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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024057707
(43)【公開日】2024-04-25
(54)【発明の名称】電気光学装置および電子機器
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240418BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20240418BHJP
G02F 1/1335 20060101ALI20240418BHJP
G02B 3/00 20060101ALI20240418BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 349Z
G09F9/30 338
G02F1/1368
G02F1/1335
G02B3/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022164540
(22)【出願日】2022-10-13
(71)【出願人】
【識別番号】000002369
【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100179475
【弁理士】
【氏名又は名称】仲井 智至
(74)【代理人】
【識別番号】100216253
【弁理士】
【氏名又は名称】松岡 宏紀
(74)【代理人】
【識別番号】100225901
【弁理士】
【氏名又は名称】今村 真之
(72)【発明者】
【氏名】古我 祐貴
【テーマコード（参考）】
2H192
2H291
5C094
【Ｆターム（参考）】
2H192AA24
2H192BC42
2H192CB02
2H192CB34
2H192CB53
2H192CC33
2H192DA43
2H192DA52
2H192EA13
2H192EA15
2H192EA66
2H192GD46
2H192HA14
2H192HA88
2H192JB02
2H291FA56Y
2H291FA64Y
2H291FB12
2H291FC02
2H291FC22
2H291GA19
2H291LA40
2H291MA13
5C094AA01
5C094BA03
5C094BA43
5C094CA19
5C094DA13
5C094DB01
5C094ED01
5C094HA02
5C094HA04
5C094HA05
5C094HA08
(57)【要約】
【課題】ノッチによる影響を抑制できる電気光学装置を提供すること。
【解決手段】第１層３２１と、第１層３２１に積層された第２層３２２と、第１層３２１及び第２層３２２の一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられた第３層３２３と、を有する透光層３２と、凹部３２ｃを埋めるように第３層３２３に積層されたレンズ層３４と、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】第１層３２１と、第１層３２１に積層された第２層３２２と、第１層３２１及び第２層３２２の一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられた第３層３２３と、を有する透光層３２と、凹部３２ｃを埋めるように第３層３２３に積層されたレンズ層３４と、を備える。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１層と、前記第１層に積層された第２層と、前記第１層及び前記第２層の一部を除去して設けられた凹状のレンズ面に沿って設けられた第３層と、を有する透光層と、
前記レンズ面を埋めるように前記第３層に積層されたレンズ層と、を備える、
電気光学装置。
前記レンズ面を埋めるように前記第３層に積層されたレンズ層と、を備える、
電気光学装置。
【請求項2】
前記レンズ面は、前記第１層と前記第２層との間にノッチを有する、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項3】
画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとを電気的に接続するための中継層と、を備え、
前記第３層は、前記中継層と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの側面に沿って設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとを電気的に接続するための中継層と、を備え、
前記第３層は、前記中継層と前記画素電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールの側面に沿って設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項4】
前記コンタクトホール内に、前記中継層と前記画素電極とを電気的に接続するための接続部材を備え、
前記第３層は、前記コンタクトホールの側面と前記接続部材との間に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
前記第３層は、前記コンタクトホールの側面と前記接続部材との間に設けられている、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項5】
前記第１層、前記第２層及び前記第３層は、それぞれ同一材料で構成される、
請求項１に記載の電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項6】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電気光学装置および当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
素子基板の基板本体上に形成された画素電極と、画素電極と基板との間に形成されたスイッチング素子と、画素電極とスイッチング素子との間に形成されたレンズを備えた電気光学装置が、特許文献１に記載されている。
特許文献１のものでは、透光層に設けられた凹部と、凹部を埋めるように配置されたレンズ層とを備え、透光層は、複数の透光層で構成されている。
特許文献１のものでは、透光層に設けられた凹部と、凹部を埋めるように配置されたレンズ層とを備え、透光層は、複数の透光層で構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－１７００６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
発明者等の実験結果によれば、複数の透光層をエッチングして凹部を形成すると、凹部にノッチが入ってしまい、凹部に積層するレンズ層の屈折面が、なめらかな曲面にならない、という課題があることが分かった。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、ノッチによる影響を抑制できる電気光学装置を提供することを課題とする。
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、ノッチによる影響を抑制できる電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本願の一態様に係る電気光学装置は、第１層と、前記第１層に積層された第２層と、前記第１層及び前記第２層の一部を除去して設けられた凹状のレンズ面に沿って設けられた第３層と、を有する透光層と、前記レンズ面を埋めるように前記第３層に積層されたレンズ層と、を備える。
【0006】
本願の一態様に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態１に係る電気光学装置の平面図。
【図3】素子基板の電気的な構成を示す等価回路図。
【図4】素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図。
【図5】素子基板の表示領域の一部を示す平面図。
【図7】光学機能層の製造方法を示すフローチャート。
【図8】製造過程における一態様を示す断面図。
【図9】製造過程における一態様を示す断面図。
【図10】製造過程における一態様を示す断面図。
【図11】製造過程における一態様を示す断面図。
【図12】製造過程における一態様を示す断面図。
【図13】実施形態２に係る電気光学装置の断面図。
【図14】光学機能層の製造方法を示すフローチャート。
【図15】製造過程における一態様を示す断面図。
【図16】製造過程における一態様を示す断面図。
【図17】製造過程における一態様を示す断面図。
【図18】製造過程における一態様を示す断面図。
【図19】実施形態３に係る電子機器の一例を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
また、以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。また、以下では、Ｚ１方向またはＺ２方向に見ることを「平面視」とし、Ｚ軸を含む断面に対して垂直方向から見ることを「断面視」とする。
【0009】
さらに、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。また、ある構成の上面との記載は、当該構成のＺ１方向側の面、例えば「透光層の上面」は透光層のＺ１方向側の面、を示すものとする。また、ある構成の下面との記載は、当該構成のＺ２方向側の面、例えば「レンズ層の下面」はレンズ層のＺ２方向側の面、を示すものとする。
【0010】
１．実施形態１
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置において、光変調装置として用いられる。
【0011】
１．１．液晶装置の構造の概要
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置の平面図を示し、電気光学装置として透過型の液晶装置３００の概略的な平面構成を示す。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図であり、液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置の構造について、図１と図２とを参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置の平面図を示し、電気光学装置として透過型の液晶装置３００の概略的な平面構成を示す。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う電気光学装置の断面図であり、液晶装置３００の概略的な断面構成を示す。
【0012】
図１および図２に示すように、液晶装置３００は、透光性を有する素子基板１００と、透光性を有する対向基板２００と、枠状に設けられたシール部材８と、液晶層Ｌｃとを有する。なお、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
【0013】
液晶装置３００は、画像を表示する表示領域Ａ１と、平面視において表示領域Ａ１の外側に位置する外側領域Ａ２とを有する。表示領域Ａ１には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。なお、図１に示す液晶装置３００の形状は、四角形であるが、例えば円形であってもよい。
【0014】
図２に示すように、素子基板１００と対向基板２００とは、液晶層Ｌｃを介して配置される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
本実施形態では、液晶層Ｌｃの光入射側に、対向基板２００が配置され、液晶層Ｌｃの光出射側に、素子基板１００が配置される。対向基板２００に入射した入射光ＩＬは、液晶層Ｌｃで変調されて、変調光ＭＬとして素子基板１００から射出される。
【0015】
素子基板１００は、基体９０と層間絶縁層８２を含む複数の層間絶縁層と画素電極１０と配向膜１２とを有する。また、図示しないが、画素電極１０と層間絶縁層８２との間には、後述するレンズ層３４が設けられる。
【0016】
基体９０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体９０は、例えばガラス基板または石英基板である。複数の層間絶縁層の層間には、後述するトランジスター１が配置される。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料によって、形成される。画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。
配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化ケイ素またはポリイミドが挙げられる。
画素電極１０は、透光性を有する。画素電極１０は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料によって、形成される。画素電極１０の厚さ方向は、Ｚ１方向またはＺ２方向と一致する。
配向膜１２は、透光性および絶縁性を有する。配向膜１２は、液晶層Ｌｃの液晶分子を配向させる。配向膜１２の材料としては、例えば酸化ケイ素またはポリイミドが挙げられる。
【0017】
対向基板２００は、素子基板１００に対向して配置される基板である。対向基板２００は、基体２１０、絶縁層２２０、共通電極２３０、および配向膜２４０を有する。
【0018】
基体２１０は、透光性および絶縁性を有する平板である。基体２１０は、例えばガラス基板または石英基板である。
絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化ケイ素等の無機材料である。
絶縁層２２０は、透光性および絶縁性を有する。絶縁層２２０の材料は、例えば酸化ケイ素等の無機材料である。
【0019】
共通電極２３０は、複数の画素電極１０に対向して配置される電極であり、対向電極と言い換えられる。共通電極２３０は、例えばＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。共通電極２３０と画素電極１０とは、液晶層Ｌｃに電界を印加する。
配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。
配向膜２４０は、透光性および絶縁性を有する。
【0020】
シール部材８は、素子基板１００と対向基板２００との間に配置される。シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。
【0021】
液晶層Ｌｃは、素子基板１００、対向基板２００およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。液晶層Ｌｃは、複数の画素電極１０と共通電極２３０との間に配置される。液晶層Ｌｃは、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層Ｌｃは、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層Ｌｃに印加される電界に応じて変化する。液晶層Ｌｃは、印加される電界に応じて入射光ＩＬを変調する。
【0022】
図１に示すように、素子基板１００の外側領域Ａ２に、複数の走査線駆動回路６、データ線駆動回路７、および複数の外部端子９が配置される。複数の外部端子９の一部は、図示しない配線を介して走査線駆動回路６またはデータ線駆動回路７に接続される。また、複数の外部端子９は、外部から共通電位が印加される端子を含む。
【0023】
１．２．素子基板の電気的な構成
図３は、素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、スイッチング素子としての複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｍ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
図３は、素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
図３に示すように、素子基板１００の表示領域Ａ１には、スイッチング素子としての複数のトランジスター１、ｎ本の走査線３、ｍ本のデータ線４、およびｍ本の容量線５が設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４との各交差に対応してトランジスター１が配置される。
【0024】
ｎ本の走査線３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線３のそれぞれは、対応するトランジスター１のゲート電極に電気的に接続される。ｎ本の走査線３は、図１に示す走査線駆動回路６に電気的に接続される。
走査線駆動回路６は、１～ｎ本の走査線３に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎを、線順次で供給する。
走査線駆動回路６は、１～ｎ本の走査線３に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎを、線順次で供給する。
【0025】
ｍ本のデータ線４のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本のデータ線４はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本のデータ線４のそれぞれは、対応する複数のトランジスター１のソース領域に電気的に接続される。ｍ本のデータ線４は、図１に示すデータ線駆動回路７に電気的に接続される。
データ線駆動回路７は、１～ｍ本のデータ線４に、画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍを、供給する。
データ線駆動回路７は、１～ｍ本のデータ線４に、画像信号Ｅ１、Ｅ２、…、およびＥｍを、供給する。
【0026】
ｎ本の走査線３とｍ本のデータ線４とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視において格子状に配置される。隣り合う２つの走査線３と隣り合う２つのデータ線４とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
画素Ｐ毎に画素電極１０が設けられる。画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域に電気的に接続される。
【0027】
ｍ本の容量線５のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の容量線５はＸ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｍ本の容量線５は、ｍ本のデータ線４およびｎ本の走査線３に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各容量線５には、共通電位またはグランド電位等の固定電位が印加される。
【0028】
容量素子２の一方の電極は、容量線５に電気的に接続される。容量素子２の他方の電極は、画素電極１０に電気的に接続され、画素電極１０に供給される画像信号の電位を保持する。
【0029】
１．３．素子基板の表示領域の断面構造
図４は、素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積層された、断面構造を有する。
図４は、素子基板の表示領域の断面構造を示す説明図であり、表示領域Ａ１に設けられた画素Ｐの断面構造を示す。
図４に示すように、表示領域Ａ１において、素子基板１００は、絶縁性または導電性の機能層または機能膜が基体９０上に積層された、断面構造を有する。
【0030】
基体９０と層間絶縁層８２との間には、遮光層８０が配置される。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を用いることができる。遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
遮光層８０は、遮光性を有する導電材料で形成される。遮光性を有する導電材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、金属窒化物ならびに金属シリサイド等の金属材料を用いることができる。遮光層８０は、走査線３の一部を構成する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは、可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは、１０％以下であることをいう。
【0031】
層間絶縁層８２は、透光性および絶縁性を有する。層間絶縁層８２は、例えば、酸化ケイ素等の無機材料によって、形成される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が配置される。
層間絶縁層８２上には、トランジスター１が配置される。
【0032】
トランジスター１は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有する半導体層７０と、ゲート電極７４と、ゲート絶縁層７２とを有する。
半導体層７０は、ドレイン領域７０ｄ、ＬＤＤ領域７０ａ、チャネル領域７０ｃ、ＬＤＤ領域７０ｂおよびソース領域７０ｓを有する。
半導体層７０は、ドレイン領域７０ｄ、ＬＤＤ領域７０ａ、チャネル領域７０ｃ、ＬＤＤ領域７０ｂおよびソース領域７０ｓを有する。
【0033】
チャネル領域７０ｃは、ソース領域７０ｓとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ｂは、チャネル領域７０ｃとソース領域７０ｓとの間に位置する。ＬＤＤ領域７０ａは、チャネル領域７０ｃとドレイン領域７０ｄとの間に位置する。
半導体層７０は、例えば、ポリシリコンであり、チャネル領域７０ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。ＬＤＤ領域７０ｂおよびＬＤＤ領域７０ａ中の不純物濃度は、ソース領域７０ｓおよびドレイン領域７０ｄ中の不純物濃度よりも低い。
半導体層７０は、例えば、ポリシリコンであり、チャネル領域７０ｃを除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。ＬＤＤ領域７０ｂおよびＬＤＤ領域７０ａ中の不純物濃度は、ソース領域７０ｓおよびドレイン領域７０ｄ中の不純物濃度よりも低い。
【0034】
半導体層７０上には、ゲート絶縁層７２を介して、ゲート電極７４が設けられる。ゲート電極７４は、半導体層７０のチャネル領域７０ｃに重なる。
ゲート電極７４は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
ゲート電極７４は、例えば、ポリシリコンに導電性を高める不純物がドープされることにより形成される。なお、ゲート電極７４は、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料を用いて形成されてもよい。
【0035】
ゲート絶縁層７２は、例えば、熱酸化またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で成膜される酸化ケイ素で構成される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、ゲート絶縁層７２と層間絶縁層８２とを貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続される。
ゲート電極７４と遮光層８０との間は、ゲート絶縁層７２と層間絶縁層８２とを貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続される。
【0036】
トランジスター１上には、層間絶縁層７６を介して、導電層６０と中継層６２とが設けられる。導電層６０と中継層６２とは、同層に設けられ、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層７６は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域７０ｓに電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
導電層６０は、データ線４の一部を構成する。導電層６０は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７３を介して、半導体層７０のソース領域７０ｓに電気的に接続される。
中継層６２は、層間絶縁層７６を貫通するコンタクトホール７１を介して、半導体層７０のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0037】
導電層６０および中継層６２上には、層間絶縁層６４が設けられ、層間絶縁層６４上には、中継層５２が設けられる。中継層５２は、遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層６４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
中継層５２は、層間絶縁層６４を貫通するコンタクトホール６１を介して、中継層６２に電気的に接続される。
【0038】
中継層５２上には、層間絶縁層５４を介して、容量素子２が設けられる。
容量素子２は、基体９０側に設けられた容量電極５０、画素電極１０側に設けられた容量電極４０、および容量電極５０と容量電極４０との間に設けられた誘電体層５６を有する。容量電極４０と容量電極５０とは、いずれも遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層５４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
容量素子２は、基体９０側に設けられた容量電極５０、画素電極１０側に設けられた容量電極４０、および容量電極５０と容量電極４０との間に設けられた誘電体層５６を有する。容量電極４０と容量電極５０とは、いずれも遮光性の導電材料で形成される。層間絶縁層５４は、層間絶縁層８２と同様の材料によって、形成される。
【0039】
容量電極５０は、容量線５の一部を構成する。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続される。これによって、容量電極４０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
容量電極４０は、層間絶縁層５４を貫通するコンタクトホール５１を介して、中継層５２に電気的に接続される。これによって、容量電極４０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0040】
容量電極４０と画素電極１０との間には、レンズ層３４を含む光学機能層ＬＳが設けられる。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５等の遮光性の材料層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。光学機能層ＬＳは、透光層４２、透光層３２、レンズ層３４、透光層２２と保護層２４とを含む。
光学機能層ＬＳは、光量ロスを抑制するために設けられる。具体的には、画素電極１０を通過した通過光が、データ線４や容量線５等の遮光性の材料層に当たってロスとならないように、通過光の光路を調整する。光学機能層ＬＳは、透光層４２、透光層３２、レンズ層３４、透光層２２と保護層２４とを含む。
【0041】
透光層４２は、光路長を調整するためのパス層と称せられる光路長調整層である。透光層４２は、酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。また、透光層４２の上面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等によって平坦化されている。
【0042】
透光層３２は、光路長調整層である。
透光層３２は、第１層３２１、第１層に積層された第２層３２２、および第１層３２１と第２層３２２との一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられた第３層３２３を有する。本実施形態において、凹部３２ｃは、凹状のレンズ面に対応する。
透光層３２は、第１層３２１、第１層に積層された第２層３２２、および第１層３２１と第２層３２２との一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられた第３層３２３を有する。本実施形態において、凹部３２ｃは、凹状のレンズ面に対応する。
【0043】
凹部３２ｃは、第１層３２１と第２層３２２との界面に、ノッチ３２ｎを有する。凹部３２ｃは、お椀状の曲面を有する。
第１層３２１、第２層３２２および第３層３２３は、いずれも酸化ケイ素で形成される。
第１層３２１、第２層３２２および第３層３２３は、いずれも酸化ケイ素で形成される。
【0044】
レンズ層３４は、凹部３２ｃを埋めるように第３層３２３に積層される。レンズ層３４の下面３４ｓは、凹部３２ｃに沿った凸形状の曲面を有する。レンズ層３４は、透光層３２と屈折率の異なる無機材料、例えば酸窒化ケイ素、によって形成される。したがって、第３層３２３とレンズ層３４との境界面であるレンズ層３４の下面３４ｓが、屈折面である。
レンズ層３４は、酸窒化ケイ素を、凹部３２ｃを埋めるように成膜した後、ＣＭＰ等によって平坦化されて形成される。
レンズ層３４は、酸窒化ケイ素を、凹部３２ｃを埋めるように成膜した後、ＣＭＰ等によって平坦化されて形成される。
【0045】
透光層２２は、レンズ層３４上に設けられる。
透光層２２は、透光層４２と同様に酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。透光層２２の層厚は、透光層３２の層厚よりも薄い。
透光層２２は、透光層４２と同様に酸化ケイ素等の無機材料によって形成される。透光層２２の層厚は、透光層３２の層厚よりも薄い。
【0046】
コンタクトホール２３は、画素電極１０とコンタクトプラグ３１との電気的な接続を良好に行うために設けられている。コンタクトホール３３は、後述するように、４つの画素電極１０の間の隙間に設けられるため、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とを直接接続することができない。
したがって、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とは、中継層２０とコンタクトホール２３内に設けられた画素コンタクトプラグ２１とを介して電気的に接続される。
したがって、画素電極１０とコンタクトプラグ３１とは、中継層２０とコンタクトホール２３内に設けられた画素コンタクトプラグ２１とを介して電気的に接続される。
【0047】
中継層２０は、レンズ層３４上に設けられ、平面視で、コンタクトプラグ３１と画素電極１０とに重なるように設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、平面視で、中継層２０と画素電極１０とに重なるように設けられる。
中継層２０と画素電極１０との間に透光層２２を設けることで、４つの画素電極１０の間の隙間に、コンタクトプラグ３１を設けることができ、レイアウトの制約を満たすことができる。
中継層２０と画素電極１０との間に透光層２２を設けることで、４つの画素電極１０の間の隙間に、コンタクトプラグ３１を設けることができ、レイアウトの制約を満たすことができる。
【0048】
保護層２４は、透光層２２上に設けられる。保護層２４は、例えば、ＢＳＧ（Borosilicate Glass）等の透光性および吸湿性を有する無機材料で構成される。保護層２４上に、画素電極１０が設けられる。画素電極１０上には、配向膜１２が設けられる。
【0049】
画素電極１０と容量電極４０とは、画素コンタクトプラグ２１、中継層２０、コンタクトプラグ３１、中継層３０、およびコンタクトプラグ４１を介して、電気的に接続される。これによって、画素電極１０は、トランジスター１のドレイン領域７０ｄに電気的に接続される。
【0050】
画素コンタクトプラグ２１は、コンタクトホール２３内に設けられる。コンタクトホール２３は、保護層２４と透光層２２とを貫通して設けられる。画素コンタクトプラグ２１は、タングステン等の導電材料によって形成される。
【0051】
中継層２０は、画素コンタクトプラグ２１の材料としてタングステンを用いる場合、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成する。
【0052】
コンタクトプラグ３１は、コンタクトホール３３内に設けられる。コンタクトホール３３は、レンズ層３４と透光層３２とを貫通して設けられる。コンタクトプラグ３１は、タングステン等の導電材料によって形成される。
【0053】
中継層３０は、透光層３２と透光層４２との間に設けられる。コンタクトプラグ３１の材料としてタングステンを用いる場合、中継層３０は、タングステンと良好な導通が取れる材料、例えば、窒化チタン等で形成する。
【0054】
コンタクトプラグ４１は、コンタクトホール４３内に設けられる。コンタクトホール４３は、透光層４２を貫通して設けられる。
コンタクトプラグ４１は、タングステン等の導電材料によって形成される。コンタクトプラグ４１は、中継層３０、容量電極４０、およびコンタクトプラグ３１に接触して、中継層３０およびコンタクトプラグ３１と、容量電極４０とを電気的に接続する。
コンタクトプラグ４１は、タングステン等の導電材料によって形成される。コンタクトプラグ４１は、中継層３０、容量電極４０、およびコンタクトプラグ３１に接触して、中継層３０およびコンタクトプラグ３１と、容量電極４０とを電気的に接続する。
【0055】
１．４．素子基板の表示領域の平面構造
図５は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。なお、図５では、画素電極１０を実線で描画し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成を破線で描画した。また、以下に示す平面図では、レンズ層３４の下面３４ｓの曲面形状を二点鎖線の２重円で示すとともに、隣り合う２つの画素Ｐのレンズ層３４の下面３４ｓ同士が接する境界を境界線３４ｂで示した。
図５は、素子基板の表示領域の一部を示す平面図であり、素子基板１００の表示領域Ａ１を、液晶層Ｌｃ側からＺ２方向に見た図である。なお、図５では、画素電極１０を実線で描画し、画素電極１０よりも基体９０側に設けられた光学機能層ＬＳに含まれる構成を破線で描画した。また、以下に示す平面図では、レンズ層３４の下面３４ｓの曲面形状を二点鎖線の２重円で示すとともに、隣り合う２つの画素Ｐのレンズ層３４の下面３４ｓ同士が接する境界を境界線３４ｂで示した。
【0056】
図５に示すように、画素電極１０は、Ｘ軸およびＹ軸に沿ってマトリクス状に配置される。
画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と重なる位置、本実施形態では画素電極１０の四隅のうちの図面左下の角と重なる位置に設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、画素電極１０と重なる位置、本実施形態では画素電極１０の四隅のうちの図面左下の角と重なる位置に設けられる。
【0057】
中継層２０の形状は、矩形である。中継層２０の四隅のそれぞれは、画素電極１０のＸ２方向、Ｙ２方向、および対角方向に隣り合う４つの画素電極１０のそれぞれの角と、重なるように設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、平面視において中継層２０の四隅のうちの一つの角に設けられる。
画素コンタクトプラグ２１は、平面視において中継層２０の四隅のうちの一つの角に設けられる。
【0058】
コンタクトホール３３は、平面視において中継層２０と重なる位置に設けられ、４つの画素電極１０の間の隙間と重なるように設けられる。
コンタクトプラグ３１は、本実施形態において、画素コンタクトプラグ２１と、平面視において重ならない位置に設けられる。コンタクトプラグ３１と画素コンタクトプラグ２１とが重ならないにようにするため、コンタクトプラグ３１は、中継層２０において画素コンタクトプラグ２１が設けられた角の対角の角に寄せて設けられる。
コンタクトプラグ３１は、本実施形態において、画素コンタクトプラグ２１と、平面視において重ならない位置に設けられる。コンタクトプラグ３１と画素コンタクトプラグ２１とが重ならないにようにするため、コンタクトプラグ３１は、中継層２０において画素コンタクトプラグ２１が設けられた角の対角の角に寄せて設けられる。
【0059】
このように画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重ならない位置に設けた場合、画素コンタクトプラグ２１をコンタクトプラグ３１と重なる位置に設けた場合よりも、画素コンタクトプラグ２１と重なる画素電極１０の成膜性を向上させることができる。
【0060】
中継層３０は、中継層２０と同じ大きさおよび形状に設けられる。中継層２０と中継層３０とは、平面視において略完全に重なる。
コンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。より具体的には、コンタクトプラグ４１とコンタクトプラグ３１とは、平面視において略完全に重なる。
コンタクトプラグ４１は、コンタクトプラグ３１と重なる位置に設けられる。より具体的には、コンタクトプラグ４１とコンタクトプラグ３１とは、平面視において略完全に重なる。
【0061】
容量電極４０は、幅広部４０ｗと、幅広部４０ｗから走査線３と重なるようにＸ１方向に沿って延在する延在部と、幅広部４０ｗからデータ線４と重なるようにＹ１方向に沿って延在する延在部と、を有する。
幅広部４０ｗは、コンタクトホール３３、コンタクトホール４３、コンタクトホール５１と重なるように設けられている。また、幅広部４０ｗは、平面視において中継層２０と略完全に重なる形状に設けられる。
幅広部４０ｗは、コンタクトホール３３、コンタクトホール４３、コンタクトホール５１と重なるように設けられている。また、幅広部４０ｗは、平面視において中継層２０と略完全に重なる形状に設けられる。
【0062】
本実施形態において、境界線３４ｂが交差する箇所とコンタクトプラグ３１とが重なっている。これは、コンタクトプラグ３１が、レンズ層３４の下面３４ｓを貫通して設けられていることを示す。
【0063】
１．５．素子基板の表示領域の光学機能層の構造
図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図であり、光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図６に示すように、凹部３２ｃは、ノッチ３２ｎを有する。ノッチ３２ｎは、第１層３２１および第２層３２２をエッチングした際に、凹部３２ｃに露出する第１層３２１と第２層３２２との界面に発生した切り欠きである。
図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図であり、光学機能層ＬＳの断面構造を示す。
図６に示すように、凹部３２ｃは、ノッチ３２ｎを有する。ノッチ３２ｎは、第１層３２１および第２層３２２をエッチングした際に、凹部３２ｃに露出する第１層３２１と第２層３２２との界面に発生した切り欠きである。
【0064】
凹部３２ｃ上には、第３層３２３が設けられる。
第３層３２３は、ノッチ３２ｎを埋めるように設けられる。ノッチ３２ｎに重なる第３層３２３の上面は、ノッチ３２ｎの形状が転写されることなく、なめらかな曲面形状に形成される。したがって、第３層３２３を介してノッチ３２ｎ上に積層されるレンズ層３４の下面３４ｓは、なめらかな曲面形状に形成され、ノッチ３２ｎによる影響は、抑制される。
第３層３２３は、ノッチ３２ｎを埋めるように設けられる。ノッチ３２ｎに重なる第３層３２３の上面は、ノッチ３２ｎの形状が転写されることなく、なめらかな曲面形状に形成される。したがって、第３層３２３を介してノッチ３２ｎ上に積層されるレンズ層３４の下面３４ｓは、なめらかな曲面形状に形成され、ノッチ３２ｎによる影響は、抑制される。
【0065】
コンタクトプラグ３１は、逆円錐台の形状を有する。したがって、コンタクトプラグ３１の上面側の方が、下面側よりも太い。
コンタクトホール３３のアスペクト比は、他のコンタクトホール、例えば、コンタクトホール４３のアスペクト比に比べて約２倍以上高い。本実施形態において、コンタクトホール３３の深さＬは、約５～１０μｍであり、コンタクトホール３３の内径Ｄが、約１μｍである。アスペクト比Ｌ／Ｄは、約５～１０である。
コンタクトホール３３のアスペクト比は、他のコンタクトホール、例えば、コンタクトホール４３のアスペクト比に比べて約２倍以上高い。本実施形態において、コンタクトホール３３の深さＬは、約５～１０μｍであり、コンタクトホール３３の内径Ｄが、約１μｍである。アスペクト比Ｌ／Ｄは、約５～１０である。
【0066】
コンタクトホール３３は、ドライエッチング等の異方性エッチングによって形成する。エッチングを、レンズ層３４と透光層３２とを貫通した後、中継層３０の上面を露出する位置で、止めることは難しい。したがって、図示しないが、コンタクトホール３３の底は、中継層３０内に、形成されてもよい。
【0067】
コンタクトホール３３を介した電気的な接続を確実に行うため、コンタクトホール３３は、平面視においてコンタクトプラグ４１と重なる位置に設けられる。これによって、コンタクトホール３３が中継層３０を貫通しても、コンタクトホール３３の底は、コンタクトプラグ４１内に形成される。したがって、コンタクトホール３３に充填されるコンタクトプラグ３１は、コンタクトプラグ４１に直接接触するため、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ４１との電気的な接続を確実に行うことができる。
【0068】
１．６．光学機能層の製造方法
次に、光学機能層ＬＳの製造方法について、図７から図１２を参照して説明する。
図７は、光学機能層ＬＳの製造方法を示すフローチャートである。図８から図１２は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。
次に、光学機能層ＬＳの製造方法について、図７から図１２を参照して説明する。
図７は、光学機能層ＬＳの製造方法を示すフローチャートである。図８から図１２は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。
【0069】
ステップＳ１０では、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層としての容量電極４０を形成する。
ステップＳ２０では、容量電極４０上に、酸化ケイ素からなる透光層４２を形成する。
ステップＳ３０では、透光層４２にコンタクトホール４３を形成する。
ステップＳ４０では、コンタクトホール４３にタングステンを充填して、コンタクトプラグ４１を形成する。
ステップＳ５０では、コンタクトプラグ４１と、平面視において重なる位置に、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層３０を形成する。
ステップＳ２０では、容量電極４０上に、酸化ケイ素からなる透光層４２を形成する。
ステップＳ３０では、透光層４２にコンタクトホール４３を形成する。
ステップＳ４０では、コンタクトホール４３にタングステンを充填して、コンタクトプラグ４１を形成する。
ステップＳ５０では、コンタクトプラグ４１と、平面視において重なる位置に、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層３０を形成する。
【0070】
ステップＳ６０では、図８に示すように中継層３０上に、透光層３２の第１層３２１を形成する。第１層３２１は、酸化ケイ素を、ＨＤＰ－ＣＶＤ（高密度プラズマＣＶＤ法）によって、例えば、４μｍ程度の厚さに成膜する。
【0071】
ステップＳ７０では、透光層３２の第２層３２２を形成する。第２層３２２は、第１層３２１と同じ材料および成膜法で形成する。本実施形態では、第２層３２２は、第１層３２１上に、酸化ケイ素を、ＨＤＰ－ＣＶＤによって、例えば、３μｍ程度の厚さに成膜する。
【0072】
このように第１層３２１と第２層３２２との層厚の合計は、約７μｍとなる。このような厚い層厚のバルク層を、１度の成膜で形成することは困難なため、本実施形態では、バルク層としての透光層３２を、第１層３２１と第２層３２２とに分けて成膜している。
【0073】
ステップＳ８０では、凹部３２ｃを形成する。図９に示すように第１層３２１及び第２層３２２からなる積層膜の一部をエッチングによって除去して、凹状のレンズ面としての凹部３２ｃを形成する。
凹部３２ｃは、第１層３２１と第２層３２２との間に、ノッチ３２ｎを有する。ノッチ３２ｎは、凹部３２ｃを形成する際に、第１層３２１と第２層３２２との界面に生じる。
凹部３２ｃは、第１層３２１と第２層３２２との間に、ノッチ３２ｎを有する。ノッチ３２ｎは、凹部３２ｃを形成する際に、第１層３２１と第２層３２２との界面に生じる。
【0074】
ステップＳ９０では、凹部３２ｃをエッチバックする。この工程では、図１０に示すように、凹部３２ｃが、所望の形状となるように、エッチバックされる。ノッチ３２ｎは、エッチバックされた後において、消えることなく残る。
【0075】
ステップＳ１００では、透光層３２の第３層３２３を形成する。第３層３２３は、第１層３２１および第２層３２２と同じ材料および成膜法で形成する。
本実施形態では、第３層３２３は、凹部３２ｃ上に、酸化ケイ素を、ＨＤＰ－ＣＶＤによって、例えば、５００～１０００Å程度の厚さに成膜する。なお、第３層３２３は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて成膜してもよい。
本実施形態では、第３層３２３は、凹部３２ｃ上に、酸化ケイ素を、ＨＤＰ－ＣＶＤによって、例えば、５００～１０００Å程度の厚さに成膜する。なお、第３層３２３は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて成膜してもよい。
【0076】
図１１に示すように、第３層３２３の成膜によって、ノッチ３２ｎは埋められ、ノッチ３２ｎに重なる第３層３２３の上面は、ノッチ３２ｎの形状が転写されることなく、なめらかな曲面形状に形成される。したがって、第３層３２３上に積層されるレンズ層３４の下面３４ｓにノッチ３２ｎによる影響が生じることを抑制できる。
【0077】
ステップＳ１１０では、レンズ層３４を形成する。図１２に示すように、レンズ層３４は、凹部３２ｃを埋めるように、第３層３２３上に積層される。レンズ層３４は、酸窒化ケイ素を、ＰＣＶＤ（Plasma Chemical Vapor Deposition）によって、例えば、２～３μｍ程度の厚さに成膜する。
上述したように、レンズ層３４の下面３４ｓは、ノッチ３２ｎによる影響を受けることなく、なめらかな曲面に形成される。
上述したように、レンズ層３４の下面３４ｓは、ノッチ３２ｎによる影響を受けることなく、なめらかな曲面に形成される。
【0078】
ステップＳ１２０では、コンタクトホール３３を形成する。この工程では、レンズ層３４と、透光層３２の第３層３２３、第２層３２２、および第１層３２１とを貫通して、中継層３０を露出するコンタクトホール３３を形成する。
【0079】
ステップＳ１３０では、コンタクトホール３３に、接続部材としてのコンタクトプラグ３１を形成する。
【0080】
ステップＳ１４０では、中継層２０を形成する。コンタクトプラグ３１と、平面視において重なる位置に、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層２０を形成する。
ステップＳ１５０では、中継層２０上に、酸化ケイ素からなる透光層２２を形成する。
ステップＳ１６０では、保護層２４を形成する。
ステップＳ１５０では、中継層２０上に、酸化ケイ素からなる透光層２２を形成する。
ステップＳ１６０では、保護層２４を形成する。
【0081】
ステップＳ１７０では、保護層２４および透光層２２を貫通して、中継層２０を露出する画素コンタクトホールとしてのコンタクトホール２３を形成する。
ステップＳ１８０では、コンタクトホール２３に画素コンタクトプラグ２１を形成する。
ステップＳ１９０では、画素電極１０を形成する。
ステップＳ１８０では、コンタクトホール２３に画素コンタクトプラグ２１を形成する。
ステップＳ１９０では、画素電極１０を形成する。
【0082】
以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００は、第１層３２１と、第１層３２１に積層された第２層３２２と、第１層３２１及び第２層３２２の一部を除去して設けられた凹状のレンズ面としての凹部３２ｃに沿って設けられた第３層３２３と、を有する透光層３２と、凹部３２ｃを埋めるように第３層３２３に積層されたレンズ層３４と、を備える。
このように、第３層３２３は、第１層３２１及び第２層３２２の一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられ、レンズ層３４は、第３層３２３に積層されている。よって、レンズ層３４の下面３４ｓをなめらかな曲面とすることができる。
このように、第３層３２３は、第１層３２１及び第２層３２２の一部を除去して設けられた凹部３２ｃに沿って設けられ、レンズ層３４は、第３層３２３に積層されている。よって、レンズ層３４の下面３４ｓをなめらかな曲面とすることができる。
【0083】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、凹部３２ｃは、第１層３２１と第２層３２２との間にノッチ３２ｎを有する。
よって、ノッチ３２ｎとレンズ層３４との間には、第３層３２３が積層されるため、レンズ層３４の下面３４ｓが、ノッチ３２ｎによって、影響を受けることを抑制できる。
よって、ノッチ３２ｎとレンズ層３４との間には、第３層３２３が積層されるため、レンズ層３４の下面３４ｓが、ノッチ３２ｎによって、影響を受けることを抑制できる。
【0084】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、第１層３２１、第２層３２２及び第３層３２３は、それぞれ同一材料で構成される。
よって、凹部３２ｃにノッチ３２ｎが発生しても、ノッチ３２ｎが、第３層３２３の上面に転写されることを抑制することができる。
よって、凹部３２ｃにノッチ３２ｎが発生しても、ノッチ３２ｎが、第３層３２３の上面に転写されることを抑制することができる。
【0085】
２．実施形態２
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置３００の構造について、図１３を参照して説明する。図１３は、実施形態２に係る電気光学装置の断面図であり、実施形態１の図６と同様に、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
実施形態２は、第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に沿って設けられている点で、実施形態１と異なる。なお、実施形態１と同じ構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。
実施形態２に係る電気光学装置としての液晶装置３００の構造について、図１３を参照して説明する。図１３は、実施形態２に係る電気光学装置の断面図であり、実施形態１の図６と同様に、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。
実施形態２は、第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に沿って設けられている点で、実施形態１と異なる。なお、実施形態１と同じ構成には、同じ符号を付して、説明を省略する。
【0086】
図１３に示すように本実施形態において、第３層３２３は、凹部３２ｃ上に加え、コンタクトホール３３の側面とコンタクトプラグ３１との間に設けられる。
第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に設けられるため、コンタクトホール３３に充填されるコンタクトプラグ３１の直径を、実施形態１よりも小さくすることができる。したがって、遮光性のコンタクトプラグ３１によって遮光される領域が小さくなるため、高開口率化や微細化に適した構成とすることができる。
第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に設けられるため、コンタクトホール３３に充填されるコンタクトプラグ３１の直径を、実施形態１よりも小さくすることができる。したがって、遮光性のコンタクトプラグ３１によって遮光される領域が小さくなるため、高開口率化や微細化に適した構成とすることができる。
【0087】
コンタクトプラグ３１と中継層２０との間は、レンズ層３４を貫いて、コンタクトプラグ３１を露出するコンタクトホール３７を介して、電気的に接続される。コンタクトホール３７内には、コンタクトプラグ３６が設けられる。コンタクトプラグ３６は、タングステン等の導電材料によって形成される。
なお、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ３６との間に、中継層を設けて、中継層を介して、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ３６とを電気的に接続する構成としてもよい。
なお、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ３６との間に、中継層を設けて、中継層を介して、コンタクトプラグ３１とコンタクトプラグ３６とを電気的に接続する構成としてもよい。
【0088】
次に、実施形態２の光学機能層ＬＳの製造方法について、図１４から図１８を参照して説明する。
図１４は、光学機能層ＬＳの製造方法を示すフローチャートである。図１５から図１８は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。
ステップＳ１０からステップＳ９０までは、実施形態１と同じであるため、説明を省略する。
図１４は、光学機能層ＬＳの製造方法を示すフローチャートである。図１５から図１８は、各製造過程における一態様を示す断面図であり、各図における断面位置は、図６と同様である。
ステップＳ１０からステップＳ９０までは、実施形態１と同じであるため、説明を省略する。
【0089】
ステップＳ９１では、コンタクトホール３３を形成する。図１５に示すように、凹部３２ｃを設けた後、第３層３２３およびレンズ層３４を形成する前に、第２層３２２および第１層３２１を貫いて、中継層３０を露出するコンタクトホール３３を形成する。
【0090】
ステップＳ１０１では、透光層３２の第３層３２３を形成する。第３層３２３は、凹部３２ｃ上およびコンタクトホール３３内に、酸化ケイ素を、ＡＬＤによって、例えば、５００～１０００Å程度の厚さに成膜する。なお、第３層３２３は、ＨＤＰ－ＣＶＤによって成膜してもよい。
図１６に示すように、第３層３２３の成膜によって、ノッチ３２ｎは埋められ、ノッチ３２ｎに重なる第３層３２３の上面は、ノッチ３２ｎの形状が転写されることなく、なめらかな曲面形状に形成される。
図１６に示すように、第３層３２３の成膜によって、ノッチ３２ｎは埋められ、ノッチ３２ｎに重なる第３層３２３の上面は、ノッチ３２ｎの形状が転写されることなく、なめらかな曲面形状に形成される。
【0091】
ステップＳ１０２では、コンタクトホール３３の底に成膜された第３層３２３をエッチングによって取り除く。レジストマスクを使用して、コンタクトホール３３の底の部分のみをエッチングして、コンタクトホール３３の底に中継層３０を露出させる。
なお、レジストマスクを使用せず、エッチバックすることにより、コンタクトホール３３の底に成膜された第３層３２３を取り除いてもよい。この場合においても第３層３２３によってノッチ３２ｎを埋めるとともに、コンタクトホール３３の底に中継層３０を露出させることができる。
なお、レジストマスクを使用せず、エッチバックすることにより、コンタクトホール３３の底に成膜された第３層３２３を取り除いてもよい。この場合においても第３層３２３によってノッチ３２ｎを埋めるとともに、コンタクトホール３３の底に中継層３０を露出させることができる。
【0092】
ステップＳ１０３では、コンタクトホール３３内に、コンタクトプラグ３１を形成する。図１７に示すようにコンタクトプラグ３１とコンタクトホール３３の側面との間には、第３層３２３が設けられるため、コンタクトプラグ３１の直径をコンタクトホール３３の内径よりも小さくすることができる。
【0093】
ステップＳ１１１では、レンズ層３４を形成する。図１８に示すように本実施形態では、レンズ層３４は、凹部３２ｃを埋めるように、第３層３２３上に積層されるとともに、コンタクトプラグ３１上に積層される。
【0094】
ステップＳ１２１では、レンズ層３４を貫いて、コンタクトプラグ３１を露出するコンタクトホール３７を形成する。
ステップＳ１３１では、コンタクトホール３７にコンタクトプラグ３６を形成する。
ステップＳ１３１では、コンタクトホール３７にコンタクトプラグ３６を形成する。
【0095】
ステップＳ１４０では、中継層２０を形成する。コンタクトプラグ３１およびコンタクトプラグ３６と、平面視において重なる位置に、窒化チタンを含む導電材料からなる中継層２０を形成する。
ステップＳ１５０からステップＳ１９０は、実施形態１と同じであるため、説明を省略する。
ステップＳ１５０からステップＳ１９０は、実施形態１と同じであるため、説明を省略する。
【0096】
以上、述べたとおり、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置３００によれば、上記実施形態の効果に加え、以下の効果を得ることができる。
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、画素電極１０と、画素電極１０に対応して設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１とを電気的に接続するための中継層３０と、を備え、第３層３２３は、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトホール３３の側面に沿って設けられている。
このように、第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に設けられている。よって、コンタクトホール３３の内径を小さくすることができ、高開口率化や微細化に適した構成とすることができる。
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、画素電極１０と、画素電極１０に対応して設けられたトランジスター１と、画素電極１０とトランジスター１とを電気的に接続するための中継層３０と、を備え、第３層３２３は、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するためのコンタクトホール３３の側面に沿って設けられている。
このように、第３層３２３が、コンタクトホール３３の側面に設けられている。よって、コンタクトホール３３の内径を小さくすることができ、高開口率化や微細化に適した構成とすることができる。
【0097】
本実施形態の液晶装置３００は、さらに、コンタクトホール３３内に、中継層３０と画素電極１０とを電気的に接続するための接続部材としてのコンタクトプラグ３１を備え、第３層３２３は、コンタクトホール３３の側面とコンタクトプラグ３１との間に設けられている。
このように、第３層３２３は、コンタクトホール３３の側面とコンタクトプラグ３１との間に設けられている。よって、コンタクトプラグ３１の直径を小さくすることができ、微細化に適した構成とすることができる。また、コンタクトプラグ３１によって遮光される遮光領域を小さくして、開口率を向上させることができる。
このように、第３層３２３は、コンタクトホール３３の側面とコンタクトプラグ３１との間に設けられている。よって、コンタクトプラグ３１の直径を小さくすることができ、微細化に適した構成とすることができる。また、コンタクトプラグ３１によって遮光される遮光領域を小さくして、開口率を向上させることができる。
【0098】
３．実施形態３
図１９は、電子機器の一例である投射型表示装置としてのプロジェクターを示す模式図である。
プロジェクター１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
図１９は、電子機器の一例である投射型表示装置としてのプロジェクターを示す模式図である。
プロジェクター１０００は、例えば、上述した液晶装置３００を３枚備えた３板式のプロジェクターである。液晶装置３００Ｒは赤色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｇは緑色の表示色に対応し、液晶装置３００Ｂは青色の表示色に対応する。制御部１００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂの動作を制御する。
【0099】
照明光学系１００１は、光源である照明装置１００２からの出射光のうち赤色成分ＲＬを液晶装置３００Ｒに供給し、緑色成分ＧＬを液晶装置３００Ｇに供給し、青色成分ＢＬを液晶装置３００Ｂに供給する。各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂは、照明光学系１００１から供給される各色光ＲＬ，ＧＬ，ＢＬを表示画像に応じて変調する光変調装置として機能する。
投射光学系１００３は、各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの出射光を合成してプロジェクタースクリーン１００４に投射する。
投射光学系１００３は、各液晶装置３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂからの出射光を合成してプロジェクタースクリーン１００４に投射する。
【0100】
以上、述べたとおり、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００は、上述した液晶装置３００を備える。
よって、光学性能および電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、プロジェクター１０００の性能を向上させることができる。
よって、光学性能および電気的な信頼性の高い液晶装置３００を採用することで、プロジェクター１０００の性能を向上させることができる。
【0101】
なお、電子機器は、例示した３板式のプロジェクター１０００に限定されない。例えば、単板式、２板式、または、４枚以上の液晶装置３００を備えたプロジェクターであってもよい。また、電子機器は、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等であってもよい。
【0102】
以上、好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、上述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【符号の説明】
【0103】
１…トランジスター、２…容量素子、３…走査線、４…データ線、５…容量線、６…走査線駆動回路、７…データ線駆動回路、８…シール部材、９…外部端子、１０…画素電極、１２…配向膜、２０…中継層、２１…画素コンタクトプラグ、２２…透光層、２３…コンタクトホール、２４…保護層、３０…中継層、３１…コンタクトプラグ、３２…透光層、３２ｃ…凹部、３２ｎ…ノッチ、３２１…第１層、３２２…第２層、３２３…第３層、３３…コンタクトホール、３４…レンズ層、３４ｂ…境界線、３４ｓ…下面、３６…コンタクトプラグ、３７…コンタクトホール、４０…容量電極、４０ｗ…幅広部、４１…コンタクトプラグ、４２…透光層、４３…コンタクトホール、５０…容量電極、５１…コンタクトホール、５２…中継層、５４…層間絶縁層、５６…誘電体層、６０…導電層、６１…コンタクトホール、６２…中継層、６４…層間絶縁層、７０…半導体層、７０ａ…ＬＤＤ領域、７０ｂ…ＬＤＤ領域、７０ｃ…チャネル領域、７０ｄ…ドレイン領域、７０ｓ…ソース領域、７１…コンタクトホール、７２…ゲート絶縁層、７３…コンタクトホール、７４…ゲート電極、７６…層間絶縁層、８０…遮光層、８１…コンタクトホール、８２…層間絶縁層、９０…基体、１００…素子基板、２００…対向基板、２１０…基体、２２０…絶縁層、２３０…共通電極、２４０…配向膜、３００，３００Ｂ，３００Ｇ，３００Ｒ…液晶装置、１０００…プロジェクター、１００１…照明光学系、１００２…照明装置、１００３…投射光学系、１００４…プロジェクタースクリーン、１００５…制御部、Ａ１…表示領域、Ａ２…外側領域、Ｅ１…画像信号、Ｇ１…走査信号、ＬＳ…光学機能層
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