特開 2024-57336 計測方法及び計測装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024057336

(43)【公開日】2024-04-24

(54)【発明の名称】計測方法及び計測装置

(51)【国際特許分類】

   G01N 23/04 20180101AFI20240417BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20240417BHJP

   H10K 71/70 20230101ALI20240417BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20240417BHJP

   G01B 15/04 20060101ALI20240417BHJP

【ＦＩ】

G01N23/04

G09F9/00 338

G09F9/00 352

H10K71/70

H10K59/122

G01B15/04 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022164001

(22)【出願日】2022-10-12

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】富田 暁

(72)【発明者】

【氏名】遠藤 和之

(72)【発明者】

【氏名】真喜志 康太

【テーマコード（参考）】

2F067

2G001

3K107

5G435

【Ｆターム（参考）】

2F067AA04

2F067AA27

2F067BB01

2F067BB04

2F067CC14

2F067CC15

2F067EE04

2F067HH04

2F067JJ03

2F067KK06

2F067NN02

2G001AA01

2G001BA11

2G001CA01

2G001HA13

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC21

3K107DD89

3K107GG56

5G435AA17

5G435BB05

5G435CC09

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】表示装置の信頼性の低下を抑制することが可能な計測方法及び計測装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る計測方法は、基材の第１面側に配置された下部と、下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、基材の第１面側または基材の第１面と対向する第２面側から電磁波を照射することによって生成された隔壁を含む第１画像を取得することと、取得された第１画像を解析することと、解析結果に基づいて、下部の側面から上部の端部が突出している突出量を計測することとを具備する。
【選択図】図１３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材の第１面側に配置された下部と、前記下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、
前記基材の第１面側または前記基材の第１面と対向する第２面側から電磁波を照射することによって生成された前記隔壁を含む第１画像を取得することと、
前記取得された第１画像を解析することと、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測することと
を具備する計測方法。

【請求項2】

前記解析することは、前記第１画像を構成する複数の画素の輝度値に基づいて、前記下部の側面に対応する第１画素及び前記上部の端部に対応する第２画素を特定することを含み、
前記計測することは、前記特定された第１及び第２画素の間に配置されている画素数に基づいて前記突出量を計測することを含む
請求項１記載の計測方法。

【請求項3】

前記計測することは、１つの画素に対応する長さを示す変換情報に基づいて、前記画素数を前記突出量に変換することを含み、
前記変換情報は、前記電磁波を照射することによって生成されたサイズが既知であるサンプルを含む第２画像に基づいて予め用意されている
請求項２記載の計測方法。

【請求項4】

前記計測することは、予め用意されたデータセットを学習することによって生成された機械学習モデルに前記特定された第１及び第２画素の間に配置されている画素数を入力することによって当該機械学習モデルから出力される前記突出量を取得することを含み、
前記データセットは、前記電磁波を照射することによって生成された前記突出量が既知である隔壁を含む第３画像から特定される前記第１及び第２画素の間に配置されている画素数と、前記既知である突出量とを含む
請求項２記載の計測方法。

【請求項5】

前記第１画像は、前記基材及び前記隔壁を透過した前記電磁波の強度に基づいて生成され、
前記電磁波は、前記基材の第１及び第２面側の一方に配置された照射器から照射され、前記基材の第１及び第２面側の他方に配置された検出器によって検出される
請求項１記載の計測方法。

【請求項6】

前記電磁波は、Ｘ線である請求項５記載の計測方法。

【請求項7】

前記第１画像は、前記基材及び前記隔壁において反射した前記電磁波の強度に基づいて生成され、
前記電磁波は、前記基材の第１または第２面側に配置された照射器から照射され、
前記隔壁及び前記基材において反射した電磁波は、前記基材の第１及び第２面側のうち、前記照射器と同一の面側に配置された検出器によって検出される
請求項１記載の計測方法。

【請求項8】

下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁が第１面側に形成された基材の第１面側または前記基材の第１面と対向する第２面側から電磁波を照射することによって生成された前記隔壁を含む第１画像を取得する取得部と、
前記取得された第１画像を解析する解析部と、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測する計測部と
を具備する計測装置。

【請求項9】

下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁が第１面側に形成された基材の第１面側または前記基材の第１面と対向する第２面側から電磁波を照射する照射部と、
前記照射された電磁波を検出する検出部と、
前記検出された電磁波の強度に基づいて生成された前記隔壁を含む第１画像を取得する取得部と、
前記取得された第１画像を解析する解析部と、
前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測する計測部と
を具備する計測装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、計測方法及び計測装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。

【0003】

しかしながら、表示装置が適切に製造されない場合には、当該表示装置の信頼性が低下する可能性がある。したがって、表示装置を製造する過程において、当該表示装置の信頼性の低下を抑制する技術が必要とされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【特許文献8】特開２０１３－２１３７３３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は、表示装置の信頼性の低下を抑制することが可能な計測方法及び計測装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態に係る計測方法は、基材の第１面側に配置された下部と、前記下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成することと、前記基材の第１面側または前記基材の第１面と対向する第２面側から電磁波を照射することによって生成された前記隔壁を含む第１画像を取得することと、前記取得された第１画像を解析することと、前記解析結果に基づいて、前記下部の側面から前記上部の端部が突出している突出量を計測することとを具備する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態における表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁の概略的な断面図である。

【図5】図５は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図6】図６は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図7】図７は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図8】図８は、隔壁の突出量の計測について説明するための図である。

【図9】図９は、Ｘ線の透過率について説明するための図である。

【図10】図１０は、隔壁の突出量の計測について説明するための図である。

【図11】図１１は、計測装置のハードウェア構成の一例を示す図である。

【図12】図１２は、計測装置の機能構成の一例を示す図である。

【図13】図１３は、計測装置の処理手順の一例について説明するための図である。

【図14】図１４は、Ｘ線画像の一部を拡大した図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に相当し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより正確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0009】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を方向Ｚと称する。また、方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0010】

本実施形態における表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末等に搭載され得る。

【0011】

図１は、本実施形態における表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0012】

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

【0013】

表示領域ＤＡは、方向Ｘ及び方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。

【0014】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0015】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

【0016】

なお、画素回路１の構成は、図１に示す例に限られない。画素回路１は、例えばより多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えていてもよい。

【0017】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

【0018】

なお、図１は主に表示装置ＤＳＰの製造に用いられる表示パネルを示しており、当該表示装置ＤＳＰは、当該表示パネルを駆動するドライバ（駆動ＩＣチップ）等を備える回路基板が当該表示パネルに接続された構造を有する。

【0019】

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ２とが方向Ｙに並んでいる。更に、副画素ＳＰ１及びＳＰ２は、それぞれ副画素ＳＰ３と方向Ｘに並んでいる。

【0020】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３が図２に示すようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１及びＳＰ２が方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、方向Ｘに交互に並ぶ。

【0021】

なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0022】

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、開口ＡＰ２が開口ＡＰ１よりも大きく、開口ＡＰ３が開口ＡＰ２よりも大きい。隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。

【0023】

隔壁６は、方向Ｘに延びる複数の第１隔壁６ｘと、方向Ｙに延びる複数の第２隔壁６ｙとを有している。複数の第１隔壁６ｘは、方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間、及び、方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間にそれぞれ配置されている。第２隔壁６ｙは、方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ３との間、及び、方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２とＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

【0024】

図２に示す例においては、第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0025】

すなわち、本実施形態において、リブ５及び隔壁６は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３を区画するように配置されている。

【0026】

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。図２に示す例においては、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３の外形が一致している。

【0027】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

【0028】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。

【0029】

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の第１隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３の少なくとも一部が第１隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0030】

図２に示す例において、下電極ＬＥ１及びＬＥ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２をそれぞれ有している。突部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。突部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２とそれぞれ重なっている。

【0031】

図３は、図２中のIII－III線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰにおいては、基材１０の第１面１０Ａ（表示素子２０等が配置される側の面）上にアンダーコート層と称される絶縁層１１が配置されている。

【0032】

絶縁層１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）を有する三層積層構造を有する。なお、絶縁層１１は、三層積層構造に限られず、三層よりも多い積層構造を有していてもよいし、単層構造または二層積層構造を有していてもよい。

【0033】

絶縁層１１の上には、回路層１２が配置されている。回路層１２は、図１に示す画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を駆動する各種回路及び配線を有する。回路層１２は、絶縁層１３により覆われている。

【0034】

絶縁層１３は、回路層１２により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３には示されていないが、上記したコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は、絶縁層１３に設けられている。

【0035】

下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１３と下電極ＬＥとの上に配置されている。下電極ＬＥの端部（一部）は、リブ５により覆われている。

【0036】

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、当該下部６１の上面を覆う上部６２とを有する。上部６２は、下部６１よりも方向Ｘ及び方向Ｙに大きい幅を有している。これにより、隔壁６は、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出した形状を有する。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということもできる。

【0037】

有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３）及び上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）は上記した下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）とともに表示素子２０を構成するが、図３に示すように、有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａ及び第２有機層ＯＲ１ｂを含む。上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａ及び第２上電極ＵＥ１ｂを含む。第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

【0038】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａ及び第２有機層ＯＲ２ｂを含む。上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａ及び第２上電極ＵＥ２ｂを含む。第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

【0039】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａ及び第２有機層ＯＲ３ｂを含む。上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａ及び第２上電極ＵＥ３ｂを含む。第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

【0040】

図３に示す例において、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３を含む。

【0041】

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ１ａ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１上電極ＵＥ１ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ１ｂの上に配置されている。

【0042】

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ２ａ及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１上電極ＵＥ２ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ２ｂの上に配置されている。

【0043】

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ３ａ及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１上電極ＵＥ３ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ３ｂの上に配置されている。

【0044】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１キャップ層ＣＰ２ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１キャップ層ＣＰ３ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

【0045】

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ、第２キャップ層ＣＰ１ｂ及び封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。

【0046】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１４により覆われている。樹脂層１４は、封止層１５により覆われている。更に、封止層１５は、樹脂層１６により覆われている。

【0047】

絶縁層１３と樹脂層１４及び１６とは、有機材料で形成されている。リブ５と封止層１５及びＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３）とは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機材料で形成されている。

【0048】

隔壁６が有する下部６１は、導電性を有している。隔壁６が有する上部６２も同様に導電性を有していてもよい。下電極ＬＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）等の金属材料と導電性酸化物との積層構造を有していてもよい。上電極ＵＥは、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）等の金属材料で形成されている。上電極ＵＥは、ＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

【0049】

下電極ＬＥの電位が上電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する。また、上電極ＵＥの電位が下電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥがアノードに相当し、下電極ＬＥがカソードに相当する。

【0050】

有機層ＯＲは、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲは、正孔注入層、正孔輸入層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を順に積層した構造を有している。

【0051】

キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３）は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥの材料とは異なり、また、封止層ＳＥの材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰは省略されてもよい。

【0052】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ（第１上電極ＵＥ１ａ、ＵＥ２ａ及びＵＥ３ａ）にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）には、副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0053】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0054】

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば、白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0055】

図４は、隔壁６の概略的な拡大断面図である。図４においては、リブ５、隔壁６、絶縁層１３及び一対の下電極ＬＥ以外の要素を省略している。一対の下電極ＬＥは、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のいずれかに相当する。また、上記した第１隔壁６ｘ及び第２隔壁６ｙは、図４に示す隔壁６と同様の構造を有している。

【0056】

図４に示す例において、隔壁６が有する下部６１は、リブ５の上に配置されたバリア層６１１と、当該バリア層６１１の上に配置された金属層６１２とを含む。バリア層６１１は、金属層６１２とは異なる材料で形成されており、例えばモリブデン等の金属材料によって形成されている。金属層６１２は、バリア層６１１よりも厚く形成されている。金属層６１２は、単層構造であってもよいし、異なる金属材料の積層構造であってもよい。一例として、金属層６１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成される。

【0057】

上部６２は、下部６１よりも薄い。図４に示す例において、上部６２は、金属層６１２の上に配置された第１層６２１と、当該第１層６２１の上に配置された第２層６２２とを含む。一例としては、第１層６２１は例えばチタン（Ｔｉ）により形成され、第２層６２２は例えばＩＴＯにより形成される。ここでは、上部６２が二層積層構造であるものとして説明したが、当該上部６２は例えばチタンのような金属材料により形成される単層構造であってもよい。また、上部６２は、金属材料以外であってもよく、シリコン酸化物（ＳｉＯ）等の無機材料でもよい。更に、上部６２は、上記したＩＴＯ等の導電性酸化物、チタン等の金属材料、シリコン酸化物等の無機材料を適宜組み合わせて積層してもよいし、上記したいずれかの材料による単層でもよい。

【0058】

図４に示す例においては、下部６１の幅が上部６２に近づくにつれて小さくなる。すなわち、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂは、方向Ｚに対して傾斜している。なお、上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。

【0059】

側面６１ａ及び６１ｂから端部６２ａ及び６２ｂが突出している量Ｄ（以下、隔壁６の突出量Ｄと表記）は、例えば２．０μｍ以下である。本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの下端（バリア層６１１）と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の方向Ｚと直交する幅方向（方向Ｘまたは方向Ｙ）における長さ（距離）に相当する。隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの上端と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の方向Ｚと直交する幅方向における長さであってもよい。

【0060】

隔壁６の構造及び当該隔壁６の各部の材料は、例えば隔壁６を形成する手法等を考慮して、適宜、選定することができるものとする。

【0061】

ここで、本実施形態において、隔壁６は、平面視において副画素ＳＰを区画するように形成されている。上記した有機層ＯＲは例えば異方性あるいは指向性のある真空蒸着法によって形成されるが、隔壁６が配置された状態で当該有機層ＯＲを形成するための有機材料を基材１０全体に蒸着した場合、隔壁６は図３及び図４に示すような形状を有しているため、当該隔壁６の側面には有機層ＯＲは殆ど形成されない。これによれば、隔壁６によって副画素ＳＰ毎に分断されるような有機層ＯＲ（表示素子２０）を形成することができる。

【0062】

図５～図７は、隔壁６を利用して形成される表示素子２０について説明するための概略的な断面図である。この図５～図７に示す副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

【0063】

上記したように隔壁６が配置された状態で図５に示すように基材１０全体に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。有機層ＯＲは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲは下電極ＬＥを覆う第１有機層ＯＲａと隔壁６上の第２有機層ＯＲｂに分断され、上電極ＵＥは第１有機層ＯＲａを覆う第１上電極ＵＥａと第２有機層ＯＲｂを覆う第２上電極ＵＥｂとに分断され、キャップ層ＣＰは第１上電極ＵＥａを覆う第１キャップ層ＣＰａと第２上電極ＵＥｂを覆う第２キャップ層ＣＰｂとに分断される。第１上電極ＵＥａは、隔壁６の下部６１に接触している。封止層ＳＥは、第１キャップ層ＣＰａ、第２キャップ層ＣＰｂ及び隔壁６を連続的に覆っている。

【0064】

次に、図６に示すように、封止層ＳＥの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａの直上に配置されている。レジストＲは、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６上の第２有機層ＯＲｂ、第２上電極ＵＥｂ及び第２キャップ層ＣＰｂのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直上にも位置している。すなわち、隔壁６の少なくとも一部は、レジストＲから露出している。

【0065】

更に、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図７に示すように有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥのうちレジストＲから露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥ、第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ及びＳＰγにおいては下電極ＬＥが露出する。なお、上記したエッチングは、例えば封止層ＳＥのドライエッチング、キャップ層ＣＰのウェットエッチング及びドライエッチング、上電極ＵＥのウェットエッチング、有機層ＯＲのドライエッチングを含む。

【0066】

上記したように副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されると、レジストＲが除去され、副画素ＳＰβ及びＳＰγの表示素子２０が、副画素ＳＰαと同様に、順に形成される。

【0067】

以上の副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγについて例示したように副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０を形成し、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

【0068】

ここで、上記したように隔壁６は下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有するが、当該隔壁６の突出量Ｄが十分に大きくない場合には、当該有機層ＯＲを適切に分断することができない可能性がある。また、隔壁６が有する下部６１の側面が有機層ＯＲで覆われてしまった場合には、下部６１と上電極ＵＥとの電気的な接続が阻害されてしまう。一方で、表示装置ＤＳＰにおいては隔壁６が有する下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しているが、当該隔壁６の突出量Ｄが設計の値を超えるような場合には、当該下部６１の側面に上電極ＵＥが接触しない可能性がある。

【0069】

すなわち、上記した隔壁６の突出量Ｄが適切でない場合には信頼性が高い表示装置ＤＳＰを製造することができないため、当該表示装置ＤＳＰの製造工程において、当該突出量Ｄ（つまり、隔壁６が有する下部６１の側面と上部６２の端部との間の長さ）を計測することが有用である。

【0070】

ここで、上記した隔壁６の突出量Ｄの計測に例えば物体の拡大像を観察することが可能な光学顕微鏡を利用することを考える。

【0071】

この場合、例えば図８に示すように、隔壁６が形成された段階で、光学顕微鏡１００を用いて方向Ｚ（つまり、基材１０の第１面Ａ側）から隔壁６を観察することによって当該隔壁６の突出量Ｄを計測するものとすると、隔壁６が有する上部６２は下部６１よりも大きい幅を有している（つまり、隔壁６の形状はオーバーハング状である）ため、当該光学顕微鏡１００では下部６１の側面（つまり、下部６１の方向Ｘまたは方向Ｙの端部）を観察することができない。すなわち、図８に示すように方向Ｚから隔壁６を光学顕微鏡１００で観察した場合には、上部６２の方向Ｘ及び方向Ｙの長さ（幅）を計測することはできるが、隔壁６の突出量Ｄを計測することはできない。

【0072】

ところで、電磁波の一種であるＸ線は、物体を透過し、かつ、当該透過率が当該物体の材質及び厚みによって異なることが知られている。なお、図９は、物体の材質及び厚みに応じて変化するＸ線の透過率を模式的に示している。図９に示すように、Ｘ線の透過率は、原子番号が小さい材質であるほど高く、原子番号が大きい材質であるほど低い。換言すれば、原子番号が小さい材質であるほどＸ線を透過し、原子番号が大きい材質であるほどＸ線を遮蔽する。また、Ｘ線の透過率は、物体が薄いほど高く、物体が厚いほど低い。

【0073】

本実施形態においては、このようなＸ線を利用して、隔壁６の突出量Ｄを計測するものとする。具体的には、図１０に示すように基材１０の第１面Ａ側に配置されたＸ線照射器２０１からＸ線を照射し、隔壁６と基材１０、当該基材１上に形成された絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３及びリブ５（以下、便宜的に基材１０等と表記）とを透過したＸ線（の強度）を基材１０の第２面Ｂ側に配置されたＸ線検出器２０２が検出することによって生成されるＸ線画像（透過光画像）に基づいて、隔壁６の突出量Ｄを計測する。

【0074】

なお、例えば隔壁６及び回路層１２の少なくとも一部は金属材料で形成されるが、本実施形態においては、当該金属材料を透過することができる程度の強度を有するＸ線がＸ線照射器２０１から照射されるものとする。

【0075】

また、本実施形態において、隔壁６の突出量Ｄは、上記したＸ線照射器２０１及びＸ線検出器２０２を備え、Ｘ線画像を生成するように構成された画像生成装置と通信可能に接続される計測装置によって計測されるものとする。なお、計測装置は、画像生成装置と一体として実現されていてもよい。

【0076】

以下、本実施形態に係る計測装置について説明する。図１１は、計測装置のハードウェア構成の一例を示す。

【0077】

図１１に示す計測装置３００は、例えばパーソナルコンピュータ等によって実現され、ＣＰＵ３００ａ、不揮発性メモリ３００ｂ、メインメモリ３００ｃ及び通信装置３００ｄ等を備える。

【0078】

ＣＰＵ３００ａは、計測装置３００の動作を制御するためのプロセッサであり、不揮発性メモリ３００ｂからメインメモリ３００ｃにロードされる各種プログラムを実行する。通信装置３００ｄは、計測装置３００の外部装置（例えば、画像生成装置等）との通信を実行する。

【0079】

図１２は、計測装置３００の機能構成の一例を示す。図１２に示すように、計測装置３００は、上記したＸ線照射器２０１及びＸ線検出器２０２を備える画像生成装置２００と通信可能に接続され、画像取得部３０１、画像解析部３０２及び計測部３０３を含む。

【0080】

なお、計測装置３００に含まれる各部３０１～３０３の一部または全ては、例えば上記したＣＰＵ３００ａ（つまり、計測装置３００のコンピュータ）が所定のプログラムを実行すること（つまり、ソフトウェア）により実現される機能部であるが、例えばＩＣ（Integrated Circuit）等のハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェア及びハードウェアの組合せによって実現されてもよい。

【0081】

画像取得部３０１は、画像生成装置２００によって生成された隔壁６を含むＸ線画像を当該画像生成装置２００から取得する。画像解析部３０２は、画像取得部３０１によって取得されたＸ線画像を解析する。計測部３０３は、画像解析部３０２による解析結果に基づいて、上記した基材１０上に形成されている隔壁６の突出量Ｄ（つまり、当該隔壁６が有する下部６１の側面から上部６２の端部が突出している突出量）を計測する。

【0082】

なお、上記したように計測装置３００は画像生成装置２００と一体として実現されてもよいが、この場合、計測装置３００は、Ｘ線照射器２０１に相当するＸ線照射部及びＸ線検出器２０２に相当するＸ線検出部を含むように構成されていればよい。

【0083】

以下、図１３のフローチャートを参照して、本実施形態に係る計測装置３００の処理手順の一例について説明する。

【0084】

まず、基材１０上に絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３、下電極ＬＥ、リブ５及び隔壁６が形成されると、画像生成装置２００に備えられるＸ線照射器２０１は、当該基材１０の第１面１０Ａ側から隔壁６に向けてＸ線を照射する。このようにＸ線照射器２０１から照射されたＸ線は、隔壁６及び基材１０等を透過し、Ｘ線検出器２０２によって検出される。なお、Ｘ線検出器２０２によって検出されるＸ線（透過Ｘ線）の強度は、当該Ｘ線が透過した物体の材質及び厚み等に応じて変化している。画像生成装置２００は、このようなＸ線検出器２０２によって検出されたＸ線の強度に基づいて、Ｘ線画像（透過Ｘ線画像）を生成する。なお、画像生成装置２００によって生成されるＸ線画像は、隔壁６を含むＸ－Ｙ平面画像である。画像生成装置２００は、上記したように画像生成装置２００によって生成されたＸ線画像を計測装置３００に出力する。

【0085】

計測装置３００に含まれる画像取得部３０１は、画像生成装置２００から出力されたＸ線画像を取得する（ステップＳ１）。

【0086】

ここで、上記したステップＳ１において取得されたＸ線画像は複数の画素から構成され、当該画素の各々は、Ｘ線の強度に基づく輝度値（当該Ｘ線画像を表示するための画素値）を保持している。このため、画像解析部３０２は、ステップＳ２においてＸ線画像を構成する複数の画素の各々が保持する輝度値（以下、単に画素の輝度値と表記）を取得する（ステップＳ２）。

【0087】

次に、画像解析部３０２は、ステップＳ２において取得された複数の画素の輝度値に基づいて、Ｘ線画像に含まれる下部６１の側面に対応する画素（以下、第１画素と表記）及び上部６２の端部に対応する画素（以下、第２画素と表記）を特定する（ステップＳ３）。なお、ステップＳ３の処理は、Ｘ線画像上の下部６１の側面の座標値及び上部６２の端部の座標値を特定する処理に相当する。

【0088】

ステップＳ３の処理が実行されると、画像解析部３０２は、ステップＳ１において取得されたＸ線画像を参照して、当該ステップＳ３において特定された第１及び第２画素の間に配置されている画素数を取得（カウント）する（ステップＳ４）。

【0089】

ここで、図１４を参照して、上記したステップＳ４の処理について具体的に説明する。図１４は、Ｘ線画像の一部を拡大した図である。

【0090】

図１４に示す例において、Ｘ線画像は、第１～第３領域４０１～４０３を含む。第１領域４０１は、平面視において、基材１０等、下部６１及び上部６２と重畳する領域に相当する。第２領域４０２は、平面視において、基材１０等及び上部６２と重畳し、下部６１とは重畳しない領域に相当する。第３領域４０３は、平面視において、基材１０等と重畳し、隔壁６（下部６１及び上部６２）とは重畳しない領域に相当する。

【0091】

図１４に示す第１～第３領域４０１～４０３の各々に付されているハッチングは当該第１～第３領域４０１～４０３の各々を構成する画素の輝度値を表しており、当該輝度値（つまり、Ｘ線の透過率に基づく強度）は、Ｘ線が透過した物体の材質及び厚みによって異なる。

【0092】

具体的には、第１領域４０１を構成する画素の輝度値は、上部６２、下部６１及び基材１０を順に透過したＸ線の強度に応じた値である。この場合、第１領域４０１を構成する画素の輝度値は、第２領域４０２及び第３領域４０３を構成する画素の輝度値よりも低い。

【0093】

また、第２領域４０２を構成する画素の輝度値は、上部６２及び基材１０を順に透過したＸ線の強度に応じた値である。この場合、第２領域４０２を構成する画素の輝度値は、第１領域４０１を構成する画素の輝度値よりも高く、第３領域４０３を構成する画素の輝度値よりも低い。

【0094】

第３領域４０３を構成する画素の輝度値は、基材１０を透過したＸ線の強度に応じた値である。この場合、第３領域４０３を構成する画素の輝度値は、第１領域４０１及び第２領域４０２を構成する画素の輝度値よりも高い。

【0095】

このようなＸ線画像によれば、例えば第１領域４０１と第２領域４０２との境界に対応する画素４０４が第１画素に相当し、第２領域４０２と第３領域４０３との境界に対応する画素４０５が第２画素に相当する。この場合、画素４０４（第１画素）及び画素４０５（第２画素）の間に配置されている画素数が隔壁６の突出量Ｄに相当する。

【0096】

なお、第１領域４０１と第２領域４０２との境界（つまり、第１画素）及び第２領域４０２と第３領域４０３との境界（つまり、第２画素）は、例えば方向Ｘに隣接する画素との輝度値の変化量が予め定められた値以上であるか否かに基づいて特定することができる。また、第１領域４０１と第２領域４０２との境界上に位置する画素４０４（第１画素）が特定された場合、例えば第２領域４０２と第３領域４０３との境界上に位置する複数の画素のうちの当該画素４０４に最も近い画素４０５が第２画素として特定される。

【0097】

再び図１３に戻ると、計測部３０３は、ステップＳ４において取得された画素数に基づいて、隔壁６の突出量Ｄを計測する（ステップＳ５）。

【0098】

ステップＳ５において、計測部３０３は、例えば予め用意されている変換情報に基づいて、ステップＳ４において取得された画素数を隔壁６の突出量Ｄ（下部６１の側面と上部６２の端部との間の長さ）に変換する処理を実行する。

【0099】

変換情報は、例えばサイズ（長さ）が既知であるサンプルを含むＸ線画像（Ｘ線を照射することによって生成されたサンプルを含む標準サンプル画像）に基づいて生成される。具体的には、標準サンプル画像に含まれるサンプルの一端（に対応する画素）から他端（に対応する画素）までの間に配置されている画素数をカウントし、当該サンプルの既知のサイズを当該画素数で除算することによって、１つの画素に対応する長さを示す変換情報が生成される。このような変換情報によれば、当該変換情報によって示される１つの画素に対応する長さにステップＳ４において取得された画素数を乗算することによって、当該画素数を隔壁６の突出量Ｄに変換することができる。なお、変換情報は、画素数を長さに変換することが可能な情報（つまり、画素数と長さとの対応関係が定義された情報）であればよい。

【0100】

ここでは上記した変換情報に基づいて隔壁６の突出量Ｄが計測されるものとして説明したが、当該隔壁６の突出量Ｄは、ニューラルネットワーク等の機械学習アルゴリズムで生成された機械学習モデルを用いて計測（計算）されても構わない。このような機械学習モデルは、突出量Ｄが既知である隔壁６を含むＸ線画像から人手により、または自動的に特定された第１及び第２画素の間に配置されている画素数と当該Ｘ線画像に含まれる隔壁６の既知である突出量Ｄと（の組み合わせ）を含むデータセットを学習することによって、第１及び第２画素の間に配置されている画素数を入力することによって隔壁６の突出量Ｄを出力（予測）するように構成されていればよい。

【0101】

上記した図１３に示す処理が実行されることによって計測された隔壁６の突出量Ｄが適切である場合には、上記した図５～図７において説明したように各副画素ＳＰの表示素子２０を形成することができる。

【0102】

なお、上記した図１３においては基材１０上に形成された隔壁６の一部の突出量Ｄを計測する場合について説明したが、当該図１３に示す処理は、隔壁６の複数の部分について突出量Ｄを計測するように複数回実行されてもよい。

【0103】

また、一般に、表示装置ＤＳＰの製造工程においては、複数の基材１０を含むマザー基材上に複数の表示パネルを形成したマザー基板を製造し、当該マザー基板からカットされた表示パネルの各々を用いて表示装置ＤＳＰを製造することが行われているが、本実施形態に係る計測装置３００は、当該マザー基材上に絶縁層１１、回路層１２、絶縁層１３、下電極ＬＥ、リブ５及び隔壁６が形成されたマザー基板が製造された際に、当該マザー基板（マザー基材上に形成された隔壁６）にＸ線を照射することによって当該隔壁６の突出量Ｄを計測する場合に用いられる。

【0104】

上記したように本実施形態においては、基材１０の第１面１０Ａ側に配置された下部６１と、当該下部６１の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成し、当該基材１０の第１面１０Ａ側からＸ線を照射することによって生成された隔壁６を含むＸ線画像（第１画像）を取得し、当該取得されたＸ線画像を解析し、当該解析結果に基づいて隔壁６の突出量Ｄ（下部６１の側面から上部６２の端部までの長さ）を計測する。

【0105】

本実施形態においては、上記した構成により、隔壁６の突出量Ｄを計測して（つまり、当該隔壁６の突出量Ｄが適切であるか否かを確認して）表示装置ＤＳＰを製造することができるため、当該表示装置ＤＳＰの信頼性の低下を抑制することが可能である。

【0106】

ここで、上記したように画像生成装置２００によって生成されるＸ線画像はＸ－Ｙ平面画像であり、当該Ｘ線画像には隔壁６有する下部６１の側面及び上部６２の端部が含まれる。このため、例えば下部６１の側面及び上部６２の端部を手動で指定することによって隔壁６の突出量Ｄを計測する（つまり、Ｘ線画像を参照して隔壁６の計測を人手により行う）ことが可能である。

【0107】

しかしながら、上記したようにＸ線画像を構成する複数の画素の各々の輝度値（画素値）は隔壁６及び基材１０等を透過したＸ線の強度に基づくため、当該Ｘ線画像によっては当該Ｘ線画像に含まれる隔壁６が不鮮明（つまり、下部６１の側面及び上部６２の端部を視認することが困難）であり、上記した隔壁６の突出量Ｄを人手により計測する場合には手間がかかり、表示装置ＤＳＰの製造工程における隔壁６の突出量Ｄの効率的な計測を実現することができない。

【0108】

これに対して、本実施形態においては、Ｘ線画像を構成する複数の画素の輝度に基づいて下部６１の側面（の基材１０側の端部）に対応する第１画素及び上部６２の端部に対応する第２画素を特定し、当該特定された第１及び第２画素の間に配置されている画素数に基づいて隔壁６の突出量Ｄを計測する。本実施形態においては、このような構成により、例えばＸ線を照射することによって生成された隔壁６を含むＸ線画像に基づいて自動的に隔壁６の突出量Ｄを計測することができるため、当該突出量Ｄの計測に係る手間を軽減することができる。

【0109】

なお、本実施形態においてはＸ線画像から特定される第１及び第２画素の間に配置されている画素数に基づいて隔壁６の突出量Ｄが計測される構成であればよいが、当該隔壁６の突出量Ｄは、例えば変換情報または機械学習モデルを用いて計測されることができる。この場合、変換情報は、例えばＸ線を照射することによって生成されたサイズが既知であるサンプルを含むＸ線画像（第２画像）に基づいて予め用意されていればよい。また、機械学習モデルは、Ｘ線を照射することによって生成された突出量Ｄが既知である隔壁６（サンプル）を含むＸ線画像（第３画像）から特定される第１及び第２画素の間に配置されている画素数と当該既知である突出量Ｄ（実測値）とを含むデータセットを学習することによって予め用意（生成）されていればよい。

【0110】

また、本実施形態においては図１３に示す処理が実行されることによって隔壁６の突出量Ｄが計測されるものとして説明したが、例えば突出量Ｄが既知である隔壁６（サンプル）を含むＸ線画像と当該既知である突出量Ｄとを含むデータセットを学習した機械学習モデルが用意されていてもよい。このような構成によれば、計測装置３００は、例えば画像生成装置２００によって生成されたＸ線画像を機械学習モデルに入力することによって当該機械学習モデルから出力される隔壁６の突出量Ｄを取得する（つまり、Ｘ線画像から当該Ｘ線画像に含まれる隔壁６の突出量Ｄを予測する）ことが可能となる。

【0111】

なお、本実施形態においては、基材１０の第１面１０Ａ側に配置されたＸ線照射器２０１からＸ線が照射され、隔壁６及び基材１０等を透過したＸ線が基材１０の第２面１０Ｂ側に配置されたＸ線検出器２０２によって検出されることによって（つまり、基材１０の第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側に向けて隔壁６及び基材１０等を透過したＸ線の強度に基づいて）Ｘ線画像が生成されるものとして説明したが、当該Ｘ線画像は、基材１０の第２面１０Ｂ側に配置されたＸ線照射器２０１からＸ線が照射され、基材１０等及び隔壁６を透過したＸ線が第１面１０Ａ側に配置されたＸ線検出器２０２によって検出されることによって生成されてもよい。換言すれば、本実施形態においてＸ線は、基材１０の第１面１０Ａ側及び第２面１０Ｂ側の一方に配置されたＸ線照射器２０１から照射され、当該基材１０の第１面１０Ａ側及び第２面１０Ｂ側の他方に配置されたＸ線検出器２０２によって検出されてもよい。

【0112】

更に、本実施形態においてはＸ線を照射することによって生成された隔壁６を含むＸ線画像に基づいて当該隔壁６の突出量Ｄを計測するものとして説明したが、当該Ｘ線は一例であり、本実施形態は、例えば物体の材質または厚み等によって透過率が異なる電磁波を照射することによって生成された隔壁６を含む画像（透過光画像）に基づいて当該隔壁６の突出量Ｄを計測する構成であればよい。なお、本実施形態において隔壁６に照射されるＸ線以外の電磁波（画像を生成するために用いられる電磁波）としては、例えば赤外線等が含まれる。

【0113】

また、本実施形態においては隔壁６及び基材１０等を透過したＸ線（電磁波）の強度に基づいて生成された画像を用いて当該隔壁６の突出量Ｄが計測されるものとして説明したが、当該電磁波として例えば赤外線等が照射される場合には、当該隔壁６及び基材１０において反射した電磁波（反射波）の強度に基づいて生成された画像を用いて隔壁６の突出量Ｄが計測される構成であってもよい。この場合、電磁波は、基材１０の第１面１０Ａ側または第２面１０Ｂ側に配置された照射器（電磁波照射器）から照射され、当該基材１０の第１面１０Ａ及び第２面１０Ｂのうちの当該照射器と同一面側に配置された検出器（電磁波検出器）によって検出されればよい。

【0114】

具体的には、電磁波照射器が基材１０の第１面１０Ａ側から電磁波を照射する場合、電磁波検出器は、隔壁６の表面（上部６２の方向Ｚ側の面）において反射された電磁波（反射波）を検出することができる。また、電磁波（の一部）は例えば隔壁６が有する上部６２を透過するため、電磁波検出器は、上部６２を透過して下部６１及び上部６２の界面において反射された電磁波（反射波）を検出する。ここでは下部６１及び上部６２の界面において電磁波が反射される場合について説明したが、例えば下部６１及びリブ５の界面等においても同様に電磁波が反射され、電磁波検出器は当該反射波を検出する。このように電磁波検出器によって検出された電磁波の反射波によれば例えば隔壁６を含むＸ－Ｙ平面画像またはＸ－Ｚ平面画像（断面画像）が生成され得るため、当該画像に基づいて隔壁６の突出量Ｄを計測することが可能となる。

【0115】

以上、本発明の実施形態として説明した計測方法及び計測装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての計測方法及び計測装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0116】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0117】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0118】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、６…隔壁、１０…基材、１１…絶縁層、１２…回路層、１３…絶縁層、１４…樹脂層、１５…封止層、１６…樹脂層、２０…表示素子、６１…下部、６２…上部、２０１…Ｘ線照射器、２０２…Ｘ線検出器、３００…計測装置、３００ａ…ＣＰＵ、３００ｂ…不揮発性メモリ、３００ｃ…メインメモリ、３００ｄ…通信装置、３０１…画像取得部、３０２…画像解析部、３０３…計測部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】