特開 2024-50926 原盤の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024050926

(43)【公開日】2024-04-10

(54)【発明の名称】原盤の製造方法

(51)【国際特許分類】

   B29C 59/04 20060101AFI20240403BHJP

   B29C 33/42 20060101ALI20240403BHJP

   B29C 33/38 20060101ALI20240403BHJP

   G02B 3/00 20060101ALN20240403BHJP

【ＦＩ】

B29C59/04 C

B29C33/42

B29C33/38

G02B3/00 A

【審査請求】有

【請求項の数】2

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024021676

(22)【出願日】2024-02-16

(62)【分割の表示】P 2020057913の分割

【原出願日】2020-03-27

(71)【出願人】

【識別番号】000108410

【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100195556

【弁理士】

【氏名又は名称】柿沼 公二

(74)【代理人】

【識別番号】100163511

【弁理士】

【氏名又は名称】辻 啓太

(72)【発明者】

【氏名】菊池 正尚

(57)【要約】

【課題】異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤を製造する。
【解決手段】原盤１の製造方法は、基材１０の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造２３を形成する第１の形成ステップと、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の一面に、第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部２１または主凸部２２を形成するステップであって、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成する第２の形成ステップと、を含む。
【選択図】図２Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造を形成する第１の形成ステップと、
前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部または主凸部を形成するステップであって、前記主凹部または前記主凸部における前記微細凹凸構造の少なくとも一部の形状を維持しつつ前記主凹部または前記主凸部を形成する第２の形成ステップと、を含む原盤の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の原盤の製造方法において、
前記第１の形成ステップは、
前記基材の一面に無機レジスト層を成膜する第１の成膜ステップと、
熱リソグラフィーにより、前記無機レジスト層を露光して、前記微細凹凸構造に対応する潜像を形成する第１の露光ステップと、
前記潜像が形成された無機レジスト層を現像する第１の現像ステップと、
現像後の前記無機レジスト層を第１のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記微細凹凸構造を形成する第１のエッチングステップと、を含み、
前記第２の形成ステップは、
前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に有機レジスト層を成膜する第２の成膜ステップと、
光リソグラフィーにより、前記有機レジスト層を露光して、前記主凹部または前記主凸部に対応する潜像を形成する第２の露光ステップと、
前記潜像が形成された有機レジスト層を現像する第２の現像ステップと、
現像後の前記有機レジスト層を第２のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記主凹部または前記主凸部を形成する第２のエッチングステップと、を含む原盤の製造方法。

【請求項3】

請求項２に記載の原盤の製造方法において、
第２のエッチングステップでは、
前記有機レジスト層のエッチングレートが、前記基材のエッチングレートよりも大きい、原盤の製造方法。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか一項に記載の原盤の製造方法において、
前記第１の平均ピッチは、可視光の波長以下であり、
前記第２の平均ピッチは、可視光の波長より大きい、原盤の製造方法。

【請求項5】

一面に主凹部または主凸部が形成され、前記主凹部または前記主凸部に微細凹凸構造が形成された基材を備え、
前記微細凹凸構造は、第１の平均ピッチで形成され、
前記主凹部または前記主凸部は、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチで形成される、原盤。

【請求項6】

請求項５に記載の原盤の前記基材の一面に形成された凹凸構造の形状または前記凹凸構造の形状の反転形状が転写された転写物。

【請求項7】

請求項６に記載の転写物を備える物品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、原盤の製造方法、原盤、転写物および物品に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、微細加工技術の一つとして、表面に微細なパターンが形成された平板形状、円柱形状または円筒形状の原盤を樹脂シートなどに押し当てることで、原盤上の微細なパターンを樹脂シートなどに転写するナノインプリント技術の開発が進められている。

【0003】

例えば、特許文献１，２には、リソグラフィーにより基材上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクが形成された基材のエッチングを行うことで、基材に所定のパターンの凹凸構造を形成する技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１６－２８８６７号公報

【特許文献2】特開２０１９－１１１７８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

導光板、光拡散板、マイクロレンズアレイ、反射防止（ＡＧ：Anti-Glare）フィルムおよび細胞培養シートなど種々の物品において、異なる波長の光（例えば、可視光および可視光よりも長い波長の光）それぞれに対して優れた光学性能を有することが求められることがある。このような要求に応えるために、ナノインプリント技術により、異なる波長の光それぞれに対応する平均ピッチを有する凹凸構造を重畳して樹脂シートなどに転写することが考えられる。しかしながら、特許文献１，２に記載の技術では、略一定の形状の凹凸構造しか形成することができず、上述したような、異なる平均ピッチを有する凹凸構造を重畳して形成することは困難である。

【0006】

上記のような問題点に鑑みてなされた本発明の目的は、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤の製造方法、原盤、転写物および物品を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施形態に係る原盤の製造方法は、基材の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造を形成する第１の形成ステップと、前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部または主凸部を形成するステップであって、前記主凹部または前記主凸部における前記微細凹凸構造の少なくとも一部の形状を維持しつつ前記主凹部または前記主凸部を形成する第２の形成ステップと、を含む。

【0008】

一実施形態に係る原盤は、一面に主凹部または主凸部が形成され、前記主凹部または前記主凸部に微細凹凸構造が形成された基材を備え、前記微細凹凸構造は、第１の平均ピッチで形成され、前記主凹部または前記主凸部は、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチで形成される。

【0009】

一実施形態に係る転写物は、上記の原盤の前記基材の一面に形成された凹凸構造の形状または前記凹凸構造の形状の反転形状が転写される。

【0010】

一実施形態に係る物品は、上記の転写物を備える。

【発明の効果】

【0011】

本発明によれば、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤の製造方法、原盤、転写物および物品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態に係る原盤の外観を模式的に示す図である。

【図2A】図１に示す原盤の外周面に形成された凹凸構造の一例を示す図である。

【図2B】図１に示す原盤の外周面に形成された凹凸構造の他の例を示す図である。

【図3】図１に示す原盤を用いて転写物を製造する転写装置の構成例を示す図である。

【図4】図１に示す原盤の製造に用いられる露光装置の構成例を示す図である。

【図5A】比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図5B】比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図5C】比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図5D】比較例１に係る原盤の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図6A】比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図6B】比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図6C】比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図6D】比較例２に係る原盤の製造方法を示す断面図（その４）である。

【図7A】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その１）である。

【図7B】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その２）である。

【図7C】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その３）である。

【図7D】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その４）である。

【図7E】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その５）である。

【図7F】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その６）である。

【図7G】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その７）である。

【図7H】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の一例を示す断面図（その８）である。

【図8A】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その１）である。

【図8B】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その２）である。

【図8C】本発明の一実施形態に係る原盤の製造方法の他の例を示す断面図（その３）である。

【図9A】実施例１に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。

【図9B】実施例２に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。

【図10A】比較例１に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。

【図10B】比較例２に係る原盤による転写物を撮像したＳＥＭ画像図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。各図中、同一符号は、同一または同等の構成要素を示している。

【0014】

図１は、本発明の一実施形態に係る原盤１の外観を示す図である。

【0015】

図１に示すように、本実施形態に係る原盤１は、例えば、一面である外周面１１に凹凸構造２０が形成された、円柱形状の基材１０により構成される。

【0016】

原盤１は、例えば、ロールツーロール（roll-to-roll）方式のインプリント技術に用いられる原盤である。ロールツーロール方式のインプリント技術では、原盤１を回転させながら、原盤１の外周面１１をシート状基材などに押圧することで、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０をシート状基材などに転写することができる。このようなインプリント技術によれば、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０を転写した転写物を効率良く製造することができる。

【0017】

凹凸構造２０が転写された転写物は、様々な用途に用いることができる。例えば、凹凸構造２０が転写された転写物は、導光板、光拡散板、マイクロレンズアレイ、反射防止フィルムまたは細胞培養シートなどの物品に用いることができる。

【0018】

基材１０は、例えば、円筒形状または円柱形状の部材である。基材１０の形状は、図１に示すように、内部に空洞を有する中空の円筒形状であってよい。基材１０の形状は、内部に空洞を有さない中実の円柱形状であってもよい。基材１０は、平板形状の部材であってもよい。基材１０は、例えば、溶融石英ガラスまたは合成石英ガラスなどのＳｉＯ_２を主成分とするガラス材料で形成されてよい。基材１０は、ステンレス鋼などの金属で形成されてよい。基材１０の外周面１１は、ＳｉＯ_２などで被覆されていてよい。以下では、基材１０は、円筒形状または円柱形状の部材であるとして説明する。

【0019】

基材１０は、少なくとも外周面１１がＳｉＯ_２を主成分とするガラス材料で形成されることが好ましい。基材１０は、全体がＳｉＯ_２を主成分とするガラス材料で形成されることがより好ましい。基材１０の主成分がＳｉＯ_２である場合、フッ素化合物を用いたエッチングにより、基材１０を容易に加工することができる。例えば、凹凸構造２０に対応したパターンを形成したレジスト層をマスクパターンとして、フッ素化合物を用いたエッチングを行うことにより、基材１０の外周面１１に凹凸構造２０を容易に形成することができる。

【0020】

基材１０が円柱形状である場合、基材１０は、例えば、円柱形の高さ（軸方向の長さ）が１００ｍｍ以上であり、円柱形状の底面または上面の円の直径（軸方向と直交する径方向の長さ）が５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってよい。基材１０が円筒形状である場合、円筒の径方向の厚みは２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であってよい。ただし、基材１０の大きさは、上記に限定されるものではない。

【0021】

凹凸構造２０は、基材１０の一面である外周面１１に形成される。図２Ａは、凹凸構造２０の一例を示す図である。

【0022】

図２Ａに示すように、凹凸構造２０は、基材１０の一面である外周面１１に形成された主凹部２１と、主凹部２１に形成された微細凹凸構造２３とを含む。

【0023】

主凹部２１は、基材１０の外周面１１から、基材１０の径方向内側に向かって落ち込んだ構造を有する。主凹部２１は、所定の平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する。主凹部２１の平均ピッチＰ２とは、所定の範囲において隣り合う主凹部２１同士の間隔（例えば、隣り合う主凹部２１の中心間の距離）の統計的平均のことである。

【0024】

微細凹凸構造２３は、主凹部２１に形成される。より具体的には、微細凹凸構造２３は、主凹部２１の底面付近に形成される。微細凹凸構造２３は、所定の平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する。微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１とは、所定の範囲おいて隣り合う、微細凹凸構造を構成する凹凸の間隔の統計的平均のことである。

【0025】

基材１０には、図２Ａに示すような、底面付近に微細凹凸構造２３が形成された主凹部２１が、規則的あるいは不規則に複数形成される。

【0026】

微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１は、例えば、可視光の波長以下である。主凹部２１の平均ピッチＰ２は、例えば、可視光の波長より大きい。したがって、主凹部２１の平均ピッチＰ２は、微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１よりも大きい。

【0027】

微細凹凸構造２３を構成する凹部の深さＨ１の範囲は、例えば、５０ｎｍから３００ｎｍ程度である。また、微細凹凸構造２３を構成する凹部の開口の幅Ｗ１の範囲は、例えば、５０ｎｍから５００ｎｍ程度である。主凹部２１の深さＨ２の範囲は、例えば、１μｍから２０μｍ程度である。また、主凹部２１の開口の幅Ｗ２の範囲は、例えば、５μｍから２００μｍ程度である。このように、微細凹凸構造２３のサイズは、主凹部２１のサイズと比べて、１０分の１から４０００分の１程度である。したがって、１つの主凹部２１に対して、微細凹凸構造２３を構成する凹凸を１００個から１６００万個の単位で形成することができる。

【0028】

図２Ａにおいては、凹凸構造２０として、主凹部２１の底面付近に微細凹凸構造２３が形成された例を示しているが、これに限られるものではない。図２Ｂに示すように、凹凸構造２０は、基材１０の径方向外側に向かって突出した主凸部２２の頂面付近に微細凹凸構造２３が形成された構成であってもよい。この場合、基材１０は、図２Ｂに示すような、頂面付近に微細凹凸構造２３が形成された主凸部２２が、規則的あるいは不規則に複数形成される。

【0029】

このように、原盤１は、一面である外周面１１に主凹部２１または主凸部２２が形成され、主凹部２１または主凸部２２に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を備える。微細凹凸構造２３は、平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）で形成され、主凹部２１または主凸部２２は、微細凹凸構造２３の平均ピッチＰ１よりも大きい平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）で形成される。すなわち、原盤１は、外周面１１に平均ピッチＰ２で複数の主凹部２１または主凸部２２が形成され、主凹部２１または主凸部２２それぞれに、微細凹凸構造２３が平均ピッチＰ１（Ｐ１＜Ｐ２）で形成された基材１０を備える。したがって、原盤１は、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成されている。

【0030】

なお、本実施形態においては、図２Ａ，２Ｂに示すように、主凹部２１あるいは主凸部２２にのみ微細凹凸構造２３が形成されている。すなわち、主凹部２１あるいは主凸部２２以外の部分には、微細凹凸構造が形成されていない。このように、主凹部２１あるいは主凸部２２にのみ微細凹凸構造２３を形成することで、例えば、モスアイ構造のような微細凹凸構造を形成し、局所的に反射防止効果を付与することができる。また、微細凹凸構造の有無による濡れ性の違いを応用した印刷インクのパターニング（Ｗｅｎｚｅｌモデル）への応用が考えられる。

【0031】

次に、本実施形態に係る原盤１の使用例を説明する。本実施形態に係る原盤１を用いることにより、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０の形状を転写した転写物を製造することができる。図３は、本実施形態に係る原盤１を用いて転写物を製造する転写装置５の構成例を示す図である。

【0032】

図３に示すように、転写装置５は、原盤１と、基材供給ロール５１と、巻取ロール５２と、ガイドロール５３，５４と、ニップロール５５と、剥離ロール５６と、塗布装置５７と、光源５８とを備える。図３に示す転写装置５は、ロールツーロール方式のインプリント装置である。

【0033】

基材供給ロール５１は、例えば、シート状基材６１がロール状に巻かれたロールである。巻取ロール５２は、原盤１の凹凸構造２０が転写された樹脂層６２を積層した転写物を巻き取るロールである。ガイドロール５３，５４は、転写前後で、シート状基材６１を搬送するロールである。ニップロール５５は、樹脂層６２が積層されたシート状基材６１を原盤１に押圧するロールである。剥離ロール５６は、凹凸構造２０を樹脂層６２に転写した後、樹脂層６２が積層されたシート状基材６１を原盤１から剥離するロールである。

【0034】

塗布装置５７は、コーターなどの塗布手段を備え、光硬化性樹脂組成物をシート状基材６１に塗布し、樹脂層６２を形成する。塗布装置５７は、例えば、グラビアコーター、ワイヤーバーコーターまたはダイコーターなどであってよい。光源５８は、光硬化性樹脂組成物を硬化可能な波長の光を発する光源である。光源５８は、例えば、紫外線ランプなどであってよい。

【0035】

光硬化性樹脂組成物は、所定の波長の光が照射されることにより硬化する樹脂である。光硬化性樹脂組成物は、例えば、アクリルアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂などの紫外線硬化樹脂であってよい。光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、重合開始剤、フィラー、機能性添加剤、溶剤、無機材料、顔料、帯電抑制剤または増感色素などを含んでよい。

【0036】

樹脂層６２は、熱硬化性樹脂組成物で形成されてよい。この場合、転写装置５には、光源５８に変えてヒータが備えられる。ヒータにより樹脂層６２を加熱することで樹脂層６２を硬化させ、凹凸構造２０を転写することができる。熱硬化性樹脂組成物は、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂または尿素樹脂などであってよい。

【0037】

図３に示す転写装置５では、基材供給ロール５１からガイドロール５３を介して、シート状基材６１が連続的に送出される。送出されたシート状基材６１に対して、塗布装置５７により光硬化性樹脂組成物が塗布され、シート状基材６１に樹脂層６２が積層される。樹脂層６２が積層されたシート状基材６１は、ニップロール５５により原盤１に押圧される。これにより、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０が樹脂層６２に転写される。凹凸構造２０が転写された樹脂層６２は、光源５８からの光の照射により硬化される。これにより、原盤１の凹凸構造２０の反転構造が樹脂層６２に形成される。凹凸構造２０が転写されたシート状基材６１は、剥離ロール５６により原盤１から剥離され、ガイドロール５４を介して巻取ロール５２に送出され、巻き取られる。

【0038】

このような転写装置５によれば、原盤１の外周面１１に形成された凹凸構造２０をシート状基材６１に効率的に転写することができる。なお、原盤１の凹凸構造２０が転写された転写物に形成された凹凸構造をさらに転写して、原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物を製造してもよい。すなわち、本実施形態に係る原盤１を用いて製造される転写物には、原盤１の基材１０の一面である外周面１１に形成された凹凸構造２０の形状が転写された転写物および凹凸構造２０の形状の反転形状が転写された転写物（原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物）を含む。原盤１と同様の凹凸構造を有する転写物は、例えば、レプリカ原盤として用いることができる。

【0039】

次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。

【0040】

本実施形態においては、リソグラフィーにより、原盤１の外周面１１に成膜したレジスト層を露光して潜像を形成し、潜像の形成後に現像したレジスト層をエッチングマスクとして基材１０をエッチングすることで基材１０に凹凸構造２０を形成する。以下では、図４を参照して、上述したレジスト層を露光するための露光装置３の構成について説明する。

【0041】

図４に示すように、露光装置３は、レーザ光源３１と、第１ミラー３３と、フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）３４と、集光レンズ３６と、コリメータレンズ３８と、電気光学偏光素子（Electro-Optic Deflector：ＥＯＤ）３９と、第２ミラー４１と、ビームエキスパンダ（Beam expander：ＢＥＸ）４３と、対物レンズ４４とを備える。

【0042】

レーザ光源３１は、制御機構４７が生成した露光信号により制御される。レーザ光源３１から出射されたレーザ光３０は、ターンテーブル４６上に載置された基材１０に照射される。基材１０が載置されたターンテーブル４６は、露光信号と同期する回転制御信号により制御されるスピンドルモータ４５により回転する。

【0043】

レーザ光源３１は、基材１０の外周面１１に成膜されたレジスト層を露光するレーザ光３０を出射する光源である。レーザ光源３１は、例えば、４００ｎｍ～５００ｎｍの青色光帯域に属する波長のレーザ光を出射する半導体レーザ光源であってよい。レーザ光源３１から出射されたレーザ光３０は、平行ビームのまま直進し、第１ミラー３３で反射される。

【0044】

第１ミラー３３にて反射されたレーザ光３０は、集光レンズ３６により電気光学偏光素子３９に集光された後、コリメータレンズ３８により再度、平行ビーム化される。平行ビーム化されたレーザ光３０は、第２ミラー４１により反射され、ビームエキスパンダ４３に水平に導かれる。

【0045】

第１ミラー３３は、偏光ビームスプリッタで構成され、偏光成分の一方を反射させ、偏光成分の他方を透過させる機能を有する。第１ミラー３３を透過した偏光成分は、フォトダイオード３４により光電変換され、光電変換された受光信号は、レーザ光源３１に入力される。これにより、レーザ光源３１は、入力された受光信号によるフィードバックに基づいて、レーザ光３０の出力の調整などを行うことができる。

【0046】

電気光学偏光素子３９は、レーザ光３０の照射位置をナノメートル程度の距離で制御することが可能な素子である。露光装置３は、電気光学偏光素子３９により、基材１０に照射されるレーザ光３０の照射位置を微調整することが可能である。

【0047】

ビームエキスパンダ４３は、第２ミラー４１により導かれたレーザ光３０を所望のビーム形状に整形し、対物レンズ４４を介して、レーザ光３０を基材１０の外周面１１に形成されたレジスト層に照射する。

【0048】

ターンテーブル４６は、基材１０を支持し、スピンドルモータ４５により回転されることで、基材１０を回転させる。ターンテーブル４６は、基材１０を回転させながら、基材１０の軸方向（すなわち、矢印Ｒ方向）にレーザ光３０の照射位置を移動させることで、基材１０の外周面１１にスパイラル状に露光を行うことができる。レーザ光３０の照射位置の移動は、レーザ光源３１を含むレーザヘッドをスライダに沿って移動させることで行ってもよい。

【0049】

制御機構４７は、レーザ光源３１を制御することで、レーザ光３０の出力強度および照射位置を制御する。制御機構４７は、フォーマッタ４８と、ドライバ４９とを備える。

【0050】

ドライバ４９は、フォーマッタ４８が生成した露光信号に基づいてレーザ光源３１によるレーザ光３０の出射を制御する。例えば、ドライバ４９は、露光信号の波形振幅が大きくなるほど、レーザ光３０の出力強度が大きくなるようにレーザ光源３１を制御してよい。ドライバ４９は、露光信号の波形形状に基づいてレーザ光３０の出射タイミングを制御することで、レーザ光３０の照射位置を制御してよい。レーザ光３０の出力強度が大きくなるほど、レジスト層に形成される潜像の大きさおよび深さを大きくすることができる。

【0051】

スピンドルモータ４５は、回転制御信号に基づいて、ターンテーブル４６を回転させる。スピンドルモータ４５は、回転制御信号によって所定の数のパルスが入力された場合に、ターンテーブル４６が１回転するように回転を制御してよい。回転制御信号は、露光信号と共通の基準クロック信号から生成されることで、露光信号と同期するように生成され得る。

【0052】

図４に示す露光装置３によれば、基材１０の外周面１１に、任意のパターンの潜像を高精度および高再現性で形成することが可能である。

【0053】

次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。本実施形態に係る原盤１の製造方法においては、熱リソグラフィーによる無機レジスト層の露光及び現像によるエッチングマスクの形成と、光リソグラフィーによる有機レジスト層の露光および現像によるエッチングマスクの形成とを組み合わせることで、上述した平均ピッチの異なる２つの凹凸パターンを重畳した形状の凹凸構造２０を原盤１の外周面１１に形成する。まず、比較のために、光リソグラフィーによる有機レジスト層の露光および現像によりエッチングマスクを形成する、原盤の製造方法を、図５Ａから図５Ｄを参照して説明する。

【0054】

図５Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、有機系材料からなる有機レジスト層２６が成膜される。有機レジスト層２６を構成する有機系材料としては、例えば、ノボラック系レジストまたは化学増幅型レジストなどを用いることができる。上述したような有機系材料は、例えば、スピンコート法を用いることで、有機レジスト層２６として成膜することができる。本実施形態においては、有機レジスト層２６は、ポジ型レジストであるとする。

【0055】

次に、図５Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された有機レジスト層２６にレーザ光３０が照射され、光リソグラフィーにより有機レジスト層２６が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。光リソグラフィーでは、有機レジスト層２６は、レーザ光３０の照射により変質し、潜像２６ａが形成される。レーザ光３０の波長は特に限定されないが、４００ｎｍ～５００ｎｍの青色光帯域に属する波長であってよい。レーザ光３０の制御信号を変調させることで、レーザ光３０の出力強度および照射位置を制御し、有機レジスト層２６に形成される潜像２６ａの大きさおよび位置を制御することができる。そのため、レーザ光３０を出射する光源は、例えば、出力の調整が容易な、半導体レーザ光源であってよい。

【0056】

照射されるレーザ光３０のスポットＳＰ（照射範囲）の中心程、光の強度が大きいので、潜像２６ａの深さは、図５Ｂに示すように、断面視において、レーザ光３０のスポットＳＰの中心程、深くなる。すなわち、潜像２６ａは、半円状に形成される。また、有機レジスト層２６はレーザ光３０のスポットＳＰだけでなく、スポットＳＰの周辺部分も感光する。そのため、潜像２６ａの範囲は、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも広くなる。

【0057】

次に、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像することで、図５Ｃに示すように、有機レジスト層２６に、潜像２６ａに対応する凹部２６ｂが形成される。有機レジスト層２６の現像には、ＴＭＡＨ（TetraMethylAmmonium Hydroxide：水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液などのアルカリ系溶液、あるいは、エステルまたはアルコールなどの各種有機溶剤を用いることができる。有機レジスト層２６がポジ型レジストである場合、レーザ光３０で露光された露光部は、レーザ光３０で露光されていない非露光部と比較して、現像液に対する溶解速度が増加する。そのため、現像処理により露光部が除去される。これにより、潜像２６ａが除去された有機レジスト層２６が形成される。なお、有機レジスト層２６がネガ型レジストである場合、レーザ光３０で露光された露光部は、レーザ光３０で露光されていない非露光部と比較して、現像液に対する溶解速度が低下する。そのため、現像処理により非露光部が除去される。これにより、潜像２６ａを残存させることも可能である。

【0058】

次に、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図５Ｄに示すように、基材１０には、潜像２６ａに対応する凹部２４が形成される。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。基材１０がＳｉＯ_２を主成分とするガラス材料（例えば、石英ガラスなど）である場合、基材１０のエッチングは、フッ化炭素ガスを用いたドライエッチングまたはフッ化水素酸などを用いたウェットエッチングにより行うことができる。

【0059】

図５Ａから図５Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも広い凹部２４が凹凸構造として基材１０に形成されるだけである。そのため、図５Ａから図５Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することは困難である。

【0060】

次に、熱リソグラフィーによる無機レジスト層の露光および現像によりエッチングマスクを形成する、原盤の製造方法を、図６Ａから図６Ｄを参照して説明する。

【0061】

図６Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、無機系材料からなる無機レジスト層２７が成膜される。無機レジスト層２７を構成する無機系材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの１種または２種以上の遷移金属を含む金属酸化物を用いることができる。上述したような無機系材料は、例えば、スパッタ法などを用いることで、無機レジスト層２７として成膜することができる。本実施形態においては、無機レジスト層２７は、ポジ型レジストであるとする。

【0062】

次に、図６Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された無機レジスト層２７にレーザ光３０が照射され、熱リソグラフィーにより無機レジスト層２７が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。熱リソグラフィーでは、無機レジスト層２７は、照射されるレーザ光３０の熱により変質し、潜像２７ａが形成される。レーザ光３０としては、図５Ｂを参照して説明した光リソグラフィーにおいて使用したレーザ光３０と同じものを用いることができる。

【0063】

照射されるレーザ光３０のスポットＳＰ（照射範囲）内で、温度分布は均一ではなく、偏りがある。そのため、レーザ光３０のスポットＳＰのうち温度が高い部分で、無機レジスト層２７が変質し、潜像２７ａが形成される。また、潜像２７ａの深さは、温度が高い部分ほど深くなる。そのため、潜像２７ａの範囲は、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも狭くなり、また、潜像２７ａ内においても、深さにばらつきが生じる。

【0064】

次に、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像することで、図６Ｃに示すように、無機レジスト層２７に、潜像２７ａに対応する凹部２７ｂが形成される。無機レジスト層２７の現像には、例えば、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ系溶液を用いることができる。

【0065】

次に、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスクとして、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図６Ｄに示すように、基材１０には、潜像２７ａに対応する凹部２５が形成される。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。

【0066】

図６Ａから図６Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、レーザ光３０のスポットＳＰの範囲よりも小さい凹部２５が凹凸構造として基材１０に形成されるだけである。そのため、図６Ａから図６Ｄを参照して説明した原盤の製造方法では、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することは困難である。

【0067】

次に、本実施形態に係る原盤１の製造方法について説明する。以下では、図２Ａに示す、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された凹凸構造２０を有する原盤１を製造する例を用いて説明する。

【0068】

本実施形態に係る原盤１の製造方法は、第１の形成ステップと、第２の形成ステップとを含む。第１の形成ステップでは、基材１０の一面である外周面１１に所定の平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する微細凹凸構造２３を形成する。第２の形成ステップでは、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の外周面１１に、平均ピッチＰ１よりも大きい所定の平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する主凹部２１または主凸部２２を形成する。ここで、第２の形成ステップでは、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成する。以下では、第１の形成ステップおよび第２の形成ステップについてより詳細に説明する。

【0069】

まず、第１の形成ステップについて、図７Ａから図７Ｄを参照して説明する。

【0070】

図７Ａに示すように、基材１０の一面である外周面１１上に、無機レジスト層２７が成膜される。無機レジスト層２７は、例えば、図６Ａを参照して説明した方法により、成膜することができる。

【0071】

次に、図７Ｂに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された無機レジスト層２７にレーザ光３０（不図示）が照射され、熱リソグラフィーにより無機レジスト層２７が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。無機レジスト層２７は、照射されるレーザ光３０の熱により変質し、潜像２７ａが形成される。上述したように、熱リソグラフィーにより形成される潜像２７ａは、レーザ光３０のスポットＳＰよりも小さいサイズにすることができる。潜像２７ａは、微細凹凸構造２３に対応して形成される。

【0072】

次に、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像することで、図７Ｃに示すように、無機レジスト層２７に、潜像２７ａに対応する凹部２７ｂが形成される。無機レジスト層２７の現像は、例えば、図６Ｃを参照して説明した方法により行うことができる。

【0073】

次に、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図７Ｄに示すように、基材１０には、潜像２７ａに対応する凹部２３ａが形成される。凹部２３ａは、微細凹凸構造２３に相当するものである。基材１０のエッチングは、ドライエッチングまたはウェットエッチングのいずれで行ってもよい。

【0074】

このように、第１の形成ステップは、第１の成膜ステップ（図７Ａ）と、第１の露光ステップ（図７Ｂ）と、第１の現像ステップ（図７Ｃ）と、第１のエッチングステップ（図７Ｄ）とを含む。

【0075】

第１の成膜ステップでは、基材１０の一面である外周面１１に無機レジスト層２７を成膜する。第１の露光ステップでは、熱リソグラフィーにより、無機レジスト層２７を露光して、微細凹凸構造２３に対応する潜像２７ａを形成する。第１の現像ステップでは、潜像２７ａが形成された無機レジスト層２７を現像する。第１のエッチングステップでは、現像後の無機レジスト層２７をエッチングマスク（第１のエッチングマスク）として基材１０をエッチングして、微細凹凸構造２３を形成する。

【0076】

次に、第２の形成ステップについて、図７Ｅから図７Ｈを参照して説明する。

【0077】

図７Ｅに示すように、凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）が形成された基材１０の外周面１１上に、有機レジスト層２６が成膜される。有機レジスト層２６は、例えば、図５Ａを参照して説明した方法により、成膜することができる。

【0078】

次に、図７Ｆに示すように、基材１０の外周面１１上に形成された有機レジスト層２６にレーザ光３０（不図示）が照射され、光リソグラフィーにより有機レジスト層２６が露光される。露光は図４を参照して説明した露光装置３により行うことができる。有機レジスト層２６は、レーザ光３０の照射により変質し、潜像２６ａが形成される。上述したように、光リソグラフィーにより形成される潜像２６ａは、レーザ光３０のスポットＳＰよりも大きいサイズである。潜像２６ａは、主凹部２１に対応して形成される。

【0079】

次に、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像することで、図７Ｇに示すように、有機レジスト層２６に、潜像２６ａに対応する凹部２６ｂが形成される。有機レジスト層２６の現像は、例えば、図５Ｃを参照して説明した方法により行うことができる。

【0080】

次に、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第２のエッチングマスク）として、基材１０のエッチングが行われる。こうすることで、図７Ｈに示すように、基材１０には、主凹部２１が形成される。図７Ｈに示す工程では、基材１０のエッチングは、有機レジスト層２６のエッチングレートが、基材１０のエッチングレートよりも大きくなるように行われる。有機レジスト層２６および基材１０のエッチングレートをこのように調整することで、主凹部２１における凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成することができる。また、主凹部２１以外に形成された微細凹凸構造２３を除去することができる。その結果、主凹部２１に対応する位置に形成された凹部２３ａの少なくとも一部が、微細凹凸構造２３として主凹部２１に形成される。すなわち、一面（外周面１１）に主凹部２１が形成され、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０が作製される。

【0081】

このように、第２の形成ステップは、第２の成膜ステップ（図７Ｅ）と、第２の露光ステップ（図７Ｆ）と、第２の現像ステップ（図７Ｇ）と、第２のエッチングステップ（図７Ｈ）とを含む。

【0082】

第２の成膜ステップでは、凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）が形成された基材１０の一面である外周面１１に有機レジスト層２６を成膜する。第２の露光ステップでは、光リソグラフィーにより、有機レジスト層２６を露光して、主凹部２１に対応する潜像２６ａを形成する。第２の現像ステップでは、潜像２６ａが形成された有機レジスト層２６を現像する。第２のエッチングステップでは、現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスク（第２のエッチングマスク）として基材１０をエッチングして、主凹部２１を形成する。ここで、第２のエッチングステップでは、主凹部２１における凹部２３ａ（微細凹凸構造２３）の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成する。

【0083】

なお、有機レジスト層２６の露光および現像により形成する潜像２６ａは、図７Ｆに示す示す例に限られるものではない。

【0084】

図８Ａに示すように、潜像２６ａは、有機レジスト層２６の表面から基材１０の外周面１１に達するように形成されてもよい。この場合、潜像２６ａの壁面が、基材１０の外周面１１に対して概ね垂直となるように形成されてもよい。有機レジスト層２６の成膜までの工程は、図７Ａから図７Ｅを参照して説明した工程と同じであるので、説明を省略する。

【0085】

図８Ａに示す潜像２６ａが形成された後、有機レジスト層２６の現像を行うことで、図８Ｂに示すように、有機レジスト層２６には、基材１０に達する凹部２６ｂが形成される。凹部２６ｂの壁面は、基材１０の外周面１１に対して概ね垂直となる。

【0086】

現像後の有機レジスト層２６をエッチングマスクとしたエッチングを行うことで、図８Ｃに示すように、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を製造することができる。すなわち、一面（外周面１１）に主凹部２１が形成され、主凹部２１に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を備える原盤１を作製することができる。なお、図８Ｃに基材１０では、図７Ｈに示す基材１０とは異なり、主凹部２１の壁面は、基材の外周面１１に対して概ね垂直となる。

【0087】

図８Ｂに示す有機レジスト層２６の現像において、有機レジスト層２６をネガ型レジストとすることで、潜像２６ａ以外の部分を除去することができる。その後、基材１０のエッチングを行うことで、潜像２６ａ以外の部分からエッチングが進むので、図２Ｂに示すような、主凸部２２に微細凹凸構造２３が形成された基材１０を作製することができる。

【0088】

このように本実施形態に係る原盤１の製造方法は、第１の形成ステップと、第２の形成ステップとを含む。第１の形成ステップでは、基材１０の一面（外周面１１）に平均ピッチＰ１（第１の平均ピッチ）を有する微細凹凸構造２３を形成する。第２の形成ステップでは、微細凹凸構造２３が形成された基材１０の一面（外周面１１）に、平均ピッチＰ１よりも大きい平均ピッチＰ２（第２の平均ピッチ）を有する主凹部２１または主凸部２２を形成する。第２の形成ステップでは、主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の少なくとも一部の形状を維持しつつ主凹部２１を形成する。

【0089】

主凹部２１または主凸部２２における微細凹凸構造２３の形状を維持しつつ主凹部２１または主凸部２２を形成することで、異なる平均ピッチを有する凹凸構造が重畳して形成された原盤１を製造することができる。また、このような原盤１を用いることで、異なる平均ピッチの凹凸構造が重畳して形成された転写物、および、そのような転写物を備える物品を製造することができる。

【実施例0090】

次に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。

【0091】

［原盤の製造］
（実施例１）
以下の工程により、実施例１に係る原盤を作製した。まず、円筒形状の石英ガラスにて構成された基材（軸方向の長さ１００ｍｍ、直径φ１３２、肉厚４．５ｍｍ）の外周面に、スパッタ法でタングステン酸化物を５５ｎｍの厚さで成膜し、無機レジスト層を形成した。次に、図４に示す露光装置３を用いて、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光源からのレーザ光により熱リソグラフィーを行い、無機レジスト層に微細凹凸構造２３に対応する潜像を形成した。基材の回転数は９００ｒｐｍとした。

【0092】

次に、ＴＭＡＨ２．３８質量％水溶液（東京応化工業製）を用いて、露光後の基材を２７℃、９００秒で現像処理することにより、潜像部分の無機レジスト層を溶解し、無機レジスト層に凹部を形成した。次に、現像後の無機レジスト層をエッチングマスクとして、ＣＨＦ_３ガス（３０ｓｃｃｍ）を用いて、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力１５０Ｗにて反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）を行い、基材を３０分間エッチングした。その後、残存した無機レジスト層を除去した。

【0093】

次に、無機レジスト層を除去した基材の外周面に、ディップコート法でＡＺ４２１０ポジ型レジストを５μｍの厚さで成膜し、有機レジスト層を形成した。次に、図４に示す露光装置を用いて、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光源からのレーザ光により光リソグラフィーを行い、有機レジスト層に主凹部２１に対応する潜像を形成した。基材の回転数は９００ｒｐｍとした。本実施例では、図７Ｆに示すように、断面視で半円状の潜像を形成した。

【0094】

次に、ＴＭＡＨ２．３８質量％水溶液（東京応化工業製）を用いて、露光後の基材を２７℃、１８０秒で現像処理することにより、潜像部分の有機レジスト層を溶解し、有機レジスト層に凹部を形成した。次に、現像後の有機レジスト層をエッチングマスクとして、ＣＨＦ_３ガス（３０ｓｃｃｍ）を用いて、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力１５０Ｗにて反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥ）を行い、基材を３００分間エッチングした。その後、残存した有機レジスト層を除去した。

【0095】

以上の工程により、外周面に凹凸構造が形成された原盤を製造した。

【0096】

（実施例２）
本実施例では、有機レジスト層に形成する潜像として、図７Ｆに示す、断面視で半円状の潜像の代わりに、図８Ａに示す、基材の外周面に達し、壁面が基材の外周面に対して概ね垂直となる潜像を形成した。その他の工程は実施例１と同様の方法により、実施例２に係る原盤を製造した。

【0097】

（比較例１）
比較例１では、図５Ａから図５Ｄを参照して説明した工程により、原盤を作製した。

【0098】

具体的には、実施例１と同じ基材の外周面に、実施例１と同様の方法により無機レジスト層を形成した。次に、実施例１と同様の方法により熱リソグラフィーを行い、無機レジスト層に潜像を形成した。次に、実施例１と同様の方法により、無機レジスト層に対する現像およびエッチングを行い、比較例１に係る原盤を製造した。

【0099】

（比較例２）
比較例２では、図６Ａから図６Ｄを参照して説明した工程により、原盤を作製した。

【0100】

具体的には、実施例１と同じ基材の外周面に、実施例１と同様の方法により有機レジスト層を形成した。次に、実施例１と同様の方法により光リソグラフィーを行い、有機レジスト層に潜像を形成した。次に、実施例１と同様の方法により、有機レジスト層に対する現像およびエッチングを行い、比較例２に係る原盤を製造した。

【0101】

［転写物の製造］
実施例１，２および比較例１，２に係る原盤を用いて転写物を製造した。具体的には、図３に示す転写装置５を用いて、原盤の外周面に形成された凹凸構造を紫外線硬化樹脂に転写した。転写物のシート状基材には、ポリエチレンテレフタレート（PolyEthylene Terephthalate：ＰＥＴ）フィルムを用いた。紫外線硬化樹脂は、メタルハライドランプにより、１０００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を１分間照射することで硬化させた。

【0102】

［評価結果］
実施例１，２および比較例１，２を用いて製造した転写物を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）にて観察した画像を図９Ａ，９Ｂ，１０Ａ，１０Ｂに示す。図９Ａは、実施例１に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大倍率１０００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図９Ｂは、実施例２に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大率１００００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図１０Ａは、比較例１に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大倍率１０００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。図１０Ｂは、比較例２に係る原盤を用いて製造した転写物を拡大率１００００倍にて撮像したＳＥＭ画像図である。

【0103】

図９Ａおよび図９Ｂを参照すると、実施例１，２に係る原盤を用いて製造した転写物では、数μｍの高さの複数の主凸部それぞれの上に、数百ｎｍの高さの微細凹凸構造が形成された。例えば、実施例１に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約２．６μｍの主凸部の頂部に、高さ約２００ｎｍの微細凹凸構造が形成された。したがって、実施例１，２に係る原盤を用いて製造した転写物には、異なる平均ピッチの凹凸構造が重畳して形成されていることが分かった。

【0104】

一方、図１０Ａを参照すると、比較例１に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約３．２μｍの凸部が形成されていただけであり、当該凸部と平均ピッチの異なる凹凸構造が形成されることはなかった。また、図１０Ｂを参照すると、比較例２に係る原盤を用いて製造した転写物では、高さ約２００ｎｍの凸部が形成されていただけであり、当該凸部と平均ピッチの異なる凹凸構造が形成されることはなかった。

【0105】

本発明を図面および実施形態に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形または修正を行うことが容易であることに注意されたい。したがって、これらの変形または修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。

【符号の説明】

【0106】

１ 原盤
３ 露光装置
５ 露光装置
１０ 基材
１１ 外周面
２０ 凹凸構造
２１ 主凹部
２２ 主凸部
２３ 微細凹凸構造
２３ａ 凹部
２４，２５ 基材の凹部
２６ 有機レジスト層
２６ａ，２７ａ 潜像
２６ｂ 有機レジスト層の凹部
２７ 無機レジスト層
２７ｂ 無機レジスト層の凹部
３０ レーザ光
３１ レーザ光源
３３ 第１ミラー
３４ フォトダイオード
３６ 集光レンズ
３８ コリメータレンズ
３９ 電気光学偏光素子
４１ 第２ミラー
４３ ビームエキスパンダ
４４ 対物レンズ
４５ スピンドルモータ
４６ ターンテーブル
４７ 制御機構
４８ フォーマッタ
４９ ドライバ
５１ 基材供給ロール
５２ 巻取ロール
５３，５４ ガイドロール
５５ ニップロール
５６ 剥離ロール
５７ 塗布装置
５８ 光源
６１ シート状基材
６２ 樹脂層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9A】

【図9B】

【図10A】

【図10B】

【手続補正書】

【提出日】2024-02-16

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【請求項1】

基材の一面に無機レジスト層を成膜する第１の成膜ステップと、
熱リソグラフィーにより、前記無機レジスト層を露光して、前記基材の一面に第１の平均ピッチを有する微細凹凸構造に対応する潜像を形成する第１の露光ステップと、
前記潜像が形成された無機レジスト層を現像する第１の現像ステップと、
現像後の前記無機レジスト層を第１のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記微細凹凸構造を形成する第１のエッチングステップと、
前記微細凹凸構造が形成された前記基材の一面に有機レジスト層を成膜する第２の成膜ステップと、
光リソグラフィーにより、前記有機レジスト層を露光して、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチを有する主凹部または主凸部に対応する潜像を形成する第２の露光ステップと、
前記潜像が形成された有機レジスト層を現像する第２の現像ステップと、
現像後の前記有機レジスト層を第２のエッチングマスクとして前記基材をエッチングして前記主凹部または前記主凸部を形成する第２のエッチングステップと、を含み、
前記第２のエッチングステップでは、前記有機レジスト層のエッチングレートが、前記基材のエッチングレートよりも大きく、前記主凹部または前記主凸部に対応する部分以外の前記微細凹凸構造が除去されるまで、前記基材をエッチングする、原盤の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の原盤の製造方法において、
前記第１の平均ピッチは、可視光の波長以下であり、
前記第２の平均ピッチは、可視光の波長より大きい、原盤の製造方法。