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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024055881
(43)【公開日】2024-04-19
(54)【発明の名称】反転銅箔の生産プロセス
(51)【国際特許分類】
C25D 7/06 20060101AFI20240412BHJP
C25D 1/04 20060101ALI20240412BHJP
C25D 5/16 20060101ALI20240412BHJP
C25D 5/48 20060101ALI20240412BHJP
C25D 7/00 20060101ALI20240412BHJP
【ＦＩ】
C25D7/06 A
C25D1/04 311
C25D5/16
C25D5/48
C25D7/00 J
【審査請求】有
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023174673
(22)【出願日】2023-10-06
(31)【優先権主張番号】202211225773.0
(32)【優先日】2022-10-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN
(71)【出願人】
【識別番号】523382454
【氏名又は名称】広東盈華電子科技有限公司
【氏名又は名称原語表記】Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｙｉｎｇｈｕａ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ． Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．４５， Ｍｅｉｈｕ Ｒｏａｄ， Ｌｏｎｇｋｅｎｇ Ｖｉｌｌａｇｅ， Ｘｉｙａｎｇ Ｔｏｗｎ， Ｍｅｉｊｉａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ， Ｍｅｉｚｈｏｕ Ｃｉｔｙ， Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ Ｐｒｏｖｉｎｃｅ， Ｃｈｉｎａ
(74)【代理人】
【識別番号】110001139
【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人
(74)【代理人】
【識別番号】100130328
【弁理士】
【氏名又は名称】奥野 彰彦
(74)【代理人】
【識別番号】100130672
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 寛之
(72)【発明者】
【氏名】李遠泰
(72)【発明者】
【氏名】趙志良
(72)【発明者】
【氏名】潘光華
(72)【発明者】
【氏名】廖華
(72)【発明者】
【氏名】林健
(72)【発明者】
【氏名】李尚昆
(72)【発明者】
【氏名】劉佳祥
(72)【発明者】
【氏名】沈志鵬
(72)【発明者】
【氏名】楊洪雄
【テーマコード（参考）】
4K024
【Ｆターム（参考）】
4K024AA05
4K024AA09
4K024AB03
4K024BA09
4K024BB11
4K024BC02
4K024CA01
4K024CA02
4K024CA03
4K024CA06
4K024DA07
4K024DB10
4K024GA01
4K024GA02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】製造された反転銅箔の比較的高い耐剥離強度を保証すると共に、プロファイルを明かに低下させる、超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスを提供する。
【解決手段】順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含み、本発明は、粗化液の配合方法を最適化することで、即ち粗化処理中に粗化液に濃度比が０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であるモリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンを加えることで、粗化層の構造を明らかに改善し、銅箔の表面に比較的に多くの微小な「枝」状の結晶を形成させ、銅箔の表面の粗さを向上させ、後続の硬化のためにより多くの成長点を提供し、製造した反転銅箔が高い耐剥離強度を保証するとともに、プロファイルを明らかに低下させ、製造した反転銅箔の粗化面はＲｚ≦１．５μｍであり、耐剥離強度≧１．２Ｎ／ｍｍである。
【選択図】なし
【解決手段】順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含み、本発明は、粗化液の配合方法を最適化することで、即ち粗化処理中に粗化液に濃度比が０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であるモリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンを加えることで、粗化層の構造を明らかに改善し、銅箔の表面に比較的に多くの微小な「枝」状の結晶を形成させ、銅箔の表面の粗さを向上させ、後続の硬化のためにより多くの成長点を提供し、製造した反転銅箔が高い耐剥離強度を保証するとともに、プロファイルを明らかに低下させ、製造した反転銅箔の粗化面はＲｚ≦１．５μｍであり、耐剥離強度≧１．２Ｎ／ｍｍである。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスであって、
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０－４０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８－１２ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５－３０℃であり、硫酸の濃度が１５０－２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５－２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１－３ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０－５０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０－６０ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４－８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０－１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５－１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８－１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５－３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３－６ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０－２２０℃であることを特徴とする、超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス。
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０－４０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８－１２ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５－３０℃であり、硫酸の濃度が１５０－２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５－２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１－３ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０－５０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０－６０ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４－８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０－１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５－１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８－１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５－３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３－６ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０－２２０℃であることを特徴とする、超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス。
【請求項2】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３２－３８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０－１２ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項3】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が２６－２９℃であり、硫酸の濃度が１６０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１６－１９ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１．２－２．５ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項4】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、その濃度比は、０．２：０．２：２．０であることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項5】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４２－４８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５２－５８ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項6】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が５－７Ａ／ｄｍ２であり、温度が４８－５２℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が９０－１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が６－１０ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．０－１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項7】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２：２．０であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃であることを特徴とする
請求項１から６のいずれか一項に記載の生産プロセス。
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２：２．０であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃であることを特徴とする
請求項１から６のいずれか一項に記載の生産プロセス。
【請求項8】
請求項１から６のいずれか一項に記載の生産プロセスで製造される超低プロファイル反転銅箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電解銅箔製造分野に属し、具体的には超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスに関する。
【背景技術】
【0002】
電解銅箔は、電子と電気工業における重量な原材料であり、銅張積層板の生産に使用可能であり、さらにプリント回路基板の製造に用いられ、特殊なプロセスと後続の方法を経た後に、リチウム電子電池専用の負極集電体材料として用いられることもできる。従来の電解銅箔は、平滑面と粗化面の二つの部分を有し、一般的には、回路基板に用いられる場合、粗化面を樹脂に接続することで引張力を生じ、樹脂と銅箔の結合力を大きくするが、粗化面の粗さが比較的に大きいため、粗化面を回路基板の表面に配置すると、均一な粗化面に乾燥膜を直接的に貼り付けることができ、おおくの前処理を必要とすることなく、良好な結合力を得ることができる。そのため、銅箔サプライヤーは、銅箔の粗面を反転させ、平滑面に対して別途強化結合処理を行うことを試みる。このような使用方法は、いわゆる反転銅箔の使用方法である。
【0003】
電解銅箔は、ＰＣＢ生産の主要原料の一つであり、その製作プロセスは、圧延法と電解法の二つの方法があり、圧延銅箔は、伸び率、耐屈曲などの性能の点で比較的大きい優位性を有する。近年では、電解銅箔生産技術の進化に伴い、日本の一部の銅箔のメーカーは、フレキシブルプリント回路基板の要件を満たすことができる多くの高品質の電解銅箔をすでに開発した。電解銅箔製造技術の進化と価格の点での優位性により、電解銅箔は、フレキシブルプリント回路基板にますます広く応用されている。電解銅箔を用いるフレキシブルプリント回路基板について、その主な特徴は、プロファイルが低く、伸び率が高く且つ引張強度が高いことであり、これらはいずれも耐屈曲性能の向上に有利である。銅箔の表面の粗さが低いほど、製造されたフレキシブルプリント回路基板の機械的厚さが低下し、耐屈曲性能が著しく向上する。比較的高い伸び率を有すると、フレキシブルプリント回路基板の屈曲時の銅割れの問題を効果的に解決することができる。高い引張強度を有すると、銅箔の耐疲労性能を改善することができる。
【0004】
中国特許出願２０１２１０１２０４７９．３には銅箔の表面処理プロセスが開示されており、それは、酸洗浄－粗化－硬化－黒化－亜鉛メッキ－絶縁化－シランカップリング剤－乾燥のプロセスフローを含み、それは、黒化ステップにおいて、黒化剤を添加することで、銅箔の表面に銅箔の耐食性を向上させ、銅箔のエッチング性を改善することができる黒色の超微細めっき層を形成することを特徴とする。処理された超低プロファイル銅箔の表面は、黒色となり、良好な耐食性とエッチング性を有し、優れた耐常温、高温酸化性能を有し、方面の粗さＲｚ≦２．５μｍであり、フレキシブル銅張積層板に適用できる。
【0005】
中国特許出願２０２２１０１７３２８７．２には、フレキシブル銅張積層板用の反転電解銅箔の表面処理プロセスが開示されており、前記プロセスは、順番に応じて、酸洗浄、粗化Ｉ、粗化ＩＩ、硬化Ｉ、硬化ＩＩ、酸化防止、水洗浄Ｉ、水洗浄ＩＩ、シラン吹き付け及び乾燥を含み、この出願では、実施過程において、二段階の粗化と二段階の硬化の処理方式を用い、処理ステップを簡略化すると同時に、電解銅箔の性能を向上させ、酸化防止プロセスにおいて、ニッケル、コバルトの二種類の金属元素を添加し、亜鉛、ニッケル、コバルトという三種類のイオンの濃度比を制御することで、電解銅箔の耐剥離強度と耐酸化性能を明かに向上した。
【0006】
しかしながら、上記従来の技術において得られた電解銅箔のプロファイルがいずれも比較的に高く、いずれも＞２．０μｍであり（プロファイルとは、プリント回路基板用の銅箔の規格において、絶縁形成材料との貼り合わせ面とする接合面の表面粗さＲｚｊｉｓを、ＪＩＳ Ｂ０６０１－２０13に従ってＴＤ方向に測定した値により規定した定義を指す）、需要をより良く満たすことができないため、比較的高い耐剥離強度を保証する超低プロファイルの反転銅箔を開発する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来技術に存在する欠点によれば、本発明の一つの目的は、超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスを提供することであり、本発明は、粗化液の配合方法を最適化することで、製造された反転銅箔の比較的高い耐剥離強度を保証すると共に、プロファイルを明かに低下させる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記目的を実現するために、本発明は、以下の技術的解決手段を採用する。
【0009】
超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスであって、順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0010】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０－４０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８－１２ｇ／Ｌであることである。
【0011】
好ましくは、前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３２－３８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０－１２ｇ／Ｌであることである。
【0012】
また好ましくは、前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３４－３６℃であり、硫酸の濃度が１４０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０－１１ｇ／Ｌであることである。
【0013】
さらに好ましくは、前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであることである。
【0014】
酸化の目的は、電解銅箔表面の酸化物を除去することである。
【0015】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５－３０℃であり、硫酸の濃度が１５０－２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５－２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１－３ｇ／Ｌであることである。
【0016】
好ましくは、前記粗化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が２６－２９℃であり、硫酸の濃度が１６０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１６－１９ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１．２－２．５ｇ／Ｌであることである。
【0017】
また好ましくは、前記粗化ステップの条件は、電流密度が３４－３６Ａ／ｄｍ２であり、温度が２６－２８℃であり、硫酸の濃度が１７０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１７－１９ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．０－２．５ｇ／Ｌであることである。
【0018】
さらに好ましくは、前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることである。
【0019】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン、マンガンイオン及びタングステンイオンから選択される一種又は複数種である。
【0020】
好ましくは、前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であり、好ましくは、０．２：０．２：２．０である。
【0021】
粗化の目的は、銅箔の表面に微小な「枝」状の結晶を形成し、銅箔の表面の粗さを向上させ、後続の硬化のために成長点を提供することである。
【0022】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０－５０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０－６０ｇ／Ｌであることである。
【0023】
好ましくは、前記硬化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４２－４８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５２－５８ｇ／Ｌであることである。
【0024】
また好ましくは、前記硬化ステップの条件は、電流密度が３５－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－４８℃であり、硫酸の濃度が１４０－１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５５－５８ｇ／Ｌであることである。
【0025】
さらに好ましくは、前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることである。
【0026】
硬化の目的は、粗化された銅箔の表面に銅を迅速に電気的に沈積させ、粗化により形成された「枝」状の結晶層の脱落を防止することである。硬化後に「瘤」状の構造を形成し、銅箔の表面の粗さを向上させることで、銅箔と基材との結合力を向上させ、銅箔の銅張積層板上での耐剥離強度性能を向上させることができる。
【0027】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４－８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０－１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５－１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８－１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることである。
【0028】
好ましくは、前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が５－７Ａ／ｄｍ２であり、温度が４８－５２℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が９０－１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が６－１０ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．０－１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることである。
【0029】
また好ましくは、前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６－７Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０－５２℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１００－１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が７－９ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．１－１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１１－１２であることである。
【0030】
さらに好ましくは、前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることである。
【0031】
酸化防止の目的は、硬化された銅箔の表面に一層の酸化防止膜を形成することであり、銅箔の耐食と耐酸化性能を向上させることができる。
【0032】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５－３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３－６ｇ／Ｌであることである。
【0033】
前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランである。シランカップリング剤を吹き付ける目的は、銅箔の銅張積層板上での耐剥離強度を向上させることである。
【0034】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０－２２０℃であり、乾燥の目的は、銅箔の表面の水分を除去することである。
【0035】
一つの好ましい実施形態として、前記生産プロセスは、順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0036】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであることである。
【0037】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることである。
【0038】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２：２．０である。
【0039】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることである。
【0040】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることである。
【0041】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランである。
【0042】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃である。
【0043】
本出願では、実施過程において、粗化液の配合方法を最適化し、それに添加剤を使用することで、粗化層の構造を明かに改善し、製造された反転銅箔の比較的高い耐剥離強度を保証すると共に、プロファイルを明かに低下させる。
【発明の効果】
【0044】
従来技術に比べて、本出願の有益な効果は以下のとおりである。
【0045】
本発明に開示される超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスでは、粗化処理中に粗化液に添加剤Ｍを加え、添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５： ０．１－０．５：０．８－２．５であり、特別の配合比のモリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンは、銅箔の表面に特異的に吸着し、一部の電極の表面の活性がなくなることを引き起こすことができるため、銅イオンは、被覆されていない銅箔の表面に優先的に吸着して沈積し、銅箔の表面が平らではなくなり、銅箔の表面に「枝」状の結晶が迅速に成長して形成されることによって、銅箔の表面の粗さを向上させ、後続の硬化のためにより多くの成長点を提供した。
【0046】
本出願による生産プロセスで製造される反転銅箔は、超低プロファイルを有し、粗化面Ｒｚ≦１．５μｍであり、且つ耐剥離強度≧１．２Ｎ／ｍｍであり、本出願による超低プロファイル反転銅箔の生産プロセスは、耐剥離強度を低下させない上で粗さを低下させ、得られた電解銅箔は、高周波信号伝送にさらに有利であり、適用性がより広いである。
【発明を実施するための形態】
【0047】
本発明の目的、技術的解決手段及び利点をより明確にするために、以下では、実施例を結びつけながら、本発明をさらに詳しく説明する。理解すべきこととして、ここで記述される具体的な実施例は、本発明を解釈するためのものだけであり、本発明を限定するものではない。
【0048】
実施例１ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0049】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0050】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０℃であり、硫酸の濃度が１２０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８ｇ／Ｌであることである。
【0051】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１ｇ／Ｌであることである。
【0052】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１：０．１： ０．８である。
【0053】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０℃であり、硫酸の濃度が１２０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０ｇ／Ｌであることである。
【0054】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０であることである。
【0055】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランである。
【0056】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０℃である。
【0057】
実施例２ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0058】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0059】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が４０℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１２ｇ／Ｌであることである。
【0060】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が３０℃であり、硫酸の濃度が２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が３ｇ／Ｌであることである。
【0061】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．５：０．５： ２．５である。
【0062】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、硫酸の濃度が１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が６０ｇ／Ｌであることである。
【0063】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が８Ａ／ｄｍ２であり、温度が５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることである。
【0064】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が６ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランである。
【0065】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２２０℃である。
【0066】
実施例３ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0067】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0068】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３８℃であり、硫酸の濃度が１３０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１２ｇ／Ｌであることである。
【0069】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３２Ａ／ｄｍ２であり、温度が２９℃であり、硫酸の濃度が１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１９ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．０ｇ／Ｌであることである。
【0070】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．５：０．５： １．０である。
【0071】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３２Ａ／ｄｍ２であり、温度が４８℃であり、硫酸の濃度が１３０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５２ｇ／Ｌであることである。
【0072】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が７Ａ／ｄｍ２であり、温度が５２℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が９０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．０ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０であることである。
【0073】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が４ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランである。
【0074】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２１０℃である。
【0075】
実施例４ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0076】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む。
【0077】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであることである。
【0078】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることである。
【0079】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２： ２．０である。
【0080】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることである。
【0081】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることである。
【0082】
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることである。
【0083】
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃である。
【0084】
比較例１ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0085】
実施例４との相違点は、粗化ステップにモリブデンイオンが添加されておらず、即ち前記添加剤Ｍがバナジウムイオンとマンガンイオンの混合物であり、即ちバナジウムイオン０．３ｇ／Ｌ、マンガンイオン２．１ｇ／Ｌであることであり、他の操作とステップは、実施例４と同じである。
【0086】
比較例２ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0087】
実施例４との相違点は、粗化ステップにバナジウムイオンが添加されておらず、即ち前記添加剤Ｍがバナジウムイオンとマンガンイオンの混合物であり、即ちモリブデンイオン０．３ｇ／Ｌ、マンガンイオン２．１ｇ／Ｌであることであり、他の操作とステップは、実施例４と同じである。
【0088】
比較例３ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0089】
実施例４との相違点は、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの三者の濃度比を１：１：１に変更し、即ちモリブデンイオン０．８ｇ／Ｌであり、バナジウムイオン０．８ｇ／Ｌ、マンガンイオン２．１ｇ／Ｌであることであり、他の操作とステップは、実施例４と同じである。
【0090】
比較例４ 超低プロファイル反転銅箔の生産プロセス
【0091】
実施例４との相違点は、マンガンイオンをニッケルイオンに変更し、即ちモリブデンイオン０．２ｇ／Ｌであり、バナジウムイオン０．２ｇ／Ｌ、ニッケルイオン２．０ｇ／Ｌであることであり、他の操作とステップは、実施例４と同じである。
【0092】
比較例５
【0093】
中国特許ＣＮ １１４４８１２４５ Ａの実施例２に開示された方法。
【0094】
試験例１ 耐剥離強度
【0095】
実験方法：ＩＰＣ－ＴＭ－６５０ ２．４．８に開示された方法に応じて測定を行い、テスト用の銅箔の厚さは、１２ミクロンであり、具体的な検出結果は、以下の表１に示す。
【0096】
【0097】
上記表１の測定結果から分かるように、本発明の実施例１－４で製造された電解銅箔は、比較的高い耐剥離強度を有し、特に実施例４において、各プロセスのパラメータを制御し、特に、粗化液における添加剤Ｍを濃度比０．２：０．２：２．０のモリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンに制御し、即ちモリブデンイオンの濃度を０．２ｇ／Ｌ、バナジウムイオンの濃度を０．２ｇ／Ｌ、マンガンイオンの濃度を２．０ｇ／Ｌに制御する場合、得られた電解銅箔の耐剥離強度は、他の実施例に比べて向上した。比較例１と比較例２の粗化液において、それぞれモリブデンイオンとバナジウムイオンを無くすことで得られた電解銅箔の耐剥離強度は、実施例４に比べて明かに低下した。粗化処理中において、特定の金属イオンの相互作用が銅箔の表面の微小な「枝」状の結晶の形成を速くし、それによって銅箔の表面の粗さを向上させ、銅箔の耐剥離強度の向上に有利であることを示した。比較例３において、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの濃度比を本出願の保護範囲内にないものに変更することで得られた電解銅箔の耐剥離強度は、比較例１－２と比較例４に比べて向上したが、実施例４の耐剥離強度に及ばない。モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの濃度比を変更すると、電解銅箔の耐剥離強度にもある程度の影響を与えることを示した。比較例４において、マンガンイオンをニッケルイオンに変更することで、粗化過程に影響を与え、さらに後続の処理効果に影響を与え、耐剥離強度を低下させた。比較例５において従来技術に開示された方法で処理を行うことで得られた銅箔の耐剥離強度は、実施例４に比べて低下した。
【0098】
試験例２ 処理面の粗さの測定
【0099】
測定方法：SＪ－２１０粗さ測定計を使用して処理面のＲｚ値を測定し、具体的な測定結果は、表２に示す。
【0100】
【0101】
上記表２の測定データから分かるように、本発明の実施例１－４で製造された電解銅箔の処理面の粗さは比較的に低く、いずれも１．５μｍ以下であり、特に実施例４において、粗化液における添加剤Ｍを濃度比０．２：０．２：２．０のモリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンに制御し、即ちモリブデンイオンの濃度を０．２ｇ／Ｌ、バナジウムイオンの濃度を０．２ｇ／Ｌ、マンガンイオンの濃度を２．０ｇ／Ｌに制御する場合、得られた電解銅箔の粗さは、１．４１μｍであり、他の実施例よりも明かに低い。比較例１－５で製造された電解銅箔の処理面の粗さが実施例に比べて明かに向上したことは、本発明で製造された電解銅箔が耐剥離強度≧１．２Ｎ／ｍｍの条件下で粗化面Ｒｚ≦１．５μｍであることを保証することができ、即ち耐剥離強度を低下させない上で粗さを低下させ、得られた電解銅箔が、高周波信号伝送にさらに有利であり、適用性がより広いことを示した。
【0102】
本明細書に記述された以上の内容は、本発明に対して例を挙げて説明したものに過ぎない。当業者であれば、本発明の明細書の内容又は特許請求の範囲に定義される範囲から逸脱することなく、記述される具体的な実施例に対して種々の変更又は補充又は類似した方式による置き換えを行うことができ、これらはいずれも本発明の保護範囲に属する。
【手続補正書】
【提出日】2024-03-19
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
順番に応じて、酸洗浄、粗化、硬化、酸化防止、シラン吹き付け及び乾燥というステップを含む反転銅箔の生産プロセスであって、
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０－４０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８－１２ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５－３０℃であり、硫酸の濃度が１５０－２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５－２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１－３ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０－５０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０－６０ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４－８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０－１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５－１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８－１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５－３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３－６ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０－２２０℃であることを特徴とする、反転銅箔の生産プロセス。
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３０－４０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が８－１２ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が２５－３０℃であり、硫酸の濃度が１５０－２００ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１５－２０ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１－３ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．１－０．５：０．１－０．５：０．８－２．５であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３０－４０Ａ／ｄｍ２であり、温度が４０－５０℃であり、硫酸の濃度が１２０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５０－６０ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が４－８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５－５５℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が８０－１２０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が５－１２ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が０．８－１．５ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が２５－３５℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が３－６ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、１８０－２２０℃であることを特徴とする、反転銅箔の生産プロセス。
【請求項2】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３２－３８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１６０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０－１２ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項3】
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が２６－２９℃であり、硫酸の濃度が１６０－１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１６－１９ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が１．２－２．５ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項4】
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、その濃度比は、０．２：０．２：２．０であることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項5】
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３２－３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４２－４８℃であり、硫酸の濃度が１３０－１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５２－５８ｇ／Ｌであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項6】
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が５－７Ａ／ｄｍ２であり、温度が４８－５２℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が９０－１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が６－１０ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．０－１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１０－１２であることであることを特徴とする
請求項１に記載の生産プロセス。
請求項１に記載の生産プロセス。
【請求項7】
前記酸洗浄ステップの条件は、温度が３５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１０ｇ／Ｌであることであり、
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２：２．０であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃であることを特徴とする
請求項１から６のいずれか一項に記載の生産プロセス。
前記粗化ステップの条件は、電流密度が３５Ａ／ｄｍ２であり、温度が２８℃であり、硫酸の濃度が１８０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が１８ｇ／Ｌであり且つ添加剤Ｍの濃度が２．４ｇ／Ｌであることであり、
前記添加剤Ｍは、モリブデンイオン、バナジウムイオン及びマンガンイオンの混合物であり、三者の濃度比は、０．２：０．２：２．０であり、
前記硬化ステップの条件は、電流密度が３８Ａ／ｄｍ２であり、温度が４５℃であり、硫酸の濃度が１５０ｇ／Ｌであり、銅イオンの濃度が５８ｇ／Ｌであることであり、
前記酸化防止ステップの条件は、電流密度が６．５Ａ／ｄｍ２であり、温度が５０℃であり、ピロリン酸カリウムの濃度が１１０ｇ／Ｌであり、亜鉛イオンの濃度が８ｇ／Ｌであり、ニッケルイオンの濃度が１．２ｇ／Ｌであり、酸アルカリ度ｐＨ値が１２であることであり、
前記シラン吹き付けのプロセス条件は、温度が３０℃であり、有機膜カップリング剤の濃度が５．０ｇ／Ｌであることであり、前記有機膜カップリング剤は、アミノプロピルトリエトキシシランであり、
前記乾燥プロセスに用いられる温度は、２００℃であることを特徴とする
請求項１から６のいずれか一項に記載の生産プロセス。