特開 2024-57334 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024057334

(43)【公開日】2024-04-24

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20240417BHJP

   G09G 3/3225 20160101ALI20240417BHJP

   G09G 3/20 20060101ALI20240417BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240417BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240417BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20240417BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20240417BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20240417BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20240417BHJP

【ＦＩ】

H05B33/22 Z

G09G3/3225

G09G3/20 680G

G09G3/20 642F

G09G3/20 670E

G09F9/30 365

G09F9/30 309

G09F9/00 366G

H05B33/14 A

H01L27/32

H05B33/12 B

H05B33/04

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022163997

(22)【出願日】2022-10-12

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】三宅 秀和

(72)【発明者】

【氏名】徳田 尚紀

【テーマコード（参考）】

3K107

5C080

5C094

5C380

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC31

3K107CC41

3K107DD89

3K107EE07

3K107EE46

3K107EE50

3K107EE68

5C080AA06

5C080BB05

5C080CC03

5C080DD04

5C080DD05

5C080DD09

5C080DD14

5C080DD17

5C080EE28

5C080FF11

5C080HH09

5C080JJ02

5C080JJ06

5C080JJ07

5C080KK04

5C080KK07

5C080KK20

5C080KK43

5C094AA60

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA07

5C094FA01

5C094FA02

5C094HA05

5C094HA08

5C380AA01

5C380AB06

5C380AB11

5C380AB28

5C380AB34

5C380AB36

5C380AB37

5C380AB41

5C380AB42

5C380AC07

5C380AC08

5C380AC11

5C380AC12

5C380AC13

5C380BA43

5C380BB05

5C380CC02

5C380CC27

5C380CC33

5C380CC62

5C380CC77

5C380CD012

5C380CF68

5C380DA19

5C380FA05

5C380FA18

5C380HA10

5G435AA00

5G435BB05

5G435CC09

5G435EE49

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】 表示領域の透光性を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、複数の表示素子と、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む。前記隔壁は、導電性の下部、および、前記下部の側面から突出した上部を含む。さらに、前記隔壁は、前記下部および前記上部を貫通する開口を有している。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む複数の表示素子と、
導電性の下部、および、前記下部の側面から突出した上部を含み、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、
を備え、
前記隔壁は、前記下部および前記上部を貫通する開口を有している、
表示装置。

【請求項2】

前記隔壁は、
第１方向に延びる第１隔壁と、
前記第１隔壁に接続され、前記第１方向と交差する第２方向に延びる第２隔壁と、
を含み、
前記開口は、前記第１隔壁と前記第２隔壁の交点に設けられている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記上電極および前記有機層の一部が前記開口の内側に配置されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記上電極および前記有機層が前記開口の内側に配置されていない、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項5】

前記複数の表示素子の各々を個別に覆う複数の第１封止層と、
前記複数の第１封止層を連続的に覆う第２封止層と、
をさらに備える、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記開口の内面が前記第１封止層または前記第２封止層により覆われている、
請求項５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記複数の表示素子の各々を囲う絶縁性のリブをさらに備え、
前記下電極の端部は、前記リブにより覆われ、
前記隔壁は、前記リブの上に配置され、
前記開口は、平面視において前記下電極と重ならない位置に設けられている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項8】

前記開口は、円形である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項9】

前記開口は、多角形状である、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項10】

前記開口は、直線状に延びるスリットである、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項11】

平面視において前記開口と重なり、前記開口を通る光を検出する受光素子をさらに備える、
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項12】

前記受光素子が出力する信号に基づき、前記複数の表示素子の輝度を調整するコントローラをさらに備える、
請求項１１に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。この表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。

【0003】

複数の表示素子が配置される表示領域に重ねて、環境光を検出するセンサやカメラなどの受光素子が配置されることがある。このような場合、表示領域の光透過率が低いと、受光素子の検出精度が低下し得る。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、表示領域の透光性を高めた表示装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、複数の表示素子と、前記複数の表示素子の各々を囲う隔壁と、を備えている。前記複数の表示素子は、下電極、前記下電極に対向する上電極、および、前記下電極と前記上電極の間に配置され、前記下電極と前記上電極の電位差に応じて発光する有機層をそれぞれ含む。前記隔壁は、導電性の下部、および、前記下部の側面から突出した上部を含む。さらに、前記隔壁は、前記下部および前記上部を貫通する開口を有している。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、図２中のIV－IV線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図5】図５は、表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図6】図６は、表示装置の製造工程の一部を示す概略的な断面図である。

【図7】図７は、図６に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図8】図８は、図７に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図9】図９は、図８に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図10】図１０は、図９に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図11】図１１は、図１０に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図12】図１２は、図１１に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図13】図１３は、図１２に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図14】図１４は、図１３に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図15】図１５は、図１４に続く製造工程を示す概略的な断面図である。

【図16】図１６は、第２実施形態に係る表示装置の概略的な断面図である。

【図17】図１７は、第３実施形態に係る開口を示す概略的な平面図である。

【図18】図１８は、第４実施形態に係る開口の一例を示す概略的な平面図である。

【図19】図１９は、第４実施形態に係る開口の他の例を示す概略的な平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚは、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面に対して法線方向である。また、第１方向Ｘと第２方向Ｙを含む平面と平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。

【0012】

本実施形態においては、平面視における表示パネルＰＮＬの形状が長方形である。ただし、表示パネルＰＮＬの平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形あるいは楕円形などの他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、青色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２および赤色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。表示素子ＤＥは、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0016】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限らない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0017】

表示装置ＤＳＰは、受光素子ＲＣと、コントローラＣＴとをさらに備えている。受光素子ＲＣは、例えば環境光を検出する調光センサ（環境光センサ）であり、検出した光に応じた検出信号を出力する。ただしこの例に限られず、受光素子ＲＣは、カメラなどの他種の要素であってもよい。

【0018】

受光素子ＲＣは、例えば表示パネルＰＮＬの裏面側に配置され、表示領域ＤＡと重なっている。受光素子ＲＣは、例えば１つの画素ＰＸよりも大きいサイズを有している。この場合においては、受光素子ＲＣが複数の画素ＰＸと重なる。

【0019】

コントローラＣＴは、画素回路への信号供給など、表示領域ＤＡに画像を表示させるための各種の動作を実行する。受光素子ＲＣが調光センサである場合、コントローラＣＴは、受光素子ＲＣからの検出信号に基づいて、表示領域ＤＡに表示する画像の輝度を調整する。具体的には、コントローラＣＴは、外光（環境光）が強いほど画像の輝度を高め、外光が弱いほど画像の輝度を下げる。コントローラＣＴは、表示パネルＰＮＬに実装されてもよいし、表示パネルＰＮＬに接続されたフレキシブル回路基板や当該フレキシブル回路基板に接続された剛性基板に実装されてもよい。

【0020】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２が第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰ１，ＳＰ３も第１方向Ｘに並んでいる。また、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに並んでいる。

【0021】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、複数の副画素ＳＰ１が第２方向Ｙに繰り返し配置された列と、副画素ＳＰ２，ＳＰ３が第２方向Ｙに交互に配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

【0022】

なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られない。他の例として、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３が第１方向Ｘに並んでいてもよい。

【0023】

表示領域ＤＡには、絶縁性のリブ５および導電性の隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きく、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きい。

【0024】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0025】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層をさらに含んでもよい。リブ５は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を囲っている。

【0026】

隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。隔壁６は、第１方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。

【0027】

複数の第１隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う２つの画素開口ＡＰ１の間、および、第２方向Ｙに隣り合う画素開口ＡＰ２，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ２の間、および、第１方向Ｘに隣り合う画素開口ＡＰ１，ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。

【0028】

図２の例においては、第１隔壁６ｘおよび第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３および画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0029】

隔壁６は、複数の開口Ｈを有している。開口Ｈは、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３よりも十分に小さい。本実施形態においては、各開口Ｈの平面視における形状が正円形である。ただし、開口Ｈの形状はこの例に限られず、楕円形や多角形状であってもよい。また、複数の開口Ｈの全てが図示したように同一形状である必要はなく、複数の異なる形状の開口Ｈが設けられてもよい。

【0030】

図２の例においては、各開口Ｈが画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と独立している。他の例として、複数の開口Ｈの少なくとも１つが画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と繋がっていてもよい。

【0031】

図２の例においては、各開口Ｈが第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙの交点に設けられている。開口Ｈは、表示領域ＤＡに存在する複数の交点の全てに設けられてもよいし、これら交点の一部に設けられてもよい。

【0032】

表示領域ＤＡにおいて開口Ｈが一様に配置されていない場合、ユーザが表示領域ＤＡを見たときにムラを感じる可能性がある。そこで、開口Ｈは、表示領域ＤＡの全体に均一の密度で配置されることが好ましい。他の例として、開口Ｈは、受光素子ＲＣと重なる領域に設けられ、その周囲の領域には設けられていなくてもよい。

【0033】

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示パネルＰＮＬは、基板１０と、基板１０の上に配置された回路層１１と、回路層１１を覆う有機絶縁層１２とを備えている。

【0034】

回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

【0035】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２の上に配置されている。図３の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３それぞれの画素回路１に接続されている。

【0036】

リブ５は、有機絶縁層１２および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に配置されている。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端部は、リブ５により覆われている。

【0037】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、図３においては上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0038】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。

【0039】

図３の例においては、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が配置され、上電極ＵＥ２の上にキャップ層ＣＰ２が配置され、上電極ＵＥ３の上にキャップ層ＣＰ３が配置されている。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を担う。

【0040】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む積層体を薄膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む積層体を薄膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む積層体を薄膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0041】

薄膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、薄膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、薄膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、薄膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は薄膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0042】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を個別に覆う第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３がそれぞれ配置されている。第１封止層ＳＥ１１は、薄膜ＦＬ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１２は、薄膜ＦＬ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。第１封止層ＳＥ１３は、薄膜ＦＬ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0043】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１，ＦＬ２が離間している。副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の薄膜ＦＬ１，ＦＬ３も離間している。

【0044】

また、図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上に位置する第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２の端部同士が離間している。副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上に位置する第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１３の端部同士も離間している。

【0045】

第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３は、第２封止層ＳＥ２により連続的に覆われている。この第２封止層ＳＥ２により、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３がより確実に封止され、水分に対する耐性が向上する。

【0046】

第２封止層ＳＥ２は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、第３封止層ＳＥ３により覆われている。第２封止層ＳＥ２、樹脂層１３および第３封止層ＳＥ３は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0047】

第３封止層ＳＥ３の上にさらに樹脂層や封止層が配置されてもよい。また、第３封止層ＳＥ３の上方に光学素子、保護フィルム、カバーガラスまたはタッチパネルなどの他の基板が配置され、この基板がＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの透明な接着層を介して第３封止層ＳＥ３に接着されてもよい。

【0048】

受光素子ＲＣは、基板１０の下方に配置されている。受光素子ＲＣは、例えば表示パネルＰＮＬを保持するフレームや筐体によって支持されている。受光素子ＲＣと基板１０の間に透光性を有する絶縁層や導電層が配置されてもよい。

【0049】

基板１０は、例えばガラスで形成されている。基板１０は、可撓性を有する透明な樹脂材料で形成されてもよい。有機絶縁層１２は、有機絶縁材料で形成されている。

【0050】

リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３は、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料で形成されている。リブ５、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３、第２封止層ＳＥ２および第３封止層ＳＥ３は、異なる種類の無機絶縁材料で形成されてもよい。リブ５は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されてもよい。樹脂層１３は、例えばアクリル樹脂などの樹脂材料で形成されている。

【0051】

下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３は、例えば銀（Ａｇ）で形成された中間層と、この中間層の上面および下面をそれぞれ覆う一対の導電性酸化物層とを有している。各導電性酸化物層は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電性酸化物で形成することができる。

【0052】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0053】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層の積層構造を有している。有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造を有してもよい。

【0054】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜および有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の材料とは異なり、また、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３の材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は省略されてもよい。

【0055】

隔壁６の下部６１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）によって形成されている。下部６１は、アルミニウム－ネオジム（ＡｌＮｄ）などのアルミニウム合金によって形成されてもよいし、アルミニウム層とアルミニウム合金層の積層構造を有してもよい。さらに、下部６１は、アルミニウム層またはアルミニウム合金層の下に、アルミニウムやアルミニウム合金とは異なる金属材料で形成された薄膜を有してもよい。このような薄膜は、例えばモリブデン（Ｍｏ）によって形成することができる。

【0056】

隔壁６の上部６２は、例えばチタン（Ｔｉ）などの金属材料で形成された薄膜と、ＩＴＯなどの導電性酸化物で形成された薄膜との積層構造を有している。上部６２は、チタンなどの金属材料の単層構造を有してもよい。また、上部６２は、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３とは異なる無機絶縁材料の単層構造または積層構造を有してもよい。

【0057】

隔壁６には共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３には、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0058】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0059】

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0060】

図４は、図２中のIV－IV線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、樹脂層１３および第３封止層ＳＥ３を省略している。

【0061】

隔壁６の下部６１は、側面ＳＦを有している。上部６２は、側面ＳＦよりも突出している。上電極ＵＥ１は、側面ＳＦに接触している。側面ＳＦのうち上電極ＵＥ１により覆われていない部分は、第１封止層ＳＥ１１により覆われている。

【0062】

開口Ｈは、下部６１および上部６２を貫通している。すなわち、開口Ｈは、下部６１および上部６２のそれぞれに設けられた孔を含む。下部６１は、開口Ｈにおいて内面ＩＦを有している。上部６２は、内面ＩＦよりも開口Ｈの内側に突出している。

【0063】

図４の例では、開口Ｈの右方においては上部６２の上に薄膜ＦＬ１が配置され、開口Ｈの左方においては上部６２の上に薄膜ＦＬ２が配置されている。薄膜ＦＬ１，ＦＬ２は、開口Ｈの内側にも配置されている。開口Ｈの内側に配置された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２は、上部６２の上に配置された薄膜ＦＬ１，ＦＬ２と離間している。

【0064】

開口Ｈの内側に配置された薄膜ＦＬ１は、第１封止層ＳＥ１１により覆われている。同様に、開口Ｈの内側に配置された薄膜ＦＬ２は、第１封止層ＳＥ１２により覆われている。第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２は、内面ＩＦも覆っている。

【0065】

開口Ｈの内側の少なくとも一部は、第２封止層ＳＥ２により満たされている。第２封止層ＳＥ２は、開口Ｈの内側の第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２を連続的に覆っている。

【0066】

下電極ＬＥ１の端部ＥＰは、例えば下部６１の下方に位置し、リブ５により覆われている。開口Ｈは、平面視において下電極ＬＥ１と重ならない位置に設けられることが好ましい。図４の例においては、端部ＥＰが開口Ｈと画素開口ＡＰ１の間に位置している。この場合には、開口Ｈの全体が下電極ＬＥ１と重ならない。他の例として、開口Ｈの一部が下電極ＬＥ１と重なってもよい。

【0067】

受光素子ＲＣは、平面視において少なくとも１つの開口Ｈと重なっている。受光素子ＲＣは、表示パネルＰＮＬを透過する外光を検出する。下電極ＬＥ１や隔壁６は、遮光性を有している。そのため、表示素子ＤＥ１に入射する光Ｌ１は、その殆どが表示パネルＰＮＬによって遮光される。光Ｌ１は、下電極ＬＥ１の端部ＥＰと隔壁６の間を通って受光素子ＲＣに入射し得る。しかしながら、この光は極めて弱いものとなる。

【0068】

一方で、開口Ｈに向かう光Ｌ２は、隔壁６および下電極ＬＥ１で遮光されずに表示パネルＰＮＬを透過する。受光素子ＲＣは、この光Ｌ２を検出し、その強度や色度に応じた検出信号を出力する。

【0069】

図２に示した回路層１１に含まれる配線（走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよび電源線ＰＬ等）が隔壁６の下方に位置する場合、開口Ｈは、当該配線よりも幅が大きいことが好ましい。これにより、開口Ｈと配線が重なる場合であっても、表示パネルＰＮＬを透過する光の強度を高めることができる。

【0070】

なお、図４においては主に副画素ＳＰ１を囲う隔壁６とその近傍の構造を示したが、副画素ＳＰ２，ＳＰ３を囲う隔壁６とその近傍の構成も図４の例と同様である。すなわち、複数の開口Ｈは、薄膜ＦＬ３や第１封止層ＳＥ１３が内側に配置された開口Ｈを含む。また、好ましくは各開口Ｈが下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のいずれとも重なっていない。

【0071】

続いて、表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。
図５は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。図６乃至図１５は、それぞれ表示装置ＤＳＰの製造工程の一部を示す概略的な断面図である。図６乃至図１５においては、基板１０および回路層１１を省略している。

【0072】

表示装置ＤＳＰを製造するにあたっては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程Ｐ１）。さらに、有機絶縁層１２の上に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程Ｐ２）。

【0073】

工程Ｐ２の後、図６に示すように、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および有機絶縁層１２の上にリブ５が形成される（工程Ｐ３）。さらに、リブ５の上に隔壁６が形成される（工程Ｐ４）。なお、リブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は、隔壁６の前に形成されてもよいし、隔壁６の後に形成されてもよい。

【0074】

工程Ｐ４においては、先ず図７に示すように、リブ５および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の上に下部６１の基となる金属層６１ａが形成され、金属層６１ａの上に上部６２の基となる薄膜６２ａが形成される。さらに、隔壁６の形状に応じたレジストＲ１が薄膜６２ａの上に形成される。レジストＲ１は、開口Ｈが形成される各位置に設けられた開口Ｈａを有している。

【0075】

レジストＲ１の形成後、図８に示すように、薄膜６２ａのうちレジストＲ１から露出した部分が例えばウェットエッチングにより除去される。これにより、上部６２が形成される。

【0076】

続いて異方性のドライエッチングが行われ、図９に示すように、金属層６１ａのうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。なお、このドライエッチングにおいて、金属層６１ａのうちレジストＲ１から露出した部分が薄く残されてもよい。

【0077】

続いて等方性のウェットエッチングが行われ、図１０に示すように金属層６１ａの側面が侵食される。これにより、上部６２よりも後退した側面を有する下部６１が形成され、隔壁６が完成する。レジストＲ１の開口Ｈａの下方には、図８乃至図１０に示した一連のエッチングにより隔壁６の開口Ｈが形成される。隔壁６が完成した後、図１１に示すようにレジストＲ１が剥離液によって除去される。

【0078】

工程Ｐ４の後、表示素子ＤＥ１が形成される（工程Ｐ５）。具体的には、図１２に示すように、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３、リブ５および隔壁６の上に有機層ＯＲ１が蒸着によって形成され（工程Ｐ１１）、有機層ＯＲ１の上に上電極ＵＥ１が蒸着によって形成され（工程Ｐ１２）、上電極ＵＥ１の上にキャップ層ＣＰ１が蒸着によって形成される（工程Ｐ１３）。さらに、第１封止層ＳＥ１１がＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される（工程Ｐ１４）。

【0079】

なお、工程Ｐ１１は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層など、有機層ＯＲ１を構成する薄膜を順次形成する工程を含む。また、工程Ｐ１３は、キャップ層ＣＰ１を構成する複数の薄膜を順次形成する工程を含む。

【0080】

有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に対して形成され、副画素ＳＰ１だけでなく副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも配置されている。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１は、開口Ｈの内側にも形成される。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、オーバーハング状の隔壁６によって分断される。

【0081】

工程Ｐ１４の後、図１３に示すように、第１封止層ＳＥ１１の上にレジストＲ２が形成される（工程Ｐ１５）。レジストＲ２は、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。

【0082】

その後、図１４に示すように、レジストＲ２をマスクとして有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１がパターニングされる（工程Ｐ１６）。この工程には、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１、キャップ層ＣＰ１および第１封止層ＳＥ１１のうち、レジストＲ２から露出した部分を順次除去するドライエッチングやウェットエッチングが含まれる。

【0083】

工程Ｐ１６の後、レジストＲ２が剥離液によって除去されるとともに、アッシングによってレジストＲ２などの残渣が除去される（工程Ｐ１７）。これにより、図１５に示すように、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１１が形成された基板を得ることができる。

【0084】

表示素子ＤＥ１の形成後、表示素子ＤＥ２が形成される（工程Ｐ６）。表示素子ＤＥ２を形成する手順は工程Ｐ１１乃至Ｐ１７と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１４と同様に、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２が蒸着によって順に形成され、第１封止層ＳＥ１２がＣＶＤによって形成される。

【0085】

その後、工程Ｐ１５と同様に第１封止層ＳＥ１２の上にレジストが配置され、工程Ｐ１６と同様に有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２、キャップ層ＣＰ２および第１封止層ＳＥ１２がパターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１７と同様にレジストが除去される。

【0086】

以上の工程を経ると、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および第１封止層ＳＥ１２が形成された基板を得ることができる。

【0087】

表示素子ＤＥ２の形成後、表示素子ＤＥ３が形成される（工程Ｐ７）。表示素子ＤＥ３を形成する手順は工程Ｐ１１乃至Ｐ１７と同様である。すなわち、工程Ｐ１１乃至Ｐ１４と同様に、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３が蒸着によって順に形成され、第１封止層ＳＥ１３がＣＶＤによって形成される。

【0088】

その後、工程Ｐ１５と同様に第１封止層ＳＥ１３の上にレジストが配置され、工程Ｐ１６と同様に有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３、キャップ層ＣＰ３および第１封止層ＳＥ１３がパターニングされる。このパターニングの後、工程Ｐ１７と同様にレジストが除去される。

【0089】

以上の工程を経ると、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１および第１封止層ＳＥ１１が形成され、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２および第１封止層ＳＥ１２が形成され、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３および第１封止層ＳＥ１３が形成された基板を得ることができる。

【0090】

工程Ｐ７の後、図３に示した第２封止層ＳＥ２、樹脂層１３および第３封止層ＳＥ３が順に形成される（工程Ｐ８）。これにより、表示装置ＤＳＰが完成する。なお、以上の製造工程においては最初に表示素子ＤＥ１が形成され、次に表示素子ＤＥ２が形成され、最後に表示素子ＤＥ３が形成される場合を想定したが、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

【0091】

本実施形態においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の境界にオーバーハング状の隔壁６が設けられている。この場合には、蒸着によって形成される有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３が隔壁６によって分断される。このように分断された各層を第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３で覆うことにより、個別に封止された表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を得ることができる。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が個別に封止されていれば、いずれかの表示素子に水分浸入などの不具合が生じた場合であっても、その影響の他の表示素子への波及が抑制される。

【0092】

さらに、本実施形態においては、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３が第２封止層ＳＥ２により連続的に覆われている。これにより、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３をより好適に封止することができる。

【0093】

隔壁６の下部６１は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に給電する役割を有しており、アルミニウムなどの遮光性を有する金属材料で形成されている。さらに、隔壁６で囲われた領域には、光を反射する下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が配置されている。このような構成においては、表示領域ＤＡにおける透光性が大幅に低下する。

【0094】

これに対し、本実施形態においては、隔壁６に開口Ｈが設けられている。これにより、表示パネルＰＮＬの透光性を高めることができる。表示パネルＰＮＬの透光性が高まれば、例えば図４を用いて上述したように、表示パネルＰＮＬに重ねて受光素子ＲＣが配置された場合でも、表示パネルＰＮＬを通じて外光を検出することができる。

【0095】

図２の例においては、開口Ｈが第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙの交点に設けられている。このような交点においては隔壁６が太いため、隔壁６の他の部分に比べて大きい開口Ｈを設けることが可能である。
以上の他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。

【0096】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成については第１実施形態と同様のものを適用できる。
図１６は、第２実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、図４と同じく基板１０、回路層１１、樹脂層１３および第３封止層ＳＥ３を省略している。

【0097】

本実施形態においては、開口Ｈの内側に薄膜ＦＬ１，ＦＬ２および第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２が配置されていない。開口Ｈの内面ＩＦは、第２封止層ＳＥ２により覆われている。なお、開口Ｈの内側において第２封止層ＳＥ２に生じた窪みは、樹脂層１３により満たされる。

【0098】

図１６においては主に副画素ＳＰ１を囲う隔壁６とその近傍の構造を示したが、副画素ＳＰ２，ＳＰ３を囲う隔壁６とその近傍の構成も図１６の例と同様である。すなわち、本実施形態においては、各開口Ｈの内側に薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３が配置されていない。

【0099】

なお、隔壁６に設けられる全ての開口Ｈが図１６に示す構成を有する必要はない。例えば、少なくとも１つの開口Ｈの内側に、図４の例のように薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３が配置されていてもよい。

【0100】

薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３は透光性を有するものの、通過する光の一部を吸収または反射する。図１６の例のように薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３が配置されていない開口Ｈにおいては、このような吸収や反射が生じないため、表示パネルＰＮＬの透光性を一層高めることができる。

【0101】

なお、開口Ｈに薄膜ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３を配置しない場合には、図１４に示したパターニング工程Ｐ１６において、開口Ｈを通じてリブ５が第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のエッチングに晒され得る。リブ５が第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３と同じ材料で形成されている場合、このエッチングによりリブ５が損傷する可能性がある。

【0102】

そこで、リブ５の少なくとも最表面は、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のエッチングに対するエッチングレートが、当該エッチングに対する第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３のエッチングレートよりも小さい材料で形成されることが好ましい。例えば、第１封止層ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３がシリコン窒化物で形成されている場合に、リブ５がシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成されていれば、このようなエッチングレートの関係を実現できる。

【0103】

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。
図１７は、第３実施形態に係る開口Ｈを示す概略的な平面図である。本実施形態においては、開口Ｈが多角形状を有している。

【0104】

具体的には、表示領域ＤＡに配置された複数の開口Ｈは、十字型の第１開口Ｈ１と、Ｔ字型の第２開口Ｈ２とを含む。第１開口Ｈ１は、第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙが十字型に交差する交点に設けられている。第２開口Ｈ２は、第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙがＴ字型に接続される交点に設けられている。

【0105】

本実施形態のように、第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙの交点の形状に応じた異なる形状の開口Ｈを設けることで、開口Ｈの面積を高めることができる。これにより、表示パネルＰＮＬの透過率が一層向上する。

【0106】

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成については上述の各実施形態と同様のものを適用できる。
図１８は、第４実施形態に係る開口Ｈの一例を示す概略的な平面図である。図１９は、第４実施形態に係る開口Ｈの他の例を示す概略的な平面図である。これらの図に示すように、本実施形態においては、開口Ｈがスリットである。以下の説明においては、図１８に示された開口Ｈを開口Ｈｘと呼び、図１９に示された開口Ｈを開口Ｈｙと呼ぶ。

【0107】

図１８の例において、開口Ｈｘは、第１隔壁６ｘに設けられている。開口Ｈｘは、第１方向Ｘに長尺に延びている。例えば、開口Ｈｘの長さは、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の第１方向Ｘにおける幅よりも大きい。開口Ｈｘは、表示領域ＤＡの第１方向Ｘにおける一端から他端にわたり連続的に形成されてもよいし、断続的に形成されてもよい。

【0108】

図１９の例において、開口Ｈｙは、第２隔壁６ｙに設けられている。開口Ｈｙは、第２方向Ｙに長尺に延びている。例えば、開口Ｈｙの長さは、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の第２方向Ｙにおける幅よりも大きい。開口Ｈｙは、表示領域ＤＡの第２方向Ｙにおける一端から他端にわたり連続的に形成されてもよいし、断続的に形成されてもよい。

【0109】

なお、隔壁６は、開口Ｈｘと開口Ｈｙの双方を有してもよい。この場合において、開口Ｈｘと開口Ｈｙが第１隔壁６ｘと第２隔壁６ｙの交点で接続されてもよい。

【0110】

本実施形態のようにスリット状の開口Ｈ（Ｈｘ，Ｈｙ）を設けた場合、開口Ｈの面積を上述の各実施形態よりもさらに高めることができる。これにより、表示パネルＰＮＬの透過率が一層向上する。

【0111】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0112】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0113】

また、上述の各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0114】

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＳＥ１１，ＳＥ１２，ＳＥ１３…第１封止層、ＳＥ２…第２封止層、ＳＥ３…第３封止層、ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３…表示素子、５…リブ、６…隔壁、６１…隔壁の下部、６２…隔壁の上部、Ｈ…隔壁の開口、ＲＣ…受光素子。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】