特開 2024-53416 エピタキシャルウエハ及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024053416

(43)【公開日】2024-04-15

(54)【発明の名称】エピタキシャルウエハ及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/16 20060101AFI20240408BHJP

   C30B 33/02 20060101ALI20240408BHJP

   H01L 21/365 20060101ALI20240408BHJP

   H01L 21/20 20060101ALI20240408BHJP

【ＦＩ】

C30B29/16

C30B33/02

H01L21/365

H01L21/20

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022159685

(22)【出願日】2022-10-03

(71)【出願人】

【識別番号】515277942

【氏名又は名称】株式会社ノベルクリスタルテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】110002583

【氏名又は名称】弁理士法人平田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】林 家弘

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 公平

【テーマコード（参考）】

4G077

5F045

5F152

【Ｆターム（参考）】

4G077AA03

4G077BB10

4G077FE02

4G077FE11

5F045AA03

5F045AB40

5F045AC03

5F045AC11

5F045AC13

5F045AC15

5F045AC16

5F045AC17

5F045AC19

5F045AD12

5F045AD13

5F045AD14

5F045AD15

5F045AE29

5F045DA59

5F045DP04

5F045DQ06

5F045DQ08

5F045EB03

5F045EC05

5F045EK06

5F045GH06

5F045HA16

5F152LL03

5F152LN22

5F152MM18

5F152NN19

5F152NN30

5F152NQ17

5F152NQ20

(57)【要約】

【課題】β－Ｇａ_２Ｏ_３系のエピタキシャルウエハの製造方法であって、ＨＶＰＥ法におけるエピタキシャル膜の酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いることにより不活性化した基板中のドナー不純物をより効果的に再活性化させることのできるエピタキシャルウエハの製造方法、及びその方法により製造されたエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】一実施の形態として、ＨＶＰＥ法により、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板１０をＧａＣｌガス及びＯ_２ガスに曝し、基板１０の主面１１上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜１２を成長させ、エピタキシャルウエハ１を形成する工程と、前記エピタキシャルウエハ１に、窒素雰囲気下で１２００℃以上の温度でアニール処理を施す工程と、を含む、エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＨＶＰＥ法により、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板をＧａＣｌガス及びＯ_２ガスに曝し、前記基板の主面上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜を成長させ、エピタキシャルウエハを形成する工程と、
前記エピタキシャルウエハに、窒素雰囲気下で１２００℃以上の温度でアニール処理を施す工程と、
を含む、
エピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項2】

前記アニール処理の温度が１４００℃以下である、
請求項１に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。

【請求項3】

β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板と、
前記基板上のβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜と、
を備え、
前記基板のドナー濃度が前記ドナー不純物の濃度の８０％以上であり、
前記エピタキシャル膜のＣｌ濃度が１×１０^１４ｃｍ^－３以上であり、
前記基板及び前記エピタキシャル膜のＨ濃度が３×１０^１７ｃｍ^－３以下である、
エピタキシャルウエハ。

【請求項4】

前記基板の面内のドナー濃度の最大値と最小値の中心値からの、前記基板の面内のドナー濃度のばらつきが１０％以下である、
請求項３に記載のエピタキシャルウエハ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、エピタキシャルウエハ及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ＨＶＰＥ（Halide Vapor Phase Epitaxy）法により、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板の主面上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を成長させる技術が知られている（特許文献１を参照）。特許文献１に技術においては、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板をＧａの原料ガスとしての塩化ガリウム系ガス及び酸素の原料ガスである酸素含有ガスに曝し、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板の主面上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜をエピタキシャル成長させる。

【0003】

特許文献１には、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を成長させる際の雰囲気に水素が含まれていると、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜の表面の平坦性及び結晶成長駆動力が低下するため、酸素の原料ガスとして水素を含まないＯ_２ガスを用いることが好ましいことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－９１７４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１の技術によれば、酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いる場合、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜のエピタキシャル成長中にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板がＯ_２ガスに曝されることにより、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板中のドナー不純物が不活性化してしまう。そのため、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜の形成後、窒素雰囲気下でアニール処理を施してβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶基板中のドナー不純物を再活性化する必要がある。

【0006】

本発明の目的は、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる基板上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、ＨＶＰＥ法におけるエピタキシャル膜の酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いることにより不活性化した基板中のドナー不純物をより効果的に再活性化させることのできる方法、及びその方法により製造されたエピタキシャルウエハを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記のエピタキシャルウエハの製造方法、及びエピタキシャルウエハを提供する。

【0008】

［１］ＨＶＰＥ法により、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板をＧａＣｌガス及びＯ_２ガスに曝し、前記基板の主面上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜を成長させ、エピタキシャルウエハを形成する工程と、前記エピタキシャルウエハに、窒素雰囲気下で１２００℃以上の温度でアニール処理を施す工程と、を含む、エピタキシャルウエハの製造方法。
［２］前記アニール処理の温度が１４００℃以下である、上記［１］に記載のエピタキシャルウエハの製造方法。
［３］β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板と、前記基板上のβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜と、を備え、前記基板のドナー濃度が前記ドナー不純物の濃度の８０％以上であり、前記エピタキシャル膜のＣｌ濃度が１×１０^１４ｃｍ^－３以上であり、前記基板及び前記エピタキシャル膜のＨ濃度が３×１０^１７ｃｍ^－３以下である、エピタキシャルウエハ。
［４］前記基板の面内のドナー濃度の最大値と最小値の中心値からの、前記基板の面内のドナー濃度のばらつきが１０％以下である、上記［３］に記載のエピタキシャルウエハ。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる基板上にβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルウエハの製造方法であって、ＨＶＰＥ法におけるエピタキシャル膜の酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いることにより不活性化した基板中のドナー不純物をより効果的に再活性化させることのできる方法、及びその方法により製造されたエピタキシャルウエハを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、本発明の実施の形態に係るエピタキシャルウエハの垂直断面図である。

【図2】図２は、本発明の実施の形態に係る気相成長装置の垂直断面図である。

【図3】図３は、エピタキシャルウエハにアニール処理を実施する際のアニール炉内の温度変化を示すグラフである。

【図4】図４は、エピタキシャル膜の成膜前後と１１５０～１４００℃のアニール処理を施した後の基板中のドナー不純物の活性化率を示すグラフである。

【図5】図５は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により測定した、エピタキシャルウエハ中の不純物濃度を表すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0011】

（エピタキシャルウエハの構成）
図１は、本発明の実施の形態に係るエピタキシャルウエハ１の垂直断面図である。エピタキシャルウエハ１は、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなり、ドナー不純物を含む基板１０と、基板１０の主面１１上にエピタキシャル結晶成長により形成された、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜１２を有する。

【0012】

ここで、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶とは、β－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶、又は、Ａｌ、Ｉｎ等の元素が添加されたβ－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶をいう。例えば、Ａｌ及びＩｎが添加されたβ－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶である、β型の（Ｇａ_ｘＡｌ_ｙＩｎ_{（１－ｘ－ｙ）}）_２Ｏ_３（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）単結晶である。Ａｌを添加した場合にはバンドギャップが広がり、Ｉｎを添加した場合にはバンドギャップが狭くなる。

【0013】

基板１０は、例えば、ＦＺ（Floating Zone）法やＥＦＧ（Edge-Defined Film-Fed Growth）法等の融液成長法により育成したβ－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶のバルク結晶をスライスし、表面を研磨することにより形成される。基板１０は、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物を含む。基板１０のドナー濃度は、基板１０に含まれるドナー不純物の濃度の８０％以上である。

【0014】

エピタキシャル膜１２は、ＨＶＰＥ（Halide Vapor Phase Epitaxy）法により、基板１０上に成膜される。エピタキシャル膜１２は、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇｅ等のドナー不純物や、Ｍｇ等のアクセプター不純物を含んでもよい。エピタキシャル膜１２は、Ｃｌが含まれるガスを原料ガスとして用いるＨＶＰＥ法により形成されるため、１×１０^１４ｃｍ^－３以上の濃度のＣｌを含む。

【0015】

また、エピタキシャル膜１２は、酸素の原料ガスとして、Ｈを含まないＯ_２ガスを用いて形成される。このため、基板１０及びエピタキシャル膜１２に含まれるＨの濃度は低く、３×１０^１７ｃｍ^－３以下である。

【0016】

（気相成長装置の構造）
以下に、本発明の本実施の形態に係るエピタキシャル膜１２の成長に用いる気相成長装置の構造の一例について説明する。

【0017】

図２は、本発明の実施の形態に係る気相成長装置２の垂直断面図である。気相成長装置２は、ＨＶＰＥ法用の気相成長装置であり、第１のガス導入ポート２１、第２のガス導入ポート２２、第３のガス導入ポート２３、及び排気ポート２４を有する反応炉２０と、反応炉２０の周囲に設置され、反応炉２０の内部を加熱する加熱手段２６を有する。

【0018】

反応炉２０は、Ｇａ原料が収容された反応容器２５が配置され、ガリウムの原料ガスが生成される原料反応領域Ｒ１と、基板１０が配置され、エピタキシャル膜１２の成長が行われる結晶成長領域Ｒ２を有する。反応炉２０は、例えば、石英ガラスからなる。

【0019】

反応容器２５は、例えば、石英ガラスであり、反応容器２５に収容されるＧａ原料は金属ガリウムである。

【0020】

加熱手段２６は、反応炉２０の原料反応領域Ｒ１と結晶成長領域Ｒ２を加熱することができる。加熱手段２６は、例えば、抵抗加熱式や輻射加熱式の加熱装置である。

【0021】

第１のガス導入ポート２１は、Ｃｌ_２ガス又はＨＣｌガスであるＣｌ含有ガスを不活性ガスであるキャリアガス（Ｎ_２ガス、Ａｒガス又はＨｅガス）を用いて反応炉２０の原料反応領域Ｒ１内に導入するためのポートである。第２のガス導入ポート２２は、酸素の原料ガスであるＯ_２ガスを不活性ガスであるキャリアガス（Ｎ_２ガス、Ａｒガス又はＨｅガス）を用いて反応炉２０の結晶成長領域Ｒ２へ導入するためのポートである。第３のガス導入ポート２３は、エピタキシャル膜１２にＳｉ等のドーパントを添加するための塩化物系ガス（例えば、四塩化ケイ素等）を不活性ガスであるキャリアガス（Ｎ_２ガス、Ａｒガス又はＨｅガス）を用いて反応炉２０の結晶成長領域Ｒ２へ導入するためのポートである。

【0022】

（エピタキシャル膜の成長）
以下に、本実施の形態に係るエピタキシャル膜１２の成長工程の一例について説明する。

【0023】

まず、加熱手段２６を用いて反応炉２０の原料反応領域Ｒ１の雰囲気温度を所定の温度、例えば５００～９００℃に保った状態で、第１のガス導入ポート２１からキャリアガスを用いてＣｌ含有ガスを導入し、原料反応領域Ｒ１において、上記の雰囲気温度下で反応容器２５内の金属ガリウムとＣｌ含有ガスを反応させ、ＧａＣｌガスを生成する。

【0024】

なお、エピタキシャル膜１２を成長させる際の雰囲気に水素が含まれていると、エピタキシャル膜１２の表面の平坦性及び結晶成長駆動力が低下するため、水素を含まないＣｌ_２ガスをＣｌ含有ガスとして用いることが好ましい。

【0025】

また、金属ガリウムとＣｌ含有ガスの反応から、ＧａＣｌガス以外の塩化ガリウム系ガスであるＧａＣｌ_２ガス、ＧａＣｌ_３ガス、及び（ＧａＣｌ_３）_２ガスも生成されるが、これらの塩化ガリウム系ガスのうちでＧａＣｌガスの分圧が圧倒的に高くなるため、ＧａＣｌガス以外のガスはＧａ_２Ｏ_３系単結晶の成長にほとんど寄与しない。

【0026】

次に、加熱手段２６を用いて反応炉２０の結晶成長領域Ｒ２の雰囲気温度を所定の温度、例えば８００～１１００℃に保った状態で、結晶成長領域Ｒ２において、原料反応領域Ｒ１で生成されたＧａＣｌガスと、第２のガス導入ポート２２から導入されたＯ_２ガスとを混合させ、その混合ガスに基板１０を曝し、基板１０の主面１１上にエピタキシャル膜１２をエピタキシャル成長させる。このとき、反応炉２０を収容する炉内の結晶成長領域Ｒ２における圧力を、例えば、１ａｔｍに保つ。

【0027】

ここで、Ｓｉ、Ａｌ等の添加元素を含むエピタキシャル膜１２を形成する場合には、ＧａＣｌガス及びＯ_２ガスに併せて、第３のガス導入ポート２３より、添加元素の原料ガス（例えば、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ_４）等の塩化物系ガス）も結晶成長領域Ｒ２に導入する。

【0028】

酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いることにより、Ｈ_２Ｏガス等の水素を含むガスを用いる場合と比較して、エピタキシャル膜１２を成長させる際の雰囲気に含まれる水素に起因する、エピタキシャル膜１２の表面の平坦性及び結晶成長駆動力の低下を抑えることができる。

【0029】

次に、エピタキシャルウエハ１を気相成長装置２からアニール炉へ移し、エピタキシャル膜１２の成膜中に基板１０がＯ_２ガスに曝されることにより不活性化した基板１０中のドナー不純物を再活性化するために、窒素雰囲気下で１２００℃以上の温度でアニール処理を施す。

【0030】

図３は、エピタキシャルウエハ１にアニール処理を実施する際のアニール炉内の温度変化を示すグラフである。図３に示されるように、室温からアニール処理の温度Ｔ_ａまで温度を上昇させ、温度Ｔ_ａで時間ｔの間保持し、その後、室温まで下降させる。ここで、アニール処理の温度Ｔ_ａは例えば、１２００℃以上、１４００℃以下の範囲内にある。また、温度Ｔ_ａを保持する時間ｔは、例えば、１時間以上、１０時間以下の範囲内にある。

【0031】

図４は、エピタキシャル膜１２の成膜前後（成膜前、成膜後と表記）と１１５０～１４００℃のアニール処理を施した後の基板１０中のドナー不純物の活性化率を示すグラフである。

【0032】

ドナー不純物の活性化率は、全てのドナー不純物のうちの実際にドナーとして機能しているドナー不純物の割合であり、ドナー不純物の濃度に対するドナー濃度の割合に等しい。エピタキシャル膜１２の成膜前のドナー濃度はドナー不純物の濃度にほぼ等しく、ドナー不純物の活性化率はほぼ１００%である。

【0033】

図４に示される基板１０のドナー不純物の活性化率は、エピタキシャル膜１２の成膜前のドナー濃度に対するドナー濃度の割合として求めた。基板１０のドナー濃度は、エピタキシャルウエハ１の基板１０側に化学機械研磨（ＣＭＰ）による研磨処理を施した後、基板１０に電気化学的容量電圧（ＥＣＶ）測定を実施することにより得た。

【0034】

なお、図４に係る基板１０は、ドナー不純物としてのＳｎ、Ｓｉ（Ｓｉは基板１０の原料に意図せずに含まれていたもの）を含むβ－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなる基板であるが、基板１０を構成するβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の種類やドナー不純物の種類によらず、図４と同様の結果が得られる。

【0035】

図４によれば、エピタキシャル膜１２の成膜の際に基板１０がＯ_２ガスに曝されることによりドナー不純物の活性化率が１２％まで下り、その後のアニール処理によって活性化率が回復している。

【0036】

また、図４によれば、アニール処理の温度が１２００℃以上であるときには、基板１０中のドナー不純物の活性化率が８０％以上、すなわちドナー濃度がドナー不純物の濃度の８０％以上になり、また、アニール処理の温度が大きいほど再活性化率が大きくなる。図４におけるアニール処理の温度が１１５０℃、１２００℃、１３００℃、１４００℃のときの活性化率は、それぞれ４５％、８４．８％、９５．２％、１００％である。

【0037】

アニール処理の温度が１４００℃を超えるとβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶の熱分解量が多くなるため、アニール処理の温度は１４００℃以下であることが好ましい。アニール処理の温度が１４００℃以下であるときには、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるエピタキシャル膜１２の熱分解量（熱分解による膜厚の減少量）を１μｍ以下に抑えることができる。

【0038】

次の表１に、アニール処理の温度が１４００℃であるときの、アニール処理の前後のエピタキシャル膜１２の膜厚の変化量を示す。表１は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴＩＲ）により測定された、エピタキシャル膜１２上の５つの異なる位置での膜厚の変化量を示している。

【0039】

【0040】

表１によれば、いずれの位置での膜厚の変化量も１．０μｍ以下であり、エピタキシャル膜１２の熱分解が抑えられていることがわかる。なお、アニール処理前のエピタキシャルウエハ１は無色透明であるが、およそ１２００℃以上の温度でアニール処理を施した後には、薄い水色に変化する。

【0041】

１２００℃以上の温度でのアニール処理を行うためには、例えば、アルミナ製の電気アニール炉を用いる。石英製の汎用のアニール炉では、石英の耐熱温度のために、１２００℃以上のアニール処理を実施することは困難である。通常、石英製の汎用のアニール炉で実施することができるアニール処理の温度は最高で１１５０℃程度であり、この場合の活性化率は、図４に示されるように、４５％程度である。

【0042】

また、エピタキシャルウエハ１の汚染を抑えるため、アニール処理に用いるアニール炉は、アルミナのようなＳｉやＣを含まない材料からなることが好ましい。

【0043】

１２００℃以上、１４００℃以下の温度でのアニール処理を施した場合、基板１０の面内のドナー濃度の最大値と最小値の中心値からの、基板１０の面内のドナー濃度のばらつきが１０％以下であった。

【0044】

図５は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）により測定した、エピタキシャルウエハ１中の不純物濃度を表すグラフである。図５に係るエピタキシャルウエハ１の基板１０は、Ｓｎ、Ｓｉ（Ｓｉは基板１０の原料に意図せずに含まれていたもの）をドナー不純物として含む、β－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなる基板であり、エピタキシャル膜１２は、３．０×１０^１５ｃｍ^－３の濃度のＳｉをドナー不純物として含む、β－Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなる膜である。

【0045】

図５の横軸はエピタキシャルウエハ１のエピタキシャル膜１２の表面１３からの深さ（μｍ）を表し、縦軸は各不純物の濃度（ｃｍ^－３）を表す。ここで、エピタキシャルウエハ１の基板１０とエピタキシャル膜１２の界面の深さは、およそ１１．３μｍである。

【0046】

図５は、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｃｌのエピタキシャルウエハ１中の濃度を表す。図５によれば、エピタキシャル膜１２中のＳｎの濃度はＳＩＭＳ分析装置の検出下限値（検出下限：Ｓｎと表記）に近く、Ｓｎのエピタキシャル膜１２への意図しない混入が生じていないことが確かめられた。エピタキシャル膜１２の基板１０との界面付近の領域のＳｉ、Ｓｎの濃度が高くなっているが、これは基板１０に含まれるＳｉ、Ｓｎがエピタキシャル膜１２側に拡散したためであり、問題はない。

【0047】

また、図５によれば、エピタキシャル膜１２中におよそ２．９×１０^１６～４．０×１０^１６ｃｍ^－３の濃度のＣｌが含まれている。これは、エピタキシャル膜１２がＣｌ含有ガスを用いるＨＶＰＥ法により形成されることに起因する。通常、Ｃｌ含有ガスを用いない方法やＨＶＰＥ法以外のＣｌ含有ガスを用いる方法（例えば、ＳｉＣｌ_４ガスを用いるＭＯＶＰＥ法）によりβ－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を形成する場合には、β－Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜中にＣｌが含まれることはなく、少なくとも、１×１０^１４ｃｍ^－３以上のＣｌが含まれることはない。

【0048】

（実施の形態の効果）
上記本発明の実施の形態によれば、エピタキシャル膜１２の成膜後に、窒素雰囲気下で１２００℃以上の温度でアニール処理をエピタキシャルウエハ１に施すことにより、ＨＶＰＥ法におけるエピタキシャル膜１２の酸素の原料ガスとしてＯ_２ガスを用いることにより不活性化した基板１０中のドナー不純物を効果的に再活性化させることができる。

【0049】

以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

【符号の説明】

【0050】

１…エピタキシャルウエハ、 １０…基板、 １１…主面、 １２…エピタキシャル膜、 ２…気相成長装置、 ２０…反応炉、 ２１…第１のガス導入ポート、 ２２…第２のガス導入ポート、 ２３…第３のガス導入ポート、 ２４…排気ポート、 ２５…反応容器、 ２６…加熱手段

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】