特開 2024-56924 円環状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024056924

(43)【公開日】2024-04-23

(54)【発明の名称】円環状ガラス基板の製造方法、円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C03B 33/04 20060101AFI20240416BHJP

   C03B 33/09 20060101ALI20240416BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20240416BHJP

   G11B 5/73 20060101ALI20240416BHJP

   G11B 5/82 20060101ALI20240416BHJP

   G11B 5/84 20060101ALI20240416BHJP

【ＦＩ】

C03B33/04

C03B33/09

B23K26/53

G11B5/73

G11B5/82

G11B5/84 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024022125

(22)【出願日】2024-02-16

(62)【分割の表示】P 2023511737の分割

【原出願日】2022-03-31

(31)【優先権主張番号】P 2021060849

(32)【優先日】2021-03-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000113263

【氏名又は名称】ＨＯＹＡ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100099793

【弁理士】

【氏名又は名称】川北 喜十郎

(74)【代理人】

【識別番号】100154586

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田 正広

(74)【代理人】

【識別番号】100182051

【弁理士】

【氏名又は名称】松川 直宏

(72)【発明者】

【氏名】東 修平

(72)【発明者】

【氏名】滝澤 利雄

(57)【要約】

【課題】磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板から円環状のガラス基板をより確実に分離できる技術を提供する。
【解決手段】
円環状ガラス基板（１）の製造方法は、ガラス素板（２０）の表面（２０ａ）に所定の円（Ｃ１）に沿ってレーザ光（Ｌ）を照射することにより、ガラス素板（２０）に、円（Ｃ１）に沿って複数の欠陥（Ｄ）を含む分離線（Ｃ１）を形成することと、分離線（Ｃ１）が形成されたガラス素板（２０）の、分離線（Ｃ１）の外側の部分（２１）を内側の部分（２２）よりも高温で加熱することにより、外側の部分（２１）と内側の部分（２２）とを分離することと、を含む。分離線（Ｃ１）は、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成される第２の領域とを含む。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記分離線は、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成される第２の領域とを含む、円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項2】

前記第２の領域の長さは、前記所定の円の周長の１２．５％以下である、請求項１に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項3】

前記第１の間隔より短い間隔は、前記第１の間隔の７０％以下である、請求項１又は２に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項4】

前記所定の円の周長は前記第１の間隔の整数倍ではない、請求項１～３のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項5】

前記ガラス素板の前記表面に、前記所定の円と同心且つ前記所定の円よりも径が短い第２の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板の前記分離線よりも内側に、前記第２の円に沿って複数の欠陥を含む第２の分離線を形成することをさらに含み、
前記第２の分離線は、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔を隔てて周期的に形成される第３の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第２の間隔よりも短い間隔を隔てて形成される第４の領域とを含み、
前記第２の間隔は前記第１の間隔よりも小さい、請求項１～３のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項6】

前記所定の円に沿って１周を超えるように前記レーザ光を一定周期で照射することにより前記分離線を形成する、請求項１～５のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項7】

円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記複数の欠陥が、前記所定の円上で所定間隔を隔てて周期的に形成された複数の第１の欠陥と、少なくとも一組の隣り合う二つの前記第１の欠陥の間に位置する、第２の欠陥とを含む、円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項8】

前記所定の円に沿って１周を超えるように前記レーザ光を一定周期で照射することにより前記分離線を形成する、請求項７に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項9】

前記複数の欠陥は、複数組の隣り合う二つの前記第１の欠陥の間にそれぞれ位置する、複数の前記第２の欠陥を含み、
複数の前記第２の欠陥は、前記レーザ光が前記所定の円に沿って１周を超えて照射されるときに形成され、前記所定間隔を隔てて周期的に形成されたものである、請求項８に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項10】

前記所定間隔は、前記所定の円の周長が前記所定間隔の整数倍にならないように設定される、請求項７～９のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項11】

円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記複数の欠陥は、前記レーザ光と前記ガラス素板との照射部における相対速度を一定とし、前記所定の円に沿って１周を超えて一定周期で、前記レーザ光を照射することにより、所定間隔で形成され、
前記複数の欠陥は、前記レーザ光の１周目の照射により形成された複数の第１の欠陥と、前記レーザ光が１周を超えて照射されるときに形成される少なくとも１つの第２の欠陥とを含み、
前記所定間隔は、前記少なくとも一つの第２の欠陥が前記複数の第１の欠陥と重ならないように決定される、円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項12】

前記ガラス素板は、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス素板である、請求項１～１１のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の製造方法。

【請求項13】

円環状ガラス基板であって、
二つの主表面と、
前記二つの主表面の外縁どうしを接続する外周端面とを備え、
前記外周端面には、それぞれが前記円環状ガラス基板の厚み方向に延びる複数の溝と、第１の領域と、第２の領域とが形成されており、
前記第１の領域では、隣り合う二つの溝が第１の間隔を隔てて周期的に形成されており、
前記第２の領域では、隣り合う二つの溝が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成されている、円環状ガラス基板。

【請求項14】

前記第２の領域の長さは、前記外縁の長さの１２．５％以下である、請求項１３に記載の円環状ガラス基板。

【請求項15】

前記第１の間隔より短い間隔は、前記第１の間隔の７０％以下である、請求項１３又は１４に記載の円環状ガラス基板。

【請求項16】

前記外周端面と同心であり且つ前記外周端面よりも内側に形成された内周端面をさらに備え、
前記内周端面には、それぞれが前記円環状ガラス基板の厚み方向に延びる複数の溝と、第３の領域と、第４の領域とが形成されており、
前記第３の領域では、隣り合う二つの溝が第２の間隔を隔てて周期的に形成されており、
前記第４の領域では、隣り合う二つの溝が前記第２の間隔より短い間隔を隔てて形成されており、
前記第２の間隔は前記第１の間隔よりも短い、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板。

【請求項17】

請求項１３～１６のいずれか一項に記載の円環状ガラス基板の主表面を少なくとも研磨する処理を含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、レーザ光を用いて形状を加工することにより円環状ガラス基板を製造する円環状ガラス基板の製造方法、当該製造方法により製造された円環状ガラス基板、及び磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

今日、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）記録装置、あるいはクラウドコンピューティングのデータセンター等には、データを記録するためのハードディスク装置が用いられる。ハードディスク装置では、円環状の非磁性体の磁気ディスク用ガラス基板に磁性層が設けられた磁気ディスクが用いられる。

【0003】

従来、このような磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板から円環状ガラス基板を分離する技術が知られている（特許文献１）。この技術では、まず、ガラス基板の元となるガラス素板の面に、所定の円環形状に沿ってレーザ光を照射することにより、前記所定の円環形状に沿った欠陥を形成する。これにより、前記ガラス素板の面には、前記所定の円環形状に対する外側部分と内側部分とが形成される。そして、前記ガラス素板の前記外側部分を、前記内側部分よりも高温で加熱することにより、前記ガラス素板の前記外側部分が、前記内側部分に対して相対的に熱膨張し、前記外側部分と前記内側部分との間に隙間が形成される。この結果、前記ガラス素板の前記外側部分と前記内側部分とを分離することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】国際公開第２０２０／０２２５１０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、上記技術では、前記ガラス素板の前記外側部分を前記内側部分よりも高温で加熱しても、前記外側部分と前記内側部分との間に前記隙間が形成されず、前記外側部分と前記内側部分とを分離できない場合があった。また、前記外側部分と前記内側部分との間に隙間が形成され、前記外側部分と前記内側部分とを分離できたとしても、前記外側部分の端面及び前記内側部分の端面の少なくとも一部に欠け（チッピング）が生じる場合があった。

【0006】

本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板から円環状のガラス基板をより確実に分離できる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の第１の態様に従えば、円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記分離線は、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成される第２の領域とを含む、円環状ガラス基板の製造方法が提供される。

【0008】

本発明の第１の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記第２の領域の長さは、前記所定の円の周長の１２．５％以下であってもよい。

【0009】

本発明の第１の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記第１の間隔より短い間隔は、前記第１の間隔の７０％以下であってもよい。

【0010】

本発明の第１の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記所定の円の周長は前記第１の間隔の整数倍ではなくてもよい。

【0011】

本発明の第１の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記ガラス素板の前記表面に、前記所定の円と同心且つ前記所定の円よりも径が短い第２の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板の前記分離線よりも内側に、前記第２の円に沿って複数の欠陥を含む第２の分離線を形成することをさらに含んでもよく、
前記第２の分離線は、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔を隔てて周期的に形成される第３の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第２の間隔よりも短い間隔を隔てて形成される第４の領域とを含んでもよく、
前記第２の間隔は前記第１の間隔よりも小さくてもよい。

【0012】

本発明の第１の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記所定の円に沿って１周を超えるように前記レーザ光を一定周期で照射することにより前記分離線を形成してもよい。

【0013】

本発明の第２の態様に従えば、円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記複数の欠陥が、前記所定の円上で所定間隔を隔てて周期的に形成された複数の第１の欠陥と、少なくとも一組の隣り合う二つの前記第１の欠陥の間に位置する、第２の欠陥とを含む、円環状ガラス基板の製造方法が提供される。

【0014】

本発明の第２の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記所定の円に沿って１周を超えるように前記レーザ光を一定周期で照射することにより前記分離線を形成してもよい。

【0015】

本発明の第２の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記複数の欠陥は、複数組の隣り合う二つの前記第１の欠陥の間にそれぞれ位置する、複数の前記第２の欠陥を含んでもよく、
複数の前記第２の欠陥は、前記レーザ光が前記所定の円に沿って１周を超えて照射されるときに形成され、前記所定間隔を隔てて周期的に形成されたものであってもよい。

【0016】

本発明の第２の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記所定間隔は、前記所定の円の周長が前記所定間隔の整数倍にならないように設定されてもよい。

【0017】

本発明の第３の態様に従えば、円環状ガラス基板の製造方法であって、
ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、
前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、
前記複数の欠陥は、前記レーザ光と前記ガラス素板との照射部における相対速度を一定とし、前記所定の円に沿って１周を超えて一定周期で、前記レーザ光を照射することにより、所定間隔で形成され、
前記複数の欠陥は、前記レーザ光の１周目の照射により形成された複数の第１の欠陥と、前記レーザ光が１周を超えて照射されるときに形成される少なくとも１つの第２の欠陥とを含み、
前記所定間隔は、前記少なくとも一つの第２の欠陥が前記複数の第１の欠陥と重ならないように決定される、円環状ガラス基板の製造方法が提供される。

【0018】

本発明の第１、第２、及び第３の態様に従う円環状ガラス基板の製造方法において、前記ガラス素板は、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス素板であってもよい。

【0019】

本発明の第４の態様に従えば、円環状ガラス基板であって、
二つの主表面と、
前記二つの主表面の外縁どうしを接続する外周端面とを備え、
前記外周端面には、それぞれが前記円環状ガラス基板の厚み方向に延びる複数の溝と、第１の領域と、第２の領域とが形成されており、
前記第１の領域では、隣り合う二つの溝が第１の間隔を隔てて周期的に形成されており、
前記第２の領域では、隣り合う二つの溝が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成されている、円環状ガラス基板が提供される。

【0020】

本発明の第４の態様に従う円環状ガラス基板において、前記第２の領域の長さは、前記外縁の長さの１２．５％以下であってもよい。

【0021】

本発明の第４の態様に従う円環状ガラス基板において、前記第１の間隔より短い間隔は、前記第１の間隔の７０％以下であってもよい。

【0022】

本発明の第４の態様に従う円環状ガラス基板は、前記外周端面と同心であり且つ前記外周端面よりも内側に形成された内周端面をさらに備えてもよく、
前記内周端面には、それぞれが前記円環状ガラス基板の厚み方向に延びる複数の溝と、第３の領域と、第４の領域とが形成されてもよく、
前記第３の領域では、隣り合う二つの溝が第２の間隔を隔てて周期的に形成されてもよく、
前記第４の領域では、隣り合う二つの溝が前記第２の間隔より短い間隔を隔てて形成されてもよく、
前記第２の間隔は前記第１の間隔よりも短くてもよい。

【0023】

本発明の第５の態様に従えば、本発明の第４の態様に従う円環状ガラス基板の主表面を少なくとも研磨する処理を含む、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、ガラス素板から円環状のガラス基板をより確実に分離することができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本実施形態の製造方法により製造された円環状ガラス基板の斜視図である。

【図2】本実施形態に係る円環状ガラス基板の製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図3】外側分離線形成工程におけるレーザ光の照射について説明する図である。

【図4】（ａ）は外側分離線が形成されたガラス素板を主表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）は外側分離線の一部を拡大した図である。

【図5】第１分離工程における加熱について説明する図である。

【図6】第１分離工程における加熱による分離について説明する図である。

【図7】第１分離工程によって抜き出された円形ガラス素板の斜視図である。

【図8】内側分離線形成工程におけるレーザ光の照射について説明する図である。

【図9】（ａ）は内側分離線が形成された円形ガラス素板を主表面に垂直な方向から見た図であり、（ｂ）は内側分離線の一部を拡大した図である。

【図10】第２分離工程における加熱について説明する図である。

【図11】第２分離工程における加熱による分離について説明する図である。

【図12】（ａ）は円環状ガラス基板の外周端面を平面上に展開した部分拡大図であり、（ｂ）は円環状ガラス基板の内周端面を平面上に展開した部分拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

まず、本実施形態の製造方法により製造された円環状ガラス基板について、図１を参照しつつ説明する。

【0027】

ガラス基板１は、中央に同軸状に孔が形成された円環状の薄板のガラス基板であり、例えば、磁気ディスク用の基板として用いられる。ガラス基板１のサイズは問わないが、例えば、公称直径２．５インチや３．５インチの磁気ディスクに適したサイズである。公称直径２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径（直径）が５５～７０ｍｍ、中心穴の径（直径。内径とも言う）が１９～２０ｍｍ、板厚が０．２～０．８ｍｍである。公称直径３．５インチの磁気ディスク用ガラス基板の場合、例えば、外径が８５～１００ｍｍ、中心穴の径が２４～２５ｍｍ、板厚が０．２～０．８ｍｍである。

【0028】

ガラス基板１は、一対の対向する主表面１１ａ、１１ｂと、外周端面１２と、中央孔を画成する内周端面１３とを備える。主表面１１ａは、２つの同心円を外縁及び内縁として有する、円環形状の面である。主表面１１ｂは、主表面１１ａと同形状であり且つ同心である。外周端面１２は、主表面１１ａの外縁と主表面１１ｂの外縁とを接続する面である。内周端面１３は、主表面１１ａの内縁と主表面１１ｂの内縁とを接続する面である。なお、上記の接続部に面取面が形成されてもよい。ガラス基板１を用いて磁気ディスクを製造する際には、主表面１１ａ、１１ｂに磁性層が形成される。

【0029】

次に、本実施形態の一例に係る円環状ガラス基板の製造方法の流れについて、図２を参照しつつ説明する。本実施形態に係る円環状ガラス基板の製造方法は、外側分離線形成工程（Ｓ１０）と、第１分離工程（Ｓ２０）と、内側分離線形成工程（Ｓ３０）と、第２分離工程（Ｓ４０）とを含む。

【0030】

外側分離線形成工程（Ｓ１０）では、ガラス基板１の材料となるガラス素板の表面にレーザ光を照射することにより、ガラス素板に複数の欠陥を含む円形状の外側分離線を形成する。第１分離工程（Ｓ２０）では、ガラス素板の外側分離線よりも外側の部分を、内側の部分よりも高温で加熱することにより、外側分離線よりも外側の部分と内側の部分とを分離する。これにより、円形ガラス素板が抜き出される。内側分離線形成工程（Ｓ３０）では、第１分離工程Ｓ２０によって抜き出された円形ガラス素板の表面にレーザ光を照射することにより、円形ガラス素板に複数の欠陥を含む円形状の内側分離線を形成する。第２分離工程（Ｓ４０）では、円形ガラス素板の内側分離線よりも外側の部分を、内側の部分よりも高温で加熱することにより、内側分離線よりも外側の部分と内側の部分とを分離する。これにより、円環状ガラス基板が製造される。

【0031】

次に、本実施形態の一例に係る円環状ガラス基板の製造方法の各工程について、図３～図１２を参照しつつ、詳細に説明する。

【0032】

外側分離線形成工程（Ｓ１０）では、図３に示されるように、予め作製された矩形状等のガラス素板２０に、レーザ光Ｌを照射する。

【0033】

ガラス基板１の材料となるガラス素板２０としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラス等を用いることができる。特に、必要に応じて化学強化を施すことができ、また基板の主表面の平坦度及び基板の強度において優れた磁気ディスク用ガラス基板を作成することができるという点で、アモルファスのアルミノシリケートガラスを好適に用いることができる。ガラス素板２０は、例えば、フロート法やオーバーフローダウンドロー法を用いて作製され、一定の板厚を有する。或いは、ガラス素板２０は、ガラスの塊を、金型を用いてプレス成形したガラス板であってもよい。なお、本発明は、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス素板２０に対して適用すると好ましい。その理由は必ずしも明確ではないが、オーバーフローダウンドロー法で製造した大板のガラス板は、その面内の位置による残留応力の差が比較的大きい（即ち、面内方向における残留応力バラツキが比較的大きい）ことが一つの要因と推察される。オーバーフローダウンドロー法では、溶融ガラスを重力によって鉛直方向に落下させながら所定の板厚となるように引き延ばすことによって高品質のシート状ガラスに成形するため、落下距離を長くしようとするほど高い建屋が必要となる。しかし、高い建屋は技術的困難度及びコストが高いため、実質的に上記落下距離には制限がある。このため、フロート法よりも短い距離でガラスの引き延ばしと冷却を完了せねばならないが、引き延ばしと冷却は成形後のガラスの残留応力に大きな影響を与えるパラメータであるので、面内方向における残留応力バラツキが大きくなる。大板のガラス板の面内方向における残留応力バラツキが大きいと、それを個片化した後の複数のガラス素板２０間での残留応力バラツキが大きくなる。また、個片化後のガラス素板２０のサイズによっては、１つのガラス素板２０の面内における残留応力バラツキも大きくなる可能性もある。本発明では、断続的な欠陥からなる分離線を形成し、複数の欠陥間に亀裂を生じさせることが前提であるが、上記亀裂の形成には残留応力が大きく影響していることがわかってきた。即ち、ガラス素板２０における残留応力の大小や面内分布によって、亀裂が生じやすい場合と生じにくい場合がありうる。そのため、ある１つのガラス素板２０で分離がうまくできたとしても、別のガラス素板２０では分離がうまくいかない場合も生じうる。このため、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス素板２０に本発明を適用することにより、上記のような複数のガラス素板２０間の残留応力のバラツキが大きい場合や、個々のガラス素板２０内における残留応力バラツキが大きい場合でも、安定して大量のガラス素板２０をミスなく分離することができる。

【0034】

レーザ光源及び光学系３０は、レーザ光Ｌを出射する装置であり、例えば、ＹＡＧレーザ、Ｙｂ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、ＹＶＯレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯレーザ等の固体レーザが用いられる。レーザ光の波長は、例えば、１０００ｎｍ～１１００ｎｍの範囲にすることができる。レーザ光Ｌはパルスレーザである。本実施形態では、レーザ光Ｌのパルス幅は１０^－１０秒（１００ピコ秒）以下であることが好ましい。また、レーザ光Ｌの光エネルギは、パルス幅及びパルス幅の繰り返し周波数に応じて適宜調整することができるが、例えば照射時間における平均出力で１Ｗ以上である。周波数は、例えば１ｋＨｚ～１０００ｋＨｚとすることができる。

【0035】

レーザの照射方法としては、例えば、レーザ光源及び光学系３０を用いて、レーザ光Ｌがガラス素板２０の表面又は／及び内部で焦点を形成するように適宜調節してガラス素板２０に照射すればよい。このようなレーザ光Ｌの照射により、円Ｃ１上の一点で、ガラス素板２０の厚み方向に沿って焦点が連続するように形成される。この焦点の連続を焦線とも言う。このため、ガラス素板２０の厚み方向に沿って線状に光エネルギが集中し、ガラス素板２０の一部がプラズマ化するなどして、ガラス素板２０の厚み方向に伸びた欠陥Ｄを形成することができる。ここで、欠陥Ｄとは、ガラス素板２０に形成された孔、当該孔から進展するクラック、及び、改質されたガラス部分（以下、ガラス改質部分と呼ぶ）のうち少なくとも１つを含む。当該孔は、アブレージョンによりガラス素板２０をガラス素板２０の厚み方向に貫通した貫通孔であってもよく、貫通していない孔であってもよい。また、ガラス改質部分がガラス素板２０の厚み方向全体に渡って存在してもよい。これらの欠陥は、ガラス素板２０の主表面２０ａに対して略直交する（角度が８５～９５度）ように延びていると、後工程における取代を減らしやすいため好ましい。なお、その他のレーザ光の照射方法として、カー効果（Ｋｅｒｒ－Ｅｆｆｅｃｔ）に基づくビームの自己収束を利用する方法、ガウシアン・ベッセルビームをアキシコンレンズとともに利用する方法、収差レンズによる線焦点形成ビームを利用する方法、ドーナツ状レーザ光と球面レンズを用いる方法なども利用することができる。いずれにしても、上記のような線状の欠陥Ｄが形成できる限り、レーザ光Ｌの照射条件は特に限られない。

【0036】

レーザ光Ｌは、パルス状の光パルスを一定時間間隔で連続して生成する構成の光パルス群を一単位として、複数の光パルス群を断続的に発生させるバーストパルス方式でガラス素板２０に照射することが好ましい。この場合、一つの光パルス群の中で、１パルスの光エネルギを変調してもよい。バーストパルス方式のレーザ光を用いることで、効率よく欠陥Ｄを形成することができる。

【0037】

レーザ光Ｌの照射は、ステージＴに固定されたガラス素板２０に対して、レーザ光Ｌを一定速度で相対移動させながら行われる。例えば、レーザ光Ｌの照射位置を固定したままステージＴ及びガラス素板２０を、円を描くように一定速度で移動させてもよいし、中心軸周りに一定速度で回転させてもよい。ここで、レーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度（レーザ光Ｌの照射位置における相対速度）は、例えば１０～１０００（ｍｍ／秒）とすることができる。レーザ光Ｌは、ガラス素板２０上に予定された円Ｃ１に沿って、図３の矢印に示す反時計回りに、一定の周期で断続的に照射される。換言すると、レーザ光Ｌは、円Ｃ１における一定の間隔（以後、ピッチとも言う）を隔てて離間した複数の場所に、順次照射される。当該ピッチは、レーザ光Ｌのパルス照射の周期、及び、レーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度により決定され、例えば１～２０μｍとすることができる。そして、レーザ光Ｌの照射は、一例として、円Ｃ１に沿って１周を超えるまで、即ち、レーザ光Ｌが最初に照射された円Ｃ１上の位置を超えるまで行われる。これにより、ガラス素板２０には、最初のパルス照射により欠陥Ｄ１、第２のパルス照射により欠陥Ｄ２、第３のパルス照射により欠陥Ｄ３、第４のパルス照射により欠陥Ｄ４・・・のように、円Ｃ１に沿って一定の間隔を隔てて周期的に並んだ複数の欠陥Ｄにより、図４（ａ）に示すような円形状の外側分離線Ｌ１が形成される。なお、以下の説明において、二つの欠陥Ｄの間隔とは、二つの欠陥Ｄの中心間の距離を意味する。円Ｃ１は本発明の所定の円の一例であり、外側分離線Ｌ１は本発明の分離線の一例である。

【0038】

ここで、欠陥Ｄのピッチは、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度により決定される。欠陥Ｄのピッチは、円Ｃ１の周長の１／ｎ（ｎは整数）になるように調整はされていないことが好ましい。換言すると、円Ｃ１の周長が欠陥Ｄのピッチの整数倍とならないように、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度が調整されていることが好ましい。こうすることで、レーザ光Ｌの２周目の照射時では、レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成された欠陥Ｄと重ならないように、欠陥Ｄを形成することができる。つまり、レーザ光Ｌの２周目の照射時では、レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成された隣り合う二つの欠陥Ｄの間に、欠陥Ｄを形成することができる。さらに換言すると、欠陥Ｄのピッチは、２周目の照射時に形成される欠陥Ｄが、１周目の照射時に形成された欠陥Ｄと重ならない（１周目の照射時に形成された隣り合う二つの欠陥Ｄの間に位置する）ように、調整されていることが好ましい。一例として図４（ｂ）に示されるように、レーザ光Ｌの最後のパルス照射（即ち２周目の照射）によって形成された欠陥Ｄｎは、レーザ光Ｌの第４のパルス照射（即ち１周目の照射）によって形成された欠陥Ｄ４または第５のパルス照射（即ち１周目の照射）によって形成された欠陥Ｄ５とは重ならずに、隣り合う二つの欠陥Ｄ４と欠陥Ｄ５との間に形成される。同様に、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｎ－１は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ３と欠陥Ｄ４との間に形成され、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｎ－２は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ２と欠陥Ｄ３との間に形成され、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｎ－３は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ１と欠陥Ｄ２との間に形成される。そして、欠陥Ｄｎ－４と欠陥Ｄ１との間隔は、欠陥Ｄｎ－４と欠陥Ｄｎ－３との間隔よりも小さくなっている。つまり、図４（ｂ）において、欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｎは、円Ｃ１に沿って反時計回りにこの順番でほぼ一定の間隔で形成されるが、欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄ５までの（反時計回りの）領域では、欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｎ－４までの（反時計回りの）領域よりも、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短くなっている。欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄ５までの（反時計回りの）領域において隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔はいずれも、欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｎ－４までの（反時計回りの）領域において隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔の７０％以下であることが好ましい。短い間隔で欠陥Ｄが連続する領域は、後述する第１分離工程（Ｓ２０）において、外側分離線Ｌ１に沿って亀裂が形成されるきっかけとなりやすいためである。なお、本実施形態よりも短いピッチで欠陥Ｄが形成されるようにして、レーザ光Ｌを１周だけ照射することも考えられるが、この場合、円Ｃ１上で敢えて欠陥Ｄのピッチが異なる（短い）領域を作って亀裂を形成しやすくすることにはならない。また、形成される欠陥Ｄの数も多くなり、生産性も悪化する。また欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄ５までの領域の長さ（欠陥Ｄｎ―４から欠陥Ｄ５までの、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔の総和）は、円Ｃ１の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましい。なお、１２．５％を超えると、生産性が悪化する場合があることに加えて、チッピングが増加する場合がある。この原因は必ずしも明確ではないが、円Ｃ１の周上において、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域の割合が広くなりすぎると、後述する第１分離工程（Ｓ２０）において、その領域が先に外側部分２１（図６参照）から外れ、外側部分２１に対して斜めになりやすく、外側部分２１から抜ける際にエッジがひっかかってチッピングが起こると推測している。上記の観点からは、１０％以下がより好ましく、５％以下はさらに好ましく、１％以下が最も好ましい。なお、下限値は例えば０．０１％であり、０．０１％未満の場合、後述する本発明の効果が得られない恐れがある。ここで、欠陥Ｄｎ－４（１周目の最後の欠陥）から欠陥Ｄ１（１周目の最初の欠陥）の間の距離は、通常、円Ｃ１の円周の長さに対して極めて短い。このため、後述する本発明の第２の領域（欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄｎまでの領域の長さ）の、円Ｃ１の円周の長さに対する割合が十分に小さい（例えば０．０１％以下）場合は、実質的に無視してもよい。すなわち、円Ｃ１に沿って１周を超えてレーザ光Ｌが照射された領域を、後述の本発明の第２の領域としてもよい。

【0039】

また、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域は、円Ｃ１の円周上で一箇所であることが好ましい。隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域を一箇所にまとめることで、分離の失敗や、チッピングの発生を抑制することができる。この理由は明らかではないが、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域を一箇所にまとめることで、後述する第１分離工程（Ｓ２０）の際に円形の外側分離線Ｌ１上に歪が集中する場所が形成され、そこを起点に亀裂や隙間が形成されやすくなるためと推察される。また、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域を一箇所にまとめることで、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域を効率よく形成できるというメリットもある。

【0040】

なお、１周目の最後の照射による欠陥Ｄから２周目の最後の照射による欠陥Ｄまでの領域（例えば、図４（ｂ）に示される欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄｎまでの反時計回りの領域）は、本発明の第２の領域であり、欠陥Ｄが等間隔で連続する領域（例えば、図４（ｂ）に示される欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｎ－４までの反時計回りの領域）は、本発明の第１の領域である。また、欠陥Ｄ４と欠陥Ｄ５の間隔は、本発明の第１の間隔の一例である。当該第１の間隔は、例えば１～２０μｍとすることができる。欠陥Ｄ４と欠陥Ｄｎとの間隔、及び、欠陥Ｄｎと欠陥Ｄ５との間隔は、本発明の第１の間隔より短い間隔の一例である。レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成される欠陥Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄｎ－６、Ｄｎ－５、Ｄｎ－４は、本発明の第１の欠陥の一例であり、レーザ光Ｌの２周目の照射時に形成される欠陥Ｄｎ－３、Ｄｎ－２、Ｄｎ－１、Ｄｎは本発明の第２の欠陥の一例である。

【0041】

次に、第１分離工程（Ｓ２０）では、外側分離線Ｌ１を形成したガラス素板２０から、外側分離線Ｌ１よりも内側の部分を抜き出すために、ガラス素板２０の加熱を行う。ガラス素板２０を加熱する際は、例えば図５に示されるように、外側分離線Ｌ１よりも外側にヒータ４０を配置し、ガラス素板２０の外側分離線Ｌ１よりも外側の外側部分２１を加熱する。なお、外側分離線Ｌ１よりも内側にはヒータを配置しない方が好ましい。この場合、空間を介した熱伝導により、あるいはガラス素板２０を介した熱伝導により、外側分離線Ｌ１よりも内側の内側部分２２も間接的に加熱されるが、ガラス素板２０の外側部分２１は、内側部分２２よりも高温で加熱されているといえる。このため、ガラス素板２０の外側部分２１の熱膨張量を、内側部分２２の熱膨張量よりも大きくすることができる。この結果、図６に示されるように、ガラス素板２０の外側部分２１は、外側分離線Ｌ１の外側方向に向かって熱膨張する。具体的には、外側部分２１の内周の径（内径）が内側部分２２の外周の径（外径）に比べて大きくなるように、外側部分２１が内側部分２２に対して相対的に熱膨張する。これにより、まず、外側分離線Ｌ１に沿って全体に亀裂が入り、円形ガラス素板２２が形成される（ただし、この時点ではガラス素板として一体化したままの状態である）。次に、外側部分２１がさらに加熱されることで、ガラス素板２０の外側部分２１と内側部分２２との界面に隙間が形成され、外側部分２１と内側部分２２とを分離することができる。つまり、矩形状のガラス素板２０から、図７に示されるような、円形ガラス素板２２を抜き出すことができる。円形ガラス素板２２の外周端面は、最終的に、円環状のガラス基板１の外周端面１２に対応する。なお、外側部分２１と内側部分２２との界面に隙間が形成された状態とは、外側部分２１と内側部分２２との間のいずれの位置においても計測可能な空間が形成されている状態だけではなく、計測可能な空間が得られなくても外側部分２１と内側部分２２の対向する面どうしが物理的又は化学的に結合していない状態も含む。換言すれば、上記界面に隙間が形成された状態には、外側部分２１と内側部分２２との界面に亀裂が形成されて両者が接触している状態も含まれる。

【0042】

次に、内側分離線形成工程（Ｓ３０）では、図８に示されるように、第１分離工程（Ｓ２０）で分離された円形ガラス素板２２の主表面２２ａに、予定された円Ｃ２に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、内側分離線を形成する。

【0043】

レーザ光Ｌの照射は、外側分離線形成工程（Ｓ１０）と同様に、ステージＴに固定された円形ガラス素板２２に対して、レーザ光Ｌを一定速度で相対移動させながら行われる。例えば、レーザ光Ｌの照射位置を固定したままステージＴ及び円形ガラス素板２２を、円を描くように一定速度で移動させてもよいし、中心軸周りに一定速度で回転させてもよい。レーザ光Ｌは、円形ガラス素板２２の主表面２２ａ上に予定された円Ｃ２に沿って、図８の矢印に示す反時計回りに、一定の周期で断続的に照射される。換言すると、レーザ光Ｌは、円Ｃ２における一定の間隔を隔てて離間した複数の場所に、順次照射される。そして、レーザ光Ｌの照射は、円Ｃ２に沿って１周を超えるまで、即ち、レーザ光Ｌが最初に照射された円Ｃ２上の位置を超えるまで行われる。これにより、円形ガラス素板２２には、最初のパルス照射により欠陥Ｄ１、第２のパルスの照射により欠陥Ｄ２、第３のパルスの照射により欠陥Ｄ３、第４のパルスの照射により欠陥Ｄ４・・・のように、円Ｃ２に沿って一定の間隔を隔てて周期的に並んだ複数の欠陥Ｄにより、図９（ａ）に示すような円形状の内側分離線Ｌ２が形成される。なお、円Ｃ２は本発明の第２の円の一例であり、内側分離線Ｌ２は、本発明の第２分離線の一例である。

【0044】

ここで、レーザのパルス照射周期は、円Ｃ２の周長の１／ｍ（ｍは整数）になるようには調整されていないことが好ましい。換言すると、円Ｃ２の周長が欠陥Ｄのピッチの整数倍とならないように、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度が調整されていることが好ましい。こうすることで、レーザ光Ｌの２周目の照射時では、レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成された欠陥Ｄと重ならないように、欠陥Ｄを形成することができる。つまり、レーザ光Ｌの２周目の照射時では、レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成された隣り合う二つの欠陥Ｄの間に、欠陥Ｄを形成することができる。さらに換言すると、欠陥Ｄのピッチは、２周目の照射時に形成される欠陥Ｄが、１周目の照射時に形成された欠陥Ｄと重ならない（１周目の照射時に形成された隣り合う二つの欠陥Ｄの間に位置する）ように、調整されていることが好ましい。一例として図９（ｂ）に示されるように、レーザ光Ｌの最後のパルス照射（即ち２周目の照射）によって形成された欠陥Ｄｍは、レーザ光Ｌの第４のパルス照射（即ち１周目の照射）によって形成された欠陥Ｄ４または第５のパルス照射（即ち１周目の照射）によって形成された欠陥Ｄ５とは重ならずに、隣り合う二つの欠陥Ｄ４と欠陥Ｄ５との間に形成される。同様に、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｍ－１は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ３と欠陥Ｄ４との間に形成され、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｍ－２は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ２と欠陥Ｄ３との間に形成され、２周目の照射によって形成された欠陥Ｄｍ－３は、１周目の照射によって形成された、欠陥Ｄ１と欠陥Ｄ２との間に形成される。そして、欠陥Ｄｍ－４と欠陥Ｄ１との間隔は、欠陥Ｄｍ－４と欠陥Ｄｍ－３との間隔、及び、欠陥Ｄｍ－５と欠陥Ｄｍ－４との間隔よりも小さくなっている。つまり、図９（ｂ）において、欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｍは、円Ｃ２に沿って反時計回りにこの順番でほぼ一定の間隔で形成されるが、欠陥Ｄｍ－４から欠陥Ｄ５までの（反時計回りの）領域では、欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｍ－４までの（反時計回りの）領域よりも、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短くなっている。欠陥Ｄｍ－４から欠陥Ｄ５までの（反時計回りの）領域において隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔はいずれも、欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｍ－４までの（反時計回りの）領域において隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔の７０％以下であることが好ましい。短い間隔で欠陥Ｄが連続する領域は、後述する第２分離工程（Ｓ４０）において、内側分離線Ｌ２に沿って亀裂が形成されるきっかけとなりやすいためである。また欠陥Ｄｍ－４から欠陥Ｄ５までの（反時計回りの）領域の長さ（欠陥Ｄｍ―４から欠陥Ｄ５までの、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔の総和）は、円Ｃ２の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましい。なお、１２．５％を超えると、生産性が悪化する場合があることに加えて、チッピングが増加する場合がある。この原因は必ずしも明確ではないが、円Ｃ２の周上において、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔が短い領域の割合が広くなりすぎると、後述する第２分離工程（Ｓ４０）において、その領域が先に外側部分２３（図１１参照）から外れ、外側部分２３に対して斜めになりやすく、外側部分２３から抜ける際にエッジがひっかかってチッピングが起こると推測している。上記の観点からは、１０％以下がより好ましく、５％以下はさらに好ましく、１％以下が最も好ましい。なお、下限値は０．０１％であり、０．０１％未満の場合、後述する本発明の効果が得られない場合がある。また、内側分離線形成工程（Ｓ３０）で形成された欠陥Ｄ１と欠陥Ｄ２とによって区画される間隔（第２の間隔）は、外側分離線形成工程（Ｓ１０）で形成された欠陥Ｄ１と欠陥Ｄ２とによって区画される間隔（図４（ｂ）参照。第１の間隔）と同じでもよいが、第１の間隔よりも小さい方が好ましい。また、第２の間隔は第１の間隔の１０～８０％であることがより好ましい。８０％を超える場合、分離する円の半径が小さいほど円の内外の温度差を確保しにくいため、強力なヒータが必要になるなどのコストが増大する可能性がある。また、１０％より小さい場合、極めて高い周波数のパルスレーザが必要となり、コストが増大する可能性がある。

【0045】

なお、１周目の最後の照射による欠陥Ｄから２周目の最後の照射による欠陥Ｄまでの領域（例えば、図９（ｂ）に示される欠陥Ｄｍ－４から欠陥Ｄｍまでの反時計回りの領域）は、本発明の第３の領域であり、欠陥Ｄが等間隔で連続する領域（例えば、図９（ｂ）に示される欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｍ－４までの反時計回りの領域）は、本発明の第４の領域である。また、欠陥Ｄ４と欠陥Ｄ５の間隔は、本発明の第２の間隔の一例である。欠陥Ｄ４と欠陥Ｄｍとの間隔、及び、欠陥Ｄｍと欠陥Ｄ５との間隔は、本発明の第２の間隔より短い間隔の一例である。レーザ光Ｌの１周目の照射時に形成される欠陥Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、…、Ｄｍ－６、Ｄｍ－５、Ｄｍ－４は、本発明の第１の欠陥の一例であり、レーザ光Ｌの２周目の照射時に形成される欠陥Ｄｍ－３、Ｄｍ－２、Ｄｍ－１、Ｄｍは本発明の第２の欠陥の一例である。なお、図９（ｂ）に示される欠陥Ｄ１～Ｄ６は、本発明の第３の欠陥の一例であり、欠陥Ｄｍは本発明の第４の欠陥の一例であり、欠陥Ｄ１と欠陥Ｄ２の間隔は本発明の第２の所定間隔の一例である。

【0046】

次に、第２分離工程（Ｓ４０）では、内側分離線Ｌ２を形成した円形ガラス素板２２から、内側分離線Ｌ２よりも内側の部分を抜き出すために、円形ガラス素板２２の加熱を行う。円形ガラス素板２２を加熱する際は、例えば図１０に示されるように、内側分離線Ｌ２よりも外側にヒータ４０を配置し、円形ガラス素板２２の内側分離線Ｌ２よりも外側の外側部分２３を加熱する。なお、内側分離線Ｌ２よりも内側にはヒータを配置しない方が好ましい。この場合、空間を介した熱伝導により、あるいは円形ガラス素板２２を介した熱伝導により、内側分離線Ｌ２よりも内側の内側部分２４も間接的に加熱されるが、円形ガラス素板２２の外側部分２３は、内側部分２４よりも高温で加熱されているといえる。このため、円形ガラス素板２２の外側部分２３の熱膨張量を、内側部分２４の熱膨張量よりも大きくすることができる。この結果、図１１に示されるように、円形ガラス素板２２の外側部分２３は、内側分離線Ｌ２の外側方向に向かって熱膨張する。具体的には、外側部分２３の内周の径（内径）が内側部分２４の外周の径（外径）に比べて大きくなるように、外側部分２３が内側部分２４に対して相対的に熱膨張する。これにより、円形ガラス素板２２の外側部分２３と内側部分２４との界面に隙間が形成され、外側部分２３と内側部分２４とを分離することができる。つまり、円形ガラス素板２２から、内側部分２４を抜き出すことにより、図１に示されるような、中央部分がくり抜かれた円環状のガラス基板１を製造することができる。円形ガラス素板２２の外側部分２３の内周端面は、円環状のガラス基板１の内周端面１３に対応する。なお、第２分離工程（Ｓ４０）においても、外側部分２３と内側部分２４との界面に隙間が形成された状態とは、外側部分２３と内側部分２４との間のいずれの位置においても計測可能な空間が形成されている状態だけではなく、計測可能な空間が得られなくても外側部分２３と内側部分２４の対向する面どうしが物理的又は化学的に結合していない状態も含む。換言すれば、上記界面に隙間が形成された状態には、外側部分２３と内側部分２４との界面に亀裂が形成されて両者が接触している状態も含まれる。

【0047】

なお、磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合、図示は省略するが、第２分離工程（Ｓ４０）の後には、さらに、面取面形成工程、端面研磨工程、主表面研削工程、主表面研磨工程等を含む後処理が行われる。各工程の前後に適宜洗浄工程を追加してもよい。なお、これらの処理のうち主表面研磨工程以外は適宜省略してもよい。

【0048】

面取面形成工程では、円環状のガラス基板１の内周端面１３及び／又は外周端面１２に対して、例えば総型砥石を用いて面取面が形成される。

【0049】

端面研磨工程では、円環状のガラス基板１の内周端面１３及び／又は外周端面１２に対して、例えばブラシ研磨により鏡面仕上げを行う。このとき、酸化セリウムや酸化ジルコニウム等の微粒子を遊離砥粒として含む研磨液が用いられる。端面研磨を行うことにより、サーマルアスペリティの発生などを防止することができる。

【0050】

主表面研削工程では、遊星歯車機構を備えた両面研削装置を用いて、円環状のガラス基板１の主表面１１ａ，１１ｂに対して研削加工を行う。研削による取り代は、例えば数μｍ～数百μｍ程度である。両面研削装置は、上定盤及び下定盤を有しており、上定盤及び下定盤の間に円環状のガラス基板１が挟持される。そして、円環状のガラス基板１と各定盤とを相対的に移動させることにより、円環状のガラス基板１の主表面１１ａ，１１ｂを研削する。定盤としては、例えば、その表面にダイヤモンド等の砥粒が樹脂で固定された固定砥粒を含む研削パッドが貼り付けられているものを使用できる。

【0051】

そして、主表面研磨工程では、主表面研削工程で研削された主表面１１ａ，１１ｂに対して、研磨が行われる。研磨による取り代は、例えば、０．１μｍ～１００μｍ程度である。主表面研磨は、固定砥粒による研削により主表面１１ａ，１１ｂに残留したキズ、歪みの除去、うねりや微小うねりの調整、鏡面化、低粗さ化、などを目的とする。主表面研磨には、例えば、酸化セリウム、ジルコニア、シリカ等を遊離砥粒として含む研磨液を用いることができる。なお、主表面研磨工程は2回以上に分けて実施してもよい。例えば、酸化セリウム又はジルコニアを含む研磨液による粗研磨第１の主表面研磨と、シリカを含む研磨液による第２の主表面研磨と、に分けて実施することができる。

【0052】

次に、以上説明した製造工程に従って製造された円環状のガラス基板１の外周端面１２及び内周端面１３の様子について、図１２（ａ）、（ｂ）を参照しつつ説明する。なお、図１２（ａ）は、外周端面１２のうち図４（ｂ）に示されている部分に対応しており、図１２（ｂ）は内周端面１３のうち図９（ｂ）に示されている部分に対応している。

【0053】

図１２（ａ）に示されるように、円環状のガラス基板１の外周端面１２には、それぞれガラス基板１の厚み方向に延びる複数の溝Ｇが形成されている。各溝は、外側分離線形成工程（Ｓ１０）で形成された欠陥Ｄの一部又はその痕跡が、第１分離工程（Ｓ２０）によって外周端面１２に残ることにより形成されたものである。なお、本発明において、溝には、ガラス基板１の厚み方向に途切れることなく延びるものだけでなく、ガラス基板１の厚み方向の途中で途切れているものも含まれる。円周方向の溝の幅は、例えば２～１０μｍである。図１２（ａ）において、溝Ｇ１～溝Ｇｎはそれぞれ、図４（ｂ）に示される欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｎに対応している。そして、外周端面１２は、溝Ｇ５から溝Ｇｎ－４までの、溝Ｇが昇順に第１の間隔Ｓ１を隔てて形成されている第１の領域と、溝Ｇｎ－４から溝Ｇ５までの、隣り合う二つの溝Ｇが第１の間隔Ｓ１よりも短い間隔を隔てて形成されている第２の領域とを有する。外周端面１２において、第２の領域の周方向の長さは、例えば外周端面１２の周方向の長さの１２．５％以下である。また、図１２（ａ）において、第２の領域において隣り合う二つの溝Ｇの間隔はいずれも、第１の領域において隣り合う二つの溝Ｇの間隔の７０％以下である。

【0054】

図１２（ｂ）に示されるように、円環状のガラス基板１の内周端面１３にも、外周端面１２と同様に、それぞれガラス基板１の厚み方向に延びる複数の溝Ｇが形成されている。各溝は、内側分離線形成工程（Ｓ３０）で形成された欠陥Ｄの一部又はその痕跡が、第２分離工程（Ｓ４０）によって内周端面１３に残ることにより形成されたものである。円周方向の溝の幅は、例えば２～１０μｍである。図１２（ｂ）において、溝Ｇ１～溝Ｇｍはそれぞれ、図９（ｂ）に示される欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｍに対応している。そして、内周端面１３は、溝Ｇ５から溝Ｇｍ－４までの、溝Ｇが昇順に第２の間隔Ｓ２を隔てて形成されている第３の領域と、溝Ｇｍ－４から溝Ｇ５までの、隣り合う二つの溝Ｇが第２の間隔Ｓ２よりも短い間隔を隔てて形成されている第４の領域とを有する。なお、第２の間隔Ｓ２は外周端面１２における第１の間隔Ｓ１よりも短く、第１の間隔Ｓ１の例えば、１０～８０％である。

【0055】

上述した本発明の態様に従う製造方法によれば、外側分離線形成工程（Ｓ１０）において、レーザ光Ｌの照射は、円Ｃ１に沿って１周を超えるまで、即ち、レーザ光Ｌが最初に照射された円Ｃ１上の位置を超えるまで、一定の周期で断続的に行われる。この結果、複数の欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｎは、円Ｃ１に沿って反時計回りにこの順番でほぼ一定の間隔で形成される。このとき、円Ｃ１上には、隣り合う二つの欠陥Ｄがほぼ一定の間隔を隔てて周期的に並ぶ領域（例えば、図４（ｂ）の欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｎ－４までの反時計回りの領域）と、隣り合う二つの欠陥Ｄが前記一定の間隔より短い間隔を隔てて並ぶ領域（例えば、図４（ｂ）の欠陥Ｄｎ－４から欠陥Ｄ５までの反時計回りの領域）とが形成される。このため、仮に、ガラス素板２０に、製造工程における熱履歴の相違等に起因する局所的な歪みが生じていたとしても、第１分離工程（Ｓ２０）において外側部分２１を内側部分２２よりも高温で加熱する際、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄ（例えば、図４（ｂ）の欠陥Ｄ４と欠陥Ｄｎ）は、他の等間隔で並ぶ二つの欠陥Ｄ（例えば、図４（ｂ）の欠陥Ｄ５と欠陥Ｄ６）よりも亀裂でつながりやすい。換言すると、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄの間には、他の等間隔で並ぶ二つの欠陥Ｄの間よりも、亀裂や隙間が形成されやすい。ガラスは脆性材料であるため、ひとたび亀裂が生じると、容易に伝搬していく性質がある。このため、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄの間に形成された亀裂や隙間を起点として、常に安定して亀裂や隙間が円Ｃ１の円周に沿って延びていくことにより、外側部分２１と内側部分２２との間に、円Ｃ１の全周にわたって確実に亀裂や隙間を形成することができる。従って、ガラス素板２０の外側部分２１と内側部分２２とを確実に分離することができる。

【0056】

さらに、内側分離線形成工程（Ｓ３０）においても、外側分離線工程（Ｓ１０）と同様に、レーザ光Ｌの照射は、円Ｃ２に沿って１周を超えるまで、即ち、レーザ光Ｌが最初に照射された円Ｃ２上の位置を超えるまで、一定の周期で断続的に行われる。この結果、複数の欠陥Ｄ１～欠陥Ｄｍは、円Ｃ２に沿って反時計回りにこの順番でほぼ一定の間隔で形成される。このとき、円Ｃ２上には、隣り合う二つの欠陥Ｄがほぼ一定の間隔を隔てて周期的に並ぶ領域（例えば、図９（ｂ）の欠陥Ｄ５から欠陥Ｄｍ－４までの反時計回りの領域）と、隣り合う二つの欠陥Ｄが前記一定の間隔より短い間隔を隔てて並ぶ領域（例えば、図９（ｂ）の欠陥Ｄｍ－４から欠陥Ｄ５までの反時計回りの領域）とが形成される。このため、仮に、円形ガラス素板２２に、製造工程における熱履歴の相違等に起因する局所的な歪みが生じていたとしても、第２分離工程（Ｓ４０）において円形ガラス素板２２の外側部分２３を内側部分２４よりも高温で加熱する際、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄ（例えば、図９（ｂ）の欠陥Ｄ４と欠陥Ｄｍ）は、他の等間隔で並ぶ二つの欠陥Ｄ（例えば、図９（ｂ）の欠陥Ｄ５と欠陥Ｄ６）よりも亀裂でつながりやすい。換言すると、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄの間には、他の等間隔で並ぶ二つの欠陥Ｄの間よりも、亀裂や隙間が形成されやすい。このため、短い間隔で隣り合う二つの欠陥Ｄの間に形成された亀裂や隙間を起点として、常に安定して亀裂や隙間が円Ｃ２の円周に沿って延びていくことにより、円形ガラス素板２２の外側部分２３と内側部分２４との間に、円Ｃ２の全周にわたって確実に亀裂や隙間を形成することができる。従って、円形ガラス素板２２の外側部分２３と内側部分２４とを確実に分離することができる。

【0057】

つまり、本発明の態様に従う製造方法によれば、上記の各工程を経ることにより、ガラス素板２０から円環状のガラス基板１を確実に分離することができる。

【0058】

また、本発明の態様に従う製造方法によれば、外側分離線形成工程（Ｓ１０）において、レーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度を変えることなく、円Ｃ１に沿って１周を超えるまで行われる。つまり、レーザ光Ｌのパルス照射の周期の設定や相対速度の設定を変える必要がない。このため、隣り合う二つの欠陥Ｄがほぼ一定の間隔を隔てて周期的に並ぶ領域と、隣り合う二つの欠陥Ｄが前記一定の間隔より短い間隔を隔てて並ぶ領域とを、簡便な方法で形成することができる。

【0059】

さらに、内側分離線形成工程（Ｓ３０）においても、レーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度を変えることなく、円Ｃ２に沿って１周を超えるまで行われる。つまり、レーザ光Ｌのパルス照射の周期の設定や相対速度の設定を変える必要がない。このため、隣り合う二つの欠陥Ｄがほぼ一定の間隔を隔てて周期的に並ぶ領域と、隣り合う二つの欠陥Ｄが前記一定の間隔より短い間隔を隔てて並ぶ領域とを、簡便な方法で形成することができる。

【0060】

また、本発明の態様に従う製造方法によれば、リリースラインを用いることなく、ガラス素板から所望の円盤状ガラス基板を抜き出す（即ち、くり抜く）ことができる。リリースラインとは、母材となるガラス板から所望の閉形状のガラス部分を取り出しやすくするために、分離線の外側の領域を分割可能なように設けられる分離線とは別の分断線であり、例えば、上記分離線と同様に複数の欠陥を含むように形成される。これにより、分離線の外側を加熱して分離線の内外で隙間を形成する必要がなくなるが、いくつかデメリットもある。本発明の態様に従う製造方法ではリリースラインを用いないため、余計なガラス屑の発生を防止でき、分離後の残部（不要部分）の取り扱いが容易である。また、ガラス素板から所望の円盤状ガラス基板をくり抜くことは、難易度が非常に高い。その理由としては、ガラスは一般的に加熱されにくい上に線膨張係数が小さいこと、円形のマンホールが落下しないのと同様に分離線の内外でひっかかりやすいことなどが挙げられる。本発明の態様に従う製造方法によれば、簡便な方法で、より確実に、ガラス素板から所望の円盤状ガラス基板をくり抜くことができる。

【0061】

（実施例）
本実施形態の外側分離線形成工程（Ｓ１０）を、下記表１に示されるように条件を変えながら実施した。そして、外側分離線Ｌ１が形成されたガラス板に対して、本実施形態の第１分離工程（Ｓ２０）を同じ条件で行い、不良発生率を検証した。なお、ガラス素板２０としては、オーバーフローダウンドロー法により製造されたガラス板を分割して得た、縦横１１０×１１０ｍｍ、板厚０．７ｍｍの正方形のガラス板材を用いた。そして、ガラス素板２０に、直径９８ｍｍの外側分離線Ｌ１を形成した。レーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌとガラス素板２０の相対速度を変えることなく、欠陥Ｄが所定間隔を隔てて連続して形成されるように実施した。そして、分離失敗とチッピングの合計発生率を、不良発生率（％）とした。不良発生率（％）は、それぞれの条件について１０００回以上第１分離工程（Ｓ２０）を行い算出した。下記表１において、「所定間隔」は、連続した２つのパルス照射で形成された隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔を意味する。また、「最初の欠陥と２周目の最初の欠陥との間隔」は、例えば図４（ｂ）に示される欠陥Ｄ１と欠陥Ｄｎ－３との間隔のように、１周目の最初の照射により形成された欠陥Ｄと、２周目の最初の照射により形成された欠陥Ｄとの間隔を意味する。また、「不良発生率（ランク）」では、比較例１の不良発生率を基準（「Ｃ」と表記）として比をとり、不良発生率が比較例１の９５％以上１００％未満である場合を「Ｂ」と表記し、不良発生率が比較例１の９５％未満である場合を「Ａ」と表記している。つまり、不良発生率が低く最も良好なのが「Ａ」であり、次に良好なのが「Ｂ」である。

【0062】

【表1】

【0063】

上記表１に示される結果から、最初の欠陥と２周目の最初の欠陥との間隔が所定間隔の７０％以下である場合（実施例２～４）、７０％を超えている場合（実施例１）と比べて、不良発生率が低く、良好であることが分る。また、円周長に対する第２の領域の割合が１２．５％以下である場合（実施例５～８）、１２．５％を超えている場合（実施例９）と比べて、不良発生率が低く、良好であることが分る。なお、第１分離工程（Ｓ２０）により分離された円形ガラス素板（直径９８ｍｍ、板厚０．７ｍｍ）の外周端面をレーザ顕微鏡で観察したところ、厚み方向に延びる複数の溝が存在し、それぞれの実施例において、第１の領域と第２の領域とが形成されていた。各溝の幅は３μｍであった。

【0064】

続いて、上記表１の実施例４の条件でさらに製造して得られた円形ガラス素板の良品に対して、本実施形態の内側分離線形成工程（Ｓ３０）を、下記表２に示されるように条件を変えながら実施した。そして、内側分離線Ｌ２が形成された円形ガラス素板に対して、本実施形態の第２分離工程（Ｓ４０）を同じ条件で行い、不良発生率を検証した。内側分離線形成工程（Ｓ３０）では、直径９８ｍｍの円形ガラス素板に、直径２４ｍｍの内側分離線Ｌ２を形成した。レーザ光Ｌの照射は、レーザ光Ｌのパルス照射の周期及びレーザ光Ｌと円形ガラス素板の相対速度を変えることなく、欠陥Ｄが所定間隔を隔てて連続して形成されるように実施した。そして、分離失敗とチッピングの合計発生率を、不良発生率（％）とした。不良発生率（％）は、それぞれの条件について１０００回以上第２分離工程（Ｓ４０）を行い算出した。下記表２において、「所定間隔」及び「最初の欠陥と２周目の最初の欠陥との間隔」の意味は、上記表１と同様である。また、「不良発生率（ランク）」では、比較例２の不良発生率を基準（「Ｃ」と表記）として比をとり、不良発生率が比較例２の９５％未満である場合を「Ａ」と表記している。

【0065】

【表2】

【0066】

上記表２に示されるように、実施例１０及び実施例１１の不良発生率はいずれもランク「Ａ」であった。但し、細かく比較したところ、所定間隔が、外側分離線形成工程（Ｓ１０）における所定間隔（１０μｍ）よりも小さい実施例１１の方が、僅かに良好であった。なお、第２分離工程（Ｓ４０）により分離された円環状ガラス基板（外径９８ｍｍ、内径２４ｍｍ、板厚０．７ｍｍ）の内周端面をレーザ顕微鏡で観察したところ、厚み方向に延びる複数の溝が存在し、それぞれの実施例において、第３の領域と第４の領域とが形成されていた。各溝の幅は３μｍであった。

【0067】

さらに、上記表２の実施例１０及び１１の条件でさらに製造して得られた円環状ガラス基板の良品に対して、本実施形態の面取面形成工程、端面研磨工程、主表面研削工程、主表面研磨工程、及び洗浄工程を順次行うことにより、外径９７ｍｍ、内径２５ｍｍ、板厚０．５ｍｍの、磁気ディスク用ガラス基板を得た。

【0068】

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、請求の範囲に記載した限りにおいて様々な変更が可能である。以下、上記実施形態の変形例について説明する。

【0069】

上記実施形態では、外側分離線形成工程（Ｓ１０）及び内側分離線形成工程（Ｓ３０）において、レーザ光Ｌの照射は、円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って１周を超えるまで、一定の周期で断続的に行ったが、これには限られない。例えば、ステージＴの移動や回転の速度を変えながら、レーザ光Ｌを円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って一定の周期で１周だけ照射してもよい。この場合、ステージＴの速度が低速であれば、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔は狭くなるが、ステージＴの速度が高速であれば、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔は広くなる。そこで、外側分離線形成工程（Ｓ１０）において、ステージＴの速度を高速にすることで、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域を形成し、ステージＴの速度を低速にすることで、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔より短い間隔を隔てて周期的に形成される第２の領域を形成してもよい。同様に、内側分離線形成工程（Ｓ３０）において、ステージＴの速度を高速にすることで、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔を隔てて周期的に形成される第３の領域を形成し、ステージＴの速度を低速にすることで、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔より短い間隔を隔てて周期的に形成される第４の領域を形成してもよい。この場合、第１の間隔より短い間隔は、第１の間隔の７０％以下であることが好ましい。こうすることで、第１の間隔より十分短い間隔で欠陥Ｄが連続するため、その後の分離工程（Ｓ２０）において亀裂が形成されるきっかけとなり、分離の失敗やチッピングが減りやすい。また、第２の間隔より短い間隔は、上記と同じ理由により、第２の間隔の７０％以下であることが好ましい。また、上記実施形態と同様の理由から、第２の領域は、円Ｃ１の周上で一箇所であることが好ましく、第４の領域は、円Ｃ２の周上で一箇所であることが好ましい。また第２の領域の長さは、円Ｃ１の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましく、第４の領域の長さは、円Ｃ２の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましい。

【0070】

あるいは、ステージＴの移動や回転の速度を一定に保ちつつ、レーザ光Ｌを円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って照射周期を変えながら１周だけ照射してもよい。この場合、レーザ光Ｌの照射周期が短ければ、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔は狭くなるが、レーザ光Ｌの照射周期が長ければ、隣り合う二つの欠陥Ｄの間隔は広くなる。そこで、外側分離線形成工程（Ｓ１０）において、レーザ光Ｌの照射周期を長くすることで、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域を形成し、レーザ光Ｌの照射周期を短くすることで、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔より短い間隔を隔てて周期的に形成される第２の領域を形成してもよい。同様に、内側分離線形成工程（Ｓ３０）において、レーザ光Ｌの照射周期を長くすることで、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔を隔てて周期的に形成される第３の領域を形成し、レーザ光Ｌの照射周期を短くすることで、隣り合う二つの欠陥が第２の間隔より短い間隔を隔てて周期的に形成される第４の領域を形成してもよい。この場合、第１の間隔より短い間隔は、上記と同様の理由で第１の間隔の７０％以下であることが好ましい。また、第２の間隔より短い間隔は、上記と同様の理由で第２の間隔の７０％以下であることが好ましい。また、上記実施形態と同様の理由から、第２の領域は、円Ｃ１の周上で一箇所であることが好ましく、第４の領域は、円Ｃ２の周上で一箇所であることが好ましい。また第２の領域の長さは、円Ｃ１の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましく、第４の領域の長さは、円Ｃ２の円周の長さの１２．５％以下であることが好ましい。

【0071】

上記実施形態では、第１分離工程（Ｓ２０）の後に、内側分離線形成工程（Ｓ３０）を行ったが、これには限られない。例えば、外側分離線形成工程（Ｓ１０）を行った後、第１分離工程（Ｓ２０）を行う前に、内側分離線形成工程（Ｓ３０）を行ってもよく、外側分離線形成工程（Ｓ１０）を行う前に内側分離線形成工程（Ｓ３０）を行ってもよい。また、外側分離線形成工程（Ｓ１０）と内側分離線形成工程（Ｓ３０）とを同時に行うことにより、外側分離線Ｌ１と内側分離線Ｌ２とを同時に形成してもよい。この場合、レーザ光Ｌは、円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って同時に照射される。

【0072】

上記実施形態では、外側分離線形成工程（Ｓ１０）及び内側分離線形成工程（Ｓ３０）において、レーザ光Ｌの照射を、レーザ光Ｌの照射位置を固定し、ステージＴを一定速度で移動又は回転させることによりステージＴ上のガラス素板を移動又は回転させながら行ったが、これには限られない。例えば、レーザ光源及び光学系３０に設けたマイクロミラーデバイスなどの光学系を駆動させて、光束を周期的に偏向させることにより、ステージＴに固定されたガラス素板に対して、レーザ光Ｌを移動させながら照射してもよい。

【0073】

上記実施形態では、外側分離線形成工程（Ｓ１０）及び内側分離線形成工程（Ｓ３０）において、複数の欠陥Ｄを、円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って反時計回りに形成したが、円Ｃ１及び円Ｃ２に沿って時計回りに形成してもよい。

【0074】

上記実施形態では、第１分離工程（Ｓ２０）及び第２分離工程（Ｓ４０）において、分離線よりも外側にヒータ４０を配置し、分離線よりも内側にはヒータ４０を配置しなかったが、これには限られない。分離が可能な程度に分離線よりも外側の部分を内側の部分よりも高温で加熱することができれば、分離線よりも内側にヒータを配置し、内側の部分を加熱してもよい。

【0075】

上記実施形態では、ガラス基板は磁気ディスク用ガラス基板を例に挙げて説明したが、これに限らず任意の用途の円環状のガラス基板に適用することができ、例えば、半導体用基板のような、内周円（円孔）のない円盤状のガラス基板にも適用できる。この場合、円盤状ガラス基板の製造方法は、ガラス素板の表面に所定の円に沿ってレーザ光を照射することにより、前記ガラス素板に、前記所定の円に沿って複数の欠陥を含む分離線を形成することと、前記分離線が形成されたガラス素板の、前記分離線の外側の部分を、前記分離線の内側の部分よりも高温で加熱することにより、前記外側の部分と前記内側の部分とを分離することと、を含み、前記分離線は、隣り合う二つの欠陥が第１の間隔を隔てて周期的に形成される第１の領域と、隣り合う二つの欠陥が前記第１の間隔より短い間隔を隔てて形成される第２の領域とを含む。

【符号の説明】

【0076】

１ ガラス基板
１１ａ，１１ｂ 主表面
１２ 外周端面
１３ 内周端面
２０ ガラス素板
２１ 外側部分
２２ 内側部分（円形ガラス素板）
２３ 外側部分
２４ 内側部分
３０ レーザ光源及び光学系
４０ ヒータ
Ｌ レーザ光
Ｄ１～Ｄｎ 欠陥
Ｇ１～Ｇｎ 溝
Ｃ１，Ｃ２ 円
Ｌ１ 外側分離線
Ｌ２ 内側分離線

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】