特開 2024-53261 基板処理装置および基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024053261

(43)【公開日】2024-04-15

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240408BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20240408BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20240408BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240408BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 642A

H01L21/304 648D

H01L21/306 K

H01L21/68 A

H01L21/68 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022159393

(22)【出願日】2022-10-03

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】前川 直嗣

【テーマコード（参考）】

5F043

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F043EE02

5F043EE07

5F043EE28

5F043EE35

5F043EE36

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA12

5F131AA22

5F131BA18

5F131BA37

5F131BB03

5F131CA06

5F131CA09

5F131DA22

5F131DA32

5F131DA33

5F131DA35

5F131DA36

5F131DA43

5F131DA52

5F131DA62

5F131DB03

5F131DB52

5F131DB62

5F131DB72

5F131DC04

5F131DC06

5F131EA06

5F131EA17

5F131EA22

5F131EA23

5F131EB55

5F131EB57

5F131EB62

5F131EC22

5F131EC23

5F131GA03

5F131GA14

5F131GA19

5F131GA27

5F157AB03

5F157AB13

5F157AB34

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB62

5F157AB74

5F157BB04

5F157BB09

5F157BB22

5F157CF93

5F157DB02

(57)【要約】

【課題】基板の傾倒を防止しつつ、基板の表面処理の均一性を維持することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽１０に貯留された処理液中に基板Ｗが浸漬されて表面処理が行われる。処理時には、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態から、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態に切り替えられる。保持状態を切り替えることにより、接触により処理効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に処理することができる。また、基板Ｗが高処理位置に保持されているときには、第１ガイド６１によって基板Ｗの傾倒が防止され、基板Ｗが低処理位置に保持されているときには、第２ガイド６２によって基板Ｗの傾倒が防止される。基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部と、
起立姿勢の基板を下方から保持するリフターと、
前記処理槽の上方の引き上げ位置、前記基板が処理液中に浸漬する第１処理位置に前記基板を保持する上部浸漬位置、および、前記上部浸漬位置よりも下方の下部浸漬位置の間で前記リフターを昇降させる昇降部と、
前記リフターが前記下部浸漬位置に下降したときに前記リフターから前記基板を受け取って、前記第１処理位置よりも下方の第２処理位置に前記基板を保持する保持部と、
前記第１処理位置および前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止するガイド部と、
を備え、
前記リフターが前記基板を保持する接触箇所と前記保持部が前記基板を保持する接触箇所とは異なることを特徴とする基板処理装置。

【請求項2】

請求項１記載の基板処理装置において、
前記リフターを前記上部浸漬位置と前記下部浸漬位置との間で移動させ、前記基板が前記リフターによって前記第１処理位置に保持される第１状態と前記基板が前記保持部によって前記第２処理位置に保持される第２状態とを切り替えるように前記昇降部を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。

【請求項3】

請求項２記載の基板処理装置において、
前記制御部は、前記第１状態と前記第２状態との切り替えを複数回繰り返すように前記昇降部を制御することを特徴とする基板処理装置。

【請求項4】

請求項２記載の基板処理装置において、
前記ガイド部は、
前記第１処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止する第１ガイド要素と、
前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止する第２ガイド要素と、
を含み、
前記第１ガイド要素は前記第２ガイド要素よりも高位置に設けられることを特徴とする基板処理装置。

【請求項5】

請求項４記載の基板処理装置において、
前記第１ガイド要素と前記第２ガイド要素とは一体化されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項6】

請求項１記載の基板処理装置において、
前記保持部と前記ガイド部とは一体化されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項7】

請求項１記載の基板処理装置において、
前記保持部および前記ガイド部は前記処理槽の内壁面に固設されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項8】

請求項１記載の基板処理装置において、
前記処理槽の上部開口を覆う蓋部をさらに備え、
前記ガイド部は前記蓋部に固設されることを特徴とする基板処理装置。

【請求項9】

基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理方法であって、
処理槽内に処理液を供給して前記処理槽に処理液を貯留する貯留工程と、
起立姿勢の基板を下方から保持するリフターを、前記処理槽の上方の引き上げ位置、前記基板が処理液中に浸漬する第１処理位置に前記基板を保持する上部浸漬位置、および、前記上部浸漬位置よりも下方の下部浸漬位置の間で昇降させる昇降工程と、
を備え、
前記リフターが前記下部浸漬位置に下降したときに、前記処理槽に固設された保持部が前記リフターから前記基板を受け取って、前記第１処理位置よりも下方の第２処理位置に前記基板を保持し、
前記第１処理位置および前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒をガイド部が防止し、
前記リフターが前記基板を保持する接触箇所と前記保持部が前記基板を保持する接触箇所とは異なることを特徴とする基板処理方法。

【請求項10】

請求項９記載の基板処理方法において、
前記リフターが前記上部浸漬位置と前記下部浸漬位置との間で移動し、前記基板が前記リフターによって前記第１処理位置に保持される第１状態と前記基板が前記保持部によって前記第２処理位置に保持される第２状態とを切り替えることを特徴とする基板処理方法。

【請求項11】

請求項１０記載の基板処理方法において、
前記第１状態と前記第２状態との切り替えを複数回繰り返すことを特徴とする基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を処理液中に浸漬して洗浄処理等の表面処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体基板、液晶表示装置用基板、flat panel display（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。

【背景技術】

【0002】

従来より、半導体装置の製造工程では、半導体基板等の基板に対して種々の処理を行う基板処理装置が用いられている。そのような基板処理装置の１つに、処理槽内に処理液を貯留し、その処理液中に複数の基板を一括して浸漬してエッチング処理等を行うバッチ式の基板処理装置が知られている。典型的なバッチ式の基板処理装置は、薬液を貯留した薬液槽および純水を貯留した水洗槽を備え、薬液槽にて基板にエッチング処理等を行った後、水洗槽にてその基板のリンス処理を行う。

【0003】

バッチ式基板処理装置の水洗槽においては、純水の使用量の削減と処理時間を短くする観点から基板に付着している薬液を迅速に純水に置換することが望まれる。このためには、水洗槽に供給する純水の流量を多くして槽内における流速を速くする必要がある。

【0004】

ところが、純水の流速を速くすると、水洗槽内に基板を保持しているリフター上で基板が揺れ動き、リフター上の正しい位置に正しい姿勢で基板が留まることができなくなる。このため、特許文献１には、リフターに保持された基板を上方からも保持する保持部を設けて基板の回転を抑制することが開示されている。また、特許文献２には、傾倒防止部材を設けてリフターに保持された基板が倒れるのを防止することが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２０－７２２７２号公報

【特許文献2】特開平１１－１８６３７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

一方、水洗槽にてリンス処理を行う際に、基板に付着した薬液の純水への置換効率が最も低いのはリフターが基板を保持する接触箇所である。リフターと基板との接触箇所には純水の水流が届きにくいため、当該接触箇所の洗浄効率が低下するのである。このような洗浄効率の低い箇所が存在すると、基板の表面処理の均一性が損なわれることとなる。

【0007】

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板の傾倒を防止しつつ、基板の表面処理の均一性を維持することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に処理液を供給する処理液供給部と、起立姿勢の基板を下方から保持するリフターと、前記処理槽の上方の引き上げ位置、前記基板が処理液中に浸漬する第１処理位置に前記基板を保持する上部浸漬位置、および、前記上部浸漬位置よりも下方の下部浸漬位置の間で前記リフターを昇降させる昇降部と、前記リフターが前記下部浸漬位置に下降したときに前記リフターから前記基板を受け取って、前記第１処理位置よりも下方の第２処理位置に前記基板を保持する保持部と、前記第１処理位置および前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止するガイド部と、を備え、前記リフターが前記基板を保持する接触箇所と前記保持部が前記基板を保持する接触箇所とは異なることを特徴とする。

【0009】

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記リフターを前記上部浸漬位置と前記下部浸漬位置との間で移動させ、前記基板が前記リフターによって前記第１処理位置に保持される第１状態と前記基板が前記保持部によって前記第２処理位置に保持される第２状態とを切り替えるように前記昇降部を制御する制御部をさらに備えることを特徴とする。

【0010】

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記制御部は、前記第１状態と前記第２状態との切り替えを複数回繰り返すように前記昇降部を制御することを特徴とする。

【0011】

また、請求項４の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る基板処理装置において、前記ガイド部は、前記第１処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止する第１ガイド要素と、前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒を防止する第２ガイド要素と、を含み、前記第１ガイド要素は前記第２ガイド要素よりも高位置に設けられることを特徴とする。

【0012】

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る基板処理装置において、前記第１ガイド要素と前記第２ガイド要素とは一体化されることを特徴とする。

【0013】

また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記保持部と前記ガイド部とは一体化されることを特徴とする。

【0014】

また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る基板処理装置において、前記保持部および前記ガイド部は前記処理槽の内壁面に固設されることを特徴とする。

【0015】

また、請求項８の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、前記処理槽の上部開口を覆う蓋部をさらに備え、前記ガイド部は前記蓋部に固設されることを特徴とする。

【0016】

また、請求項９の発明は、基板を処理液中に浸漬して表面処理を行う基板処理方法において、処理槽内に処理液を供給して前記処理槽に処理液を貯留する貯留工程と、起立姿勢の基板を下方から保持するリフターを、前記処理槽の上方の引き上げ位置、前記基板が処理液中に浸漬する第１処理位置に前記基板を保持する上部浸漬位置、および、前記上部浸漬位置よりも下方の下部浸漬位置の間で昇降させる昇降工程と、を備え、前記リフターが前記下部浸漬位置に下降したときに、前記処理槽に固設された保持部が前記リフターから前記基板を受け取って、前記第１処理位置よりも下方の第２処理位置に前記基板を保持し、前記第１処理位置および前記第２処理位置に保持されている前記基板の傾倒をガイド部が防止し、前記リフターが前記基板を保持する接触箇所と前記保持部が前記基板を保持する接触箇所とは異なることを特徴とする。

【0017】

また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る基板処理方法において、前記リフターが前記上部浸漬位置と前記下部浸漬位置との間で移動し、前記基板が前記リフターによって前記第１処理位置に保持される第１状態と前記基板が前記保持部によって前記第２処理位置に保持される第２状態とを切り替えることを特徴とする。

【0018】

また、請求項１１の発明は、請求項１０の発明に係る基板処理方法において、前記第１状態と前記第２状態との切り替えを複数回繰り返すことを特徴とする。

【発明の効果】

【0019】

請求項１から請求項８の発明によれば、第１処理位置および第２処理位置に保持されている基板の傾倒を防止するガイド部を備え、リフターが基板を保持する接触箇所と保持部が基板を保持する接触箇所とが異なるため、接触により処理効率が低下する特異点を無くし、基板の傾倒を防止しつつ、基板の表面処理の均一性を維持することができる。

【0020】

特に、請求項５の発明によれば、第１ガイド要素と第２ガイド要素とは一体化されるため、処理槽内における処理液が滞留しやすくなる箇所を少なくすることができる。

【0021】

特に、請求項６の発明によれば、保持部とガイド部とは一体化されるため、処理槽内における処理液が滞留しやすくなる箇所を少なくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明に係る基板処理装置の全体構成を示す図解的な平面図である。

【図2】図１の基板処理装置の処理部の要部構成を示す図である。

【図3】基板が高処理位置に保持された状態を示す図である。

【図4】基板が低処理位置に保持された状態を示す図である。

【図5】高処理位置に保持される複数の基板および第１ガイドを上方から見た平面図である。

【図6】第２実施形態の処理部の要部構成を示す図である。

【図7】第３実施形態の処理部の要部構成を示す図である。

【図8】第４実施形態の処理部の要部構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下において、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。

【0024】

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置１００の全体構成を示す図解的な平面図である。基板処理装置１００は、複数枚の基板Ｗに対して一括して処理液による表面処理を行うバッチ式の基板処理装置である。処理対象となる基板は、シリコンの円形の半導体基板である。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

【0025】

基板処理装置１００は、主として、ロードポート１１０と、搬出入ロボット１４０と、姿勢変換機構１５０と、プッシャ１６０と、主搬送ロボット１８０と、基板処理部群１２０と、受け渡しカセット１７０と、制御部７０と、を備える。

【0026】

ロードポート１１０は、平面視でほぼ長方形に形成された基板処理装置１００の端部に設けられている。ロードポート１１０には、基板処理装置１００で処理される複数枚の基板（以下、単に「基板」とも称する）Ｗを収容するキャリアＣが載置される。未処理の基板Ｗを収容したキャリアＣは無人搬送車（ＡＧＶ、ＯＨＴ）等によって搬送されてロードポート１１０に載置される。また、処理済みの基板Ｗを収容したキャリアＣも無人搬送車によってロードポート１１０から持ち去られる。

【0027】

キャリアＣは、典型的には、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)である。キャリアＣは、その内部に形設された複数の保持棚によって複数の基板Ｗを水平姿勢（法線が鉛直方向に沿う姿勢）で鉛直方向（Ｚ方向）に一定間隔で積層配列した状態で保持する。キャリアＣの最大収容枚数は、２５枚または５０枚である。なお、キャリアＣの形態としては、ＦＯＵＰの他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納した基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

【0028】

基板処理装置１００の本体部とロードポート１１０との境界部分には、ポッドオープナー（図示省略）等が設けられている。ポッドオープナーは、ロードポート１１０に載置されたキャリアＣの前面の蓋を開閉する。

【0029】

搬出入ロボット１４０は、ロードポート１１０に載置されたキャリアＣの蓋が開放された状態で、当該キャリアＣから基板処理装置１００の本体部に未処理の基板Ｗを搬入するとともに、基板処理装置１００の本体部からキャリアＣに処理済みの基板Ｗを搬出する。より具体的には、搬出入ロボット１４０は、キャリアＣと姿勢変換機構１５０との間で複数枚の基板Ｗの搬送を行う。搬出入ロボット１４０は、水平面内で旋回可能に構成されるとともに、それぞれが１枚の基板Ｗを保持可能なハンド要素を多段に積層してなるバッチハンド（図示省略）を進退移動可能に備える。

【0030】

姿勢変換機構１５０は、搬出入ロボット１４０から受け取った複数枚の基板ＷをＸ軸周りに９０°回動させて、当該基板Ｗの姿勢を水平姿勢から起立姿勢（法線が水平方向に沿う姿勢）に変換する。また、姿勢変換機構１５０は、搬出入ロボット１４０に基板Ｗを渡す前に、当該基板Ｗの姿勢を起立姿勢から水平姿勢に変換する。

【0031】

プッシャ１６０は、姿勢変換機構１５０と受け渡しカセット１７０との間に配置される。プッシャ１６０は、姿勢変換機構１５０と受け渡しカセット１７０に設けられた昇降ステージ（図示省略）との間で起立姿勢の基板Ｗの受け渡しを行う。

【0032】

受け渡しカセット１７０と基板処理部群１２０とはＸ方向に沿って一列に配置されている。基板処理部群１２０は、５つの処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５を備える。処理部１２１～１２５は、基板Ｗに対して種々の表面処理を行う基板処理装置１００の主要部である。図１に示すように、基板処理装置１００内において、処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５の順に（＋Ｘ）側から配置される。処理部１２１，１２２，１２３，１２４のそれぞれは処理液を貯留する処理槽１０を備える。

【0033】

本明細書において、「処理液」とは各種の薬液、有機溶剤および純水を含む概念の用語である。薬液としては、例えば、エッチング処理を行うための液、または、パーティクルを除去するための液などが含まれ、具体的には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＳＣ－１液（水酸化アンモニウムと過酸化水素水と純水との混合溶液）、ＳＣ－２液（塩酸と過酸化水素水と純水との混合溶液）、または、リン酸などが用いられる。薬液は、純水によって希釈されたものも含む。

【0034】

処理部１２１および処理部１２３は、それぞれ、同種または異種の薬液を貯留し、その薬液中に複数の基板Ｗを一括して浸漬させてエッチング処理等の薬液処理を行う。また、処理部１２２および処理部１２４は、それぞれ、リンス液（典型的には純水）を貯留し、そのリンス液中に複数の基板Ｗを一括して浸漬させてリンス処理を行う。

【0035】

基板処理部群１２０において、処理部１２１と処理部１２２とが対になっており、処理部１２３と処理部１２４とが対になっている。そして、処理部１２１と処理部１２２との対に専用の搬送機構である１つのリフター２０が設けられている。リフター２０は、処理部１２１と処理部１２２との間でＸ方向に沿って移動可能とされている。また、リフター２０は、昇降駆動機構２４によって処理部１２１および処理部１２２のそれぞれにおいて昇降可能とされている。同様に、処理部１２３と処理部１２４との対に専用の搬送機構である１つのリフター２０が設けられている。

【0036】

リフター２０は、主搬送ロボット１８０から受け取った複数の基板Ｗを保持し、その基板Ｗを処理部１２１の処理槽１０に貯留された薬液中に浸漬させる。薬液処理の終了後、リフター２０は、処理部１２１から基板Ｗを引き上げて処理部１２２に移送し、処理部１２２の処理槽１０に貯留されたリンス液中に基板Ｗを浸漬させる。リンス処理終了後、リフター２０は、処理部１２２から基板Ｗを引き上げて主搬送ロボット１８０に渡す。処理部１２３および処理部１２４においても、同様のリフター２０の動作が行われる。

【0037】

処理部１２５は、密閉された乾燥チャンバー内を大気圧未満に減圧する機構と、当該乾燥チャンバー内に有機溶剤（例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ））を供給する機構と、リフター２０と、を備える。処理部１２５は、リフター２０によって主搬送ロボット１８０から受け取った基板Ｗを乾燥チャンバー内に収容し、その乾燥チャンバー内を減圧雰囲気としつつ、基板Ｗに有機溶剤を供給して基板Ｗを乾燥させる。乾燥処理後の基板Ｗはリフター２０を介して主搬送ロボット１８０に受け渡される。

【0038】

受け渡しカセット１７０は、待機位置（図１の主搬送ロボット１８０の位置）にある主搬送ロボット１８０の下方に配置される。受け渡しカセット１７０は、図示省略の昇降ステージを備える。当該昇降ステージは、プッシャ１６０から受け取った基板Ｗを起立姿勢のまま上昇させて主搬送ロボット１８０に渡す。また、昇降ステージは、主搬送ロボット１８０から受け取った基板Ｗを下降させてプッシャ１６０に渡す。

【0039】

主搬送ロボット１８０は、図１の矢印ＡＲ１に示すように、Ｘ方向に沿ってスライド移動に構成されている。主搬送ロボット１８０は、受け渡しカセット１７０の上方の待機位置と処理部１２１，１２２，１２３，１２４，１２５のいずれかの上方の処理位置との間で基板Ｗを搬送する。

【0040】

主搬送ロボット１８０は、複数の基板Ｗを一括して把持する一対の基板チャック１８１を備えている。主搬送ロボット１８０は、一対の基板チャック１８１の間隔を狭めることにより複数の基板Ｗを一括して把持することができ、基板チャック１８１の間隔を拡げることにより把持状態を解除することができる。このような構成により、主搬送ロボット１８０は、受け渡しカセット１７０の昇降ステージに対して基板Ｗの受け渡しを行うことができるとともに、基板処理部群１２０に設けられた各リフター２０とも基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【0041】

次に、基板処理装置１００に設けられた処理部１２２の構成について説明する。ここでは、処理部１２２について説明するが、処理部１２４も同様の構成を備える。図２は、処理部１２２の要部構成を示す図である。処理部１２２は、処理部１２１にて薬液処理が行われた基板Ｗから薬液を洗い流すリンス処理を行う水洗槽である。図２に示すように、処理部１２２は、主として、処理液を貯留する処理槽１０と、複数枚の基板Ｗを保持して上下に昇降するリフター２０と、処理槽１０内に処理液を供給する処理液供給部３０と、を備える。

【0042】

処理槽１０は、石英等の耐薬性の材料により構成された貯留容器である。処理槽１０は、処理液を貯留してその内部に基板Ｗを浸漬させる内槽１１と、内槽１１の上端外周部に形成された外槽１２とを含む二重槽構造を有する。内槽１１および外槽１２はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。外槽１２の上縁の高さは、内槽１１の上縁の高さよりも僅かに高い。内槽１１の上端まで処理液が貯留されている状態で処理液供給部３０から処理液がさらに供給されると、内槽１１の上部から処理液が溢れて外槽１２へとオーバーフローする。本実施形態の処理部１２２は、リンス処理を行う水洗槽であるため、処理槽１０には処理液として純水が供給されて貯留される。

【0043】

リフター２０は、複数の基板Ｗを一括して保持し、それら複数の基板Ｗを上下に搬送するための機構である。リフター２０は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる背板２２と、背板２２の下端から水平方向（Ｙ方向）に延びる３本の保持棒２１とを有する。背板２２の下端はＶ字型に形成されている。背板２２の下端から延びる３本の保持棒２１のそれぞれには複数（例えば、５０個）の保持溝が所定のピッチで刻設されている。複数の基板Ｗは、それぞれの周縁部を上記保持溝に嵌合させた状態で３本の保持棒２１上に互いに所定間隔を隔てて平行に起立姿勢で保持される。すなわち、リフター２０は、起立姿勢の基板Ｗを下方から保持する。

【0044】

また、リフター２０は、図２において概念的に示した昇降駆動機構２４と接続されて昇降移動される。昇降駆動機構２４は、図２の矢印ＡＲ２にて示すように、リフター２０を鉛直方向（Ｚ方向）に沿って上下に昇降移動させる。昇降駆動機構２４は、処理槽１０の上方の引き上げ位置と、処理槽１０の内部の浸漬位置との間でリフター２０を昇降移動させる。なお、浸漬位置には、上部浸漬位置と下部浸漬位置とが含まれるのであるが、これについてはさらに後述する。

【0045】

処理液供給部３０は、一対のノズル管３１，３１およびそれらに処理液を送給する配管系を備える。一対のノズル管３１，３１（以下、これらを特に区別する必要の無いときは単にノズル管３１と総称する）は、処理槽１０の内槽１１の底部に配置される。ノズル管３１は、Ｙ方向に沿って延びる長尺円筒形状の管状部材である。ノズル管３１には、長手方向に沿って等間隔で複数の吐出口（図示省略）が形設されている。ノズル管３１に供給された処理液は、それら複数の吐出口から内槽１１内に吐出されて内槽１１の内部に貯留される。ノズル管３１は、処理槽１０内に保持される基板Ｗに向けて、つまり斜め上方に向けて処理液を吐出する。内槽１１の内部に処理液が貯留されている状態でノズル管３１から処理液が吐出されると、内槽１１内に上方へと向かう処理液の流れ（アップフロー）が形成される。また、内槽１１の上端まで処理液が貯留されている状態でノズル管３１から処理液が吐出されると、内槽１１の上部から処理液が溢れて外槽１２へとオーバーフローする。

【0046】

ノズル管３１に処理液を送給する配管系は、配管３２に純水供給源３３、ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６を備えて構成される。配管３２の基端側は純水供給源３３に接続されるとともに、配管３２の先端側は二叉に分岐されてそれぞれノズル管３１に接続される。配管３２の経路途中に、ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６が設けられる。ポンプ３４、流量調整バルブ３５および供給バルブ３６は、この順番で配管３２の上流から下流に向かって（ノズル管３１に向かって）配置される。

【0047】

ポンプ３４は、純水供給源３３からノズル管３１に向けて純水を送り出す。流量調整バルブ３５は、配管３２を流れる純水の流量を調整する。供給バルブ３６は、配管３２の流路を開閉する。ポンプ３４を作動させつつ供給バルブ３６を開放することにより、純水供給源３３から送給された純水が配管３２を流れてノズル管３１に送り出され、その流量は流量調整バルブ３５によって規定される。

【0048】

ノズル管３１に供給された純水は、ノズル管３１から吐出されて処理槽１０内に純水のアップフローを形成する。流量調整バルブ３５によってノズル管３１に供給される純水の流量が増減したときには、ノズル管３１から処理槽１０内に吐出される純水の流速が加速または減速される。すなわち、処理槽１０内における純水の流速は流量調整バルブ３５によって調整される。

【0049】

処理槽１０の外槽１２には排液管４３が接続され、その排液管４３には排液バルブ４４が設けられている。排液バルブ４４が開くことにより、内槽１１から外槽１２へとオーバーフローした純水は排液管４３から排出される。

【0050】

また、処理槽１０の内槽１１の底壁には排液管４８が接続され、その排液管４８には排液バルブ４９が設けられている。排液バルブ４９が開くことにより、内槽１１に貯留されていた純水が内槽１１の底部から急速排出される。

【0051】

制御部７０は、基板処理装置１００に設けられた種々の動作機構を制御する。制御部７０は、処理部１２２の動作も制御する。制御部７０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部７０は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく記憶部（例えば、磁気ディスクまたはＳＳＤ）を備えている。制御部７０は、処理液供給部３０の供給バルブ３６や昇降駆動機構２４等と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。

【0052】

また、制御部７０の記憶部には、基板Ｗを処理する手順および条件を定めたレシピ（以下「処理レシピ」という）が記憶されている。処理レシピは、例えば、装置のオペレータが、ＧＵＩを介して入力して記憶部に記憶させることによって、基板処理装置１００に取得される。或いは、複数の基板処理装置１００を管理するホストコンピュータから基板処理装置１００に処理レシピが通信により引き渡されて記憶部に記憶されても良い。制御部７０は、記憶部に格納されている処理レシピの記述に基づいて、昇降駆動機構２４等の動作を制御することにより、処理レシピに記述された通りに基板Ｗの表面処理を進行させる。

【0053】

第１実施形態においては、処理槽１０に基板保持部５０、第１ガイド６１および第２ガイド６２を設けている。第１実施形態では、基板保持部５０、第１ガイド６１および第２ガイド６２がそれぞれ独立した個別の要素として設けられる。基板保持部５０、第１ガイド６１および第２ガイド６２は、処理槽１０の内槽１１の側壁内側面にボルトによって固設されている。ボルトによって締結された箇所はシール部材によってシールされる。第１ガイド６１は第２ガイド６２よりも高位置に取り付けられる。基板保持部５０は、第１ガイド６１および第２ガイド６２よりも低位置に取り付けられる。

【0054】

基板保持部５０は、Ｙ方向に沿って延びる棒状部材である。リフター２０によって処理槽１０内を昇降される基板Ｗの両側を挟み込むように２本の基板保持部５０が内槽１１の内壁面に固設される。リフター２０の３本の保持棒２１は２本の基板保持部５０の間を通過可能である。それぞれの基板保持部５０には、複数（例えば、５０個）の保持溝が所定のピッチでＹ方向に沿って刻設されている。基板保持部５０に刻設される保持溝のピッチはリフター２０の保持棒２１に刻まれる保持溝のピッチと同じである。従って、リフター２０に保持された複数の基板Ｗのそれぞれの周縁部を基板保持部５０の保持溝に嵌合させることにより、２本の基板保持部５０はリフター２０に保持された複数の基板Ｗをそのまま受け取って保持することが可能である。

【0055】

第１ガイド６１および第２ガイド６２もＹ方向に沿って延びる棒状部材である。リフター２０によって処理槽１０内を昇降される基板Ｗの両側を挟み込むように２本の第１ガイド６１が内槽１１の内壁面に固設される。同様に、リフター２０によって処理槽１０内を昇降される基板Ｗの両側を挟み込むように２本の第２ガイド６２が内槽１１の内壁面に固設される。第１ガイド６１は第２ガイド６２よりも上方に設けられる。リフター２０の３本の保持棒２１は２本の第１ガイド６１および２本の第２ガイド６２の間を通過可能である。

【0056】

第１ガイド６１および第２ガイド６２のそれぞれには、Ｙ方向に沿って凹凸が繰り返し形設されている。リフター２０によって保持される複数の基板Ｗが処理槽１０内を昇降するときには、それら複数の基板Ｗのそれぞれの周縁部が第１ガイド６１および第２ガイド６２に形設された凹部の内側を通過する。換言すれば、複数の基板Ｗのそれぞれの周縁部は第１ガイド６１および第２ガイド６２に形設された凸部によって表裏から挟み込まれる。

【0057】

第１実施形態においては、リフター２０と基板保持部５０とによって基板Ｗが異なる高さ位置で持ち替えられる。図３は、基板Ｗが高処理位置（第１処理位置）に保持された状態を示す図である。基板Ｗを保持するリフター２０が処理槽１０内の上部浸漬位置（図３のリフター２０の位置）に停止しているときには、その基板Ｗはリフター２０によって高処理位置に保持されることとなる。基板Ｗが高処理位置に保持されている状態においても、基板Ｗの全体が処理槽１０に貯留された処理液中に浸漬する。逆に言えば、基板Ｗが処理槽１０に貯留された処理液中に浸漬する高処理位置に基板Ｗを保持するリフター２０の高さ位置が上部浸漬位置である。なお、基板Ｗが高処理位置に保持されているときには、基板保持部５０と基板Ｗとは離間している。

【0058】

リフター２０によって高処理位置に保持される基板ＷのＸ方向に沿った径（以下、基板ＷのＸ方向に沿った径を「赤道」とも称する）と同じ高さ位置に第１ガイド６１が設けられる。よって、リフター２０によって高処理位置に保持される基板Ｗの赤道両端が第１ガイド６１に形設された凹部の内側に入り込む。

【0059】

図５は、高処理位置に保持される複数の基板Ｗおよび第１ガイド６１を上方から見た平面図である。同図に示すように、高処理位置に保持される基板Ｗの赤道両端は、第１ガイド６１に形設された凹部の内側に入り込んでいる。但し、リフター２０の３本の保持棒２１によって複数の基板Ｗが正確に起立姿勢で保持されているときには、それぞれの基板Ｗの周縁部は第１ガイド６１の凹部に非接触である。すなわち、基板Ｗは第１ガイド６１によって拘束されておらず、基板Ｗと第１ガイド６１との接触箇所も存在しない。

【0060】

高処理位置に保持されている基板Ｗが処理槽１０内に形成されている処理液の液流等の影響によって起立姿勢から少し傾いたときには、基板Ｗの赤道両端が第１ガイド６１に形設された凹部に接触し、基板Ｗの傾倒が第１ガイド６１によって防がれる。第１ガイド６１は高処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に設けられているため、基板Ｗが傾いたときには第１ガイド６１が基板Ｗの赤道近傍に当接することとなり、基板Ｗの傾倒を効果的に防止することができる。

【0061】

一方、図４は、基板Ｗが低処理位置（第２処理位置）に保持された状態を示す図である。基板Ｗを保持するリフター２０が処理槽１０内の上部浸漬位置から下部浸漬位置（図４のリフター２０の位置）にまで下降すると、基板Ｗはリフター２０から基板保持部５０に渡され、基板Ｗは基板保持部５０によって低処理位置に保持されることとなる。すなわち、基板保持部５０は、リフター２０が下部浸漬位置に下降したときにリフター２０から基板Ｗを受け取って低処理位置に基板Ｗを保持する。基板Ｗが低処理位置に保持されているときには、リフター２０の３本の保持棒２１と基板Ｗとは離間している。リフター２０の下部浸漬位置は上部浸漬位置よりも下方である。また、基板Ｗの低処理位置も高処理位置より下方である。なお、図２の実線で示す基板Ｗの高さ位置が高処理位置であり、二点鎖線で示す基板Ｗの高さ位置が低処理位置である。

【0062】

図４に示すように、基板保持部５０によって低処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に第２ガイド６２が設けられる。よって、基板保持部５０によって低処理位置に保持される基板Ｗの赤道両端が第２ガイド６２に形設された凹部の内側に入り込む。上述と同じく、基板保持部５０によって複数の基板Ｗが正確に起立姿勢で保持されているときには、それぞれの基板Ｗの周縁部は第２ガイド６２の凹部に非接触である。しかし、低処理位置に保持されている基板Ｗが処理槽１０内に形成されている処理液の液流等の影響によって起立姿勢から少し傾いたときには、基板Ｗの赤道両端が第２ガイド６２に形設された凹部に接触し、基板Ｗの傾倒が第２ガイド６２によって防がれる。第２ガイド６２も低処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に設けられているため、基板Ｗが傾いたときには第２ガイド６２が基板Ｗの赤道近傍に当接することとなり、基板Ｗの傾倒を効果的に防止することができる。

【0063】

リフター２０が上部浸漬位置と下部浸漬位置との間で昇降移動することにより、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態と、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態とが切り替えられることとなる。図３および図４に示すように、リフター２０が高処理位置で基板Ｗを保持しているときに３本の保持棒２１が基板Ｗに接触する接触箇所と、基板保持部５０が低処理位置で基板Ｗを保持しているときに基板Ｗに接触する接触箇所とは異なる。

【0064】

次に、上記の構成を有する処理部１２２における処理動作について説明する。処理部１２２では、処理部１２１にて薬液処理が行われた基板Ｗから薬液を洗い流すリンス処理を行う。ノズル管３１から処理槽１０内に処理液としての純水が供給され、内槽１１には純水が貯留されている。内槽１１に純水が貯留されている状態でノズル管３１から純水をさらに供給し続けると、内槽１１の上端から外槽１２へと純水がオーバーフローする。また、ノズル管３１から純水を吐出することによって、処理部１０内には純水のアップフローが形成されている。

【0065】

処理槽１０内に純水のアップフローが形成されている状態で薬液処理後の基板Ｗが純水中に浸漬される。具体的には、薬液処理後の基板Ｗを保持するリフター２０が処理槽１０の上方の引き上げ位置にまで移動し、そのリフター２０が昇降駆動機構２４によって引き上げ位置から浸漬位置にまで下降する。第１実施形態では、リフター２０はまず上部浸漬位置にまで下降する。

【0066】

基板Ｗを保持するリフター２０が処理槽１０内の上部浸漬位置にまで下降すると、図３に示すように、基板Ｗは高処理位置に到達し、基板Ｗの全体が処理槽１０に貯留された純水中に浸漬する。処理槽１０内に純水のアップフローが形成されている状態で基板Ｗが高処理位置に保持されると、基板Ｗの表面に沿って純水の水流が流れ、基板Ｗの表面に付着していた薬液が洗い流される。

【0067】

また、基板Ｗを迅速に洗浄してリンス処理時間を短くするため、処理槽１０内における純水の流速を速くしている。具体的には、流量調整バルブ３５が比較的大きな流量（例えば、３０リットル／分）にてノズル管３１に純水を供給することにより、ノズル管３１から処理槽１０内に吐出される純水の流速を速くしている。処理槽１０内における純水の流速が速くなると、基板Ｗの洗浄効率が高まる一方でリフター２０の３本の保持棒２１上で基板Ｗが水流の影響によって大きく揺れ動くおそれも高まる。

【0068】

基板Ｗの揺動を抑制するために、高処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に第１ガイド６１が設けられている。高処理位置に保持される基板Ｗの赤道両端は、第１ガイド６１に形設された凹部の内側に入り込む（図５）。高処理位置に保持されている基板Ｗが水流の影響によって揺れ動いたとしても、基板Ｗの赤道両端が第１ガイド６１によって位置規制されているため、基板Ｗが大きく傾いて傾倒することは防止される。すなわち、リフター２０によって高処理位置に基板Ｗを保持しているときは、第１ガイド６１によって基板Ｗの傾倒を防止しつつ、比較的速い流速の純水の水流によって基板Ｗを効率良く洗浄している。但し、基板Ｗの周縁部のうちリフター２０の３本の保持棒２１が接触する接触箇所の近傍では処理液の滞留が生じるため、その接触箇所の洗浄効率は顕著に低い。

【0069】

高処理位置に基板Ｗを保持してのリンス処理を開始してから所定時間が経過した時点にて、制御部７０の制御により昇降駆動機構２４がリフター２０を上部浸漬位置から下部浸漬位置に下降させる。リフター２０が上部浸漬位置から下部浸漬位置に下降する過程で基板Ｗはリフター２０から基板保持部５０に渡され、図４に示すように、基板Ｗは基板保持部５０によって低処理位置に保持される。低処理位置は高処理位置よりも低位置であるため、低処理位置に保持される基板Ｗの全体も処理槽１０に貯留された純水中に浸漬する。処理槽１０内に純水のアップフローが形成されている状態で基板Ｗが低処理位置に保持されると、基板Ｗの表面に沿って純水の水流が流れ、基板Ｗの表面が洗浄される。

【0070】

また、比較的速い水流の影響による基板Ｗの揺動を抑制するために、低処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に第２ガイド６２が設けられている。低処理位置に保持される基板Ｗの赤道両端は、第２ガイド６２に形設された凹部の内側に入り込む。低処理位置に保持されている基板Ｗが水流の影響によって揺れ動いたとしても、基板Ｗの赤道両端が第２ガイド６２によって位置規制されているため、基板Ｗが大きく傾いて傾倒することは防止される。すなわち、基板保持部５０によって低処理位置に基板Ｗを保持しているときは、第２ガイド６２によって基板Ｗの傾倒を防止しつつ、比較的速い流速の純水の水流によって基板Ｗを効率良く洗浄しているのである。但し、基板Ｗの周縁部のうち基板保持部５０が接触する接触箇所の近傍では処理液の滞留が生じるため、その接触箇所の洗浄効率は低くなる。

【0071】

リフター２０が高処理位置で基板Ｗを保持しているときに３本の保持棒２１が基板Ｗに接触する接触箇所と、基板保持部５０が低処理位置で基板Ｗを保持しているときに基板Ｗに接触する接触箇所とは異なる。従って、高処理位置に保持される基板Ｗの周縁部のうち３本の保持棒２１が接触する接触箇所は、基板Ｗが低処理位置に保持されるときには開放されている。このため、基板Ｗが高処理位置に保持されている間は洗浄効率が低かった３本の保持棒２１による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗが低処理位置に保持されているときには効率良く洗浄される。その一方、基板Ｗが低処理位置に保持されているときは、基板Ｗの周縁部のうち基板保持部５０が接触する接触箇所の近傍で処理液の滞留が生じるため、その基板保持部５０による接触箇所の洗浄効率が低下する。もっとも、基板保持部５０による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗが高処理位置に保持されているときに既に洗浄されている。

【0072】

低処理位置に基板Ｗを保持してのリンス処理を開始してから所定時間が経過した時点にて、制御部７０の制御により昇降駆動機構２４がリフター２０を下部浸漬位置から処理槽１０の上方の引き上げ位置に上昇させ、処理槽１０の処理液から基板Ｗを引き上げる。続いて、主搬送ロボット１８０がリフター２０から処理後の基板Ｗを受け取る。以上のようにして処理部１２２における一連の処理が完了する。

【0073】

第１実施形態においては、処理部１２２にて基板Ｗのリンス処理を行う際に、リフター２０によって基板Ｗを高処理位置に保持した後に、基板保持部５０によって基板Ｗを低処理位置に保持している。すなわち、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態から、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態に切り替えられる。基板Ｗが高処理位置および低処理位置のいずれに保持されているときにも、基板Ｗの全体が処理槽１０に貯留された純水中に浸漬するため、比較的速い純水の水流によって基板Ｗが効率良く洗浄される。

【0074】

また、基板Ｗが高処理位置に保持されているときには、第１ガイド６１によって基板Ｗの傾倒が防止される。基板Ｗが低処理位置に保持されているときには、第２ガイド６２によって基板Ｗの傾倒が防止される。すなわち、基板Ｗが高処理位置および低処理位置のいずれに保持されているときにも、基板Ｗの傾倒を防止することができる。

【0075】

さらに、基板Ｗが高処理位置に保持されているときに洗浄効率が低下する３本の保持棒２１による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗが低処理位置に保持されているときには開放されて効率良く洗浄される。逆に、基板Ｗが低処理位置に保持されているときに洗浄効率が低下する基板保持部５０による基板Ｗへの接触箇所は、基板Ｗが高処理位置に保持されているときには開放されて効率良く洗浄される。すなわち、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態と、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態とを切り替えることにより、洗浄効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に洗浄することができるのである。よって、第１実施形態のようにすれば、基板Ｗの洗浄処理を行うときに、基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。

【0076】

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図６は、第２実施形態の処理部の要部構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図２等）と同一の要素については同一の符号を付している。第２実施形態が第１実施形態と相違するのは、第１ガイド６１と第２ガイド６２とを一体化した統合ガイド８１を設けている点である。

【0077】

統合ガイド８１は、第１実施形態の第１ガイド６１および第２ガイド６２に比較して縦方向（Ｚ方向）の長さが長い。統合ガイド８１にも、第１ガイド６１および第２ガイド６２と同様に、Ｙ方向に沿って凹凸が繰り返し形設されている。統合ガイド８１は、処理槽１０の内槽１１の側壁内側面にボルトによって固設される。

【0078】

統合ガイド８１は、第１実施形態にて高処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に設けられた第１ガイド６１および低処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に設けられた第２ガイド６２を一体化したものである。このため、高処理位置および低処理位置のいずれに保持される基板Ｗの赤道両端も統合ガイド８１に形設された凹部の内側に入り込む。従って、リフター２０によって基板Ｗが高処理位置に保持されているとき、および、基板保持部５０によって基板Ｗが低処理位置に保持されているときの双方において、統合ガイド８１によって基板Ｗの傾倒が防止される。

【0079】

また、第１実施形態と同様に、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態と、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態とを切り替えることにより、洗浄効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に洗浄することができる。よって、第２実施形態のようにしても、基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。

【0080】

さらに、第２実施形態においては、第１ガイド６１と第２ガイド６２とを一体化した統合ガイド８１を設けているため、第１ガイド６１および第２ガイド６２を個別に製作するのに比較して製作コストを低くすることができる。第１ガイド６１および第２ガイド６２を個別に処理槽１０に取り付ける場合にはそれぞれの位置合わせが必要であるのに対して、一体化した統合ガイド８１を処理槽１０に取り付けるのであれば位置合わせも一回で足り、取り付けに要する工数も削減することができる。それに加えて、第１ガイド６１および第２ガイド６２のそれぞれを個別にボルトで処理槽１０に取り付けた場合には、処理槽１０内に処理液が滞留しやすくなる箇所が増えるのに比べて、一体化した統合ガイド８１を処理槽１０に取り付けるのであれば必要なボルト数も最小限とすることができ、処理槽１０内における処理液が滞留しやすくなる箇所を少なくすることができる。その結果、処理槽１０内にて処理液の滞留を生じにくくすることができる。なお、２つのガイドを一体化した統合ガイド８１を設ける点以外の第２実施形態の残余の構成については第１実施形態と同じである。

【0081】

＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図７は、第３実施形態の処理部の要部構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図２等）と同一の要素については同一の符号を付している。第３実施形態が第１実施形態と相違するのは、第２ガイド６２と基板保持部５０とを一体化した拡張保持部９１を設けている点である。

【0082】

拡張保持部９１は、第１実施形態の基板保持部５０と同等の機能を有する保持要素９１ａおよび第２ガイド６２と同様の機能を有するガイド要素９１ｂを一体化して構成されている。換言すれば、拡張保持部９１は、第１実施形態の基板保持部５０と第２ガイド６２とを一体化したものであると言える。拡張保持部９１は、処理槽１０の内槽１１の側壁内側面にボルトによって固設される。拡張保持部９１の保持要素９１ａは、リフター２０が下部浸漬位置に下降したときにリフター２０から基板Ｗを受け取って低処理位置に基板Ｗを保持する。拡張保持部９１のガイド要素９１ｂは、保持要素９１ａによって低処理位置に保持される基板Ｗの赤道と同じ高さ位置に設けられる。なお、第１ガイド６１は、第１実施形態と同一の要素である。

【0083】

このように、第３実施形態では第１実施形態の第１ガイド６１、第２ガイド６２および基板保持部５０と同等の要素が設けられていることとなる。そして、第３実施形態においても、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態から、基板Ｗが拡張保持部９１によって低処理位置に保持される第２状態に切り替えられる。これにより、洗浄効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に洗浄することができる。

【0084】

また、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持されているときには、第１ガイド６１によって基板Ｗの傾倒が防止される。基板Ｗが拡張保持部９１によって低処理位置に保持されているときには、拡張保持部９１によって基板Ｗの傾倒が防止される。すなわち、基板Ｗが高処理位置および低処理位置のいずれに保持されているときにも、基板Ｗの傾倒を防止することができる。従って、第３実施形態のようにしても、基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができるのである。

【0085】

さらに、第３実施形態においては、第２ガイド６２と基板保持部５０とを一体化した拡張保持部９１を設けているため、第２ガイド６２および基板保持部５０を個別に製作するのに比較して製作コストを低くすることができる。一体化した拡張保持部９１を処理槽１０に取り付けるのであれば位置合わせも一回で足り、取り付けに要する工数も削減することができる。加えて、一体化した拡張保持部９１を処理槽１０に取り付けるのであれば必要なボルト数も最小限とすることができ、処理槽１０内における処理液が滞留しやすくなる箇所を少なくして処理液の滞留を生じにくくすることができる。なお、一体化した拡張保持部９１を設ける点以外の第３実施形態の残余の構成については第１実施形態と同じである。

【0086】

＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図８は、第４実施形態の処理部の要部構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図２等）と同一の要素については同一の符号を付している。

【0087】

第４実施形態では、第２ガイド６２および基板保持部５０を処理槽１０に設けているものの、第１ガイド６１を内槽１１に取り付けていない。処理槽１０の上部開口を覆うように蓋部（オートカバー）９５が設けられている。蓋部９５は、図示省略の駆動機構によって矢印ＡＲ８に示すような開閉動作を行い、処理槽１０の上部開口を開閉する。蓋部９５が閉じた状態では蓋部９５は処理槽１０の上部開口を覆う。蓋部９５が開いた状態では処理槽１０の上部開口が開放され、リフター２０によって基板Ｗを浸漬位置と引き上げ位置との間で昇降させることができる。

【0088】

蓋部９５の下面には上部ガイド９６が設けられている。上部ガイド９６には、第１ガイド６１および第２ガイド６２と同様に、Ｙ方向に沿って凹凸が繰り返し形設されている。リフター２０によって基板Ｗが高処理位置に保持されている状態で蓋部９５が閉じると、基板Ｗの周縁部上部が上部ガイド９６に形設された凹部の内側に入り込む。すなわち、第４実施形態においては、第１実施形態の第１ガイド６１に代えて蓋部９５に上部ガイド９６を設けているのである。

【0089】

第４実施形態においても、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態から、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態に切り替えられる。これにより、洗浄効率が低下する特異点を無くして基板Ｗの全面を均一に洗浄することができる。

【0090】

また、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持されているときには、上部ガイド９６によって基板Ｗの傾倒が防止される。基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持されているときには、第２ガイド６２によって基板Ｗの傾倒が防止される。すなわち、基板Ｗが高処理位置および低処理位置のいずれに保持されているときにも、基板Ｗの傾倒を防止することができる。従って、第４実施形態のようにしても、基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。

【0091】

さらに、第４実施形態においては、高処理位置に保持されている基板Ｗは、リフター２０の保持棒２１によって下方から保持されるとともに、上部ガイド９６によって上方から位置規制される。このため、処理槽１０内の水流の影響によって基板Ｗが揺れ動いたとしても、基板Ｗが傾倒するのをより確実に防ぐことができる。

【0092】

＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第１実施形態では、リフター２０によって基板Ｗを高処理位置に保持した後に、基板保持部５０によって基板Ｗを低処理位置に保持していたが、この順番は逆であっても良い。すなわち、先にリフター２０が下部浸漬位置にまで下降して基板保持部５０によって基板Ｗを低処理位置に保持した後に、リフター２０が上部浸漬位置に上昇してリフター２０によって基板Ｗを高処理位置に保持するようにしても良い。

【0093】

また、基板Ｗがリフター２０によって高処理位置に保持される第１状態と、基板Ｗが基板保持部５０によって低処理位置に保持される第２状態との切り替えを複数回繰り返すように制御部７０が昇降駆動機構２４を制御するようにしても良い。すなわち、リフター２０が上部浸漬位置と下部浸漬位置とに繰り返し往復昇降移動することによって、基板Ｗが高処理位置に保持される第１状態と基板Ｗが低処理位置に保持される第２状態とを複数回繰り返すようにしても良い。このようにすれば、基板Ｗの全面をより均一に洗浄することができる。

【0094】

また、第２実施形態では第１ガイド６１と第２ガイド６２とを一体化し、第３実施形態では第２ガイド６２と基板保持部５０とを一体化していたが、第１ガイド６１、第２ガイド６２および基板保持部５０の全てを一体化するようにしても良い。このようにすれば、処理槽１０内にて処理液の滞留が生じやすくなる箇所をさらに低減することが可能となる。

【0095】

また、上記各実施形態においては、薬液処理が行われた基板Ｗにリンス処理を行う水洗槽である処理部１２２に基板保持部およびガイド部を設けていたが、これに限定されるものではない。基板Ｗに薬液処理を行う薬液槽である処理部１２１に上記各実施形態と同様の基板保持部およびガイド部を設けるようにしても良い。或いは、１つの処理槽内にて薬液と純水とを順次に入れ替え、その処理槽にて薬液処理とリンス処理との双方を行う処理部に上記各実施形態と同様の基板保持部およびガイド部を設けるようにしても良い。このようにしても、基板Ｗの傾倒を防止しつつ、基板Ｗの表面処理の均一性を維持することができる。

【符号の説明】

【0096】

１０ 処理槽
１１ 内槽
１２ 外槽
２０ リフター
２１ 保持棒
２４ 昇降駆動機構
３０ 処理液供給部
３１ ノズル管
５０ 基板保持部
６１ 第１ガイド
６２ 第２ガイド
７０ 制御部
８１ 統合ガイド
９１ 拡張保持部
９５ 蓋部
９６ 上部ガイド
１００ 基板処理装置
１２１，１２２，１２３，１２４，１２５ 処理部
１８０ 主搬送ロボット
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】