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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024051292
(43)【公開日】2024-04-11
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20240404BHJP
H01L 25/00 20060101ALI20240404BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20240404BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20240404BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 F
H01L25/00 B
H01L23/12 Q
H01L23/28 J
H01L23/30 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022157372
(22)【出願日】2022-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(72)【発明者】
【氏名】竹田 裕史
【テーマコード（参考）】
4M109
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA01
4M109DA07
4M109DB02
4M109EA02
(57)【要約】
【課題】封止樹脂の低背化を図った半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ａ１０は、半導体素子１と、支持部材２と、配線層３と、複数の端子５と、封止樹脂６とを備える。支持部材２は、厚さ方向ｚの一方を向く搭載面２１を有し、半導体素子１を支持する。配線層３は、搭載面２１に少なくとも一部が接する。複数の端子５の各々は、支持部材２を貫通し、配線層３に導通する。封止樹脂６は、搭載面２１に形成され、半導体素子１および配線層３を覆う。配線層３は、半導体素子１に導通する配線パターン部３１と、コイルパターン部３２と、を含む。
【選択図】図２
【解決手段】半導体装置Ａ１０は、半導体素子１と、支持部材２と、配線層３と、複数の端子５と、封止樹脂６とを備える。支持部材２は、厚さ方向ｚの一方を向く搭載面２１を有し、半導体素子１を支持する。配線層３は、搭載面２１に少なくとも一部が接する。複数の端子５の各々は、支持部材２を貫通し、配線層３に導通する。封止樹脂６は、搭載面２１に形成され、半導体素子１および配線層３を覆う。配線層３は、半導体素子１に導通する配線パターン部３１と、コイルパターン部３２と、を含む。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と、
厚さ方向の一方を向く搭載面を有し、前記半導体素子を支持する支持部材と、
前記搭載面に少なくとも一部が接する配線層と、
前記支持部材を貫通し、前記配線層に導通する複数の端子と、
前記搭載面に形成され、前記半導体素子および前記配線層を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記配線層は、前記半導体素子に導通する配線パターン部と、コイルパターン部と、を含む半導体装置。
厚さ方向の一方を向く搭載面を有し、前記半導体素子を支持する支持部材と、
前記搭載面に少なくとも一部が接する配線層と、
前記支持部材を貫通し、前記配線層に導通する複数の端子と、
前記搭載面に形成され、前記半導体素子および前記配線層を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記配線層は、前記半導体素子に導通する配線パターン部と、コイルパターン部と、を含む半導体装置。
【請求項2】
前記封止樹脂に覆われた磁性膜をさらに備え、
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の少なくとも一部を覆う、請求項１に記載の半導体装置。
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の少なくとも一部を覆う、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の全体を覆う、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記配線パターン部と前記コイルパターン部とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記コイルパターン部は、前記搭載面に平面巻回された平面コイルである、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記複数の端子は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子の外方に配置される、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記コイルパターン部は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子に重ならない、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記支持部材を前記厚さ方向に貫通する放熱パッドをさらに備え、
前記放熱パッドは、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なる、請求項７に記載の半導体装置。
前記放熱パッドは、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なる、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記支持部材は、樹脂材料を含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記封止樹脂は、前記支持部材と同じ樹脂材料を含む、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記複数の端子の各々は、前記支持部材を貫通する柱状部と、前記柱状部のうち前記支持部材から露出する面を覆う外部電極部とを含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記支持部材は、前記厚さ方向において前記搭載面と反対側を向く部材裏面を有し、
前記外部電極部は、前記部材裏面よりも突き出る、請求項１１に記載の半導体装置。
前記外部電極部は、前記部材裏面よりも突き出る、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記複数の端子は、前記コイルパターン部に導通するコイル端子を含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記半導体素子は、前記厚さ方向の他方側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された素子電極を有しており、
前記素子主面は、前記搭載面に対向する、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記素子主面は、前記搭載面に対向する、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記支持部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向を向く部材側面を有し、
前記複数の端子は、前記部材側面から露出する側方端子を含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
前記複数の端子は、前記部材側面から露出する側方端子を含む、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項16】
前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方を向く樹脂主面と、前記第１方向を向く樹脂側面を有し、
前記樹脂側面は、前記樹脂主面に繋がる第１側部と前記部材側面に繋がる第２側部とを有し、
前記第２側部は、前記部材側面と面一であり、
前記厚さ方向に見て、前記第１側部は、前記第２側部よりも外方に突き出ている、請求項１５に記載の半導体装置。
前記樹脂側面は、前記樹脂主面に繋がる第１側部と前記部材側面に繋がる第２側部とを有し、
前記第２側部は、前記部材側面と面一であり、
前記厚さ方向に見て、前記第１側部は、前記第２側部よりも外方に突き出ている、請求項１５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、１つの封止樹脂で、複数の電子素子（能動素子および受動素子など）を封止した半導体装置が知られている。このような半導体装置では、当該半導体装置とともに電子機器などの配線板に実装する電子素子の数を削減することができる。たとえば、特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の半導体装置は、基板と、第１素子と、第２素子と、封止樹脂とを備える。第１素子は、たとえばＬＳＩ（Large Scale Integration）などの集積回路（ＩＣ）である。第２素子は、第１素子に接続される素子であり、たとえばダイオードなどの受動素子である。第１素子および第２素子は、基板に搭載される。封止樹脂は、基板上に配置され、第１素子および第２素子を覆う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－８２６９４号公報
【特許文献2】特開２００９－２４６３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載の半導体装置において、第２素子としてインダクタを用いた場合、第２素子（インダクタ）の厚さにより、封止樹脂の厚さが大きくなることがある。たとえば特許文献２には、インダクタの厚さが他の電子素子（ダイオード、コンデンサおよびスイッチング素子など）の厚さよりも大きい例が開示されている。しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置において、基板の厚さに対して封止樹脂の厚さが大きくなるほど、熱応力により基板の反りが大きくなる虞がある。このような基板の反りにより、半導体装置の製造が困難となることがある。
【0005】
本開示は、上記事情に鑑みて考え出されたものであり、その目的は、封止樹脂の低背化を図った半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の半導体装置は、半導体素子と、厚さ方向の一方を向く搭載面を有し、前記半導体素子を支持する支持部材と、前記搭載面に少なくとも一部が接する配線層と、前記支持部材を貫通し、前記配線層に導通する複数の端子と、前記搭載面に形成され、前記半導体素子および前記配線層を覆う封止樹脂と、を備え、前記配線層は、前記半導体素子に導通する配線パターン部と、コイルパターン部と、を含む。
【発明の効果】
【0007】
本開示の半導体装置によれば、封止樹脂の低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の半導体装置の好ましい実施の形態について、図面を参照して、以下に説明する。以下では、同一あるいは類似の構成要素に、同じ符号を付して、重複する説明を省略する。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
【0010】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ（の）上に位置していること」を含む。また、「ある方向に見てある物Ａがある物Ｂに重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃを含む」とは、「ある物Ａ（の材料）がある材料Ｃからなる場合」、および、「ある物Ａ（の材料）の主成分がある材料Ｃである場合」を含む。また、「ある面Ａがある方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、特段の断りのない限り、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。また、「ある面Ａがある面Ｂに直交する」とは、特段の断りのない限り、面Ａの面Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが面Ｂに対して傾いている場合を含む。
【0011】
図１～図１０は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０を示している。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１、複数の回路部品１９、支持部材２、放熱パッド２９、配線層３、磁性膜３９、複数の接合層４１、複数の接合層４２、複数の端子５および封止樹脂６を備える。
【0012】
説明の便宜上、互いに直交する厚さ方向ｚ、第１方向ｘおよび第２方向ｙを参照する。厚さ方向ｚは、半導体装置Ａ１０の厚さ方向に相当する。以下の説明では、厚さ方向ｚの一方を上方といい、他方を下方ということがある。なお、「上」、「下」、「上方」、「下方」、「上面」および「下面」などの記載は、厚さ方向ｚにおける各部品等の相対的位置関係を示すものであり、必ずしも重力方向との関係を規定する用語ではない。また、「平面視」とは、厚さ方向ｚに見たときをいう。
【0013】
半導体装置Ａ１０は、電子機器および電気自動車などの配線板に表面実装する装置である。半導体装置Ａ１０は、リードレスパッケージ型であり、特に、ＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non-leaded Package）型である。半導体装置Ａ１０は、平面視において矩形状である。半導体装置Ａ１０の大きさは、何ら限定されないが、第１方向ｘの寸法が０．８ｍｍ以上８ｍｍ以下、第２方向ｙの寸法が０．８ｍｍ以上８ｍｍ以下、厚さ方向ｚの寸法は、０．３ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。
【0014】
半導体素子１は、半導体装置Ａ１０の機能中枢となる部品である。半導体素子１は、たとえばＬＳＩなどの集積回路である。この例と異なり、半導体素子１は、ＬＤＯ（Low Drop Out）などの電圧制御用素子、オペアンプなどの増幅用素子、トランジスタおよびダイオードなどのディスクリート素子であってもよい。半導体素子１は、平面視において矩形状である。半導体素子１は、支持部材２に支持される。半導体素子１は、平面視において、支持部材２に重なる。
【0015】
半導体素子１は、図７～図９に示すように、素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂを有する。素子主面１０ａおよび素子裏面１０ｂは、厚さ方向ｚにおいて、離間する。素子主面１０ａと素子裏面１０ｂとは、互いに反対側を向く。素子主面１０ａは、支持部材２に対向する。
【0016】
半導体素子１は、図７～図９に示すように、複数の素子電極１１を有する。複数の素子電極１１の各々は、素子主面１０ａに配置される。複数の素子電極１１はそれぞれ、パッドおよびピラーを含む。各素子電極１１において、パッドは、素子主面１０ａに配置され、ピラーは、パッドから厚さ方向ｚに延びる。ピラーは、素子主面１０ａから突き出る。パッドおよびピラーの各組成は、導電性材料を含んでいれば何ら限定されないが、一例では、パッドの組成は、アルミニウム（Ａｌ）を含み、ピラーの組成は、銅（Ｃｕ）を含む。複数の素子電極１１はそれぞれ、平面視矩形状である。複数の素子電極１１の各平面視形状は、矩形に限定されず、円形、楕円あるいは多角形でもよい。また、パッドとピラーとで平面視形状が異なっていてもよい。
【0017】
複数の回路部品１９はそれぞれ、図２および図１０に示すように、支持部材２に支持される。複数の回路部品１９はそれぞれ、表面実装型である。複数の回路部品１９はそれぞれ、たとえば抵抗器、コンデンサ、またはダイオードなどのいずれかである。複数の回路部品１９はそれぞれ、図２および図１０に示すように、一対の端子部１９１を含む。各回路部品１９において、一対の端子部１９１は、平面視における長手方向の両側にそれぞれ配置される。なお、回路部品１９の数は、１つであってもよい。
【0018】
支持部材２は、半導体素子１を支持する。支持部材２は、たとえば樹脂材料を含む。当該樹脂材料は、たとえば封止樹脂６と同じであるが、封止樹脂６と異なっていてもよい。また、支持部材２には、先述の樹脂材料にシリカなどのフィラーが混入されていてもよい。支持部材２は、樹脂材料ではなく、単結晶の真性半導体（たとえばケイ素（Ｓｉ））を含む構成でもよい。支持部材２は、図２、図３および図５に示すように、平面視矩形状である。支持部材２の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば３０μｍ以上１５０μｍ以下である。支持部材２は、搭載面２１、裏面２２および複数の側面２３を有する。
【0019】
図４、図６～図１０に示すように、搭載面２１および裏面２２は、厚さ方向ｚにおいて離間する。搭載面２１と裏面２２は、互いに反対側を向く。搭載面２１は、支持部材２の上面であり、裏面２２は、支持部材２の下面である。搭載面２１は、半導体素子１（素子主面１０ａ）に対向する。裏面２２は、半導体装置Ａ１０を配線板に実装した際、当該配線板に対向する。本実施形態では、搭載面２１は、封止樹脂６に覆われ、裏面２２は、封止樹脂６から露出する。
【0020】
図２～図１０に示すように、複数の側面２３はそれぞれ、搭載面２１と裏面２２との間に挟まれている。各側面２３の厚さ方向ｚの上端は、搭載面２１に繋がり、各側面２３の厚さ方向ｚの下端は、裏面２２に繋がる。各側面２３は、平坦であり、かつ、搭載面２１および裏面２２のそれぞれに直交する。
【0021】
配線層３は、半導体装置Ａ１０の内部に配置される導電体である。配線層３は、たとえばＣｕを含む。配線層３は、たとえばシード層（たとえばチタン（Ｔｉ）を含む）とめっき層（たとえばＣｕを含む）との積層体であるが、導電体からなる単層であってもよい。配線層３は、図２および図３から理解されるように、半導体素子１に導通する部位および複数の回路部品１９のいずれかに導通する部位を含む。本実施形態では、配線層３は、搭載面２１に形成され、搭載面２１に接する。配線層３は、図３に示すように、複数の配線パターン部３１およびコイルパターン部３２を含む。本実施形態では、複数の配線パターン部３１およびコイルパターン部３２は、厚さ方向ｚにおいて同じ位置にある。
【0022】
複数の配線パターン部３１は、複数の端子５とともに、半導体装置Ａ１０における導通経路をなす。図２および図３から理解されるように、複数の配線パターン部３１は、半導体素子１と複数の端子５のいずれかとを電気的に接続するもの、半導体素子１と複数の回路部品１９のいずれかとを電気的に接続するもの、および、複数の回路部品１９のいずれかと複数の端子５のいずれかとを電気的に接続するものを含む。複数の配線パターン部３１は、半導体素子１とコイルパターン部３２とを電気的に接続するもの、および、コイルパターン部３２と複数の端子５のいずれかとを電気的に接続するものをさらに含んでいてもよい。
【0023】
コイルパターン部３２は、通電することによりインダクタンスを発生させる。つまり、コイルパターン部３２は、インダクタの役割をなす。コイルパターン部３２は、たとえば平面視において渦巻状に巻回された平面コイルである。図３に示すように、コイルパターン部３２は、第１端３２１、第２端３２２および巻回部３２３を含む。巻回部３２３は、平面巻回された部位である。図示された例では、巻回部３２３は、平面視矩形の渦巻状である。第１端３２１は、巻回部３２３の一端に繋がる。第２端３２２は、巻回部３２３の他端に繋がる。図示された例では、第１端３２１は、半導体素子１に導通し、第２端３２２は、端子５に導通する。
【0024】
磁性膜３９は、磁性材料を含む。磁性膜３９は、磁性および絶縁性の両方を兼ね備える。磁性膜３９は、たとえば、熱硬化性樹脂に磁性フィラーが充填された材料からなる。熱硬化性樹脂は、たとえばエポキシ樹脂を含む。磁性フィラーは、たとえば鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），マンガン（Ｍｎ）のいずれかを含む。磁性フィラーの一例としては、フェライト材の粉末が挙げられる。磁性膜３９は、搭載面２１上に形成される。磁性膜３９は、コイルパターン部３２を覆う。
【0025】
複数の接合層４１はそれぞれ、配線パターン部３１と、半導体素子１の複数の素子電極１１のうちの対応する１つとを接合する。複数の接合層４１はそれぞれ、導電性の接合材である。複数の接合層４１はそれぞれ、配線層３に積層されたＮｉ層と、当該Ｎｉ層に積層され且つ錫（Ｓｎ）を組成に含む合金層とにより構成される。Ｓｎを組成に含む合金層は、たとえばＳｎ－銀（Ａｇ）合金である。なお、複数の接合層４１の各組成は、この例に限定されない。
【0026】
複数の接合層４２は、配線パターン部３１と、複数の回路部品１９の複数の端子部１９１のうちの対応する１つとを接合する。複数の接合層４２はそれぞれ、導電性の接合材である。複数の接合層４２はそれぞれ、各接合層４１と同じ材料により構成されていてもよいし、Ａｇペーストまたははんだであってもよい。
【0027】
複数の端子５はそれぞれ、配線層３に導通しており、かつ、半導体装置Ａ１０の外部に露出した導電体である。複数の端子５はそれぞれ、半導体装置Ａ１０を配線板に実装する際の端子となる。複数の端子５はそれぞれ、支持部材２を厚さ方向ｚに貫通する。図示された例では、複数の端子５はいずれも、平面視において半導体素子１の外方に配置されており、平面視において半導体素子１に重ならない。この例と異なり、複数の端子５のいくつかは、平面視において、半導体素子１に重なっていてもよい。
【0028】
複数の端子５はそれぞれ、図７～１０に示すように、柱状部５０１および外部電極部５０２を含む。次で説明する柱状部５０１および外部電極部５０２はそれぞれ、特段の断りがない限り、各端子５で共通する。
【0029】
図７～図１０に示すように、柱状部５０１は、支持部材２を厚さ方向ｚに貫通する。柱状部５０１は、たとえば金属材料を含む。当該金属材料は、何ら限定されないが、たとえばＣｕである。柱状部５０１の平面視形状は、何ら限定されないが、図示された例では矩形状である。柱状部５０１の上面（厚さ方向ｚ上方を向く面）は、たとえば支持部材２の搭載面２１と面一である。この柱状部５０１の上面は、配線層３に接する。なお、複数の端子５には、柱状部５０１の上面が配線層３に接しないものがあってもよい。このような端子５は、ダミー端子となる。柱状部５０１の下面（厚さ方向ｚ下方を向く面）は、支持部材２から露出する。この柱状部５０１の下面は、たとえば支持部材２の裏面２２と面一である。複数の端子５には、柱状部５０１の側面（第１方向ｘまたは第２方向ｙを向く面）が露出したものものある。
【0030】
図７～図１０に示すように、外部電極部５０２は、柱状部５０１のうち、支持部材２の裏面２２または側面２３から露出する部位に接する。外部電極部５０２は、裏面２２および側面２３から突き出る。また、外部電極部５０２は、柱状部５０１に接する配線パターン部３１のうち、封止樹脂６から露出する部位に接する。外部電極部５０２は、無電解めっきにより形成される。外部電極部５０２は、たとえば、柱状部５０１に接する側から、Ｎｉ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層の順に積層された複数の金属層から構成される。外部電極部５０２は、その他の構成として、柱状部５０１に接する側から、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層された複数の金属層、あるいは、Ｃｕ層、Ａｇ層、Ｓｎ層の順に積層された複数の金属層とすることができる。外部電極部５０２の材料および形成方法は、これらの例に限定されない。外部電極部５０２の厚さは、特に限定されないが、たとえば１μｍ以上５μｍ以下である。
【0031】
【0032】
図５および図７に示すように、内方端子５１は、柱状部５０１の下面が裏面２２から露出し、柱状部５０１の側面は支持部材２に覆われてる。内方端子５１は、コイルパターン部３２に導通する。内方端子５１は、コイルパターン部３２を介して、半導体素子１に導通する。内方端子５１は、特許請求の範囲に記載の「コイル端子」の一例である。
【0033】
図２～図１０に示すように、複数の側方端子５２は、柱状部５０１の下面が裏面２２から露出するとともに、柱状部５０１の側面が複数の側面２３のいずれかから露出する。図示された例では、複数の側方端子５２には、半導体素子１に導通するもの、複数の回路部品１９のいずれかと半導体素子１とに導通するもの、複数の回路部品１９のいずれかに導通するもの、および、半導体素子１と複数の回路部品１９とのいずれにも導通しないものとがある。複数の側方端子５２はそれぞれ、平面視において、半導体素子１の外方に配置され、半導体素子１に重ならない。この例とは異なり、複数の側方端子５２のいくつかは半導体素子１に重なっていてもよい。
【0034】
放熱パッド２９は、図７および図９に示すように、支持部材２を厚さ方向ｚに貫通する。放熱パッド２９は、たとえば柱状部５０１と同じ材料を含む。放熱パッド２９は、平面視において半導体素子１に重なる。図示された例では、放熱パッド２９には、接合層４１を介して、複数の素子電極１１のうちのいくつかが接合されている。このような放熱パッド２９に接合される複数の素子電極１１は、たとえば半導体素子１内の機能部分に導通しないダミー電極であるが、当該機能部分に導通していてもよい。放熱パッド２９の下面は、裏面２２から露出する。図示された例では、当該放熱パッド２９の下面は、裏面２２と面一であり、外部電極部５０２と同じめっきで覆われている。
【0035】
封止樹脂６は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。封止樹脂６は、当該エポキシ樹脂にシリカなどのフィラーが混入されていてもよい。封止樹脂６は、図７～図１０に示すように、半導体素子１および配線層３を覆う。また、封止樹脂６は、図７～図１０に示すように、支持部材２の一部と、複数の接合層４１と、複数の接合層４２とを覆う。封止樹脂６は、搭載面２１に形成される。封止樹脂６は、平面視において矩形状である。封止樹脂６の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）は、何ら限定されないが、たとえば０．２ｍｍ以上１．２ｍｍ以下である。封止樹脂６は、図１～図１０に示すように、樹脂主面６１、樹脂裏面６２および複数の樹脂側面６３を有する。
【0036】
図４および図６～図９に示すように、樹脂主面６１および樹脂裏面６２は、厚さ方向ｚにおいて離間する。樹脂主面６１と樹脂裏面６２とは、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。樹脂主面６１は、厚さ方向ｚにおいて、搭載面２１と同じ方向を向き、樹脂裏面６２は、厚さ方向ｚにおいて裏面２２と同じ方向を向く。樹脂裏面６２は、搭載面２１に接する。樹脂裏面６２には、配線層３の形状に応じて凹凸がある。
【0037】
図４、図６～図１０に示すように、複数の樹脂側面６３の各々は、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面６１と樹脂裏面６２とに挟まれており、これらに繋がる。複数の樹脂側面６３はそれぞれ、第１側部６３１および第２側部６３２を有する。次に説明する第１側部６３１および第２側部６３２はそれぞれ、特段の断りがない限り、各樹脂側面６３で共通する。第１側部６３１と第２側部６３２とは、同じ方向を向く。図１および図４～図１０に示すように、第１側部６３１は、平面視において、第２側部６３２よりも外方に配置されている。第１側部６３１は、樹脂主面６１に繋がり、第２側部６３２は、複数の側面２３のうちの対応する１つに繋がる。第２側部６３２は、これに繋がる側面２３と面一である。このような構成により、各樹脂側面６３には、段差がある。
【0038】
次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図１１～図２０を参照して説明する。図１１～図２０は、半導体装置Ａ１０の製造方法における一工程を示す断面図である。これらの断面図は、図７に示す断面に対応する。なお、図１８～図２０に示す断面図では、図１１～図１７に示す断面図に対して、厚さ方向ｚが反対向きである。
【0039】
まず、図１１に示すように、支持基板８０を準備し、当該支持基板８０上に複数の柱状導体８５０ａ，８２９を形成する。支持基板８０は、たとえば単結晶の真性半導体材料を含む。当該半導体材料は、たとえばＳｉである。支持基板８０を準備する工程では、たとえば支持基板８０として、シリコンウエハを準備する。支持基板８０は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面８０ａおよび基板裏面８０ｂを有する。複数の柱状導体８５０ａ，８２９は、たとえば次の工程により形成される。まず、基板主面８０ａにシード層を形成する。当該シード層の形成は、たとえばスパッタリング法による。そして、シード層上にレジストをパターニングし、電解めっきにより複数の柱状導体８５０ａ，８２９を形成する。その後、レジスト層および不要なシード層を除去する。これらの工程を経て、支持基板８０の基板主面８０ａに、複数の柱状導体８５０ａ，８２９を形成する。柱状導体８５０ａは、後に端子５の柱状部５０１となる部位であり、柱状導体８２９は、後に放熱パッド２９となる部位である。
【0040】
次いで、図１２に示すように、支持基板８０の基板主面８０ａに、柱状導体８５０ａ，８２９を覆う第１樹脂層８２を形成する。第１樹脂層８２の形成は、たとえばモールド成形による。第１樹脂層８２は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。第１樹脂層８２としては、当該合成樹脂ではなく、他の絶縁性の樹脂材料であってもよい。第１樹脂層８２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く頂面８２１および底面８２２を有する。頂面８２１は、基板主面８０ａと同じ方向を向き、底面８２２は、基板主面８０ａに対向する。第１樹脂層８２は、後に支持部材２となる部材である。
【0041】
次いで、図１３に示すように、第１樹脂層８２を研削する。当該第１樹脂層８２の研削は、頂面８２１側から、頂面８２１から柱状導体８５０ａ，８２９が露出するまで行う。当該研削の方法は特に限定されない。また、研削ではない方法により、第１樹脂層８２を低背化してもよい。これにより、柱状導体８５０ａから柱状部５０１が形成され、柱状導体８２９から放熱パッド２９が形成される。
【0042】
次いで、図１４に示すように、配線層３を形成する。配線層３は、たとえば次の工程により形成される。まず、頂面８２１、各柱状部５０１および各放熱パッド２９の上に、シード層を形成する。当該シード層の形成は、たとえばスパッタリング法による。そして、シード層上にレジストをパターニングし、電解めっきによりめっき層を形成する。その後、レジスト層および不要なシード層を除去する。これらの工程を経て、複数の配線パターン部３１およびコイルパターン部３２を含む配線層３を形成する。
【0043】
次いで、図１５に示すように、複数の接合層４１および磁性膜３９を順に形成する。複数の接合層４１は、配線層３の上面に対してリソグラフィパターニングを施す。これにより、リソグラフィパターニングから配線層３の一部が露出する。次いで、リソグラフィパターニングから露出する配線層３の一部とリソグラフィパターニングの全体とに、スパッタリング法により下地層としての金属薄膜を成膜させる。次いで、当該金属薄膜を導電経路とした電解めっきにより、金属薄膜の上に、Ｎｉ層と、Ｓｎを含む合金層とこの順で形成する。最後に、リソグラフィパターニングと、これの上面に積層された金属薄膜、Ｎｉ層および合金層とを除去する。これらの工程を経て、複数の接合層４１を形成する。磁性膜３９は、たとえば、コイルパターン部３２を覆うように磁性材料を含むペースト材をスクリーン印刷する。次いで、ペースト材を焼成する。これらの工程を経て、磁性膜３９を形成する。
【0044】
次いで、図１６に示すように、半導体素子１を搭載する。このとき、当該半導体素子１の搭載前または搭載後に複数の回路部品１９も搭載する。半導体素子１は、たとえばフリップチップボンディングにより複数の接合層４１に接合される。フリップチップボンディングでは、まず、半導体素子１の複数の素子電極１１の各々を、複数の接合層４１に対して個別に仮付けする。次いで、複数の接合層４１をリフローにより溶融させる。最後に、溶融した複数の接合層４１を冷却により固化させる。この工程を経て、複数の接合層４１を介して、配線層３に半導体素子１が接合される。複数の回路部品１９は、たとえばはんだまたはＡｇペーストなどを介して、配線層３（配線パターン部３１）に接合される。
【0045】
次いで、図１７に示すように、第２樹脂層８６を形成する。第２樹脂層８６は、支持部材２の上方に、半導体素子１、複数の回路部品１９、配線層３および磁性膜３９を覆うように、形成される。第２樹脂層８６の形成は、たとえばモールド成形による。第２樹脂層８６は、たとえば黒色のエポキシ樹脂を主剤とした合成樹脂である。第２樹脂層８６としては、当該合成樹脂ではなく、他の絶縁性の樹脂材料であってもよい。第２樹脂層８６は、後に封止樹脂６となる部材である。第２樹脂層８６は、厚さ方向ｚの一方を向く頂面８６１を有する。頂面８６１は、封止樹脂６における樹脂主面６１に相当する。
【0046】
次いで、図１８に示すように、支持基板８０を除去する。当該支持基板８０の除去では、たとえば、基板裏面８０ｂ側から支持基板８０を研削する。当該研削では、支持基板８０を、基板裏面８０ｂ側から行う。図示された例では、当該研削を、支持基板８０の除去後も継続して行うことで、支持部材２、柱状部５０１および放熱パッド２９を低背化する。この低背化は、行わなくてもよい。
【0047】
次いで、図１９に示すように、第２樹脂層８６に溝部８６９を形成する。当該溝部８６９の形成では、切断線ＣＬ１の部分を、たとえばダイシングブレードを用いたハーフカットにより除去する。溝部８６９を形成することで、支持部材２は半導体素子１ごとに分割され、支持部材２の側面が溝部８６９において露出する。
【0048】
次いで、図２０に示すように、外部電極部５０２を形成する。外部電極部５０２は、裏面２２から露出する柱状部５０１および放熱パッド２９の頂面と、溝部８６９において露出する柱状部５０１の側面および配線層３の側面とに形成される。外部電極部５０２の形成は、たとえば無電解めっきによる。当該無電解めっきでは、柱状部５０１に接する側から、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層させる。これにより、各々が柱状部５０１および外部電極部５０２を含む複数の端子５（内方端子５１および複数の側方端子５２）が形成される。
【0049】
その後、図２０に示す切断線ＣＬ２で、第２樹脂層８６を切断することで、半導体素子１ごとに個片化する。第２樹脂層８６の切断は、たとえばダイシングブレードを用いた切削加工により行われる。この工程で用いられるダイシングブレードの厚みは、上記溝部８６９の形成（ハーフカット）で用いるダイシングブレードよりも薄い。第２樹脂層８６が切断線ＣＬ２で分割されることで、半導体装置Ａ１０における封止樹脂６が形成される。
【0050】
以上の工程を経て、図１～図１０に示す半導体装置Ａ１０が製造される。なお、半導体装置Ａ１０の製造方法は、上記した例に限定されない。たとえば、複数の接合層４１は、配線層３の上面に形成するのではなく、半導体素子１の複数の素子電極１１にそれぞれ個別に形成していてもよい。また、たとえば、支持部材２が単結晶の真性半導体（たとえばＳｉ）を含む場合、次のように製造される。それは、上記支持基板８０（シリコンウエハ）に、エッチング等により溝を形成する。次いで、当該溝に複数の柱状導体８５０ａ，８２９を形成する。次いで、第１樹脂層８２を形成することなく、配線層３を形成する。また、第２樹脂層８６の形成後において、支持基板８０を除去するのではなく、先述の溝に形成された複数の柱状導体８５０ａ，８２９が露出するまで、研削する。このような工程に変更することで、支持部材２が半導体材料からなる半導体装置Ａ１０が製造される。
【0051】
半導体装置Ａ１０の作用および効果は、次の通りである。
【0052】
半導体装置Ａ１０では、配線層３は、コイルパターン部３２を含む。封止樹脂６は、半導体素子１および配線層３を覆う。この構成によれば、配線層３のコイルパターン部３２への通電によりインダクタンスが得られるので、ディスクリート部品としてのインダクタが不要となる。したがって、封止樹脂６の厚さが大きくなることを抑制できるので、半導体装置Ａ１０は、封止樹脂６の低背化を図ることができる。これにより、半導体装置Ａ１０は、支持部材２の反りを抑制できるので、製造する上での不都合を解消できる。
【0053】
半導体装置Ａ１０は、コイルパターン部３２を覆う磁性膜３９を備える。この構成によれば、コイルパターン部３２への通電によって生じるインダクタンスの値を大きくできる。特に、半導体装置Ａ１０では、磁性膜３９はコイルパターン部３２の全体を覆うので、コイルパターン部３２におけるインダクタンス値を向上させる上で好ましい。
【0054】
半導体装置Ａ１０は、コイルパターン部３２は、搭載面２１に平面巻回された平面コイルであり、配線パターン部３１と厚さ方向ｚにおいて同じ位置にある。この構成によれば、コイルパターン部３２を、一層の配線層３で構成できるので、封止樹脂６を低背化させる上で好ましい。
【0055】
半導体装置Ａ１０は、放熱パッド２９を備える。放熱パッド２９は、平面視において半導体素子１に重なる。この構成によれば、半導体素子１への通電によって発生する熱を、放熱パッド２９を介して放熱することができる。つまり、半導体装置Ａ１０は、半導体素子１からの熱の放熱性を向上できる。特に、半導体装置Ａ１０では、半導体素子１の素子電極１１は、放熱パッド２９に接合されているので、半導体素子１からの熱の放熱性を向上させる上で好ましい構造である。
【0056】
半導体装置Ａ１０では、複数の端子５は、平面視において半導体素子１に重ならない。この構成によれば、半導体素子１の下方には、複数の端子５が配置されないので、放熱パッド２９を配置することができる。したがって、半導体装置Ａ１０は、半導体素子１からの熱の放熱性を向上する上で好ましい構造である。
【0057】
半導体装置Ａ１０では、支持部材２は、樹脂材料を含み、当該樹脂材料は、封止樹脂６と同じである。この構成によれば、支持部材２の線膨張係数と封止樹脂６の線膨張係数との差を小さくできるので、半導体装置Ａ１０で発生する熱応力を抑制できる。
【0058】
半導体装置Ａ１０では、複数の側方端子５２の各々において、外部電極部５０２が柱状部５０１のうちの側面２３から露出する面にも形成されている。この構成によれば、半導体装置Ａ１０を、電子機器などの配線板に実装した際、当該実装時に用いる導電性接合材（たとえばはんだ）にフィレットが形成されうる。したがって、半導体装置Ａ１０は、電子機器などの配線板に適正に接合されているかの外観検査が容易となる。
【0059】
半導体装置Ａ１０では、コイルパターン部３２は、平面視において半導体素子１に重ならない。この構成によれば、コイルパターン部３２への通電によって生じる磁界が半導体素子１に伝達されることを抑制できる。
【0060】
以下に、本開示の半導体装置の他の実施形態および変形例について、説明する。各実施形態および各変形例における各部の構成は、技術的な矛盾が生じない範囲において相互に組み合わせ可能である。
【0061】
図２１は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を示している。図２１は、半導体装置Ａ１０における図７の断面に対応する。半導体装置Ａ１１は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。それは、半導体装置Ａ１１の封止樹脂６の各樹脂側面６３に段差がない。
【0062】
半導体装置Ａ１１の封止樹脂６では、各樹脂側面６３は、平坦である。各樹脂側面６３は、支持部材２の複数の側面２３のうちの対応する１つと面一である。この構成では、各側方端子５２において、外部電極部５０２は、柱状部５０１のうちの下面（裏面２２から露出する面）には形成されるが、柱状部５０１のうちの側面（側面２３から露出する面）には形成されない。
【0063】
半導体装置Ａ１１は、たとえば上記半導体装置Ａ１０の製造方法において、第２樹脂層８６に溝部８６９を形成するハーフカットダイシング（上記図１９に示す工程）を行うことなく、次の工程に進むことで、製造される。
【0064】
【0065】
半導体装置Ａ１２では、コイルパターン部３２は、半導体素子１の下方に配置されている。よって、コイルパターン部３２は、平面視において、半導体素子１に重なる。このような構成では、図２２に示すように、支持部材２の平面視面積の縮小化を図ることができる。したがって、半導体装置Ａ１２は、半導体装置Ａ１０よりも平面視面積の縮小化が可能である。
【0066】
図２２および図２３に示す例では、半導体装置Ａ１２は、放熱パッド２９を備えていないが、たとえば、図２４に示すように、放熱パッド２９を、半導体素子１の上方に配置することも可能である。図２４に示す構成では、支持部材２の平面視面積の縮小化を図りつつ、半導体素子１からの熱の放熱性を向上させることができる。
【0067】
第１実施形態の第１変形例および第２変形例にかかる各半導体装置Ａ１１，Ａ１２においても、半導体装置Ａ１０と同様に、配線層３にコイルパターン部３２が形成されている。したがって、各半導体装置Ａ１１，Ａ１２は、半導体装置Ａ１０と同様に、封止樹脂６の低背化を図ることができる。これにより、各半導体装置Ａ１１，Ａ１２は、支持部材２の反りを抑制できるので、製造する上での不都合を解消できる。その他、各半導体装置Ａ１１，Ａ１２は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0068】
図２５および図２６は、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を示している。半導体装置Ａ１２は、半導体装置Ａ１０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ１２は、接続部材７１を備える。第２に、複数の端子５が内方端子５１を含んでいない。
【0069】
半導体装置Ａ２０において、複数の端子５は、複数の側方端子５２とともに、複数の側方端子５３を含む。図示された例では、複数の側方端子５３は、平面視において、支持部材２の第１方向ｘの一方側に、第２方向ｙに沿って配置される。複数の側方端子５３は、半導体装置Ａ１０において、半導体素子１および複数の回路部品１９のいずれにも導通しない複数の側方端子５２に相当する。複数の側方端子５３のいずれかは、コイルパターン部３２に導通する。当該コイルパターン部３２に導通する側方端子５３は、特許請求の範囲に記載の「コイル端子」の一例である。複数の側方端子５３は、側方端子５２と同様に、柱状部５０１および外部電極部５０２を含む。
【0070】
半導体装置Ａ２０において、配線層３は、複数の配線パターン部３３を含む。複数の配線パターン部３３はそれぞれ、複数の側方端子５３のうちの対応する１つにそれぞれ接する。
【0071】
図２５に示すように、半導体装置Ａ２０において、磁性膜３９は、平面視において矩形環状に形成されている。この構成により、図２５および図２６に示すように、コイルパターン部３２の第２端３２２は、磁性膜３９から露出する。
【0072】
接続部材７１は、互いに離間する部位を電気的に接続する。接続部材７１は、たとえばボンディングワイヤであるが、板状の導電部材（リード部材）であってもよい。接続部材７１の構成材料は、導電性材料であれば何ら限定されないが、たとえばＡｕ、ＡｌおよびＣｕのいずれかを含む。図２５および図２６に示すように、接続部材７１は、コイルパターン部３２の第２端３２２と、複数の配線パターン部３３のいずれかに接合されている。図示された例では、接続部材７１は、第２方向ｙに沿って配置された複数の配線パターン部３３のうちの第２方向ｙ中央に位置する配線パターン部３３に接合されている。したがって、複数の側方端子５３のうちの第２方向ｙ中央に位置する側方端子５３が、接続部材７１を介して、コイルパターン部３２に導通する。
【0073】
第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０においても、半導体装置Ａ１０と同様に、配線層３にコイルパターン部３２が形成されている。したがって、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と同様に、封止樹脂６の低背化を図ることができる。これにより、半導体装置Ａ２０は、支持部材２の反りを抑制できるので、製造する上での不都合を解消できる。その他、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同様の効果を奏する。
【0074】
半導体装置Ａ２０では、複数の端子５はそれぞれ、支持部材２の複数の側面２３のいずれかから露出する。この構成によれば、複数の側方端子５３のうちの１つが、コイルパターン部３２に導通するコイル端子となる。したがって、半導体装置Ａ２０では、半導体装置Ａ１０と異なり、当該コイル端子も、半導体装置Ａ２０の側方から視認できる。これにより、半導体装置Ａ２０では、当該コイル端子と、電子機器などの配線板との接合を容易に外観検査することができる。
【0075】
図２７は、第２実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ２１を示している。図２７は、半導体装置Ａ２０における図２６の断面に対応する。半導体装置Ａ２１は、半導体装置Ａ２０と比較して、次の点で異なる。第１に、半導体装置Ａ２１は、接続部材７１を備えていない。第２に、半導体装置Ａ２１は、絶縁層７２を備える。
【0076】
絶縁層７２は、絶縁材料により構成される。当該絶縁材料は、何ら限定されないが、たとえばポリイミド樹脂である。本実施形態では、図２７に示すように、絶縁層７２上に、コイルパターン部３２の巻回部３２３が形成される。よって、絶縁層７２の一部は、コイルパターン部３２の巻回部３２３の下方に配置される。また、図２７に示すように、絶縁層７２は、巻回部３２３と、複数の側方端子５３のうちの１つとの間に配置され、これを電気的に絶縁する。この構成により、当該側方端子５３は、巻回部３２３に接触（短絡）することなく、第２端３２２の下方まで延出できる。このため、半導体装置Ａ２１では、先述の側方端子５３は、第２端３２２の下方まで延出されて、第２端３２２に接する。つまり、先述の側方端子５３は、第２端３２２に電気的に接続される。
【0077】
図２８は、第２実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ２２を示している。図２８は、半導体装置Ａ２０における図２６の断面に対応する。半導体装置Ａ２２は、半導体装置Ａ２１と比較して、次の点で異なる。それは、コイルパターン部３２が、複数の配線パターン部３１，３３に対して、厚さ方向ｚ上方に配置される。
【0078】
半導体装置Ａ２２において、コイルパターン部３２は、図２８に示すように、複数の配線パターン部３１，３３の一部に対して、絶縁層７２を介して積層されている。コイルパターン部３２は、一対の貫通部３２５を含む。一対の貫通部３２５はそれぞれ、絶縁層７２を厚さ方向ｚに貫通する。一対の貫通部３２５の一方は、第１端３２１と配線パターン部３１との間に挟まれ、これらを電気的に接続する。この配線パターン部３１は、半導体素子１に導通する。一対の貫通部３２５の他方は、第２端３２２と配線パターン部３３の他端との間に挟まれ、これらを電気的に接続する。これにより、この配線パターン部３３に接する側方端子５３は、コイルパターン部３２に導通する。
【0079】
第２実施形態の第１変形例および第２変形例にかかる各半導体装置Ａ２１，Ａ２２においても、半導体装置Ａ２０（Ａ１０）と同様に、配線層３にコイルパターン部３２が形成されている。したがって、各半導体装置Ａ２１，Ａ２２は、半導体装置Ａ２０（Ａ１０）と同様に、封止樹脂６の低背化を図ることができる。これにより、各半導体装置Ａ２１，Ａ２２は、支持部材２の反りを抑制できるので、製造する上での不都合を解消できる。その他、各半導体装置Ａ２１，Ａ２２は、半導体装置Ａ２０（Ａ１０）と共通する構成により、半導体装置Ａ２０（Ａ１０）と同様の効果を奏する。
【0080】
上記第１実施形態および上記第２実施形態（これらの変形例を含む）では、各半導体装置Ａ１０～Ａ１２，Ａ２０～Ａ２２は、複数の回路部品１９を備えていたが、複数の回路部品１９のいずれも備えていなくてもよい。
【0081】
上記第１実施形態および上記第２実施形態（これらの変形例を含む）にかかる各半導体装置Ａ１０～Ａ１２，Ａ２０～Ａ２２では、複数の端子５は、コイルパターン部３２に導通するコイル端子（たとえば内方端子５１）を含んでいたが、この例と異なり、複数の端子５は、コイル端子を含んでいなくてもよい。この場合、コイルパターン部３２は、半導体装置Ａ１０の内部で、配線層３を介して、半導体素子１および複数の回路部品１９に適宜導通する。
【0082】
上記第１実施形態および上記第２実施形態（これらの変形例を含む）にかかる各半導体装置Ａ１０～Ａ１２，Ａ２０～Ａ２２では、コイルパターン部３２は、半導体装置Ａ１０の内部において、半導体素子１に導通していたが、この例と異なり、半導体素子１に導通していなくてもよい。このような変形例にかかる半導体装置は、たとえば次のように構成される。それは、当該半導体装置は、複数の端子５が２つの内方端子５１を含み、２つの内方端子５１の一方がコイルパターン部３２の第１端３２１に導通し、２つの内方端子５１の他方がコイルパターン部３２の第２端３２２に導通する。
【0083】
本開示にかかる半導体装置および半導体装置の製造方法は、上記した実施形態に限定されるものではない。本開示の半導体装置の各部の具体的な構成、および、本開示の半導体装置の製造方法の各工程の具体的な処理はそれぞれ、種々に設計変更自在である。たとえば、本開示の半導体装置は、以下の付記に関する実施形態を含む。
付記１．
半導体素子と、
厚さ方向の一方を向く搭載面を有し、前記半導体素子を支持する支持部材と、
前記搭載面に少なくとも一部が接する配線層と、
前記支持部材を貫通し、前記配線層に導通する複数の端子と、
前記搭載面に形成され、前記半導体素子および前記配線層を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記配線層は、前記半導体素子に導通する配線パターン部と、コイルパターン部と、を含む半導体装置。
付記２．
前記封止樹脂に覆われた磁性膜をさらに備え、
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の少なくとも一部を覆う、付記１に記載の半導体装置。
付記３．
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の全体を覆う、付記２に記載の半導体装置。
付記４．
前記配線パターン部と前記コイルパターン部とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記１ないし付記３のいずれかに記載の半導体装置。
付記５．
前記コイルパターン部は、前記搭載面に平面巻回された平面コイルである、付記４に記載の半導体装置。
付記６．
前記複数の端子は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子の外方に配置される、付記１ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
付記７．
前記コイルパターン部は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子に重ならない、付記６に記載の半導体装置。
付記８．
前記支持部材を前記厚さ方向に貫通する放熱パッドをさらに備え、
前記放熱パッドは、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なる、付記７に記載の半導体装置。
付記９．
前記支持部材は、樹脂材料を含む、付記１ないし付記８のいずれかに記載の半導体装置。
付記１０．
前記封止樹脂は、前記支持部材と同じ樹脂材料を含む、付記９に記載の半導体装置。
付記１１．
前記複数の端子の各々は、前記支持部材を貫通する柱状部と、前記柱状部のうち前記支持部材から露出する面を覆う外部電極部とを含む、付記１ないし付記１０のいずれかに記載の半導体装置。
付記１２．
前記支持部材は、前記厚さ方向において前記搭載面と反対側を向く部材裏面を有し、
前記外部電極部は、前記部材裏面よりも突き出る、付記１１に記載の半導体装置。
付記１３．
前記複数の端子は、前記コイルパターン部に導通するコイル端子を含む、付記１ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
付記１４．
前記半導体素子は、前記厚さ方向の他方側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された素子電極を有しており、
前記素子主面は、前記搭載面に対向する、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の半導体装置。
付記１５．
前記支持部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向を向く部材側面を有し、
前記複数の端子は、前記部材側面から露出する側方端子を含む、付記１ないし付記１４のいずれかに記載の半導体装置。
付記１６．
前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方を向く樹脂主面と、前記第１方向を向く樹脂側面を有し、
前記樹脂側面は、前記樹脂主面に繋がる第１側部と前記部材側面に繋がる第２側部とを有し、
前記第２側部は、前記部材側面と面一であり、
前記厚さ方向に見て、前記第１側部は、前記第２側部よりも外方に突き出ている、付記１５に記載の半導体装置。
付記１．
半導体素子と、
厚さ方向の一方を向く搭載面を有し、前記半導体素子を支持する支持部材と、
前記搭載面に少なくとも一部が接する配線層と、
前記支持部材を貫通し、前記配線層に導通する複数の端子と、
前記搭載面に形成され、前記半導体素子および前記配線層を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記配線層は、前記半導体素子に導通する配線パターン部と、コイルパターン部と、を含む半導体装置。
付記２．
前記封止樹脂に覆われた磁性膜をさらに備え、
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の少なくとも一部を覆う、付記１に記載の半導体装置。
付記３．
前記磁性膜は、前記コイルパターン部の全体を覆う、付記２に記載の半導体装置。
付記４．
前記配線パターン部と前記コイルパターン部とは、前記厚さ方向において同じ位置にある、付記１ないし付記３のいずれかに記載の半導体装置。
付記５．
前記コイルパターン部は、前記搭載面に平面巻回された平面コイルである、付記４に記載の半導体装置。
付記６．
前記複数の端子は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子の外方に配置される、付記１ないし付記５のいずれかに記載の半導体装置。
付記７．
前記コイルパターン部は、前記厚さ方向に見て、前記半導体素子に重ならない、付記６に記載の半導体装置。
付記８．
前記支持部材を前記厚さ方向に貫通する放熱パッドをさらに備え、
前記放熱パッドは、前記厚さ方向に見て前記半導体素子に重なる、付記７に記載の半導体装置。
付記９．
前記支持部材は、樹脂材料を含む、付記１ないし付記８のいずれかに記載の半導体装置。
付記１０．
前記封止樹脂は、前記支持部材と同じ樹脂材料を含む、付記９に記載の半導体装置。
付記１１．
前記複数の端子の各々は、前記支持部材を貫通する柱状部と、前記柱状部のうち前記支持部材から露出する面を覆う外部電極部とを含む、付記１ないし付記１０のいずれかに記載の半導体装置。
付記１２．
前記支持部材は、前記厚さ方向において前記搭載面と反対側を向く部材裏面を有し、
前記外部電極部は、前記部材裏面よりも突き出る、付記１１に記載の半導体装置。
付記１３．
前記複数の端子は、前記コイルパターン部に導通するコイル端子を含む、付記１ないし付記１２のいずれかに記載の半導体装置。
付記１４．
前記半導体素子は、前記厚さ方向の他方側を向く素子主面と、前記素子主面に配置された素子電極を有しており、
前記素子主面は、前記搭載面に対向する、付記１ないし付記１３のいずれかに記載の半導体装置。
付記１５．
前記支持部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向を向く部材側面を有し、
前記複数の端子は、前記部材側面から露出する側方端子を含む、付記１ないし付記１４のいずれかに記載の半導体装置。
付記１６．
前記封止樹脂は、前記厚さ方向の一方を向く樹脂主面と、前記第１方向を向く樹脂側面を有し、
前記樹脂側面は、前記樹脂主面に繋がる第１側部と前記部材側面に繋がる第２側部とを有し、
前記第２側部は、前記部材側面と面一であり、
前記厚さ方向に見て、前記第１側部は、前記第２側部よりも外方に突き出ている、付記１５に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0084】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ２１，Ａ２２：半導体装置
１ ：半導体素子
１０ａ ：素子主面
１０ｂ ：素子裏面
１１ ：素子電極
１９ ：回路部品
１９１ ：端子部
２ ：支持部材
２１ ：搭載面
２２ ：裏面
２３ ：側面
２９ ：放熱パッド
３ ：配線層
３１，３３：配線パターン部
３２ ：コイルパターン部
３２１ ：第１端
３２２ ：第２端
３２３ ：巻回部
３２５ ：貫通部
３９ ：磁性膜
４１，４２：接合層
５ ：端子
５０１ ：柱状部
５０２ ：外部電極部
５１ ：内方端子
５２，５３：側方端子
６ ：封止樹脂
６１ ：樹脂主面
６２ ：樹脂裏面
６３ ：樹脂側面
６３１ ：第１側部
６３２ ：第２側部
７１ ：接続部材
７２ ：絶縁層
８０ ：支持基板
８０ａ ：基板主面
８０ｂ ：基板裏面
８２ ：第１樹脂層
８２１ ：頂面
８２２ ：底面
８２９ ：柱状導体
８５０ａ ：柱状導体
８６ ：第２樹脂層
８６１ ：頂面
８６９ ：溝部
１ ：半導体素子
１０ａ ：素子主面
１０ｂ ：素子裏面
１１ ：素子電極
１９ ：回路部品
１９１ ：端子部
２ ：支持部材
２１ ：搭載面
２２ ：裏面
２３ ：側面
２９ ：放熱パッド
３ ：配線層
３１，３３：配線パターン部
３２ ：コイルパターン部
３２１ ：第１端
３２２ ：第２端
３２３ ：巻回部
３２５ ：貫通部
３９ ：磁性膜
４１，４２：接合層
５ ：端子
５０１ ：柱状部
５０２ ：外部電極部
５１ ：内方端子
５２，５３：側方端子
６ ：封止樹脂
６１ ：樹脂主面
６２ ：樹脂裏面
６３ ：樹脂側面
６３１ ：第１側部
６３２ ：第２側部
７１ ：接続部材
７２ ：絶縁層
８０ ：支持基板
８０ａ ：基板主面
８０ｂ ：基板裏面
８２ ：第１樹脂層
８２１ ：頂面
８２２ ：底面
８２９ ：柱状導体
８５０ａ ：柱状導体
８６ ：第２樹脂層
８６１ ：頂面
８６９ ：溝部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】