特開 2024-56160 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024056160

(43)【公開日】2024-04-23

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240416BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20240416BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K1/03 610Z

H05K3/46 B

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022162878

(22)【出願日】2022-10-11

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100112472

【弁理士】

【氏名又は名称】松浦 弘

(74)【代理人】

【識別番号】100202223

【弁理士】

【氏名又は名称】軸見 可奈子

(72)【発明者】

【氏名】児玉 博明

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC32

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】磁性樹脂を有する配線基板に電解メッキ層を安定して形成することが可能な技術を開示する。
【解決手段】本開示の配線基板は、磁性樹脂を一部に含み、磁性樹脂の切削面及び研磨面の何れか一方又は両方を含む加工面が第１金属の電解メッキ層で覆われている。この配線基板の製造方法は、電解メッキ層の形成に使用されるシード層で加工面が覆われるシード層形成工程を有する。シード層形成工程は、磁性樹脂の加工面に露出する磁性粒体が、第１金属又は第１金属と異なる別の第２金属に置換される置換メッキ工程と、置換メッキ工程で磁性粒体から置換された金属と同じ金属の化学メッキ層がシード層として形成せれる化学メッキ工程と、を含むか又は、磁性樹脂の加工面に露出する磁性粒体が、第１金属又は第２金属に置換されてなる置換メッキ層がシード層として形成される置換メッキ工程を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

磁性樹脂を一部に含み、前記磁性樹脂の切削面及び研磨面の何れか一方又は両方を含む加工面が第１金属の電解メッキ層で覆われている配線基板の製造方法であって、
前記電解メッキ層の形成に使用されるシード層で前記加工面が覆われるシード層形成工程を有し、
前記シード層形成工程は、
前記磁性樹脂の前記加工面に露出する磁性粒体が、前記第１金属又は前記第１金属と異なる別の第２金属に置換される置換メッキ工程と、
前記置換メッキ工程で前記磁性粒体から置換された金属と同じ金属の化学メッキ層が前記シード層として形成される化学メッキ工程と、を含むか又は、
前記磁性樹脂の前記加工面に露出する磁性粒体が、前記第１金属又は前記第１金属と異なる別の第２金属に置換されてなる置換メッキ層が前記シード層として形成される置換メッキ工程を含む。

【請求項2】

請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記シード層形成工程は、前記置換メッキ工程と前記化学メッキ工程とを含み、
前記置換メッキ工程による置換メッキ層及び前記化学メッキ層及び前記電解メッキ層は、何れも銅メッキ層である。

【請求項3】

請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記磁性粒体は、酸化鉄、ニッケル、コバルト又はスズの何れか若しくはそれらのうちの何れかを含む合金である。

【請求項4】

請求項３に記載の配線基板の製造方法であって、
前記磁性粒体は、ニッケル又はニッケル合金である。

【請求項5】

請求項１から４の何れか１の請求項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記磁性樹脂で満たされている複数の本体孔を有するコア基板が用意され、前記磁性樹脂を貫通するスルーホールが加工される穿孔工程と、
前記スルーホールの内面を含む前記磁性樹脂の加工面の前記磁性粒体が、前記第１金属又は前記第２金属に置換される前記置換メッキ工程と、
前記置換メッキ工程による置換メッキ層に覆われている部分が前記電解メッキ層にて覆われる電解メッキ工程と、
前記コア基板の表裏の両側に、ビルドアップ層が形成されるビルドアップ工程と、を含む。

【請求項6】

磁性樹脂を一部に含み、前記磁性樹脂の切削面及び研磨面の何れか一方又は両方を含む加工面が第１金属の電解メッキ層で覆われている配線基板であって、
前記磁性樹脂に含まれる磁性粒体は、ニッケル、コバルト又はスズの何れか若しくはそれらのうちの何れかを含む合金である。

【請求項7】

請求項６に記載の配線基板であって、
前記第１金属は、銅であり、
前記磁性粒体は、ニッケル又はニッケル合金である。

【請求項8】

請求項６に記載の配線基板であって、
前記加工面は、前記第１金属の粒体で覆われている。

【請求項9】

請求項６から８の何れか１の請求項に記載の配線基板であって、
コア基板と、前記コア基板の表裏のそれぞれに絶縁層と導電層とが交互に積層されるビルドアップ層とを有し、
前記コア基板は、非磁性樹脂であるコア基板本体と、前記コア基板本体をその板厚方向に貫通する本体孔と、前記本体孔に埋設されている前記磁性樹脂とを有し、
前記加工面は、前記磁性樹脂に形成されるスルーホールの内面である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、磁性粒体が含まれている磁性樹脂を有する配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、この種の配線基板として、例えば、磁性樹脂と、磁性粒体を含んでいない一般的な樹脂との両方が電解メッキ層で覆われるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－１７８００４号公報（段落［００１４］及び図１）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、上記した従来の配線基板では、一般的な樹脂に比べ、磁性樹脂上に電解メッキ層が形成され難いことが問題になっている。そこで、本件では、磁性樹脂を有する配線基板に電解メッキ層を安定して形成することが可能な技術を開示する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の配線基板の製造方法は、磁性樹脂を一部に含み、前記磁性樹脂の切削面及び研磨面の何れか一方又は両方を含む加工面が第１金属の電解メッキ層で覆われている配線基板の製造方法であって、前記電解メッキ層の形成に使用されるシード層で前記加工面が覆われるシード層形成工程を有し、前記シード層形成工程は、前記磁性樹脂の前記加工面に露出する磁性粒体が、前記第１金属又は前記第１金属と異なる別の第２金属に置換される置換メッキ工程と、前記置換メッキ工程で前記磁性粒体から置換された金属と同じ金属の化学メッキ層が前記シード層として形成される化学メッキ工程と、を含むか又は、前記磁性樹脂の前記加工面に露出する磁性粒体が、前記第１金属又は前記第１金属と異なる別の第２金属に置換されてなる置換メッキ層が前記シード層として形成される置換メッキ工程を含む。

【0006】

本開示の配線基板の製造方法では、磁性粒体が露出する磁性樹脂の加工面には化学メッキが形成され難いことに鑑み、シード層形成工程において、磁性樹脂の加工面に露出する磁性粒体が、電解メッキと同じ第１金属又はそれとは異なる第２金属に置換される置換メッキ工程が行われる。そして、置換メッキ層の上に化学メッキ層がシード層として形成されるか、置換メッキ層自体がシード層になる。これにより、磁性粒体が露出する磁性樹脂の加工面にもシード層が安定して形成され、電解メッキも安定して形成される。即ち、本開示の配線基板の製造方法によれば、磁性樹脂を有する配線基板に電解メッキを安定して形成することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態に係る配線基板の断面図

【図2】コア基板の拡大断面図

【図3】スルーホール導体の拡大断面図

【図4】導電層の平面図

【図5】配線基板の製造方法を示す断面図

【図6】配線基板の製造方法を示す断面図

【図7】配線基板の製造方法を示す断面図

【図8】配線基板の製造方法を示す断面図

【図9】配線基板の製造方法を示す断面図

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図１～図９を参照して本開示の一実施形態について説明する。図１に示すように、本実施形態の配線基板１０は、コア基板１１と、その表裏の両面に積層される第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂとを有する。

【0009】

第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂは、絶縁層１５と導電層２０とが交互に積層され、絶縁層１５にビア導体２１が形成されている。また、第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂの上には、導電層２０に含まれる複数のパッド１８に対応して複数の開口部１７Ｈを有するソルダーレジスト層１７が積層されている。それら複数のパッド１８上には、複数の半田バンプ１９が備えられている。

【0010】

コア基板１１は、例えば、絶縁層１１Ｋと、その表裏の両面に積層される導電層１３とを備える。絶縁層１１Ｋは、例えば、複数のプリプレグが積層される構造をなし、導電層１３は、絶縁層１１Ｋに積層される銅箔１１Ｄに電解メッキ層が積層される構造をなしている。

【0011】

コア基板１１には、複数の本体孔１１Ｈが設けられている。本体孔１１Ｈは、例えば、断面円形をなし、磁性を有する磁性樹脂４１が充填されて磁性樹脂スリーブ４０が形成されている。そして、各磁性樹脂スリーブ４０には、中心部にスルーホール３１Ｈが形成され、その内面がスルーホール導体３１で覆われている。また、スルーホール導体３１の内側には、樹脂３１Ｊが充填されて樹脂ポール３１Ｐが形成されている。

【0012】

本実施形態では、コア基板１１に、複数のスルーホール導体３１を一部に含むインダクタ３４が形成されている。具体的には、前述の複数のスルーホール導体３１は、間隔をあけて一列に並んでいて、それら複数のスルーホール導体３１が直列接続されるように隣り合うスルーホール導体３１を接続する中継配線３３がコア基板１１の表裏で交互に並べて設けられている。そして、これら複数のスルーホール導体３１、及び、複数の中継配線３３によりコア基板１１を表裏で縫うように延びる矩形波状のインダクタ３４が形成されている。

【0013】

中継配線３３は、図４に示されるように、スルーホール導体３１内側の樹脂ポール３１Ｐの端面を覆う位置に、例えば、円形の中継ベース部３３Ａ（所謂、ランド）を有し、中継ベース部３３Ａ同士の間が連絡部３３Ｂで連絡されている。本実施形態では、連絡部３３Ｂの幅が中継ベース部３３Ａの直径より小さくなっているが、例えば、連絡部３３Ｂの幅が中継ベース部３３Ａの直径と同じになっていて、中継ベース部３３Ａと連絡部３３Ｂとの境目が分からない構成であってもよい。また、本実施形態では、中継ベース部３３Ａは、磁性樹脂スリーブ４０より一回り小さな円形になっていて、第１のスルーホール導体３１上の中継ベース部３３Ａは磁性樹脂スリーブ４０上に収まっている。

【0014】

なお、図１では、積層方向から見てインダクタ３４が直線状に延びる例が示されているが、インダクタ３４は、例えば、積層方向から見て波形状であってもよいし、円環状であってもよいし、渦巻状であってもよい。

【0015】

図１に示されるように、コア基板１１には、磁性樹脂スリーブ４０ではない部分にも複数のスルーホール３２Ｈが形成され、各スルーホール３２Ｈにスルーホール導体３２が形成され、それらの内部に樹脂３２Ｊが充填されて樹脂ポール３２Ｐが形成されている。そして、一部のスルーホール導体３２が、インダクタ３４の延長線上に配置されて中継配線３３を介してインダクタ３４に接続されている。

【0016】

本開示の「コア基板本体」としての絶縁層１１Ｋと、スルーホール導体３１，３２の内側の樹脂ポール３１Ｐ，３２Ｐの樹脂３１Ｊ，３２Ｊは、何れも磁性を有しない樹脂になっている。以下、適宜、「非磁性樹脂」と呼ぶ。

【0017】

図２に示されるように、スルーホール導体３１，３２は、第２化学メッキ層５２Ａと、その第２化学メッキ層５２Ａをシード層とする第２電解メッキ層５２Ｂとから構成されている。また、スルーホール導体３１，３２と接続する中継配線３３を含む導電層１３は、絶縁層１１Ｋ側から、銅箔１１Ｄ、第１化学メッキ層５１Ａ、第１電解メッキ層５１Ｂ、第２化学メッキ層５２Ａ、第２電解メッキ層５２Ｂ、第３化学メッキ層５３Ａ、第３電解メッキ層５３Ｂの７層で構成されている。なお、磁性樹脂スリーブ４０は、絶縁層１１Ｋと、その表裏の両面の銅箔１１Ｄを貫通し、磁性樹脂スリーブ４０上の導電層１３（具体的には、スルーホール導体３１上の中継ベース部３３Ａと、それに接続する連絡部３３Ｂの一部）は、銅箔１１Ｄを有さない６層で、磁性樹脂スリーブ４０が設けられていない部分の導電層１３の厚みより薄くなっている。

【0018】

なお、導電層１３のうち、第１化学メッキ層５１Ａ及び第１電解メッキ層５１Ｂは、インダクタ３４及び磁性樹脂スリーブ４０による電磁波を外部に漏らさない又は外部からの電磁波の影響を受けないようにするためのシールドメッキになっている。また、第３化学メッキ層５３Ａ及び第３電解メッキ層５３Ｂはスルーホール導体３１，３２のうち樹脂ポール３１Ｐ，３２Ｐ上を覆う蓋メッキになっている。

【0019】

ところで、スルーホール３１Ｈの内面は、例えば、ドリルによって研削された研削面である加工面４０Ｂになっていて、図３の加工面４０Ｂの拡大断面図に示されるように、スルーホール３１Ｈの内面には、研磨又は切削によって表面に磁性粒体４２が露出している。本実施形態では、このスルーホール３１Ｈに露出する磁性粒体４２の表面が、スルーホール導体３１の第２電解メッキ層５２Ｂと同じ金属の粒体で置き換えられ、加工面４０上に置換メッキ層５４が形成されている。これにより、スルーホール導体３１では、置換メッキ層５４を含む加工面４０Ｂ上に第２化学メッキ層５２Ａが安定して形成され、第２電解メッキ層５２Ｂが安定して形成される。

【0020】

本実施形態では、置換メッキ層５４、第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂは、例えば、何れも銅メッキになっていて、これらを合わせた金属層の厚みは、従来の磁性樹脂上に形成される化学メッキ層及び電解メッキ層を合わせた金属層より厚くなっている。なお、スルーホール導体３１の置換メッキ層５４、第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂを合わせた金属層の厚さは、非磁性樹脂に形成されるスルーホール導体３２の第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂを合わせた金属層の厚さより僅かに薄いか、略同じになっている。

【0021】

なお、置換メッキ層５４、第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂの金属は、銅以外に、例えば、銀、金等が挙げられる。また、本実施形態では、置換メッキ層５４、第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂの金属が何れも銅であったが、互いに異なる金属であっていてもよい。

【0022】

磁性樹脂４１に含まれる磁性粒体４２は、コストの観点から、一般的に酸化鉄が用いられているが、本実施形態では、磁性粒体４２として、従来、用いられていなかったニッケル又はニッケル合金が用いられている。これにより、加工面４０Ｂから露出する磁性粒体４２を第２電解メッキ層５２Ｂの金属である銅に置き換え易く、置換メッキ層５４を形成し易くすることができ、第２電解メッキ層５２Ｂを安定して形成することができる。

【0023】

なお、磁性粒体４２は、ニッケル又はニッケル合金に限らず、例えば、コバルト、又は、スズの何れか、若しくは、これらのうちの何れかを含む合金であってもよいが、置換メッキの容易性の観点からニッケル又はニッケル合金が好ましい。また、磁性粒体４２は、上述した複数の材料を混合してもよく、例えば、置換メッキ適性は劣るが強磁性である材料（例えば酸化鉄）と、置換メッキ適性に優れる材料（例えば、ニッケル）とを混合して用いてもよい。磁性樹脂４１の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂が用いられている。

【0024】

本開示の配線基板１０は、以下のように製造される。
（１）絶縁層１１Ｋの両面に銅箔１１Ｄが積層されている銅張積層板１１Ｓが用意される。図５（Ａ）に示されるように、銅張積層板１１Ｓに、例えば、ドリル加工等によって複数の本体孔１１Ｈが形成され、バリ取り研磨される。

【0025】

（２）図５（Ｂ）に示されるように、本体孔１１Ｈに磁性樹脂４１のペーストが真空印刷により充填される。そして、磁性樹脂４１の表裏の両端面が銅張積層板１１Ｓと面一になるように研磨される。これにより、両端面に研磨面である加工面４０Ａを有する磁性樹脂スリーブ４０が形成される。

【0026】

（３）次いで、化学メッキ工程及び電解メッキ工程が行われ、磁性樹脂スリーブ４０を含む銅張積層板１１Ｓの表裏の両面に、シールドメッキとなる第１化学メッキ層５１Ａ及び第１電解メッキ層５１Ｂが形成される。

【0027】

（４）スルーホール３１Ｈ，３２Ｈの形成にあたり、まず、スルーホール３２Ｈを形成する穿孔工程が行われる。図６（Ａ）に示されるように、第１電解メッキ層５１Ｂが積層された銅張積層板１１Ｓに、例えば、ドリル加工等によってスルーホール３２Ｈが形成され、デスミア処理される。このデスミア処理では、スミアが溶液（例えば、過マンガン酸カリウム）を用いて除去される。

【0028】

（５）次いで、磁性樹脂スリーブ４０にスルーホール３１Ｈを形成する穿孔工程が行われる。本実施形態では、例えば、ドリル加工等による切削加工によりスルーホール３１Ｈが形成される（図６（Ｂ）参照）。そして、デスミア処理される。このデスミア処理では、スミアが中圧水洗又は高圧水洗により除去される。これにより、磁性樹脂スリーブ４０のスルーホール３１Ｈの内面が切削により形成された研削面である加工面４０Ｂになる。

【0029】

（６）置換メッキ工程が行われる（図６（Ｃ）参照）。本実施形態では、置換メッキの溶液として、例えば、硫酸銅溶液が用いられ、その溶液に上記（５）の工程を終えた銅張積層板１１Ｓが所定時間、浸漬される。すると、図３に示されるように、スルーホール３１Ｈの加工面４０Ｂから露出する磁性粒体４２（本実施形態では、ニッケル）が溶解し、その電子を溶液中の銅イオンが受け取り、磁性粒体４２の表面に銅メッキからなる置換メッキ層５４が形成される。このとき、非磁性樹脂上のスルーホール３２Ｈでは、置換メッキの反応が起こらず、置換メッキ層は形成されない。また、第１電解メッキ層５１Ｂ上についても、置換メッキ層は形成されない。

【0030】

ここで、磁性樹脂４１に含まれる磁性粒体４２は、６０重量％以上であることが好ましく、含有量が多い方が加工面４０Ｂに露出する磁性粒体４２が多くなり、置換メッキ層５４が略全体に形成される。また、磁性粒体４２の粒体の大きさは均一でない方が好ましいが、均一であってもよい。

【0031】

（７）次いで、化学メッキ工程（詳細には、還元メッキ工程）が行われる。すると、磁性樹脂４１上のスルーホール３１Ｈでは、置換メッキ層５４と同じ金属からなる第２化学メッキ層５２Ａが置換メッキ層５４上（詳細には、加工面４０Ｂのうち、磁性粒体４２表面の銅に置き換えられた部分上と、磁性粒体４２が露出していない部分上）に銅が析出し、それら銅の粒子により加工面４０Ｂ全体に第２化学メッキ層５２Ａが形成される。一方、非磁性樹脂上のスルーホール３２Ｈでは、内面に直接、第２化学メッキ層５２Ａが形成される。また、第１電解メッキ層５１上でも第２化学メッキ層５２Ａが形成される。

【0032】

（８）第２化学メッキ層５２Ａをシード層として電解メッキ工程が行われ、第２化学メッキ層５２Ａ上に第２電解メッキ層５２Ｂが形成される。これにより、複数のスルーホール導体３１，３２が形成される（図７（Ａ）参照）。

【0033】

なお、本実施形態では、化学メッキ工程で用いられる溶液は、例えば、硫酸銅、ホルムアルデヒド、及び、錯化剤としてのエチレンアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）等を含むメッキ溶液であり、電解メッキ工程で用いられる溶液は、例えば、硫酸銅を主成分とするメッキ溶液であるが、これに限るものではない。

【0034】

なお、本実施形態では、本開示の「シード層形成工程」に、上述した置換メッキ工程及び化学メッキ工程が含まれているが、置換メッキ工程のみであってもよい。具体的には、磁性樹脂４１に含まれる磁性粒体４２の重量％を比較的高くして、置換メッキ層５４を加工面４０Ｂの略全体に形成させることで、置換メッキ層５４自体をシード層として第２電解メッキ層５２Ｂを形成してもよい。

【0035】

（９）図７（Ｂ）に示されるように、スルーホール導体３１，３２内に樹脂３１Ｊ，３２Ｊが充填され、樹脂３１Ｊ，３２Ｊの両端面がそれぞれ第１電解メッキ層５１Ｂと面一になるように研磨される。これにより、樹脂ポール３１Ｐ，３２Ｐが形成される。

【0036】

（１０）次いで、化学メッキ工程及び電解メッキ工程が行われる。すると、図７（Ｃ）に示されるように、第２電解メッキ層５２Ｂ上と、樹脂ポール３１Ｐ，３２Ｐの露出面上（端面上）とに、第３化学メッキ層５３Ａ及び第３電解メッキ層５３Ｂが形成される。

【0037】

（１１）次いで、図８（Ａ）に示されるように、第３電解メッキ層５３Ｂ上に所定パターンのエッチングレジスト６０が形成される。

【0038】

（１２）エッチングレジスト６０から露出する銅箔１１Ｄ、第１～第３の化学メッキ層５１Ａ～５３Ａ及び第１～第３の電解メッキ層５１Ｂ～５３Ｂが除去され、次いでエッチングレジスト６０が除去される。これにより、図８（Ｂ）に示されるように、表裏の両面に中継配線３３を含む導電層１３が形成され、コア基板１１が得られる。

【0039】

（１３）次いで、ＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ－Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により、絶縁層１５と導電層２０が交互に積層され、コア基板１１の表裏の両面に第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂが形成される。なお、本工程が、本開示の「ビルドアップ工程」に相当する。

【0040】

（１４）図９（Ａ）に示されるように、２層目の導電層２０上に、ソルダーレジスト層１７が積層される。次いで、図９（Ｂ）に示されるように、ソルダーレジスト層１７の所定箇所に、例えば、レーザ加工やフォトリソグラフィ処理等により、開口１７Ｈが形成される。そして、２層目の導電層２０のうち開口１７Ｈによりソルダーレジスト層１７から露出した部分にパッド１８が形成される。なお、同図では、第１ビルドアップ層１２Ａ側のみが示されている。

【0041】

（１５）第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂのパッド１８上に、半田バンプ１９が形成される（図１参照）。以上で配線基板１０が完成する。

【0042】

本実施形態の配線基板１０の構造及びその製造方法に関する説明は以上である。次に配線基板１０の作用効果について説明する。本実施形態の配線基板１０の製造方法では、磁性粒体４２が露出する磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ｂには化学メッキ層が形成され難いことに鑑み、シード層を形成する工程において、磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ｂに露出する磁性粒体４２が、第２電解メッキ層５２Ｂと同じ金属（本実施形態では、銅）に置換されて置換メッキ層５４が形成される置換メッキ工程が行われる。そして、その置換メッキ層５４の上に第２化学メッキ層５２Ａがシード層として形成される。これにより、磁性粒体４２が露出する磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ｂにもシード層が安定して形成され、第２電解メッキ層５２Ｂが安定して形成される。即ち、本実施形態の配線基板１０の製造方法によれば、磁性樹脂４１を有する配線基板１０に電解メッキ層を安定して形成することが可能になる。

【0043】

また、本実施形態では、加工面４０Ｂ上の置換メッキ層５４、第２化学メッキ層５２Ａ及び第２電解メッキ層５２Ｂが、何れも銅メッキ層となっているので、それらを合わせた銅メッキ層を厚くすることができる。

【0044】

さらに、本実施形態の配線基板１０では、磁性樹脂４１に含まれる磁性粒体４２を、従来にはないニッケル又はニッケル合金になっているので、置換メッキを容易に行うことができる。これによっても、磁性樹脂４１を有する配線基板１０に電解メッキ層を安定して形成することが可能になる。

【0045】

ここで、磁性樹脂４１により構成される磁性樹脂スリーブ４０は、コア基板１１に設けられ、その磁性樹脂スリーブ４０に加工面４０Ｂを有するスルーホール３１Ｈが形成されてスルーホール導体３１が形成される。本実施形態では、上述の通り、スルーホール３１Ｈの内面に第２電解メッキ層５２Ｂが安定して形成されるので、コア基板１１の表裏に形成される第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂの間の導通が安定する。

【0046】

［他の実施形態］
（１）上記実施形態では、磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ａ，４０Ｂのうち研削面である加工面４０Ｂ上にのみ置換メッキ層が形成されているが、磁性樹脂スリーブ４０の両端面の研磨面である加工面４０Ａ上にのみ置換メッキ層が形成される構成であってもよい。また、磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ａ，４０Ｂの両方に置換メッキ層が形成されていてもよい。その場合、加工面４０Ａ上に形成される置換メッキ層と、加工面４０Ｂ上に形成される置換メッキ層とは異なる工程で形成されてもよいし、例えば、上記（３）の工程をなくし、上記（６）の工程で、加工面４０Ａ，４０Ｂ上に置換メッキ層を形成してもよい。

【0047】

（２）上記実施形態では、磁性樹脂４１で構成される磁性樹脂スリーブ４０がコア基板１１に設けられている例を説明しているが、磁性樹脂スリーブは、例えば、第１と第２のビルドアップ層１２Ａ，１２Ｂの絶縁層１５の一部に設けられ、その内側をビアホールとしてビア導体が形成されていてもよい。

【0048】

（３）磁性樹脂スリーブ４０の加工面４０Ｂから露出する磁性粒体４２として酸化鉄を用い、その酸化鉄が露出する加工面４０Ｂに第２電解メッキ層５２Ｂと同じ金属である置換メッキ層５４を形成してもよい。

【0049】

（４）上記実施形態では、導電層１３に銅箔１１Ｄを有していたが、銅箔１１Ｄを有しない構成であってもよい。

【0050】

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。

【符号の説明】

【0051】

１０ 配線基板
１１ コア基板
１１Ｈ 本体孔
１１Ｋ 絶縁層（コア基板本体）
１２Ａ，１２Ｂ ビルドアップ層
３１ スルーホール導体
３１Ｈ スルーホール
４０ 磁性樹脂スリーブ
４０Ｂ 加工面
４１ 磁性樹脂
４２ 磁性粒体
５２Ａ 第２化学メッキ層
５２Ｂ 第２電解メッキ層
５４ 置換メッキ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】