特開 2024-52009 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024052009

(43)【公開日】2024-04-11

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/04 20060101AFI20240404BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240404BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240404BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240404BHJP

   H05B 33/22 20060101ALI20240404BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20240404BHJP

   H05B 33/28 20060101ALI20240404BHJP

   H05B 33/06 20060101ALI20240404BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240404BHJP

【ＦＩ】

H05B33/04

H01L27/32

H05B33/14 A

H05B33/12 B

H05B33/22 Z

H05B33/26 Z

H05B33/28

H05B33/06

G09F9/30 365

G09F9/30 338

G09F9/30 309

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022158436

(22)【出願日】2022-09-30

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】羽成 淳

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC23

3K107DD23

3K107DD27

3K107DD38

3K107DD89

3K107DD92

3K107DD93

3K107EE42

3K107EE48

3K107EE49

3K107EE50

3K107EE55

3K107FF15

5C094AA38

5C094BA27

5C094DA07

5C094DB01

5C094EA04

(57)【要約】

【課題】 水分に対する耐性を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、画素を含む表示領域において前記第１基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆う上電極と、無機材料で形成され、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁とを連続的に覆う第１封止層と、前記第１封止層を覆う樹脂層と、無機材料で形成され、前記樹脂層を覆う第２封止層と、前記第２封止層に対向する第２基板と、前記第２封止層と前記第２基板を接着する接着層と、を備えている。
【選択図】 図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と、
画素を含む表示領域において前記第１基板の上方に配置された下電極と、
前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、
前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆う上電極と、
無機材料で形成され、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁とを連続的に覆う第１封止層と、
前記第１封止層を覆う樹脂層と、
無機材料で形成され、前記樹脂層を覆う第２封止層と、
前記第２封止層に対向する第２基板と、
前記第２封止層と前記第２基板を接着する接着層と、
を備える表示装置。

【請求項2】

前記薄膜および前記第１封止層の端部は、前記隔壁の上に位置し、前記樹脂層により覆われている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記樹脂層の厚さは、前記隔壁の高さの５倍以下である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記樹脂層の端部は、前記表示領域の周囲の周辺領域に位置し、前記第２封止層によって覆われている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記表示領域の周囲の周辺領域に配置され、前記隔壁と接続されるとともに前記薄膜で覆われた導電層をさらに備え、
前記隔壁および前記導電層の各々は、導電性を有する下部と、前記下部の側面から突出した上部と、を有している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記薄膜は、前記導電層の端部により分断されている、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記表示領域の周囲の周辺領域に配置され、前記第１基板の厚さ方向において前記第１基板と前記第２封止層の間に位置する導電性のパッドをさらに備え、
前記第２封止層は、前記パッドと重なる開口を有している、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記パッドは、前記接着層から露出している、
請求項７に記載の表示装置。

【請求項9】

前記表示領域の周囲の周辺領域に配置された複数の凸部を含むダム構造をさらに備え、
前記第２封止層は、前記ダム構造の少なくとも一部を覆っている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第２封止層のうち前記ダム構造を覆う部分は、前記接着層により覆われている、
請求項９に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

一般に、有機層は水分への耐性が低い。何らかの原因で有機層に水分が到達すると、発光時における表示素子の輝度低下など、表示品位の低下を招く一因となり得る。また、表示領域の周囲の周辺領域に配置された駆動回路に水分が浸入すると、駆動回路を構成する要素が劣化し、表示装置の動作に不具合が生じ得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、水分に対する耐性を高めた表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、画素を含む表示領域において前記第１基板の上方に配置された下電極と、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、前記表示領域において前記リブの上に配置された隔壁と、前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、前記有機層を覆う上電極と、無機材料で形成され、前記有機層および前記上電極を含む薄膜と前記隔壁とを連続的に覆う第１封止層と、前記第１封止層を覆う樹脂層と、無機材料で形成され、前記樹脂層を覆う第２封止層と、前記第２封止層に対向する第２基板と、前記第２封止層と前記第２基板を接着する接着層と、を備えている。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁とその近傍を拡大した概略的な断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る表示装置の他の要素を示す概略的な平面図である。

【図7】図７は、図５において鎖線枠VIIで囲った領域の拡大図である。

【図8】図８は、図７におけるXIII－XIII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図9】図９は、図８に示した導電層の端部近傍の概略的な断面図である。

【図10】図１０は、図６におけるX－X線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図11】図１１は、第１変形例に係る画素の概略的な平面図である。

【図12】図１２は、第２変形例に係る画素の概略的な平面図である。

【図13】図１３は、第３変形例に係る画素の概略的な平面図である。

【図14】図１４は、第４変形例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図15】図１５は、第２実施形態に係る表示装置の概略的な平面図である。

【図16】図１６は、図１５において鎖線枠XVIで囲った領域の拡大図である。

【図17】図１７は、図１６におけるXVII－XVII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図18】図１８は、図１５におけるXVIII－XVIII線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面と平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の第１基板１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。第１基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における第１基板１０の形状が長方形である。ただし、第１基板１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0016】

表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子ＤＥを備えている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0018】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並んでいる。さらに、副画素ＳＰ１，ＳＰ２がそれぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

【0019】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。

【0020】

表示領域ＤＡには、リブ５および隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ１よりも大きく、画素開口ＡＰ３が画素開口ＡＰ２よりも大きい。

【0021】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

【0022】

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0023】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0024】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。

【0025】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１の画素回路１（図１参照）に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２の画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３の画素回路１に接続されている。

【0026】

図２の例において、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0027】

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の第１基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。

【0028】

回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３の断面には表れていないが、上述のコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３は有機絶縁層１２に設けられている。

【0029】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0030】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0031】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0032】

図３の例においては、有機層ＯＲ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、有機層ＯＲ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、有機層ＯＲ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の光学特性を調整する。

【0033】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0034】

薄膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0035】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３がそれぞれ配置されている。第１封止層ＳＥ１１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0036】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１および第１封止層ＳＥ１１が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と離間している。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ２および第１封止層ＳＥ１２が、当該隔壁６上の薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と離間している。

【0037】

第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、樹脂層ＲＳにより覆われている。樹脂層ＲＳは、第２封止層ＳＥ２により覆われている。樹脂層ＲＳおよび第２封止層ＳＥ２は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0038】

表示装置ＤＳＰは、第２封止層ＳＥ２に対向する第２基板２０をさらに備えている。第２基板２０と第２封止層ＳＥ２は、透明な接着層２１により接着されている。接着層２１としては、例えばＯＣＡ（ＯｐｔｉｃａｌＣｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）を用いることができる。

【0039】

例えば、第２基板２０は、偏光板などの光学素子、保護フィルム、カバーガラスまたはタッチパネルである。第２基板２０は、光学素子、保護フィルム、カバーガラスおよびタッチパネルなどの機能が異なる２種類以上の要素を接着層で貼り合わせた積層体であってもよい。

【0040】

有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３および第２封止層ＳＥ２は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３および第２封止層ＳＥ２は、異なる種類の無機絶縁材料の積層体であってもよい。樹脂層ＲＳは、例えばアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。

【0041】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＧａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0042】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0043】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0044】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば、透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

【0045】

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。

【0046】

隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。また、上部６２は、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３とは異なる無機絶縁材料の単層構造を有してもよい。

【0047】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0048】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0049】

図４は、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の境界に配置された隔壁６とその近傍を拡大した概略的な断面図である。この図においては、第１基板１０、回路層１１、第２基板２０および接着層２１を省略している。

【0050】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１１とともにパターニングされている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１の端部ＦＬ１ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１１の端部ＳＥ１１ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ１ａは、第１封止層ＳＥ１１によって覆われていない。

【0051】

同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成され、第１封止層ＳＥ１３とともにパターニングされている。有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３の端部ＦＬ３ａは、上部６２の上に位置している。第１封止層ＳＥ１３の端部ＳＥ１３ａも上部６２の上に位置している。端部ＦＬ３ａは、第１封止層ＳＥ１３によって覆われていない。

【0052】

端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａは、隙間を介して離間している。端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａは、隙間を介して離間している。樹脂層ＲＳは、表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられており、端部ＦＬ１ａ，ＦＬ３ａ，ＳＥ１１ａ，ＳＥ１３ａを覆っている。さらに、樹脂層ＲＳは、端部ＦＬ１ａと端部ＦＬ３ａの間の隙間、および、端部ＳＥ１１ａと端部ＳＥ１３ａの間の隙間を満たし、上部６２に接触している。

【0053】

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６とその近傍の構成や、副画素ＳＰ２，ＳＰ３の間の隔壁６とその近傍の構成は、図４の例と同様である。

【0054】

樹脂層ＲＳは、隔壁６、薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３によって生じる凹凸を平坦化する。樹脂層ＲＳの厚さＴは、隔壁６の高さＨよりも大きい（Ｔ＞Ｈ）。平坦化の観点からは、厚さＴが高さＨの２倍以上であることが好ましい。一方で、表示装置ＤＳＰの薄型化の観点からは、厚さＴが高さＨの５倍以下であることが好ましく、３倍以下であると一層好適である。一例では、高さＨが１μｍであり、厚さＴが２～３μｍである。

【0055】

続いて、周辺領域ＳＡに適用し得る構造につき説明する。
図５は、表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置される要素として、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔを備えている。第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴは、それぞれ画素回路１に信号を供給する駆動回路の一例であり、図３に示した回路層１１に含まれる。

【0056】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１および第２ゲート駆動回路ＧＤ２は、図１に示した走査線ＧＬに走査信号を供給する。端子部Ｔには、例えばフレキシブル回路基板が接続される。セレクタ回路ＳＴは、このフレキシブル回路基板から入力される映像信号を図１に示した信号線ＳＬに供給する。

【0057】

第１基板１０は、端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを有している。端部１０ａ，１０ｂは、第２方向Ｙと平行に延びている。端部１０ｃ，１０ｄは、第１方向Ｘと平行に延びている。

【0058】

図５の例においては、第１ゲート駆動回路ＧＤ１が表示領域ＤＡと端部１０ａの間に配置され、第２ゲート駆動回路ＧＤ２が表示領域ＤＡと端部１０ｂの間に配置され、セレクタ回路ＳＴおよび端子部Ｔが表示領域ＤＡと端部１０ｃの間に配置されている。

【0059】

さらに、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置された導電層ＣＬ（ドット模様を付した部分）を備えている。図５の例においては、導電層ＣＬが表示領域ＤＡを囲っている。

【0060】

導電層ＣＬは、表示領域ＤＡに配置された隔壁６と接続されている。導電層ＣＬは、第１ゲート駆動回路ＧＤ１、第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴと平面視において重なっている。

【0061】

導電層ＣＬは、必ずしも表示領域ＤＡを囲う形状を有する必要はない。例えば、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間や、表示領域ＤＡと端部１０ｄの間に導電層ＣＬが配置されていなくてもよい。

【0062】

周辺領域ＳＡには、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１が配置されている。有機層ＯＲｓは、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。上電極ＵＥｓは、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。キャップ層ＣＰｓは、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。第１封止層ＳＥ１は、封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のいずれかと同じ材料で同じプロセスにより形成されている。一例では、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓおよび第１封止層ＳＥ１は、それぞれ有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および第１封止層ＳＥ１３と同じ材料で同じプロセスにより形成されている。

【0063】

以下の説明においては、有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓを含む積層体を薄膜ＦＬと呼ぶ。薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１は、平面視において導電層ＣＬと重なっている。

【0064】

図６は、周辺領域ＳＡに配置される他の要素を示す概略的な平面図である。周辺領域ＳＡには、給電線ＰＷ（斜線模様を付した部分）および中継配線ＲＬ（ドット模様を付した部分）が配置されている。

【0065】

図６の例において、中継配線ＲＬは、表示領域ＤＡを囲っている。給電線ＰＷは、表示領域ＤＡと端部１０ａ，１０ｂ，１０ｄの間に延在しているが、表示領域ＤＡと端部１０ｃの間には配置されていない。他の例として、給電線ＰＷは、表示領域ＤＡを囲ってもよい。

【0066】

給電線ＰＷおよび中継配線ＲＬは、部分的に重なっている。給電線ＰＷは、端子部Ｔと電気的に接続されている。給電線ＰＷには、端子部Ｔを通じて共通電圧が供給される。さらに、給電線ＰＷの共通電圧は、中継配線ＲＬに供給される。

【0067】

図７は、図５において鎖線枠VIIで囲った領域の拡大図である。図８は、図７におけるXIII－XIII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図７においてドット模様を付した領域が導電層ＣＬおよび隔壁６（第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙ）に相当する。導電層ＣＬおよび隔壁６は、同じ材料で同じ製造プロセスにより一体的に形成されている。

【0068】

図８の例において、回路層１１は、無機絶縁層３１，３２，３３と、有機絶縁層３４と、金属層４１，４２，４３とを備えている。無機絶縁層３１は、第１基板１０を覆っている。金属層４１は、無機絶縁層３１の上に配置され、無機絶縁層３２により覆われている。金属層４２は、無機絶縁層３２の上に配置され、無機絶縁層３３により覆われている。有機絶縁層３４は、無機絶縁層３３の上に配置されている。金属層４３は、有機絶縁層３４の上に配置され、有機絶縁層１２により覆われている。

【0069】

無機絶縁層３１，３２，３３は、例えばシリコン窒化物およびシリコン酸化物などの無機材料で形成されている。金属層４１，４２，４３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、モリブデンタングステン合金（ＭｏＷ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）などの金属材料の単層構造または積層構造を有している。

【0070】

第１ゲート駆動回路ＧＤ１は、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。図５に示した第２ゲート駆動回路ＧＤ２およびセレクタ回路ＳＴや、図１に示した画素回路１も同様に、金属層４１，４２，４３や半導体層によって形成されている。また、図１に示した走査線ＧＬは金属層４１によって形成され、図１に示した信号線ＳＬは金属層４２によって形成されている。

【0071】

回路層１１の構成は、図８に例示するものに限られない。例えば、回路層１１は、より多くの無機絶縁層と金属層を備えてもよい。また、回路層１１は、有機絶縁層３４を備えなくてもよい。

【0072】

導電層ＣＬは、周辺領域ＳＡにおいてリブ５を覆っている。導電層ＣＬは、図３および図４に示した隔壁６と同じく下部６１および上部６２を含む。

【0073】

中継配線ＲＬは、大部分が有機絶縁層１２の上に配置され、リブ５によって覆われている。例えば、中継配線ＲＬは、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と同じ材料で同じ製造プロセスにより形成されている。

【0074】

中継配線ＲＬは、第１コンタクト部ＣＮ１において給電線ＰＷに接続され、第２コンタクト部ＣＮ２において導電層ＣＬに接続されている。これにより、導電層ＣＬには、中継配線ＲＬを介して給電線ＰＷの共通電圧が供給される。さらに、導電層ＣＬの共通電圧は表示領域ＤＡの隔壁６および上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に供給される。

【0075】

第１コンタクト部ＣＮ１においては、中継配線ＲＬが給電線ＰＷに接触している。第１コンタクト部ＣＮ１は、例えば図６の平面図において給電線ＰＷと中継配線ＲＬが重なった領域に相当する。図８の例においては、給電線ＰＷが金属層４３により構成されている。給電線ＰＷは、金属層４１または金属層４２により構成されてもよいし、金属層４１，４２，４３のうちの２つ以上により構成されてもよい。

【0076】

図８に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２においては、リブ５に開口が形成されている。導電層ＣＬは、当該開口を通じて中継配線ＲＬに接触している。リブ５の開口は、図７に示す第２コンタクト部ＣＮ２の全域に及んでもよい。また、第２コンタクト部ＣＮ２においてリブ５に複数の開口が分散して設けられてもよい。

【0077】

図７に示すように、第２コンタクト部ＣＮ２は、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と表示領域ＤＡの間に位置している。導電層ＣＬの端部ＣＬａは、平面視において第１コンタクト部ＣＮ１と第２コンタクト部ＣＮ２の間に位置している。

【0078】

図７においては、薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１が配置される領域を鎖線で示している。また、図８においては薄膜ＦＬを１つの層で表している。実際には、薄膜ＦＬにおいて、上電極ＵＥｓが有機層ＯＲｓを覆い、キャップ層ＣＰｓが上電極ＵＥｓを覆っている。第１封止層ＳＥ１は、薄膜ＦＬを覆っている。

【0079】

図８に示すように、薄膜ＦＬは、導電層ＣＬを覆っている。図７に示すように、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａの平面視における位置は、略一致している。端部ＦＬａ，ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａと第１コンタクト部ＣＮ１の間に位置している。

【0080】

図８に示すように、周辺領域ＳＡにも樹脂層ＲＳおよび第２封止層ＳＥ２が形成されている。例えば、樹脂層ＲＳの端部ＲＳａは、薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａよりも表示領域ＤＡ側に位置している。図８の例においては、端部ＲＳａが導電層ＣＬの端部ＣＬａの近傍に位置しているが、この例に限られない。

【0081】

第２封止層ＳＥ２は、樹脂層ＲＳを全体的に覆っている。第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａは、第１コンタクト部ＣＮ１と第１基板１０の端部１０ａの間に位置している。第２封止層ＳＥ２は、周辺領域ＳＡにおいて第１封止層ＳＥ１、リブ５および無機絶縁層３３などに接触している。樹脂層ＲＳの端部ＲＳａは、第１封止層ＳＥ１および第２封止層ＳＥ２により覆われている。

【0082】

第１基板１０は、第２基板２０と対向しない露出領域ＥＡを端部１０ａの近傍に有している。露出領域ＥＡは、接着層２１により覆われていない。図８の例においては、第２封止層ＳＥ２が露出領域ＥＡに及んでいない。第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａは、接着層２１により覆われている。

【0083】

図９は、導電層ＣＬの端部ＣＬａ近傍の概略的な断面図である。導電層ＣＬは、図４に示した隔壁６と同様に、下部６１および上部６２を有している。端部ＣＬａにおいて、上部６２は、下部６１の側面よりも突出している。すなわち、端部ＣＬａにおける導電層ＣＬの形状は、隔壁６と同じくオーバーハング状である。

【0084】

このような形状の導電層ＣＬの上に薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓおよびキャップ層ＣＰｓ）を形成すると、図９に示すように、端部ＣＬａにおいて薄膜ＦＬが分断される。第１封止層ＳＥ１は、導電層ＣＬの上下にそれぞれ位置する薄膜ＦＬを覆うとともに、下部６１の側面も覆っている。

【0085】

なお、図７および図８においては表示領域ＤＡと第１基板１０の端部１０ａの間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと端部１０ｂの間および表示領域ＤＡと端部１０ｄの間にも同様の構造を適用できる。

【0086】

図１０は、図６におけるX－X線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。端子部Ｔは、パッドＰＤを備えている。パッドＰＤは、例えば金属層４３によって形成されている。

【0087】

パッドＰＤの縁は、有機絶縁層１２および第２封止層ＳＥ２によって覆われている。すなわち、パッドＰＤは、第３方向Ｚにおいて第１基板１０と第２封止層ＳＥ２の間に位置している。パッドＰＤは、有機絶縁層１２および第２封止層ＳＥ２を貫通する開口ＡＰｔを通じて有機絶縁層１２および第２封止層ＳＥ２から露出している。

【0088】

このような構成のパッドＰＤは、端子部Ｔにおいて、第１方向Ｘに沿って複数並んでいる。例えば、これら複数のパッドＰＤは、セレクタ回路ＳＴに映像信号を供給するための配線、給電線ＰＷに共通電圧を供給するための配線、電源線ＰＬに電源電圧を供給するための配線などに接続されている。

【0089】

端子部Ｔは、露出領域ＥＡに設けられている。すなわち、パッドＰＤは、接着層２１から露出している。パッドＰＤは、例えば導電性の接着剤を介してフレキシブル回路基板に接続される。

【0090】

表示装置ＤＳＰの製造にあたっては、先ず第１基板１０の上に画素回路１、ゲート駆動回路ＧＤ１，ＧＤ２、セレクタ回路ＳＴ、給電線ＰＷおよび端子部Ｔを含む回路層１１が形成される。回路層１１の形成の後、有機絶縁層１２が回路層１１の上に形成される。

【0091】

その後、図３に示した下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および図８に示した中継配線ＲＬが形成され、これらの上にリブ５が形成される。さらに、隔壁６および導電層ＣＬが形成される。

【0092】

次に、副画素ＳＰ１に有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む薄膜ＦＬ１と第１封止層ＳＥ１１が形成され、副画素ＳＰ２に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む薄膜ＦＬ２と第１封止層ＳＥ１２が形成され、副画素ＳＰ３に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む薄膜ＦＬ３と第１封止層ＳＥ１３が形成される。薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３の形成順は特に限定されないが、一例では薄膜ＦＬ３が最初に形成され、薄膜ＦＬ２が次に形成され、薄膜ＦＬ１が最後に形成される。

【0093】

薄膜ＦＬ，ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を構成する各層（有機層、上電極およびキャップ層）は、例えば蒸着によって形成される。第１封止層ＳＥ１，ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、例えばＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。

【0094】

図８乃至図１０に示す薄膜ＦＬ（有機層ＯＲｓ、上電極ＵＥｓ、キャップ層ＣＰｓ）および第１封止層ＳＥ１は、例えば薄膜ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１３と同じ材料で同じプロセスにより形成することができる。薄膜ＦＬ，ＦＬ３および第１封止層ＳＥ１，ＳＥ１３は、同一のフォトリソグラフィ工程によりパターニングされる。そのため、図８および図１０に示すように薄膜ＦＬの端部ＦＬａと第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａとが揃う。

【0095】

薄膜ＦＬおよび第１封止層ＳＥ１の形成の後、樹脂層ＲＳが形成される。樹脂層ＲＳは、例えば印刷法により形成されるが、インクジェットなどの他の方法で形成されてもよい。周囲への拡がりを抑制する観点からは、硬化前の樹脂層ＲＳの粘度を高めることが好ましい。このような高粘度の樹脂層ＲＳの形成には、印刷法が適している。

【0096】

樹脂層ＲＳの形成の後、第２封止層ＳＥ２が形成される。第２封止層ＳＥ２は、先ず第１基板１０の全体に形成され、フォトリソグラフィ工程によってパターニングされる。このフォトリソグラフィ工程により、開口ＡＰｔが形成される。その後、接着層２１により第２基板２０が貼り合わされ、端子部Ｔにフレキシブル回路基板が接続される。

【0097】

以上の本実施形態においては、表示領域ＤＡに配置された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３がそれぞれ隔壁６と第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３によって個別に封止されている。さらに、樹脂層ＲＳが第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３を覆い、第２封止層ＳＥ２が樹脂層ＲＳを覆っている。このような構成であれば、薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３への水分の浸入、さらにはその上の樹脂層ＲＳへの水分の浸入が好適に抑制され、水分への耐性に優れた表示装置ＤＳＰを得ることができる。

【0098】

しかも、本実施形態においては、第２封止層ＳＥ２と第２基板２０が接着層２１によって接着されている。有機ＥＬ表示素子の封止構造としては、複数の樹脂層と複数の無機絶縁層にて表示素子を覆う構造も採用し得るが、この場合には表示装置ＤＳＰの厚さが増す。これに対し、本実施形態の構造であれば、水分への耐性を高めつつも、表示装置ＤＳＰの厚さを低減することができる。

【0099】

第２封止層ＳＥ２は、表示領域ＤＡの全体に形成されるとともに、周辺領域ＳＡにおいても大部分に形成されている。このように無機材料で形成された第２封止層ＳＥ２が接着層２１と接触することにより、第１基板１０と第２基板２０を良好に接着することができる。

【0100】

本実施形態においては、周辺領域ＳＡに配置された薄膜ＦＬの端部ＦＬａが第２封止層ＳＥ２により覆われている。これにより、薄膜ＦＬを通じた周辺回路への水分浸入を抑制することができる。

【0101】

さらに、本実施形態においては、図９に示したように、薄膜ＦＬが導電層ＣＬの端部ＣＬａによって分断されている。これにより、薄膜ＦＬを通じた水分浸入がより確実に抑制される。

【0102】

本実施形態にて開示した構成は、種々の態様に変形し得る。以下に、いくつかの変形例を開示する。
図１１は、第１変形例に係る画素ＰＸの概略的な平面図である。この例においては、画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。このような画素ＰＸがマトリクス状に配列される場合、表示領域ＤＡには、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ１を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ２を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ３を含む列とが形成される。

【0103】

図１２は、第２変形例に係る画素ＰＸの概略的な平面図である。この例において、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に加えて白色の副画素ＳＰ４を含む。副画素ＳＰ４は、白色光を放つ表示素子ＤＥ４を有している。

【0104】

図１２においては、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ４が第１方向Ｘに並び、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいる。また、副画素ＳＰ１と副画素ＳＰ２が第２方向Ｙに並び、副画素ＳＰ３と副画素ＳＰ４が第２方向Ｙに並んでいる。

【0105】

図１３は、第３変形例に係る画素ＰＸの概略的な平面図である。この例において、画素ＰＸは、第２変形例と同じく副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４を含む。ただし、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４は第１方向Ｘに並んでいる。このような画素ＰＸがマトリクス状に配列される場合、表示領域ＤＡには、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ１を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ２を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ３を含む列と、第２方向Ｙに連続する複数の副画素ＳＰ４を含む列とが形成される。

【0106】

図１４は、第４変形例に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この例においては、第２封止層ＳＥ２が第１基板１０の全体に形成されている。すなわち、第２封止層ＳＥ２の端部ＳＥ２ａと第１基板１０の端部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄとが平面視において一致する。

【0107】

以上の第１乃至第４変形例に係る構成は、適宜に組み合わせることができる。また、これら第１乃至第４変形例に係る構成は、後述する第２実施形態に対しても適用することが可能である。

【0108】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成は第１実施形態と同様である。
図１５は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、周辺領域ＳＡに配置されたダム構造ＤＳをさらに備えている。図１５の例においては、ダム構造ＤＳが表示領域ＤＡおよび導電層ＣＬを囲っている。例えば、ダム構造ＤＳは、樹脂層ＲＳを堰き止める役割を担う。

【0109】

図１６は、図１５において鎖線枠XVIで囲った領域の拡大図である。図１７は、図１６におけるXVII－XVII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。図１８は、図１５におけるXVIII－XVIII線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。

【0110】

図１６に示すように、ダム構造ＤＳは、凸部Ｒ１，Ｒ２を有している。例えば、凸部Ｒ１，Ｒ２は、図１５に示したダム構造ＤＳの平面形状に沿って形成された枠状である。すなわち、凸部Ｒ１は表示領域ＤＡを囲い、凸部Ｒ２は凸部Ｒ１を囲う。なお、ダム構造ＤＳが有する凸部の数は２つに限定されず、１つまたは３つ以上であってもよい。

【0111】

凸部Ｒ１，Ｒ２は、第１コンタクト部ＣＮ１と第１基板１０の端部１０ａの間に位置している。薄膜ＦＬの端部ＦＬａおよび第１封止層ＳＥ１の端部ＳＥ１ａは、導電層ＣＬの端部ＣＬａと凸部Ｒ１の間に位置している。

【0112】

図１７の例において、凸部Ｒ１は、有機絶縁層３４で形成された部分と、有機絶縁層１２で形成された部分とを含む。有機絶縁層１２で形成された部分は、有機絶縁層３４で形成された部分を覆っている。凸部Ｒ２も凸部Ｒ１と同様に構成されている。このように、２つの有機絶縁層で凸部Ｒ１，Ｒ２を形成することにより、１つの有機絶縁層で形成する場合に比べて凸部Ｒ１，Ｒ２の高さを増すことができる。

【0113】

図１７の例において、給電線ＰＷは、金属層４２によって形成された第１部分Ｐ１と、金属層４３によって形成された第２部分Ｐ２とを有している。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１に接触している。

【0114】

第１部分Ｐ１は、凸部Ｒ１の有機絶縁層３４の下方に位置している。第２部分Ｐ２は、凸部Ｒ１の有機絶縁層３４の上に位置し、有機絶縁層１２によって覆われている。すなわち、第３方向Ｚ（第１基板１０の厚さ方向、あるいは第１基板１０の法線方向）において、凸部Ｒ１の有機絶縁層３４は、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２の間に位置している。第１コンタクト部ＣＮ１は、凸部Ｒ１の近傍に設けられている。第１コンタクト部ＣＮ１においては、中継配線ＲＬが給電線ＰＷの第２部分Ｐ２に接触している。

【0115】

第２封止層ＳＥ２は、ダム構造ＤＳの少なくとも一部を覆っている。具体的には、図１７の例においては、第２封止層ＳＥ２が凸部Ｒ１，Ｒ２を覆っている。第２封止層ＳＥ２のうち凸部Ｒ１，Ｒ２を覆う部分は、接着層２１により覆われている。第２封止層ＳＥ２は、凸部Ｒ１，Ｒ２の有機絶縁層１２、給電線ＰＷの第２部分Ｐ２のうち凸部Ｒ１，Ｒ２の間に位置する部分、および、無機絶縁層３３のうち凸部Ｒ２と第１基板１０の端部１０ａとの間に位置する部分と接触している。

【0116】

なお、図１７においては表示領域ＤＡと第１基板１０の端部１０ａとの間の構造に着目したが、表示領域ＤＡと端部１０ｂの間および表示領域ＤＡと端部１０ｄの間にも同様の構造を適用できる。

【0117】

図１８に示すように、凸部Ｒ１，Ｒ２は、パッドＰＤよりも表示装置ＤＳＰ側に配置されている。図１８の断面において、第２封止層ＳＥ２のうち凸部Ｒ１を覆う部分は、接着層２１により覆われている。一方で、第２封止層ＳＥ２のうち凸部Ｒ２を覆う部分は、接着層２１により覆われていない。また、図１８の断面においては、凸部Ｒ２が有機絶縁層３４を含んでいない。他の例として、図１７の断面と同様に凸部Ｒ２が有機絶縁層３４を含んでもよい。

【0118】

本実施形態においては、周辺領域ＳＡにダム構造ＤＳが配置されている。このダム構造ＤＳにより硬化前の樹脂層ＲＳが堰き止められるため、樹脂層ＲＳの端部ＲＳａの位置を精度良く制御することが可能となる。

【0119】

表示装置ＤＳＰがダム構造ＤＳを有する場合、低粘度の樹脂層ＲＳを用いてもよい。この場合において、樹脂層ＲＳは、インクジェット方式で形成することができる。

【0120】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0121】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0122】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0123】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３，ＵＥｓ…上電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３，ＯＲｓ…有機層、ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰｓ…キャップ層、ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３，ＳＥ１…第１封止層、ＳＥ２…第２封止層、ＲＳ…樹脂層、ＣＬ…導電層、ＰＷ…給電線、ＲＬ…中継配線、ＤＳ…ダム構造、Ｒ１，Ｒ２…凸部、ＣＮ１…第１コンタクト部、ＣＮ２…第２コンタクト部、１…画素回路、５…リブ、６…隔壁、１０…第１基板、２０…第２基板、２１…接着層、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】