特開 2024-53414 センシング端末およびセンシング方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024053414

(43)【公開日】2024-04-15

(54)【発明の名称】センシング端末およびセンシング方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/02 20060101AFI20240408BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240408BHJP

【ＦＩ】

H01L21/02 Z

H01L21/304 648G

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022159683

(22)【出願日】2022-10-03

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100168583

【弁理士】

【氏名又は名称】前井 宏之

(72)【発明者】

【氏名】斎藤 奎介

(72)【発明者】

【氏名】加門 宏章

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB45

5F157AB49

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157BB22

5F157BB45

5F157CE83

5F157CF42

5F157CF44

5F157DC81

(57)【要約】

【課題】消費電力を削減可能なセンシング端末およびセンシング方法を提供する。
【解決手段】センシング端末５００は、検出センサ５１１と、制御部５２０と、バッテリー５５０と、加速度センサ５１２とを備える。検出センサ５１１は、基板処理装置１００内部の環境を検出する。制御部５２０は、検出センサ５１１の検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。バッテリー５５０は、制御部５２０に電力を供給する。加速度センサ５１２は、加速度を検出する。制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

製造装置内部の環境を検出する検出センサと、
前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能な制御部と、
前記制御部に電力を供給するバッテリーと、
加速度を検出する加速度センサと
を備え、
前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、センシング端末。

【請求項2】

前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、前記加速度センサの検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、請求項１に記載のセンシング端末。

【請求項3】

前記制御部は、
前記パターンと前記位置との少なくとも一方に基づいて、前記センシング端末が所定位置に配置されたか否かを判定し、
前記所定位置に配置されたと判定した場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移する、請求項２に記載のセンシング端末。

【請求項4】

前記制御部は、
前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記センシング端末が前記所定位置から移動されたか否かを判定し、
前記所定位置から移動されたと判定した場合、前記アクティブ状態から前記スリープ状態に遷移する、請求項３に記載のセンシング端末。

【請求項5】

前記制御部は、
前記加速度センサの検出結果と、所定の閾値とを比較し、
比較した結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する、請求項１に記載のセンシング端末。

【請求項6】

前記制御部は、
前記加速度センサの検出結果が前記所定の閾値以上になったか否かを判定し、
前記所定の閾値以上になった場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移する、請求項５に記載のセンシング端末。

【請求項7】

前記製造装置は、半導体デバイスを製造する半導体製造装置である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のセンシング端末。

【請求項8】

製造装置内部の環境を検出する検出センサと、加速度センサと、制御部と、前記制御部に電力を供給するバッテリーとを備えたセンシング端末を用いたセンシング方法であって、
前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能であり、
前記センシング方法は、
前記加速度センサが加速度を検出するステップと、
前記制御部が、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移するステップと
を含む、センシング方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、センシング端末およびセンシング方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板を処理する基板処理装置等の半導体製造装置が知られている。半導体製造装置では、処理工程における処理状態を把握するため、処理中の基板の表面温度、および、処理液の温度等の装置内部の環境を計測することが求められる。そこで、半導体製造装置内部の環境を検出するためのセンシング端末が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１には、ウエハ形状を有するプロセス条件測定デバイス（以下、測定デバイスと記載する）が記載されている。測定デバイスは、シリコンウエハ等からなる基板と、基板に配置される複数のセンサ、マイクロプロセッサ、記憶部およびバッテリー等とを含む。複数のセンサによって、半導体製造装置内部の環境を検出することが可能である。また、測定デバイスは、バッテリーに蓄えられた電力によって動作する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特表２００７－５３６７２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、バッテリーからの給電によって動作するセンシング端末では、長時間にわたって検出動作を実行できるように、消費電力を抑えることが求められる。特許文献１に記載の測定デバイスでは、データの記憶操作の間の設定間隔を大きくしたり、記憶部に保存するデータを圧縮したりすることによって、消費電力の削減を図っている。

【0005】

しかしながら、例えば、センシング端末が所定位置にあるときの環境データ、または、半導体製造装置が所定の処理を実行しているときの環境データが必要となる場合がある。この場合、センシング端末が所定位置にないとき、または、半導体製造装置が所定の処理を実行していないときに、制御部が環境データを取得して所定の動作を実行すると、余計な電力を消費してしまうという問題点がある。

【0006】

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、消費電力を抑えることが可能なセンシング端末およびセンシング方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一局面によれば、センシング端末は、検出センサと、制御部と、バッテリーと、加速度センサとを備える。前記検出センサは、製造装置内部の環境を検出する。前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。前記バッテリーは、前記制御部に電力を供給する。前記加速度センサは、加速度を検出する。前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移する。

【0008】

ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、前記加速度センサの検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移してもよい。

【0009】

ある実施形態では、前記制御部は、前記パターンと前記位置との少なくとも一方に基づいて、前記センシング端末が所定位置に配置されたか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定位置に配置されたと判定した場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移してもよい。

【0010】

ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記センシング端末が前記所定位置から移動されたか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定位置から移動されたと判定した場合、前記アクティブ状態から前記スリープ状態に遷移してもよい。

【0011】

ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果と、所定の閾値とを比較してもよい。前記制御部は、比較した結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移してもよい。

【0012】

ある実施形態では、前記制御部は、前記加速度センサの検出結果が前記所定の閾値以上になったか否かを判定してもよい。前記制御部は、前記所定の閾値以上になった場合、前記スリープ状態から前記アクティブ状態に遷移してもよい。

【0013】

ある実施形態では、前記製造装置は、半導体デバイスを製造する半導体製造装置であってもよい。

【0014】

本発明の別の局面によれば、センシング方法は、製造装置内部の環境を検出する検出センサと、加速度センサと、制御部と、前記制御部に電力を供給するバッテリーとを備えたセンシング端末を用いたセンシング方法である。前記制御部は、前記検出センサの検出結果に基づいて所定の動作を実行するアクティブ状態と、前記アクティブ状態に比べて電力消費量が少ないスリープ状態との間で遷移可能である。前記センシング方法は、前記加速度センサが加速度を検出するステップと、前記制御部が、前記加速度センサの検出結果に基づいて、前記アクティブ状態と前記スリープ状態との間で遷移するステップとを含む。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、消費電力を削減可能なセンシング端末およびセンシング方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】第１実施形態のセンシング端末によってセンシングされる基板処理装置の模式的な平面図である。

【図2】基板処理装置における基板処理ユニットの模式図である。

【図3】センシング端末の構成を概略的に示すブロック図である。

【図4】加速度センサの検出結果に基づいて生成される加速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。

【図5】加速度センサの検出結果に基づいて生成される速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。

【図6】基板処理装置による基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【図7】センシング端末によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。

【図8】第２実施形態のセンシング端末が基板処理装置の基板保持部に取り付けられた状態を示す模式図である。

【図9】第２実施形態のセンシング端末によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照して、本発明によるセンシング端末およびセンシング方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。本実施形態では、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

【0018】

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態によるセンシング端末５００は、製造装置内部の環境をセンシングする装置である。センシング端末５００がセンシングする製造装置の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、半導体製造装置である。半導体製造装置は、半導体デバイスを製造するための装置である。また、本実施形態では、センシング端末５００がセンシングする半導体製造装置は、基板を処理する基板処理装置１００である。つまり、センシング端末５００は、基板処理装置１００内部の環境をセンシングする。なお、基板処理装置１００は、本発明の「製造装置」および「半導体製造装置」の一例である。また、センシング端末５００は、半導体製造装置以外の、例えば、パネルを製造するパネル製造装置の内部の環境、または、被印刷体に印刷して印刷物を製造する印刷機の内部の環境をセンシングしてもよい。

【0019】

理解を容易にするために、本発明の第１実施形態のセンシング端末５００を説明する前に、まず、図１および図２を参照して、基板処理装置１００について説明する。図１は、第１実施形態のセンシング端末５００によってセンシングされる基板処理装置１００の模式的な平面図である。

【0020】

基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去、および、洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。

【0021】

基板Ｗは、半導体基板として用いられる。基板Ｗは、半導体ウエハを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを一枚ずつ処理する。

【0022】

図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１０と、処理液キャビネット１１０と、処理液ボックス１２０と、複数のロードポート１３０と、インデクサーロボット１４０と、センターロボット１５０と、制御装置１０１とを備える。制御装置１０１は、ロードポート１３０、インデクサーロボット１４０およびセンターロボット１５０を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。

【0023】

ロードポート１３０の各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボット１４０は、ロードポート１３０とセンターロボット１５０との間で基板Ｗを搬送する。センターロボット１５０は、インデクサーロボット１４０と基板処理ユニット１０との間で基板Ｗを搬送する。基板処理ユニット１０の各々は、基板Ｗに処理液を吐出して、基板Ｗを処理する。処理液は、例えば、薬液、洗浄液、除去液および／または撥水剤を含む。処理液キャビネット１１０は、処理液を収容する。なお、処理液キャビネット１１０は、ガスを収容してもよい。

【0024】

具体的には、複数の基板処理ユニット１０は、平面視においてセンターロボット１５０を取り囲むように配置された複数のタワー１６０（図１では４つのタワー１６０）を形成している。各タワー１６０は、上下に積層された複数の基板処理ユニット１０（図１では３つの基板処理ユニット１０）を含む。処理液ボックス１２０は、それぞれ、複数のタワー１６０に対応している。処理液キャビネット１１０内の液体は、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワー１６０に含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。また、処理液キャビネット１１０内のガスは、いずれかの処理液ボックス１２０を介して、処理液ボックス１２０に対応するタワー１６０に含まれる全ての基板処理ユニット１０に供給される。

【0025】

基板処理装置１００において、センターロボット１５０および基板処理ユニット１０の設置された領域と、処理液キャビネット１１０の設置された領域との間には、境界壁１７０が配置される。処理液キャビネット１１０は、基板処理装置１００のうちの境界壁１７０の外側部分の領域の一部の空間を区画する。

【0026】

典型的には、処理液キャビネット１１０は、処理液を調製するための調製槽（タンク）を有する。処理液キャビネット１１０は、１種類の処理液のための調製槽を有してもよく、複数種類の処理液のための調製槽を有してもよい。また、処理液キャビネット１１０は、処理液を流通するためのポンプ、ノズルおよび／またはフィルターを有する。

【0027】

ここでは、処理液キャビネット１１０は、第１処理液キャビネット１１０１と、第２処理液キャビネット１１０２とを有する。第１処理液キャビネット１１０１および第２処理液キャビネット１１０２は互いに対向して配置される。

【0028】

制御装置１０１は、基板処理装置１００の各種動作を制御する。

【0029】

制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、プロセッサを有する。制御部１０２は、例えば、中央処理演算機（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ：ＣＰＵ）を有する。または、制御部１０２は、汎用演算機を有してもよい。

【0030】

記憶部１０４は、データおよびコンピュータプログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容および処理手順を規定する。

【0031】

記憶部１０４は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部１０２は、記憶部１０４の記憶しているコンピュータプログラムを実行して、基板処理動作を実行する。

【0032】

次に、図２を参照して、基板処理装置１００における基板処理ユニット１０を説明する。図２は、基板処理装置１００における基板処理ユニット１０の模式図である。

【0033】

基板処理ユニット１０は、チャンバー１１と、基板保持部２０と、処理液供給部３０とを備える。

【0034】

チャンバー１１は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１は、基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１内に収容され、チャンバー１１内で処理される。チャンバー１１には、基板保持部２０および処理液供給部３０のそれぞれの少なくとも一部が収容される。

【0035】

基板保持部２０は、基板Ｗを保持する。基板保持部２０は、基板Ｗの上面（表面）Ｗａを上方に向け、基板Ｗの裏面（下面）Ｗｂを鉛直下方に向くように基板Ｗを水平に保持する。また、基板保持部２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。例えば、基板Ｗの上面Ｗａには、リセスの形成された積層構造が設けられている。基板保持部２０は、基板Ｗを保持したまま基板Ｗを回転させる。

【0036】

例えば、基板保持部２０は、基板Ｗの端部を挟持する挟持式であってもよい。あるいは、基板保持部２０は、基板Ｗを裏面Ｗｂから保持する任意の機構を有してもよい。例えば、基板保持部２０は、バキューム式であってもよい。この場合、基板保持部２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部を上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持する。あるいは、基板保持部２０は、複数のチャックピンを基板Ｗの周端面に接触させる挟持式とバキューム式とを組み合わせてもよい。

【0037】

例えば、基板保持部２０は、スピンベース２１と、チャック部材２２と、シャフト２３と、電動モーター２４と、ハウジング２５とを含む。チャック部材２２は、スピンベース２１に設けられる。チャック部材２２は、基板Ｗをチャックする。典型的には、スピンベース２１には、複数のチャック部材２２が設けられる。

【0038】

シャフト２３は、中空軸である。シャフト２３は、回転軸線Ａｘに沿って鉛直方向に延びている。シャフト２３の上端には、スピンベース２１が結合されている。基板Ｗは、スピンベース２１の上方に載置される。

【0039】

スピンベース２１は、円板状であり、基板Ｗを水平に支持する。シャフト２３は、スピンベース２１の中央部から下方に延びる。電動モーター２４は、シャフト２３に回転力を与える。電動モーター２４は、シャフト２３を回転方向に回転させることにより、回転軸線Ａｘを中心に基板Ｗおよびスピンベース２１を回転させる。ハウジング２５は、シャフト２３および電動モーター２４の周囲を囲んでいる。

【0040】

処理液供給部３０は、基板Ｗに処理液を供給する。典型的には、処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液供給部３０の少なくとも一部は、チャンバー１１内に収容される。

【0041】

処理液供給部３０は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、いわゆる薬液を含んでもよい。薬液は、例えば、フッ酸を含む。例えば、フッ酸は、４０℃以上７０℃以下に加熱されてもよく、５０℃以上６０℃以下に加熱されてもよい。ただし、フッ酸は、加熱されなくてもよい。また、薬液は、水または燐酸を含んでもよい。

【0042】

さらに、薬液は、過酸化水素水を含んでもよい。また、薬液は、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）または王水（濃塩酸と濃硝酸との混合物）を含んでもよい。

【0043】

または、処理液は、いわゆる洗浄液（リンス液）を含んでもよい。例えば、洗浄液は、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ：ＤＩＷ）、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、アンモニア水、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水、または、還元水（水素水）のいずれかを含んでもよい。

【0044】

処理液供給部３０は、配管３２と、ノズル３４と、バルブ３６とを含む。ノズル３４は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を吐出する。ノズル３４は、配管３２に接続される。配管３２には、供給源から処理液が供給される。バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。ノズル３４は、基板Ｗに対して移動可能に構成されていることが好ましい。

【0045】

バルブ３６は、配管３２内の流路を開閉する。バルブ３６は、配管３２の開度を調節して、配管３２に供給される処理液の流量を調整する。具体的には、バルブ３６は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。

【0046】

ノズル３４は移動可能であってもよい。本実施形態では、ノズル３４は、移動可能に構成されている。具体的には、処理液供給部３０は、移動機構３８をさらに含む。移動機構３８は、ノズル３４を移動させる。ノズル３４は、制御部１０２によって制御される移動機構３８にしたがって水平方向および／または鉛直方向に移動できる。

【0047】

詳細には、移動機構３８は、アーム３８１と、回転シャフト３８２と、駆動機構３８３とを含む。アーム３８１は、略水平方向に延びる。アーム３８１の一端には、ノズル３４が固定される。アーム３８１の他端には、回転シャフト３８２が固定される。回転シャフト３８２は、略鉛直方向に延びる。駆動機構３８３は、回転シャフト３８２の中心軸線回りに回転シャフト３８２を回転させる。これにより、回転シャフト３８２を中心として、アーム３８１およびノズル３４が回転する。なお、駆動機構３８３は、回転シャフト３８２を略鉛直方向に移動させてもよい。この場合、アーム３８１およびノズル３４が略鉛直方向に移動する。

【0048】

基板処理ユニット１０は、カップ８０をさらに備える。カップ８０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。カップ８０は昇降する。例えば、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間にわたって基板Ｗの側方にまで鉛直上方に上昇する。この場合、カップ８０は、基板Ｗの回転によって基板Ｗから飛散する処理液を回収する。また、カップ８０は、処理液供給部３０が基板Ｗに処理液を供給する期間が終了すると、基板Ｗの側方から鉛直下方に下降する。

【0049】

上述したように、制御装置１０１は、制御部１０２および記憶部１０４を含む。制御部１０２は、基板保持部２０、処理液供給部３０および／またはカップ８０を制御する。一例では、制御部１０２は、電動モーター２４、バルブ３６および／またはカップ８０を制御する。

【0050】

本実施形態の基板処理装置１００は、半導体の設けられた半導体素子の作製に好適に用いられる。典型的には、半導体素子において、基材の上に導電層および絶縁層が積層される。基板処理装置１００は、半導体素子の製造時に、導電層および／または絶縁層の洗浄および／または加工（例えば、エッチング、特性変化等）に好適に用いられる。

【0051】

なお、図２に示した基板処理ユニット１０では、処理液供給部３０は、１種類の処理液を供給可能である。ただし、本実施形態はこれに限定されない。処理液供給部３０は、複数種類の処理液を供給してもよい。例えば、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに順次供給可能であってもよい。あるいは、処理液供給部３０は、用途の異なる複数種類の処理液を基板Ｗに同時に供給可能であってもよい。

【0052】

次に、図３を参照して、本実施形態のセンシング端末５００について説明する。図３は、センシング端末５００の構成を概略的に示すブロック図である。図３に示すように、センシング端末５００は、センサ部５１０と、制御部５２０と、記憶部５３０と、通信部５４０と、バッテリー５５０とを備える。なお、制御部５２０は、本発明の「制御部」の一例である。

【0053】

センサ部５１０は、検出センサ５１１と、加速度センサ５１２とを有する。検出センサ５１１は、製造装置内部の環境を検出する。本実施形態では、検出センサ５１１は、基板処理装置１００内部の環境を検出する。

【0054】

検出センサ５１１が検出する環境は、特に限定されるものではないが、例えば、温度、気圧、液圧、ガスまたは液等の流体の流量、流体の成分、電圧値、電流値、エッチング速度、基板Ｗ上の膜の厚みである。検出センサ５１１が検出する環境の数は、特に限定されるものではなく、検出センサ５１１は、１つ以上の環境を検出すればよい。本実施形態では、検出センサ５１１は、１つの環境を検出する。また、検出センサ５１１の数は、特に限定されるものではなく、１つ以上あればよい。本実施形態では、検出センサ５１１の数は、１つである。

【0055】

検出センサ５１１は、加速度センサ以外のセンサである。本実施形態では、検出センサ５１１は、温度を検出する温度センサである。検出センサ５１１の種類は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、検出センサ５１１は、例えば、熱電対またはサーミスタを含む。なお、検出センサ５１１は、接触型のセンサであってもよいし、非接触型のセンサであってもよい。

【0056】

検出センサ５１１は、基板処理装置１００内部の環境を一定時間毎に検出する。検出センサ５１１は、検出結果を制御部５２０に送信する。具体的には、検出センサ５１１は、検出結果を示す信号を制御部５２０に送信する。

【0057】

加速度センサ５１２は、加速度を検出する。加速度センサ５１２の種類は、特に限定されるものではないが、例えば、静電容量方式のセンサ、または、ピエゾ抵抗方式のセンサを用いることができる。

【0058】

センシング端末５００は、例えば、製造装置内部で移動可能な部材または装置（以下、部材等と記載することがある）に固定される。加速度センサ５１２は、自身の加速度を検出する。言い換えると、加速度センサ５１２は、検出センサ５１１の加速度、センシング端末５００の加速度、および、センシング端末５００が固定される部材等の加速度を検出する。加速度センサ５１２は、加速度を一定時間毎に検出する。加速度センサ５１２による検出の間隔は、検出センサ５１１による検出の間隔に比べて長くてもよい。加速度センサ５１２は、検出結果を制御部５２０に送信する。具体的には、加速度センサ５１２は、検出結果を示す信号を制御部５２０に送信する。なお、後述するように、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果である加速度に基づいて、速度、移動距離および位置の少なくとも１つを算出することが可能である。

【0059】

制御部５２０は、例えば、マイクロコンピュータ（マイクロコントローラともいう）を含む。マイクロコンピュータは、例えば、マイクロプロセッサおよびメモリを有する。制御部５２０は、メモリに記憶されたプログラムを実行することによって、種々の処理を行う。なお、制御部５２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、またはＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサであってもよい。

【0060】

例えば、制御部５２０は、検出センサ５１１の検出結果に基づいて、検出値の時系列データを生成する。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、例えば、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。

【0061】

記憶部５３０は、データを記憶する。記憶部５３０は、例えば、検出センサ５１１の検出結果を記憶する。具体的には、記憶部５３０は、例えば、検出センサ５１１の検出値の時系列データを記憶する。また、記憶部５３０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果をさらに記憶してもよい。また、記憶部５３０は、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データを記憶してもよい。この場合、制御部５２０は、加速度センサ５１２からの信号を検出値に変換して検出値の時系列データを生成し、生成した時系列データを圧縮して記憶部５３０に記憶してもよい。また、記憶部５３０は、各種プログラムをさらに記憶してもよい。

【0062】

記憶部５３０は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリおよび／またはハードディスクドライブである。記憶部１０４はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。

【0063】

通信部５４０は、通信機である。通信部５４０は、有線または無線によって、センシング端末５００以外の装置にデータを送信する。通信部５４０は、例えば、インターフェースを含む。なお、通信部５４０は、アンテナを含んでもよい。記憶部５３０に記憶されたデータは、通信部５４０を介してセンシング端末５００以外の装置（以下、受信装置と記載することがある）に送信される。記憶部５３０に記憶されたデータ（例えば、検出センサ５１１の検出結果、または、時系列データ）は、例えば、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに、通信部５４０を介して受信装置に送信される。

【0064】

バッテリー５５０は、制御部５２０に電力を供給する。バッテリー５５０に蓄えられた電力によって、センシング端末５００がセンシングを実行する。バッテリー５５０は、特に限定されるものではないが、例えば、リチウムイオンバッテリーである。なお、バッテリー５５０は、リチウムイオンバッテリー以外のバッテリーでもよい。

【0065】

また、バッテリー５５０は、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに、外部電源によって充電される。例えば、バッテリー５５０は、後述する退避位置にセンシング端末５００が配置されているときに、外部電源によって充電される。なお、バッテリー５５０は、センシング端末５００から取り外された状態で、外部電源によって充電されてもよい。

【0066】

引き続き、制御部５２０について説明する。制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移可能である。アクティブ状態は、検出センサ５１１の検出結果に基づいて制御部５２０が所定の動作を実行する状態である。所定の動作は、例えば、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換することを含む。また、所定の動作は、例えば、検出センサ５１１からの信号に基づいて、検出値の時系列データを生成することを含む。また、所定の動作は、例えば、時系列データを圧縮して記憶部５３０に記憶することを含む。

【0067】

スリープ状態は、アクティブ状態に比べて電力消費量が少ない状態である。スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換しない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、検出値の時系列データを生成しない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、時系列データを圧縮したり、記憶部５３０に記憶したりしない状態を含む。また、スリープ状態は、例えば、制御部５２０が、環境を検出するための電力を検出センサ５１１に供給しない状態を含んでもよい。

【0068】

センシング端末５００の取付位置は、特に限定されるものではないが、本実施形態では、図２に示すように、センシング端末５００は、例えば、ノズル３４に取り付けられる。また、本実施形態では、センシング端末５００は、ノズル３４を通過する処理液の温度、または、ノズル３４の温度を検出する。センシング端末５００は、ノズル３４が所定位置（例えば、基板Ｗの上方）に配置された状態において、処理液の温度またはノズル３４の温度を検出する。

【0069】

制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるときのみ、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを抑制できる。その結果、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。本実施形態では、例えば、ノズル３４が基板Ｗの上方の所定位置にないときにおける、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。

【0070】

本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される時系列データのパターンと、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて算出される位置との少なくとも一方に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かに基づいて、制御部５２０はアクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移できる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。さらに、制御部５２０による所定の動作の実行を抑制できるので、記憶部５３０に記憶するデータ量を抑制できる。よって、記憶部５３０を小型化することも可能である。

【0071】

具体的には、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、時系列データを生成する。また、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、時系列データのパターンを生成する。図４は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される加速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。図５は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて生成される速度に関する時系列データのパターンの一例を示す図である。時系列データのパターンは、加速度に関する時系列データのパターン（図４参照）であってもよい。また、時系列データのパターンは、速度に関する時系列データのパターン（図５参照）であってもよい。また、時系列データのパターンは、位置に関する時系列データのパターン（図示せず）であってもよい。このように、時系列データのパターンは、例えば、加速度、速度または位置を縦軸に、時間を横軸にしたものである。基板処理装置１００が同じ処理を実行する場合、例えば、加速度センサ５１２が取り付けられる部材（ここでは、ノズル３４）の時系列データのパターンは、略同じパターンになる。

【0072】

また、具体的には、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、センシング端末５００の位置を算出する。言い換えると、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、加速度センサ５１２の位置、検出センサ５１１の位置、または、センシング端末５００が固定される部材等の位置を算出する。例えば、センシング端末５００の位置は、退避位置におけるセンシング端末５００の位置（例えば、ホームポジション）に対して、センシング端末５００の移動方向および移動距離を積算することによって、算出される。センシング端末５００の移動方向および移動距離は、例えば、加速度センサ５１２の検出値を２回積分することによって算出可能である。

【0073】

また、本実施形態では、制御部５２０は、時系列データのパターン（図４および図５参照）と、算出されるセンシング端末５００の位置との少なくとも一方に基づいて、検出センサ５１１が所定位置に配置されたか否かを判定する。従って、時系列データのパターンと、算出される位置との少なくとも一方に基づいて、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かを容易に判定できる。そして、制御部５２０は、所定位置に配置されたと判定した場合、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。従って、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。

【0074】

また、本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定し、所定位置から移動されたと判定した場合、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。従って、時系列データのパターンと算出される位置との少なくとも一方に基づいて、センシング端末５００が所定位置にあるか否か、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているか否かを容易に判定できる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。

【0075】

次に、理解を容易にするために、センシング端末５００によるセンシング方法を説明する前に、図６を参照して、基板処理装置１００による基板処理方法の一例を説明する。図６は、基板処理装置１００による基板処理方法の一例を示すフローチャートである。

【0076】

本実施形態の基板処理装置１００による基板処理方法の一例は、ステップＳ１～ステップＳ６を含む。ステップＳ１～ステップＳ６は、制御部１０２によって実行される。

【0077】

図６に示すように、ステップＳ１において、制御部５２０は、ノズル３４を吐出位置へ移動させる。具体的には、制御部５２０は、駆動機構３８３により、ノズル３４を退避位置から吐出位置へ移動させる。例えば、退避位置は、基板Ｗの上方から水平方向に移動した位置である。つまり、退避位置は、基板Ｗの上方以外の位置である。吐出位置は、基板Ｗの上方の位置である。吐出位置は、ノズル３４から処理液を吐出する際にノズル３４が配置される位置である。

【0078】

次に、ステップＳ２において、制御部５２０は、基板保持部２０により、基板Ｗを回転させる。具体的には、制御部５２０は、電動モーター２４によりスピンベース２１を回転させることによって、基板Ｗを回転させる。なお、本実施形態では、ノズル３４を吐出位置へ移動させた後に、基板Ｗの回転を開始するが、基板Ｗの回転を開始した後にノズル３４を吐出位置へ移動させてもよいし、ノズル３４の吐出位置への移動と基板Ｗの回転の開始とを並行して行ってもよい。

【0079】

次に、ステップＳ３において、制御部５２０は、ノズル３４から処理液を吐出させる。処理液は、図示しないヒータにより所定温度に加熱された状態で、ノズル３４から基板Ｗ上に吐出される。これにより、基板Ｗに対して所定の処理（エッチング等）が施される。

【0080】

次に、ステップＳ４において、制御部５２０は、ノズル３４からの処理液の吐出を停止する。具体的には、ステップＳ３による処理液の吐出を開始してから所定時間経過すると、制御部５２０は、処理液の吐出を停止する。

【0081】

次に、ステップＳ５において、制御部５２０は、基板Ｗの回転を停止する。具体的には、制御部５２０は、電動モーター２４によるスピンベース２１の回転を停止することによって、基板Ｗの回転を停止する。

【0082】

次に、ステップＳ６において、制御部５２０は、ノズル３４を退避位置へ移動させる。具体的には、制御部５２０は、駆動機構３８３により、ノズル３４を吐出位置から退避位置へ移動させる。なお、本実施形態では、基板Ｗの回転を停止した後に、ノズル３４を退避位置へ移動させるが、ノズル３４を退避位置へ移動させた後に基板Ｗの回転を停止してもよいし、基板Ｗの回転の停止とノズル３４の退避位置への移動とを並行して行ってもよい。

【0083】

以上のようにして、基板Ｗに対する処理が終了する。

【0084】

次に、本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法について説明する。図７は、センシング端末５００によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。

【0085】

本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法は、ステップＳ１０１～ステップＳ１０５を含む。ステップＳ１０１～ステップＳ１０５は、制御部５２０によって実行される。なお、ステップＳ１０１およびステップＳ１０４は、本発明の「加速度センサが加速度を検出するステップ」の一例である。また、ステップＳ１０２およびステップＳ１０５は、本発明の「アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移するステップ」の一例である。

【0086】

図７に示すように、ステップＳ１０１において、制御部５２０は、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。なお、ステップＳ１０１では、制御部５２０は、スリープ状態になっている。

【0087】

具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が退避位置から吐出位置に移動する際に、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。詳細には、加速度センサ５１２は、水平方向の加速度が大きくなっていることを検出する。制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいて時系列データのパターン（図４および図５参照）を生成し、時系列データのパターンに基づいてセンシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。または、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果に基づいてセンシング端末５００の位置を算出し、算出した位置に基づいてセンシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。なお、制御部５２０は、時系列データのパターンと算出した位置との両方に基づいて、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定してもよい。

【0088】

例えば、制御部５２０は、生成した時系列データのパターンと、予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとを比較する。例えば、制御部５２０は、生成した時系列データのパターンと予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとの一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。

【0089】

または、例えば、制御部５２０は、算出した位置と、予め記憶部５３０に記憶された目標位置とを比較する。例えば、制御部５２０は、算出した位置と予め記憶部５３０に記憶された目標位置との一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置に配置されたか否かを判定する。

【0090】

ステップＳ１０１で、センシング端末５００が所定位置に配置されていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０１を繰り返す。具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が吐出位置に配置されるまで、処理はステップＳ１０１を繰り返す。

【0091】

その一方、ステップＳ１０１で、センシング端末５００が所定位置に配置されたと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０２に進む。具体的には、上記ステップＳ１でノズル３４が吐出位置に配置されると、処理はステップＳ１０２に進む。

【0092】

次に、ステップＳ１０２において、制御部５２０は、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。

【0093】

次に、ステップＳ１０３において、制御部５２０は、センシングを実行する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが実行される。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。

【0094】

次に、ステップＳ１０４において、制御部５２０は、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定する。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に移動する際に、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。

【0095】

例えば、制御部５２０は、ステップＳ１０１と同様にして、生成した時系列データのパターンと予め記憶部５３０に記憶された基準パターンとの一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定する。

【0096】

または、例えば、制御部５２０は、ステップＳ１０１と同様にして、算出した位置と予め記憶部５３０に記憶された退避位置との一致度が閾値以上であるか否かによって、センシング端末５００が所定位置から移動されたか否かを判定してもよい。

【0097】

ステップＳ１０４で、センシング端末５００が所定位置から移動されていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０３に戻る。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始するまで、処理はステップＳ１０３およびステップＳ１０４を繰り返す。または、上記ステップＳ６でノズル３４が退避位置に到達するまで、処理はステップＳ１０３およびステップＳ１０４を繰り返してもよい。

【0098】

その一方、ステップＳ１０４で、センシング端末５００が所定位置から移動されたと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ１０５に進む。具体的には、上記ステップＳ６でノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始すると、処理はステップＳ１０５に進む。または、上記ステップＳ６でノズル３４が退避位置に到達すると、処理はステップＳ１０５に進んでもよい。

【0099】

次に、ステップＳ１０５において、制御部５２０は、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。これにより、制御部５２０は、センシングを停止する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが停止する。具体的には、制御部５２０は、例えば、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換しない。または、制御部５２０は、変換した検出値を用いて時系列データを生成しなくてもよい。または、制御部５２０は、例えば、時系列データを圧縮したり、記憶部５３０に記憶したりしなくてもよい。または、制御部５２０は、スリープ状態に遷移することによって、例えば、検出センサ５１１からの検出結果を受信しなくてもよいし、環境を検出するための電圧を検出センサ５１１に供給しなくてもよい。

【0100】

以上のようにして、センシング端末５００によるセンシングが終了する。

【0101】

以上、図１～図７を参照して本発明の第１実施形態を説明した。本実施形態では、上記のように、例えば、センシング端末５００が所定位置にあるときのみ、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、センシング端末５００が所定位置にないとき、または、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを抑制できる。その結果、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。本実施形態では、例えば、ノズル３４が基板Ｗの上方の吐出位置にないときにおける、センシング端末５００の消費電力を抑えることができる。

【0102】

また、上記のように、ステップＳ１０４で、ノズル３４が吐出位置から退避位置に向かって移動を開始することによって、処理はステップＳ１０５に進む。従って、ノズル３４が退避位置に到達した後に処理がステップＳ１０５に進む場合に比べて、早いタイミングでアクティブ状態からスリープ状態に遷移する。よって、センシング端末５００の消費電力をより抑えることができる。

【0103】

（第２実施形態）
次に、図８を参照して、本発明の第２実施形態によるセンシング端末５００を説明する。第２実施形態では、第１実施形態とは異なり、センシング端末５００が基板保持部２０に取り付けられる例について説明する。図８は、本実施形態のセンシング端末５００が基板処理装置１００の基板保持部２０に取り付けられた状態を示す模式図である。

【0104】

図８に示すように、センシング端末５００は、基板保持部２０に取り付けられる。本実施形態では、センシング端末５００は、基板保持部２０のスピンベース２１に取り付けられる。センシング端末５００は、例えば、スピンベース２１の温度、または、スピンベース２１上に配置された基板Ｗの温度を検出する。本実施形態では、センシング端末５００は、スピンベース２１が回転している状態において、スピンベース２１の温度、または、基板Ｗの温度を検出する。

【0105】

本実施形態では、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果と、所定の閾値とを比較し、比較した結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データのパターンを生成したり、センシング端末５００の位置を算出したりしなくてよい。よって、制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移することができる。本実施形態では、例えば、基板Ｗが回転しないときにおけるセンシング端末５００の消費電力を抑えることができる。

【0106】

具体的には、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（以下、第１閾値と記載することがある）以上になったか否かを判定する。所定の閾値は、予め決められた値であり、例えば、記憶部５３０に記憶されている。所定の閾値は、例えば、ゼロより大きく、基板Ｗを処理しているときの加速度よりも小さい値である。そして、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。従って、例えば、基板処理装置１００が所定の処理を実行しているときのみ、容易に、制御部５２０による所定の動作を実行することができる。よって、基板処理装置１００が所定の処理を実行していないときに、制御部５２０が所定の動作を実行することを容易に抑制できる。

【0107】

また、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（以下、第２閾値と記載することがある）未満になったか否かを判定する。そして、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。なお、第２閾値は、第１閾値と同じであってもよいし、第１閾値と異なってもよい。

【0108】

次に、本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法について説明する。図９は、センシング端末５００によるセンシング方法の一例を示すフローチャートである。

【0109】

本実施形態のセンシング端末５００によるセンシング方法は、ステップＳ２０１～ステップＳ２０５を含む。ステップＳ２０１～ステップＳ２０５は、制御部５２０によって実行される。なお、ステップＳ２０１およびステップＳ２０４は、本発明の「加速度センサが加速度を検出するステップ」の一例である。また、ステップＳ２０２およびステップＳ２０５は、本発明の「アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移するステップ」の一例である。

【0110】

図９に示すように、ステップＳ２０１において、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（第１閾値）以上になったか否かを判定する。なお、ステップＳ２０１では、制御部５２０は、スリープ状態になっている。

【0111】

具体的には、上記ステップＳ２で基板保持部２０のスピンベース２１が回転を開始すると、加速度センサ５１２は加速度の変化を検出する。詳細には、加速度センサ５１２は、回転軸線Ａｘを中心とする径方向の加速度が大きくなったことを検出する。制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になったか否かを判定する。なお、スピンベース２１が回転していない状態では、加速度センサ５１２の検出結果は、例えばゼロである。また、スピンベース２１の回転速度が大きくなるにしたがって、加速度センサ５１２の検出結果も大きくなる。

【0112】

ステップＳ２０１で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になっていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０１を繰り返す。具体的には、上記ステップＳ２でスピンベース２１の回転速度が所定値以上になるまで、処理はステップＳ２０１を繰り返す。

【0113】

その一方、ステップＳ２０１で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になったと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０２に進む。具体的には、上記ステップＳ２でスピンベース２１の回転速度が所定値以上になると、処理はステップＳ２０２に進む。

【0114】

次に、ステップＳ２０２において、制御部５２０は、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する。

【0115】

次に、ステップＳ２０３において、制御部５２０は、センシングを実行する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが実行される。具体的には、制御部５２０は、検出センサ５１１からの信号を検出値に変換する。また、制御部５２０は、変換した検出値を用いて、検出値の時系列データを生成する。また、制御部５２０は、生成した時系列データを圧縮し、記憶部５３０に記憶する。

【0116】

次に、ステップＳ２０４において、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値（第２閾値）未満になったか否かを判定する。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転が停止される際に、スピンベース２１の回転速度は、所定値未満になった後、ゼロになる。

【0117】

ステップＳ２０４で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になっていないと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０３に戻る。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転速度が所定値未満になるまで、処理はステップＳ２０３およびステップＳ２０４を繰り返す。

【0118】

その一方、ステップＳ２０４で、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になったと制御部５２０が判定した場合、処理はステップＳ２０５に進む。具体的には、上記ステップＳ５でスピンベース２１の回転速度が所定値未満になると、処理はステップＳ２０５に進む。

【0119】

次に、ステップＳ２０５において、制御部５２０は、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する。これにより、制御部５２０は、センシングを停止する。つまり、センシング端末５００によるセンシングが停止する。

【0120】

以上のようにして、センシング端末５００によるセンシングが終了する。

【0121】

第２実施形態のその他の構成およびセンシング方法は、上記第１実施形態と同様である。

【0122】

以上、図８および図９を参照して本発明の第２実施形態を説明した。本実施形態では、上記のように、制御部５２０は、加速度センサ５１２の検出結果と、所定の閾値とを比較し、比較した結果に基づいて、アクティブ状態とスリープ状態との間で遷移する。従って、制御部５２０は、例えば、加速度センサ５１２の検出値の時系列データのパターンを生成したり、センシング端末５００の位置を算出したりしなくてよい。よって、制御部５２０は、アクティブ状態とスリープ状態との間で容易に遷移することができる。本実施形態では、例えば、基板Ｗが回転しないときにおけるセンシング端末５００の消費電力を容易に抑えることができる。

【0123】

第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。

【0124】

以上、図面を参照して本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【0125】

例えば、上記実施形態では、記憶部５３０に記憶されたデータが、センシング端末５００がセンシングを実行していないときに受信装置に送信される例について説明したが、本発明はこれに限らない。記憶部５３０に記憶されたデータは、センシング端末５００がセンシングを実行しているときに受信装置に送信されてもよい。このように構成すれば、記憶部５３０に記憶するデータ量を抑制できるので、記憶部５３０を小型化することができる。

【0126】

また、上記実施形態では、センシング端末５００がノズル３４またはスピンベース２１に取り付けられる例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、センシング端末５００は、ウエハ形状を有する端末であってもよい。このように構成すれば、例えば、処理中の基板Ｗの温度、または、処理中に基板Ｗに吐出される薬液の温度等を容易に検出できる。

【0127】

また、上記実施形態では、基板Ｗに対する処理中の環境を検出する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、インデクサーロボット１４０またはセンターロボット１５０による基板Ｗの搬送中の環境を検出してもよい。

【0128】

また、例えば第１実施形態では、センシング端末５００が所定位置に配置された場合に、制御部５２０がスリープ状態からアクティブ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、センシング端末５００が所定位置に配置された場合に、制御部５２０がアクティブ状態からスリープ状態に遷移してもよい。

【0129】

また、例えば第１実施形態では、検出センサ５１１が所定位置から移動された場合に、制御部５２０がアクティブ状態からスリープ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、検出センサ５１１が所定位置から移動された場合に、制御部５２０がスリープ状態からアクティブ状態に遷移してもよい。

【0130】

また、例えば第２実施形態では、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合に、スリープ状態からアクティブ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値以上になった場合に、アクティブ状態からスリープ状態に遷移してもよい。

【0131】

また、例えば第２実施形態では、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合に、アクティブ状態からスリープ状態に遷移する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、加速度センサ５１２の検出結果が所定の閾値未満になった場合に、スリープ状態からアクティブ状態に遷移してもよい。

【産業上の利用可能性】

【0132】

本発明は、センシング端末およびセンシング方法に好適に用いられる。

【符号の説明】

【0133】

１００ ：基板処理装置（製造装置、半導体製造装置）
５００ ：センシング端末
５１１ ：検出センサ
５１２ ：加速度センサ
５２０ ：制御部
５５０ ：バッテリー

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】