知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024052110
(43)【公開日】2024-04-11
(54)【発明の名称】半導体加工用粘着テープ
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20240404BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022158592
(22)【出願日】2022-09-30
(71)【出願人】
【識別番号】000002897
【氏名又は名称】大日本印刷株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100101203
【弁理士】
【氏名又は名称】山下 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100104499
【弁理士】
【氏名又は名称】岸本 達人
(72)【発明者】
【氏名】村上 由夏
(72)【発明者】
【氏名】内田 寛明
(72)【発明者】
【氏名】降旗 渉
【テーマコード（参考）】
5F063
【Ｆターム（参考）】
5F063AA05
5F063AA18
5F063AA33
5F063DD69
5F063DD85
5F063EE02
5F063EE04
5F063EE07
5F063EE08
5F063EE22
5F063EE25
5F063EE27
5F063EE43
5F063EE44
(57)【要約】 （修正有）
【課題】柔軟性に優れ、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材１と、基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層２と、を有する半導体加工用粘着テープ１０であって、半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である。
【選択図】図１
【解決手段】基材１と、基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層２と、を有する半導体加工用粘着テープ１０であって、半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、
４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、
エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、
エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、
エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、
エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体加工用粘着テープに関する。
【背景技術】
【0002】
半導体の製造工程では、ウェハをチップに切断（ダイシング）するダイシング工程において、ウェハおよびチップを保護および固定するために、ダイシングテープと呼ばれる半導体加工用粘着テープが用いられている。
【0003】
半導体加工用粘着テープには、加工工程中はウェハやチップを十分な粘着力で固定できるとともに、加工工程後はチップを破損することなく容易に剥離できることが求められる。
【0004】
このような半導体加工用粘着テープとしては、加工工程中は所定の粘着力を有し、加工工程後には粘着力が低下し得る粘着テープが知られている。
【0005】
例えば特許文献１および特許文献２には、エネルギー線硬化型の粘着テープが開示されている。エネルギー線硬化型の粘着テープは、エネルギー線の照射により粘着層を硬化させることで粘着力を低下させることができるが、エネルギー線照射前の加工工程中はウェハやチップを強固に固定できる粘着テープである。
【0006】
また、例えば特許文献３には、ガス発生層を有する粘着テープが開示されている。ガス発生層を有する粘着テープにおいては、レーザー光照射により微小な範囲で部分的にガスを発生させ、このガス発生に起因して粘着剤層が変形することによって、レーザー光が照射された部分において剥離性が発現する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特許第６３０１９８７号
【特許文献2】国際公開第２０１９／１５５９７０号
【特許文献3】特許第６８９０２１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
エネルギー線硬化型の半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法では、例えば、リングフレームに半導体加工用粘着テープが貼付され、その半導体加工用粘着テープ上にウェハが固定される。次に、ウェハをチップに切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。その後、半導体加工用粘着テープを引き伸ばして、チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、半導体加工用粘着テープのエネルギー線硬化性の粘着層にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、チップを半導体加工用粘着テープから剥離して、チップをピックアップするピックアップ工程を行う。
【0009】
近年、被着体であるウェハや基板の薄層化に伴い、半導体加工用粘着テープには、小さな負荷でエキスパンドできるように高い柔軟性が求められている。しかし、半導体加工用粘着テープの柔軟性を高くすると、エキスパンド工程およびピックアップ工程において、半導体加工用粘着テープが破れることがあるという問題がある。そのため、柔軟性が高く、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープが求められている。
【0010】
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、柔軟性に優れ、かつ、破れにくい半導体加工用粘着テープを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本開示の一実施形態は、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープを提供する。
【発明の効果】
【0012】
本開示における半導体加工用粘着テープは、柔軟性に優れ、かつ、破れにくいという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
下記に、図面等を参照しながら本開示の実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【0015】
本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。また、本明細書において、ある部材の面に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「面に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含む。
【0016】
本開示の半導体加工用粘着テープについて詳細に説明する。
【0017】
本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と、上記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である。
【0018】
図１は、本開示の半導体加工用粘着テープを例示する概略断面図である。図１における半導体加工用粘着テープ１０は、基材１と、基材１の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層２とを有している。半導体加工用粘着テープ１０においては、４０％伸長時の引張強度が、所定の値以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、所定の値以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、所定の値以下である。
【0019】
図２（ａ）～（ｅ）は、半導体加工用粘着テープを用いた半導体の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図２（ａ）に示すように、リングフレーム２１に半導体加工用粘着テープ１０を貼り付けて、ウェハ１１を半導体加工用粘着テープ１０に貼り付ける。次に、図２（ｂ）に示すように、ウェハ１１をチップ１２に切断（ダイシング）するダイシング工程を行う。次に、図２（ｃ）に示すように、半導体加工用粘着テープ１０を引き伸ばして、チップ１２同士の間隔を広げるエキスパンド工程を行う。次に、図示しないが、半導体加工用粘着テープ１０のエネルギー線硬化性の粘着層にエネルギー線を照射して硬化させることで粘着力を低下させ、図２（ｄ）に示すように、チップ１２を半導体加工用粘着テープ１０から剥離して、チップ１２をピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、図２（ｅ）に示すように、ピックアップされたチップ１２を基板３０に接着するマウント（ダイボンディング）工程を行う。
【0020】
本開示の半導体加工用粘着テープは、エネルギー線照射前の４０％伸長時の引張強度が、所定の値以下であり、高い柔軟性を有する。そのため、例えば、図２（ｃ）に示すエキスパンド工程において、半導体加工用粘着テープを弱い力で容易に引き伸ばすことができるので、チップへの負荷を軽減できる。
【0021】
ここで、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープは、エキスパンド工程およびピックアップ工程において破れやすい。特に、ピックアップ工程においては、半導体加工用粘着テープに局所的に応力がかかる場合があるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。例えば、ピックアップ工程においては、通常、チップを１つずつピックアップする。この際、半導体加工用粘着テープにおいては、チップを剥離する領域に応力が局所的にかかるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
【0022】
また、例えば、ピックアップ工程においては、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、ニードル５０で半導体加工用粘着テープ１０の基材１側からチップ１２を突き上げて、チップ１２を半導体加工用粘着テープ１０から剥離する場合がある。この場合、半導体加工用粘着テープが引き伸ばされた状態で、ニードルによる局所的な応力がかかるため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。さらに、例えば、ピックアップ工程において、半導体加工用粘着テープからチップを剥離する際、半導体加工用粘着テープはチップの端から徐々に剥がれ始めると考えられる。この際、半導体加工用粘着テープとチップとは、面で接着していたのが、点で接着するようになるため、半導体加工用粘着テープには局所的な応力がかかるようになると推量される。そのため、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
【0023】
また、例えば、ピックアップ工程において、搬送装置またはピックアップ装置の一部が半導体加工用粘着テープに接触し、半導体加工用粘着テープに局所的に応力がかかる場合が想定される。この場合も、半導体加工用粘着テープが破れることがある。
【0024】
そこで、本開示の発明者らは、半導体加工用粘着テープにおいて、局所的な応力に対する破れにくさについて検討し、突き刺し強度に着目した。また、エネルギー線硬化型の半導体加工用粘着テープにおいて、ピックアップ工程では、上述したように、半導体加工用粘着テープが引き伸ばされた状態で、半導体加工用粘着テープにエネルギー線を照射した後、チップのピックアップを行う。そこで、エネルギー線照射後かつ伸長後の突き刺し強度に着目した。そして、エネルギー線照射後かつ伸長後の突き刺し強度を所定の値以上とすることにより、局所的な応力がかかった場合でも破れが抑制されることを知見した。
【0025】
すなわち、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が所定の値以上であるため、ピックアップ工程において局所的な応力がかかった場合でも破れにくくすることができる。
【0026】
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が所定の値以下であるため、比較的弱い力で、チップを半導体加工用粘着テープから容易に剥離できる。そのため、ピックアップ工程において剥離時の破れを抑制できる。
【0027】
したがって、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、高い柔軟性と破れにくさとを両立できる。
【0028】
以下、本開示の半導体加工用粘着テープの各構成について説明する。
【0029】
１．半導体加工用粘着テープの特性
（１）突き刺し強度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、好ましくは８．０Ｎ以上であり、より好ましくは８．３Ｎ以上である。上記突き刺し強度が上記範囲であることにより、ピックアップ工程での半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、上記突き刺し強度の上限は、後述のエネルギー線照射前の４０％伸長時の引張強度を満たすことが可能であれば特に限定されないが、例えば、４０Ｎ以下であり、好ましくは３０Ｎ以下であり、より好ましくは２５Ｎ以下である。エネルギー線照射後の突き刺し強度が大きいと、エネルギー線照射前の突き刺し強度も大きくなる傾向にある。そのため、上記突き刺し強度が大きすぎると、エネルギー線照射前の柔軟性が損なわれる可能性がある。
（１）突き刺し強度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、好ましくは８．０Ｎ以上であり、より好ましくは８．３Ｎ以上である。上記突き刺し強度が上記範囲であることにより、ピックアップ工程での半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、上記突き刺し強度の上限は、後述のエネルギー線照射前の４０％伸長時の引張強度を満たすことが可能であれば特に限定されないが、例えば、４０Ｎ以下であり、好ましくは３０Ｎ以下であり、より好ましくは２５Ｎ以下である。エネルギー線照射後の突き刺し強度が大きいと、エネルギー線照射前の突き刺し強度も大きくなる傾向にある。そのため、上記突き刺し強度が大きすぎると、エネルギー線照射前の柔軟性が損なわれる可能性がある。
【0030】
なお、半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度とは、エネルギー線照射後、かつ、半導体加工用粘着テープをＭＤ方向に４０％伸長した後に測定する、半導体加工用粘着テープの厚さ方向の突き刺し強度をいう。
【0031】
また、ＭＤ方向とは、基材の製造時における流れ方向をいい、ＴＤ方向とは、ＭＤ方向に対して垂直な方向をいう。例えば、半導体加工用粘着テープが長尺状である、または枚葉状であり矩形状である場合、ＭＤ方向は半導体加工用粘着テープの長さ方向、ＴＤ方向は半導体加工用粘着テープの幅方向を示す。
【0032】
ここで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度は、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠し、以下の方法により測定できる。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎで４０％伸長する。次に、ＪＩＳ Ｚ１７０７に準拠し、伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を突き刺し試験治具に貼合して固定し、直径１．０ｍｍ、先端形状半径０．５ｍｍの半円形の針を、３００ｍｍ／ｍｉｎの速度で、基材側から突き刺し、針が半導体加工用粘着テープの試験片を貫通するまでの最大荷重を測定する。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は１分間とする。突き刺し試験は、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下で行う。試験片の数は５個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とする。測定装置は、イマダ社製のデジタルフォースゲージ「ＺＴＳ－５００Ｎ」を使用できる。また、試験片を固定する治具は、直径２０ｍｍの円形開口部を有する突き刺し試験治具（イマダ社製「ＴＫＳ－２５０Ｎ」）を使用できる。また、針は、イマダ社製「ＴＰ－２０」を使用できる。
【0033】
上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を制御する手段としては、例えば、基材の厚さ、弾性率を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着力を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着層の粘弾性を調整する方法、半導体加工用粘着テープの破断強度を調整する方法が挙げられる。
【0034】
基材の厚さを調整する方法においては、基材の厚さが厚いと、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。基材の弾性率を調整する方法においては、基材の弾性率やヤング率が大きくなると、半導体加工用粘着テープが硬くなる傾向にあり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
【0035】
エネルギー線照射後の粘着力を調整する方法においては、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法が挙げられる。粘着層に含有される成分や組成を調整する方法においては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の含有量またはエネルギー線硬化性官能基の数を調整する方法、粘着主剤の極性を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後の粘着層が硬くなる傾向にあり、エネルギー線照射後の粘着力が小さくなり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。また、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなりすぎると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなりすぎ、塗膜が硬もろくなり、突刺し強度が小さくなる。また、例えば、粘着主剤の極性を、エネルギー線硬化性化合物との相溶性が高くなるように調整することにより、エネルギー線照射後の粘着力が小さくなり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
【0036】
エネルギー線照射後の粘着層の粘弾性を調整する方法においては、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法、エネルギー線照射後の粘着層の弾性率を調整する方法が挙げられる。粘着層に含有される成分や組成を調整する方法においては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の官能基当量を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の官能基当量が小さいと、架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後の粘着層が硬くなる傾向にあり、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。また、官能基当量が小さすぎる場合、架橋密度が高くなりすぎ、塗膜が硬もろくなり、突刺し強度が小さくなる。また、例えば、エネルギー線照射後の粘着層の弾性率が高くなると、上記突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
【0037】
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射前の４０％伸長後の突き刺し強度は、例えば、６．０Ｎ以上であり、７．０Ｎ以上であってもよく、７．５Ｎ以上であってもよい。一方、上記突き刺し強度は、例えば、４０Ｎ以下であり、３０Ｎ以下であってもよく、２５Ｎ以下であってもよい。上記突き刺し強度が上記範囲であれば、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。
【0038】
（２）ＳＵＳ板に対する粘着力
本開示において、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力は、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下であり、好ましくは１．２Ｎ／２５ｍｍ以下であり、より好ましくは１．０Ｎ／２５ｍｍ以下である。エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープからチップを容易に剥離できる。そのため、剥離時に半導体加工用粘着テープにかかる応力を低減でき、半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、０．０２Ｎ／２５ｍｍ以上である。
本開示において、エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力は、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下であり、好ましくは１．２Ｎ／２５ｍｍ以下であり、より好ましくは１．０Ｎ／２５ｍｍ以下である。エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線照射後には半導体加工用粘着テープからチップを容易に剥離できる。そのため、剥離時に半導体加工用粘着テープにかかる応力を低減でき、半導体加工用粘着テープの破れを抑制できる。一方、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力の下限は特に限定されないが、例えば、０．０２Ｎ／２５ｍｍ以上である。
【0039】
ここで、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、測定できる。まず、半導体加工用粘着テープを手動ローラーを用いてＳＵＳ板に貼合する。次に、粘着層にエネルギー線を照射し、硬化させる。この際、例えば、半導体加工用粘着テープの基材側の面からエネルギー線を照射できる。次に、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を測定する。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を使用できる。
【0040】
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力は、例えば、１．０Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、１．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることがより好ましい。上記のＳＵＳ板に対する粘着力が上記範囲であることにより、エネルギー線を照射するまでの間、半導体加工用粘着テープにウェハや分割されたチップを十分に固定できる。一方、上記のＳＵＳ板に対する粘着力の上限は、特に限定されない。
【0041】
ここで、ＳＵＳ板に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、測定できる。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、大きさ１００ｍｍ×１５０ｍｍのＳＵＳ板を使用できる。
【0042】
上記のエネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を制御する手段としては、例えば、粘着層に含有される成分や組成を調整する方法が挙げられる。
【0043】
粘着層に含有される成分や組成を調整する方法としては、具体的には、エネルギー線硬化性化合物の含有量またはエネルギー線硬化性官能基の数を調整する方法、粘着主剤の極性を調整する方法が挙げられる。例えば、エネルギー線硬化性化合物の含有量およびエネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が小さくなる傾向にある。また、例えば、粘着主剤の極性を、エネルギー線硬化性化合物との相溶性が高くなるように調整することにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が小さくなる傾向にある。
【0044】
（３）４０％伸長時の引張強度
本開示の半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度は、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、好ましくは１５０Ｎ／４５ｍｍ以下であり、より好ましくは１００Ｎ／４５ｍｍ以下である。４０％伸長時の引張強度が上記範囲であることにより、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープとなる。一方、上記４０％伸長時の引張強度は、例えば、１５Ｎ／４５ｍｍ以上であり、好ましくは２０Ｎ／４５ｍｍ以上であり、より好ましくは２５Ｎ／４５ｍｍ以上である。４０％伸長時の引張強度が小さすぎると、柔軟性が高くなりすぎて、取り扱いが困難になる可能性がある。
本開示の半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度は、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、好ましくは１５０Ｎ／４５ｍｍ以下であり、より好ましくは１００Ｎ／４５ｍｍ以下である。４０％伸長時の引張強度が上記範囲であることにより、柔軟性に優れる半導体加工用粘着テープとなる。一方、上記４０％伸長時の引張強度は、例えば、１５Ｎ／４５ｍｍ以上であり、好ましくは２０Ｎ／４５ｍｍ以上であり、より好ましくは２５Ｎ／４５ｍｍ以上である。４０％伸長時の引張強度が小さすぎると、柔軟性が高くなりすぎて、取り扱いが困難になる可能性がある。
【0045】
なお、半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度とは、半導体加工用粘着テープをＭＤ方向に４０％伸長した時の引張強度である。
【0046】
ここで、上記４０％伸長時の引張強度は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：５０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎの条件にて、ＭＤ方向に４０％伸長し、このときの引張強度を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１３５０」を使用できる。
【0047】
上記４０％伸長時の引張強度を制御する手段としては、例えば、基材の厚さ、弾性率を調整する方法が挙げられる。
【0048】
基材の厚さを調整する方法においては、例えば、基材の厚さが薄いと、４０％伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材の弾性率やヤング率が小さくなると、半導体加工用粘着テープが柔軟になる傾向にあり、４０％伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。本開示においては、基材の厚さおよび弾性率を適宜調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度と、上記の４０％伸長時の引張強度とを、それぞれ、所定の範囲に調整できる。
【0049】
本開示の半導体加工用粘着テープにおいて、エネルギー線照射後の４０％伸長時の引張強度は、特に限定されないが、例えば、２５Ｎ／４５ｍｍ以上２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、３０Ｎ／４５ｍｍ以上１５０Ｎ／４５ｍｍ以下であってもよく、３５Ｎ／４５ｍｍ以上１００Ｎ／４５ｍｍ以下であってもよい。
【0050】
（４）破断点応力
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向の破断点応力が２２ＭＰａ以上、１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向の破断点応力が２２ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向の破断点応力が２２ＭＰａ以上、１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向の破断点応力が２２ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
【0051】
エネルギー線照射後の破断点応力は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の応力を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を使用できる。
【0052】
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前の、ＭＤ方向の破断点応力が１５ＭＰａ以上、１５０ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、ＴＤ方向の破断点応力が２０ＭＰａ以上、２００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の破断点応力の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
【0053】
（５）破断点伸度
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向の破断点伸度が、１５０％ＧＬ以上、６００％ＧＬ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向の破断点伸度が１００％ＧＬ以上、７００％ＧＬ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。なお、上記ＧＬとは標線間距離（Ｇａｇｅ Ｌｅｎｇｔｈ）の略称であり、このＧＬが変形前の元の長さになる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向の破断点伸度が、１５０％ＧＬ以上、６００％ＧＬ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向の破断点伸度が１００％ＧＬ以上、７００％ＧＬ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。なお、上記ＧＬとは標線間距離（Ｇａｇｅ Ｌｅｎｇｔｈ）の略称であり、このＧＬが変形前の元の長さになる。
【0054】
エネルギー線照射後の破断点伸度は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を使用できる。
【0055】
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前のＭＤ方向の破断点伸度が１５０％ＧＬ以上、６００％ＧＬ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、ＴＤ方向の破断点伸度が１００％ＧＬ以上、７００％ＧＬ以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の破断点伸度の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
【0056】
（６）ヤング率
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向のヤング率が、１８０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向のヤング率が、１３０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射後の、ＭＤ方向のヤング率が、１８０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射後の、ＴＤ方向のヤング率が、１３０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。また、エネルギー線照射後において、適度に柔軟性を有するものとなる。
【0057】
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープのヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、以下の方法により測定できる。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備する。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、エネルギー線を照射し、粘着層を硬化させる。続いて、半導体加工用粘着テープがセパレータを有する場合、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離する。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、ヤング率を測定する。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を使用できる。
【0058】
また、本開示の半導体加工用粘着テープにおいては、エネルギー線照射前の、ＭＤ方向のヤング率が、１００ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。また、エネルギー線照射前の、ＴＤ方向のヤング率が、８０ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であることが好ましい。この範囲であることで、エネルギー線照射前の粘着テープが十分な柔軟性を持つとともに、エネルギー線照射によって粘着層が硬化した後でも、粘着テープを破れにくくできる。なお、エネルギー線照射前の測定値については、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープのヤング率の測定において、エネルギー線を照射せずに測定して得られた値である。
【0059】
２．基材
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
本開示における基材は、上記粘着層を支持する部材である。
【0060】
基材としては、特に限定されないが、ピックアップ工程では半導体加工用粘着テープの基材側からエネルギー線を照射して粘着層を硬化させることにより、粘着層の粘着力を低下させることが好ましいことから、基材は、エネルギー線を透過するものであることが好ましい。
【0061】
基材はエキスパンド可能であればよく、中でも、柔軟性を有することが好ましい。また、上述したように、基材のヤング率を調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度と、上記の４０％伸長時の引張強度とを、制御できる。例えば、基材のヤング率が大きいと、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。一方、基材のヤング率が小さいと、上記４０％伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材のヤング率は、上記の半導体加工用粘着テープの特性を満たすように適宜調整される。基材のヤング率は、例えば、２０ＭＰａ以上であることが好ましく、３０ＭＰａ以上であることがより好ましく、４０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。基材のヤング率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。一方、基材のヤング率は、５００ＭＰａ以下であることが好ましく、３００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１５０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。基材のヤング率が上記範囲であれば、基材のエキスパンド性を向上させることができる。また、上記４０％伸長時の引張強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。
【0062】
ここで、基材のヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して測定できる。具体的な測定条件を下記に示す。引張試験機としては、例えば、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いることができる。
【0063】
（測定条件）
・試験片：試験片タイプ５
・チャック間距離：６０ｍｍ
・引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ
・温度：２３℃
・湿度：５０％ＲＨ
・試験片：試験片タイプ５
・チャック間距離：６０ｍｍ
・引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎ
・温度：２３℃
・湿度：５０％ＲＨ
【0064】
基材の材質としては、上記の特性を満たすものであることが好ましく、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、ポリブタジエン、エチレン酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル樹脂；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂；ウレタン樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリカーボネート樹脂；フッ素樹脂等が挙げられる。また、基材の材質としては、例えば、オレフィン系エラストマー、塩化ビニル系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、アクリル系エラストマー、アミド系エラストマー等の熱可塑性エラストマー；イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ハロゲン化ブチルゴム、アクリルゴム、ウレタンゴム、多硫化ゴム等のゴム系材料を挙げることができる。これらは１種単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0065】
中でも、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂が好ましい。すなわち、基材は、オレフィン系樹脂または塩化ビニル樹脂を含有することが好ましい。
【0066】
基材は、必要に応じて、例えば、可塑剤、充填剤、酸化防止剤、光安定剤、帯電防止剤、滑剤、分散剤、難燃剤、着色剤等の各種の添加剤を含有していてもよい。
【0067】
基材は、例えば、単層であってもよく、多層であってもよい。
【0068】
基材の粘着層側の面には、粘着層との密着性を向上させるために、表面処理が施されていてもよい。表面処理としては、特に限定されず、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、オゾン処理、フレーム処理、プライマー処理、蒸着処理、アルカリ処理等が挙げられる。
【0069】
基材の製膜方法としては、特に限定されず、例えば、キャスト法、カレンダー法、押出成形法等、従来公知の製膜方法を用いることができる。
【0070】
基材の厚さを調整することにより、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度と、上記の４０％伸長時の引張強度とを、制御できる。例えば、基材の厚さが厚いと、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。一方、基材の厚さが薄いと、上記の４０％伸長時の引張強度が小さくなる傾向にある。基材の厚さは、上記の半導体加工用粘着テープの特性を満たすように適宜調整される。基材の厚さは、基材の材質によっても異なるが、例えば、５０μｍ以上であり、６０μｍ以上であってもよく、７０μｍ以上であってもよい。基材の厚さが上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。一方、基材の厚さは、基材の材質によっても異なるが、例えば、５００μｍ以下であり、３５０μｍ以下であってもよく、２００μｍ以下であってもよい。基材の厚さが上記範囲であれば、上記の４０％伸長時の引張強度を所定の範囲になるように容易に調整できる。
【0071】
３．粘着層
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、ダイシング工程では、その初期粘着力により、ウェハや分割されたチップを固定できる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、ピックアップ工程では、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、チップを剥離できる。
本開示における粘着層は、基材の一方の面に配置され、エネルギー線硬化性を有する部材である。エネルギー線硬化性の粘着層は、エネルギー線の照射により硬化することで粘着力が低下する。エネルギー線硬化性の粘着層においては、ダイシング工程では、その初期粘着力により、ウェハや分割されたチップを固定できる。また、エネルギー線硬化性の粘着層においては、ピックアップ工程では、エネルギー線を照射して硬化させることで粘着力が低下して剥離性が向上するため、チップを剥離できる。
【0072】
エネルギー線としては、例えば、遠紫外線、紫外線、近紫外線、赤外線等の光線、Ｘ線、γ線等の電磁波の他、電子線、プロトン線、中性子線等が挙げられる。中でも、汎用性等の観点から、紫外線、電子線が好ましく、紫外線がより好ましい。
【0073】
粘着層としては、上述の粘着特性を満たしていれば特に限定されず、例えば、樹脂（粘着主剤）と、エネルギー線硬化性化合物とを少なくとも含有できる。粘着層がエネルギー線硬化性化合物を含有することにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線硬化性化合物を硬化させることで、粘着力を低下させることができ、また、このとき凝集力が高まるため、剥離が容易になる。
【0074】
（１）樹脂（粘着主剤）
樹脂（粘着主剤）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減できる。
樹脂（粘着主剤）としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコーン系樹脂等、一般に粘着剤の主剤として用いられる樹脂が挙げられる。中でも、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂を用いることにより、被着体への糊残りを低減できる。
【0075】
よって、粘着層は、アクリル系樹脂と、エネルギー線硬化性化合物と、架橋剤とを少なくとも含有することが好ましい。粘着層内において、アクリル系樹脂は、通常、架橋剤によりアクリル系樹脂間が架橋されてなる架橋体として存在するが、架橋体と共にアクリル系樹脂の単体が含まれていてもよい。
【0076】
（アクリル系樹脂）
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、（メタ）アクリル酸エステルを主成分として（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ここでの主成分とは、共重合割合が５１質量％以上であることを意味し、好ましくは６５質量％以上である。
アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、（メタ）アクリル酸エステルを単独重合させた(メタ)アクリル酸エステル重合体、（メタ）アクリル酸エステルを主成分として（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体とを共重合させた（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。中でも、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルおよび他の単量体の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。他の単量体は単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、ここでの主成分とは、共重合割合が５１質量％以上であることを意味し、好ましくは６５質量％以上である。
【0077】
中でも、アクリル系樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体、または（メタ）アクリル酸エステルを主成分とし、上記（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの共重合により得られる（メタ）アクリル酸エステル共重合体を好適に用いることができる。
【0078】
なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸の少なくとも一方をいう。
【0079】
共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとしては、特に限定されず、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示される水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーが用いられる。
【0080】
アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、例えば、２０万以上１００万以下であることが好ましく、２０万以上８０万以下であることがより好ましい。アクリル系樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることで、十分な初期粘着力を発揮できる。
【0081】
ここで、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した際のポリスチレン換算値である。重量平均分子量は、例えば、測定装置に東ソー株式会社製のＨＬＣ－８２２０ＧＰＣを、カラムに東ソー株式会社製のＴＳＫＧＥＬ－ＳＵＰＥＲＭＵＬＴＩＰＯＲＥ－ＨＺ－Ｍを、溶媒にＴＨＦを、標準品として分子量が１０５０、５９７０、１８１００、３７９００、９６４００、７０６０００の標準ポリスチレンを用いることで測定できる。
【0082】
また、アクリル系樹脂が、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な水酸基含有モノマーおよびカルボキシル基含有モノマーとの（メタ）アクリル酸エステル共重合体である場合、上記水酸基含有モノマーと上記カルボキシル基含有モノマーとの質量比としては、例えば、５１：４９～１００：０であることが好ましく、中でも７５：２５～１００：０であることが好ましい。各モノマーの質量比が上記範囲内であれば、エネルギー線照射による効果的な粘着力の低下が期待でき、糊残りの発生を抑制できる。
【0083】
また、アクリル系樹脂は、エネルギー線硬化性を有していてもよく、例えば、側鎖にエネルギー線硬化性官能基を有していてもよい。エネルギー線硬化性官能基としては、例えば、エチレン性不飽和結合を有することが好ましく、具体的には、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。
【0084】
（２）エネルギー線硬化性化合物
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
エネルギー線硬化性化合物は、エネルギー線の照射を受けて重合するものであれば特に限定されず、例えば、エネルギー線硬化性官能基を有する化合物が挙げられる。
【0085】
エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーが挙げられる。なお、エネルギー線硬化性ポリマーは、上記の樹脂（粘着主剤）とは異なるポリマーである。中でも、エネルギー線照射前後の粘着力のバランスの観点から、エネルギー線硬化性オリゴマーが好ましい。また、エネルギー線硬化性モノマー、エネルギー線硬化性オリゴマー、エネルギー線硬化性ポリマーを組み合わせて用いてもよい。例えば、エネルギー線硬化性オリゴマーに加えてエネルギー線硬化性モノマーを用いる場合には、エネルギー線を照射した際に、粘着層を三次元架橋により硬化させて粘着力を低下させるとともに、凝集力を高めてチップ側へ転着させないようにすることができる。
【0086】
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物、カチオン重合性化合物、アニオン重合性化合物等が挙げられる。中でも、ラジカル重合性化合物が好ましい。硬化速度が速く、また、多種多様な化合物から選択することができ、さらには、エネルギー線照射前後の粘着力等の物性を容易に制御することができる。
【0087】
また、エネルギー線硬化性化合物のエネルギー線硬化性官能基の数を調整することにより、上記エネルギー線照射後の粘着力の制御が可能となる。さらには、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度の制御が可能となる。上述したように、例えば、エネルギー線硬化性官能基の数が多くなると、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が高くなり、上記エネルギー線照射後の粘着力が小さくなる傾向にあり、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
【0088】
エネルギー線硬化性化合物において、エネルギー線硬化性官能基の数は、１分子中に２個以上であることが好ましく、１分子中に３個以上であることがより好ましく、４個以上であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性官能基の数が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による糊残りの発生を抑制できる。また、エネルギー線硬化性官能基の数の上限は、特に限定されない。
【0089】
エネルギー線硬化性化合物は、ラジカル重合性オリゴマーであることが好ましく、ラジカル重合性多官能オリゴマーであることがより好ましい。ラジカル重合性オリゴマーとしては、例えば特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。
【0090】
また、エネルギー線硬化性化合物として、ラジカル重合性オリゴマーおよびラジカル重合性モノマーを用いてもよく、中でも、ラジカル重合性多官能オリゴマーおよびラジカル重合性多官能モノマーを用いてもよい。ラジカル重合性モノマーとしては、例えば特開２０１０－１７３０９１号公報に開示されるものが挙げられる。
【0091】
また、エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、（メタ）アクリレート系モノマー、（メタ）アクリレート系オリゴマー、（メタ）アクリレート系ポリマー等を挙げることができる。また、エネルギー線硬化性化合物として、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等を用いることもできる。
【0092】
また、エネルギー線硬化性化合物は、市販品を用いてもよい。例えば、三菱ケミカル社製のウレタンアクリレート「紫光ＵＶ７６２０ＥＡ（分子量：４１００）」；根上工業社製のウレタンアクリレート「アートレジンＵＮ－９０５（分子量：５００００～２１００００）」、「アートレジンＵＮ－９０５ＤＵ１（分子量：２６０００）」、「アートレジンＵＮ－９５１ＳＣ（分子量：１２５００）」、「アートレジンＵＮ－９５２（分子量：６５００～９５００）」、「アートレジンＵＮ－９５３（分子量：１４０００～４００００）」、「アートレジンＵＮ－９５４（分子量：４２００）」、「アートレジンＨ－２１９（分子量：２５０００～５００００）」、「アートレジンＨ－３１５Ｍ（分子量：６６００）」、「アートレジンＨ－４１７Ｍ（分子量：４０００）」；大成ファインケミカル社製のアクリルウレタンポリマー「８ＢＲ－６００（分子量：１０００００）」；ＤＩＣ社製のポリマーアクリレート「ユニディックＶ－６８５０」；共栄社化学社製のアクリルポリマー「ＳＭＰ－２５０ＡＰ（分子量：２００００～３００００）」、「ＳＭＰ－３６０Ａ（分子量：２００００～３００００）」；昭和電工マテリアルズ社製のアクリル樹脂アクリレート「ＨＡ７９７５」等が挙げられる。
【0093】
エネルギー線硬化性化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0094】
エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、３０，０００以下であることが好ましく、１０，０００以下であることがより好ましく、８，０００以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の重量平均分子量が上記範囲であれば、アクリル系樹脂（粘着主剤）と十分な相溶性を示し、粘着層が、エネルギー線照射前には所望の粘着力を示し、エネルギー線照射後には糊残りの発生が抑制され、容易に剥離可能となる。一方、エネルギー線硬化性樹脂組成物の重量平均分子量は、例えば、５００以上とすることができる。
【0095】
また、エネルギー線硬化性化合物の含有量を調整することにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力の制御が可能となる。さらには、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度の制御が可能となる。エネルギー線硬化性化合物の含有量が多いと、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が小さくなる傾向にあり、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が大きくなる傾向にある。
【0096】
エネルギー線硬化性化合物の含有量としては、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、５質量部以上１５０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上１００質量部以下であることがより好ましく、５０質量部以上８０質量部以下であることがさらに好ましい。エネルギー線硬化性化合物の含有量が上記範囲内であれば、エネルギー線照射後の粘着層の架橋密度が十分となるので、所望の剥離性を実現することができる。また、凝集力の低下による糊残りの発生を抑制できる。
【0097】
（３）重合開始剤
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、重合開始剤を含有することができる。
【0098】
重合開始剤としては、一般的な光重合開始剤を用いることができる。具体的には、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、α－ヒドロキシケトン類、ベンジルメチルケタール類、α－アミノケトン類、ビスアシルフォスフィンオキサイド類が挙げられる。エネルギー線硬化性化合物としてウレタンアクリレートを使用する場合には、重合開始剤がビスアシルフォスフィン系重合開始剤であることが好ましい。この重合開始剤は耐熱性を有するため、基材に粘着剤組成物を塗布してエネルギー線照射を行う際に、基材を介してエネルギー線照射を行う場合であっても、確実にエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
【0099】
重合開始剤は、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有することが好ましく、波長３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下に吸収を有することが好ましい。このような重合開始剤は、波長３００ｎｍ以上の幅の広いエネルギー線を吸収し、エネルギー線硬化性化合物の重合反応を誘発する活性種を効率的に生成することができる。そのため、少量のエネルギー線照射量でもエネルギー線硬化性化合物を効率的に硬化させることができ、容易に剥離可能となる。また、後述するように基材には樹脂等を用いることができ、樹脂には、波長３００ｎｍ程度までのエネルギー線を吸収するものの、波長３００ｎｍ程度以上のエネルギー線を透過するものが多い。さらに、近年では、エネルギー線照射装置において、波長３００ｎｍ以上のＬＥＤランプを使用することが多い。そのため、波長２３０ｎｍ以上に吸収を有する重合開始剤を用いることにより、基材を透過したエネルギー線を利用してエネルギー線硬化性化合物を硬化させることができる。
【0100】
重合開始剤の含有量は、例えば、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物の合計１００質量部に対して、０．０１質量部以上１０質量部以下であることが好ましく、０．５質量部以上６質量部以下であることがより好ましい。重合開始剤の含有量が上記範囲に満たないと、エネルギー線硬化性化合物の重合反応が十分起こらず、エネルギー線照射後の粘着層の粘着力が過剰に高くなり、剥離性を実現することができない場合がある。一方、重合開始剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射面の近傍にしかエネルギー線が届かず、粘着層の硬化が不十分となる場合がある。また、凝集力が低下し、糊残りの発生の原因となる場合もある。
【0101】
（４）架橋剤
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
粘着層は、樹脂（粘着主剤）およびエネルギー線硬化性化合物に加えて、架橋剤を含有することができる。
【0102】
架橋剤は、少なくとも樹脂（粘着主剤）間を架橋するものであれば特に限定されるものではなく、樹脂（粘着主剤）の種類等に応じて適宜選択することができ、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。イソシアネート系架橋剤およびエポキシ系架橋剤の具体例としては、特開２０１２－３１３１６号公報に開示されるものが挙げられる。架橋剤は、単独または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0103】
架橋剤の含有量としては、架橋剤の種類に応じて適宜設定することができるが、例えば、樹脂（粘着主剤）１００質量部に対して、０．０１質量部以上１５質量部以下であることが好ましく、０．０１質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。架橋剤の含有量が上記範囲に満たないと、密着性が劣る場合や、チップを剥離する際に粘着層が凝集破壊を起こして糊残りが生じる場合がある。一方、架橋剤の含有量が上記範囲を超えると、エネルギー線照射後の粘着層中に架橋剤が未反応モノマーとして残留することで、凝集力の低下により糊残りの発生の原因となる場合がある。
【0104】
（５）添加剤
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤等が挙げられる。
粘着層は、必要に応じて、各種添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、粘着付与剤、耐電防止剤、可塑剤、シランカップリング剤、金属キレート剤、界面活性剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、着色剤、防腐剤、消泡剤、ぬれ性調整剤等が挙げられる。
【0105】
また、粘着層は、粘着力調整剤を含んでいてもよい。粘着力調整剤は、例えば、セパレータに対する剥離性や、タック性を調整する目的で使用することができる。粘着力調整剤としては、例えば、アクリル系ブロック共重合体、ポリエステル樹脂等が挙げられる。アクリル系ブロック共重合体やポリエステル樹脂は、市販品を用いてもよい。アクリル系ブロック共重合体としては、具体的には、クラレ社の製クラリティシリーズ（例えば、「ＬＡ４２８５」、「ＬＡ２２７０」、「ＬＡ２２５０」、「ＬＡ２１４０」、「ＬＡ２３３０」、「ＬＡ３３２０」等）、アルケマ社製のＮＡＮＯＳＴＲＥＮＧＴＨ（例えば、「Ｍ２２Ｎ」等）が挙げられる。また、ポリエステル樹脂としては、例えば、東洋紡社製のバイロンシリーズ（例えば、「バイロン２００」、「バイロン６００」等）、ユニチカ社製のエリーテルシリーズ（「エリーテルＵＥ３２１０」、「エリーテルＵＥ９２００」等）が挙げられる。
【0106】
（６）粘着層の貯蔵弾性率
本開示における粘着層においては、エネルギー線照射後の、温度２５℃、周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、例えば、１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。一方、上記エネルギー線照射後の貯蔵弾性率の下限は特に限定されないが、例えば、５０００ＭＰａ以下である。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、適度に柔い粘着層となるため、エネルギー線照射後の粘着層の割れを抑制できる。
本開示における粘着層においては、エネルギー線照射後の、温度２５℃、周波数１Ｈｚでの貯蔵弾性率が、例えば、１０ＭＰａ以上であることが好ましく、１００ＭＰａ以上であることがより好ましい。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、上記のエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を所定の範囲内になるように容易に調整できる。一方、上記エネルギー線照射後の貯蔵弾性率の下限は特に限定されないが、例えば、５０００ＭＰａ以下である。上記貯蔵弾性率が上記範囲であれば、適度に柔い粘着層となるため、エネルギー線照射後の粘着層の割れを抑制できる。
【0107】
ここで、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）によって測定された値である。動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）によって、粘着層の貯蔵弾性率を測定する際には、粘着層を巻くことによって、直径５ｍｍ以上７ｍｍ以下、高さ５ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度の円柱状のサンプルとする。まず、動的粘弾性測定装置の圧縮冶具（パラレルプレートφ８ｍｍ）の間に、上記の円柱状の測定サンプルを取り付ける。次に、温度２５℃、周波数１Ｈｚの条件で、圧縮荷重をかけ、動的粘弾性測定を行う。動的粘弾性測定装置としては、例えば、ティー・エー・インスツルメント・ジャパン社製のＲＳＡ－３を用いることができる。
【0108】
（７）粘着層の厚さおよび形成方法
粘着層の厚さは、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下である。
粘着層の厚さは、十分な粘着力が得られ、かつ、エネルギー線が内部まで透過することが可能な厚さであればよく、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上４０μｍ以下である。
【0109】
粘着層の形成方法としては、例えば、基材上に粘着剤組成物を塗布する方法や、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して粘着層を形成し、粘着層および基材を貼り合わせる方法が挙げられる。
【0110】
４．その他の構成
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
本開示の半導体加工用粘着テープは、上記の基材および粘着層の他に、必要に応じて、他の構成を有することができる。
【0111】
本開示の半導体加工用粘着テープは、粘着層の基材とは反対側の面にセパレータを有していてもよい。セパレータにより粘着層を保護することができる。
【0112】
また、本開示の半導体加工用粘着テープは、基材と粘着層との間にプライマー層を有していてもよい。プライマー層により基材および粘着層の密着性を高めることができる。
【0113】
５．用途
本開示の半導体加工用粘着テープは、ダイシングテープとして好適に用いることができる。
本開示の半導体加工用粘着テープは、ダイシングテープとして好適に用いることができる。
【0114】
なお、本開示は、上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。
【実施例0115】
以下、実施例および比較例を示し、本開示をさらに説明する。
【0116】
［粘着剤組成物の材料］
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤Ａ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量８０万）
・粘着主剤Ｂ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量２０万）
・紫外線硬化性化合物Ａ（ウレタンアクリレート、官能基数１０、分子量２０００）
・紫外線硬化性化合物Ｂ（ウレタンアクリレート、官能基数９、分子量４１００）
・紫外線硬化性化合物Ｃ（ウレタンアクリレート、官能基数６、分子量４２００）
・紫外線硬化性化合物Ｄ（ウレタンアクリレート、官能基数１０、分子量５００～１２００）
・架橋剤Ａ：（イソシアネート系硬化剤、トリメチロールプロパンのトルイレンジイソシアネートアダクト体）
・架橋剤Ｂ（エポキシ系硬化剤、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン）
・架橋剤Ｃ：（金属キレート系硬化剤、アルミニウムトリスアセチルアセトネート）
・光重合開始剤（アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド）
・添加剤（メタクリル酸メチル・アクリル酸ｎ－ブチル共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルの含有量：５０質量％）
下記に、粘着剤組成物に用いた材料を示す。
・粘着主剤Ａ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量８０万）
・粘着主剤Ｂ（アクリル酸エステル共重合体、重量平均分子量２０万）
・紫外線硬化性化合物Ａ（ウレタンアクリレート、官能基数１０、分子量２０００）
・紫外線硬化性化合物Ｂ（ウレタンアクリレート、官能基数９、分子量４１００）
・紫外線硬化性化合物Ｃ（ウレタンアクリレート、官能基数６、分子量４２００）
・紫外線硬化性化合物Ｄ（ウレタンアクリレート、官能基数１０、分子量５００～１２００）
・架橋剤Ａ：（イソシアネート系硬化剤、トリメチロールプロパンのトルイレンジイソシアネートアダクト体）
・架橋剤Ｂ（エポキシ系硬化剤、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシリレンジアミン）
・架橋剤Ｃ：（金属キレート系硬化剤、アルミニウムトリスアセチルアセトネート）
・光重合開始剤（アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド）
・添加剤（メタクリル酸メチル・アクリル酸ｎ－ブチル共重合体、アクリル酸ｎ－ブチルの含有量：５０質量％）
【0117】
［実施例１］
（１）粘着層の形成
アクリル系粘着主剤Ａ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ａ ５０質量部と、架橋剤Ａ ３質量部と、光重合開始剤 ５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
（１）粘着層の形成
アクリル系粘着主剤Ａ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ａ ５０質量部と、架橋剤Ａ ３質量部と、光重合開始剤 ５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0118】
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータ上に、乾燥後の厚さが２０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗工し、１１０℃オーブンで３分間乾燥させて、粘着層を形成した。
【0119】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂 ７０質量部と、可塑剤 ２５質量部と、ノニルフェノール ０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂 ７０質量部と、可塑剤 ２５質量部と、ノニルフェノール ０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0120】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、５０℃で３日間エージングを行い、半導体加工用粘着テープを作製した。
【0121】
［実施例２］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0122】
アクリル系粘着主剤Ｂ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ｂ ４０質量部と、紫外線硬化性化合物Ｃ ３０質量部と、架橋剤Ａ ３質量部と、光重合開始剤 ７質量部と、添加剤 ０．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0123】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤２５質量部と、ノニルフェノール０．３質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤２５質量部と、ノニルフェノール０．３質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0124】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0125】
［実施例３］
（１）粘着層の形成
実施例２と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
実施例２と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0126】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
実施例１と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
実施例１と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0127】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）フィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0128】
［実施例４］
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法で粘着剤層を形成した。
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法で粘着剤層を形成した。
【0129】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤（テレフタル酸ビス（2-エチルヘキシル））３０質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ２００μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤（テレフタル酸ビス（2-エチルヘキシル））３０質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、カレンダー法により製膜し、厚さ２００μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0130】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0131】
［実施例５］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0132】
アクリル系粘着主剤Ｂ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ｂ ７０質量部と、架橋剤Ｂ ０．３５質量部と、架橋剤Ｃ ０．２質量部と、光重合開始剤 ２．８質量部と、添加剤 １質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0133】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤４０質量部と、安定剤０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
塩化ビニル樹脂７０質量部と、可塑剤４０質量部と、安定剤０．５質量部とを含有する樹脂組成物を用いて、キャスト法により製膜し、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0134】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0135】
［実施例６］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0136】
アクリル系粘着主剤Ｂ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ｄ ７０質量部と、架橋剤Ｂ ０．３５質量部と、光重合開始剤 ４．２質量部と、添加剤 １．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0137】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
実施例５と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した
実施例５と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した
【0138】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0139】
［実施例７］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0140】
アクリル系粘着主剤Ｂ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ｂ ６０質量部と、架橋剤Ｂ ０．３５質量部と、架橋剤Ｃ ０．２質量部と、光重合開始剤 ２．４質量部と、添加剤 １質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0141】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
実施例２と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
実施例２と同様の方法で、厚さ９０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0142】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0143】
［比較例１］
（１）粘着層の形成
実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0144】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
厚さを７０μｍとした以外は、実施例２と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを７０μｍとした以外は、実施例２と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0145】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0146】
［比較例２］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0147】
アクリル系粘着主剤Ａ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ａ ５０質量部と、架橋剤Ａ ３質量部と、光重合開始剤 １．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0148】
（２）半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ１００μｍのＰＥフィルムを準備した。
基材として、厚さ１００μｍのＰＥフィルムを準備した。
【0149】
上記粘着層上に、基材として上記ＰＥフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0150】
［比較例３］
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は比較例２と同様の方法で粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は比較例２と同様の方法で粘着層を形成した。
【0151】
（２）半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
基材として、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
【0152】
上記粘着層上に、基材として上記ＰＥＴフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0153】
［比較例４］
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は比較例２と同様の方法で、粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
厚さを１０μｍとした以外は比較例２と同様の方法で、粘着層を形成した。
【0154】
（２）半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
基材として、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
【0155】
上記粘着層上に、基材として上記ＰＥＴフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0156】
［比較例５］
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ１０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
下記のように粘着剤組成物を調製したこと以外は、実施例１と同様にして、厚さ１０μｍの粘着層を形成した。
【0157】
アクリル系粘着主剤Ａ １００質量部と、紫外線硬化性化合物Ａ ５０質量部と、架橋剤Ａ １．５質量部と、光重合開始剤 １．５質量部とを、メチルエチルケトンおよびトルエンの混合溶媒（混合比１：１）で固形分２０％となるように希釈し、十分に分散させて、粘着剤組成物を調製した。
【0158】
（２）半導体加工用粘着テープの準備
基材として、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
基材として、厚さ１８８μｍのＰＥＴフィルムを準備した。
【0159】
上記粘着層上に、基材として上記ＰＥＴフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0160】
［比較例６］
（１）粘着層の形成
実施例６と同様の方法で、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
実施例６と同様の方法で、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0161】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
厚さを７０μｍとした以外は実施例２と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを７０μｍとした以外は実施例２と同様の方法でポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0162】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0163】
［比較例７］
（１）粘着層の形成
実施例７と同様の方法で、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
（１）粘着層の形成
実施例７と同様の方法で、厚さ２０μｍの粘着層を形成した。
【0164】
（２）半導体加工用粘着テープの作製
厚さを９０μｍとした以外は実施例５と同様の方法で、ポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
厚さを９０μｍとした以外は実施例５と同様の方法で、ポリ塩化ビニルフィルムを作製した。
【0165】
上記粘着層上に、基材として上記ポリ塩化ビニルフィルムをラミネートした後、実施例１と同様にして半導体加工用粘着テープを作製した。
【0166】
［評価１］
（１）突き刺し強度
（１－１）エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度
半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を以下の方法で測定した。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。この際、試験片の長さ方向は、ＭＤ方向である。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に４０％伸長した。４０％伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を、直径２０ｍｍの円形開口部を有する突き刺し試験治具（イマダ社製ＴＫＳ－２５０Ｎ）に固定した。円形開口部の中心において、ピン（イマダ社製ＴＰ－２０、先端径：１ｍｍ、先端形状：半径０．５ｍｍの半円形）を突き刺し速度：３００ｍｍ／ｍｉｎで基材側から突き刺し、デジタルフォースゲージ（イマダ社製ＺＴＳ－５００Ｎ）を用いて、破壊点における最大荷重を測定した。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は１分間とした。試験片の数を５個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とした。突き刺し試験は、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下で行った。
（１）突き刺し強度
（１－１）エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度
半導体加工用粘着テープのエネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度を以下の方法で測定した。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。この際、試験片の長さ方向は、ＭＤ方向である。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。半導体加工用粘着テープの試験片を、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に４０％伸長した。４０％伸長後の半導体加工用粘着テープの試験片の粘着層側を、直径２０ｍｍの円形開口部を有する突き刺し試験治具（イマダ社製ＴＫＳ－２５０Ｎ）に固定した。円形開口部の中心において、ピン（イマダ社製ＴＰ－２０、先端径：１ｍｍ、先端形状：半径０．５ｍｍの半円形）を突き刺し速度：３００ｍｍ／ｍｉｎで基材側から突き刺し、デジタルフォースゲージ（イマダ社製ＺＴＳ－５００Ｎ）を用いて、破壊点における最大荷重を測定した。半導体加工用粘着テープの伸長後、突刺し強度を測定するまでの時間は１分間とした。試験片の数を５個とし、その平均値を求め、平均値を上記突き刺し強度とした。突き刺し試験は、温度２５℃±５℃、湿度４０％ＲＨ以上６０％ＲＨ以下、エネルギー線を遮断した環境下で行った。
【0167】
（１－２）エネルギー線照射前かつ４０％伸長後の突き刺し強度を
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前かつ４０％伸長後の突き刺し強度（初期の突き刺し強度）を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前かつ４０％伸長後の突き刺し強度（初期の突き刺し強度）を測定した。
【0168】
（２）ＳＵＳ板に対する粘着力
（２－１）エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力
エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、測定した。まず、半導体加工用粘着テープからセパレータを剥離し、手動ローラーを用いてＳＵＳ板に貼合した。半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次に、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を測定した。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いた。
（２－１）エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力
エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を、ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９（粘着テープ・粘着シート試験方法）の試験方法の方法１（温度２３℃湿度５０％ＲＨ、テープおよびシートをステンレス試験板に対して１８０°に引きはがす試験方法）に準拠し、測定した。まず、半導体加工用粘着テープからセパレータを剥離し、手動ローラーを用いてＳＵＳ板に貼合した。半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次に、幅２５ｍｍ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件で、試験片の長さ方向に剥がすことにより、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力を測定した。ＳＵＳ板は、ＳＵＳ３０４、表面仕上げＢＡ、厚さ１．５ｍｍ、幅１００ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＳＵＳ板を用いた。
【0169】
（２－２）エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力（初期のＳＵＳ板に対する粘着力）を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射前のＳＵＳ板に対する粘着力（初期のＳＵＳ板に対する粘着力）を測定した。
【0170】
（３）４０％伸長時の引張強度
（３－１）エネルギー線照射前の４０％伸長時の引張強度
エネルギー線照射前の半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度を以下のようにして測定した。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備し、セパレータを剥離した。この際、試験片の長さ方向は、ＭＤ方向である。この試験片を、チャック間距離：５０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎで、４０％伸長した際の引張強度を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１３５０」を用いた。
（３－１）エネルギー線照射前の４０％伸長時の引張強度
エネルギー線照射前の半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度を以下のようにして測定した。まず、幅４５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの半導体加工用粘着テープの試験片を準備し、セパレータを剥離した。この際、試験片の長さ方向は、ＭＤ方向である。この試験片を、チャック間距離：５０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／ｍｉｎで、４０％伸長した際の引張強度を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１３５０」を用いた。
【0171】
（３－２）エネルギー線照射後の４０％伸長時の引張強度
セパレータを剥離する前に、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させたこと以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射後の４０％伸長時の引張強度を測定した。
セパレータを剥離する前に、半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させたこと以外は、上記と同様の方法で、エネルギー線照射後の４０％伸長時の引張強度を測定した。
【0172】
（４）破断点応力
（４－１）エネルギー線照射後の破断点応力
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件にて、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いた。
（４－１）エネルギー線照射後の破断点応力
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件にて、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。引張試験機としては、エー・アンド・デイ社製「テンシロンＲＴＦ１１５０」を用いた。
【0173】
（４－２）エネルギー線照射前の破断点応力
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の応力を測定した。
【0174】
（５）破断点伸度
（５－１）エネルギー線照射後の破断点伸度
上述した「（４－１）エネルギー線照射後の破断点応力」と同様の方法で、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープをＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
（５－１）エネルギー線照射後の破断点伸度
上述した「（４－１）エネルギー線照射後の破断点応力」と同様の方法で、エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープをＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
【0175】
（５－２）エネルギー線照射前の破断点伸度
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、破断した時の引張伸び率を測定した。
【0176】
（６）半導体加工用粘着テープのヤング率
（６－１）エネルギー線照射後のヤング率
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で、ヤング率を測定した。
（６－１）エネルギー線照射後のヤング率
エネルギー線照射後の半導体加工用粘着テープの破断点応力を、以下のようにして測定した。まず、試験片タイプ５の半導体加工用粘着テープの試験片を準備した。半導体加工用粘着テープの試験片の基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射し、粘着層を硬化させた。次いで、半導体加工用粘着テープの試験片からセパレータを剥離した。次に、半導体加工用粘着テープの試験片を、チャック間距離：６０ｍｍ、引張速度：１００ｍｍ／分の条件で、ヤング率を測定した。
【0177】
（６－２）エネルギー線照射前のヤング率
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、ヤング率を測定した。
また、紫外光を照射しない以外は、上記と同様の方法で、ＭＤ方向またはＴＤ方向に引っ張り、ヤング率を測定した。
【0178】
［評価２］
（１）加工性
上記で得られた半導体加工用粘着テープを、８インチ径、厚さ１００μｍのシリコンウェハに貼り合せた。次に、シリコンウェハを３ｍｍ×３ｍｍのチップサイズに個片化するダイシングを行い、チップの飛散の有無を確認した。そして、下記基準にて評価した。
（１）加工性
上記で得られた半導体加工用粘着テープを、８インチ径、厚さ１００μｍのシリコンウェハに貼り合せた。次に、シリコンウェハを３ｍｍ×３ｍｍのチップサイズに個片化するダイシングを行い、チップの飛散の有無を確認した。そして、下記基準にて評価した。
【0179】
（評価基準）
Ａ：チップ飛びの割合が１％未満であった。
Ｂ：チップ飛びの割合が１％以上５％以下であった。
Ｃ：チップ飛びの割合が５％超であった。
Ａ：チップ飛びの割合が１％未満であった。
Ｂ：チップ飛びの割合が１％以上５％以下であった。
Ｃ：チップ飛びの割合が５％超であった。
【0180】
（２）剥離性（破れにくさ）
貼合装置（テクノビジョン社製のセミオートフィルム貼付装置）を用いて、半導体加工用粘着テープをＳＵＳ製のリングフレームに速度１０ｍｍ／ｓで貼合した。その後、６０分間静置した。次に、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射した。次いで、半導体加工用粘着テープをリングフレームから剥離した際の破れの有無を観察した。実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープをそれぞれ５個準備し、剥離性を確認して、下記基準にて評価した。
貼合装置（テクノビジョン社製のセミオートフィルム貼付装置）を用いて、半導体加工用粘着テープをＳＵＳ製のリングフレームに速度１０ｍｍ／ｓで貼合した。その後、６０分間静置した。次に、半導体加工用粘着テープの基材側の面から、積算光量が５００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外光を照射した。次いで、半導体加工用粘着テープをリングフレームから剥離した際の破れの有無を観察した。実施例及び比較例の半導体加工用粘着テープをそれぞれ５個準備し、剥離性を確認して、下記基準にて評価した。
【0181】
（評価基準）
Ａ：すべてのテープに破れが発生しなかった。
Ｂ：一部のテープに破れが発生した。
Ｃ：すべてのテープにフィルム破れが発生した。
Ａ：すべてのテープに破れが発生しなかった。
Ｂ：一部のテープに破れが発生した。
Ｃ：すべてのテープにフィルム破れが発生した。
【0182】
（３）柔軟性
ウエハエキスパンダー（テクノビジョン社製のテープ拡張装置）を用いて、ＳＵＳ製のリングフレームに貼り合せた半導体加工用粘着テープを、拡張ステージストローク３５ｍｍ、拡張スピード６ｍｍ／ｓ、拡張ステージ温度４０℃にて拡張した。その際の柔軟性（拡張性）を下記基準にて評価した。
ウエハエキスパンダー（テクノビジョン社製のテープ拡張装置）を用いて、ＳＵＳ製のリングフレームに貼り合せた半導体加工用粘着テープを、拡張ステージストローク３５ｍｍ、拡張スピード６ｍｍ／ｓ、拡張ステージ温度４０℃にて拡張した。その際の柔軟性（拡張性）を下記基準にて評価した。
【0183】
（評価基準）
Ａ：拡張ステージストロークを４０ｍｍに変更しても十分に拡張できた。
Ｂ：十分に拡張できた。
Ｃ：拡張が不十分であった。
Ｄ：拡張できなかった。
Ａ：拡張ステージストロークを４０ｍｍに変更しても十分に拡張できた。
Ｂ：十分に拡張できた。
Ｃ：拡張が不十分であった。
Ｄ：拡張できなかった。
【0184】
【表1】
【0185】
【表2】
【0186】
表１および表２に示すように、実施例１～７の半導体加工用粘着テープは、剥離性（破れにくさ）及び柔軟性が良好であった。一方、比較例１、比較例２および比較例６の半導体加工用粘着テープは、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、低いため、剥離性（破れにくさ）に劣る結果となった。比較例３～５の半導体加工用粘着テープは、４０％伸長時の引張強度が高いため、柔軟性に劣る結果となった。比較例７は、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が高いため、剥離性（破れにくさ）に劣る結果となった。
【0187】
すなわち、本開示においては、以下の発明を提供できる。
［１］基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、前記半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
［１］基材と、前記基材の一方の面に配置されたエネルギー線硬化性の粘着層と、を有する半導体加工用粘着テープであって、前記半導体加工用粘着テープの４０％伸長時の引張強度が、２００Ｎ／４５ｍｍ以下であり、エネルギー線照射後かつ４０％伸長後の突き刺し強度が、７．２Ｎ以上であり、エネルギー線照射後のＳＵＳ板に対する粘着力が、１．４Ｎ／２５ｍｍ以下である、半導体加工用粘着テープ。
【符号の説明】
【0188】
１ … 基材
２ … 粘着層
１０ … 半導体加工用粘着テープ
２ … 粘着層
１０ … 半導体加工用粘着テープ
【図1】
【図2】
【図3】
