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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024058397
(43)【公開日】2024-04-25
(54)【発明の名称】インダクタ部品
(51)【国際特許分類】
H01F 17/00 20060101AFI20240418BHJP
【ＦＩ】
H01F17/00 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022165735
(22)【出願日】2022-10-14
(71)【出願人】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100132252
【弁理士】
【氏名又は名称】吉田 環
(74)【代理人】
【識別番号】100190713
【弁理士】
【氏名又は名称】津村 祐子
(72)【発明者】
【氏名】國森 敬介
【テーマコード（参考）】
5E070
【Ｆターム（参考）】
5E070AB01
5E070CB13
5E070CB17
(57)【要約】
【課題】インダクタ部品において、ビア配線と内部配線とのシェア強度を高める。
【解決手段】インダクタ部品は、第１内部配線と、第２内部配線と、前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、前記第２部分を含む直線を第２基準線として、前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】インダクタ部品は、第１内部配線と、第２内部配線と、前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、前記第２部分を含む直線を第２基準線として、前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１内部配線と、
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える、インダクタ部品。
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える、インダクタ部品。
【請求項2】
前記第１断面において、
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記突起は、前記ビアの前記第２開口端を含み、前記ビアの内面の一部を構成している、請求項１に記載のインダクタ部品。
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記突起は、前記ビアの前記第２開口端を含み、前記ビアの内面の一部を構成している、請求項１に記載のインダクタ部品。
【請求項3】
前記突起の前記中心軸方向における最大高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の５％以上３０％以下である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項4】
前記突起の前記中心軸に直交する方向における最大幅は、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１％以上８０％以下である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項5】
前記層間絶縁層は、前記突起と、前記第２基準線より前記第１内部配線側に位置する本体部とを有し、
前記突起と前記本体部とは、一体的に形成されている、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
前記突起と前記本体部とは、一体的に形成されている、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項6】
前記第１断面において、
前記ビア配線は、前記中心軸に平行な方向において前記層間絶縁層と前記第１内部配線とに挟まれた、くさび部を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
前記ビア配線は、前記中心軸に平行な方向において前記層間絶縁層と前記第１内部配線とに挟まれた、くさび部を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項7】
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記第１開口端を含み、前記中心軸に平行な直線を第３基準線として、
前記くさび部は、前記ビア配線の前記第３基準線に対して前記中心軸の反対側に位置し、
前記第１開口端から前記第３基準線と前記第１内部配線との交点まで間の前記くさび部の高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１０％以上３０％以下である、請求項６に記載のインダクタ部品。
前記第１開口端を含み、前記中心軸に平行な直線を第３基準線として、
前記くさび部は、前記ビア配線の前記第３基準線に対して前記中心軸の反対側に位置し、
前記第１開口端から前記第３基準線と前記第１内部配線との交点まで間の前記くさび部の高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１０％以上３０％以下である、請求項６に記載のインダクタ部品。
【請求項8】
前記第１断面において、
前記第１主面は、前記ビア側の端部において、前記第１内部配線に接触しない第３部分を含み、
前記くさび部は、前記第３部分と前記第１内部配線との間に配置されている、請求項６に記載のインダクタ部品。
前記第１主面は、前記ビア側の端部において、前記第１内部配線に接触しない第３部分を含み、
前記くさび部は、前記第３部分と前記第１内部配線との間に配置されている、請求項６に記載のインダクタ部品。
【請求項9】
前記第１断面において、
前記第３部分は、前記中心軸に向かうにしたがって、前記第１基準線との間の前記中心軸に平行な方向の距離が大きくなる傾斜部分を有する、請求項８に記載のインダクタ部品。
前記第３部分は、前記中心軸に向かうにしたがって、前記第１基準線との間の前記中心軸に平行な方向の距離が大きくなる傾斜部分を有する、請求項８に記載のインダクタ部品。
【請求項10】
前記第１断面において、
前記ビアの内面は、前記第１内部配線から前記第２内部配線に向かって前記ビアの前記中心軸に直交する方向の幅が大きくなる、傾斜部分を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
前記ビアの内面は、前記第１内部配線から前記第２内部配線に向かって前記ビアの前記中心軸に直交する方向の幅が大きくなる、傾斜部分を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項11】
前記第１内部配線は、前記第１基準線より凹んだ凹部を有し、
前記ビア配線は、前記凹部に入り込む凸部を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
前記ビア配線は、前記凹部に入り込む凸部を有する、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【請求項12】
さらに、磁性層を含む素体を備え、
前記第１内部配線および前記第２内部配線は、前記素体内に設けられ、
前記第１内部配線および前記第２内部配線の少なくとも一方は、インダクタ配線である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
前記第１内部配線および前記第２内部配線は、前記素体内に設けられ、
前記第１内部配線および前記第２内部配線の少なくとも一方は、インダクタ配線である、請求項１または２に記載のインダクタ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【0002】
電子部品としては、特開２０２０－１０７８７７号公報（特許文献１）に記載されたものがある。従来の電子部品は、例えば、２つの内部配線と、これらの間に配置され、ビアを有する絶縁層と、ビアに挿通するビア配線と、を有する。ビア配線は、２つの内部配線を電気に接続している。ビアは、深さ方向に径が縮小するテーパー形状を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１０７８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、従来の電子部品では、ビア配線と内部配線とのシェア強度が十分ではなく、接続信頼性が低下する場合がある。
【0005】
本開示の目的は、ビア配線と内部配線とのシェア強度に優れるインダクタ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
第１内部配線と、
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える。
第１内部配線と、
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える。
【0007】
前記態様によれば、ビア配線と内部配線とのシェア強度を高めることができる。
【発明の効果】
【0008】
本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、ビア配線と内部配線とのシェア強度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図4A】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4B】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4C】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4D】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4E】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4F】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4G】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4H】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4I】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4J】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4K】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【図4L】インダクタ部品の製造方法を説明する模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、本開示の一態様であるインダクタ部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。
【0011】
（構成）
図１は、インダクタ部品の一実施形態を示す透視平面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図２は、ビア配線の中心軸ＡＸを含むＸＺ断面を示す。ＸＺ断面は、中心軸ＡＸを含む第１断面の一例である。図２では便宜上、後述する層間絶縁層の突起、ビア配線のくびれ部および凸部、第１パッド部の凹部、シード層を省略している。これらは、図３Ａ以降の図面にて示す。
図１は、インダクタ部品の一実施形態を示す透視平面図である。図２は、図１のII－II断面図である。図２は、ビア配線の中心軸ＡＸを含むＸＺ断面を示す。ＸＺ断面は、中心軸ＡＸを含む第１断面の一例である。図２では便宜上、後述する層間絶縁層の突起、ビア配線のくびれ部および凸部、第１パッド部の凹部、シード層を省略している。これらは、図３Ａ以降の図面にて示す。
【0012】
図中、インダクタ部品１の厚み方向をＺ方向とする。インダクタ部品１のＺ方向に直交する平面において、インダクタ部品１の長手方向であり、第１外部端子５１および第２外部端子５２が並ぶ方向である長さ方向をＸ方向とする。長さ方向に直交する方向であるインダクタ部品１の幅方向をＹ方向とする。ＸＺ断面図は、インダクタ部品１を、Ｘ方向に延びる直線とＺ方向に延びる直線とで形成され、ビア配線の中心軸ＡＸを含む面で切断されることにより得られる。
【0013】
インダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
【0014】
図１と図２に示すように、インダクタ部品１は、素体１０と、インダクタ配線１００と、絶縁層３０と、第１垂直配線２１および第２垂直配線２２と、第１外部端子５１および第２外部端子５２とを有する。なお、図１では、便宜上、外部端子を二点鎖線で描いている。また、図１では、素体１０および被覆膜６０は、構造を容易に理解できるよう、透明に描かれているが、半透明や不透明であってもよい。
【0015】
素体１０は、第１磁性層１１と、第１磁性層１１上に配置された基板７０と、基板７０上に配置された第２磁性層１２とを有する。第１磁性層１１と基板７０と第２磁性層１２は、インダクタ配線１００および絶縁層３０を挟むように、ビア配線２１２の中心軸ＡＸ方向に沿って積層されている。つまり、インダクタ配線１００および絶縁層３０は、素体１０内に設けられている。素体１０は、第１磁性層１１と基板７０と第２磁性層１２との３層構造であるが、第１磁性層１１および第２磁性層１２の２層構造であってもよい。
【0016】
以下、上方向とは、第１ビア配線２１２の中心軸ＡＸ方向（あるいはＺ方向）において、第１磁性層１１から第２磁性層１２に向かう方向をいう。要素の上面とは、要素の上方向の面をいう。下方向とは、第１ビア配線２１２の中心軸ＡＸ方向において、第２磁性層１２から第１磁性層１１に向かう方向をいう。要素の下面とは、要素の下方向の面をいう。
【0017】
幅方向とは、第１ビア配線２１２の中心軸ＡＸ方向に直交する方向であり、上記の通り、Ｙ方向ともいう。要素の幅とは、幅方向の要素の長さをいう。高さ方向とは、第１ビア配線２１２の中心軸ＡＸ方向に平行な方向であり、上記の通り、Ｚ方向ともいう。要素の高さとは、高さ方向の要素の長さをいう。
【0018】
インダクタ配線とは、平面上で延伸する曲線（２次元曲線）を意味し、ターン数が１周を超える曲線であってもよく、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
【0019】
第１磁性層１１および第２磁性層１２は、樹脂と、樹脂内に含まれる磁性体としての金属磁性粉とを有する。したがって、フェライトからなる磁性層と比較して、金属磁性粉により直流重畳特性を向上でき、樹脂により金属磁性粉間が絶縁されるので、高周波でのロス（鉄損）が低減される。
【0020】
樹脂は、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。より具体的には、樹脂は、エポキシもしくはエポキシとアクリルの混合体もしくはエポキシ、アクリルとその他の混合体である。これにより、金属磁性粉間の絶縁性を担保することで、高周波でのロス（鉄損）を小さくできる。
【0021】
金属磁性粉の平均粒径は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。インダクタ部品１の製造段階においては、金属磁性粉の平均粒径を、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径として算出することができる。金属磁性粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。金属磁性粉の含有率は、好ましくは、磁性層全体に対して、２０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下である。金属磁性粉の平均粒径が５μｍ以下である場合、直流重畳特性がより向上し、微粉によって高周波での鉄損を低減できる。金属磁性粉の平均粒径が０，１μｍ以上である場合、樹脂への均一な分散が容易となり、第１磁性層１１および第２磁性層１２の製造効率が向上する。なお、金属磁性粉に代えて又は金属磁性粉に加えて、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトの磁性粉を用いてもよい。
【0022】
基板７０は、第１磁性層１１上に積層されている。基板７０は、平板状であり、インダクタ部品１の製造プロセス上の土台となる部分である。基板７０は、例えば、ＮｉＺｎ系やＭｎＺｎ系などのフェライトからなる磁性体基板や、アルミナ、ガラスからなる非磁性体基板などの焼結体からなる。基板７０の厚さは、例えば、３００μｍ以上１０００μｍ以下である。
【0023】
インダクタ配線１００は、基板７０の上面に設けられており、基板７０の上面と平行な方向に沿って延在する。インダクタ配線１００は、基板７０の上面において、インダクタ配線１００の軸を中心としてスパイラル状に巻き回されている。インダクタ配線１００は、ターン数が１周を超えるスパイラル形状である。インダクタ配線１００は、上側からみて、外周端から内周端に向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。なお、インダクタ配線１００は、ターン数が１周未満の曲線であってもよく、または、一部に直線を有していてもよい。
【0024】
インダクタ配線１００の厚さは、例えば、４０μｍ以上１２０μｍ以下である。インダクタ配線１００は、具体的には、厚さが４５μｍ、配線幅が５０μｍ、配線間スペースが１０μｍである。配線間スペースは３μｍ以上２０μｍ以下であってよい。
【0025】
インダクタ配線１００は、スパイラル部１２０と、第１パッド部１１１と、第２パッド部１１２とを有する。第１パッド部１１１は、第１垂直配線２１に接続され、第２パッド部１１２は、第２垂直配線２２に接続される。スパイラル部１２０は、第１パッド部１１１を外周端、第２パッド部１１２を内周端として、第１パッド部１１１および第２パッド部１１２から基板７０の上面と平行な方向に沿って延在し、渦巻状に巻回されている。
【0026】
第１垂直配線２１および第２垂直配線２２は、インダクタ配線１００から中心軸ＡＸ方向に延在し、素体１０を貫通している。第１垂直配線２１は、インダクタ配線１００の第１パッド部１１１の上面から上側に延在し、層間絶縁層３１の内部を貫通する第１ビア配線２１２と、第１ビア配線２１２から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第１柱状配線２１１とを有する。第２垂直配線２２は、インダクタ配線１００の第２パッド部１１２の上面から上側に延在し、層間絶縁層３１を貫通する第２ビア配線２２２と、第２ビア配線２２２から上側に延在し、第２磁性層１２の内部を貫通する第２柱状配線２２１とを含む。
【0027】
インダクタ配線１００は、特許請求の範囲に記載の「第１内部配線」の一例に相当する。第１柱状配線２１１は、特許請求の範囲に記載の「第２内部配線」の一例に相当する。
【0028】
インダクタ配線１００は、導電性材料からなり、例えばＣｕ、Ａｇ，Ａｕ、Ｆｅもしくはこれらを含む合金などの低電気抵抗な金属材料からなる。これにより、インダクタ部品１の直流抵抗を下げることができる。第１垂直配線２１および第２垂直配線２２は、インダクタ配線１００と同様の導電性材料からなる。
【0029】
絶縁層３０は、インダクタ配線１００の少なくとも一部を覆う。絶縁層３０は、層間絶縁層３１と樹脂壁３２と下地絶縁層３３とを有する。層間絶縁層３１は、インダクタ配線１００の上面を覆い、樹脂壁３２は、インダクタ配線１００の側面を覆い、下地絶縁層３３は、インダクタ配線１００の下面を覆う。具体的に述べると、樹脂壁３２は、インダクタ配線１００と同一面に設けられ、インダクタ配線１００のターン間や、インダクタ配線１００の外径側および内径側に設けられている。層間絶縁層３１は、インダクタ配線１００の上面を覆い、インダクタ配線１００の第１，第２パッド部１１１，１１２に対応した位置にビアを有する。層間絶縁層３１は、隣り合う樹脂壁３２の上端の間を埋めるように設けられている。絶縁層３０は、２つの層間絶縁層３１と樹脂壁３２と下地絶縁層３３とから構成されるが、１つ、２つまたは４つ以上の絶縁層から構成されていてもよい。
【0030】
層間絶縁層３１、樹脂壁３２および下地絶縁層３３は、磁性体を含まない絶縁性材料からなり、例えば、エポキシ系、ポリイミド系、フェノール系、ビニルエーテル系の何れかの樹脂を含む。これにより、絶縁信頼性が向上する。下地絶縁層３３は、シリカなどの非磁性体のフィラーを含んでいてもよい。下地絶縁層３３の厚さは、例えば、１０μｍ以下である。
【0031】
第１外部端子５１は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第１柱状配線２１１の端面を覆っている。これにより、第１外部端子５１は、インダクタ配線１００の第１パッド部１１１に電気的に接続される。第２外部端子５２は、第２磁性層１２の上面に設けられ、該上面から露出する第２柱状配線２２１の端面を覆っている。これにより、第２外部端子５２は、インダクタ配線１００の第２パッド部１１２に電気的に接続される。
【0032】
第１外部端子５１および第２外部端子５２は、導電性材料からなる。第１外部端子５１および第２外部端子５２は、例えば、低電気抵抗かつ耐応力性に優れたＣｕ、耐食性に優れたＮｉ、はんだ濡れ性と信頼性に優れたＡｕからなる金属層が内側から外側に向かってこの順に積層された３層構造である。
【0033】
図３Ａは、図２のＡ部の拡大図である。図３Ａは、ビア配線の中心軸ＡＸを含む第１断面の一部を示す。層間絶縁層３１は、第１パッド部１１１側の第１主面３１Ｘと、第１柱状配線２１１側の第２主面３１Ｙと、および、第１主面３１Ｘと第２主面３１Ｙとの間を貫通するビア３１Ｚと、を有する。第１主面３１Ｘは、第１パッド部１１１と接触する第１部分３１Ｘａを含む。第１主面３１Ｘは、さらに、第１パッド部１１１に接触しない第３部分３１Ｘｂを含む。第３部分３１Ｘｂは、第１主面３１Ｘのビア３１Ｚ側の端部に位置する。第２主面３１Ｙは、第１主面３１Ｘに平行な第２部分３１Ｙａを含む。
【0034】
層間絶縁層３１は、第１柱状配線２１１に接する突起３１２を備える。第１部分３１Ｘａを含む直線を第１基準線Ｓ１とし、第２部分３１Ｙａを含む直線を第２基準線Ｓ２とした場合、突起３１２は、第１柱状配線２１１に接し、層間絶縁層３１の第２基準線Ｓ２より第１柱状配線２１１側に位置している。図３Ａにおいて、第１基準線Ｓ１および第２基準線Ｓ２は、それぞれ点線で示されている。
【0035】
突起３１２は、第１柱状配線２１１側に配置されており、かつ、第１柱状配線２１１に食い込んでいる。これにより、層間絶縁層３１と第１柱状配線２１１との密着性が高まり、その結果、第１柱状配線２１１と第１ビア配線２１２とのシェア強度が向上する。特に、幅方向に外力が加わる場合であっても、層間絶縁層３１と第１柱状配線２１１との剥離が防止される。よって、インダクタ部品１の接続信頼性が向上する。
【0036】
層間絶縁層３１の第１柱状配線２１１側に突起３１２を設けることにより、ビア３１Ｚの形状を工夫する場合よりも、第１柱状配線２１１と第１ビア配線２１２とのシェア強度を、より向上することができる。また、層間絶縁層３１の第１柱状配線２１１側に突起３１２を設けることにより、層間絶縁層３１の第２主面３１Ｙ側に凹みを形成する場合よりも、第１柱状配線２１１と第１ビア配線２１２とのシェア強度をより向上することができる。加えて、層間絶縁層３１の第２主面３１Ｙ側の凹みを層間絶縁層３１を研削すること等によって形成する場合には、残渣の発生等のリスクも増大する。
【0037】
層間絶縁層３１は、第２基準線Ｓ２より第１柱状配線２１１側に位置する突起３１２と、第２基準線Ｓ２より第１パッド部１１１側に位置する本体部３１１と、を有する。突起３１２と本体部３１１とは、一体的に形成されている。この場合、突起３１２を形成する別工程を実施することを要しないため、製造コストが低減する。
【0038】
「突起３１２と本体部３１１とが一体的に形成されている」とは、突起３１２と本体部３１１とがの間に明確な界面が確認できない状態で、両者が接触して形成されていることをいう。
【0039】
ビア３１Ｚは、第１パッド部１１１側の第１開口端３１Ｚａと、第１柱状配線２１１側の第２開口端３１Ｚｂとを有している。ビア３１Ｚは、第１開口端３１Ｚａと第２開口端３１Ｚｂとを繋ぐ内面を有している。
【0040】
突起３１２は、ビア３１Ｚの第２開口端３１Ｚｂを含み、ビア３１Ｚの内面の一部を構成している。これにより、層間絶縁層３１と第１柱状配線２１１との密着性がより高まって、第１柱状配線２１１と第１ビア配線２１２とのシェア強度がさらに向上する。
【0041】
ビア３１Ｚの内面は、第１パッド部１１１から第１柱状配線２１１に向かってビア３１Ｚの中心軸ＡＸに直交する方向（ＸＺ断面におけるＸ方向）の幅が大きくなるように、傾斜している。ビア３１Ｚの内面の一部のみが、上記のように傾斜していてもよい。
【0042】
図３Ｂに、突起３１２の周辺を拡大して示す。図３Ｂは、図３ＡのＢ部の拡大図である。
突起３１２の中心軸ＡＸ方向における最大高さＨ１は、第１基準線Ｓ１と第２基準線Ｓ２との間の中心軸ＡＸ方向における距離Ｈ０（以下、層間絶縁層３１の厚さＨ０と称する。）の５％以上３０％以下であってよい。最大高さＨ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の５％以上であると、突起３１２によるシェア強度の向上効果が得られ易い。最大高さＨ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の３０％以下であると、第１柱状配線２１１の形状に影響が生じ難い。突起３１２の最大高さＨ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の１０％以上であってよく、１５％以上であってよい。突起３１２の最大高さＨ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の２８％以下であってよく、２５％以下であってよい。突起３１２の最大高さＨ１は、第２基準線Ｓ２から突起３１２の最も高い地点までの距離である。
突起３１２の中心軸ＡＸ方向における最大高さＨ１は、第１基準線Ｓ１と第２基準線Ｓ２との間の中心軸ＡＸ方向における距離Ｈ０（以下、層間絶縁層３１の厚さＨ０と称する。）の５％以上３０％以下であってよい。最大高さＨ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の５％以上であると、突起３１２によるシェア強度の向上効果が得られ易い。最大高さＨ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の３０％以下であると、第１柱状配線２１１の形状に影響が生じ難い。突起３１２の最大高さＨ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の１０％以上であってよく、１５％以上であってよい。突起３１２の最大高さＨ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の２８％以下であってよく、２５％以下であってよい。突起３１２の最大高さＨ１は、第２基準線Ｓ２から突起３１２の最も高い地点までの距離である。
【0043】
突起３１２の中心軸ＡＸに直交する方向における最大幅Ｗ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の１％以上８０％以下であってよい。最大幅Ｗ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の１％以上であると、突起３１２によるシェア強度の向上効果が得られ易い。最大幅Ｗ１が層間絶縁層３１の厚さＨ０の８０％以下であると、第１柱状配線２１１の形状に影響が生じ難い。突起３１２の最大幅Ｗ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の５％以上であってよく、１０％以上であってよい。突起３１２の最大幅Ｗ１は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の５０％以下であってよく、４０％以下であってよい。突起３１２の最大幅Ｗ１は、突起３１２の第２基準線Ｓ２に平行な方向の幅のうち、最大のものをいう。典型的には、突起３１２の最大幅Ｗ１は、第２基準線Ｓ２における突起３１２の幅である。
【0044】
（くさび部）
図３Ａに示すように、第１ビア配線２１２は、中心軸ＡＸに平行な方向において層間絶縁層３１と第１パッド部１１１とに挟まれた、くさび部２１２ａを有する。より具体的には、くさび部２１２ａは、第１主面３１Ｘの第１パッド部１１１に接触しない第３部分３１Ｘｂと第１パッド部１１１との間に配置されている。これにより、くさび部２１２ａの層間絶縁層３１および第１パッド部１１１に対するアンカー効果が生じて、第１ビア配線２１２と第１パッド部１１１との密着性も向上する。よって、接続信頼性がさらに向上する。
図３Ａに示すように、第１ビア配線２１２は、中心軸ＡＸに平行な方向において層間絶縁層３１と第１パッド部１１１とに挟まれた、くさび部２１２ａを有する。より具体的には、くさび部２１２ａは、第１主面３１Ｘの第１パッド部１１１に接触しない第３部分３１Ｘｂと第１パッド部１１１との間に配置されている。これにより、くさび部２１２ａの層間絶縁層３１および第１パッド部１１１に対するアンカー効果が生じて、第１ビア配線２１２と第１パッド部１１１との密着性も向上する。よって、接続信頼性がさらに向上する。
【0045】
図３Ｃに、くさび部２１２ａの周辺を拡大して示す。図３Ｃは、図３ＡのＣ部の拡大図である。ビア３１Ｚの第１開口端３１Ｚａを含み、中心軸ＡＸに平行な直線を第３基準線Ｓ３とした場合、くさび部２１２ａは、第１ビア配線２１２の第３基準線Ｓ３に対して中心軸ＡＸの反対側に位置している。図３Ｃにおいて、第３基準線Ｓ３は点線で示されている。
【0046】
第３部分３１Ｘｂは、中心軸ＡＸに向かうにしたがって、第１基準線Ｓ１との間の中心軸ＡＸに平行な方向の距離が大きくなるように、第１基準線Ｓ１に対して傾斜している。これにより、第１ビア配線２１２をめっき法により形成する際、めっき液が第３部分３１Ｘｂと第１パッド部１１１との間に入り込み易くなるために、くさび部２１２ａにおいてボイドの発生が抑制される。ボイドは、めっき被膜、ここでは第１ビア配線２１２の破断の原因になり得る。第３部分３１Ｘｂの一部のみが、第１基準線Ｓ１との間の中心軸ＡＸに平行な方向の距離が大きくなるように、傾斜していてもよい。
【0047】
くさび部２１２ａの高さＨ２は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の１０％以上３０％以下であってよい。高さＨ２が層間絶縁層３１の厚さＨ０の１０％以上であると、上記のアンカー効果が得られ易い。高さＨ２が層間絶縁層３１の厚さＨ０の３０％以下であると、第１ビア配線２１２をめっき法により形成する際、めっき液が第３部分３１Ｘｂと第１パッド部１１１との間に入り込み易くなるために、くさび部２１２ａにおいてボイドの発生が抑制され易い。加えて、めっき液の循環不良が抑制されて、結晶性の高いめっき被膜が形成され易くなる。くさび部２１２ａの高さＨ２は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の１５％以上であってよく、２０％以上であってよい。くさび部２１２ａの高さＨ２は、層間絶縁層３１の厚さＨ０の３０％以下であってよく、２５％以下であってよい。くさび部２１２ａの高さＨ２は、第１開口端３１Ｚａから、第３基準線Ｓ３と第１パッド部１１１との交点までの間の距離である。
【0048】
（凹部、凸部）
図３Ａおよび図３Ｃに示すように、第１パッド部１１１は、第１基準線Ｓ１より凹んだ凹部１１１ａを有している。第１ビア配線２１２は、凹部１１１ａに入り込む凸部２１２ｂを有する。これにより、第１パッド部１１１と第１ビア配線２１２との接触面積がより大きくなるため、密着性がさらに向上する。
図３Ａおよび図３Ｃに示すように、第１パッド部１１１は、第１基準線Ｓ１より凹んだ凹部１１１ａを有している。第１ビア配線２１２は、凹部１１１ａに入り込む凸部２１２ｂを有する。これにより、第１パッド部１１１と第１ビア配線２１２との接触面積がより大きくなるため、密着性がさらに向上する。
【0049】
本実施形態では、層間絶縁層３１のビア３１Ｚ側の端部全体が上方向に隆起することにより、突起３１２が形成されている。このとき、傾斜した第３部分３１Ｘｂも形成されて、層間絶縁層３１と第１パッド部１１１との間に隙間（図４Ｆおよび図４Ｇに示す隙間４０）が生じ、加えて、ビア３１Ｚの内面が上方向に向かって広がるテーパー形状になる。第１ビア配線２１２の一部がこの隙間に入り込むことによって、くさび部２１２ａが形成される。層間絶縁層３１の端部全体とは、端部において、第１主面３１Ｘと第２主面３１Ｙとで挟まれた領域である。
【0050】
図２では、中心軸ＡＸを含む断面において、２つのビア配線２１２，２２２の断面が表れているが、２つのうちの少なくとも１つの第１ビア配線２１２において、図３Ａから図３Ｃに示す上述した種々の構成を満たしていればよい。中心軸ＡＸを含む他の断面において、図３Ａから図３Ｃに示す上述した種々の構成を満たしていてもよいし、満たしていなくてもよい。インダクタ部品１に含まれる複数のビア配線の少なくとも１つが、図３Ａから図３Ｃに示す上述した種々の構成を満たしていればよい。
【0051】
【0052】
図４Ａに示すように、基板７０上に磁性体を含有しない下地絶縁層３３を形成する。基板７０は、例えば、焼結フェライトからなり、平板状である。
【0053】
下地絶縁層３３は、例えば、磁性体を含有しないポリイミド系樹脂や無機材料などからなる。基板７０上に、ポリイミド系樹脂を印刷、塗布などによってコーティングした後、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、インダクタ配線１００を形成する領域のポリイミド系樹脂を残す。これにより、下地絶縁層３３が形成される。無機材料からなる絶縁膜は、例えば、基板７０上に、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどのドライプロセスによって形成される。
【0054】
図４Ｂに示すように、下地絶縁層３３上にシード層８１を形成する。具体的に述べると、シード層８１の材料（例えば、チタン／銅合金）をスパッタにより下地絶縁層３３の上面に付着させ、サブトラクティブ法によってパターニングして、シード層８１を形成する。
【0055】
図４Ｃに示すように、下地絶縁層３３上に樹脂壁３２を形成する。樹脂壁３２は、例えば、感光性の永久フォトレジストにより形成される。感光性の永久フォトレジストとは、加工処理をした後、取り除かないフォトレジストである。具体的に述べると、樹脂壁３２の材料を基板７０上に印刷し露光する。その後、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートペグミア）などの有機溶剤とＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）などのアルカリ系現像液を使用して現像を行う。これにより、露光されなかった部分の材料が除去されて、樹脂壁３２が形成される。
【0056】
図４Ｄに示すように、シード層８１に第１パッド部１１１およびスパイラル部１２０を形成する。具体的に述べると、シード層８１に電解めっきによりめっきを成長させる。これにより、樹脂壁３２の間に第１パッド部１１１およびスパイラル部１２０が形成される。
【0057】
図４Ｅに示すように、スパイラル部１２０を覆い、第１パッド部１１１の上面を露出させる貫通孔を有する、感光性絶縁層３１０を配置する。具体的には、第１パッド部１１１およびスパイラル部１２０上を覆うように、感光性絶縁フィルムをラミネートする。感光性絶縁フィルムもまた、感光性の永久フォトレジスト製である。次いで、感光性絶縁フィルムを露光して、光硬化させる。その後、現像を行うことにより、貫通孔を有する感光性絶縁層３１０が形成され、感光性絶縁層３１０から第１パッド部１１１の一部が露出する。
【0058】
図４Ｆは、感光性絶縁層３１０に形成された貫通孔の周囲を示す拡大図である。図４Ｆに示すように、第１パッド部１１１の感光性絶縁層３１０から露出した部分に、凹部１１１ａを形成する。凹部１１１ａは、エッチング処理により形成される。このとき、等方的にエッチングすることにより、凹部１１１ａとともに、感光性絶縁層３１０と第１パッド部１１１との間に、隙間４０が形成される。隙間４０によって、感光性絶縁層３１０の端部が第１パッド部１１１から剥離する。この感光性絶縁層３１０の剥離部分が、熱硬化される際に上方向に隆起して、突起３１２を形成する。隙間４０にめっきが入り込むことによって、くさび部２１２ａが形成される。
【0059】
第１パッド部１１１のエッチング量によって、突起３１２の高さＨ１および幅Ｗ１が制御される。エッチング量は、突起３１２の大きさに応じて適宜設定される。例えば、第１パッド部１１１が銅めっきにより形成されている場合、エッチングには、銅よりも酸化銅を優先的に溶解する薬剤を用いてよい。あるいは、処理の時間や温度を適宜調整することにより、エッチング量を調節してもよい。第１パッド部１１１のエッチング量によって、くさび部２１２ａの高さＨ２もまた制御される。
【0060】
図４Ｇは、図４Ｆと同様、感光性絶縁層３１０に形成された貫通孔の周囲を拡大した拡大図である。図４Ｇに示すように、突起３１２を備える層間絶縁層３１を形成する。具体的には、加熱して、感光性絶縁層３１０を熱硬化させる。このとき、感光性絶縁層３１０の外表面側が収縮し易いこと、および、感光性絶縁層３１０が剥離部分を有することにより、感光性絶縁層３１０の貫通孔側の端部が上方向に隆起して、突起３１２が形成される。この方法によれば、本体部３１１と突起３１２とが一体的に形成されるため、製造コストが低減する。加熱は、例えば、１５０℃以上２００℃以下で１時間程度行われる。
【0061】
突起３１２は、貫通孔、すなわちビア３１Ｚの内面の一部を構成する。感光性絶縁層３１０の剥離部分は、層間絶縁層３１の第１主面３１Ｘにおける、第１パッド部１１１と接触しない第３部分３１Ｘｂを形成する。
【0062】
図４Ｈに示すように、ビア３１Ｚの内面、第１パッド部１１１の上面の露出部、層間絶縁層３１および樹脂壁３２の上面に、シード層８２をスパッタにより形成する。隙間４０の高さ（くさび部２１２ａの高さＨ２）が層間絶縁層３１の厚さＨ０の１０％以上３０％以下であると、隙間４０を形成する第３部分３１Ｘｂと第１パッド部１１１の上面にもシード層を形成し易くなる。これにより、後のめっき工程においてめっき被膜にボイドが発生することが抑制される。ボイドは、めっき被膜、ここでは第１ビア配線２１２および第１柱状配線２１１の破断の原因になり得る。
【0063】
図４Ｉに示すように、第１パッド部１１１の上面の露出部に対応する部分に第１ビア配線２１２および第１柱状配線２１１を形成する。具体的には、シード層８２上にレジスト膜３２０を形成し、レジスト膜３２０の第１ビア配線２１２に対応する位置に開口部を設ける。シード層８２に電解めっきによりめっきを成長させて、上記の開口部にめっき層を形成する。これにより、開口部に第１ビア配線２１２および第１柱状配線２１１を形成する。
【0064】
図４Ｊに示すように、レジスト膜３２０を剥離し、露出したシード層８２を除去して、層間絶縁層３１上に第２磁性層１２を形成する。さらに、基板７０の下面に第１磁性層１１を形成する。第１磁性層１１および第２磁性層１２は、層間絶縁層３１上あるいは基板７０の下面に、磁性層がプレスされることにより形成される。第２磁性層１２をプレスする前に、基板７０の一部を研削して厚みを調整する。基板７０を除去してもよい。
【0065】
図４Ｋに示すように、第２磁性層１２を研削して、第１柱状配線２１１の上面を露出させる。
【0066】
図４Ｌに示すように、第１柱状配線２１１の上面に第１外部端子５１を形成し、他の部分の第２磁性層１２を覆う被覆膜６０を形成する。被覆膜６０は、例えば、ソルダーレジストにより形成される。その後、ダイサー等により個片化して、インダクタ部品１を製造する。
【0067】
なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。
【0068】
前記実施形態では、インダクタ配線１００は１層であるが、複数のインダクタ配線１００を中心軸ＡＸ方向に積層してもよい。また、複数のインダクタ配線１００を中心軸ＡＸ方向と直交する方向に配置してもよい。
【0069】
前記実施形態では、突起３１２と本体部３１１とは一体的に形成されているが、突起３１２と本体部３１１とは別々に形成されてもよい。本体部３１１とは別に形成された突起３１２を、本体部３１１の第１柱状配線２１１側に配置してもよい。
【0070】
前記実施形態では、突起３１２は、ビア３１Ｚの第２開口端３１Ｚｂに設けられているが、ビア３１Ｚの第２開口端３１Ｚｂから離れたところに設けられてもよい。
【0071】
前記実施形態では、突起３１２は、ビア３１Ｚの第２開口端３１Ｚｂに１つ設けられているが、複数設けられてもよい。
【0072】
前記実施形態では、特許請求の範囲の「第２内部配線」として第１柱状配線２１１を例示したが、特許請求の範囲の「第２内部配線」は、第２のインダクタ配線であってよい。
【0073】
前記実施形態では、第１ビア配線２１２は、くさび部２１２ａと凸部２１２ｂとの両方を有しているが、第１ビア配線２１２は、くさび部２１２ａおよび凸部２１２ｂのいずれも有していなくてもよく、いずれか一方を有していてよい。
【0074】
前記実施形態では、第１パッド部１１１は凹部１１１ａを有しているが、第１パッド部１１１は凹部１１１ａを有していなくてもよい。
【0075】
前記実施形態では、層間絶縁層３１の第１主面３１Ｘは、ビア３１Ｚ側の端部において、第１パッド部１１１に接触しない第３部分３１Ｘｂを含むが、層間絶縁層３１の第１主面３１Ｘは第３部分３１Ｘｂを含まなくてもよい。
【0076】
前記実施形態では、層間絶縁層３１の第３部分３１Ｘｂの全体が、中心軸ＡＸに向かうにしたがって第１基準線Ｓ１との間の距離が大きくなるように傾斜しているが、第３部分３１Ｘｂの一部が傾斜している、すなわち、第３部分３１Ｘｂが傾斜部分を有していてもよい。第３部分３１Ｘｂは、傾斜部分を有さなくてもよい。
【0077】
前記実施形態では、ビア３１Ｚの内面が、第１パッド部１１１から第１柱状配線２１１に向かって、ビア３１Ｚの幅が大きくなるように傾斜しているが、ビア３１Ｚの内面の一部が傾斜している、すなわち、ビア３１Ｚの内面が傾斜部分を有していてもよい。ビア３１Ｚの内面は、第１パッド部１１１から第１柱状配線２１１に向かって、ビア３１Ｚの幅が小さくなる傾斜部分を有していてよい。ビア３１Ｚの内面は、中心軸ＡＸに沿う方向に延在していてもよい。
【0078】
本開示は、下記の態様を含む。
＜１＞
第１内部配線と、
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える、インダクタ部品。
＜２＞
前記第１断面において、
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記突起は、前記ビアの前記第２開口端を含み、前記ビアの内面の一部を構成している、＜１＞に記載のインダクタ部品。
＜３＞
前記突起の前記中心軸方向における最大高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の５％以上３０％以下である、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜４＞
前記突起の前記中心軸に直交する方向における最大幅は、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１％以上８０％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜５＞
前記層間絶縁層は、前記突起と、前記第２基準線より前記第１内部配線側に位置する本体部とを有し、
前記突起と前記本体部とは、一体的に形成されている、＜１＞から＜４＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜６＞
前記第１断面において、
前記ビア配線は、前記中心軸に平行な方向において前記層間絶縁層と前記第１内部配線とに挟まれた、くさび部を有する、＜１＞から＜５＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜７＞
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記第１開口端を含み、前記中心軸に平行な直線を第３基準線として、
前記くさび部は、前記ビア配線の前記第３基準線に対して前記中心軸の反対側に位置し、
前記第１開口端から前記第３基準線と前記第１内部配線との交点まで間の前記くさび部の高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１０％以上３０％以下である、＜６＞に記載のインダクタ部品。
＜８＞
前記第１断面において、
前記第１主面は、前記ビア側の端部において、前記第１内部配線に接触しない第３部分を含み、
前記くさび部は、前記第３部分と前記第１内部配線との間に配置されている、＜６＞または＜７＞に記載のインダクタ部品。
＜９＞
前記第１断面において、
前記第３部分は、前記中心軸に向かうにしたがって、前記第１基準線との間の前記中心軸に平行な方向の距離が大きくなる傾斜部分を有する、＜８＞に記載のインダクタ部品。
＜１０＞
前記第１断面において、
前記ビアの内面は、前記第１内部配線から前記第２内部配線に向かって前記ビアの前記中心軸に直交する方向の幅が大きくなる、傾斜部分を有する、＜１＞から＜９＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜１１＞
前記第１内部配線は、前記第１基準線より凹んだ凹部を有し、
前記ビア配線は、前記凹部に入り込む凸部を有する、＜１＞から＜１０＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜１２＞
さらに、磁性層を含む素体を備え、
前記第１内部配線および前記第２内部配線は、前記素体内に設けられ、
前記第１内部配線および前記第２内部配線の少なくとも一方は、インダクタ配線である、＜１＞から＜１１＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜１＞
第１内部配線と、
第２内部配線と、
前記第１内部配線と前記第２内部配線との間に配置され、前記第１内部配線側の第１主面、前記第２内部配線側の第２主面、および、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通するビアを有する層間絶縁層と、
前記ビアに挿通され、前記第１内部配線と前記第２内部配線とを電気的に接続するビア配線と、を備え、
前記ビア配線の中心軸を含む第１断面において、
前記第１主面は、前記第１内部配線と接触する第１部分を含み、
前記第２主面は、前記第１部分に平行な第２部分を含み、
前記第１部分を含む直線を第１基準線とし、
前記第２部分を含む直線を第２基準線として、
前記層間絶縁層は、前記第２内部配線に接し、かつ、前記第２基準線より前記第２内部配線側に位置する突起を備える、インダクタ部品。
＜２＞
前記第１断面において、
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記突起は、前記ビアの前記第２開口端を含み、前記ビアの内面の一部を構成している、＜１＞に記載のインダクタ部品。
＜３＞
前記突起の前記中心軸方向における最大高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の５％以上３０％以下である、＜１＞または＜２＞に記載のインダクタ部品。
＜４＞
前記突起の前記中心軸に直交する方向における最大幅は、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１％以上８０％以下である、＜１＞から＜３＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜５＞
前記層間絶縁層は、前記突起と、前記第２基準線より前記第１内部配線側に位置する本体部とを有し、
前記突起と前記本体部とは、一体的に形成されている、＜１＞から＜４＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜６＞
前記第１断面において、
前記ビア配線は、前記中心軸に平行な方向において前記層間絶縁層と前記第１内部配線とに挟まれた、くさび部を有する、＜１＞から＜５＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜７＞
前記ビアは、前記第１内部配線側の第１開口端と、前記第２内部配線側の第２開口端とを有し、
前記第１開口端を含み、前記中心軸に平行な直線を第３基準線として、
前記くさび部は、前記ビア配線の前記第３基準線に対して前記中心軸の反対側に位置し、
前記第１開口端から前記第３基準線と前記第１内部配線との交点まで間の前記くさび部の高さは、前記第１基準線と前記第２基準線との間の前記中心軸方向における距離の１０％以上３０％以下である、＜６＞に記載のインダクタ部品。
＜８＞
前記第１断面において、
前記第１主面は、前記ビア側の端部において、前記第１内部配線に接触しない第３部分を含み、
前記くさび部は、前記第３部分と前記第１内部配線との間に配置されている、＜６＞または＜７＞に記載のインダクタ部品。
＜９＞
前記第１断面において、
前記第３部分は、前記中心軸に向かうにしたがって、前記第１基準線との間の前記中心軸に平行な方向の距離が大きくなる傾斜部分を有する、＜８＞に記載のインダクタ部品。
＜１０＞
前記第１断面において、
前記ビアの内面は、前記第１内部配線から前記第２内部配線に向かって前記ビアの前記中心軸に直交する方向の幅が大きくなる、傾斜部分を有する、＜１＞から＜９＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜１１＞
前記第１内部配線は、前記第１基準線より凹んだ凹部を有し、
前記ビア配線は、前記凹部に入り込む凸部を有する、＜１＞から＜１０＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
＜１２＞
さらに、磁性層を含む素体を備え、
前記第１内部配線および前記第２内部配線は、前記素体内に設けられ、
前記第１内部配線および前記第２内部配線の少なくとも一方は、インダクタ配線である、＜１＞から＜１１＞のいずれか一つに記載のインダクタ部品。
【符号の説明】
【0079】
１ インダクタ部品
１０ 素体
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２１ 第１垂直配線
２１１ 第１柱状配線
２１２ 第１ビア配線
２１２ａ くさび部
２１２ｂ 凸部
２２ 第２垂直配線
２２１ 第２柱状配線
２２２ 第２ビア配線
３０ 絶縁層
３１ 層間絶縁層
３１Ｘ 第１主面
３１Ｘａ 第１部分
３１Ｘｂ 第３部分
３１Ｙ 第２主面
３１Ｙａ 第２部分
３１Ｚ ビア
３１Ｚａ 第１開口端
３１Ｚｂ 第２開口端
３１１ 本体部
３１２ 突起
３２ 樹脂壁
３３ 下地絶縁層
４０ 隙間
５１ 第１外部端子
５２ 第２外部端子
６０ 被覆膜
７０ 基板
８１，８２ シード層
１００ インダクタ配線
１１１ 第１パッド部
１１１ａ 凹部
１１２ 第２パッド部
１２０ スパイラル部
３１０ 感光性絶縁層
３２０ レジスト膜
ＡＸ 中心軸
Ｓ１ 第１基準線
Ｓ２ 第２基準線
Ｓ３ 第３基準線
１０ 素体
１１ 第１磁性層
１２ 第２磁性層
２１ 第１垂直配線
２１１ 第１柱状配線
２１２ 第１ビア配線
２１２ａ くさび部
２１２ｂ 凸部
２２ 第２垂直配線
２２１ 第２柱状配線
２２２ 第２ビア配線
３０ 絶縁層
３１ 層間絶縁層
３１Ｘ 第１主面
３１Ｘａ 第１部分
３１Ｘｂ 第３部分
３１Ｙ 第２主面
３１Ｙａ 第２部分
３１Ｚ ビア
３１Ｚａ 第１開口端
３１Ｚｂ 第２開口端
３１１ 本体部
３１２ 突起
３２ 樹脂壁
３３ 下地絶縁層
４０ 隙間
５１ 第１外部端子
５２ 第２外部端子
６０ 被覆膜
７０ 基板
８１，８２ シード層
１００ インダクタ配線
１１１ 第１パッド部
１１１ａ 凹部
１１２ 第２パッド部
１２０ スパイラル部
３１０ 感光性絶縁層
３２０ レジスト膜
ＡＸ 中心軸
Ｓ１ 第１基準線
Ｓ２ 第２基準線
Ｓ３ 第３基準線
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図4E】
【図4F】
【図4G】
【図4H】
【図4I】
【図4J】
【図4K】
【図4L】