特開 2024-57628 突入電流防止回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024057628

(43)【公開日】2024-04-25

(54)【発明の名称】突入電流防止回路

(51)【国際特許分類】

   G05F 1/10 20060101AFI20240418BHJP

   H03K 17/082 20060101ALI20240418BHJP

   H03K 17/687 20060101ALI20240418BHJP

   H02J 1/00 20060101ALI20240418BHJP

【ＦＩ】

G05F1/10 304M

H03K17/082

H03K17/687 A

H02J1/00 309R

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022164382

(22)【出願日】2022-10-13

(71)【出願人】

【識別番号】000203634

【氏名又は名称】多摩川精機株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100110423

【弁理士】

【氏名又は名称】曾我 道治

(74)【代理人】

【識別番号】100111648

【弁理士】

【氏名又は名称】梶並 順

(74)【代理人】

【識別番号】100221729

【弁理士】

【氏名又は名称】中尾 圭介

(74)【代理人】

【識別番号】100188514

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 隆裕

(72)【発明者】

【氏名】北原 和仁

【テーマコード（参考）】

5G165

5H410

5J055

【Ｆターム（参考）】

5G165BB05

5G165CA01

5G165EA01

5G165KA01

5G165LA01

5G165NA01

5G165NA02

5G165NA05

5H410CC02

5H410DD02

5H410EA11

5H410EB01

5H410EB32

5H410EB37

5H410FF03

5H410FF25

5H410LL07

5J055AX34

5J055AX44

5J055BX16

5J055CX23

5J055DX13

5J055DX22

5J055DX53

5J055EX06

5J055EY01

5J055EY10

5J055EY12

5J055EY13

5J055EY21

5J055EY28

5J055FX04

5J055FX13

5J055FX19

5J055FX34

5J055GX01

5J055GX04

(57)【要約】

【課題】電圧印加対象装置の出力側に接続されることなく設置することができる突入電流防止回路を得る。
【解決手段】この突入電流防止回路は、正極端子１１１に接続されたＮチャンネル型ＦＥＴ２と、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２に並列に接続された制限抵抗３と、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して正極端子１１１に接続された平滑コンデンサ４と、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを検出する電圧検出部５と、光を発する発光部６と、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出した場合に発光部６に光を発せさせる発光スイッチング部７と、発光部６から発せられた光を受けるフォトダイオード８と、を備え、発光部６から発せられた光をフォトダイオード８が受けることによって、フォトダイオード８がＮチャンネル型ＦＥＴ２をオンさせる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

入力電源装置(11)の正極端子(111)に接続されたＮチャンネル型ＦＥＴ(2)と、
前記Ｎチャンネル型ＦＥＴ(2)に並列に接続された制限抵抗(3)と、
前記Ｎチャンネル型ＦＥＴ(2)および前記制限抵抗(3)を介して前記正極端子(111)に接続された平滑コンデンサ(4)と、
前記平滑コンデンサ(4)に並列に接続され、前記平滑コンデンサ(4)の電圧の値が予め設定された値以上であることを検出する電圧検出部(5)と、
光を発する発光部(6)と、
前記平滑コンデンサ(4)の電圧の値が前記予め設定された値以上であることを前記電圧検出部(5)が検出した場合に前記発光部(6)に光を発せさせる発光スイッチング部(7)と、
前記発光部(6)から発せられた光を受けるフォトダイオード(8)と、
を備え、
前記発光部(6)から発せられた光を前記フォトダイオード(8)が受けることによって、前記フォトダイオード(8)が前記Ｎチャンネル型ＦＥＴ(2)をオンさせる突入電流防止回路。

【請求項2】

前記平滑コンデンサ(4)の電圧の値が前記予め設定された値以上であることを前記電圧検出部(5)が検出することを遅延させる検出遅延部(9)を備えている請求項１に記載の突入電流防止回路。

【請求項3】

前記フォトダイオード(8)は、負電極が前記Ｎチャンネル型ＦＥＴ(2)および前記制限抵抗(3)を介して前記正極端子(111)に接続され、正電極が前記Ｎチャンネル型ＦＥＴ(2)のゲートに接続されている請求項１または請求項２に記載の突入電流防止回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、突入電流防止回路に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、入力スイッチ部と、平滑コンデンサと、制限抵抗と、リレースイッチと、を備えた突入電流防止回路が知られている。制限抵抗およびリレースイッチは、互いに並列に接続されている。平滑コンデンサは、入力スイッチ部、制限抵抗およびリレースイッチを介して、入力電源装置に接続されている。入力スイッチ部がオンされた直後に、入力電源装置から制限抵抗を介して平滑コンデンサに電流が流れて、平滑コンデンサが充電される。これにより、入力電源装置から平滑コンデンサに突入電流が流れることが防止される。平滑コンデンサにはスイッチング電源装置が接続されており、平滑コンデンサの電圧がスイッチング電源装置に印加される。スイッチング電源装置に印加された電圧の値が予め設定された値に達した後に、スイッチング電源装置が駆動する。スイッチング電源装置が駆動することによって、リレーコイルに電流が流れて、リレースイッチがオンされる。リレースイッチがオンされることによって、入力電源装置からリレースイッチを介して平滑コンデンサに電流が流れる。これにより、入力電源装置から制限抵抗を介して平滑コンデンサに電流が流れることが抑制される。その結果、突入電流防止回路の消費電力が低減される（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－３２３４５３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１に記載の構成では、スイッチング電源装置の出力側にリレーコイルが接続されている。したがって、平滑コンデンサの電圧が印加される電圧印加対象装置の出力側に突入電流防止回路の一部を接続しなければならない。電圧印加対象装置の出力側に突入電流防止回路を接続することができない場合には、突入電流防止回路を設置することができないという問題点があった。

【0005】

この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電圧印加対象装置の出力側に接続されることなく設置することができる突入電流防止回路を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

この発明に係る突入電流防止回路は、入力電源装置の正極端子に接続されたＮチャンネル型ＦＥＴと、Ｎチャンネル型ＦＥＴに並列に接続された制限抵抗と、Ｎチャンネル型ＦＥＴおよび制限抵抗を介して正極端子に接続された平滑コンデンサと、平滑コンデンサに並列に接続され、平滑コンデンサの電圧の値が予め設定された値以上であることを検出する電圧検出部と、光を発する発光部と、平滑コンデンサの電圧の値が予め設定された値以上であることを電圧検出部が検出した場合に発光部に光を発せさせる発光スイッチング部と、発光部から発せられた光を受けるフォトダイオードと、を備え、発光部から発せられた光をフォトダイオードが受けることによって、フォトダイオードがＮチャンネル型ＦＥＴをオンさせる。
また、この発明に係る突入電流防止回路は、平滑コンデンサの電圧の値が予め設定された値以上であることを電圧検出部が検出することを遅延させる検出遅延部をさらに備えている。
また、この発明に係る突入電流防止回路では、フォトダイオードは、負電極がＮチャンネル型ＦＥＴおよび制限抵抗を介して正極端子に接続され、正電極がＮチャンネル型ＦＥＴのゲートに接続されている。

【発明の効果】

【0007】

この発明に係る突入電流防止回路によれば、電圧印加対象装置の出力側に突入電流防止回路が接続されることなく突入電流防止回路を設置することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施の形態１に係る突入電流防止回路を示す回路図である。

【図2】図１の突入電流防止回路における平滑コンデンサへの電流経路の切り替えを示すタイミングチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る突入電流防止回路を示す回路図である。実施の形態１に係る突入電流防止回路は、入力スイッチ部１と、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２と、制限抵抗３と、平滑コンデンサ４と、電圧検出部５と、発光部６と、発光スイッチング部７と、フォトダイオード８と、検出遅延部９と、保護回路部１０と、を備えている。

【0010】

実施の形態１に係る突入電流防止回路は、入力電源装置１１と電圧印加対象装置１２との間に配置されている。実施の形態１に係る突入電流防止回路を介して、入力電源装置１１から電圧印加対象装置１２に電流が供給される。実施の形態１に係る突入電流防止回路は、入力電源装置１１から電圧印加対象装置１２に電流が供給される際に、電圧印加対象装置１２に瞬間的な立ち上がりの電圧が印加されることを防止している。

【0011】

入力電源装置１１は、正極端子１１１と、負極端子１１２と、を有している。入力電源装置１１から出力される電流は、直流電流になっている。

【0012】

電圧印加対象装置１２は、正極端子１２１と、負極端子１２２と、を有している。電圧印加対象装置１２に入力される電流は、直流電流になっている。電圧印加対象装置１２としては、例えば、直流電源装置が挙げられる。電圧印加対象装置１２が直流電源装置である場合に、電圧印加対象装置１２から図示しない電流供給対象装置に直流電流が供給される。

【0013】

入力スイッチ部１は、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。

【0014】

Ｎチャンネル型ＦＥＴ２は、ゲートＧと、ドレインＤと、ソースＳと、を有している。Ｎチャンネル型ＦＥＴ２は、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。具体的には、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２のドレインＤは、入力スイッチ部１を介して、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。

【0015】

制限抵抗３は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２に並列に接続されている。具体的には、制限抵抗３は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２のドレインＤおよびソースＳに接続されている。

【0016】

平滑コンデンサ４は、第１電極４０１と、第２電極４０２と、を有している。平滑コンデンサ４は、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。具体的には、平滑コンデンサ４の第１電極４０１は、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。平滑コンデンサ４の第２電極４０２は、入力電源装置１１の負極端子１１２に接続されている。したがって、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して、入力電源装置１１から平滑コンデンサ４に電流が供給される。

【0017】

平滑コンデンサ４の第１電極４０１は、電圧印加対象装置１２の正極端子１２１に接続されている。平滑コンデンサ４の第２電極４０２は、電圧印加対象装置１２の負極端子１２２に接続されている。したがって、平滑コンデンサ４の電圧が電圧印加対象装置１２に印加される。

【0018】

電圧検出部５は、平滑コンデンサ４に並列に接続されている。電圧検出部５は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを検出する。

【0019】

電圧検出部５は、第１抵抗５０１と、第１ツェナーダイオード５０２と、第２ツェナーダイオード５０３と、第２抵抗５０４と、第３抵抗５０５と、を有している。

【0020】

第１抵抗５０１は、平滑コンデンサ４の第１電極４０１に接続されている。第３抵抗５０５は、平滑コンデンサ４の第２電極４０２に接続されている。第１抵抗５０１、第１ツェナーダイオード５０２、第２ツェナーダイオード５０３、第２抵抗５０４および第３抵抗５０５は、第１抵抗５０１、第１ツェナーダイオード５０２、第２ツェナーダイオード５０３、第２抵抗５０４、第３抵抗５０５の順に直列に接続されている。

【0021】

平滑コンデンサ４の電圧の値が、第１ツェナーダイオード５０２のツェナー電圧の値Ｖ２と第２ツェナーダイオード５０３のツェナー電圧の値Ｖ３とを加算した値以上である場合に、第１ツェナーダイオード５０２および第２ツェナーダイオード５０３に電流が流れる。したがって、第１ツェナーダイオード５０２のツェナー電圧の値Ｖ２と第２ツェナーダイオード５０３のツェナー電圧の値Ｖ３とを加算した値が、電圧検出部５が検出する予め設定された値Ｖ１になる。

【0022】

発光部６は、抵抗６０１と、発光ダイオード６０２と、を有している。抵抗６０１は、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。発光ダイオード６０２は、発光スイッチング部７に接続されている。抵抗６０１および発光ダイオード６０２は、互いに直列に接続されている。抵抗６０１によって、発光ダイオード６０２に供給される電流の値が決められている。

【0023】

発光スイッチング部７は、トランジスタから構成されている。発光スイッチング部７は、ベースＢと、エミッタＥと、コレクタＣと、を有している。

【0024】

発光スイッチング部７のベースＢは、電圧検出部５における第２抵抗５０４と第３抵抗５０５との間の部分に接続されている。発光スイッチング部７のエミッタＥは、平滑コンデンサ４の第２電極４０２に接続されている。

【0025】

平滑コンデンサ４の電圧の値が、第１ツェナーダイオード５０２のツェナー電圧の値Ｖ２と第２ツェナーダイオード５０３のツェナー電圧の値Ｖ３とを加算した値以上である場合に、第３抵抗５０５に電圧が印加される。第３抵抗５０５に電圧が印加されることによって、第３抵抗５０５に印加された電圧と同一の電圧が発光スイッチング部７におけるベースＢとエミッタＥとの間に印加される。

【0026】

第３抵抗５０５に印加される電圧の値は、発光スイッチング部７をオンさせることができる程度の電圧の値になっている。したがって、第３抵抗５０５に印加された電圧と同一の電圧が発光スイッチング部７におけるベースＢとエミッタＥとの間に印加されることによって、発光スイッチング部７がオンされる。発光スイッチング部７がオンされることによって、発光スイッチング部７におけるコレクタＣとエミッタＥとが互いに導通される。

【0027】

発光スイッチング部７のコレクタＣは、発光部６の発光ダイオード６０２に接続されている。したがって、発光スイッチング部７がオンされることによって、入力電源装置１１から発光ダイオード６０２に電流が供給され、発光ダイオード６０２が光を発する。

【0028】

言い換えれば、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出した場合に、発光スイッチング部７は、発光部６に光を発せさせる。

【0029】

フォトダイオード８は、発光部６から発せられた光を受けるように配置されている。フォトダイオード８は、正電極と、負電極と、を有している。フォトダイオード８の正電極は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２のゲートＧに接続されている。フォトダイオード８の負電極は、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。

【0030】

発光部６から発せられた光をフォトダイオード８が受けることによって、フォトダイオード８の正電極の電圧は、フォトダイオード８の負電極の電圧よりも高くなる。発光部６から発せられた光をフォトダイオード８が受けることによってフォトダイオード８における正電極と負電極との間に発生する電圧の値は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２をオンさせることができる程度の電圧の値になっている。したがって、発光部６から発せられた光をフォトダイオード８が受けることによって、フォトダイオード８がＮチャンネル型ＦＥＴ２をオンさせる。

【0031】

検出遅延部９は、コンデンサ９０１と、抵抗９０２と、を有している。コンデンサ９０１および抵抗９０２は、互いに並列に接続されている。コンデンサ９０１は、第１ツェナーダイオード５０２と第２ツェナーダイオード５０３との間の部分に接続されている。また、コンデンサ９０１は、平滑コンデンサ４の第２電極４０２に接続されている。

【0032】

平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上になることによって、第１ツェナーダイオード５０２および第２ツェナーダイオード５０３に電流が流れる。第１ツェナーダイオード５０２および第２ツェナーダイオード５０３に電流が流れることによって、第１抵抗５０１、第２抵抗５０４および第３抵抗５０５に電流が流れる。コンデンサ９０１は、第２抵抗５０４および第３抵抗５０５に電流が流れることを遅延させる。第３抵抗５０５に電流が流れることが遅延することによって、検出遅延部９は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出することを遅延させる。

【0033】

抵抗９０２は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１よりも小さくなった場合に、コンデンサ９０１を放電させる。

【0034】

保護回路部１０は、ダイオード１０１と、抵抗１０２と、を有している。ダイオード１０１および抵抗１０２は、互いに並列に接続されている。

【0035】

ダイオード１０１の正電極は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２のゲートＧに接続されている。ダイオード１０１の負電極は、入力スイッチ部１、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。これにより、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２において、ソースＳに印加される電圧の値がゲートＧに印加される電圧の値を超えることが防止されている。

【0036】

抵抗１０２は、フォトダイオード８がＮチャンネル型ＦＥＴ２をオンしていない場合に、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２においてゲートＧの電圧の値をソースＳの電圧の値に一致させる。

【0037】

次に、実施の形態１に係る突入電流防止回路の動作について説明する。図２は、図１の突入電流防止回路における平滑コンデンサへの電流経路の切り替えを示すタイミングチャートである。図２では、入力スイッチ部１がオフからオンに切り替えられる時刻ｔ１と、平滑コンデンサ４の電圧と、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２がオフからオンに切り替えられる時刻ｔ２と、入力電源装置１１から平滑コンデンサ４への電流経路との関係が示されている。

【0038】

入力スイッチ部１が時刻ｔ１においてオンされると、入力電源装置１１から制限抵抗３を介して平滑コンデンサ４に電流が供給される。これにより、平滑コンデンサ４の電圧が増加するとともに、入力電源装置１１から平滑コンデンサ４に突入電流が流れることが防止される。

【0039】

平滑コンデンサ４の電圧の増加が継続することによって、時刻ｔ２において、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上になる。平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上になることによって、電圧検出部５は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを検出する。

【0040】

平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出することによって、発光スイッチング部７は、発光部６に光を発せさせる。

【0041】

発光部６が光を発することによって、フォトダイオード８は、発光部６から発せられた光を受ける。これにより、フォトダイオード８は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２をオンさせる。

【0042】

Ｎチャンネル型ＦＥＴ２がオンすることによって、入力電源装置１１からＮチャンネル型ＦＥＴ２を介して平滑コンデンサ４に電流が供給される。これにより、入力電源装置１１から制限抵抗３を介して平滑コンデンサ４に電流が流れることが抑制される。その結果、突入電流防止回路の消費電力が低減される。

【0043】

以上説明したように、実施の形態１に係る突入電流防止回路は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２と、制限抵抗３と、平滑コンデンサ４と、電圧検出部５と、発光部６と、発光スイッチング部７と、フォトダイオード８と、を備えている。Ｎチャンネル型ＦＥＴ２は、入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。制限抵抗３は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２に並列に接続されている。平滑コンデンサ４は、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して入力電源装置１１の正極端子１１１に接続されている。電圧検出部５は、平滑コンデンサ４に並列に接続されており、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを検出する。発光部６は、光を発する。発光スイッチング部７は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出した場合に発光部６に光を発せさせる。フォトダイオード８は、発光部６から発せられた光を受ける。発光部６から発せられた光をフォトダイオード８が受けることによって、フォトダイオード８がＮチャンネル型ＦＥＴ２をオンさせる。この構成によれば、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上である場合に、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２がオンされて、入力電源装置１１からＮチャンネル型ＦＥＴ２を介して平滑コンデンサ４に電流が供給される。これにより、電圧印加対象装置１２の出力側に突入電流防止回路が接続されることなく突入電流防止回路を設置することができる。

【0044】

また、実施の形態１に係る突入電流防止回路は、検出遅延部９を備えている。検出遅延部９は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出することを遅延させる。この構成によれば、電圧検出部５は、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることをより正確に検出することができる。

【0045】

また、実施の形態１に係る突入電流防止回路では、フォトダイオード８は、負電極がＮチャンネル型ＦＥＴ２および制限抵抗３を介して入力電源装置１１の正極端子１１１に接続され、正電極がＮチャンネル型ＦＥＴ２のゲートＧに接続されている。この構成によれば、Ｎチャンネル型ＦＥＴ２のゲートＧとソースＳとの間に電圧を印加するために新たな電源装置を設置する必要がない。これにより、突入電流防止回路の構成を簡素化することができる。

【0046】

なお、実施の形態１に係る突入電流防止回路では、発光スイッチング部７がトランジスタから構成されている突入電流回路防止回路の構成について説明した。しかしながら、発光スイッチング部７は、トランジスタに限らず、平滑コンデンサ４の電圧の値が予め設定された値Ｖ１以上であることを電圧検出部５が検出した場合に発光部６に光を発せさせることができる部材であればよい。

【0047】

また、実施の形態１に係る突入電流防止回路では、検出遅延部９が抵抗９０２を有している構成について説明した。しかしながら、検出遅延部９が抵抗９０２を有していない構成であってもよい。

【0048】

また、実施の形態１に係る突入電流防止回路では、発光部６が発光ダイオード６０２を有している構成について説明した。しかしながら、発光部６は、発光ダイオード６０２に限らず、電流が供給されることによって光を発する部材を有していればよい。

【0049】

以上、好ましい実施の形態１に係る突入電流防止回路について説明したが、上述した実施の形態１に係る突入電流防止回路に制限されることはない。特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態１に係る突入電流防止回路に種々の変形および変換を加えることができる。

【符号の説明】

【0050】

１ 入力スイッチ部、２ Ｎチャンネル型ＦＥＴ、３ 制限抵抗、４ 平滑コンデンサ、５ 電圧検出部、６ 発光部、７ 発光スイッチング部、８ フォトダイオード、９ 検出遅延部、１０ 保護回路部、１１ 入力電源装置、１２ 電圧印加対象装置、１０１ ダイオード、１０２ 抵抗、１１１ 正極端子、１１２ 負極端子、１２１ 正極端子、１２２ 負極端子、４０１ 第１電極、４０２ 第２電極、５０１ 第１抵抗、５０２ 第１ツェナーダイオード、５０３ 第２ツェナーダイオード、５０４ 第２抵抗、５０５ 第３抵抗、６０１ 抵抗、６０２ 発光ダイオード、９０１ コンデンサ、９０２ 抵抗。

【図1】

【図2】