特開 2024-59091 パネル基板、及びそのパネル基板を含むマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024059091

(43)【公開日】2024-04-30

(54)【発明の名称】パネル基板、及びそのパネル基板を含むマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240422BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240422BHJP

   H01L 33/00 20100101ALI20240422BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 317

G09F9/33

G09F9/30 348A

G09F9/30 349C

G09F9/30 338

H01L33/00 L

【審査請求】有

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023173959

(22)【出願日】2023-10-06

(31)【優先権主張番号】10-2022-0133354

(32)【優先日】2022-10-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】501426046

【氏名又は名称】エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100094112

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 讓

(74)【代理人】

【識別番号】100106183

【弁理士】

【氏名又は名称】吉澤 弘司

(74)【代理人】

【識別番号】100114915

【弁理士】

【氏名又は名称】三村 治彦

(74)【代理人】

【識別番号】100125139

【弁理士】

【氏名又は名称】岡部 洋

(74)【代理人】

【識別番号】100209808

【弁理士】

【氏名又は名称】三宅 高志

(72)【発明者】

【氏名】金 炳 厚

(72)【発明者】

【氏名】尹 湘 淳

(72)【発明者】

【氏名】金 周 赫

(72)【発明者】

【氏名】孫 孝 卿

(72)【発明者】

【氏名】孫 エー－ラム

(72)【発明者】

【氏名】李 修 ▲ミン▼

(72)【発明者】

【氏名】張 銀 洙

【テーマコード（参考）】

5C094

5F142

【Ｆターム（参考）】

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA23

5C094CA19

5C094DA13

5C094DB01

5C094ED12

5C094ED15

5C094FB15

5C094GB01

5C094JA08

5F142AA54

5F142AA86

5F142BA02

5F142BA32

5F142CA11

5F142CB23

5F142CD02

5F142CG01

5F142DB24

5F142FA32

5F142GA02

(57)【要約】

【課題】マイクロＬＥＤがパネル基板上に過転写または未転写される不良の発生を防止する。
【解決手段】本明細書の一実施形態によるパネル基板は、複数のサブピクセル領域を含むベース基板；複数のサブピクセル領域にそれぞれ配置される薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタ上に配置された層間絶縁膜；層間絶縁膜上に位置して、光の透過及び反射を遮断する第１光機能性層；第１光機能性層上に位置して、粘着性を有する第１パターン部と、第１パターン部よりも粘着性のない第２パターン部とを含む第２光機能性層；および第２光機能性層の第１パターン部と対応する位置に配置された複数のマイクロＬＥＤ；を含むことを特徴とする。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のサブピクセル領域を含むベース基板と、
前記複数のサブピクセル領域にそれぞれ配置される複数の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に位置して、光の透過及び反射を遮断する第１光機能性層と、
前記第１光機能性層上に配置される第２光機能性層であって、前記第２光機能性層は、複数の第１パターン及び複数の第２パターンを有し、前記複数の第１パターンは第１粘着性を有し、前記複数の第２パターンは前記第１粘着性よりも粘着性の低い第２粘着性を有する、前記第２光機能性層と、
前記第２光機能性層の前記複数の第１パターンと対応する位置に配置された複数のマイクロＬＥＤとを含む、
パネル基板。

【請求項2】

前記第２光機能性層の前記複数の第１パターンは、第１厚さを有し、前記複数の第２パターンは、前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有しており、前記第２光機能性層は段差を有する、
請求項１に記載のパネル基板。

【請求項3】

前記複数の第１パターン及び前記複数の第２パターンは、交互に配置された、
請求項１に記載のパネル基板。

【請求項4】

前記第１光機能性層は、カーボンブラック、黒色チタン酸化物又は黒色酸化鉄を含む第１材料と、前記第１材料に添加される多孔性ゼオライトとを含む、
請求項１に記載のパネル基板。

【請求項5】

前記第２光機能性層は、光が照射されると粘着性が除去される接着合成物を含む、
請求項１に記載のパネル基板。

【請求項6】

前記接着合成物は、粘着剤、合成物、光酸発生剤、およびクエンチャー（ｑｕｅｎｃｈｅｒ）を含む、
請求項５に記載のパネル基板。

【請求項7】

前記クエンチャーは、前記光酸発生剤から発生する酸を中性化する塩基性物質を含む、
請求項６に記載のパネル基板。

【請求項8】

複数のサブピクセル領域を含むベース基板と、
複数の第１パターン及び複数の第２パターンを含む第１光機能性層であって、前記複数の第１パターンは第１粘着性を有し、前記複数の第２パターンは前記第１粘着性よりも粘着性の低い第２粘着性を有し、前記複数の第１パターン及び前記複数の第２パターンは横方向に交互に接して配置された、前記第１光機能性層と、
第１光学機能性層の複数の第１パターンのそれぞれに配置された複数のマイクロ発光ダイオードとを含む、
表示装置。

【請求項9】

前記第１光機能性層の前記複数の第１パターンは第１厚さを有し、前記第１光機能性層の前記複数の第２パターンは前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有し、前記複数の第２パターンと接する前記複数の第１パターンは段差を形成する、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記第１光機能性層は、光が照射されると粘着性が除去される接着合成物を含む、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項11】

前記接着合成物は、粘着剤、合成物、光酸発生剤、およびクエンチャー（ｑｕｅｎｃｈｅｒ）を含む、
請求項１０に記載の表示装置。

【請求項12】

前記クエンチャーは、前記光酸発生剤から発生する酸を中性化する塩基性物質を含む、
請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記第１光機能性層及び前記ベース基板の間の第２光機能性層をさらに含み、前記第２光機能性層は、カーボンブラック、黒色酸化チタンまたは黒色酸化鉄を含む第１材料と、前記第１材料に添加される多孔質ゼオライトとを含む、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項14】

前記複数のマイクロ発光ダイオードは、前記第１光機能性層の前記第２パターン上には配置されない、
請求項８に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書は、マイクロＬＥＤに関し、より詳細は、パネル基板、及びそのパネル基板を含むマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、ＴＶ、携帯電話、ノートパソコン、およびタブレットＰＣ等といった様々な電子機器に適用される。このため、表示装置の薄形化、軽量化及び低消費電力化などを開発するため研究が続いている。

【0003】

表示装置のうち、発光型表示装置は、発光素子又は光源を表示装置に内装し、内装した自体発光素子又は光源から発生する光を用いて情報を表示する。自体発光素子を含む表示装置は、光源を内装する表示装置よりも薄く構成することができ、柔軟であることから、折り畳むか曲げるか巻き取られる表示装置を構成することができるという長所がある。

【0004】

自体発光素子が内装された表示装置は、例えば、発光層として有機物を含む有機発光表示装置（ＯＬＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）、或いは発光層として無機物を含むマイクロＬＥＤ表示装置（Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ；Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）などを含む。ここで、有機発光表示装置は、別途光源が不要であるものの、水分と酸素に弱い有機物の材料的特性から外部環境によって不良画素が発生しやすい問題がある。これに対して、マイクロＬＥＤ表示装置は、水分と酸素に強い無機物を発光層として用いることによって、外部環境に影響されず、高い信頼性を有し、有機発光表示装置に比べて寿命が長いという長所がある。

【0005】

また、マイクロＬＥＤ表示装置は、外部環境に強いため、密封材のような保護構造物を必要とせず、種々の素材を基板として用いることができ、有機発光表示装置よりもさらに薄い構造を有し、かつフレキシブルな表示装置を構成することができる。これによって、複数本のマイクロＬＥＤ表示装置を配列して、大面積の表示装置に構成するのに有機発光表示装置よりもさらに有利であるという長所がある。

【0006】

一方、マイクロＬＥＤをパネル基板に移動させる転写技術において、目標位置に転写する転写正確度は、表示装置の不良に影響する。すなわち、マイクロＬＥＤをパネル基板の目標位置に未転写するか、目標位置を外れた位置に過転写すると、これは表示装置の不良に繋がり得る。これによって、マイクロＬＥＤの転写に際して、高い転写正確度に対する要求が高まりつつある。また、大面積の表示装置を構成するために、複数のマイクロＬＥＤの転写に際して、転写速度は、製品の生産性に影響することから、転写速度を向上させる方法に対する研究が継続している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本明細書の一実施形態によって解決しようとする課題は、光の透過及び反射を遮断して水分の吸着を防止する第１機能性層と、光の回折特性を最小化する第２機能性層と、からなる多重層構造の光機能性層を含むパネル基板を提供することである。

【0008】

また、本明細書の一実施形態によって解決しようとする課題は、多重層構造の光機能性層を含むパネル基板を導入し、局所的な露光工程を通じて領域別に相異する接着性を付与することにより、マイクロＬＥＤを目標位置に正確に転写することを目的とする。

【0009】

これによって、マイクロＬＥＤがパネル基板上に過転写または未転写される不良の発生を防止することを目的とする。

【0010】

また、本明細書の一実施形態によって解決しようとする課題は、相異する機能を有する多重層構造の光機能性層を含むパネル基板を含むマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

【0011】

本明細書の一実施形態によって解決しようとする課題は、以上で言及した目的に制限されず、言及していない本発明の他の目的及び長所は、下記の説明によって理解することができ、本明細書の実施形態によってより明らかに理解することができる。また、本明細書の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせによって実現できることが理解されよう。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本明細書の一実施形態によるパネル基板は、複数のサブピクセル領域を含むベース基板；複数のサブピクセル領域にそれぞれ配置される薄膜トランジスタ；薄膜トランジスタ上に配置された層間絶縁膜；層間絶縁膜上に位置して、光の透過及び反射を遮断する第１光機能性層；第１光機能性層上に位置して、粘着性を有する第１パターン部と、第１パターン部よりも粘着性のない第２パターン部とを含む第２光機能性層；および第２光機能性層の第１パターン部と対応する位置に配置された複数のマイクロＬＥＤ；を含むことを特徴とする。

【0013】

本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法は、成長基板上に複数のマイクロＬＥＤを形成するステップ；成長基板上の複数のマイクロＬＥＤをドナー基板に転写するステップ；パネル基板を準備するステップ；パネル基板上に光の透過及び反射を遮断する第１光機能性層と、光によって粘着性が除去される第２光機能性層とを形成するステップ；パネル基板の第２光機能性層上に露光及び現象工程を行って粘着性を有する第１パターン部と、第１パターン部よりも粘着性のない第２パターン部とを形成するステップ；複数のマイクロＬＥＤが配置されたドナー基板をパネル基板上に位置させるステップ；およびドナー基板上の複数のマイクロＬＥＤをパネル基板の第１パターン部と対応する位置に転写するステップ；を含むことを特徴とする。

【発明の効果】

【0014】

本明細書の一実施形態によれば、パネル基板上に相異する機能を有する多重層の光機能性層を形成して、局所的な露光工程を通じて領域別に相異する接着性を付与することにより、２次転写工程において、パネル基板上にマイクロＬＥＤを目標位置に正確に転写することができる効果がある。

【0015】

これによって、マイクロＬＥＤがパネル基板上の目標位置でない所に過転写されるか、目標位置に転写されない不良が発生することを防止することができるという利点がある。

【0016】

また、１つのドナー基板を用いて、少なくとも２回以上の２次転写工程を行うることにより、転写工程の速度を向上させることができるという利点がある。

【0017】

また、パネル基板上に光の透過及び反射を遮断して水分の吸着を防止する第１光機能性層と、光の回折特性を最小化する第２光機能性層とを含み、多重層構造の光機能性層を導入することで、製品歩留まり及び生産性を向上させることができる。

【0018】

本明細書の効果は、以上で言及した効果に制限されず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】本明細書の一実施形態による表示装置の断面図である。

【図2】図１に図示のマイクロＬＥＤのうち一部の構成を拡大して示した断面図である。

【図3】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図4】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図5】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図6】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図7】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図8】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図9】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図10】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図11】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図12】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図13】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図14】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図15】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【図16】本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤ表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

本明細書の利点及び特徴、そしてそれらを達する方法は、添付の図面と共に詳細に後述する実施形態を参照すれば明確になる。しかし、本明細書は、以下で開示の実施形態に限定されるものではなく、相異する様々な形態に構成されるものである。但し、本実施形態は、本明細書の開示を完全にして、本明細書の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。

【0021】

本明細書の実施形態を説明するために図面に開示の形状、大きさ、割合、角度、本数などは、例示的なものであり、本明細書は、図示の事項に限定されるものではない。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を称する。また、本明細書を説明するにあたり、関連する公知の技術に関する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合には、それの詳説を省略する。本明細書上に言及されている「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「～のみ」が使われていない限り、他の部分を加えることができる。構成要素を単数で示した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

【0022】

構成要素を解釈するにあたり、明示的記載が別途ないとしても、誤差範囲を含み得ると解釈される。

【0023】

位置関係に関する説明の場合、例えば、「～上に」、「～上部に」、「～下部に」、「～側に」等と、両部分の位置関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、両部分の間に一以上の他部分が位置していてもよい。

【0024】

時間関係に関する説明の場合、例えば、「～後に」、「～に引き続き」、「～次に」、「～前に」等と、時間の先後関係を説明する場合、「直ちに」又は「直接」が使われていない限り、連続的でない場合も含むことができる。

【0025】

第１、第２などは、様々な構成要素を述べるために使われるものの、これら構成要素は、これらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一構成要素を他構成要素と区別するために使うものである。よって、以下で言及する第１構成要素は、本明細書の技術的思想内における第２構成要素であってもよい。

【0026】

本明細書の複数の実施形態の特徴は、それぞれ部分的に或いは全体的に相互結合又は組み合わせが可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施形態が相互独立に実施することもでき、関連する関係で共に実施することもできる。

【0027】

以下では、本発明の各実施形態による表示装置について添付の図面を参照して説明する。

【0028】

図１は、本明細書の一実施形態による表示装置の断面図である。そして、図２は、図１に図示のマイクロＬＥＤのうち一部の構成を拡大して示した断面図である。

【0029】

図１及び図２を参照すると、パネル基板（ＳＵＢ）のベース基板２００上に複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが配置されている。ベース基板２００上には第１光機能性層２１０が配置され、第１光機能性層２１０上には、第１パターン部２２６と第２パターン部２２５ａとを含む第２光機能性層２２０が配置されていてもよい。複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄは、第２光機能性層２２０の第１パターン部２２６と対応する位置に配置されていてもよい。

【0030】

第１光機能性層２１０は、ベース基板２００と、複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄとの間に位置して、光の透過及び反射を遮断する役割を果たす。第１光機能性層２１０は、光を吸収する材料を含むことができる。一例では、第１光機能性層２１０は、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）、黒色チタン酸化物（ｂｌａｃｋ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）又は黒色酸化鉄（ｂｌａｃｋ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ）を含むことができる。また、第１光機能性層２１０は、前記光を吸収する材料に多孔性ゼオライト（ｍｉｃｒｏ ｐｏｒｏｕｓ ｚｅｏｌｉｔｅ）を添加して構成することができる。多孔性ゼオライトは、複数の気孔を含んでいる。これによって、界面から浸透する水分を複数の気孔に吸着させることにより、表示装置の内部に水分が浸透することを防止または減少させることができる。

【0031】

第２光機能性層２２０は、第１パターン部２２６と第２パターン部２２５ａとを含む。第１パターン部２２６は、第１厚みを有し、第２パターン部２２５ａは、第１パターン部２６よりも相対的に薄い第２厚みを有することができる。これによって、第２光機能性層２２０は、段差状を有することができる。第１パターン部２２６及び第２パターン部２２５ａは、パネル基板（ＳＵＢ）上に相互交互に配置された形状を有することができる。これにより、隣接する２つの第１パターン部２２６の間に第２パターン部２２５ａを配置することができる。

【0032】

第２光機能性層２２０の第１パターン部２２６は、粘着性を有しており、この粘着性によって複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄをパネル基板（ＳＵＢ）のベース基板上に固定することができる。第２パターン部２２５ａは、第１パターン部２２６よりも粘着性がなくて、複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが付着しない。これによって、マイクロＬＥＤは、粘着性を有している第１パターン部２２６上にだけ転写されることによって、目標位置に正確に転写することができる。

【0033】

第２光機能性層２２０は、光によって粘着性が除去される接着合成物を含んで構成することができる。すなわち、第２の光機能層２２０は、光が照射されたときにもはや接着力を有さない接着性複合材料を含むことができる。ここで、接着合成物は、粘着剤（ｔａｃｋｉｆｉｅｒ）、合成物、光酸発生剤（ＰＡＧ；Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、およびクエンチャー（Ｑｕｅｎｃｈｅｒ）を含むことができる。ここで、クエンチャーは、光酸発生剤から発生する酸を中性化する材料を含むことができ、一例では、塩基性物質を含むことができる。例えば、クエンチャーは、アミン（Ａｍｉｎ）系とピリジン（Ｐｙｒｉｄｉｎｅ）系物質を含むことができる。クエンチャーをアミン系物質から形成する場合、トリ－Ｎ－オクチルアミン（Ｔｒｉ（ｎ－ｏｃｔｙｌ）ａｍｉｎｅ）又はヒドロキシルアミン（Ｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ）を含むことができる。クエンチャーをピリジン系物質から形成する場合は、２－ベンジルピリジン（２－Ｂｅｎｚｙｌ ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、４，４’－ジフェニル２（４，４’－Ｄｉｐｈｅｎｙｌ２）、２’ジピリジル（２’ｄｉｐｙｒｉｄｙｌ）、４－ジメチルアミノピリジン（４－ｍｅｔｈｙｌ ａｍｉｎｏ ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、１，３－ジ（４－ピリジル）プロパン）（１，３－ｄｉ（４－ｐｙｒｉｄｙｌ）ｐｒｏｐａｎｅ）などの物質を含むことができる。

【0034】

また、粘着剤は、発泡剤、酸化防止剤、デンドリマー（ｄｅｎｄｒｉｍｅｒ）、感光性樹脂を含むことができる。ここで、感光性樹脂は、ノボラック樹脂（ｎｏｖｏｌａｃ ｒｅｓｉｎ）を含むことができる。合成物は、アルカリ現象性バインダ、シリコン（Ｓｉ）系バインダ、光開始剤（ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ）、ソルベントを含むことができる。光開始剤は、ＵＶ樹脂に少量添加されて、紫外線ランプから出るＵＶを受けると、重合反応を開始する物質である。ソルベントは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ、ＰＣＭＥＡ）を含むことができる。

【0035】

以下では、図１の複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄのうち、１つのマイクロＬＥＤ１３２ａが配置された領域を拡大して示した部分を、図２を参照して説明する。対応する部分をサブピクセル領域と呼ぶことができる。対応する部分が複数存在するため、サブピクセル領域も複数存在する。図２を参照すると、パネル基板（ＳＵＢ）のベース基板２００上にマイクロＬＥＤ１３２ａを駆動させる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が配置される。パネル基板ＳＵＢは複数の薄膜トランジスタＴＦＴを含み、各薄膜トランジスタＴＦＴは複数のサブ画素領域のうちサブ画素領域に対応して配置される。パネル基板（ＳＵＢ）のベース基板２００は、ガラス又はプラスチックを含む透明な物質を含むことができる。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、基板２００上に形成された半導体層（ＡＣＴ）と、半導体層（ＡＣＴ）上に位置したゲート電極（ＧＥ）と、半導体層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＥ）との間に位置するゲート絶縁層（ＧＩ）と、を含むことができる。ベース基板２００と半導体層（ＡＣＴ）との間にはバッファ膜をさらに含むことができる。

【0036】

半導体層（ＡＣＴ）は、ゲート電極（ＧＥ）と重畳してチャンネルを構成するチャンネル領域（ＣＡ）と、チャンネル領域（ＣＡ）を介して両側に位置したソース領域（ＳＡ）と、ドレイン領域（ＤＡ）と、を含むことができる。ゲート電極（ＧＥ）上には層間絶縁膜２０１が配置される。層間絶縁膜２０１は、ゲート絶縁層（ＧＩ）を貫通して、半導体層（ＡＣＴ）のドレイン領域（ＤＡ）と電気的に連結されるドレイン電極２０２を含むことができる。また、ソース領域（ＳＡ）と電気的に連結されるソース電極を含むことができる。

【0037】

層間絶縁膜２０１上には、連結電極２０３及び配線ライン２０４が配置されていてもよい。連結電極２０３及び配線ライン２０４は、同じ平面上に配置されていてもよい。一例では、配線ライン２０４は、共通電圧ラインを含むことができる。連結電極２０３及び配線ライン２０４を覆う保護層２０５は、層間絶縁膜２０１上に配置される。保護層２０５は、連結電極２０３及び配線ライン２０４の上部面を選択的に露出させることができる。

【0038】

保護層２０５上には光機能性層２１０，２２０が配置されていてもよい。光機能性層２１０，２２０は、保護層２０５を貫通して、連結電極２０３及び配線ライン２０４の上部面を選択的に露出させることができる。光機能性層２１０，２２０は、第１光機能性層２１０及び第２光機能性層２２０を含むことができる。第２光機能性層２２０は、第１パターン部２２６及び第２パターン部２２５ａを含むことができる。ここで、第２パターン部２２５ａを除いて第１パターン部２２６のみ粘着性を有することができる。

【0039】

第２光機能性層２２０の第１パターン部２２６と重畳して、マイクロＬＥＤ１３２ａが配置されていてもよい。第１パターン部２２６は、粘着性を有することによって、マイクロＬＥＤ１３２ａは、第１パターン部２２６に接着し得る。

【0040】

マイクロＬＥＤ１３２ａは、発光素子構造物１２、第１電極１２５及び第２電極１２７を含むことができる。発光素子構造物１２０は、第１半導体層１０５と、第１半導体層１０５の一側上に配置された活性層１１０と、第２半導体層１１５と、を含むことができる。第１電極１２５は、活性層１１０が位置しない第１半導体層１０５上に配置され、第２電極１２７は、第２半導体層１１５上に配置される。一方、本明細書の実施形態では、説明の便宜のため、水平型（ｌａｔｅｒａｌ ｔｙｐｅ）マイクロＬＥＤを例に挙げて説明したが、これに限定されるのではない。一例では、マイクロＬＥＤは、垂直型（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｔｙｐｅ）又はフリップチップ型（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｔｙｐｅ）であってもよい。

【0041】

第１半導体層１０５は、活性層１１０に電子を供給するための層であって、第１導電型不純物を含む窒化物半導体を含むことができる。例えば、第１導電型不純物は、Ｎ型不純物を含むことができる。第１半導体層１０５の一側上に配置された活性層１１０は、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造を含むことができる。第２半導体層１１５は、活性層１１０に正孔を注入するための層である。第２半導体層１１５は、第２導電型不純物を含む窒化物半導体を含むことができる。例えば、第２導電型不純物は、Ｐ型不純物を含むことができる。

【0042】

マイクロＬＥＤ１３２ａは、第１平坦化層２５０で覆われていてもよい。第１平坦化膜２５０は、回路素子によって段差を有する上部表面を偏平にするのに十分な厚みを有することができる。第１平坦化層２５０は、第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４を含むことができる。第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４は、第１光機能性層２１０、第２光機能性層２２０の第２パターン部２２５ａ及び保護層２０５を貫通して、配線ライン２０４及び連結電極２０３表面の一部を露出させることができる。また、第１平坦化層２５０は、マイクロＬＥＤ１３２ａの第１電極１２５及び第２電極１２７上部面の一部を露出させるように第３コンタクトホール２５３ａ及び第４コンタクトホール（２５３ｂ）を含み得る。

【0043】

第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４の露出面には、それぞれ第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０が位置し、配線ライン２０４又は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層（ＡＣＴ）のドレイン領域（ＤＡ）とそれぞれ電気的に接続することができる。また、第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０は、それぞれ第１電極１２５及び第２電極１２７の露出面に配置される。これにより、第１配線電極２５５は、第１電極１２５と電気的に連結することができる。第２配線電極２６０は、第２電極１２７と電気的に連結することができる。第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０は、同じ物質から構成することができる。一例では、第１配線電極２５５又は第２配線電極２６０は、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｏｘｉｄｅ）又はインジウム－亜鉛－酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ－Ｚｉｎｃ－Ｏｘｉｄｅ）といった透明な金属酸化物を含むことができる。

【0044】

第１平坦化層２５０上にバンクホールが備えられたバンク２６５が配置される。バンク２６５は、発光領域を定義する境界領域であって、各々のサブ画素を区分する役割を果たす。一例では、第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０がそれぞれ形成された第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４は、バンク２６５を構成する物質で満たすことができる。また、図面には示していないものの、バンク２６５上にはブラックマトリックスが配置されていてもよい。そして、バンク２６５を含む基板２００上に密封材２７０が配置されていてもよい。

【0045】

本明細書の実施形態では、パネル基板上に相異する機能を有する光機能性層を形成し、領域別に相異する粘着性を有する第１パターン部及び第２パターン部を形成することにより、２次転写工程において、パネル基板上にマイクロＬＥＤを、粘着性を有する第１パターン部位置に正確に転写することができる。これによって、マイクロＬＥＤがパネル基板上に目標位置でない所に過転写されるか、目標位置に転写されない不良が発生することを防止または削減することができる。

【0046】

図３～図１６は、本明細書の一実施形態によるマイクロＬＥＤの表示装置の製造方法を説明するために示した図面である。

【0047】

図３を参照すると、成長基板１００の上面に複数のマイクロＬＥＤ１３０を形成する。成長基板１００は、サファイア基板、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）又はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の物質を含んで形成することができるものの、これに限定されるものではない。成長基板１００上に形成されたマイクロＬＥＤ１３０は、発光素子構造物１２０と、第１電極１２５と、第２電極１２７と、を含むことができる。発光素子構造物１２０は、第１半導体層１０５と、第１半導体層１０５の一側上に配置された活性層１１０と、第２半導体層１１５と、を含むことができる。第１電極１２５は、活性層１１０が位置しない第１半導体層１０５上に配置され、第２電極１２７は、第２半導体層１１５上に配置される。

【0048】

図４を参照すると、複数のマイクロＬＥＤ１３０をドナー基板１４０上に移す１次転写工程を行う。

【0049】

このために先ず、複数のマイクロＬＥＤ１３０が配置された成長基板１００をドナー基板１４０の上部に位置させる。複数のマイクロＬＥＤ１３０は、成長基板１００の上面に配置されている。成長基板１００は、複数のマイクロＬＥＤ１３０がドナー基板１４０の上面と対向する方向に位置するように整列することができる。引き続き、成長基板１００の背面における上面方向にレーザを照射して、複数のマイクロＬＥＤ１３０を成長基板１００から分離して、ドナー基板１４０上に転写する。

【0050】

ドナー基板１４０上に転写された複数のマイクロＬＥＤ１３０は、１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄと、２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄとを含むことができる。１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ及び２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄは、１つのドナー基板１４０上に相互離隔して配置されていてもよい。

【0051】

図５を参照すると、パネル基板（ＳＵＢ）を準備する。パネル基板（ＳＵＢ）上には、その後に配置される複数のマイクロＬＥＤを駆動させるため回路素子が配置されていてもよい。一例では、回路素子は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、連結電極２０３と、配線ライン２０４等と、を含むことができる。回路素子は、複数のマイクロＬＥＤとそれぞれ連結されるように複数本が配置されていてもよい。

【0052】

複数本の回路素子のうち１つの回路素子である「Ａ」部分を拡大して示した部分を参照すると、パネル基板（ＳＵＢ）のベース基板２００は、ガラス又はプラスチックを含む透明な物質を含むことができる。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、ベース基板２００上に形成された半導体層（ＡＣＴ）と、半導体層（ＡＣＴ）上に位置したゲート電極（ＧＥ）と、半導体層（ＡＣＴ）とゲート電極（ＧＥ）との間に位置するゲート絶縁層（ＧＩ）と、を含むことができる。基板２００と半導体層（ＡＣＴ）との間にはバッファ膜をさらに含むことができる。

【0053】

半導体層（ＡＣＴ）は、チャンネル領域（ＣＡ）と、チャンネル領域（ＣＡ）の両側に位置したソース領域（ＳＡ）と、ドレイン領域（ＤＡ）と、を含むことができる。ゲート電極（ＧＥ）上には層間絶縁膜２０１が配置される。層間絶縁膜２０１は、ドレイン電極２０２を含むことができる。また、層間絶縁膜２０１は、ソース領域（ＳＡ）と電気的に連結されるソース電極を含むことができる。層間絶縁膜２０１上には連結電極２０３及び配線ライン２０４が配置されていてもよい。連結電極２０３及び配線ライン２０４は、同じ平面上に配置されていてもよい。一例では、配線ライン２０４は、共通電圧ラインを含むことができる。

【0054】

図６を参照すると、パネル基板（ＳＵＢ）上に光機能性層２１０，２２０を形成する。光機能性層２１０，２２０は、第１光機能性層２１０及び第２光機能性層２２０が順次積層した多重層構造を含むことができる。

【0055】

第１光機能性層２１０は、光の透過及び反射を遮断する役割を果たす。第１光機能性層２１０は、光を吸収し得る材料を含んで形成することができる。一例では、第１光機能性層２１０は、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ ｂｌａｃｋ）、黒色チタン酸化物（ｂｌａｃｋ ｔｉｔａｎｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）又は黒色酸化鉄（ｂｌａｃｋ ｉｒｏｎ ｏｘｉｄｅ）を含む第１材料から構成することができる。また、第１光機能性層２１０は、第１材料に多孔性ゼオライト（ｍｉｃｒｏ ｐｏｒｏｕｓ ｚｅｏｌｉｔｅ）を添加して形成することができる。多孔性ゼオライトは、界面から浸透する水分を吸着して、表示装置の内部に水分が浸透することを防止するまたは削減ことができる。

【0056】

第１光機能性層２１０上に形成された第２光機能性層２２０は、光によって粘着性が変化する接着合成物を含んで形成することができる。一例では、第２機能性層２２０は、粘着剤（ｔａｃｋｉｆｉｅｒ）、合成物、光酸発生剤（ＰＡＧ；Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、およびクエンチャー（Ｑｕｅｎｃｈｅｒ）を含む接着合成物を含むことができる。粘着剤は、発泡剤、酸化防止剤、デンドリマー（ｄｅｎｄｒｉｍｅｒ）、感光性樹脂を含むことができる。ここで、感光性樹脂は、化学増幅型レジストであるノボラック樹脂（ｎｏｖｏｌａｃ ｒｅｓｉｎ）を含むことができる。合成物は、アルカリ現象性バインダ、シリコン（Ｓｉ）系バインダ、光開始剤（ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ）、ソルベントを含むことができる。光開始剤は、露光工程の際、紫外線（ＵＶ）ランプから出るＵＶ光を受けると、重合反応を開始する物質である。ソルベントは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ，ＰＧＭＥＡ）を含むことができる。

【0057】

図７を参照すると、光機能性層２１０，２２０上に露光工程のため露光マスク（Ｍ）を配置する。露光マスク（Ｍ）は、ＵＶ光を選択的に照射する開口部２２２と、ＵＶ光を遮断する遮光部２２４とを含むことができる。そして、露光マスク（Ｍ）の開口部２２２を介して光機能性層２１０，２２０にＵＶ光が照射し得る。ここで、第１光機能性層２１０は、光の透過及び反射を遮断する材料を含んで構成されることによって、第１光機能性層２１０の下部に位置した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のような回路素子が光によって影響されることを防止または削減することができる。これによって、露光工程による光源は、第２光機能性層２２０上に照射し得る。

【0058】

図８を参照すると、図７の露光マスク（Ｍ）の遮光部２２４と対応する第２光機能性層２２０の第１パターン部２２６は、ＵＶ光に露出しないことから、粘着力が維持し得る。これに対して、露光マスク（Ｍ）の開口部２２２を介してＵＶ光が照射した第２光機能性層２２０の予備第２パターン部２２５は、ＵＶ光が照射しながら粘着力が除去される。ここで、第２光機能性２２０を構成する材料に含まれた光酸発生剤（ＰＡＧ）は、光の回折特性を最小化して、光の乱反射を防止または削減することができる。言い換えれば、光の回折特性を最小化して、第１パターン部２２６まで光が到逹することを防止または削減することで、粘着力が除去される範囲を予備第1パターン部２２５に限定することができる。

【0059】

図９を参照すると、露光工程が行われた第２光機能性層２２０に対して現象工程を行って、第１パターン部２２６及び第２パターン部２２５ａを形成する。

【0060】

露光工程を通じてＵＶ光が照射されると、第２光機能性層２２０内に含まれた光酸発生剤（ＰＡＧ）から酸（＋Ｈ）が発生して、露光した部分である第２光機能性層２２０の予備第２パターン部２２５と、露光していない部分である第１パターン部２２６の現像液に対する溶解も相違するようにする。すなわち、露光した部分である予備第２パターン部２２５は、現像液による溶解が充分に行われる。また、第１パターン部２２６は、現像液による溶解が行われない。

【0061】

現象工程によって、予備第２パターン部２２５が溶解されることによって、隣接した第１パターン部２２６の間に第２パターン部２２５ａが配置されていてもよい。ここで、第１パターン部２２６は、現像液による溶解が行われないことから、第１厚みを有することができる。これに対して、第２パターン部２２５ａは、第１パターン部２２６から所定の厚み（ｄ）だけ低くなることにより、第１パターン部２２６よりも相対的に薄い第２厚みを有することになる。これによって、第１パターン部２２６は、突出した形状を有する。

【0062】

一方、第２光機能性層２２０内にクエンチャー（Ｑｕｅｎｃｈｅｒ）が含有されているか否かによって、第２光機能性層２２０の第２パターン部２２５ａの線幅が影響を受けることができる。以下では、図１０及び図１１を参照して説明することとする。図１０は、第２光機能性層２２０内にクエンチャーが含まれていない場合であり、図１１は、第２光機能性層２２０内にクエンチャーが含まれている場合を示す。

【0063】

図１０を参照すると、第２光機能性層２２０の露光領域（ＥＸ１）に光が印加されると、第２光機能性層２２０内に含まれた光酸発生剤（ＰＡＧ）から酸（＋Ｈ）が発生する（ａ）。光酸発生剤（ＰＡＧ）から発生した酸（＋Ｈ）は、第２光機能性層２２０の露光領域（ＥＸ１）における触媒反応を起こして、露光した部分と露光していない部分の現像液に対する溶解も相違するようにする。すなわち、酸（＋Ｈ）の濃度が高い部分であればあるほど、現像液による溶解が充分に行われる。露光領域（ＥＸ１）は、第２光機能性層２２０の第２パターン部２２５ａと称することもできる。

【0064】

ここで、第２光機能性層２２０の光が供給されない第１パターン部２２６では、酸（＋Ｈ）が発生しない。しかし、露光領域（ＥＸ１）で発生した酸（＋Ｈ）は、第２機能性層２２０の第１パターン部２２６に拡散することになる（ｂ）。上述したように、酸（＋Ｈ）は、現像液による溶解が行われるようにすることによって、ターゲット線幅よりも酸（＋Ｈ）が拡散した領域（△Ｃ）だけ増加した線幅（ＣＤ１）に形成されていてもよい。ターゲット線幅よりも増加した線幅（ＣＤ１）に形成されると、粘着力が維持される部分の面積が狭くなりながら、その後、マイクロＬＥＤを転写する際に誤整列が発生する可能性が高まり得る。

【0065】

これによって、本明細書の実施形態では、露光領域（ＥＸ１）を除く他の領域に酸（＋Ｈ）が拡散することを防止する方法を含むことができる。

【0066】

具体的に、図１１に示したように、本明細書の実施形態では、第２光機能性層２２０内にクエンチャー（Ｑ）が含まれている。クエンチャー（Ｑ）は、光酸発生剤（ＰＡＧ）から発生する酸を中性化する材料を含むことができ、一例では、塩基性物質を含むことができる。

【0067】

クエンチャー（Ｑ）が含まれた第２光機能性層２２０の露光領域（ＥＸ２）に光が印加されると、露光領域（ＥＸ２）の第２光機能性層２２０内に含まれた光酸発生剤（ＰＡＧ）から酸（＋Ｈ）が発生する（ａ）。露光領域（ＥＸ２）は、第２光機能性層２２０の第２パターン部２２５ａと称することもできる。

【0068】

第２光機能性層２２０の光が供給されない第１パターン部２２６では、酸（＋Ｈ）が発生しない。また、クエンチャー（Ｑ）は、露光領域（ＥＸ２）と第２パターン部２２６の界面で酸（＋Ｈ）を中性化させる。これによって、現象工程を行った後の線幅（ＣＤ２）は、露光領域（ＥＸ２）の幅と同一の幅を有するように形成することができる。

【0069】

図１２を参照すると、複数のマイクロＬＥＤが配置されたドナー基板１４０をパネル基板（ＳＵＢ）上に位置させる。ここで、複数のマイクロＬＥＤは、１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄと、２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄとを含むことができる。

【0070】

引き続き、ドナー基板１４０を図１２における矢印で示したように、スタンピング方式によってパネル基板（ＳＵＢ）上に合着及び脱着する。すると、複数のマイクロＬＥＤのうち、１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄがパネル基板（ＳＵＢ）上に転写される。１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄは、粘着性を有する第２光機能層の第１パターン部２２６上に配置されていてもよい。ここで、１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄと隣接して配置された２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄは、合着の際、粘着性が除去された第２パターン部２２５ａと対応することによって、転写は行われない。

【0071】

これによって、マイクロＬＥＤがパネル基板（ＳＵＢ）上の目標位置でない所に過転写されるか、目標位置に転写されない不良が発生することを防止または減少することができる。

【0072】

図１３を参照すると、２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが残っているドナー基板１４０を図１３における矢印で示したように、スタンピング方式によってパネル基板（ＳＵＢ）上に合着及び脱着する。すると、２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄがパネル基板（ＳＵＢ）上に転写される。２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄは、粘着性を有する第２光機能層２２０の第１パターン部２２６上に配置されていてもよい。

【0073】

これによって、パネル基板（ＳＵＢ）上には、１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ及び２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが第１パターン部２２６と重畳して配置されていてもよい。ここで、１つのドナー基板１４００を用いて、少なくとも２回以上繰り返して転写工程を行えるため、転写工程の速度を向上させることができる。また、パネル基板（ＳＵＢ）上にスタンピング方式によって１次転写用マイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ及び２次転写用マイクロＬＥＤ１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄを転写する過程は、常温で行うことができる。これによって、熱と圧力を印加して転写する方法よりも、マイクロＬＥＤの素子特性が熱及び圧力によって不良が発生することを防止または減少することができる。

【0074】

そして、ドナー基板１４０を除去すると、図１４に示したように、第２光機能性層２２０の第１パターン部２２６が配置された位置と対応して、複数のマイクロＬＥＤ１３１ａ，１３１ｂ，１３１ｃ，１３１ｄ，１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ，１３２ｄが配置されていてもよい。図１４の複数のマイクロＬＥＤのうち、一部の構成（Ｂ）を拡大して示した図１５を参照すると、マイクロＬＥＤ１３２ａは、発光素子構造物１２０と、第１電極１２５と、第２電極１２７と、を含むことができる。第１電極１２５は、活性層１１０が位置しない第１半導体層１０５上に配置され、第２電極１２７は、第２半導体層１１５上に配置される。

【0075】

図１６を参照すると、マイクロＬＥＤ１３２ａ上に第１平坦化層２５０を形成する。第１平坦化膜２５０は、回路素子によって段差を有する上部表面を偏平にするのに十分な厚みを有することができる。引き続き、第１平坦化層２５０内に第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４を形成する。第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４は、光機能性層及び保護層２０５を貫通して、配線ライン２０４及び連結電極２０３表面の一部を露出させることができる。また、第１平坦化層２５０は、マイクロＬＥＤ１３２ａの第１電極１２５及び第２電極１２７上部面の一部を露出させる第３コンタクトホール２５３ａと第４コンタクトホール２５３ｂ ）を含むことができる。

【0076】

次に、第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４の露出面にそれぞれ第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０を形成して、配線ライン２０４又は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層（ＡＣＴ）のドレイン領域（ＤＡ）とそれぞれ電気的に接続させる。また、第１配線電極２５５および第２配線電極２６０は、それぞれ第１電極１２５および第２電極１２７の露出面に配置することができる。これにより、第１配線電極２５５は、第１電極１２５と電気的に連結することができる。第２配線電極２６０は、第２電極１２７と電気的に連結することができる。第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０は、同じ物質から構成することができる。一例では、第１配線電極２５５又は第２配線電極２６０は、インジウム－スズ－酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム－亜鉛－酸化物（ＩＺＯ）といった透明な金属酸化物を含むことができる。

【0077】

次に、第１平坦化層２５０上にバンク孔が備えられたバンク２６５を形成する。バンク２６５は、隣接したサブ画素をそれぞれ区分して発光領域を定義する。一例では、第１配線電極２５５及び第２配線電極２６０がそれぞれ形成された第１コンタクトホール２５２及び第２コンタクトホール２５４は、バンク２６５を構成する物質で満たすことができる。バンク２６５を含むパネル基板（ＳＵＢ）上に密封材２７０を形成して、外部の衝撃又は異物からマイクロＬＥＤ１３２ａを保護する。

【0078】

本明細書の実施形態によれば、パネル基板上に光機能性層を形成して、局所的な露光工程を通じて領域別に相異する接着性を付与することにより、２次転写工程において、パネル基板上にマイクロＬＥＤを目標する位置に正確に転写することができる効果がある。これによって、マイクロＬＥＤがパネル基板上の目標位置でない所に過転写されるか、目標位置に転写されない不良が発生することを防止または減少することができる利点がある。

【符号の説明】

【0079】

１００ 成長基板
１０５ 第１半導体層
１１０ 活性層
１１５ 第２半導体層
１２０ 窒化物半導体構造物
１２５ 第１電極
１２７ 第２電極
１３０ マイクロＬＥＤ
１４０ ドナー基板
ＳＵＢ パネル基板
２００ ベース基板
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
２０１ 層間絶縁膜
２０３ 連結電極
２０４ 配線ライン
２１０ 第１光機能性層
２２０ 第２光機能性層
２２６ 第１パターン部
２２５ 第２パターン部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】