３０は、複数の第１開口３４が形成された樹脂マスク部３６と、樹脂層３０の平面視において樹脂マスク部３６を囲む周囲部３７と、を含む。図示された例では、樹脂層３０は、複数の樹脂マスク部３６を含む。各樹脂マスク部３６は、周囲部３７によって囲まれている。各樹脂マスク部３６は、１つの有機デバイス１００に対応する。各樹脂マスク部３６の樹脂第１面３１は、マスク２０の蒸着源６に対向する面の一部を形成する。樹脂層３０の樹脂第２面３２は、マスク２０の出射面を構成する。
【0064】
樹脂マスク部３６の各第１開口３４は、樹脂層３０を貫通している。言い換えると、第１開口３４は、樹脂第１面３１から樹脂第２面３２に至る。図示された例では、第１開口３４によって、マスク２０の貫通孔２１が形成されている。１つの樹脂マスク部３６の複数の第１開口３４は、１つの第１開口群３５を形成する。図示された例では、樹脂層３０の１つの第１開口群３５によって、マスク２０の１つの貫通孔群２３が形成されている。
【0065】
樹脂層３０の材料は、特に限定されない。樹脂層３０の材料は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いてもよい。好ましくは、樹脂層３０の材料として、ドライエッチングによって高精細な第１開口３４の形成が可能である材料が用いられる。好ましくは、樹脂層３０の材料として、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さい材料が用いられる。好ましくは、樹脂層３０の材料として、軽量な材料が用いられる。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン－メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料のうち、熱膨張係数が１６ｐｐｍ／℃以下である樹脂材料が好ましい。上記に例示した材料のうち、吸湿率が１．０％以下である樹脂材料が好ましい。上記に例示した材料のうち、熱膨張係数及び吸湿率の両方の条件を満たす樹脂材料が特に好ましい。これらの樹脂材料を用いて樹脂層を構成することによって、第１開口３４の寸法精度を向上でき、かつ熱や経時での寸法変化率や吸湿率を小さくできる。
【0066】
樹脂層３０の厚みＴ３０についても特に限定はないが、０．２μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。樹脂層３０の厚みＴ３０をこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等が樹脂層３０に生じるというリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に抑制できる。特に、樹脂層の厚みＴ３０を、０．５μｍ以上４．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上３．５μｍ以下、更に好ましくは１．０μｍ以上３．０μｍ以下とすることで、例えば画素数が３０００ｐｐｉ以上である有機ＥＬディスプレイのための蒸着層を高精細なパターンで形成する際のシャドウの影響を、より効果的に低減できる。したがって、樹脂層３０の厚みＴ３０は、例えば、０．２μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよく、０．８μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよい。厚みＴ３０は、例えば、３．０μｍ以下でもよく、３．５μｍ以下でもよく、４．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以下でもよい。厚みＴ３０の範囲は、０．２μｍ、０．５μｍ、０．８μｍ及び１．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ３０は、例えば、０．２μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．８μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上０．８μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．８μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上３．５μｍ以下でもよく、３．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、３．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上４５．０μｍ以下でもよい。
【0067】
図６Ａは、樹脂マスク部３６の一例を示す断面図である。樹脂層３０は、樹脂第１面３１と樹脂壁面３３とが成す角度である第１角度θ１と、樹脂第２面３２と樹脂壁面３３とが成す角度である第２角度θ２と、を有している。後述するように、第１開口３４は、樹脂第１面３１から樹脂第２面３２に進行するドライエッチングによって樹脂層３０を加工することによって形成される。ドライエッチングの工程は、樹脂層３０を等方的にエッチングする等方性エッチング工程を含む。この場合、第２角度θ２は９０度未満になる。
【0068】
第２角度θ２は、例えば、５０度以上でもよく、６０度以上でもよく、７０度以上でもよい。第２角度θ２は、例えば、７５度以下でもよく、８０度以下でもよく、８５度以下でもよい。第２角度θ２の範囲は、５０度、６０度及び７０度からなる第１グループ、及び／又は、７５度、８０度及び８５度からなる第２グループによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２は、例えば、５０度以上８５度以下でもよく、５０度以上８０度以下でもよく、５０度以上７５度以下でもよく、５０度以上７０度以下でもよく、５０度以上６０度以下でもよく、６０度以上８５度以下でもよく、６０度以上８０度以下でもよく、６０度以上７５度以下でもよく、６０度以上７０度以下でもよく、７０度以上８５度以下でもよく、７０度以上８０度以下でもよく、７０度以上７５度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、７５度以上８０度以下でもよく、８０度以上８５度以下でもよい。
【0069】
第１角度θ１は、第２角度θ２よりも大きくてもよい。第１角度θ１は、９０度よりも大きくてもよく、９０度よりも小さくてもよい。第１角度θ１は、例えば、６０度以上でもよく、７０度以上でもよく、７５度以上でもよい。第１角度θ１は、例えば、８５度以下でもよく、１００度以下でもよく、１１５度以下でもよい。第１角度θ１の範囲は、６０度、７０度及び７５度からなる第１グループ、及び／又は、８５度、１００度及び１１５度からなる第２グループによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１は、例えば、６０度以上１１５度以下でもよく、６０度以上１００度以下でもよく、６０度以上８５度以下でもよく、６０度以上７５度以下でもよく、６０度以上７０度以下でもよく、７０度以上１１５度以下でもよく、７０度以上１００度以下でもよく、７０度以上８５度以下でもよく、７０度以上７５度以下でもよく、７５度以上１１５度以下でもよく、７５度以上１００度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、８５度以上１１５度以下でもよく、８５度以上１００度以下でもよく、１００度以上１１５度以下でもよい。
【0070】
等方性エッチングによって第１開口３４が形成される場合、第２角度θ２と９０度との差が、第１角度θと９０度との差よりも大きくなる可能性が高い。すなわち、第２絶対値が、第１絶対値よりも大きくなる可能性が高い。第１絶対値は、９０度から第１角度θ１を引いた値の絶対値である。第２絶対値は、９０度から第２角度θ２を引いた値の絶対値である。
【0071】
第２絶対値から第１絶対値を引いた値は、例えば、５度以上でもよく、１０度以上でもよく、１５度以上でもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値は、例えば、２０度以下でもよく、３０度以下でもよく、４０度以下でもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値の範囲は、５度、１０度及び１５度からなる第１グループ、及び／又は、２０度、３０度及び４０度からなる第２グループによって定められてもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２絶対値から第１絶対値を引いた値は、例えば、５度以上４０度以下でもよく、５度以上３０度以下でもよく、５度以上２０度以下でもよく、５度以上１５度以下でもよく、５度以上１０度以下でもよく、１０度以上４０度以下でもよく、１０度以上３０度以下でもよく、１０度以上２０度以下でもよく、１０度以上１５度以下でもよく、１５度以上４０度以下でもよく、１５度以上３０度以下でもよく、１５度以上２０度以下でもよく、２０度以上４０度以下でもよく、２０度以上３０度以下でもよく、３０度以上４０度以下でもよい。
【0072】
図６Ａに示すように、第１開口３４は、樹脂第１面３１において第１寸法Ｓ１を有し、樹脂第２面３２において第２寸法Ｓ２を有し、中間位置において第３寸法Ｓ３を有する。中間位置は、樹脂層３０の厚み方向における、樹脂第１面３１と樹脂第２面３２の中間の位置である。第１寸法Ｓ１、第２寸法Ｓ２及び第３寸法Ｓ３はいずれも、平面視において複数の第１開口３４が並ぶ方向における、第１開口３４の寸法である。
【0073】
図６Ａに示すように、第１寸法Ｓ１は、第２寸法Ｓ２及び第３寸法Ｓ３よりも大きくてもよい。第３寸法Ｓ３は、第２寸法Ｓ２よりも大きくてもよい。
【0074】
第２寸法Ｓ２は、例えば、１μｍ以上でもよく、２μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよい。第２寸法Ｓ２は、例えば、５μｍ以下でもよく、１０μｍ以下でもよく、２５μｍ以下でもよい。第２寸法Ｓ２の範囲は、１μｍ、２μｍ及び３μｍからなる第１グループ、及び／又は、５μｍ、１０μｍ及び２５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２寸法Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２寸法Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２寸法Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２寸法Ｓ２は、例えば、１μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、１μｍ以上２μｍ以下でもよく、２μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２μｍ以上１０μｍ以下でもよく、２μｍ以上５μｍ以下でもよく、２μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上２５μｍ以下でもよく、３μｍ以上１０μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよい。
【0075】
第２寸法Ｓ２に対する第３寸法Ｓ３の比率であるＳ３／Ｓ２は、例えば、１．０１以上でもよく、１．０３以上でもよく、１．０５以上でもよい。Ｓ３／Ｓ２は、例えば、１．１０以下でもよく、１．２０以下でもよく、１．３０以下でもよい。Ｓ３／Ｓ２の範囲は、１．０１、１．０３及び１．０５からなる第１グループ、及び／又は、１．１０、１．２０及び１．３０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｓ３／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ３／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ３／Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ３／Ｓ２は、例えば、１．０１以上１．３０以下でもよく、１．０１以上１．２０以下でもよく、１．０１以上１．１０以下でもよく、１．０１以上１．０５以下でもよく、１．０１以上１．０３以下でもよく、１．０３以上１．３０以下でもよく、１．０３以上１．２０以下でもよく、１．０３以上１．１０以下でもよく、１．０３以上１．０５以下でもよく、１．０５以上１．３０以下でもよく、１．０５以上１．２０以下でもよく、１．０５以上１．１０以下でもよく、１．１０以上１．３０以下でもよく、１．１０以上１．２０以下でもよく、１．２０以上１．３０以下でもよい。
【0076】
第２寸法Ｓ２に対する第１寸法Ｓ１の比率であるＳ１／Ｓ２は、例えば、１．０１以上でもよく、１．０５以上でもよく、１．１０以上でもよい。Ｓ１／Ｓ２は、例えば、１．２０以下でもよく、１．３０以下でもよく、１．５０以下でもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、１．０１、１．０５及び１．１０からなる第１グループ、及び／又は、１．２０、１．３０及び１．５０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２は、例えば、１．０１以上１．５０以下でもよく、１．０１以上１．３０以下でもよく、１．０１以上１．２０以下でもよく、１．０１以上１．１０以下でもよく、１．０１以上１．０５以下でもよく、１．０５以上１．５０以下でもよく、１．０５以上１．３０以下でもよく、１．０５以上１．２０以下でもよく、１．０５以上１．１０以下でもよく、１．１０以上１．５０以下でもよく、１．１０以上１．３０以下でもよく、１．１０以上１．２０以下でもよく、１．２０以上１．５０以下でもよく、１．２０以上１．３０以下でもよく、１．３０以上１．５０以下でもよい。
【0077】
図６Ｂは、樹脂マスク部３６のその他の一例を示す断面図である。図６Ｂに示すように、第１寸法Ｓ１は、第３寸法Ｓ３よりも小さくてもよい。このような第１開口３４は、図６Ａの場合に比べて等方性エッチングの時間を長くすることによって形成されてもよい。
【0078】
図６Ｂに示す例において、Ｓ１／Ｓ２は、例えば、０．９０以上でもよく、０．９５以上でもよく、０．９８以上でもよい。Ｓ１／Ｓ２は、例えば、１．０２以下でもよく、１．０５以下でもよく、１．１０以下でもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、０．９０、０．９５及び０．９８からなる第１グループ、及び／又は、１．０２、１．０５及び１．１０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ１／Ｓ２は、例えば、０．９０以上１．１０以下でもよく、０．９０以上１．０５以下でもよく、０．９０以上１．０２以下でもよく、０．９０以上０．９８以下でもよく、０．９０以上０．９５以下でもよく、０．９５以上１．１０以下でもよく、０．９５以上１．０５以下でもよく、０．９５以上１．０２以下でもよく、０．９５以上０．９８以下でもよく、０．９８以上１．１０以下でもよく、０．９８以上１．０５以下でもよく、０．９８以上１．０２以下でもよく、１．０２以上１．１０以下でもよく、１．０２以上１．０５以下でもよく、１．０５以上１．１０以下でもよい。
【0079】
【0080】
図６Ｂに示すように、第１角度θ１は、９０度未満であってもよい。第１角度θ１は、例えば、５０度以上でもよく、６０度以上でもよく、７０度以上でもよい。第１角度θ１は、例えば、７５度以下でもよく、８０度以下でもよく、８５度以下でもよい。第１角度θ１の範囲は、５０度、６０度及び７０度からなる第１グループ、及び／又は、７５度、８０度及び８５度からなる第２グループによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１は、例えば、５０度以上８５度以下でもよく、５０度以上８０度以下でもよく、５０度以上７５度以下でもよく、５０度以上７０度以下でもよく、５０度以上６０度以下でもよく、６０度以上８５度以下でもよく、６０度以上８０度以下でもよく、６０度以上７５度以下でもよく、６０度以上７０度以下でもよく、７０度以上８５度以下でもよく、７０度以上８０度以下でもよく、７０度以上７５度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、７５度以上８０度以下でもよく、８０度以上８５度以下でもよい。
【0081】
【0082】
第１角度θ１、第２角度θ２、第１寸法Ｓ１、第２寸法Ｓ２及び第３寸法Ｓ３は、マスク２０のサンプルの断面画像に基づいて算出される。断面画像は、２５個の第１開口３４並びにそれらに隣接する樹脂層３０における測定結果を平均することにより算出される。２５個の第１開口３４は、平面視における第１開口群３５の中央に位置する、５列×５列の第１開口３４の集合である。断面画像は、走査型電子顕微鏡を用いてサンプルの断面を観察することによって算出される。走査型電子顕微鏡としては、ＺＥＩＳＳ製の走査型電子顕微鏡 ＵＬＴＲＡ５５を用いる。
【0083】
無機層４０について詳細に説明する。図５に示すように、無機層４０は、樹脂層３０の周囲部３７の樹脂第１面３１の少なくとも一部を覆っている。無機層４０は、樹脂層３０の周囲部３７の樹脂第１面３１の全てを覆っていてもよい。図示された例では、無機層４０は、平面視において、少なくとも１つの第３開口４８を含む。第３開口４８は、無機層４０を貫通している。無機層４０は、複数の第３開口４８を含んでいてもよい。第３開口４８は、平面視において、樹脂層３０の樹脂マスク部３６に重なっている。すなわち、第３開口４８は、平面視において、複数の第１開口３４に重なっている。
【0084】
無機層４０のうち、平面視において樹脂層３０の周囲部３７に重なる部分を、金属周囲部４７とも称する。無機層４０は、少なくとも１つの金属周囲部４７を含む。図３乃至図５に示す例では、無機層４０は、金属周囲部４７から成る。
【0085】
無機層４０は、例えば、金属材料、セラミックス又はその他の無機化合物からなる。金属材料は、例えば、ニッケル又は銅を含む。ニッケルを含む金属材料の具体例は、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などである。セラミックスは、例えば窒化チタンである。
無機層４０に含まれる無機元素は、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、金（Au）、コバルト（Co）、クロム（Cr）、鉄（Fe）、ゲルマニウム（Ge）、イリジウム（Ir）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）、パラジウム（Pd）、ルテニウム（Ru）、アンチモン（Sb）、ケイ素（Si）、スズ（Sn）、タンタル（Ta）、チタン（Ti）、タングステン（W）などである。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素を２種以上含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を２種以上含んでもよい。２種以上の無機元素、２種以上の化合物又は合金は、混合された状態で無機層４０に含まれてもよく、積層された状態で無機層４０に含まれてもよい。
無機元素の化合物又は合金は、アルミ・ネオジム合金（Al-Nd）、酸化アルミニウム（Al2O3）、アルミニウム銅合金（Al-Cu）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム・シリコン化合物（AlSi）、アルミニウム・シリコン合金（Al-Si）、アルミニウム・シリコン・銅合金（Al-Si-Cu）、窒化ホウ素（BN）、酸化セリウム（CeO2）、酸化クロム（Cr2O3）、酸化インジウムスズ（ITO）、酸化インジウム亜鉛（IZO）、マグネシウム（Mg）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化モリブデン（MoO3）、硫化モリブデン（MoS）、ニッケル・クロム合金（Ni-Cr）、ニッケル・鉄化合物（NiFe）、多結晶シリコン（Poly-Si）、白金（Pt）、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、窒化ケイ素（Si3N4）、炭化ケイ素（SiC）、シリコン・ゲルマニウム合金（Si-Ge）、窒化ケイ素（SiN）、二酸化ケイ素（SiO2）、酸窒化ケイ素（SiON）、五酸化タンタル（Ta2O5）、窒化タンタル（TaN）、炭化チタン（TiC）、チタン・ニッケル合金又はチタン・ニッケル化合物(Ti-Ni)、二酸化チタン（TiO2）、チタン・タングステン合金又はチタン・タングステン化合物（Ti-W）、タングステン・ケイ素合金又はタングステン・ケイ素化合物（W-Si）、酸化イットリウム（Y2O3）、YBCO（YBa2Cu3O7）、亜鉛（Zn）、酸化亜鉛（ZnO）、窒化ジルコニウム（ZrN）、二酸化ジルコニウム（ZrO2）などである。
無機層４０に含まれる無機元素は、銀（Ag）、アルミニウム（Al）、金（Au）、コバルト（Co）、クロム（Cr）、鉄（Fe）、ゲルマニウム（Ge）、イリジウム（Ir）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）、パラジウム（Pd）、ルテニウム（Ru）、アンチモン（Sb）、ケイ素（Si）、スズ（Sn）、タンタル（Ta）、チタン（Ti）、タングステン（W）などである。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素を２種以上含んでもよい。無機層４０は、これらの無機元素の化合物又は合金を２種以上含んでもよい。２種以上の無機元素、２種以上の化合物又は合金は、混合された状態で無機層４０に含まれてもよく、積層された状態で無機層４０に含まれてもよい。
無機元素の化合物又は合金は、アルミ・ネオジム合金（Al-Nd）、酸化アルミニウム（Al2O3）、アルミニウム銅合金（Al-Cu）、窒化アルミニウム（AlN）、アルミニウム・シリコン化合物（AlSi）、アルミニウム・シリコン合金（Al-Si）、アルミニウム・シリコン・銅合金（Al-Si-Cu）、窒化ホウ素（BN）、酸化セリウム（CeO2）、酸化クロム（Cr2O3）、酸化インジウムスズ（ITO）、酸化インジウム亜鉛（IZO）、マグネシウム（Mg）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化モリブデン（MoO3）、硫化モリブデン（MoS）、ニッケル・クロム合金（Ni-Cr）、ニッケル・鉄化合物（NiFe）、多結晶シリコン（Poly-Si）、白金（Pt）、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、窒化ケイ素（Si3N4）、炭化ケイ素（SiC）、シリコン・ゲルマニウム合金（Si-Ge）、窒化ケイ素（SiN）、二酸化ケイ素（SiO2）、酸窒化ケイ素（SiON）、五酸化タンタル（Ta2O5）、窒化タンタル（TaN）、炭化チタン（TiC）、チタン・ニッケル合金又はチタン・ニッケル化合物(Ti-Ni)、二酸化チタン（TiO2）、チタン・タングステン合金又はチタン・タングステン化合物（Ti-W）、タングステン・ケイ素合金又はタングステン・ケイ素化合物（W-Si）、酸化イットリウム（Y2O3）、YBCO（YBa2Cu3O7）、亜鉛（Zn）、酸化亜鉛（ZnO）、窒化ジルコニウム（ZrN）、二酸化ジルコニウム（ZrO2）などである。
【0086】
無機層４０の厚みＴ４０については、特に限定はない。無機層４０の厚みＴ４０は、例えば０．０５μｍ以上である。後述するドライエッチング工程で無機層４０が破断したり変形したりする虞が効果的に低減されるよう、厚みＴ４０は、０．５μｍ以上又は１．０μｍ以上であることがより好ましく、１．２μｍ以上であることが更に好ましく、１．５μｍ以上であることが特に好ましい。一方、後述するドライエッチング工程で樹脂層３０の第１開口３４を高精細に形成する観点から、無機層４０の厚みＴ４０は、１０．０μｍ以下であることが好ましく、８．０μｍ以下であることがより好ましく、７．０μｍ以下であることがより好ましく、６．０μｍ以下であることが特に好ましい。
【0087】
無機層４０の第３開口４８は、無機第１面４１と無機第２面４２の間で膨大してもよい。言い換えると、第３開口４８の壁面は、無機層４０の面方向に窪む凹部を有してもよい。この場合、無機第１面４１における第３開口４８の寸法、及び無機第２面４２における第３開口４８の寸法が、無機第１面４１と無機第２面４２の間の中間位置における第３開口４８の寸法よりも小さい。このような第３開口４８は、後述するように、無機層４０をエッチングする際のサイドエッチングに起因して形成され得る。
【0088】
支持フレーム５０について詳細に説明する。支持フレーム５０は、無機層４０の無機第１面４１に設けられている。支持第２面５２は、無機第１面４１及び樹脂第１面３１に対向している。支持第１面５１は、マスク２０の入射面２０１を構成する。支持フレーム５０は、樹脂層３０及び無機層４０を支持する。
【0089】
支持フレーム５０は、樹脂層３０が撓まないように、樹脂層３０を、その面方向に引っ張った状態で支持してもよい。支持フレーム５０は、樹脂層３０の周囲部３７の樹脂第１面３１の少なくとも一部を覆っている。支持フレーム５０は、樹脂層３０の周囲部３７の樹脂第１面３１の全てを覆っていてもよい。支持フレーム５０は、平面視において、少なくとも１つの第２開口５４を含む。第２開口５４は、支持フレーム５０を貫通している。支持フレーム５０は、複数の第２開口５４を含んでいてもよい。第２開口５４は、樹脂層３０の樹脂マスク部３６に重なる。すなわち、第２開口５４は、平面視において、複数の第１開口３４に重なっている。
【0090】
第２開口５４は、平面視において無機層４０の第３開口４８と重なっている。平面視において支持フレーム５０の第２開口５４及び無機層４０の第３開口４８が樹脂マスク部３６に重なっていることにより、マスク２０を支持フレーム５０から樹脂層３０に向かう方向に見て、樹脂マスク部３６の樹脂第１面３１が第２開口５４及び第３開口４８内に露出している。
【0091】
支持フレーム５０は、複数の層を含んでいてもよい。図５に示す例では、支持フレーム５０は、支持第１面５１を形成する第１層５５と、第１層５５と支持第２面５２との間に位置する第２層５６とを含んでいる。図示された例では、第２層５６は、支持フレーム５０の支持第２面５２を形成する。第２層５６は、無機層４０に接していてもよい。また、図示された例では、第２層５６は、第１層５５上に形成されている。言い換えると、第２層５６は、第１層５５に接している。支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５及び第２層５６は、それぞれ、第２開口５４に対応する第１層開口５４ａ及び第２層開口５４ｂを含む。この場合、第１層開口５４ａと第２層開口５４ｂとは、互いに接続している。このような第１層開口５４ａと第２層開口５４ｂによって、支持フレーム５０を貫通する第２開口５４が形成される。
【0092】
支持フレーム５０の材料について特に限定はない。支持フレーム５０は、例えば、無機物を含む材料で形成される。支持フレーム５０の材料として、剛性が大きい金属材料、例えば、ＳＵＳ、インバー材、セラミック材料などを用いてもよい。金属製の支持フレーム５０は、変形等の影響が小さいという点で好ましい。
【0093】
支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５は、非金属の無機物を含んでいてもよい。また、第２層５６は、金属材料を含んでいてもよい。後述するように、第１層開口５４ａが、エッチャントを用いて第１層５５をエッチングすることにより形成される場合、第２層５６は、当該エッチャントに対する耐性を有する材料で形成されてよい。この場合、第２層５６は、第１層５５のエッチングをストップさせるストッパ層として機能してもよい。第２層５６は、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン又はチタン合金を含んでいてもよい。
【0094】
支持フレーム５０の厚みＴ５０についても特に限定はない。好ましくは、支持フレーム５０の厚みＴ５０は、剛性等の点から０．３ｍｍ以上である。
【0095】
図５に示すように、支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層５５の厚みＴ５５は、例えば、２０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよく、５００μｍ以上でもよく、１０００μｍ以上でもよい。厚みＴ５５は、例えば、２０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以下でもよく、４０００μｍ以下でもよく、５０００μｍ以下でもよい。厚みＴ５５の範囲は、２０μｍ、１００μｍ、５００μｍ及び１０００μｍからなる第１グループ、及び／又は、２０００μｍ、３０００μｍ、４０００μｍ及び５０００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５５は、例えば、２０μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上１０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、１０００μｍ以上２０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、２０００μｍ以上３０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよく、３０００μｍ以上４０００μｍ以下でもよく、４０００μｍ以上５０００μｍ以下でもよい。
【0096】
第２層５６の厚みＴ５６は、第１層５５をエッチングする工程において無機層４０及び樹脂層３０がエッチングされることを抑制できる限り、特には限定されない。例えば、厚みＴ５６は、無機層４０及び樹脂層３０の厚みよりも小さくてもよく、無機層４０及び樹脂層３０の厚み以上でもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．０５μｍ以上でもよく、０．１０μｍ以上でもよく、０．１５μｍ以上でもよく、０．２０μｍ以上でもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以下でもよい。厚みＴ５６の範囲は、０．０５μｍ、０．１０μｍ、０．１５μｍ及び０．２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、０．５μｍ、１．０μｍ、２．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ５６は、例えば、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．１５μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．１０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．１０μｍ以上０．１５μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１５μｍ以上０．２０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２０μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよい。第１層５５用のエッチャントに対する第２層５６の耐性が高いほど、厚みＴ５６を小さくできる。
【0097】
支持フレーム５０の各第２開口５４は、支持第１面５１及び支持第２面５２の間で膨大してもよい。言い換えると、第２開口５４の壁面は、マスク２０の面方向に窪む凹部を有してもよい。この場合、支持第１面５１における第２開口５４の寸法、及び支持第２面５２における第２開口５４の寸法が、支持第１面５１と支持第２面５２の間の中間位置における第２開口５４の寸法よりも小さい。このような第２開口５４は、後述するように、支持フレーム５０を形成する材料で形成された支持層５７をエッチングする際のサイドエッチングに起因して形成され得る。支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、第１層開口５４ａは、支持第１面５１と第２層５６との間で膨大してもよい。第２層開口５４ｂは、第１層５５と支持第２面５２との間で膨大してもよい。
【0098】
支持フレーム５０が第１層５５及び第２層５６を含む場合、支持フレーム５０の厚みは、６．０ｍｍ以下であってもよい。各層の厚みは、走査型電子顕微鏡を用いてマスク２０の断面の画像を観察することによって測定される。
【0099】
図示はしないが、支持フレーム５０の支持層５７は、金属材料によって構成されていてもよい。この場合、支持層５７の厚みは、支持層５７が第１層５５及び第２層５６を含む場合に比べて大きくてもよい。支持フレーム５０の厚みは、７０．０ｍｍ以下であってもよい。
【0100】
次に、マスク２０を製造する方法について説明する。まず、支持層準備工程を実施する。具体的には、図７に示すように、支持層５７を準備する。支持層５７は、支持フレーム５０を形成する材料で形成される。図示された例では、まず、第１層５５を構成する基材を準備する。続いて、第１層５５の一方の面上に第２層５６を形成する。第２層５６は、第１層５５の当該一方の面の全面に形成されてよい。第２層５６は、第１層５５用のエッチャントに対する耐性を有する材料により形成される。第２層５６は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法によって形成されてもよい。以上により、支持層５７が形成される。支持層５７は、支持第１面５１及び支持第２面５２を含む。支持第１面５１は、第１層５５によって構成されてもよい。支持第２面５２は、第２層５６によって構成されてもよい。
【0101】
続いて、積層体準備工程を実施する。具体的には、無機層４０及び樹脂層３０を含む積層体２５を準備する。図示された例では、まず、図８に示すように、支持層５７の支持第２面５２上に無機層４０を形成する。無機層４０は、支持第２面５２の全面に形成されてよい。無機層４０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法により形成されてもよく、めっき法によって形成されてもよい。無機層４０は、支持層５７に対向する無機第１面４１と、無機第１面４１の反対側の面である無機第２面４２と、を有する。
【0102】
続いて、図９に示すように、無機層４０の無機第２面４２上に、第１レジスト層６０を部分的に形成する。第１レジスト層６０は、複数の第１レジスト開口６１を有する。第１レジスト開口６１は、樹脂層３０の複数の第１開口３４に対応して形成される。第１レジスト層６０は、公知の方法により形成されてよい。具体的には、第１レジスト層６０を形成するための材料である第１レジスト層材料を準備し、これを無機層４０の無機第２面４２上に部分的に塗工する。続いて、無機第２面４２上の第１レジスト層材料を露光し、この第１レジスト層材料を現像する。これにより、複数の第１レジスト開口６１を有する第１レジスト層６０が形成される。
【0103】
続いて、図１０に示すように、第１レジスト層６０の側から無機層４０をエッチングして、無機層４０を部分的に除去する。無機層４０のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。エッチングガスおよびエッチング液は、上述のエッチャントの一例である。無機層４０を部分的に除去することにより、無機層４０に複数の開口４４が形成される。以下では、この開口４４を無機開口とも称する。各無機開口４４は、無機第１面４１から無機第２面４２に至る。上述したように第１レジスト開口６１が樹脂層３０の複数の第１開口３４に対応して形成されているため、複数の無機開口４４は、複数の第１開口３４に対応して形成される。無機層４０は、樹脂マスク部３６の樹脂第１面３１を覆う遮蔽部４６と、無機層４０の平面視において遮蔽部４６を囲む金属周囲部４７と、を含む。図示された例では、無機層４０は、複数の樹脂マスク部３６に対応する複数の遮蔽部４６を含む。各遮蔽部４６は、複数の無機開口４４を含む。各遮蔽部４６の複数の無機開口４４は、第３開口群４５を形成する。第３開口群４５は、上述した樹脂層３０の第１開口群３５に対応する。無機層４０に無機開口４４を形成した後、無機層４０から第１レジスト層６０を除去する。第１レジスト層６０は、例えば、レジスト処理液を用いて除去できる。
【0104】
続いて、図１１に示すように、無機層４０の無機第２面４２上に樹脂層３０を形成する。樹脂層３０は、例えば、スピンコート法などのコーティング法によって形成されてもよい。樹脂層３０は、無機第２面４２及び複数の無機開口４４を覆うように形成される。樹脂層３０は、無機第２面４２の全面に形成されてよい。樹脂層３０の一部によって無機開口４４が埋められてもよい。樹脂層３０は、無機第２面４２に対向する樹脂第１面３１と、樹脂第１面３１の反対側の面である樹脂第２面３２と、を含む。
【0105】
樹脂層３０の材料を無機層４０上にコーティングした後、樹脂層３０を加熱する加熱工程を実施してもよい。これにより、樹脂層３０を固化させることができる。例えば、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を無機層４０上にコーティングした後、加熱工程を実施することにより、イミド化反応を生じさせることができる。これにより、ポリイミドを含む樹脂層３０を形成できる。
【0106】
以上により、複数の無機開口４４を含む無機層４０と、無機第２面４２及び複数の無機開口４４を覆う樹脂層３０と、を含む積層体２５が、形成される。
【0107】
続いて、保護層形成工程を実施する。具体的には、図１２に示すように、積層体２５の面上に保護層６３を形成する。保護層６３は、樹脂層３０を保護するための層である。保護層６３は、樹脂層３０の樹脂第２面３２に形成される。保護層６３を形成する材料は、樹脂層３０を保護することができる限りにおいて、特に限定されない。保護層６３は、無機層４０を形成する材料と同じ材料で形成されてよい。保護層６３は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法により形成されてよい。保護層６３の厚みは、樹脂層３０を保護することができる限りにおいて、特に限定されない。保護層６３の厚みは、例えば、０．１μｍ以上であってよく、０．５μｍ以上であってもよく、１．０μｍ以上であってもよい。
【0108】
続いて、支持フレーム形成工程を実施する。具体的には、支持層５７を加工することによって支持フレーム５０を形成する。図示された例では、図１３に示すように、支持層５７の支持第１面５１に、第２レジスト層６５を部分的に形成する。第２レジスト層６５は、第２レジスト開口６６を有する。第２レジスト開口６６は、支持フレーム５０の第２開口５４に対応して形成される。図示された例では、支持フレーム５０に複数の第２開口５４が形成されるよう、第２レジスト層６５は、複数の第２レジスト開口６６を有する。第２レジスト層６５は、公知の方法により形成されてよい。具体的には、第２レジスト層６５を形成するための材料である第２レジスト層材料を準備し、支持第１面５１上に部分的に塗工する。続いて、支持第１面５１上の第２レジスト層材料を露光し、第２レジスト層材料を現像する。これにより、支持第１面５１上に、第２レジスト開口６６を有する第２レジスト層６５が形成される。
【0109】
続いて、図１４に示すように、第２レジスト層６５の側から支持層５７の第１層５５をエッチングし、第１層５５を部分的に除去する。これにより、図１４に示すように、第１層５５に、第１層開口５４ａが形成される。第１層５５のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングであってもよい。エッチングガスは、上述のエッチャントの一例である。第２層５６がエッチャントに対する耐性を有するので、図１４に示すように、エッチングが無機層４０及び樹脂層３０まで進行することを抑制できる。
【0110】
続いて、図１５に示すように、第２層５６をエッチングして、第２層５６を部分的に除去する。これにより、第２層５６に第２層開口５４ｂが形成される。第２層５６のエッチングは、第１層開口５４ａに第２層５６用のエッチャントを供給することにより行ってよい。これにより、第１層開口５４ａに接続した第２層開口５４ｂが形成される。第２層５６のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。
【0111】
第１層開口５４ａ及び第２層開口５４ｂにより、支持層５７を貫通する第２開口５４が形成される。この結果、無機層４０の遮蔽部４６の無機第１面４１が、第２開口５４内に露出する。第２開口５４は、支持フレーム５０の平面視において、遮蔽部４６の複数の無機開口４４に重なる。一方で、金属周囲部４７は、支持層５７に覆われたままである。第１層開口５４ａを形成した後、或いは第２層開口５４ｂを形成した後、第２レジスト層６５を除去する。第２レジスト層６５は、例えば、レジスト処理液を用いて除去できる。以上により、支持フレーム５０が形成される。
【0112】
続いて、第１ドライエッチング工程を実施する。具体的には、図１６に示すように、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスＰ１に、無機層４０の遮蔽部４６の無機第１面４１をさらす。無機層４０は、エッチングガスＰ１に対する耐性を有する。エッチングガスＰ１は、無機層４０に重なっていない樹脂層３０をエッチングする。エッチングは、樹脂第１面３１から樹脂第２面３２に進行する。これにより、樹脂層３０に、複数の無機開口４４に対応する複数の第１開口３４が形成される。複数の第１開口３４が、無機層４０の第３開口群４５と重なる第１開口群３５を構成する。
【0113】
エッチングガスＰ１によるエッチングは、等方性エッチングであってもよい。すなわち、第１ドライエッチング工程は、等方性エッチング工程を含んでもよい。等方性エッチングにおいては、エッチングの反応が複数の方向において進行する。例えば、エッチングは、樹脂層３０の厚み方向、及び樹脂第１面３１の面方向のいずれにおいても進行する。樹脂第１面３１の位置においては、樹脂第２面３２の位置に比べて、樹脂第１面３１の面方向におけるエッチングの進行量が大きい。この結果、図６Ａに示すように、樹脂第１面３１における第１開口３４の第１寸法Ｓ１が、樹脂第２面３２における第１開口３４の第２寸法Ｓ２よりも大きい。
【0114】
図１７は、第１ドライエッチング工程を実施するためのドライエッチング装置７０Ａの一例を示す断面図である。ドライエッチング装置７０Ａは、第１電極７１及び第２電極７２を備える。第２電極７２は、第１電極７１に対向していてもよい。樹脂層３０の樹脂第２面３２が第１電極７１に対向するよう、積層体２５が第１電極７１上に配置される。処理ガスＦ１が第２電極７２に導入されてもよい。処理ガスＦ１は、第１電極７１と第２電極７２との間の空間へ第２電極７２から噴出されてもよい。排気ガスＦ２が第１電極７１の下方から外部へ排出されてもよい。
【0115】
処理ガスＦ１によって樹脂層３０をドライエッチングできる限り、処理ガスＦ１は特には限られない。処理ガスＦ１は、希ガスでもよく、パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）ガスでもよく、ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）ガスでもよく、クロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）ガスでもよく、その他のフルオロカーボンガスでもよく、フッ素を含まない有機ハロゲンガスでもよく、無機ハロゲンガスでもよく、炭化水素系ガスでもよい。希ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｋｒなどである。ＰＦＣガスは、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ１２、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ６、Ｃ５Ｆ８などである。ＨＦＣガスは、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｈ２Ｆ４、Ｃ２Ｈ４Ｆ２、Ｃ２ＨＦ５、Ｃ３Ｈ３Ｆ５、Ｃ４Ｈ３Ｆなどである。ＣＦＣガスは、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌ３Ｆ、ＣＣｌＦ３、ＣＨＣｌ２Ｆ、ＣＨＣｌＦ２、Ｃ２ＣｌＦ５、Ｃ２Ｃｌ４Ｆ２、Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３、Ｃ２Ｃｌ２Ｆ４、ＣＨＣｌＦＣＦ３などである。その他のフルオロカーボンガスは、（ＣＦ３ＣＯ）２、（ＣＦ３）２Ｏ、ＣＢｒＦ３、（ＣＢｒＦ２）２、Ｃ２Ｆ５Iなどである。フッ素を含まない有機ハロゲンガスは、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、Ｃ２Ｂｒ２Ｃｌ２、Ｃ２Ｃｌ４、Ｃ２Ｃｌ６、Ｃ２ＨＣｌ３、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ５Ｉ、Ｃ３Ｈ７Ｉ、ＣＯＣｌ２などである。無機ハロゲンガスは、ＳＦ６、ＮＦ３、ＳｉＦ４、ＨＦ、Ｆ２、ＣｌＦ３、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、Ｂｒ２、ＨＢｒ、ＢＢｒ３、ＢｒＦ３、Ｉ２、ＨＩ、ＩＢｒ、ＩＣｌ、ＩＦ５などである。炭化水素系ガスは、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、ＣＨ３ＯＨ、（ＣＨ３）２Ｏなどである。その他にも、処理ガスＦ１として、Ｏ２、Ｈ２、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＳＯ２などが用いられてもよい。
【0116】
図１７に示すように、第１電極７１が設置電位７３に接続され、第２電極７２に交流電圧７４が加えられてもよい。この場合、プラズマ化した処理ガスＦ１を含むエッチングガスＰ１は、主に、ラジカル反応によるエッチングを行う。積層体２５の無機第１面４１がエッチングガスＰ１にさらされることにより、樹脂層３０が等方的にエッチングされる。
【0117】
第１ドライエッチング工程は、励起されたオゾンを含むエッチングガスＰ１を利用して実施されてもよい。オゾンに紫外線が照射されると、オゾンが励起されて酸素ラジカルが発生する。励起されたオゾンを含むエッチングガスＰ１に、無機層４０の遮蔽部４６の無機第１面４１をさらすことによっても、樹脂層３０を等方的にエッチングできる。
【0118】
本実施の形態では、樹脂層３０を部分的に加工して複数の第１開口３４を形成するためのマスクとして機能する無機層４０が樹脂層３０と共に積層体２５を構成した状態で、樹脂層３０のドライエッチング処理が実施される。このため、１つの有機デバイス１００に対応する１つの第１開口群３５の複数の第１開口３４が、一括で形成される。
【0119】
比較の形態として、レーザ加工用マスクの移動とレーザ光の照射とを繰り返して１つの第１開口群３５の複数の第１開口３４を形成する場合を考える。この場合、樹脂層３０に対するレーザ加工用マスクの位置が理想位置からずれて第１開口３４の位置精度が低下する、という事態が生じる。また、レーザ加工用マスクの移動とレーザ光の照射とを繰り返すので、工程に要する時間も長くなる。
【0120】
これに対して、本実施の形態によれば、１つの第１開口群３５の複数の第１開口３４を一括で形成できるので、第１開口３４の位置精度を高めることができる。また、工程に要する時間も短くなる。
【0121】
続いて、遮蔽部除去工程を実施する。具体的には、無機層４０のうち、第２開口５４内に露出した部分、すなわち遮蔽部４６をエッチングする。これにより、無機層４０に第３開口４８が形成される。遮蔽部４６のエッチングは、第２開口５４に無機層４０用のエッチャントを供給することにより行ってよい。これにより、第２開口５４に接続した第３開口４８が形成される。遮蔽部４６のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。第２開口５４が第３開口４８に接続されることにより、樹脂層３０の樹脂マスク部３６が、第２開口５４及び第３開口４８内に露出する。遮蔽部４６のエッチングによって、支持層５７をエッチングする際に遮蔽部４６に付着した残留物を、遮蔽部４６と共に除去することができる。なお、金属周囲部４７は、支持フレーム５０と樹脂層３０とによって覆われているため遮蔽部除去工程で除去されず、支持フレーム５０と樹脂層３０との間に残る。
【0122】
また、保護層除去工程を実施する。保護層除去工程では、保護層６３を除去する。保護層６３は、例えば、エッチングにより除去できる。保護層６３のエッチングは、エッチングガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、エッチング液を用いたウェットエッチングにより行ってもよい。保護層６３は、無機層４０をエッチングするエッチャントによって、無機層４０と共に除去されてもよい。言い換えると、遮蔽部除去工程と保護層除去工程が同時に実施されてもよい。さらに言い換えると、遮蔽部除去工程において保護層６３が除去されてもよい。この場合、保護層６３は、無機層４０と同じ材料で形成されることが好ましい。
【0123】
以上により、図５に示す、貫通孔２１が形成されたマスク２０が製造される。
【0124】
上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。
【0125】
（第２の例）
上述の実施の形態においては、遮蔽部除去工程で無機層４０の遮蔽部４６が除去され、この結果、マスク２０が遮蔽部４６を含まない例を示した。しかしながら、図１８に示すように、マスク２０は遮蔽部４６を有していてもよい。言い換えると、マスク２０の製造工程において、遮蔽部除去工程は実施されなくてもよい。この場合、マスク２０の貫通孔２１は、互いに連続する第１開口３４と無機開口４４とによって形成される。マスク２０が遮蔽部４６を含むことにより、蒸着装置１０内において、遮蔽部４６を磁力によって磁石５に向けて引き寄せることができ、したがって、樹脂マスク部３６を磁石５に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０の貫通孔２１が設けられた領域と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりできる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。
上述の実施の形態においては、遮蔽部除去工程で無機層４０の遮蔽部４６が除去され、この結果、マスク２０が遮蔽部４６を含まない例を示した。しかしながら、図１８に示すように、マスク２０は遮蔽部４６を有していてもよい。言い換えると、マスク２０の製造工程において、遮蔽部除去工程は実施されなくてもよい。この場合、マスク２０の貫通孔２１は、互いに連続する第１開口３４と無機開口４４とによって形成される。マスク２０が遮蔽部４６を含むことにより、蒸着装置１０内において、遮蔽部４６を磁力によって磁石５に向けて引き寄せることができ、したがって、樹脂マスク部３６を磁石５に向けて引き寄せることができる。これにより、マスク２０の貫通孔２１が設けられた領域と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりできる。このことにより、蒸着工程においてシャドウが発生することを抑制できる。
【0126】
マスク２０が遮蔽部４６を含む場合、無機層４０の厚みＴ４０と樹脂層３０の厚みＴ３０との和は、例えば、２．０μｍ以上でもよく、２．５μｍ以上でもよく、３．０μｍ以上でもよく、４．０μｍ以上でもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和は、例えば、６．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以下でもよく、１０．０μｍ以下でもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、２．０μｍ、２．５μｍ、３．０μｍ及び４．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、６．０μｍ、７．０μｍ、８．０μｍ及び１０．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。厚みＴ４０と厚みＴ３０との和は、例えば、２．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上２．５μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、２．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上６．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、６．０μｍ以上７．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよく、７．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以上１０．０μｍ以下でもよい。これにより、例えば画素数が３０００ｐｐｉ以上である有機ＥＬディスプレイのための蒸着層を高精細なパターンで形成する際のシャドウの影響を、より効果的に低減できる。
【0127】
また、マスク２０が遮蔽部４６を含む場合、保護層６３の材料として、無機層４０の材料とは異なる材料が選択されることが好ましい。より具体的には、保護層６３をエッチングする際のエッチャントによって無機層４０が除去されることのないよう、保護層６３の材料を選択することが好ましい。
【0128】
（第３の例）
上述の実施の形態においては、支持層５７上に積層体２５が形成された後、支持層５７が加工されて支持フレーム５０が形成される例を示した。図１９に示すように、予め形成された支持フレーム５０が、積層体２５と組み合わされてもよい。例えば、支持フレーム５０の支持第２面５２に積層体２５を配置する工程が実施されてもよい。この場合、支持フレーム５０は、第２層５６を含んでいなくてもよい。図２０は、第２層５６を含まないマスク２０の一例を示す断面図である。
上述の実施の形態においては、支持層５７上に積層体２５が形成された後、支持層５７が加工されて支持フレーム５０が形成される例を示した。図１９に示すように、予め形成された支持フレーム５０が、積層体２５と組み合わされてもよい。例えば、支持フレーム５０の支持第２面５２に積層体２５を配置する工程が実施されてもよい。この場合、支持フレーム５０は、第２層５６を含んでいなくてもよい。図２０は、第２層５６を含まないマスク２０の一例を示す断面図である。
【0129】
（第４の例）
上述の実施の形態においては、支持フレーム５０によって支持されている積層体２５の樹脂層３０がドライエッチングされる例を示した。図２１に示すように、第１ドライエッチング工程は、支持フレーム５０によって支持されていない積層体２５の無機層４０の無機第１面４１をエッチングガスＰ１にさらしてもよい。図２２は、図２１に示す第１ドライエッチング工程の後、保護層６３を除去することによって製造されたマスク２０を示す断面図である。
上述の実施の形態においては、支持フレーム５０によって支持されている積層体２５の樹脂層３０がドライエッチングされる例を示した。図２１に示すように、第１ドライエッチング工程は、支持フレーム５０によって支持されていない積層体２５の無機層４０の無機第１面４１をエッチングガスＰ１にさらしてもよい。図２２は、図２１に示す第１ドライエッチング工程の後、保護層６３を除去することによって製造されたマスク２０を示す断面図である。
【0130】
（第５の例）
図２３～図２５を参照して、マスク２０の製造方法の一例を説明する。まず、上述の実施の形態の場合と同様に、支持層５７を準備する。続いて、図２３に示すように、支持層５７の支持第２面５２上に積層体２５を形成する積層体準備工程を実施する。積層体準備工程においては、まず、支持層５７の支持第２面５２上に樹脂層３０を形成する。続いて、樹脂層３０の樹脂第２面３２上に無機層４０を形成する。無機層４０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法により形成されてもよく、めっき法によって形成されてもよい。続いて、無機層４０に複数の無機開口４４を形成する。
図２３～図２５を参照して、マスク２０の製造方法の一例を説明する。まず、上述の実施の形態の場合と同様に、支持層５７を準備する。続いて、図２３に示すように、支持層５７の支持第２面５２上に積層体２５を形成する積層体準備工程を実施する。積層体準備工程においては、まず、支持層５７の支持第２面５２上に樹脂層３０を形成する。続いて、樹脂層３０の樹脂第２面３２上に無機層４０を形成する。無機層４０は、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法により形成されてもよく、めっき法によって形成されてもよい。続いて、無機層４０に複数の無機開口４４を形成する。
【0131】
図２３に示す積層体２５において、樹脂層３０は、支持層５７に対向する樹脂第１面３１と、樹脂第１面３１の反対側の面である樹脂第２面３２と、を含む。無機層４０は、樹脂第２面３２に対向する無機第１面４１と、無機第１面４１の反対側の面である無機第２面４２と、を含む。
【0132】
続いて、第１ドライエッチング工程を実施する。具体的には、図２４に示すように、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスＰ２に、無機層４０の遮蔽部４６の無機第２面４２をさらす。エッチングガスＰ２は、無機層４０に重なっていない樹脂層３０をエッチングする。エッチングは、樹脂第２面３２から樹脂第１面３１に進行する。これにより、樹脂層３０に、複数の無機開口４４に対応する複数の第１開口３４が形成される。複数の第１開口３４が、無機層４０の第３開口群４５と重なる第１開口群３５を構成する。
【0133】
エッチングガスＰ２によるエッチングは、異方性エッチングであってもよい。すなわち、第１ドライエッチング工程は、異方性エッチング工程を含んでもよい。異方性エッチングにおいては、エッチングの反応が樹脂層３０の厚み方向において優先的に進行する。
【0134】
続いて、図２５に示すように、支持フレーム形成工程を実施する。すなわち、支持層５７に第２開口５４を形成することによって支持フレーム５０を形成する。第２開口５４は、平面視において複数の第１開口３４に重なるよう形成される。続いて、無機層４０の遮蔽部４６を除去する遮蔽部除去工程を実施する。これにより、図２６に示すように、マスク２０が製造される。マスク２０は、無機層４０を備えていなくてもよい。
【0135】
図２７は、樹脂マスク部３６の一例を示す断面図である。異方性エッチングによって第１開口３４が形成される場合、第１角度θ１及び第２角度θ２が９０度に近い値になりやすい。
【0136】
第１角度θ及び第２角度θ２は、例えば、７５度以上でもよく、８０度以上でもよく、８５度以上でもよい。第１角度θ及び第２角度θ２は、例えば、９５度以下でもよく、１００度以下でもよく、１０５度以下でもよい。第１角度θ及び第２角度θ２の範囲は、７５度、８０度及び８５度からなる第１グループ、及び／又は、９５度、１００度及び１０５度からなる第２グループによって定められてもよい。第１角度θ及び第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ及び第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ及び第２角度θ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ及び第２角度θ２は、例えば、７５度以上１０５度以下でもよく、７５度以上１００度以下でもよく、７５度以上９５度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、７５度以上８０度以下でもよく、８０度以上１０５度以下でもよく、８０度以上１００度以下でもよく、８０度以上９５度以下でもよく、８０度以上８５度以下でもよく、８５度以上１０５度以下でもよく、８５度以上１００度以下でもよく、８５度以上９５度以下でもよく、９５度以上１０５度以下でもよく、９５度以上１００度以下でもよく、１００度以上１０５度以下でもよい。
【0137】
異方性エッチングによって第１開口３４が形成される場合、第２寸法Ｓ２及び第３寸法Ｓ３が、第１寸法Ｓ１に近い値になりやすい。すなわち、第１寸法Ｓ１に対する第２寸法Ｓ２の比率であるＳ２／Ｓ１、及び第１寸法Ｓ１に対する第３寸法Ｓ３の比率であるＳ３／Ｓ１が、１．００に近い値になりやすい。
【0138】
Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１は、例えば、０．９０以上でもよく、０．９５以上でもよく、０．９８以上でもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１は、例えば、１．０２以下でもよく、１．０５以下でもよく、１．１０以下でもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１の範囲は、０．９０、０．９５及び０．９８からなる第１グループ、及び／又は、１．０２、１．０５及び１．１０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｓ２／Ｓ１及びＳ３／Ｓ１は、例えば、０．９０以上１．１０以下でもよく、０．９０以上１．０５以下でもよく、０．９０以上１．０２以下でもよく、０．９０以上０．９８以下でもよく、０．９０以上０．９５以下でもよく、０．９５以上１．１０以下でもよく、０．９５以上１．０５以下でもよく、０．９５以上１．０２以下でもよく、０．９５以上０．９８以下でもよく、０．９８以上１．１０以下でもよく、０．９８以上１．０５以下でもよく、０．９８以上１．０２以下でもよく、１．０２以上１．１０以下でもよく、１．０２以上１．０５以下でもよく、１．０５以上１．１０以下でもよい。
【0139】
図２８は、第１ドライエッチング工程を実施するためのドライエッチング装置７０Ｂの一例を示す断面図である。樹脂層３０の樹脂第１面３１が第１電極７１に対向するよう、積層体２５が第１電極７１上に配置される。
【0140】
図２８に示すように、第１電極７１に交流電圧７４が加えられ、第２電極７２が設置電位７３に接続されてもよい。この場合、プラズマ化した処理ガスＦ１を含むエッチングガスＰ２は、主に、イオンによるエッチングを行う。積層体２５の無機第２面４２がエッチングガスＰ２にさらされることにより、樹脂層３０が主に厚み方向に沿ってエッチングされる。
【0141】
図２３～図２８に示す例においても、１つの有機デバイス１００に対応する１つの第１開口群３５の複数の第１開口３４が、第１ドライエッチング工程において一括で形成される。このため、第１開口３４の位置精度を高めることができる。また、工程に要する時間も短くなる。
【0142】
（第６の例）
図２９～図３２を参照して、マスク２０の製造方法の一例を説明する。まず、上述の実施の形態の場合と同様に、支持層５７を準備する。続いて、図２３に示す第５の例の場合と同様に、積層体準備工程を実施する。
図２９～図３２を参照して、マスク２０の製造方法の一例を説明する。まず、上述の実施の形態の場合と同様に、支持層５７を準備する。続いて、図２３に示す第５の例の場合と同様に、積層体準備工程を実施する。
【0143】
続いて、第１ドライエッチング工程を実施する。具体的には、図２９に示すように、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスＰ１に、無機層４０の遮蔽部４６の無機第２面４２をさらす。エッチングガスＰ１は、無機層４０に重なっていない樹脂層３０をエッチングする。エッチングは、樹脂第２面３２から樹脂第１面３１に進行する。これにより、樹脂層３０に、複数の無機開口４４に対応する複数の第１開口３４が形成される。複数の第１開口３４が、無機層４０の第３開口群４５と重なる第１開口群３５を構成する。
【0144】
エッチングガスＰ１によるエッチングは、図１６に示す上述の実施の形態の場合と同様に等方性エッチングであってもよい。すなわち、第１ドライエッチング工程は、図１７に示すドライエッチング装置７０Ａによって実施される等方性エッチング工程を含んでもよい。若しくは、第１ドライエッチング工程は、励起されたオゾンを含むエッチングガスＰ１を利用して実施されてもよい。この場合も、樹脂層３０が等方的にエッチングされる。等方性エッチング工程によって形成される第１開口３４は、図６Ｂに示す形状を有してもよい。
【0145】
続いて、図３０に示すように、支持フレーム形成工程を実施する。すなわち、支持層５７に第２開口５４を形成することによって支持フレーム５０を形成する。第２開口５４は、平面視において複数の第１開口３４に重なるよう形成される。続いて、図３１に示すように、無機層４０の遮蔽部４６を除去する遮蔽部除去工程を実施する。
【0146】
続いて、樹脂マスク部３６の樹脂層３０の厚みを低減させる第２ドライエッチング工程を実施する。具体的には、図３２に示すように、プラズマ化した処理ガスを含むエッチングガスＰ１に、樹脂マスク部３６の樹脂層３０の樹脂第１面３１をさらす。エッチングは、樹脂第１面３１から樹脂第２面３２に向かって進行する。これにより、樹脂マスク部３６を構成する樹脂層３０の樹脂第１面３１が、樹脂第２面３２に向かって変位する。この結果、樹脂マスク部３６を構成する樹脂層３０の樹脂第１面３１は、周囲部３７を構成する樹脂層３０の樹脂第１面３１と樹脂第２面３２の間に位置する。この場合、周囲部３７を構成する樹脂層３０は、第１開口３４に面する樹脂壁面３３よりも外側に位置する壁面３８を含む。「外側」とは、平面視において樹脂マスク部３６の中心から遠ざかる側である。第２ドライエッチング工程の時間は、エッチングが樹脂第２面３２まで進行しないよう調整される。
【0147】
樹脂層３０の厚みを低減させるためのエッチングは、等方性エッチングであってもよい。すなわち、第２ドライエッチング工程は、図１７に示すドライエッチング装置７０Ａによって実施される等方性エッチング工程を含んでもよい。若しくは、第２ドライエッチング工程は、励起されたオゾンを含むエッチングガスＰ１を利用して実施されてもよい。第２ドライエッチング工程は、図２８に示すドライエッチング装置７０Ｂによって実施される異方性エッチング工程を含んでもよい。
【0148】
図３３は、図２９～図３２に示す製造方法によって製造されるマスク２０の一例を示す断面図である。周囲部３７を構成する樹脂層３０Ａは、第３１厚みＴ３１を有する。樹脂マスク部３６を構成する樹脂層３０Ｂは、第３２厚みＴ３２を有する。第３２厚みＴ３２は、第３１厚みＴ３１よりも小さい。第３１厚みＴ３１に対する第３２厚みＴ３２の比率であるＴ３２／Ｔ３１は、例えば、０．２０以上でもよく、０．３０以上でもよく、０．４０以上でもよい。Ｔ３２／Ｔ３１は、例えば、０．５０以下でもよく、０．６０以下でもよく、０．７０以下でもよい。Ｔ３２／Ｔ３１の範囲は、０．２０、０．３０及び０．４０からなる第１グループ、及び／又は、０．５０、０．６０及び０．７０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｔ３２／Ｔ３１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３２／Ｔ３１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３２／Ｔ３１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｔ３２／Ｔ３１は、例えば、０．２０以上０．７０以下でもよく、０．２０以上０．６０以下でもよく、０．２０以上０．５０以下でもよく、０．２０以上０．４０以下でもよく、０．２０以上０．３０以下でもよく、０．３０以上０．７０以下でもよく、０．３０以上０．６０以下でもよく、０．３０以上０．５０以下でもよく、０．３０以上０．４０以下でもよく、０．４０以上０．７０以下でもよく、０．４０以上０．６０以下でもよく、０．４０以上０．５０以下でもよく、０．５０以上０．７０以下でもよく、０．５０以上０．６０以下でもよく、０．６０以上０．７０以下でもよい。
【0149】
【0150】
図１６に示す上述の実施の形態における第１ドライエッチング工程においては、等方性エッチングが樹脂第１面３１から樹脂第２面３２に向かって進行する。一方、図２９に示す本例の第１ドライエッチング工程においては、等方性エッチングが樹脂第２面３２から樹脂第１面３１に向かって進行する。この場合、樹脂第２面３２における第１開口３４の寸法が、樹脂第１面３１における第１開口３４の寸法よりも大きくなる可能性がある。
【0151】
本例においては、エッチングガスを樹脂第１面３１にさらす第２エッチング工程が実施される。これにより、図３４に点線で示す部分３０Ｃが除去される。このため、図３４に示すように、樹脂第２面３２における第１開口３４の第２寸法Ｓ２を、樹脂第１面３１における第１開口３４の第１寸法Ｓ１よりも小さくできる。
【0152】
図３４に示すように、第１寸法Ｓ１は、第２寸法Ｓ２及び第３寸法Ｓ３よりも大きくてもよい。第３寸法Ｓ３は、第２寸法Ｓ２よりも大きくてもよい。
【0153】
【0154】
第２角度θ２は、９０度未満であってもよい。第２角度θ２は、例えば、５０度以上でもよく、６０度以上でもよく、７０度以上でもよい。第２角度θ２は、例えば、７５度以下でもよく、８０度以下でもよく、８５度以下でもよい。第２角度θ２の範囲は、５０度、６０度及び７０度からなる第１グループ、及び／又は、７５度、８０度及び８５度からなる第２グループによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２角度θ２は、例えば、５０度以上８５度以下でもよく、５０度以上８０度以下でもよく、５０度以上７５度以下でもよく、５０度以上７０度以下でもよく、５０度以上６０度以下でもよく、６０度以上８５度以下でもよく、６０度以上８０度以下でもよく、６０度以上７５度以下でもよく、６０度以上７０度以下でもよく、７０度以上８５度以下でもよく、７０度以上８０度以下でもよく、７０度以上７５度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、７５度以上８０度以下でもよく、８０度以上８５度以下でもよい。
【0155】
第１角度θ１は、第２角度θ２よりも大きくてもよい。第１角度θ１は、９０度よりも大きくてもよく、９０度よりも小さくてもよい。第１角度θ１は、例えば、６０度以上でもよく、７０度以上でもよく、７５度以上でもよい。第１角度θ１は、例えば、８５度以下でもよく、１００度以下でもよく、１１５度以下でもよい。第１角度θ１の範囲は、６０度、７０度及び７５度からなる第１グループ、及び／又は、８５度、１００度及び１１５度からなる第２グループによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１角度θ１は、例えば、６０度以上１１５度以下でもよく、６０度以上１００度以下でもよく、６０度以上８５度以下でもよく、６０度以上７５度以下でもよく、６０度以上７０度以下でもよく、７０度以上１１５度以下でもよく、７０度以上１００度以下でもよく、７０度以上８５度以下でもよく、７０度以上７５度以下でもよく、７５度以上１１５度以下でもよく、７５度以上１００度以下でもよく、７５度以上８５度以下でもよく、８５度以上１１５度以下でもよく、８５度以上１００度以下でもよく、１００度以上１１５度以下でもよい。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
