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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024051590
(43)【公開日】2024-04-11
(54)【発明の名称】コイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/04 20060101AFI20240404BHJP
H01F 27/29 20060101ALI20240404BHJP
H01F 17/00 20060101ALI20240404BHJP
【ＦＩ】
H01F17/04 F
H01F17/04 A
H01F27/29 123
H01F17/00 B
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022157834
(22)【出願日】2022-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110000914
【氏名又は名称】弁理士法人ＷｉｓｅＰｌｕｓ
(72)【発明者】
【氏名】小野 晃太
(72)【発明者】
【氏名】松浦 耕平
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 智之
【テーマコード（参考）】
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E070AA01
5E070AB10
5E070BA12
5E070CB12
5E070EA01
5E070EB04
(57)【要約】
【課題】ガラス層の外表面へのＣｕ成分の移動を抑制することができるコイル部品を提供する。
【解決手段】コイル部品１は、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２がこの順に積層された積層体を含む素体１０と、第１ガラス層５１の内部に埋設されたコイル２０と、素体１０の外表面に設けられ、コイル２０に電気的に接続された外部電極３０と、を備え、第１ガラス層５１には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在している。
【選択図】図２
【解決手段】コイル部品１は、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２がこの順に積層された積層体を含む素体１０と、第１ガラス層５１の内部に埋設されたコイル２０と、素体１０の外表面に設けられ、コイル２０に電気的に接続された外部電極３０と、を備え、第１ガラス層５１には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在している。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む素体と、
前記第１ガラス層の内部に埋設されたコイルと、
前記素体の外表面に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と、を備え、
前記第１ガラス層には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が存在している、コイル部品。
前記第１ガラス層の内部に埋設されたコイルと、
前記素体の外表面に設けられ、前記コイルに電気的に接続された外部電極と、を備え、
前記第１ガラス層には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が存在している、コイル部品。
【請求項2】
前記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が前記第１ガラス層に点在している、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項3】
前記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域の最大幅が５μｍ以下である、請求項２に記載のコイル部品。
【請求項4】
前記素体は、前記第１フェライト層の外側に第２ガラス層を、前記第２フェライト層の外側に第３ガラス層をさらに含む、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項5】
前記第１ガラス層は、少なくともＢ、Ｓｉ及びＭｇを含有する、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項6】
前記第１ガラス層は、少なくともフォルステライトを含有する、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項7】
前記コイルは、少なくともＡｇを含有する、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項8】
前記外部電極は、少なくともＡｇを含有する、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項9】
前記コイルとして第１コイル及び第２コイルが前記第１ガラス層の内部に埋設されたコモンモードチョークコイルである、請求項１～８のいずれか１項に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コイル部品に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、第１ガラス層と、上記第１ガラス層の第１主面に形成された第１フェライト層および上記第１ガラス層の第２主面に形成された第２フェライト層とを含む素体と、上記第１ガラス層内に埋設されたコイルと、上記素体の側面に、第１フェライト層、第１ガラス層および第２フェライト層にわたって設けられた外部電極と、を備えたコイル部品であって、上記素体の側面において、該側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域における外部電極の幅は、ガラス層の領域における外部電極の幅よりも大きいことを特徴とするコイル部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－８６９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に記載のコイル部品のように、コイルが埋設されたガラス層の両主面に一対のフェライト層が配置された構造を有するコイル部品では、未焼成の素体を焼成する時に、フェライト層に含有されるＣｕ成分がガラス層に拡散する。ガラス層に拡散したＣｕ成分は、外部電極を構成する下地電極の焼き付け時にガラス層の外表面に移動して、ガラス層の外表面に析出するおそれがある。特に、外部電極を構成するめっき電極を形成する場合には、ガラス層の外表面に析出したＣｕ成分によって、めっき電極が狙いの位置からはみ出す「めっき伸び」と呼ばれる不具合が発生するおそれがある。
【0005】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、ガラス層の外表面へのＣｕ成分の移動を抑制することができるコイル部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明のコイル部品は、第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む素体と、上記第１ガラス層の内部に埋設されたコイルと、上記素体の外表面に設けられ、上記コイルに電気的に接続された外部電極と、を備え、上記第１ガラス層には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が存在している。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、ガラス層の外表面へのＣｕ成分の移動を抑制することができるコイル部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明のコイル部品について説明する。なお、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更されてもよい。また、以下において記載する個々の好ましい構成を複数組み合わせたものもまた本発明である。
【0010】
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示す構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記載は省略し、異なる点を主に説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎に逐次言及しない。
【0011】
以下の説明において、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明のコイル部品」と言う。
【0012】
以下の各実施形態では、本発明のコイル部品の一例として、コモンモードチョークコイルを示す。本発明のコイル部品は、コモンモードチョークコイル以外のコイル部品にも適用可能である。
【0013】
以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。
【0014】
本明細書中、要素間の関係性を示す用語（例えば、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、文字通りの厳密な態様のみを意味するだけではなく、実質的に同等な範囲、例えば、数％程度の差異を含む範囲も意味する。
【0015】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係るコイル部品では、素体は、第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む。
本発明の第１実施形態に係るコイル部品では、素体は、第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む。
【0016】
図１は、本発明の第１実施形態に係るコイル部品の一例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示すコイル部品のＷＴ断面図である。図３は、図１に示すコイル部品（ただし、外部電極を除く）の分解斜視図である。
【0017】
図１に示すコイル部品１は、いわゆるコモンモードチョークコイルであり、素体１０と、素体１０の内部に埋設されたコイル２０（図２及び図３参照）と、素体１０の外表面に設けられ、コイル２０に電気的に接続された外部電極３０（図２参照）と、を備える。
【0018】
本明細書中、長さ方向、高さ方向及び幅方向を、図１等に示すように、各々、Ｌ、Ｔ及びＷで定められる方向とする。ここで、長さ方向Ｌと高さ方向Ｔと幅方向Ｗとは、互いに直交している。
【0019】
素体１０は、例えば、直方体状又は略直方体状であり、長さ方向Ｌに相対する第１端面１１ａ及び第２端面１１ｂと、高さ方向Ｔに相対する第１主面１２ａ及び第２主面１２ｂと、幅方向Ｗに相対する第１側面１３ａ及び第２側面１３ｂとを有する。
【0020】
素体１０は、角部及び稜線部に丸みが付けられていてもよい。素体１０の角部は、素体１０の３面が交わる部分である。素体１０の稜線部は、素体１０の２面が交わる部分である。
【0021】
素体１０は、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２がこの順に積層された積層体を含む。図１、図２及び図３に示す例では、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２は高さ方向Ｔに積層されている。
【0022】
言い換えると、素体１０は、第１ガラス層５１と、第１ガラス層５１を積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）において挟む第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２とを含む。つまり、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）において、第１フェライト層４１は、第１ガラス層５１の一方主面に配置され、第２フェライト層４２は、第１ガラス層５１の他方主面に配置されている。
【0023】
第１ガラス層５１には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５（図２参照）が存在している。本開示におけるＣｕ及びＭｇが共存している状態とは、領域５５のような領域内でＣｕ及びＭｇが混ざり合って存在してもよく、その領域内でＣｕ及びＭｇが分離して存在してもよい。なお、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域には、Ｃｕ及びＭｇ以外の物質が存在してもよく、存在しなくてもよい。後述のＦＥ－ＷＤＸによる元素マッピングにてＣｕ成分の存在領域とＭｇ成分の存在領域とが重なり合っている、又は、同一領域内で近接していれば、『Ｃｕ及びＭｇが共存している』と言える。
【0024】
未焼成の素体１０を焼成する時には、第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２に含有されるＣｕ成分が第１ガラス層５１に拡散する。しかし、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５を第１ガラス層５１に形成することによって、Ｃｕ成分が第１ガラス層５１の外表面に移動することが抑制される。その結果、外部電極３０を構成する下地電極の焼き付け時において、第１ガラス層５１の外表面にＣｕ成分が析出することが抑制される。したがって、外部電極３０を構成するめっき電極を形成する場合であっても、めっき伸びの発生を抑制することができる。
【0025】
なお、第１ガラス層５１に含有されるＣｕ成分及びＭｇ成分は、電界放出型の波長分散型Ｘ線分析（ＦＥ－ＷＤＸ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ－Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による元素マッピングから確認することができる。後述する第２ガラス層５２及び第３ガラス層５３の観察においても、上記の元素マッピングから確認することができる。
【0026】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１ガラス層５１に点在していることが好ましい。図２においては、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第１ガラス層５１に均一に点在しているが、第１ガラス層５１に不均一に点在していてもよい。
【0027】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の大きさ、形状等は特に限定されないが、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅が５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。一方、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、例えば、０．５μｍ以上である。
【0028】
なお、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、上述のＦＥ－ＷＤＸによる元素マッピングおいてＣｕ成分及びＭｇ成分がどちらも存在している部分の大きさから測定することができる。また、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５を観察するための断面としては、例えば図１のような試料の長さ方向Ｌに、長さ方向Ｌの略中央部が露出する深さまで研磨を行った後、研磨により得られた断面（ＷＴ断面）を用いることが好ましい。後述する第２ガラス層５２及び第３ガラス層５３の観察においても、同一の断面を用いてよい。
【0029】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面から第１ガラス層５１の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。同様に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面から第１ガラス層５１の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。なお、上記以外の範囲、例えば、第１ガラス層５１の厚み方向における中央付近には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在してもよいし、存在しなくてもよい。
【0030】
第１ガラス層５１は、例えば、少なくともＢ、Ｓｉ及びＭｇを含有する。第１ガラス層５１は、Ｂ、Ｓｉ及びＭｇに加えて、Ｋをさらに含有することが好ましい。第１ガラス層５１は、これら以外の元素を含有してもよく、例えば、Ａｌ等の元素を含有してもよい。
【0031】
第１ガラス層５１は、少なくともフォルステライトを含有してもよい。
【0032】
第１ガラス層５１は、ガラス材料を含むことが好ましい。第１ガラス層５１に含まれるガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ及びＳｉを含有することが好ましく、ＫをＫ２Ｏに換算して０．５重量％以上５重量％以下、ＢをＢ２Ｏ３に換算して１０重量％以上２５重量％以下、ＳｉをＳｉＯ２に換算して７０重量％以上８５重量％以下、ＡｌをＡｌ２Ｏ３に換算して０重量％以上５重量％以下含有することがより好ましい。
【0033】
第１ガラス層５１は、ガラス材料に加えて、フィラーを含んでもよい。その場合、第１ガラス層５１に含まれるフィラーは、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）を含有することが好ましい。第１ガラス層５１に含まれるフィラーは、フォルステライトに加えて、石英（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一方をさらに含有することが好ましい。特に、第１ガラス層５１に含まれるフィラーは、石英、アルミナ及びフォルステライトを含有することが好ましい。
【0034】
第１ガラス層５１は、ガラス材料及びフィラーを含むガラスセラミック材料から構成されることが好ましい。
【0035】
ガラスセラミック材料がフィラーとしてフォルステライトを含む場合、ガラスセラミック材料は、フォルステライトを５体積％以上１５体積％以下（６重量％以上１４重量％以下）の範囲で含むことが好ましい。
【0036】
ガラスセラミック材料は、全量を１００重量％としたとき、ＢをＢ２Ｏ３に換算して８重量％以上１２重量％以下、ＡｌをＡｌ２Ｏ３に換算して２重量％以上３重量％以下、ＳｉをＳｉＯ２に換算して７０重量％以上８５重量％以下、ＫをＫ２Ｏに換算して０．５重量％以上１．５重量％以下、ＭｇをＭｇＯに換算して３重量％以上１０重量％以下含有することが好ましい。
【0037】
第１ガラス層５１の厚み（高さ方向Ｔの寸法）は、例えば２０μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは３０μｍ以上２００μｍ以下である。
【0038】
第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２を構成するフェライト材料は、同じであってもよく、異なっていてもよい。第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２は、同じフェライト材料から構成されることが好ましい。
【0039】
フェライト材料は、例えば、主成分として、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＮｉを含有する。フェライト材料は、上記主成分の他に、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加物をさらに含有してもよい。また、フェライト材料は、不可避不純物をさらに含有してもよい。ただし、第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２のうち、少なくとも一方のフェライト層を構成するフェライト材料がＣｕを含有していればよく、もう一方のフェライト層を構成するフェライト材料はＣｕを含有してもよく、含有しなくてもよい。
【0040】
第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２を構成するフェライト材料は、各々、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算して４０ｍｏｌ％以上４９．５ｍｏｌ％以下、ＺｎをＺｎＯに換算して５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、ＣｕをＣｕＯに換算して６ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下、ＮｉをＮｉＯに換算して８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0041】
第１フェライト層４１の厚み（高さ方向Ｔの寸法）は、第２フェライト層４２の厚み（高さ方向Ｔの寸法）と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、第１フェライト層４１の厚みは、第１ガラス層５１の厚みと同じであってもよく、第１ガラス層５１の厚みより小さくてもよく、第１ガラス層５１の厚みより大きくてもよい。同様に、第２フェライト層４２の厚みは、第１ガラス層５１の厚みと同じであってもよく、第１ガラス層５１の厚みより小さくてもよく、第１ガラス層５１の厚みより大きくてもよい。
【0042】
ガラス層及びフェライト層は、以下のようにして区別される。まず、必要に応じてコイル部品の周囲を樹脂で封止した上で、コイル部品を積層方向（例えば、高さ方向）に直交する第１方向（例えば、長さ方向）に研磨することにより、第１方向の略中央部で、積層方向及び第１方向に直交する第２方向（例えば、幅方向）と積層方向とに沿う断面を露出させる。次に、素体の露出断面において異なる層が存在すると推定できる領域（例えば、色調の違い等により異なる層が存在すると推定できる領域）に対して、走査型透過電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＴＥＭ－ＥＤＸ）で組成（検出される元素の含有比率）を求める。そして、得られた組成から、各層の構成材料がガラスセラミック材料かフェライト材料かを判断することにより、ガラス層及びフェライト層を区別する。
【0043】
コイル２０は、例えば、第１コイル２１及び第２コイル２２を含む。コイル２０の数は２つに限定されず、１つのみでもよく、３つ以上でもよい。
【0044】
図２において、第１コイル２１及び第２コイル２２は、第１ガラス層５１の内部に埋設されている。第１コイル２１及び第２コイル２２は、互いに絶縁されている。
【0045】
第１コイル２１及び第２コイル２２は、素体１０の積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に順に設けられて、コモンモードチョークコイルを構成する。
【0046】
第１コイル２１及び第２コイル２２を含むコイル２０は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性材料から構成される。コイル２０を構成する導電性材料は、好ましくはＡｇである。このように、コイル２０は、少なくともＡｇを含有することが好ましい。
【0047】
第１コイル２１及び第２コイル２２は、図３に示すように、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）から見て同一方向に螺旋状に巻き回されたスパイラルパターンを有する。第１コイル２１及び第２コイル２２を含むコイル２０は、外部電極３０のいずれか１つに電気的に接続されている。
【0048】
具体的には、第１コイル２１の螺旋状の外周側の一端は、素体１０の外表面に引き出されている。第１コイル２１の螺旋状の中心側の他端は、第１ガラス層５１の内部に設けられた第１ビア導体６１を介して第１引き出し導体７１の一端に接続され、第１引き出し導体７１の他端は、素体１０の外表面に引き出される。
【0049】
同様に、同様に、第２コイル２２の螺旋状の外周側の一端は、素体１０の外表面に引き出されている。第２コイル２２の螺旋状の中心側の他端は、第１ガラス層５１の内部に設けられた第２ビア導体６２を介して第２引き出し導体７２の一端に接続され、第２引き出し導体７２の他端は、素体１０の外表面に引き出される。
【0050】
外部電極３０は、例えば、第１外部電極３１、第２外部電極３２、第３外部電極３３及び第４外部電極３４を含む。外部電極３０の数は４つ（すなわち２対）に限定されず、コイル２０の数に応じて変化する。したがって、外部電極３０の数は、２つ（すなわち１対）でもよく、３つ以上、例えば６つ（すなわち３対）以上でもよい。
【0051】
外部電極３０は、コイル２０に電気的に接続されている。図２及び図３において、第１コイル２１は、その一端において素体１０の外表面に引き出されて第１外部電極３１に接続され、かつ、他端において素体１０の外表面に引き出された第１引き出し導体７１を介して第２外部電極３２に接続される。同様に、第２コイル２２は、その一端において素体１０の外表面に引き出されて第３外部電極３３に接続され、かつ、他端において素体１０の外表面に引き出された第２引き出し導体７２を介して第４外部電極３４に接続される。
【0052】
外部電極３０は、各々、素体１０の外表面に、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２にわたって存在する。図１において、第１外部電極３１及び第３外部電極３３は、素体１０の第１側面１３ａに設けられており、第２外部電極３２及び第４外部電極３４は、素体１０の第２側面１３ｂに設けられている。第１外部電極３１、第２外部電極３２、第３外部電極３３及び第４外部電極３４は、図１に示すようにＵ字型（コ字型）に素体１０の第１主面１２ａ及び第２主面１２ｂにまで延在してもよい。
【0053】
図１に示すように、素体１０の一の外表面に複数の外部電極３０が互いに隣り合って存在してもよい。図１に示す例では、素体１０の第１側面１３ａに第１外部電極３１及び第３外部電極３３が互いに隣り合って存在し、素体１０の第２側面１３ｂに第２外部電極３２及び第４外部電極３４が互いに隣り合って存在している。
【0054】
外部電極３０は、例えば、下地電極と、下地電極の上に設けられためっき電極とを含む。めっき電極は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。外部電極３０は、少なくともＡｇを含有することが好ましい。
【0055】
外部電極３０が下地電極及びめっき電極を含む場合、下地電極は、Ａｇ又はＣｕを含む下地電極であることが好ましく、Ａｇを含む下地電極であることがより好ましい。めっき電極は、Ｎｉめっき電極及びＳｎめっき電極のいずれか一方又は両方であることが好ましく、Ｎｉめっき電極及びＳｎめっき電極の両方であることが好ましい。特に、外部電極３０は、Ａｇを含む下地電極と、その上に設けられたＮｉめっき電極と、さらにその上に設けられたＳｎめっき電極とを含むことが好ましい。
【0056】
コイル部品１は、例えば、以下の方法により製造される。
【0057】
＜ガラスセラミック材料を作製する工程＞
例えば、Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を所定の比率になるように秤量し、白金製のるつぼ内等で混合する。
例えば、Ｋ２Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を所定の比率になるように秤量し、白金製のるつぼ内等で混合する。
【0058】
次に、得られた混合物を熱処理することにより、溶融させる。熱処理温度については、例えば、１５００℃以上１６００℃以下とする。
【0059】
その後、得られた溶融物を急冷することにより、ガラス材料を作製する。
【0060】
ガラス材料は、少なくともＫ、Ｂ及びＳｉを含有することが好ましく、ＫをＫ２Ｏに換算して０．５重量％以上５重量％以下、ＢをＢ２Ｏ３に換算して１０重量％以上２５重量％以下、ＳｉをＳｉＯ２に換算して７０重量％以上８５重量％以下、ＡｌをＡｌ２Ｏ３に換算して０重量％以上５重量％以下含有することがより好ましい。
【0061】
次に、ガラス材料を粉砕することにより、ガラス粉末を準備する。ガラス粉末のメジアン径Ｄ５０については、例えば、１μｍ以上３μｍ以下とする。また、フィラーとして、例えば、石英粉末、アルミナ粉末及びフォルステライト粉末を準備する。石英粉末及びアルミナ粉末のメジアン径Ｄ５０については、例えば、０．５μｍ以上２．０μｍ以下とする。フォルステライト粉末のメジアン径Ｄ９０については、例えば、１０μｍ以下とする。ここで、ガラス粉末、石英粉末及び、アルミナ粉末のメジアン径Ｄ５０は、体積基準の累積確率が５０％となるときの粒径であり、フォルステライト粉末のメジアン径Ｄ９０は、体積基準の累積確率が９０％となるときの粒径である。
【0062】
そして、ガラス粉末に、フィラーとしての石英粉末、アルミナ粉末及びフォルステライト粉末を添加することにより、ガラスセラミック材料（非磁性材料）を作製する。
【0063】
＜ガラスセラミックシートを作製する工程＞
得られたガラスセラミック材料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤と、等を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れて混合することにより、ガラスセラミックスラリーを作製する。
得られたガラスセラミック材料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤と、等を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れて混合することにより、ガラスセラミックスラリーを作製する。
【0064】
次に、ガラスセラミックスラリーを、ドクターブレード法等の方法で所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状に打ち抜くことにより、ガラスセラミックシートを作製する。ガラスセラミックシートの厚みについては、例えば、２０μｍ以上３０μｍ以下とする。ガラスセラミックシートの形状については、例えば、矩形状とする。
【0065】
＜フェライト材料を作製する工程＞
例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ及びＮｉＯを所定の比率になるように秤量する。この際、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加物を添加してもよい。
例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ及びＮｉＯを所定の比率になるように秤量する。この際、Ｍｎ３Ｏ４、Ｃｏ３Ｏ４、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の添加物を添加してもよい。
【0066】
次に、これらの秤量物と、純水と、分散剤と、等を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕する。
【0067】
そして、得られた粉砕物を乾燥させた後、仮焼する。仮焼温度については、例えば、７００℃以上８００℃以下とする。仮焼時間については、例えば、２時間以上３時間以下とする。
【0068】
このようにして、粉末状のフェライト材料（磁性材料）を作製する。
【0069】
フェライト材料は、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算して４０ｍｏｌ％以上４９．５ｍｏｌ％以下、ＺｎをＺｎＯに換算して５ｍｏｌ％以上３５ｍｏｌ％以下、ＣｕをＣｕＯに換算して６ｍｏｌ％以上１２ｍｏｌ％以下、ＮｉをＮｉＯに換算して８ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下含有することが好ましい。
【0070】
＜フェライトシートを作製する工程＞
得られた粉末状のフェライト材料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、等を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕することにより、フェライトスラリーを作製する。
得られた粉末状のフェライト材料と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、等を、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕することにより、フェライトスラリーを作製する。
【0071】
次に、フェライトスラリーを、ドクターブレード法等の方法で所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状に打ち抜くことにより、フェライトシートを作製する。フェライトシートの形状については、例えば、矩形状とする。
【0072】
＜導体パターンを形成する工程＞
Ａｇペースト等の導電性ペーストを、スクリーン印刷法等の方法で所定のガラスセラミックシートに塗工することにより、図３に示す第１コイル２１及び第２コイル２２に相当するコイル導体用導体パターンと、図３に示す第１ビア導体６１及び第２ビア導体６２に相当するビア導体用導体パターンと、図３に示す第１引き出し導体７１及び第２引き出し導体７２に相当する引き出し導体用導体パターンとを形成する。ビア導体用導体パターンを形成する際には、ガラスセラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことでビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
Ａｇペースト等の導電性ペーストを、スクリーン印刷法等の方法で所定のガラスセラミックシートに塗工することにより、図３に示す第１コイル２１及び第２コイル２２に相当するコイル導体用導体パターンと、図３に示す第１ビア導体６１及び第２ビア導体６２に相当するビア導体用導体パターンと、図３に示す第１引き出し導体７１及び第２引き出し導体７２に相当する引き出し導体用導体パターンとを形成する。ビア導体用導体パターンを形成する際には、ガラスセラミックシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことでビアホールを予め形成しておき、そのビアホールに導電性ペーストを充填する。
【0073】
＜積層体ブロックを作製する工程＞
例えば、導体パターンが形成された各々のガラスセラミックシートを、図３に示すガラスセラミックシート５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及び５１ｄの順番で、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に積層する。この際、図３に示すように、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における一方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシート５１ｅを積層する。さらに、図３には示していないが、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における他方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層してもよい。導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートの枚数は特に限定されない。
例えば、導体パターンが形成された各々のガラスセラミックシートを、図３に示すガラスセラミックシート５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及び５１ｄの順番で、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に積層する。この際、図３に示すように、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における一方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシート５１ｅを積層する。さらに、図３には示していないが、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における他方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層してもよい。導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートの枚数は特に限定されない。
【0074】
次に、得られたガラスセラミックシートの積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における両方の主面上に、フェライトシートを所定の枚数積層する。この際、ガラスセラミックシートの積層体の一方の主面上に第１フェライトシートを積層し、他方の主面上に第２フェライトシートを積層する。例えば、図３に示すように、ガラスセラミックシートの積層体の一方の主面上に第１フェライトシート４１ａ及び４１ｂを積層し、他方の主面上に第２フェライトシート４２ａ及び４２ｂを積層する。
【0075】
そして、得られたガラスセラミックシート及びフェライトシートの積層体を、温間等方圧プレス（ＷＩＰ）処理等で圧着することにより、積層体ブロックを作製する。
【0076】
＜素体及びコイルを作製する工程＞
まず、積層体ブロックをダイサー等で所定の大きさに切断することにより、個片化されたチップを作製する。
まず、積層体ブロックをダイサー等で所定の大きさに切断することにより、個片化されたチップを作製する。
【0077】
次に、個片化されたチップを焼成する。焼成雰囲気は、低酸素雰囲気であることが好ましい。その場合、焼成雰囲気の酸素濃度は、５体積％以下であることが好ましい。一方、フェライト材料の焼結性を確保する観点から、焼成雰囲気の酸素濃度は、０．１体積％以上であることが好ましい。焼成温度については、例えば、８６０℃以上、９２０℃以下とする。焼成時間については、例えば、１時間以上、２時間以下とする。
【0078】
このようにして、例えば、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２がこの順に積層された積層体を含む素体１０と、第１ガラス層５１の内部に埋設された第１コイル２１及び第２コイル２２を含むコイル２０とが作製される。
【0079】
素体１０に対しては、例えば、素体１０をメディアとともに回転バレル機に入れて、素体１０にバレル研磨を施すことにより、角部及び稜線部に丸みを付けてもよい。
【0080】
＜外部電極を形成する工程＞
例えば、Ａｇ及びガラスフリットを含むペースト等の導電性ペーストを、素体１０の第１側面１３ａに２箇所、素体１０の第２側面１３ｂに２箇所の合計４箇所に少なくとも塗工する。
例えば、Ａｇ及びガラスフリットを含むペースト等の導電性ペーストを、素体１０の第１側面１３ａに２箇所、素体１０の第２側面１３ｂに２箇所の合計４箇所に少なくとも塗工する。
【0081】
次に、得られた各塗膜を焼き付けることにより、素体１０の外表面に下地電極を形成する。
【0082】
そして、電解めっき等により、各々の下地電極の表面に、めっき電極、例えば、Ｎｉめっき電極とＳｎめっき電極とを順に形成する。
【0083】
このようにして、下地電極及びめっき電極を含む外部電極３０が素体１０の外表面に形成される。
【0084】
以上により、コイル部品１が製造される。
【0085】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係るコイル部品では、素体は、第１フェライト層の外側に第２ガラス層を、第２フェライト層の外側に第３ガラス層をさらに含む。本発明の第２実施形態は、素体が第２ガラス層及び第３ガラス層を含む点で本発明の第１実施形態と相違する。そのため、第１実施形態と相違する構成のみを以下にて説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は第１実施形態と共通の構成を表すため、その説明は省略する。
本発明の第２実施形態に係るコイル部品では、素体は、第１フェライト層の外側に第２ガラス層を、第２フェライト層の外側に第３ガラス層をさらに含む。本発明の第２実施形態は、素体が第２ガラス層及び第３ガラス層を含む点で本発明の第１実施形態と相違する。そのため、第１実施形態と相違する構成のみを以下にて説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は第１実施形態と共通の構成を表すため、その説明は省略する。
【0086】
【0087】
【0088】
素体１０Ａは、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２がこの順に積層された積層体を含む。図４及び図５に示す例では、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１及び第２フェライト層４２は高さ方向Ｔに積層されている。
【0089】
言い換えると、素体１０Ａは、第１ガラス層５１と、第１ガラス層５１を積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）において挟む第１フェライト層４１及び第２フェライト層４２とを含む。つまり、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）において、第１フェライト層４１は、第１ガラス層５１の一方主面に配置され、第２フェライト層４２は、第１ガラス層５１の他方主面に配置されている。
【0090】
第１ガラス層５１には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５（図５参照）が存在している。
【0091】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１ガラス層５１に点在していることが好ましい。図５においては、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第１ガラス層５１に均一に点在しているが、第１ガラス層５１に不均一に点在していてもよい。
【0092】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の大きさ、形状等は特に限定されないが、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅が５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。一方、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、例えば、０．５μｍ以上である。
【0093】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面から第１ガラス層５１の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第１フェライト層４１と第１ガラス層５１との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。同様に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面から第１ガラス層５１の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第２フェライト層４２と第１ガラス層５１との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。なお、上記以外の範囲、例えば、第１ガラス層５１の厚み方向における中央付近には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在してもよいし、存在しなくてもよい。
【0094】
素体１０Ａは、第１フェライト層４１の外側に第２ガラス層５２を、第２フェライト層４２の外側に第３ガラス層５３をさらに含む。
【0095】
言い換えると、素体１０Ａは、第２ガラス層５２、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１、第２フェライト層４２及び第３ガラス層５３がこの順に積層された積層体を含む。
【0096】
第１ガラス層５１に加えて、第２ガラス層５２及び第３ガラス層５３の少なくとも一方に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５（図５参照）が存在してもよいが、存在しなくてもよい。Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１ガラス層５１のみに存在してもよく、第１ガラス層５１及び第２ガラス層５２に存在してもよく、第１ガラス層５１及び第３ガラス層５３に存在してもよく、第１ガラス層５１、第２ガラス層５２及び第３ガラス層５３に存在してもよい。
【0097】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第２ガラス層５２に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第２ガラス層５２に点在していることが好ましい。図５においては、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第２ガラス層５２に均一に点在しているが、第２ガラス層５２に不均一に点在していてもよい。
【0098】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第２ガラス層５２に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の大きさ、形状等は特に限定されないが、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅が５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。一方、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、例えば、０．５μｍ以上である。Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、第１ガラス層５１と第２ガラス層５２とで同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0099】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第２ガラス層５２に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第１フェライト層４１と第２ガラス層５２との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第１フェライト層４１と第２ガラス層５２との界面から第２ガラス層５２の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第１フェライト層４１と第２ガラス層５２との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。なお、上記以外の範囲、例えば、第２ガラス層５２の厚み方向における中央付近には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在してもよいし、存在しなくてもよい。
【0100】
第２ガラス層５２は、ガラス材料及びフィラーを含むガラスセラミック材料から構成されることが好ましい。第２ガラス層５２を構成するガラスセラミック材料は、第１ガラス層５１を構成するガラスセラミック材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0101】
第２ガラス層５２の厚み（高さ方向Ｔの寸法）は、第１ガラス層５１の厚みと同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0102】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第３ガラス層５３に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第３ガラス層５３に点在していることが好ましい。図５においては、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第３ガラス層５３に均一に点在しているが、第３ガラス層５３に不均一に点在していてもよい。
【0103】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第３ガラス層５３に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の大きさ、形状等は特に限定されないが、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅が５μｍ以下であることが好ましく、４μｍ以下であることがより好ましい。一方、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、例えば、０．５μｍ以上である。Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、第１ガラス層５１と第３ガラス層５３とで同じであってもよく、異なっていてもよい。また、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５の最大幅は、第２ガラス層５２と第３ガラス層５３とで同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0104】
Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が第３ガラス層５３に存在する場合、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５は、第２フェライト層４２と第３ガラス層５３との界面付近に存在することが好ましい。具体的には、第２フェライト層４２と第３ガラス層５３との界面から第３ガラス層５３の厚みの１／５以内の範囲、例えば、第２フェライト層４２と第３ガラス層５３との界面から２０μｍ以内の範囲に、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在することが好ましい。なお、上記以外の範囲、例えば、第３ガラス層５３の厚み方向における中央付近には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域５５が存在してもよいし、存在しなくてもよい。
【0105】
第３ガラス層５３は、ガラス材料及びフィラーを含むガラスセラミック材料から構成されることが好ましい。第３ガラス層５３を構成するガラスセラミック材料は、第１ガラス層５１を構成するガラスセラミック材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。また、第３ガラス層５３を構成するガラスセラミック材料は、第２ガラス層５２を構成するガラスセラミック材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0106】
第３ガラス層５３の厚み（高さ方向Ｔの寸法）は、第１ガラス層５１の厚みと同じであってもよく、異なっていてもよい。また、第３ガラス層５３の厚みは、第２ガラス層５２の厚みと同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0107】
外部電極３０は、各々、素体１０の外表面に、第２ガラス層５２、第１フェライト層４１、第１ガラス層５１、第２フェライト層４２及び第３ガラス層５３にわたって存在する。図４において、第１外部電極３１及び第３外部電極３３は、素体１０Ａの第１側面１３ａに設けられており、第２外部電極３２及び第４外部電極３４は、素体１０Ａの第２側面１３ｂに設けられている。第１外部電極３１、第２外部電極３２、第３外部電極３３及び第４外部電極３４は、図４に示すようにＵ字型（コ字型）に素体１０Ａの第１主面１２ａ及び第２主面１２ｂにまで延在してもよい。
【0108】
コイル部品２は、例えば、＜積層体ブロックを作製する工程＞を以下のように行うこと以外、コイル部品１と同様にして製造される。
【0109】
＜積層体ブロックを作製する工程＞
まず、導体パターンが形成された各々のガラスセラミックシートを積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に積層する。この際、得られた積層体の、積層方向（ここでは、高さ方向）における一方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層する。さらに、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における他方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層してもよい。導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートの枚数は特に限定されない。
まず、導体パターンが形成された各々のガラスセラミックシートを積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に積層する。この際、得られた積層体の、積層方向（ここでは、高さ方向）における一方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層する。さらに、得られた積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における他方の主面上に、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを積層してもよい。導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートの枚数は特に限定されない。
【0110】
次に、得られたガラスセラミックシートの積層体の、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）における両方の主面上に、フェライトシートを所定の枚数積層する。この際、ガラスセラミックシートの積層体の一方の主面上に第１フェライトシートを積層し、他方の主面上に第２フェライトシートを積層する。
【0111】
続いて、第１フェライトシートの積層部分及び第２フェライトシートの積層部分に対して、導体パターンが形成されていないガラスセラミックシートを、積層方向（ここでは高さ方向Ｔ）に所定の枚数積層する。
【0112】
そして、得られたガラスセラミックシート及びフェライトシートの積層体を、温間等方圧プレス処理等で圧着することにより、積層体ブロックを作製する。
【0113】
その後、＜素体及びコイルを作製する工程＞において、個片化されたチップを作製した後、個片化されたチップを焼成する。
【0114】
本明細書には、以下の内容が開示されている。
【0115】
＜１＞
第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む素体と、
上記第１ガラス層の内部に埋設されたコイルと、
上記素体の外表面に設けられ、上記コイルに電気的に接続された外部電極と、を備え、
上記第１ガラス層には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が存在している、コイル部品。
第１フェライト層、第１ガラス層及び第２フェライト層がこの順に積層された積層体を含む素体と、
上記第１ガラス層の内部に埋設されたコイルと、
上記素体の外表面に設けられ、上記コイルに電気的に接続された外部電極と、を備え、
上記第１ガラス層には、Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が存在している、コイル部品。
【0116】
＜２＞
上記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が上記第１ガラス層に点在している、＜１＞に記載のコイル部品。
上記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域が上記第１ガラス層に点在している、＜１＞に記載のコイル部品。
【0117】
＜３＞
上記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域の最大幅が５μｍ以下である、＜１＞又は＜２＞に記載のコイル部品。
上記Ｃｕ及びＭｇが共存する領域の最大幅が５μｍ以下である、＜１＞又は＜２＞に記載のコイル部品。
【0118】
＜４＞
上記素体は、上記第１フェライト層の外側に第２ガラス層を、上記第２フェライト層の外側に第３ガラス層をさらに含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記素体は、上記第１フェライト層の外側に第２ガラス層を、上記第２フェライト層の外側に第３ガラス層をさらに含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【0119】
＜５＞
上記第１ガラス層は、少なくともＢ、Ｓｉ及びＭｇを含有する、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記第１ガラス層は、少なくともＢ、Ｓｉ及びＭｇを含有する、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【0120】
＜６＞
上記第１ガラス層は、少なくともフォルステライトを含有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記第１ガラス層は、少なくともフォルステライトを含有する、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【0121】
＜７＞
上記コイルは、少なくともＡｇを含有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記コイルは、少なくともＡｇを含有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【0122】
＜８＞
上記外部電極は、少なくともＡｇを含有する、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記外部電極は、少なくともＡｇを含有する、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【0123】
＜９＞
上記コイルとして第１コイル及び第２コイルが上記第１ガラス層の内部に埋設されたコモンモードチョークコイルである、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
上記コイルとして第１コイル及び第２コイルが上記第１ガラス層の内部に埋設されたコモンモードチョークコイルである、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のコイル部品。
【実施例0124】
以下、本発明のコイル部品をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【0125】
［実施例１］
Ｋ及びＡｌを含有するホウケイ酸ガラス粉末、アルミナ粉末、石英粉末及びフォルステライト粉末を準備した。ホウケイ酸ガラス粉末を７７．５体積％、アルミナ粉末を１．５体積％、石英粉末を１１体積％、フォルステライト粉末を１０体積％の割合で秤量し、上述の＜ガラスセラミック材料を作製する工程＞及び＜ガラスセラミックシートを作製する工程＞に記載された方法でガラスセラミックシートを作製した。
Ｋ及びＡｌを含有するホウケイ酸ガラス粉末、アルミナ粉末、石英粉末及びフォルステライト粉末を準備した。ホウケイ酸ガラス粉末を７７．５体積％、アルミナ粉末を１．５体積％、石英粉末を１１体積％、フォルステライト粉末を１０体積％の割合で秤量し、上述の＜ガラスセラミック材料を作製する工程＞及び＜ガラスセラミックシートを作製する工程＞に記載された方法でガラスセラミックシートを作製した。
【0126】
Ｆｅ２Ｏ３粉末、ＮｉＯ粉末、ＺｎＯ粉末及びＣｕＯ粉末を所定の割合で秤量し、上述の＜フェライト材料を作製する工程＞及び＜フェライトシートを作製する工程＞に記載された方法でフェライトシートを作製した。
【0127】
上述の＜導体パターンを形成する工程＞に記載された方法で所定のガラスセラミックシートに導体パターンを印刷した後、図３と同様に、ガラスセラミックシート、その上下に第１フェライトシートと第２フェライトシートとを積層し、上述の＜積層体ブロックを作製する工程＞及び＜素体及びコイルを作製する工程＞に記載された手順で未焼成の積層体（チップ）を作製した。
【0128】
未焼成の積層体を焼成炉にて９１０℃で２時間焼成し、焼成済みの積層体を作製した。焼成時、酸素濃度を０．１体積％の雰囲気に調整した。
【0129】
焼成済みの積層体に対して、外部電極を形成する箇所にＡｇとガラスとを含んだ導電性ペーストを塗布し、８１０℃で１分間保持することで下地電極を形成した。次に、電解めっきにより、下地電極の上にＮｉめっき電極及びＳｎめっき電極を順次形成することで、下地電極及びめっき電極を含む外部電極を形成した。
【0130】
以上により、実施例１の試料であるコイル部品を作製した。
【0131】
［比較例１］
フォルステライト粉末の含有量を０体積％とし、ホウケイ酸ガラス粉末を８６．１体積％、アルミナ粉末を１．７体積％、石英粉末を１２．２体積％としてガラスセラミックシートを作製したこと、及び、焼成時の雰囲気を大気としたこと以外は実施例１と同じ方法により、比較例１の試料であるコイル部品を作製した。
フォルステライト粉末の含有量を０体積％とし、ホウケイ酸ガラス粉末を８６．１体積％、アルミナ粉末を１．７体積％、石英粉末を１２．２体積％としてガラスセラミックシートを作製したこと、及び、焼成時の雰囲気を大気としたこと以外は実施例１と同じ方法により、比較例１の試料であるコイル部品を作製した。
【0132】
［比較例２］
焼成時の雰囲気を大気としたこと以外は実施例１と同じ方法により、比較例２の試料であるコイル部品を作製した。
焼成時の雰囲気を大気としたこと以外は実施例１と同じ方法により、比較例２の試料であるコイル部品を作製した。
【0133】
実施例１、比較例１及び比較例２の試料とも、コイル部品の寸法は、長さ方向Ｌ＝０．６５ｍｍ、幅方向Ｗ＝０．５０ｍｍ、高さ方向Ｔ＝０．３０ｍｍである。
【0134】
［評価１］
下地電極を形成した後、めっき電極を形成する前の段階における実施例１、比較例１及び比較例２の試料について、試料の長さ方向Ｌが垂直になるように立てて、試料の周囲を樹脂で固めた。その後、研磨機を用いて、試料の長さ方向Ｌに、長さ方向Ｌの略中央部が露出する深さまで研磨を行った。
下地電極を形成した後、めっき電極を形成する前の段階における実施例１、比較例１及び比較例２の試料について、試料の長さ方向Ｌが垂直になるように立てて、試料の周囲を樹脂で固めた。その後、研磨機を用いて、試料の長さ方向Ｌに、長さ方向Ｌの略中央部が露出する深さまで研磨を行った。
【0135】
研磨により得られた断面（ＷＴ断面）において、電界放出型の波長分散型Ｘ線分析（ＦＥ－ＷＤＸ）によるＣｕ及びＭｇのマッピングを行った。ＦＥ－ＷＤＸは、日本電子製のＪＸＡ－８５３０Ｆを用いて行った。分析条件を以下に示す。
加速電圧：１５．０ｋＶ
照射電流：５×１０－８Ａ
ピクセル数（画素数）：２５６×２５６
ピクセルサイズ：０．４（１０００倍）
Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅ（１つの画素での取り込み時間）：４０ｍｓ
分析深さ：１μｍ～２μｍ
加速電圧：１５．０ｋＶ
照射電流：５×１０－８Ａ
ピクセル数（画素数）：２５６×２５６
ピクセルサイズ：０．４（１０００倍）
Ｄｗｅｌｌ Ｔｉｍｅ（１つの画素での取り込み時間）：４０ｍｓ
分析深さ：１μｍ～２μｍ
【0136】
Ｃｕ及びＭｇのマッピング分析結果より、比較例１及び比較例２の試料では、フェライト層とガラス層との界面近傍のチップ表面部分においてＣｕの偏析が確認された。また、ガラス層にＣｕ及びＭｇが共存する領域は確認されなかった。
【0137】
一方、実施例１の試料では、ガラス層にＣｕ及びＭｇが共存する領域が確認された。Ｃｕ及びＭｇが共存する領域は、最大幅が５μｍ以下の領域であった。
【0138】
［評価２］
めっき電極を形成した後の実施例１、比較例１及び比較例２の試料について、外部電極の近傍をデジタルマイクロスコープ（（株）キーエンス社製ＶＨＸ－６０００）を用いて観察した。
めっき電極を形成した後の実施例１、比較例１及び比較例２の試料について、外部電極の近傍をデジタルマイクロスコープ（（株）キーエンス社製ＶＨＸ－６０００）を用いて観察した。
【0139】
比較例１及び比較例２の試料では、長さ３０μｍを超えるめっき伸びが確認された。
【0140】
一方、実施例１の試料では、長さ３０μｍを超えるめっき伸びは確認されなかった。
【0141】
比較例１及び比較例２の試料では、未焼成の積層体を焼成する時にフェライト層からＣｕ成分がガラス層へ拡散した後、拡散したＣｕ成分が下地電極の焼き付け時に積層体の表面へ移動した結果、積層体の表面部分にＣｕの偏析が生じたと考えられる。
【0142】
一方、実施例１の試料では、未焼成の積層体を焼成する時にガラス層へ拡散したＣｕ成分がＭｇと共存する領域を形成したことで、Ｃｕ成分が下地電極の焼き付け時に積層体の表面に移動することを抑制していると考えられる。
【0143】
実施例１ではガラス層中のＭｇはフォルステライトに起因して添加されていたが、それに限られず、例えばガラス材料の原料としてＭｇＯが添加されてもよい。
【符号の説明】
【0144】
１、２ コイル部品
１０、１０Ａ 素体
１１ａ 素体の第１端面
１１ｂ 素体の第２端面
１２ａ 素体の第１主面
１２ｂ 素体の第２主面
１３ａ 素体の第１側面
１３ｂ 素体の第２側面
２０ コイル
２１ 第１コイル
２２ 第２コイル
３０ 外部電極
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
３３ 第３外部電極
３４ 第４外部電極
４１ 第１フェライト層
４１ａ、４１ｂ 第１フェライトシート
４２ 第２フェライト層
４２ａ、４２ｂ 第２フェライトシート
５１ 第１ガラス層
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ ガラスセラミックシート
５２ 第２ガラス層
５３ 第３ガラス層
５５ Ｃｕ及びＭｇが共存する領域
６１ 第１ビア導体
６２ 第２ビア導体
７１ 第１引き出し導体
７２ 第２引き出し導体
Ｌ 長さ方向
Ｔ 高さ方向
Ｗ 幅方向
１０、１０Ａ 素体
１１ａ 素体の第１端面
１１ｂ 素体の第２端面
１２ａ 素体の第１主面
１２ｂ 素体の第２主面
１３ａ 素体の第１側面
１３ｂ 素体の第２側面
２０ コイル
２１ 第１コイル
２２ 第２コイル
３０ 外部電極
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
３３ 第３外部電極
３４ 第４外部電極
４１ 第１フェライト層
４１ａ、４１ｂ 第１フェライトシート
４２ 第２フェライト層
４２ａ、４２ｂ 第２フェライトシート
５１ 第１ガラス層
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ ガラスセラミックシート
５２ 第２ガラス層
５３ 第３ガラス層
５５ Ｃｕ及びＭｇが共存する領域
６１ 第１ビア導体
６２ 第２ビア導体
７１ 第１引き出し導体
７２ 第２引き出し導体
Ｌ 長さ方向
Ｔ 高さ方向
Ｗ 幅方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】