特開 2024-55070 半導体モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024055070

(43)【公開日】2024-04-18

(54)【発明の名称】半導体モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01L 25/07 20060101AFI20240411BHJP

   H01L 21/56 20060101ALI20240411BHJP

【ＦＩ】

H01L25/04 C

H01L21/56 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022161674

(22)【出願日】2022-10-06

(71)【出願人】

【識別番号】000005234

【氏名又は名称】富士電機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105854

【弁理士】

【氏名又は名称】廣瀬 一

(74)【代理人】

【識別番号】100103850

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 秀▲てつ▼

(72)【発明者】

【氏名】仲野 逸人

【テーマコード（参考）】

5F061

【Ｆターム（参考）】

5F061AA01

5F061BA04

5F061CA21

(57)【要約】

【課題】本発明は、封止樹脂に発生したクラックによるワイヤ配線の破断を防止できる半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体モジュール１は、半導体チップ１４ａ～１４ｄと、半導体チップ１４ａ～１４ｄを封止する封止樹脂１８と、注型領域１１７ｕ、第一部分１１１，１１２及び第二部分１１３，１１４を有するケース１１と、第一部分１１１に片寄った状態で封止樹脂１８に封止されて半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続されたワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉと、仮想平面ＶＳｕと第一部分１１２との間で第二部分１１３，１１４に形成された凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂとを備えている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂が注型される空間、前記空間を挟んで対向して配置され直線状を有する一対の第一部分、及び前記空間を挟んで対向し前記一対の第一部分の間に配置され直線状を有する一対の第二部分を有するケースと、
前記一対の第一部分の一方に片寄った状態で前記封止樹脂に封止されて前記半導体チップと接続された、前記半導体チップに入力又は前記半導体チップから出力される信号が伝送されるワイヤ配線と、
前記ワイヤ配線が配置された前記空間の領域及び前記ワイヤ配線が配置されていない前記空間の領域の境界であって前記一対の第一部分に平行な仮想平面と、前記一対の第一部分の他方との間で前記一対の第二部分の少なくとも一方に形成された少なくとも１つの凹部と
を備える半導体モジュール。

【請求項2】

前記仮想平面は、前記封止樹脂の厚さ方向に見て、前記一対の第一部分の前記他方に対して最も離れた前記凹部から該凹部が形成されていない前記第二部分まで前記空間を横切る平面である
請求項１に記載の半導体モジュール。

【請求項3】

前記封止樹脂の厚さ方向に見て、前記一対の第一部分の前記他方と前記仮想平面との間には、前記ワイヤ配線が配置されていない
請求項１に記載の半導体モジュール。

【請求項4】

前記封止樹脂の厚さ方向に見て、前記一対の第一部分の前記一方と前記仮想平面との間には、前記凹部が設けられていない
請求項１に記載の半導体モジュール。

【請求項5】

前記空間に一部が配置された状態で前記第一部分のいずれか一方に設けられ前記半導体チップに供給される電力が入力される電力入力端子と、
前記空間に一部が配置された状態で前記第一部分のいずれか他方に設けられ前記半導体チップからの電力が出力される電力出力端子と
をさらに備える
請求項１に記載の半導体モジュール。

【請求項6】

前記一対の第二部分は、前記封止樹脂の表面側よりも前記半導体チップが配置されている側の方が互いの距離が長くなる段差部を有し、
前記電力入力端子及び前記電力出力端子のうちの前記ワイヤ配線が配置されていない領域に前記一部が配置された一方の端子は、該一部に角部を有している
請求項５に記載の半導体モジュール。

【請求項7】

前記電力入力端子が有する正極側端子に接続される正極側配線パターンと、複数の前記半導体チップのうちの一部及び前記電力出力端子が接続される中間配線パターンと、残余の前記半導体チップ及び前記電力入力端子が有する負極側端子が接続される負極側配線パターンとを有する積層基板をさらに備え、
前記段差部及び前記角部は、前記一部の前記半導体チップと前記中間配線パターンとを接続する正極側リードフレーム、前記残余の前記半導体チップと前記中間配線パターンとを接続する負極側リードフレーム及び複数の前記半導体チップよりも前記積層基板から離れた位置に配置されている
請求項６に記載の半導体モジュール。

【請求項8】

前記凹部は、曲面状の壁面を有する
請求項１に記載の半導体モジュール。

【請求項9】

前記ケースは、複数の前記空間を有し、
前記一対の第一部分は、前記複数の前記空間のそれぞれを画定する構成要素の一部として共有され、
前記一対の第二部分のうちの少なくとも１つは、隣り合う前記空間のそれぞれを画定する構成要素の一部として共有されている
請求項１から８までのいずれか一項に記載の半導体モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体チップを封止する封止樹脂を備える半導体モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

６ｉｎ１構造を有する車載用パワーモジュールなどの半導体モジュールが知られている。このような半導体モジュールは、ケースとパワーセルとがワイヤ配線で接続され、外部に設けられたモータなどの負荷に供給する電力を生成する電気回路を有している。パワーセルは封止樹脂によって封止されている。

【0003】

半導体モジュールの動作寿命を推定するために、パワーサイクル試験（断続通電試験）が行われる。パワーサイクル試験には、パワーセルに設けられた半導体チップに熱ストレスを発生させるΔＴｊパワーサイクル試験と、ケース温度を変化させるΔＴｃパワーサイクル試験（熱疲労寿命試験）とがある。ΔＴｊパワーサイクル試験及びΔＴｃパワーサイクル試験の実施により、封止樹脂には繰り返し応力が発生するため、封止樹脂にクラックが発生する。

【0004】

特許文献１には、封止材に発生するクラックや剥離を自己修復可能な半導体装置が開示されている。特許文献２には、電極層にクラックが入りにくい技術が開示されている。特許文献３には、応力を緩和して絶縁基板の割れを抑制するとともに絶縁基板が割れても絶縁基板の破片が飛び散ることを防止することができる半導体装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１７－４１４９６号公報

【特許文献2】特開２０１５－１２２３４９号公報

【特許文献3】特開２０１４－９３３６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

封止樹脂にクラックが発生しただけでは半導体モジュールにとって致命的な欠陥にはならない。しかしながら、当該クラックがワイヤ配線に到達することによってワイヤ配線が破断されると、半導体モジュールとって致命的な欠陥となり、不良モジュールとなる。

【0007】

本発明の目的は、封止樹脂に発生したクラックによるワイヤ配線の破断を防止できる半導体モジュールを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記目的を達成するために、本発明の一態様による半導体モジュールは、半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記封止樹脂が注型される空間と、前記空間を挟んで対向して配置され直線状を有する一対の第一部分と、前記空間を挟んで対向し前記一対の第一部分の間に配置され直線状を有する一対の第二部分とを有するケースと、前記一対の第一部分の一方に片寄った状態で前記封止樹脂に封止されて前記半導体チップと接続された、前記半導体チップに入力又は前記半導体チップから出力される信号が伝送されるワイヤ配線と、前記ワイヤ配線が配置された前記空間の領域及び前記ワイヤ配線が配置されていない前記空間の領域の境界であって前記一対の第一部分に平行な仮想平面と、前記一対の第一部分の他方との間で前記一対の第二部分の少なくとも一方に形成された少なくとも１つの凹部とを備える。

【発明の効果】

【0009】

本発明の一態様によれば、封止樹脂に発生したクラックによるワイヤ配線の破断を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本発明の一実施形態による半導体モジュールの平面の一例を模式的に示す図である。

【図2】本発明の一実施形態による半導体モジュールの概略構成の一例を示す図であって図１中に示すＡ－Ａ線で切断した断面を模式的に示す図である。

【図3】本発明の一実施形態による半導体モジュールに備えられた封止樹脂に発生するクラックを説明するための図であって、当該半導体モジュールの平面の一部を模式的に示す図である。

【図4】本発明の一実施形態による半導体モジュールに備えられた封止樹脂に発生するクラックを説明するための図であって、図３中に示すＢ－Ｂ線で切断した当該半導体モジュールの断面を模式的に示す図である。

【図5】比較例による半導体モジュールに備えられた封止樹脂に発生するクラックを説明するための図であって、当該半導体モジュールの平面の一部を模式的に示す図である。

【図6】比較例による半導体モジュールに備えられた封止樹脂に発生するクラックを説明するための図であって、図５中に示すＣ－Ｃ線で切断した当該半導体モジュールの断面を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

本発明の各実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

【0012】

本発明の一実施形態による半導体モジュールについて図１から図６を用いて説明する。まず、本実施形態による半導体モジュール１の概略構成について図１及び図２を用いて説明する。本実施形態による半導体モジュール１として、例えば直流交流変換が可能な３相の電力変換モジュールを例にとって説明する。図１は、半導体モジュール１の平面の一例を模式的に示す図である。ここで、半導体モジュール１の平面図は、半導体モジュール１に備えられた封止樹脂１８（図２参照）の厚さ方向に見た図である。図１では、理解を容易にするため、封止樹脂１８の図示が省略されている。図２は、図１中に示すＡ－Ａ線で切断した半導体モジュール１の断面を模式的に示す図である。

【0013】

図１に示すように、本実施形態による半導体モジュール１は、封止樹脂１８（詳細は後述）が注型される注型領域（空間の一例）１１７ｕと、注型領域１１７ｕを挟んで対向して配置され直線状を有する一対の第一部分１１１，１１２と、注型領域１１７ｕを挟んで対向し第一部分１１１，１１２の間に配置され直線状を有する一対の第二部分１１３，１１４とを有するケース１１を備えている。ケース１１は、第一部分１１１，１１２及び第二部分１１３，１１４によって注型領域１１７ｕを画定している。

【0014】

ケース１１は、注型領域１１７ｖを挟んで第二部分１１４に対向し第一部分１１１，１１２の間に配置され直線状を有する第二部分１１５を有している。ケース１１は、第一部分１１１，１１２及び第二部分１１４，１１５によって注型領域１１７ｖを画定している。注型領域１１７ｖに着目した場合、第二部分１１４，１１５によって一対の第二部分が構成される。

【0015】

ケース１１は、注型領域１１７ｗを挟んで第二部分１１５に対向し第一部分１１１，１１２の間に配置され直線状を有する第二部分１１６を有している。ケース１１は、第一部分１１１，１１２及び第二部分１１５，１１６によって注型領域１１７ｗを画定している。注型領域１１７ｗに着目した場合、第二部分１１５，１１６によって一対の第二部分が構成される。

【0016】

ケース１１は、複数の注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗを有している。第一部分１１１，１１２は、複数の注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗのそれぞれを画定する構成要素の一部として共有されている。第二部分１１３，１１４，１１５，１１６のうちの少なくとも１つは、隣り合う注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗのそれぞれを画定する構成要素の一部として共有されている。

【0017】

具体的には、注型領域１１７ｕは、第一部分１１１の一部、第二部分１１４、第一部分１１２の一部及び第二部分１１３によって画定されている。注型領域１１７ｖは、第一部分１１１の他の一部、第二部分１１５、第一部分１１２の他の一部及び第二部分１１４によって画定されている。注型領域１１７ｗは、第一部分１１１の残余の部分、第二部分１１６、第一部分１１２の残余の部分及び第二部分１１５によって画定されている。したがって、第二部分１１４は、隣り合う注型領域１１７ｕ及び注型領域１１７ｖのそれぞれを画定する構成要素の一部として共有されている。第二部分１１５は、隣り合う注型領域１１７ｖ及び注型領域１１７ｗのそれぞれを画定する構成要素の一部として共有されている。

【0018】

ケース１１は、封止樹脂１８の厚さ方向に見て（すなわち平面視で）、第一部分１１１、第二部分１１６、第一部分１１２及び第二部分１１３によって構成される矩形環状の形状を有している。第二部分１１４は、第二部分１１３の隣に配置され、第二部分１１５は、第二部分１１３，１１６の間に配置されている。第二部分１１３，１１４，１１５，１１６は、例えば等間隔に配置されている。これにより、注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗは、互いにほぼ同じ大きさを有している。第一部分１１１，１１２及び第二部分１１３，１１４，１１５，１１６は、例えば絶縁性の熱可塑性樹脂を用いて一体に形成されている。

【0019】

図１に示すように、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｕに配置された半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを備えている。以下、半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを「半導体チップ１４ａ～１４ｄ」と略記する場合がある。半導体モジュール１は、一対の第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１１）に片寄った状態で封止樹脂１８に封止されて半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続された、半導体チップ１４ａ～１４ｄに入力又は半導体チップ１４ａ～１４ｄから出力される信号が伝送されるワイヤ配線１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，１０１ｅ，１０１ｆ，１０１ｈ，１０１ｉ，１０１ｊ，１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｈ，１０２ｉを備えている。以下、ワイヤ配線１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，１０１ｅ，１０１ｆ，１０１ｈ，１０１ｉ，１０１ｊを「ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ」と略記し、ワイヤ配線１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｈ，１０２ｉを「ワイヤ配線１０２ａ～１０２ｉ」と略記する場合がある。

【0020】

半導体モジュール１は、注型領域１１７ｕに注型されて半導体チップ１４ａ～１４ｄを封止する封止樹脂１８（図１では不図示、図２参照）を備えている。上述のとおり、封止樹脂１８は、及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉも封止している。

【0021】

半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖに配置された半導体チップ１４ａ～１４ｄを備えている。半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖに注型されて半導体チップ１４ａ～１４ｄ封止樹脂（不図示）を備えている。半導体モジュール１は、一対の第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１１）に片寄った状態で注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂に封止されて半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続された、半導体チップ１４ａ～１４ｄに入力又は半導体チップ１４ａ～１４ｄから出力される信号が伝送されるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｉ，１０２ａ～１０２ｉを備えている。

【0022】

半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗに配置された半導体チップ１４ａ～１４ｄを備えている。半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗに注型されて半導体チップ１４ａ～１４ｄを封止する封止樹脂（不図示）を備えている。半導体モジュール１は、一対の第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１１）に片寄った状態で注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂に封止されて半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続された、半導体チップ１４ａ～１４ｄに入力又は半導体チップ１４ａ～１４ｄから出力される信号が伝送されるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｉ，１０２ａ～１０２ｉを備えている。

【0023】

図１に示すように、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｕに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１２）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄに供給される電力が入力される電力入力端子２１ｕを備えている。電力入力端子２１ｕは、例えば正極側の直流電力が供給される正極側端子２１１ｕと、例えば負極側の直流電力が供給される負極側端子２１２ｕとを有している。半導体モジュール１は、注型領域１１７ｕに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の他方（本実施形態では第一部分１１１）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄからの電力が出力される電力出力端子２２ｕを備えている。電力入力端子２１ｕ（より具体的には正極側端子２１１ｕ及び負極側端子２１２ｕ）及び電力出力端子２２ｕは、導電性材料（例えば銅）で形成されている。

【0024】

正極側端子２１１ｕは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の正極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１１ｕａを有している。締結部２１１ｕａは、第一部分１１２において露出されている。正極側端子２１１ｕは、注型領域１１７ｕに突出して配置される突出部２１１ｕｂを有している。したがって、正極側端子２１１ｕは、注型領域１１７ｕに突出部２１１ｕｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0025】

負極側端子２１２ｕは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の負極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１２ｕａを有している。締結部２１２ｕａは、第一部分１１２において露出されている。負極側端子２１２ｕは、注型領域１１７ｕに突出して配置される突出部２１２ｕｂを有している。したがって、負極側端子２１２ｕは、注型領域１１７ｕに突出部２１２ｕｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0026】

電力出力端子２２ｕは、第一部分１１１に配置されて駆動対象である負荷（不図示）に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２２１ｕを有している。締結部２２１ｕは、第一部分１１１において露出されている。電力出力端子２２ｕは、注型領域１１７ｕに突出して配置される突出部２２２ｕを有している。したがって、電力出力端子２２ｕは、注型領域１１７ｕに突出部２２２ｕ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１１に設けられている。

【0027】

図１に示すように、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１２）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄに供給される電力が入力される電力入力端子２１ｖを備えている。電力入力端子２１ｖは、例えば正極側の直流電力が供給される正極側端子２１１ｖと、例えば負極側の直流電力が供給される負極側端子２１２ｖとを有している。半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の他方（本実施形態では第一部分１１１）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄからの電力が出力される電力出力端子２２ｖを備えている。電力入力端子２１ｖ（より具体的には正極側端子２１１ｖ及び負極側端子２１２ｖ）及び電力出力端子２２ｖは、導電性材料（例えば銅）で形成されている。

【0028】

正極側端子２１１ｖは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の正極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１１ｖａを有している。締結部２１１ｖａは、第一部分１１２において露出されている。正極側端子２１１ｖは、注型領域１１７ｖに突出して配置される突出部２１１ｖｂを有している。したがって、正極側端子２１１ｖは、注型領域１１７ｖに突出部２１１ｖｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0029】

負極側端子２１２ｖは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の負極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１２ｖａを有している。締結部２１２ｖａは、第一部分１１２において露出されている。負極側端子２１２ｖは、注型領域１１７ｖに突出して配置される突出部２１２ｖｂを有している。したがって、負極側端子２１２ｖは、注型領域１１７ｖに突出部２１２ｖｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0030】

電力出力端子２２ｖは、第一部分１１１に配置されて駆動対象である負荷（不図示）に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２２１ｖを有している。締結部２２１ｖは、第一部分１１１において露出されている。電力出力端子２２ｖは、注型領域１１７ｖに突出して配置される突出部２２２ｖを有している。したがって、電力出力端子２２ｖは、注型領域１１７ｖに突出部２２２ｖ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１１に設けられている。

【0031】

図１に示すように、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の一方（本実施形態では第一部分１１２）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄに供給される電力が入力される電力入力端子２１ｗを備えている。電力入力端子２１ｗは、例えば正極側の直流電力が供給される正極側端子２１１ｗと、例えば負極側の直流電力が供給される負極側端子２１２ｗとを有している。半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗに一部が配置された状態で第一部分１１１，１１２の他方（本実施形態では第一部分１１１）に設けられ半導体チップ１４ａ～１４ｄからの電力が出力される電力出力端子２２ｗを備えている。電力入力端子２１ｗ（より具体的には正極側端子２１１ｗ及び負極側端子２１２ｗ）及び電力出力端子２２ｗは、導電性材料（例えば銅）で形成されている。

【0032】

正極側端子２１１ｗは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の正極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１１ｗａを有している。締結部２１１ｗａは、第一部分１１２において露出されている。正極側端子２１１ｗは、注型領域１１７ｗに突出して配置される突出部２１１ｗｂを有している。したがって、正極側端子２１１ｗは、注型領域１１７ｗに突出部２１１ｗｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0033】

負極側端子２１２ｗは、第一部分１１２に配置されて直流電力を生成する直流電源（不図示）の負極側に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２１２ｗａを有している。締結部２１２ｗａは、第一部分１１２において露出されている。負極側端子２１２ｗは、注型領域１１７ｗに突出して配置される突出部２１２ｗｂを有している。したがって、負極側端子２１２ｗは、注型領域１１７ｗに突出部２１２ｗｂ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１２に設けられている。

【0034】

電力出力端子２２ｗは、第一部分１１１に配置されて駆動対象である負荷（不図示）に接続されるケーブル（不図示）が締結される締結部２２１ｗを有している。締結部２２１ｗは、第一部分１１１において露出されている。電力出力端子２２ｗは、注型領域１１７ｗに突出して配置される突出部２２２ｗを有している。したがって、電力出力端子２２ｗは、注型領域１１７ｗに突出部２２２ｗ（一部の一例）が配置された状態で第一部分１１１に設けられている。

【0035】

図２に示すように、半導体モジュール１は、ケース１１が固定される冷却器３１を備えている。冷却器３１は、熱伝導性の高い材料（例えばアルミニウム）で形成されている。ケース１１は、締結部２１１ｕａ，２１２ｕａ，２２１ｕが露出する側とは反対側の端部が例えば接着剤３２によって冷却器３１に接着されて固定される。これにより、ケース１１の第一部分１１１、第二部分１１４、第一部分１１２及び第二部分１１３並びに冷却器３１によって５つの方向が囲まれ、かつ締結部２１１ｕａ，２１２ｕａ，２２１ｕが露出する側が開放された注型領域１１７ｕが形成される。また、ケース１１の第一部分１１１、第二部分１１５、第一部分１１２及び第二部分１１４並びに冷却器３１によって５つの方向が囲まれ、かつ締結部２１１ｖａ，２１２ｖａ，２２１ｖが露出する側が開放された注型領域１１７ｖが形成される。さらに、ケース１１の第一部分１１１、第二部分１１６、第一部分１１２及び第二部分１１５並びに冷却器３１によって５つの方向が囲まれ、かつ締結部２１１ｗａ，２１２ｗａ，２２１ｗが露出する側が開放された注型領域１１７ｗが形成される。

【0036】

ここで、注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗのそれぞれに配置され、電力入力端子２１ｕ，２１ｖ，２１ｗから入力される直流電力を交流電力に変換し、当該交流電力を電力出力端子２２ｕ，２２ｖ，２２ｗから出力するインバータ部の構成について説明する。注型領域１１７ｕに配置されたＵ相用のインバータ部と、注型領域１１７ｖに配置されたＶ相用のインバータ部と、注型領域１１７ｗに配置されたＷ相用のインバータ部とは、互いに同じ構成を有している。このため、Ｕ相用のインバータ部、Ｖ相用のインバータ部及びＷ相用のインバータ部について、Ｕ相用のインバータ部を例にとって説明する。

【0037】

図１及び図２に示すように、Ｕ相用のインバータ部は、半導体チップ１４ａ～１４ｄが配置される積層基板１６を有している。積層基板１６は、例えばＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板又はＡＭＢ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔａｌ Ｂｒａｚｉｎｇ）基板で構成されている。積層基板１６は、締結部２１１ｕａ，２１２ｕａ，２２１ｕが露出する側の注型領域１１７ｕの開口よりも大きい面積を有し矩形平板状に形成された絶縁基板１６１を有している。絶縁基板１６１は、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミックスで形成されている。

【0038】

積層基板１６は、封止樹脂１８（図２参照）で封止される側に絶縁基板１６１上に形成された正極側配線パターン１６２ａ、中間配線パターン１６２ｂ、負極側配線パターン１６２ｃ及び中継配線パターン１６２ｄ，１６２ｅ，１６２ｆ，１６２ｇを有している。正極側配線パターン１６２ａ、中間配線パターン１６２ｂ、負極側配線パターン１６２ｃ及び中継配線パターン１６２ｄ，１６２ｅ，１６２ｆ，１６２ｇは、導電材料（例えば銅）で形成されている。積層基板１６は、封止樹脂１８によって封止される側の裏面側における絶縁基板１６１上に形成された矩形平板状の伝熱パターン１６３（図２参照）を有している。伝熱パターン１６３は、熱伝導性の高い材料（例えば銅）で形成されている。

【0039】

積層基板１６は、例えばはんだ３３を用いて冷却器３１にはんだ付けされている。積層基板１６は、伝熱パターン１６３をはんだ３３に接触させた状態で冷却器３１に固定されている。これにより、半導体モジュール１は、積層基板１６に設けられた半導体チップ１４ａ～１４ｄから生じる熱を、冷却器３１を介して外部に放出できる。

【0040】

図１に示すように、正極側配線パターン１６２ａは例えば、電力出力端子２２ｕの突出部２２２ｕと第二部分１１４との間で第二部分１１４に沿って延在して配置されている。正極側配線パターン１６２ａは、中央部に第二部分１１４から注型領域１１７ｕの中央部に向かって凹んだ凹み部を有している。中継配線パターン１６２ｄ，１６２ｅは、当該凹み部に並んで配置されている。中継配線パターン１６２ｄ，１６２ｅは、それぞれ例えば長方形状を有し、互いに同一の形状を有している。中継配線パターン１６２ｄは電力入力端子２１ｕ側に配置され、中継配線パターン１６２ｅは電力出力端子２２ｕ側に配置されている。

【0041】

負極側配線パターン１６２ｃは例えば、第一部分１１２及び第二部分１１３が交わるケース１１の角部近傍から第一部分１１２に沿って負極側端子２１２ｕの突出部２１２ｕｂの下方まで延在し、かつ絶縁基板１６１の中央部を通って電力出力端子２２ｕの突出部２２２ｕの近傍まで延在して配置されている。負極側配線パターン１６２ｃは、例えば左右反対向きのＬ字形状を有している。

【0042】

中間配線パターン１６２ｂは例えば、負極側配線パターン１６２ｃが絶縁基板１６１の中央部を通って電力出力端子２２ｕの突出部２２２ｕの近傍まで延在している部分を囲むように配置されている。中間配線パターン１６２ｂは、例えば凹形状を有している。絶縁基板１６１の中央部に延在する中間配線パターン１６２ｂの一部の領域は、正極側配線パターン１６２ａと負極側配線パターン１６２ｃとの間に配置されている。

【0043】

中間配線パターン１６２ｂは、第二部分１１３に沿って延在する部分の中央部に第二部分１１３から注型領域１１７ｕの中央部に向かって凹んだ凹み部を有している。中継配線パターン１６２ｆ，１６２ｇは、当該凹み部に並んで配置されている。中継配線パターン１６２ｆ，１６２ｇは、それぞれ例えば長方形状を有し、互いに同一の形状を有している。中継配線パターン１６２ｆは電力入力端子２１ｕ側に配置され、中継配線パターン１６２ｇは電力出力端子２２ｕ側に配置されている。

【0044】

正極側端子２１１ｕの突出部２１１ｕｂは、正極側配線パターン１６２ａの上方まで延在して配置されている。正極側端子２１１ｕは、突出部２１１ｕｂ及び正極側配線パターン１６２ａが重なる領域の一部に配置された接続部材３４ａ（図２参照）によって正極側配線パターン１６２ａと接続されている。接続部材３４ａは、例えば直方体形状を有し、導電性材料（例えば銅）で形成されている。接続部材３４ａは、正極側配線パターン１６２ａに例えばはんだ付けされている。突出部２１１ｕｂは、接続部材３４ａに例えばレーザ溶接によって接合されている。これにより、正極側端子２１１ｕ及び正極側配線パターン１６２ａは、接続部材３４ａを介して機械的かつ電気的に接続される。

【0045】

負極側端子２１２ｕの突出部２１２ｕｂは、負極側配線パターン１６２ｃの上方まで延在して配置されている。負極側端子２１２ｕは、突出部２１２ｕｂ及び負極側配線パターン１６２ｃが重なる領域の一部に配置された接続部材３４ｃ（図２参照）によって負極側配線パターン１６２ｃと接続されている。接続部材３４ｃは、例えば直方体形状を有し、導電性材料（例えば銅）で形成されている。接続部材３４ｃは、負極側配線パターン１６２ｃに例えばはんだ付けされている。突出部２１２ｕｂは、接続部材３４ｃに例えばレーザ溶接によって接合されている。これにより、負極側端子２１２ｕ及び負極側配線パターン１６２ｃは、接続部材３４ｃを介して機械的かつ電気的に接続される。

【0046】

電力出力端子２２ｕの突出部２２２ｕは、中間配線パターン１６２ｂの上方まで延在して配置されている。電力出力端子２２ｕは、突出部２２２ｕ及び中間配線パターン１６２ｂが重なる領域の一部に配置された接続部材３４ｂ（図２参照）によって中間配線パターン１６２ｂと接続されている。接続部材３４ｂは、例えば直方体形状を有し、導電性材料（例えば銅）で形成されている。接続部材３４ｂは、中間配線パターン１６２ｂに例えばはんだ付けされている。突出部２２２ｕは、接続部材３４ｂに例えばレーザ溶接によって接合されている。これにより、電力出力端子２２ｕ及び中間配線パターン１６２ｂは、接続部材３４ｂを介して機械的かつ電気的に接続される。

【0047】

図１に示すように、半導体チップ１４ａ及び半導体チップ１４ｂは、中継配線パターン１６２ｄ、１６２ｅを挟んで中間配線パターン１６２ｂ上に配置されている。半導体チップ１４ａ，１４ｂは例えば、中間配線パターン１６２ｂ上に形成された焼結体によって中間配線パターン１６２ｂに接合されている。これにより、半導体チップ１４ａ，１４ｂは、中間配線パターン１６２ｂに機械的及び電気的に接続される。

【0048】

半導体チップ１４ｃ及び半導体チップ１４ｄは、中継配線パターン１６２ｆ、１６２ｇを挟んで負極側配線パターン１６２ｃ上に配置されている。半導体チップ１４ｃ，１４ｄは例えば、負極側配線パターン１６２ｃ上に形成された焼結体によって負極側配線パターン１６２ｃに接合されている。これにより、半導体チップ１４ｃ，１４ｄは、負極側配線パターン１６２ｃに機械的及び電気的に接続される。

【0049】

図１に示すように、半導体モジュール１は例えば、半導体チップ１４ａと正極側配線パターン１６２ａとを機械的かつ電気的に接続するリードフレーム１５ａと、半導体チップ１４ｂと正極側配線パターン１６２ａとを機械的かつ電気的に接続するリードフレーム１５ｂとを有している。半導体モジュール１は例えば、半導体チップ１４ｃと中間配線パターン１６２ｂとを機械的かつ電気的に接続するリードフレーム１５ｃと、半導体チップ１４ｄと中間配線パターン１６２ｂとを機械的かつ電気的に接続するリードフレーム１５ｄとを有している。

【0050】

半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄには例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＩＧＢＴ）やパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＭＯＳＦＥＴ）などのパワー半導体素子（不図示）が形成されている。本実施形態では、半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄには、例えばＩＧＢＴ（不図示）が形成されている。また、半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄには、ＩＧＢＴに逆並列に接続された還流ダイオード（不図示）が形成されている。

【0051】

半導体チップ１４ａに形成されたＩＧＢＴのコレクタ端子（不図示）及び還流ダイオードのカソード端子（不図示）は、正極側配線パターン１６２ａに対向する表面に露出しており、焼結体を介して正極側配線パターン１６２ａと機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ａに形成されたＩＧＢＴのエミッタ端子Ｅ及び還流ダイオードのアノード端子（不図示）は、リードフレーム１５ａが配置されている側の表面の一部に露出しており、リードフレーム１５ａの端部と機械的かつ電気的に接続されている。

【0052】

半導体チップ１４ｂに形成されたＩＧＢＴのコレクタ端子（不図示）及び還流ダイオードのカソード端子（不図示）は、正極側配線パターン１６２ａに対向する表面に露出しており、焼結体と機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｂに形成されたＩＧＢＴのエミッタ端子Ｅ及び還流ダイオードのアノード端子（不図示）は、リードフレーム１５ｂが配置されている側の表面の一部に露出しており、リードフレーム１５ｂの端部と機械的かつ電気的に接続されている。

【0053】

したがって、半導体チップ１４ａに設けられたＩＧＢＴ及び還流ダイオードと、半導体チップ１４ｂに設けられたＩＧＢＴ及び還流ダイオードとは、接続部材３４ａ、正極側配線パターン１６２ａ、リードフレーム１５ａ，１５ｂ、中間配線パターン１６２ｂ及び接続部材３４ｂによって、正極側端子２１１ｕ及び電力出力端子２２ｕの間で並列に接続される。

【0054】

半導体チップ１４ｃに形成されたＩＧＢＴのコレクタ端子（不図示）及び還流ダイオードのカソード端子（不図示）は、負極側配線パターン１６２ｃに対向する表面に露出しており、焼結体と機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｃに形成されたＩＧＢＴのエミッタ端子Ｅ及び還流ダイオードのアノード端子（不図示）は、リードフレーム１５ｃが配置されている側の表面の一部に露出しており、リードフレーム１５ｃの端部と機械的かつ電気的に接続されている。

【0055】

半導体チップ１４ｄに形成されたＩＧＢＴのコレクタ端子（不図示）及び還流ダイオードのカソード端子（不図示）は、負極側配線パターン１６２ｃに対向する表面に露出しており、焼結体と機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｄに形成されたＩＧＢＴのエミッタ端子Ｅ及び還流ダイオードのアノード端子（不図示）は、リードフレーム１５ｄが配置されている側の表面の一部に露出しており、リードフレーム１５ｄの端部と機械的かつ電気的に接続されている。

【0056】

したがって、半導体チップ１４ｃに設けられたＩＧＢＴ及び還流ダイオードと、半導体チップ１４ｄに設けられたＩＧＢＴ及び還流ダイオードとは、接続部材３４ｂ、中間配線パターン１６２ｂ、リードフレーム１５ｃ，１５ｄ、負極側配線パターン１６２ｃ及び接続部材３４ｃによって、電力出力端子２２ｕ及び負極側端子２１２ｕの間で並列に接続される。さらに、半導体チップ１４ａ，１４ｂのそれぞれに設けられて並列接続されたＩＧＢＴ及び還流ダイオードと、半導体チップ１４ｃ，１４ｄのそれぞれに設けられて並列接続されたＩＧＢＴ及び還流ダイオードとは、接続部材３４ａ、正極側配線パターン１６２ａ、リードフレーム１５ａ，１５ｂ、中間配線パターン１６２ｂ、リードフレーム１５ｃ，１５ｄ、負極側配線パターン１６２ｃ及び接続部材３４ｃによって、正極側端子２１１ｕ及び負極側端子２１２ｕの間に直列に接続される。

【0057】

図１に示すように、半導体モジュール１は、ケース１１の第一部分１１１及び注型領域１１７ｕに亘って配置されたゲート信号入力端子１７１ａ，１７２ａ、電圧検出端子１７１ｂ，１７２ｂ，１７１ｆ、電流検出端子１７１ｃ，１７２ｃ及び温度検出端子１７１ｄ，１７１ｅ，１７２ｄ，１７２ｅを有している。以下、ゲート信号入力端子１７１ａ，１７２ａ、電圧検出端子１７１ｂ，１７２ｂ，１７１ｆ、電流検出端子１７１ｃ，１７２ｃ及び温度検出端子１７１ｄ，１７１ｅ，１７２ｄ，１７２ｅの全て又は一部を総称して「各種端子１７」と称する場合がある。

【0058】

各種端子１７の一部は、第一部分１１１において屹立した状態で外部に露出し（図２参照）、各種端子１７の他の一部は、注型領域１１７ｕに露出している（図１参照）。各種端子１７の当該一部は、Ｕ相用のインバータ部、Ｖ相用のインバータ部及びＷ相用のインバータ部を制御する制御装置（不図示）が設けられた回路基板（不図示）に接続される。詳細は後述するが、各種端子１７の当該他の一部は、半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続されるためのワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが接続される。これにより、半導体モジュール１は、各種端子１７を介して当該制御装置と半導体チップ１４ａ～１４ｄとの間で所定の信号を送受信することができる。

【0059】

ゲート信号入力端子１７１ａには、ワイヤ配線１０１ａの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ａの他端は、中継配線パターン１６２ｅに接続されている。中継配線パターン１６２ｅには、ワイヤ配線１０１ｆ，１０１ｇのそれぞれの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｆの他端は、半導体チップ１４ａのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するゲート端子Ｇに接続されている。当該ゲート端子Ｇは、半導体チップ１４ａに設けられたＩＧＢＴのゲートに接続された端子である。ワイヤ配線１０１ｇの他端は、半導体チップ１４ｂのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するゲート端子Ｇに接続されている。当該ゲート端子Ｇは、半導体チップ１４ｂに設けられたＩＧＢＴのゲートに接続された端子である。このように、ゲート信号入力端子１７１ａと半導体チップ１４ａ，１４ｂとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ａ，１４ｂのそれぞれに設けられたＩＧＢＴは、ゲート信号入力端子１７１ａ、ワイヤ配線１０１ａ，中継配線パターン１６２ｄ及びワイヤ配線１０１ｆ，１０１ｇを介して制御装置（不図示）から入力されるゲート信号に基づいてオン／オフ動作が制御される。

【0060】

電圧検出端子１７１ｂには、ワイヤ配線１０１ｂの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｂの他端は、中継配線パターン１６２ｄに接続されている。中継配線パターン１６２ｄには、ワイヤ配線１０１ｈ，１０１ｉのそれぞれの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｈの他端は、半導体チップ１４ａのエミッタ端子Ｅに接続されている。ワイヤ配線１０１ｉの他端は、半導体チップ１４ｂのエミッタ端子Ｅに接続されている。このように、電圧検出端子１７１ｂと半導体チップ１４ａ，１４ｂとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ａ，１４ｂのそれぞれに設けられたＩＧＢＴのエミッタ電圧は、ワイヤ配線１０１ｈ，１０１ｉ、中継配線パターン１６２ｄ、ワイヤ配線１０１ｂ及び電圧検出端子１７１ｂを介して制御装置（不図示）に出力される。制御装置に入力されるエミッタ電圧は、ＩＧＢＴに流れる電流を検出するために用いられる。

【0061】

電流検出端子１７１ｃには、ワイヤ配線１０１ｃの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｃの他端は、半導体チップ１４ｂのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出する電流検出パッドＰ１に接続されている。電流検出パッドＰ１は、半導体チップ１４ｂに設けられてＩＧＢＴに流れる電流を検出するための電流検知端子（不図示）に接続されている。このように、電流検出端子１７１ｃと半導体チップ１４ｂとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｂに設けられた電流検知端子から出力される検知電流は、ワイヤ配線１０１ｃ及び電流検出端子１７１ｃを介して制御装置（不図示）に出力される。当該制御装置は、電流検出端子１７１ｃから入力される検知電流に基づいて、半導体チップ１４ａ，１４ｂに過電流などの異常電流が流れているか否かを判定する。

【0062】

温度検出端子１７１ｄには、ワイヤ配線１０１ｄの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｄの他端は、半導体チップ１４ｂのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するアノードパッドＰ２に接続されている。アノードパッドＰ２は、半導体チップ１４ｂに設けられた温度検出素子としてのダイオード（不図示）のアノードに接続されている。当該ダイオードは、半導体チップ１４ｂの温度を検出するために設けられている。

【0063】

温度検出端子１７１ｅには、ワイヤ配線１０１ｅの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｅの他端は、半導体チップ１４ｂのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するカソードパッドＰ３に接続されている。カソードパッドＰ３は、半導体チップ１４ｂに設けられた温度検出素子としてのダイオードのカソードに接続されている。

【0064】

このように、温度検出端子１７１ｄ，１７１ｅと半導体チップ１４ｂとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｂに設けられた温度検出素子としてのダイオードのアノードの電圧は、ワイヤ配線１０１ｄを介して制御装置（不図示）に出力される。当該ダイオードのカソードの電圧は、ワイヤ配線１０１ｅを介して当該制御装置に出力される。当該制御装置は、当該ダイオードのアノード及びカソードの間の電圧に基づいて、半導体チップ１４ａ，１４ｂの温度が異常値であるか否かを判定する。

【0065】

電圧検出端子１７１ｆには、ワイヤ配線１０１ｊの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｊの他端は、正極側配線パターン１６２ａに接続されている。このように、電圧検出端子１７１ｆと正極側配線パターン１６２ａとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。正極側端子２１１ｕに入力される正極側の直流電圧は、正極側配線パターン１６２ａ、ワイヤ配線１０１ｊ及び電圧検出端子１７１ｆを介して制御装置（不図示）に出力される。当該制御装置は、電圧検出端子１７１ｆから入力される電圧に基づいて、正極側端子２１１ｕから出力されて半導体チップ１４ａ，１４ｂに供給される正極側の直流電圧を検出する。

【0066】

図１に示すように、ゲート信号入力端子１７２ａには、ワイヤ配線１０２ａの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ａの他端は、中継配線パターン１６２ｇに接続されている。中継配線パターン１６２ｇには、ワイヤ配線１０２ｆ，１０２ｇのそれぞれの一端が接続されている。ワイヤ配線１０１ｆの他端は、半導体チップ１４ｃのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するゲート端子Ｇに接続されている。当該ゲート端子Ｇは、半導体チップ１４ｃに設けられたＩＧＢＴのゲートに接続された端子である。ワイヤ配線１０１ｇの他端は、半導体チップ１４ｄのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するゲート端子Ｇに接続されている。当該ゲート端子Ｇは、半導体チップ１４ｄに設けられたＩＧＢＴのゲートに接続された端子である。このように、ゲート信号入力端子１７２ａと半導体チップ１４ｃ，１４ｄとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｃ，１４ｄのそれぞれに設けられたＩＧＢＴは、ゲート信号入力端子１７２ａ、ワイヤ配線１０２ａ，中継配線パターン１６２ｇ及びワイヤ配線１０２ｆ，１０２ｇを介して制御装置（不図示）から入力されるゲート信号に基づいてオン／オフ動作が制御される。

【0067】

電圧検出端子１７２ｂには、ワイヤ配線１０２ｂの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ｂの他端は、中継配線パターン１６２ｆに接続されている。中継配線パターン１６２ｆには、ワイヤ配線１０２ｈ，１０２ｉのそれぞれの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ｈの他端は、半導体チップ１４ｃのエミッタ端子Ｅに接続されている。ワイヤ配線１０２ｉの他端は、半導体チップ１４ｄのエミッタ端子Ｅに接続されている。このように、電圧検出端子１７２ｂと半導体チップ１４ｃ，１４ｄとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｃ，１４ｄのそれぞれに設けられたＩＧＢＴのエミッタ電圧は、ワイヤ配線１０２ｈ，１０２ｉ、中継配線パターン１６２ｆ、ワイヤ配線１０２ｂ及び電圧検出端子１７２ｂを介して制御装置（不図示）に出力される。制御装置に入力されるエミッタ電圧は、ＩＧＢＴに流れる電流を検出するために用いられる。

【0068】

電流検出端子１７２ｃには、ワイヤ配線１０２ｃの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ｃの他端は、半導体チップ１４ｄのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出する電流検出パッドＰ１に接続されている。電流検出パッドＰ１は、半導体チップ１４ｄに設けられてＩＧＢＴに流れる電流を検出するための電流検知端子（不図示）に接続されている。このように、電流検出端子１７２ｃと半導体チップ１４ｄとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｄに設けられた電流検知端子から出力される検知電流は、ワイヤ配線１０２ｃ及び電流検出端子１７２ｃを介して制御装置（不図示）に出力される。当該制御装置は、電流検出端子１７２ｃから入力される検知電流に基づいて、半導体チップ１４ｃ，１４ｄに過電流などの異常電流が流れているか否かを判定する。

【0069】

温度検出端子１７２ｄには、ワイヤ配線１０２ｄの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ｄの他端は、半導体チップ１４ｄのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するアノードパッドＰ２に接続されている。アノードパッドＰ２は、半導体チップ１４ｄに設けられた温度検出素子としてのダイオード（不図示）のアノードに接続されている。当該ダイオードは、半導体チップ１４ｄの温度を検出するために設けられている。

【0070】

温度検出端子１７２ｅには、ワイヤ配線１０２ｅの一端が接続されている。ワイヤ配線１０２ｅの他端は、半導体チップ１４ｄのエミッタ端子Ｅが露出する表面と同じ表面に露出するカソードパッドＰ３に接続されている。カソードパッドＰ３は、半導体チップ１４ｄに設けられた温度検出素子としてのダイオードのカソードに接続されている。

【0071】

このように、温度検出端子１７２ｄ，１７２ｅと半導体チップ１４ｄとは、ワイヤボンディングによって機械的かつ電気的に接続されている。半導体チップ１４ｄに設けられた温度検出素子としてのダイオードのアノードの電圧は、ワイヤ配線１０２ｄを介して制御装置（不図示）に出力される。当該ダイオードのカソードの電圧は、ワイヤ配線１０２ｅを介して当該制御装置に出力される。当該制御装置は、当該ダイオードのアノード及びカソードの間の電圧に基づいて、半導体チップ１４ｃ，１４ｄの温度が異常値であるか否かを判定する。

【0072】

図２に示すように、封止樹脂１８は、積層基板１６の上方と、当該上方からケース１１と絶縁基板１６１との間を通って、ケース１１、積層基板１６及び冷却器３１によって囲まれる領域とに形成される。注型領域１１７ｕに注型された封止樹脂１８は、例えばエポキシ樹脂などのケース１１とは異なる材料で形成されている。封止樹脂１８は、注型領域１１７ｕに設けられた半導体チップ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄや積層基板１６などの構成要素を封止する封止部材である。封止樹脂１８は、積層基板１６を封止することによって、絶縁基板１６１に形成された正極側配線パターン１６２ａ、中間配線パターン１６２ｂ及び負極側配線パターン１６２ｃの間の絶縁性の向上を図ることができる。これにより、封止樹脂１８は、半導体モジュール１の信頼性の向上を図ることができる。

【0073】

図１に戻って、Ｖ相用のインバータ部は、Ｕ相用のインバータ部と同様の構成を有しており、正極側端子２１１ｖの突出部２１１ｖｂは、注型領域１１７ｖに設けられた正極側配線パターン１６２ａの上方まで延在して配置されている。正極側端子２１１ｖは、突出部２１１ｖｂ及び正極側配線パターン１６２ａが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって正極側配線パターン１６２ａと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ａ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、正極側配線パターン１６２ａに例えばはんだ付けされ、突出部２１１ｖｂに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0074】

負極側端子２１２ｖの突出部２１２ｖｂは、注型領域１１７ｖに設けられた負極側配線パターン１６２ｃの上方まで延在して配置されている。負極側端子２１２ｖは、突出部２１２ｖｂ及び負極側配線パターン１６２ｃが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって負極側配線パターン１６２ｃと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ｃ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、負極側配線パターン１６２ｃに例えばはんだ付けされ、突出部２１２ｖｂに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0075】

電力出力端子２２ｖの突出部２２２ｖは、注型領域１１７ｖに設けられた中間配線パターン１６２ｂの上方まで延在して配置されている。電力出力端子２２ｖは、突出部２２２ｖ及び中間配線パターン１６２ｂが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって中間配線パターン１６２ｂと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ｂ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、中間配線パターン１６２ｂに例えばはんだ付けされ、突出部２２２ｖに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0076】

図１に示すように、Ｗ相用のインバータ部は、Ｗ相用のインバータ部と同様の構成を有しており、正極側端子２１１ｗの突出部２１１ｗｂは、注型領域１１７ｗに設けられた正極側配線パターン１６２ａの上方まで延在して配置されている。正極側端子２１１ｗは、突出部２１１ｗｂ及び正極側配線パターン１６２ａが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって正極側配線パターン１６２ａと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ａ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、正極側配線パターン１６２ａに例えばはんだ付けされ、突出部２１１ｗｂに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0077】

負極側端子２１２ｗの突出部２１２ｗｂは、注型領域１１７ｗに設けられた負極側配線パターン１６２ｃの上方まで延在して配置されている。負極側端子２１２ｗは、突出部２１２ｗｂ及び負極側配線パターン１６２ｃが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって負極側配線パターン１６２ｃと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ｃ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、負極側配線パターン１６２ｃに例えばはんだ付けされ、突出部２１２ｗｂに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0078】

電力出力端子２２ｗの突出部２２２ｗは、注型領域１１７ｗに設けられた中間配線パターン１６２ｂの上方まで延在して配置されている。電力出力端子２２ｗは、突出部２２２ｗ及び中間配線パターン１６２ｂが重なる領域の一部に配置された接続部材（不図示）によって中間配線パターン１６２ｂと接続されている。当該接続部材は、接続部材３４ｂ（図２参照）と同様の構成を有している。当該接続部材は、中間配線パターン１６２ｂに例えばはんだ付けされ、突出部２２２ｗに例えばレーザ溶接によって接合されている。

【0079】

次に、注型領域１１７ｕに注型された封止樹脂及び注型領域１１７ｖ，１１７ｗのそれぞれに注型された封止樹脂（不図示）に生じるクラックの発生要因の１つとなる凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂ，１３４ａ，１３４ｂ，１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂについて説明する。

【0080】

図１に示すように、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｕの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｕの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｕと、一対の第一部分１１１，１１２の他方（本実施形態では第一部分１１２）との間で一対の第二部分１１３，１１４の少なくとも一方に形成された少なくとも１つの凹部（（本実施形態では、２つの凹部１３１ａ，１３１ｂ及び２つの凹部１３２ａ，１３２ｂ）を備えている。本実施形態では、半導体モジュール１は、第二部分１１３に凹部１３１ａ，１３１ｂを備え、第二部分１１４に凹部１３２ａ，１３２ｂを備えているが、第二部分１１３及び第二部分１１４のいずれか一方のみに少なくとも１つの凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１３，１１４のそれぞれに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよいし、第二部分１１３，１１４の一方のみに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１３，１１４のそれぞれに異なる個数の凹部を備えていてもよい。

【0081】

仮想平面Ｖｓｕは、封止樹脂１８の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）に対して最も離れた凹部１３１ａ，１３２ａから凹部１３１ａ，１３２ａが形成されていない第二部分１１４，１１３まで注型領域１１７ｕを横切る平面である。封止樹脂１８の厚さ方向は、注型領域１１７ｕに配置された絶縁基板１６１のパターン形成面（正極側配線パターン１６２ａなどが形成された面）に直交する方向である。具体的には、本実施形態では、凹部１３１ａ及び凹部１３２ａは、第一部分１１２に対して同じ距離となる位置に形成されている。このため、凹部１３１ａから凹部１３１ａが形成されていない第二部分１１４まで延在する最短の仮想平面と、凹部１３２ａから凹部１３２ａが形成されていない第二部分１１３まで延在する最短の仮想平面とは、同一の平面となり、本実施形態では仮想平面ＶＳｕとなる。仮想平面ＶＳｕは、注型領域１１７ｕに封止樹脂１８が注型されている場合には、封止樹脂１８を横切る平面でもある。なお、仮想平面ＶＳｕは、理解を容易にするために図１に図示されているが、実際の半導体モジュール１には存在しない。

【0082】

封止樹脂１８の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）と仮想平面ＶＳｕとの間には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない。また、封止樹脂１８の厚さ方向に見て、第一部分１１１（一対の第一部分の一方の一例）と仮想平面ＶＳｕとの間には、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂが設けられていない。詳細は後述するが、半導体モジュール１では、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域に対応させて凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂが配置されている。このため、半導体モジュール１は、封止樹脂１８の全領域のうちのワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域にクラックを発生させることができる。これにより、半導体モジュール１は、封止樹脂１８に発生したクラックによってワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが破断することを防止できる。

【0083】

凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、第二部分１１３，１１４の型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌ（図２参照、詳細は後述）よりも上側の領域に形成されている。凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、曲面状の壁面を有している。凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、例えば円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３１ａ，１３１ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３１ａ及び凹部１３１ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３２ａ，１３２ｂは例えば、円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３２ａ，１３２ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３１ａ及び凹部１３２ａは、対向して配置され、凹部１３１ｂ及び凹部１３２ｂは、対向して配置されている。凹部１３２ａ及び凹部１３２ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３１ａ及び凹部１３２ａは、仮想平面ＶＳｕの中心を通り仮想平面ＶＳｕに直交する仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有し、凹部１３１ｂ及び凹部１３２ｂは、当該不図示の仮想直線を対称軸として線対称の形状を有している。

【0084】

凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、封止樹脂１８とケース１１との密着度を向上させるために設けられている。凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、封止樹脂１８に向けられた第二部分１１３，１１４の表面を凹ませた形状を有している。このため、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂが形成されていない場合よりもケース１１と封止樹脂１８との接触面積を増加させることができる。これにより、封止樹脂１８とケース１１との密着度が向上する。

【0085】

図２に示すように、第二部分１１３，１１４は、封止樹脂１８の表面１８１側よりも半導体チップ１４ａ～１４ｄが配置されている側の方が互いの距離が長くなる段差部１１３Ｓ，１１４Ｓを有している。段差部１１３Ｓ，１１４Ｓのそれぞれの両端部のうちの封止樹脂１８の表面１８１側の端部は、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌとなる。型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌは、ケース１１を成形するための金型の形状に依存して形成される。本実施形態におけるケース１１は、上側部分１１ａ及び下側部分１１ｂが異なる金型を用いて成形される。型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌは、上側部分１１ａを形成するための金型と、下側部分１１ｂを形成するための金型との境界部に相当する。

【0086】

詳細は後述するが、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌは、封止樹脂１８に生じるクラックの発生起点となる。封止樹脂１８に生じるクラックは、第二部分１１３，１１４に形成された凹部に起因して発生し易くなる。半導体モジュール１は、型割れライン１１３Ｌを端部に有する凹部１３１ａ，１３１ｂ及び型割れライン１１４Ｌを端部に有する凹部１３２ａ，１３２ｂを、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない仮想平面ＶＳｕと第一部分１１２との間に備えている。これにより、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域の封止樹脂１８に意図的にクラックを生じさせるようになっている。その結果、半導体モジュール１は、封止樹脂１８に発生したクラックによるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0087】

図１に戻って、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｖの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｖの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｖと、第一部分１１２（一対の第一部分１１１の他方の一例）との間で一対の第二部分１１３，１１４の少なくとも一方に形成された少なくとも１つの凹部（本実施形態では、２つの凹部１３３ａ，１３３ｂ及び２つの凹部１３４ａ，１３４ｂ）を備えている。本実施形態では、半導体モジュール１は、第二部分１１４に凹部１３３ａ，１３３ｂを備え、第二部分１１５に凹部１３４ａ，１３４ｂを備えているが、第二部分１１４及び第二部分１１５のいずれか一方のみに少なくとも１つの凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１４，１１５のそれぞれに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよいし、第二部分１１４，１１５の一方のみに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１４，１１５のそれぞれに異なる個数の凹部を備えていてもよい。

【0088】

仮想平面ＶＳｖは、封止樹脂（不図示）の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）に対して最も離れた凹部１３３ａ，１３４ａから凹部１３３ａ，１３４ａが形成されていない第二部分１１５，１１４まで注型領域１１７ｖを横切る平面である。当該封止樹脂の厚さ方向は、注型領域１１７ｖに配置された絶縁基板１６１のパターン形成面（正極側配線パターン１６２ａなどが形成された面）に直交する方向である。具体的には、本実施形態では、凹部１３３ａ及び凹部１３４ａは、第一部分１１２に対して同じ距離となる位置に形成されている。このため、凹部１３３ａから凹部１３３ａが形成されていない第二部分１１５まで延在する最短の仮想平面と、凹部１３４ａから凹部１３４ａが形成されていない第二部分１１４まで延在する最短の仮想平面とは、同一の平面となり、本実施形態では仮想平面ＶＳｖとなる。仮想平面ＶＳｖは、注型領域１１７ｖに封止樹脂が注型されている場合には、当該封止樹脂を横切る平面でもある。なお、仮想平面ＶＳｖは、理解を容易にするために図１に図示されているが、実際の半導体モジュール１には存在しない。

【0089】

注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）と仮想平面ＶＳｖとの間には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない。また、当該封止樹脂の厚さ方向に見て、第一部分１１１（一対の第一部分の一方の一例）と仮想平面ＶＳｖとの間には、凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂが設けられていない。半導体モジュール１では、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域に対応させて凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂが配置されている。このため、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂の全領域のうちのワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域にクラックを発生させることができる。これにより、半導体モジュール１は、当該封止樹脂に発生したクラックによってワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが破断することを防止できる。

【0090】

注型領域１１７ｖにおいて第二部分１１４には、第二部分１１３の型割れライン１１３Ｌ（図２参照）と同様の構成を有する型割れライン（不図示）が形成されている。同様に、注型領域１１７ｖにおいて第二部分１１５には、第二部分１１４の型割れライン１１４Ｌ（図２参照）と同様の構成を有する型割れライン（不図示）が形成されている。凹部１３３ａ，１３３ｂは、注型領域１１７ｖにおいて第二部分１１４に形成された型割れラインよりも上側の領域に形成されている。凹部１３４ａ，１３４ｂは、注型領域１１７ｖにおいて第二部分１１５に形成された型割れラインよりも上側の領域に形成されている。

【0091】

凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂは、曲面状の壁面を有している。凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂは、例えば円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３３ａ，１３３ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３３ａ及び凹部１３３ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３４ａ，１３４ｂは例えば、円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３４ａ，１３４ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３３ａ及び凹部１３４ａは、対向して配置され、凹部１３３ｂ及び凹部１３４ｂは、対向して配置されている。凹部１３４ａ及び凹部１３４ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３３ａ及び凹部１３４ａは、仮想平面ＶＳｖの中心を通り仮想平面ＶＳｖに直交する仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有し、凹部１３３ｂ及び凹部１３４ｂは、当該不図示の仮想直線を対称軸として線対称の形状を有している。

【0092】

凹部１３２ａ及び凹部１３３ａは、第二部分１１４の幅方向の中心を通り第二部分１１４の延在方向と平行な仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有している。凹部１３２ｂ及び凹部１３３ｂは、第二部分１１４の幅方向の中心を通り第二部分１１４の延在方向と平行な仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有している。

【0093】

凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂは、注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂とケース１１との密着度を向上させるために設けられている。凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂは、注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂に向けられた第二部分１１４，１１５の表面を凹ませた形状を有している。このため、凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂは、凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂが形成されていない場合よりもケース１１と注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂との接触面積を増加させることができる。これにより、注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂とケース１１との密着度が向上する。

【0094】

図示は省略するが、第二部分１１４，１１５は、注型領域１１７ｖに注型された封止樹脂の表面側よりも半導体チップ１４ａ～１４ｄが配置されている側の方が互いの距離が長くなる段差部（不図示）を有している。当該段差部は、段差部１１３Ｓ，１１４Ｓと同様の構成を有している。半導体モジュール１は、型割れライン１１３Ｌと同じ構成の型割れラインを端部に有する凹部１３３ａ，１３３ｂ及び型割れライン１１４Ｌと同じ構成の型割れラインを端部に有する凹部１３４ａ，１３４ｂを、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない仮想平面ＶＳｖと第一部分１１２との間に備えている。これにより、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖにおいて、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域の封止樹脂に意図的にクラックを生じさせるようになっている。その結果、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖにおいて、封止樹脂に発生したクラックによるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0095】

図１に示すように、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｗの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｗの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｗと、第一部分１１２（一対の第一部分１１１の他方の一例）との間で一対の第二部分１１３，１１４の少なくとも一方に形成された少なくとも１つの凹部（本実施形態では、２つの凹部１３５ａ，１３５ｂ及び２つの凹部１３６ａ，１３６ｂ）を備えている。本実施形態では、半導体モジュール１は、第二部分１１５に凹部１３５ａ，１３５ｂを備え、第二部分１１６に凹部１３６ａ，１３６ｂを備えているが、第二部分１１５及び第二部分１１６のいずれか一方のみに少なくとも１つの凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１５，１１６のそれぞれに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよいし、第二部分１１５，１１６の一方のみに１つの凹部又は３つ以上の凹部を備えていてもよい。また、半導体モジュール１は、第二部分１１５，１１６のそれぞれに異なる個数の凹部を備えていてもよい。

【0096】

仮想平面ＶＳｗは、封止樹脂（不図示）の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）に対して最も離れた凹部１３５ａ，１３６ａから凹部１３５ａ，１３６ａが形成されていない第二部分１１６，１１５まで注型領域１１７ｗを横切る平面である。当該封止樹脂の厚さ方向は、注型領域１１７ｗに配置された絶縁基板１６１のパターン形成面（正極側配線パターン１６２ａなどが形成された面）に直交する方向である。具体的には、本実施形態では、凹部１３５ａ及び凹部１３６ａは、第一部分１１２に対して同じ距離となる位置に形成されている。このため、凹部１３５ａから凹部１３５ａが形成されていない第二部分１１６まで延在する最短の仮想平面と、凹部１３６ａから凹部１３６ａが形成されていない第二部分１１５まで延在する最短の仮想平面とは、同一の平面となり、本実施形態では仮想平面ＶＳｗとなる。仮想平面ＶＳｗは、注型領域１１７ｗに封止樹脂が注型されている場合には、当該封止樹脂を横切る平面でもある。なお、仮想平面ＶＳｗは、理解を容易にするために図１に図示されているが、実際の半導体モジュール１には存在しない。

【0097】

注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂の厚さ方向に見て、第一部分１１２（一対の第一部分の他方の一例）と仮想平面ＶＳｗとの間には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない。また、当該封止樹脂の厚さ方向に見て、第一部分１１１（一対の第一部分の一方の一例）と仮想平面ＶＳｗとの間には、凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂが設けられていない。半導体モジュール１では、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域に対応させて凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂが配置されている。このため、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂の全領域のうちのワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域にクラックを発生させることができる。これにより、半導体モジュール１は、当該封止樹脂に発生したクラックによってワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが破断することを防止できる。

【0098】

注型領域１１７ｗにおいて第二部分１１５には、第二部分１１３の型割れライン１１３Ｌ（図２参照）と同様の構成を有する型割れライン（不図示）が形成されている。同様に、注型領域１１７ｗにおいて第二部分１１６には、第二部分１１４の型割れライン１１４Ｌ（図２参照）と同様の構成を有する型割れライン（不図示）が形成されている。凹部１３５ａ，１３５ｂは、注型領域１１７ｗにおいて第二部分１１５に形成された型割れラインよりも上側の領域に形成されている。凹部１３６ａ，１３６ｂは、注型領域１１７ｗにおいて第二部分１１６に形成された型割れラインよりも上側の領域に形成されている。

【0099】

凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂは、曲面状の壁面を有している。凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂは、例えば円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３５ａ，１３５ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３５ａ及び凹部１３５ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３６ａ，１３６ｂは例えば、円柱の側面の一部に倣う曲面状の表面を有している。凹部１３６ａ，１３６ｂは例えば、絶縁基板１６１にほぼ直交する方向に延在している。凹部１３５ａ及び凹部１３６ａは、対向して配置され、凹部１３５ｂ及び凹部１３６ｂは、対向して配置されている。凹部１３６ａ及び凹部１３６ｂは、例えば同一の形状を有している。凹部１３５ａ及び凹部１３６ａは、仮想平面ＶＳｗの中心を通り仮想平面ＶＳｗに直交する仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有し、凹部１３５ｂ及び凹部１３６ｂは、当該不図示の仮想直線を対称軸として線対称の形状を有している。

【0100】

凹部１３４ａ及び凹部１３５ａは、第二部分１１５の幅方向の中心を通り第二部分１１５の延在方向と平行な仮想平面（不図示）を対称軸として線対称の形状を有している。凹部１３４ｂ及び凹部１３５ｂは、第二部分１１５の幅方向の中心を通り第二部分１１５の延在方向と平行な仮想直線（不図示）を対称軸として線対称の形状を有している。

【0101】

凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂは、注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂とケース１１との密着度を向上させるために設けられている。凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂは、注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂に向けられた第二部分１１５，１１６の表面を凹ませた形状を有している。このため、凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂは、凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂが形成されていない場合よりもケース１１と封止樹脂との接触面積を増加させることができる。これにより、注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂とケース１１との密着度が向上する。

【0102】

図示は省略するが、第二部分１１５，１１６は、注型領域１１７ｗに注型された封止樹脂の表面側よりも半導体チップ１４ａ～１４ｄが配置されている側の方が互いの距離が長くなる段差部（不図示）を有している。当該段差部は、段差部１１３Ｓ，１１４Ｓと同様の構成を有している。半導体モジュール１は、型割れライン１１３Ｌと同じ構成の型割れラインを端部に有する凹部１３５ａ，１３５ｂ及び型割れライン１１４Ｌと同じ構成の型割れラインを端部に有する凹部１３６ａ，１３６ｂを、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない仮想平面ＶＳｗと第一部分１１２との間に備えている。これにより、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗにおいて、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域の封止樹脂に意図的にクラックを生じさせるようになっている。その結果、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗにおいて、封止樹脂に発生したクラックによるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0103】

（半導体モジュールの作用・効果）
本実施形態による半導体モジュール１の作用・効果について、図１及び図２を参照しつつ図３から図６を用いて説明する。図３は、半導体モジュール１に設けられたＵ相用のインバータ部の近傍を模式的に示す図である。図３では、理解を容易にするため、封止樹脂１８によって封止されて視認することができないＵ相用のインバータ部を構成する半導体チップ１４ａ～１４ｄなどが破線で図示されている。図４は、図３中に示すＢ－Ｂ線で切断した半導体モジュール１の断面を模式的に示す図である。図５は、比較例としての半導体モジュール１Ｘに設けられたＵ相用のインバータ部の近傍を模式的に示す図である。図５では、理解を容易にするため、封止樹脂１８によって封止されて視認することができないＵ相用のインバータ部を構成する半導体チップ１４ａ～１４ｄなどが破線で図示されている。図６は、図５中に示すＣ－Ｃ線で切断した半導体モジュール１Ｘの断面を模式的に示す図である。なお、半導体モジュール１の構成要素と同様の作用・機能を奏する半導体モジュール１Ｘの構成要素には、同一の符号を付してその説明は省略する。

【0104】

パワーサイクル試験において半導体モジュール１の温度を変化させると、ケース１１及び封止樹脂１８が変形する。また、半導体モジュール１が実働している場合、半導体チップ１４ａ～１４ｄから発生する熱などによって半導体モジュール１が過熱するため、ケース１１及び封止樹脂１８が変形する。ケース１１を形成するための樹脂及び封止樹脂１８を形成するための樹脂は異なるため、ケース１１及び封止樹脂１８のそれぞれの変形量が異なる。これにより、封止樹脂１８には、ケース１１及び封止樹脂１８の変形量に応じた応力が生じる。

【0105】

ケース１１において、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂは、他の部分よりも封止樹脂１８との密着度が高い。このため、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂから封止樹脂１８に加えられる応力と、第二部分１１３，１１４の凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂ以外の部分から封止樹脂１８に加えられる応力とは異なる。さらに、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂの両端部のうちの積層基板１６側の端部は、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌ上に配置されている。型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌは、第二部分１１３，１１４の内側表面（すなわち注型領域１１７ｕに向けられた面）において、注型領域１１７ｕに対して凸となる部分である。このため、封止樹脂１８には、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌのいずれかを起点をするクラックが発生する。

【0106】

型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌには、封止樹脂１８に発生するクラックの起点となる複数の場所が存在する。１つ目の場所は、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂである。２つ目の場所は、複数の凹部のうちの隣り合う凹部の間（本実施形態では、凹部１３１ａと凹部１３１ｂとの間及び凹部１３２ａと凹部１３２ｂとの間）の領域である。３つ目の場所は、第一部分１１１，１１２のうちの凹部に相対的に近い方の第一部分と当該凹部との間（本実施形態では、凹部１３１ｂ，１３２ｂと第一部分１１２との間）の領域である。したがって、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌのうちの仮想平面ＶＳｕと第一部分１１２との間がクラックの起点となる領域となる。

【0107】

封止樹脂１８の厚さ方向に見て、第一部分１１２と仮想平面ＶＳｕとの間には、凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂが設けられている（図２参照）。しかしながら、当該方向に見て、第一部分１１２と仮想平面ＶＳｕとの間には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない。すなわち、クラックの起点となる可能性のある場所には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない。

【0108】

一方、封止樹脂１８の厚さ方向に見て、第一部分１１１と、仮想平面ＶＳｕとの間の第二部分１１３，１１４には、凹部が設けられていない。しかしながら、当該方向に見て、第一部分１１１と仮想平面ＶＳｕとの間には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されている。したがって、クラックの起点となる可能性のない場所には、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されている。

【0109】

これにより、図３及び図４に示すように、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域の封止樹脂１８に意図的にクラックＣＫを生じさせるとともに、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されている領域の封止樹脂１８にはクラックを発生させないようになっている。その結果、半導体モジュール１は、封止樹脂１８に発生したクラックＣＫによるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0110】

図３に示すように、電力入力端子２１ｕは、注型領域１１７ｕに配置された一部に角部を有している。電力入力端子２１ｕは、電力入力端子２１ｕ及び電力出力端子２２ｕのうちのワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域に突出部２１１ｕｂ，２１２ｕｂ（一部の一例）が配置された一方の端子に相当する。より具体的には、正極側端子２１１ｕ及び負極側端子２１２ｕは、注型領域１１７ｕに配置された突出部２１１ｕｂ及び突出部２１２ｕｂに角部Ｃｒを有している。突出部２１１ｕｂ，２１２ｕｂの角部Ｃｒは、第二部分１１３，１１４に向けられて配置されている。すなわち、突出部２１１ｕｂ，２１２ｕｂの角部Ｃｒは、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌに向けられて配置されている。このため、半導体モジュール１は、電力入力端子２１ｕが設けられている第一部分１１２及び仮想平面ＶＳｕの間の段差部１１３Ｓ，１１４Ｓの領域１１３Ｌｐ，１１４Ｌｐと、角部Ｃｒとの間にクラックを発生させる。つまり、図４に示すように、半導体モジュール１は、型割れライン１１３Ｌを起点として発生したクラック線ＣＫＬを突出部２１２ｕｂの角部Ｃｒに終端させることができる。また、半導体モジュール１は、型割れライン１１４Ｌを起点として発生したクラック線（不図示）を突出部２１１ｕｂの角部Ｃｒに終端させることができる。

【0111】

上述のとおり、半導体モジュール１は、電力入力端子２１ｕが有する正極側端子２１１ｕに接続される正極側配線パターン１６２ａと、半導体チップ１４ａ，１４ｂ（複数の半導体チップのうちの一部の一例）及び電力出力端子２２ｕが接続される中間配線パターン１６２ｂと、半導体チップ１４ｃ，１４ｄ（残余の半導体チップの一例）及び電力入力端子２１ｕが有する負極側端子２１２ｕが接続される負極側配線パターン１６２ｃとを有する積層基板１６を備えている。

【0112】

段差部Ｌ１１３，Ｌ１１４及び角部Ｃｒは、半導体チップ１４ａ，１４ｂと中間配線パターン１６２ｂとを接続するリードフレーム１５ａ，１５ｂ（正極側リードフレームの一例）、半導体チップ１４ｃ，１４ｄと中間配線パターン１６２ｂとを接続するリードフレーム１５ｃ，１５ｄ（負極側リードフレームの一例）及び複数の半導体チップ１４ａ～１４ｄよりも積層基板１６から離れた位置に配置されている。すなわち、段差部Ｌ１１３，Ｌ１１４及び角部Ｃｒは、積層基板１６を基準として、半導体チップ１４ａ，１４ｂと中間配線パターン１６２ｂとを接続するリードフレーム１５ａ，１５ｂ、半導体チップ１４ｃ，１４ｄと中間配線パターン１６２ｂとを接続するリードフレーム１５ｃ，１５ｄ及び複数の半導体チップ１４ａ～１４ｄよりも高い位置に配置されている。このため、段差部Ｌ１１３，Ｌ１１４及び角部Ｃｒの間には、角部を有する構造物が存在しない。これにより、半導体モジュール１は、型割れライン１１３Ｌを起点として発生したクラック線ＣＫＬを突出部２１２ｕｂの角部Ｃｒに終端させることができ、型割れライン１１４Ｌを起点として発生したクラック線を突出部２１１ｕｂの角部Ｃｒに終端させることができる。

【0113】

クラック線ＣＫＬを起点として封止樹脂１８の表面１８１側にクラックが広がったとしても、クラック線ＣＫＬから封止樹脂１８の表面１８１の間にはワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉは存在しない。また、クラック線ＣＫＬを起点として積層基板１６側にクラックが広がったとしても、クラック線ＣＫＬから積層基板１６の間にはワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉは存在しない。このため、半導体モジュール１は、封止樹脂１８にクラックＣＫが発生しても、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0114】

これに対し、図５に示すように、比較例による半導体モジュール１Ｘは、第二部分１１３の全体に亘って凹部１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅを有し、第二部分１１４の全体に亘って凹部１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄ，１１４ｅを有している。また、図６に示すように、半導体モジュール１Ｘは、段差部１１３Ｓ，１１４Ｓ及び型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌを有している。このため、半導体モジュール１Ｘでは、型割れライン１１３Ｌ，１１４Ｌの全体がクラックの起点になり得る。

【0115】

その結果、図６に示すように、半導体モジュール１Ｘでは、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが存在する領域に設けられた例えば凹部１１４ｄ及び凹部１１４ｅの間における型割れライン１１３Ｌを起点とし、電力出力端子２２ｕの突出部２２２ｕの角部Ｃｒを終端とするクラック線ＣＫＬｘが発生する場合がある。図５及び図６に示すように、クラック線ＣＫＬｘを起点として封止樹脂１８の表面１８１側にクラックが広がるとともに、クラック線ＣＫＬを起点として積層基板１６側にクラックが広がって発生するクラックＣＫｘは、ワイヤ配線１０２ａ，１０２ｂを横切る。これにより、ワイヤ配線１０２ａ，１０２ｂは、クラックＣＫｘによって破断される。ワイヤ配線１０２ａ，１０２ｂは、半導体チップ１４ｃ，１４ｄに入力されるゲート信号が伝送される配線である。このため、ワイヤ配線１０２ａ，１０２ｂが破断することにより、半導体チップ１４ｃ，１４ｄにゲート信号が入力されなくなる。その結果、制御装置の制御に基づいて半導体チップ１４ｃ，１４ｄが動作しなくなるので、半導体モジュール１Ｘは、所望の動作を実行することができなくなる。

【0116】

封止樹脂１８に１つのクラックが発生すると、封止樹脂１８に生じていた応力が開放される。このため、封止樹脂１８に複数のクラックが発生することはない。これにより、半導体モジュール１は、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない領域に意図的にクラックを発生させることができるので、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0117】

詳細な説明は省略するが、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖにおいて凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂ及び突出部２１１ｖｂ，２１２ｖｂを備えている。また、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｗにおいて凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂ及び突出部２１１ｗｂ，２１２ｗｂを備えている。このため、半導体モジュール１は、注型領域１１７ｖ，１１７ｗにおいても注型領域１１７ｕと同様の作用・効果が得られるので、注型領域１１７ｖ，１１７ｗのそれぞれに配置されたワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。したがって、半導体モジュール１は、長寿命化も図ることができる。

【0118】

以上説明したように、本実施形態による半導体モジュール１は、半導体チップ１４ａ～１４ｄと、半導体チップ１４ａ～１４ｄを封止する封止樹脂１８と、封止樹脂１８が注型される注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗ、注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗを挟んで対向して配置され直線状を有する一対の第一部分１１１，１１２、及び注型領域１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗを挟んで対向し一対の第一部分１１１，１１２の間に配置され直線状を有する一対の第二部分１１３，１１４、一対の第二部分１１４，１１５及び一対の第二部分１１５，１１６を有するケース１１と、第一部分１１１に片寄った状態で封止樹脂１８に封止されて半導体チップ１４ａ～１４ｄと接続された、半導体チップ１４ａ～１４ｄに入力又は半導体チップ１４ａ～１４ｄから出力される信号が伝送されるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉと、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｕの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｕの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｕと一対の第一部分１１２との間で一対の第二部分１１３，１１４に形成された凹部１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂと、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｖの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｖの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｖと一対の第一部分１１２との間で一対の第二部分１１３，１１４に形成された凹部１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂと、ワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置された注型領域１１７ｗの領域及びワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉが配置されていない注型領域１１７ｗの領域の境界であって一対の第一部分１１１，１１２に平行な仮想平面ＶＳｗと一対の第一部分１１２との間で一対の第二部分１１３，１１４に形成された凹部１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂとを備えている。

【0119】

これにより、半導体モジュール１は、封止樹脂１８に発生したクラックＣＫによるワイヤ配線１０１ａ～１０１ｊ，１０２ａ～１０２ｉの破断を防止できる。

【0120】

本発明は、上記実施形態によらず種々の変形が可能である。
上記実施形態では、半導体モジュールが備える凹部は、円筒状の壁面を有しているが、封止樹脂との接触面積を増加させることができれば、円錐、直方体形状又は角錐形状などの他の形状を有していてもよい。

【0121】

また、半導体モジュールが備える凹部は、積層基板に設けられた絶縁基板にほぼ直交する方向に延在しているが、絶縁基板に直交する方向に対して傾斜していてもよい。

【0122】

上記実施形態では、半導体モジュールは、クラック線を電力入力端子に終結させるようになっているが、本発明はこれに限られない。半導体モジュールは、各種端子が電力入力端子側に配置されている場合には、クラック線を電力出力端子に終結させてもよい。各種端子が電力入力端子側に配置される場合には、ワイヤ配線は、電力入力端子側に片寄って配置される。このため、この場合も、半導体モジュールは、上記実施形態と同様の効果が得られる。

【0123】

上記実施形態では、半導体モジュールは、電力入力端子にクラック線を終結させるようになっているが、本発明はこれに限られない。例えば、電力入力端子や電力出力端子といった構造物の他に、半導体モジュールは、注型領域のワイヤ線が配置されていない領域（上記実施形態における仮想平面ＶＳｕ、ＶＳｖ、ＶＳｗと第一部分１１２との間の領域に相当）で型割れラインとほぼ同じ又は型割れラインよりも高い位置に配置された構造物（例えばリードフレームや半導体チップなど）の角部にクラック線を終結させるようになっていてもよい。この場合も、半導体モジュールは、上記実施形態と同様の効果が得られる。

【0124】

本発明の技術的範囲は、図示され記載された例示的な実施形態に限定されるものではなく、本発明が目的とするものと均等な効果をもたらす全ての実施形態をも含む。さらに、本発明の技術的範囲は、請求項により画される発明の特徴の組み合わせに限定されるものではなく、全ての開示されたそれぞれの特徴のうち特定の特徴のあらゆる所望する組み合わせによって画され得る。

【符号の説明】

【0125】

１，１Ｘ 半導体モジュール
１１ ケース
１１ａ 上側部分
１１ｂ 下側部分
１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ 半導体チップ
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ リードフレーム
１６ 積層基板
１７ 各種端子
１８ 封止樹脂
２１ｕ，２１ｖ，２１ｗ 電力入力端子
２２ｕ，２２ｖ，２２ｗ 電力出力端子
３１ 冷却器
３２ 接着剤
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ 接続部材
１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ，１０１ｅ，１０１ｆ，１０１ｇ，１０１ｈ，１０１ｉ，１０１ｊ，１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ，１０２ｅ，１０２ｆ，１０２ｇ，１０２ｈ，１０２ｉ ワイヤ配線
１１１，１１２ 第一部分
１１３，１１４，１１５，１１６ 第二部分
１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ，１１３ｄ，１１３ｅ，１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ，１１４ｄ，１１４ｅ，１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａ，１３２ｂ，１３３ａ，１３３ｂ，１３４ａ，１３４ｂ，１３５ａ，１３５ｂ，１３６ａ，１３６ｂ 凹部
１１３Ｌ，１１４Ｌ 型割れライン
１１３Ｌｐ，１１４Ｌｐ 領域
１１３Ｓ，１１４Ｓ 段差部
１１７ｕ，１１７ｖ，１１７ｗ 注型領域
１６１ 絶縁基板
１６２ａ 正極側配線パターン
１６２ｂ 中間配線パターン
１６２ｃ 負極側配線パターン
１６２ｄ，１６２ｅ，１６２ｆ，１６２ｇ 中継配線パターン
１６３ 伝熱パターン
１７１ａ，１７２ａ ゲート信号入力端子
１７１ｂ，１７２ｂ 電圧検出端子
１７１ｃ，１７２ｃ 電流検出端子
１７１ｄ，１７２ｄ 温度検出端子
１７１ｅ，１７２ｅ 温度検出端子
１７１ｆ 電圧検出端子
１８１ 表面
２１１ｕ，２１１ｖ，２１１ｗ 正極側端子
２１１ｕａ，２１１ｖａ，２１１ｗａ，２１２ｕａ，２１２ｖａ，２１２ｗａ，２２１ｕ，２２１ｖ，２２１ｗ 締結部
２１１ｕｂ，２１１ｖｂ，２１１ｗｂ，２１２ｕｂ，２１２ｖｂ，２１２ｗｂ，２２２ｕ，２２２ｖ，２２２ｗ 突出部
２１２ｕ，２１２ｖ，２１２ｗ 負極側端子
ＣＫ，ＣＫｘ クラック
ＣＫＬ，ＣＫＬｘ クラック線
Ｃｒ 角部
Ｅ エミッタ端子
Ｇ ゲート端子
Ｌ１１３，Ｌ１１４ 段差部
Ｐ１ 電流検出パッド
Ｐ２ アノードパッド
Ｐ３ カソードパッド
ＶＳｕ，ＶＳｖ，ＶＳｗ 仮想平面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】