知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024051951
(43)【公開日】2024-04-11
(54)【発明の名称】高周波回路
(51)【国際特許分類】
H03F 1/02 20060101AFI20240404BHJP
H03F 1/32 20060101ALI20240404BHJP
H03F 3/24 20060101ALI20240404BHJP
【ＦＩ】
H03F1/02 111
H03F1/32
H03F3/24
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022158351
(22)【出願日】2022-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】大前 佑貴
【テーマコード（参考）】
5J500
【Ｆターム（参考）】
5J500AA01
5J500AA41
5J500AA51
5J500AC21
5J500AC36
5J500AH29
5J500AH33
5J500AH38
5J500AK29
5J500AK41
5J500NG01
5J500RG01
5J500RG02
(57)【要約】
【課題】増幅回路で発生する高調波成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる高周波回路を実現する。
【解決手段】エンベロープトラッキング方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅するパワーアンプ回路ＰＡと、パワーアンプ回路ＰＡの電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路ＳＷを介して接地されるＬＣ回路５と、を備える。ＬＣ回路５は、第１コンデンサＣ１と、第１コンデンサＣ１に直列接続されるインダクタＬと、を備える。スイッチ回路ＳＷは、第１モードにおいてオフ制御され、第２モードにおいてオン制御される。
【選択図】図５
【解決手段】エンベロープトラッキング方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅するパワーアンプ回路ＰＡと、パワーアンプ回路ＰＡの電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路ＳＷを介して接地されるＬＣ回路５と、を備える。ＬＣ回路５は、第１コンデンサＣ１と、第１コンデンサＣ１に直列接続されるインダクタＬと、を備える。スイッチ回路ＳＷは、第１モードにおいてオフ制御され、第２モードにおいてオン制御される。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エンベロープトラッキング方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅する増幅回路と、
前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路を介して接地されるＬＣ回路と、
を備え、
前記ＬＣ回路は、
第１コンデンサと、
前記第１コンデンサに直列接続されるインダクタと、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記第１モードにおいてオフ制御され、前記第２モードにおいてオン制御される、
高周波回路。
前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路を介して接地されるＬＣ回路と、
を備え、
前記ＬＣ回路は、
第１コンデンサと、
前記第１コンデンサに直列接続されるインダクタと、
を備え、
前記スイッチ回路は、
前記第１モードにおいてオフ制御され、前記第２モードにおいてオン制御される、
高周波回路。
【請求項2】
請求項１に記載の高周波回路であって、
前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端が接地された第２コンデンサをさらに備える、
高周波回路。
前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端が接地された第２コンデンサをさらに備える、
高周波回路。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の高周波回路であって、
前記増幅回路が設けられる第１デバイスと、
前記スイッチ回路が設けられる第２デバイスと、
前記第１デバイス及び前記第２デバイスが搭載される基板と、
を備え、
前記第２デバイスは、
前記増幅回路により増幅された高周波信号の出力経路を有する、
高周波回路。
前記増幅回路が設けられる第１デバイスと、
前記スイッチ回路が設けられる第２デバイスと、
前記第１デバイス及び前記第２デバイスが搭載される基板と、
を備え、
前記第２デバイスは、
前記増幅回路により増幅された高周波信号の出力経路を有する、
高周波回路。
【請求項4】
請求項３に記載の高周波回路であって、
前記第１デバイスは、
ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成されるＨＢＴデバイスであり、
前記第２デバイスは、
シリコントランジスタで構成されるＦＥＴデバイスである、
高周波回路。
前記第１デバイスは、
ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成されるＨＢＴデバイスであり、
前記第２デバイスは、
シリコントランジスタで構成されるＦＥＴデバイスである、
高周波回路。
【請求項5】
請求項３に記載の高周波回路であって、
前記インダクタは、
前記基板に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである、
高周波回路。
前記インダクタは、
前記基板に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである、
高周波回路。
【請求項6】
請求項４に記載の高周波回路であって、
前記インダクタは、
前記基板に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである、
高周波回路。
前記インダクタは、
前記基板に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである、
高周波回路。
【請求項7】
請求項３に記載の高周波回路であって、
前記インダクタは、
前記基板上に設けられる表面実装部品である、
高周波回路。
前記インダクタは、
前記基板上に設けられる表面実装部品である、
高周波回路。
【請求項8】
請求項４に記載の高周波回路であって、
前記インダクタは、
前記基板上に設けられる表面実装部品である、
高周波回路。
前記インダクタは、
前記基板上に設けられる表面実装部品である、
高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、高周波回路に関する。
【背景技術】
【0002】
無線通信端末に搭載される電力増幅回路の高効率化技術として、複数段の増幅回路を多段接続し、入力信号の振幅レベルに応じて増幅回路の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る、エンベロープトラッキング（ＥＴ：Envelope Tracking）方式や、平均出力電力に応じて増幅回路の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る、平均電力トラッキング（ＡＰＴ：Average Power Tracking）方式がある。従来、信号のエンベロープが所定値以下である固定電圧電力モードにおいて、コンデンサ及びスイッチ回路を介して増幅部の電力ノードを接地することにより、電力効率の低下を抑制する技術が開示されている。（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－１３４７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
近年、電力増幅回路やスイッチ回路、制御回路等を一体化した高周波モジュールの開発が進められている。このような高周波モジュールは、例えば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板や誘電体基板上にウエハレベルＣＳＰ（ＷＬ－ＣＳＰ：Wafer Level Chip Size Package）や表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）等の複数の機能デバイスが実装される。
【0005】
このような高周波モジュールに上記従来技術を適用した場合、増幅部はＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）プロセスを用いて構成されたＨＢＴデバイスに設けられ、スイッチ回路はシリコンプロセスを用いて構成されたシリコンデバイスに設けられる構成が想定される。このような構成では、スイッチ回路と同一のシリコンデバイスに設けられるアンテナスイッチ回路のＧＮＤを介して、ＨＢＴデバイスで発生する高調波成分が出力信号経路に結合し、歪特性が劣化する場合がある。
【0006】
本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、増幅回路で発生する高調波成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる高周波回路を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示の一側面の高周波回路は、エンベロープトラッキング方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅する増幅回路と、前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路を介して接地されるＬＣ回路と、を備え、前記ＬＣ回路は、第１コンデンサと、前記第１コンデンサに直列接続されるインダクタと、を備え、前記スイッチ回路は、前記第１モードにおいてオフ制御され、前記第２モードにおいてオン制御される。
【0008】
この構成では、第２モードにおいてＬＣ回路を伝搬する増幅回路由来のノイズ成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる。
【発明の効果】
【0009】
本開示によれば、増幅回路で発生する高調波成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる高周波回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、実施形態に係る高周波回路を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。
【0012】
図１は、本開示における基本的な増幅回路の構成を示す回路図である。本開示において、増幅回路１００は、入力信号の振幅レベルに応じて増幅回路の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図るエンベロープトラッキング（ＥＴ：Envelope Tracking）方式の電力増幅モード（以下「第１モード」とも称する）と、平均出力電力に応じて増幅回路の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る平均電力トラッキング（ＡＰＴ：Average Power Tracking）方式の電力増幅モード（以下「第２モード」とも称する）と、を切り替える態様としている。
【0013】
増幅回路１００は、電源回路２００から供給される電源電圧に基づき、高周波信号を増幅する。
【0014】
第１モードでは、高周波信号の包絡線に追従した電源電圧が供給される。このため、第１モードでは、高周波信号の包絡線に対する電源電圧のトラッキング精度が重要となる。一方、第２モードでは、高周波信号の平均出力電力に応じた電源電圧が供給される。このため、第２モードでは、高周波信号に対して安定した電源電圧を供給する必要がある。すなわち、第１モードと第２モードとでは、電源電圧の供給経路に必要なデカップリング容量が異なる。
【0015】
このため、図１に示すように、電源電圧の供給経路に常設される第２コンデンサＣ２に加えて、第１モードにおいてスイッチ回路ＳＷによって電源電圧の供給経路から切り離される第１コンデンサＣ１を設ける。具体的に、第２コンデンサＣ２は、一端が電源電圧の供給経路に接続され、他端が接地される。また、第１コンデンサＣ１は、一端が電源電圧の供給経路に接続され、第２モードにおいて他端がスイッチ回路ＳＷを介して接地される。
【0016】
これにより、第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２の容量値を適切に設計することで、第１モードと第２モードとの双方でそれぞれ最適なデカップリング容量を電源電圧の供給経路に付加することができる。
【0017】
図２は、比較例に係る高周波回路を示す概略図である。
【0018】
図２では、高周波回路１の一例として、フロントエンドモジュールの概略構成を示している。フロントエンドモジュールは、基板２上に実装された複数の集積回路、及び各種機能部品を一体化した超小型集積モジュールである。基板２は、例えば低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等のセラミック積層基板や、樹脂多層基板やフィルム基板等が例示される。
【0019】
図２に示すように、高周波回路１は、主要な回路ブロックとして、第１デバイス３及び第２デバイス４を備えている。
【0020】
第１デバイス３は、例えばＧａＡｓ（ガリウム砒素）系のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Heterojunction Bipolar Transistor）で構成されるＨＢＴデバイス（集積回路、ＩＣ：Integrated Circuit）であり、当該ＨＢＴデバイスのダイ上にパワーアンプ回路ＰＡが構成されている。
【0021】
図２に示す構成では、入力端子ＴＸから入力された高周波信号が第１デバイス３上のパワーアンプ回路ＰＡによって増幅され、整合回路ＭＮ及び第２デバイス４を介して、増幅された高周波信号がアンテナ端子ＡＮＴから出力される。パワーアンプ回路ＰＡは、電源端子Ｖｃｃから入力された電源電圧に基づき、入力端子ＴＸから入力された高周波信号を増幅する。
【0022】
第２デバイス４は、例えばＳｉ（シリコン）系の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）で構成されるシリコンデバイス（集積回路、ＩＣ）であり、当該シリコンデバイスのダイ上にスイッチ回路ＳＷ及びアンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷが構成されている。スイッチ回路ＳＷ及びアンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷは、例えば図示しない制御回路によりオン制御又はオフ制御される。
【0023】
パワーアンプ回路ＰＡの出力信号は、整合回路ＭＮを介して第２デバイス４に入力される。整合回路ＭＮは、例えば基板２上に設けられる表面実装部品（ＳＭＤ：Surface Mount Device）や基板２に設けられる導体で構成される。
【0024】
アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷは、第２デバイス４に入力された高周波信号の出力先を切り替える。図１では、第２デバイス４に入力された高周波信号の出力先として、１つのアンテナ端子ＡＮＴを記載しているが、これに限定されない。例えば、アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷによって出力先が切り替えられた高周波信号が複数のアンテナ端子のうちの一つに出力される態様であっても良い。
【0025】
パワーアンプ回路ＰＡは、図１に示す増幅回路１００に対応する。すなわち、本開示において、パワーアンプ回路ＰＡは、エンベロープトラッキング（ＥＴ）方式の電力増幅モードである第１モードと、平均電力トラッキング（ＡＰＴ）方式の電力増幅モードである第２モードと、を切り替え可能な態様としている。
【0026】
図３は、比較例の第１モードにおける態様を示す図である。図４は、比較例の第２モードにおける態様を示す図である。図３に示す第１モードにおいて、スイッチ回路ＳＷがオフ制御され、図４に示す第２モードにおいて、スイッチ回路ＳＷがオン制御される。なお、図３及び図４では、アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷがオン制御され、第２デバイス４に入力された高周波信号がアンテナ端子ＡＮＴに出力されている。
【0027】
第１コンデンサＣ１は、図３に示すように、第１モードにおいて第２デバイス４のダイ上に構成されたスイッチ回路ＳＷがオフ制御されることにより、電源電圧の供給経路から切り離される。
【0028】
また、第１コンデンサＣ１は、図４に示すように、第２モードにおいて第２デバイス４のダイ上に構成されたスイッチ回路ＳＷがオン制御されることにより、電源電圧の供給経路に接続される。
【0029】
上述した構成の高周波回路１において、スイッチ回路ＳＷは、アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷと共に第２デバイス４に設けられているため、第２モードにおいて、第１コンデンサＣ１は、第２デバイス４のＧＮＤ電位に接地される。これにより、図４に破線矢示したように、第１デバイス３のダイ上に構成されたパワーアンプ回路ＰＡから、第１コンデンサＣ１及び第２デバイス４のダイ上のスイッチ回路ＳＷを介して、高周波信号の高調波成分が第１デバイス３由来のノイズ成分として第２デバイス４のＧＮＤ電位に伝搬する。このため、図４に実線矢示したように、この第１デバイス３由来のノイズ成分である高周波信号の高調波成分が第２デバイス４上の高周波信号の出力経路に結合し、歪特性が劣化する可能性がある。
【0030】
以下、上述した構成の高周波回路１において、第１デバイス３由来のノイズ成分が第２デバイス４上の高周波信号の出力経路に結合することを抑制可能な実施形態１の構成について説明する。
【0031】
図５は、実施形態に係る高周波回路の一例を示す概略図である。図６は、実施形態の第１モードにおける態様を示す図である。図７は、実施形態の第２モードにおける態様を示す図である。図５に示す第１モードでは、図３に示す比較例と同様にスイッチ回路ＳＷがオフ制御され、図６に示す第２モードでは、図４に示す比較例と同様にスイッチ回路ＳＷがオン制御される。なお、図５及び図６では、図３及び図４に示す比較例と同様に、アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷがオン制御され、第２デバイス４に入力された高周波信号がアンテナ端子ＡＮＴに出力されている。
【0032】
図５に示すように、実施形態に係る高周波回路１ａの構成では、第１デバイス３由来のノイズ成分の伝搬経路上に、インダクタＬを設けている。具体的には、図５に示すように、第１コンデンサＣ１とインダクタＬとが直列接続されたＬＣ回路５の一端が電源電圧の供給経路に接続され、第２モードにおいて他端が第２デバイス４に設けられたスイッチ回路ＳＷを介して接地される。なお、インダクタＬは、例えば基板２に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである。インダクタＬの態様はこれに限定されず、例えば、ＳＭＤで構成される態様であっても良い。
【0033】
また、本実施形態では、第１コンデンサＣ１とスイッチ回路ＳＷが構成される第２デバイス４との間にインダクタＬが設けられている態様を例示したが、これに限定されず、例えば電源電圧の供給経路と第１コンデンサＣ１との間にインダクタＬが設けられている態様であっても良い。言い換えると、電源電圧の供給経路と、第２デバイス４上に設けられたスイッチ回路ＳＷとの間に、第１コンデンサＣ１とインダクタＬとが直列接続されたＬＣ回路５が設けられた態様であれば良い。すなわち、ＬＣ回路５の一端が電源電圧の供給経路に接続され、第２モードにおいて、ＬＣ回路５の他端が第２デバイス４上のスイッチ回路ＳＷを介して接地される。
【0034】
これにより、図７に破線矢示したように、第１デバイス３由来のノイズ成分の伝搬経路上において、上述した比較例の構成よりも高周波信号の高調波成分の周波数帯域が減衰し、図７に実線矢示したように、上述した比較例の構成よりも第２デバイス４上の高周波信号の出力経路への高調波成分の結合が抑制される。言い換えれば、高周波回路１aの構成では、第１デバイス３とＬＣ回路５とを結ぶ経路を伝搬する高周波信号の高調波成分が、ＬＣ回路５とＧＮＤ電位とを結ぶ経路を伝搬する高周波信号の高調波成分に比べて減衰している。これにより、歪特性の劣化を抑制することができる。
【0035】
図８は、Ｎ１ノードからＮ２ノードまでの通過特性例を示す図である。図８において、破線は、比較例の構成におけるＮ１ノードからＮ２ノードまでの通過特性を示し、実線は、実施形態の構成におけるＮ１ノードからＮ２ノードまでの通過特性を示している。
【0036】
図９は、Ｎ２ノードとＮ３ノードとのアイソレーション特性の一例を示す図である。図９において、破線は、比較例の構成におけるＮ２ノードとＮ３ノードとのアイソレーション特性を示し、実線は、実施形態の構成におけるＮ２ノードとＮ３ノードとのアイソレーション特性を示している。
【0037】
インダクタＬのインダクタンス値は、例えば、数［ｎＨ］程度（例えば、１［ｎＨ］以上）とされる。また、第１コンデンサＣ１のキャパシタンス値は、例えば、１０００［ｐＦ］程度とされる。このため、ＬＣ共振回路としての共振周波数は、高周波信号の基本波成分（例えば３［ＧＨｚ］から５［ＧＨｚ］付近）未満となり、図８に示すように、Ｎ１ノードからＮ２ノードまでの通過特性は、高周波信号の高周波成分の周波数帯域（図８に示す一定鎖線以上の帯域）においてインダクタＬのインダクタンス成分が作用し、比較例よりも抑制される。また、図９に示すように、Ｎ２ノードとＮ３ノードとのアイソレーション特性についても、高周波信号の高周波成分の各周波数帯域において比較例よりも改善することができる。なお、第２コンデンサＣ２のキャパシタンス値は、３０ｐＦ～５０ｐＦ程度（例えば３３ｐＦ）とされる。
【0038】
実施形態に係る高周波回路１は、上述したように、エンベロープトラッキング（ＥＴ）方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング（ＡＰＴ）方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅するパワーアンプ回路ＰＡと、パワーアンプ回路ＰＡの電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路を介して接地されるＬＣ回路５と、を備えている。ＬＣ回路５は、第１コンデンサＣ１と、第１コンデンサＣ１に直列接続されるインダクタＬと、を備えている。このような構成において、スイッチ回路ＳＷは、第１モードにおいてオフ制御され、第２モードにおいてオン制御される。
【0039】
この構成では、第２モードにおいてＬＣ回路５を伝搬するパワーアンプ回路ＰＡ由来のノイズ成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる。
【0040】
また、実施形態に係る高周波回路１は、パワーアンプ回路ＰＡが設けられる第１デバイス３と、スイッチ回路ＳＷが設けられる第２デバイス４と、第１デバイス３及び４第２デバイスが搭載される基板２と、を備える構成であり、第２デバイス４は、高周波信号の出力経路として、アンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷを有している。第１デバイス３は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成されるＨＢＴデバイスであり、第２デバイス４は、シリコントランジスタで構成されるシリコンデバイスである。
【0041】
この構成では、スイッチ回路ＳＷと高周波信号の出力経路であるアンテナスイッチ回路ＡＮＴＳＷとが第２デバイス４のダイ上に構成されている。このため、第１デバイス３由来のノイズ成分である高周波信号の高調波成分が第２デバイス４上の高周波信号の出力経路に結合し、歪特性が劣化する可能性がある。
【0042】
実施形態に係る高周波回路１では、第１コンデンサＣ１とインダクタＬとが直列接続されたＬＣ回路５の一端が電源電圧の供給経路に接続され、第２モードにおいて他端が第２デバイス４に設けられたスイッチ回路ＳＷを介して接地される。インダクタＬは、例えば基板２に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタであっても良いし、ＳＭＤで構成される態様であっても良い。これにより、第１デバイス３由来のノイズ成分の伝搬経路上において、高周波信号の高調波成分の周波数帯域が減衰し、第２デバイス４上の高周波信号の出力経路への高調波成分の結合が抑制される。これにより、歪特性の劣化を抑制することができる。
【0043】
なお、上記した実施形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。
【0044】
本開示は、上述したように、あるいは、上述に代えて、以下の構成をとることができる。
【0045】
（１）本開示の一側面の高周波回路は、エンベロープトラッキング方式により電力増幅を行う第１モードと、平均電力トラッキング方式により電力増幅を行う第２モードと、を切り替えて高周波信号を増幅する増幅回路と、前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端がスイッチ回路を介して接地されるＬＣ回路と、を備え、前記ＬＣ回路は、第１コンデンサと、前記第１コンデンサに直列接続されるインダクタと、を備え、前記スイッチ回路は、前記第１モードにおいてオフ制御され、前記第２モードにおいてオン制御される。
【0046】
（２）上記（１）の高周波回路において、前記増幅回路の電源供給経路に一端が接続され、他端が接地された第２コンデンサをさらに備える。
【0047】
（３）上記（１）又は（２）の高周波回路において、前記増幅回路が設けられる第１デバイスと、前記スイッチ回路が設けられる第２デバイスと、前記第１デバイス及び前記第２デバイスが搭載される基板と、を備え、前記第２デバイスは、前記増幅回路により増幅された高周波信号の出力経路を有する。
【0048】
（４）上記（３）の高周波回路において、前記第１デバイスは、ヘテロ接合バイポーラトランジスタで構成されるＨＢＴデバイスであり、前記第２デバイスは、シリコントランジスタで構成されるＦＥＴデバイスである。
【0049】
（５）上記（３）又は（４）の高周波回路において、前記インダクタは、前記基板に設けられる導体で構成されるスパイラルインダクタである。
【0050】
（６）上記（３）又は（４）の高周波回路において、前記インダクタは、前記基板上に設けられる表面実装部品である。
【0051】
本開示により、増幅回路で発生する高調波成分が出力信号経路に結合することによる歪特性の劣化を抑制することができる高周波回路を実現することができる。
【符号の説明】
【0052】
１，１ａ 高周波回路（フロントエンドモジュール）
２ 基板
３ 第１デバイス（ＨＢＴデバイス）
４ 第２デバイス（シリコンデバイス）
ＡＮＴ アンテナ端子
ＡＮＴＳＷ アンテナスイッチ回路
Ｃ１ 第１コンデンサ
Ｃ２ 第２コンデンサ
ＭＮ 整合回路
Ｌ インダクタ
ＰＡ パワーアンプ回路
ＳＷ スイッチ回路
ＴＸ 入力端子
Ｖｃｃ 電源端子
２ 基板
３ 第１デバイス（ＨＢＴデバイス）
４ 第２デバイス（シリコンデバイス）
ＡＮＴ アンテナ端子
ＡＮＴＳＷ アンテナスイッチ回路
Ｃ１ 第１コンデンサ
Ｃ２ 第２コンデンサ
ＭＮ 整合回路
Ｌ インダクタ
ＰＡ パワーアンプ回路
ＳＷ スイッチ回路
ＴＸ 入力端子
Ｖｃｃ 電源端子
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】