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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024053805
(43)【公開日】2024-04-16
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240409BHJP
【ＦＩ】
H01L21/60 321E
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022160235
(22)【出願日】2022-10-04
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】岩城 邦夫
(72)【発明者】
【氏名】中村 功
(57)【要約】
【課題】半導体装置の低背化を図ること。
【解決手段】半導体装置１０は、電極２８Ａ，２８Ｃが形成された素子表面２１を有する半導体素子２０と、端子表面３１を有し、平面視において半導体素子２０の周囲に配置された端子３０Ａ，３０Ｃと、絶縁表面４１を有し、半導体素子２０と端子３０Ａ，３０Ｃとの間に設けられた絶縁部材４０と、電極２８Ａ，２８Ｃと端子３０Ａ，３０Ｃとを個別に接続するインク配線５０Ａ，５０Ｃと、半導体素子２０、インク配線５０Ａ，５０Ｃ、絶縁部材４０、および端子３０Ａ，３０Ｃを封止する封止樹脂７０と、を備える。インク配線５０Ａ，５０Ｃは、絶縁表面４１に接し、当該絶縁表面４１上を通って電極２８Ａ，２８Ｃと端子３０Ａ，３０Ｃとを個別に接続している。
【選択図】図５
【解決手段】半導体装置１０は、電極２８Ａ，２８Ｃが形成された素子表面２１を有する半導体素子２０と、端子表面３１を有し、平面視において半導体素子２０の周囲に配置された端子３０Ａ，３０Ｃと、絶縁表面４１を有し、半導体素子２０と端子３０Ａ，３０Ｃとの間に設けられた絶縁部材４０と、電極２８Ａ，２８Ｃと端子３０Ａ，３０Ｃとを個別に接続するインク配線５０Ａ，５０Ｃと、半導体素子２０、インク配線５０Ａ，５０Ｃ、絶縁部材４０、および端子３０Ａ，３０Ｃを封止する封止樹脂７０と、を備える。インク配線５０Ａ，５０Ｃは、絶縁表面４１に接し、当該絶縁表面４１上を通って電極２８Ａ，２８Ｃと端子３０Ａ，３０Ｃとを個別に接続している。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電極が形成された素子表面と、厚さ方向において前記素子表面とは反対側の素子裏面と、を有する半導体素子と、
前記素子表面と同じ側を向く端子表面を有し、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子の周囲に配置された端子と、
前記素子表面と同じ側を向く絶縁表面を有し、前記半導体素子と前記端子との間に設けられた絶縁部材と、
前記電極と前記端子とを接続する配線と、
前記半導体素子、前記配線、前記絶縁部材、および前記端子を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記配線は、前記絶縁表面に接し、当該絶縁表面上を通って前記電極と前記端子とを接続している
半導体装置。
前記素子表面と同じ側を向く端子表面を有し、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子の周囲に配置された端子と、
前記素子表面と同じ側を向く絶縁表面を有し、前記半導体素子と前記端子との間に設けられた絶縁部材と、
前記電極と前記端子とを接続する配線と、
前記半導体素子、前記配線、前記絶縁部材、および前記端子を封止する封止樹脂と、
を備え、
前記配線は、前記絶縁表面に接し、当該絶縁表面上を通って前記電極と前記端子とを接続している
半導体装置。
【請求項2】
前記配線は、導電性インクによって形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記配線は、前記端子表面と同じ側を向く配線表面を有し、
前記配線表面は、凹凸状に形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
前記配線表面は、凹凸状に形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記配線の厚さは、１５μｍ未満である
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記配線の幅は、前記配線の厚さよりも大きい
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記配線のうち前記絶縁部材と前記半導体素子との境界上に形成された部分の厚さは、前記配線のうち前記絶縁部材上に形成された部分の厚さよりも厚い
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記配線のうち前記絶縁部材と前記端子との境界上に形成された部分の厚さは、前記配線のうち前記絶縁部材上に形成された部分の厚さよりも厚い
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記端子は、金属製の薄板によって構成されている
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記端子は、導電性ペーストによって形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記端子は、導電性インクによって形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記配線は、前記端子表面の全体にわたり形成されている
請求項２に記載の半導体装置。
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記半導体素子は、前記素子表面と前記素子裏面とを繋ぐ素子側面を有し、
前記絶縁表面は、前記半導体素子の厚さ方向から視て前記素子表面の端縁において前記素子表面と面一となる
請求項１に記載の半導体装置。
前記絶縁表面は、前記半導体素子の厚さ方向から視て前記素子表面の端縁において前記素子表面と面一となる
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記絶縁部材は、前記封止樹脂と異なる材料によって構成されている
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電極を有する半導体素子と、半導体素子から離隔して配置された端子と、半導体素子の電極と端子とを接続するボンディングワイヤと、これらを封止する封止樹脂とを備える半導体装置が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【0003】
このような半導体装置の一例では、半導体素子のうち電極が形成された素子表面が端子のうち素子表面と同じ側を向く端子表面よりも高い。この場合、ボンディングワイヤは、端子表面との接合部をファーストボンド部とし、半導体素子の電極との接合部をセカンドボンド部とするように形成される。これにより、ボンディングワイヤのために確保する高さを抑制できるため、半導体装置の低背化を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２１－８２６４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、半導体素子と端子とをボンディングワイヤで接続する構成では、半導体装置のさらなる低背化は困難である。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決する半導体装置は、電極が形成された素子表面と、厚さ方向において前記素子表面とは反対側の素子裏面と、を有する半導体素子と、前記素子表面と同じ側を向く端子表面を有し、前記半導体素子の厚さ方向から視て、前記半導体素子の周囲に配置された端子と、前記素子表面と同じ側を向く絶縁表面を有し、前記半導体素子と前記端子との間に設けられた絶縁部材と、前記電極と前記端子とを接続する配線と、前記半導体素子、前記配線、前記絶縁部材、および前記端子を封止する封止樹脂と、を備え、前記配線は、前記絶縁表面に接し、当該絶縁表面上を通って前記電極と前記端子とを接続している。
【発明の効果】
【0007】
上記半導体装置によれば、半導体装置の低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付図面を参照して本開示における半導体装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【0010】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【0011】
＜第１実施形態＞
図１～図１１を参照して、第１実施形態の半導体装置１０について説明する。図１～図６は第１実施形態の半導体装置１０の構成を示し、図７～図１１は第１実施形態の半導体装置１０の製造工程を示している。なお、図面の理解を容易にするため、図１では後述する封止樹脂７０が二点鎖線で示され、図２では封止樹脂７０が透明な部品として示されている。また、図２では後述するインク配線５０Ａ～５０Ｄの形状を簡略化して示している。
図１～図１１を参照して、第１実施形態の半導体装置１０について説明する。図１～図６は第１実施形態の半導体装置１０の構成を示し、図７～図１１は第１実施形態の半導体装置１０の製造工程を示している。なお、図面の理解を容易にするため、図１では後述する封止樹脂７０が二点鎖線で示され、図２では封止樹脂７０が透明な部品として示されている。また、図２では後述するインク配線５０Ａ～５０Ｄの形状を簡略化して示している。
【0012】
図１に示すように、半導体装置１０は、半導体素子２０と、複数の端子３０Ａ～３０Ｄと、絶縁部材４０と、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄと、支持部材６０と、これらを封止する封止樹脂７０と、を備える。半導体装置１０は、たとえば半導体素子２０がホール素子である磁気センサである。半導体装置１０は、ホールＩＣ（Integrated Circuit）であるともいえる。図１に示すとおり、半導体装置１０は、図示していない配線基板に表面実装される表面実装型のパッケージ構造である。
【0013】
封止樹脂７０は、矩形平板状に形成されている。封止樹脂７０は、たとえば遮光性および絶縁性を有する樹脂材料によって形成されている。樹脂材料の一例は、黒色のエポキシ樹脂である。ここで、封止樹脂７０の厚さ方向を「Ｚ方向」とする。そしてＺ方向と直交する方向のうち互いに直交する２方向をそれぞれ「Ｘ方向」および「Ｙ方向」とする。以降の説明において、「平面視」はＺ方向から半導体装置１０を視ることをいう。
【0014】
平面視において、封止樹脂７０は、Ｘ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状に形成されている。一例では、封止樹脂７０の厚さは封止樹脂７０のＸ方向の寸法よりも小さい。封止樹脂７０の長手方向（Ｙ方向）の大きさは０．３３ｍｍ～０．８ｍｍ程度であり、封止樹脂７０の短手方向（Ｘ方向）の大きさは０．３３ｍｍ～０．５ｍｍ程度である。封止樹脂７０の厚さ（Ｚ方向の大きさ）は、０．１３５ｍｍ程度である。一例では、封止樹脂７０の長手方向の大きさは０．６２ｍｍ程度であり、封止樹脂７０の短手方向の大きさは０．５ｍｍ程度である。
【0015】
封止樹脂７０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く封止表面７１および封止裏面７２と、封止表面７１と封止裏面７２とを繋ぐ第１～第４封止側面７３～７６と、を有する。一例では、封止表面７１および封止裏面７２の双方は、Ｚ方向と直交する平面として形成されている。第１～第４封止側面７３～７６は、封止表面７１および封止裏面７２と交差する面である。第１実施形態では、第１～第４封止側面７３～７６は、封止表面７１および封止裏面７２と直交する面である。第１封止側面７３および第２封止側面７４は、封止樹脂７０のＹ方向の両端面を構成しており、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第３封止側面７５および第４封止側面７６は、封止樹脂７０のＸ方向の両端面を構成しており、平面視においてＹ方向に沿って延びている。
【0016】
ホール素子としての半導体素子２０は、Ｚ方向が厚さ方向となる直方体に形成されている。このため、Ｚ方向は、半導体素子２０の厚さ方向であるともいえる。平面視における半導体素子２０の形状は、たとえば正方形である。なお、平面視における半導体素子２０の形状は任意に変更可能であり、たとえば長方形であってもよい。半導体素子２０は、主にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）によって形成されている。ヒ化ガリウムを主要材料とするホール素子は、磁束密度の変化に対するホール電圧の直線性に優れるとともに、温度変化の影響を受けにくいという利点を有する。半導体素子２０の主要材料は任意に変更可能であり、たとえばシリコン（Ｓｉ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、およびアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）のいずれかであってもよい。
【0017】
図２および図５に示すように、半導体素子２０は、Ｚ方向において互いに反対側を向く素子表面２１および素子裏面２２と、素子表面２１と素子裏面２２とを繋ぐ第１～第４素子側面２３～２６と、を有する。一例では、素子表面２１および素子裏面２２の双方は、Ｚ方向と直交する平面として形成されている。素子表面２１は封止表面７１と同じ側を向き、素子裏面２２は封止裏面７２と同じ側を向いている。第１素子側面２３および第２素子側面２４は互いに反対側を向き、第３素子側面２５および第４素子側面２６は互いに反対側を向いている。平面視において、第１素子側面２３および第２素子側面２４と、第３素子側面２５および第４素子側面２６とは互いに直交している。
【0018】
図２に示すように、半導体素子２０は、平面視において第１～第４素子側面２３～２６がＸ方向およびＹ方向の双方と交差するように配置されている。一例では、平面視において、Ｘ方向およびＹ方向の双方に対する第１～第４素子側面２３～２６の傾斜角の絶対値は、４５°である。
【0019】
半導体素子２０は、半導体素子２０の四隅となるコーナ部分２７Ａ～２７Ｄを有する。コーナ部分２７Ａは、第１素子側面２３と第３素子側面２５とを含むコーナ部分であり、半導体素子２０の四隅のうち第３封止側面７５寄りのコーナ部分を構成している。コーナ部分２７Ｂは、第１素子側面２３と第４素子側面２６とを含むコーナ部分であり、半導体素子２０の四隅のうち第１封止側面７３寄りのコーナ部分を構成している。コーナ部分２７Ｃは、第２素子側面２４と第３素子側面２５とを含むコーナ部分であり、半導体素子２０の四隅のうち第２封止側面７４寄りのコーナ部分を構成している。コーナ部分２７Ｄは、第２素子側面２４と第４素子側面２６とを含むコーナ部分であり、第４封止側面７６寄りのコーナ部分を構成している。
【0020】
半導体素子２０は、素子表面２１に形成された複数の電極２８Ａ～２８Ｄを有する。複数の電極２８Ａ～２８Ｄは、たとえばチタン（Ｔｉ）層に金（Ａｕ）層が積層された金属層によって形成されている。
【0021】
平面視において、複数の電極２８Ａ～２８Ｄは、互いに離隔して配置されている。平面視において、電極２８Ａは素子表面２１のうちコーナ部分２７Ａに対応する箇所に形成されている。電極２８Ｂは素子表面２１のうちコーナ部分２７Ｂに対応する箇所に形成されている。電極２８Ｃは素子表面２１のうちコーナ部分２７Ｃに対応する箇所に形成されている。電極２８Ｄは素子表面２１のうちコーナ部分２７Ｄに対応する箇所に形成されている。
【0022】
図５に示すように、半導体素子２０は、支持部材６０によって支持されている。より詳細には、半導体素子２０は、支持部材６０に搭載されている。一例では、半導体素子２０は、支持部材６０にダイボンディングされている。つまり、半導体素子２０は、接合材ＳＤによって支持部材６０に接合されている。接合材ＳＤは、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられてよい。なお、支持部材６０と接合材ＳＤとが一体とされたものであってもよい。たとえば支持部材６０として、半導体素子２０をダイボンディングするダイボンディング材が用いられてもよい。
【0023】
図３に示すように、平面視において、支持部材６０は、たとえば円形に形成されている。支持部材６０は、封止裏面７２から露出している。支持部材６０は、たとえば絶縁材料によって形成されている。図５に示すとおり、支持部材６０の厚さは、半導体素子２０の厚さよりも薄い。
【0024】
図２に示すように、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、平面視において、半導体素子２０の周囲に配置されている。複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、半導体素子２０から離隔して配置されている。複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、平面視において封止樹脂７０の四隅となるコーナ部分７７Ａ～７７Ｄに分散して配置されている。コーナ部分７７Ａは、第１封止側面７３と第３封止側面７５とを含むコーナ部分である。コーナ部分７７Ｂは、第１封止側面７３と第４封止側面７６とを含むコーナ部分である。コーナ部分７７Ｃは、第２封止側面７４と第３封止側面７５とを含むコーナ部分である。コーナ部分７７Ｄは、第２封止側面７４と第４封止側面７６とを含むコーナ部分である。端子３０Ａはコーナ部分７７Ａに配置され、端子３０Ｂはコーナ部分７７Ｂに配置され、端子３０Ｃはコーナ部分７７Ｃに配置され、端子３０Ｄはコーナ部分７７Ｄに配置されている。
【0025】
複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、互いに同一の形状である。複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々は、Ｚ方向において互いに反対側を向く端子表面３１および端子裏面３２と、端子表面３１および端子裏面３２を繋ぐ第１～第４端子側面３３～３６と、を有する。第１端子側面３３および第２端子側面３４は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々のＹ方向の両端面であり、平面視においてＸ方向に沿って延びている。第３端子側面３５および第４端子側面３６は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々のＸ方向の両端面であり、平面視においてＹ方向に沿って延びている。
【0026】
複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々は、傾斜面３７を有する。傾斜面３７は、第２端子側面３４と第４端子側面３６との間に形成されている。傾斜面３７は、第４端子側面３６から第３端子側面３５に向かうにつれて第２端子側面３４に近づくように傾斜している。一例では、Ｘ方向およびＹ方向に対する傾斜面３７の傾斜角度は、４５°である。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の傾斜面３７は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６と対向している。具体的には、端子３０Ａの傾斜面３７は、第１素子側面２３と対向している。端子３０Ｂの傾斜面３７は、第４素子側面２６と対向している。端子３０Ｃの傾斜面３７は、第３素子側面２５と対向している。端子３０Ｄの傾斜面３７は、第２素子側面２４と対向している。
【0027】
図５に示すように、端子３０Ａ，３０Ｃの各々は、端子裏面３２を含む外部電極部３８と、端子表面３１を含むフランジ部３９と、を含む。なお、図５では図示していないが、端子３０Ｂ，３０Ｄの各々も外部電極部３８およびフランジ部３９を含む。
【0028】
外部電極部３８とフランジ部３９とは一体化されている。第１～第４端子側面３３～３６（図２参照）の各々は、外部電極部３８を構成する端子側面と、フランジ部３９を構成する端子側面と、を含む。傾斜面３７は、外部電極部３８を構成する傾斜面と、フランジ部３９を構成する傾斜面と、を含む。
【0029】
図２に示すように、フランジ部３９は、突出部３９Ａを含む。突出部３９Ａは、第１端子側面３３からＹ方向に向けて突出している。突出部３９ＡのＸ方向の大きさは、フランジ部３９のＸ方向の大きさよりも小さい。突出部３９Ａは、たとえばフランジ部３９のＸ方向の中央に対してＸ方向に偏った位置に設けられている。
【0030】
端子３０Ａは、第１端子側面３３が第１封止側面７３と同じ側を向き、第２端子側面３４が第２封止側面７４と同じ側を向き、第３端子側面３５が第３封止側面７５と同じ側を向き、第４端子側面３６が第４封止側面７６と同じ側を向くように配置されている。端子３０Ａの突出部３９Ａは第１封止側面７３から露出している。端子３０Ａの第３端子側面３５は第３封止側面７５から露出している。
【0031】
端子３０Ｂは、第１端子側面３３が第１封止側面７３と同じ側を向き、第２端子側面３４が第２封止側面７４と同じ側を向き、第３端子側面３５が第４封止側面７６と同じ側を向き、第４端子側面３６が第３封止側面７５と同じ側を向くように配置されている。端子３０Ｂの突出部３９Ａは第１封止側面７３から露出している。端子３０Ｂの第３端子側面３５は第４封止側面７６から露出している。
【0032】
端子３０Ｃは、第１端子側面３３が第２封止側面７４と同じ側を向き、第２端子側面３４が第１封止側面７３と同じ側を向き、第３端子側面３５が第３封止側面７５と同じ側を向き、第４端子側面３６が第４封止側面７６と同じ側を向くように配置されている。端子３０Ｃの突出部３９Ａは第２封止側面７４から露出している。端子３０Ｃの第３端子側面３５は第３封止側面７５から露出している。
【0033】
端子３０Ｄは、第１端子側面３３が第２封止側面７４と同じ側を向き、第２端子側面３４が第１封止側面７３と同じ側を向き、第３端子側面３５が第４封止側面７６と同じ側を向き、第４端子側面３６が第３封止側面７５と同じ側を向くように配置されている。端子３０Ｃの突出部３９Ａは第２封止側面７４から露出している。端子３０Ｄの第３端子側面３５は第４封止側面７６から露出している。
【0034】
各端子３０Ａ～３０ＤのＸ方向の長さはたとえば０．０８ｍｍ～０．１７５ｍｍ程度であり、各端子３０Ａ～３０ＤのＹ方向の長さはたとえば０．０９ｍｍ～０．１８ｍｍ程度である。ここで、各端子３０Ａ～３０ＤのＹ方向の長さは、突出部３９Ａの先端面と第２端子側面３４とのＹ方向の間の距離によって定義できる。各端子３０Ａ～３０ＤのＸ方向の長さは、第３端子側面３５と第４端子側面３６とのＸ方向の間の距離によって定義できる。
【0035】
また、図３に示すように、各端子３０Ａ～３０Ｄのうちフランジ部３９（図５参照）を除く外部電極部３８のＹ方向の長さは、たとえば０．０７ｍｍ～０．１４ｍｍ程度である。外部電極部３８のＹ方向の長さは、外部電極部３８における第１端子側面３３と第２端子側面３４とのＹ方向の長さによって定義できる。
【0036】
第１実施形態では、端子３０Ａと端子３０ＣとのＹ方向の間の距離と、端子３０Ｂと端子３０ＤとのＹ方向の間の距離とは互いに等しい。端子３０Ａと端子３０ＣとのＹ方向の間の距離は、たとえば０．４４ｍｍ程度である。ここで、端子３０Ａと端子３０ＣとのＹ方向の間の距離は、端子３０Ａの第２端子側面３４と端子３０Ｃの第２端子側面３４とのＹ方向の間の距離によって定義できる。端子３０Ｂと端子３０ＤとのＹ方向の間の距離は、端子３０Ｂの第２端子側面３４と端子３０Ｄの第２端子側面３４とのＹ方向の間の距離によって定義できる。
【0037】
端子３０Ａと端子３０ＢとのＸ方向の間の距離と、端子３０Ｃと端子３０ＤとのＸ方向の間の距離とは互いに等しい。端子３０Ａと端子３０ＢとのＸ方向の間の距離は、たとえば０．１５ｍｍ程度である。ここで、端子３０Ａと端子３０ＢとのＸ方向の間の距離は、端子３０Ａの第４端子側面３６と端子３０Ｂの第４端子側面３６とのＸ方向の間の距離によって定義できる。また、端子３０Ｃと端子３０ＤとのＸ方向の間の距離は、端子３０Ｃの第４端子側面３６と端子３０Ｄの第４端子側面３６とのＸ方向の間の距離によって定義できる。
【0038】
なお、端子３０Ａと端子３０ＣとのＹ方向の間の距離は、端子３０Ａと端子３０ＢとのＸ方向の間の距離と同じであってもよい。つまり、端子３０Ａと端子３０ＣとのＹ方向の間の距離は、０．１５ｍｍ程度であってもよい。同様に、端子３０Ｂと端子３０ＤとのＹ方向の間の距離は、端子３０Ａと端子３０ＢとのＸ方向の間の距離であってもよく、たとえば０．１５ｍｍ程度であってもよい。
【0039】
図５に示すように、複数の端子３０Ａ，３０Ｃの各々の端子表面３１は、半導体素子２０の素子表面２１よりも封止裏面７２寄りに位置している。換言すると、半導体素子２０の素子表面２１は、複数の端子３０Ａ，３０Ｃの各々の端子表面３１よりも封止表面７１寄りに位置している。なお、図示していないが、複数の端子３０Ｂ，３０Ｄの各々の端子表面３１は、半導体素子２０の素子表面２１よりも封止裏面７２寄りに位置している。換言すると、半導体素子２０の素子表面２１は、複数の端子３０Ｂ，３０Ｄの各々の端子表面３１よりも封止表面７１寄りに位置している。
【0040】
複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、互いに同一の金属材料によって形成されている。この金属材料としては、たとえば銅（Ｃｕ）を含む材料が用いられている。なお、複数の端子３０Ａ～３０Ｄに用いられる金属材料は、導電性を有しかつ非磁性体であれば任意に変更可能である。
【0041】
図２および図５に示すように、絶縁部材４０は、半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの双方の間に設けられている。絶縁部材４０は、半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの双方の間の隙間を埋めるように設けられている。絶縁部材４０は、半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの双方と接している。より詳細には、絶縁部材４０は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６と、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの第２端子側面３４、第４端子側面３６、および傾斜面３７とに接している。絶縁部材４０は、絶縁性を有する材料によって形成されている。絶縁部材４０は、たとえば封止樹脂７０とは異なる材料によって形成されていてもよい。一例では、絶縁部材４０は、シリコーン樹脂によって形成されている。なお、絶縁部材４０は、封止樹脂７０と同じ材料によって形成されていてもよい。
【0042】
絶縁部材４０は、絶縁表面４１と、Ｚ方向において絶縁表面４１とは反対側を向く絶縁裏面４２とを有する。絶縁表面４１は、平面視において半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの間にわたり形成されている。絶縁表面４１は、半導体素子２０の素子表面２１と複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とを繋ぐように形成されている。図５に示すように、絶縁表面４１は、傾斜面４１Ａを含む。傾斜面４１Ａは、半導体素子２０から複数の端子３０Ａ～３０Ｄに向かうにつれて封止裏面７２に近づくように傾斜している。
【0043】
一例では、平面視において、絶縁部材４０は、平面視において半導体素子２０の素子表面２１のうち第１～第４素子側面２３～２６と接する端縁において絶縁表面４１が半導体素子２０の素子表面２１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。つまり、絶縁表面４１は、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１の端縁において素子表面２１と面一となっているといえる。
【0044】
また一例では、絶縁部材４０は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１のうち傾斜面３７と接する端縁において絶縁表面４１が複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。また一例では、絶縁部材４０は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１のうち第２端子側面３４と接する端縁において絶縁表面４１が複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。また一例では、絶縁部材４０は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１のうち第４端子側面３６と接する端縁において絶縁表面４１が複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。
【0045】
【0046】
第１実施形態では、絶縁部材４０は、第１～第４封止側面７３～７６から露出していない。つまり、絶縁部材４０は、Ｘ方向およびＹ方向において封止樹脂７０によって覆われている。
【0047】
なお、絶縁部材４０の形成範囲は任意に変更可能である。一例では、絶縁部材４０は、第１～第４封止側面７３～７６の少なくとも１つの封止側面から露出するように形成されていてもよい。一例では、絶縁部材４０は、第１～第４封止側面７３～７６の各々から露出するように形成されていてもよい。
【0048】
図２に示すように、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、絶縁部材４０の絶縁表面４１に接しており、半導体素子２０の複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に電気的に接続している。具体的には、インク配線５０Ａは、電極２８Ａと端子３０Ａとを電気的に接続している。インク配線５０Ｂは、電極２８Ｂと端子３０Ｂとを電気的に接続している。インク配線５０Ｃは、電極２８Ｃと端子３０Ｃとを電気的に接続している。インク配線５０Ｄは、電極２８Ｄと端子３０Ｄとを電気的に接続している。ここで、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は「配線」に対応している。
【0049】
インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、導電性インクによって形成されている。導電性インクは、たとえば銀または金（Ａｕ）を含む。インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、たとえばインクジェット印刷によって形成されている。図４に示すように、インクジェット印刷によって形成されたインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、多数のドット５４によって構成されている。ドット５４は、平面視において円形に形成されている。多数のドット５４は、隣り合う２つのドット５４の一部が互いに重なるように配置されることによって、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々を構成している。
【0050】
インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、半導体素子２０の複数の電極２８Ａ～２８Ｄに接続された電極接続部５１と、複数の端子３０Ａ～３０Ｄに接続された端子接続部５２と、電極接続部５１と端子接続部５２とを接続する配線部５３と、を含む。
【0051】
図２に示すように、インク配線５０Ａは、絶縁部材４０の絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１上を通って電極２８Ａと端子３０Ａとを接続している。より詳細には、インク配線５０Ａは、電極２８Ａの電極表面、絶縁部材４０の絶縁表面４１、および端子３０Ａの端子表面３１に接している。ここで、電極２８Ａの電極表面は電極２８Ａのうち素子表面２１と同じ側を向く面である。平面視において、インク配線５０Ａの電極接続部５１は、電極２８Ａの電極表面と部分的に接している。一例では、平面視において、電極接続部５１は、電極２８Ａの電極表面のうち端子３０Ａ寄りの部分と接している。インク配線５０Ａの端子接続部５２は、端子３０Ａの端子表面３１に接している。一例では、インク配線５０Ａの端子接続部５２は、端子３０Ａの端子表面３１に部分的に接している。一例では、インク配線５０Ａの端子接続部５２は、平面視において略矩形状の部分と、略矩形状の部分から半導体素子２０に向けて端子３０Ａの端子表面３１のうち傾斜面３７寄りの端縁まで延びる部分と、を含む。インク配線５０Ａの配線部５３は、半導体素子２０の素子表面２１および絶縁部材４０の絶縁表面４１と接している。この配線部５３は、平面視において、電極２８Ａから端子３０Ａに向かうにつれて第３封止側面７５に近づくようにＹ方向に対して傾斜して延びている。図５に示すように、インク配線５０Ａの配線部５３は、電極２８Ａから端子３０Ａに向かうにつれて封止裏面７２に近づくように傾斜している。
【0052】
図２に示すように、インク配線５０Ｂは、絶縁部材４０の絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１上を通って電極２８Ｂと端子３０Ｂとを接続している。より詳細には、インク配線５０Ｂは、電極２８Ｂの電極表面、絶縁表面４１、および端子３０Ｂの端子表面３１に接している。ここで、電極２８Ｂの電極表面は電極２８Ｂのうち素子表面２１と同じ側を向く面である。平面視において、インク配線５０Ｂの電極接続部５１は、電極２８Ｂの電極表面と部分的に接している。一例では、平面視において、電極接続部５１は、電極２８Ｂの電極表面のうち端子３０Ｂ寄りの部分と接している。インク配線５０Ｂの端子接続部５２は、端子３０Ｂの端子表面３１に接している。一例では、インク配線５０Ｂの端子接続部５２は、端子３０Ｂの端子表面３１に部分的に接している。一例では、インク配線５０Ｂの端子接続部５２は、平面視において略矩形状の部分と、略矩形状の部分から半導体素子２０に向けて端子３０Ｂの端子表面３１のうち傾斜面３７寄りの端縁まで延びる部分と、を含む。インク配線５０Ｂの配線部５３は、半導体素子２０の素子表面２１および絶縁部材４０の絶縁表面４１と接している。この配線部５３は、平面視において、電極２８Ｂから端子３０Ｂに向かうにつれて第４封止側面７６に近づくようにＹ方向に対して傾斜して延びている。図示していないが、インク配線５０Ｂの配線部５３は、電極２８Ｂから端子３０Ｂに向かうにつれて封止裏面７２に近づくように傾斜している。
【0053】
インク配線５０Ｃは、絶縁部材４０の絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１上を通って電極２８Ｃと端子３０Ｃとを接続している。より詳細には、インク配線５０Ｃは、電極２８Ｃの電極表面、絶縁表面４１、および端子３０Ｃの端子表面３１に接している。ここで、電極２８Ｃの電極表面は電極２８Ｃのうち素子表面２１と同じ側を向く面である。平面視において、インク配線５０Ｃの電極接続部５１は、電極２８Ｃの電極表面と部分的に接している。一例では、平面視において、電極接続部５１は、電極２８Ｃの電極表面のうち端子３０Ｃ寄りの部分と接している。インク配線５０Ｃの端子接続部５２は、端子３０Ｃの端子表面３１に接している。一例では、インク配線５０Ｃの端子接続部５２は、端子３０Ｃの端子表面３１に部分的に接している。一例では、インク配線５０Ｃの端子接続部５２は、平面視において略矩形状の部分と、略矩形状の部分から半導体素子２０に向けて端子３０Ｃの端子表面３１のうち傾斜面３７寄りの端縁まで延びる部分と、を含む。インク配線５０Ｃの配線部５３は、半導体素子２０の素子表面２１および絶縁部材４０の絶縁表面４１と接している。この配線部５３は、平面視において、電極２８Ｃから端子３０Ｃに向かうにつれて第３封止側面７５に近づくようにＹ方向に対して傾斜して延びている。図５に示すように、インク配線５０Ｃの配線部５３は、電極２８Ｃから端子３０Ｃに向かうにつれて封止裏面７２に近づくように傾斜している。
【0054】
図２に示すように、インク配線５０Ｄは、絶縁部材４０の絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１上を通って電極２８Ｄと端子３０Ｄとを接続している。より詳細には、インク配線５０Ｄは、電極２８Ｄの電極表面、絶縁表面４１、および端子３０Ｄの端子表面３１に接している。ここで、電極２８Ｄの電極表面は電極２８Ｄのうち素子表面２１と同じ側を向く面である。平面視において、インク配線５０Ｄの電極接続部５１は、電極２８Ｄの電極表面と部分的に接している。一例では、平面視において、電極接続部５１は、電極２８Ｄの電極表面のうち端子３０Ｄ寄りの部分と接している。インク配線５０Ｄの端子接続部５２は、端子３０Ｄの端子表面３１に接している。一例では、インク配線５０Ｄの端子接続部５２は、端子３０Ｄの端子表面３１に部分的に接している。一例では、インク配線５０Ｄの端子接続部５２は、平面視において略矩形状の部分と、略矩形状の部分から半導体素子２０に向けて端子３０Ｄの端子表面３１のうち傾斜面３７寄りの端縁まで延びる部分と、を含む。インク配線５０Ｄの配線部５３は、半導体素子２０の素子表面２１および絶縁部材４０の絶縁表面４１と接している。この配線部５３は、平面視において、電極２８Ｄから端子３０Ｄに向かうにつれて第４封止側面７６に近づくようにＹ方向に対して傾斜して延びている。図示していないが、インク配線５０Ｄの配線部５３は、電極２８Ｄから端子３０Ｄに向かうにつれて封止裏面７２に近づくように傾斜している。
【0055】
インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３は、平面視において配線部５３の幅方向の両端が複数の円弧によって形成された凸凹形状に形成されている。
図４の例においては、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２においては、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の電極接続部５１および配線部５３よりも多くのドット５４が積層されている。このため、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の電極接続部５１および配線部５３の厚さよりも厚い。インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、たとえば１５μｍ未満である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、１０μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、５μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、３μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、１μｍ以下である。ここで、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さの最大値によって定義できる。
図４の例においては、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２においては、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の電極接続部５１および配線部５３よりも多くのドット５４が積層されている。このため、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の電極接続部５１および配線部５３の厚さよりも厚い。インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、たとえば１５μｍ未満である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、１０μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、５μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、３μｍ以下である。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、１μｍ以下である。ここで、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さの最大値によって定義できる。
【0056】
インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３の幅は、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２の幅よりも小さい。ここで、配線部５３の幅は、平面視において配線部５３が延びる方向と直交する方向の大きさの最大値によって定義できる。端子接続部５２の幅は、平面視において端子接続部５２の延びる方向（長手方向）と直交する方向の大きさの最大値によって定義できる。
【0057】
インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３の幅は、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さよりも大きい。一例では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３の幅は、たとえば１５μｍ以上である。インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３の幅は、たとえば２０μｍ以上である。なお、平面視におけるインク配線５０Ａ～５０Ｄを構成するドット５４の直径は、たとえば１０μｍ程度である。また、ドット５４の厚さは、１μｍ以下であってもよい。
【0058】
一例では、配線部５３の厚さに対する配線部５３の幅の比率が５以上であってもよい。一例では、配線部５３の厚さに対する配線部５３の幅の比率が１０以上であってもよい。一例では、配線部５３の厚さに対する配線部５３の幅の比率が１５以上であってもよい。一例では、配線部５３の厚さに対する配線部５３の幅の比率が２０以上であってもよい。
【0059】
図６は、図５においてインク配線５０Ａの一部およびその周辺を拡大した断面図である。以下では、図６を用いてインク配線５０Ａの詳細な構成について説明する。なお、インク配線５０Ｂ～５０Ｄは、インク配線５０Ａと同じ構成であるため、その詳細な説明を省略する。
【0060】
図６に示すように、インク配線５０Ａは、配線表面５５と、配線表面５５とは反対側の配線裏面５６と、を有する。
インク配線５０Ａの配線裏面５６は、複数の電極２８Ａ、絶縁部材４０の絶縁表面４１、および端子３０Ａの端子表面３１と接する面である。インク配線５０Ａの配線表面５５は、端子３０Ａの端子表面３１と同じ側を向いているといえる。また、配線表面５５は、絶縁部材４０の絶縁表面４１と同じ側を向いているともいえる。また、配線表面５５は、電極２８Ａの電極表面と同じ側を向いているともいえる。
インク配線５０Ａの配線裏面５６は、複数の電極２８Ａ、絶縁部材４０の絶縁表面４１、および端子３０Ａの端子表面３１と接する面である。インク配線５０Ａの配線表面５５は、端子３０Ａの端子表面３１と同じ側を向いているといえる。また、配線表面５５は、絶縁部材４０の絶縁表面４１と同じ側を向いているともいえる。また、配線表面５５は、電極２８Ａの電極表面と同じ側を向いているともいえる。
【0061】
インク配線５０Ａがドット５４の重ね合わせによって構成されているため、インク配線５０Ａの配線表面５５は、凹凸状に形成されている。このため、インク配線５０Ａの配線表面５５は、インク配線５０Ａの配線裏面５６よりも凸凹状に形成されている。
【0062】
また、一例では、インク配線５０Ａは、ドット５４の積層数が多くなるにつれて凹凸の差が大きくなる。このため、インク配線５０Ａの各々の配線表面５５のうち端子接続部５２の面粗度は、配線部５３の面粗度よりも大きい。ここで、面粗度は、たとえば算術平均粗さが用いられる。
【0063】
図６に示すように、インク配線５０Ａは、半導体素子２０と絶縁部材４０との境界上に形成された第１積層部５７と、端子３０Ａと絶縁部材４０との境界上に形成された第２積層部５８と、を含む。
【0064】
第１積層部５７は、半導体素子２０と絶縁部材４０との境界を跨ぐように形成されている。このため、第１積層部５７は、配線部５３に設けられている。つまり、配線部５３は、第１積層部５７を含む。
【0065】
第２積層部５８は、端子３０Ａと絶縁部材４０との境界を跨ぐように形成されている。つまり、第２積層部５８は、端子接続部５２および配線部５３の双方に設けられている。
第１積層部５７の厚さは、配線部５３のうち第１積層部５７および第２積層部５８以外の部分の厚さよりも厚い。第１積層部５７の厚さは、たとえば電極接続部５１の厚さよりも厚い。第１積層部５７の厚さは、たとえば端子接続部５２のうち略矩形状の部分の厚さよりも薄い。第１積層部５７は、導電性インクのドット５４（図４参照）を複数重ねることによって形成されている。
第１積層部５７の厚さは、配線部５３のうち第１積層部５７および第２積層部５８以外の部分の厚さよりも厚い。第１積層部５７の厚さは、たとえば電極接続部５１の厚さよりも厚い。第１積層部５７の厚さは、たとえば端子接続部５２のうち略矩形状の部分の厚さよりも薄い。第１積層部５７は、導電性インクのドット５４（図４参照）を複数重ねることによって形成されている。
【0066】
第２積層部５８の厚さは、配線部５３のうち第１積層部５７および第２積層部５８以外の部分の厚さよりも厚い。第２積層部５８の厚さは、たとえば電極接続部５１の厚さよりも厚い。第２積層部５８の厚さは、たとえば端子接続部５２のうち略矩形状の部分の厚さよりも薄い。第２積層部５８は、導電性インクのドット５４を複数重ねることによって形成されている。
【0067】
このため、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚いといえる。また、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０と端子３０Ａとの境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚いといえる。
【0068】
なお、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２は任意に変更可能である。一例では、インク配線５０Ａの端子接続部５２は、端子３０Ａの端子表面３１の全体にわたり接するように形成されていてもよい。インク配線５０Ｂ～５０Ｄの端子接続部５２の各々についても同様に、端子３０Ｂ～３０Ｄの端子表面３１の全体にわたり接するように形成されていてもよい。
【0069】
［半導体装置の製造方法］
図７～図１１を参照して、半導体装置１０の製造方法について説明する。
半導体装置１０の製造方法は、端子フレーム８３０を用意する工程と、支持部材６０を用意する工程と、半導体素子２０を搭載する工程と、絶縁部材４０を形成する工程と、インク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程と、封止樹脂８７０を形成する工程と、個片化する工程と、を備える。
図７～図１１を参照して、半導体装置１０の製造方法について説明する。
半導体装置１０の製造方法は、端子フレーム８３０を用意する工程と、支持部材６０を用意する工程と、半導体素子２０を搭載する工程と、絶縁部材４０を形成する工程と、インク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程と、封止樹脂８７０を形成する工程と、個片化する工程と、を備える。
【0070】
図７に示すように、端子フレーム８３０を用意する工程においては、支持材８００上に端子フレーム８３０が搭載される。支持材８００としては、たとえば基板、テープ等が用いられる。一例では、支持材８００の表面８０１上に端子フレーム８３０が載置される。
【0071】
端子フレーム８３０は、たとえば金属製の薄板である。端子フレーム８３０は、たとえば銅を含む材料によって形成されている。端子フレーム８３０は、たとえば互いに離隔して設けられた複数の端子３０Ａ～３０Ｄ（図２参照）を一組の端子群として、この一組の端子群が複数設けられた部品である。端子フレーム８３０は、端子３０Ａ～３０Ｄの外部電極部３８を構成する外部電極部８３８と、端子３０Ａ～３０Ｄのフランジ部３９（図２参照）を構成するフランジ部８３９と、を含む。なお、図７では、便宜上、端子３０Ａ，３０Ｃに対応する端子フレーム８３０の断面構造を示している。一方、図７では、端子３０Ｂ，３０Ｄに対応する端子フレーム８３０の図示を省略している。
【0072】
図８に示すように、支持部材６０を用意する工程においては、支持材８００の表面８０１上に支持部材６０が載置される。支持部材６０は、支持材８００の表面８０１のうち平面視において、複数の端子３０Ａ～３０Ｄによって囲まれた領域に載置される。
【0073】
続いて、半導体素子２０を搭載する工程においては、半導体素子２０が支持部材６０に搭載される。一例では、支持部材６０上に半導体素子２０がたとえばダイボンディングされる。より詳細には、まず、支持部材６０上に接合材ＳＤが塗布される。続いて、接合材ＳＤ上に半導体素子２０が載置される。そして、リフロー処理によって接合材ＳＤを溶融し、固化することによって接合材ＳＤが支持部材６０と半導体素子２０とを接合する。一例では、接合材ＳＤの一部は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６のうち素子裏面２２寄りの一部に接している。なお、図８では、第１～第４素子側面２３～２６のうち第１素子側面２３および第３素子側面２５を示している。
【0074】
接合材ＳＤとしては、一例として既知のダイボンディング材が用いられる。ダイボンディング材としては、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられてよい。なお、支持部材６０と接合材ＳＤとが一体とされたものであってもよい。たとえば支持部材６０として、半導体素子２０をダイボンディングするダイボンディング材が用いられてもよい。この場合、支持材８００上にダイボンディング材を塗布し、半導体素子２０をダイボンディングした後、ダイボンディング材を硬化させる。
【0075】
図９に示すように、絶縁部材４０を形成する工程においては、半導体素子２０と端子フレーム８３０の複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの間に絶縁部材４０が形成される。絶縁部材４０は、たとえばポッティングによって半導体素子２０と端子フレーム８３０の複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの間に充填される。絶縁部材４０は、たとえばシリコーン樹脂が用いられる。
【0076】
図１０に示すように、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程においては、たとえばインクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによって複数のインク配線５０Ａ，５０Ｃが形成される。なお、図示していないが、インク配線５０Ｂ，５０Ｄについても同様にインクジェット印刷によって形成される。一例では、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄは、導電性インクによって形成される。導電性インクとしては、銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）を含む。
【0077】
一例では、図１０に示すように、インクジェット印刷を用いて、電極２８Ａ，２８Ｃの電極表面上に向けてインクを吐出することによって、電極表面上に多数のドット５４（図４参照）によって構成された電極接続部５１が形成される。インクジェット印刷を用いて、半導体素子２０の素子表面２１上および絶縁部材４０の絶縁表面４１上に向けてインクを吐出することによって、素子表面２１上および絶縁表面４１上に多数のドット５４によって構成された配線部５３が形成される。インクジェット印刷を用いて、端子フレーム８３０の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面３１上に向けてインクを吐出することによって、端子表面３１上に多数のドット５４によって構成された端子接続部５２が形成される。
【0078】
このように、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程では、絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１を通って電極２８Ａ，２８Ｃと端子３０Ａ，３０Ｃとを接続するようにインク配線５０Ａ，５０Ｃが形成される。また、図示していないが、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程では、絶縁表面４１に接し、この絶縁表面４１を通って電極２８Ｂ，２８Ｄと端子３０Ｂ，３０Ｄとを接続するようにインク配線５０Ｂ，５０Ｄが形成される。
【0079】
一例では、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分と、絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子フレーム８３０の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面８３１との境界部分との両方において、インク配線５０Ａ，５０Ｃの厚さが他の配線部５３の厚さよりも厚くなるように形成されている。
【0080】
具体的には、半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分におけるインクジェット印刷による導電性インクの吐出回数を増加させている。これにより、半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分におけるインクジェット印刷による導電性インクの吐出回数は、他の配線部５３における導電性インクの吐出回数よりも多くなる。その結果、半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分においては、ドット５４の積層数が他の配線部５３よりも多くなる。
【0081】
絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子フレーム８３０の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面８３１との境界部分におけるインクジェット印刷による導電性インクの吐出回数を増加させている。これにより、絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子フレーム８３０の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面８３１との境界部分におけるインクジェット印刷による導電性インクの吐出回数は、他の配線部５３における導電性インクの吐出回数よりも多くなる。その結果、絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子フレーム８３０の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面８３１との境界部分においては、ドット５４の積層数が他の配線部５３よりも多くなる。以上の工程を経て、インク配線５０Ａ，５０Ｃが形成される。なお、図示していないが、インク配線５０Ｂ，５０Ｄもインク配線５０Ａ，５０Ｄと同様に形成される。
【0082】
図１１に示すように、封止樹脂８７０を形成する工程においては、たとえばトランスファーモールド、コンプレッションモールド等によって封止樹脂８７０が形成される。封止樹脂８７０は、端子フレーム８３０、半導体素子２０、絶縁部材４０、および複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄを封止している。封止樹脂８７０としては、たとえば黒色のエポキシ樹脂が用いられる。封止樹脂８７０が形成された後、支持材８００が取り除かれる。
【0083】
続いて、個片化する工程においては、まず、封止樹脂８７０を形成する工程によって製造された組立体をダイシングテープＤＴに載置する。続いて、図１１に示す切断線ＣＬに沿って、たとえばダイシングブレードを用いて封止樹脂８７０および端子フレーム８３０を切断する。これにより、封止樹脂７０および複数の端子３０Ａ～３０Ｄが形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。
【0084】
［作用］
第１実施形態の半導体装置１０の作用について説明する。
半導体素子２０の複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとがボンディングワイヤで個別に接続された構成（以下、「比較構成」）では、低背化の実現のため、たとえば複数の端子３０Ａ～３０Ｄとボンディングワイヤとの接合部をファーストボンド部とし、複数の電極２８Ａ～２８Ｄとボンディングワイヤとの接合部をセカンドボンド部としている。しかし、ボンディングワイヤは、複数の電極２８Ａ～２８Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々とＺ方向において所定のループ高さを有するように離隔して形成される。これにより、装置全体の高さを低くすることに限界がある。
第１実施形態の半導体装置１０の作用について説明する。
半導体素子２０の複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとがボンディングワイヤで個別に接続された構成（以下、「比較構成」）では、低背化の実現のため、たとえば複数の端子３０Ａ～３０Ｄとボンディングワイヤとの接合部をファーストボンド部とし、複数の電極２８Ａ～２８Ｄとボンディングワイヤとの接合部をセカンドボンド部としている。しかし、ボンディングワイヤは、複数の電極２８Ａ～２８Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々とＺ方向において所定のループ高さを有するように離隔して形成される。これにより、装置全体の高さを低くすることに限界がある。
【0085】
この点、第１実施形態の半導体装置１０は、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄによって複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとが個別に接続されている。複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄは、複数の電極２８Ａ～２８Ｄ、絶縁部材４０の絶縁表面４１、および複数の端子３０Ａ～３０Ｄに接した状態で形成される。つまり、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄは、複数の電極２８Ａ～２８Ｄに対してＺ方向において封止表面７１寄りに離隔していない。これにより、インク配線５０Ａ～５０Ｄは、ボンディングワイヤのために確保する高さよりも厚さを薄くできるため、比較構成と比較して、半導体装置１０の低背化を図ることができる。
【0086】
また、複数の端子３０Ａ～３０Ｄのフランジ部３９は、その厚さが薄いため、半導体装置１０の製造過程において、ボンディングワイヤがフランジ部３９に接合される際にフランジ部３９の変形に起因して、ボンディングワイヤとフランジ部３９との接合が安定しない場合がある。また、複数の端子３０Ａ～３０Ｄがプレス加工によって形成された場合、フランジ部３９にダレが発生する場合がある。これにより、ボンディングワイヤがフランジ部３９に安定して接合されない場合がある。
【0087】
この点、第１実施形態の半導体装置１０は、インク配線５０Ａ～５０Ｄの形成時にフランジ部３９を変形させるような力が加わることはないため、フランジ部３９上にインク配線５０Ａ～５０Ｄを安定して形成することができる。また、フランジ部３９にダレが発生したとしても、その形状に沿ってインクを吐出することによってインク配線５０Ａ～５０Ｄを形成することができる。
【0088】
また、ボンディングワイヤを形成するためのワイヤボンディング装置のキャピラリーツール（図示略）の干渉を回避するため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄを所定距離以上にわたり離隔する必要がある。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの間の距離に起因して、Ｘ方向およびＹ方向における半導体装置１０の小型化を図ることが困難である。
【0089】
この点、第１実施形態の半導体装置１０では、インク配線５０Ａ～５０Ｄの形成時にボンディングワイヤのようにキャピラリーツールを用いていないため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの間の距離を小さくすることができる。したがって、Ｘ方向およびＹ方向における半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0090】
加えて、複数の端子３０Ａ～３０Ｄとボンディングワイヤとの接合部をファーストボンド部とする場合、複数の端子３０Ａ～３０Ｄとボンディングワイヤとの接合部にはバンプが形成されるため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄとボンディングワイヤと接合面積が大きくなる。これにより、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの小型化が困難である。
【0091】
この点、第１実施形態の半導体装置１０では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１上に形成されたインク配線５０Ａ～５０Ｄ（端子接続部５２）は、端子表面３１と電気的に接続されていれば、面積を任意に変更可能である。したがって、複数の端子３０Ａ～３０Ｄが小型化になったとしても、インク配線５０Ａ～５０Ｄは複数の端子３０Ａ～３０Ｄに安定して接合できる。したがって、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの小型化に起因して半導体装置１０の小型化を図ることができる。
【0092】
［効果］
第１実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、電極２８Ａ～２８Ｄが形成された素子表面２１と、厚さ方向であるＺ方向において素子表面２１とは反対側の素子裏面２２と、を有する半導体素子２０と、素子表面２１と同じ側を向く端子表面３１を有し、半導体素子２０の厚さ方向であるＺ方向から視て、半導体素子２０の周囲に配置された端子３０Ａ～３０Ｄと、素子表面２１と同じ側を向く絶縁表面４１を有し、半導体素子２０と端子３０Ａ～３０Ｄとの間に設けられた絶縁部材４０と、電極２８Ａ～２８Ｄと端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に接続するインク配線５０Ａ～５０Ｄと、半導体素子２０、インク配線５０Ａ～５０Ｄ、絶縁部材４０、および端子３０Ａ～３０Ｄを封止する封止樹脂７０と、を備える。インク配線５０Ａ～５０Ｄは、絶縁表面４１に接し、当該絶縁表面４１上を通って電極２８Ａ～２８Ｄと端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に接続している。
第１実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（１－１）半導体装置１０は、電極２８Ａ～２８Ｄが形成された素子表面２１と、厚さ方向であるＺ方向において素子表面２１とは反対側の素子裏面２２と、を有する半導体素子２０と、素子表面２１と同じ側を向く端子表面３１を有し、半導体素子２０の厚さ方向であるＺ方向から視て、半導体素子２０の周囲に配置された端子３０Ａ～３０Ｄと、素子表面２１と同じ側を向く絶縁表面４１を有し、半導体素子２０と端子３０Ａ～３０Ｄとの間に設けられた絶縁部材４０と、電極２８Ａ～２８Ｄと端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に接続するインク配線５０Ａ～５０Ｄと、半導体素子２０、インク配線５０Ａ～５０Ｄ、絶縁部材４０、および端子３０Ａ～３０Ｄを封止する封止樹脂７０と、を備える。インク配線５０Ａ～５０Ｄは、絶縁表面４１に接し、当該絶縁表面４１上を通って電極２８Ａ～２８Ｄと端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に接続している。
【0093】
この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄが絶縁部材４０の絶縁表面４１、電極２８Ａ～２８Ｄ、および端子３０Ａ～３０ＤとＺ方向において離隔していないため、上記作用に記載の比較構成と比較して、半導体装置１０の低背化を図ることができる。
【0094】
（１－２）半導体装置の低背化のため、ワイヤに代えて銅箔によって形成された配線を用いることが考えられる。しかし、このような配線は、たとえば銅箔からエッチングによってパターニングして形成されるため、エッチングレジストのための版が必要となる。
【0095】
この点、第１実施形態では、インク配線５０Ａ～５０Ｄは、導電性インクによって形成されている。この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄがインクジェット印刷によって形成できるため、エッチングレジストのような版が不要となる。したがって、半導体装置１０の製造コストの低減を図ることができる。
【0096】
（１－３）インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１と同じ側を向く配線表面５５を有する。配線表面５５は、凹凸状に形成されている。
この構成によれば、凸凹状の配線表面５５に封止樹脂７０が入り込むため、たとえばアンカー効果によってインク配線５０Ａ～５０Ｄと封止樹脂７０との密着性の向上を図ることができる。
この構成によれば、凸凹状の配線表面５５に封止樹脂７０が入り込むため、たとえばアンカー効果によってインク配線５０Ａ～５０Ｄと封止樹脂７０との密着性の向上を図ることができる。
【0097】
（１－４）インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の幅は、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の厚さよりも大きい。
この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄの厚さを薄くすることによる半導体装置１０の低背化を図るとともに、インク配線５０Ａ～５０Ｄの断面積を大きくとることができるのでインク配線５０Ａ～５０Ｄの電気抵抗の増加を抑制できる。
この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄの厚さを薄くすることによる半導体装置１０の低背化を図るとともに、インク配線５０Ａ～５０Ｄの断面積を大きくとることができるのでインク配線５０Ａ～５０Ｄの電気抵抗の増加を抑制できる。
【0098】
（１－５）インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々のうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々のうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0099】
この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄのうち段差が形成されやすい絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さを厚くすることによって、上記段差に起因するインク配線５０Ａ～５０Ｄの断線を回避することができる。
【0100】
（１－６）インク配線５０Ａ～５０Ｄのうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々のうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0101】
この構成によれば、インク配線５０Ａ～５０Ｄのうち段差が形成されやすい絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分の厚さを厚くすることによって、上記段差に起因するインク配線５０Ａ～５０Ｄの断線を回避することができる。
【0102】
（１－７）インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線表面５５のうち端子接続部５２は、配線部５３よりも凹凸状に形成されている。
この構成によれば、端子接続部５２と封止樹脂７０との密着性の向上を図ることができるため、インク配線５０Ａ～５０Ｄと封止樹脂７０との密着性のさらなる向上を図ることができる。
この構成によれば、端子接続部５２と封止樹脂７０との密着性の向上を図ることができるため、インク配線５０Ａ～５０Ｄと封止樹脂７０との密着性のさらなる向上を図ることができる。
【0103】
＜第２実施形態＞
図１２～図１９を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。第２実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、複数の端子の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体装置１０と異なる点を詳細に説明し、第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図１２～図１９を参照して、第２実施形態の半導体装置１０について説明する。第２実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、複数の端子の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体装置１０と異なる点を詳細に説明し、第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0104】
［半導体装置の構成］
図１２および図１３に示すように、第２実施形態の半導体装置１０の複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、第１実施形態の端子フレーム８３０（図７参照）に代えて、導電性ペーストによって形成されている。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。ここで、導電性ペーストとしては、たとえば銀（Ａｇ）を含むペーストが用いられている。
図１２および図１３に示すように、第２実施形態の半導体装置１０の複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、第１実施形態の端子フレーム８３０（図７参照）に代えて、導電性ペーストによって形成されている。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、Ｚ方向を厚さ方向とする矩形平板状に形成されている。ここで、導電性ペーストとしては、たとえば銀（Ａｇ）を含むペーストが用いられている。
【0105】
図１３に示すように、平面視における複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の形状は、たとえばＸ方向が短手方向となり、Ｙ方向が長手方向となる矩形状である。複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、端子表面３１、端子裏面３２（図１２参照）、および第１～第４端子側面３３～３６を有する。
【0106】
端子３０Ａ，３０Ｂの第１端子側面３３は封止樹脂７０の第１封止側面７３と同じ側を向き、端子３０Ａ，３０Ｂの第２端子側面３４は第２封止側面７４と同じ側を向いている。端子３０Ａの第３端子側面３５は第３封止側面７５と同じ側を向き、端子３０Ａの第４端子側面３６は第４封止側面７６と同じ側を向いている。端子３０Ｂの第３端子側面３５は第４封止側面７６と同じ側を向き、端子３０Ｂの第４端子側面３６は第３封止側面７５と同じ側を向いている。
【0107】
端子３０Ｃ，３０Ｄの第１端子側面３３は封止樹脂７０の第２封止側面７４と同じ側を向き、端子３０Ｃ，３０Ｄの第２端子側面３４は第１封止側面７３と同じ側を向いている。端子３０Ｃの第３端子側面３５は第３封止側面７５と同じ側を向き、端子３０Ｃの第４端子側面３６は第４封止側面７６と同じ側を向いている。端子３０Ｄの第３端子側面３５は第４封止側面７６と同じ側を向き、端子３０Ｄの第４端子側面３６は第３封止側面７５と同じ側を向いている。
【0108】
図１３に示す例においては、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、第１および第２封止側面７３，７４から露出しないように設けられている。一方、端子３０Ａ，３０Ｃの第３端子側面３５は第３封止側面７５から露出しており、端子３０Ｂ，３０Ｄの第３端子側面３５は第４封止側面７６から露出している。また、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子裏面３２は、封止裏面７２（図１２参照）から露出している。
【0109】
複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さは、半導体素子２０の厚さよりも薄い。一例では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さは、半導体素子２０の厚さの１／２以下である。一例では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さは、半導体素子２０の厚さの１／３以下である。一例では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さは、半導体素子２０の厚さの１／４以下である。
【0110】
絶縁部材４０は、第１実施形態と同様に、半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの間に形成されている。絶縁部材４０は、半導体素子２０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとに接している。より詳細には、絶縁部材４０は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６と、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの第２端子側面３４および第３端子側面３５とに接している。
【0111】
各端子３０Ａ～３０ＤのＹ方向の大きさはたとえば０．０７ｍｍ程度であり、各端子３０Ａ～３０ＤのＸ方向の大きさはたとえば０．０７ｍｍ程度である。なお、封止樹脂７０のサイズは第１実施形態と同様である。
【0112】
図１３に示すように、絶縁部材４０は、半導体素子２０と支持部材６０とを接合している。つまり、絶縁部材４０は、ダイボンディング材であるといえる。ダイボンディング材の一例としては、エポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられている。なお、支持部材６０と絶縁部材４０とが一体とされたものであってもよい。たとえば支持部材６０として、半導体素子２０をダイボンディングするダイボンディング材が用いられてもよい。
【0113】
絶縁部材４０は、第１実施形態と同様に、絶縁表面４１および絶縁裏面４２を有する。
絶縁表面４１は、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１と複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１との間を繋ぐように形成されている。
絶縁表面４１は、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１と複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１との間を繋ぐように形成されている。
【0114】
絶縁裏面４２の一部は、支持部材６０に接している。絶縁部材４０のうち複数の端子３０Ａ～３０Ｄ間に設けられた部分における絶縁裏面４２は、封止裏面７２から露出している。
【0115】
一例では、絶縁部材４０は、絶縁部材４０のうち第１～第４素子側面２３～２６と接する端縁において絶縁表面４１が半導体素子２０の素子表面２１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。また一例では、絶縁部材４０は、絶縁部材４０のうち複数の端子３０Ａ～３０Ｄの第２端子側面３４と接する端縁において絶縁表面４１が複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。
【0116】
図１２および図１３に示すように、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄは、第１実施形態と同様に、複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に電気的に接続するように形成されている。複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々は、第１実施形態と同様に、電極接続部５１、端子接続部５２、および配線部５３を有する。
【0117】
図１３に示すように、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２は、平面視において、複数の端子３０Ａ～３０Ｄよりも一回り小さい矩形状に形成されている。複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２の厚さは、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さよりも薄い。
【0118】
なお、インク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２は任意に変更可能である。一例では、インク配線５０Ａの端子接続部５２は、端子３０Ａの端子表面３１の全面にわたり接するように形成されていてもよい。インク配線５０Ｂ～５０Ｄの端子接続部５２の各々についても同様に、端子３０Ｂ～３０Ｄの端子表面３１の全面にわたり接するように形成されていてもよい。また、平面視における複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の端子接続部５２の形状は、矩形状に限られず、任意に変更可能である。
【0119】
図１３では明示していないが、第１実施形態と同様に、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線５０Ａの配線部５３のうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と半導体素子２０の素子表面２１との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａの配線部５３の他の部分（絶縁表面４１上に形成された配線部５３）の厚さよりも厚い。
【0120】
また第１実施形態と同様に、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０と端子３０Ａとの境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線５０Ａのうち絶縁部材４０と端子３０Ａとの境界上には、インク配線５０Ａの配線部５３と端子接続部５２との境界部分が形成されている。このため、インク配線５０Ａの配線部５３と端子接続部５２との境界部分の厚さは、インク配線５０Ａの配線部５３のうち半導体素子２０から離隔しかつ絶縁部材４０の絶縁表面４１上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0121】
第１実施形態と同様に、インク配線５０Ｃのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ｃのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線５０Ｃの配線部５３のうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と半導体素子２０の素子表面２１との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ｃの配線部５３の他の部分（絶縁表面４１上に形成された配線部５３）の厚さよりも厚い。
【0122】
また第１実施形態と同様に、インク配線５０Ｃのうち絶縁部材４０と端子３０Ｃとの境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ｃのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線５０Ｃのうち絶縁部材４０と端子３０Ｃとの境界上には、インク配線５０Ｃの配線部５３と端子接続部５２との境界部分が形成されている。このため、インク配線５０Ｃの配線部５３と端子接続部５２との境界部分の厚さは、インク配線５０Ｃの配線部５３のうち半導体素子２０から離隔しかつ絶縁部材４０の絶縁表面４１上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0123】
図示していないが、インク配線５０Ｂ，５０Ｄについても同様に、インク配線５０Ｂ，５０Ｄのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ｂ，５０Ｄのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。また、インク配線５０Ｂ，５０Ｄのうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ｂ，３０Ｄとの境界上に形成された部分の厚さは、インク配線５０Ｂ，５０Ｄのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0124】
［半導体装置の製造方法］
図１４～図１８を参照して、第２実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、図１４～図１８では複数の端子３０Ａ～３０Ｄのうち端子３０Ａ，３０Ｃを示し、図１７および図１８では複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄのうちインク配線５０Ａ，５０Ｃを示している。
図１４～図１８を参照して、第２実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、図１４～図１８では複数の端子３０Ａ～３０Ｄのうち端子３０Ａ，３０Ｃを示し、図１７および図１８では複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄのうちインク配線５０Ａ，５０Ｃを示している。
【0125】
第２実施形態の半導体装置１０の製造方法は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程と、支持部材６０を形成する工程と、半導体素子２０を搭載する工程と、複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程と、封止樹脂８７０を形成する工程と、個片化する工程と、を備える。
【0126】
図１４に示すように、複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程においては、支持材８００の表面８０１上に複数の端子３０Ａ，３０Ｃが形成される。複数の端子３０Ａ，３０Ｃは、たとえばパッド印刷またはスクリーン印刷によって形成される。なお、図示していないが、端子３０Ｂ，３０Ｄも端子３０Ａ，３０Ｃと同様に形成される。
【0127】
続いて、支持部材６０を形成する工程においては、支持材８００の表面８０１上に支持部材６０が形成される。支持部材６０は、たとえばポッティングによって形成される。支持部材６０は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄと接するように形成されている。
【0128】
図１５に示すように、半導体素子２０を搭載する工程は、支持部材６０上に絶縁部材４０をポッティングする工程と、支持部材６０に半導体素子２０を接合する工程と、を含む。
【0129】
支持部材６０上に絶縁部材４０をポッティングする工程においては、たとえばインジェクタを用いて絶縁部材４０が支持部材６０上に形成される。この絶縁部材４０は、たとえばダイボンディング材によって形成されている。
【0130】
続いて、図１６に示すように、支持部材６０に半導体素子２０を接合する工程においては、まず、半導体素子２０が絶縁部材４０に搭載される。この際、図１６に示すとおり、絶縁部材４０は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６（図１３参照）の全面を覆う。その後、リフロー処理し、冷却固化することによって、絶縁部材４０が半導体素子２０を支持部材６０に接合する。なお、図１６では、第１～第４素子側面２３～２６のうち第１素子側面２３および第３素子側面２５を示している。
【0131】
図１７に示すように、インク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程においては、第１実施形態と同様に、インク配線５０Ａ，５０Ｃは、インクジェット印刷によって半導体素子２０の複数の電極２８Ａ，２８Ｃ上、素子表面２１上、絶縁部材４０の絶縁表面４１上、および複数の端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面３１上に形成される。一例では、平面視において、インク配線５０Ａ，５０Ｃのうち半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分と、絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子３０Ａ，３０Ｃの端子表面３１との境界部分との両方において、インク配線５０Ａ，５０Ｃの厚さが他の配線部５３の厚さよりも厚くなるように形成されている。この形成方法は第１実施形態と同様である。
【0132】
なお、図示していないが、インク配線５０Ａ～５０Ｄを形成する工程においては、インク配線５０Ｂ，５０Ｄもインク配線５０Ａ，５０Ｃと同様に、インクジェット印刷によって半導体素子２０の複数の電極２８Ｂ，２８Ｄ上、素子表面２１上、絶縁部材４０の絶縁表面４１上、および複数の端子３０Ｂ，３０Ｄの端子表面３１上に形成される。一例では、平面視において、インク配線５０Ｂ，５０Ｄのうち半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界部分と、絶縁部材４０の絶縁表面４１と端子３０Ｂ，３０Ｄの端子表面３１との境界部分との両方において、インク配線５０Ｂ，５０Ｄの厚さが他の配線部５３の厚さよりも厚くなるように形成されている。
【0133】
図１８に示すように、封止樹脂８７０を形成する工程は、第１実施形態の封止樹脂８７０を形成する工程と同様である。続いて、支持材８００を除去する。
続いて、個片化する工程は、第１実施形態と同様に、封止樹脂８７０を形成する工程によって製造された組立体をダイシングテープＤＴに載置した状態でたとえばダイシングブレードを用いて切断線ＣＬに沿って封止樹脂８７０を切断する。これにより、封止樹脂７０が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。第２実施形態の半導体装置１０によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
続いて、個片化する工程は、第１実施形態と同様に、封止樹脂８７０を形成する工程によって製造された組立体をダイシングテープＤＴに載置した状態でたとえばダイシングブレードを用いて切断線ＣＬに沿って封止樹脂８７０を切断する。これにより、封止樹脂７０が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。第２実施形態の半導体装置１０によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0134】
＜第３実施形態＞
図１９～図２５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０について説明する。第３実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、複数のインク配線および複数の端子の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体装置１０と異なる点を詳細に説明し、第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
図１９～図２５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０について説明する。第３実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の半導体装置１０と比較して、複数のインク配線および複数の端子の構成が主に異なる。以下では、第１実施形態の半導体装置１０と異なる点を詳細に説明し、第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0135】
［半導体装置の構成］
図１９および図２０に示すように、第３実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄ（図２参照）に代えて、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄを備える。第３実施形態の半導体装置１０においては、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとが、インクジェット印刷によって一体に形成されている。つまり、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性インクによって形成されている。複数の端子３０Ａ～３０Ｄに用いられた導電性インクは、たとえば銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）を含む。第３実施形態では、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの形成のために用いられた導電性インクと、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの形成のために用いられた導電性インクとは、同じものである。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、インク配線８０Ａ～８０Ｄを形成する導電性インクと同一材料の導電性インクによって一体に形成されているといえる。このように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、多数のドット５４（図４参照）によって形成されている。
図１９および図２０に示すように、第３実施形態の半導体装置１０は、第１実施形態の複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄ（図２参照）に代えて、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄを備える。第３実施形態の半導体装置１０においては、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとが、インクジェット印刷によって一体に形成されている。つまり、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性インクによって形成されている。複数の端子３０Ａ～３０Ｄに用いられた導電性インクは、たとえば銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）を含む。第３実施形態では、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの形成のために用いられた導電性インクと、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの形成のために用いられた導電性インクとは、同じものである。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、インク配線８０Ａ～８０Ｄを形成する導電性インクと同一材料の導電性インクによって一体に形成されているといえる。このように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、多数のドット５４（図４参照）によって形成されている。
【0136】
図１９および図２０に示すように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄは、第１実施形態と同様に、複数の電極２８Ａ～２８Ｄと複数の端子３０Ａ～３０Ｄとを個別に電気的に接続するように形成されている。複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの各々は、電極接続部８１および配線部８２を有する。複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの各々の電極接続部８１は、第１実施形態の複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の電極接続部５１（図２参照）と対応している。複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの各々の配線部８２は、第１実施形態の複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの各々の配線部５３と対応している。一方、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの各々は、第１実施形態の複数のインク配線５０Ａ～５０Ｄの端子接続部５２（図３参照）を有していない。
【0137】
図２０では明示していないが、第１実施形態と同様に、インク配線８０Ａのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線８０Ａのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線８０Ａの配線部８２のうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と半導体素子２０の素子表面２１との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線８０Ａの配線部８２の他の部分（絶縁表面４１上に形成された配線部８２）の厚さよりも厚い。
【0138】
図２０では明示していないが、第１実施形態と同様に、インク配線８０Ｃのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線８０Ｃのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。より詳細には、インク配線８０Ｃの配線部８２のうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と半導体素子２０の素子表面２１との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線８０Ｃの配線部８２の他の部分（絶縁表面４１上に形成された配線部５３）の厚さよりも厚い。
【0139】
図示していないが、インク配線８０Ｂ，８０Ｄについても同様に、インク配線８０Ｂ，８０Ｄのうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さは、インク配線８０Ｂ，８０Ｄのうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚い。
【0140】
図１９に示すように、平面視における複数の端子３０Ａ～３０Ｄの形状は、矩形状である。図２０に示すように、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの厚さは、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄの配線部８２の厚さよりも厚い。つまり、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、配線部８２よりもドット５４（図４参照）の積層数が多くなる。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１は、凹凸状となる。一例では、インク配線８０Ａ～８０Ｄおよび端子３０Ａ～３０Ｄでは、ドット５４の積層数が多くなるにつれて凹凸の差が大きくなる。このため、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの面粗度は、インク配線８０Ａ～８０Ｄの配線部８２の面粗度よりも大きい。ここで、面粗度は、たとえば第１実施形態と同様に算術平均粗さが用いられる。
【0141】
各端子３０Ａ～３０ＤのＹ方向の大きさはたとえば０．０７ｍｍ程度であり、各端子３０Ａ～３０ＤのＸ方向の大きさはたとえば０．０７ｍｍ程度である。なお、封止樹脂７０のサイズは第１実施形態と同様である。
【0142】
図２０に示すように、絶縁部材４０は、第２実施形態と同様に、半導体素子２０と支持部材６０とを接合している。つまり、絶縁部材４０は、ダイボンディング材であるといえる。ダイボンディング材の一例としては、エポキシ樹脂等の絶縁性接合材が用いられている。
【0143】
絶縁部材４０は、第２実施形態と同様に、絶縁表面４１および絶縁裏面４２を有する。
絶縁表面４１は、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１と複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１との間を繋ぐように形成されている。
絶縁表面４１は、平面視において、半導体素子２０の素子表面２１と複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子表面３１との間を繋ぐように形成されている。
【0144】
絶縁裏面４２の一部は、支持部材６０に接している。絶縁部材４０のうち複数の端子３０Ａ～３０Ｄ間に設けられた部分における絶縁裏面４２は、封止裏面７２から露出している。
【0145】
一例では、絶縁部材４０は、絶縁部材４０のうち第１～第４素子側面２３～２６と接する端縁において絶縁表面４１が半導体素子２０の素子表面２１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。また一例では、絶縁部材４０は、絶縁部材４０のうち複数の端子３０Ａ～３０Ｄと接する端縁において絶縁表面４１が複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置となるように形成されている。
【0146】
［半導体装置の製造方法］
図２１～図２５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、図２４および図２５では複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうちインク配線８０Ａ，８０Ｃを示している。
図２１～図２５を参照して、第３実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。なお、図２４および図２５では複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうちインク配線８０Ａ，８０Ｃを示している。
【0147】
第３実施形態の半導体装置１０の製造方法は、支持部材６０を形成する工程と、半導体素子２０を搭載する工程と、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程と、封止樹脂８７０を形成する工程と、個片化する工程と、を備える。
【0148】
図２１に示すように、支持部材６０を形成する工程においては、支持材８００の表面８０１上に支持部材６０が形成される。支持部材６０は、たとえばポッティングによって形成される。
【0149】
図２２に示すように、半導体素子２０を搭載する工程は、支持部材６０上に絶縁部材４０をポッティングする工程と、支持部材６０に半導体素子２０を接合する工程と、を含む。
【0150】
支持部材６０上に絶縁部材４０をポッティングする工程においては、たとえばインジェクタを用いて絶縁部材４０が支持部材６０上に形成される。この絶縁部材４０は、たとえばダイボンディング材によって形成されている。
【0151】
続いて、図２３に示すように、支持部材６０に半導体素子２０を接合する工程においては、まず、半導体素子２０が絶縁部材４０に搭載される。この際、図２３に示すとおり、絶縁部材４０は、半導体素子２０の第１～第４素子側面２３～２６（図２０参照）の全面を覆う。その後、リフロー処理し、冷却固化することによって、絶縁部材４０が半導体素子２０を支持部材６０に接合する。なお、図２３では、第１～第４素子側面２３～２６のうち第１素子側面２３および第３素子側面２５を示している。
【0152】
図２４に示すように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程においては、第１実施形態と同様に、インクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによってインク配線８０Ａ，８０Ｃおよび端子３０Ａ，３０Ｃが形成される。
【0153】
図２４に示すとおり、インク配線８０Ａおよび端子３０Ａは、同一材料の導電性インクによって一体に形成されている。インク配線８０Ｃおよび端子３０Ｃは、同一材料の導電性インクによって一体に形成されている。このため、インク配線８０Ａ，８０Ｃおよび端子３０Ａ，３０Ｃは、半導体素子２０の複数の電極２８Ａ，２８Ｃ上、素子表面２１上、絶縁部材４０の絶縁表面４１上、および支持材８００の表面８０１上に形成される。支持材８００の表面８０１上に付着した導電性インクによって複数の端子３０Ａ，３０Ｃが形成される。なお、図２４では図示していないが、インク配線８０Ｂ，８０Ｄおよび端子３０Ｂ，３０Ｄもインクジェット印刷によってインク配線８０Ａ，８０Ｃおよび端子３０Ａ，３０Ｃと同様に形成される。
【0154】
このように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程では、絶縁表面４１に接し、複数の電極２８Ａ～２８Ｄと個別に接続するように複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄが形成され、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄから連続して支持材８００の表面８０１に接するように複数の端子３０Ａ～３０Ｄが形成される。
【0155】
また一例では、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程では、平面視において、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち半導体素子２０の素子表面２１と絶縁部材４０の絶縁表面４１との境界上に形成された部分の厚さが、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち他の配線部５３としての絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚くなるように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分における導電性インクの吐出回数を増加させる。つまり、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分のドット５４（図４参照）の積層数を増加させることによって、上記部分の厚さを厚くしている。
【0156】
また一例では、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを形成する工程では、絶縁部材４０の絶縁表面４１と支持材８００の表面８０１との境界上に形成された部分の厚さが、インク配線８０Ａ～８０Ｄの厚さが他の配線部５３の厚さよりも厚くなるように、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と支持材８００の表面８０１との境界上に形成された部分における導電性インクの吐出回数を増加させる。つまり、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄのうち絶縁部材４０の絶縁表面４１と支持材８００の表面８０１との境界上に形成された部分のドット５４の積層数を増加させることによって、上記部分の厚さを厚くしている。
【0157】
図２５に示すように、封止樹脂８７０を形成する工程は、第１実施形態の封止樹脂８７０を形成する工程と同様である。続いて、支持材８００を除去する。
続いて、個片化する工程は、第１実施形態と同様に、封止樹脂８７０を形成する工程によって製造された組立体をダイシングテープＤＴに載置した状態でたとえばダイシングブレードを用いて切断線ＣＬに沿って封止樹脂８７０を切断する。これにより、封止樹脂７０が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。
続いて、個片化する工程は、第１実施形態と同様に、封止樹脂８７０を形成する工程によって製造された組立体をダイシングテープＤＴに載置した状態でたとえばダイシングブレードを用いて切断線ＣＬに沿って封止樹脂８７０を切断する。これにより、封止樹脂７０が形成される。以上の工程を経て、半導体装置１０が製造される。
【0158】
［効果］
第３実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性インクによって形成されている。
第３実施形態の半導体装置１０によれば、以下の効果が得られる。
（３－１）複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性インクによって形成されている。
【0159】
この構成によれば、端子フレーム８３０等の端子３０Ａ～３０Ｄの専用の部品が不要となる。したがって、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
（３－２）複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、共通の導電性インクによって一体に形成されている。
（３－２）複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、共通の導電性インクによって一体に形成されている。
【0160】
この構成によれば、複数のインク配線８０Ａ～８０Ｄおよび複数の端子３０Ａ～３０Ｄを共通の工程において形成することができる。したがって、半導体装置１０の製造工程が簡略化されるため、半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【0161】
＜変更例＞
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記各実施形態は、以下のように変更して実施することができる。また、上記各実施形態および以下の各変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0162】
・第１実施形態において、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの構成は任意に変更可能である。一例では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの少なくとも１つから突出部３９Ａを省略してもよい。また一例では、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの少なくとも１つからフランジ部３９を省略してもよい。この場合、外部電極部３８は、端子表面３１および端子裏面３２を含む。
【0163】
・第１実施形態において、平面視における複数の端子３０Ａ～３０Ｄの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における複数の端子３０Ａ～３０Ｄの形状は、矩形状であってもよい。この場合、フランジ部３９から傾斜面３７（３７Ａ，３７Ｂ）が省略される。
【0164】
・第１実施形態において、半導体素子２０の素子表面２１と、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とのＺ方向の位置関係は任意に変更可能である。一例では、素子表面２１は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１とＺ方向に同じ位置であってもよい。一例では、素子表面２１は、複数の端子３０Ａ～３０Ｄの各々の端子表面３１よりもＺ方向において封止裏面７２寄りに位置していてもよい。
【0165】
・第２実施形態において、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、封止樹脂７０の第１～第４封止側面７３～７６のいずれかから露出していてもよい。この場合、半導体装置１０の製造方法における個片化工程において、ダイシングブレードによって、封止樹脂８７０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとがそれぞれ切断される。
【0166】
・第２実施形態において、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性ペーストによって形成されたが、これに限られない。たとえば、複数の端子３０Ａ～３０Ｄは、導電性シートまたは導電性フィルムによって形成されていてもよい。
【0167】
・第１および第２実施形態において、絶縁部材４０の形成範囲は任意に変更可能である。一例では、絶縁部材４０は、複数の端子３０Ａ～３０Ｂの端子表面３１の一部の上に形成されていてもよい。
【0168】
・第２および第３実施形態において、絶縁部材４０としてダイボンディング材が用いられたが、これに限られない。一例では、第１実施形態と同様に、半導体素子２０が接合材ＳＤによって支持部材６０に接合された状態で、ダイボンディング材とは異なる材料の絶縁部材４０が設けられていてもよい。ダイボンディング材とは異なる材料としては、たとえばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
【0169】
・第２および第３実施形態において、絶縁部材４０を省略してもよい。この場合、インク配線５０Ａ～５０Ｄ（８０Ａ～８０Ｄ）は、たとえば電極２８Ａ～２８Ｄ、素子表面２１、第１～第４素子側面２３～２６、および支持部材６０を通って複数の端子３０Ａ～３０Ｄに個別に接続されていてもよい。
【0170】
・各実施形態において、インク配線５０Ａ～５０Ｄ（８０Ａ～８０Ｄ）の少なくとも１つは、インク配線のうち絶縁部材４０と半導体素子２０との境界上に形成された部分の厚さがインク配線のうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さと等しくてもよい。
【0171】
・第１および第２実施形態において、インク配線５０Ａ～５０Ｄ（８０Ａ～８０Ｄ）の少なくとも１つは、インク配線のうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分の厚さがインク配線のうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さと等しくてもよい。
【0172】
・第３実施形態において、インク配線８０Ａ～８０Ｄの少なくとも１つは、インク配線のうち絶縁部材４０と複数の端子３０Ａ～３０Ｄとの境界上に形成された部分の厚さがインク配線のうち絶縁部材４０上に形成された部分の厚さよりも厚くてもよい。
【0173】
・第３実施形態において、インク配線８０Ａ～８０Ｄに用いられる導電性インクと、複数の端子３０Ａ～３０Ｄに用いられる導電性インクとが互いに異なる材料によって形成されていてもよい。
【0174】
・各実施形態において、半導体素子２０の複数の電極２８Ａ～２８Ｄと、複数の端子３０Ａ～３０Ｄとを接続する配線は、導電性インクによって形成されたインク配線５０Ａ～５０Ｄ（８０Ａ～８０Ｄ）に限られない。一例では、上記配線は、無電解めっき法によって形成された金属層であってもよい。一例では、上記配線は、スパッタリング法によって形成された金属層であってもよい。
【0175】
・各実施形態において、封止樹脂７０の封止裏面７２から露出した複数の端子３０Ａ～３０Ｄの端子裏面３２に、めっき層を設けてもよい。めっき層は、たとえば無電解めっきによって形成される。
【0176】
本開示で使用される「～上に」という用語は、文脈によって明らかにそうでないことが示されない限り、「～上に」と「～の上方に」の意味を含む。したがって、「ＡがＢ上に形成される」という表現は、上記各実施形態ではＡがＢに接触してＢ上に直接配置され得るが、変更例として、ＡがＢに接触することなくＢの上方に配置され得ることが意図される。すなわち、「～上に」という用語は、ＡとＢとの間に他の部材が形成される構造を排除しない。
【0177】
本開示で使用されるＺ方向は必ずしも鉛直方向である必要はなく、鉛直方向に完全に一致している必要もない。したがって、本開示による種々の構造は、本明細書で説明されるＺ方向の「上」および「下」が鉛直方向の「上」および「下」であることに限定されない。例えば、Ｘ方向が鉛直方向であってもよく、またはＹ方向が鉛直方向であってもよい。
【0178】
＜付記＞
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
上記各実施形態および各変更例から把握できる技術的思想を以下に記載する。なお、限定する意図ではなく理解の補助のために、付記に記載した構成について実施形態中の対応する符号を括弧書きで示す。符号は、理解の補助のために例として示すものであり、各符号に記載された構成要素は、符号で示される構成要素に限定されるべきではない。
【0179】
［付記Ａ１］
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、を有する半導体素子（２０）と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く端子表面（３１）を有し、前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体素子（２０）の周囲に配置された端子（３０Ａ～３０Ｄ）と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く絶縁表面（４１）を有し、前記半導体素子（２０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との間に設けられた絶縁部材（４０）と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（７０）と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続している
半導体装置（１０）。
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、を有する半導体素子（２０）と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く端子表面（３１）を有し、前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体素子（２０）の周囲に配置された端子（３０Ａ～３０Ｄ）と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く絶縁表面（４１）を有し、前記半導体素子（２０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との間に設けられた絶縁部材（４０）と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（７０）と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続している
半導体装置（１０）。
【0180】
［付記Ａ２］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ａ１に記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ａ１に記載の半導体装置。
【0181】
［付記Ａ３］
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
付記Ａ２に記載の半導体装置。
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
付記Ａ２に記載の半導体装置。
【0182】
［付記Ａ４］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）と同じ側を向く配線表面（５５）を有し、
前記配線表面（５５）は、凹凸状に形成されている
付記Ａ２またはＡ３に記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）と同じ側を向く配線表面（５５）を有し、
前記配線表面（５５）は、凹凸状に形成されている
付記Ａ２またはＡ３に記載の半導体装置。
【0183】
［付記Ａ５］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さは、１５μｍ未満である
付記Ａ２～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さは、１５μｍ未満である
付記Ａ２～Ａ４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0184】
［付記Ａ６］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の幅は、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さよりも大きい
付記Ａ２～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の幅は、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さよりも大きい
付記Ａ２～Ａ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0185】
［付記Ａ７］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ａ２～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ａ２～Ａ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0186】
［付記Ａ８］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ａ２～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ａ２～Ａ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0187】
［付記Ａ９］
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、金属製の薄板によって構成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、金属製の薄板によって構成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0188】
［付記Ａ１０］
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性ペーストによって形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性ペーストによって形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0189】
［付記Ａ１１］
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0190】
［付記Ａ１２］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）の全体にわたり形成されている
付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）の全体にわたり形成されている
付記Ａ１～Ａ１１のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0191】
［付記Ａ１３］
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）を有し、
前記絶縁表面（４１）は、前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記素子表面（２１）の端縁において前記素子表面（２１）と面一となる
付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記半導体素子（２０）は、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）を有し、
前記絶縁表面（４１）は、前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て前記素子表面（２１）の端縁において前記素子表面（２１）と面一となる
付記Ａ１～Ａ１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0192】
［付記Ａ１４］
前記絶縁部材（４０）は、前記封止樹脂（７０）と異なる材料によって構成されている
付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記絶縁部材（４０）は、前記封止樹脂（７０）と異なる材料によって構成されている
付記Ａ１～Ａ１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0193】
［付記Ａ１５］
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、同一材料の導電性インクによって一体に形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、同一材料の導電性インクによって一体に形成されている
付記Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0194】
［付記Ｂ１］
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）を有する半導体素子（２０）と、
前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体素子（２０）の周囲の位置に形成された端子（３０Ａ～３０Ｄ）と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（７０）と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
半導体装置。
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）を有する半導体素子（２０）と、
前記半導体素子（２０）の厚さ方向（Ｚ方向）から視て、前記半導体素子（２０）の周囲の位置に形成された端子（３０Ａ～３０Ｄ）と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（７０）と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
半導体装置。
【0195】
［付記Ｂ２］
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
付記Ｂ１に記載の半導体装置。
前記導電性インクは、ＡｇまたはＡｕを含む
付記Ｂ１に記載の半導体装置。
【0196】
［付記Ｂ３］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）と同じ側を向く配線表面（５５）を有し、
前記配線表面（５５）は、凹凸状に形成されている
付記Ｂ１またはＢ２に記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）と同じ側を向く配線表面（５５）を有し、
前記配線表面（５５）は、凹凸状に形成されている
付記Ｂ１またはＢ２に記載の半導体装置。
【0197】
［付記Ｂ４］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さは、１５μｍ未満である
付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さは、１５μｍ未満である
付記Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0198】
［付記Ｂ５］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の幅は、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さよりも大きい
付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の幅は、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）の厚さよりも大きい
付記Ｂ１～Ｂ４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0199】
［付記Ｂ６］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ｂ１～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ｂ１～Ｂ５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0200】
［付記Ｂ７］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ｂ１～Ｂ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さは、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚い
付記Ｂ１～Ｂ６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0201】
［付記Ｂ８］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）の全体にわたり形成されている
付記Ｂ１～Ｂ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）は、前記端子表面（３１）の全体にわたり形成されている
付記Ｂ１～Ｂ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0202】
［付記Ｂ９］
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ｂ１～Ｂ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、導電性インクによって形成されている
付記Ｂ１～Ｂ７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0203】
［付記Ｂ１０］
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）を形成する導電性インクと同一材料の導電性インクによって一体に形成されている
付記Ｂ１～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）は、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）を形成する導電性インクと同一材料の導電性インクによって一体に形成されている
付記Ｂ１～Ｂ８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【0204】
［付記Ｃ１］
支持材（８００）上に、互いに離隔して設けられた複数の端子（８３０，３０Ａ～３０Ｄ）を載置する工程と、
前記支持材（８００）上のうち前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）によって囲まれる領域内に支持部材（６０）を載置する工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、を有する半導体素子（２０）を前記支持部材（６０）に搭載する工程と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く絶縁表面（４１）を有する絶縁部材（４０）を前記半導体素子（２０）と前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）との間に形成する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続するように前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
支持材（８００）上に、互いに離隔して設けられた複数の端子（８３０，３０Ａ～３０Ｄ）を載置する工程と、
前記支持材（８００）上のうち前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）によって囲まれる領域内に支持部材（６０）を載置する工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、を有する半導体素子（２０）を前記支持部材（６０）に搭載する工程と、
前記素子表面（２１）と同じ側を向く絶縁表面（４１）を有する絶縁部材（４０）を前記半導体素子（２０）と前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）との間に形成する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続するように前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
【0205】
［付記Ｃ２］
支持材（８００）上に、互いに離隔して設けられた複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）を載置する工程と、
前記支持材（８００）上のうち前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）によって囲まれる領域内に支持部材（６０）を載置する工程と、
前記支持部材（６０）上に絶縁部材（４０）をポッティングする工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）と、を有する半導体素子（２０）を、前記絶縁部材（４０）が前記素子側面（２３～２６）の全体を覆うように前記絶縁部材（４０）に接合する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続するように前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
支持材（８００）上に、互いに離隔して設けられた複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）を載置する工程と、
前記支持材（８００）上のうち前記複数の端子（３０Ａ～３０Ｄ）によって囲まれる領域内に支持部材（６０）を載置する工程と、
前記支持部材（６０）上に絶縁部材（４０）をポッティングする工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）と、を有する半導体素子（２０）を、前記絶縁部材（４０）が前記素子側面（２３～２６）の全体を覆うように前記絶縁部材（４０）に接合する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続する配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、当該絶縁表面（４１）上を通って前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）とを接続するように前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
【0206】
［付記Ｃ３］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによって前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
付記Ｃ１またはＣ２に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによって前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する
付記Ｃ１またはＣ２に記載の半導体装置の製造方法。
【0207】
［付記Ｃ４］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さが前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚くなるように、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ３に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）の厚さが前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚くなるように、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分（５７）における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ３に記載の半導体装置の製造方法。
【0208】
［付記Ｃ５］
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さが前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚くなるように、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ３またはＣ４に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）の厚さが前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分（５３）の厚さよりも厚くなるように、前記配線（５０Ａ～５０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）との境界上に形成された部分（５８）における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ３またはＣ４に記載の半導体装置の製造方法。
【0209】
［付記Ｃ６］
支持材（８００）上に支持部材（６０）を載置する工程と、
前記支持部材（６０）上に絶縁部材（４０）をポッティングする工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）と、を有する半導体素子（２０）を、前記絶縁部材（４０）が前記素子側面（２３～２６）の全体を覆うように前記絶縁部材（４０）に接合する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）に接続される配線（８０Ａ～８０Ｄ）および端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と接続するように前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）を形成し、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）から連続して前記支持材（８００）の表面（８０１）に接するように前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
支持材（８００）上に支持部材（６０）を載置する工程と、
前記支持部材（６０）上に絶縁部材（４０）をポッティングする工程と、
電極（２８Ａ～２８Ｄ）が形成された素子表面（２１）と、厚さ方向（Ｚ方向）において前記素子表面（２１）とは反対側の素子裏面（２２）と、前記素子表面（２１）と前記素子裏面（２２）とを繋ぐ素子側面（２３～２６）と、を有する半導体素子（２０）を、前記絶縁部材（４０）が前記素子側面（２３～２６）の全体を覆うように前記絶縁部材（４０）に接合する工程と、
前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）に接続される配線（８０Ａ～８０Ｄ）および端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程と、
前記半導体素子（２０）、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）、前記絶縁部材（４０）、および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を封止する封止樹脂（８７０）を形成する工程と、
を備え、
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記絶縁表面（４１）に接し、前記電極（２８Ａ～２８Ｄ）と接続するように前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）を形成し、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）から連続して前記支持材（８００）の表面（８０１）に接するように前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する
半導体装置の製造方法。
【0210】
［付記Ｃ７］
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによって前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する
付記Ｃ６に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷を用いて導電性インクを吐出することによって前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する
付記Ｃ６に記載の半導体装置の製造方法。
【0211】
［付記Ｃ８］
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷によって前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を一体に形成する
付記Ｃ７に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、インクジェット印刷によって前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を一体に形成する
付記Ｃ７に記載の半導体装置の製造方法。
【0212】
［付記Ｃ９］
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分の厚さが前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分の厚さよりも厚くなるように、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ７またはＣ８に記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分の厚さが前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分の厚さよりも厚くなるように、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記半導体素子（２０）との境界上に形成された部分における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ７またはＣ８に記載の半導体装置の製造方法。
【0213】
［付記Ｃ１０］
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記支持材（８００）との境界上に形成された部分の厚さが前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分の厚さよりも厚くなるように、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記支持材（８００）との境界上に形成された部分における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ７～Ｃ９のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）および前記端子（３０Ａ～３０Ｄ）を形成する工程では、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記支持材（８００）との境界上に形成された部分の厚さが前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）上に形成された部分の厚さよりも厚くなるように、前記配線（８０Ａ～８０Ｄ）のうち前記絶縁部材（４０）と前記支持材（８００）との境界上に形成された部分における前記導電性インクの吐出回数を増加させる
付記Ｃ７～Ｃ９のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【0214】
以上の説明は単に例示である。本開示の技術を説明する目的のために列挙された構成要素および方法（製造プロセス）以外に、より多くの考えられる組み合わせおよび置換が可能であることを当業者は認識し得る。本開示は、特許請求の範囲を含む本開示の範囲内に含まれるすべての代替、変形、および変更を包含することが意図される。
【符号の説明】
【0215】
１０…半導体装置
２０…半導体素子
２１…素子表面
２２…素子裏面
２３～２６…第１～第４素子側面
２７Ａ～２７Ｄ…コーナ部分
２８Ａ～２８Ｄ…電極
３０Ａ～３０Ｄ…端子
３１…端子表面
３２…端子裏面
３３～３６…第１～第４端子側面
３７…傾斜面
３８…外部電極部
３９…フランジ部
３９Ａ…突出部
４０…絶縁部材
４１…絶縁表面
４１Ａ…傾斜面
４２…絶縁裏面
５０Ａ～５０Ｄ…インク配線
５１…電極接続部
５２…端子接続部
５３…配線部
５４…ドット
５５…配線表面
５６…配線裏面
５７…第１積層部
５８…第２積層部
６０…支持部材
７０…封止樹脂
７１…封止表面
７２…封止裏面
７３～７６…第１～第４封止側面
７７Ａ～７７Ｄ…コーナ部分
８０Ａ～８０Ｄ…インク配線
８１…電極接続部
８２…配線部
８００…支持材
８０１…表面
８３０…端子フレーム
８３１…端子表面
８３８…外部電極部
８３９…フランジ部
８７０…封止樹脂
ＣＬ…切断線
ＤＴ…ダイシングテープ
ＳＤ…接合材
２０…半導体素子
２１…素子表面
２２…素子裏面
２３～２６…第１～第４素子側面
２７Ａ～２７Ｄ…コーナ部分
２８Ａ～２８Ｄ…電極
３０Ａ～３０Ｄ…端子
３１…端子表面
３２…端子裏面
３３～３６…第１～第４端子側面
３７…傾斜面
３８…外部電極部
３９…フランジ部
３９Ａ…突出部
４０…絶縁部材
４１…絶縁表面
４１Ａ…傾斜面
４２…絶縁裏面
５０Ａ～５０Ｄ…インク配線
５１…電極接続部
５２…端子接続部
５３…配線部
５４…ドット
５５…配線表面
５６…配線裏面
５７…第１積層部
５８…第２積層部
６０…支持部材
７０…封止樹脂
７１…封止表面
７２…封止裏面
７３～７６…第１～第４封止側面
７７Ａ～７７Ｄ…コーナ部分
８０Ａ～８０Ｄ…インク配線
８１…電極接続部
８２…配線部
８００…支持材
８０１…表面
８３０…端子フレーム
８３１…端子表面
８３８…外部電極部
８３９…フランジ部
８７０…封止樹脂
ＣＬ…切断線
ＤＴ…ダイシングテープ
ＳＤ…接合材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】