特開 2024-57723 検出装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024057723

(43)【公開日】2024-04-25

(54)【発明の名称】検出装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20240418BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 430

G06F3/041 602

G06F3/041 650

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022164571

(22)【出願日】2022-10-13

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】金城 拓海

(72)【発明者】

【氏名】菱沼 賢智

(57)【要約】

【課題】複数の検出素子に電気的に接続された複数の配線の断線を抑制することが可能な検出装置を提供する。
【解決手段】検出装置は、検出領域、接続領域及び検出領域と接続領域との間の配線領域を有する基板と、基板の検出領域に配置された複数の検出素子と、基板の接続領域に配置され、複数の検出素子と電気的に接続される複数の端子と、基板の配線領域で、間隔を有して並んで配置され、複数の検出素子と複数の端子とを電気的に接続する複数の接続配線と、基板の配線領域に設けられ、複数の接続配線を覆う絶縁層と、基板の配線領域に設けられ、複数の接続配線の間で、基板及び絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、を有する。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

検出領域、接続領域及び前記検出領域と前記接続領域との間の配線領域を有する基板と、
前記基板の前記検出領域に配置された複数の検出素子と、
前記基板の前記接続領域に配置され、複数の前記検出素子と電気的に接続される複数の端子と、
前記基板の前記配線領域で、間隔を有して並んで配置され、複数の前記検出素子と複数の前記端子とを電気的に接続する複数の接続配線と、
前記基板の前記配線領域に設けられ、複数の前記接続配線を覆う絶縁層と、
前記基板の前記配線領域に設けられ、複数の前記接続配線の間で、前記基板及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、を有する
検出装置。

【請求項2】

曲面を有する筐体と、
前記筐体に設けられ、平坦面を有する台座と、を有し、
前記基板の前記検出領域及び前記配線領域は、前記筐体の前記曲面に設けられ、
前記接続領域は、前記台座の前記平坦面に設けられる
請求項１に記載の検出装置。

【請求項3】

複数の前記貫通孔は、前記接続配線の延在方向に沿って配列される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項4】

複数の前記貫通孔は、隣り合う前記接続配線の間隔が大きいほど開口面積が大きく形成される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項5】

複数の前記貫通孔は、隣り合う前記接続配線の間隔が大きいほど複数の前記貫通孔の数が多く形成される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項6】

複数の前記貫通孔は、円形状、長円形状又は四角形状である
請求項１に記載の検出装置。

【請求項7】

複数の前記貫通孔は、スリット状である
請求項１に記載の検出装置。

【請求項8】

複数の前記貫通孔は、スリット状であり、
前記接続配線の延在方向に沿って延在する第１スリット部と、
前記第１スリット部と交差する第２スリット部と、を含む
請求項１に記載の検出装置。

【請求項9】

複数の前記接続配線は、第１方向で間隔を有して並んで配置され、
前記貫通孔の前記第１方向での開口幅は、前記第１方向で隣り合う前記接続配線の間隔と実質的に等しい
請求項１に記載の検出装置。

【請求項10】

複数の前記接続配線は、それぞれミアンダ状又はジグザグ線状である
請求項１に記載の検出装置。

【請求項11】

複数の前記接続配線は、第１方向で間隔を有して並んで配置され、
前記第１方向で隣り合う前記接続配線の間隔は、前記基板の前記配線領域の前記第１方向の中央部よりも前記第１方向の外縁側で大きく形成される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項12】

複数の前記接続配線は、第１方向で間隔を有して並んで配置され、
前記第１方向で隣り合う前記接続配線の間に設けられる前記貫通孔の数は、前記基板の前記配線領域の前記第１方向の中央部よりも前記第１方向の外縁側で多く形成される
請求項１に記載の検出装置。

【請求項13】

複数の前記検出素子は、それぞれに加えられる力を検出する圧力センサである
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の検出装置。

【請求項14】

複数の前記検出素子は、それぞれに照射される光を検出する光センサである
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の検出装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、検出装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、リジッド基板と、リジッド基板に積層配置されるストレッチャブル基板と、ストレッチャブル基板上に設けられるストレッチャブル配線と、を含む配線デバイスが記載されている。特許文献１の配線デバイスはひずみセンサに適用される。特許文献２には、反ったり伸びたりしても画像表示が可能なストレッチャブル表示装置が記載されている。特許文献３には、曲げ可能領域を備えたＯＬＥＤ表示装置について記載されている。

【0003】

特許文献４には、互いに隙間を空けて配置された複数の電極を有する圧力センサが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－０２９５１４号公報

【特許文献2】特開２０２１－１０３２９８号公報

【特許文献3】米国特許出願公開第２０１６／０１７４３０４号明細書

【特許文献4】特開２０１８－１４６４８９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１から特許文献３では、変形可能な部分（例えばストレッチャブル基板）と、変形しない部分（例えばリジッド基板）とが接続されている。変形可能な部分の変形の状態によって応力が発生し、配線が断線する可能性がある。あるいは、変形可能な部分と変形しない部分との接続状態によって応力が大きくなり、配線が断線する可能性がある。

【0006】

また、特許文献４に記載されている圧力センサ等の検出装置において、曲面を有する部材に貼り付けて押圧等の物理量を検出する要求がある。この場合、複数の圧力センサから引き出された接続配線に応力が作用し、断線が生じる可能性がある。

【0007】

本発明は、複数の検出素子に電気的に接続された複数の配線の断線を抑制することが可能な検出装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様の検出装置は、検出領域、接続領域及び前記検出領域と前記接続領域との間の配線領域を有する基板と、前記基板の前記検出領域に配置された複数の検出素子と、前記基板の前記接続領域に配置され、複数の前記検出素子と電気的に接続される複数の端子と、前記基板の前記配線領域で、間隔を有して並んで配置され、複数の前記検出素子と複数の前記端子とを電気的に接続する複数の接続配線と、前記基板の前記配線領域に設けられ、複数の前記接続配線を覆う絶縁層と、前記基板の前記配線領域に設けられ、複数の前記接続配線の間で、前記基板及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、第１実施形態に係る検出装置を模式的に示す平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る検出装置の使用例を説明するための説明図である。

【図3】図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面図である。

【図4】図４は、図２のＩＶ－ＩＶ’断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係る圧力センサの回路構成を示す回路図である。

【図6】図６は、図２のＶＩ－ＶＩ’断面図である。

【図7】図７は、第１実施形態に係る圧力センサの、圧力入力前の状態の断面図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る圧力センサの、圧力入力後の状態の断面図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る検出装置の、配線領域を拡大して示す平面図である。

【図10】図１０は、図９のＸ－Ｘ’断面図である。

【図11】図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ’断面図である。

【図12】図１２は、第１変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図13】図１３は、第２変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図14】図１４は、第３変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図15】図１５は、第４変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図16】図１６は、第５変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図17】図１７は、第６変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図18】図１８は、第７変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図19】図１９は、第８変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図20】図２０は、第９変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。

【図21】図２１は、第１０変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。

【図22】図２２は、第１１変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。

【図23】図２３は、第１２変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。

【図24】図２４は、第１３変形例に係る圧力センサであって、平行型の電極を備える圧力センサの断面図である。

【図25】図２５は、第１４変形例に係る圧力センサであって、ハイブリッド型の電極を備える圧力センサの断面図である。

【図26】図２６は、第１５変形例に係る圧力センサであって、圧力入力前の状態の断面図である。

【図27】図２７は、第１５変形例に係る圧力センサであって、圧力入力後の状態の断面図である。

【図28】図２８は、第１６変形例に係る圧力センサであって、圧力入力前の状態の断面図である。

【図29】図２９は、第１６変形例に係る圧力センサであって、圧力入力後の状態の断面図である。

【図30】図３０は、第１７変形例に係る検出装置を示す断面図である。

【図31】図３１は、第１８変形例に係る検出装置を示す平面図である。

【図32】図３２は、第１９変形例に係る検出装置を示す平面図である。

【図33】図３３は、第１９変形例に係る検出装置の使用例を示す平面図である。

【図34】図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ’断面図である。

【図35】図３５は、第２実施形態に係る検出装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

【0011】

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

【0012】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る検出装置を模式的に示す平面図である。第１実施形態に係る検出装置１は、入力面１ａ（図６参照）に作用した圧力を検出する押圧センサである。図１に示すように、検出装置１は、アレイ基板２（基板２１）と、センサ部１０と、ゲート線駆動回路１５と、信号線選択回路１６と、配線基板１１０と、制御基板１０１と、駆動ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）１０２と、を有する。

【0013】

基板２１には、配線基板１１０を介して制御基板１０１が電気的に接続される。配線基板１１０は、例えば、フレキシブルプリント基板やリジット基板である。制御基板１０１には、駆動ＩＣ１０２が設けられている。駆動ＩＣ１０２は、センサ部１０、ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に制御信号を供給して、センサ部１０の検出動作を制御する。また、駆動ＩＣ１０２は、電源信号等の電圧信号をセンサ部１０及びゲート線駆動回路１５に供給する駆動回路を備えていてもよい。また、駆動ＩＣ１０２は、複数の圧力センサ３から出力された検出信号を受け取って、検出信号の信号処理を行う検出回路を備えていてもよい。

【0014】

基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡと、配線領域ＷＡと、接続領域ＣＡと、を有する。検出領域ＡＡは、複数の圧力センサ３が設けられた領域である。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と、基板２１の外周との間の領域であり、複数の圧力センサ３が設けられない領域である。ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６は、基板２１の周辺領域ＧＡに設けられる。図１に示す例では、周辺領域ＧＡは検出領域ＡＡの周囲を囲む枠状に設けられる。

【0015】

なお、以下の説明において、第１方向Ｄｘは、基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向である。第３方向Ｄｚは、基板２１の法線方向である。また、「平面視」とは、基板２１と垂直な方向から見た場合の位置関係をいう。

【0016】

複数の圧力センサ３（検出素子）は、検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。言い換えると、複数の圧力センサ３は、検出領域ＡＡに第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに並んで配列される。ここで、センサ部１０の複数の圧力センサ３は、検出領域ＡＡを分割した複数の個別検出領域に入力された力を検出する装置である。複数の圧力センサ３は、それぞれに入力された力に応じた検出信号Ｖｄｅｔを出力する。複数の圧力センサ３は、ゲート線駆動回路１５から供給されるゲート駆動信号に従って検出を行う。また、複数の圧力センサ３は、それぞれに入力された力に応じた電気信号を、検出信号Ｖｄｅｔとして信号線選択回路１６に出力する。圧力センサ３の詳細な構成については、図６にて後述する。

【0017】

ゲート線駆動回路１５は、駆動ＩＣ１０２からの制御信号に基づいて複数のゲート線ＧＬ（図５参照）を駆動する回路である。ゲート線駆動回路１５は、複数のゲート線ＧＬを順次又は同時に選択し、選択されたゲート線ＧＬにゲート駆動信号を供給する。これにより、ゲート線駆動回路１５は、ゲート線ＧＬに接続された複数の圧力センサ３を選択する。

【0018】

信号線選択回路１６は、複数の信号線ＳＬ（図５参照）を順次又は同時に選択するスイッチ回路である。信号線選択回路１６は、例えばマルチプレクサである。信号線選択回路１６は、駆動ＩＣ１０２から供給される選択信号に基づいて、信号線ＳＬを選択する。これにより、信号線選択回路１６は、選択された信号線ＳＬに接続された圧力センサ３と接続配線１７とを電気的に接続する。これにより、圧力センサ３からの検出信号Ｖｄｅｔは、接続配線１７、配線基板１１０を介して駆動ＩＣ１０２に出力される。

【0019】

検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡと、配線領域ＷＡと、接続領域ＣＡと、は第２方向Ｄｙに並んで配置される。基板２１の接続領域ＣＡには、信号線選択回路１６及び接続配線１７を介して複数の圧力センサ３と電気的に接続される複数の端子Ｔが配置される。基板２１の接続領域ＣＡは、複数の端子Ｔを介して配線基板１１０と接続される。接続領域ＣＡの第１方向Ｄｘでの幅は、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡの第１方向Ｄｘでの幅よりも小さい。

【0020】

配線領域ＷＡは、第２方向Ｄｙで、検出領域ＡＡと接続領域ＣＡとの間に配置される。配線領域ＷＡには、複数の圧力センサ３と複数の端子Ｔとを電気的に接続する複数の接続配線１７が設けられる。図１では、配線領域ＷＡと、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡとの境界を、仮想的に一点鎖線で示す。配線領域ＷＡと、接続領域ＣＡとの境界を、仮想的に一点鎖線で示す。図１に示す例では、配線領域ＷＡは、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡ側の辺が長く、接続領域ＣＡ側の辺が短い台形状に形成される。配線領域ＷＡの詳細な構成については、図９にて後述する。

【0021】

図２は、第１実施形態に係る検出装置の使用例を説明するための説明図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面図である。図４は、図２のＩＶ－ＩＶ’断面図である。図２から図４に示すように、第１実施形態の検出装置１は、筐体１２０の外周面に巻き付けて用いられる。筐体１２０は中実の円柱状であり、外周面が曲面で構成される。ただし、筐体１２０は円柱状に限定されず、少なくとも一部が曲面を有していればよい。筐体１２０は、一例として階段の手すりや、スポーツ用品や方向訓練機のグリップ等である。検出装置１は、使用者が筐体１２０を握ったときに加えられる力の大きさ及び力の分布を検出する。

【0022】

より詳細には、図３に示すように、基板２１の検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡは、筐体１２０の曲面に設けられ、外周面に沿って湾曲した状態で貼り付けられる。基板２１は、図示しない接着剤あるいは両面テープ等によって筐体１２０に貼り付けられる。検出装置１は、図１における第２方向Ｄｙが筐体１２０の延在方向（軸方向）に沿って配置され、図１における第１方向Ｄｘが筐体１２０の周方向に沿って配置される。また、検出装置１の図１における第３方向Ｄｚ（基板２１の法線方向）は、筐体１２０の径方向となる。

【0023】

図４に示すように、筐体１２０の外周面には台座１２１が設けられる。基板２１の接続領域ＣＡは、筐体１２０の台座１２１の平坦面の上に貼り付けられる。これにより、接続領域ＣＡは平坦な状態で筐体１２０の外周面に設けられるので、配線基板１１０との良好な接続を確保することができる。

【0024】

図２に示すように、基板２１の配線領域ＷＡは、湾曲した状態の検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡと、平坦な状態の接続領域ＣＡとを接続するように変形して設けられる。配線領域ＷＡの検出領域ＡＡ側の辺は、筐体１２０の外周面に沿って湾曲する。また、配線領域ＷＡの接続領域ＣＡ側の辺は、台座１２１の平坦面に沿った平坦な状態となる。

【0025】

なお、図２から図４に示す筐体１２０はあくまで一例であり、例えば、円錐形状等であってもよい。また、検出装置１は、筐体１２０の外周面に貼り合わされる場合に限定されず、他の形状の筐体に貼り合わされてもよい。例えば、検出装置１は、凸曲面に貼り合わされる場合に限定されず、凹曲面に貼り合わされてもよい。なお、図１から図４では、基板２１の接続領域ＣＡに配線基板１１０が接続される例を示したが、これに限定されず、基板２１の接続領域ＣＡに駆動ＩＣ１０２が実装されていてもよい。

【0026】

次に、検出装置１の回路構成例及び動作例について説明する。図５は、第１実施形態に係る圧力センサの回路構成を示す回路図である。図５に示すように、複数のゲート線ＧＬは、それぞれ第１方向Ｄｘに延在し、第２方向Ｄｙに配列される。複数の信号線ＳＬは、それぞれ第２方向Ｄｙに延在し、第１方向Ｄｘに配列される。そのほか、特に図示しないが、検出装置１は、周辺領域ＧＡに沿って延在する共通配線を有している。共通配線は、駆動ＩＣ１０２から基準電位Ｖｒｅｆが供給されている。

【0027】

駆動トランジスタＴｒは、圧力センサ３のそれぞれに対応して設けられる。駆動トランジスタＴｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されている。

【0028】

駆動トランジスタＴｒのゲートはゲート線ＧＬに接続される。駆動トランジスタＴｒのソース（ソース電極５２（図６参照））は圧力センサ３に接続される。駆動トランジスタＴｒのドレイン（ドレイン電極５３（図６参照））は、信号線ＳＬに接続される。

【0029】

これにより、ゲート線駆動回路１５がゲート線ＧＬを走査すると、圧力センサ３に入力された力に応じた検出信号Ｖｄｅｔが信号線ＳＬを介して得られる。そして、信号線ＳＬ経由で得られた検出信号Ｖｄｅｔの大きさで、圧力センサ３のそれぞれに対応する個別検出領域に作用した圧力値が求められる。

【0030】

なお、駆動トランジスタＴｒは、ｎ型ＴＦＴに限定されず、ｐ型ＴＦＴで構成されてもよい。また、１つの圧力センサ３に対応して、複数のトランジスタが設けられていてもよい。

【0031】

次に、検出装置１の積層構成について説明する。図６は、図２のＶＩ－ＶＩ’断面図である。以下の説明では、押圧方向Ａ１を「下方」又は単に「下」と表し、押圧方向Ａ１と反対方向を「上方」又は単に「上」と表す場合がある。

【0032】

図６に示すように、検出領域ＡＡ、周辺領域ＧＡ、配線領域ＷＡ及び接続領域ＡＡは、共通の連続した基板２１と、回路層５５と、を有する。基板２１は、絶縁性と可撓性を備えている基板である。基板２１は、例えば樹脂基板又は樹脂フィルム等が用いられる。回路層５５は、駆動トランジスタＴｒ等の回路素子、回路素子に接続された各種配線、ゲート絶縁膜２２、２２Ａ及び絶縁層２３を含み構成される。

【0033】

検出領域ＡＡでは、基板２１の上に、駆動トランジスタＴｒ、絶縁層２３、圧力センサ３及び保護層３３が積層されて構成される。周辺領域ＧＡでは、基板２１の上に、トランジスタＴｒ－Ｓ及び絶縁層２３が設けられる。すなわち、周辺領域ＧＡでは、絶縁層２３の上に圧力センサ３が形成されていない。また、周辺領域ＧＡのトランジスタＴｒ－Ｓは、信号線選択回路１６等の周辺回路を構成するトランジスタであり、例えば複数の信号線ＳＬと、接続配線１７との接続と非接続とを切り替えるスイッチング素子である。

【0034】

配線領域ＷＡ及び接続領域ＣＡでは、基板２１の上に、接続配線１７及び絶縁層２３が設けられる。配線領域ＷＡ及び接続領域ＣＡの基板２１及び絶縁層２３は、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡの基板２１及び絶縁層２３と共通の材料で連続して形成される。

【0035】

接続配線１７は、周辺領域ＧＡから、配線領域ＷＡ及び接続領域ＣＡまで連続して設けられる。接続配線１７は、複数の圧力センサ３（検出素子）と複数の端子Ｔとを電気的に接続する。具体的には、接続配線１７の一端側は、周辺領域ＧＡで信号線選択回路１６（トランジスタＴｒ－Ｓ）に接続され、信号線選択回路１６（トランジスタＴｒ－Ｓ）及び信号線ＳＬを介して圧力センサ３に電気的に接続される。また、接続領域ＣＡでは、絶縁層２３の接続配線１７と重なる領域にコンタクトホールＣＨが設けられる。接続領域ＣＡの端子Ｔは、コンタクトホールＣＨの底部で露出する接続配線１７により形成される。

【0036】

検出領域ＡＡでは、駆動トランジスタＴｒは、半導体層５１、ソース電極５２、ドレイン電極５３及びゲート電極５４を含む。半導体層５１は、基板２１の上に設けられる。ゲート電極５４は、ゲート絶縁膜２２を介して半導体層５１の上に設けられる。ソース電極５２は半導体層５１のソース領域に接続される。ソース電極５２は、絶縁層２３に設けられたコンタクトホールを介して圧力センサ３の検出電極３１と電気的に接続される。ドレイン電極５３は、半導体層５１のドレイン領域に接続される。また、ドレイン電極５３は、信号線ＳＬ（図５参照）と電気的に接続される。

【0037】

周辺領域ＧＡのトランジスタＴｒ－Ｓは、駆動トランジスタＴｒと同様に、半導体層５１Ａ、ソース電極５２Ａ、ドレイン電極５３Ａ及びゲート電極５４Ａを含む。ゲート電極５４Ａは、ゲート絶縁膜２２Ａを介して半導体層５１Ａの上に設けられる。なお、トランジスタＴｒ－Ｓの積層構造は、上述した駆動トランジスタＴｒと同様であり、繰り返しの説明は省略する。

【0038】

絶縁層２３は、駆動トランジスタＴｒを覆って基板２１の上に設けられる。絶縁層２３は、上述したように、検出領域ＡＡで駆動トランジスタＴｒを覆うとともに、周辺領域ＧＡ、配線領域ＷＡ及び接続領域ＡＡに連続して設けられる。なお、図６では説明を分かりやすくするために、回路層５５の絶縁層としてゲート絶縁膜２２及び絶縁層２３の２層のみ示しているが、３層以上の複数の絶縁層が積層されていてもよい。

【0039】

圧力センサ３は、回路層５５の絶縁層２３の上に設けられる。圧力センサ３は、センサ層３０と、検出電極３１と、共通電極３２と、を有する。検出電極３１は、絶縁層２３の上に設けられる。検出電極３１は、導電性を有する金属材料で形成される。あるいは、検出電極３１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料で形成されてもよい。検出電極３１は、複数の圧力センサ３ごとに離隔して配置される。すなわち、検出電極３１は、検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される（図１参照）。

【0040】

共通電極３２は、複数の検出電極３１と対向して配置される。共通電極３２は、保護層３３の下方の面に成膜されたベタ膜である。つまり、共通電極３２は、検出領域ＡＡの全域と重なり、複数の圧力センサ３に共通して設けられる。共通電極３２は、導電性を有する金属材料で形成される。あるいは、共通電極３２は、ＩＴＯ等の透光性を有する導電材料で形成されてもよい。共通電極３２は、図示しない配線により共通配線（不図示）と接続され、駆動ＩＣ１０２から基準電位Ｖｒｅｆが供給される。

【0041】

センサ層３０は、検出電極３１と共通電極３２との間に設けられる。本実施形態では、センサ層３０は、共通電極３２の下方の面（検出電極３１と対向する面）に設けられている。センサ層３０は、検出領域ＡＡの全域と重なっている。センサ層３０は、導電性樹脂により製造されている。センサ層３０の下方の面（検出電極３１と対向する面）には、複数の凸部３０ａが設けられている。各凸部３０ａは、入力面１ａに力が加えられていない状態で、検出電極３１及び絶縁層２３と空間を有して離隔している。

【0042】

保護層３３は、共通電極３２を覆って設けられる。保護層３３の上面が検出装置１の入力面１ａである。保護層３３は、基板２１と同様に、絶縁性と可撓性を備えている基板である。保護層３３は、例えば樹脂基板又は樹脂フィルム等が用いられる。

【0043】

図７は、第１実施形態に係る圧力センサの、圧力入力前の状態の断面図である。図８は、第１実施形態に係る圧力センサの、圧力入力後の状態の断面図である。なお、図７及び図８では、回路層５５を省略して示している。図７に示すように、圧力入力前の状態で、複数の凸部３０ａのうち一部は、検出電極３１と接触している。ただし、接触している凸部３０ａの数が少なく、センサ層３０を挟んで対向する検出電極３１と共通電極３２とは絶縁状態を保持している。なお、図７はあくまで一例であり、圧力入力前の状態で、複数の凸部３０ａは、検出電極３１と離れて非接触であってもよい。

【0044】

圧力センサ３の入力面１ａが押圧されると、保護層３３及び共通電極３２が変形し、検出電極３１側に近づく。センサ層３０が押圧方向Ａ１に移動し、センサ層３０の凸部３０ａが検出電極３１に接触する。これにより、検出電極３１と共通電極３２とがセンサ層３０を介して電気的に接続され、検出電極３１に電流が流れる。

【0045】

また、センサ層３０に作用する圧力が大きくなると、検出電極３１に接触する凸部３０ａの数が増加し、検出電極３１とセンサ層３０との接触面積が増加する。また、凸部３０ａは、検出電極３１に押し付けられて平坦化することで、検出電極３１との接触面積が増加する。このような理由から、センサ層３０は、圧力の増加（接触面積の増加）に応じて検出電極３１との間の接触抵抗が小さくなり、検出電極３１に流れる電流量が大きくなる。よって、圧力センサ３は、電流値の大きさに基づいて圧力値を検出することができる。

【0046】

次に配線領域ＷＡの詳細な構成について説明する。図９は、第１実施形態に係る検出装置の、配線領域を拡大して示す平面図である。図１０は、図９のＸ－Ｘ’断面図である。図１１は、図９のＸＩ－ＸＩ’断面図である。

【0047】

図９に示すように、基板２１の配線領域ＷＡは、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）と接続領域ＣＡとを接続する台形状に形成される。すなわち、配線領域ＷＡは、第１方向Ｄｘの外縁側の辺が第２方向Ｄｙに対して傾斜して設けられる。配線領域ＷＡの、接続領域ＣＡ側の辺の第１方向Ｄｘでの幅は、配線領域ＷＡの、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）側の辺の第１方向Ｄｘでの幅よりも小さい。

【0048】

配線領域ＷＡに設けられた複数の接続配線１７は、それぞれ直線状に設けられ、間隔を有して第１方向Ｄｘに並んで配列される。複数の接続配線１７は、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部で第２方向Ｄｙに沿って延在する。また、複数の接続配線１７は、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの外縁側に近づくにしたがって、第２方向Ｄｙに対する傾斜角度が大きくなるように配置される。言い換えると、複数の接続配線１７の配置ピッチは、第２方向Ｄｙでの位置に応じて異なる。接続領域ＣＡ側での複数の接続配線１７の配置ピッチは、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）側での複数の接続配線１７の配置ピッチよりも小さい。また、第２方向Ｄｙでの所定の位置で、第１方向Ｄｘに配列された複数の接続配線１７の配置ピッチは実質的に一定に設けられる。

【0049】

基板２１の配線領域ＷＡには、複数の接続配線１７の間に複数の貫通孔ＴＨが設けられる。複数の貫通孔ＴＨは、それぞれ円形状である。複数の貫通孔ＴＨは、第１方向Ｄｘで、複数の接続配線１７ごとに配置される。第１方向Ｄｘに配列された複数の貫通孔ＴＨの直径は、それぞれ同じ大きさで形成される。また、複数の貫通孔ＴＨは、複数の接続配線１７の延在方向に沿って配列される。複数の貫通孔ＴＨは、第１方向Ｄｘで隣り合う接続配線１７の間隔が大きいほど開口面積（直径）が大きく形成される。すなわち、複数の貫通孔ＴＨの開口面積（直径）は、複数の接続配線１７の延在方向に沿って、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）側で大きく形成され、接続領域ＣＡ側で小さく形成される。

【0050】

複数の接続配線１７及び複数の貫通孔ＴＨは、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央を通り第２方向Ｄｙに平行な対称軸ＡＸに対して線対称になるように配置される。

【0051】

図１０に示すように、絶縁層２３は複数の接続配線１７を覆って設けられる。複数の貫通孔ＴＨは、基板２１及び絶縁層２３を貫通して設けられる。すなわち、複数の貫通孔ＴＨは、絶縁層２３の上面に開口するとともに、基板２１の下面に開口する。図１１に示すように、複数の貫通孔ＴＨが設けられていない部分では、基板２１及び絶縁層２３は複数の接続配線１７の間で連続して設けられる。

【0052】

図２から図４で上述したように、基板２１の検出領域ＡＡ、周辺領域ＧＡ及び配線領域ＷＡは、第１方向Ｄｘが周方向となるように筐体１２０の曲面に設けられ、接続領域ＣＡは台座１２１の平坦面に設けられる。この場合、配線領域ＷＡでは、周方向に沿って、基板２１の筐体１２０の外周面と対向する下面側に圧縮応力が作用し、反対側の絶縁層２３の上面側では引っ張り応力が作用する。これらの応力は、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部で相対的に小さく、第１方向Ｄｘの外縁側に近いほど相対的に大きくなる。これにより、配線領域ＷＡには、複数の接続配線１７が配列される方向（第１方向Ｄｘ）において応力の分布が生じる。また、配線領域ＷＡは、筐体１２０の外周面に沿って変形する部分と、接続領域ＣＡ側の、平坦に設けられ部分とを有する。これにより、配線領域ＷＡには、複数の接続配線１７の延在方向（第２方向Ｄｙ）においても応力の分布が生じる。

【0053】

本実施形態では配線領域ＷＡに複数の貫通孔ＴＨが設けられているので、基板２１及び絶縁層２３に発生する応力を緩和させることができる。例えば、複数の貫通孔ＴＨが設けられた部分で、基板２１及び絶縁層２３は変形の自由度を有するので、基板２１及び絶縁層２３に応力が発生した場合に、応力を小さくするように基板２１及び絶縁層２３が変形する。これにより、本実施形態では、貫通孔ＴＨが設けられない場合に比べて、配線領域ＷＡの基板２１及び絶縁層２３に発生する応力を抑制することができる。この結果、配線領域ＷＡの複数の接続配線１７の断線を抑制することができる。

【0054】

上述したように、複数の貫通孔ＴＨは、複数の接続配線１７が配列される方向（第１方向Ｄｘ）に配列されているので、複数の接続配線１７が配列される方向（第１方向Ｄｘ）での配線領域ＷＡの応力を抑制することができる。また、複数の貫通孔ＴＨは、複数の接続配線１７の延在方向に沿って配列されているので、複数の接続配線１７の延在方向で生じる応力も効果的に抑制することができる。

【0055】

（変形例）
図９に示した貫通孔ＴＨの形状、数、配置等はあくまで一例であり、適宜変形することができる。また、接続配線１７の形状、数、配置等はあくまで一例であり、適宜変形することができる。なお、以下の説明では、上述した実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

【0056】

図１２は、第１変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１３は、第２変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１２に示すように、第１変形例では、貫通孔ＴＨａは四角形状である。あるいは、図１３に示すように、第２変形例では、貫通孔ＴＨｂは長円状である。このように、貫通孔ＴＨ、ＴＨａ、ＴＨｂの形状は適宜変更できる。また、第１変形例及び第２変形例に示す例に限定されず、貫通孔ＴＨは、多角形状等であってもよい。あるいは、１つの配線領域ＷＡに異なる形状の複数の貫通孔ＴＨ、ＴＨａ、ＴＨｂが組み合わされて配置されてもよい。

【0057】

図１４は、第３変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１４に示すように、第３変形例では、接続配線１７の延在方向に沿って配列された複数の貫通孔ＴＨｃは同じ形状、同じ開口面積（直径）を有して設けられる。複数の貫通孔ＴＨｃは、第１方向Ｄｘで隣り合う接続配線１７の間隔が大きいほど複数の貫通孔ＴＨｃの数が多く形成される。より詳細には、複数の貫通孔ＴＨｃは、複数の接続配線１７の延在方向に沿って、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）側で単位面積あたりの数が多く配置され、接続領域ＣＡ側で単位面積あたりの数が少なく配置される。

【0058】

図１４では、周辺領域ＧＡ（及び検出領域ＡＡ）側で、隣り合う接続配線１７の間に４つの貫通孔ＴＨｃがひとまとまりに配置される。接続配線１７の延在方向の中央部で、隣り合う接続配線１７の間に２つの貫通孔ＴＨｃがひとまとまりに配置される。また、接続領域ＣＡ側で隣り合う接続配線１７の間に１つの貫通孔ＴＨｃが配置される。なお、図１４に示す貫通孔ＴＨｃの数は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。

【0059】

図１５は、第４変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１５に示すように、第４変形例では、貫通孔ＴＨｄはスリット状に形成される。貫通孔ＴＨｄは、接続配線１７の延在方向に沿って延在する。第４変形例では、隣り合う接続配線１７の間に１つの貫通孔ＴＨｄが設けられる。ただし、スリット状の貫通孔ＴＨｄの数、形状、配置等は適宜変更することができる。

【0060】

図１６は、第５変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１６に示すように、第５変形例では、接続配線１７の延在方向に沿って複数の貫通孔ＴＨｅが配列される。接続配線１７の延在方向に沿って、複数の貫通孔ＴＨｅは、スリットが設けられない基板２１ａにより離隔される。図１６では、接続配線１７の間に３つの貫通孔ＴＨｅが設けられている。ただし、これに限定されず、接続配線１７の延在方向に沿って配列される貫通孔ＴＨｅの数は適宜変更できる。また、貫通孔ＴＨｅの数は第１方向Ｄｘの位置に応じて異ならせてもよい。

【0061】

図１７は、第６変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１７に示すように、第６変形例では、隣り合う接続配線１７の間に２つの貫通孔ＴＨｆが隣り合って配列される。図１７では、接続配線１７の間に２つの貫通孔ＴＨｆが設けられているが、貫通孔ＴＨｆの数は３つ以上であってもよい。あるいは、貫通孔ＴＨｆの数は第１方向Ｄｘの位置に応じて異ならせてもよい。例えば、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部では隣り合う接続配線１７の間に１つの貫通孔ＴＨｆが設けられ、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの外縁側に近づくにしたがって貫通孔ＴＨｆの数を多くしてもよい。

【0062】

図１８は、第７変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１８に示すように、第７変形例では、貫通孔ＴＨｇは、接続配線１７の延在方向に沿って延在する第１スリット部ＴＨｇａと、第１スリット部ＴＨｇａと交差する第２スリット部ＴＨｇｂとを有する。１つの第１スリット部ＴＨｇａに対して３つの第２スリット部ＴＨｇｂが設けられる。ただし、これに限定されず、１つの第１スリット部ＴＨｇａに設けられる第２スリット部ＴＨｇｂの数は適宜変更できる。

【0063】

図１９は、第８変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図１９に示すように、第８変形例では、貫通孔ＴＨｈは、隣り合う接続配線１７のほとんどの領域の基板２１及び絶縁層２３を除去するように設けられる。言い換えると、貫通孔ＴＨｈの第１方向Ｄｘでの開口幅は、第１方向Ｄｘで隣り合う接続配線１７の間隔と実質的に等しい。また、１つの接続配線１７について、接続配線１７の延在方向と交差する方向での幅と、接続配線１７が設けられる基板２１の幅とは、実質的に等しい。本変形例では、基板２１に発生する応力を抑制するとともに、基板２１に設けられた複数の接続配線１７のそれぞれについて、変形の自由度を向上させることができる。

【0064】

図２０は、第９変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。図２０に示すように、第９変形例では、接続配線１７ａはジグザグ線状に形成される。より詳細には、接続配線１７ａは複数の直線部１８ａを有し、複数の直線部１８ａが屈曲部１８ｂで接続されてジグザグ線状に延在する。

【0065】

図２１は、第１０変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。図２１に示すように、第１０変形例では、接続配線１７ｂはミアンダ状に形成される。より詳細には、接続配線１７ｂは複数の円弧部１８ｃと、複数の直線部１８ｄと、を有し、複数の円弧部１８ｃと、複数の直線部１８ｄとが交互に接続されてミアンダ状に延在する。

【0066】

図２２は、第１１変形例に係る配線領域の、接続配線を拡大して示す平面図である。図２２に示すように、第１１変形例では、接続配線１７ｃはミアンダ状に形成される。より詳細には、接続配線１７ｃは複数の円弧部１８ｅ、１８ｆと、複数の直線部１８ｇと、を有する。円弧部１８ｅと円弧部１８ｆとがＳ字状に連結され、連結された複数の円弧部１８ｅ、１８ｆが直線部１８ｇで接続されてミアンダ状に延在する。

【0067】

なお、図２０（第９変形例）から図２２（第１１変形例）では、それぞれ１つの接続配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃを示すが、図９等と同様に、配線領域ＷＡには複数の接続配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃが配列される。第９変形例から第１１変形例に示した接続配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃは、それぞれ、上述した第１実施形態及び第１変形例から第８変形例に適用できる。

【0068】

また、１つの配線領域ＷＡで、直線状の接続配線１７と、接続配線１７ａ、１７ｂ、１７ｃの少なくとも１つを組み合わせて構成してもよい。例えば、比較的応力が小さい配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部では直線状の接続配線１７を設け、比較的応力が大きい配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの外縁側では、ジグザグ線状の接続配線１７ａあるいはミアンダ状の接続配線１７ｂ又は接続配線１７ｃを設けることができる。これにより、検出装置１は、効果的に接続配線１７に作用する応力を抑制することができる。

【0069】

図２３は、第１２変形例に係る配線領域を拡大して示す平面図である。図２３に示すように、第１２変形例では、第１方向Ｄｘで隣り合う接続配線１７の間隔は、基板２１の配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部よりも第１方向Ｄｘの外縁側で大きく形成される。図２３では、接続配線１７の間隔は、基板２１の配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部から第１方向Ｄｘの外縁側に近づくにしたがって、徐々に大きくなる。また、第１方向Ｄｘで隣り合う接続配線１７の間に設けられる貫通孔ＴＨの数は、基板２１の配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部よりも第１方向Ｄｘの外縁側で多く形成される。

【0070】

言い換えると、接続配線１７の配置密度は、基板２１の配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部よりも第１方向Ｄｘの外縁側で小さくなる。また、貫通孔ＴＨの配置密度は、基板２１の配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの中央部よりも第１方向Ｄｘの外縁側で大きくなる。

【0071】

これにより、第１２変形例では、配線領域ＷＡの第１方向Ｄｘの外縁側で、基板２１に発生する応力を効果的に緩和させることができ、かつ、接続配線１７に作用する応力を抑制することができる。なお、図２３の構成は、上述した第１変形例から第１１変形例と組み合わせることができる。

【0072】

図２４は、第１３変形例に係る圧力センサであって、平行型の電極を備える圧力センサの断面図である。なお、図２４から図２９では、回路層５５（駆動トランジスタＴｒ及び絶縁層２３）を省略して示している。図２４に示すように、第１３変形例の圧力センサ３Ａは、検出電極３１Ａと共通電極３２Ａとが同一面上に配置される並行型の電極を有する。この並行型の電極（検出電極３１Ａ及び共通電極３２Ａ）によれば、電流は、センサ層３０Ａ内を平面方向に流れる（図２４の矢印を参照）。検出電極３１Ａ及び共通電極３２Ａの平面形状はどのような形状であってもよい。例えば検出電極３１Ａ及び共通電極３２Ａは、櫛歯形状を採用することができる。

【0073】

図２５は、第１４変形例に係る圧力センサであって、ハイブリッド型の電極を備える圧力センサの断面図である。図２５に示すように、第１４変形例の圧力センサ３Ｂは、対向型と並行型とを組み合わせたハイブリッド型の電極である。ハイブリッド型の電極は、基板２１の上方の面に、検出電極３１Ｂと共通電極３２Ｂが配置されている。また、保護層３３の下方の面に、中間電極３４が配置されている。中間電極３４は、検出電極３１Ｂと共通電極３２Ｂに対向している。

【0074】

このハイブリッド型の電極を備える圧力センサ３Ｂは、圧力が入力されると、最初に共通電極３２Ｂから中間電極３４に電流が流れる。そして、電流は、中間電極３４に沿って平面方向に流れる。その後、センサ層３０Ｂを介して検出電極３１Ｂに電流が流れる。検出電極３１Ｂ、共通電極３２Ｂ及び中間電極３４の平面形状はどのような形状であってもよい。例えば検出電極３１Ａ及び共通電極３２Ａは、櫛歯形状を採用することができる。中間電極３４は検出領域ＡＡに亘って延在するベタ膜とすることができる。

【0075】

図２６は、第１５変形例に係る圧力センサであって、圧力入力前の状態の断面図である。図２７は、第１５変形例に係る圧力センサであって、圧力入力後の状態の断面図である。図２６に示すように、第１５変形例の圧力センサ３Ｃのセンサ層３０Ｃは、共通電極３２Ｃの下方の面（検出電極３１Ｃと対向する面）に設けられている。センサ層３０Ｃは、導電性樹脂により製造されている。センサ層３０Ｃは、上述したセンサ層３０、３０Ａ、３０Ｂとは異なり、凸部３０ａを有さず、検出電極３１Ｃと対向する面が平坦に形成される。また、センサ層３０Ｃは、圧力入力前の状態で、検出電極３１Ｃと空間を有して対向しており、検出電極３１Ｃと接触していない。

【0076】

図２７に示すように、圧力が入力されると、センサ層３０Ｃは、押圧方向Ａ１に窪むように変形し、検出電極３１Ｃと接触する。これにより、検出電極３１Ｃに電流が流れる。また、圧力が大きくなり、センサ層３０Ｃと検出電極３１Ｃとの接触面積が大きくなると、検出電極３１Ｃに流れる電流も大きくなる。

【0077】

図２８は、第１６変形例に係る圧力センサであって、圧力入力前の状態の断面図である。図２９は、第１６変形例に係る圧力センサであって、圧力入力後の状態の断面図である。図２８に示すように、第１６変形例の圧力センサ３Ｄのセンサ層３０Ｄは、樹脂層３５と、樹脂層３５に分散された導電性フィラー３６とを含む。センサ層３０Ｄの樹脂層３５は、対向する検出電極３１Ｄと共通電極３２Ｄとの間の空間を充填して設けられ、検出電極３１Ｄ及び共通電極３２Ｄに接する。

【0078】

センサ層３０Ｄの導電性フィラー３６のほとんどは、圧力入力前の状態で、検出電極３１Ｄ及び共通電極３２Ｄと接していない。一部の導電性フィラー３６は検出電極３１Ｄ及び共通電極３２Ｄと接触しているものの、検出電極３１Ｄと共通電極３２Ｄとの間の導通経路が形成されず、センサ層３０Ｄを挟んで対向する検出電極３１Ｄと共通電極３２Ｄとは絶縁状態を保持している。

【0079】

図２９に示すように、圧力が入力されると、保護層３３及び共通電極３２Ｄは、押圧方向Ａ１に移動し、センサ層３０Ｄの導電性フィラー３６は、検出電極３１Ｄ及び共通電極３２Ｄと接触する。また、複数の導電性フィラー３６も互いに接触する。これにより、検出電極３１Ｄと共通電極３２Ｄとの導通経路が形成され、検出電極３１Ｄに電流が流れる。また、圧力が大きくなり、センサ層３０Ｄの導電性フィラー３６と、検出電極３１Ｄ及び共通電極３２Ｄとの接触面積が大きくなると、検出電極３１Ｄに流れる電流も大きくなる。

【0080】

図３０は、第１７変形例に係る検出装置を示す断面図である。図３０に示すように、第１７変形例に係る検出装置１Ａは、配線領域ＷＡに設けられた樹脂層２４、２５を有する。樹脂層２４、２５は、伸縮性を有する樹脂材料で形成される。樹脂層２４は、配線領域ＷＡで絶縁層２３の上面に設けられる。樹脂層２５は、配線領域ＷＡで基板２１の下面に設けられる。押圧方向Ａ１で、樹脂層２４と樹脂層２５との間に、基板２１、接続配線１７及び絶縁層２３が設けられる。

【0081】

図３０では図示を省略するが、貫通孔ＴＨは樹脂層２４、２５も貫通して形成される。これにより、本変形例では、伸縮性を有する樹脂層２４、２５が設けられているので、配線領域ＷＡで発生する応力を抑制しつつ、接続配線１７を保護することができる。なお、必ずしも樹脂層２４、２５の両方を設ける必要はなく、いずれか一方のみ設けられていてもよい。また、図３０では樹脂層２４、２５は配線領域ＷＡのみに設けられているが、周辺領域ＧＡ及び接続領域ＣＡの一部にも設けられていてもよい。

【0082】

図３１は、第１８変形例に係る検出装置を示す平面図である。図３１に示すように、第１８変形例に係る検出装置１Ｂは、２つの配線領域ＷＡａ、ＷＡｂと、２つの接続領域ＣＡａ、ＣＡｂと、を有する。２つの配線領域ＷＡａ、ＷＡｂは、周辺領域ＧＡの一辺に設けられ、第１方向Ｄｘで間隔を有して隣り合って配置される。接続領域ＣＡａ、ＣＡｂは、それぞれ配線領域ＷＡａ、ＷＡｂと接続される。本変形例では、第２方向Ｄｙで、配線領域ＷＡａは、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡと、接続領域ＣＡａとの間に配置される。また、第２方向Ｄｙで、配線領域ＷＡｂは、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡと接続領域ＣＡｂとの間に配置される。また、検出領域ＡＡ、周辺領域ＧＡ、２つの配線領域ＷＡａ、ＷＡｂ及び２つの接続領域ＣＡａ、ＣＡｂは、共通の基板２１で形成される。

【0083】

基板２１の接続領域ＣＡａは、複数の端子Ｔａを介して配線基板１１０ａと接続される。基板２１の接続領域ＣＡｂは、複数の端子Ｔｂを介して配線基板１１０ｂと接続される。これにより、本変形例の検出装置１Ｂは、外部の配線基板１１０ａ、１１０ｂとの接続の自由度を向上させることができる。なお、接続領域ＣＡａ、ＣＡｂに、それぞれ配線基板１１０ａ、１１０ｂが接続される例を示したが、これに限定されず、接続領域ＣＡａ、ＣＡｂの少なくとも一方に駆動ＩＣ１０２（図１参照）が実装されてもよい。

【0084】

図３２は、第１９変形例に係る検出装置を示す平面図である。図３２に示すように、第１９変形例に係る検出装置１Ｃは、２つの配線領域ＷＡｃ、ＷＡｄと、２つの接続領域ＣＡｃ、ＣＡｄと、を有する。なお、図３２では図面を見やすくするために配線領域ＷＡｃ、ＷＡｄに斜線を付けて示す。

【0085】

第２方向Ｄｙで、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡ、配線領域ＷＡｃ、接続領域ＣＡｃ、配線領域ＷＡｄ、接続領域ＣＡｄの順に配置される。言い換えると、第２方向Ｄｙで、配線領域ＷＡｃは、検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡと、接続領域ＣＡｃとの間に配置される。配線領域ＷＡｃは、接続領域ＣＡｃに対して第１方向Ｄｘに隣り合う部分にも設けられる。接続領域ＣＡｃには駆動ＩＣ１０２が実装される。

【0086】

また、第２方向Ｄｙで、配線領域ＷＡｄは、接続領域ＣＡｃと接続領域ＣＡｄとの間に配置される。配線領域ＷＡｄは、接続領域ＣＡｄに対して第１方向Ｄｘに隣り合う部分にも設けられる。また、接続領域ＣＡｄは、複数の端子Ｔを介して配線基板１１０と接続される。また、配線領域ＷＡｃ、接続領域ＣＡｃ、配線領域ＷＡｄ、接続領域ＣＡｄの順に第１方向Ｄｘでの幅が小さくなる。

【0087】

図３３は、第１９変形例に係る検出装置の使用例を示す平面図である。図３３に示すように、第１９変形例に係る検出装置１Ｃは、中空に形成された筒状の筐体１２０Ａに貼り合わされる。基板２１の検出領域ＡＡ及び周辺領域ＧＡは、筐体１２０Ａの外周面に沿って湾曲した状態で貼り付けられる。

【0088】

基板２１の配線領域ＷＡｃは、筐体１２０Ａの開口端部で折り返して設けられる。すなわち、配線領域ＷＡｃの一端側は、筐体１２０Ａの外周面側で周辺領域ＧＡと接続され、配線領域ＷＡｃの他端側は、筐体１２０Ａの内周面側で接続領域ＣＡｃと接続される。基板２１の接続領域ＣＡｃ、配線領域ＷＡｄ及び接続領域ＣＡｄは、筐体１２０Ａの内部に配置される。すなわち、接続領域ＣＡｃに実装された駆動ＩＣ１０２及び接続領域ＣＡｄに接続された配線基板１１０も筐体１２０Ａの内部に配置される。

【0089】

図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ－ＸＸＸＩＶ’断面図である。図３４に示すように、筐体１２０Ａの内周面に台座１２１Ａが設けられる。基板２１の接続領域ＣＡｄは、台座１２１Ａの平坦面の上に貼り付けられる。これにより、接続領域ＣＡｄは平坦な状態で筐体１２０の内周面に設けられるので、配線基板１１０との良好な接続を確保することができる。

【0090】

（第２実施形態）
図３５は、第２実施形態に係る検出装置を示す断面図である。上述した第１実施形態及び各変形例では、検出素子として複数の圧力センサ３を有する例について説明したが、検出素子は圧力センサ３に限定されない。図３５に示すように、第２実施形態に係る検出装置１Ｄは、検出領域ＡＡに設けられ、それぞれに照射される光を検出する光センサ４（検出素子）を有する。なお、第２実施形態に係る検出装置１Ｄにおいて、周辺領域ＧＡ、配線領域ＷＡ及び接続領域ＣＡは、上述した第１実施形態及び各変形例で説明した構成を採用することができる。

【0091】

光センサ４は、回路層５５の絶縁層２３の上に設けられる。光センサ４は、センサ層４０と、検出電極４１と、共通電極４２と、を有する。検出電極４１及び共通電極４２の少なくとも一方は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電材料で形成される。センサ層４０は、光電変換材料で形成される。センサ層４０として、例えば電子輸送層、発光層及び正孔輸送層からなる有機光センサが用いられる。あるいは、センサ層４０として、シリコン等の半導体層で形成されたＰＩＮ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｎｅｇａｔｉｖｅ）フォトダイオードであってもよい。

【0092】

保護層４３は、共通電極４２を覆って設けられる。外部からの光は、保護層４３の上面、すなわち入力面１ａから光センサ４のセンサ層４０に照射される。

【0093】

図示は省略するが、複数の光センサ４は、平面視で検出領域ＡＡにマトリクス状に配列される。また、検出電極４１は、平面視で検出領域ＡＡにマトリクス状に配列され、複数の光センサ４ごとに離隔して配置される。また、共通電極４２は、複数の光センサ４を覆って検出領域ＡＡの全面に設けられる。

【0094】

本実施形態の検出装置１Ｄも、第１実施形態及び各変形例と同様に、中実の筐体１２０あるいは中空の筒状の１２０Ａに貼り合わされて使用される。検出装置１Ｄは、被検出体が筐体１２０、１２０Ａを握ったグリップ状態での脈拍計測や静脈認証に活用できる。

【0095】

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した各実施形態及び各変形例の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の種々の省略、置換及び変更のうち少なくとも１つを行うことができる。

【符号の説明】

【0096】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 検出装置
２ アレイ基板
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ 圧力センサ
４ 光センサ
１７、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ 接続配線
２１、２１ａ 基板
２２、２２Ａ ゲート絶縁膜
２３ 絶縁層
３０、３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、４０ センサ層
３０ａ 凸部
３１、３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、４１ 検出電極
３２、３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄ、４２ 共通電極
５５ 回路層
１２０、１２０Ａ 筐体
１２１、１２１Ａ 台座
ＡＡ 検出領域
ＧＡ 周辺領域
ＣＡ、ＣＡａ、ＣＡｂ、ＣＡｃ、ＣＡｄ 接続領域
ＷＡ、ＷＡａ、ＷＡｂ、ＷＡｃ、ＷＡｄ 配線領域
ＳＬ 信号線
ＧＬ ゲート線
ＴＨ、ＴＨａ、ＴＨｂ、ＴＨｃ、ＴＨｄ、ＴＨｅ、ＴＨｆ、ＴＨｇ、ＴＨｈ 貫通孔
ＴＨｇａ 第１スリット部
ＴＨｇｂ 第２スリット部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】