(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024054078
(43)【公開日】2024-04-16
(54)【発明の名称】発光素子の転写装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/00 20100101AFI20240409BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240409BHJP
H01L 21/60 20060101ALN20240409BHJP
【ＦＩ】
H01L33/00 H
G09F9/00 338
H01L21/60 311T
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023156241
(22)【出願日】2023-09-21
(31)【優先権主張番号】10-2022-0126152
(32)【優先日】2022-10-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002619
【氏名又は名称】弁理士法人ＰＯＲＴ
(72)【発明者】
【氏名】ハン，ジョンウォン
(72)【発明者】
【氏名】オ，ウォンヒ
【テーマコード（参考）】
5F044
5F142
5G435
【Ｆターム（参考）】
5F044KK05
5F044LL05
5F044PP16
5F044PP19
5F044QQ03
5F044RR01
5F044RR12
5F142AA58
5F142AA81
5F142BA02
5F142BA32
5F142CA11
5F142CB03
5F142CB23
5F142CD02
5F142FA32
5F142FA38
5F142GA02
5G435AA17
5G435BB04
5G435KK10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光素子の転写装置およびそれを用いた転写方法を提供する。
【解決手段】発光素子の転写装置は、粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、前記転写部材を支持するステージと、前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、を含み、前記保護フィルムは転写領域と折曲領域を定義する切開溝を含み、前記転写部材は前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み得る。
【選択図】図５
【解決手段】発光素子の転写装置は、粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、前記転写部材を支持するステージと、前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、を含み、前記保護フィルムは転写領域と折曲領域を定義する切開溝を含み、前記転写部材は前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み得る。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、
前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、
前記転写部材を支持する反転部材と、
前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、
を含み、
前記転写部材は転写部、折曲部および前記転写部と折曲部の境界に配置される切開溝を含み、
前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域を定義する切開溝を含み、
前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含む、発光素子の転写装置。
前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、
前記転写部材を支持する反転部材と、
前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、
を含み、
前記転写部材は転写部、折曲部および前記転写部と折曲部の境界に配置される切開溝を含み、
前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域を定義する切開溝を含み、
前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含む、発光素子の転写装置。
【請求項2】
前記反転部材は、
前記転写部と重なる前記保護フィルムに吸着する支持チャックと、
前記支持チャックに隣り合って配置され、上下移動が可能な上下移動部と、
を含む、請求項１に記載の発光素子の転写装置。
前記転写部と重なる前記保護フィルムに吸着する支持チャックと、
前記支持チャックに隣り合って配置され、上下移動が可能な上下移動部と、
を含む、請求項１に記載の発光素子の転写装置。
【請求項3】
前記転写部は、前記支持チャックに重なるように配置され、
前記折曲部は、前記上下移動部に重なるように配置される、請求項２に記載の発光素子の転写装置。
前記折曲部は、前記上下移動部に重なるように配置される、請求項２に記載の発光素子の転写装置。
【請求項4】
前記折曲部は、前記上下移動部の上昇駆動により前記切開溝を軸として折り曲げられる、請求項３に記載の発光素子の転写装置。
【請求項5】
前記移送ヘッドは、
ボディ部と、
前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、
前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定するクランプと、を含む、請求項４に記載の発光素子の転写装置。
ボディ部と、
前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、
前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定するクランプと、を含む、請求項４に記載の発光素子の転写装置。
【請求項6】
前記折り曲げられた前記転写部材は、前記ヘッドチャックの少なくとも３面を囲むように形成される、請求項５に記載の発光素子の転写装置。
【請求項7】
粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、
前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、
前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、
脱着が可能なクランプを含む折曲部材と、
を含み、
前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域とを定義する切開溝を含み、
前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み、
前記クランプは、前記転写部材の前記折曲部を固定して折曲状態を維持させる、発光素子の転写装置。
前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、
前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、
脱着が可能なクランプを含む折曲部材と、
を含み、
前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域とを定義する切開溝を含み、
前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み、
前記クランプは、前記転写部材の前記折曲部を固定して折曲状態を維持させる、発光素子の転写装置。
【請求項8】
前記折曲部材は、
前記転写部材の前記転写部が配置される中央溝を含むクランプ支持部と、
前記中央溝の周囲に配置されるクランプ固定部と、
前記クランプ固定部に着脱可能に配置されるクランプと、
前記転写部材の大きさに応じて前記クランプを中央溝から外側に移動可能な移動支持部を含む、請求項７に記載の発光素子の転写装置。
前記転写部材の前記転写部が配置される中央溝を含むクランプ支持部と、
前記中央溝の周囲に配置されるクランプ固定部と、
前記クランプ固定部に着脱可能に配置されるクランプと、
前記転写部材の大きさに応じて前記クランプを中央溝から外側に移動可能な移動支持部を含む、請求項７に記載の発光素子の転写装置。
【請求項9】
前記クランプは、
前記クランプ固定部に装着されて前記転写部材を前記中央溝にガイドし、
前記転写部材が前記中央溝に配置されるとき、前記折曲部が折り曲げられるように下方がより狭くなる構造で形成される、請求項８に記載の発光素子の転写装置。
前記クランプ固定部に装着されて前記転写部材を前記中央溝にガイドし、
前記転写部材が前記中央溝に配置されるとき、前記折曲部が折り曲げられるように下方がより狭くなる構造で形成される、請求項８に記載の発光素子の転写装置。
【請求項10】
前記移送ヘッドは、
ボディ部と、
前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、
前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定する移動固定部と、を含む、請求項８に記載の発光素子の転写装置。
ボディ部と、
前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、
前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定する移動固定部と、を含む、請求項８に記載の発光素子の転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は発光素子の転写装置およびそれを用いた転写方法に関する。
【背景技術】
【0002】
表示装置は、マルチメディアの発達に伴いその重要性が増大している。それに応えて有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）などのような多様な種類の表示装置が使用されている。
【0003】
表示装置の画像を表示する装置であって、発光表示パネルや液晶表示パネルなどのような表示パネルを含む。そのうち、発光表示パネルは発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）を含み得るが、発光ダイオードとしては有機物を蛍光物質として用いる有機発光ダイオード、または無機物を蛍光物質として用いる無機発光ダイオードなどを含む。
【0004】
無機発光ダイオードを発光ダイオードとして用いる表示パネルの製造する際にはマイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）を表示パネルの基板上に配置させるための製造装置および方法が開発されなければならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする課題は、一回性の転写部材を用いてドナー基板上の発光素子を回路基板に転写することによって転写部材上の汚染を考慮しないようにする発光素子の転写装置を提供することにある。
【0006】
また、転写部材は折曲部を含むことによって転写過程で移送ヘッドのヘッドチャックが汚染されることを防止することにある。
【0007】
また、転写部材を用いて発光素子を転写する過程で移送ヘッドと転写部材の間の固定力が発光素子と基板の間の固定力より大きな力を有するようにする発光素子の転写装置を提供することにある。
【0008】
本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるものである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
前記課題を解決するための一実施形態による発光素子の転写装置は、粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、前記転写部材を支持する反転部材と、前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、を含み、前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域を定義する切開溝を含み、前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み得る。
【0010】
前記反転部材は、前記転写部と重なる前記保護フィルムに吸着する支持チャックと、前記支持チャックに隣り合って配置され、上下移動が可能な上下移動部と、を含み得る。
【0011】
前記転写部は、前記支持チャックに重なるように配置され、前記折曲部は、前記上下移動部に重なるように配置される。
【0012】
前記折曲部は、前記上下移動部の上昇駆動により前記切開溝を軸として折り曲げられ得る。
【0013】
前記移送ヘッドは、ボディ部と、前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定するクランプと、を含み得る。
【0014】
前記折り曲げられた前記転写部材は、前記ヘッドチャックの少なくとも３面を囲むように形成され得る。
【0015】
前記課題を解決するための一実施形態による発光素子の転写装置は、粘着性または接着性を有するスタンプ層および前記スタンプ層の一面に配置されるベース層を含む転写部材と、前記スタンプ層の他面に配置される保護フィルムと、前記ベース層に吸着するチャックを有し、前記転写部材の上下左右への移動を可能にする移送ヘッドと、脱着が可能なクランプと、を含む折曲部材を含み得る。
【0016】
前記保護フィルムは、転写領域と折曲領域とを定義する切開溝を含み、前記転写部材は、前記切開溝を境界として中心側に配置される転写部およびエッジ側に配置される折曲部を含み得る。
【0017】
前記クランプは、前記転写部材の前記折曲部を固定して折曲状態を維持させ得る。
【0018】
前記折曲部材は、前記転写部材の前記転写部が配置される中央溝を含むクランプ支持部と、前記中央溝の周囲に配置されるクランプ固定部と、前記クランプ固定部に着脱可能に配置されるクランプと、前記転写部材の大きさに応じて前記クランプを中央溝から外側に移動可能な移動支持部を含み得る。
【0019】
前記クランプは、前記クランプ固定部に装着されて前記転写部材を前記中央溝にガイドし、前記転写部材が前記中央溝に配置されるとき、前記折曲部が折り曲げられるように下方がより狭くなる構造で形成され得る。
【0020】
前記移送ヘッドは、ボディ部と、前記ボディ部の中央に位置し、前記転写部材の前記転写部に吸着するヘッドチャックと、前記ボディ部のエッジと前記ヘッドチャックとの間で移動可能であり、前記折り曲げられた前記折曲部を固定する移動固定部と、を含み得る。
【発明の効果】
【0021】
一実施形態によれば、保護フィルムを上に向くように逆方向に配置してカットすることによって、汚染物がベース層の上部に残る転写工程不良の問題を解決することができる。
【0022】
また、転写部材を移送ヘッドのヘッドチャック側に折って使用することによって、ヘッドチャックがフラックスなどにより汚染することを防止することができる。
【0023】
クランプを用いて転写部材を固定することによって発光素子をピックアップするとき転写部材とチャックの間の脱離を防止できるようにする。究極的には転写工程進行中に発生する転写工程不良の問題を最小化して生産収率が向上することができる。
【0024】
実施形態による効果は以上で例示した内容により制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】一実施形態による表示装置を示すレイアウト図である。
【図5】前述した発光素子の転写装置を用いて行われる発光素子の転写方法を示すフローチャートである。
【図6】転写部材マザーガラスをロールトゥロール方式で提供する方法を説明するための斜視図である。
【図7】転写部材のマザーガラスをシート型方式で提供する方法を説明するための斜視図である。
【図8】支持部材上に逆順に配置された転写部材の断面図である。
【図9】転写単位の大きさに転写部材のマザーガラスを切断する過程を示す概略図である。
【図10】反転部材により順序が反転する転写部材を説明する概略図である。
【図11】反転部材により順序が反転する転写部材を説明する概略図である。
【図12】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図13】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図14】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図15】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図16】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図17】発光素子の転写装置を説明する概略図である。
【図18】発光素子のボンディングを説明する概略図である。
【図19】転写部材の除去を説明する概略図である。
【図20】発光素子が配置された回路基板を説明する概略図である。
【図22】ロボットにより順序が反転する転写部材を説明する概略図である。
【図23】ロボットにより順序が反転する転写部材を説明する概略図である。
【図25a】転写部材の切開溝の多様な変形例を示す図である。
【図25b】転写部材の切開溝の多様な変形例を示す図である。
【図25c】転写部材の切開溝の多様な変形例を示す図である。
【図25d】転写部材の切開溝の多様な変形例を示す図である。
【図26a】転写部材の多様な変形例を示す平面図である。
【図26b】転写部材の多様な変形例を示す平面図である。
【図26c】転写部材の多様な変形例を示す平面図である
【図27】発光素子の転写装置を用いて行われる発光素子の転写方法を示すフローチャートである。
【図28】折曲部材の構成を概略的に示す図である。
【図29】発光素子の転写装置の移送ヘッドの上昇または下降を概略的に示す図である。
【図30】発光素子の転写装置の移送ヘッドの上昇または下降を概略的に示す図である。
【図31】発光素子の転写装置の移送ヘッドの上昇または下降を概略的に示す図である。
【図32】転写部材の保護フィルムの剥離を説明する概略図である。
【図33】発光素子のピックアップを説明する図である。
【図34】クランプの分離過程を説明するための図である。
【図35】クランプの分離過程を説明するための図である。
【図36a】一実施形態によるクランプの平面図である。
【図36b】一実施形態によるクランプの平面図である。
【図36c】一実施形態によるクランプの平面図である。
【図36d】一実施形態によるクランプの平面図である。
【図37a】他の実施形態によるクランプの平面図である。
【図37b】他の実施形態によるクランプの平面図である。
【図38a】他の実施形態によるクランプの断面図である。
【図38b】他の実施形態によるクランプの断面図である。
【図38c】他の実施形態によるクランプの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0026】
本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範囲によってのみ定義される。
【0027】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称される場合は他の素子のすぐ上または中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。実施形態を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数などは例示的なものであるから本発明が図示された事項に限定されるものではない。
【0028】
以下、添付する図面を参照して具体的な実施形態について説明する。
【0029】
【0030】
図１ないし図３を参照すると、表示装置は動画や静止映像を表示する装置であって、モバイルフォン（ｍｏｂｉｌｅ ｐｈｏｎｅ）、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、タブレットＰＣ（ｔａｂｌｅｔ ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、およびスマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ ｐｈｏｎｅ）、移動通信端末機、電子手帳、電子ブック、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｐｌａｙｅｒ）、ナビゲーション、ＵＭＰＣ（Ｕｌｔｒａ Ｍｏｂｉｌｅ ＰＣ）などのような携帯用電子機器だけでなく、テレビ、ノートパソコン、モニタ、広告板、モノのインターネット（ｉｎｔｅｒｎｅｔ ｏｆ ｔｈｉｎｇｓ，ＩＯＴ）などの多様な製品の表示画面として使用することができる。
【0031】
表示パネル１００は第１方向ＤＲ１の長辺と第１方向ＤＲ１と交差する第２方向ＤＲ２の短辺を有する長方形形状の平面で形成される。第１方向ＤＲ１の長辺と第２方向ＤＲ２の短辺が出会うコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）は所定の曲率を有するように丸く形成されるか直角に形成される。表示パネル１００の平面形状は四角形に限定されず、他の多角形、円形または楕円形に形成することができる。表示パネル１００は平坦に形成されているが、これに限られない。例えば、表示パネル１００は左右側の端に形成され、一定の曲率を有するか変化する曲率を有する曲面部を含み得る。その他に、表示パネル１００は曲がったり、反ったり、ベンディングされたり、折り畳まれたり、丸められるように柔軟に形成されることができる。
【0032】
表示パネル１００は画像を表示するために画素ＰＸ、第１方向ＤＲ１に延びるスキャン配線、第２方向ＤＲ２に延びるデータ配線をさらに含み得る。画素ＰＸは第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２でマトリックス状に配列される。
【0033】
画素ＰＸそれぞれは図２および図３のように複数のサブ画素ＲＰ、ＧＰ、ＢＰを含み得る。図２と図３では画素ＰＸそれぞれが３個のサブ画素ＲＰ、ＧＰ、ＢＰ、すなわち第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰを含む場合を例示したが、本明細書の実施形態はこれに限られない。
【0034】
第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰはデータ配線のうちいずれか一つのデータ配線、およびスキャン配線のうち少なくとも一つのスキャン配線に接続され得る。
【0035】
第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰのそれぞれは長方形、正方形または菱形の平面形状を有することができる。例えば、第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰのそれぞれは図２のように第１方向ＤＲ１の短辺と第２方向ＤＲ２の長辺を有する長方形の平面形状を有することができる。または、第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰのそれぞれは図３のように第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２で同じ長さを有する辺を含む正方形または菱形の平面形状を有することができる。
【0036】
図２のように、第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰは第１方向ＤＲ１に配列され得る。または、第２サブ画素ＧＰと第３サブ画素ＢＰのうちいずれか一つと第１サブ画素ＲＰは第１方向ＤＲ１に配列され、残りの一つと第１サブ画素ＲＰは第２方向ＤＲ２に配列され得る。例えば、図３のように、第１サブ画素ＲＰと第２サブ画素ＧＰは第１方向ＤＲ１に配列され、第１サブ画素ＲＰと第３サブ画素ＢＰは第２方向ＤＲ２に配列され得る。
【0037】
または、第１サブ画素ＲＰと第３サブ画素ＢＰのうちいずれか一つと第２サブ画素ＧＰは第１方向ＤＲ１に配列され、残りの一つと第２サブ画素ＧＰは第２方向ＤＲ２に配列され得る。または、第１サブ画素ＲＰと第２サブ画素ＧＰのうちいずれか一つと第３サブ画素ＢＰは第１方向ＤＲ１に配列され、残りの一つと第３サブ画素ＢＰは第２方向ＤＲ２に配列され得る。
【0038】
第１サブ画素ＲＰは第１光を発光する第１発光素子を含み、第２サブ画素ＧＰは第２光を発光する第２発光素子を含み、第３サブ画素ＢＰは第３光を発光する第３発光素子を含み得る。ここで、第１光は赤色波長帯域の光であり、第２光は緑色波長帯域の光であり、第３光は青色波長帯域の光であり得る。赤色波長帯域は概ね６００ｎｍ～７５０ｎｍの波長帯域であり、緑色波長帯域は概ね４８０ｎｍ～５６０ｎｍの波長帯域であり、青色波長帯域は概ね３７０ｎｍ～４６０ｎｍの波長帯域であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限られない。
【0039】
第１サブ画素ＲＰ、第２サブ画素ＧＰ、および第３サブ画素ＢＰのそれぞれは光を発光する発光素子として無機半導体を有する無機発光素子を含み得る。例えば、無機発光素子はフリップチップ（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ）タイプのマイクロＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限られない。
【0040】
図２および図３のように第１サブ画素ＲＰの面積、第２サブ画素ＧＰの面積、および第３サブ画素ＢＰの面積は実質的に同一であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限られない。第１サブ画素ＲＰの面積、第２サブ画素ＧＰの面積、および第３サブ画素ＢＰの面積のうち少なくともいずれか一つはまた他の一つと異なってもよい。または、第１サブ画素ＲＰの面積、第２サブ画素ＧＰの面積、および第３サブ画素ＢＰの面積のうち二つは実質的に同一であり、残りの一つは前記二つと異なってもよい。または、第１サブ画素ＲＰの面積、第２サブ画素ＧＰの面積、および第３サブ画素ＢＰの面積は互いに異なってもよい。
【0041】
【0042】
図４を参照すると、表示パネル１００は基板ＳＵＢ上に配置される薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬと発光素子ＬＥとを含み得る。薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬは薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＦＴ）が形成される層であり得る。
【0043】
薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬはアクティブ層ＡＣＴ、第１ゲート層ＧＴＬ１、第２ゲート層ＧＴＬ２、第１データ金属層ＤＴＬ１、第２データ金属層ＤＴＬ２、第３データ金属層ＤＴＬ３、および第４データ金属層ＤＴＬ４を含む。また、薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬはバッファ膜ＢＦ、ゲート絶縁膜１３０、第１層間絶縁膜１４１、第２層間絶縁膜１４２、第１平坦化膜１６０、第１絶縁膜１６１、第２平坦化膜１８０、および第２絶縁膜１８１を含む。
【0044】
基板ＳＵＢは表示装置を支持するためのベース基板またはベース部材であり得る。基板ＳＵＢはガラス材質のリジッド（ｒｉｇｉｄ）基板であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限られない。基板ＳＵＢはベンディング（Ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（Ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（Ｒｏｌｌｉｎｇ）などが可能なフレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。この場合、基板ＳＵＢはポリイミド（ＰＩ）のような高分子樹脂などの絶縁物質を含むことができる。
【0045】
基板ＳＵＢの一面上にはバッファ膜ＢＦが配置される。バッファ膜ＢＦは空気または水分の浸透を防止するための膜であり得る。バッファ膜ＢＦは交互に積層された複数の無機膜からなる。例えば、バッファ膜ＢＦはシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキサイド層、チタンオキサイド層、およびアルミニウムオキサイド層のうち一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜で形成されることができる。バッファ膜ＢＦは省略できる。
【0046】
バッファ膜ＢＦ上にはアクティブ層ＡＣＴが配置される。アクティブ層ＡＣＴは多結晶シリコン、単結晶シリコン、低温多結晶シリコン、および非晶質シリコンのようなシリコン半導体を含むか、酸化物半導体を含み得る。
【0047】
アクティブ層ＡＣＴは薄膜トランジスタＴＦＴのチャネルＴＣＨ、第１電極ＴＳ、および第２電極ＴＤを含み得る。薄膜トランジスタＴＦＴのチャネルＴＣＨは基板ＳＵＢの厚さ方向である第３方向ＤＲ３で薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＴＧと重なる領域であり得る。薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳはチャネルＴＣＨの一側に配置され、第２電極ＴＤはチャネルＴＣＨの他側に配置される。薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳと第２電極ＴＤは第３方向ＤＲ３でゲート電極ＴＧと重ならない領域であり得る。薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳと第２電極ＴＤはシリコン半導体または酸化物半導体にイオンがドープされて導電性を有する領域であり得る。
【0048】
アクティブ層ＡＣＴ上にはゲート絶縁膜１３０が配置される。ゲート絶縁膜１３０は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキサイド層、チタンオキサイド層、またはアルミニウムオキサイド層で形成されることができる。
【0049】
ゲート絶縁膜１３０上には第１ゲート層ＧＴＬ１が配置される。第１ゲート層ＧＴＬ１は薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＴＧと第１キャパシタ電極ＣＡＥ１を含み得る。第１ゲート層ＧＴＬ１は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0050】
第１ゲート層ＧＴＬ１上には第１層間絶縁膜１４１が配置される。第１層間絶縁膜１４１は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキサイド層、チタンオキサイド層、またはアルミニウムオキサイド層で形成されることができる。
【0051】
第１層間絶縁膜１４１上には第２ゲート層ＧＴＬ２が配置される。第２ゲート層ＧＴＬ２は第２キャパシタ電極ＣＡＥ２を含み得る。第２ゲート層ＧＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0052】
第２ゲート層ＧＴＬ２上には第２層間絶縁膜１４２が配置される。第２層間絶縁膜１４２は無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキサイド層、チタンオキサイド層、またはアルミニウムオキサイド層で形成されることができる。
【0053】
第２層間絶縁膜１４２上には第１接続電極ＣＥ１、第１サブパッドＳＰＤ１、およびデータ配線ＤＬを含む第１データ金属層ＤＴＬ１が配置される。データ配線ＤＬは第１サブパッドＳＰＤ１と一体に形成されるが、本明細書の実施形態はこれに限られない。第１データ金属層ＤＴＬ１はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0054】
第１接続電極ＣＥ１は第１層間絶縁膜１４１と第２層間絶縁膜１４２とを貫通する第１コンタクトホールＣＴ１を介して薄膜トランジスタＴＦＴの第１電極ＴＳまたは第２電極ＴＤに接続される。
【0055】
第１データ金属層ＤＴＬ１上にはアクティブ層ＡＣＴ、第１ゲート層ＧＴＬ１、第２ゲート層ＧＴＬ２、および第１データ金属層ＤＴＬ１による段差を平坦にするための第１平坦化膜１６０が配置される。第１平坦化膜１６０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。
【0056】
第１平坦化膜１６０上には第２データ金属層ＤＴＬ２が配置される。第２データ金属層ＤＴＬ２は第２接続電極ＣＥ２と第２サブパッドＳＰＤ２を含み得る。第２接続電極ＣＥ２は第１絶縁膜１６１と第１平坦化膜１６０を貫通する第２コンタクトホールＣＴ２を介して第１接続電極ＣＥ１に接続される。第２データ金属層ＤＴＬ２はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0057】
第２データ金属層ＤＴＬ２上には第２平坦化膜１８０が配置される。第２平坦化膜１８０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。
【0058】
第２平坦化膜１８０上には第３データ金属層ＤＴＬ３が配置される。第３データ金属層ＤＴＬ３は第３接続電極ＣＥ３と第３サブパッドＳＰＤ３を含み得る。第３接続電極ＣＥ３は第２絶縁膜１８１と第２平坦化膜１８０を貫通する第３コンタクトホールＣＴ３を介して第２接続電極ＣＥ２に接続され得る。第３データ金属層ＤＴＬ３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0059】
第３データ金属層ＤＴＬ３上には第３平坦化膜１９０が配置される。第３平坦化膜１９０はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ ｒｅｓｉｎ）などの有機膜で形成されることができる。
【0060】
第３平坦化膜１９０上には第４データ金属層ＤＴＬ４が配置される。第４データ金属層ＤＴＬ４はアノードパッド電極ＡＰＤ、カソードパッド電極ＣＰＤ、および第４サブパッドＳＰＤ４を含み得る。アノードパッド電極ＡＰＤは第３絶縁膜１９１と第３平坦化膜１９０を貫通する第４コンタクトホールＣＴ４を介して第３接続電極ＣＥ３に接続され得る。カソードパッド電極ＣＰＤは低電位電圧である第１電源電圧の供給を受ける。第４データ金属層ＤＴＬ４はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のいずれか一つまたはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成されることができる。
【0061】
アノードパッド電極ＡＰＤとカソードパッド電極ＣＰＤのそれぞれ上には発光素子ＬＥの第１コンタクト電極ＣＴＥ１および第２コンタクト電極ＣＴＥ２と接着力を高めるための透明導電層ＴＣＯが配置される。透明導電層ＴＣＯと第５サブパッドＳＰＤ５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）およびＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電酸化物（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）で形成されることができる。
【0062】
アノードパッド電極ＡＰＤ、カソードパッド電極ＣＰＤ、および第１パッドＰＤ１上には保護膜ＰＶＸが配置される。保護膜ＰＶＸはアノードパッド電極ＡＰＤ、カソードパッド電極ＣＰＤ、および第１パッドＰＤ１の縁を覆うように配置される。保護膜ＰＶＸは無機膜、例えばシリコンナイトライド層、シリコンオキシナイトライド層、シリコンオキサイド層、チタンオキサイド層、またはアルミニウムオキサイド層で形成されることができる。他の実施形態で保護膜ＰＶＸは省略できる。
【0063】
発光素子ＬＥは第１コンタクト電極ＣＴＥ１と第２コンタクト電極ＣＴＥ２がアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤと対向するように配置されるフリップチップタイプのマイクロＬＥＤであることを例示したが、これに限定するものではない。発光素子ＬＥはＧａＮのような無機物質からなる無機発光素子であり得る。発光素子ＬＥは第１方向ＤＲ１の長さ、第２方向ＤＲ２の長さ、および第３方向ＤＲ３の長さがそれぞれ数μｍないし数百μｍであり得る。例えば、発光素子ＬＥは第１方向ＤＲ１の長さ、第２方向ＤＲ２の長さ、および第３方向ＤＲ３の長さがそれぞれ概ね１００μｍ以下であり得る。
【0064】
発光素子ＬＥはシリコンウエハのような半導体基板で成長して形成される。発光素子ＬＥのそれぞれはシリコンウエハから基板ＳＵＢのアノードパッド電極ＡＰＤとカソードパッド電極ＣＰＤ上に移され得る。この場合、第１コンタクト電極ＣＴＥ１とアノードパッド電極ＡＰＤは接合工程により互いに接着される。また、第２コンタクト電極ＣＴＥ２とカソードパッド電極ＣＰＤは接合工程により互いに接着される。第１コンタクト電極ＣＴＥ１とアノードパッド電極ＡＰＤは接合電極２３を介して互いに電気的に接続され得る。また、第２コンタクト電極ＣＴＥ２とカソードパッド電極ＣＰＤは接合電極２３を介して互いに電気的に接続され得る。
【0065】
一例として発光素子ＬＥの一面には接合電極２３が配置される。接合電極２３はレーザを用いた加圧溶融接合の接合物であり得る。ここで、加圧溶融接合は接合電極２３が熱を受けて溶融して発光素子ＬＥとアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤとが溶融混合され、レーザ供給が終了することにより冷却されて固化した状態をいう。溶融混合された状態で冷却されて固化しながらも発光素子ＬＥとアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤによる導電性は維持されるので、アノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤと発光素子ＬＥそれぞれを電気的に接続して物理的に接続することができる。したがって、接合電極２３は発光素子ＬＥの第１コンタクト電極ＣＴＥ１と第２コンタクト電極ＣＴＥ２上に配置されることができる。
【0066】
接合電極２３は例えば、Ａｕ、ＡｕＳｎ、ＰｄＩｎ、ＩｎＳｎ、ＮｉＳｎ、ＡｇＩｎ、ＡｇＳｎ、Ａｌ、Ａｇまたは炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）などを含み得る。これらはそれぞれ単独でまたは２以上を組合わせて用いることができる。接合電極２３の種類によって接合電極２３はパッド電極上に蒸着して形成されるかスクリーンプリントなどの多様な方法によりパッド電極上に形成される。
【0067】
【0068】
発光素子ＬＥのそれぞれはベース基板ＳＵＢ、ｎ型半導体ＮＳＥＭ、活性層ＭＱＷ、ｐ型半導体ＰＳＥＭ、第１コンタクト電極ＣＴＥ１、第２コンタクト電極ＣＴＥ２を含む発光構造物であり得る。
【0069】
ベース基板ＳＵＢはサファイア基板であり得るが、本明細書の実施形態はこれに限られない。
【0070】
ｎ型半導体ＮＳＥＭはベース基板ＳＵＢの一面上に配置される。例えば、ｎ型半導体ＮＳＥＭはベース基板ＳＵＢの下面上に配置される。ｎ型半導体ＮＳＥＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどのようなｎ型導電型ドーパントがドープされたＧａＮからなる。
【0071】
活性層ＭＱＷはｎ型半導体ＮＳＥＭの一面の一部上に配置される。活性層ＭＱＷは単一または多重量子井戸構造の物質を含み得る。活性層ＭＱＷが多重量子井戸構造の物質を含む場合、複数の井戸層（ｗｅｌｌ ｌａｙｅｒ）とバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）が互いに交互に積層された構造であり得る。このとき、井戸層はＩｎＧａＮで形成され、バリア層はＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成されるが、これに限られない。または、活性層ＭＱＷはバンドギャップ（Ｂａｎｄ ｇａｐ）エネルギが大きい種類の半導体物質とバンドギャップエネルギが小さい半導体物質が互いに交互に積層された構造であり得、発光する光の波長帯によって異なる３族ないし５族半導体物質を含むこともできる。
【0072】
【0073】
図５は前述した発光素子の転写装置を用いて行われる発光素子の転写方法を示すフローチャートである。図６は転写部材マザーガラスをロールトゥロール方式で提供する方法を説明するための斜視図であり、図７は転写部材のマザーガラスをシート型方式で提供する方法を説明するための斜視図である。図８は支持部材上に逆順に配置された転写部材の概略図である。図９は転写単位の大きさに転写部材のマザーガラスを切断する過程を示す概略図である。図１０および図１１は反転部材により順序が反転する転写部材を説明する概略図である。図１２ないし図１７は発光素子の転写装置を説明する概略図であり、図１８は発光素子のボンディングを説明する概略図であり、図１９は転写部材の除去を説明する概略図であり、図２０は発光素子が配置された回路基板を説明する概略図である。図２１は図２０のＡ領域の拡大図である。図２２および図２３はロボットにより順序が反転する転写部材を説明する概略図である。図２４は図２３のＢ領域の拡大図である。
【0074】
発光素子の転写方法の説明に先立ち、一実施形態による発光素子の転写装置について簡単に説明する。
【0075】
【0076】
転写部材２０は粘着性または接着性を有するスタンプ層２２０、前記スタンプ層の一面に配置されるベース層２１０を含む。
【0077】
転写部材２０は平面上で後述する転写領域ＡＤに配置される転写部２０－１と折曲領域ＮＡＤに配置される折曲部２０－２を含み得る。
【0078】
保護フィルム３０は転写部材２０のスタンプ層２２０の他面に配置されてスタンプ層２２０の汚染を防止する。
【0079】
保護フィルム３０は平面上で転写領域ＡＤと折曲領域ＮＡＤを定義する切開溝２０ｈを含み得る。
【0080】
転写領域ＡＤは前記切開溝２０ｈを境界として中心側に形成され、折曲領域ＮＡＤは前記切開溝２０ｈを境界としてエッジ側に形成される。
【0081】
反転部材９０は転写部材２０の上下左右を反転させる。
【0082】
移送ヘッド４０は転写部材２０のベース層２１０に吸着するヘッドチャック４３を有して転写部材２０の上下左右への移動を可能にする。
【0083】
それぞれの構成要素については、それを用いた転写方法に係る説明と共に以下の図面を参照して詳細に説明する。
【0084】
【0085】
ここで、支持部材Ｓｔａは複数の転写部材２０を支持する役割をする。支持部材Ｓｔａ上に複数の転写部材２０を整列して配置し得る。
【0086】
図６のように、転写部材のマザーガラス２１－Ｂはロール状に巻かれたリールツーリール（ｒｅｅｌ ｔｏ ｒｅｅｌ）タイプであり得る。転写部材のマザーガラス２１－Ｂがリールツーリール方式で提供される場合、転写部材のマザーガラス２１－Ｂを所望する幅だけに切断して使用することができる。転写部材のマザーガラス２１－Ｂはベース層２１０およびベース層２１０の一面に配置されるスタンプ層２２０を含み、スタンプ層２２０の一面に配置される保護フィルム３０－Ｂをさらに含み得る。
【0087】
ベース層２１０は、例えば、ガラスやプラスチックを含んでなる。保護フィルム３０が、厚さが薄いガラスを含む場合、ガラスは超薄型強化ガラス（Ｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ ｇｌａｓｓ）であり得る。または、ベース層２１０はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリウレタン（ＰＵ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）などからなる。
【0088】
スタンプ層２２０はベース層２１０の一面に配置される。スタンプ層２２０は発光素子ＬＥと粘着または接着され得る。スタンプ層２２０は接着性または粘着性を有する物質からなり、接着性を有する物質は、例えば、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などがあり、粘着性を有する物質は、例えば、アクリル系、ウレタン系、シリコン系粘着物質を含んでなる。スタンプ層２２０はベース層２１０の厚さより薄い厚さで形成されることができる。
【0089】
転写部材２０の一面に保護フィルム３０－Ｂが付着し、転写部材２０の他面に移送ヘッド４０が吸着する。転写部材２０のスタンプ層２２０の一面に保護フィルム３０－Ｂが付着し、スタンプ層２２０に汚染物が付着することを防止することができる。
【0090】
保護フィルム３０－Ｂは例えば、ガラスやプラスチックを含んでなる。保護フィルム３０－Ｂが、厚さが薄いガラスを含む場合、ガラスは超薄型強化ガラス（Ｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ ｇｌａｓｓ）であり得る。また、図７のように、転写部材のマザーガラス２１－Ｂはシートタイプであり得る。
【0091】
図７および図８を参照すると、保護フィルム３０－Ｂを含む転写部材のマザーガラス２１－Ｂは支持部材Ｓｔａからベース層２１０、スタンプ層２２０および保護フィルム３０－Ｂが順次積層されて配置される。ベース層２１０は一面が支持部材Ｓｔａと対向し、他面がスタンプ層２２０と対向し、スタンプ層２２０は一面がベース層２１０と対向し、他面が保護フィルム３０－Ｂと対向するように配置される。
【0092】
次の図９を参照すると、前記保護フィルム３０－Ｂを含む転写部材のマザーガラス２１－Ｂを、前記支持部材上で転写単位の大きさに切断し、それぞれの転写単位の転写部材２０上に切開溝２０ｈを形成する（図５の段階Ｓ１２０）。転写部材２０は転写部２０－１と折曲部２０－２を含み得る。転写部２０－１は切開溝２０ｈを境界として発光素子を転写する転写領域ＡＤを定義し、折曲部２０－２は転写領域ＡＤの周辺に配置された非転写領域ＮＡＤを定義する。非転写領域ＮＡＤは転写領域ＡＤの第１方向（Ｘ軸方向）に隣接して配置される。非転写領域ＮＡＤは切開溝２０ｈを軸として折れ曲がる。切開溝２０ｈは少なくとも転写部材２０上の保護フィルム３０の厚さと同一であるかさらに深い深さを有する。切開溝２０ｈの位置、パターン、深さについては後述する図２５ａないし図２５ｄを参照して説明する。
【0093】
このとき、切断および切開は機械的方式またはレーザ方式のような従来に知られている切断方法を用いることができる。転写単位の大きさは回路基板に１回に転写する大きさを意味する。
【0094】
次に、反転部材９０を用いて前記複数個の転写部材２０をピックアップして上下左右を反転させる（図５の段階Ｓ１３０）。
【0095】
一例として図１０を参照すると、反転部材９０が支持部材Ｓｔａに整列配置された複数の転写部材２０に付着した保護フィルム３０の一面を吸着させる。
【0096】
反転部材９０はステージ９１、回転軸９２およびステージ９１と回転軸９２を接続する接続部９３を含み得る。回転軸９２を中心にステージ９１を１８０度回転させ得る。ステージ９１は複数個のチャックを含み得る。複数個のチャックは静電チャック、粘着チャック、真空チャック、多孔性真空チャックのうちいずれか一つであり得る。ステージ９１は複数個のチャックを用いて保護フィルム３０の一面を吸着させ得る。
【0097】
図１１および１２を参照すると、反転部材９０が保護フィルム３０の一面を吸着した状態で１８０度回転して保護フィルム３０が付着した転写部材２０を上下左右反転させ得る。これにより、転写部材２０は反転部材９０から保護フィルム３０、スタンプ層２２０、ベース層２３０が順に配置される。
【0098】
【0099】
図１２および図１３を参照すると、反転部材９０はステージ９１、支持チャック９５および上下移動部９６をさらに含み得る。ステージ９１は転写部材２０を支持し、ステージ９１は複数個の溝９１－ｈ１、９１－ｈ２を有し得、複数個の溝９１－ｈ１、９１－ｈ２内に支持チャック９５と上下移動部９６が埋め込まれて配置される。ステージ９１の中央部に形成された第１溝９１－ｈ１に支持チャック９５が配置され、第１溝９１－ｈ１に隣り合って配置された第２溝９１－ｈ２に上下移動部９６が配置される。
【0100】
上下移動部９６は第２溝９１－ｈ２内に配置されて上下方向に移動する。一例として、上下移動部９６を上下移動させるための上下駆動部（図示せず）をさらに含み得る。上下駆動部はステージ９１の一領域に設けられ、油圧シリンダとリンク部を含み得る。油圧シリンダは上下移動部９６の駆動力を提供する。油圧シリンダには油圧ポンプが接続され得る。油圧ポンプは油圧ポンプを調節するための油圧ハンドルをさらに含み得る。油圧シリンダと油圧ポンプの位置に応じて駆動力の方向を転換させるための追加部材をさらに含み得る。上下移動部９６を上下に移動させるための構成は単なる一例であり、これに限定されるものではなく、従来の知られている他の方法を採択しても構わない。
【0101】
上下移動部９６が第２溝９１－ｈ２内に配置される場合、ステージ９１の一平面は平坦に維持される。
【0102】
転写部材２０が反転部材９０上に配置される場合、転写部２０－１は支持チャック９５と重なり、上下移動部９６とは重ならない。転写部２０－１の保護フィルム３０が支持チャック９５により吸着し得る。折曲部２０－２は上下移動部９６と重なるように配置される。
【0103】
移送ヘッド４０はボディ部４１、クランプ４２、およびヘッドチャック４３を含み得る。
【0104】
ヘッドチャック４３はボディ部４１の一面の中央部に配置される。ヘッドチャック４３は静電チャック、粘着チャック、真空チャック、多孔性真空チャックのうちいずれか一つのチャックを含み得る。ヘッドチャック４３の吸着機能を有する面積は転写部材２０の転写領域ＡＤの面積と同じであるか小さい。
【0105】
クランプ４２はボディ部４１の一面にヘッドチャック４３と隣接して配置され、水平方向に移動可能に配置される。クランプ４２は水平方向でヘッドチャック４３と近くなるか遠くなるように移動し得る。クランプ４２はヘッドチャック４３の外周面の少なくとも一部を囲むように配置されて左右対称に配置される。クランプ４２の移動のために移送ヘッド４０は、例えば、クランプ４２を水平方向に移動を案内するガイドレールを備えるが、これに限定するものではない。
【0106】
前述した移送ヘッド４０と反転部材９０を用いて転写部材２０の非転写領域ＮＡＤの折曲部２０－２を切開溝２０ｈに沿って折った後転写部材２０を持ち上げる（図５の段階Ｓ１３５）。
【0107】
ヘッドチャック４３は転写部材２０の転写領域ＡＤに重なり、非転写領域ＮＡＤには重ならないように配置される。ヘッドチャック４３はチャックの吸着機能を用いて転写部材２０のベース層２１０の一面を吸着する。次に、上下移動部９６が第３方向（ｚ方向）に上昇し、切開溝２０ｈを軸として、転写部材２０の折曲部２０－２を折って上げる。これは転写部材２０の非転写領域ＮＡＤは上下移動部９６上に重なって配置されるので、上下移動部９６が上昇する場合、非転写領域ＮＡＤは上昇方向に力を受ける。反面、非転写領域ＮＡＤと隣接して配置された転写領域ＤＡは支持チャック９５の吸着力によって固定される力を受ける。したがって、転写部材２０の折曲部２０－２は切開溝２０ｈを軸として折れ上がって、非転写領域ＮＡＤのベース層２１０はヘッドチャック４３の側面に接する。これにより、転写部材２０がヘッドチャック４３の少なくとも３面を囲むようになる。次に、移送ヘッド４０のクランプ４２が水平方向でヘッドチャック４３に近づくように移動して転写部材２０の折曲部２０－２を固定する。次に、反転部材９０の支持チャック９５は吸着を解除することによって反転部材９０から転写部材２０を脱着させる。
【0108】
移送ヘッド４０はクランプ４２が転写部材２０を固定した状態で上昇して転写部材２０を持ち上げる。クランプ４２が転写部材２０を固定するので、転写部材２０が移送ヘッド４０に強く付着する。
【0109】
【0110】
転写部材２０と保護フィルム３０との間の接着力または接着力より移送ヘッド４０のヘッドチャック４３と転写部材２０の間の吸着力がより優れるので、保護フィルム３０を容易に除去できる。
【0111】
【0112】
発光素子ＬＥは図４で説明したように、ベース基板ＳＵＢ、ｎ型半導体ＮＳＥＭ、活性層ＭＱＷ、ｐ型半導体ＰＳＥＭ、第１コンタクト電極ＣＴＥ１、第２コンタクト電極ＣＴＥ２を含み得る。また、発光素子ＬＥは接合電極２３をさらに含み得る。接合電極２３の接合については図１８で詳細に説明する。
【0113】
先に複数の発光素子ＬＥが整列配置されたドナー基板Ｄｓを準備する。ドナー基板Ｄｓには粘着性のある物質が塗布される。粘着性を有する物質によりドナー基板Ｄｓと複数の発光素子ＬＥは互いに粘着し得る。
【0114】
移送ヘッド４０がピックアップされた転写部材２０をドナー基板Ｄｓに移送して転写部材２０の一面に発光素子ＬＥを接着させる。転写部材２０の転写領域ＡＤのスタンプ層２２０に発光素子ＬＥが接着される。
【0115】
その後、移送ヘッド４０を第３方向（Ｚ方向）に昇降させて、ドナー基板Ｄｓから発光素子ＬＥを分離させる。
【0116】
移送ヘッド４０が第３方向（Ｚ方向）にドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥとの間の粘着力（または接着力）よりも大きい引張力で引っ張らなければならない。このとき、移送ヘッド４０が転写部材２０を介してドナー基板Ｄｓから発光素子ＬＥを脱着するためには、移送ヘッド４０と転写部材２０との間の吸着力が、ドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥとの間の粘着力より大きくなければならない。一実施形態による、移送ヘッド４０はクランプ４２を用いてヘッドチャック４３と転写部材２０を共に固定する。したがって、移送ヘッド４０が第３方向（Ｚ方向）にドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥの間の粘着力（または接着力）よりも大きい引張力を加えても、ヘッドチャック４３と転写部材２０は強く固定されることができる。
【0117】
【0118】
回路基板１０は図４の薄膜トランジスタ層ＴＦＴＬを含む基板ＳＵＢであり得る。
【0119】
回路基板１０には所定の厚さのフラックス２４が塗布される。フラックス２４はレーザを用いた加圧溶融工程で回路基板１０と接合電極２３の結合を容易する物質であり得る。フラックス２４は脂溶性または水溶性であり、天然樹脂または合成樹脂を含み得る。フラックス２４は液状またはゲル状であり得る。加圧溶融工程が完了した後にフラックス２４は除去される。
【0120】
フラックス２４は好ましくは発光素子ＬＥより低い厚さで塗布されるが、発光素子ＬＥなどの配置などにより一部の領域でフラックス２４の厚さが発光素子ＬＥの高さと同一であるかさらに厚くなる。
【0121】
移送ヘッド４０は発光素子ＬＥが付着した転写部材２０を所望する位置まで移送した後、ヘッドチャック４３の吸着を解除することによって転写部材２０を移送ヘッド４０から脱着させる。
【0122】
【0123】
回路基板１０上にボンディング対象になる発光素子ＬＥが配置され、回路基板１０に接する発光素子ＬＥの一面には接合電極２３が配置される。発光素子ＬＥの他面には転写部材２０が配置され、回路基板１０、発光素子ＬＥおよび転写部材２０が互いに重なる。転写部材２０上にレーザ透過部材８が配置される。
【0124】
レーザ透過部材８はレーザを透過させる材質で実現することができる。レーザ透過部材８はすべてのビーム透過性材質で実現可能である。
【0125】
レーザ透過部材８は、例えばクォーツ（Ｑｕａｒｔｚ）、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）、溶融シリカガラス（Ｆｕｓｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｇｌａｓｓ）またはダイヤモンドのうちいずれか一つで実現することができる。しかし、クォーツ（Ｑｕａｒｔｓ）材質で実現されたレーザ透過部材８の物理的特性はサファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）で実現されたレーザ透過部材８の物理的特性と異なる。例えば、９８０ｎｍ Ｌａｓｅｒを照射する場合、クォーツ（Ｑｕａｒｔｓ）材質で実現されたレーザ透過部材８の透過率は８５％～９９％であり、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）で実現されたレーザ透過部材８の透過率は８０％～９０％であり得る。クォーツ（ｑｕａｒｔｚ）材質で実現されるレーザ透過部材８の損傷を防いで耐久性向上のために、クォーツ（ｑｕａｒｔｚ）材質で実現されるレーザ透過部材８の底面に薄膜コート層を形成することができる。レーザ透過部材８の底面に形成される薄膜コート層は通常の光学コーティングである誘電体コーティングまたはＳｉＣコーティングまたは金属物質コーティングで実現することができる。
【0126】
上部加圧部材５はレーザ透過部材８と接続され得る。上部加圧部材５は一方向に加圧する。例えば、上部加圧部材５は第３方向Ｚの一方向に圧力を加える。そのため、上部加圧部材５と接続されたレーザ透過部材８が転写部材２０を第３方向Ｚの一方向に加圧することができる。
【0127】
レーザ透過部材８で転写部材２０を加圧する状態で接合電極２３にレーザを照射することにより、レーザＬＳはレーザ透過部材８および転写部材２０を透過して接合電極２３に照射される。そのため、レーザＬＳが接合電極２３の溶融温度まで接合電極２３に熱を加え、回路基板１０と接合電極２３を加圧溶融接合し得る。ここで、加圧溶融接合はレーザＬＳの照射によって接合電極２３が熱を受けて溶融して発光素子ＬＥとアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤが溶融混合され、レーザ供給が終了することにより冷却されて固化した状態をいう。溶融混合された状態で冷却されて固化しながらも発光素子ＬＥとアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤによる導電性は維持されるので、アノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤと発光素子ＬＥそれぞれを電気的に接続して物理的に接続し得る。
【0128】
上部加圧部材５およびレーザ透過部材８は図示していない制御部により動作を制御する。例えば、制御部は圧力感知センサ（図示せず）と高さセンサ（図示せず）から入力されるデータを用いてレーザ透過部材８の動作を制御し得る。制御部は圧力感知センサからデータの入力を受けて圧力が目標値に到達するように上部加圧部材５を制御し、また、高さセンサからデータの入力を受けて高さの目標値に到達するように上部加圧部材５およびレーザ透過部材８を制御し得る。
【0129】
一実施形態で発光素子ＬＥの一端に配置された接合電極２３にレーザを照射して回路基板１０に溶融接合する共晶ボンディングを説明したが、これに限定するものではなく、発光素子ＬＥと回路基板１０の間にソルダーボールを溶融させて接合するソルダボンディング、発光素子ＬＥと回路基板１０の間に異方性導電フィルムを加熱して接合するＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｆｉｌｍ ｂｏｎｄｉｎｇ）ボンディングのように従来に知られているボンディング方法のうちいずれか一つを採択してもよい。
【0130】
【0131】
図１９を参照して、発光素子ＬＥがボンディングされた回路基板１０上に配置された転写部材２０を移送ヘッド４０に合着し、発光素子ＬＥと転写部材２０上の接着力より大きな引力で移送ヘッド４０から転写部材２０を第３方向（Ｚ軸方向）に引っ張る。これにより、発光素子ＬＥがボンディングされた回路基板１０から転写部材２０を脱着する。このとき、発光素子ＬＥと回路基板１０上の接着力が最も高く、転写部材２０と移送ヘッド４０の合着力がその次に高く、発光素子ＬＥと転写部材２０の付着力が最も低い。したがって、回路基板１０、発光素子ＬＥ、転写部材２０および移送ヘッド４０が第３方向（Ｚ方向）に重なっている状態で第３方向（Ｚ方向）に力を加える場合、付着力が最も低い発光素子ＬＥと転写部材２０が互いに脱着される。
【0132】
次に、図２０を参照して、発光素子ＬＥがボンディングされた回路基板１０上のフラックス２４を、フラックス洗浄剤を用いて除去する。フラックス洗浄剤は公知のフラックス洗浄剤（好ましくは、水系のフラックス洗浄剤）を使用することができる。例えば、フラックス洗浄剤は、Ｋａｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＣＬＥＡＮＴＨＲＯＵＧＨ ７５０ＨＳ、ＣＬＥＡＮＴＨＲＯＵＧＨ ７５０Ｋ、Ａｒａｋａｗａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ，Ｌｔｄ．製のＰＩＮＥ ＡＬＰＨＡ ＳＴ－１００Ｓなどが使用できるが、これに限定されるものではない。
【0133】
回路基板１０を洗浄する際の洗浄条件は特に限られない。例えば、洗浄剤温度３０～５０℃で１～５分間（好ましくは４０℃で２～４分間）の回路基板１０を洗浄すればよい。
【0134】
図２１を参照すると、発光素子ＬＥは接合電極２３を介して回路基板１０のアノードパッド電極ＡＰＤおよびカソードパッド電極ＣＰＤに接触し得る。図４を参照して説明したように、発光素子ＬＥの第１コンタクト電極ＣＴＥ１は回路基板１０のアノードパッド電極ＡＰＤと接触し、発光素子ＬＥの第２コンタクト電極ＣＴＥ２はカソードパッド電極ＣＰＤに接触し得る。
【0135】
一実施形態ではフリップチップ発光素子を例示したが、これに限定するものではなく、垂直型発光素子を使用することもできる。
【0136】
一実施形態で説明したように、移送ヘッドから脱着可能であり、ヘッドチャック４３より広い面積の一回性に使用可能な転写部材を用いることによって転写部材に汚染物、例えばフラックスなどの付着を考慮する必要がない。
【0137】
また、転写部材はボンディング過程の後に除去されるので、回路基板に塗布されたフラックスがレーザ透過部材に直接接触することを防止してレーザ透過部材の汚染を防止することができる。
【0138】
【0139】
【0140】
図２２ないし図２４を参照すると、反転部材９０の代わりに複数個の関節を有する多関節ロボット（Ｒｏｂｏｔ）が支持部材Ｓｔａ上に順次積層されたベース層２１０、スタンプ層２２０および保護フィルム３０の積層順序を逆順に反転させる。
【0141】
より具体的には多関節ロボット（Ｒｏｂｏｔ）は多関節を有する本体Ｒ－１０と本体Ｒ－１０の先端に構成されて支持部材Ｓｔａに収容された転写部材２０を持ち上げるための吸着部Ｒ－９０を含み得る。吸着部Ｒ－９０は転写部材２０を合着する合着用チャックＲ－９５と、折曲部２０－２を折って上げる上下移動部Ｒ－９６を含む。多関節ロボットの本体Ｒ－１０は公知の技術を適用できるので、詳細な説明は省略する。合着用チャックＲ－９５と上下移動部Ｒ－９６を含む吸着部材Ｒ－９０は図１３を参照して説明した反転部材９０と類似するので、詳細な説明は省略する。
【0142】
多関節ロボット（Ｒｏｂｏｔ）は合着用チャックＲ－９５を用いて保護フィルム３０の一面を吸着した状態で１８０度回転させて保護フィルム３０が付着した転写部材２０を上下左右反転させ得る。これにより、保護フィルム３０が付着した転写部材２０は保護フィルム３０が下部に位置し、保護フィルム３０上に転写部材２０、すなわち、スタンプ層２２０とベース層２３０が順に位置する。
【0143】
多関節ロボット（Ｒｏｂｏｔ）はドナー基板Ｄｓの位置まで反転して保護フィルム３０が付着した転写部材２０を移送する。他の変形例で、支持部材Ｓｔａが多関節ロボット（Ｒｏｂｏｔ）に移動して保護フィルム３０が付着した転写部材２０を吸着させ得る。その後、図１４ないし図２１と同じ過程が行われる。
【0144】
【0145】
【0146】
【0147】
図２５ａに示すように、切開溝２０ｈは保護フィルム３０とスタンプ層２２０を貫通するように形成されることができる。ベース層２１０には切開溝２０ｈが形成されなくてもよい。
【0148】
図２５ｂに示すように、切開溝２０ｈは保護フィルム３０を貫通するように形成されることができる。スタンプ層２２０およびベース層２１０には切開溝２０ｈが形成されなくてもよい。
【0149】
図２５ｃに示すように、切開溝２０ｈは保護フィルム３０を貫通してスタンプ層２２０の一部に形成されることができる。ベース層２１０には切開溝２０ｈが形成されなくてもよい。
【0150】
図２５ｄに示すように、切開溝２０ｈは保護フィルム３０とスタンプ層２２０を貫通してベース層２１０の一部に形成されることができる。
【0151】
【0152】
【0153】
【0154】
図２６ａに示すように転写部材２０－２は四角形の転写部２０－１を囲む折曲部２０－２を含み得る。転写部２０－１と折曲部２０－２との境界領域はハーフカットされ、図２５のａないしｄを参照して説明したように切開溝２０ｈが形成される。
【0155】
図２６ｂに示すように転写部材２０－２は四角形の転写部２０－１の両端に配置される折曲部２０－２を含み得る。転写部２０－１と折曲部２０－２との境界領域はハーフカットされて図２５のａないしｄを参照して説明したように切開溝２０ｈが形成される。
【0156】
図２６ｃに示すように転写部材２０－２は円形の転写部２０－１を囲む折曲部２０－２を含み得る。円形の折曲部２０－２のフォールディングが容易になるように転写部２０－１の円周に沿って複数個のノッチ２０－ＦＣが形成される。複数個のノッチ２０－ＦＣは一定間隔で離隔して形成される。
【0157】
【0158】
【0159】
図２７は発光素子の転写装置を用いて行われる発光素子の転写方法を示すフローチャートである。
【0160】
図２８は折曲部材の構成を概略的に示す図であり、図２９ないし図３１は発光素子の転写装置の移送ヘッドの上昇または下降を概略的に示す図であり、図３２は転写部材の保護フィルムの剥離を説明する概略図であり、図３３は発光素子のピックアップを説明する図であり、図３４および図３５はクランプの分離過程を説明するための図である。
【0161】
他の実施形態に用いる反転部材は、図５ないし図２６を参照して説明した発光素子の転写装置に採択された反転部材の上下移動部９６および支持チャック９５を含まず、転写部材２０を支持する一面が平坦に形成される点で差がある。
【0162】
【0163】
【0164】
【0165】
転写部材２０は粘着性または接着性を有するスタンプ層２２０、前記スタンプ層の一面に配置されるベース層２１０を含む。
【0166】
転写部材２０は平面上で後述する転写領域に配置される転写部２０－１と折曲領域に配置される折曲部２０－２とを含み得る。
【0167】
保護フィルム３０は転写部材２０のスタンプ層２２０の他面に配置されてスタンプ層２２０の汚染を防止する。
【0168】
保護フィルム３０は平面上で転写領域ＡＤと折曲領域ＮＡＤとを定義する切開溝２０ｈを含み得る。転写領域ＡＤは前記切開溝２０ｈを境界として中心側に形成され、折曲領域ＮＡＤは前記切開溝２０ｈを境界としてエッジ側に形成される。
【0169】
移送ヘッド１４０はボディ部４１、移動固定部１４２、およびヘッドチャック４３を含み、前記転写部材２０の上下左右への移動を可能にする。
【0170】
移動固定部１４２は後述するクランプ６２の固定時に当接する面が傾斜を有するように形成される。移動固定部１４２が傾斜面を有することによって、折曲部２０－２を固定するクランプ６２が上下に移動するときに支持する効果を有する。また、移動固定部１４２と後述するクランプ６２との固定時に当接する面が広くなってクランプ６２を安定的に固定できる。このためにクランプ６２の外部面も移動固定部１４２と同じ傾斜を有するように形成されることができる。
【0171】
ヘッドチャック４３はボディ部４１の一面の中央部に配置される。ヘッドチャック４３は静電チャック、粘着チャック、真空チャック、多孔性真空チャックのうちいずれか一つのチャックを含み得る。ヘッドチャック４３の面積は転写部材２０の転写領域ＡＤの面積と同じであるか小さくてもよい。
【0172】
移動固定部１４２はボディ部４１の一面にヘッドチャック４３と隣接配置され、水平方向に移動可能に配置される。移動固定部１４２は水平方向でヘッドチャック４３と近くなるか遠くなるように移動し得る。移動固定部１４２はヘッドチャック４３の外周面の少なくとも一部を囲むように配置され、左右対称に配置される。
【0173】
移動固定部１４２はボディ部４１のエッジとヘッドチャック４３との間で移動可能であり、折り曲げられた折曲部２０－２を固定する。
【0174】
折曲部材６０は脱着が可能なクランプ６２を含む。
【0175】
折曲部材６０はクランプ支持部６１、クランプ固定部６３およびクランプ固定部６３に脱着可能なクランプ６２を含み得る。
【0176】
クランプ支持部６１は中央に第１溝６１－ｈ、第１溝６１－ｈに隣接した領域に第２溝６３－ｈを含み得る。第２溝６３－ｈ上にクランプ固定部６３が配置される。クランプ固定部６３上にクランプ６２が配置される。クランプ６２はクランプ固定部６３に脱着可能に形成される。例えば、クランプ固定部６３が一面にチャックを有し得る。チャックは静電チャック、粘着チャック、真空チャック、多孔性真空チャックのうちいずれか一つであり得る。他の例でクランプ固定部６３とクランプ６２は磁石を含み得る。
【0177】
クランプ６２はクランプ固定部６３に付着して転写部材２０を前記中央溝６１－ｈにガイドし得る。クランプ６２は転写部材２０が中央溝６１ｈに配置されるとき折曲部２０－２が折り曲げられるように下方がより狭くなる構造で形成される。クランプ６２は下端に行くほど中央に近く傾くように形成される。すなわち、クランプ６２は上端の開口幅が下段の開口幅より広い。クランプ６２は転写部材２０の折曲部２０－２を固定して折曲状態を維持させる。
【0178】
それぞれの構成要素についてはそれを用いた転写方法に係る説明と共に以下の図面を参照して詳細に説明する。
【0179】
支持部材上に保護フィルムを有する転写部材のマザーガラスを配置する（図２７のＳ１１０）。
【0180】
前記保護フィルム３０－Ｂを含む転写部材のマザーガラス２１－Ｂは、前記支持部材上で転写単位の大きさに切断し、それぞれの転写単位の転写部材２０上に切開溝２０ｈを形成する（図２７のＳ１２０）。
【0181】
【0182】
次に、反転部材９０を用いて前記複数個の転写部材２０をピックアップして上下左右を反転させる（図２７のＳ１３０）。
【0183】
図１０を参照して説明したように、反転部材９０が支持部材Ｓｔａに整列配置された複数の転写部材２０に付着した保護フィルム３０の一面を吸着させることができる。反転部材９０はステージ９１、回転軸９２およびステージ９１と回転軸９２を接続する接続部９３を含み得る。回転軸９２を中心にステージ９１を１８０度回転させ得る。ステージ９１は複数個のチャックを含み得る。複数個のチャックは静電チャック、粘着チャック、真空チャック、多孔性真空チャックのうちいずれか一つであり得る。
【0184】
図１１を参照すると、反転部材９０が保護フィルム３０の一面を吸着した状態で１８０度回転して保護フィルム３０が付着した転写部材２０を上下左右反転させ得る。これにより、転写部材２０は反転部材９０から保護フィルム３０、スタンプ層２２０、ベース層２３０が順に配置される。
【0185】
次に、移送ヘッド１４０が転写部材２０を吸着して折曲部材６０上に位置させる。折曲部材６０は転写部材２０の折曲部２０－２を折り曲げ、折り曲げられた折曲部２０－２をクランプ６２で固定する（図２７のＳ１３６）。
【0186】
図２９および図３０を参照すると、移送ヘッド１４０のヘッドチャック４３は転写部材２０の転写部２０－１に重なり、折曲部２０－２には重ならないように配置する。ヘッドチャック４３はチャックの吸着機能を用いて転写部材２０のベース層２１０の一面を吸着する。その後、移送ヘッド１４０が上下左右に移動して折曲部材６０上に転写部材２０を位置させる。移送ヘッド１４０が上下左右に移動して折曲部材６０の第１溝である中央溝６１－ｈ上に転写部材２０の転写部２０－２が重なるように位置させる。
【0187】
その後、移送ヘッド１４０を下方に移動して中央溝６１－ｈに転写部材２０の転写部２０－２が配置されるようにする。中央溝６１－ｈの開口幅は転写部材２０の全体幅より小さい。したがって、転写部材２０の転写部２０－２が中央溝６１－ｈに配置されると、折曲部２０－２はクランプ６２により切開溝２０ｈを軸として折り曲げられる。これにより、転写部材２０がヘッドチャック４３の少なくとも３面を囲むことになる。
【0188】
移動固定部１４２がクランプ６２側に移動してクランプ６２の外側を圧迫してクランプ６２がヘッドチャック４３に堅固に固定される。
【0189】
その後、クランプ固定部６３がクランプ６２を脱着させて、移送ヘッド１４０はクランプ６２を固定したまま上昇移動する。
【0190】
【0191】
転写部材２０と保護フィルム３０の間の接着力または接着力より移送ヘッド１４０のヘッドチャック４３と転写部材２０の間の吸着力がより優れるので、保護フィルム３０を容易に除去することができる。
【0192】
【0193】
発光素子ＬＥは図４で説明したように、ベース基板ＳＵＢ、ｎ型半導体ＮＳＥＭ、活性層ＭＱＷ、ｐ型半導体ＰＳＥＭ、第１コンタクト電極ＣＴＥ１、第２コンタクト電極ＣＴＥ２を含み得る。また、発光素子ＬＥは接合電極２３をさらに含み得る。
【0194】
先に複数の発光素子ＬＥが整列配置されたドナー基板Ｄｓを準備する。ドナー基板Ｄｓには粘着性を有する物質が塗布される。粘着性を有する物質によりドナー基板Ｄｓと複数の発光素子ＬＥは互いに粘着し得る。
【0195】
移送ヘッド１４０がピックアップされた転写部材２０をドナー基板Ｄｓに移送して転写部材２０の一面に発光素子ＬＥを接着させる。転写部材２０の転写部２０－１のスタンプ層２２０に発光素子ＬＥが接着される。
【0196】
その後、移送ヘッド１４０を第３方向（Ｚ方向）に昇降させて、ドナー基板Ｄｓから発光素子ＬＥを分離させる。
【0197】
移送ヘッド１４０が第３方向（Ｚ方向）にドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥの間の粘着力（または接着力）よりも大きい引張力で引っ張らなければならない。このとき、移送ヘッド１４０が転写部材２０を介してドナー基板Ｄｓから発光素子ＬＥを脱着するためには移送ヘッド１４０と転写部材２０の間の吸着力がドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥの間の粘着力より大きくなければならない。一実施形態による、移送ヘッド１４０はクランプ４２を用いてヘッドチャック４３と転写部材２０を共に固定する。したがって、移送ヘッド４０が第３方向（Ｚ方向）にドナー基板Ｄｓと発光素子ＬＥの間の粘着力（または接着力）よりも大きい引張力を加えても、ヘッドチャック４３と転写部材２０は強く固定される。
【0198】
【0199】
クランプ４２はクランプ固定部６３上に配置され、クランプ固定部６３がクランプ４２を付着させる。その後、移動固定部１４２がボディ部４１のエッジ側に移動してクランプ４２と分離される。次の移送ヘッド１４０が第３方向（Ｚ方向）に昇降する。
【0200】
その後、移送ヘッド１４０が転写部材２０を回路基板１０上に整列させて、移送ヘッド１４０と転写部材２０とを脱着させる（図２７のＳ１６０）。
【0201】
次に、転写部材２０に付着した発光素子ＬＥを回路基板１０上にボンディングする（図２７のＳ１７０）。
【0202】
移送ヘッド１４０が転写部材２０を回路基板１０から除去する（図２７のＳ１８０）。
【0203】
【0204】
【0205】
クランプ６２は転写部材２０の折曲部２０－２に大きさと形状が対応するように形成される。クランプ６２は複数個に分けられたユニットで形成される。複数個のユニットはそれぞれ平面上で移動可能に形成される。
【0206】
図２６ａと図３６ａとを参照すると、転写部２０－１が四角形に形成され、折曲部２０－２が転写部２０－１の周囲に配置される複数個の長方形ユニットで形成される。このような場合、クランプ６２も互いに分離された複数個の長方形ユニットで形成されることができる。
【0207】
図２６ｂと図３６ｂとを参照すると、転写部２０－１が四角形に形成され、折曲部２０－２が転写部２０－１の両端に配置される２個の長方形ユニットで形成される。このような場合、クランプ６２も互いに離隔して配置される２個の長方形ユニットで形成されることができる。
【0208】
図２６ｃ、図３６ｃ、３６ｄを参照すると、転写部２０－１が円形に形成され、折曲部２０－２が転写部２０－１を囲むドーナツ状に形成されることができる。このような場合、クランプ６２もドーナツ状に形成され、互いに分離された複数個のユニットで形成されることができる。
【0209】
【0210】
クランプ６２は転写部材２０の折曲部２０－２に大きさと形状が対応するように形成される。クランプ６２は複数個に分けられたユニットで形成される。クランプ６２は移動ガイドＧをさらに含み得る。複数個のユニットはそれぞれ移動ガイドＧ内で移動可能に形成される。移動ガイドＧ内には、例えば、ガイドレール（図示せず）が嵌められてクランプ６２がスライド移動することができる。
【0211】
図２６ａと図３７ａとを参照すると、転写部２０－１が四角形に形成され、折曲部２０－２が転写部２０－１の周囲に配置される複数個の長方形ユニットで形成される。このような場合、クランプ６２も互いに分離された複数個の長方形ユニットで形成されることができる。それぞれの分離した長方形ユニットは移動ガイドＧに嵌められる。このような場合、分離した長方形ユニットは移動ガイドＧ内で移動可能である。
【0212】
図２６ｂと図３７ｂとを参照すると、転写部２０－１が四角形に形成され、折曲部２０－２が転写部２０－１の両端に配置される２個の長方形ユニットで形成される。このような場合、クランプ６２も互いに離隔して配置される２個の長方形ユニットで形成されることができる。それぞれの分離した長方形ユニットは移動ガイドＧに嵌められる。このような場合、分離した長方形ユニットは移動ガイドＧ内で移動可能である。
【0213】
一実施形態に示すようにクランプ６２が複数個のユニットで形成され、それぞれの複数個のユニットが平面上で移動可能に形成される場合、多様な転写部材２０に適用することができる。
【0214】
【0215】
図３８ａを参照すると、クランプ６２は転写部材２０の折曲部２０－２に大きさと形状が対応するように形成される。クランプ６２は移動ガイド６８とフレーム６９とをさらに含み得る。複数個のユニットはそれぞれ移動ガイド６８内で移動可能に形成される。移動ガイド６８内には、例えばガイドレール（図示せず）が嵌められてクランプ６２がスライド移動し得る。フレーム６９は移動ガイド６８を支持する。
【0216】
【0217】
前述した実施形態で説明したように、保護フィルムを上に向くように逆方向に配置してカットすることによって、汚染物がベース層の上部に残る転写工程不良の問題を解決することができる。
【0218】
また、転写部材を移送ヘッドのヘッドチャック側に折って使用することによって、ヘッドチャックがフラックスなどにより汚染されることを防止することができる。
【0219】
クランプを用いて転写部材を固定することによって、発光素子をピックアップするときに転写部材とチャックの間の脱着を防止することができる。究極的には転写工程進行中に発生する転写工程不良の問題を最小化して生産収率が向上することができる。
【0220】
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造することができ、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【0221】
１００ 表示パネル
１０ 回路基板
２０ 転写部材
２０－１ 転写部
２０－２ 折曲部
２０ｈ 切開溝
３０ 保護フィルム
２３ 接合電極
２４ フラックス
ＬＥ 発光素子
４０ 移送ヘッド
９０ 反転部材
１０ 回路基板
２０ 転写部材
２０－１ 転写部
２０－２ 折曲部
２０ｈ 切開溝
３０ 保護フィルム
２３ 接合電極
２４ フラックス
ＬＥ 発光素子
４０ 移送ヘッド
９０ 反転部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25a】
【図25b】
【図25c】
【図25d】
【図26a】
【図26b】
【図26c】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36a】
【図36b】
【図36c】
【図36d】
【図37a】
【図37b】
【図38a】
【図38b】
【図38c】